TWI508165B - Processing device - Google Patents

Processing device Download PDF

Info

Publication number
TWI508165B
TWI508165B TW100105891A TW100105891A TWI508165B TW I508165 B TWI508165 B TW I508165B TW 100105891 A TW100105891 A TW 100105891A TW 100105891 A TW100105891 A TW 100105891A TW I508165 B TWI508165 B TW I508165B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
processing
processing container
spacer
plate member
sheet
Prior art date
Application number
TW100105891A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201203349A (en
Inventor
Toshihiro Kasahara
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Publication of TW201203349A publication Critical patent/TW201203349A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI508165B publication Critical patent/TWI508165B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/321—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32458—Vessel
    • H01J37/32522—Temperature

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Details Of Rigid Or Semi-Rigid Containers (AREA)

Description

處理裝置
本發明關於一種處理裝置，詳細來說係關於一種用以進行電漿處理等之處理裝置中之處理容器的散熱抑制構造。
FPD(平面顯示器)之製造步驟中係對FPD用玻璃基板進行電漿蝕刻、電漿灰化、電漿成膜等各種電漿處理。進行上述電漿處理的裝置已知有平行平板型電漿處理裝置或感應耦合電漿(ICP：Inductively Coupled Plasma)處理裝置等。
此處，各種電漿處理裝置雖會因電漿的產生而使得處理室內的溫度上昇，但通常，由於處理室內壁附近的電漿密度較低，因此處理室內會形成溫度分佈。因上述溫度分佈而會有反應生成物堆積在處理容器內面之情況。特別是，處理大型基板之大型裝置由於處理容器的熱容量較大，且處理容器的表面積較大而容易散熱，因此容易在處理室內形成溫度分佈，除了反應生成物的堆積變多以外，亦有對電漿處理的面內均勻性造成不良影響之疑慮。
於是，電漿處理裝置便會於處理容器壁設置有供熱媒體流通之流道，或附加加熱器等來進行處理容器的溫度調節。
然而，近年來為了處理大型基板，處理容器亦變得大型化，朝外部的散熱量增加而導致處理室內的均勻溫度控制變得愈來愈困難，即使是站在能源效率的觀點亦非常浪費。於是，為了謀求處理室內溫度控制的效率化或省能源化，及作為一種燒傷防止等安全對策，因此便利用於耐熱性防塵布填充有絕熱材料構造的布製覆蓋材料而自外側覆蓋處理容器。然而，上述布製覆蓋材有裝卸等作業相當費時且加工成本亦非常高之問題。
為了抑制來自處理容器的散熱並提高能源效率，專利文獻1(日本特開平8-134533號公報(參照圖1等))中提出一種於真空熱處理裝置中，以框體來覆蓋真空容器及高頻感應加熱用線圈之方案。
FPD用玻璃基板近年來有1邊超過3m的情況，而使得處理該基板之處理容器的大小如小型建築物般。因此如上所述地自外側以更大的框體來覆蓋大型處理容器在現實上幾乎不可能實現。因此，專利文獻1的散熱防止對策便無法適用於大型處理容器。
本發明係鑑於上述問題點所發明者，其目的在於提供一種具備有容易安裝且亦可適用於大型處理容器的散熱防止構造之處理容器。
本發明之處理裝置具備有：處理容器，係形成對被處理體進行處理之處理室；及散熱抑制組裝體，係組裝有自外側覆蓋該處理容器外壁面之複數板材；其中係藉由使該板材相對於該處理容器外壁面呈分離配置，而於該處理容器與該散熱抑制組裝體之間具有空氣絕熱部。
