TWI520395B - 新穎有機發光裝置（ｏｌｅｄ）顯示器架構 - Google Patents

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Description

新穎有機發光裝置(OLED)顯示器架構
本發明係關於有機發光裝置，且更特定言之關於淡藍及深藍有機發光裝置顯現色彩之用途。
相關申請案之交叉參考
本申請案主張2010年3月24日申請之美國申請案第61/340,932號及2010年8月9日申請之美國申請案第12/852,999號的優先權，該等申請案之揭示內容係以全文引用的方式明確地併入本文中。
所主張之發明係代表及/或聯合以下一或多方共同大學法人研究協定當事者而創製：密西根大學委員會(Regents of the University of Michigan)、普林斯頓大學(Princeton University)、南加州大學(University of Southern California)及環球顯示器公司(Universal Display Corporation)。該協定在所主張之發明創製之日及之前有效且所主張之發明係由於在該協定範疇內所進行之活動而創製。
利用有機材料之光電裝置由於許多原因而日益變得合乎需要。用於製造該等裝置之許多材料相對便宜，因此有機光電裝置具有優於無機裝置之成本優勢的潛力。另外，有機材料之固有性質(諸如其可撓性)可使其非常適於特定應用，諸如在可撓性基板上的製造。有機光電裝置之實例包括有機發光裝置(OLED)、有機光電晶體、有機光伏打電池及有機光偵測器。對於OLED，有機材料可具有超過習知材料之效能優勢。舉例而言，有機發射層發光所處之波長一般可容易地用適當摻雜劑來調節。
當跨越裝置施加電壓時，OLED利用發光之有機薄膜。OLED正成為用於諸如平板顯示器、照明及背光之應用的日益受關注之技術。若干OLED材料及構造描述於美國專利第5,844,363號、第6,303,238號及第5,707,745號中，該等專利係以全文引用的方式併入本文中。
有機發射分子之一個應用為全色顯示器。關於該種顯示器之行業標準需要適合於發射特定色彩(稱為「飽和」色)之像素。詳言之，該等標準需要飽和紅色、綠色及藍色像素。色彩可使用此項技術中熟知之CIE座標量測。
綠光發射分子之一個實例為參(2-苯基吡啶)銥，以Ir(ppy)3表示，其具有式I結構：
在此圖及下文之圖中，吾等以直線描繪氮至金屬(此處為Ir)之配位鍵(dative bond)。
如本文中所用之術語「有機」包括可用於製造有機光電裝置之聚合材料以及小分子有機材料。「小分子」係指不為聚合物之任何有機材料，且「小分子」實際上可能相當大。在一些情況下，小分子可包括重複單元。舉例而言，使用長鏈烷基作為取代基並不會將某一分子自「小分子」類別中移除。小分子亦可例如作為聚合物主鏈上之側基或作為主鏈之一部分併入聚合物中。小分子亦可充當樹狀體之核心部分，該樹狀體由一系列化學殼層組合於該核心部分上組成。樹狀體之核心部分可為螢光或磷光小分子發射體。樹狀體可為「小分子」，且咸信目前用於OLED領域之所有樹狀體均為小分子。
如本文中所用，「頂部」意謂離基板最遠，而「底部」意謂距基板最近。在將第一層描述為「置於」第二層「上方」時，第一層係置於離基板較遠處。除非指定第一層與第二層「接觸」，否則在第一層與第二層之間可能存在其他層。舉例而言，即使陰極與陽極之間存在各種有機層，陰極亦可被描述為「置於」陽極「上方」。
如本文中所用，「溶液可加工」意謂能夠以溶液或懸浮液形式溶解、分散或輸送於液體介質中及/或自液體介質沈積。
當咸信配位體直接促成發射材料之光敏性質時，配位體可稱為「光敏性」配位體。當咸信配位體並不促成發射材料之光敏性質時，配位體可稱為「輔助性」配位體，但輔助性配位體可能改變光敏性配位體之性質。
如本文中所用且如熟習此項技術者通常所將瞭解，若第一能階較接近於真空能階，則第一「最高佔用分子軌域」(Highest Occupied Molecular Orbital，HOMO)或「最低未佔用分子軌域」(Lowest Unoccupied Molecular Orbital，LUMO)之能階「大於」或「高於」第二HOMO或LUMO能階。由於游離電位(IP)經量測相對於真空能階為負能量，故較高HOMO能階對應於具有較小絕對值之IP(IP為較不負的負值(less negative))。類似地，較高LUMO能階對應於具有較小絕對值之電子親和力(EA)(EA為較不負的負值)。在頂部為真空能階之習知能階圖上，一種材料之LUMO能階高於同一材料之HOMO能階。「較高」HOMO或LUMO能階呈現比「較低」HOMO或LUMO能階接近於該圖頂部。
如本文中所用且如熟習此項技術者通常所將瞭解，若第一功函數具有較高絕對值，則第一功函數「大於」或「高於」第二功函數。由於功函數通常經量測相對於真空能階為負數，故此意謂「較高」功函數為更負之負值(more negative)。在頂部為真空能階之習知能階圖上，「較高」功函數經圖示為在向下方向上離真空能階較遠。因此，HOMO及LUMO能階之定義遵循與功函數不同的慣例。
關於OLED之更多詳情及上述定義可見於美國專利第7,279,704號中，其以全文引用的方式併入本文中。
本發明提供一種裝置。該裝置包括四像素，此意謂該裝置具有至少四個獨立像素或子像素。每一像素為一個有機發光裝置(OLED)，以致存在第一、第二、第三及第四OLED。該第一、該第二、該第三及該第四OLED各獨立地具有第一電極及第二電極。各OLED亦獨立地具有置於該第一電極與該第二電極之間的具有發射材料之有機發射堆疊；置於該第一電極與該發射堆疊之間且與該第一電極及該發射堆疊接觸的第一有機堆疊；及置於該第二電極與該發射層之間且與該第二電極及該發射層接觸的第二有機堆疊。該第一OLED之有機發射堆疊、該第二OLED之有機發射堆疊、該第三OLED之有機發射堆疊及該第四OLED之有機發射堆疊各具有不同發射光譜。該第一OLED之第一有機堆疊、該第二OLED之第一有機堆疊及該第三OLED之第一有機堆疊在材料或厚度或此兩方面彼此不同。該第三OLED之第一有機堆疊及該第四OLED之第一有機堆疊相同。
在一實施例中，第一電極為陽極且對於第一OLED、第二OLED、第三OLED及第四OLED中之每一者而言，OLED為底部發射OLED。
在一實施例中，第一電極為陽極且對於第一OLED、第二OLED、第三OLED及第四OLED中之每一者而言，OLED為頂部發射OLED。
在一實施例中，第一電極為陰極且對於第一OLED、第二OLED、第三OLED及第四OLED中之每一者而言，OLED為底部發射OLED。
在一實施例中，第一電極為陰極且對於第一OLED、第二OLED、第三OLED及第四OLED中之每一者而言，OLED為頂部發射OLED。
在一實施例中，第二有機堆疊在第一OLED、第二OLED、第三OLED及第四OLED中之每一者中為相同的。
在一實施例中，第二有機堆疊在第一OLED、第二OLED、第三OLED及第四OLED中之每一者中為不同的。
在一實施例中，第一、第二、第三及第四OLED各具有不同於其他OLED各自之發射材料的單一發射材料。第一OLED之發射材料發射峰值波長在600-700 nm可見光譜中之光，且為磷光材料。第二OLED之發射材料發射峰值波長在500-600 nm可見光譜中之光，且為磷光材料。第三OLED之發射材料發射峰值波長在400-500 nm可見光譜中之光。第四OLED之發射材料發射峰值波長在400-500 nm可見光譜中之光。由第四有機發光裝置發射之光在可見光譜中之峰值波長小於由第三有機發光裝置發射之光在可見光譜中之峰值波長至少4 nm。第三OLED及第四OLED之發射材料可為磷光材料及螢光材料之任意組合。兩者可皆為磷光材料，兩者可皆為螢光材料，或一者可為螢光材料且另一者可為磷光材料。舉例而言，第三OLED之發射材料可為磷光材料且第四OLED之發射材料可為螢光材料。
在一實施例中，第一、第二、第三及第四OLED各具有發射與由其他OLED各自之有機發射堆疊所發射之光譜不同之光譜的有機發射堆疊。第一OLED之有機發射堆疊發射峰值波長在600-700 nm可見光譜中之光，且包括磷光發射材料。第二OLED之有機發射堆疊發射峰值波長在500-600 nm可見光譜中之光，且包括磷光發射材料。第三OLED之有機發射堆疊發射峰值波長在400-500 nm可見光譜中之光。第四OLED之有機發射堆疊發射峰值波長在550-600 nm可見光譜中之光，且包括磷光發射材料。由第四有機發光裝置發射之光在可見光譜中之峰值波長大於由第二有機發光裝置發射之光在可見光譜中之峰值波長至少10 nm，且小於由第一有機發光裝置發射之光在可見光譜中之峰值波長至少10 nm。
在一實施例中，第四OLED之有機發射堆疊包括第四OLED之有機發射層，且第四OLED之有機發射層與第一、第二及第三OLED之第一或第二有機堆疊之組件相同且與其同時沈積。
在一實施例中，該裝置為包括複數個四像素之消費型裝置。
本發明提供一種沈積包含四像素之裝置的方法。該四像素包括第一OLED、第二OLED、第三OLED及第四OLED。各OLED獨立地具有：一基板之一區域，在該區域上方安置該OLED；第一電極；第二電極；置於該第一電極與該第二電極之間的具有發射材料之有機發射堆疊；置於該第一電極與該發射層之間且與該第一電極及該發射層接觸的第一有機堆疊；及置於該第二電極與該有機發射堆疊之間且與該第二電極及該有機發射堆疊接觸的第二有機堆疊。第一OLED之有機發射堆疊、第二OLED之有機發射堆疊、第三OLED之有機發射堆疊及第四OLED之有機發射堆疊各具有不同發射光譜。第一OLED之第一有機堆疊、第二OLED之第一有機堆疊及第三OLED之第一有機堆疊在材料或厚度或此兩方面彼此不同。該方法包含使第三OLED之第一有機堆疊之各組件與第四OLED之第一有機堆疊中之相同組件同時沈積。
在一實施例中，在第一、第二、第三及第四OLED之第一有機堆疊的沈積過程中，存在至多兩個光罩對準，其允許沈積在第一、第二、第三及第四OLED之一些而非所有區域上方，及允許經由各光罩沈積第一、第二、第三及第四OLED中之一些而非所有OLED的第一有機堆疊之一或多個組件。可能存在正好兩個該等對準。視情況而定，在第一、第二、第三及第四OLED之第一有機堆疊的沈積過程中，及在經由允許沈積在第一、第二、第三及第四OLED中之一些而非所有OLED上方的兩個光罩沈積之前，沈積第一、第二、第三及第四OLED之第一有機堆疊的一或多個組件。視情況而定，在第一、第二、第三及第四OLED之第一有機堆疊的沈積過程中，及在經由允許沈積在第一、第二、第三及第四OLED中之一些而非所有OLED上方的兩個光罩沈積之後，沈積第一、第二、第三及第四OLED之第一有機堆疊的一或多個組件。
在一實施例中，在四像素的沈積過程中，存在至多六個光罩對準，其允許沈積在第一、第二、第三及第四OLED之一些而非所有區域上方，及允許經由各光罩沈積第一、第二、第三及第四OLED之一或多個組件。
在一實施例中，將第一、第二、第三及第四OLED各自之第一有機堆疊的一或多個組件沈積在第一、第二、第三及第四OLED各自的區域上方。另外，對準一光罩，其允許沈積在第二OLED之區域上方而非第一、第三及第四OLED之區域上方，且經由該光罩在第二OLED之區域上方而非第一、第三及第四OLED之區域上方進行第二OLED之第一有機堆疊的一或多個組件之沈積。亦對準一光罩，其允許沈積在第三及第四OLED之區域上方而非第一及第二OLED之區域上方，且經由該光罩在第三及第四OLED之區域上方而非第一及第二OLED之區域上方進行第三及第四OLED之第一有機堆疊的一或多個組件之沈積。此等沈積及相應對準可依所述順序進行，或依不同順序進行。
在一實施例中，將第一、第二、第三及第四OLED各自之第一有機堆疊的一或多個組件沈積在第一、第二、第三及第四OLED各自的區域上方。另外，對準一光罩，其允許沈積在第二、第三及第四OLED之區域上方而非第一OLED之區域上方，且經由該光罩在第二、第三及第四OLED之區域上方而非第一OLED之區域上方進行第二、第三及第四OLED之第一有機堆疊的一或多個組件之沈積。亦對準一光罩，其允許沈積在第三及第四OLED之區域上方而非第一及第二OLED之區域上方，且經由該光罩在第三及第四OLED之區域上方而非第一及第二OLED之區域上方進行第三及第四OLED之第一有機堆疊的一或多個組件之沈積。此等沈積及相應對準可依所述順序進行，或依不同順序進行。
