TWI508860B - 黏著帶 - Google Patents

黏著帶 Download PDF

Info

Publication number
TWI508860B
TWI508860B TW100132740A TW100132740A TWI508860B TW I508860 B TWI508860 B TW I508860B TW 100132740 A TW100132740 A TW 100132740A TW 100132740 A TW100132740 A TW 100132740A TW I508860 B TWI508860 B TW I508860B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
adhesive tape
heat
layer
resistant layer
adhesive
Prior art date
Application number
TW100132740A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201223763A (en
Inventor
Shinsuke Ikishima
Takashi Habu
Fumiteru Asai
Kooki Ooyama
Tadao Torii
Katsutoshi Kamei
Yuuki Katou
Tomokazu Takahashi
Original Assignee
Nitto Denko Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nitto Denko Corp filed Critical Nitto Denko Corp
Publication of TW201223763A publication Critical patent/TW201223763A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI508860B publication Critical patent/TWI508860B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/30—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising vinyl (co)polymers; comprising acrylic (co)polymers
    • B32B27/306—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising vinyl (co)polymers; comprising acrylic (co)polymers comprising vinyl acetate or vinyl alcohol (co)polymers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/32—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising polyolefins
    • B32B27/327—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising polyolefins comprising polyolefins obtained by a metallocene or single-site catalyst
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • C09J7/22—Plastics; Metallised plastics
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • C09J7/29—Laminated material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2250/00—Layers arrangement
    • B32B2250/24—All layers being polymeric
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2250/00—Layers arrangement
    • B32B2250/24—All layers being polymeric
    • B32B2250/246—All polymers belonging to those covered by groups B32B27/32 and B32B27/30
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2405/00—Adhesive articles, e.g. adhesive tapes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2457/00—Electrical equipment
    • B32B2457/14—Semiconductor wafers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2203/00—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2203/326—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/10—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the structural features of the adhesive tape or sheet
    • C09J2301/16—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the structural features of the adhesive tape or sheet by the structure of the carrier layer
    • C09J2301/162—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the structural features of the adhesive tape or sheet by the structure of the carrier layer the carrier being a laminate constituted by plastic layers only
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/30—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier
    • C09J2301/312—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier parameters being the characterizing feature
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2423/00—Presence of polyolefin
    • C09J2423/10—Presence of homo or copolymers of propene
    • C09J2423/106—Presence of homo or copolymers of propene in the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/6834—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used to protect an active side of a device or wafer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
    • H01L2221/68386—Separation by peeling
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/28—Web or sheet containing structurally defined element or component and having an adhesive outermost layer
    • Y10T428/2848—Three or more layers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Dicing (AREA)