較佳地，該板材係由金屬或樹脂所構成。
又，較佳地，本發明之處理裝置中，該板材之對向於該處理容器的面係經鏡面加工。
較佳地，本發明之處理裝置中，該板材之對向於該處理容器的面係具有紅外線反射層。
又，較佳地，本發明之處理裝置中，該板材的至少其中一部份係由可見光穿透性材質所形成，又，較佳地，本發明之處理裝置中，該處理容器外壁面係設置有間隔物組件，而將該板材固定於該間隔物組件。此時，較佳地，係藉由該間隔物組件來封閉該空氣絕熱部。又，較佳地，該間隔物組件係由絕熱性材質所形成。
又，較佳地，本發明之處理裝置中，該空氣絕熱部的厚度為5mm至20mm之範圍內。又，較佳地，係藉由部分或整體性多重地配置該板材，來部分或整體性多層地設置該空氣絕熱部。又，較佳地，被處理體為長邊超過2m的矩形基板。
依本發明之處理裝置，由於係設置有組裝有自外側覆蓋處理容器的複數板材之散熱抑制組裝體，並於處理容器與散熱抑制組裝體之間具有空氣絕熱部，因此可抑制來自處理容器的散熱，從而便能夠提高處理容器的溫度調節效率。又，散熱抑制組裝體係組合複數板材所構成，因此亦可適用於大型處理容器，且容易安裝、拆卸，從而可以低成本來加以設置。又，幾乎不會有成為微塵粒子產生的原因之疑慮。
因此，本發明處理裝置藉由具備有散熱抑制組裝體，便可有效率地處理容器內的溫度控制，其結果可達成能夠以高可靠度來進行目標處理之效果。
以下，針對本發明實施型態參照圖式而詳細說明。
[第1實施型態]
圖1係顯示作為本發明處理裝置第1實施型態之電漿蝕刻裝置的概略結構之剖面圖。圖2為放大顯示圖1之主要部份之剖面圖。如圖1所示，電漿蝕刻裝置200係構成為對被處理體(例如FPD用玻璃基板S，以下單純稱為「基板」)進行蝕刻之電容耦合型平行平板電漿蝕刻裝置。此外，FPD舉例有液晶顯示器(LCD)、電激發光(Electro Luminescence；EL)顯示器、電漿顯示器面板(PDP)等。
該電漿蝕刻裝置200係具有內側經陽極氧化處理(耐酸鋁處理)之鋁所構成而形成為方筒狀之處理容器101。處理容器101的本體(容器本體)係由底壁101a及4個側壁101b(僅圖示2個側壁)所構成。又，處理容器101本體的上部接合有蓋體101c。
又，4個側壁101b的內部係形成有熱媒體流道101d。該熱媒體流道101d係連接有導入管102及排出管103。然後，透過該等導入管102及排出管103而與處理容器101外部所設置之作為熱媒體循環裝置的冷卻器單元104相連接。冷卻器單元104具有例如圖中未顯示之熱交換器或循環幫浦等。熱媒體會因圖中未顯示之循環幫浦的作用，而一邊在熱媒體流道101d與設置於裝置外部之冷卻器單元104之間循環一邊將側壁101b昇溫或冷卻。熱媒體流道101d、上述導入管102、排出管103及冷卻器單元104構成了能夠調節處理容器101的溫度之溫度調節機構。
處理容器101的側壁101b外側係設置有圍繞處理容器101周圍而作為「散熱抑制組裝體」之散熱抑制單元105。散熱抑制單元105係組合複數板材106所構成。散熱抑制單元105的各板材106係安裝在處理容器101的側壁101b所配設之間隔物107。散熱抑制單元105的詳細構造將敘述於後。
蓋體101c係藉由圖中未顯示之開閉機構而構成為可相對於側壁101b開閉。在關閉蓋體101c之狀態下，蓋體101c與各側壁101b的接合部分係藉由O型環120而密封，以維持處理容器101內的氣密性。蓋體101c外側係設置有圍繞蓋體101c的周圍而作為「散熱抑制組裝體」之散熱抑制單元121。散熱抑制單元121係組合複數板材122所構成。散熱抑制單元121的各板材122係安裝在蓋體101c所配設之間隔物123。此外，蓋體101c外側亦可不設置散熱抑制單元121。又，由於散熱抑制單元121的基本結構與散熱抑制單元105相同，因此省略詳細說明。
處理容器101內的底部係配置有框狀絕緣組件110。絕緣組件110上係設置有可載置基板S之載置台(晶座111)。亦為下部電極之晶座111係具備有基材112。基材112係由例如鋁或不鏽鋼(SUS)等導電性材料所形成。基材112係配置於絕緣組件110上，兩組件的接合部分係配置有O型環等密封組件113以維持氣密性。絕緣組件110與處理容器101的底壁101a之間亦藉由O型環等密封組件114來維持氣密性。基材112的側部外圍係圍繞有絕緣組件115。藉此，便能夠確保晶座111側面的絕緣性，而防止電漿處理時的異常放電。
晶座111上方係設置有與該晶座111呈平行且對向而具有上部電極功能之噴淋頭131。噴淋頭131係被支撐於處理容器101上部的蓋體101c。噴淋頭131為中空狀，其內部設置有氣體擴散空間133。又，噴淋頭131的下面(對向於晶座111之面)係形成有噴出處理氣體之複數氣體噴出孔135。該噴淋頭131為接地狀態，而與晶座111一同構成一對平行平板電極。