在一實施例中，將第一、第二、第三及第四OLED各自之第一有機堆疊的一或多個組件沈積在第一、第二、第三及第四OLED各自的區域上方。亦對準一光罩，其允許沈積在第一及第二OLED之區域上方而非第三及第四OLED之區域上方，且經由該光罩在第一及第二OLED之區域上方而非第三及第四OLED之區域上方進行第一及第二OLED之第一有機堆疊的一或多個組件之沈積。另外，對準一光罩，其允許沈積在第一OLED之區域上方而非第二、第三及第四OLED之區域上方，且經由該光罩在第一OLED之區域上方而非第二、第三及第四OLED之區域上方進行第一OLED之第一有機堆疊的一或多個組件之沈積。此等沈積及相應對準可依所述順序進行，或依不同順序進行。
在一實施例中，將第一、第二、第三及第四OLED各自之第一有機堆疊的一或多個組件沈積在第一、第二、第三及第四OLED各自的區域上方。對準一光罩，其允許沈積在第一OLED之區域上方而非第二、第三及第四OLED之區域上方，且經由該光罩在第一OLED之區域上方而非第二、第三及第四OLED之區域上方進行第一OLED之第一有機堆疊的一或多個組件之沈積。對準一光罩，其允許沈積在第二OLED之區域上方而非第一、第三及第四OLED之區域上方，且經由該光罩在第二OLED之區域上方而非第一、第三及第四OLED之區域上方進行第一OLED之第一有機堆疊的一或多個組件之沈積。此等沈積及相應對準可依所述順序進行，或依不同順序進行。
在一種方法之一實施例中，對於第一OLED、第二OLED、第三OLED及第四OLED中之每一者而言：第一電極為陽極；第二電極為陰極，且OLED為底部發射OLED。除上述方法步驟之外，該方法進一步包括：在基板上方提供第一、第二、第三及第四OLED各自之第一電極。對於第一、第二、第三及第四OLED中之每一者而言，在第一電極上方及在先前堆疊上方按順序沈積以下項：第一有機堆疊；有機發射堆疊，及第二有機堆疊，及第二電極。
在一實施例中，例如進一步關於先前段落中所述之方法，沈積第一有機堆疊包括：對於第一、第二、第三及第四OLED中之每一者而言，依如下順序沈積電洞注入層及電洞傳輸層。同時沈積第一、第二、第三及第四OLED各自之電洞注入層。使用多個步驟及不同光罩來沈積第一、第二及第三OLED之不同的電洞傳輸層。同時沈積第三及第四OLED之電洞傳輸層。
在一實施例中，例如進一步關於先前段落中所述之方法，第一、第二、第三及第四OLED各自之發射堆疊係經由不同光罩來沈積且具有不同於其他發射堆疊各自之材料組成。
在最廣泛的含義中，各實施例係有關沈積第一、第二、第三及第四OLED之第一有機堆疊的特定構造及方式。多種構造及方法中之任一者可用於相應發射堆疊及第二有機堆疊。
在一實施例中，第一、第二、第三及第四OLED中之至少一者的發射堆疊包括具有主體及摻雜劑之發射層及具有主體且不具有摻雜劑之阻擋層。
在一實施例中，沈積第二有機堆疊包括：對於第一、第二、第三及第四OLED中之每一者而言，依如下順序沈積電子傳輸層及電子注入層。同時沈積第一、第二、第三及第四OLED各自之電子注入層。同時沈積第一、第二、第三及第四OLED各自之電子傳輸層。此實施例較佳與包括阻擋層之發射堆疊組合使用。
在一實施例中，同時經由同一光罩沈積第一、第二、第三及第四OLED各自之第二有機堆疊之各層。
在一實施例中，沈積第二有機堆疊包括沈積電子傳輸層。
在一實施例中，沈積第二有機堆疊包括：對於第一、第二、第三及第四OLED中之每一者而言，依如下順序沈積阻擋層、電子傳輸層及電子注入層。同時沈積第一、第二、第三及第四OLED各自之阻擋層，且同時沈積第一、第二、第三及第四OLED各自之電子注入層。使用多個步驟及不同光罩來沈積第一、第二及第三OLED之不同的電子傳輸層。同時沈積第三及第四OLED之電子傳輸層。
一般而言，OLED包含至少一個有機層，其安置於陽極與陰極之間且與陽極及陰極電連接。當施加電流時，陽極注入電洞且陰極注入電子於該有機層中。所注入之電洞及電子各自朝帶相反電荷之電極遷移。當電子及電洞定位於同一分子上時，形成「激子」，其為具有激發能態之定域電子-電洞對。當激子經由光發射機制弛豫時，發射光。在一些情況下，激子可定位於準分子或激基複合物(exciplex)上。亦可能出現諸如熱弛豫之非輻射機制，但通常認為其為不合需要的。
最初的OLED使用自單重態發光(「螢光」)之發射分子，如例如美國專利第4,769,292號中所揭示，該專利以全文引用的方式併入本文中。螢光發射通常在小於10奈秒(nanosecond)之時段內發生。
最近已說明具有自三重態發光(「磷光」)之發射材料的OLED。Baldo等人，「Highly Efficient Phosphorescent Emission from Organic Electroluminescent Devices,」Nature,第395卷，151-154,1998；(「Baldo-I」)及Baldo等人，「Very high-efficiency green organic light-emitting devices based on electrophosphorescence,」Appl. Phys. Lett,第75卷，第3期，4-6(1999)(「Baldo-II」)，該等參考文獻以全文引用的方式併入本文中。磷光更詳細地描述於美國專利第7,279,704號第5-6行，其以引用的方式併入本文中。
圖1展示有機發光裝置100。該等圖式未必按比例繪製。裝置100可包括基板110、陽極115、電洞注入層120、電洞傳輸層125、電子阻擋層130、發射層135、電洞阻擋層140、電子傳輸層145、電子注入層150、保護層155及陰極160。陰極160為具有第一導電層162及第二導電層164之複合陰極。裝置100可藉由依序沈積所述各層來製造。此等不同層之性質及功能以及例示性材料更詳細地描述於US 7,279,704第6-10行，其以引用的方式併入本文中。
可獲知此等層各自的更多實例。舉例而言，可撓且透明之基板-陽極組合揭示於美國專利第5,844,363號中，該專利以全文引用的方式併入。p摻雜之電洞傳輸層的實例為按50:1之莫耳比摻雜F4-TCNQ之m-MTDATA，如美國專利申請公開案第2003/0230980號中所揭示，該案以全文引用的方式併入。發射材料及主體材料之實例揭示於Thompson等人之美國專利第6,303,238號中，其以全文引用的方式併入。n摻雜之電子傳輸層的實例為按1:1之莫耳比摻雜Li之BPhen，如美國專利申請公開案第2003/0230980號中所揭示，該案以全文引用的方式併入。美國專利第5,703,436號及第5,707,745號(其以全文引用的方式併入)揭示陰極實例，包括具有金屬薄層之複合陰極，諸如上覆透明、導電、濺鍍沈積之ITO層的Mg:Ag。關於阻擋層之理論及使用更詳細地描述於美國專利第6,097,147號及美國專利申請公開案第2003/0230980號中，該等文獻以全文引用的方式併入。注入層之實例提供於美國專利申請公開案第2004/0174116號中，該案以全文引用的方式併入。關於保護層之說明可見於美國專利申請公開案第2004/0174116號，該案以全文引用的方式併入。
圖2展示倒置式OLED 200。該裝置包括基板210、陰極215、發射層220、電洞傳輸層225及陽極230。裝置200可藉由依序沈積所述各層來製造。由於最常見之OLED構造具有置於陽極上方之陰極，而裝置200中陰極215置於陽極230下方，故裝置200可稱為「倒置式」OLED。與關於裝置100描述之彼等材料類似之材料可用於裝置200之相應層中。圖2提供可如何自裝置100之結構中省去一些層之一個實例。
圖1及圖2中所示之簡單分層結構係作為非限制性實例提供，且應瞭解本發明之實施例可結合多種其他結構使用。所描述之具體材料及結構本質上為例示性的，且可使用其他材料及結構。可藉由以不同方式組合所述各個層來獲得功能性OLED，或可根據設計、效能及成本因素完全省去各層。亦可包括未具體描述之其他層。可使用除具體描述之彼等材料以外的材料。儘管本文中所提供之許多實例將各個層描述為包含單一材料，但應瞭解可使用材料之組合，諸如主體與摻雜劑之混合物，或更一般的混合物。該等層亦可具有各個子層。本文中對各個層給出之名稱並不意欲具有嚴格限制性。舉例而言，在裝置200中，電洞傳輸層225傳輸電洞且注入電洞至發射層220中，且可描述為電洞傳輸層或電洞注入層。在一實施例中，OLED可描述為：具有「有機層」，其置於陰極與陽極之間。此有機層可包含單一層，或可進一步包含由不同有機材料構成之多個層，如例如關於圖1及圖2所描述。
亦可使用未具體描述之結構及材料，諸如包含聚合材料之OLED(PLED)，諸如Friend等人之美國專利第5,247,190號中所揭示，該案以全文引用的方式併入。另舉例而言，可使用具有單一有機層之OLED。可堆疊OLED，如例如Forrest等人之美國專利第5,707,745號中所述，該案以全文引用的方式併入。OLED結構可與圖1及圖2中所示之簡單分層結構不同。舉例而言，基板可包括有角反射面以改良外部耦合，諸如Forrest等人之美國專利第6,091,195號中所述之台式結構(mesa structure)，及/或Bulovic等人之美國專利第5,834,893號中所述之坑形結構(pit structure)，該等專利以全文引用的方式併入。
除非另有說明，否則各種實施例之任何層均可藉由任何適合的方法來沈積。對於有機層，較佳方法包括熱蒸發法；噴墨法(ink-jet)，諸如美國專利第6,013,982號及第6,087,196號中所述，該等專利以全文引用的方式併入；有機氣相沈積(organic vapor phase deposition，OVPD)，諸如Forrest等人之美國專利第6,337,102號中所述，該案以全文引用的方式併入；及藉由有機蒸汽噴印(organic vapor jet printing，OVJP)進行之沈積，諸如美國專利申請案第10/233,470號中所述，該案以全文引用的方式併入。其他適合的沈積方法包括旋塗及其他基於溶液之方法。基於溶液之方法較佳在氮氣或惰性氛圍中進行。對於其他層，較佳方法包括熱蒸發。較佳之圖案化方法包括經由光罩沈積、冷熔接(諸如美國專利第6,294,398號及第6,468,819號中所述，該等專利以全文引用的方式併入)，及聯合諸如噴墨及OVJD之一些沈積方法的圖案化。亦可使用其他方法。欲沈積之材料可經改質以使其與特定沈積方法相適合。舉例而言，可在小分子中使用分支或未分支且較佳含有至少3個碳之取代基(諸如烷基及芳基)以增強其經受溶液加工的能力。可使用具有20或20個以上碳之取代基，且3-20個碳為較佳範圍。由於不對稱材料可具有較低之再結晶傾向，故具有不對稱結構之材料之溶液可加工性可優於具有對稱結構之彼等材料。樹狀體取代基可用於增強小分子經受溶液加工之能力。
根據本發明實施例製造之裝置可併入多種消費型產品中，包括平板顯示器、電腦監控器、電視、廣告牌、室內或室外照明燈及/或信號燈、抬頭顯示器(heads up display)、完全透視顯示器、可撓性顯示器、雷射列印機、電話、行動電話、個人數位助理(PDA)、膝上型電腦、數位相機、攝錄影機、視野取景鏡、微型顯示器、運載工具、大面積牆壁、劇場或運動場螢幕，或標誌。可使用各種控制機制來控制根據本發明製造之裝置，包括被動型矩陣及主動型矩陣。許多裝置意欲在人類感覺舒適之溫度範圍內使用，諸如18℃至30℃，且更佳為室溫(20-25℃)。
本文所述之材料及結構可應用於除OLED以外之裝置。舉例而言，諸如有機太陽能電池及有機光偵測器之其他光電裝置可使用該等材料及結構。更一般而言，諸如有機電晶體之有機裝置可使用該等材料及結構。
術語鹵基、鹵素、烷基、環烷基、烯基、炔基、芳烷基、雜環基、芳基、芳族基及雜芳基在此項技術中為已知的，且如US 7,279,704第31-32行所定義，該案以引用的方式併入本文中。
有機發射分子之一個應用為全色顯示器，較佳為主動型矩陣OLED(AMOLED)顯示器。目前限制AMOLED顯示器使用壽命及功率消耗之一個因素為缺乏具有飽和CIE座標及充足裝置使用壽命之市售藍光OLED。
圖3展示1931年由國際照明委員會(International Commission on Illumination)(通常稱為CIE，其法語名稱為Commission Internationale de l'Eclairage)開發之1931 CIE色度圖。任何色彩可在此圖上以其x及y座標描述。「飽和」色在最嚴格意義上為具有點譜(point spectrum)之色彩，其沿著自藍色經過綠色直至紅色行進之U型曲線處於CIE圖上。沿著該曲線之數字係指該點譜之波長。雷射發射具有點譜之光。
圖4展示1931色度圖之另一顯現，其亦顯示若干色「域」。色域為一組可由特定顯示器或其他顯色工具顯現之色彩。一般而言，任何既定發光裝置具有具特定CIE座標之發射光譜。兩個裝置之發射可依不同強度組合，以顯現具有在兩個裝置CIE座標之間的線上任何處之CIE座標的色彩。三個裝置之發射光可依不同強度組合，以顯現具有在CIE圖上由三個裝置之相應座標所界定的三角形中任何處之CIE座標的色彩。圖4中三角形各自之三個點表示顯示器之行業標準CIE座標。舉例而言，標註「NTSC/PAL/SECAM/HDTV色域」之三角形的三個點表示符合所列標準之顯示器的子像素中所需之紅色、綠色及藍色(RGB)。具有發射所需RGB色彩之子像素的像素可在該三角形內部藉由調整各子像素發射之強度來顯現任何色彩。
NTSC標準所需CIE座標為：紅色(0.67,0.33)；綠色(0.21,0.72)；藍色(0.14,0.08)。存在具有合適使用壽命及效率性質之裝置，其接近於行業標準所需之藍色，但仍十分遠離標準藍色，用該等裝置代替標準藍色製造之顯示器將會在顯現藍色時具有顯著缺點。行業標準所需之藍色為如下所定義之「深」藍色，並由有效且使用壽命長的藍色裝置發射之色彩通常為如下所定義之「淡」藍色。
提供一種顯示器，其允許使用較穩定且使用壽命長的淡藍色裝置，同時仍允許顯現包括深藍分量之色彩。此係藉由使用四像素(亦即具有四個裝置之像素)來達成。該等裝置中有三個為效率高且使用壽命長的裝置，分別發射紅光、綠光及淡藍光。第四個裝置發射深藍光，且可能與其他裝置相比，效率較低或使用壽命較短。然而，由於許多色彩可在不使用第四個裝置的情況下顯現，故其使用會受到限制，以致該顯示器之整體使用壽命及效率不會因包括該第四個裝置而遭受太大損失。
提供一種裝置。該裝置具有第一有機發光裝置、第二有機發光裝置、第三有機發光裝置及第四有機發光裝置。該裝置可為具有四個子像素之顯示器之像素。該裝置之較佳用途為用於主動型矩陣有機發光顯示器，其為一類目前以深藍OLED之缺點為限制因素之裝置。
第一有機發光裝置發射紅光，第二有機發光裝置發射綠光，第三有機發光裝置發射藍光，且第四有機發光裝置發射深藍光。第四裝置之峰值發射波長小於第三裝置之峰值發射波長至少4 nm。如本文中所用，「紅色」意謂具有在600-700 nm可見光譜中之峰值波長，「綠色」意謂具有在500-600 nm可見光譜中之峰值波長，「淡藍色」意謂具有在400-500 nm可見光譜中之峰值波長，且「深藍色」意謂具有在400-500 nm可見光譜中之峰值波長，其中「淡」藍色及「深」藍色之區別在於4 nm峰值波長差異。淡藍色裝置較佳具有在465-500 nm可見光譜中之峰值波長，且「深藍色」具有在400-465 nm可見光譜中之峰值波長。較佳範圍包括：對於紅色而言，在610-640 nm可見光譜中之峰值波長，及對於綠色而言，在510-550 nm可見光譜中之峰值波長。
為使基於波長之定義更加具體，「淡藍色」除具有在465-500 nm可見光譜中大於同一裝置中深藍色OLED之峰值波長至少4 nm之峰值波長之外，可進一步定義為較佳具有小於0.2之CIE x座標及小於0.5之y座標，且「深藍色」除峰值波長在400-465 nm可見光譜中之外，可進一步定義為較佳具有小於0.15且較佳小於0.1之y座標，且可進一步定義兩者之間的差異，以致由第三有機發光裝置所發射之光之CIE座標及由第四有機發光裝置所發射之光之CIE座標明顯不同，CIE x座標之差異加上CIE y座標之差異為至少0.01。如本文所定義，峰值波長為定義淡藍色及深藍色之主要特徵，且CIE座標較佳。
更一般而言，「淡藍色」可意謂具有在400-500 nm可見光譜中之峰值波長，且「深藍色」可意謂具有在400-500 nm可見光譜中之峰值波長，且小於淡藍色峰值波長至少4 nm。
在另一實施例中，「淡藍色」可意謂具有小於0.25之CIE y座標，且「深藍色」可意謂具有小於「淡藍色」之CIE y座標至少0.02之CIE y座標。
在另一實施例中，關於本文中所提供之淡藍色及深藍色之定義可經合併以得出較狹窄之定義。舉例而言，任一項CIE定義可與任一項波長定義合併。多種定義之原因為當量測色彩時，波長及CIE座標具有不同優點及缺點。舉例而言，較低波長通常對應於較深藍色。但當與在471 nm處具有峰值之另一光譜相比時，在472 nm處具有峰值之極窄光譜可視為「深藍色」，但該光譜之顯著尾值在較高波長處。此情形最好使用CIE座標描述。鑒於OLED可用的材料，預期基於波長之定義非常適於大多數情況。在任何情況下，本發明之實施例包括兩種不同藍色像素，然而藍色差異經量測。
第一、第二、第三及第四有機發光裝置各具有發射層，該發射層包括在跨越裝置施加合適電壓時發光之有機材料。第一及第二有機發光裝置每一者中之發射材料為磷光材料。第三有機發光裝置中之發射材料為螢光材料。第四有機發光裝置中之發射材料可為螢光材料或磷光材料。第四有機發光裝置中之發射材料較佳為磷光材料。
具有適用於市售顯示器之使用壽命及效率的「紅色」及「綠色」磷光裝置為熟知的且易於實現，其包括顯示器中用於發射足夠接近於不同行業標準紅色及綠色之光的裝置。該等裝置之實例提供於M. S. Weaver,V. Adamovich,B. D'Andrade,B. Ma,R. Kwong及J. J. Brown,Proceedings of the International Display Manufacturing Conference,第328-331頁(2007)；亦參見B. D'Andrade,M. S. Weaver,P. B. MacKenzie,H. Yamamoto,J. J. Brown,N. C. Giebink,S. R. Forrest及M. E. Thompson,Society for Information Display Digest of Technical Papers 34,2,第712-715頁(2008)。
淡藍色螢光裝置之實例提供於Jiun-Haw Lee,Yu-Hsuan Ho,Tien-Chin Lin及Chia-Fang Wu,Journal of the Electrochemical Society,154(7) J226-J228(2007)。發射層包含9,10-雙(2'-萘基)蒽(ADN)主體及4,4'-雙[2-(4-(N,N-二苯胺基)苯基)乙烯基]聯苯(DPAVBi)摻雜劑。在1,000 cd/m2下，具有該發射層之裝置在18.0 cd/A之發光效率下操作且CIE 1931(x,y)=(0.155,0.238)。藍色螢光摻雜劑之其他實例在「Organic Electronics: Materials,Processing,Devices and Applications」,Franky So,CRC Press,第448-449頁(2009)中給出。一個具體實例為摻雜劑EK9，其中發光效率為11 cd/A且CIE 1931(x,y)=(0.14,0.19)。其他實例在專利申請案WO 2009/107596 A1及US 2008/0203905中給出。WO 2009/107596 A1中給出之有效螢光藍色系統的具體實例為摻雜劑DM1-1'以及主體EM2'，其在1,000 cd/m2下操作之裝置中給出19 cd/A之效率。
淡藍色磷光裝置之實例具有以下結構：ITO(80 nm)/LG101(10 nm)/NPD(30 nm)/化合物A：發射體A(30 nm:15%)/化合物A(5 nm)/Alq3(40 nm)/LiF(1 nm)/Al(100 nm)。
LG101購自韓國LG Chem Ltd.。
已量測該種裝置具有3,000小時在恆定直流電下由初始亮度1000尼特(nit)至50%初始亮度之使用壽命、CIE(0.175,0.375)之1931 CIE座標及在可見光譜中474 nm之峰值發射波長。
「深藍色」裝置亦容易實現，但並非必須具有適於消費者使用之顯示器所需之使用壽命及效率性質。一種獲得深藍色裝置之方法為使用發射深藍光之螢光發射材料，但不具有磷光裝置之高效率。深藍色螢光裝置之實例係提供於Masakazu Funahashi等人,Society for Information Display Digest of Technical Papers 47. 3,第709-711頁(2008)。Funahashi揭示一種深藍色螢光裝置，其具有(0.140,0.133)之CIE座標及460 nm之峰值波長。另一方法為使用具有發藍光之磷光發射材料之磷光裝置，且經由使用濾光片或微腔調整該裝置所發射之光的光譜。如Baek-Woon Lee,Young In Hwang,Hae-Yeon Lee及Chi Woo Kim及Young-Gu Ju Society for Information Display Digest of Technical Papers 68.4,第1050-1053頁(2008)中所述，濾光片或微腔可用於獲得深藍色裝置，但裝置效率可能有關聯地降低。實際上，相同發射體由於微腔差異可用於製造淡藍色裝置深藍色裝置。另一方法為使用可獲得之深藍色磷光發射材料，諸如美國專利公開案2005-0258433中所述，該公開案以全文引用的方式併入且化合物係展示在第7-14頁。然而，該等裝置可能具有使用壽命問題。合適之使用磷光發射體的深藍色裝置之實例具有以下結構：ITO(80 nm)/化合物C(30 nm)/NPD(10 nm)/化合物A：發射體B(30 nm:9%)/化合物A(5 nm)/Alq3(30 nm)/LiF(1 nm)/Al(100 nm)。
已量測該種裝置具有600小時在恆定直流電下由初始亮度1000尼特至50%初始亮度之使用壽命、CIE:(0.148,0.191)之1931 CIE座標及462 nm之峰值發射波長。
深藍色裝置及淡藍色裝置之發光效率及使用壽命之差異可為明顯的。舉例而言，深藍色螢光裝置之發光效率可小於淡藍色螢光裝置之發光效率的25%或小於淡藍色螢光裝置之發光效率的50%。類似地，深藍色螢光裝置之使用壽命可小於淡藍色螢光裝置之使用壽命的25%或小於淡藍色螢光裝置之使用壽命的50%。量測使用壽命之標準方法為在1000尼特之初始亮度下之LT50，亦即在產生1000尼特之初始亮度之恆定電流下運轉時，裝置之光輸出下降50%所需的時間。淡藍色螢光裝置之發光效率預計低於淡藍色磷光裝置之發光效率，然而，藍色螢光裝置之操作壽命與可利用的藍色磷光裝置相比可延長。
具有四個有機發光裝置(一個紅色、一個綠色、一個淡藍色及一個深藍色)之裝置或像素可用於顯現在CIE色度圖上由該等裝置所發射之光的CIE座標所界定之形狀內之任何色彩。圖5說明此點。圖5應參照圖3及4之CIE圖來理解，但實際CIE圖並未展示於圖5中以使說明更清楚明瞭。在圖5中，點511表示紅色裝置之CIE座標，點512表示綠色裝置之CIE座標，點513表示淡藍色裝置之CIE座標且點514表示深藍色裝置之CIE座標。像素可用於顯現由點511、512、513及514所界定之四角形內的任何色彩。若點511、512、513及514之CIE座標對應於或至少環繞標準色域所需裝置之CIE座標(諸如圖4三角形中之角)，該裝置可用於顯現該色域中之任何色彩。
由點511、512、513及514所界定之四角形內的許多色彩可在不使用深藍色裝置的情況下顯現。特定言之，由點511、512及513所界定之三角形內的任何色彩可在不使用深藍色裝置的情況下顯現。深藍色裝置將僅為超出該三角形範圍內之色彩所需。視所討論之圖像的彩色含量而定，可能需要僅最低程度使用深藍色裝置。
圖5展示一種「淡藍色」裝置，其具有在分別由紅色、綠色及深藍色裝置之CIE座標511、512及514所界定之三角形外的CIE座標513。或者，該淡藍色裝置可具有在該三角形內部之CIE座標。
操作如本文所述分別具有紅色、綠色、淡藍色及深藍色裝置或第一、第二、第三及第四裝置之裝置的較佳方法為在任一時刻僅使用4個裝置中之3個顯現色彩，且僅在需要時使用深藍色裝置。參照圖5，點511、512及513界定第一個三角形，其包括區域521及523。點511、512及514界定第二個三角形，其包括區域521及522。點512、513及514界定第三個三角形，其包括區域523及524。若所需色彩具有屬於該第一個三角形(區域521及523)之CIE座標，則僅使用第一、第二及第三裝置顯現該色彩。若所需色彩具有屬於該第二個三角形且亦不屬於該第一個三角形(區域522)之CIE座標，則僅使用第一、第二及第四裝置顯現色彩。若所需色彩具有屬於該第三個三角形且不屬於該第一個三角形(區域524)之CIE座標，則僅使用第一、第三及第四裝置，或僅使用第二、第三及第四裝置顯現色彩。
該種裝置亦可以其他方式操作。舉例而言，可使用所有四個裝置來顯現色彩。然而，該用法不能達成最低程度使用深藍色裝置之目的。
製造紅色、綠色、淡藍色及藍色底部磷光發射微腔裝置。關於該等裝置在1,000 cd/m2下之發光效率(cd/A)及CIE 1931(x,y)座標概述於表1第1-4列中。微腔中深藍色螢光裝置之資料在第5列中給出。該資料獲自Woo-Young So等人，paper 44.3,SID Digest(2010)(公開認可)，且為微腔中深藍色螢光裝置之典型實例。微腔中藍色螢光裝置之各值在第9列中給出。此處給出之發光效率(16.0 cd/A)為發光效率之合理估計，可證明專利申請案WO 2009/107596中出現之藍色螢光材料是否構建於微腔裝置中。藍色螢光裝置之CIE 1931(x,y)座標與淡藍色磷光裝置之座標匹配。
使用表1中之裝置資料，進行模擬以比較具有50%偏光器效率、9.5V驅動電壓及在300 cd/m2下白點(x,y)=(0.31,0.31)之2.5吋對角線、80 dpi、AMOLED顯示器之功率消耗。在此模型中，全部子像素具有同一主動裝置區域。以10個典型顯示圖像為基礎模擬功率消耗。考慮以下像素佈置：(1) RGB，其中紅色及綠色為磷光且藍色裝置為深藍色螢光；(2) RGB1B2，其中紅色、綠色及淡藍色(B1)為磷光且深藍色(B2)裝置為深藍色螢光；及(3) RGB1B2，其中紅色及綠色為磷光且淡藍色(B1)及深藍色(B2)為螢光。(1)所消耗之平均功率為196 mW，而(2)所消耗之平均功率為132 mW。與(1)相比，(2)節省33%功率。像素佈置(3)所消耗之功率為157 mW。與(1)相比，(3)節省20%功率。此功率節省比使用藍色螢光發射體作為B1發射體所預計之功率節省大得多。此外，由於該種裝置之裝置使用壽命將預計實質上比僅使用較深藍色螢光發射體之RGB裝置長，故使功率節省20%與長使用壽命組合非常合乎需要。可使用之藍色螢光材料的實例包括9,10-雙(2'-萘基)蒽(ADN)主體及4,4'-雙[2-(4-(N,N-二苯基胺基)苯基)乙烯基]聯苯(DPAVBi)摻雜劑，或如「Organic Electronics: Materials,Processing,Devices and Applications」,Franky So,CRC Press,第448-449頁(2009)中所述之摻雜劑EK9，或主體EM2'及如專利申請案WO 2009/107596 A1中所述之摻雜劑DM1-1'。可使用之螢光材料的其他實例描述於專利申請案US 2008/0203905中。
基於本文之揭示內容，像素佈置(3)預計相對於像素佈置(1)明顯且先前未預計的節省功率，其中該淡藍色(B1)裝置具有至少12 cd/A之發光效率。淡藍色(B1)裝置較佳具有至少15 cd/A之發光效率以達成更明顯的功率節省。在兩種情況下，像素佈置(3)亦可提供比像素佈置(1)優越的使用壽命。
表1：底部發射微腔紅色、綠色、淡藍色及深藍色測試裝置之裝置資料。第1-4列為磷光裝置。第5-6列為螢光裝置。
已開發與RGBW(紅色、綠色、藍色、白色)裝置結合之算法，可用於將RGB色彩映射為RGBW色彩。類似算法可用於將RGB色彩映射為RG B1 B2。該等算法及RGBW裝置通常揭示於A. Arnold,T. K. Hatwar,M. Hertel,P. Kane,M. Miller,M. Murdoch,J. Spindler,S. V. Slyke,Proc. Asia Display(2004)；J. P. Spindler,T. K. Hatwar,M. E. Miller,A. D. Arnold,M. J. Murdoch,P. J. Lane,J. E. Ludwicki及S. V. Slyke,SID 2005 International Symposium Technical Digest 36,1,第36-39頁(2005)(「Spindler」)；Du-Zen Peng,Hsiang-Lun,Hsu及Ryuji Nishikawa. Information Display 23,2,第12-18頁(2007)(「Peng」)；B-W. Lee,Y. I. Hwang,H-Y,Lee及C. H. Kim,SID 2008 International Symposium Technical Digest 39,2,第1050-1053頁(2008)中。RGBW顯示器由於仍需要良好深藍色裝置而明顯不同於本文中所揭示之彼等顯示器。此外，存在RGBW顯示器之「第四」或白色裝置應具有具體「白色」CIE座標之教示，參見Spindler第37頁及Peng第13頁。
具有四個不同有機發光裝置，每一者發射不同色彩之裝置可具有許多不同構造。圖6說明一些該等構造。在圖6中，R為紅色發射裝置，G為綠色發射裝置，B1為淡藍色發射裝置且B2為深藍色發射裝置。
構造610展示一種四色構造，其中構成整個裝置或多色像素的四個有機發光裝置以2對2陣列排列。構造610中各單個有機發光裝置具有相同表面積。在四色模式中，每一像素可使用兩條閘極線及兩條資料線。
構造620展示一種四色構造，其中一些裝置具有與其他裝置不同的表面積。由於多種原因使用不同表面積可為合乎需要的。舉例而言，具有較大面積之裝置可在低於具有較小面積之類似裝置的電流下運轉發射相同量之光。較低電流可增加裝置使用壽命。因此，使用相對較大之裝置為一種補償具有較低預期使用壽命之裝置的方法。
構造630展示相等尺寸、排成一列之裝置，且構造640展示排成一列之裝置，其中一些裝置具有不同面積。可使用除具體說明之模式以外的模式。
可使用其他構造。舉例而言，具有四個可單獨控制之發射層的堆疊OLED，或各具有兩個可單獨控制之發射層的兩個堆疊OLED可用於達成可各自發射不同色彩之光的四個子像素。
各種類型的OLED可用於實現不同構造，包括透明OLED及可撓性OLED。
在所說明之任何不同構造中及在其他構造中，具備具有四個子像素之裝置的顯示器可使用任何多種習知技術製造且圖案化。實例包括遮蔽罩、雷射誘發之熱成像(LITI)、噴墨印刷、有機蒸汽噴印(OVJP)或其他OLED圖案化技術。額外光罩或圖案化步驟可為第四裝置之發射層所需，其可能增加製造時間。材料成本亦可能在某種程度上高於普通顯示器。此等額外成本將會為經改良之顯示器效能所抵消。
單一像素可合併超過四個本文中所揭示之子像素，可能具有超過四個各別色彩。然而，由於製造考慮，每個像素中較佳具有四個子像素。
習知紅色(R)、綠色(G)、藍色(B)OLED顯示器具有許多像素，其中每一像素具有3個子像素。三個子像素為三個不同OLED，分別發射紅色、綠色及藍色。3個子像素(三個不同OLED)每一者之發射層(EML)通常各自經由精細金屬光罩沈積，其中各沈積需要獨立對準。另外，若RGB顯示器使用微腔結構增強特定方向之發射，則R、G及B有機堆疊之厚度通常根據個別峰值發射波長單獨調整用於三個OLED之每一者。其通常藉由調整電洞傳輸層(HTL)厚度來達成。為此，首先使用公用光罩將常見厚度之HTL沈積於全部子像素上。選擇常見HTL沈積厚度，以匹配使需要最薄HTL之子像素之微腔最佳所需之厚度。實際上，其通常為B子像素，其具有最短峰值發射波長。隨後使用精細金屬光罩沈積G子像素之其他HTL材料，且隨後使用經由精細金屬光罩之另一沈積方法沈積R子像素之其他材料。因此，對於RGB微腔顯示器而言，需要總共5個精細金屬光罩步驟：3個用於RGB EML且2個用於RG HTL。可藉由調整電子傳輸層(ETL)厚度而非HTL厚度來達到相同效果，在此情況下再次需要相同總數之光罩步驟。
已開發及正在開發每像素具有四個子像素之OLED像素架構(「四像素架構」)。該等像素架構之實例可見於以下美國專利申請案：2008年10月1日申請之61/101,757；2009年9月23日申請之12/565,115；2010年4月1日申請之12/752,792；2009年3月30日申請之61/164,667及2009年12月16日申請之12/639,541；及2010年4月15日公開之美國專利公開案US-2010-0090620，該等申請案及公開案以全文引用的方式併入。該架構之實例為RGB1B2像素，其具有紅色發射OLED、綠色發射OLED及兩個不同藍色發射OLED。另一實例為RGBY架構，其具有紅色、綠色、藍色及黃色發射OLED。四像素架構之一個缺點為沈積第四子像素(諸如額外藍色子像素)可能需要精細金屬光罩沈積步驟之額外成本。
本文中證明四像素微腔顯示器(諸如RGB1B2 OLED顯示器)，與RGB微腔相比，可僅使用1個額外精細金屬光罩來製造。其係藉由經由單一光罩沈積B1及B2子像素相同的HTL厚度來達成。
與標準RGB佈置相比，RGB1B2像素架構可用於增強OLED顯示器之效率及使用壽命。可使用穩定且高效率之淡藍色(B1)子像素顯現大部分圖像，而僅當需要飽和藍色時使用效率較低、使用壽命較短的深藍色(B2)子像素。雖然可使用RGB1B2實現明顯功率節省，但由於額外的藍色子像素而可能存在額外的製造成本。特定言之，需要額外精細金屬光罩步驟(與RGB相比)沈積額外B1 EML層。另外，在RGB1B2微腔顯示器之情況下，將預期使用額外精細金屬光罩步驟沈積B1子像素之HTL層。因此，將會預期RGB1B2微腔顯示器與標準RGB微腔顯示器相比將需要2個額外精細金屬光罩步驟。
提供一種新穎方法，其用以減少製造RGB1B2微腔顯示器所需之精細金屬光罩步驟數。此係藉由對B1及B2子像素使用相同HTL厚度來達成，以致B1及B2 HTL可經由單一光罩用單一步驟來沈積。推動微腔顯示器設計之一個一般概念為分別使顯示器中各不同類型OLED之厚度優化以形成微腔，增強OLED所發射之光的特定光譜之發射。然而，本文中表明在RGB1B2四像素中B1及B2 OLED使用常見裝置厚度，面板功率損失最小。出現此意外結果係因為B1及B2之峰值發射波長比R、G及B之峰值發射波長更緊密地匹配，所以B1及B2可使用幾乎相同的微腔。另外，由於B2裝置需要分配之CIE面積較小，B2裝置在典型應用中之使用時間最少，因此功率預算分配亦最小。因此，在使用常見B1/B2 HTL時，為使B1裝置優化，可進行犧牲以使B2(深藍色裝置)功率優化，而並非單獨調整B2裝置。此將製造RGB1B2微腔顯示器所需之精細金屬光罩步驟數由7減少至6，由此降低製造成本。裝置厚度最常藉由調節HTL厚度來控制，但亦可藉由改變其他層厚度(諸如ETL厚度)來調整微腔。在此情況下，將經由單一光罩沈積相同厚度之B1及B2 ETL層。
可出於許多原因「調整」一裝置，且通常涉及經由精細金屬光罩獨立沈積以具體控制特定裝置中各層之材料及/或厚度。雖然本文所述之許多實施例描述調整微腔之情況，但熟習此項技術者亦應瞭解「調整」概念更普遍且適用於其他情況。本發明之實施例適用於此等其他情況中。舉例而言，調整可用於控制厚度以調節再組合出現的地方，將良好匹配發射體之特定材料併入裝置中，及用於其他原因。
在沈積OLED時，成本及人工量投入之顯著部分歸因於沈積步驟需要精細金屬光罩。使用精細金屬光罩覆蓋於不需要沈積之OLED或基板區域上，而沈積於其他OLED上。因此，光罩中之開口必須在適當OLED上方精密對準。每次該對準顯著增加製造工藝之成本。因此，將層沈積於像素中之一或多個OLED上而非像素中全部OLED上顯著增加製造工藝之成本。因此，沈積像素所需之精細金屬光罩步驟數之任何減少可使製造成本明顯減少。亦需要定期清潔精細金屬光罩以使開口區域保持固定尺寸。此亦增加精細金屬光罩方法步驟之成本。
相比之下，像素中所有OLED共有之層的沈積並未增加同樣多的成本。此係因為即使使用一光罩來使沈積粗略限於顯示器之區域，亦無需以與精細金屬光罩相同的精確度對準。
提供一種裝置。該裝置包括四像素，其意謂該裝置具有至少四個獨立像素。每一像素為一種有機發光裝置(OLED)，以致存在第一、第二、第三及第四OLED。第一、第二、第三及第四OLED各獨立地具有第一電極及第二電極。各OLED亦獨立地具有置於第一電極與第二電極之間的具有發射材料之有機發射堆疊；置於第一電極與該發射堆疊之間且與第一電極及該發射堆疊接觸的第一有機堆疊；及置於第二電極與該發射層之間且與第二電極及該發射層接觸的第二有機堆疊。第一OLED之有機發射堆疊、第二OLED之有機發射堆疊、第三OLED之有機發射堆疊及第四OLED之有機發射堆疊各具有不同發射光譜。第一OLED之第一有機堆疊、第二OLED之第一有機堆疊及第三OLED之第一有機堆疊在材料或厚度或此兩方面彼此不同。第三OLED之第一有機堆疊及第四OLED之第一有機堆疊相同。
