TWI510825B - 偏光板之製造方法 - Google Patents
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Description
本發明關於一種偏光板之製造方法。
具代表性之影像顯示裝置,即液晶顯示裝置之中,因其影像形成方式,而在液晶晶胞兩側配置有偏光膜。就偏光膜之製造方法而言,舉例來說,已提出了一種使具有樹脂基材與聚乙烯醇(PVA)系樹脂層之積層體延伸接著施加染色處理而在樹脂基材上製得偏光膜的(例如日本特開2001-343521號公報)。若依照此種方法,可獲得厚度較薄之偏光膜,因此,近年來被視為可能有助於影像顯示裝置之薄型化而受到矚目。
爰此,上述偏光膜通常與保護薄膜一起積層而用作偏光板。然而,使用了利用樹脂基材製出之偏光膜的偏光板有時會有光學特性不足的情況。
若依照本發明之實施形態,可提供一種製造具優
異光學特性之偏光板的方法。
依照本發明之一實施形態的偏光板製造方法包含下述步驟:使具有樹脂基材與形成於該樹脂基材單側上之聚乙烯醇系樹脂層的積層體延伸並予以染色,而在該樹脂基材上製作偏光膜;於該偏光膜之與該樹脂基材相反之側上積層第1保護薄膜;及,將樹脂基材剝離,並在偏光膜之已剝離該樹脂基材之側上積層第2保護薄膜;並且,透過含水率在10%以下之接著劑,積層該第1保護薄膜及該第2保護薄膜中之至少一者。
於一實施形態中,上述製造方法係透過水系接著劑來積層上述第1保護薄膜。
依照本發明之另一實施形態的偏光板製造方法包含下述步驟:使具有樹脂基材與形成在該樹脂基材單側上之聚乙烯醇系樹脂層的積層體延伸並予以染色,而在該樹脂基材上製作偏光膜;及,將樹脂基材剝離,並在偏光膜之已剝離該樹脂基材之側上積層保護薄膜;並且,透過含水率在10%以下之接著劑積層該保護薄膜。
在一實施形態中,上述接著劑為活性能量線硬化型接著劑。
若依照本發明之另一層面,則可提供偏光板。該偏光板係藉由上述製造方法而製得者。
若依照本發明,在偏光板之製造方法中,藉由使
積層在偏光膜單側或兩側之保護薄膜中的至少一者透過含水率在10%以下接著劑來進行積層,可製作出具優異光學特性之偏光板,該製造方法包含下述步驟:使具有樹脂基材與形成在該樹脂基材單側之聚乙烯醇系樹脂層的積層體延伸並予以染色,而在該樹脂基材上製作偏光膜。
10‧‧‧積層體
11‧‧‧樹脂基材
12‧‧‧聚乙烯醇系樹脂層(偏光膜)
21‧‧‧第1保護薄膜
22‧‧‧第2保護薄膜
100‧‧‧偏光板
圖1(a)~(c)為概略圖,顯示本發明之偏光板製造方法之一例。
以下就本發明之較佳實施形態予以說明,但本發明不受此等實施形態所侷限。
本發明有關於偏光板之製造方法,包含:使具有樹脂基材與形成在該樹脂基材單側之聚乙烯醇系樹脂層的積層體延伸並予以染色,而在該樹脂基材上製作偏光膜。於本發明中,使積層在偏光膜單側或兩側之保護薄膜中之至少一者透過含水率在10%以下之接著劑來積層。於一實施形態中,本發明之偏光板製造方法包含以下步驟:使具有樹脂基材與形成在該樹脂基材單側之聚乙烯醇系樹脂層的積層體延伸並染色,而在該樹脂基材上製作偏光膜;在該偏光膜之與該樹脂基材相反之側上積層第1保護薄膜;及,剝離樹脂基材,並在偏光膜之已剝離該樹脂基材之側上積層第2保護薄膜(以下,為了方便起見而將其稱為第1實施形態)。於另一實施形態中,本發明之偏光板製造方法
包含下述步驟:使具有樹脂基材與形成在該樹脂基材單側之聚乙烯醇系樹脂層的積層體延伸並染色,而在該樹脂基材上製作偏光膜;及,剝離樹脂基材,並在偏光膜之已剝離該樹脂基材之側上積層保護薄膜(以下,為了方便起見,將其稱為第2實施形態)。此外,第2實施形態中之保護薄膜從積層位置等之觀點來看係對應於第1實施形態中之第2保護薄膜,為了方便起見,有時稱其為第2保護薄膜。如上所述,於本發明中,上述第1保護薄膜及第2保護薄膜中之至少一者可透過含水率在10%以下之接著劑來積層。以下,就各步驟予以具體說明。為求簡略,在第1實施形態中依序說明各步驟,但就第2實施形態則僅說明與第1實施形態相異之部分。
圖1為概略圖,顯示本發明之偏光板製造方法之一例。如圖1(a)所示,積層體10具有樹脂基材11與聚乙烯醇系樹脂層12。就具代表性而言,積層體10係藉由將聚乙烯醇系樹脂層12形成在長條狀之樹脂基材11上來製作。聚乙烯醇系樹脂層12之形成方法可採用任意之適當方法。宜在樹脂基材11上塗佈含有聚乙烯醇系樹脂(以下稱為「PVA系樹脂」)之塗佈液並予以乾燥,藉此形成PVA系樹脂層12。
上述樹脂基材之形成材料可採用任意之適當熱
可塑性樹脂。熱可塑性樹脂可舉例如聚對酞酸乙二酯系樹脂等之酯系樹脂、降烯系樹脂等之環烯烴系樹脂、聚丙烯等之烯烴系樹脂、聚醯胺系樹脂、聚碳酸酯系樹脂及其等之共聚物樹脂等。於其等之中,尤以降烯系樹脂、非晶質之聚對酞酸乙二酯系樹脂為宜。
於一實施形態中,以非晶質(未結晶化)之聚對酞酸乙二酯系樹脂可適於使用。其中,以非晶性(不易結晶化)之聚對酞酸乙二酯系樹脂尤適於使用。非晶性之聚對酞酸乙二酯系樹脂之具體例可列舉如:更含有異酞酸作為二羧酸之共聚物或更含有環己烷二甲醇作為二醇類之共聚物。
於後述之延伸中採用水中延伸方式時,上述樹脂基材會吸收水,水會發揮如同可塑劑之作用,進而可進行可塑化。結果,可使延伸應力大幅降低,而可高倍率地進行延伸,延伸性可較空中延伸時更優異。結果則是可製作具優異光學特性之偏光膜。於一實施形態中,樹脂基材宜吸水率在0.2%以上,更宜為0.3%以上。另一方面,樹脂基材之吸水率宜在3.0%以下,更宜在1.0%以下。藉由使用此種樹脂基材,可防止製造時尺寸安定性明顯降低而使所得偏光膜之外觀惡化等的不良狀況。此外,可防止水中延伸時基材破裂或PVA系樹脂層從樹脂基材剝離。另,舉例來說,樹脂基材之吸水率可藉由將改質基導入形成材料來調整。吸水率係按JIS K 7209求出之值。
樹脂基材之玻璃轉移溫度(Tg)宜在170℃以下。藉由使用此種樹脂基材,可在抑制PVA系樹脂層結晶化之
同時,充分確保積層體之延伸性。若進一步慮及水所造成之樹脂基材可塑化、以及使水中延伸良好地進行,則更宜在120℃以下。於一實施形態中,樹脂基材之玻璃轉移溫度宜在60℃以上。藉由使用此種樹脂基材,塗佈含上述PVA系樹脂之塗佈液並使其乾燥時,可防止樹脂基材變形(例如發生凹凸、弛垂、皺痕等)等之不良情況,而可良好地製作積層體。此外,可在適合之溫度(例如60℃程度)下良好地進行PVA系樹脂層之延伸。在其他實施形態中,塗佈含PVA系樹脂之塗佈液並乾燥時,只要樹脂基材不發生變形,亦可為低於60℃之玻璃轉移溫度。另外,舉例來說,可將改質基導入形成材料、或使用結晶化材料來加熱,藉此調整樹脂基材之玻璃轉移溫度。玻璃轉移溫度(Tg)係按JIS K 7121求出之值。
樹脂基材延伸前之厚度宜為20μm~300μm,更宜為50μm~200μm。若小於20μm,則PVA系樹脂層有難以形成之虞。若超過300μm,舉例來說,在水中延伸過程中,會有樹脂基材需要長時間吸水且對延伸造成過大負擔之虞。
形成上述PVA系樹脂層之PVA系樹脂可採用任意之適當樹脂。可舉例如聚乙烯醇及乙烯-乙烯醇共聚物。聚乙烯醇可藉由使聚乙酸乙烯酯皂化來獲得。乙烯-乙烯醇共聚物可藉由使乙烯-乙酸乙烯酯共聚物皂化來獲得。PVA系樹脂之皂化度通常為85莫耳%~100莫耳%,且宜為95.0莫耳%~99.95莫耳%,更宜為99.0莫耳%~99.93莫耳%。皂
化度可按JIS K 6726-1994來求得。藉由使用此種皂化度之PVA系樹脂,可製得耐久性優異之偏光膜。皂化度過高時,會有凝膠化之虞。
PVA系樹脂之平均聚合度可依目的而適當選擇。平均聚合度通常為1000~10000,且宜為1200~5000,更宜為1500~4500。此外,平均聚合度可按JIS K 6726-1994求得。
就代表性而言,上述塗佈液係使上述PVA系樹脂溶解於溶劑而成之溶液。溶劑可舉例如水、二甲亞碸、二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺、N-甲基吡咯啶酮、各種二醇類、三羥甲丙烷等之多元醇類、伸乙二胺及二伸乙三胺等之胺類。該等可單獨使用或組合二種以上使用。其等之中以水為宜。溶液之PVA系樹脂濃度相對於溶劑100重量份宜為3重量份~20重量份。若為此種樹脂濃度,可形成密著於樹脂基材之均勻塗膜。
亦可於塗佈液中摻合添加劑。添加劑可列舉如可塑劑及界面活性劑等。可塑劑可舉例如乙二醇或甘油等之多元醇。界面活性劑可舉例如非離子界面活性劑。該等可在欲使所得PVA系樹脂層之均勻性及染色性、延伸性更為提升之目的下使用。
塗佈液之塗佈方法可採用任意之適當方法。可舉例如輥塗法、旋塗法、線棒塗佈法、浸漬塗佈法、模塗法、淋幕塗佈法、噴霧塗佈法及刀塗法(刮刀塗佈法等)等。
21]上述塗佈液之塗佈與乾燥溫度宜在50℃以上。
PVA系樹脂層延伸前之厚度宜為3μm~40μm,更宜為3μm~20μm。
形成PVA系樹脂層前,可在樹脂基材施加表面處理(例如電暈處理等),亦可在樹脂基材上形成易接著層。藉由進行此種處理,可使樹脂基材與PVA系樹脂層之密著性提高。
積層體之延伸方法可採用任意之適當方法。具體來說,可採固定端延伸,亦可採自由端延伸(例如使積層體通過週邊速度相異之輥子間進行單軸延伸之方法)。以自由端延伸為宜。
可適當設定積層體之延伸方向。在一實施形態中,朝向長條狀積層體之長向作延伸。此時,就代表性而言,採用使積層體通過週邊速度相異之輥子間來進行延伸之方法。於其他實施形態中,則是朝向長條狀積層體之幅寬方向延伸。此時,就代表性而言,採用使用拉幅延伸機進行延伸之方法。
延伸方式並未特別受限,可採空中延伸方式,亦可採水中延伸方式。以水中延伸方式為宜。若以水中延伸方式,則可在較上述樹脂基材及PVA系樹脂層之玻璃轉移溫度(代表性為80℃程度)更低之溫度下進行延伸,而可在抑制PVA系樹脂層結晶化之同時,高倍率地進行延伸。結果,可製作具有優異光學特性之偏光膜。
積層體之延伸可以單一階段進行,亦可多階段進
行。以多段階進行時,舉例來說,可將上述自由端延伸與固定端延伸予以組合,亦可將上述水中延伸方式與空中延伸方式予以組合。此外,以多段階進行時,後述積層體之延伸倍率(最大延伸倍率)為各階段延伸倍率之乘積。
積層體之延伸溫度可因應樹脂基材之形成材料、延伸方式等而設定為任意之適當值。採用空中延伸方式時,延伸溫度宜在樹脂基材之玻璃轉移溫度(Tg)以上,更宜為樹脂基材之玻璃轉移溫度(Tg)+10℃以上,以Tg+15℃以上尤佳。另一方面,積層體之延伸溫度以170℃以下為宜。藉由在此種溫度下進行延伸,可抑制PVA系樹脂結晶化急速進行,進而抑制該結晶化所引起之不良狀況(例如,妨礙延伸所致之PVA系樹脂層定向)。
採用水中延伸方式時,延伸浴之液溫宜為40℃~85℃,更宜為50℃~85℃。若是此種溫度,則可在抑制PVA系樹脂層溶解之同時,進行高倍率延伸。具體來說,如上述所述,樹脂基材之玻璃轉移溫度(Tg)因其與形成PVA系樹脂層之關係,宜在60℃以上。此時,若延伸溫度低於40。C,即便考量水所導致之樹脂基材可塑化,仍有無法良好延伸之虞。另一方面,延伸浴之溫度越是高溫,PVA系樹脂層之溶解性越高,有無法獲得優異光學特性之虞。積層體對延伸浴之浸漬時間宜為15秒~5分鐘。
採用水中延伸方式時,宜使積層體浸漬於硼酸水溶液中進行延伸(硼酸水中延伸)。藉由使用硼酸水溶液作為延伸浴,可賦予PVA系樹脂層足以耐受延伸時施加之張
力的剛性與不溶於水之耐水性。具體來說,硼酸會在水溶液中生成四羥基硼酸陰離子,而可藉由PVA系樹脂與氫鍵進行交聯。結果,可賦予PVA系樹脂層剛性與耐水性,而可良好地進行延伸,進而製作具有優異光學特性之偏光膜。
上述硼酸水溶液宜藉由硼酸及/或硼酸鹽溶解於溶劑之水中來獲得。硼酸濃度相對於水100重量份宜為1重量份~10重量份。可藉由使硼酸濃度達1重量份以上而有效抑制PVA系樹脂層之溶解,進而可製作出更高特性之偏光膜。此外,除了硼酸或硼酸鹽以外,亦可使用將硼砂等之硼化合物、乙二醛、戊二醛等溶解於溶劑而獲得之水溶液。
藉由後述之染色而預先使二色性物質(具代表性者為碘)吸附在PVA系樹脂層時,宜將碘化物摻合到上述延伸浴(硼酸水溶液)。藉由摻合碘化物,可抑制已吸附到PVA系樹脂層之碘溶出。碘化物可舉例如碘化鉀、碘化鋰、碘化鈉、碘化辛、碘化鋁、碘化鉛、碘化銅、碘化鋇、碘化鈣、碘化錫、碘化鈦等。於該等之中,以碘化鉀為佳。碘化物之濃度相對於水100重量份宜為0.05重量份~15重量份,更宜為0.5重量份~8重量份。
積層體之延伸倍率(最大延伸倍率)相對於積層體之原長度宜為5.0倍以上。此種高延伸倍率可藉由採用例如水中延伸方式(硼酸水中延伸)來達成。此外,本說明書中,「最大延伸倍率」係指積層體破裂瞬前之延伸倍率,且是指另行確認積層體破裂之延伸倍率後較該值低0.2之
值。
於較佳實施形態中,可使上述積層體在高溫(例如95℃以上)下進行空中延伸後,進行上述硼酸水中延伸及後述之染色。此種空中延伸由於可定位成相對於硼酸水中延伸為預備性或輔助性之延伸,以下稱其為「空中輔助延伸」。
藉由組合空中輔助延伸,有時可使積層體更高倍率地進行延伸。結果,可製作具有更優異光學特性(例如偏光度)之偏光膜。舉例來說,上述樹脂基材使用聚對酞酸乙二酯系樹脂時,相較於僅以硼酸水中延伸進行延伸,組合空中輔助延伸與硼酸水中延伸更可在抑制樹脂基材定向之同時進行延伸。該樹脂基材隨著定向性提升,延伸張力增大,會變得難以進行安定延伸或發生破裂。因此,可藉由一邊抑制樹脂基材之定向一邊進行延伸,而使積層體更高倍率地延伸。
此外,藉由組合空中輔助延伸,可使PVA系樹脂之定向性提升,藉此,即使在硼酸水中延伸後,亦可使PVA系樹脂之定向性提升。具體來說推定如下:可預先利用空中輔助延伸使PVA系樹脂之定向性提升,藉此,於硼酸水中延伸時,PVA系樹脂容易與硼酸進行交聯,而在硼酸成為結節點之狀態下延伸,藉此,PVA系樹脂之定向性連在硼酸水中延伸後亦會提高。結果,可製作具有優異光學特性(例如偏光度)之偏光膜。
空中輔助延伸之延伸倍率宜在3.5倍以下。空中
輔助延伸之延伸溫度宜在PVA系樹脂之玻璃轉移溫度以上。延伸溫度宜為95℃~150℃。此外,組合空中輔助延伸與上述硼酸水中延伸時之最大延伸倍率相對於積層體之原長度宜為5.0倍以上,較宜為5.5倍以上,更宜為6.0倍以上。
就代表性而言,上述染色係使二色性物質(宜為碘)吸附到PVA系樹脂層來進行。該吸附方法可舉例如:使PVA系樹脂層(積層體)浸漬於含碘之染色液的方法;於PVA系樹脂層塗佈該染色液之方法;將該染色液噴霧到PVA系樹脂層之方法等。以使積層體浸漬到染色液中之方法為佳。這是因為如此可以良好地吸附碘。
上述染色液宜為碘之水溶液。碘之摻合量相對於水100重量份宜為0.1重量份~0.5重量份。為了提高碘對水之溶解度,宜於碘之水溶液中摻合碘化物。碘化物之具體例係如上述。碘化物之摻合量相對於水100重量份宜為0.02重量份~20重量份,更宜為0.1重量份~10重量份。為了抑制PVA系樹脂溶解,染色液在染色時之液溫宜為20℃~50℃。使PVA系樹脂層浸漬於染色液時,為了確保PVA系樹脂層之透射率,浸漬時間宜為5秒~5分鐘。此外,染色條件(濃度、液溫、浸漬時間)可以最終所得偏光膜之偏光度或單體透射率會成為預定範圍之方式予以設定。於一實施形態中,以所得偏光膜之偏光度會成為99.98%以上之方式設定浸漬時間。於其他實施形態中,則是以所得偏光
膜之單體透射率會成為40%~44%之方式來設定浸漬時間。
染色處理可在任意之適當時間點進行。進行上述水中延伸時,宜在水中延伸之前進行。
上述積層體除了延伸、染色以外,還可適當地施行用以將PVA系樹脂層製成偏光膜之處理。用以製成偏光膜之處理可舉例如不溶化處理、交聯處理、洗淨處理、乾燥處理等。此外,該等處理之次數及順序等均未特別受限。
就代表性而言,上述不溶化處理係藉由使PVA系樹脂層浸漬於硼酸水溶液來進行。藉由施行不溶化處理,可賦予PVA系樹脂層耐水性。該硼酸水溶液之濃度相對於水100重量份宜為1重量份~4重量份。不溶化浴(硼酸水溶液)之液溫宜為20℃~50℃。不溶化處理宜在上述水中延伸及上述染色處理前進行。
就代表性而言,上述交聯處理係使PVA系樹脂層浸漬於硼酸水溶液來進行。藉由施行交聯處理,可賦予PVA系樹脂層耐水性。該硼酸水溶液之濃度相對於水100重量份宜為1重量份~5重量份。此外,於上述染色處理後劑進行交聯處理時,更宜摻合碘化物。藉由摻合碘化物,可抑制吸附於PVA系樹脂層之碘溶出。碘化物之摻合量相對於水100重量份宜為1重量份~5重量份。碘化物之具體例係如上述。交聯浴(硼酸水溶液)之液溫宜為20℃~60℃。交聯處理宜在上述水中延伸之前進行。於較佳實施形態中,依序進行染色處理、交聯處理及水中延伸。
就代表性而言,上述洗淨處理係使PVA系樹脂層浸漬於碘化鉀水溶液來進行。上述乾燥處理之乾燥溫度宜為30℃~100℃。
上述偏光膜實質上為已吸附二色性物質並定向之PVA系樹脂膜。就代表性而言,偏光膜之厚度為25μm以下,且宜為15μm以下,較宜為10μm以下,更宜為7μm以下,尤宜為5μm以下。另一方面,偏光膜之厚度宜為0.5μm以上,更宜為1.5μm以上。偏光膜宜在波長380nm~780nm中之任一波長下顯示出吸收二色性。偏光膜之單體透射率宜為40.0%以上,較宜為41.0%以上,更宜為42.0%以上,尤宜為43.0%以上。偏光膜之偏光度宜為99.8%以上,較宜為99.9%以上,更宜為99.95%以上。
於上述積層體(PVA系樹脂層)施加上述各處理後,如圖1(b)所示,在積層體之偏光膜(PVA系樹脂層)12側積層第1保護薄膜21。就代表性而言,係於長條狀之積層體上將長條狀之第1保護薄膜以令彼此之長向齊整的方式進行積層。此外,本積層步驟亦可在已剝離樹脂基材之剝離面上積層第2保護薄膜後進行。另,亦可如後述第2實施形態般省略本積層步驟。
如同後述,在一實施形態中,可在偏光膜表面塗佈水系接著劑並進行加熱,藉此貼合第1保護薄膜。藉由以此種方式積層第1保護薄膜,可提高偏光膜之光學特
性。對光學特性助益較少之低定向性碘錯合物可藉由而加熱被選擇性分解,此事被認為是光學特性提升之要因之一。具體來說,形成在樹脂基材上之偏光膜有時會有其樹脂基材側(下側)與表面側(上側)構成相異的情況。具體來說,下側與上側會有PVA系樹脂之定向性相異的情況。存在於定向性較低部分之碘錯合物其定向性亦較低,不僅對光學特性(特別是偏光度)之助益較低,還可能成為光學特性(特別是透射率)降低之原因。另一方面,此種碘錯合物因其定向性低,鍵結強度亦較弱而容易被分解。結果則是可利用加熱來選擇性地使定向性較低之碘錯合物分解,減少可見光區域之吸收而使透射率提升。此外,定向性較低之碘錯合物原本對偏光度之助益就低,即使被分解偏光度之降低仍可抑制在最小限度。
舉例來說,第1保護薄膜可作為相位差膜等而發揮機能。
第1保護薄膜可採用任意之適當樹脂薄膜。保護薄膜之形成材料可舉例如三乙醯纖維素(TAC)等之纖維素系樹脂、降烯系樹脂等之環烯烴系樹脂、聚乙烯、聚丙烯等之烯烴系樹脂、聚酯系樹脂、(甲基)丙烯酸系樹脂等。此外,「(甲基)丙烯酸系樹脂」係指丙烯酸系樹脂及/或甲基丙烯酸系樹脂。
就代表性而言,第1保護薄膜之厚度為10μm~100μm。此外,第1保護薄膜亦可施加各種表面處理。
於一實施形態中,上述第1保護薄膜其透濕度宜
為100g/m2
‧24h以下,更宜為90g/m2
‧24h以下。藉由使第1保護薄膜滿足此種透濕度,可使存在於PVA系樹脂層之水分於停留在層中之狀態下加熱。藉由在水分存在下加熱,已水溶化(定向性較低)之碘錯合物特別容易分解而被分解為碘離子,所得偏光膜之可見光區域之吸收減少,透射率可上升。此外,「透濕度」係按JIS Z0208之透濕度試驗(cup method,圓筒平板法),於溫度40℃且濕度92%RH之氣體環境中,測定24小時內通過面積1m2
之試料的水蒸氣量(g)而求出之值。
本實施形態中,如圖1(c)所示,從上述偏光膜12剝離樹脂基材11,於該剝離面上積層第2保護薄膜22。就代表性而言,於長條狀之偏光膜上,將長條狀之第2保護薄膜以使彼此之長向齊整的方式予以積層。
第2保護薄膜之特性、構成材料及厚度等,如同就第1保護薄膜所作之說明。
於本發明中,如同上述,可使第1保護薄膜21及第2保護薄膜22中之至少一者透過含水率為10%以下之接著劑(以下,有時稱為低含水率接著劑)來積層。例如,可僅使第1保護薄膜21以低含水率接著劑積層,亦可僅使第2保護薄膜22以低含水率接著劑積層,也可使第1保護薄膜21及第2保護薄膜22二者均以低含水率接著劑積層。於
一實施形態中,第1保護薄膜21及第2保護薄膜22二者皆可以低含水率接著劑積層。於另一實施形態中,第1保護薄膜21係以低含水率接著劑積層,第2保護薄膜22則可以任意之適當接著劑或黏著劑積層。於其他實施形態中,第2保護薄膜22係以低含水率接著劑積層,第1保護薄膜21則可以任意之適當接著劑或黏著劑積層。
上述含水率為10%以下之接著劑(低含水率接著劑)其含水率宜為5%以下,更宜為3%以下。藉由使用此種接著劑來積層第1保護薄膜及/或第2保護薄膜,可製作光學特性優異之偏光板。於一實施形態中,第2保護薄膜可利用低含水率接著劑來積層。此時,藉由在偏光膜之水分量較少的狀態下積層第2保護薄膜,可維持PVA系樹脂之定向性。具體來說,如同上述,雖然樹脂基材側(下側)與表面側(上側)會有PVA系樹脂之定向性相異的情況,定向性會因水分而降低,可抑制碘錯合物之分解。在一實施形態中,第1保護薄膜可藉後述之水系接著劑來積層,第2保護薄膜可藉低含水率接著劑來積層。此時,可避免偏光膜中水分過剩存在之狀態,抑制光學特性之降低。
上述含水率為10%以下之接著劑在可滿足上述含水率之前提下,可使用任意之適當接著劑。以使用活性能量線硬化型接著劑為宜。這是因為如此可良好地達成上述含水率。活性能量線硬化型接著劑只要是可藉由活性能量線之照射而硬化之接著劑,即可使用任意之適當接著
劑。活性能量線硬化型接著劑可舉例如紫外線硬化型接著劑及電子線硬化型接著劑等。
活性能量線硬化型接著劑可依需要而選擇自由基硬化型、陽離子硬化型及陰離子硬化型,例如,可適當地組合使用諸如自由基硬化型與陽離子硬化型之混合物等。
自由基硬化型接著劑可舉例如含有下述化合物之接著劑:具有(甲基)丙烯酸酯基或(甲基)丙烯醯胺基等之自由基聚合性基作為硬化成分的化合物(例如單體及/或寡聚物)。此外,「(甲基)丙烯醯基」係指丙烯醯基及甲基丙烯醯基。
自由基硬化型接著劑之具體例可舉例如:作為硬化性成分,含有SP值為29.0(kJ/m3
)1/2
以上且32.0以下(kJ/m3
)1/2
之自由基聚合性化合物(A)、SP值為18.0(kJ/m3
)1/2
以上且小於21.0(kJ/m3
)1/2
之自由基聚合性化合物(B)及SP值為21.0(kJ/m3
)1/2
以上且23.0(kJ/m3
)1/2
以下之自由基聚合性化合物(C)、使(甲基)丙烯醯基單體聚合而成之丙烯醯基系寡聚物(D),且令組成物全量為100重量%時,含有25~80重量%之前述自由基聚合性化合物(B)。此外,於本說明書中,「組成物全量」係指除了自由基聚合性化合物之外還包含各種起始劑及添加劑之全量。
自由基聚合性化合物(A)只要是具有(甲基)丙烯酸酯基等之自由基聚合性基並且SP值為29.0(kJ/m3
)1/2
以上且32.0以下(kJ/m3
)1/2
之化合物,即可不受侷限地使用。
自由基聚合性化合物(A)之具體例可舉例如:羥乙基丙烯醯胺(SP值29.6)、N-羥甲基丙烯醯胺(SP值31.5)等。
自由基聚合性化合物(B)只要是具有(甲基)丙烯酸酯基等之自由基聚合性基並且SP值為18.0(kJ/m3
)1/2
以上且小於21.0(kJ/m3
)1/2
之化合物即可不受侷限地使用。自由基聚合性化合物(B)之具體例可舉例如三丙二醇二丙烯酸酯(SP值19.0)、1,9-壬二醇二丙烯酸酯(SP值19.2)、三環癸烷二甲醇二丙烯酸酯(SP值20.3)、環狀三羥甲丙烷縮甲醛丙烯酸酯(cyclic trimethylolpropane formal acrylate,SP值19.1)、二烷二醇二丙烯酸酯(SP值19.4)、EO改質二甘油四丙烯酸酯(SP值20.9)等。此外,自由基聚合性化合物(B)亦可適用市售品,可舉例如ARONIX M-220(東亞合成社製,SP值19.0)、LIGHT ACRYLATE 1,9ND-A(共榮社化學社製,SP值19.2)、LIGHT ACRYLATE DGE-4A(共榮社化學社製,SP值20.9)、LIGHT ACRYLATE DCP-A(共榮社化學社製,SP值20.3)、SR-531(Sartomer社製,SP值19.1)、CD-536(Sartomer社製,SP值19.4)等。
自由基聚合性化合物(C)僅須是具有(甲基)丙烯酸酯基等之自由基聚合性基並且SP值為21.0(kJ/m3
)1/2
以上且23.0(kJ/m3
)1/2
以下之化合物,則可不受侷限地使用。自由基聚合性化合物(C)之具體例可舉例如丙烯醯基單啉(SP值22.9)、N-甲氧基甲基丙烯醯胺(SP值22.9)、N-乙氧基甲基丙烯醯胺(SP值22.3)等。此外,自由基聚合性化合物(C)亦可適用市售品,例如ACMO(興人社製,SP值
22.9)、Wasmer 2MA(笠野興產社製、SP值22.9)、Wasmer EMA(笠野興產社製,SP值22.3)、Wasmer 3MA(笠野興產社製,SP值22.4)等。
若自由基聚合性化合物(A)、(B)及(C)各自之均聚物的玻璃轉移溫度(Tg)均在60℃以上,則接著劑層之Tg亦會增高,耐久性會變得特別優異。結果,例如製成偏光膜與保護薄膜之接著劑層時,可防止偏光膜發生熱衝擊龜裂。於此,自由基聚合性化合物之均聚物的Tg係指,使自由基聚合性化合物單獨硬化(聚合)時之Tg。
在考慮塗佈時之作業性與均勻性時,活性能量線硬化型接著劑組成物宜為低黏度,因此將(甲基)丙烯醯基單體聚合而成之丙烯酸系單聚物(D)亦宜為低黏度。作為低黏度且可防止接著劑層硬化收縮之丙烯酸系寡聚物以重量平均分子量(Mw)為15000以下者為宜,更宜為10000以下者,尤宜為5000以下者。另一方面,為了充分抑制硬化物層(接著劑層)之硬化收縮,丙烯酸系寡聚物(D)之重量平均分子量(Mw)宜在500以上,更宜在1000以上,尤宜在1500以上。構成丙烯酸系寡聚物(D)之(甲基)丙烯醯基單體可具體舉例如:(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸正丙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、2-甲基-2-硝基丙基(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸異丁酯、(甲基)丙烯酸第二丁酯、(甲基)丙烯酸第三丁酯、(甲基)丙烯酸正戊酯、(甲基)丙烯酸第二戊酯、3-戊基(甲基)丙烯酸酯、2,2-二甲基丁基(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸
正己酯、(甲基)丙烯酸十六烷酯、(甲基)丙烯酸正辛酯、2-乙基己基(甲基)丙烯酸酯、4-甲基-2-丙基戊基(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸正十八烷酯等之(甲基)丙烯酸(碳數1-20)烷基酯類;此外,可舉例如(甲基)丙烯酸環烷酯(例如(甲基)丙烯酸環己酯、(甲基)丙烯酸環戊酯等)、(甲基)丙烯酸芳烷酯(例如(甲基)丙烯酸苄酯等)、多環式(甲基)丙烯酸酯(例如2-異基(甲基)丙烯酸酯、2-降基甲基(甲基)丙烯酸酯、5-降烯-2-基-甲基(甲基)丙烯酸酯、3-甲基-2-降基甲基(甲基)丙烯酸酯等)、含羥基之(甲基)丙烯酸酯類(例如(甲基)丙烯酸羥乙酯、2-羥丙基(甲基)丙烯酸酯、2,3-二羥基丙基甲基-丁基(甲基)甲基丙烯酸酯等)、含烷氧基或苯氧基之(甲基)丙烯酸酯類(2-甲氧基乙基(甲基)丙烯酸酯、2-乙氧基乙基(甲基)丙烯酸酯、2-甲氧基甲氧基乙基(甲基)丙烯酸酯、3-甲氧基丁基(甲基)丙烯酸酯、乙基卡必醇(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸酯苯氧基乙酯等)、含環氧基之(甲基)丙烯酸酯類(例如環氧丙基(甲基)丙烯酸酯等)、含鹵素之(甲基)丙烯酸酯類(例如2,2,2-三氟乙基(甲基)丙烯酸酯、2,2,2-三氟乙基乙基(甲基)丙烯酸酯、四氟丙基(甲基)丙烯酸酯、六氟丙基(甲基)丙烯酸酯、八氟戊基(甲基)丙烯酸酯、十七氟癸基(甲基)丙烯酸酯等)、烷基胺基烷基(甲基)丙烯酸酯(例如二甲基胺基乙基(甲基)丙烯酸酯等)等。此等(甲基)丙烯酸酯可單獨使用或者併用2種以上。
活性能量線線硬化型接著劑組成物於令組成物全量為100重量%時,含有25~80重量%之自由基聚合性化
合物(B)。此外,活性能量線硬化型接著劑組成物於令組成物全量為100重量%時,宜含有3~40重量%之前述自由基聚合性化合物(A)、5~55重量%之前述自由基聚合性化合物(C)及3~20重量%之前述丙烯酸系寡聚物(D)。
活性能量線硬化型接著劑組成物以電子線硬化型來使用時,無特別必要使組成物中含有光聚合起始劑,但以紫外線硬化型來使用時,則宜使用光聚合起始劑,特別是以使用對380nm以上之光具高感度的光聚合起始劑為宜。茲就對380nm以上之光具高感度之光聚合起始劑敘述於後。
於活性能量線硬化型接著劑組成物中,作為光聚合起始劑,宜單獨使用下述通式(1)所示化合物或併用通式(1)所示化合物與後述之對380nm以上之光具高感度之光聚合起始劑;
(式中,R1
及R2
表示-H、-CH2
CH3
、-iPr或Cl,R1
及R2
可相同或相異)。使用通式(1)所示化合物時,與單獨使用對380nm以上之光具高感度之光聚合起始劑時相較,接著性更優異。通式(1)所示化合物之中,尤以R1
及R2
為-CH2
CH3
之二乙基噻吨酮為宜。組成物中之通式(1)所示化
合物之組成比率於令組成物全量為100重量%時,宜為0.1~5.0重量%,且較宜為0.5~4.0重量%,更宜為0.9~3.0重量%。
此外,宜依需要添加聚合起始輔劑。聚合起始輔劑可列舉如三乙胺、二乙胺、N-甲基二乙醇胺、乙醇胺、4-二甲基胺基苯甲酸、4-二甲基胺基苯甲酸甲酯、4-二甲基胺基苯甲酸乙酯、4-二甲基胺基苯甲酸異戊酯等,尤宜為4-二甲基胺基苯甲酸乙酯。使用聚合起始輔劑時,其添加量於令組成物全量為100重量%時,通常為0~5重量%,且宜為0~4重量%,尤宜為0~3重量%。
此外,亦可依需要而併用習知之光聚合起始劑。由於具有UV吸收能力之保護薄膜不會使380nm以下之光透射,光聚合起始劑宜使用對380nm以上之光具高感度的光聚合起始劑。具體來說,可舉例如2-甲基-1-(4-甲基苯硫基)-2-N-啉基丙烷-1-酮、2-苄基-2-二甲基胺基-1-(4-N-啉基苯基)-丁酮-1、2-(二甲基胺基)-2-[(4-甲基苯基)甲基]-1-[4-(4-啉基)苯基]-1-丁酮、2,4,6-三甲基苯甲醯基-二苯基-膦氧化物、雙(2,4,6-三甲基苯甲醯基)-苯基膦氧化物、雙(η5-2,4-環戊二烯-1-基)-雙(2,6-二氟-3-(1H-吡咯-1-基)-苯基)鈦等。
光聚合起始劑除了通式(1)之光聚合起始劑以外,更宜使用下述通式(2)所示之化合物:【化2】
(式中,R3
、R4
及R5
表示-H、-CH3
、-CH2
CH3
、-iPr或Cl,R3
、R4
及R5
可相同或相異)。通式(2)所示化合物亦可適用市售品之2-甲基-1-(4-甲基苯硫基)-2-N-啉基丙烷-1-酮(商品名:IRGACURE907,製造商:BASF)。除此之外,2-苄基-2-二甲基胺基-1-(4-N-啉基苯基)-丁酮-1(商品名:IRGACURE369,製造商:BASF)、2-(二甲基胺基)-2-[(4-甲基苯基)甲基]-1-[4-(4-N-啉基)苯基]-1-丁酮(商品名:IRGACURE379,製造商:BASF)因感度甚高而甚是理想。