噴淋頭131的上部中央附近係設置有氣體導入口137。該氣體導入口137係連接有處理氣體供應管139。該處理氣體供應管139係透過2個閥體141、141及流量控制器143而連接有供應蝕刻用處理氣體之氣體供應源145。處理氣體除了例如鹵素系氣體或O2 氣體以外，可使用Ar氣體等稀有氣體等。
靠近該處理容器101內的4個角落之位置係於4個部位處形成有貫穿底壁101a之排氣用開口151。各排氣用開口151係連接有排氣管153。排氣管153係於其端部具備有凸緣部153a，而在該凸緣部153a與底壁101a之間介設有O型環(圖中未顯示)之狀態下被加以固定。排氣管153係連接於排氣裝置155。排氣裝置155的結構為具有例如渦輪分子幫浦等真空幫浦，藉此便能夠將處理容器101內真空抽氣至特定的減壓氛圍。
又，雖省略圖示，但處理容器101的側壁101b係設置有藉由閘閥而開閉之基板S的搬送用開口部或可目視確認處理容器101內部之穿透窗。
晶座111的基材112係連接有供電線171。該供電線171係透過匹配箱(M.B.)173而連接有高頻電源175。藉此，便能夠從高頻電源175將例如13.56MHz的高頻電功率供應至作為下部電極之晶座111。此外，供電線171係透過底壁101a所形成之作為貫穿開口部的供電線用開口177而被導入至處理容器101內。
接下來，詳細說明散熱抑制單元105。散熱抑制單元105係覆蓋處理容器101之各側壁101b外壁面的一部分或大致整面般地沿著側壁101b配置。本實施型態中，散熱抑制單元105的板材106係配置為覆蓋自處理容器101的側壁101b上端(與蓋體101c的交界)稍下方位置處起至側壁101b的下端附近。當處理容器101的側壁101b配置有閘閥、基板S的搬送用開口部或用以確認電漿狀態之穿透窗等時，較佳地係避開該部分來配置散熱抑制單元105，而並非一定要覆蓋側壁101b整面。
散熱抑制單元105的結構為包含有複數板材106與支撐其之間隔物107。構成散熱抑制單元105之板材106可使用例如不鏽鋼，或與處理容器101同樣地使用鋁、鋁合金等金屬材料，抑或具耐熱性的樹脂材料。
各板材106可為任意形狀，例如矩形的板狀。本實施型態中，各板材106係具有面積小於處理容器101的一個側壁101b的面積之平面之板狀組件。此外，各板材106的大小可相同，或各自相異。又，各板材106的形狀可皆為相同形狀，或各自相異。又，使處理容器101為圓筒狀時，散熱抑制單元105可為直徑大於處理容器101之圓筒形圍柵。此時，板材106可為將圓筒分割成任意數量之曲面形狀。
如圖2所示，本實施型態中，板材106的上端附近係彎折成L形，其彎折部106a係勾掛在配列於最上部的間隔物107上面。彎折部106a的作用在於防止板材106的上端與間隔物107之間產生間隙而導致空氣絕熱部180的空氣逃逸至上方。又，藉由設置有彎折部106a，則將板材106安裝在間隔物107時的安裝作業或定位便較容易。此外，板材106亦可不具有彎折部106a。
由於板材106亦具有統整處理容器101外觀之設計上的效果，因此可取代裝飾板。亦即，藉由配置板材106，便不需在處理容器101配置裝飾板。
各板材106係安裝在處理容器101之側壁101b外壁面所配設之間隔物107。各板材106係藉由介設有間隔物107而與處理容器101分離安裝。處理容器101的側壁101b與板材106之間所形成之空間係形成了空氣絕熱部180。處理容器101之側壁101b與板材106的距離(即空氣絕熱部180的厚度)則考慮所需之絕熱效果與對大型處理容器的適用來決定即可。本實施型態中，較佳為例如5mm至20mm左右，更佳為7mm至12mm左右。又，空氣絕熱部180的厚度只要為所需厚度以上便可非為一定的厚度，例如可使側壁101b的上側部分較下側部分要厚。
本實施型態之散熱抑制單元105係藉由組合使用複數片較處理容器101的側壁101b要小的板材106，則即使處理容器101係以大型基板S為處理對象之大型容器，仍可無障礙地進行安裝或拆卸。又，由於散熱抑制單元105係組合較側壁101b要小的複數板材106所構成，因此可配合處理容器101的形狀來改變板材106的大小或形狀並加以配置。於是，便可在使用間隔物107來將空氣絕熱部180的厚度維持在所需厚度之情況下配置板材106，從而可獲得優異的絕熱效率。假設，當採用以大框體來覆蓋處理容器101整體之構造(例如專利文獻1)時，由於難以適用在大型處理容器，且處理容器與框體之間的間隔非為一定，因此空氣絕熱效果便會依部位而異，而有無法獲得充分的散熱抑制效果之情況。
又，為了避免熱直接從處理容器101傳導至板材106，因此各板材106較佳宜不具有面接觸於處理容器101的側壁101b之部分，更佳宜使板材106與處理容器101為完全未接觸之狀態。
