TWI497255B - 能帶隙參考電壓電路與電子裝置 - Google Patents

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Description

能帶隙參考電壓電路與電子裝置
本發明有關於一種能帶隙參考電壓電路,且特別是關於一種具有補償參考電壓之能帶隙參考電壓電路。
能帶隙參考電壓源電路的設計是該領域中眾所周知的,這些電路被設計以提供一獨立於電路中溫度變化的電壓標準。
能帶隙參考電壓源的參考電壓是一個雙載子接面電晶體(雙載子電晶體)的基極與射極間所發展的電壓Vbe和另外兩個雙載子電晶體的基極-射極電壓Vbe之差(△Vbe)的函數。第一個雙載子電晶體的基極-射極電壓Vbe具有一個負的溫度係數,或者當溫度升高時基極-射極電壓Vbe將會減少。另外兩個雙載子電晶體的差分電壓△Vbe將會具有一個正的溫度係數,這就意味著當溫度升高時該差分基極-射極電壓△Vbe也隨之升高。獨立於能帶隙電壓參考電壓源之溫度的參考電壓通過縮放差分基極-射極電壓△Vbe以及求其與第一個雙載子電晶體的基極-射極電壓Vbe的和而得到調整。
美國第2006/0043957號專利申請案揭露一種利用電阻來微調參考電壓的能帶隙參考電壓產生電路,請同時參照圖1A及圖1B,圖1A為習能帶隙參考電壓電路之示意圖。圖1B為參考電壓之溫度電壓曲線圖。習知能帶隙參考電壓電路100包括複數個P型電晶體,複數個電阻,複數個雙載子接面電晶體以及放大器,習知能帶隙參考電壓電路100 利用加入一些電阻來微調參考電壓VREF’的溫度曲線,亦即將參考電壓VREF’的溫度曲線從曲線20補償至曲線21。然而,前案卻有著大功耗與大佈局面積的隱憂。
本發明實施例提供一種能帶隙參考電壓電路,能帶隙參考電壓電路包括參考電壓產生單元、電流產生單元與阻抗提供單元。參考電壓產生單元用以輸出參考電壓。電流產生單元電性連接至參考電壓產生單元,所述電流產生單元產生具有正溫度係數之第一電流,且用以偏壓參考電壓產生單元。阻抗提供單元電性連接參考電壓產生單元與電流產生單元之間,阻抗提供單元之兩端跨壓為具有正溫度係數的電壓,其中阻抗提供單元具有正溫度係數之特性,使得流經阻抗提供單元之第二電流具有負溫度係數之特性,藉由阻抗提供單元以補償參考電壓之溫度曲線。
在本發明其中一個實施例中,上述之補償參考電壓之溫度曲線,為將參考電壓之二階溫度曲線補償為三階溫度曲線。
在本發明其中一個實施例中,上述之參考電壓產生單元包括第一P型電晶體、第二P型電晶體、第一電阻、第二電阻與放大器。第一P型電晶體之源極耦接至系統電壓。第二P型電晶體之源極耦接至系統電壓,其閘極耦接至第一P型電晶體之閘極,其汲極輸出參考電壓,其中第一P型電晶體受第一電流偏壓,而在第二P型電晶體之汲極輸出具有正溫度係數之參考電流。第一電阻之一端耦接至第一P型電晶體之汲極。第二電阻之一端耦接至第二P型電 晶體之汲極。放大器之輸出端耦接至第二P型電晶體之閘極,其正輸入端耦接至第一電阻之另一端,其負輸入端耦接至第二電阻之另一端,其中放大器用以使第一電阻之另一端之電壓與第二電阻之另一端之電壓實質上相同。
在本發明其中一個實施例中,上述之第二電阻具有負溫度係數之特性,用以調整參考電壓之溫度曲線。
在本發明其中一個實施例中,上述之電流產生單元包括第三電阻、第一雙載子接面電晶體與第二雙載子接面電晶體。第三電阻之一端耦接至第一電阻之另一端,其中第三電阻兩端之跨壓為正溫度係數之電壓,用以產生具有正溫度係數之第一電流。第一雙載子接面電晶體之射極耦接至第三電阻之另一端,其集極耦接至接地電壓。第二雙載子接面電晶體之射極耦接至第二電阻之另一端,其集極耦接至接地電壓,其基極耦接至第一雙載子接面電晶體之基極。
在本發明其中一個實施例中,上述之阻抗提供單元包括第四電阻。第四電阻之一端耦接至第二電阻之另一端,其另一端耦接至第一雙載子接面電晶體之射極,其中第四電阻具有正溫度係數之特性,且第四電阻兩端之跨壓與第三電阻兩端之跨壓具有相同之值與正溫度係數。
在本發明其中一個實施例中,上述之第四電阻用以產生具有負溫度係數之第二電流,並且藉由第四電阻之阻抗值來補償參考電壓之溫度曲線。
在本發明其中一個實施例中,上述之補償參考電壓之溫度曲線,為將參考電壓之二階溫度曲線補償為三階溫度曲線。
本發明實施例另提供一種電子裝置,電子裝置包括能帶隙參考電壓電路、信號處理電路與負載。能帶隙參考電壓電路用以提供參考電壓。信號處理電路耦接至能帶隙參考電壓電路,所述信號處理電路接收參考電壓,用以將所接收之輸入信號予以信號處理後輸出。負載耦接至信號處理電路,負載接收信號處理電路所輸出之輸出信號。能帶隙參考電壓電路包括參考電壓產生單元、電流產生單元與阻抗提供單元。
綜上所述,本發明實施例所提出之能帶隙參考電壓電路與電子裝置,透過在參考電壓產生單元與電流產生單元之間引進阻抗提供單元,所述阻抗提供單元本身具有正溫度係數之特性且阻抗提供單元之兩端跨壓為具有正溫度係數的電壓,進而使得流經阻抗提供單元之第二電流具有負溫度係數之特性,藉由阻抗提供單元以補償參考電壓之溫度曲線。據此,本揭露內容能夠將參考電壓的二階溫度曲線補償至三階溫度曲線,以提高參考電壓在面對溫度變異時的穩定度。
為使能更進一步瞭解本發明之特徵及技術內容,請參閱以下有關本發明之詳細說明與附圖,但是此等說明與所附圖式僅係用來說明本發明,而非對本發明的權利範圍作任何的限制。
在下文將參看隨附圖式更充分地描述各種例示性實施例,在隨附圖式中展示一些例示性實施例。然而,本發明概念可能以許多不同形式來體現,且不應解釋為限於本文 中所闡述之例示性實施例。確切而言,提供此等例示性實施例使得本發明將為詳盡且完整,且將向熟習此項技術者充分傳達本發明概念的範疇。在諸圖式中,可為了清楚而誇示層及區之大小及相對大小。類似數字始終指示類似元件。
應理解,雖然本文中可能使用術語第一、第二、第三等來描述各種元件,但此等元件不應受此等術語限制。此等術語乃用以區分一元件與另一元件。因此,下文論述之第一元件可稱為第二元件而不偏離本發明概念之教示。如本文中所使用,術語「及/或」包括相關聯之列出項目中之任一者及一或多者之所有組合。
〔能帶隙參考電壓電路的實施例〕
請參照圖2,圖2為根據本發明實施例之能帶隙參考電壓電路之區塊示意圖。如圖2所示,能帶隙參考電壓電路200包括參考電壓產生單元210、電流產生單元220與阻抗提供單元230。電流產生單元220電性連接至參考電壓產生單元210,阻抗提供單元230電性連接至參考電壓產生單元210與電流產生單元220之間。
參考電壓產生單元210接收一系統電壓,且輸出參考電壓VREF,其中參考電壓VREF具有非線性(non-linear)之溫度係數。電流產生單元220產生第一電流I1,其中第一電流I1具有正溫度係數之特性,並且第一電流I1用以偏壓參考電壓產生單元210。阻抗提供單元230的兩端跨壓為具有正溫度係數的電壓,並且,阻抗提供單元230本身具有正溫度係數的特性,使得流經阻抗提供單元230的第二電流I2具有負溫度係數的特性,其中阻抗提供單元230可 以是具有正溫度係數之電阻或是其它能夠提供阻抗且具有正溫度係數的元件,並不以本實施例為限。因此,能夠藉由阻抗提供單元230來補償參考電壓VREF的溫度曲線,換句話說,本揭露內容能夠將參考電壓VREF的二階(second-order)溫度曲線補償為三階(third-order)溫度曲線。
附帶一提的是,本文所述之正溫度係數指示其物理量(如電壓值、電流值或電阻值)與溫度之間成正比關係,也就是說,當溫度上升或下降時,其物理量會隨著溫度而上升或下降;本文所述之負溫度係數指示其物理量與溫度之間成反比關係,也就是說,當溫度上升或下降時,其物理量會隨著溫度而下降或上升。接下來要教示的,是進一步說明能帶隙參考電壓電路200的工作原理。
在本實施例中,在未加入阻抗提供單元230的情況下,參考電壓產生單元210所輸出之參考電壓VREF為一非線性溫度係數的電壓,亦即具有二階溫度係數的電壓。透過阻抗提供單元230的適當選擇與配置,阻抗提供單元230能夠為本實施例之能帶隙參考電壓電路200引進一具有負溫度係數的第二電流I2,使得設計者能夠調整阻抗提供單元230所提供的阻抗值,來補償參考電壓VREF的溫度曲線,亦即將參考電壓VREF的二階溫度曲線補償為三階溫度曲線,以使得參考電壓VREF在面對溫度的變異時能夠更為穩定。
值得注意的是,本實施例中之阻抗提供單元230必須具有正溫度係數之特性,且阻抗提供單元230兩端之跨壓亦須具有正溫度係數的特性。為了方便說明,將阻抗提供單元230的正溫度係數設為第一斜率m1,而阻抗提供單元 230兩端之跨壓的正溫度係數設為第二斜率m2。為使得流經阻抗提供單元230的第二電流I2具有負溫度係數的特性,本領域具有通常知識者應可理解,於本實施例中,第二斜率m2必須大於第一斜率m1,如此一來,第二電流I2才會具有負溫度係數的特性。接著,由於第二電流I2的電流值和溫度係數都會直接影響到能帶隙參考電壓電路200所輸出的參考電壓VREF,所以,設計者可以依據電路設計需求或製程需求來設計阻抗提供單元230,亦即可以選擇阻抗提供單元230所提供的阻抗值與其溫度係數的大小。
為了更詳細地說明本揭露內容所述之能帶隙參考電壓電路的運作流程,以下將舉多個實施例中至少之一來做更進一步的說明。
在接下來的多個實施例中,將描述不同於上述圖2實施例之部分,且其餘省略部分與上述圖2實施例之部分相同。此外,為說明便利起見,相似之參考數字或標號指示相似之元件。
〔能帶隙參考電壓電路的另一實施例〕
請參照圖3,圖3為根據本發明實施例之能帶隙參考電壓電路之細部電路示意圖。如圖3實施例所示,參考電壓產生單元210包括第一P型電晶體M1、第二P型電晶體M2、第一電阻R1、第二電阻R2與放大器OP。電流產生單元220包括第三電阻R3、第一雙載子接面電晶體Q1與第二雙載子接面電晶體Q2。阻抗提供單元230包括第四電阻R4。
第一P型電晶體M1的源極耦接至系統電壓VDD。第二P型電晶體M2之源極耦接至系統電壓VDD,第二P型 電晶體M2之閘極耦接至第一P型電晶體M1之閘極,第二P型電晶體M2之汲極輸出參考電壓VREF。第一電阻R1的一端耦接至第一P型電晶體M1的汲極。第二電阻R2的一端耦接至第二P型電晶體M2的汲極。放大器OP的輸出端耦接至第二P型電晶體之閘極,放大器OP的正輸入端耦接至第一電阻R1的另一端,放大器OP的負輸入端耦接至第二電阻R2的另一端。
第三電阻R3的一端耦接至第一電阻R1的另一端,第一雙載子接面電晶體Q1的射極耦接至第三電阻R3的另一端,第一雙載子接面電晶體Q1的集極耦接至接地電壓GND。第二雙載子接面電晶體Q2的射極耦接至第二電阻R2的另一端,第二雙載子接面電晶體Q2的集極耦接至接地電壓GND,第二雙載子接面電晶體Q2的基極耦接至第一雙載子接面電晶體的基極,其中,在一實施中,為了佈局的需求,第一雙載子接面電晶體Q1的射極面積為第二雙載子接面電晶體Q2的射極面積的八倍。第四電阻R4的一端耦接至第二電阻R2之另一端,第四電阻R4的另一端耦接至第一雙載子接面電晶體Q2的射極。
在本實施例中,放大器OP會使第一電阻R1的另一端的電壓與第二電阻R2的另一端的電壓實質上相同,也就是將電壓V1與V2鎖定為實質上相同的值,其中電壓V2為第二雙載子接面電晶體Q2的射-集極跨壓VEB2。第一P型電晶體M1會受到第一電流I1而予以偏壓於飽和區,而在第二P型電晶體M2亦會工作於飽和區,且第二P型電晶體M2的汲極會輸出具有正溫度係數的參考電流IREF。再者,第二電阻R2之材料具有負溫度係數的特性,且第二 電阻R2用以調整參考電壓VREF之溫度曲線。第三電阻R3兩端之跨壓為正溫度係數之電壓,且第三電阻R3用以產生正溫度係數之第一電流I1。第四電阻R4之材料具有正溫度係數之特性,且第四電阻R4兩端之跨壓與第三電阻R3兩端之跨壓具有相同的值與正溫度係數。再者,第四電阻R4用以產生具有負溫度係數之第二電流I2,並且可藉由第四電阻R4之阻抗值來補償參考電壓VREF之溫度曲線。接下來將進一步教示的,是關於能帶隙參考電壓電路300之動作。
請繼續參照圖3,由於第一及第二雙載子接面電晶體Q1與Q2的射-集極跨壓VEB1(亦即電壓V3)與VEB2(亦即電壓V2)都是負溫度係數的電壓,且放大器OP會將其正輸入端的電壓V1為與負輸入端的電壓V2鎖定為一樣的電壓值與溫度係數。所以,第三電阻R3兩端之跨壓為電壓V1與電壓V3之間的差值,也就是說,第三電阻R3兩端之跨壓為雙載子接面電晶體Q1與Q2內兩射-集極跨壓的差值(亦即電壓VEB2-VEB1),本領域具有通常知識者應可理解,電壓VEB2-VEB1為一具有正溫度係數的電壓。接著,在本實施例中,第三電阻R3為一具有正溫度係數之電流,因此流經第三電阻R3的第一電流I1可以由第三電阻R3的大小所決定。而此第一電流I1為具有正溫度係數的電流,並且第一電流I1為用來偏壓參考電壓產生單元210,進一步來說,第一電流I1為用來偏壓第一P型電晶體M1。因此,第二電晶體亦會輸出一具有正溫度係數的參考電流IREF。而本實施例中之參考電壓VREF的關係式可以由方程式(1)來表示: VREF=IREF×R2+VEB2 (1)
方程式(1)中之參考電流IREF為一正溫度係數的電流,第二電阻R2為一負溫度係數的電阻,而射-基極電壓VEB2(V2)為一具有負溫度係數的電壓。因此,設計者能夠透過調整第二電阻R2的值來將參考電壓VREF調整為接近零溫度係數的電壓,亦即,也就是將參考電壓VREF在一溫度範圍內變化時相對穩定。值得注意的是,本揭露內容更在參考電壓產生單元210與電流產生單元220之間配置一第四電阻R4。由於第四電阻之一端耦接電壓V2,且第四電阻R4的另一端耦接電壓V3,所以第四電阻R4兩端的跨壓與第三電阻R3兩端之間的跨壓一樣,亦即為電壓VEB2減去電壓VEB1的值,故第四電阻R4兩端的跨壓為一具有正溫度係數之電壓。值得注意的是,本實施例中之第四電阻R4的材料具有正溫度係數且其溫度係數大於電壓VEB2-VEB1的溫度係數,所以流經第四電阻R4的第二電流I2為具有負溫度係數的電流。參考電壓VREF可以由以下方程式(2)來表示:VREF=IREF×R2+VEB2=(I2+I3)×R2+VEB2 (2)
如方程式(2)所示,本實施例之參考電流IREF分為兩個電流分量,亦即因為第四電阻R4的存在,參考電流IREF分為第二電流I2與第三電流I3,其中第二電流I2為負溫度係數的電流,第三電流為正溫度係數的電流。因此,設計者可以根據電路需求或製程需求,透過調整第四電阻R4的電阻值或是挑選第四電阻R4本身材料的溫度係數,來調整第二電流I2的電流值及溫度係數,進而可補償參考電壓 VREF的電壓值或其溫度曲線。在一實施例中,本揭露內容能夠將參考電壓VREF的二階溫度曲線補償至三階溫度曲線,進而提高參考電壓VREF在面對溫度變異時的穩定度。