Description

黏著帶
本發明係關於一種黏著帶。
將包含矽、鎵、砷等之半導體晶圓製成大直徑之狀態，於正面形成圖案後，研磨背面，通常將晶圓之厚度減少至約100~600 μm，進而將晶圓切斷分離(切割)為元件小片，繼而轉移至安裝步驟。
於研磨半導體晶圓背面之步驟(背面研磨步驟)中，係使用黏著帶以保護半導體晶圓之圖案面。最終剝離黏著帶。用此種目的之黏著帶需要具有於背面研磨步驟中不會剝離之黏著力，另一方面，要求具有於背面研磨步驟後可容易地剝離，另外不會使半導體晶圓破損之程度之較低黏著力。
又，近年來，為了提昇研磨至較薄之半導體晶圓之處理性，已使用在線內完成從背面研磨步驟到完成切割步驟為止之步驟的技術。於此種技術中，通常於背面研磨步驟後，於貼合上述黏著帶之半導體晶圓之背面(與黏著帶之貼合面相反側之面)，貼附兼具切割時固定半導體晶圓之功能與將切割獲得之元件小片接著至基板等上之功能的切割晶粒黏著膜。於該貼合時，貼合有黏著帶之半導體晶圓係以黏著帶側為接觸面而放置於加熱台上，並加熱至100℃左右。因此，要求上述黏著帶具有耐熱性，具體而言要求於加熱時不融著至加熱台上。
先前，作為黏著帶，係使用於基材上塗佈有黏著劑之黏著帶，例如提出有於含有聚乙烯系樹脂之基材上，設置塗佈有丙烯酸系黏著劑之黏著劑層的黏著帶(專利文獻1)。但是，於此種黏著帶之製造中，需要使基材形成膜之步驟或塗佈黏著劑溶液之步驟等較多步驟，製造成本較高。又，亦存在排放大量CO2 之問題。進而，於上述製造方法中，需要於塗佈黏著劑溶液後藉由乾燥而去除有機溶劑，因此於由機溶劑之揮發引起之環境負擔方面存在問題。
作為解決該問題之方法，可列舉將基材形成材料與黏著劑形成材料共擠出之方法。但是，可供於共擠出之材料為熱塑性樹脂，於使用熱塑性丙烯酸系樹脂、熱塑性苯乙烯系樹脂等作為黏著劑形成材料之情形時，存在源自黏著劑之雜質污染半導體晶圓之問題。尤其是，若聚合構成黏著劑之樹脂時所產生之離子(例如源自觸媒之離子)殘留於黏著劑層中，並且其污染晶圓電路，則會導致電路斷開或短路之故障。難以製造出解決此種污染問題且滿足如上述之耐熱性的黏著帶。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]國際公開WO2007/116856號手冊
本發明係為了解決上述先前問題而成者，其目的在於提供一種耐熱性優異之黏著帶，即貼合後之帶表面不易發生熔融之黏著帶。
本發明之黏著帶依序具備耐熱層、基材層及黏著劑層，並且於25℃下之彈性模數(楊氏模數)為150 MPa以下，該耐熱層含有使用二茂金屬觸媒聚合而成之聚丙烯系樹脂，該聚丙烯系樹脂之熔點為110℃~200℃，該聚丙烯系樹脂之分子量分佈(Mw/Mn)為3以下。
於本發明之較佳實施形態中，於上述基材層與上述黏著劑層之間進而具備第2耐熱層。
於本發明之較佳實施形態中，上述耐熱層實質上不含F- 、Cl- 、Br- 、NO2 - 、NO3 - 、SO4 2- 、Li+ 、Na+ 、K+ 、Mg2+ 、Ca2+ 、NH4 + 。
於本發明之較佳實施形態中，上述黏著帶係藉由將耐熱層形成材料、基材層形成材料及黏著劑層形成材料共擠出成形而獲得。
於本發明之較佳實施形態中，上述黏著帶係用於半導體晶圓加工用途。
根據本發明，可提供一種藉由具備含有特定之聚丙烯系樹脂而耐熱性優異之黏著帶。此種黏著帶尤其適合用作供於加熱步驟之半導體晶圓加工用黏著帶。又，根據本發明，可提供一種藉由共擠出成形進行製造，可不使用有機溶劑而以較少步驟數生產之黏著帶。
 A.　黏著帶之整體構成
圖1係本發明之較佳實施形態之黏著帶之剖面示意圖。黏著帶100依序具備耐熱層10、基材層20及黏著劑層30。耐熱層10含有聚丙烯系烯烴樹脂。耐熱層10、基材層20及黏著劑層30較佳為藉由共擠出成形而形成。
圖2係本發明之另一較佳實施形態之黏著帶之剖面示意圖。黏著帶200於基材層20與黏著劑層30之間具備第2耐熱層40。若具備第2耐熱層40，則可進一步提高黏著帶之耐熱性。又，藉由具備第2耐熱層40，可調整黏著帶之彈性模數。
本發明之黏著帶之厚度較佳為90 μm~285 μm，更佳為105 μm~225 μm，尤佳為130 μm~205 μm。
於本發明之黏著帶不具備第2耐熱層之情形時，耐熱層之厚度較佳為10 μm~60 μm，更佳為15 μm~50 μm，尤佳為15 μm~30 μm。於本發明之黏著帶具備第2耐熱層之情形時，耐熱層之厚度較佳為10 μm~60 μm，更佳為15 μm~50 μm，尤佳為15 μm~30 μm。第2耐熱層之厚度較佳為10 μm~60 μm，更佳為15 μm~50 μm，尤佳為15 μm~30 μm。
於一實施形態中，本發明之黏著帶具備第2耐熱層之情形時，耐熱層與第2耐熱層之合計厚度較佳為30 μm以下，更佳為20 μm以下。若耐熱層與第2耐熱層之合計厚度為該範圍，則即便使用高強度樹脂作為耐熱層及/或第2耐熱層形成用材料，亦可獲得柔軟性優異之黏著帶。
上述基材層之厚度較佳為30 μm~185 μm，更佳為65 μm~175 μm。
上述黏著劑層之厚度較佳為20 μm~100 μm，更佳為30 μm~65 μm。
於本發明之黏著帶不具備第2耐熱層之情形時，基材層與耐熱層之間的厚度比(基材層/耐熱層)較佳為0.5~20，更佳為1~15，尤佳為1.5~10，更尤佳為2~10。於本發明之黏著帶具備第2耐熱層之情形時，基材層與耐熱層之間的厚度比(基材層/耐熱層)較佳為1~20，更佳為1~10，尤佳為2~10。又，於本發明之黏著帶具備第2耐熱層之情形時，基材層之厚度相對於耐熱層與第2耐熱層之合計厚度之比(基材層/(耐熱層+第2耐熱層))較佳為0.5~15，更佳為1~10，尤佳為1~5。若上述比例為該範圍，則可獲得同時實現優異之柔軟性與優異之耐熱性，且加工性優異，不易發生外觀不良之黏著帶。於將該黏著帶用作例如半導體晶圓處理用黏著帶之情形時，可防止於晶圓之背面研磨步驟中由與黏著帶接觸引起之晶圓損傷(晶圓邊緣破裂)。
於本發明之黏著帶具備第2耐熱層之情形時，耐熱層與第2耐熱層之間的厚度比(耐熱層/第2耐熱層)較佳為0.3~3，更佳為0.8~1.5，尤佳為0.9~1.1。若上述比例為該範圍，則可獲得柔軟性優異之黏著帶。於將該黏著帶用作例如半導體晶圓處理用黏著帶之情形時，可防止於晶圓之背面研磨步驟中由黏著帶接觸引起之晶圓損傷(晶圓邊緣破裂)。
本發明之黏著帶於25℃下之彈性模數(楊氏模數)為150 MPa以下，較佳為50 MPa~120 MPa，更佳為60 MPa~100 MPa。若彈性模數為該範圍，則可獲得柔軟性優異之黏著帶。於將該黏著帶用作例如半導體晶圓加工用黏著帶之情形時，可防止於晶圓之背面研磨步驟中由與黏著帶接觸引起之晶圓損傷。如此，根據本發明，可獲得形成耐熱層而賦予耐熱性且柔軟性優異之黏著帶。再者，於本說明書中，彈性模數(楊氏模數)係指由應力-應變(S-S)曲線中最大切線之斜率算出之值，上述應力-應變(S-S)曲線係藉由於23℃、夾頭間距50 mm及速度300 mm/min之條件下拉伸寬度為10 mm之帶狀黏著片而獲得者。