又，板材106的內面(對向於處理容器101的側壁101b外壁面之面)較佳宜預先施予鏡面加工等以成為反射率高的狀態。藉由預先對板材106內面施予鏡面加工，便會反射從處理容器101所放射之紅外線，而抑制散熱至外部，從而可提高空氣絕熱部180的絕熱性能。
間隔物107係具有以一定間隔來將板材106固定在處理容器101的側壁101b之功能。亦即，間隔物107係具有支撐、固定板材106之功能，以及介設於板材106與側壁101b之間來確保空氣絕熱部180的厚度之功能。間隔物107可由能夠耐受處理容器101的溫度且熱傳導率小的絕熱材料料所形成。藉由以絕熱材料料來形成間隔物107，便可抑制熱透過間隔物107而從處理容器101傳導至板材106。絕熱材料料可使用例如聚碳酸酯樹脂、氟樹脂、聚醯亞胺、聚醯胺醯亞胺、聚苯硫醚、聚醚碸、聚碸、環氧玻璃等樹脂材料；或氟橡膠、矽橡膠、氟矽橡膠、全氟多醚系橡膠、壓克力橡膠、乙丙烯橡膠等橡膠材料等。
圖3係顯示處理容器101的任意側壁101b外壁面處之間隔物107的配設例之側面圖。如圖3所示，範例中係於一個側壁101b的外壁面配設有縱橫各3個(總共9個)間隔物107。此外，間隔物107的配設位置、配設個數只要能夠固定複數板材106則未特別限定。又，本實施型態雖係使間隔物107為長條角柱形，但其形狀並未特別限定。間隔物107可為俯視觀之呈例如L形或十字形，抑或四角形等框狀或ㄈ字形(U字形)。
圖4係顯示在圖3狀態下所設置之間隔物107安裝板材106，並於處理容器101配置有散熱抑制單元105之狀態。圖4中以虛線清楚地顯示間隔物107的位置。此範例係在一個側壁101b外側安裝3片板材106A、106B、106C。此外，一個側壁101b所配置之板材106的片數不限定於3片，可配合處理容器101的大小來選擇任意片數。
間隔物107係藉由螺絲108而固定在處理容器101。又，板材106為了盡量減少熱透過螺絲108而從處理容器101傳導至板材106，因此便利用其他螺絲109來將固定間隔物107的螺絲108固定在間隔物107。此外，只要是熱傳導小的螺絲，則亦可將間隔物107與板材106一同鎖固於處理容器101。又，用以固定間隔物107及板材106之機構不限於螺絲108、109。例如，利用在間隔物107與板材106設置公型、母型的嵌合構造，或將板材106勾掛在間隔物107之方法，亦可更容易裝卸地將板材106安裝在間隔物107。
板材106A與板材106B的接合部，及板材106B與板材106C的接合部係分別以些微寬度(例如2~10cm)相重疊，而構成盡量使空氣絕熱部180的空氣不會溢漏至外部之結構。具體來說，例如圖5所示，板材106B的端部附近係向外側彎折，而如同自外側覆蓋板材106A的端部般地相重疊。圖6係顯示散熱抑制單元105的角落部之剖面。散熱抑制單元105的角落部中，板材106A係沿著處理容器101角落的形狀而大致直角地彎折。然後，板材106A的端部係如同自外側覆蓋般地重疊接合於板材106D(圖4中未顯示)的端部，該板材106D係覆蓋與圖3、圖4所示之側壁101b呈直交的相鄰側壁101b。此外，散熱抑制單元105之角落部的形狀考慮了安全性等，可為圓弧狀或以複數個鈍角彎折之形狀。
如此地，藉由重疊板材106的端部彼此來組裝散熱抑制單元105，便可消除板材106接合部分的間隙，以制空氣絕熱部180的空氣溢漏至外部。鄰接之板材106彼此相重疊的部分亦可以例如圖中未顯示之螺絲等來加以固定。此外，板材106的端部彼此亦可不相重疊，而是利用別的組件來覆蓋板材106之端部間的間隙。
又，利用間隔物107便可封閉空氣絕熱部180。圖7係顯示為了固定板材106的上端及下端，而於側壁101b的上部及下部配設有長度與側壁101b的橫向長度大致相等的長條狀間隔物107A之構成例。側壁101b上下方向的略中間位置處配置有與圖3相同形狀的間隔物107。藉由使用長條狀間隔物107A，便能夠在板材106的上端及下端附近封閉空氣絕熱部180。亦即，空氣絕熱部180的上下會因間隔物107A而被密閉，如此便能夠抑制空氣絕熱部180的空氣逃逸至外部，從而提高絕熱效率。取代圖7的長條狀間隔物107A，而藉由無間隙地橫向連續配置較短間隔物107，則亦可獲得同樣的效果。此外，圖7所示之範例中，雖係於側壁101b的上部與下部兩者皆設置有長條狀間隔物107A，但側壁101b左右的端部亦可沿著該端部而設置有間隔物107A，來使空氣絕熱部180的上下左右藉由間隔物107A而被密閉。另一方面，例如亦可僅於側壁101b的上部設置長條狀間隔物107A，而只有將空氣絕熱部180的上部封閉。
接下來，針對上述方式構成之電漿蝕刻裝置200的處理動作加以說明。首先，在圖中未顯示之閘閥為開放狀態下，經由基板搬送用開口並利用圖中未顯示之搬送裝置的叉具來將被處理體(基板S)搬入至處理容器101內而傳遞至晶座111。之後，關閉閘閥，並利用排氣裝置155來將處理容器101內真空抽氣至特定的真空度。