此外,活性能量線硬化型接著劑組成物在不損及本發明之目的及效果的範圍內,可摻合各種添加劑作為其他任意成分。該添加劑可列舉如:環氧樹脂、聚醯胺、聚醯胺醯亞胺、聚胺甲酸酯、聚丁二烯、聚氯平、聚醚、聚酯、苯乙烯-丁二烯嵌段共聚物、石油樹脂、二甲苯樹脂、酮樹脂、纖維素樹脂、氟系寡聚物、聚矽氧系寡聚物、多硫化物系寡聚物等之聚合物或寡聚物;啡噻、2,6-二第三丁基-4-甲基酚等之聚合禁止劑;聚合起始輔劑;調平劑;濡濕性改良劑;界面活性劑;可塑劑;紫外線吸收劑;矽烷偶合劑;無機充填劑;顏料;染料等。
上述添加劑之中,尤以矽烷偶合劑可對偏光膜表面發揮作用而賦予進一步之耐水性。使用矽烷偶合劑時,
其添加量於令組成物全量為100重量%時,通常為0~10重量%,且宜為0~5重量%,尤宜為0~3重量%。
矽烷偶合劑宜使用活性能量線硬化性化合物,但即使非為活性能量線硬化性,仍可賦予同樣之耐水性。
矽烷偶合劑之具體例以活性能量線硬化性化合物而言可列舉如乙烯三氯矽烷、乙烯三甲氧基矽烷、乙烯三乙氧基矽烷、2-(3,4乙氧基環己基)乙基三甲氧基矽烷、3-乙二醇氧基丙基三甲氧基矽烷、3-乙二醇氧基丙基甲基二乙氧基矽烷、3-乙二醇氧基丙基三乙氧基矽烷、對苯乙烯基三甲氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基甲基二甲氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基甲基二乙氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基三乙氧基矽烷、3-丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷等。
非活性能量線硬化性之矽烷偶合劑的具體例可列如N-2(胺基乙基)3-胺基丙基甲基二甲氧基矽烷、N-2(胺基乙基)3-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-2(胺基乙基)3-胺基丙基三乙氧基矽烷、3-胺基丙基三甲氧基矽烷、3-胺基丙基三乙氧基矽烷、3-三乙氧基矽基-N-(1,3-二甲基亞丁基)丙基胺、N-苯基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-(乙烯基苄基)-2-胺基乙基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷鹽酸鹽、3-脲基丙基三乙氧基矽烷、3-氯丙基三甲氧基矽烷、3-巰基丙基甲基二甲氧基矽烷、3-巰基丙基三甲氧基矽烷、雙(三乙氧基矽基丙基)四硫化物、3-異氰酸酯基丙基三乙氧基矽烷、咪唑矽烷等。
宜為3-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷及3-丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷。
活性能量線硬化型接著劑組成物可以電子線硬化型、紫外線硬化型之態樣來使用。
就電子線硬化型而言,電子線之照射條件只要是可使上述活性能量線硬化型接著劑組成物硬化之條件,即可採用任意之適當條件。例如,電子線照射之加速電壓宜為5kV~300kV,更宜為10kV~250kV。加速電壓小於5kV時,電子線無法到達接著劑而有硬化不足之虞,而若加速電壓超過300kV,通過試料之滲透力過強,會有對保護薄膜及偏光膜造成損傷之虞。照射線量為5~100kGy,且更宜為10~75kGy。照射線量小於5kGy時,接著劑變得硬化不足,但超過100kGy則會對保護薄膜及偏光膜造成損傷,發生機械強度降低及黃變,無法獲得預定之光學特性。
電子線照射通常在惰性氣體中進行照射,但若有需要,亦可在大氣中或少量導入氧之條件下進行。雖依保護薄膜之材料而異,但藉由適當地導入氧特意使最初照射到電子線之保護薄膜面發生氧化抑制,可防止對保護薄膜造成之損傷,而可有效率地僅對接著劑照射電子線。
另一方面,就紫外線硬化型而言,在使用已賦予了紫外線吸收能力之保護薄膜的情況下,由於其會吸收大部分較380nm更短波長之光,較380nm更短波長之光不會到達活性能量線硬化型接著劑組成物,不會對其聚合反應有所助益。再者,被保護薄膜吸收之較380nm更短波長之
光會轉換為熱,保護薄膜本身會發熱而成為偏光板捲曲與皺痕等不良情況之原因。因此,採用紫外線硬化型時,紫外線發生裝置宜使用不會發出較380nm更短波長之光的裝置,更具體來說,波長範圍380~440nm之積算照度與波長範圍250~370nm之積算照度的比宜為100:0~100:50,更宜為100:0~100:40。滿足此種積算照度關係之紫外線以已封入鎵之金屬鹵素燈及發出波長範圍380~440nm之光的LED光源為佳。或者,亦可以低壓水銀燈、中壓水銀燈、高壓水銀燈、超高壓水銀燈、白熱燈炮、氙燈、鹵素燈、碳弧燈、金屬鹵化物燈、螢光燈、鎢燈、鎵燈、準分子雷射或太陽光作為光源,利用帶通濾波器將較380nm更短波長之光截斷來使用。
就紫外線硬化型而言,宜在照射紫外線前先將活性能量線硬化型接著劑組成物加溫(照射前加溫),且此時宜加溫到40℃以上,更宜加溫到50℃以上。又,亦宜在照射紫外線後將活性能量線硬化型接著劑組成物加溫(照射後加溫),且此時宜加溫到40℃以上,更宜加溫到50℃以上。
活性能量線硬化型接著劑組成物特別是可適用在形成將偏光膜與波長365nm之光線透射率小於5%之保護薄膜予以接著的接著劑層。亦即,上述第1保護薄膜及/或第2保護薄膜可為波長365nm之光線透射率小於5%者,且可具有UV吸收能。於此,活性能量線硬化型接著劑組成物藉由含有上述通式(1)之光聚合起始劑,可隔著具有
UV吸收能之保護薄膜照射紫外線而使接著劑層硬化並形成。因此,即使是在偏光膜兩面積層有具UV吸收能力之保護薄膜的偏光板中,仍可使接著劑層硬化。但理所當然的是,即使是在積層有不具UV吸收能力之保護薄膜的偏光板中,仍可使接著劑層硬化。此外,具有UV吸收能力之保護薄膜係指,對380nm之光的透射率於10%的保護薄膜。
對保護薄膜賦予UV吸收能力之方法可列舉如:使保護薄膜中含有紫外線吸收劑之方法;及,於保護薄膜表面上積層含紫外線吸收劑之表面處理層的方法。
紫外線吸收劑之具體例可舉例如習用公知之氧基二苯甲酮系化合物、苯并***系化合物、水楊酸酯系化合物、二苯甲酮系化合物、氰基丙烯酸酯系化合物、鎳錯鹽系化合物及三系化合物等。
活性能量線硬化型接著劑組成物所形成之接著劑層相較於水系接著劑層耐久性較高。於本發明中,接著劑層宜使用Tg為60℃以上者。此外,接著劑層之厚度宜控制成0.01~7μm。在使用接著劑層會成為60℃以上之高Tg之活性能量線硬化型接著劑組成物的同時,將接著劑層厚度控制在預定範圍內,藉此可使高濕下及高溫下之過酷環境下的耐久性獲得滿足。考慮偏光板之耐久性的情況下,令接著劑層之Tg(℃)為A且接著劑層之厚度(μm)為B時,宜滿足數學式(1):A-12×B>58。
如上所述,活性能量線硬化型接著劑組成物宜以
其所形成之接著劑層的Tg會在60℃以上之方式來選擇,且宜70℃以上,較宜為75℃以上,更宜為100℃以上,尤宜為120℃以上。另一方面,若接著劑層之Tg過高,偏光板之折彎性會降低,因此宜使接著劑層之Tg在300℃以下,且較宜240℃以下,更宜180℃以下。
此外,接著劑層之厚度宜為0.01~7μm,較宜為0.01~5μm,更宜為0.01~2μm,而尤宜為0.01~1μm。接著劑層之厚度較0.01μm更薄時,無法獲得接著力本身之凝集力,有無法獲得接著強度之虞。另一方面,接著劑層之厚度若超過7μm,有時會有偏光板無法滿足耐久性之情況。
舉例來說,活性能量線硬化型接著劑及其硬化方法之具體例記載於日本特開2012-144690號公報。該記載係援用於本說明書中作為參考。
於本發明中,如上所述,第1保護薄膜21及第2保護薄膜22中之至少一者可透過含水率為10%以下之接著劑(低含水率接著劑)來積層。換言之,第1保護薄膜21或第2保護薄膜22中可有任一者使用低含水率接著劑以外之接著劑(以下稱作其他接著劑)或黏著劑來積層。亦即,其他接著劑或黏著劑可用於積層第1保護薄膜21,亦可用於積層第2保護薄膜22。其他接著劑可為水系接著劑亦可為溶劑系接著劑。宜使用水系接著劑。水系接著劑所含之水分可移行至PVA系樹脂層。藉此,碘錯合物之安定性降低,特別是定向性較低碘錯合物原本之安定性即低,因此可成
為容易被分解之狀態。結果,可選擇性地促進低定向性之碘錯合物分解。
上述水系接著劑可採用任意之適當水系接著劑。宜使用含PVA系樹脂之水系接著劑。從接著性之觀點來看,水系接著劑所含PVA系樹脂之平均聚合度宜為100~5500程度,更宜為1000~4500。從接著性之觀點來看,平均皂化度宜為85莫耳%~100莫耳%程度,更宜為90莫耳%~100莫耳%。
水系接著劑所含PVA系樹脂宜含有乙醯乙醯基。這是因為如此一來可使VA系樹脂層與保護薄膜之密著性優異及耐久性優異。舉例來說,含乙醯乙醯基之PVA系樹脂可藉由使PVA系樹脂與二乙烯酮以任意方法反應而獲得。就代表性而言,含乙醯乙醯基之PVA系樹脂的乙醯乙醯基改質度為0.1莫耳%以上,且宜為0.1莫耳%~40莫耳%程度,更宜為1莫耳%~20莫耳%,尤宜為2莫耳%~7莫耳%。此外,乙醯乙醯基改質度係以NMR測得之值。
水系接著劑之樹脂濃度宜為0.1重量%~15重量%,更宜為0.5重量%~10重量%。
接著劑塗佈時之厚度可設定為任意之適當值。例如,設定成加熱(乾燥)後可獲得具有所欲厚度之接著劑層。接著劑層之厚度宜為10nm~300nm,更宜為10nm~200nm,尤宜為20nm~150nm。
使用水系接著劑積層第1保護薄膜時,水系接著劑所含之每單位面積水分量宜為0.05mg/cm2
以上。另一方
面,水分量宜為2.0mg/cm2
以下,更宜為1.0mg/cm2
以下。這是因為如此會有在接著劑之乾燥上耗費時間之虞。此外,該水分量可以接著劑所含水分量與偏光膜表面之接著劑塗佈量來求出。
上述加熱溫度宜為50℃以上,且較宜為55℃以上,更宜為60℃以上,尤宜為80℃以上。此外,積層第1保護薄膜之際所進行的加熱亦可兼上述積層體之乾燥處理。又,雖然亦可在樹脂基材剝離後進行,但以剝離前進行為宜。
如上述,本實施形態之偏光板製造方法包含下述步驟:使具有樹脂基材與形成在該樹脂基材單側之聚乙烯醇系樹脂層的積層體延伸並染色,以在該樹脂基材上製作偏光膜;及,將樹脂基材剝離,在偏光膜之已剝離該樹脂基材之側上積層保護薄膜。亦即,於該實施形態中,亦可不積層第1保護薄膜,而將樹脂基材剝離並在偏光膜之已剝離該樹脂基材之側上積層保護薄膜(如上述,該保護薄膜對應於第1實施形態中之第2保護薄膜)。於該實施形態中,該保護薄膜可透過含水率為10%以下之接著劑來積層。此外,該實施形態中,在剝離樹脂基材之際,任意之適當支持構件(例如支持膜)可被配置在偏光膜之與樹脂基材相反之側。
雖已將本發明之具體實施形態以第1實施形態及第2
實施形態之形式予以說明,但本發明並不侷限於此等實施形態一事乃無庸贅言。例如,可適當組合第1實施形態及第2實施形態,也可將第1實施形態及/或第2實施形態與該業界中已周知之材料及操作等予以組合。
以下藉由實施例來具體說明本發明,但本發明並不受此等實施例所侷限。另,各特性之測定方法係如下所述。
使用數位測微計(ANRITSU公司製,製品名「KC-351C」)進行測定。
按照JIS K 7121進行測定。
按照JIS Z0208之透濕度試驗(圓筒平板法),在溫度40℃且濕度92%RH之氣體環境中,測定24小時內通過面積1m2
之試料的水蒸氣量(g)。
以卡爾-費雪滴定法(Karl Fischer titration method)測定含水率。測定裝置及測定條件之詳情如下。
測定裝置:電量滴定式水分測定裝置(三菱化學社製,CA-06)、加熱氣化裝置(三菱化學社製,VA-06)。
測定條件:加熱氣化法(150℃加熱)。
陽極液:AQUAMICRON AKX(API Corporation製)。
陰極液:AQUAMICRON CXU(API Corporation製)。
樹脂基材使用吸水率0.60%、Tg80℃之非晶質聚對酞酸乙二酯(A-PET)膜(三菱化學社製,商品名「NOVACLEAR」,厚度:100μm)。
於60℃下將聚合度4200、皂化度99.2莫耳%之聚乙烯醇水溶液塗佈在樹脂基材之單面上並使其乾燥,形成厚度10μm之PVA系樹脂層,製出積層體。
使所得積層體於120℃之烘箱內,在周速相異之輥子間朝縱向(長向)施行自由端單軸延伸(空中輔助延伸)至1.8倍。
接著,使積層體浸漬於液溫30℃之不溶化浴(相對於水100重量份摻合4重量份硼酸而獲得之硼酸水溶液)中30秒(不溶化處理)。
