JP2007123065A - 発光装置の製造方法及び電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】視角によって色度ずれを抑制することが可能な発光装置の製造方法及びその製造方法によって製造された発光装置を備えた電子機器を提供する。
【解決手段】各青用画素ＤＢ、緑用画素ＤＧ及び赤用画素ＤＲに光共振器構造を有した有機ＥＬ装置１０において、青用画素ＤＢの画素電極１５Ｂを第１画素電極部と、該第１画素電極部とは膜厚の異なる第２画素電極部とから構成した。そして、４回のフォトリソグラフィー工程で、青、緑及び赤用画素電極形成領域ＳＢ，ＳＧ，ＳＲ毎に膜厚が異なる画素電極１５Ｂ，１５Ｇ，１５Ｒを形成した。
【選択図】図１

Description

本発明は、発光装置の製造方法及び電子機器に関するものである。

近年、発光性有機材料を発光層に用いた有機エレクトロルミネッセンス（以下、「有機ＥＬ」という）素子を備えた画素を有した有機エレクトロルミネッセンス発光装置の開発が進められている。一般に、有機ＥＬ素子は、２つの電極間に少なくとも発光層を含んだ機能層を挟持した構成をしており、発光層から発せられた光をそのまま表示光として利用するようになっている。

しかし、有機ＥＬ素子からそのまま取り出された光は、スペクトルがブロードであり、発光輝度も低いため、発光装置に適用した場合、十分な色再現性が得られないという問題があった。そこで、各画素に誘電体ミラー層（半透明反射層）を設け、発光層から発せられた光を、一方の電極と誘電体ミラー層との間で往復するように反射させて、その光学的距離に対応した共振波長の光のみを増幅させて外部に取り出すようにした共振器構造を備えた発光装置が提案されている。このような共振器構造を備えた発光装置は、光学的距離を適宜変更することで、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）に対応した波長の光を取り出すことも可能となる（例えば、特許文献１参照）。
特許第２７９７８８３号公報

ところで、上記発光装置では、各電極及び誘電体ミラーは基板に対して垂直方向に順次積層された構成であるので、各画素の光学的距離は、基板に対して垂直方向と斜め方向とでは、見かけ上の光学的距離が異なる。

図１０（ａ），（ｂ）に、それぞれ示すように、基板に対して斜め方向へ出射した青（Ｂ）及び赤（Ｒ）に対応した各波長の光は、ともに、出射角Ｑが０°，２０°，…６０°と広角になるに従って徐々にピーク波長が短波長側にシフトしていくことが分かる。例えば、青（Ｂ）や赤（Ｒ）に対応した波長の光では、それぞれ、出射角Ｑが０°、即ち、基板に対して正面（０°）へ出射する光と、基板に対して３０°ずれて出射する光とでは約１０ｎｍずれた波長の光が、また、基板に対して６０°ずれて出射する光とでは約５０ｎｍずれた波長の光が出射する。

従って、基板に対して垂直方向に出射される光と斜め方向に出射される光とでは、波長が異なることにより、見る角度（視角）によって異なった色に見える、所謂色度ずれが生じてしまうという問題が生じてしまう。

本発明では、このような事情に鑑みてなされたものであって、視角によって色度ずれを抑制することが可能な発光装置の製造方法及びその製造方法によって製造された発光装置を備えた電子機器を提供することを目的とする。

本発明の発光装置の製造方法は、基板上に、光反射層、画素電極、少なくとも発光層を含む機能層、半透過反射層が積層されるとともに、前記光反射層と前記半透過反射層との間に前記機能層が挟持され、前記光反射層と前記半透過反射層との間で前記発光層から発光された光を共振させる光共振器構造を具備する画素を備え、前記画素は、前記光反射層
と前記半透過反射層との間の光学的距離が互いに異なる３種類の第１画素、第２画素、第３画素から構成されてなり、前記第１画素の前記画素電極は、膜厚が異なる第１領域及び第２領域を備え、当該各領域から異なった共振波長の光を出射する発光装置の製造方法であって、前記第２画素及び前記第３画素のうち少なくとも一方の画素の前記画素電極を形成する際に、前記第１画素の第１領域及び第２領域のうち少なくとも一方の領域の前記画素電極を同時に形成する。

これによれば、第１画素の第１または第２領域内の画素電極は、第２または第３画素の画素電極を形成する際に同時に形成される。従って、各画素電極を画素毎に形成ようにした場合に比べて工程数を少なくすることができる。

この発光装置の製造方法において、前記第１画素の前記画素電極のうち、第１領域にある画素電極の膜厚をｄ１ａ、第２領域にある画素電極の膜厚をｄ１ｂ（ｄ１ａ＜ｄ１ｂ）とし、さらに、前記第２画素の前記画素電極の膜厚をｄ２、前記第３画素の前記画素電極の膜厚をｄ３で表わした場合、前記第３画素の画素電極が形成される第３画素電極形成領域に、ｄ３−ｄ２の膜厚を有する第１電極層を形成する第１工程と、前記第３画素電極形成領域に形成された前記第１電極層上にｄ２−ｄ１ｂの膜厚を有する第２電極層を形成するとともに、前記第２画素の画素電極が形成される第２画素電極形成領域に、前記第２電極層を形成する第２工程と、前記第３画素電極形成領域及び前記第２画素電極形成領域にそれぞれ形成された前記第２電極層上に、それぞれ、ｄ１ｂ−ｄ１ａの膜厚を有する第３電極層を形成するとともに、前記第１画素の前記第１領域に、前記第３電極層を形成する第３工程と、前記第３画素電極形成領域及び前記第２画素電極形成領域にそれぞれ形成された前記第３電極層上に、それぞれ、ｄ１ａの膜厚を有する第４電極層を形成するとともに、前記第１画素電極形成領域であって前記第１領域及び前記第２領域に、前記第４電極層を形成する第４工程とを備えていてもよい。

これによれば、４回の工程で、各領域で膜厚が異なる画素電極が形成される。従って、各第１、第２及び第３画素で光共振に最適な光学距離を形成することができる。また、第３画素の画素電極が第１及び第２画素の各画素電極に比べて膜厚が厚くなるが、この第３画素の画素電極は４つの工程で形成されるように分割しているので、各電極膜を形成する際のエッチング時間をそれぞれ概ね同じ時間にすることができる。従って、膜厚が厚くなるとエッチング時間が長くなるためサイドエッチが生じやすいが、これを抑制することができる。