接下來，打開閥體141，而從氣體供應源145將處理氣體經由處理氣體供應管139及氣體導入口137導入至噴淋頭131的氣體擴散空間133。此時，利用流量控制器143來進行處理氣體的流量控制。被導入至氣體擴散空間133之處理氣體會更進一步地經由複數噴出孔135而被均勻地噴出至晶座111上所載置之基板S，處理容器101內的壓力會被維持在特定值。
於此狀態下，從高頻電源175將高頻電功率透過匹配箱173而施加至晶座111。藉此，便會在作為下部電極之晶座111與作為上部電極之噴淋頭131之間產生高頻電場，使得處理氣體解離並電漿化。藉由該電漿來對基板S施予蝕刻處理。
施予蝕刻處理後，停止來自高頻電源175之高頻電功率的施加，停止氣體導入後，將處理容器101內減壓至特定的壓力。接下來，打開閘閥，從晶座111將基板S傳遞至圖中未顯示之搬送裝置的叉具，並從處理容器101的搬送用開口部將基板S搬出。藉由以上的操作，則對基板S所進行之電漿蝕刻處理便結束。
以上的處理過程中，電漿蝕刻裝置200係利用散熱抑制單元105來圍繞處理容器101周圍而形成空氣絕熱部180，如此便可提高處理容器101所設置之熱媒體流道101d的溫度調節效率。從而可獲得抑制處理容器101內沉積物的附著，或提高電漿蝕刻處理的基板面內均勻性之效果。又，由於散熱抑制單元105係組合有複數板材106之組裝構造，因此容易安裝、拆卸，而亦適於大型的處理容器101。又，由於散熱抑制單元105係由板材106所構成，因此幾乎不會成為微塵粒子產生的原因。
此外，板材106亦可由金屬材料以外的材質所構成。圖8係顯示利用可見光穿透性透明材料來形成板材106之變形例。可利用於板材106之透明材料可舉例有例如壓克力樹脂或聚碳酸酯樹脂等。藉由使用透明材料作為板材106的材質，便可改善電漿蝕刻裝置200的目視確認度。例如當處理容器101的側壁101b設置有用以確認其內部(處理室)之穿透窗(圖中未顯示)時，即使不避開該穿透窗的配設位置，而自其外側以散熱抑制單元105來加以覆蓋，仍可經由透明的板材106及穿透窗來確認處理室內的狀態。此時，亦可只將對應於穿透窗的配設位置之部分置換為透明板材106。
圖9係顯示於板材106的內面(與處理容器101之側壁101b外壁面呈對向之面)設置有紅外線反射層190之變形例。紅外線反射層190可藉由於板材106表面塗佈紅外線反射塗料，或層積紅外線反射膜來形成。紅外線反射塗料可使用例如ATTSU-9(商品名；Nippon Paint Co.,Ltd公司製)等。紅外線反射膜可使用例如Nano70S(商品名；Sumitomo 3M Limited公司製)等。此外，如圖8所例示，利用透明材料來形成板材106時，較佳宜使用可見光穿透性的紅外線反射塗料或可見光穿透性的紅外線反射膜來形成紅外線反射層190。可見光穿透性的紅外線反射膜可使用例如Nano80S(商品名；Sumitomo 3M Limited公司製)等。
[第2實施型態]
接下來，參照圖10來針對本發明處理裝置之第2實施型態的電漿蝕刻裝置加以說明。圖10係放大顯示對應於第1實施型態中之圖2之處理容器101的主要部份剖面之圖式。此外，以下的說明主要係針對與第1實施型態的相異點加以說明，而第2實施型態中與第1實施型態相同的結構則省略說明。
如圖10所示，本實施型態之電漿蝕刻裝置的散熱抑制單元201係具備有靠近側壁101b之內側板材202，與配置於該內側板材202外側之外側板材203。藉此，空氣絕熱部便成為內側絕熱部180a與外側絕熱部180b的二道絕熱構造。內側絕熱部180a係藉由介設有第1間隔物204所區劃之側壁101b的外壁與內側板材202之間的空間。外側絕熱部180b係藉由介設有第2間隔物205所區劃之內側板材202與外側板材203之間的空間。
處理容器101外壁係藉由例如螺絲而固定有第1間隔物204，於該第1間隔物204固定有內側板材202。透過該內側板材202而於第1間隔物204固定有第2間隔物205，更進一步地，外側板材203係被固定在該第2間隔物205。內側板材202、外側板材203及第2間隔物205的固定可藉由例如螺絲來進行。
又，處理容器101的外壁亦可藉由例如螺絲而固定有第1間隔物204，而第2間隔物205與內側板材202係藉由貫穿該等之螺絲而固定在第1間隔物204，更進一步地，外側的板材203、第2間隔物205與內側的板材202係藉由貫穿該等之螺絲而固定在第1間隔物204。
又，處理容器101的外壁亦可藉由例如螺絲而固定有第1間隔物204，而第2間隔物205、內側板材202與第1間隔物204係藉由貫穿該等之螺絲而固定在處理容器101外壁，更進一步地，外側的板材203、第2間隔物205與內側的板材202係藉由貫穿該等之螺絲而固定在第1間隔物204。
再者，例如亦可在內側板材202與外側板材203之間預先組裝配置有第2間隔物205之物，再將其固定在第1間隔物204。