接著,使其浸漬於液溫30℃之染色浴(相對於水100重量份摻合0.2重量份碘,再摻合1.0重量份碘化鉀而獲得之碘水溶液)中60秒(染色處理)。
接著,使其浸漬於液溫30℃之交聯浴(相對於水100重量份摻合3重量份碘化鉀再摻合3重量份硼酸而獲得之硼酸水溶液)中30秒(交聯處理)。
其後,使積層體一邊浸漬於液溫70℃之硼酸水溶液(相對於水100重量份摻合4重量份硼酸,再摻合5重量份碘化鉀而獲得之水溶液)中,一邊於周速相異之輥子間朝縱向(長向)進行單軸延伸(水中延伸)。於此,積層體延伸至發生
破裂之瞬前(最大延伸倍率為6.0倍)。
之後,使積層體浸漬於液溫30℃之洗淨浴(相對於水100重量份摻合4重量份之碘化鉀而獲得之水溶液)(洗淨處理)中。
接著,從積層體剝離樹脂基材後,對此剝離面塗佈如下所示之接著劑,使硬化後之接著劑層厚度成為0.5μm,並貼合保護薄膜(丙烯酸系樹脂薄膜,厚度40μm,透濕度80g/m2
‧24h),使用IR加熱器從該已貼合之膜側加溫至50℃,照射下述紫外線而使接著劑硬化。
如此,製作出具有厚度為4.5μm之偏光膜的偏光板。
將40重量份之N-羥乙基丙烯醯胺(HEAA)、60重量份之丙烯醯基啉(ACMO)及3重量份之光起始劑「IRGACURE 819」(BASF社製)予以混合,調製出接著劑。
活性能量線使用紫外線(封入鎵之金屬鹵素燈,照射裝置:Fusion UV Systems,Inc製之Light HAMMER10,閥:V閥,尖峰照度:1600mW/cm2
,積算照射量1000/mJ/cm2
(波長380~440nm))。此外,紫外線之照度係使用Solatell社製之Sola-Check系統測得。
至積層體延伸(洗淨處理)為止與實施例1同樣地進行,接著,如下述般進行第1保護薄膜之貼合。
於積層體之PVA系樹脂層表面塗佈PVA系樹脂水溶液
(日本合成化學工業社製,商品名「GOHSEFIMER(註冊商標)Z-200」,樹脂濃度:3重量%,含水率:97%),使加熱後之接著劑層厚度成為90nm,再貼合第1保護薄膜(丙烯酸系樹脂薄膜,厚度40μm,透濕度80g/m2
‧24h),於維持80℃之烘箱中加熱5分鐘。
接著,從積層體剝離樹脂基材後,於此剝離面上塗佈與實施例1同樣之接著劑,使硬化後之接著劑層厚度成為0.5μm,再貼合第2保護薄膜(降烯系樹脂薄膜,JSR社製,商品名「Arton」,厚度35μm),使用IR加熱器從該貼合膜側加溫到50℃,與實施例1同樣地照射紫外線使接著劑硬化。使接著劑組成及照射條件與實施例1相同來進行。
如此製作出具有厚度4.5μm之偏光膜的偏光板。
對第2保護薄膜之積層使用下述所示之接著劑,除了以下述條件照射電子線以外,與實施例2同樣地製作出偏光板。
混合N-羥乙基丙烯醯胺(HEAA)60重量份與丙烯醯基啉(ACMO)40重量份,調製出接著劑。
加速電壓:250kV。
照射線量:20kGy。
除了使用實施例1之紫外線硬化型接著劑進行第1保
護薄膜之積層以外,與實施例2同樣地製作出偏光板。
除了以下述所示之水系接著劑來積層第1保護薄膜與第2保護薄膜二者,之外與實施例2同樣地製作偏光板。
於積層體之PVA系樹脂層表面塗佈PVA系樹脂水溶液(日本合成化學工業社製,商品名「GOHSEFIMER(註冊商標)Z-200」,樹脂濃度:3重量%,含水率:97%),使加熱後之接著劑層厚度成為90nm,再貼合第1保護薄膜(丙烯酸系樹脂薄膜,厚度40μm,透濕度80g/m2
‧24h),於維持80℃之烘箱中加熱5分鐘。接著,從積層體剝離樹脂基材後,將與第1保護薄膜相同之薄膜作為第2保護薄膜,與第1保護薄膜同樣地貼合。
測定各實施例及比較例所得偏光板之偏光度及單體透射率。偏光度及單體透射率之測定方法如下。茲將測定結果、第1保護薄膜及第2保護薄膜之積層(接著)方式及使用於前述方式之接著劑含水率一起顯示於表1。此外,亦將實施例1中於剝離樹脂基材後未積層第2保護薄膜而獲得之偏光板(參考例)之偏光度測定結果顯示於表1。
此外,於實施例1及參考例中,光學特性之測定係在已剝離樹脂基材之狀態下進行。這是為了消除樹脂基材之表面反射差異對測定結果造成之影響。此外,實施例2~4及比較例1中,第1保護薄膜之折射率大致為1.50,第2保護薄膜之屈折率大致為1.53。又,實施例1中,最表面之單面的PVA系樹脂屈折率大致為1.53,最表面之另一單
面係折射率大致為1.50且由丙烯酸系樹脂薄膜構成的保護薄膜,最表面之折射率組合為1.50/1.53。於任一結構中,最表面之屈折率組合均為1.50/1.53,而是以表面反射未對測定結果造成影響之結構來進行比較。
使用紫外線/可見光分光光譜儀(日本分光社製,製品名「V7100」),測定偏光膜之單體透射率(Ts)、平行透射率(Tp)及垂直透射率(Tc),以下式求出偏光度(P)。
偏光度(P)(%)={(Tp-Tc)/(Tp+Tc)}1/2
×100
此外,上述Ts、Tp及Tc係以JIS Z 8701之2度視野(C光源)來測定並進行過視感度補正之Y值。
單體透射率42.5%之偏光度係各實施例較比較例更高。若將實施例與比較例予以比較,可知第1保護薄膜及第2保護薄膜中至少一者之積層宜使用含水率較低之接著劑。
本發明之偏光板可適於用作液晶電視、液晶顯示器、行動電話、數位相機、錄影攝影機、攜帶式遊戲機、導航器、影印機、列表機、傳真機、時鐘、微波爐等之液晶面板及有機EL顯示器之反射防止板。
10‧‧‧積層體
11‧‧‧樹脂基材
12‧‧‧聚乙烯醇系樹脂層(偏光膜)
21‧‧‧第1保護薄膜
22‧‧‧第2保護薄膜
100‧‧‧偏光板
Claims (3)
- 一種偏光板之製造方法,包含下述步驟:使具有樹脂基材與形成於該樹脂基材單側上之聚乙烯醇系樹脂層的積層體延伸並予以染色,而在該樹脂基材上製作偏光膜;於該偏光膜之與該樹脂基材相反之側上積層第1保護薄膜之後進行加熱;及將該樹脂基材剝離,並在該偏光膜之已剝離該樹脂基材之側上積層第2保護薄膜;並且,透過水系接著劑來積層該第1保護薄膜,透過含水率在10%以下之接著劑來積層該第2保護薄膜,該第1保護薄膜的透濕度為100g/m2 ‧24h以下。
- 如請求項1之製造方法,其中前述含水率在10%以下之接著劑為活性能量線硬化型接著劑。
- 一種偏光板,係藉由如請求項1或2之製造方法製得者。
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