為了方便說明本實施例,請同時參考圖3與圖4,圖4為根據本發明另一實施例之參考電壓之溫度曲線圖。在圖4中,橫坐標代表溫度,單位為攝氏度(0 C)。縱坐標代表參考電壓VREF的值,單位為伏特(V)。圖4中的曲線為對能帶隙參考電路300在溫度範圍為-40攝氏度~125攝氏度的模擬曲線圖。由圖4可知,在溫度範圍-40攝氏度~125攝氏度中電壓的最大值與最小值之間僅有1.48毫伏特(mV),相較於習知技術下,本揭露內容大幅地提高了能帶隙參考電壓電路300在溫度變異時穩定度。
總之,在不脫離在參考電流的電流分量中引進一具有負溫度係數的電流,且將參考電壓的溫度曲線補償為三階溫度曲線以穩定參考電壓之精神下,皆屬於本發明所揭露的範圍內。
〔電子裝置的實施例〕
請參照圖5,圖5為根據本發明實施例之電子裝置之示意圖。如圖5所示,電子裝置500包括能帶隙參考電壓電路510、信號處理電路520與負載530。能帶隙參考電壓電路510接收一系統電壓VDD,且用以提供參考電壓VREF。信號處理電路520耦接至能帶隙參考電壓電路510,且信號處理電路520接收能帶隙參考電壓電路510所傳送而來的參考電壓VREF而予以工作,接著,信號處理電路520將所接收之輸入信號VIN予以信號處理後輸出。負載530 耦接至信號處理電路520,且負載530接收信號處理電路520所輸出之輸出信號VOUT。能帶隙參考電壓電路510可以是上述實施例中之能帶隙參考電壓電路200與300的其中之一,且用以提供穩定的參考電壓給信號處理電路520。電子裝置500可以是各種類型的電子裝置,例如手持裝置或行動裝置等。
〔實施例的可能功效〕
綜上所述,本發明實施例所提供的能帶隙參考電壓電路與電子裝置,透過在參考電壓產生單元與電流產生單元之間引進阻抗提供單元,且阻抗提供單元本身具有正溫度係數之特性且阻抗提供單元之兩端跨壓為具有正溫度係數的電壓,進而使得流經阻抗提供單元之第二電流具有負溫度係數之特性,藉由阻抗提供單元以補償參考電壓之溫度曲線。據此,本揭露內容能夠將參考電壓的二階溫度曲線補償至三階溫度曲線,以提高參考電壓在面對溫度變異時的穩定度。
在本發明揭露內容中多個實施例中至少一實施例,相較於習知技術,能夠節省功耗與佈局面積。
以上所述僅為本發明之實施例,其並非用以侷限本發明之專利範圍。
100‧‧‧習知能帶隙參考電壓電路
200、300‧‧‧能帶隙參考電壓電路
210‧‧‧參考電壓產生單元
220‧‧‧電流產生單元
230‧‧‧阻抗提供單元
500‧‧‧電子裝置
510‧‧‧能帶隙參考電壓電路
520‧‧‧信號處理單元
530‧‧‧負載
GND‧‧‧接地電壓
I1‧‧‧第一電流
I2‧‧‧第二電流
I3‧‧‧第三電流
IREF‧‧‧參考電流
M1‧‧‧第一P型電晶體
M2‧‧‧第二P型電晶體
OP‧‧‧放大器
Q1‧‧‧第一雙載子接面電晶體
Q2‧‧‧第二雙載子接面電晶體
R1‧‧‧第一電阻
R2‧‧‧第二電阻
R3‧‧‧第三電阻
R4‧‧‧第四電阻
V1、V2、V3‧‧‧電壓
VEB1、VEB2‧‧‧射-集極跨壓
VDD‧‧‧系統電壓
VREF、VREF’‧‧‧參考電壓
VIN‧‧‧輸入信號
VOUT‧‧‧輸出信號
上文已參考隨附圖式來詳細地說明本發明之具體實施例,藉此可對本發明更為明白,在該等圖式中:圖1A為習能帶隙參考電壓電路之示意圖。
圖1B為參考電壓之溫度電壓曲線圖。
圖2為根據本發明實施例之能帶隙參考電壓電路之區塊示意圖。
圖3為根據本發明實施例之能帶隙參考電壓電路之細部電路示意圖。
圖4為根據本發明另一實施例之參考電壓之溫度曲線圖。
圖5為根據本發明實施例之電子裝置之示意圖。
200‧‧‧能帶隙參考電壓電路