如本文中所用，「有機發射堆疊」之「發射光譜」被視為可存在於裝置中之有機發射堆疊的與任何微腔效應隔開之性質。舉例而言，各具有單一(及不同)發射材料之兩個有機發射堆疊應視為具有不同發射光譜。具有一些發射材料一致、但不同混合物之三個有機發射堆疊亦可視為具有不同發射光譜。舉例而言，僅綠色發射材料發射之有機發射堆疊，僅紅色發射材料發射之有機發射堆疊，及具有綠色及紅色發射材料之混合物且兩種材料皆發射產生黃色組合光譜之有機發射堆疊應全部視為具有「不同發射光譜」。然而，具有完全相同單一發射材料之兩個有機發射堆疊應視為具有相同發射光譜，即使其存在於具有不同微腔效應之不同OLED中而使OLED本身具有不同發射光譜。「非發射」意謂某一材料不發射自裝置效能觀點出發顯著之量的光，亦即雜質之輕微發射或輕微及非所需的可忽略之發射並未使材料「具發射性」。
如本文中所用，當將多個OLED描述為「獨立地」具有特定層時，該層在不同OLED中可為相同或不同的。該層可與其他OLED中之對應層物理分離，諸如在圖案化陽極的情況下，或可與其他OLED中之對應層物理連接，諸如在共同陰極的情況下。
如本文中所用之術語「有機發射堆疊」係指裝置中發射超過自實際裝置效能觀點看來可忽略量之光的任何有機層。「有機發射堆疊」亦可包括鄰近於發射層之任何層，其完全構成發射層材料之子集。舉例而言，發射層可包括主體及摻雜劑，且鄰近於發射層之阻擋層可僅包括主體而不包括摻雜劑。發射層及阻擋層應視為「有機發射堆疊」之一部分。其為該種阻擋層常常在發射層之後(或之前)經由同一光罩藉由簡單關閉(或打開)沈積過程中摻雜劑分子之流動來沈積，及可在基本上不補充發射層本身沈積之額外成本情況下沈積的實際原因。
如本文中所用之術語「第一電極」及「第二電極」係指OLED之兩個電極。術語「首次」及「第二」完全隨意，第一電極可為陽極且第二電極可為陰極或反之亦然。第一電極或第二電極可最接近於基板安置，在基板上製造裝置。此等概念說明於圖7中。
如本文中所用之術語「第一有機堆疊」係指可存在於裝置有機發射堆疊與第一電極之間的任何有機層。第一有機堆疊可包括任意各種適用於OLED之層，諸如注入層、輸送層、阻擋層等。該等層之一些實例說明於圖1及2中。存在於第一有機堆疊之各層類型將連同其他因素一起視第一電極是否為陽極或陰極而定。
如本文中所用之術語「第二有機堆疊」係指可存在於裝置之有機發射堆疊與第二電極之間的任何有機層。第二有機堆疊可包括任意各種適用於OLED之層，諸如注入層、輸送層、阻擋層等。該等層之一些實例說明於圖1及2中。存在於第二有機堆疊之各層類型將連同其他因素一起視第二電極是否為陽極或陰極而定。
在一實施例中，第一電極為陽極且對於第一OLED、第二OLED、第三OLED及第四OLED中之每一者而言，該OLED為底部發射OLED。
在一實施例中，第一電極為陽極且對於第一OLED、第二OLED、第三OLED及第四OLED中之每一者而言，該OLED為頂部發射OLED。
在一實施例中，第一電極為陰極且對於第一OLED、第二OLED、第三OLED及第四OLED中之每一者而言，該OLED為底部發射OLED。
在一實施例中，第一電極為陰極且對於第一OLED、第二OLED、第三OLED及第四OLED中之每一者而言，該OLED為頂部發射OLED。
為使製造微腔OLED所需之精密對準步驟數減至最少，較佳的是第一及第二有機堆疊中之一者在所有OLED中完全相同，且僅在第一及第二有機堆疊中之一者中進行：出於優化微腔尺寸之目的對裝置厚度之任何調節，及/或使輸送、注入或阻擋材料有差異(其需要經由精密對準之光罩來沈積)。但是，在其他實施例中，可在第一及第二有機堆疊中均進行優化。
在一實施例中，第二有機堆疊在第一OLED、第二OLED、第三OLED及第四OLED中之每一者中為相同的。
在一實施例中，第二有機堆疊在第一OLED、第二OLED、第三OLED及第四OLED中之每一者中為不同的。
如本文所述之四像素架構之目的為提供一種發射四個可單獨控制之光譜的像素。此外，對於涉及第三OLED之第一有機堆疊與第四OLED之第一有機堆疊相同之架構的實施例而言，與僅微腔效應相反，OLED發射之差異意欲歸因於OLED之發射材料之差異。
在一實施例中，提供一種四像素，其中光之四種色彩大致為紅色、綠色、第一種藍色及不同於第一種藍色之第二種藍色。第一、第二、第三及第四OLED各具有不同於其他OLED各自之發射材料的單一發射材料。第一OLED之發射材料發射峰值波長在600-700 nm可見光譜中之光，且為磷光材料。第二OLED之發射材料發射峰值波長在500-600 nm可見光譜中之光，且為磷光材料。第三OLED之發射材料發射峰值波長在400-500 nm可見光譜中之光。第四OLED之發射材料發射峰值波長在400-500 nm可見光譜中之光。由第四有機發光裝置發射之光在可見光譜中之峰值波長小於由第三有機發光裝置發射之光在可見光譜中之峰值波長至少4 nm。第三OLED及第四OLED之發射材料可為磷光材料及螢光材料之任意組合。兩者皆可為磷光材料、兩者皆可為螢光材料，或一者可為螢光材料且另一者可為磷光材料。舉例而言，第三OLED之發射材料可為磷光材料且第四OLED之發射材料可為螢光材料。
在一實施例中，提供一種四像素，其中四種色彩之光大致為紅色、綠色、藍色及黃色。在一實施例中，第一、第二、第三及第四OLED各具有發射與由其他OLED各自之有機發射堆疊所發射之光譜不同之光譜的有機發射堆疊。第一OLED之有機發射堆疊發射峰值波長在600-700 nm可見光譜中之光，且包括磷光發射材料。第二OLED之有機發射堆疊發射峰值波長在500-600 nm可見光譜中之光，且包括磷光發射材料。第三OLED之有機發射堆疊發射峰值波長在400-500 nm可見光譜中之光。第四OLED之有機發射堆疊發射峰值波長在550-600 nm可見光譜中之光，且包括磷光發射材料。由第四有機發光裝置發射之光在可見光譜中之峰值波長大於由第二有機發光裝置發射之光在可見光譜中之峰值波長至少10 nm，且小於由第一有機發光裝置發射之光在可見光譜中之峰值波長至少10 nm。第四OLED可包括多種發射材料。
一種OLED之發射材料在其他OLED中可作為非發射材料存在。通常，該發射材料應為四像素中能量較高(波長較低)之發射材料之一，其可易於在一些提供較低能量發射部位之OLED中成為非發射材料。在一實施例中，第四OLED之有機發射堆疊包括第四OLED之有機發射層，且第四OLED之有機發射層與第一、第二及第三OLED之第一或第二有機堆疊之組件相同且同時沈積，因為該等有機發射層在第一或第二有機堆疊中就其性質而言為非發射層。在此實施例中，有可能經由對準金屬光罩僅使用5次沈積製造具有四個不同OLED之四像素架構，各OLED具有不同發射體。
在一實施例中，該裝置為包括複數個四像素之消費型裝置。
提供一種沈積包含四像素之裝置的方法。該四像素包括第一OLED、第二OLED、第三OLED及第四OLED。各OLED獨立地具有：一基板之一區域，在該區域上方安置該OLED；第一電極；第二電極；置於該第一電極與該第二電極之間具有發射材料之有機發射堆疊；置於該第一電極與該發射層之間且與該第一電極及該發射層接觸的第一有機堆疊；及置於該第二電極與該有機發射堆疊之間且與該第二電極及該有機發射堆疊接觸的第二有機堆疊。該第一OLED之有機發射堆疊、該第二OLED之有機發射堆疊、該第三OLED之有機發射堆疊及該第四OLED之有機發射堆疊各具有不同發射光譜。該第一OLED之第一有機堆疊、該第二OLED之第一有機堆疊及該第三OLED之第一有機堆疊在材料或厚度或此兩方面彼此不同。該方法包含使該第三OLED之第一有機堆疊之各組件與該第四OLED之第一有機堆疊中之相同組件同時沈積。
對於使用第一有機堆疊之厚度調整微腔尺寸之四像素架構而言，未預期該第三OLED之第一有機堆疊的各組件可與該第四OLED之第一有機堆疊的相同組件同時沈積。該方法使第三及第四OLED具有完全相同(包括厚度)的第一有機堆疊。該方法之優點為其可消除經由精確光罩之額外沈積，明顯降低製造成本。該方法之缺點為第三及第四OLED之微腔不能使用第一有機堆疊單獨調整。然而，已顯示該微腔調整靈活性之損失在四像素架構中可能不如在占該產業主要地位之RGB像素架構中一樣有害。此係因為在四像素架構中，至少一些不同OLED之峰值發射波長比其在RGB架構中更彼此接近。此種情況在不同程度上存在於所有四像素架構中，因為四個不同光譜比三個不同光譜更接近地一起擁擠於CIE空間中。該現象可在一些四像素架構(諸如RGB1B2架構)中更顯著，其中兩個該等裝置具有不同然而極類似的發射光譜。
在一實施例中，在第一、第二、第三及第四OLED之第一有機堆疊的沈積過程中，存在至多兩個光罩對準，其允許沈積在第一、第二、第三及第四OLED之一些而非所有區域上方，及允許經由各光罩沈積第一、第二、第三及第四OLED中之一些而非所有OLED的第一有機堆疊之一或多個組件。可能存在正好兩個該等對準。各對準允許一個OLED之厚度及/或材料可獨立於其他OLED來調整。舉例而言，此等兩個對準允許第一及第二OLED之第一有機堆疊之組件的厚度及/或材料可獨立於彼此來調整，且獨立於第三及第四OLED來調整。然而，亦欲調整之第三及第四OLED之第一有機堆疊的厚度及/或材料沒有足夠對準。
視情況而定，在第一、第二、第三及第四OLED之第一有機堆疊的沈積過程中，及在經由允許沈積在第一、第二、第三及第四OLED中之一些而非所有OLED上方的兩個光罩沈積之前，沈積第一、第二、第三及第四OLED之第一有機堆疊之一或多個組件。視情況而定，在第一、第二、第三及第四OLED之第一有機堆疊的沈積過程中，及在經由允許沈積在第一、第二、第三及第四OLED中之一些而非所有OLED上方的兩個光罩沈積之後，沈積第一、第二、第三及第四OLED之第一有機堆疊之一或多個組件。此等沈積不能允許獨立地調整不同OLED之材料及/或厚度，但允許沈積適用於四像素之所有OLED或至少無明顯不利的組件。
在一實施例中，在四像素的沈積過程中，存在至多六個光罩對準，其允許沈積在第一、第二、第三及第四OLED之一些而非所有區域上方，及允許經由各光罩沈積第一、第二、第三及第四OLED之一或多個組件。舉例而言，該六個對準中可有四個對準可允許四個OLED各自之不同發射堆疊，及兩個對準可允許獨立地調整第一及第二OLED之第一有機堆疊之組件。
在一實施例中，將第一、第二、第三及第四OLED各自之第一有機堆疊之一或多個組件沈積在第一、第二、第三及第四OLED各自之區域上方。另外，對準一光罩，其允許沈積在第二OLED之區域上方而非第一、第三及第四OLED之區域上方，且經由該光罩在第二OLED之區域上方而非第一、第三及第四OLED之區域上方沈積第二OLED之第一有機堆疊的一或多個組件。亦對準一光罩，其允許沈積在第三及第四OLED之區域上方而非第一及第二OLED之區域上方，且經由該光罩在第三及第四OLED之區域上方而非第一及第二OLED之區域上方沈積第三及第四OLED之第一有機堆疊的一或多個組件。此等沈積及相應對準可依所述順序進行，或依不同順序進行。此實施例為一種可使用兩個對準單獨調整第一及第二OLED之第一有機堆疊之組件的材料及/或厚度，而以同樣的方式調整第三及第四OLED之第一有機堆疊的材料及/或厚度之方法，且參照圖10說明構造1020。
在一實施例中，將第一、第二、第三及第四OLED各自之第一有機堆疊的一或多個組件沈積在第一、第二、第三及第四OLED各自之區域上方。另外，對準一光罩，其允許沈積在第二、第三及第四OLED之區域上方而非第一OLED之區域上方，且經由該光罩在第二、第三及第四OLED之區域上方而非第一OLED之區域上方沈積第二、第三及第四OLED之第一有機堆疊的一或多個組件。亦對準一光罩，其允許沈積在第三及第四OLED之區域上方而非第一及第二OLED之區域上方，且經由該光罩在第三及第四OLED之區域上方而非第一及第二OLED之區域上方沈積第三及第四OLED之第一有機堆疊的一或多個組件。此等沈積及相應對準可依所述順序進行，或依不同順序進行。此實施例為另一種可使用兩個對準單獨調整第一及第二OLED之第一有機堆疊之組件的材料及/或厚度，而以同樣的方式調整第三及第四OLED之第一有機堆疊的材料及/或厚度之方法，且參照圖10說明構造1010。
在一實施例中，將第一、第二、第三及第四OLED各自之第一有機堆疊的一或多個組件沈積在第一、第二、第三及第四OLED各自之區域上方。亦對準一光罩，其允許沈積在第一及第二OLED之區域上方而非第三及第四OLED之區域上方，且經由該光罩在第一及第二OLED之區域上方而非第三及第四OLED之區域上方沈積第一及第二OLED之第一有機堆疊的一或多個組件。另外，對準一光罩，其允許沈積在第一OLED之區域上方而非第二、第三及第四OLED之區域上方，且經由該光罩在第一OLED之區域上方而非第二、第三及第四OLED之區域上方沈積第一OLED之第一有機堆疊的一或多個組件。此等沈積及相應對準可依所述順序進行，或依不同順序進行。此實施例為一種可使用兩個對準單獨調整第一及第二OLED之第一有機堆疊之組件的材料及/或厚度，而以同樣的方式調整第三及第四OLED之第一有機堆疊的材料及/或厚度之方法，且參照圖11說明構造1110。
在一實施例中，將第一、第二、第三及第四OLED各自之第一有機堆疊的一或多個組件沈積在第一、第二、第三及第四OLED各自之區域上方。對準一光罩，其允許沈積在第一OLED之區域上方而非第二、第三及第四OLED之區域上方，且經由該光罩在第一OLED之區域上方而非第二、第三及第四OLED之區域上方沈積第一OLED之第一有機堆疊的一或多個組件。對準光罩，其允許沈積在第二OLED之區域上方而非第一、第三及第四OLED之區域上方，且經由光罩在第二OLED之區域上方而非第一、第三及第四OLED之區域上方沈積第一OLED之第一有機堆疊的一或多個組件。此等沈積及相應對準可依所述順序進行，或依不同順序進行。此實施例為一種可使用兩個對準單獨調整第一及第二OLED之第一有機堆疊之組件的材料及/或厚度，而以同樣的方式調整第三及第四OLED之第一有機堆疊的材料及/或厚度之方法，且參照圖11說明構造1120。
在一方法實施例中，對於第一OLED、第二OLED、第三OLED及第四OLED中之每一者而言：第一電極為陽極；第二電極為陰極且OLED為底部發射OLED。除上述方法步驟之外，該方法進一步包括：在基板上方提供第一、第二、第三及第四OLED各自之第一電極。對於第一、第二、第三及第四OLED中之每一者而言，在第一電極上方及在先前堆疊上方按順序進行以下沈積：第一有機堆疊；有機發射堆疊及第二有機堆疊及第二電極。
在一實施例中，例如進一步關於先前段落中所述之方法，沈積第一有機堆疊包括：對於第一、第二、第三及第四OLED之每一者而言，依如下順序沈積電洞注入層及電洞傳輸層。同時沈積第一、第二、第三及第四OLED之每一者的電洞注入層。使用多個步驟及不同光罩沈積對於第一、第二及第三OLED而言不同的電洞傳輸層。同時沈積第三及第四OLED之電洞傳輸層。在其他實施例中，對於第一、第二、第三及第四OLED中之每一者而言，可視情況包括其他層，諸如阻擋層，其同時被沈積。
在一實施例中，例如進一步關於先前段落中所述之方法，第一、第二、第三及第四OLED各自之發射堆疊係經由不同光罩來沈積且具有與其他發射堆疊各自不同的材料組成。
多種實施例係關於沈積第一、第二、第三及第四OLED之第一有機堆疊的特定構造及方法，其使用比具有受控厚度之微腔的四像素架構可預期的步驟較少之精確光罩步驟。任何各種構造及方法可用於對應發射堆疊及第二有機堆疊。較佳且符合將精確光罩對準數減到最少的希望，在第二有機堆疊之沈積過程中不使用經由精確光罩之沈積，亦即第一、第二、第三及第四OLED之第二有機堆疊較佳全部相同。另外，且亦符合將精確光罩步驟數減到最少的希望，每個有機發射層僅使用一次經由精確光罩進行之沈積。
在一實施例中，第一、第二、第三及第四OLED中之至少一者之發射堆疊包括具有主體及摻雜劑之發射層及具有主體且不具有摻雜劑之阻擋層。注意該種阻擋層不涉及使用額外光罩對準，因為其在發射層之前或之後即刻沈積且經由同一光罩。該種阻擋層除阻擋之外，可用於在不使用額外光罩對準步驟的情況下調節個別OLED之微腔厚度。然而，在一些實施例中，可能不需要以此方式使用該種阻擋層，其取決於較厚阻擋層使裝置驅動電壓增加多少。
在一實施例中，沈積第二有機堆疊包括：對於第一、第二、第三及第四OLED之每一者而言，依如下順序沈積電子傳輸層及電子注入層。同時沈積第一、第二、第三及第四OLED各自之電子注入層。同時沈積第一、第二、第三及第四OLED各自之電子傳輸層。此實施例較佳與包括阻擋層之發射堆疊組合使用。
在一實施例中，同時經由同一光罩沈積第一、第二、第三及第四OLED各自之第二有機堆疊之各層。
在一實施例中，沈積第二有機堆疊包括沈積電子傳輸層。
然而，在第二有機堆疊的沈積過程中，經由精確光罩使用一或多次沈積在一些情況下可為適用的。在一實施例中，沈積第二有機堆疊包括：對於第一、第二、第三及第四OLED之每一者而言，依如下順序沈積阻擋層、電子傳輸層及電子注入層。同時沈積第一、第二、第三及第四OLED各自之阻擋層，且同時沈積第一、第二、第三及第四OLED各自之電子注入層。使用多個步驟及不同光罩沈積對於第一、第二及第三OLED而言不同的電子傳輸層。同時沈積第三及第四OLED之電子傳輸層。在另一實施例中，可調整電子傳輸層厚度且可使用不同阻擋層。亦可實施其他實施例。
圖7展示適用於理解本發明實施例之單一OLED之兩個獨立架構，尤其關於有機層、有機堆疊及電極命名之方法。
OLED 700係在基板702上製造，且包括第一電極704、第一有機堆疊710、有機發射堆疊720、第二有機堆疊730及第二電極706。第一有機堆疊可進一步包括多個組件712、714及716。有機發射堆疊720可進一步包括多個組件722及724。第二有機堆疊730可進一步包括多個組件732、734及736。標號「第一」及「第二」為隨意的，第一電極可為陽極且第二電極可為陰極或反之亦然(亦即第二電極可為陰極且第一電極可為陽極)。類似地，第一有機堆疊可為電洞由陽極朝向發射層的路線傳遞所穿過之OLED之層，且第二有機堆疊可為電子由陰極朝向發射層的路線傳遞所穿過之OLED之層，或反之亦然。雖然以具有多個組件層形式說明，但第一有機堆疊710、有機發射堆疊720及第二有機堆疊730各可具有如同所示之多個組件層、不同於所示數目的組件層或僅單層。在一些實施例中，第二有機堆疊730可能不存在於該裝置中。
OLED 750包括與OLED 700相同之各層，但基板702處於不同位置。OLED 750說明第一有機堆疊可相比有機發射堆疊離基板更遠(OLED 750)，或相比有機發射堆疊更接近基板。
總之，圖7展示「第一有機堆疊」可在陽極與發射堆疊之間或在陰極與發射堆疊之間。另外，不論第一有機堆疊相對於陽極、有機發射堆疊及陰極而言位於何處，第一有機堆疊可相比有機發射堆疊位於離基板更近或更遠。
在一較佳實施例中，OLED 700為陽極比陰極接近於基板之底部發射OLED(該OLED穿過基板發光)，且其中該第一有機堆疊包括電洞傳輸層，亦即該第一有機堆疊置於該有機發射堆疊與該陽極之間。第一有機堆疊710可包括組件層712、714及716，其分別為電洞注入層、電洞傳輸層及阻擋層。較佳省去組件層716。可使用其他構造。有機發射堆疊720較佳包括組件層722及724，其分別為發射層及阻擋層，其中該發射層具有主體及摻雜劑，且該阻擋層由主體組成。可使用其他構造。第二有機堆疊730較佳包括組件層734及736，其為電子傳輸層及電子注入層。視情況省去組件層732，或其可為阻擋層。然而，許多其他構造為可能的。
圖8展示在四像素架構之製造過程中可使用之各種光罩。基板800具有第一、第二、第三及第四區域802、804、806及808，可分別在該等區域上製造第一、第二、第三及第四OLED。光罩810允許在四像素中之所有OLED上沈積。對於諸如顯示器之較大沈積而言，光罩810允許在明顯大於單一四像素之區域(諸如整個顯示區)上沈積為可能的。因此，光罩810通常不需要精確度足以使光罩開口對準特定像素之精密對準步驟。光罩810可經粗略對準，但此類粗略對準對製造成本幾乎無任何影響。光罩820允許在第三及第四區域806及808而非第一及第二區域802及804上沈積。光罩830允許在第一區域802而非第二、第三及第四區域804、806及808上沈積。光罩840允許在第二區域804而非第一、第三及第四區域802、806及808上沈積。光罩850允許在第三區域806而非第一、第二及第四區域802、804及808上沈積。光罩860允許在第四區域808而非第一、第二及第三區域802、804及806上沈積。亦可使用其他光罩，其允許在區域802、804、806及808之一或多個而非所有區域上沈積。允許在區域802、804、806及808之一些而非所有區域上沈積之光罩通常以「精密對準」方式對準，其精確度足以確保在所要區域上進行沈積。每一該精密對準可能顯著增加製造成本。
圖9展示四像素架構之部分。圖9具體展示對於各OLED而言可能不同的四個子像素各自之第一有機堆疊之一部分。每一OLED之第一有機堆疊所有其他部分較佳相同，且無需任何精密對準以進行沈積。基板900具有第一、第二、第三及第四區域901、902、903及904，可分別在該等區域上製造第一、第二、第三及第四OLED。圖9未展示除第一有機堆疊之一部分以外的OLED部分，諸如第一及第二電極、發射堆疊、第二有機堆疊或第一有機堆疊之剩餘部分。如圖9中所說明之第一有機堆疊之一部分可併入各種OLED構造(諸如圖7中展示之OLED構造)中。
構造910展示一種架構，其中四個子像素各自之第一有機堆疊之一部分對於各OLED而言可能不同。構造910可在無精密對準的情況下使用一次沈積以沈積層912，及在精密對準的情況下使用三次沈積以沈積層914、916及918來達成。層912、914、916及918可為相同材料或材料之摻合物，或可包括不同材料或材料之摻合物。層912、914、916及918較佳為相同材料，且使用精密對準沈積步驟調整厚度以獲得四個OLED各所需及可單獨調整的微腔。
構造920展示一種架構，其中四個子像素各自之第一有機堆疊之一部分對於各OLED而言可能不同。構造920可在無精密對準的情況下使用一次沈積以沈積層922，及在精密對準的情況下使用三次沈積以沈積層924、926及928來達成。層922、924、926及928可為相同材料或材料之摻合物，或可包括不同材料或材料之摻合物。層922、924、926及928較佳為相同材料，且使用精密對準沈積步驟調整厚度以獲得四個OLED各所需及可單獨調整的微腔。
層912、914、916及918較佳一起形成第一、第二、第三及第四OLED各自之第一有機堆疊之輸送層(HTL或ETL)。因此，具體OLED之輸送層的厚度可視層912、914、916及918中哪些存在於具體OLED中而定來進行調整。OLED之第一有機堆疊之任何其他各層較佳在四像素所有OLED中相同，以致不需要精密對準來沈積各層。類似考慮適用於構造920之對應層。
圖10展示四像素架構之部分。圖10具體展示對於各OLED而言可能不同的四個子像素各自之第一有機堆疊之一部分。每一OLED之第一有機堆疊所有其他部分較佳相同，且無需任何精密對準以進行沈積。基板1000具有第一、第二、第三及第四區域1001、1002、1003及1004，可分別在該等區域上製造第一、第二、第三及第四OLED。圖10未展示除第一有機堆疊之一部分以外的OLED部分，諸如第一及第二電極、發射堆疊、第二有機堆疊或第一有機堆疊之剩餘部分。如圖10中所說明之第一有機堆疊之一部分可併入各種OLED構造(諸如圖7中展示之OLED構造)中。
構造1010展示一種架構，其中四個子像素各自之第一有機堆疊之一部分對於第一及第二OLED而言可能不同，但對於第三及第四OLED而言相同。構造1010可在無精密對準的情況下使用一次沈積以沈積層1012，及在精密對準的情況下使用兩次沈積以沈積層1014及1016來達成。層1012、1014及1016可為相同材料或材料之摻合物，或可包括不同材料或材料之摻合物。層1012、1014及1016較佳為相同材料，且使用精密對準沈積步驟調整厚度以獲得第一、第二及第三OLED各所需及可單獨調整的微腔尺寸，其中圖10中所說明之第三及第四OLED之層厚度相同。
構造1020展示一種架構，其中四個子像素各自之第一有機堆疊之一部分對於第一及第二OLED而言可能不同，但對於第三及第四OLED而言相同。構造1020可在無精密對準的情況下使用一次沈積以沈積層1022，及在精密對準的情況下使用兩次沈積以沈積層1024及1026來達成。層1022、1024及1026可為相同材料或材料之摻合物，或可包括不同材料或材料之摻合物。層1022、1024及1026較佳為相同材料，且使用精密對準沈積步驟調整厚度以獲得第一、第二及第三OLED各所需及可單獨調整的微腔尺寸，其中圖10中所說明之第三及第四OLED之層厚度相同。