この発光装置の製造方法において、前記第１画素は、青色の光を出射する青用画素であり、前記第２画素は、緑色の光を出射する緑用画素であり、前記第３画素は、赤色の光を出射する赤用画素であってもよい。

これによれば、青用画素の画素電極を膜厚の異なる領域を備えた画素電極に形成することができる。従って、青用画素からは、２以上の異なった共振条件が設けられそれぞれの共振条件に合った共振波長の光が出射される。この結果、基板に対して垂直方向に出射される光と、斜め方向に出射される光とは、波長が同じになることにより、見る角度（視角）によって、色度ずれが抑制される発光装置を製造することができる。

この発光装置の製造方法において、前記赤用画素に相対向する位置に赤色変換層、前記緑用画素に相対向する位置に緑色変換層及び前記青用画素に相対向する位置に青色変換層を備えたカラーフィルタをさらに有していてもよい。

これによれば、カラーフィルタが設けられているので、緑用画素及び赤用画素の視角特性はカラーフィルタで補正され、青用画素は、２つの共振条件によって視角による色度ず
れを抑制される。この結果、より色再現性の良好な発光装置を製造することができる。

この発光装置の製造方法において、前記光反射層と前記画素電極との間には、前記反射層全体を覆う保護層が形成されていてもよい。
これによれば、光反射層は、一般的に、アルミニウム（Ａｌ）や銀（Ａｇ）で形成されている。従って、画素電極を形成する際に使用される公知の現像液や剥離液の溶剤によって光反射層が劣化してしまうが、本発明のように、光反射層上には保護層が形成されているため、劣化しない。この結果、画素電極は、その光反射率が高い状態となるので、光取り出し効率の高い、即ち、高輝度の発光装置を製造することができる。

この発光装置の製造方法において、前記保護層は、前記画素電極より屈折率が低くてもよい。
これによれば、各画素の光共振波長は、光反射層と半透過反射層との間の光学的距離、つまり、光反射層と半透過反射層との間に配置される画素電極、機能層、保護層の光学的距離の総和に対応し、また、各層の光学的距離は、その膜厚と屈折率との積によって求められることが知られている。本発明では、保護層の屈折率は画素電極より低いので、光共振波長は保護層の影響を受けない。保護層の屈折率が大きい場合、光共振器の観点から画素電極の膜厚を非常に薄く形成する必要が生じるが、これを抑制することができるので、画素電極の膜厚を製造しやすい厚みで形成することができる。

本発明の電子機器は、上記記載の発光装置の製造方法によって製造された発光装置を備えている。
これによれば、広視野角であっても、色度ずれが抑制された画像を表示することが可能な電子機器を提供することができる。

以下、本発明を具体化した各実施形態について図面に従って説明する。
（第１実施形態）
図１は、本発明の発光装置としての有機ＥＬ装置の概略構成を示す断面図である。

本実施形態の有機ＥＬ装置１０は、発光層から発光（内部発光）した光（表示光）を基板とは反対側から取り出す、所謂トップエミッション型の有機ＥＬ装置である。
図１に示すように、有機ＥＬ装置１０は、光透過性を有する基板（透明基板）１１を備えるとともに、該基板１１上には、青用画素形成領域ＺＢ、緑用画素形成領域ＺＧ及び赤用画素形成領域ＺＲがマトリクス状に配置されている。各青、緑及び赤用画素形成領域ＺＢ，ＺＧ，ＺＲは、図１においてＸ矢印方向に沿って、青用画素形成領域ＺＢ→緑用画素形成領域ＺＧ→赤用画素形成領域ＺＲ→…の順に繰り返して配置されるとともに、Ｚ矢印方向（紙面奥側方向）に沿っては同色の画素形成領域ＺＢ，ＺＧ，ＺＲが配置されている。青用画素形成領域ＺＢ内には、青用画素電極形成領域ＳＢが形成されている。緑用画素形成領域ＺＧ内には、第２画素電極形成領域としての緑用画素電極形成領域ＳＧが形成されている。赤用画素形成領域ＺＲ内には、第３画素電極形成領域としての赤用画素電極形成領域ＳＲが形成されている。

また、基板１１上には、各同色の画素形成領域ＺＢ，ＺＧ，ＺＲに沿ってストライプ状に、光反射性の高い材料等で構成された複数の光反射層１２が延設されている。本実施形態の光反射層１２は、アルミニウム（Ａｌ）で構成されている。

各光反射層１２上には、該光反射層１２を被覆するように保護層１３が形成されている。この保護層１３は、光透過性に優れ、かつ電気絶縁性を有した材料で構成されている。また、本実施形態では、保護層１３は、後記する青、緑及び赤用画素電極１５Ｂ，１５Ｇ
，１５Ｒより屈折率が低い材料で構成されている。本実施形態の保護層１３は、窒化珪素（ＳｉＮ）（屈折率１．８）で構成されている。

各青、緑及び赤用画素電極形成領域ＳＢ，ＳＧ，ＳＲ内の保護層１３上には、光透過性を有した導電性材料で構成された画素電極としての青、緑及び赤用画素電極１５Ｂ，１５Ｇ，１５Ｒが区画形成されている。つまり、複数の青、緑及び赤用画素電極１５Ｂ，１５Ｇ，１５Ｒは、保護層１３を介して各光反射層１２と相対向するようにマトリクス状に配置されている。本実施形態の画素電極１５Ｂ，１５Ｇ，１５Ｒは、インジウムー錫酸化物（ＩＴＯ）で構成されている。

図２に示すように、青用画素電極形成領域ＳＢは、図２中左側（反Ｘ矢印方向側）に形成された第１領域としての第１青用画素電極形成領域ＳＢ１と図２中右側（Ｘ矢印方向側）に形成された第２領域としての第２青用画素電極形成領域ＳＢ２とを備えている。以下、説明の便宜上、第１青用画素電極形成領域ＳＢ１上に配置された青用画素電極１５Ｂを第１青用画素電極部１８Ｂといい、第２青用画素電極形成領域ＳＢ２上に配置された青用画素電極１５Ｂを第２青用画素電極部１９Ｂという。そして、第１青用画素電極部１８Ｂはその膜厚ｄ１ａが、第２青用画素電極部１９Ｂの膜厚ｄ１ｂに比べて薄くなっている。つまり、青用画素電極１５Ｂは、階段状の形状をしている。本実施形態では、第１青用画素電極部１８Ｂの膜厚ｄ１ａは、２０ｎｍであって、第２青用画素電極部１９Ｂの膜厚ｄ１ｂは、４５ｎｍである。