藉由如上所述地使空氣絕熱部為二道構造，便可更加提高來自處理容器101之散熱抑制效果。
本實施型態之散熱抑制單元201的內側板材202彼此及外側板材203彼此之接合部分的構造係與第1實施型態相同。又，與第1實施型態的板材106同樣地，內側板材202及外側板材203可皆由透明材料所構成，又，內側板材202及外側板材203的內壁面(處理容器101側的面)可施予鏡面加工，或設置有紅外線反射層。
又，一個處理容器101中，亦可配合部位來組合設置有1道空氣絕熱部(參照第1實施型態)之部分與設置有2道空氣絕熱部之部分。藉由例如於處理容器101中配置有散熱抑制單元，便可實現有效的散熱抑制，其中該散熱抑制單元係在散熱特別多的部位設置2道空氣絕熱部，而其他部位則設置1道空氣絕熱部。此外，空氣絕熱部不限於2道，亦可為3道以上。如上所述，亦可藉由部分或整體性多重地配置板材，來部分或整體性多層地設置空氣絕熱部。
由於第2實施型態的其他結構及效果與係第1實施型態相同，因此省略說明。
以上，雖為了例示之目的而詳細說明了本發明實施型態，但本發明不限於上述實施型態。本發明所屬技術領域中具通常知識者應當可在未脫離本發明思想及範疇下思及更多變化，而該等當然亦屬於本發明範圍內。例如上述實施型態雖係舉平行平板電漿處理裝置為例，但本發明亦可適用於例如感應耦合電漿處理裝置、表面波電漿處理裝置、ECR(Electron Cyclotron Resonance)電漿處理裝置、螺旋波電漿處理裝置等其他方式的電漿處理裝置。又，若為處理室內必需要溫度調節之裝置的話則不限於乾蝕刻裝置，而亦可同等地適用於成膜裝置或灰化裝置等。
又，本發明不限於以FPD用基板作為被處理體，而亦可適用於以例如半導體晶圓或太陽能電池用基板作為被處理體的情況。
又，上述各實施型態的放熱抑制單元亦可適用於未具備有溫度調節機構之處理容器。
S．．．基板
101．．．處理容器
101a．．．底壁
101b．．．側壁
101c．．．蓋體
101d．．．熱媒體流道
102．．．導入管
103．．．排出管
104．．．冷卻器單元
105．．．散熱抑制單元
106．．．板材
106a．．．彎折部
106A、106B、106C、106D．．．板材
107．．．間隔物
107A．．．長條狀間隔物
108、109．．．螺絲
110．．．絕緣組件
111．．．晶座
112．．．基材
113、114．．．密封組件
115．．．絕緣組件
120．．．O型環
121．．．散熱抑制單元
122．．．板材
123．．．間隔物
131．．．噴淋頭
133．．．氣體擴散空間
135．．．氣體噴出孔
137．．．氣體導入口
139．．．處理氣體供應管
141．．．閥體
143．．．流量控制器
145．．．氣體供應源
151．．．排氣用開口
153．．．排氣管
153a．．．凸緣部
155．．．排氣裝置
171．．．供電線
173．．．匹配箱(M.B.)
175．．．高頻電源
177．．．供電線用開口
180．．．空氣絕熱部
180a．．．內側絕熱部
180b．．．外側絕熱部
190．．．紅外線反射層
200．．．電漿蝕刻裝置
201．．．散熱抑制單元201
202．．．內側板材
203．．．外側板材
204．．．第1間隔物
205．．．第2間隔物
圖1係概略顯示本發明第1實施型態之電漿蝕刻裝置的結構之剖面圖。
圖2為圖1之電漿蝕刻裝置的主要部份剖面圖。
圖3係顯示圖1之電漿蝕刻裝置中之間隔物的配設例之側面圖。
圖4係顯示圖1之電漿蝕刻裝置中，安裝有板材狀態之側面圖。
圖5為圖4中之5-5線箭頭的主要部份剖面圖。
圖6為圖4中之6-6線箭頭的主要部份剖面圖。
圖7係顯示圖1之電漿蝕刻裝置中之間隔物的其他配設例之側面圖。
圖8係顯示板材的變形例剖面圖。
圖9係顯示板材的其他變形例之剖面圖。
圖10為本發明第2實施型態之電漿蝕刻裝置的主要部份剖面圖。
S．．．基板
101．．．處理容器
101a．．．底壁
101b．．．側壁
101c．．．蓋體
101d．．．熱媒體流道
102．．．導入管
103．．．排出管
104．．．冷卻器單元
105．．．散熱抑制單元
106．．．板材
107．．．間隔物
110．．．絕緣組件
111．．．晶座
112．．．基材
113、114．．．密封組件
115．．．絕緣組件
120．．．O型環
121．．．散熱抑制單元
122．．．板材
123．．．間隔物
131．．．噴淋頭
133．．．氣體擴散空間
135．．．氣體噴出孔
137．．．氣體導入口
139．．．處理氣體供應管
141．．．閥體
143．．．流量控制器
145．．．氣體供應源
151．．．排氣用開口
153．．．排氣管
153a．．．凸緣部
155．．．排氣裝置
171．．．供電線
173．．．匹配箱(M.B.)
175．．．高頻電源
177．．．供電線用開口
180．．．空氣絕熱部
200．．．電漿蝕刻裝置

Claims (11)

  1. 一種處理裝置，其具備有：處理容器，係形成對被處理體進行處理之處理室；及散熱抑制組裝體，係組裝有自外側覆蓋該處理容器外壁面之複數板材；其中係藉由使該板材相對於該處理容器外壁面呈分離配置，而於該處理容器與該散熱抑制組裝體之間具有空氣絕熱部；在鄰接之板材的接合部處相重疊，一板材的端部呈彎曲，而覆蓋鄰接之另一板材的端部。
  2. 如申請專利範圍第1項之處理裝置，其中該板材係由金屬或樹脂所構成。
  3. 如申請專利範圍第1項之處理裝置，其中該板材之對向於該處理容器的面係經鏡面加工。
  4. 如申請專利範圍第1項之處理裝置，其中該板材之對向於該處理容器的面係具有紅外線反射層。
  5. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之處理裝置，其中該板材的至少其中一部份係由可見光穿透性材質所形成。
  6. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之處理裝置，其中該處理容器外壁面係設置有間隔物組件，而將該板材固定於該間隔物組件。
  7. 如申請專利範圍第6項之處理裝置，其係藉由該間 隔物組件來封閉該空氣絕熱部。
  8. 如申請專利範圍第6項之處理裝置，其中該間隔物組件係由絕熱性材質所形成。
  9. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之處理裝置，其中該空氣絕熱部的厚度為5mm至20mm之範圍內。
  10. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之處理裝置，其係藉由部分或整體性多重地配置該板材，來部分或整體性多層地設置該空氣絕熱部。
  11. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之處理裝置，其中該被處理體為長邊超過2m的矩形基板。
TW100105891A 2010-02-24 2011-02-23 Processing device TWI508165B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010038075A JP5582819B2 (ja) 2010-02-24 2010-02-24 処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201203349A TW201203349A (en) 2012-01-16
TWI508165B true TWI508165B (zh) 2015-11-11

Family

ID=44602508

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW100105891A TWI508165B (zh) 2010-02-24 2011-02-23 Processing device

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP5582819B2 (zh)
KR (1) KR101302788B1 (zh)
CN (2) CN105957791B (zh)
TW (1) TWI508165B (zh)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102011056823A1 (de) * 2011-12-21 2013-06-27 Thyssen Krupp Steel Europe AG Düseneinrichtung für einen Ofen zum Wärmebehandeln eines Stahlflachprodukts und mit einer solchen Düseneinrichtung ausgestatteter Ofen
TWI628689B (zh) * 2013-05-09 2018-07-01 瑪森科技公司 用於保護電漿處理系統中之真空密封的系統與方法
JP6700156B2 (ja) * 2016-11-16 2020-05-27 株式会社ニューフレアテクノロジー 成膜装置
JP6633030B2 (ja) * 2017-07-14 2020-01-22 本田技研工業株式会社 レーザ遮光装置
CN109727838B (zh) * 2017-10-31 2021-09-17 北京北方华创微电子装备有限公司 一种等离子体产生腔及半导体加工设备

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006284077A (ja) * 2005-03-31 2006-10-19 Kumamoto Technology & Industry Foundation 熱輻射反射炉
TW200733197A (en) * 2005-10-18 2007-09-01 Tokyo Electron Ltd Processing apparatus
JP2008522804A (ja) * 2004-12-08 2008-07-03 トータル・フランス チャンバー用内部トレイ

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61287223A (ja) * 1985-06-14 1986-12-17 Fujitsu Ltd 熱処理炉
CN2225835Y (zh) * 1994-06-08 1996-05-01 周晨曦 便携式食品保温箱
JP4442171B2 (ja) * 2003-09-24 2010-03-31 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置
CN100477091C (zh) * 2005-10-18 2009-04-08 东京毅力科创株式会社 处理装置
SG146607A1 (en) * 2007-05-04 2008-10-30 Asm Tech Singapore Pte Ltd Multi-layer thermal insulation for a bonding system

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008522804A (ja) * 2004-12-08 2008-07-03 トータル・フランス チャンバー用内部トレイ
JP2006284077A (ja) * 2005-03-31 2006-10-19 Kumamoto Technology & Industry Foundation 熱輻射反射炉
TW200733197A (en) * 2005-10-18 2007-09-01 Tokyo Electron Ltd Processing apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
JP5582819B2 (ja) 2014-09-03
CN105957791B (zh) 2018-07-10
KR101302788B1 (ko) 2013-09-02
JP2011176066A (ja) 2011-09-08
CN102194638A (zh) 2011-09-21
KR20110097679A (ko) 2011-08-31
CN105957791A (zh) 2016-09-21
TW201203349A (en) 2012-01-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI508165B (zh) Processing device
KR101312676B1 (ko) 액티브 냉각 기판 지지체
KR101876873B1 (ko) 플라즈마 처리 장치
JP5396256B2 (ja) プラズマ処理装置
JP4782733B2 (ja) 載置台およびそれを用いたプラズマ処理装置
US20050000430A1 (en) Showerhead assembly and apparatus for manufacturing semiconductor device having the same
JP4878782B2 (ja) プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
TWI772430B (zh) 電漿處理裝置及氣體噴淋頭
JP5329072B2 (ja) 処理容器およびプラズマ処理装置
TWI508207B (zh) Vacuum containers and plasma processing devices
JP5593418B2 (ja) 処理容器およびプラズマ処理装置
JP6063741B2 (ja) プラズマ処理容器及びプラズマ処理装置
US20150152555A1 (en) Process module
KR20110107749A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP2006253312A (ja) プラズマ処理装置
JP6473332B2 (ja) セグメント化されたアンテナアセンブリおよびプラズマ発生装置
KR101441481B1 (ko) 회전형 캐소드 및 이를 구비한 스퍼터 장치
KR101537986B1 (ko) 기판처리장치
JP4190949B2 (ja) プラズマ処理装置
US20220064799A1 (en) Vacuum processing apparatus
JP2000012291A (ja) プラズマ処理装置
TWI503907B (zh) 基板處理設備
JP2021019098A (ja) 第一導電性部材と第二導電性部材の接合構造と接合方法、及び基板処理装置