210‧‧‧參考電壓產生單元
220‧‧‧電流產生單元
230‧‧‧阻抗提供單元
I1‧‧‧第一電流
I2‧‧‧第二電流
VREF‧‧‧參考電壓

Claims (10)

  1. 一種能帶隙參考電壓電路,包括:一參考電壓產生單元,用以輸出一參考電壓;一電流產生單元,電性連接至該參考電壓產生單元,該電流產生單元產生具有正溫度係數之一第一電流,且用以偏壓該參考電壓產生單元;以及一阻抗提供單元,電性連接該參考電壓產生單元與該電流產生單元之間,該阻抗提供單元之兩端跨壓為一具有正溫度係數的電壓,其中該阻抗提供單元具有正溫度係數之特性,使得流經該阻抗提供單元之一第二電流具有負溫度係數之特性,藉由該阻抗提供單元以補償該參考電壓之溫度曲線。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之能帶隙參考電壓電路,其中補償該參考電壓之溫度曲線,為將該參考電壓之二階溫度曲線補償為三階溫度曲線。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之能帶隙參考電壓電路,其中該參考電壓產生單元包括:一第一P型電晶體,其源極耦接至一系統電壓;一第二P型電晶體,其源極耦接至該系統電壓,其閘極耦接至該第一P型電晶體之閘極,其汲極輸出該參考電壓;一第一電阻,其一端耦接至該第一P型電晶體之汲極;一第二電阻,其一端耦接至該第二P型電晶體之汲極;以及一放大器,其輸出端耦接至該第二P型電晶體之閘極,其正輸入端耦接至該第一電阻之另一端,其負輸入端耦接至該第二電阻之另一端,其中該放大器用以使該第一電阻之另一端之電壓與該第二 電阻之另一端之電壓實質上相同,並且該第一P型電晶體受該第一電流偏壓,而在該第二P型電晶體之汲極輸出具有正溫度係數之一參考電流。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之能帶隙參考電壓電路,其中該第二電阻具有負溫度係數之特性,用以調整該參考電壓之溫度曲線。
  5. 如申請專利範圍第3項所述之能帶隙參考電壓電路,其中該電流產生單元包括:一第三電阻,其一端耦接至該第一電阻之另一端;一第一雙載子接面電晶體,其射極耦接至該第三電阻之另一端,其集極耦接至一接地電壓;以及一第二雙載子接面電晶體,其射極耦接至該第二電阻之另一端,其集極耦接至該接地電壓,其基極耦接至該第一雙載子接面電晶體之基極,其中該第三電阻兩端之跨壓為正溫度係數之電壓,用以產生具有正溫度係數之該第一電流。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之能帶隙參考電壓電路,其中該阻抗提供單元包括:一第四電阻,其一端耦接至該第二電阻之另一端,其另一端耦接至該第一雙載子接面電晶體之射極,其中該第四電阻具有正溫度係數之特性,且該第四電阻兩端之跨壓與該第三電阻兩端之跨壓具有相同之值與正溫度係數。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之能帶隙參考電壓電路,其中該第四電阻用以產生具有負溫度係數之該第二電流,並且藉由該第四電阻之阻抗值來補償該參考電壓之溫度曲線。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之能帶隙參考電壓電路,其中補償該參考電壓之溫度曲線,為將該參考電壓之二階溫度曲線補償為三階溫度曲線。
  9. 一種電子裝置,包括:一能帶隙參考電壓電路,用以提供一參考電壓;一信號處理電路,耦接至該能帶隙參考電壓電路,該信號處理電路接收該參考電壓,用以將所接收之一輸入信號予以信號處理後輸出;以及一負載,耦接至該信號處理電路,該負載接收該信號處理電路所輸出之一輸出信號,其中該能帶隙參考電壓電路包括:一參考電壓產生單元,用以輸出一參考電壓;一電流產生單元,電性連接至該參考電壓產生單元,該電流產生單元產生一具有正溫度係數之一第一電流,用以偏壓該參考電壓產生單元;以及一阻抗提供單元,電性連接該參考電壓產生單元與電流產生單元之間,該阻抗提供單元之兩端跨壓為一具有正溫度係數的電壓,其中該阻抗提供單元具有正溫度係數之特性,使得流經該阻抗提供單元之一第二電流具有負溫度係數之特性,藉由該阻抗提供單元以補償該參考電壓之溫度曲線。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之能帶隙參考電壓電路,其中補償該參考電壓之溫度曲線,為將該參考電壓之二階溫度曲線補償為三階溫度曲線。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN113203495A (zh) * 2020-02-01 2021-08-03 瑞昱半导体股份有限公司 温度感测电路
TWI832227B (zh) * 2021-04-28 2024-02-11 極創電子股份有限公司 具有溫度補償之參考電壓電路

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6987416B2 (en) * 2004-02-17 2006-01-17 Silicon Integrated Systems Corp. Low-voltage curvature-compensated bandgap reference
TW200839479A (en) * 2007-03-27 2008-10-01 Faraday Tech Corp Bandgap reference circuits
WO2009080558A1 (en) * 2007-12-21 2009-07-02 Analog Devices, Inc. A bandgap voltage reference circuit

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6987416B2 (en) * 2004-02-17 2006-01-17 Silicon Integrated Systems Corp. Low-voltage curvature-compensated bandgap reference
TW200839479A (en) * 2007-03-27 2008-10-01 Faraday Tech Corp Bandgap reference circuits
WO2009080558A1 (en) * 2007-12-21 2009-07-02 Analog Devices, Inc. A bandgap voltage reference circuit

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
P.Malcovati,F.Maloberti,C.Fiocchi,M.Pruzzi,Curvature-compensated BiCMOS bandgap with 1-V supply voltage,IEEE Journal of Solid-State Circuits,VOL.36,NO.7,July 2001,pp.1076-1081 全文 *

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