また、図３に示すように、本実施形態では、緑用画素電極１５Ｇは、その膜厚ｄ２が６５ｎｍである。さらに、図４に示すように、本実施形態では、赤用画素電極１５Ｒは、その膜厚ｄ３が９５ｎｍである。

また、図１に示すように、基板１１上には、各青、緑及び赤用画素電極１５Ｂ，１５Ｇ，１５Ｒを覆うように機能層２０が形成されている。本実施形態の機能層２０は、正孔輸送層２１、発光層２２及び電子輸送層２３が基板１１側から順次積層されている。また、機能層２０上（電子輸送層２３上）の全面には、共通電極２５が形成されている。

正孔輸送層２１は、青、緑及び赤用画素電極１５Ｂ，１５Ｇ，１５Ｒから発光層２２への電荷の注入効率を高めるとともに、発光層２２内を移動する電子をブロッキングする機能を有し、発光層２２内での電子と正孔との再結合確率を高める作用を奏する。この正孔輸送層２１には、青、緑及び赤用画素電極１５Ｂ，１５Ｇ，１５Ｒからの注入障壁が低く、正孔移動度の高い材料が好適に用いられる。このような材料としては、例えばポリチオフェン誘導体、ポリピロール誘導体など、またはそれらのドーピング体などが用いられる。具体的には、３，４−ポリエチレンジオキシオフェン／ポリスチレンスルフォン酸（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）［商品名；バイトロン−ｐ（Bytron-p）：バイエル社製］の分散液、即ち、分散媒としてポリスチレンスルフォン酸に３，４−ポリエチレンジオキシチオフェンを分散させ、さらにこれを水に分散させた分散液などを用いられる。本実施形態では、正孔輸送層２１は、各青、緑及び赤用画素電極１５Ｂ，１５Ｇ，１５Ｒに対して均一な膜厚である。

発光層２２は、蛍光或いは燐光を発光することが可能な公知の有機高分子発光材料で構成されている。このような材料としては、ポリフルオレン誘導体（ＰＦ）、ポリパラフェニレンビニレン誘導体（ＰＰＶ）、ポリフェニレン誘導体（ＰＰ）、ポリパラフェニレン誘導体（ＰＰＰ）、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）、ポリチオフェン誘導体、ポリジアルキルフルオレン（ＰＤＡＦ）、ポリフルオレンベンゾチアジアゾール（ＰＦＢＴ）、ポリアルキルチオレン（ＰＡＴ）や、ポリメチルフェニルシラン（ＰＭＰＳ）等のポリシラン系などを好適に用いることができる。また、これらの各発光材料に、ペリレン系色素
、クマリン系色素、ローダミン色素などの高分子系材料や、ルブレン、ペリレン、９，１０−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等の低分子材料をドープして用いることもできる。尚、本実施形態の発光層２２では、白色の光を発光する公知の高分子発光材料で構成されている。また、本実施形態では、発光層２２は、正孔輸送層２１上の全面に渡って均一な膜厚である。

電子輸送層２３は、共通電極２５から発光層２２への電子注入効率を高めるとともに、正孔ブロッキング機能を有する。この電子輸送層２３は、オキサジアゾール誘導体やＡｌｑ３などの有機材料で構成されている。本実施形態では、電子輸送層２３は、発光層２２上の全面に渡って均一な膜厚である。

共通電極２５は、発光層２２から発せられた光の一部を透過して、残りの光の一部または全部を光反射層１２側に反射する半透過反射層として機能する電極である。従って、機能層２０は、共通電極２５と各青、緑及び赤用画素電極１５Ｂ，１５Ｇ，１５Ｒとの間に挟持されている。そして、発光層２２から発せられた光を各画素電極１５Ｂ，１５Ｇ，１５Ｒの直下に配置された光反射層１２と共通電極２５との間で往復するように反射させて共振させる光共振器構造が形成される。

そして、青用画素形成領域ＺＢには第１画素としての青用画素ＤＢが、緑用画素形成領域ＺＧには第２画素としての緑用画素ＤＧが、また、赤用画素形成領域ＺＲには第３画素としての赤用画素ＤＲが割り当てられている。各画素ＤＢ，ＤＧ，ＤＲのうち、同色の画素ＤＢ，ＤＧ，ＤＲが同一の光反射層１２上に整列配置されている。つまり、各画素ＤＢ，ＤＧ，ＤＲのうち、青用画素ＤＢには、各青用画素電極１５Ｂ（１８Ｂ，１９Ｂ）、共通電極２５、及び各青用画素電極１５Ｂ（１８Ｂ，１９Ｂ）と共通電極２５とに挟持された機能層２０とで構成された青用有機ＥＬ素子２８Ｂが設けられている。また、緑用画素ＤＧには、各緑用画素電極１５Ｇ、共通電極２５、及び各緑用画素電極１５Ｇと共通電極２５とに挟持された機能層２０とで構成された緑用有機ＥＬ素子２８Ｇが設けられている。同様に、赤用画素ＤＲには、各赤用画素電極１５Ｒ、共通電極２５、及び各赤用画素電極１５Ｒと共通電極２５とに挟持された機能層２０とで構成された赤用有機ＥＬ素子２８Ｒが設けられている。

尚、本実施形態における画素ＤＢ，ＤＧ，ＤＲとは、基板１１上に形成された光反射層１２、画素電極１５、機能層２０、共通電極２５から構成されたものであり、且つ、これが形成された領域を示す。また、基板１１には、図示しない複数のデータ線や複数の走査線が形成され、これら各データ線と走査線との交差に対応した位置に各画素ＤＢ，ＤＧ，ＤＲが形成される。また、各画素ＤＢ，ＤＧ，ＤＲに対応した基板１１上には各有機ＥＬ素子２８Ｂ，２８Ｇ，２８Ｒの発光を制御する図示しないスイッチングトランジスタやドライビングトランジスタ等の駆動用ＴＦＴが形成されている。