層1012、1014及1016較佳一起形成第一、第二、第三及第四OLED各自之第一有機堆疊之輸送層(HTL或ETL)。因此，具體OLED之輸送層的厚度可視層1012、1014及1016中哪些存在於具體OLED中而定來進行調整。OLED之第一有機堆疊之任何其他各層較佳在四像素所有OLED中相同，以致不需要精密對準來沈積各層。類似考慮適用於構造1020之對應層。
圖10之構造在與圖9之構造相比時具有兩個顯著差異。首先，第三及第四OLED所說明之各層的厚度及材料在圖9之構造中可能不同，但在圖10之構造中相同。其次，為沈積圖9中所說明之各層，需要在無精密對準的情況下進行一次沈積且在精密對準的情況下進行三次沈積。但為沈積圖10中所說明之各層，僅需要在無精密對準的情況下進行一次沈積且在精密對準的情況下進行兩次沈積。
圖11展示與圖10之構造類似的其他構造1110及1120，其中對於第三及第四OLED所示之各層的厚度及材料相同，且僅需要在無精密對準的情況下進行一次沈積且在精密對準的情況下進行兩次沈積。構造1110包括可在無光罩精密對準的情況下沈積之層1112，及在光罩精密對準的情況下沈積之層1114及1116。類似地，構造1120包括可在無光罩精密對準的情況下沈積之層1122，及在光罩精密對準的情況下沈積之層1124及1126。構造1110及1120不同於構造1010及1020，因為對於構造1110及1120而言，存在較少層沈積在第三及第四區域1103及1104上方，而對於構造1010及1020，存在較多層沈積在第三及第四區域1003及1004上方。
圖11展示四像素架構之部分。基板1100具有第一、第二、第三及第四區域1101、1102、1103及1104，可分別在該等區域上製造第一、第二、第三及第四OLED。圖11未展示除第一有機堆疊之一部分以外的OLED部分，諸如第一及第二電極、發射堆疊、第二有機堆疊或第一有機堆疊之剩餘部分。如圖11中所說明之第一有機堆疊之一部分可併入各種OLED構造(諸如圖7中展示之OLED構造)中。
在圖10及11之構造上有變動之四像素的其他構造應為熟習此項技術者基於本文揭示內容所顯而易見。此等變動可涉及可使用一次無精密對準之沈積及兩次精密對準之沈積單獨調整四個OLED中之三者的各層子集。
圖12展示構造1210，其為具有構造1020之包括HTL的四像素架構中四個OLED各自之第一有機堆疊的實例。基板1000及第一、第二、第三及第四區域1001、1002、1003及1004與圖10標號一致。層1022、1024及1026亦與圖10標號一致。舉例而言，層1022、1024及1026可共同形成第一、第二、第三及第四OLED之HTL。層1232可為所有OLED所共有之電洞注入層，且層1234可為所有OLED所共有之阻擋層。所有OLED所共有之層1232及1234可在無光罩精密對準的情況下沈積。層1022、1024、1026、1232及1234共同形成具有構造1210之四像素架構中OLED之「第一有機堆疊」。OLED亦可具有其他層，諸如第一及第二電極、有機發射堆疊及第二有機堆疊。
圖13展示構造1310，其為具有構造1020之包括HTL的四像素架構之實例。基板1000及第一、第二、第三及第四區域1001、1002、1003及1004與圖10及12標號一致。層1022、1024及1026亦與圖10及12標號一致。層1232及1234與圖12標號一致。構造1310亦展示分別屬於第一、第二、第三及第四OLED各自之第一電極1301、1302、1303及1304。亦展示分別屬於第一、第二、第三及第四OLED各自之有機發射堆疊1311、1312、1313及1314以及所有OLED所共有之第二有機堆疊1320及第二電極1330。在圖13及本文其他圖式中，可出於清楚說明及容易理解之目的繪製結構，且該等結構可能不完全對應於實際裝置之結構。舉例而言，層1234在無精密對準光罩的情況下沈積且沈積在四像素全部區域上方，但為說明清楚，層1234並未展示於區域1001、1002、1003及1004之間的範圍中。亦舉例而言，有機發射堆疊1311、1312、1313及1314可在實際裝置中接觸層1234，但為方便標號，圖例展示間隙。
圖14展示為量測微腔效應而製造之OLED 1400裝置之結構。在玻璃基板1410上製造具有0.7 nm厚度之OLED 1400，在該基板上沈積半反射陽極堆疊。陽極包括層1420、1430及1440，其分別為500A IZO(氧化銦鋅)/250A Ag(銀)/200A IZO。首先圖案化陽極且隨後使用聚醯亞胺格柵界定主動像素區域(2 mm2)。將基板裝入VTE(真空熱蒸發)腔室中且沈積以下有機層：LG101(可購自LG Chem. Ltd.,Korea)電洞注入層1450(HIL)(100A)，接著為按50A間隔厚度為800A至1200A之NPD(N,N'-二-[(1-萘基)-N,N'-二苯基]-(1,1'-聯苯)-4,4'-二胺)之HTL層1460(以致所產生之9個裝置的唯一差異為HTL厚度)，接著為以下任一者的厚度為300A之EML層1470：(a)[淡藍色裝置]摻雜22重量%藍色摻雜劑A之藍色主體A，或(b)[藍色裝置]摻雜18重量%藍色摻雜劑B之藍色主體A。在其之後為藍色主體A之阻擋層1480(BL)(50A)。隨後沈積Alq3(參-(8-喹啉根基)鋁)之ETL層1490至厚度350A。最後，沈積LiF(10A)接著為Al(1000A)之陰極結構1495，且包封該等裝置。裝置中使用之化學試劑結構包括：
使用除HTL層厚度及EML中使用之不同材料外與圖14中所說明相同的裝置堆疊製造R、G、B1及B2底部發射(BE)微腔OLED像素。在表2及3中展示淡藍色(B1)及藍色(B2)之裝置效能概要。
此處，將發光效率單位(cd/A)除以1931 CIE y用於比較在不同色飽和度下之效率。此近似說明藍色愈深則發光效率下降，此時眼睛之適光反應最弱。如表1可見，對於B1而言，此在1150A HTL厚度下得以最佳化。如表2可見，對於B2而言，最佳HTL厚度亦為1150A。雖然最佳HTL厚度在此具體實驗中相同，但通常預期B1及B2裝置之最佳HTL厚度將不同，但為小量的不同。
在RGB1B2顯示器中，與B1子像素相比，偶爾使用飽和藍色B2子像素。據估計在顯現典型圖像時，B2子像素將僅佔RGB1B2顯示器之功率消耗之約2%，而B1子像素將佔該功率消耗之約47%(更多詳情參見Woo-Young So.等人，SID 2010)。對於B1及B2子像素而言，建議使B1之HTL厚度優化(在此情況下，厚度為1150A)且相同厚度當即亦用於B2。因而可用單個步驟經由公用光罩沈積B1及B2 HTL層，由此降低製造成本。
即使隨後未使B2子像素優化，但可預期功率消耗之增量由於相對少用B2子像素而最小。舉例而言，即使效率降低20%，但此將僅使RGB1B2面板消耗增加2%×0.2=0.4%。此微小之功率消耗增量預期超過使用共同B1及B2 HTL厚度降低之成本的抵消量。另外，B2微腔可藉由在B2 EML沈積過程中改變該層之厚度而再優化。藉由改變EML層厚度調整微腔之該方法係描述於Jpn. J. of Appl. Phys.,第45卷，第5B期(2006)-Ishibashi等人。若需要EML厚度有較小改變，則該方法可為有效的，但若需要EML厚度有顯著改變，則該方法會導致發光效率實質損失、電壓較高及/或裝置使用壽命降低。
出現此非預期的結果係因為B1及B2峰值波長非常接近：B1峰在474 nm處，而B2峰在466 nm處。其意謂優化B1及B2微腔所需之總有機層厚度非常類似。比較而言，等效優化之紅色裝置將在612 nm處具有峰值發射波長，需要HTL厚度為1950A，而等效優化綠色裝置將在528 nm處具有峰值發射波長，需要HTL厚度為1450A。優化R、G及B(或B2)微腔裝置所需之總有機層厚度因此差異很大，所以較佳不使用共同HTL厚度，除非實質上改變個別EML層之厚度(參見Jpn. J. of Appl. Phys.,第45卷，第5B號(2006)-Ishibashi等人)，其可導致發光效率明顯損失、較高電壓及/或較低之裝置使用壽命以及其他可能需要精密對準之沈積。在本文所揭示之實施例中避免此效能損失。
應瞭解本文中所述之各種實施例僅作為實例且不意欲限制本發明之範疇。舉例而言，在不背離本發明精神的情況下，本文中所述之許多材料及結構可經其他材料及結構取代。因此所主張之本發明可包括熟習此項技術者顯而易見對本文中所述之特定實例及較佳實施例所作之變更。應瞭解有關為何本發明之研究不意欲具限制性之各種理論。
100．．．有機發光裝置
110．．．基板
115．．．陽極
120．．．電洞注入層
125．．．電洞傳輸層
130．．．電子阻擋層
135．．．發射層
140．．．電洞阻擋層
145．．．電子傳輸層
150．．．電子注入層
155．．．保護層
160．．．陰極
162．．．第一導電層
164．．．第二導電層
200．．．倒置式OLED
210．．．基板
215．．．陰極
220．．．發射層
225．．．電洞傳輸層
230．．．陽極
511．．．點
512．．．點
513．．．點
514．．．點
521．．．區域
522．．．區域
523．．．區域
524．．．區域
610．．．構造
620．．．構造
630．．．構造
640．．．構造
700．．．OLED
702．．．基板
704．．．第一電極
706．．．第二電極
710．．．第一有機堆疊
712．．．組件
714．．．組件
716．．．組件
720．．．有機發射堆疊
722．．．組件
724．．．組件
730．．．第二有機堆疊
732．．．組件
734．．．組件
736．．．組件
750．．．OLED
800．．．基板
802．．．第一區域
804．．．第二區域
806．．．第三區域
808．．．第四區域
810．．．光罩
820．．．光罩
830．．．光罩
840．．．光罩
850．．．光罩
860．．．光罩
900．．．基板
901．．．第一區域
902．．．第二區域
903．．．第三區域
904．．．第四區域
910．．．構造
912．．．層
914．．．層
916．．．層
918．．．層
920．．．構造
922．．．層
924．．．層
926．．．層
928．．．層
1000．．．基板
1001．．．第一區域
1002．．．第二區域
1003．．．第三區域
1004．．．第四區域
1010．．．構造
1012．．．層
1014．．．層
1016．．．層
1020．．．構造
1022．．．層
1024．．．層
1026．．．層
1100．．．基板
1101．．．第一區域
1102．．．第二區域
1103．．．第三區域
1104．．．第四區域
1110．．．構造
1112．．．層
1114．．．層
1116．．．層
1120．．．構造
1122．．．層
1124．．．層
1126．．．層
1210．．．構造
1232．．．層
1234．．．層
1301．．．第一OLED之第一電極
1302．．．第二OLED之第一電極
1303．．．第三OLED之第一電極
1304．．．第四OLED之第一電極
1310．．．構造
1311．．．第一OLED之有機發射堆疊
1312．．．第二OLED之有機發射堆疊
1313．．．第三OLED之有機發射堆疊
1314．．．第四OLED之有機發射堆疊
1320．．．第二有機堆疊
1330．．．第二電極
1400．．．OLED
1410．．．玻璃基板
1420．．．層
1430．．．層
1440．．．層
1450．．．電洞注入層
1460．．．HTL層
1470．．．EML層
1480．．．阻擋層
1490．．．ETL層
1495．．．陰極結構
圖1展示一種有機發光裝置。
圖2展示不具有獨立電子傳輸層之倒置式有機發光裝置。
圖3展示1931 CIE色度圖之顯現。
圖4展示1931 CIE色度圖之顯現，其亦顯示色域。
圖5展示各種裝置之CIE座標。
圖6展示具有四個像素之四像素架構的各種構造。
圖7展示單一OLED之兩個獨立架構。
圖8展示在四像素架構之製造過程中可使用之各種光罩。
圖9展示四像素架構之部分。
圖10展示四像素架構之部分。
圖11展示四像素架構之部分。
圖12展示四像素架構之部分。
圖13展示四像素架構。
圖14展示在電洞傳輸層中具有可變厚度之藍色微腔OLED。
(無元件符號說明)

Claims (35)

  1. 一種包含四像素之裝置，該四像素包含：第一OLED、第二OLED、第三OLED及第四OLED，各OLED獨立地具有：第一電極；第二電極；置於該第一電極與該第二電極之間具有發射材料之有機發射堆疊；置於該第一電極與該有機發射堆疊之間且與該第一電極及該有機發射堆疊接觸的第一有機堆疊；置於該第二電極與該有機發射堆疊之間且與該第二電極及該有機發射堆疊接觸的第二有機堆疊；其中：該第一OLED之有機發射堆疊、該第二OLED之有機發射堆疊、該第三OLED之有機發射堆疊及該第四OLED之有機發射堆疊各具有不同發射光譜；該第一OLED之第一有機堆疊、該第二OLED之第一有機堆疊及該第三OLED之第一有機堆疊在材料或厚度或此兩方面彼此不同；且該第三OLED之第一有機堆疊及該第四OLED之第一有機堆疊相同。
  2. 如請求項1之裝置，其中該第一電極為陽極且對於該第一OLED、該第二OLED、該第三OLED及該第四OLED中之每一者而言，該OLED為底部發射OLED。
  3. 如請求項1之裝置，其中該第一電極為陽極且對於該第一OLED、該第二OLED、該第三OLED及該第四OLED中之每一者而言，該OLED為頂部發射OLED。
  4. 如請求項1之裝置，其中該第一電極為陰極且對於該第一OLED、該第二OLED、該第三OLED及該第四OLED中之每一者而言，該OLED為底部發射OLED。
  5. 如請求項1之裝置，其中該第一電極為陰極且對於該第一OLED、該第二OLED、該第三OLED及該第四OLED中之每一者而言，該OLED為頂部發射OLED。
  6. 如請求項1之裝置，其中該第二有機堆疊在該第一OLED、該第二OLED、該第三OLED及該第四OLED中之每一者中為相同的。
  7. 如請求項1之裝置，其中該第二有機堆疊在該第一OLED、該第二OLED、該第三OLED及該第四OLED中之每一者中為不同的。
  8. 如請求項1之裝置，其中：該第一、該第二、該第三及該第四OLED各具有不同於其他OLED各自之發射材料的單一發射材料；該第一OLED之發射材料發射峰值波長在600-700nm可見光譜中之光，且為磷光材料；該第二OLED之發射材料發射峰值波長在500-600nm可見光譜中之光，且為磷光材料；該第三OLED之發射材料發射峰值波長在400-500nm可見光譜中之光；且 該第四OLED之發射材料發射峰值波長在400-500nm可見光譜中之光；且由該第四有機發光裝置發射之光在可見光譜中之峰值波長係小於由該第三有機發光裝置發射之光在可見光譜中之峰值波長至少4nm。
  9. 如請求項8之裝置，其中該第三OLED之發射材料為磷光材料且該第四OLED之發射材料為磷光材料。
  10. 如請求項8之裝置，其中該第三OLED之發射材料為磷光材料且該第四OLED之發射材料為螢光材料。
  11. 如請求項8之裝置，其中該第三OLED之發射材料為螢光材料且該第四OLED之發射材料為螢光材料。
  12. 如請求項1之裝置，其中：該第一、該第二、該第三及該第四OLED各具有發射與由其他OLED各自之有機發射堆疊所發射之光譜不同之光譜的有機發射堆疊；該第一OLED之有機發射堆疊發射峰值波長在600-700nm可見光譜中之光，且包括磷光發射材料；該第二OLED之有機發射堆疊發射峰值波長在500-600nm可見光譜中之光，且包括磷光材料；該第三OLED之有機發射堆疊發射峰值波長在400-500nm可見光譜中之光；且該第四OLED之有機發射堆疊發射峰值波長在550-600nm可見光譜中之光，且包括磷光發射材料；且其中由該第四有機發光裝置發射之光在可見光譜中之 峰值波長大於由該第二有機發光裝置發射之光在可見光譜中之峰值波長至少10nm，且小於由該第一有機發光裝置發射之光在可見光譜中之峰值波長至少10nm。
  13. 如請求項1之裝置，其中該第四OLED之有機發射堆疊包括該第四OLED之有機發射層，且該第四OLED之該有機發射層與該第一、該第二及該第三OLED之第一或第二有機堆疊之組件相同且與其同時沈積。
  14. 如請求項1之裝置，其中該裝置為包括複數個四像素之照明面板。
  15. 如請求項1之裝置，其中該裝置為包括複數個四像素之消費型裝置。
  16. 一種沈積包含四像素之裝置的方法，其中：該四像素包含：第一OLED、第二OLED、第三OLED及第四OLED，各OLED獨立地具有：一基板之一區域，在該區域上方安置該OLED；第一電極；第二電極；置於該第一電極與該第二電極之間具有發射材料之有機發射堆疊；置於該第一電極與該有機發射堆疊之間且與該第一電極及該有機發射堆疊接觸的第一有機堆疊；置於該第二電極與該有機發射堆疊之間且與該第二電極及該有機發射堆疊接觸的第二有機堆疊； 其中：該第一OLED之有機發射堆疊、該第二OLED之有機發射堆疊、該第三OLED之有機發射堆疊及該第四OLED之有機發射堆疊各具有不同發射光譜；該第一OLED之第一有機堆疊、該第二OLED之第一有機堆疊及該第三OLED之第一有機堆疊在材料或厚度或此兩方面彼此不同；該方法包含：使該第三OLED之第一有機堆疊之各組件與該第四OLED之第一有機堆疊中之相同組件同時沈積。
  17. 如請求項16之方法，其中在該第一、該第二、該第三及該第四OLED之第一有機堆疊的沈積過程中，存在至多兩個光罩對準，其允許沈積在該第一、該第二、該第三及該第四OLED之一些而非所有區域上方，及允許經由各光罩沈積該第一、該第二、該第三及該第四OLED中之一些而非所有OLED的第一有機堆疊之一或多個組件。
  18. 如請求項16之方法，其中在該四像素的沈積過程中，存在至多六個光罩對準，其允許沈積在該第一、該第二、該第三及該第四OLED之一些而非所有區域上方，及允許經由各光罩沈積該第一、該第二、該第三及該第四OLED之一或多個組件。
  19. 如請求項17之方法，其中在該第一、該第二、該第三及該第四OLED之第一有機堆疊的沈積過程中，存在正好 兩個光罩對準，其允許沈積在該第一、該第二、該第三及該第四OLED之一些而非所有區域上方，及允許經由各光罩沈積該第一、該第二、該第三及該第四OLED中之一些而非所有OLED的第一有機堆疊之一或多個組件。
  20. 如請求項19之方法，其中在該第一、該第二、該第三及該第四OLED之第一有機堆疊的沈積過程中並在經由允許沈積在該第一、該第二、該第三及該第四OLED中之一些而非所有OLED上方的兩個光罩沈積之前，沈積該第一、該第二、該第三及該第四OLED之第一有機堆疊之一或多個組件。
  21. 如請求項20之方法，其中在該第一、該第二、該第三及該第四OLED之第一有機堆疊的沈積過程中，及在經由允許沈積在該第一、該第二、該第三及該第四OLED中之一些而非所有OLED上方的兩個光罩沈積之後，沈積該第一、該第二、該第三及該第四OLED之第一有機堆疊之一或多個組件。
  22. 如請求項16之方法，其進一步包含：將該第一、該第二、該第三及該第四OLED各自之第一有機堆疊的一或多個組件沈積在該第一、該第二、該第三及該第四OLED各自之區域上方；對準一光罩，其允許沈積在該第二OLED之區域上方而非該第一、該第三及該第四OLED之區域上方，且經由該光罩在該第二OLED之區域上方而非該第一、該第 三及該第四OLED之區域上方沈積該第二OLED之第一有機堆疊的一或多個組件；對準一光罩，其允許沈積在該第三及該第四OLED之區域上方而非該第一及該第二OLED之區域上方，且經由該光罩在該第三及該第四OLED之區域上方而非該第一及該第二OLED之區域上方沈積該第三及該第四OLED之第一有機堆疊的一或多個組件。
  23. 如請求項22之方法，其中如請求項21中所述之步驟係依所述順序進行。
  24. 如請求項22之方法，其中如請求項21中所述之步驟係依與所述順序不同之順序進行。
  25. 如請求項16之方法，其進一步包含：將該第一、該第二、該第三及該第四OLED各自之第一有機堆疊的一或多個組件沈積在該第一、該第二、該第三及該第四OLED各自之區域上方；對準一光罩，其允許沈積在該第二、該第三及該第四OLED之區域上方而非該第一OLED之區域上方，且經由該光罩在該第二、該第三及該第四OLED之區域上方而非該第一OLED之區域上方沈積該第二、該第三及該第四OLED之第一有機堆疊的一或多個組件；對準一光罩，其允許沈積在該第三及該第四OLED之區域上方而非該第一及該第二OLED之區域上方，且經由該光罩在該第三及該第四OLED之區域上方而非該第一及該第二OLED之區域上方沈積該第三及該第四OLED 之第一有機堆疊的一或多個組件。
  26. 如請求項16之方法，其進一步包含：將該第一、該第二、該第三及該第四OLED各自之第一有機堆疊的一或多個組件沈積在該第一、該第二、該第三及該第四OLED各自之區域上方；對準一光罩，其允許沈積在該第一及該第二OLED之區域上方而非該第三及該第四OLED之區域上方，且經由該光罩在該第一及該第二OLED之區域上方而非該第三及該第四OLED之區域上方沈積該第一及該第二OLED之第一有機堆疊的一或多個組件；對準一光罩，其允許沈積在該第一OLED之區域上方而非該第二、該第三及該第四OLED之區域上方，且經由該光罩在該第一OLED之區域上方而非該第二、該第三及該第四OLED之區域上方沈積該第一OLED之第一有機堆疊的一或多個組件。
  27. 如請求項16之方法，其進一步包含：將該第一、該第二、該第三及該第四OLED各自之第一有機堆疊的一或多個組件沈積在該第一、該第二、該第三及該第四OLED各自之區域上方；對準一光罩，其允許沈積在該第一OLED之區域上方而非該第二、該第三及該第四OLED之區域上方，且經由該光罩在該第一OLED之區域上方而非該第二、該第三及該第四OLED之區域上方沈積該第一OLED之第一有機堆疊的一或多個組件； 對準一光罩，其允許沈積在該第二OLED之區域上方而非該第一、該第三及該第四OLED之區域上方，且經由該光罩在該第二OLED之區域上方而非該第一、該第三及該第四OLED之區域上方沈積該第一OLED之第一有機堆疊的一或多個組件。
  28. 如請求項16之方法，其中對於該第一OLED、該第二OLED、該第三OLED及該第四OLED中之每一者而言：該第一電極為陽極；該第二電極為陰極；且該OLED為底部發射OLED；其中該方法進一步包含：在該基板上方提供該第一、該第二、該第三及該第四OLED各自之該第一電極；對於該第一、該第二、該第三及該第四OLED中之每一者而言，在該第一電極上方沈積第一有機堆疊；對於該第一、該第二、該第三及該第四OLED中之每一者而言，在該第一有機堆疊上方沈積有機發射堆疊；對於該第一、該第二、該第三及該第四OLED中之每一者而言，在該有機發射堆疊上方沈積第二有機堆疊；對於該第一、該第二、該第三及該第四OLED中之每一者而言，在該第二有機堆疊上方沈積第二電極。
  29. 如請求項28之方法，其中沈積該第一有機堆疊包括：對 於該第一、該第二、該第三及該第四OLED中之每一者而言，依如下順序沈積：電洞注入層；及電洞傳輸層；其中同時沈積該第一、該第二、該第三及該第四OLED各自之電洞注入層，且其中使用多個步驟及不同光罩來沈積該第一、該第二及該第三OLED之不同的電洞傳輸層，且其中同時沈積該第三及該第四OLED之電洞傳輸層。
  30. 如請求項29之方法，其中該第一、該第二、該第三及該第四OLED各自之有機發射堆疊係經由不同光罩來沈積且具有不同材料組成。
  31. 如請求項30之方法，其中該第一、該第二、該第三及該第四OLED中之至少一者之有機發射堆疊包括具有主體及摻雜劑之發射層及具有主體且不具有摻雜劑之阻擋層。
  32. 如請求項31之方法，其中沈積該第二有機堆疊包括：對於該第一、該第二、該第三及該第四OLED中之每一者而言，依如下順序沈積：電子傳輸層；及電子注入層；其中同時沈積該第一、該第二、該第三及該第四OLED各自之電子注入層；且其中同時沈積該第一、該第二、該第三及該第四OLED各自之電子傳輸層。
  33. 如請求項30之方法，其中同時經由同一光罩沈積該第一、該第二、該第三及該第四OLED各自之第二有機堆疊之各層。
  34. 如請求項30之方法，其中沈積該第二有機堆疊包括沈積電子傳輸層。
  35. 如請求項30之方法，其中沈積該第二有機堆疊包括：對於該第一、該第二、該第三及該第四OLED中之每一者而言，依如下順序沈積：阻擋層；電子傳輸層；及電子注入層；其中同時沈積該第一、該第二、該第三及該第四OLED各自之阻擋層，且同時沈積該第一、該第二、該第三及該第四OLED各自之電子注入層，且其中使用多個步驟及不同光罩來沈積該第一、該第二及該第三OLED之不同的電子傳輸層，且其中同時沈積該第三及該第四OLED之電子傳輸層。
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