TWI505933B - The manufacturing method and the layered body of the layered body - Google Patents

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TWI505933B TW100116558A TW100116558A TWI505933B TW I505933 B TWI505933 B TW I505933B TW 100116558 A TW100116558 A TW 100116558A TW 100116558 A TW100116558 A TW 100116558A TW I505933 B TWI505933 B TW I505933B
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Description

積層體之製造方法及積層體
本發明係關於一種積層體之製造方法及積層體。
近年來，正進行太陽電池(PV)、液晶面板(LCD)、有機EL面板(OLED)等裝置(電子設備)之薄型化、輕量化，並進行用於該等裝置之基板之薄板化。另一方面，若由於薄板化而使基板之強度不足，則於裝置之製造步驟中，基板之操作性下降。
因此，先前廣泛採用在厚於最終厚度之基板上形成裝置用構件(例如薄膜電晶體)後，藉由化學蝕刻處理使基板薄板化之方法。然而，於該方法中，例如於將1片基板之厚度自0.7 mm薄板化成0.2 mm或0.1 mm之情形時，會利用蝕刻液，將原本之基板之材料削落一大半，故就生產性或原材料之使用效率之觀點而言欠佳。
又，於上述利用化學蝕刻之基板之薄板化方法中，於基板表面存在微細之損傷時，存在由於蝕刻處理而以損傷為起點形成微細之凹處(腐蝕坑)，從而形成光學缺陷之情形。
最近，為應對上述課題，提出準備積層有基板與加強板之積層體，於積層體之基板上形成裝置用構件後，自基板剝離加強板之方法(例如參照專利文獻1)。加強板包含玻璃板與固定於該玻璃板上之樹脂層，樹脂層與基板可剝離地密接。加強板自基板剝離後，可與新的基板積層而作為積層體再次利用。
先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：國際公開第07/018028號
然而，於上述先前之構成之積層體中，當將加強板自基板剝離時，存在加強板之樹脂層受到凝聚破壞，樹脂層之一部分附著於製品側之基板上之情形。一般認為其原因在於，根據裝置之製造步驟中之加熱處理或化學液處理之條件，樹脂層劣化，或者樹脂層與基板之密接強度上升。
本發明係鑒於上述課題而完成者，其目的在於提供一種剝離樹脂層與基板時，可抑制樹脂層受到凝聚破壞之積層體之製造方法、及積層體。
為解決上述目的，本發明之積層體之製造方法係如下者：其係包含基板、支持板及存在於其等之間之樹脂層的積層體之製造方法，且係包括將上述樹脂層形成於上述支持板上之步驟、及使上述樹脂層與上述基板可剝離地密接之步驟者，且包括於上述密接步驟之前，預先以聚矽氧油或矽烷偶合劑對將要密接之上述基板表面及上述樹脂層表面之至少一方進行處理之步驟，或者於形成上述樹脂層之步驟中，由含有聚矽氧油或矽烷偶合劑之樹脂形成上述樹脂層，其後，於上述密接步驟中使上述基板及上述樹脂層重疊密接。
於本發明之積層體之製造方法中，較佳為包括如下步驟：於將要密接之上述基板表面及上述樹脂層表面之至少一方塗佈聚矽氧油或矽烷偶合劑；於塗佈聚矽氧油之情形時，進行使聚矽氧油低分子量化之處理；於塗佈矽烷偶合劑之情形時，進行使矽烷偶合劑反應之處理；其後，於上述密接步驟中使上述基板及上述樹脂層重疊密接。又，較佳為利用聚矽氧油或矽烷偶合劑對所密接之上述基板表面進行表面處理，實施有上述處理之基板表面之水接觸角為90°以上。
於本發明之積層體之製造方法中，較佳為於將上述樹脂層形成於上述支持板上之步驟中，於上述支持板表面形成硬化性樹脂組合物層，繼而使該硬化性樹脂組合物硬化而形成上述樹脂層。
又，於本發明之積層體之製造方法中，較佳為上述樹脂層包含聚矽氧樹脂。
進而，於本發明之積層體之製造方法中，較佳為上述樹脂層包含有機烯基聚矽氧烷與有機氫聚矽氧烷之反應硬化物。
又，本發明之積層體係如下者：其係包含基板、支持板及存在於其等之間之樹脂層，上述樹脂層與上述基板可剝離地密接，上述樹脂層於上述支持板上以其等之間之剝離強度高於上述樹脂層與上述基板之間之剝離強度的方式而固定者，且所密接之上述基板表面及上述樹脂層表面之至少一方包含預先經聚矽氧油或矽烷偶合劑所處理之表面，或者上述樹脂層係由含有聚矽氧油或矽烷偶合劑之樹脂所形成者。
於本發明之積層體中，較佳為與上述樹脂層表面密接之基板表面為利用聚矽氧油或矽烷偶合劑進行表面處理之表面。又，較佳為上述經表面處理之基板表面之水接觸角為90°以上。
又，於本發明之積層體中，較佳為上述樹脂層包含聚矽氧樹脂。
進而，於本發明之積層體中，較佳為上述樹脂層包含有機烯基聚矽氧烷與有機氫聚矽氧烷之反應硬化物。
根據本發明，可提供一種剝離樹脂層與基板時，可抑制樹脂層受到凝聚破壞之積層體之製造方法、及積層體。
以下，參照圖式，對用以實施本發明之形態進行說明，但本發明並不受以下實施形態之限制，可不脫離本發明之範圍而對以下實施形態進行各種變形及置換。
再者，於本發明中，所謂樹脂層固定於支持板上，係指樹脂層與支持板之間之剝離強度高於樹脂層與基板之間之剝離強度的狀態。
(第1實施形態)
圖1係本發明之積層體之一例之部分側面圖。如圖1所示，積層體10係於基板20與支持板31其等之間存在樹脂層32之積層體。樹脂層32固定於支持板31上，且與基板20之第1主面201可剝離地密接。支持板31及樹脂層32於液晶面板等裝置(電子設備)之製造步驟中，作為加強基板20之加強板30而發揮功能。
該積層體10係使用至裝置之製造步驟之中途為止。即，該積層體10係使用至在基板20上形成薄膜電晶體等裝置用構件為止。其後，將加強板30自基板20剝離，使其不成為構成裝置之構件。自基板20剝離之加強板30可與新的基板20積層，而作為積層體10再次利用。以下，對各構成進行詳細說明。
首先，對基板20進行說明。
基板20於第2主面202形成裝置用構件，而構成裝置。此處，所謂裝置用構件，係指構成裝置之至少一部分之構件。作為裝置用構件之具體例，可列舉薄膜電晶體(TFT，Thin Film Transistor)、彩色濾光片(CF，Color Filter)。作為裝置，可例示太陽電池(PV)、液晶面板(LCD)、有機EL面板(OLED)等。
基板20之種類可為一般者，例如矽晶圓、玻璃基板、樹脂基板，或者亦可為不鏽鋼(SUS)基板或銅基板等金屬基板。該等之中，較佳為玻璃基板。其原因在於，玻璃基板之耐化學品性、耐透濕性優異，且熱收縮率較低。作為熱收縮率之指標，可使用JIS R 3102-1995中規定之線膨脹係數。
若基板20之線膨脹係數較大，則由於裝置之製造步驟多伴隨加熱處理，故容易產生各種不良情形。例如，於基板20上形成TFT之情形時，若冷卻於加熱下形成TFT之基板20，則存在由於基板20之熱收縮，而使TFT之位置偏移變得過大。
玻璃基板可將玻璃原料熔融，使熔融玻璃成形為板狀而獲得。上述成形方法可為一般者，例如可使用浮式法、融合法、流孔下引法法、富可法、魯伯法等。又，厚度特別薄之玻璃基板可利用將暫時成形為板狀之玻璃加熱至可成形之溫度，以延伸等手段進行拉伸使其變薄之方法(再曳引法)進行成形而獲得。
玻璃基板之玻璃並無特別限定，較佳為無鹼玻璃、硼矽玻璃、鈉鈣玻璃、高矽玻璃、化學強化玻璃、以及其他以氧化矽作為主成分之氧化物系玻璃。作為氧化物系玻璃，較佳為以氧化物換算之氧化矽含量為40~90質量%之玻璃。
作為玻璃基板之玻璃，可採用適合裝置之種類或其製造步驟之玻璃。例如，關於液晶面板用之玻璃基板，由於鹼金屬成分之溶出容易對液晶造成影響，故包含實質上不含鹼金屬成分之玻璃(無鹼玻璃)。如此般，玻璃基板之玻璃可根據所應用之裝置之種類及其製造步驟而適當選擇。
玻璃基板之厚度並無特別限定，就玻璃基板之薄型化及/或輕量化之觀點而言，通常未達0.8 mm，較佳為0.3 mm以下，更佳為0.15 mm以下。於厚度為0.8 mm以上之情形時，不滿足玻璃基板之薄型化及/或輕量化之要求。於厚度為0.3 mm以下之情形時，可對玻璃基板賦予良好之可撓性。於厚度為0.15 mm以下之情形時，可將玻璃基板捲取為輥狀。又，根據玻璃基板之製造容易、玻璃基板之操作容易等理由，玻璃基板之厚度較佳為0.03 mm以上。
樹脂基板之樹脂種類並無特別限定。具體可例示：聚對苯二甲酸乙二酯樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚醯亞胺樹脂、氟樹脂、聚醯胺樹脂、芳族聚醯胺樹脂、聚醚碸樹脂、聚醚酮樹脂、聚醚醚酮樹脂、聚萘二甲酸乙二酯樹脂、聚丙烯酸系樹脂、各種液晶聚合物樹脂、環烯烴樹脂、聚矽氧樹脂等。再者，樹脂基板可透明，亦可不透明。又，樹脂基板亦可為於表面形成有保護層等功能層而成者。
再者，基板20可包含2層以上，於該情形時，形成各層之材料可為同種材料，亦可為不同種材料。又，於該情形時，「基板20之厚度」係指基板中之所有層之合計厚度。就基板之薄型化及/或輕量化之觀點而言，基板20之厚度通常未達1.0 mm，較佳為0.5 mm以下，更佳為0.3 mm以下。又，根據基板之製造容易、及基板之操作容易等理由，較佳為0.01 mm以上。
繼而，對支持板31進行說明。
支持板31與樹脂層32共同作用，支持並加強基板20，於裝置之製造步驟中防止基板20之變形、損傷、破損等。又，於使用厚度較先前更薄之基板20之情形時，藉由形成與先前之基板相同厚度之積層體10，可於裝置之製造步驟中使用適合先前之厚度之基板的製造技術或製造設備亦為使用支持板31之目的之一。
作為支持板31，例如可使用玻璃板、樹脂板、或不鏽鋼(SUS)板等金屬板等。支持板31於裝置之製造步驟伴隨熱處理之情形時，較佳為由與基板20之線膨脹係數差較小之材料所形成，更佳為由與基板20相同之材料所形成。於基板20為玻璃基板之情形時，支持板31較佳為玻璃板。尤佳為包含與玻璃基板相同之玻璃材料之玻璃板。
支持板31之厚度可厚於基板20，亦可薄於基板20。較佳為根據基板20之厚度、樹脂層32之厚度、及積層體10之厚度而選擇支持板31之厚度。例如，於現行之裝置之製造步驟係以處理厚度為0.5 mm之基板之方式而設計者，且基板20之厚度與樹脂層32之厚度之和為0.1 mm之情形時，將支持板31之厚度設為0.4 mm。於通常之情形，支持板31之厚度較佳為0.08~5.0 mm，更佳為0.2~5.0 mm，進而更佳為0.2~1.0 mm。
於支持板31為玻璃板之情形時，根據容易操作、難以斷裂等理由，玻璃板之厚度較佳為0.08 mm以上。又，根據於裝置用構件形成後剝離時，可期待適度彎曲而不會斷裂之剛性之理由，玻璃板之厚度較佳為1.0 mm以下。
基板20與支持板31之於25~300℃下之平均線膨脹係數(以下簡稱作「平均線膨脹係數」)之差較佳為500×10-7 /℃以下，更佳為300×10-7 /℃以下，進而更佳為200×10-7 /℃以下。若差過大，則有可能於裝置之製造步驟中之加熱冷卻時，積層體10發生嚴重翹曲，基板20與加強板30剝離。於基板20之材料與支持板31之材料相同之情形時，可抑制產生上述問題。
繼而，對樹脂層32進行說明。
樹脂層32固定於支持板31上，又，與基板20可剝離地密接。樹脂層32於進行剝離操作之前防止基板20之位置偏移，且藉由剝離操作容易自基板20剝離，防止基板20等因剝離操作而破損。
樹脂層32之大小並無特別限定。樹脂層32之大小可大於基板20或支持板31，亦可小於基板20或支持板31。
樹脂層32之基材側之表面321(以下亦稱作「密接面321」)較佳為並非藉由如一般黏著劑所具有之黏著力，而是藉由起因於固體分子間之凡得瓦耳力(Van Der Waals force)之力而貼附於基板20之表面201(以下亦稱作「密接面201」)。其原因在於可容易地剝離。於本發明中，將該樹脂層表面之可容易剝離之性質稱作剝離性。
另一方面，與樹脂層32對基板20之表面201之結合力相比，樹脂層32對支持板31之表面之結合力相對較高。因此，樹脂層32與支持板31之間之剝離強度高於樹脂層32與基板20之間之剝離強度。於本發明中，將樹脂層表面對基板表面之結合稱作密接，將樹脂層表面對支持板表面之結合稱作固定。樹脂層32與支持板31之間較佳為以黏著力或接著力結合。但並不限定於此，只要與樹脂層32對密接面201之結合力相比而相對較高，則樹脂層32與支持板31之間亦可藉由起因於上述凡得瓦耳力之力而貼附。
樹脂層32之厚度並無特別限定，較佳為1~100 μm，更佳為5~30 μm，進而更佳為7~20 μm。其原因在於，若樹脂層32之厚度為上述範圍，則樹脂層32與基板20之密接變得充分。又，其原因在於，即便於樹脂層32與基板20之間介有氣泡或異物，亦可抑制基板20之應變缺陷之產生。又，若樹脂層32之厚度過厚，則形成樹脂層時需要耗費時間及材料，故於經濟上不利。
再者，樹脂層32可包含2層以上。於該情形時，「樹脂層32之厚度」係指樹脂層之所有層之合計厚度。
又，於樹脂層32包含2層以上之情形時，形成各層之樹脂之種類可不相同。
樹脂層32較佳為包含玻璃轉移點低於室溫(25℃左右)或不具有玻璃轉移點之材料。其原因在於，樹脂層32成為非黏著性之樹脂層，可更加容易地與基板20剝離，同時與基板20之密接亦變得充分。
又，樹脂層32於裝置之製造步驟中常常進行加熱處理，故較佳為具有耐熱性。
又，若樹脂層32之彈性模數過高，則存在與基板20之密接性變低之傾向。另一方面，若樹脂層32之彈性模數過低，則剝離性變低。
形成樹脂層32之樹脂之種類並無特別限定。例如可列舉丙烯酸系樹脂、聚烯烴樹脂、聚胺基甲酸酯樹脂及聚矽氧樹脂。亦可混合若干種樹脂而使用。其中，較佳為聚矽氧樹脂。其原因在於，聚矽氧樹脂之耐熱性及剝離性優異。又，其原因在於，於支持板31為玻璃板之情形時，藉由與玻璃板表面之矽烷醇基之縮合反應而容易固定於玻璃板上。聚矽氧樹脂層即便於介裝於支持板31與基板20之間之狀態下，例如於大氣中，以200℃左右處理1小時左右，剝離性亦幾乎未發生劣化，就該方面而言亦較佳。
樹脂層32較佳為包含聚矽氧樹脂中用於剝離紙用之聚矽氧樹脂(硬化物)。使成為剝離紙用聚矽氧樹脂之硬化性樹脂組合物於支持板31之表面硬化而形成的樹脂層32具有優異之剝離性，故而較佳。又，由於柔軟性較高，故即便樹脂層32與基板20之間混入氣泡或灰塵等異物，亦可抑制基板20之應變缺陷之產生。
上述成為剝離紙用聚矽氧樹脂之硬化性聚矽氧根據其硬化機制而分類為縮合反應型聚矽氧、加成反應型聚矽氧、紫外線硬化型聚矽氧及電子束硬化型聚矽氧，其等均可使用。該等之中，較佳為加成反應型聚矽氧。其原因在於，硬化反應之容易性、形成樹脂層32時之剝離性之程度良好，耐熱性亦較高。
加成反應型聚矽氧係包含主劑及交聯劑，且於鉑系觸媒等觸媒之存在下硬化之硬化性之組合物。加成反應型聚矽氧之硬化藉由加熱處理得到促進。加成反應型聚矽氧之主劑包含具有鍵結於矽原子上之烯基(乙烯基等)之直鏈狀有機聚矽氧烷(即有機烯基聚矽氧烷)，乙烯基等成為交聯點。加成反應型聚矽氧之交聯劑包含具有鍵結於矽原子上之氫原子(氫矽烷基)之直鏈狀有機聚矽氧烷(即有機氫聚矽氧烷)，氫矽烷基等成為交聯點。
又，成為剝離紙用聚矽氧樹脂之硬化性聚矽氧於形態上有溶劑型、乳液型及無溶劑型，其等均可使用。該等之中，較佳為無溶劑型。其原因在於生產性、安全性及環境特性之方面優異。又，於形成樹脂層32時之硬化時、即進行加熱硬化、紫外線硬化或電子束硬化時，不含產生發泡之溶劑，故難以於樹脂層32中殘留氣泡。
又，作為成為剝離紙用聚矽氧樹脂之硬化性聚矽氧，具體而言，作為市售之商品名或型號，可列舉：KNS-320A、KS-847(均由Shin-Etsu Silicone公司製造)、TPR6700(GE Toshiba Silicone公司製造)、乙烯基聚矽氧「8500」(荒川化學工業公司製造)與甲基氫聚矽氧烷「12031」(荒川化學工業公司製造)之組合、乙烯基聚矽氧「11364」(荒川化學工業公司製造)與甲基氫聚矽氧烷「12031」(荒川化學工業公司製造)之組合、乙烯基聚矽氧「11365」(荒川化學工業公司製造)與甲基氫聚矽氧烷「12031」(荒川化學工業公司製造)之組合等。
再者，KNS-320A、KS-847及TPR6700為預先含有主劑與交聯劑之硬化性聚矽氧。
又，形成樹脂層32之聚矽氧樹脂較佳為具有聚矽氧樹脂層中之成分難以轉移至基板20之性質、即低聚矽氧轉移性。
將樹脂層32固定於支持板31上之方法並無特別限定，例如可列舉將膜狀之樹脂固定於支持板31之表面之方法。具體可列舉如下方法：為賦予對膜之表面之較高固定力(較高之剝離強度)，而對支持板31之表面進行表面改質處理(底塗處理)，從而將樹脂層32固定於支持板31上。例如可例示：如矽烷偶合劑之化學地提高固定力之化學方法(底層處理)、如火焰(flame)處理般增加表面活性基之物理方法、如噴砂處理般藉由增加表面之粗糙度而增加抓力之機械處理方法等。
又，例如亦可利用於支持板31表面上形成成為樹脂層32之硬化性樹脂組合物之層，繼而使該硬化性樹脂組合物硬化而形成樹脂層32之方法，而形成固定於支持板31上之樹脂層32。作為於支持板31表面上形成硬化性樹脂組合物之層之方法，例如可列舉將硬化性樹脂組合物塗佈於支持板31上之方法。作為塗佈方法，可列舉：噴塗法、模塗法、旋塗法、浸塗法、輥塗法、棒塗法、網版印刷法、凹版印刷塗佈法等。可根據樹脂組合物之種類，自上述方法中適當選擇。
又，於將成為樹脂層32之硬化性樹脂組合物塗佈於支持板31上之情形時，其塗佈量較佳為1~100 g/m2 ，更佳為5~20 g/m2 。
例如，於由加成反應型聚矽氧之硬化性樹脂組合物形成樹脂層32之情形時，藉由上述噴塗法等公知之方法，將包含有機烯基聚矽氧烷、有機氫聚矽氧烷及觸媒之混合物之硬化性樹脂組合物塗佈於支持板31上，其後進行加熱硬化。加熱硬化條件亦根據觸媒之調配量不同而有所不同，例如於相對於有機烯基聚矽氧烷與有機氫聚矽氧烷之合計量100質量份而調配鉑系觸媒2質量份之情形時，於大氣中，以50℃~250℃、較佳為以100℃~200℃進行反應。又，該情形時之反應時間設為5~60分鐘、較佳為10~30分鐘。
藉由使硬化性樹脂組合物進行加熱硬化，而於硬化反應時使聚矽氧樹脂與支持板31化學地結合，及/或藉由投錨效應使聚矽氧樹脂層與支持板31結合。藉由該等作用，使聚矽氧樹脂層牢固地固定於支持板31上。再者，於由硬化性樹脂組合物形成包含聚矽氧樹脂以外之樹脂之樹脂層之情形時，亦可利用與上述相同之方法形成固定於支持板上之樹脂層。
使樹脂層32可剝離地密接於基板20上之方法可為公知之方法。例如可列舉於常壓環境下，於樹脂層32之剝離性表面重疊基板20後，使用輥或壓製機，壓接樹脂層32與基板20之方法。藉由利用輥或壓製機進行壓接，可使樹脂層32與基板20更加密接，故而較佳。又，藉由利用輥或壓製機之壓接，可相對容易地去除樹脂層32與基板20之間混入之氣泡，故而較佳。
若藉由真空層壓法或真空壓製法進行壓接，則可更佳地進行氣泡混入之抑制或良好密接之確保，故而更佳。藉由在真空下進行壓接，亦存在以下優點：即便於殘存微小氣泡之情形時，亦不會由於加熱而使氣泡成長，難以導致基板20之應變缺陷。
於使樹脂層32可剝離地密接於基板20上時，較佳為充分洗淨樹脂層32及基板20之相互接觸之側之面，於潔淨度較高之環境進行積層。即便於樹脂層32與基板20之間混入異物，亦不會由於樹脂層32發生變形而對基板20之表面之平坦性造成影響，潔淨度越高，其平坦性越良好，故而較佳。
再者，將樹脂層32固定於支持板31上之步驟、與使樹脂層32可剝離地密接於基板20上之步驟的順序並無限制，例如亦可大致同時進行。
於本發明中，密接面201及密接面321之至少一方預先經聚矽氧油或矽烷偶合劑所處理，或者樹脂層32係由含有聚矽氧油或矽烷偶合劑之樹脂所形成。於第1實施形態中，為其中前者之表面處理。藉由使密接面201及密接面321之至少一方於密接前預先以聚矽氧油或矽烷偶合劑進行表面處理，可適當調節存在於密接面201、321上之極性基之密度。再者，於本實施形態中，可預先對基板20側之密接面201進行表面處理，亦可預先對樹脂層32側之密接面321進行表面處理，還可預先對兩側之密接面201、321進行表面處理。再者，藉由由含有聚矽氧油或矽烷偶合劑之樹脂形成樹脂層32(第2實施形態)，亦可同樣地適當調節存在於密接面321上之極性基之密度。
此處，作為存在於玻璃基板之表面之極性基，例如可列舉羥基(-OH)等。又，作為存在於樹脂層之表面之極性基，例如可列舉羰基(-CO)、羧基(-COOH)等。該等極性基均為親水基。
所謂存在於基板20與樹脂層32之密接面201、321的極性基之密度適當，可於密接前測定成為密接面201、321之表面之水接觸角而判斷。通常有存在於表面之親水性之極性基的密度越高，水接觸角越小之傾向。此處，所謂水接觸角，係指JIS R 3257-1999中規定之接觸角。
經表面處理之密接面201、321之密接前的水接觸角較佳為90°以上，更佳為90~120°，進而更佳為90~110°。若兩方之密接面201、321之密接前的水接觸角均小於90°，則存在於基板20或樹脂層32之表面的極性基之密度過高。因此，若於裝置之製造步驟中，積層體10之溫度超出250℃，則可促進基板20與樹脂層32之化學結合，難以分離基板20與樹脂層32(加強板30)。
密接前之水接觸角為90°以上之表面較佳為基板20之密接面201。若密接面201之水接觸角為90°以上，則即便密接面321之密接前之水接觸角未達90°，只要樹脂並非親水性特別高者，則亦可容易地剝離樹脂層32與基板20。尤其是，於樹脂層32為聚矽氧樹脂等疏水性樹脂之情形時，即便密接面321之密接前之水接觸角未達90°亦可容易地剝離。
於基板20之密接面201亦可藉由密接前之表面處理而預先形成微細之凹凸結構。於該情形時，藉由凹凸結構之投錨效應，可以充分之結合力使基板20之密接面201與樹脂層32之密接面321密接，而容易操作積層體10。再者，若藉由表面處理形成微細之凹凸結構，則存在水接觸角增加之傾向，有時水接觸角會超出120°。
進行表面處理之表面較佳為充分潔淨之面，較佳為剛洗淨後之面。若潔淨度(活性度)過低，則無法進行均勻之表面處理。作為洗淨方法，可使用玻璃表面或樹脂表面之洗淨中所使用之通常之方法。
未進行表面處理之表面較理想為預先以遮罩等保護膜進行保護。其原因在於，於裝置之製造步驟中，難以於表面處理之材料錯誤附著之面形成裝置用構件。
作為表面處理之材料之聚矽氧油、矽烷偶合劑可單獨使用或組合使用。於組合使用之情形時，可以矽烷偶合劑進行表面處理後，再以聚矽氧油進行表面處理，亦可以聚矽氧油進行表面處理後，再以矽烷偶合劑進行表面處理。
聚矽氧油之種類並無特別限定，可例示：二甲基聚矽氧油、甲基苯基聚矽氧油、甲基氫聚矽氧油等直鏈聚矽氧油(straight silicone oil)、於側鏈或末端導入有烷基、氫基、環氧基、胺基、羧基、聚醚基、鹵基等之改性聚矽氧油。作為具體例，可列舉甲基氫聚矽氧烷、二甲基聚矽氧烷、甲基苯基聚矽氧烷、二苯基聚矽氧烷等，按照所列之順序耐熱性逐步增加，耐熱性最高者為二苯基聚矽氧烷。該等聚矽氧油通常用於玻璃基板或經底層處理之金屬基板等基板之表面之斥水處理。
利用聚矽氧油之表面處理方法可為一般方法。於僅塗佈聚矽氧油之處理中，存在聚矽氧油結合於被處理表面之程度較低，無法充分發揮處理效果之虞，因此較佳為於塗佈聚矽氧油後，進行使聚矽氧油結合於被處理表面之處理。使聚矽氧油結合於被處理表面之處理為如切割聚矽氧油之分子鏈之處理，可認為所切割之片段結合於被處理表面上(以下將該處理稱作聚矽氧油之低分子量化)。
作為利用聚矽氧油之表面處理方法，較佳為將聚矽氧油塗佈於基板20之密接面201或樹脂層32之密接面321上而進行低分子量化之方法。藉由調節聚矽氧油之塗佈量或低分子量化之處理條件等，可將存在於基板20之密接面201或樹脂層32之密接面321的極性基之密度調整為最佳化。因此，剝離樹脂層32與基板20時，可抑制樹脂層32受到凝聚破壞。
聚矽氧油之塗佈方法可為一般方法。例如可根據聚矽氧油之種類或塗佈量等，自噴塗法、模塗法、旋塗法、浸塗法、輥塗法、棒塗法、網版印刷法、凹版印刷塗佈法等中適當選定。作為塗佈液，較理想為使用以己烷、庚烷、二甲苯等溶劑將聚矽氧油稀釋至1質量%以下之溶液。若超出1質量%，則低分子量化之處理時間過長。又，較理想為使用稀釋至0.01質量%以上之溶液。若未達0.01質量%，則不足以使極性基之密度最佳化。
使聚矽氧油低分子量化之方法可使用一般方法，例如有藉由光分解或熱分解切割聚矽氧油之矽氧鍵之方法。光分解中使用自低壓水銀燈或氙弧燈等照射之紫外線，亦可併用藉由大氣中之紫外線照射而產生之臭氧。熱分解可於分批式爐、輸送式爐等中進行，亦可利用電漿或電弧放電等。於利用分批式爐或輸送式爐進行熱分解之情形時，亦取決於上述塗佈液之聚矽氧油之種類或濃度，較理想為250℃至400℃之處理。若未達250℃，則聚矽氧之低分子量化不充分，於超出400℃之情形時，聚矽氧之二氧化矽化顯著，作為低分子量化處理而不充分。
若切割聚矽氧油之矽氧鍵，則甲基等疏水性之官能基之密度變高，存在於基板20之密接面201或樹脂層32之密接面321的親水性之極性基之密度降低。再者，若過度切割聚矽氧油之矽氧鍵，則存在親水性之極性基之密度再次增加之傾向。
矽烷偶合劑之種類並無特別限定，例如可較佳地使用選自六甲基二矽氮烷(HMDS)、3-胺基丙基三乙氧基矽烷、N-(2-胺基乙基)-3-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-{N-(2-胺基乙基)-2-胺基乙基}-3-胺基丙基三甲氧基矽烷、3-苯胺基丙基三甲氧基矽烷等胺基矽烷類；或3-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、2-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷等環氧矽烷類；如3-氯丙基三甲氧基矽烷之氯矽烷類或氟矽烷類；3-巰基三甲氧基矽烷等巰基矽烷；乙烯基三甲氧基矽烷、N-2-(N-乙烯基苄基-2-胺基乙基)-3-胺基丙基三甲氧基矽烷等乙烯基矽烷類；3-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷等丙烯醯基矽烷類中之1種以上者。
利用矽烷偶合劑之表面處理方法可為一般方法。例如有使基板20之密接面201或樹脂層32之密接面321曝露於包含使矽烷偶合劑氣化而成之氣體之環境下，將存在於基板20之密接面201或樹脂層32之密接面321的親水性之極性基取代成甲基等疏水性之官能基的方法等。藉由調節環境中之矽烷偶合劑之濃度、溫度、處理時間等，可將存在於基板20之密接面201或樹脂層32之密接面321的極性基之密度調整為最佳化。因此，於剝離樹脂層32與基板20時可抑制樹脂層32受到凝聚破壞。
再者，密接面201、321於裝置之製造步驟之中途相互剝離後，可藉由特定之處理而恢復至表面處理前之狀態。例如，實施有利用聚矽氧油或矽烷偶合劑之表面處理的面可藉由光分解或熱分解而恢復至表面處理前之狀態。若如此般，例如使基板20之表面201恢復至表面處理前之狀態，則於表面201貼附光學膜(例如偏光膜)之情形時，可提高其貼附強度。並且，若重視返工性，則亦可於表面處理後之狀態之基板20的表面201貼附光學膜。
(第2實施形態)
本實施形態之積層體之構成與圖1大致相同，故省略圖示。
於本實施形態中，樹脂層32係由含有聚矽氧油或矽烷偶合劑之樹脂所形成。樹脂層32較佳為藉由使含有聚矽氧油或矽烷偶合劑之硬化性樹脂組合物硬化而形成。作為硬化性樹脂組合物，並無特別限定，例如可使用成為剝離紙用聚矽氧樹脂之硬化性樹脂組合物。再者，基板20及樹脂層32之密接面201、321亦可並非於密接前實施上述表面處理者。
聚矽氧油、矽烷偶合劑可單獨使用或組合使用，較佳為分別使用不具有與硬化性樹脂組合物之成分反應之官能基者。例如，於由上述加成反應型聚矽氧之硬化性樹脂組合物形成樹脂層32之情形時，作為聚矽氧油或矽烷偶合劑，可使用不具有成為交聯點之官能基(例如乙烯基或氫矽烷基)者。又，於由縮合反應型聚矽氧之硬化性樹脂組合物形成樹脂層32之情形時，可使用不具有可共縮合之官能基(水解性基或矽烷醇基等)之聚矽氧油。
聚矽氧油於上述硬化性樹脂組合物之硬化時不進行交聯而分散含於該樹脂層32中。又，矽烷偶合劑通常於上述硬化性樹脂組合物之硬化時縮合，以矽烷偶合劑之縮合物之形式含於經硬化之樹脂中。因此，於樹脂層32之密接面321分散含有聚矽氧油或矽烷偶合劑之縮合物。
例如，於樹脂層32之密接面321含有聚矽氧油之情形時，若於裝置之製造步驟中，積層體10之溫度變高，則聚矽氧油進行低分子量化。其結果，存在於兩密接面201、321之親水性之極性基的密度降低，甲基等疏水性之官能基之密度增大。
又，於樹脂層32之密接面321含有矽烷偶合劑縮合物之情形時，存在於兩密接面201、321之親水性之極性基被取代成甲基等疏水性之官能基。
因此，藉由調節成為樹脂層32之硬化性樹脂組合物中所含的聚矽氧油或矽烷偶合劑之含量或種類，可將存在於兩密接面201、321之極性基之密度調整為最佳化。
因此，於本實施形態中，亦與第1實施形態同樣地可於剝離樹脂層32與基板20時抑制樹脂層32受到凝聚破壞。此外，由於使聚矽氧油低分子量化之步驟與其他目的之步驟一起進行，又，並無使矽烷偶合劑氣化之步驟，故而可降低工數。
成為樹脂層32之硬化性樹脂組合物中所含的聚矽氧油及矽烷偶合劑之含量較理想為相對於含有該等之硬化性樹脂組合物之固形物成分而為0.1~5質量%。於含量未達0.1質量%之情形時，無法獲得充分之效果。另一方面，於含量超出5質量%之情形時，樹脂層32之耐熱性變得過低。
於第2實施形態之情形時，基板20之密接面201亦可並非實施有上述第1實施形態中之表面處理者。於基板20為玻璃基板之情形時，由於其表面為親水性較高之表面，故密接面201亦可於密接前預先實施上述第1實施形態中之表面處理。
實施例
以下，藉由實施例等對本發明進行說明，但本發明並不受該等例之限定。
[實施例1]
基板及支持板使用均由浮式法所得之縱720 mm×橫600 mm之玻璃板(旭硝子公司製造，AN100，無鹼玻璃)。再者，基板之厚度設為0.4 mm，支持板之厚度設為0.3 mm。基板及支持板之平均線膨脹係數分別為38×10-7 /℃。
(加強板之製作)
對支持板進行純水洗淨、UV(ultraviolet，紫外線)洗淨，使支持板之表面潔淨化。其後，藉由網版印刷，於支持板之單面塗佈硬化性樹脂組合物(塗佈量30 g/m2 )。
硬化性樹脂組合物使用無溶劑加成反應型聚矽氧(Shin-Etsu Silicone公司製造，KNS-320A)100質量份與鉑系觸媒(Shin-Etsu Silicone公司製造，CAT-PL-56)2質量份之混合物。
上述無溶劑加成反應型聚矽氧係包含具有鍵結於矽原子上之乙烯基與甲基之直鏈狀有機烯基聚矽氧烷(主劑)、及具有鍵結於矽原子上之氫原子與甲基之直鏈狀有機氫聚矽氧烷(交聯劑)者。
將塗佈於支持板上之混合物於大氣中以180℃加熱硬化30分鐘，於支持板上之中央形成縱705 mm×橫595 mm×厚20 μm之聚矽氧樹脂層，並加以固定。
(基板之表面處理)
對基板進行純水洗淨、UV洗淨，使基板之表面潔淨化。其後，對作為基板之單面之第2主面實施遮罩後，於相反側之第1主面噴塗聚矽氧油含量為0.5質量%之庚烷溶液，並加以乾燥。聚矽氧油使用二甲基聚矽氧烷(Dow Corning Toray公司製造，SH200)。繼而，為使聚矽氧油低分子量化，於空氣中進行2分鐘之利用低壓水銀燈之紫外線處理。
其後，使用接觸角計(Krss公司製造，DROP SHAPE ANALYSIS SYSTEM DSA 10Mk2)，測定基板之第1主面之水接觸角，結果為100°。
(積層體之製作)
紫外線處理後，於基板之第1主面重疊聚矽氧樹脂層，於室溫下，藉由真空壓製機，使基板與聚矽氧樹脂層密接，獲得包含基板與加強板之積層體。
(積層體之耐熱試驗)
將該積層體於氧氣體積濃度為1000 ppm以下之氮氣環境中，以350℃加熱處理1小時。其後，冷卻至室溫後，於基板與聚矽氧樹脂層之間刺入剝離刀，使基板側保持平坦，同時自刺入位置附近使聚矽氧樹脂層側依序彎曲變形，剝離基板與聚矽氧樹脂層。
於利用光學顯微鏡進行觀察之剝離後之聚矽氧樹脂層中未見到凝聚破壞，於剝離後之基板上未見到來自聚矽氧樹脂層之轉印物。再者，剝離後之基板之第1主面的水接觸角為100°。
[實施例2]
基板及支持板分別使用與實施例1相同之玻璃板。
(加強板之製作)
於實施例2中，使用兩末端具有乙烯基之直鏈狀有機烯基聚矽氧烷(乙烯基聚矽氧，荒川化學工業公司製造，8500)、分子內具有氫矽烷基之甲基氫聚矽氧烷(荒川化學工業公司製造，12031)、及鉑系觸媒(荒川化學工業公司製造，CAT12070)之混合物作為硬化性樹脂組合物，除此以外，以與實施例1相同之方式製作加強板。
此處，直鏈狀有機烯基聚矽氧烷與甲基氫聚矽氧烷之混合比係以乙烯基與氫矽烷基之莫耳比成為1：1之方式而調節。又，鉑系觸媒相對於直鏈狀有機烯基聚矽氧烷與甲基氫聚矽氧烷之合計100質量份而設為5質量份。
(基板之表面處理)
於實施例2中，為進行聚矽氧油之低分子量化，而利用常壓遙距電漿(remote plasma)裝置(積水化學公司製造，RT系列)進行電漿處理，除此以外，以與實施例1相同之方式進行基板之表面處理。
此處，電漿處理之處理條件設為輸出3 kw、氮氣/空氣流量比=600 slm/750 sccm、搬送速度5 m/min。電漿照射時之基板之表面溫度為50℃以下。表面處理後之基板之第1主面的水接觸角為95°。
(積層體之製作)
表面處理後，以與實施例1相同之方式獲得包含基板與加強板之積層體。
(積層體之耐熱試驗)
將該積層體與實施例1同樣地進行加熱處理後，與實施例1同樣地剝離基板與聚矽氧樹脂層。於利用光學顯微鏡進行觀察之剝離後之聚矽氧樹脂層中未見到凝聚破壞，於剝離後之基板上未見到來自聚矽氧樹脂層之轉印物。再者，剝離後之基板之第1主面的水接觸角為100°。
[實施例3]
基板及支持板分別使用與實施例1相同之玻璃板。
(加強板之製作)
於實施例3中，以與實施例2相同之方式製作加強板。
(基板之表面處理)
於實施例3中，為進行聚矽氧油之低分子量化，而於大氣中，以400℃加熱處理10分鐘，除此以外，以與實施例1相同之方式進行基板之表面處理。表面處理後之基板之第1主面的水接觸角為105°。
(積層體之製作)
表面處理後，以與實施例1相同之方式獲得包含基板與加強板之積層體。
(積層體之耐熱試驗)
將該積層體與實施例1同樣地進行加熱處理後，與實施例1同樣地剝離基板與聚矽氧樹脂層。於利用光學顯微鏡進行觀察之剝離後之聚矽氧樹脂層中未見到凝聚破壞，於剝離後之基板上未見到來自聚矽氧樹脂層之轉印物。再者，剝離後之基板之第1主面的水接觸角為105°。
[實施例4]
基板及支持板分別使用與實施例1相同之玻璃板。
(加強板之製作)
於實施例4中，以與實施例2相同之方式製作加強板。
(基板之表面處理)
於實施例4中，為進行聚矽氧油之低分子量化，而於基板之第1主面噴塗聚矽氧油含量為0.1質量%之庚烷溶液，並加以乾燥，於大氣中，以250℃加熱處理10分鐘，除此以外，以與實施例1相同之方式進行基板之表面處理。表面處理後之基板之第1主面的水接觸角為98°。
(積層體之製作)
表面處理後，以與實施例1相同之方式獲得包含基板與加強板之積層體。
(積層體之耐熱試驗)
將該積層體與實施例1同樣地進行加熱處理後，與實施例1同樣地剝離基板與聚矽氧樹脂層。於利用光學顯微鏡進行觀察之剝離後之聚矽氧樹脂層中未見到凝聚破壞，於剝離後之基板上未見到來自聚矽氧樹脂層之轉印物。再者，剝離後之基板之第1主面的水接觸角為98°。
[實施例5]
基板及支持板分別使用藉由浮式法所得之縱720 mm×橫600 mm之玻璃板(旭硝子公司製造，AS，鈉鈣玻璃)。再者，基板之厚度設為0.4 mm，支持板之厚度設為0.3 mm。基板及支持板之平均線膨脹係數分別為85×10-7 /℃。
(加強板之製作)
於實施例5中，以與實施例2相同之方式製作加強板。
(基板之表面處理)
於實施例5中，為進行聚矽氧油之低分子量化，而於基板之第1主面噴塗聚矽氧油含量為0.5質量%之庚烷溶液，並加以乾燥，於大氣中，以350℃加熱處理10分鐘，除此以外，以與實施例1相同之方式進行基板之表面處理。表面處理後之基板之第1主面的水接觸角為102°。
(積層體之製作)
表面處理後，以與實施例1相同之方式獲得包含基板與加強板之積層體。
(積層體之耐熱試驗)
將該積層體與實施例1同樣地進行加熱處理後，與實施例1同樣地剝離基板與聚矽氧樹脂層。於利用光學顯微鏡進行觀察之剝離後之聚矽氧樹脂層中未見到凝聚破壞，於剝離後之基板上未見到來自聚矽氧樹脂層之轉印物。再者，剝離後之基板之第1主面的水接觸角為102°。
[實施例6]
基板及支持板分別使用除了經化學強化以外與實施例5相同之玻璃板。
(加強板之製作)
於實施例6中，以與實施例2相同之方式製作加強板。
(基板之表面處理)
於實施例6中，為進行聚矽氧油之低分子量化，而以與實施例5相同之方式進行基板之表面處理。表面處理後之基板之第1主面的水接觸角為102°。
(積層體之製作)
表面處理後，以與實施例1相同之方式獲得包含基板與加強板之積層體。
(積層體之耐熱試驗)
將該積層體與實施例1同樣地進行加熱處理後，與實施例1同樣地剝離基板與聚矽氧樹脂層。於利用光學顯微鏡進行觀察之剝離後之聚矽氧樹脂層中未見到凝聚破壞，於剝離後之基板上未見到來自聚矽氧樹脂層之轉印物。再者，剝離後之基板之第1主面的水接觸角為102°。
[實施例7]
基板及支持板分別使用與實施例1相同之玻璃板。
(加強板之製作)
對支持板進行純水洗淨、UV洗淨，使支持板之表面潔淨化。其後，於支持板之單面，藉由網版印刷塗佈硬化性樹脂組合物99.5質量份與聚矽氧油0.5質量份之混合物(塗佈量30 g/m2 )。此處，硬化性樹脂組合物使用與實施例2相同者，聚矽氧油使用二甲基聚矽氧烷(Dow Corning Toray公司製造，SH200)。
將塗佈於支持板上之混合物於大氣中以180℃加熱硬化30分鐘，於支持板上之中央形成縱705 mm×橫595 mm×厚20 μm之聚矽氧樹脂層，並加以固定。
(積層體之製作)
於加強板之製作後，於基板之洗淨後之表面重疊聚矽氧樹脂層，於室溫下，藉由真空壓製機使基板與聚矽氧樹脂層密接，獲得包含基板與加強板之積層體。
(積層體之耐熱試驗)
將該積層體與實施例1同樣地進行加熱處理後，與實施例1同樣地剝離基板與聚矽氧樹脂層。於利用光學顯微鏡進行觀察之剝離後之聚矽氧樹脂層中未見到凝聚破壞，於剝離後之基板上未見到來自聚矽氧樹脂層之樹脂之轉印。再者，剝離後之基板之第1主面的水接觸角為102°。
[實施例8]
基板及支持板均使用縱720 mm×橫600 mm之聚醯亞胺樹脂板(Toray‧Dupont公司製造，Kapton 200HV)。再者，基板之厚度設為0.05 mm，支持板之厚度設為0.5 mm。
(加強板之製作)
於實施例8中，以與實施例2相同之方式製作加強板。
(基板之表面處理)
於實施例8中，以與實施例2相同之方式進行基板之表面處理。表面處理後之基板之第1主面的水接觸角為100°。
(積層體之製作)
表面處理後，於基板之第1主面重疊聚矽氧樹脂層，於室溫下，藉由真空壓製機使基板與聚矽氧樹脂層密接，獲得包含基板與加強板之積層體。
(積層體之耐熱試驗)
將該積層體與實施例1同樣地進行加熱處理後，與實施例1同樣地剝離基板與聚矽氧樹脂層。於利用光學顯微鏡進行觀察之剝離後之聚矽氧樹脂層中未見到凝聚破壞，於剝離後之基板上未見到來自聚矽氧樹脂層之轉印物。再者，剝離後之基板之第1主面的水接觸角為100°。
[實施例9]
基板及支持板分別使用與實施例1相同之玻璃板。
(加強板之製作)
於實施例9中，以與實施例2相同之方式製作加強板。
(基板之表面處理)
對基板進行純水洗淨、UV洗淨，使基板之表面潔淨化。其後，對作為基板之單面之第2主面實施遮罩後，將相反側之第1主面於使矽烷偶合劑(Dow Corning Toray公司製造，Z6040)氣化而成之氣體維持飽和狀態之環境下曝露10分鐘。曝露時之基板之表面溫度為25℃。曝露後之基板之第1主面的水接觸角為100°。
(積層體之製作)
利用矽烷偶合劑進行表面處理後，於基板之第1主面重疊聚矽氧樹脂層，於室溫下，藉由真空壓製機使基板與聚矽氧樹脂層密接，獲得包含基板與加強板之積層體。
(積層體之耐熱試驗)
將該積層體與實施例1同樣地進行加熱處理後，與實施例1同樣地剝離基板與聚矽氧樹脂層。於利用光學顯微鏡進行觀察之剝離後之聚矽氧樹脂層中未見到凝聚破壞，於剝離後之基板上未見到來自聚矽氧樹脂層之轉印物。再者，剝離後之基板之第1主面的水接觸角為100°。
[比較例1]
基板及支持板分別使用與實施例1相同之玻璃板。
(積層體之製作)
於比較例1中，以與實施例2相同之方式製作加強板，對基板之第1主面進行純水洗淨及UV洗淨使其潔淨化後，於基板之第1主面重疊聚矽氧樹脂層，於室溫下，藉由真空壓製機使基板與聚矽氧樹脂層密接，獲得包含基板與加強板之積層體。再者，基板之密接面(第1主面)之密接前的水接觸角為7°。
(積層體之耐熱試驗)
將該積層體與實施例1同樣地進行加熱處理後，與實施例1同樣地剝離基板與聚矽氧樹脂層，結果聚矽氧樹脂層受到凝聚破壞，聚矽氧樹脂層之一部分附著於基板側。
[比較例2]
基板及支持板分別使用與實施例1相同之玻璃板。
(加強板之製作)
於比較例2中，以與實施例2相同之方式製作加強板。
(積層體之製作)
以與實施例2相同之方式製作加強板，對基板之第1主面進行純水洗淨使其潔淨化後，於基板之第1主面重疊聚矽氧樹脂層，於室溫下，藉由真空壓製機使基板與聚矽氧樹脂層密接，獲得包含基板與加強板之積層體。再者，基板之第1主面之密接前的水接觸角為40°。
(積層體之耐熱試驗)
將該積層體與實施例1同樣地進行加熱處理後，與實施例1同樣地剝離基板與聚矽氧樹脂層，結果聚矽氧樹脂層受到凝聚破壞，聚矽氧樹脂層之一部分附著於基板側。
以上，詳細且參照特定之實施態樣對本發明進行了說明，但本領域人員清楚瞭解，可不脫離本發明之精神與範圍而進行各種修正或變更。
本申請案係基於2010年5月11日提出申請之日本專利申請2010-108952者，其內容以參照之方式併入本文中。
10．．．積層體
20．．．基板
30．．．加強板
31．．．支持板
32．．．樹脂層
201．．．密接面(第1主面)
202．．．第2主面
321．．．密接面
圖1係本發明之積層體之一例之部分側面圖。
10．．．積層體
20．．．基板
30．．．加強板
31．．．支持板
32．．．樹脂層
201．．．密接面(第1主面)
202．．．第2主面
321．．．密接面

Claims (11)

  1. 一種積層體之製造方法，其係包含基板、支持板及存在於其等之間之樹脂層的積層體之製造方法，且係包括將上述樹脂層形成於上述支持板上之步驟、及使上述樹脂層與上述基板可剝離地密接之步驟者，且包括於上述密接步驟之前，預先以聚矽氧油或矽烷偶合劑對將要密接之上述基板表面及上述樹脂層表面之至少一方進行處理之步驟，或者於形成上述樹脂層之步驟中，由含有聚矽氧油或矽烷偶合劑之樹脂形成上述樹脂層，其後，於上述密接步驟中使上述基板及上述樹脂層重疊密接。
  2. 如請求項1之積層體之製造方法，其包括如下步驟：於將要密接之上述基板表面及上述樹脂層表面之至少一方塗佈聚矽氧油或矽烷偶合劑；於塗佈聚矽氧油之情形時，進行使上述聚矽氧油低分子量化之處理；於塗佈矽烷偶合劑之情形時，進行使上述矽烷偶合劑反應之處理；其後，於上述密接步驟中，使上述基板及上述樹脂層重疊密接。
  3. 如請求項2之積層體之製造方法，其中利用聚矽氧油或矽烷偶合劑，對將要密接之上述基板表面進行表面處理，實施有上述處理之基板表面之水接觸角為90°以上。
  4. 如請求項1至3中任一項之積層體之製造方法，其中於將上述樹脂層形成於上述支持板上之步驟中，於上述支持 板表面形成硬化性樹脂組合物層，繼而使該硬化性樹脂組合物硬化而形成上述樹脂層。
  5. 如請求項1至3中任一項之積層體之製造方法，其中上述樹脂層包含聚矽氧樹脂。
  6. 如請求項5之積層體之製造方法，其中上述樹脂層包含有機烯基聚矽氧烷與有機氫聚矽氧烷之反應硬化物。
  7. 一種積層體，其係包含基板、支持板及存在於其等之間之樹脂層，上述樹脂層與上述基板可剝離地密接，上述樹脂層於上述支持板上以其等之間之剝離強度高於上述樹脂層與上述基板之間之剝離強度的方式而固定者，且所密接之上述基板表面及上述樹脂層表面之至少一方包含預先經聚矽氧油或矽烷偶合劑所處理之表面，或者上述樹脂層係由含有聚矽氧油或矽烷偶合劑之樹脂所形成者。
  8. 如請求項7之積層體，其中與上述樹脂層表面密接之基板表面為利用聚矽氧油或矽烷偶合劑進行了表面處理之表面。
  9. 如請求項8之積層體，其中上述經表面處理之基板表面之水接觸角為90°以上。
  10. 如請求項7至9中任一項之積層體，其中上述樹脂層包含聚矽氧樹脂。
  11. 如請求項10之積層體，其中上述樹脂層包含有機烯基聚矽氧烷與有機氫聚矽氧烷之反應硬化物。
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