次に、前記のように構成された各青用画素ＤＢ、緑用画素ＤＧ及び赤用画素ＤＲの詳細について説明する。
以下、説明の便宜上、図２に示すように、青用画素ＤＢにおける第１青用画素電極形成領域ＳＢ１内の光反射層１２と共通電極２５との間の距離（これを「第１距離」という）をＬＢ１で示し、第２青用画素電極形成領域ＳＢ２内の光反射層１２と共通電極２５との間の距離（これを「第２距離」という）をＬＢ２で示す。同様に、図３に示すように、緑用画素ＤＧにおける緑用画素電極形成領域ＳＧ内の光反射層１２と共通電極２５との間の距離をＬＧとする。また同様に、図４に示すように、赤用画素ＤＲにおける赤用画素電極形成領域ＳＲ内の光反射層１２と共通電極２５との間の距離をＬＲとする。

まず、青用画素ＤＢについては、図２に示すように、各正孔輸送層２１、発光層２２及
び電子輸送層２３は画素電極１５Ｂに対して均一な膜厚であるので、第１距離ＬＢ１は、第２距離ＬＢ２に比べて第１青用画素電極部１８Ｂの膜厚ｄ１ａと第２青用画素電極部１９Ｂの膜厚ｄ１ｂとの差分（＝ｄ１ｂ−ｄ１ａ）だけ長くなっている。

ところで、各画素ＤＢ，ＤＧ，ＤＲから出射される光は、該画素ＤＢ，ＤＧ，ＤＲに形成された光共振器構造の共振条件に従った共振波長の光となる。この共振波長は、光反射層１２と共通電極２５との間の光学的距離、つまり、光反射層１２と共通電極２５との間に配置される各層の光学的距離の総和に対応する。各層の光学的距離は、その膜厚と屈折率との積によって求められる。本実施形態では、各有機ＥＬ素子２８Ｂ，２８Ｇ，２８Ｒは全て共通の材料で構成されているので、各層の屈折率は等しい。従って、各画素ＤＢ，ＤＧ，ＤＲの光学的距離は、各層の膜厚の総和である各距離ＬＢ１，ＬＢ２，ＬＧ，ＬＲによって決定される。尚、共振波長は、光学的距離が長くなるのに伴って（本実施形態では、各距離ＬＢ１，ＬＢ２，ＬＧ，ＬＲが長くなるのに伴って）長くなる。

従って、青用画素ＤＢは、第１距離ＬＢ１に対応した第１の光学的距離と、第２距離ＬＢ２に対応した第２の光学的距離とを備えている。換言すると、青用画素ＤＢは、異なる２つの共振条件を備えている。緑及び赤用画素ＤＧ，ＤＲは、それぞれ距離ＬＧ，ＬＲに対応した光学的距離を備えている。つまり、緑及び赤用画素ＤＧ，ＤＲについては、それぞれ、１つの共振条件を備えている。

そして、青用画素ＤＢの第１及び第２距離ＬＢ１，ＬＢ２は、ともに、青色系の光に対応した波長の光が共振して得られるように、第１及び第２青用画素電極部１８Ｂ，１９Ｂの各膜厚ｄ１ａ，ｄ２ａが設定されている。第１距離ＬＢ１は、基板１１に対して垂直方向（図２においてＹ矢印方向）に沿って出射する青色の光ＨＢ１の共振波長ＰＢ１が予め設定された所望の青色の光になるように、第１青用画素電極部１８Ｂの膜厚ｄ１ａを予め設定（本実施形態では２０ｎｍ）することで調整されている。また、第２距離ＬＢ２は、第１距離ＬＢ１に比べて長いので、それに伴って光学的距離が長くなることから、共振波長ＰＢ１に比べて長波長の青色の光ＨＢ２が出射される。本実施形態では、第２距離ＬＢ２は、その光ＨＢ２の共振波長ＰＢ２が、以下の式（１）を満足するように第２青用画素電極部１９Ｂの膜厚ｄ１ｂを予め設定（本実施形態では４５ｎｍ）することで調整されている。

（ＰＢ１＋１０ｎｍ）≦ＰＢ２≦（ＰＢ１＋５０ｎｍ） ・・・（１）
この上式（１）を満足する光ＨＢ２の共振波長ＰＢ２は、基板１１に対して出射角が６０°に斜め方向に出射された場合、基板１１に対して垂直方向に出射された光の共振波長ＰＢ１とほぼ等しい波長である。つまり、青用画素ＤＢから垂直方向に出射した青色の光の波長と斜め方向に出射した青色の光の波長はほぼ等しくなる。ここで、出射角とは、基板１１に対して垂直方向（図２において、Ｙ矢印方向）に対する平行方向（図２において、Ｘ矢印方向）のなす角をいう。例えば、基板１１に対して垂直方向は出射角が０°であり、その垂直方向から基板１１に対して平行方向は出射角が９０°である。

緑用画素ＤＧの距離ＬＢは、緑色系の光に対応した波長の光が共振して得られるように、膜厚ｄ２（６５ｎｍ）が設定されている。また、赤用画素ＤＲの距離ＬＲは、赤系の光に対応した波長の光が共振して得られるように、膜厚ｄ３（９５ｎｍ）が設定されている。

また、図１に示すように、共通電極２５上には、カラーフィルタ５１が取り付けられている。カラーフィルタ５１は、光透過性を有したカラーフィルタ基板５２を備え、そのカラーフィルタ基板５２には、各画素ＤＢ，ＤＧ，ＤＲの共振波長に対応した波長の光を透過する青色、緑色及び赤色変換層５３Ｂ，５３Ｇ，５３Ｒが設けられている。各色変換層
５３Ｂ，５３Ｇ，５３Ｒは、ブラックマトリクスＢＭによってマトリクス状に区画配置されている。

そして、カラーフィルタ５１は、青色変換層５３Ｂが青用画素ＤＢに相対向する位置に、緑色変換層５３Ｇが緑用画素ＤＧに相対向する位置に、赤色変換層５３Ｒが赤用画素ＤＲに相対向する位置に配置されるように、共通電極２５上に取り付けられている。

図５は、各青色、緑色及び赤色変換層５３Ｂ，５３Ｇ，５３Ｒの波長に対する光透過率を示すグラフである。図５中、曲線５５Ｂは青色変換層５３Ｂの光透過率を示す曲線、曲線５５Ｇは緑色変換層５３Ｇの光透過率を示す曲線、曲線５５Ｒは赤色変換層５３Ｒの光透過率を示す曲線である。また、図５中、曲線Ｌｂ１，Ｌｂ２は、それぞれ、共振波長ＰＢ１の光ＨＢ１及び共振波長ＰＢ２の光ＨＢ２の各発光スペクトルである。同様に、曲線Ｌｇは、共振波長ＰＧの光ＨＧの発光スペクトルであり、曲線Ｌｒは、共振波長ＰＲの光ＨＲの発光スペクトルである。

図５に示すように、本実施形態では、各青用画素ＤＢ、緑用画素ＤＧ及び赤用画素ＤＲから出射される光ＨＢ２，ＨＧ，ＨＲの各共振波長ＰＢ２，ＰＧ，ＰＲが、青色、緑色及び赤色変換層５３Ｂ，５３Ｇ，５３Ｒの各光透過率特性における最大透過率を示す波長と一致するように、各距離ＬＢ２，ＬＲ，ＬＢが適宜調整されている。

次に、有機ＥＬ装置１０の製造方法であって、特に各光学的距離を決定する前記画素電極１５Ｂ，１５Ｇ，１５Ｒの形成方法について、図６〜図８に従って説明する。
尚、前記したように、第１青用画素電極部１８Ｂの膜厚ｄ１ａが２０ｎｍ、第２青用画素電極部１９Ｂの膜厚ｄ１ｂが４５ｎｍ、緑用画素電極１５Ｇの膜厚ｄ２が６５ｎｍ、赤用画素電極１５Ｒの膜厚ｄ３が９５ｎｍとなるように形成する。

まず、ガラス等で構成された光透過性を有する基板（透明基板）１１を用意し、公知の方法によって、基板１１上に図示しないデータ線、走査線、スイッチングトランジスタ及びドライビングトランジスタ等の駆動用ＴＦＴを形成する。そして、図６（ａ）に示すように、列状に配置形成された青、緑及び赤用画素形成領域ＺＢ，ＺＧ，ＺＲ上にストライプ状の光反射層１２を形成する。本実施形態では、基板１１上の全面にアルミニウム（Ａｌ）をスパッタし、これをパターニングすることによって光反射層１２を形成する。

続いて、基板１１上の全面に対して光反射層１２上に渡って窒化珪素（ＳｉＮ）をスパッタし、これをパターニングすることによって光反射層１２上を被覆するように保護層１３を形成する。本実施形態では、膜厚５０ｎｍの保護層１３を形成する。

次に、赤用画素電極形成領域ＳＲ上に、赤用画素電極１５Ｒの膜厚ｄ３と緑用画素電極１５Ｇの膜厚ｄ２との差分（＝ｄ３−ｄ２＝３０ｎｍ）の膜厚を有する光透過性を有した導電性膜をフォトリソグラフィーによって形成する。具体的には、図６（ｂ）に示すように、各保護層１３上にて膜厚３０ｎｍとなるようにインジウム−錫酸化物（ＩＴＯ）からなる導電性膜６１をスパッタ法にて形成する。その後、導電性膜６１上の全面に公知のレジスト膜を塗布し、レジストプリキュア、マスク露光、レジスト現像を順次施すことで赤用画素電極形成領域ＳＲ上の導電性膜６１上にのみレジスト膜６２を形成する。

続いて、そのレジスト膜６２を介して導電性膜６１をエッチングし、さらに、レジスト膜６２を剥離除去する。この結果、図６（ｃ）に示すように、赤用画素電極形成領域ＳＲ上の保護層１３上にのみ膜厚３０ｎｍの導電性膜６１がパターニング形成される。以下、説明の便宜上、このとき、赤用画素電極形成領域ＳＲ上の保護層１３上に形成された導電性膜６１を第１電極層Ｑ１といい、その膜厚Ｔ１は３０ｎｍとなる。

次に、赤用画素電極形成領域ＳＲ上及び緑用画素電極形成領域ＳＧ上に、緑用画素電極１５Ｇの膜厚ｄ２と第２青用画素電極部１９Ｂの膜厚ｄ１ｂとの差分（＝ｄ２−ｄ１ｂ＝２０ｎｍ）の膜厚を有する光透過性を有した導電性膜をフォトリソグラフィーにて形成する。具体的には、図６（ｄ）に示すように、各保護層１３上にて膜厚２０ｎｍとなるようにインジウム−錫酸化物（ＩＴＯ）からなる導電性膜６３をスパッタ法にて形成する。その後、導電性膜６３上の全面に公知のレジスト膜を塗布し、レジストプリキュア、マスク露光、レジスト現像を順次施すことで、図７（ａ）に示すように、赤用画素電極形成領域ＳＲ及び緑用画素電極形成領域ＳＧ上の導電性膜６３上にレジスト膜６４を形成する。

続いて、そのレジスト膜６４を介して導電性膜６３をエッチングし、さらに、レジスト膜６４を剥離除去する。この結果、図７（ｂ）に示すように、赤用画素電極形成領域ＳＲ上の各保護層１３上には、先に形成された第１電極層Ｑ１上に膜厚２０ｎｍの導電性膜６３がパターニング形成される。また、緑用画素電極形成領域ＳＧ上の各保護層１３上には、膜厚２０ｎｍの導電性膜６３がパターニング形成される。以下、説明の便宜上、このとき、赤及び緑用画素電極形成領域ＳＲ，ＳＧ上の各保護層１３上に形成される導電性膜６３を第２電極層Ｑ２といい、その膜厚Ｔ２は２０ｎｍとなる。

次に、赤及び緑用画素電極形成領域ＳＲ，ＳＧ上及び第２青用画素電極形成領域ＳＢ２上に、それぞれ、第１青用画素電極部１８Ｂの膜厚ｄ１ａと第２青用画素電極部１９Ｂの膜厚ｄ１ｂとの差分（＝ｄ１ｂ−ｄ１ａ＝２５ｎｍ）の膜厚を有する光透過性を有した導電性膜をフォトリソグラフィーにて形成する。具体的には、図７（ｃ）に示すように、各保護層１３上にて膜厚２５ｎｍとなるようにインジウム−錫酸化物（ＩＴＯ）からなる導電性膜６５をスパッタ法にて形成する。その後、導電性膜６５上の全面に公知のレジスト膜を塗布し、レジストプリキュア、マスク露光、レジスト現像を順次施すことで、赤、緑用画素電極形成領域ＳＲ，ＳＧ及び第２青用画素電極形成領域ＳＢ２上の導電性膜６５上にレジスト膜６６を形成する。

続いて、そのレジスト膜６６を介して導電性膜６５をエッチングし、さらに、レジスト膜６６を剥離除去する。この結果、図７（ｄ）に示すように、赤及び緑用画素電極形成領域ＳＲ，ＳＧ上の各保護層１３上には、先に形成された第２電極層Ｑ２上に膜厚２５ｎｍの導電性膜６５がパターニング形成される。また、第２青用画素電極形成領域ＳＢ２上の各保護層１３上には、膜厚２５ｎｍの導電性膜６５がパターニング形成される。以下、説明の便宜上、このとき、赤、緑及び第２青用画素電極形成領域ＳＲ，ＳＧ，ＳＢ２上の各保護層１３上に形成される導電性膜６５を第３電極層Ｑ３といい、その膜厚Ｔ３は膜厚２５ｎｍとなる。

次に、赤及び緑用画素電極形成領域ＳＲ，ＳＧ上及び青用画素電極形成領域ＳＢ上に、それぞれ、第１青用画素電極部１８Ｂの膜厚ｄ１ａ（＝２０ｎｍ）の膜厚を有する光透過性を有した導電性膜をフォトリソグラフィーにて形成する。具体的には、図８（ａ）に示すように、各保護層１３上にて膜厚２０ｎｍとなるようにインジウム−錫酸化物（ＩＴＯ）からなる導電性膜６７をスパッタ法にて形成する。その後、導電性膜６７上の全面に公知のレジスト膜を塗布し、レジストプリキュア、マスク露光、レジスト現像を順次施すことで、図８（ｂ）に示すように、赤、緑及び青用画素電極形成領域ＳＲ，ＳＧ，ＳＢ上の各導電性膜６７上にレジスト膜６８を形成する。

続いて、その各レジスト膜６８を介して導電性膜６７をエッチングし、さらに、レジスト膜６８を剥離除去する。この結果、図８（ｃ）に示すように、赤及び緑用画素電極形成領域ＳＲ，ＳＧ及び第２青用画素電極形成領域ＳＢ２上の各保護層１３上には、先に形成された第３電極層Ｑ３上に膜厚２０ｎｍの導電性膜６７がパターニング形成されるととも
に、第１青用画素電極形成領域ＳＢ１上の各保護層１３上に膜厚２０ｎｍの導電性膜６７がパターニング形成される。以下、説明の便宜上、このとき、赤、緑及び第２青用画素電極形成領域ＳＲ，ＳＧ，ＳＢ２上の各保護層１３上に形成される導電性膜６７を第４電極層Ｑ４という。

以上により、赤用画素電極形成領域ＳＲの保護層１３上には第１〜第４電極層Ｑ１，Ｑ２，Ｑ３，Ｑ４が積層されて膜厚ｄ３（＝Ｔ１＋Ｔ２＋Ｔ３＋Ｔ４＝９５ｎｍ）の赤用画素電極１５Ｒが形成される。また、緑用画素電極形成領域ＳＧの保護層１３上には第２〜第４電極層Ｑ２，Ｑ３，Ｑ４が積層されて膜厚ｄ２（＝Ｔ２＋Ｔ３＋Ｔ４＝６５ｎｍ）の緑用画素電極１５Ｇが形成される。さらに、第１青用画素電極形成領域ＳＢ１の保護層１３上には第４電極層Ｑ４が積層されて膜厚ｄ１ａ（＝Ｔ４＝２０ｎｍ）の第１青用画素電極部１８Ｂが形成されるとともに、第２青用画素電極形成領域ＳＢ２の保護層１３上には第３及び第４電極層Ｑ３，Ｑ４が積層されて膜厚ｄ１ｂ（＝Ｔ３＋Ｔ４＝４５ｎｍ）の第２青用画素電極部１９Ｂが形成される。

続いて、基板１１上の全面に、各画素電極１５Ｂ，１５Ｇ，１５Ｒ上に渡って、正孔輸送層２１、発光層２２及び電子輸送層２３を順に形成する。これらの層２１，２２，２３は、それぞれ、蒸着法によって形成する。正孔輸送層２１、発光層２２及び電子輸送層２３により機能層２０が形成される。本実施形態では、発光層２２は発光性有機材料によって形成されている。

その後、機能層２０上に共通電極２５を形成する。本実施形態では、共通電極２５は、スパッタによって形成する。共通電極２５としては、インジウムー錫酸化物（ＩＴＯ）等の光透過性を有する導電材料が用いられる。このような導電性材料は、半透過反射膜として機能し、画素電極１５Ｂ，１５Ｇ，１５Ｒとの間で発光層２２から発せられた光を共振させる光共振器構造が形成される。その後、基板１１に駆動用ドライバ等（図示略）を実装するとともに、別途公知の方法で作製されたカラーフィルタ５０を共通電極２５上に接着することにより、有機ＥＬ装置１０が完成する。

上記したように、本実施形態によれば、以下の効果を有する。
（１）本実施形態によれば、青用画素ＤＢに２つの共振条件を備えた。従って、各青用画素ＤＢからは共振波長ＰＢ１を有した青色の光ＨＢ１と、該共振波長ＰＢ１に比べて長波長の共振波長ＰＢ２を有した青色の光ＨＢ２とが出射される。この結果、基板１１に対して斜め方向に出射される光は、基板１１に対して垂直方向に出射された光に比べて波長が短くなるが、各共振波長ＰＢ２は、予め長波長であるので、基板１１に対して斜め方向に出射されることによって基板１１に対して垂直方向に出射された光に比べて波長とほぼ等しくなる。従って、基板１１に対して見る角度（視角）によって異なった色に見える、所謂色度ずれは起こらない画像を表示することができる。

（２）本実施形態によれば、４回のフォトリソグラフィー工程で、青、緑及び赤用画素電極形成領域ＳＢ，ＳＧ，ＳＲ毎に膜厚が異なる画素電極１５Ｂ，１５Ｒ，１５Ｒを形成することができる。従って、各第１、第２及び第３画素で光共振に最適な光学距離を形成することができる。

（３）本実施形態によれば、また、赤用画素電極１５Ｒは、他の緑用画素電極１５Ｇ及び青用画素電極１５Ｂに比べて膜厚が厚いが、この赤用画素電極１５Ｒは４つのフォトリソグラフィー工程で形成されるように分割しているので、画素電極１５Ｂ，１５Ｇ，１５Ｒを形成する際のエッチング時間をそれぞれ概ね同じ時間にすることができる。この結果、膜厚が厚くなるとエッチング時間が長くなるためサイドエッチが生じやすいが、これを抑制することができる。

（４）本実施形態によれば、光共振構造を有した各画素ＤＢ，ＤＧ，ＤＲから出射された光のうち、カラーフィルタ５１を透過した光のみ外部に取り出されるので、より色再現性の良好な有機ＥＬ装置を実現することができる。

（５）本実施形態によれば、カラーフィルタ５１の青色、緑色及び赤色変換層５３Ｂ，５３Ｇ，５３Ｒは、光ＨＢ１，ＨＧ，ＨＲの各共振波長ＰＢ１，ＰＧ，ＰＲが、それぞれ青色、緑色及び赤色変換層５３Ｂ，５３Ｇ，５３Ｒの各光透過率特性における最大透過率を示す波長と一致している。従って、輝度を低下させることなく、赤、緑及び青色の光の色ずれが抑制された有機ＥＬ装置を実現することができる。

（６）本実施形態によれば、光反射層１２と各画素電極１５Ｂ，１５Ｇ，１５Ｒとの間に、光反射層１２全体を覆うように保護層１３を形成した。従って、画素電極１５Ｂ，１５Ｇ，１５Ｒを形成する際に使用される公知の現像液や剥離液の溶剤が光反射層１２に直接接触することはないので、光反射層１２が現像液や剥離液の溶剤によって劣化することはない。この結果、各画素電極１５Ｂ，１５Ｇ，１５Ｒは、その光反射率が高い状態となるので、光取り出し効率の高い、即ち、高輝度の有機ＥＬ装置を実現することができる。

（７）本実施形態によれば、保護層１３は、各画素電極１５Ｂ，１５Ｇ，１５Ｒより屈折率が低い材料で構成した。従って、光ＨＢ１，ＨＧ，ＨＲの各共振波長ＰＢ１，ＰＧ，ＰＲは保護層１３の影響を受けない。従って、保護層１３の屈折率が大きい場合、光共振器の観点から画素電極１５Ｂ，１５Ｇ，１５Ｒの膜厚を非常に薄く形成する必要が生じるが、これを抑制することができる。この結果、画素電極１５Ｂ，１５Ｇ，１５Ｒの各膜厚を製造しやすい厚みで形成することができる。

（８）本実施形態によれば、保護層１３及び機能層２０の各層を、各画素ＤＢ，ＤＧ，ＤＲに対して均一な膜厚とした。従って、発光層２２の膜厚を変化させることはないので、各画素ＤＢ，ＤＧ，ＤＲの発光特性を変化させることなく、各青用画素ＤＢに２以上の異なる共振条件を設けることができる。

（９）本実施形態によれば、各青用画素ＤＢから出射される光ＨＢ２の共振波長ＰＢ２を、上式（１）を満足するように決定した。従って、各青用画素ＤＢから基板１１に対して出射角が６０°に出射された光の波長を、基板１１に対して垂直方向に出射された光の共振波長ＰＢ１とほぼ等しくすることができる。この結果、視角が６０°程度であっても青色の光の色ずれが抑制される。従って、広視野角であっても、色度ずれの起きない青色の光を出射することのできる有機ＥＬ装置１０を実現することができる。
（第２実施形態）
次に、上記第１実施形態に係る有機ＥＬ装置１０を備えた電子機器を一例について説明する。

図９は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図９に示す携帯電話８０は、複数の操作ボタン８１、受話口８２、送話口８３及び表示部８４を備えている。このような構成をした携帯電話８０は、その表示部８４が上記第１〜第４実施形態に係る有機ＥＬ装置１０，５０，６０，７０の何れかを備えている。従って、携帯電話８０の表示部８４には、広視野角であっても、色度ずれが抑制された画像が表示される。

尚、この発明は、以下のように変更して具体化することもできる。
・上記各実施形態では、青用画素ＤＢに２つの共振条件を備え、その共振条件に応じた２種類の共振波長の光が出射されるようにしたが、本発明はこれに限定されない。要は、各青用画素ＤＢ、緑用画素ＤＧ及び赤用画素ＤＲの何れか一つの画素からは、２種類の共
振波長の光が出射されればよい。

・上記第１実施形態では、発光層２２に発光性有機材料を用いた有機ＥＬ装置１０に適用したが、これを発光性有機材料以外の材料を備えた発光素子（例えば、発光ダイオード（ＬＥＤ）素子）を用いた発光装置であっても本発明は適用可能である。

・上記第２実施形態では、電子機器として携帯電話８０について説明したが、これに限定されるものではなく、モバイル型のパーソナルコンピュータ、デジタルカメラ等のディスプレイを備えた電子機器に広く適用可能である。

・上記各実施形態では、正孔輸送層２１、発光層２２及び電子輸送層２３で機能層２０を構成したが、本発明はこれに限定されない。上記各層２１〜２３のうち、発光層２２以外の他の層（正孔注入層や電子注入層）のいずれかまたは全てが含まれていてもよい。要は、機能層２０は、発光層２２を含んでいればよい。このようにすることで、上記各実施形態と同様の効果を得ることができる。

・上記第１実施形態では、基板１１を、ガラス等の光透過性を有した基板（透明基板）としたが、本発明はこれに限定されない。たとえば、光透過性を有しない基板（不透明基板）も用いることもできる。基板１１を、光透過性を有しない基板（不透明基板）とした場合では、例えば、アルミナ等のセラミックス、ステンレススチール等の金属シートに表面酸化などの絶縁処理を施したもの、また、熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂、さらには、そのフィルム（プラスチックフィルム）などが挙げられる。要は、画素が形成可能であるものであれば、どんなものであってもよい。

・上記第１実施形態では、光反射層１２をアルミニウム（Ａｌ）で構成したが、これに限定されるものではなく、光反射性に優れたものであればどんな材料で構成されていてもよい。例えば、銀（Ａｇ）で構成されていてもよい。

・上記第１実施形態では、単位画素として青、緑及び赤用画素ＤＢ，ＤＧ，ＤＲに具体化したが、これを、青、緑及び赤用画素ＤＢ，ＤＧ，ＤＲ以外の画素に具体化してもよい。たとえば、青、緑及び赤系以外の色の光を出射する色の画素に具体化してもよい。

・上記第１実施形態では、発光層２２から発光した光を基板１１とは反対側から取り出す、所謂トップエミッション型の有機ＥＬ装置１０に具体化したが、本発明はこれに限定されない。発光層２２から発光した光を基板１１側から取り出す、所謂ボトムエミッション型の有機ＥＬ装置１０においても、その画素電極１５Ｂ，１５Ｇ，１５Ｒの製造方法に適用可能である。

・上記第１実施形態では、保護層１３は窒化珪素（ＳｉＮ）で構成したが、本発明はこれに限定されない。酸窒化珪素（ＳｉＯＮ）、酸化珪素（ＳｉＯｎ）またはアクリル系樹脂で構成されていてもよい。要は、光透過性を有し、且つ、屈折率が画素電極１５Ｂ，１５Ｇ，１５Ｂに比べて高い材料であればよい。

第１実施形態に係る有機ＥＬ装置の断視図。 青用画素の拡大断面図。 緑用画素の拡大断面図。 赤用画素の拡大断面図。 カラーフィルタの光透過率を示すグラフ。 （ａ），（ｂ），（ｃ），（ｄ）は、それぞれ、有機ＥＬ装置の製造方法を説明するための図。 同じく、（ａ），（ｂ），（ｃ），（ｄ）は、それぞれ、有機ＥＬ装置の製造方法を説明するための図。 同じく、（ａ），（ｂ），（ｃ）は、それぞれ、有機ＥＬ装置の製造方法を説明するための図。 電子機器としての携帯電話の斜視図。 （ａ）は、様々な出射角度で出射された青色の光の発光強度であり、（ｂ）は、様々な出射角度で出射された赤色の光の発光強度である。

符号の説明

ＤＢ…第１画素としての青用画素、ＤＧ…第２画素としての緑用画素、ＤＲ…第３画素としての赤用画素、Ｑ１…第１電極層、Ｑ２…第２電極層、Ｑ３…第３電極層、Ｑ４…第４電極層、ＳＧ…第２画素電極形成領域としての緑用画素電極形成領域、ＳＲ…第３画素電極形成領域としての赤用画素電極形成領域、１０…発光装置としての有機ＥＬ装置、１１…基板、１２…光反射層、１５Ｂ…画素電極としての青用画素電極、１５Ｇ…画素電極としての緑用画素電極、１５Ｒ…画素電極としての赤用画素電極、２０…機能層、２１…正孔輸送層、２２…発光層、２３…電子輸送層、２５…第２の電極としての共通電極、５１…カラーフィルタ、５３Ｂ…青色変換層、５３Ｇ…緑色変換層、５３Ｒ…赤色変換層、８０…電子機器としての携帯電話。

Claims (7)

1. 基板上に、光反射層、画素電極、少なくとも発光層を含む機能層、半透過反射層が積層されるとともに、前記光反射層と前記半透過反射層との間に前記機能層が挟持され、前記光反射層と前記半透過反射層との間で前記発光層から発光された光を共振させる光共振器構造を具備する画素を備え、
   前記画素は、前記光反射層と前記半透過反射層との間の光学的距離が互いに異なる３種類の第１画素、第２画素、第３画素から構成されてなり、
   前記第１画素の前記画素電極は、膜厚が異なる第１領域及び第２領域を備え、当該各領域から異なった共振波長の光を出射する発光装置の製造方法であって、
   前記第２画素及び前記第３画素のうち少なくとも一方の画素の前記画素電極を形成する際に、前記第１画素の第１領域及び第２領域のうち少なくとも一方の領域の前記画素電極を同時に形成することを特徴とする発光装置の製造方法。
2. 請求項１に記載の発光装置の製造方法において、
   前記第１画素の前記画素電極のうち、第１領域にある画素電極の膜厚をｄ１ａ、第２領域にある画素電極の膜厚をｄ１ｂ（ｄ１ａ＜ｄ１ｂ）とし、さらに、前記第２画素の前記画素電極の膜厚をｄ２、前記第３画素の前記画素電極の膜厚をｄ３で表わした場合、
   前記第３画素の画素電極が形成される第３画素電極形成領域に、ｄ３−ｄ２の膜厚を有する第１電極層を形成する第１工程と、
   前記第３画素電極形成領域に形成された前記第１電極層上にｄ２−ｄ１ｂの膜厚を有する第２電極層を形成するとともに、前記第２画素の画素電極が形成される第２画素電極形成領域に、前記第２電極層を形成する第２工程と、
   前記第３画素電極形成領域及び前記第２画素電極形成領域にそれぞれ形成された前記第２電極層上に、それぞれ、ｄ１ｂ−ｄ１ａの膜厚を有する第３電極層を形成するとともに、前記第１画素の前記第１領域に、前記第３電極層を形成する第３工程と、
   前記第３画素電極形成領域及び前記第２画素電極形成領域にそれぞれ形成された前記第３電極層上に、それぞれ、ｄ１ａの膜厚を有する第４電極層を形成するとともに、前記第１画素電極形成領域であって前記第１領域及び前記第２領域に、前記第４電極層を形成する第４工程と
   を備えていることを特徴とする発光装置の製造方法。
3. 請求項１又は２に記載の発光装置の製造方法において、
   前記第１画素は、青色の光を出射する青用画素であり、
   前記第２画素は、緑色の光を出射する緑用画素であり、
   前記第３画素は、赤色の光を出射する赤用画素であることを特徴とする発光装置の製造方法。
4. 請求項３に記載の発光装置の製造方法において、
   前記赤用画素に相対向する位置に赤色変換層、前記緑用画素に相対向する位置に緑色変換層及び前記青用画素に相対向する位置に青色変換層を備えたカラーフィルタをさらに有することを特徴とする発光装置の製造方法。
5. 請求項１〜４のいずれか一つに記載の発光装置の製造方法において、
   前記光反射層と前記画素電極との間には、前記反射層全体を覆う保護層が形成されていることを特徴とする発光装置の製造方法。
6. 請求項５に記載の発光装置の製造方法において、
   前記保護層は、前記画素電極より屈折率が低いことを特徴とする発光装置の製造方法。
7. 請求項１〜６のうちのいずれか一つに記載の発光装置の製造方法によって製造された発光装置を備えたことを特徴とする電子機器。

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