本發明之黏著帶之藉由使用半導體鏡面晶圓作為試驗板(矽製)依據JIS Z 0237(2000)之方法測定(貼合條件：2 kg輥往返一次，剝離速度：300 mm/min，剝離角度：180°)之黏著力較佳為0.3 N/20 mm~3.0 N/20 mm，更佳為0.4 N/20 mm~2.5 N/20 mm，尤佳為0.4 N/20 mm~2.0 N/20 mm。若黏著力為該範圍，則可獲得兼具黏著力與剝離性，於例如半導體晶圓之背面研磨步驟中之研磨處理過程中不會剝離而於研磨處理後可容易地剝離的黏著帶。為了獲得具有此種黏著力之黏著帶，例如可使黏著劑層中含有非晶質丙烯-(1-丁烯)共聚物作為主成分而表現出黏著力，進而添加結晶性聚丙烯系樹脂而調整黏著力。黏著劑層之構成成分之詳細內容如下。
將本發明之黏著帶貼合至4吋之半導體晶圓之鏡面上，於23℃、50%之相對濕度之環境下經過1小時後剝離之情形時，該鏡面上之粒徑為0.28 μm以上之顆粒數較佳為1個/cm2 ~500個/cm2 ，更佳為1個/cm2 ~100個/cm2 ，尤佳為1個/cm2 ~50個/cm2 ，最佳為0個/cm2 ~20個/cm2 。可利用顆粒計數器測定顆粒數。
於本說明書中，黏著帶之高度差追隨性之指標係使用「***寬度」。如圖3所示，所謂「***寬度」係指將黏著帶100貼合至具有高度差x之被黏著體300上之時，該黏著帶***而未與被黏著體300接觸之部分之寬度a。本發明之黏著帶對具有3.5 μm高度差之被黏著體在貼合後即刻***之寬度較佳為10 μm~200 μm，更佳為20 μm~180 μm，尤佳為30 μm~150 μm。若為***寬度為該範圍之黏著帶，則可對具有凹凸(例如半導體晶圓圖案之凹凸)之被黏著體的追隨性良好，黏著力優異。又，於將本發明之黏著帶用於半導體晶圓加工用途之情形時，可防止於背面研磨步驟中研磨水侵入半導體晶圓與黏著帶之間的界面。
於將本發明之黏著帶貼合至半導體鏡面晶圓(矽製)上之情形時，從剛貼合後至經過24小時後，相對於30 μm之高度差之***寬度的增加量較佳為40%以下，更佳為20%以下，尤佳為10%以下。若為顯示該***寬度之增加量之黏著帶、即黏著力隨時間經過之變化較小之黏著帶，則半導體晶圓製造中之半成品隨時間經過不易發生黏著帶***等，於儲存穩定性及製造時之加工穩定性方面優異。
本發明之黏著帶可以受隔離膜保護之形式提供。本發明之黏著帶於受隔離膜保護之狀態下可捲繞成輥狀。隔離膜係作為至實際使用為止保護黏著帶之保護材料而發揮功能。作為隔離膜，例如可列舉：表面塗佈有剝離劑矽系剝離劑、氟系剝離劑、丙烯酸長鏈烷基酯系剝離劑等剝離劑的塑料(例如聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚乙烯、聚丙烯)膜、紙或不織布。
本發明之黏著帶例如未受隔離膜保護之情形時，亦可對與黏著劑層相對側之最外層進行背面處理。背面處理可使用例如矽系剝離劑或丙烯酸長鏈烷基酯系剝離劑等剝離劑而進行。本發明之黏著帶藉由進行背面處理，可捲繞成輥狀。
B.　耐熱層及第2耐熱層
上述耐熱層及第2耐熱層含有聚丙烯系樹脂。
上述聚丙烯系樹脂可藉由使用二茂金屬觸媒之聚合而獲得。更具體而言，聚丙烯系樹脂例如可藉由如下方式獲得：進行使用二茂金屬觸媒使含有丙烯之單體組合物聚合之聚合步驟，於該聚合步驟後，進行去除觸媒殘餘之步驟、去除異物之步驟等後處理步驟。聚丙烯系樹脂係經過如此之步驟以例如粉末或顆粒之形式獲得。作為二茂金屬觸媒，例如可列舉：含有二茂金屬化合物與鋁氧烷之二茂金屬均勻混合觸媒、於微粒載體上承載有二茂金屬化合物之承載二茂金屬觸媒。
使用如上所述之二茂金屬觸媒聚合而成之聚丙烯系樹脂具有較窄之分子量分佈。具體而言，上述聚丙烯系樹脂之分子量分佈(Mw/Mn)為3以下，較佳為1.1~3，更佳為1.2~2.9。分子量分佈較窄之聚丙烯系樹脂由於低分子量成分較少，故而若使用此種聚丙烯系樹脂，則可獲得可防止低分子量成分滲出，潔淨性優異之黏著帶。此種黏著帶例如適合用於半導體晶圓加工用途。
上述聚丙烯系樹脂之重量平均分子量(Mw)為50,000以上，較佳50,000~500,000，更佳為50,000~400,000。若聚丙烯系樹脂之重量平均分子量(Mw)為該範圍，則可獲得可防止低分子量成分之滲出，潔淨性優異之黏著帶。此種黏著帶例如適合用作半導體晶圓加工用黏著帶。
上述聚丙烯系樹脂之熔點為110℃~200℃，更佳為120℃~170℃，尤佳為125℃~160℃。若熔點為該範圍，則可獲得耐熱性優異之黏著帶。本發明之黏著帶藉由具備含有該範圍之熔點之聚丙烯系樹脂的耐熱層，而具有耐熱性，具體為即使於貼合後經加熱，黏著帶表面亦不易發生熔融。此種黏著帶於接觸加熱時尤其有用。例如將黏著帶用作半導體晶圓加工用黏著帶之情形時，黏著帶之表面不易融著至半導體製造用裝置之加熱台上，可防止加工不良。又，本發明之黏著帶不僅耐熱性優異，如上所述柔軟性亦優異。此種耐熱性與柔軟性之平衡性優異之黏著帶作為例如半導體晶圓加工用黏著帶有用。更具體而言，作為在線內進行從背面研磨步驟至完成切割步驟為止之步驟之製造方式(所謂2合1製造方式)所使用之半導體晶圓用黏著帶有用。於此種製造方式中，係將黏著帶連續地供於背面研磨步驟及切割步驟。若將本發明之黏著帶用作2合1製造方式中之半導體晶圓加工用黏著帶，則將切割膜(或切割晶粒黏著膜)貼合至附帶黏著帶之半導體晶圓之背面時，即使黏著帶與加熱台(例如100℃)接觸，亦可防止黏著帶表面融著到加熱台，且防止由與黏著帶之接觸引起之半導體晶圓損傷。
上述聚丙烯系樹脂之軟化點較佳為100℃~170℃，更佳為110℃~160℃，更佳為120℃~150℃。若軟化點為該範圍，則可獲得耐熱性優異之黏著帶。再者，於本說明書中，軟化點係指藉由環球法(ring-and-ball method)(JIS K 6863)測得之值。
上述聚丙烯系樹脂於230℃、2.16 kgf下之熔體流動速率較佳為3 g/10 min~30 g/10 min，更佳為5 g/10 min~15 g/10 min，尤佳為5 g/10 min~10 g/10 min。若聚丙烯系樹脂之熔體流動速率為該範圍，則可於無加工不良之情況下藉由共擠出成形而形成具有均勻厚度之耐熱層。熔體流動速率可藉由依據JIS K 7210之方法而測定。
上述聚丙烯系樹脂於無損本發明之效果的範圍內亦可進而含有源自其他單體之構成單元。作為其他單體，例如可列舉：乙烯、1-戊烯、1-己烯、1-辛烯、1-癸烯、4-甲基-1-戊烯、3-甲基-1-戊烯等α-烯烴。於含有源自其他單體之構成單元之情形時，上述聚丙烯系樹脂可為嵌段共聚物，亦可為無規共聚物。
上述聚丙烯系樹脂亦可使用市售品。作為市售品之聚丙烯系樹脂之具體例，例如可列舉：日本聚丙烯公司製造之商品名「WINTEC」、「WELNEX」系列。
較佳為上述耐熱層及第2耐熱層實質上不含有F- 、Cl- 、Br- 、NO2 - 、NO3 - 、SO4 2- 、Li+ 、Na+ 、K+ 、Mg2+ 、Ca2+ 、NH4 + 。具備實質上不含此種離子之耐熱層的黏著帶於潔淨性方面優異，例如用於半導體晶圓加工之情形時，可防止電路之斷線或短路等。再者，於本說明書中，所謂「實質上不含有F- 、Cl- 、Br- 、NO2 - 、NO3 - 、SO4 2- 、Li+ 、Na+ 、K+ 、Mg2+ 、Ca2+ 、NH4 + 」係指藉由標準離子層析分析(例如使用DIONEX製造之商品名「DX-320」、「DX-500」的離子層析分析)測得之離子濃度低於檢測極限。具體而言，係指相對於1 g黏著劑層，F- 、Cl- 、Br- 、NO2 - 、NO3 - 、SO4 2- 、K+ 分別為0.49 μg以下，Li+ 及Na+ 分別為0.20 μg以下，Mg2+ 及Ca2+ 分別為0.97 μg以下，NH4 + 為0.5 μg以下。
上述耐熱層及第2耐熱層之彈性模數(楊氏模數)可根據所需之黏著帶之彈性模數(楊氏模數)、黏著劑層及基材層之特性(厚度、彈性模數(楊氏模數))而設定為任意之適當值。上述耐熱層及第2耐熱層於25℃下之彈性模數(楊氏模數)典型地為800 MPa以下，更佳為50 MPa~500 MPa，尤佳為50 MPa~250 MPa。若模數為該範圍，則於使用本發明之黏著帶作為加工半導體晶圓用黏著帶之情形時，於晶圓之背面研磨步驟中，研磨精度優異，可防止晶圓邊緣之損傷(晶圓邊緣之破裂)。
上述耐熱層及第2耐熱層亦可於無損本發明之效果之範圍內進而含有其他成分。作為其他成分，例如可列舉：抗氧化劑、紫外線吸收劑、光穩定劑、熱穩定劑、抗靜電劑等。其他成分之類型及使用量可根據目的而適當選擇。
C.　黏著劑層
作為上述黏著劑層中使用之黏著劑，可採用任意之適當材料。較佳為可進行共擠出成形之熱塑性樹脂，例如可列舉非晶質丙烯-(1-丁烯)共聚物。於本說明書中，所謂「非晶質」係指並非如結晶質般具有明確熔點之性質。
上述非晶質丙烯-(1-丁烯)共聚物較佳為藉由使用二茂金屬觸媒將丙烯與1-丁烯聚合而獲得。使用二茂金屬觸媒聚合而成之非晶質丙烯-(1-丁烯)共聚物顯示出較窄之分子量分佈(例如2以下)，因此若使用此種非晶質丙烯-(1-丁烯)共聚物，則可獲得可防止由低分子量成分之滲出引起之對被黏著體之污染的黏著帶。此種黏著帶例如適合用於半導體晶圓加工用途。
上述非晶質丙烯-(1-丁烯)共聚物中之源自丙烯之構成單元之含有比率較佳為80莫耳%~99莫耳%，更佳為85莫耳%~99莫耳%，尤佳為90莫耳%~99莫耳%。
上述非晶質丙烯-(1-丁烯)共聚物中之源自1-丁烯之構成單元之含有比率較佳為1莫耳%~15莫耳%，更佳為1莫耳%~10莫耳%。若含有比率為該範圍，則可獲得韌性與柔軟性之平衡性優異且上述***寬度較小之黏著帶。
上述非晶質丙烯-(1-丁烯)共聚物可為嵌段共聚物，亦可為無規共聚物。
上述非晶質丙烯-(1-丁烯)共聚物之重量平均分子量(Mw)較佳為200,000以上，更佳為200,000~500,000，尤佳為200,000~300,000。若非晶質丙烯-(1-丁烯)共聚物之重量平均分子量(Mw)為該範圍，則可於共擠出成形時，可於無加工不良之情況下形成黏著劑層，且獲得適當之黏著力。
於上述黏著劑層含有非晶質丙烯-(1-丁烯)之情形時，上述黏著劑層可含有結晶性聚丙烯系樹脂，以調整黏著劑層之黏著力(結果為上述黏著帶之黏著力)。藉由黏著劑層含有結晶性聚丙烯系樹脂，可降低上述黏著力，增加下述儲存彈性模數。結晶性聚丙烯系樹脂之含有比率可根據所需黏著力及儲存彈性模數設定為任意之適當比例。結晶性聚丙烯系樹脂之含有比率相對於上述非晶質丙烯-(1-丁烯)共聚物與結晶性聚丙烯系樹脂之合計重量，較佳為0重量%~50重量%，更佳為0重量%~40重量%，尤佳為0重量%~30重量%。
上述黏著劑層所使用之黏著劑於230℃、2.16 kgf下之熔體流動速率較佳為1 g/10 min~50 g/10 min，更佳為5 g/10 min~30 g/10 min，尤佳為5 g/10 min~20 g/10 min。若黏著劑層之熔體流動速率為該範圍，則可藉由共擠出成形，於無加工不良之情況下形成厚度均勻之黏著劑層。
較佳為上述黏著劑層實質上不含有F- 、Cl- 、Br- 、NO2 - 、NO3 - 、SO4 2- 、Li+ 、Na+ 、K+ 、Mg2+ 、Ca2+ 、NH4 + 。其原因在於可以防止被黏著體受該等離子污染。具備此種黏著劑層之黏著帶用於例如半導體晶圓加工用途之情形時，不會發生電路之斷線或短路等。不含上述離子之黏著劑層例如可藉由如上述使用二茂金屬觸媒將黏著劑層中之非晶質丙烯-(1-丁烯)共聚物進行溶液聚合而獲得。於使用二茂金屬觸媒之溶液聚合中，非晶質丙烯-(1-丁烯)共聚物可藉由使用不同於聚合溶劑的不良溶劑反覆進行析出分離(再沈澱)而進行純化，因此可獲得不含上述離子之黏著劑層。
上述黏著劑層之儲存彈性模數(G')較佳為0.5×106 Pa~1.0×108 Pa，更佳為0.8×106 Pa~3.0×107 Pa。若上述黏著劑層之儲存彈性模數(G')為該範圍，則可獲得可兼具對表面具有凹凸之被黏著體之充分黏著力與適度之剝離性的黏著帶。又，具備此種儲存彈性模數(G')之黏著劑層之黏著帶在用於半導體晶圓加工用途之情形時，於晶圓之背面研磨中可有助於達成優異之研磨精度。黏著劑層之儲存彈性模數可藉由例如調整上述非晶質丙烯-(1-丁烯)共聚物與上述結晶性聚丙烯系樹脂之間的含量比而控制。再者，本發明中之儲存彈性模數(G')可藉由動態黏彈性譜測定而測定。
上述黏著劑層於25℃下之彈性模數(楊氏模數)較佳為5 MPa~300 MPa，更佳為10 MPa~200 MPa，尤佳為20 MPa~100 MPa。若彈性模數為該範圍，則於使用本發明之黏著帶作為半導體晶圓加工用黏著帶之情形時，於晶圓之背面研磨步驟中，研磨精度優異，且可防止晶圓邊緣之損傷(晶圓邊緣之破裂)。
上述黏著劑層可於無損本發明之效果之範圍內進而含有其他成分。作為其他成分，例如可列舉：與上述B項所說明之耐熱層中可含有之其他成分相同之成分。
D.　基材層
上述基材層係由任意之適當樹脂所形成。樹脂較佳為可進行共擠出成形之熱塑性樹脂，例如可列舉聚乙烯系樹脂。作為聚乙烯系樹脂之具體例，可列舉乙烯-乙酸乙烯酯共聚物。
上述乙烯-乙酸乙烯酯共聚物之重量平均分子量(Mw)較佳為10,000~200,000，更佳為30,000~190,000。若乙烯-乙酸乙烯酯共聚物之重量平均分子量(Mw)為該範圍，則可於共擠出成形時，於無加工不良之情況下形成基材層。
上述形成基材層用樹脂於190℃、2.16 kgf下之熔體流動速率較佳為2 g/10 min~20 g/10 min，更佳為5 g/10 min~15 g/10 min，尤佳為7 g/10 min~12 g/10 min。若乙烯-乙酸乙烯酯共聚物之熔體流動速率為該範圍，則可於共擠出成形中，於無加工不良之情況下形成基材層。
上述基材層於25℃下之彈性模數(楊氏模數)較佳為30 MPa~300 MPa，更佳為40 MPa~200 MPa，尤佳為50 MPa~100 MPa。若模數為該範圍，則於使用本發明之黏著帶作為半導體晶圓加工用黏著帶之情形時，於晶圓之背面研磨步驟中，研磨精度優異，且可防止晶圓邊緣之損傷(晶圓邊緣之破裂)。
上述基材層可於無損本發明之效果之範圍內進而含有其他成分。作為其他成分，例如可列舉：與上述B項所說明之耐熱層中可含有之其他成分相同之成分。
E.　黏著帶之製造方法
本發明之黏著帶較佳為藉由將上述耐熱層、上述基材層及上述黏著劑層之形成材料共擠出成形而製造。藉由共擠出成形，可以較少之步驟數且於不使用有機溶劑之情況下製造層間之接著性良好之黏著帶。
於上述共擠出成形中，上述耐熱層、上述基材層及上述黏著劑層之形成材料可為藉由任意適當方法混合上述各層之成分而獲得之材料。
作為上述共擠出成形之具體方法，例如可列舉如下方法：於與模具相連之三台擠出機中，向其中一台供給耐熱層形成材料，向另一台供給基材層形成材料，向第三台供給黏著劑層形成材，於熔融後進行擠出，再藉由接觸輥成形法收取而成形積層體。再者，於本發明之黏著帶進而具備第2耐熱層之情形時，可採用三種四層成形或使用四台擠出機之四種四層成形，該三種四層成形係將三台擠出機中之擠出耐熱層用樹脂之樹脂流路分斷為兩條，於分斷之間使基材層用樹脂合流。於擠出時，形成材料合流之部分越接近模具出口(模唇(die lip))越好。其原因在於在模具內不易發生各形成材料之合流不良。因此，作為上述模具，較佳為使用多歧管式之模具。再者，於發生合流不良之情形時，會產生合流不均等外觀不良，具體而言會於擠出之黏著劑層與基材層之間產生波狀之外觀不均，因此欠佳。又，合流不良產生之原因係例如異種形成材料於模具內之流動性(熔融黏度)之差異較大，及在各層之形成材料之剪切速率之差異較大，因此若使用多歧管式之模具，則與其他形式(例如進料模組式(feed-block-system))相比，對於具有流動性差之異種形成材料可擴大材料之選擇範圍。用於熔融各形成材料之擠出機之螺桿類型可為單軸，亦可為雙軸。
上述共擠出成形之成形溫度較佳為160℃~220℃，更佳為170℃~200℃。若溫度為該範圍，則成形穩定性優異。
上述耐熱層形成材料或第2耐熱層形成材料與上述基材層形成材料於溫度180℃、剪切速率100 sec-1 下之剪切黏度之差值(耐熱層或第2耐熱層形成材料-基材層形成材料)較佳為-150 Pa‧s~600 Pa‧s，更佳為-100 Pa‧s~550 Pa‧s，尤佳為-50 Pa‧s~500 Pa‧s。上述黏著劑層形成材料與上述基材層形成材料於溫度180℃、剪切速率100 sec-1 下之剪切黏度之差值(黏著劑層形成材料-基材層形成材料)較佳為-150 Pa‧s~600 Pa‧s，更佳為-100 Pa‧s~550 Pa‧s，尤佳為-50 Pa‧s~500 Pa‧s。若上述差值為該範圍，則上述黏著劑層形成材料及基材層形成材料於模具內之流動性相近，可防止合流不良。再者，剪切黏度可利用雙毛細管型之拉伸黏度計(twin capillary extensional rheometer)而測定。
[實施例]
以下，藉由實施例具體說明本發明，但本發明不受該等實施例之任何限定。再者，於實施例等中之試驗及評價方法如下所述。又，份係指重量份。
[實施例1]
使用利用二茂金屬觸媒聚合而成之聚丙烯系樹脂(日本聚丙烯公司製造，商品名「WELNEX：RFGV4A」：熔點：130℃，軟化點：120℃，Mw/Mn=2.9)作為耐熱層形成材料及第2耐熱層形成材料。
使用乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(Du Pont Mitsui Polychemicals製造，商品名「P-1007」：熔點：94℃，軟化點：71℃)100份作為基材層形成材料。
使用利用二茂金屬觸媒聚合而成之非晶質丙烯-(1-丁烯)共聚物(住友化學公司製造，商品名「Tafseren H5002」：源自丙烯之構成單元為90莫耳%/源自1-丁烯之構成單元為10莫耳%，Mw=230,000，Mw/Mn=1.8)作為黏著劑層形成材料。
將上述耐熱層形成材料100份、基材層形成材料100份、第2耐熱層形成材料100份及黏著劑層形成材料100份分別投入擠出機，藉由T模熔融共擠出(擠出溫度為180℃)進行成形，而獲得具有耐熱層(厚度為15 μm)/基材層(厚度為70 μm)/第2耐熱層(厚度為15 μm)/黏著劑層(厚度為30 μm)之四種四層構成的黏著帶。再者，各層之厚度係藉由T模出口之形狀控制。
[實施例2]
除了將基材層之厚度改為145 μm以外，以與實施例1相同之方式獲得黏著帶。
[實施例3]
除了將耐熱層、基材層及第2耐熱層之厚度分別改為22.5 μm、55 μm及22.5 μm以外，以與實施例1相同之方式獲得黏著帶。
[實施例4]
除了將耐熱層、基材層及第2耐熱層之厚度分別改為22.5 μm、130 μm及22.5 μm以外，以與實施例1相同之方式獲得黏著帶。
[實施例5]
除了將耐熱層、基材層及第2耐熱層之厚度分別改為30 μm、40 μm及30 μm以外，以與實施例1相同之方式獲得黏著帶。
[實施例6]
除了將耐熱層、基材層及第2耐熱層之厚度分別改為30 μm、115 μm及30 μm以外，以與實施例1相同之方式獲得黏著帶。
[實施例7]
使用利用二茂金屬觸媒聚合而成之聚丙烯系樹脂(日本聚丙烯公司製造，商品名「WINTEC：WFX4」：熔點：125℃，軟化點：115℃，Mw/Mn=2.8)作為耐熱層形成材料。
使用乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(Du Pont Mitsui Polychemicals製造，商品名「P-1007」：熔點：94℃，軟化點：71℃)作為基材層形成材料。
使用利用二茂金屬觸媒聚合而成之非晶質丙烯-(1-丁烯)共聚物(住友化學公司製造，商品名「Tafseren H5002」：源自丙烯之構成單元為90莫耳%/源自1-丁烯之構成單元為10莫耳%，Mw=230,000，Mw/Mn=1.8)作為黏著劑層形成材料。
將上述耐熱層形成材料100份、基材層形成材料100份及黏著劑層形成材料(100份)分別投入擠出機，藉由T模熔融共擠出(擠出溫度為180℃)進行成形，而獲得具有耐熱層(厚度為10 μm)/基材層(厚度為90 μm)/黏著劑層(厚度為30 μm)之三種三層構成的黏著帶。
[實施例8]
除了將基材層之厚度改為165 μm以外，以與實施例7相同之方式獲得黏著帶。
[實施例9]
除了將耐熱層之厚度改為15 μm，將基材層之厚度改為85 μm以外，以與實施例7相同之方式獲得黏著帶。
[實施例10]
除了將耐熱層之厚度改為15 μm，將基材層之厚度改為160 μm以外，以與實施例7相同之方式獲得黏著帶。
[實施例11]
除了將耐熱層之厚度改為30 μm，將基材層之厚度改為145 μm以外，以與實施例7相同之方式獲得黏著帶。
[實施例12]
使用利用二茂金屬觸媒聚合而成之聚丙烯系樹脂(日本聚丙烯公司製造，商品名「WELNEX：RFGV4A」：熔點：130℃，軟化點：120℃，Mw/Mn=2.9)作為耐熱層形成材料。
使用乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(Du Pont Mitsui Polychemicals製造，商品名「P-1007」：熔點：94℃，軟化點：71℃)作為基材層形成材料。
使用利用二茂金屬觸媒聚合而成之非晶質丙烯-(1-丁烯)共聚物(住友化學公司製造，商品名「Tafseren H5002」：源自丙烯之構成單元為90莫耳%/源自1-丁烯之構成單元為10莫耳%，Mw=230,000，Mw/Mn=1.8)作為黏著劑層形成材料。
將耐熱層形成材料100份、基材層形成材料100份及黏著劑層形成材料100份分別投入擠出機，藉由T模熔融共擠出(擠出溫度為180℃)進行成形，而獲得具有耐熱層(厚度為10 μm)/基材層(厚度為90 μm)/黏著劑層(厚度為30 μm)之三種三層構成的黏著帶。
[實施例13]
除了將基材層之厚度改為165 μm以外，以與實施例12相同之方式獲得黏著帶。
[實施例14]
除了將耐熱層之厚度改為15 μm，將基材層之厚度改為85 μm以外，以與實施例12相同之方式獲得黏著帶。
[實施例15]
除了將耐熱層之厚度改為15 μm，將基材層之厚度改為160 μm以外，以與實施例12相同之方式獲得黏著帶。
[實施例16]
除了將耐熱層之厚度改為30 μm，將基材層之厚度改為70 μm以外，以與實施例12相同之方式獲得黏著帶。
[實施例17]
除了將耐熱層之厚度改為30 μm，將基材層之厚度改為145 μm以外，以與實施例12相同之方式獲得黏著帶。
[實施例18]
除了將耐熱層之厚度改為45 μm，將基材層之厚度改為55 μm以外，以與實施例12相同之方式獲得黏著帶。
[實施例19]
除了將耐熱層之厚度改為45 μm，將基材層之厚度改為130 μm以外，以與實施例12相同之方式獲得黏著帶。
[實施例20]
除了將耐熱層之厚度改為60 μm，將基材層之厚度改為40 μm以外，以與實施例12相同之方式獲得黏著帶。
[實施例21]
除了將耐熱層之厚度改為60 μm，將基材層之厚度改為115 μm以外，以與實施例12相同之方式獲得黏著帶。
[比較例1]
除了不形成耐熱層，將基材層之厚度改為100 μm以外，以與實施例1相同之方式獲得黏著帶。
[比較例2]
除了不形成耐熱層，使用利用二茂金屬觸媒聚合而成之聚丙烯系樹脂(日本聚丙烯公司製造，商品名「WINTEC WFX4」：熔點：125℃，軟化點：115℃)代替乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(Du Pont Mitsui Polychemicals製造，商品名「P-1007」：熔點：94℃，軟化點：71℃)作為基材層形成材料，將基材層之厚度改為100 μm以外，以與實施例1相同之方式獲得黏著帶。
[評價]
將實施例及比較例中獲得之黏著帶供於以下評價。將結果示於表1。
(1)　耐熱性
將實施例及比較例中獲得之黏著帶貼合至半導體晶圓(8吋鏡面晶圓，厚度為700 μm)，放置在加熱至100℃之加熱板(SUS304)上加熱3分鐘。此時，黏著帶之與黏著劑層相反側之最外層與加熱面接觸。完成加熱後，目視確認黏著帶之狀態，以如下標準評價耐熱性。
○：黏著帶之最外層無變化，耐熱性良好。
Δ：黏著帶之最外層部分熔融，耐熱性較差。
×：黏著帶融著至加熱板上，耐熱性非常差。
(2)　彈性模數
將實施例及比較例中獲得之黏著帶製成寬度10 mm之帶狀，使用三連式拉伸試驗機AG-IS(島津製作所製造)作為拉伸試驗機，於23℃、夾頭間距50 mm、速度300 mm/min下進行拉伸，根據所獲得之應力-應變(S-S)曲線中之最大切線之斜率算出彈性模數。
(3)　半導體晶圓之損傷
將實施例及比較例中獲得之黏著帶貼合於無規地設置有高度為10 μm之高度差(10 mm×10 mm見方)的8吋之半導體晶圓(厚度為700 μm~750 μm)上，並研磨半導體晶圓側(與黏著帶貼合面相反側之面)。利用DISCO公司製造之背面磨具DFG-8560，將8吋Si鏡面晶圓研磨至厚度為50 μm。其後，目視觀察半導體晶圓之外周之龜裂、破裂、可目視觀察到之缺陷等損傷。藉由觀察此類損傷，根據以下標準評價十個半導體晶圓。
○：十個晶圓中可見損傷之晶圓為0個。
Δ：十個晶圓中可見損傷之晶圓為1個以上、3個以下。
×：十個晶圓中可見損傷之晶圓為4個以上。
(4)　污染性
將黏著帶貼合至4吋之半導體晶圓之鏡面上，於23℃之溫度及50%之相對濕度之環境下經過一小時後剝離，並測定鏡面上粒徑為0.28 μm以上之顆粒數。使用顆粒計數器(KLA-Tencor公司製造，商品名「SURFSCAN 6200」)測定顆粒數。
(5)　所含離子量
以F- 、Cl- 、Br- 、NO2 - 、NO3 - 、SO4 2- 、Li+ 、Na+ 、K+ 、Mg2+ 、Ca2+ 和NH4 + 作為分析對象，藉由離子層析測定實施例及比較例中獲得之黏著帶中之該等離子量。
具體而言，稱取試料片(1 g黏著帶)放入聚甲基戊烯(PMP)容器中，繼而添加50 ml純水，蓋上蓋子，於乾燥機中於120℃下加熱萃取1小時，利用試料預處理用盒(DIONEX製造，商品名「On Guard II RP」)過濾萃取液，使用離子層析(陰離子)(DIONEX製造，商品名「DX-320」)及離子層析(陽離子)(DIONEX製造，商品名「DX-500」)測定濾液。該測定方法之檢測極限為：相對於1 g黏著帶，F- 、Cl- 、Br- 、NO2 - 、NO3 - 、SO4 2- 及K+ 為0.49 μg以下，Li+ 及Na+ 為0.20 μg以下，Mg2+ 及Ca2+ 為0.97 μg以下，NH4 + 為0.50 μg以下。
(6)　分子量測定
實施例及比較例中使用之利用二茂金屬觸媒聚合而成之非晶質丙烯-(1-丁烯)共聚物(住友化學公司製造，商品名「Tafseren H5002」)之分子量係藉由如下方式測定。即，將試料製備為1.0 g/l之THF溶液並靜置一晚，使用孔徑為0.45 μm之過濾膜進行過濾，使用TOSOH公司製造之HLC-8120 GPC於以下條件下測定所獲得之濾液，藉由聚苯乙烯換算而算出分子量。
管柱：TSKgel Super HZM-H/HZ4000/HZ3000/HZ2000
管柱尺寸：6.0 mmI.D.×150 mm
管柱溫度：40℃
溶離液：THF
流量：0.6 ml/min
注入量：20 μl
檢測器：RI(示差折射率檢測器)
又，實施例7至11及比較例2中使用之利用二茂金屬觸媒聚合而成之結晶性聚丙烯系樹脂(日本聚丙烯公司製造，商品名「WINTEC WFX4」)之分子量係藉由如下方式測定。即，將試料製備為0.10%(w/w)鄰二氯苯溶液，於140℃下溶解後，利用孔徑為1.0 μm之燒結過濾器進行過濾，利用Waters製造之凝膠滲透色譜儀Alliance GPC 2000型於以下條件下測定所獲得之濾液，藉由聚苯乙烯換算而算出分子量。
管柱：TSKgel GMH6 -HT、TSKgel GMH6 -HTL
管柱尺寸：7.5 mmI.D.×300 mm個兩根
管柱溫度：140℃
溶離液：鄰二氯苯
流量：1.0 ml/min
注入量：0.4 ml
檢測器：RI(示差折射率檢測器)
由實施例與比較例1之比較明確，根據本申請之發明，可提供一種藉由具備含有特定之聚丙烯系樹脂之耐熱層而耐熱性優異之黏著帶。又，由實施例與比較例2之比較明確，藉由採用耐熱層、基材層及黏著劑層之三層結構，或進而具有第2耐熱層之四層結構，可調整各層之厚度，而控制彈性模數。其結果為，本發明之黏著帶顯示出優異之柔軟性，於用作半導體晶圓加工用黏著帶之情形時，可防止晶圓之損傷。
[產業上之可利用性]
本發明之黏著帶可適宜地用於例如製造半導體裝置時之工件(半導體晶圓等)之保護。
10．．．耐熱層
20．．．基材層
30．．．黏著劑層
40．．．第2耐熱層
100．．．黏著帶
200．．．黏著帶
300．．．被黏著體
圖1係本發明之較佳實施形態之積層膜的剖面示意圖。
圖2係本發明之另一較佳實施形態之積層膜之剖面示意圖。
圖3係說明成為本發明之黏著帶之高度差追隨性之指標的「***寬度」之圖。
10．．．耐熱層
20．．．基材層
30．．．黏著劑層
100．．．黏著帶

Claims (5)

  1. 一種黏著帶，其係將耐熱層形成材料、基材層形成材料及黏著劑層形成材料共擠出成形而獲得，上述黏著帶依序具備耐熱層、基材層及黏著劑層，並且於25℃下之彈性模數(楊氏模數)為150MPa以下，該耐熱層含有使用二茂金屬觸媒聚合而成之聚丙烯系樹脂，該聚丙烯系樹脂之熔點為110℃~200℃，該聚丙烯系樹脂之分子量分佈(Mw/Mn)為3以下，該黏著劑層含有非晶質丙烯-(1-丁烯)共聚物。
  2. 如請求項1之黏著帶，其於上述基材層與上述黏著劑層之間進而具備第2耐熱層。
  3. 如請求項1之黏著帶，其中上述耐熱層實質上不含F- 、Cl- 、Br- 、NO2 - 、NO3 - 、SO4 2- 、Li+ 、Na+ 、K+ 、Mg2+ 、Ca2+ 、NH4 + 。
  4. 如請求項2之黏著帶，其中上述耐熱層實質上不含F- 、Cl- 、Br- 、NO2 - 、NO3 - 、SO4 2- 、Li+ 、Na+ 、K+ 、Mg2+ 、Ca2+ 、NH4 + 。
  5. 如請求項1至4中任一項之黏著帶，其係用於半導體晶圓加工用途。
TW100132740A 2010-09-16 2011-09-09 黏著帶 TWI508860B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010207826A JP5689269B2 (ja) 2010-09-16 2010-09-16 粘着テープ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201223763A TW201223763A (en) 2012-06-16
TWI508860B true TWI508860B (zh) 2015-11-21

Family

ID=45818017

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW100132740A TWI508860B (zh) 2010-09-16 2011-09-09 黏著帶

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20120070658A1 (zh)
JP (1) JP5689269B2 (zh)
KR (1) KR20120029363A (zh)
CN (1) CN102399506B (zh)
TW (1) TWI508860B (zh)

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012119395A (ja) * 2010-11-29 2012-06-21 Furukawa Electric Co Ltd:The 半導体デバイスダイシング用粘着テープ及び半導体デバイスチップの製造方法
US20150107185A1 (en) * 2011-12-08 2015-04-23 Nitto Denko Corporation Waterproof screw, sealing material, method for structure installation, and structure for structure installation
JP5895676B2 (ja) * 2012-04-09 2016-03-30 三菱電機株式会社 半導体装置の製造方法
JP6431256B2 (ja) * 2013-10-11 2018-11-28 デクセリアルズ株式会社 接着フィルム、フィルム巻装体、接続構造体の製造方法、接続方法、接続構造体
JP6188614B2 (ja) * 2014-03-27 2017-08-30 富士フイルム株式会社 積層体、保護層形成用組成物、キット、および、半導体デバイスの製造方法
WO2016052444A1 (ja) * 2014-09-29 2016-04-07 リンテック株式会社 半導体ウエハ加工用シート用基材、半導体ウエハ加工用シート、および半導体装置の製造方法
JP6206604B2 (ja) * 2014-12-17 2017-10-04 株式会社村田製作所 押圧検知装置
JP6139808B2 (ja) * 2015-03-31 2017-05-31 リンテック株式会社 表面保護フィルム
JP6745619B2 (ja) * 2016-03-22 2020-08-26 リンテック株式会社 表示体および表示体の製造方法
KR102074607B1 (ko) * 2016-03-30 2020-02-06 미쓰이 가가쿠 토세로 가부시키가이샤 반도체 장치의 제조 방법
JP6517430B2 (ja) * 2016-03-30 2019-05-22 三井化学東セロ株式会社 半導体装置の製造方法
WO2018097036A1 (ja) * 2016-11-25 2018-05-31 三井化学東セロ株式会社 粘着性積層フィルムおよび電子装置の製造方法
JP2018133505A (ja) * 2017-02-17 2018-08-23 株式会社ディスコ プラズマエッチング方法
JP6818612B2 (ja) * 2017-03-30 2021-01-20 リンテック株式会社 半導体加工用シートおよび半導体装置の製造方法
CN106905886A (zh) * 2017-03-31 2017-06-30 江苏斯瑞达新材料科技有限公司 一种耐水无纺布双面胶带
KR20200143258A (ko) * 2019-06-13 2020-12-23 닛토덴코 가부시키가이샤 다이싱 테이프 및 다이싱 다이 본드 필름
CN113290957A (zh) * 2021-05-19 2021-08-24 业成科技（成都）有限公司 连接带微结构及其制造方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002226803A (ja) * 2001-02-06 2002-08-14 Achilles Corp ダイシング用基体フィルム
JP2008274100A (ja) * 2007-04-27 2008-11-13 Nitto Denko Corp 粘着シート

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004174314A (ja) * 2002-11-25 2004-06-24 Nitto Denko Corp クリーニングシートおよび基板処理装置のクリーニング方法
JP2006104246A (ja) * 2004-10-01 2006-04-20 Sumitomo Chemical Co Ltd 粘着用積層体
JP2008018601A (ja) * 2006-07-12 2008-01-31 Kaitekku:Kk 表面保護フィルム
CN101578306B (zh) * 2007-02-15 2012-08-08 三井化学株式会社 丙烯类聚合物、丙烯类聚合物组合物、粒料和粘合剂
DE102008005945A1 (de) * 2008-01-24 2009-07-30 Evonik Degussa Gmbh Verfahren zur Herstellung von Polyolefinen mit syndiotaktischen Strukturelementen, Polyolefine und deren Verwendung

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002226803A (ja) * 2001-02-06 2002-08-14 Achilles Corp ダイシング用基体フィルム
JP2008274100A (ja) * 2007-04-27 2008-11-13 Nitto Denko Corp 粘着シート

Also Published As

Publication number Publication date
CN102399506A (zh) 2012-04-04
CN102399506B (zh) 2014-12-10
JP5689269B2 (ja) 2015-03-25
JP2012062405A (ja) 2012-03-29
US20120070658A1 (en) 2012-03-22
TW201223763A (en) 2012-06-16
KR20120029363A (ko) 2012-03-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI508860B (zh) 黏著帶
TWI518163B (zh) 黏著帶
TWI521039B (zh) Adhesive tape
JP2015004003A (ja) 粘着シート
JP5959240B2 (ja) 粘着シート
JP5883617B2 (ja) セパレータ付き粘着シート
KR20120051715A (ko) 점착 필름
JP2013163775A (ja) 粘着テープ
TWI540196B (zh) Adhesive sheet
TW201346001A (zh) 切割用黏著片
TW201439272A (zh) 黏著片材
JP5970191B2 (ja) 粘着テープ
JP5923344B2 (ja) 粘着シート
JP7150255B1 (ja) 積層フィルム及びフィルムロール
TWI546532B (zh) A method of selecting a separator and an adhesive sheet using the separator selected by the selected method
JP2013163774A (ja) 粘着テープ
JP2013185148A (ja) 粘着シート
JP6281191B2 (ja) 半導体製造工程用粘着テープ基材用樹脂フィルム
KR101132758B1 (ko) 보호필름
TW201506115A (zh) 半導體晶圓加工用黏著片

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees