JP4878782B2 - プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 - Google Patents
プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4878782B2 JP4878782B2 JP2005196555A JP2005196555A JP4878782B2 JP 4878782 B2 JP4878782 B2 JP 4878782B2 JP 2005196555 A JP2005196555 A JP 2005196555A JP 2005196555 A JP2005196555 A JP 2005196555A JP 4878782 B2 JP4878782 B2 JP 4878782B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vacuum
- waveguide
- plasma
- pressure
- processing chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32192—Microwave generated discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
- H01J37/32816—Pressure
- H01J37/32834—Exhausting
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
Description
一端が電磁波を導入させると共に気密を保持するための誘電体部材を介して、前記電磁波発生源側と接合し、前記電磁波を伝播し、対向する他端部に導波管端部材を介して排気ポートに接続され、真空状態に減圧される複数の真空導波管と、前記複数の真空導波管、スロット及び誘電体部材を介して気密に係合された処理チャンバと、前記複数の真空導波管内誘電体部材の近傍に設けられた圧力センサおよび前処理チャンバ内に設けられた圧力センサの出力値を監視することにより前記複数の真空導波管内の圧力を、前記処理チャンバ内の圧力よりも低い圧力に制御するように設けられた排気システムと、からなる前記処理チャンバ内に搬入された被処理基板を処理するに際し、前記排気システムにより前記各真空導波管が同時に同じ真空度となり、該真空度が前記処理チャンバ内の圧力に対して少なくとも1.33×10-2Paより低圧に排気する工程と、前記電磁波発生源からの電磁波を前記複数の真空導波管内に伝搬させ、前記処理チャンバ内に導入させる工程と、前記処理チャンバ内に発生するプラズマの電子密度をカットオフ密度より高めることにより前記誘電体部材表面に表面波を伝搬させる工程と、この表面波により前記誘電体部材の全表面に表面波プラズマを発生させる工程と、前記表面波プラズマにより生成された活性粒子によりプロセスガスを励起して前記被処理基板を処理する工程と、を具備するプラズマを用いた処理方法を提供する。
この実施形態は、内部を所定の真空度に保持する導波管を搭載する処理チャンバを有するプラズマを用いた処理装置である。このプラズマを用いた処理装置は、処理チャンバ内と導波管内の気圧差を大気圧との差に比べて減少させて、これらの間に設けられている電磁波(以下、マイクロ波と称する)を入射させるためのスロット板及び誘電体窓へ掛かる応力を減少させる技術である。さらに、このプラズマを用いた処理装置は、導波管内を所定の真空度に保つことにより、プラズマ発生期間における処理チャンバ内及び/又は導波管内に発生する異常放電を防止し、且つ無磁場のマイクロ波放電による均一で高密度な大面積の表面波プラズマを生成する装置である。
このスロット板4は、金属材料により板状に形成され、真空導波管13内に伝播されるマイクロ波を処理チャンバ1に放射するための孔(貫通穴)からなる複数のスロット4aが、スロット板全面に亘り均一的に開口されている。本実施形態では、図3に示すように、2列で千鳥配置された例を示している。この例では、スロット4aの形状を長方形としているが勿論、これに限定されるものではない。
まず、本実施形態における処理チャンバ1内の基板ステージ7に被処理基板6を装填する。処理チャンバ1及びマイクロ波放射システム5の真空導波管13を気密にした後、それぞれを排気システムにより排気し、処理チャンバ1内をプロセス工程に基づいた真空度まで排気し、一方、真空導波管13内は少なくとも1×10-4torr(1.33×10-2Pa)程度まで排気し維持する。その後、処理チャンバ1内にガス供給源よりプロセス工程に従うプロセスガスを導入して、予め定めた真空度における雰囲気を設定する。
前述した第1の実施形態では、プラズマ処理装置には各1つの電磁波源11と真空導波管13等によるマイクロ波放射システムを搭載した例について説明している。実際に、このようなマイクロ波を用いる真空導波管13をプラズマ処理装置に搭載した場合、被処理基板がシリコンウエハ程度の直径(最大300mm程度)を有する比較的小面積のものであれば、各1つの電磁波源11と真空導波管13によるマイクロ波放射システムでも実現できる。しかし、被処理基板が表示面積の大面積化が求められているディスプレスに用いられる。例えば、45インチ(約1m)以上の液晶デバイス基板等であれば、処理チャンバもこれに対応できる大きさを有し、マイクロ波放射システムにおいても対応させなければならない。
Claims (5)
- 電磁波を発生する電磁波発生源と、
一端が電磁波を導入させると共に気密を保持するための誘電体部材を介して、前記電磁波発生源側と接合し、該電磁波発生源から発射された前記電磁波が入射し、対向する他端部に導波管端部材を介して排気ポートに接続され、真空状態に減圧された導波路を伝播させる複数の真空導波管と、
前記複数の真空導波管と気密に係合され、前記複数の真空導波管からスロットを経て放射された電磁波により発生したプラズマを用いて処理を施す処理チャンバと、
前記複数の真空導波管内を測定する圧力センサから出力された圧力が前記処理チャンバ内を測定する圧力センサから出力された圧力よりも低い圧力に設定されるように設けられた排気システムと、
を具備し、
前記複数の真空導波管は同じ真空度となるように、排気量が調整可能に構成されているものであり、
前記導波管端部材は、前記電磁波の波長より径が小さい多数の排気孔を有し、前記電磁波を遮断し、ガスを透過させるものであり、
前記排気システムは前記複数の導波管内の圧力が前記処理チャンバ内の処理中の圧力に対して少なくとも1.33×10-2Paより低圧に排気するように制御するものであることを特徴とするプラズマを用いた処理装置。 - 前記複数の真空導波管は、前記電磁波発生源側端部にこの電磁波発生源からの電磁波を通過させ気密封止する誘電体隔壁と、他端に前記電磁波を遮断し、ガスを通過させる少なくとも表面が高抵抗材料や誘電損失の大きい材料の導波管端部材を設けてなることを特徴とする請求項1に記載のプラズマを用いた処理装置。
- 前記複数の真空導波管と前記処理チャンバとの接合面には、前記複数の真空導波管を伝播した電磁波が前記処理チャンバ内に通過し、前記複数の真空導波管内の圧力を前記処理チャンバ内の圧力より低圧に設定できる誘電体部材を気密に設けてなり、前記誘電体部材表面に表面波を伝播させることができ、表面波プラズマによる面内均一性の高いプラズマを発生させることを特徴とする請求項1に記載のプラズマを用いた処理装置。
- 電磁波を遮断し、ガスを通過させる導波管端部材は、電磁波を反射及び吸収の少なくとも一方の機能を有し、前記電磁波の波長以下の孔径を有する孔を有することを特徴とする請求項2に記載のプラズマを用いた処理装置
- 電磁波を発生する電磁波発生源と、
一端が電磁波を導入させると共に気密を保持するための誘電体部材を介して、前記電磁波発生源側と接合し、前記電磁波を伝播し、対向する他端部に導波管端部材を介して排気ポートに接続され、真空状態に減圧される複数の真空導波管と、
前記複数の真空導波管、スロット及び誘電体部材を介して気密に係合された処理チャンバと、
前記複数の真空導波管内を測定する圧力センサから出力された圧力が前記処理チャンバ内を測定する圧力センサから出力された圧力よりも低い圧力に設定されるように設けられた排気システムと、
からなる前記処理チャンバ内に搬入された被処理基板を処理する方法であって、
前記排気システムにより前記複数の真空導波管が同時に同じ真空度となり、該真空度が前記処理チャンバ内の圧力に対して少なくとも1.33×10−2Paより低圧に排気する工程と、
前記電磁波発生源からの電磁波を前記複数の真空導波管内に伝搬させ、前記処理チャンバ内に導入させる工程と、
前記処理チャンバ内に発生するプラズマの電子密度をカットオフ密度より高めることにより前記誘電体部材表面に表面波を伝搬させる工程と、
この表面波により前記誘電体部材の全表面に表面波プラズマを発生させる工程と、
前記表面波プラズマにより生成された活性粒子によりプロセスガスを励起して
前記被処理基板を処理する工程と、
を具備してなることを特徴とするプラズマを用いた処理方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005196555A JP4878782B2 (ja) | 2005-07-05 | 2005-07-05 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
PCT/JP2006/313123 WO2007004576A1 (ja) | 2005-07-05 | 2006-06-30 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
TW095124058A TW200704291A (en) | 2005-07-05 | 2006-06-30 | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
US11/969,500 US20080105650A1 (en) | 2005-07-05 | 2008-01-04 | Plasma processing device and plasma processing method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005196555A JP4878782B2 (ja) | 2005-07-05 | 2005-07-05 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007018771A JP2007018771A (ja) | 2007-01-25 |
JP4878782B2 true JP4878782B2 (ja) | 2012-02-15 |
Family
ID=37604441
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005196555A Expired - Fee Related JP4878782B2 (ja) | 2005-07-05 | 2005-07-05 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20080105650A1 (ja) |
JP (1) | JP4878782B2 (ja) |
TW (1) | TW200704291A (ja) |
WO (1) | WO2007004576A1 (ja) |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008159763A (ja) * | 2006-12-22 | 2008-07-10 | Canon Inc | プラズマ処理装置 |
ES2581378T3 (es) * | 2008-06-20 | 2016-09-05 | Volker Probst | Dispositivo de procesamiento y procedimiento para procesar productos de procesamiento apilados |
US20110168673A1 (en) * | 2008-07-04 | 2011-07-14 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus, plasma processing method, and mechanism for regulating temperature of dielectric window |
CN102308174B (zh) * | 2008-11-28 | 2015-08-05 | 福尔克尔·普洛波斯特 | 生产半导体层和由单质硒和/或单质硫处理的涂层衬底特别是平面衬底的方法 |
US8441494B2 (en) * | 2009-04-23 | 2013-05-14 | Vmware, Inc. | Method and system for copying a framebuffer for transmission to a remote display |
US20110079288A1 (en) * | 2009-10-01 | 2011-04-07 | Bruker Biospin Corporation | Method and apparatus for preventing energy leakage from electrical transmission lines |
JP5403151B2 (ja) * | 2010-03-31 | 2014-01-29 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置用誘電体窓、プラズマ処理装置、およびプラズマ処理装置用誘電体窓の取り付け方法 |
JP5762708B2 (ja) * | 2010-09-16 | 2015-08-12 | 国立大学法人名古屋大学 | プラズマ生成装置、プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
TWI427183B (zh) * | 2010-11-25 | 2014-02-21 | Ind Tech Res Inst | 電漿處理裝置 |
US11171008B2 (en) | 2011-03-01 | 2021-11-09 | Applied Materials, Inc. | Abatement and strip process chamber in a dual load lock configuration |
WO2012118886A2 (en) * | 2011-03-01 | 2012-09-07 | Applied Materials, Inc. | Vacuum chambers with shared pump |
US10453694B2 (en) | 2011-03-01 | 2019-10-22 | Applied Materials, Inc. | Abatement and strip process chamber in a dual loadlock configuration |
CN203205393U (zh) | 2011-03-01 | 2013-09-18 | 应用材料公司 | 用于转移基板及限制自由基的箍组件 |
US20130189838A1 (en) * | 2012-01-20 | 2013-07-25 | Makoto Honda | Semiconductor manufacturing apparatus and method of manufacturing semiconductor device |
WO2013130191A1 (en) | 2012-02-29 | 2013-09-06 | Applied Materials, Inc. | Abatement and strip process chamber in a load lock configuration |
US9625838B2 (en) | 2014-11-28 | 2017-04-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic apparatus, process cartridge, and image forming method |
US20200312629A1 (en) * | 2019-03-25 | 2020-10-01 | Recarbon, Inc. | Controlling exhaust gas pressure of a plasma reactor for plasma stability |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6231112A (ja) * | 1985-08-02 | 1987-02-10 | Fujitsu Ltd | マイクロ波プラズマ反応装置 |
US4859908A (en) * | 1986-09-24 | 1989-08-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Plasma processing apparatus for large area ion irradiation |
US4912367A (en) * | 1988-04-14 | 1990-03-27 | Hughes Aircraft Company | Plasma-assisted high-power microwave generator |
US6444037B1 (en) * | 1996-11-13 | 2002-09-03 | Applied Materials, Inc. | Chamber liner for high temperature processing chamber |
JP3807820B2 (ja) * | 1997-06-30 | 2006-08-09 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法 |
JP2000021599A (ja) * | 1998-06-30 | 2000-01-21 | Toshiba Corp | プラズマ発生装置 |
JP4441038B2 (ja) * | 2000-02-07 | 2010-03-31 | 東京エレクトロン株式会社 | マイクロ波プラズマ処理装置 |
WO2003037503A1 (fr) * | 2001-10-30 | 2003-05-08 | Setsu Anzai | Appareil a micro-ondes generateur de plasma |
JP2004235434A (ja) * | 2003-01-30 | 2004-08-19 | Rohm Co Ltd | プラズマ処理装置 |
JP3870909B2 (ja) * | 2003-01-31 | 2007-01-24 | 株式会社島津製作所 | プラズマ処理装置 |
JP2005044793A (ja) * | 2003-07-04 | 2005-02-17 | Advanced Lcd Technologies Development Center Co Ltd | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
KR101096950B1 (ko) * | 2004-03-19 | 2011-12-20 | 샤프 가부시키가이샤 | 플라즈마 처리장치 및 플라즈마 처리방법 |
JP2004328004A (ja) * | 2004-05-31 | 2004-11-18 | Toshiba Corp | プラズマ処理装置 |
-
2005
- 2005-07-05 JP JP2005196555A patent/JP4878782B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-06-30 TW TW095124058A patent/TW200704291A/zh unknown
- 2006-06-30 WO PCT/JP2006/313123 patent/WO2007004576A1/ja active Application Filing
-
2008
- 2008-01-04 US US11/969,500 patent/US20080105650A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW200704291A (en) | 2007-01-16 |
WO2007004576A1 (ja) | 2007-01-11 |
US20080105650A1 (en) | 2008-05-08 |
JP2007018771A (ja) | 2007-01-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4878782B2 (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
US8974628B2 (en) | Plasma treatment device and optical monitor device | |
KR101317018B1 (ko) | 플라즈마 처리 장치 | |
KR101258005B1 (ko) | 플라즈마 처리 장치 | |
KR101173268B1 (ko) | 플라즈마 처리 장치 | |
JP5082229B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
US7115184B2 (en) | Plasma processing device | |
US7728251B2 (en) | Plasma processing apparatus with dielectric plates and fixing member wavelength dependent spacing | |
JP4597792B2 (ja) | 処理ガス供給構造およびプラズマ処理装置 | |
KR20030004430A (ko) | 플라즈마 처리 장치 및 반도체 제조 장치 | |
JP2006244891A (ja) | マイクロ波プラズマ処理装置 | |
KR100501777B1 (ko) | 플라즈마 처리 장치 | |
JP5461040B2 (ja) | マイクロ波プラズマ処理装置 | |
JP5374853B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP3889280B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JPH10158847A (ja) | マイクロ波励起によるプラズマ処理装置 | |
JP2005044822A (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP2006253312A (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP4507113B2 (ja) | プラズマ発生装置及びプラズマ処理装置 | |
JP2980856B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP2004319871A (ja) | 処理装置、処理方法およびプラズマ処理装置 | |
JP2001118698A (ja) | 表面波励起プラズマの生成方法およびプラズマ発生装置 | |
JP4390604B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP2003045848A (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP7378317B2 (ja) | プラズマ処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20070313 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20070313 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080605 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100406 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20100513 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20100514 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100602 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110118 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20110831 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20111101 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20111129 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141209 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |