TWI493750B - Light emitting element - Google Patents
Light emitting element Download PDFInfo
- Publication number
- TWI493750B TWI493750B TW100146527A TW100146527A TWI493750B TW I493750 B TWI493750 B TW I493750B TW 100146527 A TW100146527 A TW 100146527A TW 100146527 A TW100146527 A TW 100146527A TW I493750 B TWI493750 B TW I493750B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- layer
- light
- layers
- type
- active layer
- Prior art date
Links
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 119
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 74
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 67
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 38
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 37
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 425
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 29
- 238000000034 method Methods 0.000 description 18
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 17
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 description 16
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 14
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 11
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 6
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 6
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 5
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 5
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 5
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 4
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 4
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 4
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 3
- 238000002248 hydride vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 238000005282 brightening Methods 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/14—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a carrier transport control structure, e.g. highly-doped semiconductor layer or current-blocking structure
- H01L33/145—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a carrier transport control structure, e.g. highly-doped semiconductor layer or current-blocking structure with a current-blocking structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/04—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
- H01L33/06—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction within the light emitting region, e.g. quantum confinement structure or tunnel barrier
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
Description
本發明是關於一種成為照明或顯示機器的光源之有色發光元件，更具體而言是關於具有多重活性層之發光元件。
由於發光層中保有AlGaInP之發光元件，比先前的有色發光元件亮得多，因此對於這樣的發光元件的需求，在車載照明或LCD背光等與先前的發光二極體不同的用途上持續擴大。除了AlGaInP為直接遷移型的這點有所幫助，設置透明且厚的窗層來提高外部量子效率也是使發光元件變亮的重要原因。
另一方面，例如在非專利文獻1中揭示一種方法，此方法為了提高內部量子效率，而在基板及窗層上設置厚的透明導電層，並設置多重量子井(MQW：Multiple Quantum Well)來提高發光效率。
在AlGaInP系發光元件中，使用AlGaAs或GaP來作為窗層。因為AlGaAs層有著會對水分劣化的特性上問題，一般使用GaP。然而，為了設置厚GaP層，必須直接將GaP基板接合於AlGaInP發光層部、或是使GaP的厚膜結晶成長。在直接接合GaP基板的方法中，例如專利文獻2中所示，有著在與GaP基板的接合界面上產生障壁層的問題，而為了迴避此問題，會需要長時間且高溫的熱處理。
又，已知雖然在發光層的其中一面上設置窗層也可有效地改善發光效率，但在另一面上亦設置窗層，亦即在發光層的上下均設置窗層可更加提高外部量子效率。在此情況下，設置於另一面上的窗層亦藉由貼合或結晶成長來形成，但由於GaAs基板作為光吸收層而發揮功能，故在窗層形成前必須除去該基板。
發光元件中所必要的由AlGaInP系材料所構成的層狀構造，一般是在GaAs基板上利用MOVPE法來形成。層狀構造的總膜厚頂多到10μm前後。AlGaInP系與GaAs系雖然是晶格匹配系，但亦能夠利用選擇蝕刻法，因此，藉由將選擇蝕刻中需要的層適當地***GaAs基板與AlGaInP層之間，能夠蝕刻除去GaAs基板。
但是，為了製作發光所必要的功能層而需要的AlGaInP系材料的總膜厚頂多為10μm程度，若除去GaAs基板而僅剩下AlGaInP層，該殘存晶圓的膜厚會變成10μm前後。膜厚10μm前後的晶圓雖然能夠在實驗中進行處理，但這樣的晶圓容易破裂而不具有通過工業性步驟所必要的機械性強度。
因此，亦考慮在GaAs基板除去前，先將用來保持機械性強度的強度保持板(或是晶圓)貼附在AlGaInP成長面側然後再除去GaAs基板的方法。在此情況下，在GaAs被除去的面側上貼附GaP基板後，必須剝離(除去)強度保持板(或是晶圓)，並且伴隨剝離需要進行洗淨，也會擔心造成汙染等，就工業上來說只會使成本上昇而沒什麼優點。
因此，為了在節省成本下通過工業性步驟，在GaAs基板除去前藉由使厚膜GaP層結晶成長而讓晶圓保有機械性強度的方法，由於可將GaP層部兼用為光取出層與強度保持板而較為合理。
像這樣使厚膜GaP層結晶成長的情況下，使GaP層保有足夠通過工業性步驟的機械性強度所需厚度為20μm以上。為了使這個膜厚20μm以上的GaP層結晶成長，需要數小時~十數小時。由於GaP層成為越厚的膜，外部量子效率便越增加，因此需要很長的成長時間。又，GaP層成長所必要的溫度，會需要與一般用來成長AlGaInP層所必要的溫度相等或更高的高溫，於是AlGaInP發光層部將長時間暴露在MOVPE成長時的溫度或是比該溫度更高的溫度下。
p導電型包覆層中摻雜有Mg或Zn等p型不純物，在上述結晶成長時，該等p型不純物由於受到加熱而遵循熱力學擴散，而有亦擴散到活性層(主動層(active layer))中的可能性。由於擴散到活性層中的p型不純物容易形成缺陷，因此在藉由通電等來進行的元件壽命試驗時會形成缺陷，結果引發載子注入效率降低、光吸收增加等情況，而在壽命試驗時引發光輸出降低的現象。
p型不純物的擴散，大幅依存於(Alx
Ga1-x
)y
In1-y
P中的Al組成x，若Al組成x較少則不純物的擴散較快，因而使不純物不易滯留。例如，活性層由於Al組成x較少，故活性層中的不純物擴散速度比Al組成x較高的包覆層相對較
快，因而使不純物不易滯留。雖然不純物濃度會根據鄰接層的不純物濃度而變化，但與活性層鄰接的層上需要用來封鎖載子的包覆層，故一般而言包覆層會受到摻雜。由於包覆層比活性層更需要寬能帶隙，故Al組成x較大，不純物擴散比活性層慢。又，為了不使對活性層的注入效率降低，包覆層必須保持某種程度以上的濃度的不純物。因此，存在於包覆層中的不純物會向活性層中擴散。
即使發生不純物的擴散，若活性層具有某種程度以上的厚度，則可在會由於不純物擴散而造成影響的不純物濃度以下，設計光活性部。例如，發生由於不純物朝向活性層中擴散所造成的行程缺陷的部位，其厚度是50nm程度，且發光再結合所必要的有效活性層膜厚是500nm程度的情況下，若以550nm程度的均勻厚度來設置相同組成的活性層，則即使發生不純物擴散亦可維持活性層中的發光再結合。但是，此厚度50nm程度的不純物擴散污染層，其非發光再結合比其他活性層更大，因此會成為發光效率降低的重要原因。為了方便，在此將這種形態的活性層稱為大型(bulk)活性層。
像這樣，雖然大型活性層在抑制不純物擴散的影響這點上是具有優點的活性層，但只能期待大型活性層具有封鎖被夾在p型與n型包覆層中的載子的效果，且被不純物污染的部位具有非發光再結合層的功能，因此發光效率不容易上升。在大型活性層中，只有60%程度的內部量子效率，而需要進一步提高內部量子效率。
作為提高內部量子效率的方法，例如有如專利文獻3等所示的使用多重量子井(MQW)構造的方法。藉由採用MQW構造，可藉由對量子井的封鎖效果而提高發光效率。然而，MQW中各層的厚度是數nm~十幾nm且為半導體內的電子的德布羅依波長程度，因此各層的厚度比大型活性層薄得多。因此，如上述朝向活性層的不純物擴散的影響會變大。雖然若增加MQW中的活性層的層數有可能可以解決上述問題，但由於需要大幅增加活性層的層數，內部量子效率會因活性層的自我吸收而降低。
又，亦有以擬似於MQW的形態，將各層設定成德波羅依波長以上的膜厚，利用少量層數來提高發光效率的方法。在此情況下，不純物擴散受到適當地控制，因此在壽命試驗時不容易發生問題，而可製作長壽命的發光元件。
AlGaInP系以外的其他材料系列，亦可利用包夾其他組成的層而顯現出Mg擴散抑制的效果，例如可在專利文獻4等中見到該效果。
然而，在德布羅依波長以上的膜厚下，設置在活性層與活性層之間的障壁層中的穿隧現象不會發生，因此自活性層至相鄰的其他活性層的載子輸送只能仰賴泵送(pumping)。電子由於等效質量較小，泵送起來比較容易，但電洞的等效質量比電子大得多，穿越高障壁層的泵送的統計機率比電子低，因此特別在載子少的低電流域中，活性層中的載子注入效率與伴隨載子注入效率之發光效率降低。進而，由於載子注入效率的降低會招來串連電阻成分
增大的結果。此效果在發光二極體這種使用於低電流域的元件中會成為大問題。不過，載子的泵送不易發生的這件事，也就代表載子的封鎖效果增加，故發光效率藉由被封鎖於活性層中的載子的效果而上昇。
藉由***比活性層更寬能帶隙的材料而使串聯電阻成分增大，這種與上述相同的效果例如揭示於專利文獻5。
作為用來解決以上問題的方法，如專利文獻6所示，利用在上下設置厚膜透明層並交互積層活性層與障壁層之構造來降低p型側障壁層的能帶隙，藉此減低VF(順向電壓)而可得到高亮度且長壽命的發光元件。但是，對於亮度低下的問題等的解決情形尚不夠充分，因而要追求更高品質的元件。
專利文獻1：日本特開2006-32837號公報。
專利文獻2：日本特開2003-46200號公報。
專利文獻3：日本特開平06-283825號公報。
專利文獻4：日本特開平11-251687號公報。
專利文獻5：日本特開2010-087270號公報。
專利文獻6：日本特開平06-283822號公報。
專利文獻7：日本特開平06-310813號公報。
專利文獻8：日本特開平08-088404號公報。
非專利文獻1：Applied Physics Letters,Vo.74,No.15,pp.2230~2232。
在活性層部的上下方具有厚膜透明膜的構造，是一種重視從元件的橫方向而非從元件的上下方向將光取出的構造。要在這種形態的元件下謀求降低成本時，縮小元件的截面積是有效的，這意味著使電流流動方向的截面積縮小，而上述構造適用於流過小電流的元件，而不適用於流過大電流的元件。
但是，由於在這種小電流條件下的偏壓差異不大，注入活性層中的第一導電型載子，因為到達以第二導電型進行摻雜之層的溢流現象而使載子自第一導電型的活性層回流至包覆層，而這樣的現象會成為問題。此現象的發生會造成載子無法充分地滯留於活性層內，因此發生亮度降低的問題。
作為抑制溢流的手段，已知有例如專利文獻7所示的將超晶格障壁設置成比活性層更靠近p型側的方法。然而，此文獻是對於n型載子自活性層向p導電型層溢流的對策，且限定於活性層的電流密度大且施加電壓大的情況。
但是，在小電流條件下，並未施加足以使n型載子溢
出至p導電型層的大電壓，且活性層的載子的電流密度也不高。因此，無法解決上述用於小電流條件下的元件構造的溢流課題。
又，專利文獻8中，雖然在n型包覆層側設置超晶格障壁層，但活性層為單純的MQW構造，而難以成為長壽命元件。
本發明是鑑於上述問題點而完成，其目的在於提供一種長壽命、低電阻，且保持高發光效率(特別是內部量子效率)的發光元件。
為了達成上述目的，本發明提供一種發光元件，是使用化合物半導體基板而製造出來的發光元件，該化合物半導體基板至少具有p型包覆層、多重活性層部及n型包覆層，其中多重活性層部是由以(Alx
Ga1-x
)y
In1-y
P(0≦x≦0.6，0.4≦y≦0.6)所組成的3層以上的活性層和2層以上的障壁層交互積層而成，且障壁層的Al含有率x高於該活性層，並且，所述發光元件的特徵在於：
上述障壁層中，相較於靠近上述n型包覆層側的障壁層，靠近上述p型包覆層側的障壁層的能帶隙較小，且上述化合物半導體基板是在上述多重活性層部與上述n型包覆層之間或是在上述n型包覆層中具有超晶格障壁層之基板。
像這樣，若障壁層中，相較於靠近n型包覆層側的障
壁層，靠近p型包覆層側的障壁層的能帶隙較小，則可增加障壁層中的p型載子的泵送機率。藉此，可使n型、p型兩種載子均勻地分布於活性層中，在減少串聯電阻的同時，亦可謀求提高內部量子效率。進而，在多重活性層部與n型包覆層之間或是n型包覆層中若具有超晶格障壁層，則可抑制載子的溢流而防止亮度降低。又，由於採用多重活性層構造，可減低不純物擴散的影響而使元件長壽。又，在n型包覆層中具有超晶格障壁層的情況中，由於不需要考慮因離子化的不純物所導致的載子捕捉，因此是一種發光元件，其超晶格障壁層的摻雜濃度等的設計自由度較高。
藉由以上手段，若根據本發明，可成為一種長壽命、低電阻且高發光效率的發光元件。
此時，上述超晶格障壁層，較佳是由以(Alx
Ga1-x
)y
In1-y
P(0≦x≦1，0.4≦y≦0.6)及/或Alz
Ga1-z
As(0≦z≦1)所組成的能帶隙不同之層交互積層而成。
若是這種超晶格障壁層，則可成為一種有效地抑制載子的溢流之發光元件。
此時，上述超晶格障壁層，較佳是由能帶隙不同且厚度在15nm以下之層交互積層而成。
若是這種超晶格障壁層，則可成為一種可獲得較大障壁而確實地抑制載子的溢流之發光元件。
此時，上述超晶格障壁層，可與上述多重活性層部鄰接而形成。
作為本發明的超晶格障壁層，可像這樣與多重活性層部鄰接而形成。
如以上所述，若根據本發明，則例如在伴隨GaP厚膜成長的發光元件中，可提供一種發光元件，該發光元件兼有多重活性層型發光元件所保有的長壽命與高發光效率(特別是內部量子效率)。
關於本發明，以下作為實施態樣的一例，一邊參照圖式一邊進行詳細說明，但本發明並非限定於此例。
第1圖(a)是表示本發明的第1實施形態的發光元件的概略圖；第1圖(b)是表示用於該發光元件的化合物半導體基板的概略圖。第2圖是表示多重活性層部的概略圖。
如第1圖(a)所示，本發明的發光元件10，例如是由化合物半導體基板100與形成於該化合物半導體基板100的表面上的電極11所組成。發光元件10，是在後述將說明的化合物半導體基板100的p型表面與n型表面上形成電極11，然後切割(dicing)成晶粒狀而得到。
如第1圖(b)與第2圖所示，用於製造上述本發明的第1實施形態的發光元件10之化合物半導體基板100，具有p型包覆層107、多重活性層部106及n型包覆層104，其
中多重活性層部106是由以(Alx
Ga1-x
)y
In1-y
P(0<x≦0.6，0.4≦y≦0.6)所組成的3層以上的活性層106A和2層以上的障壁層106B、106C交互積層而成，而障壁層106B、106C的Al含有率x高於該活性層106A。
並且，障壁層中，相較於靠近n型包覆層104側的障壁層106B，靠近p型包覆層107側的障壁層106C的能帶隙較小，且化合物半導體基板100是在多重活性層部106與n型包覆層104之間具有超晶格障壁層105之基板。
像這樣，利用具有多重活性層部106，作成可抑制不純物擴散的影響的長壽命元件。又，在著眼於電流密度高的雷射元件的構造中，會在p型包覆層側設置超晶格障壁層，但在電流密度低的LED等中，與上述雷射元件不同，利用在相反側的多重活性層部106與n型包覆層104之間設置超晶格障壁層105，可有效地抑制溢流。
又，單純僅設置超晶格障壁層105，特別在低溫時等VF(順向電壓)會上昇。因此，對於多重活性層部106的障壁層106B、106C，障壁層106C是以能帶隙比障壁層106B低的材料來構成。利用作成像這樣的不均勻障壁層，可增加p型載子在障壁層的泵送機率，而增加p/n接面附近的p型載子滯留機率。因此，可使n型、p型兩者的載子均勻分布於活性層中，而可有效地降低VF。
作為用於製造本發明的發光元件10之化合物半導體基板100，例如可設置：n型GaP基板101(厚度30~150μm，摻雜濃度5×1017
/cm3
~5×1018
/cm3
)作為第一層部、n型
InGaP緩衝層102(厚度10~100nm，0.5<x<0.9，摻雜濃度1×1018
/cm3
~1×1019
/cm3
)作為第二層部、以及n型AlGaInP層103((Alx
Ga1-x
)y
In1-y
P(0.5≦x≦0.7，0.45≦y≦0.55)，厚度0.1~1.5μm，摻雜濃度1×1017
/cm3
~1×1018
/cm3
)作為第三層部。
並且，可在第四層部上設置：例如n型AlGaInP層((Alx
Ga1-x
)y
In1-y
P(0.6≦x≦1，0.45≦y≦0.55)，厚度0.5~1.5μm，摻雜濃度1×1017
/cm3
~1×1018
/cm3
)作為n型包覆層104。
又，可在第七層部上設置：例如p型AlGaInP層((Alx
Ga1-x
)y
In1-y
P(0.5≦x≦0.7，0.45≦y≦0.55)，厚度0.1~1.5μm，摻雜濃度5×1015
/cm3
~1×1018
/cm3
)作為p型包覆層107。
進而，可設置：p型AlGaInP層108((Alx
Ga1-x
)y
In1-y
P(0.5≦x≦1，0.45≦y≦0.55)，厚度0.1~1.5μm，摻雜濃度5×1016
/cm3
~3×1018
/cm3
)作為第八層部，p型InGaP緩衝層109(Gay
In1-y
P(0.45≦y<1)，厚度0.001~0.5μm，摻雜濃度3×1017
/cm3
~3×1019
/cm3
)作為第九層部，p型GaP窗層110(厚度30~150μm，摻雜濃度5×1017
/cm3
~5×1018
/cm3
)作為第十層部。
又，如第2圖所示的第六層部的多重活性層部106，是由3層以上的活性層106A與2層以上的障壁層106B、106C所組成，該障壁層106B、106C被設置於活性層106A之間且如第3圖所示具有比活性層106A更大的能帶隙。此
活性層106A與障壁層106B、106C交互積層，且活性層106A被設置成與p型包覆層107和超晶格障壁層105鄰接。此外，第3圖是多重活性層部的能帶排列。
而且，本發明中，例如利用將障壁層106B的組成作成Al0.85
GaInP，並將障壁層106C的組成作成Al0.60
GaInP，可如第3圖所示，作出一種多重活性層部106，其靠近p型包覆層107側的障壁層106C的能帶隙，比靠近n型包覆層104側的障壁層106B的能帶隙小。
多重活性層部106的構造中，作為活性層106A與障壁層106B、106C的膜厚，較佳是15~150nm。
例如在形成n型GaP基板101或p型GaP窗層110時，需要使層102~層109成長時以上的溫度與時間。若多重活性層部106的各層的厚度在15nm以上，即使暴露在上述般形成n型GaP基板101或p型GaP窗層110時的大量熱能之下，能抑制p型摻雜物會擴散至活性層而造成光壽命特性惡化的情況。又，若厚度在150nm以下，可減低活性層106本身的光吸收而可防止光輸出降低。
像這樣，以10nm以上的膜厚來構成障壁層106B、106C的情況，在先前技術中會有VF上昇的問題。VF上昇的原因在於等效質量較大的p型載子，由於載子不易越過障壁層106C，因而導致VF上昇。然而，如本發明般，利用作出一種多重活性層部106，其靠近p型包覆層107側的障壁層106C的能帶隙比靠近n型包覆層104側的障壁層106B的能帶隙小，可有效地抑制這種VF上昇
又，對於多重活性層部106，亦可不必進行積極的摻雜，但由於在形成n型GaP基板101或p型GaP窗層110的過程中，p型摻雜物會擴散而存在，故有時會有1×1017
/cm3
以下濃度的p型摻雜物Mg或Zn存在。
本發明中，第五層部的超晶格障壁層105，例如第4圖所示的超晶格障壁層，此超晶格障壁層是由(Alx
Ga1-x
)y
In1-y
P(0≦x≦1，0.4≦y≦0.6)及/或Alz
Ga1-z
As(0≦z≦1)所構成的能帶隙不同之層105A、105B兩者交互積層而成。在此情況下，如第5圖所示，可將超晶格障壁層105的其中一方的層105A的能帶隙製作成比另一方的層105B更小的能帶隙。此外，第4圖是表示超晶格障壁層的概略圖，而第5圖是超晶格障壁層的能帶排列。
此時，超晶格障壁層105，較佳是由能帶隙不同且厚度在15nm以下之層交互積層而成。
將膜厚設定為15nm以下，是為了藉由超晶格作成來形成小能帶。超晶格障壁層105，具有以德布羅依波長15nm以下的膜厚所形成的交互積層構造，而為了形成小能帶，具有比構成材料中的最低能帶隙更大的能帶隙。因此，藉由將膜厚製作成15nm以下，可進行構成材料以上的能帶隙設計。
又，層105B的能帶隙，較佳是由能帶隙大於n型包覆層104的材料所構成。
鑑於小能帶形成的想法，亦可用能帶隙小於n型包覆層104的材料來形成層105B。但是，若考慮到提高n導電
型側的障壁，則更佳是由層105B的能帶隙大於n型包覆層104的能帶隙的材料所構成。
又，層105A的能帶隙，較佳是與活性層106A的能帶隙在同等程度以上。
若是這種層105A的能帶隙，則不易成為光的吸收層。由於這種光吸收特別是在膜厚較厚的情況下會顯著發生，若能帶隙小的層105A的膜厚與活性層106A為同程度的膜厚，則光吸收的影響可以被容忍，但這樣的方法在設計上較不佳。因此，層105A，較佳是具有使能帶隙大於活性層106A的組成，特別是具有使能帶隙在n型包覆層104以上的組成。
從這點看來，例如在n型包覆層104是以Al0.85
GaInP所構成的情況下，層105B適合為AlInP，而層105A適合由Al0.85
GaInP所構成。
又，本實施形態的超晶格障壁層105的摻雜濃度，較佳是低於n型包覆層104，例如製作成1×1016
/cm3
~8×1017
/cm3
。
若是上述摻雜濃度，可充分地減低活性層附近的離子化不純物，該離子化不純物會成為載子捕捉(carrier trap)的重要原因而使輸出降低，進而，上述摻雜濃度可抑制載子在超晶格障壁層105處被捕捉的情況。
繼而，說明關於本發明的第2實施形態。第2實施形態中，與第1實施形態不同之處在於n型包覆層中具有超晶格障壁層。
第6圖(a)是表示本發明的第2實施形態的發光元件的概略圖，而第6圖(b)是表示用於製造該發光元件之化合物半導體基板的概略圖。第7圖是表示多重活性層部的概略圖，而第8圖是多重活性層部的能帶排列。第9圖是表示超晶格障壁層的概略圖，而第10圖是超晶格障壁層的能帶排列。
如第6圖(a)所示，本發明的發光元件20，是例如由化合物半導體基板200與形成於化合物半導體基板200的表面上的電極21所組成。
而且，第6圖(b)所示的化合物半導體基板200中，包含p型包覆層208、n型包覆層204在內的各層201-204、208-211，可製作成與第1實施形態的化合物半導體基板100的各層101-104、107-110相同。
第6圖(b)所示的化合物半導體基板200中，關於第7圖所示的多重活性層部207的活性層207A與障壁層207B、207C，亦可作成與第1實施形態的多重活性層部106的活性層106A與障壁層106B、106C相同。
因此，形成一種構造，此構造中的靠近p型包覆層208側的障壁層207C的能帶隙小於靠近n型包覆層204側的障壁層207B的能帶隙，而成為如第8圖所示的能帶排列。藉此可縮小VF。
第6圖(b)所示的化合物半導體基板200中，關於第9圖所示的n型包覆層204、206中所設置的超晶格障壁層205的層205A、205B，亦可作成與第1實施形態的超晶格
障壁層105的層105A、105B相同，且該等第9圖所示的層205A、205B，可作成如第10圖所示的能帶排列。但是，第2實施形態中，如以下所說明，由於在n型包覆層204、206中具有超晶格障壁層205，故能夠在更廣的範圍中設定超晶格障壁層205的摻雜濃度範圍。
第2實施形態中亦可藉由設置於n型包覆層204、206中的超晶格障壁層205來抑制溢流。
而且，如第6圖(b)所示的本發明之第2實施形態中，化合物半導體基板200，在多重活性層部207與超晶格障壁層205之間設有內側n型包覆層206。作為此n型包覆層206，例如較佳是製作成以相較於外側n型包覆層204為較低濃度來進行摻雜而成的n型AlGaInP層((Alx
Ga1-x
)y
In1-y
P(0.6≦x≦1，0.45≦y≦0.55)，厚度0.5~1.5μm，摻雜濃度1×1016
/cm3
~5×1017
/cm3
)。在此情況下，超晶格障壁層205，被設置於n型包覆層的摻雜均勻層與摻雜減少層的邊界附近。
利用具有這種內側n型包覆層206，便不需要考慮由離子化的不純物所造成的載子捕捉的影響，因此超晶格障壁層205的摻雜濃度可作成與外側n型包覆層204同等的濃度，而可在1×1017
/cm3
~1×1018
/cm3
的範圍中進行設定。
又，在n型包覆層206是0.5μm以下的厚度的薄膜的情況下，為了確實地消除離子化的不純物的影響，可將超晶格障壁層205的摻雜濃度作成比n型包覆層204的摻雜濃度更少，或是亦可使摻雜濃度自超晶格障壁層205的n
型包覆層204界面朝向n型包覆層206界面呈傾斜狀或階梯狀變化。
作為上述本發明的發光元件的製造方法，並未特別限定於任何方法，但例如有以下的方法。
首先，準備n型GaAs基板作為成長用單結晶基板，然後藉由MOCVD法，在該GaAs基板上氣相成長以下各層：n型InGaP緩衝層、n型包覆層、超晶格障壁層、多重活性層部、p型包覆層等。然後，藉由HVPE法摻雜Zn並氣相成長最表層的p型GaP窗層，然後，除去GaAs基板。藉此露出n型InGaP緩衝層。
然後，在因除去GaAs基板而露出的n型InGaP緩衝層的表面上，貼附上n型GaP基板或者藉由使用HVPE法的氣相成長來形成n型GaP層，藉此可得到化合物半導體基板。
藉由上述MOCVD法或HVPE法來進行氣相成長時，使用一般的條件即可。
在如此得到的化合物半導體基板上形成電極，並將該化合物半導體基板切斷而加工成晶片後，得到本發明的發光元件。
以下，例示實施例及比較例來更具體地說明本發明，但本發明並非限定於該等實施例。
作為實施例1，製作出第1圖所示的本發明的第1實施形態的發光元件10。又，作為實施例2，製作出第6圖所示的本發明的第2實施形態的發光元件20。
實施例1、2中，均將多重活性層部106、207的障壁層106B、207B的組成作成Al0.85
GaInP，並將障壁層106C、207C的組成作成Al0.60
GaInP。藉此，使靠近p型包覆層側之障壁層的能帶隙比靠近n型包覆層側的障壁層的能帶隙更小。
又，實施例1、2中，超晶格障壁層105、205，均將層105A、205A作成膜厚15nm之高Al能帶隙層材料(AlInP層)，且均將層105B、205B作成膜厚15nm之低能帶隙層材料(Al0.85
GaInP)，並將該等層的交互積層反覆進行20次而形成。
以下進行這種發光元件的特性評價。表1中表示流過20mA電流所需的電壓(VF)與光輸出(PO)。
與實施例1同樣地製作出發光元件，但是在比較例的發光元件中不設置超晶格障壁層105。
進行這種發光元件的特性評價並將結果表示於表1。
如表1所示，20mA通電時的VF值在比較例及實施例1、2之間沒有太大的差異，又，可確認到實施例1、2這邊的光輸出(PO)上昇的情況。
此外，雖然實施例1、2中將超晶格障壁層的各層膜厚作成15nm，但可藉由將膜厚作成更薄而使次能帶(subband)的形成準位變化至更高能量側，而可取得更大的障壁。由於次能帶設計可利用低能帶隙層與高能帶隙層的膜厚來適當地設計，在本質上兩者的膜厚當然不必相同。
作為實施例3，製作出第1圖所示的本發明的第1實施形態的發光元件10。又，作為實施例4，製作出第6圖所示的本發明的第2實施形態的發光元件20。
實施例3、4中，均將多重活性層部106、207的障壁層106B、207B的組成作成Al0.85
GaInP，並將障壁層106C、207C的組成作成Al0.60
GaInP。藉此，使靠近p型包覆層側的障壁層的能帶隙比靠近n型包覆層側的障壁層的能帶隙更小。
又，實施例3、4中，超晶格障壁層105、205，均將層105A、205A作成膜厚15nm的高Al能帶隙層材料(AlInP層)，且均將層105B、205B作成膜厚15nm的低能帶隙層材料(GaInP)，並將該等層的交互積層反覆進行20次而形成。
進行這種發光元件的特性評價，並將結果表示於表2。作為參考亦表示比較例的結果。
與實施例1、2同樣地，相較於比較例，在VF值上幾乎沒有差異。又，實施例3、4中亦確認到光輸出(PO)上昇的情況。但是，相較於實施例1、2，實施例3、4的光輸出上昇程度較低。此原因被認為是由於在具有小於活性層的能帶隙之GaInP層部發生光吸收，而使實施例3、4的光輸出低於實施例1、2。但是，即使發生光吸收也不會損及超晶格障壁層的效果，而使實施例3、4的光輸出高於比較例。
作為實施例5，製作出第1圖所示的本發明的第1實施形態的發光元件10。又，作為實施例6，製作出第6圖所示的本發明的第2實施形態的發光元件20。
實施例5、6中，均將多重活性層部106、207的障壁層106B、207B的組成作成Al0.85
GaInP，並將障壁層106C、207C的組成作成Al0.60
GaInP。藉此，使靠近p型包覆層側的障壁層的能帶隙比靠近n型包覆層側的障壁層的能帶隙更小。
又，實施例5、6中，超晶格障壁層105、205，均將層105A、205A作成膜厚15nm的高Al能帶隙層材料(AlInP
層)，且均將層105B、205B作成膜厚15nm的低能帶隙層材料(Al0.3
Ga0.7
As)，並將該等層的交互積層反覆進行20次而形成。
進行這種發光元件的特性評價，並將結果表示於表3。作為參考亦表示比較例的結果。
與實施例1、2同樣地，相較於比較例，在VF值上幾乎沒有改變。又，實施例5、6中亦確認到光輸出上昇的情況。
此外，本發明並不限定於上述實施形態。上述實施形態僅為例示，任何具有與本發明的申請專利範圍所述的技術性思想為實質上相同的構成且發揮相同作用效果的實施形態，亦包含於本發明的技術性範圍中。
10‧‧‧發光元件
11‧‧‧電極
100‧‧‧化合物半導體基板
101‧‧‧n型GaP基板
102‧‧‧n型InGaP緩衝層
103‧‧‧n型AlGaInP層
104‧‧‧n型包覆層
105‧‧‧超晶格障壁層
105A‧‧‧層
105B‧‧‧層
106‧‧‧多重活性層部
106A‧‧‧活性層
106B‧‧‧障壁層
106C‧‧‧障壁層
107‧‧‧p型包覆層
108‧‧‧p型AlGaInP層
109‧‧‧p型InGaP緩衝層
110‧‧‧p型GaP窗層
20‧‧‧發光元件
21‧‧‧電極
200‧‧‧化合物半導體基板
201‧‧‧n型GaP基板
202‧‧‧n型InGaP緩衝層
203‧‧‧n型AlGaInP層
204‧‧‧n型包覆層
205‧‧‧超晶格障壁層
205A‧‧‧層
205B‧‧‧層
206‧‧‧n型包覆層
207‧‧‧多重活性層部
207A‧‧‧活性層
207B‧‧‧障壁層
207C‧‧‧障壁層
208‧‧‧p型包覆層
209‧‧‧p型AlGaInP層
210‧‧‧p型InGaP緩衝層
211‧‧‧p型GaP窗層
第1圖(a)是表示本發明的第1實施形態的發光元件的一例的概略圖；第1圖(b)是表示用於製造該發光元件之化合物半導體基板的一例的概略圖。
第2圖是表示化合物半導體基板的多重活性層部的一
例的概略圖，該化合物半導體基板是用於製造本發明的第1實施形態的發光元件。
第3圖是表示化合物半導體基板的多重活性層部的能帶排列的圖，該化合物半導體基板是用於製造本發明的第1實施形態的發光元件。
第4圖是表示化合物半導體基板的超晶格障壁層的一例的概略圖，該化合物半導體基板是用於製造本發明的第1實施形態的發光元件。
第5圖是表示化合物半導體基板的超晶格障壁層的能帶排列的圖，該化合物半導體基板是用於製造本發明的第1實施形態的發光元件。
第6圖(a)是表示本發明的第2實施形態的發光元件的一例的概略圖；第6圖(b)是表示用於製造該發光元件之化合物半導體基板的一例的概略圖。
第7圖是表示化合物半導體基板的多重活性層部的一例的概略圖，該化合物半導體基板是用於製造本發明的第2實施形態的發光元件。
第8圖是表示化合物半導體基板的多重活性層部的能帶排列的圖，該化合物半導體基板是用於製造本發明的第2實施形態的發光元件。
第9圖是表示化合物半導體基板的超晶格障壁層的一例的概略圖，該化合物半導體基板是用於製造本發明的第2實施形態的發光元件。
第10圖是表示化合物半導體基板的超晶格障壁層的
能帶排列的圖，該化合物半導體基板是用於製造本發明的第2實施形態的發光元件。
10‧‧‧發光元件
11‧‧‧電極
100‧‧‧化合物半導體基板
101‧‧‧n型GaP基板
102‧‧‧n型InGaP緩衝層
103‧‧‧n型AlGaInP層
104‧‧‧n型包覆層
105‧‧‧超晶格障壁層
106‧‧‧多重活性層部
107‧‧‧p型包覆層
108‧‧‧p型AlGaInP層
109‧‧‧p型InGaP緩衝層
110‧‧‧p型GaP窗層
Claims (4)
- 一種發光元件，是使用化合物半導體基板而製造出來的發光元件，該化合物半導體基板至少具有p型包覆層、多重活性層部及n型包覆層，其中該多重活性層部是由以(Alx Ga1-x )y In1-y P(0≦x≦0.6，0.4≦y≦0.6)所組成的3層以上的活性層和2層以上的障壁層交互積層而成，且該障壁層的Al含有率x高於該活性層，並且，所述發光元件的特徵在於：上述障壁層中，相較於靠近上述n型包覆層側的障壁層，靠近上述p型包覆層側的障壁層的能帶隙較小，且上述化合物半導體基板是在上述n型包覆層中具有超晶格障壁層之基板。
- 如請求項1所述的發光元件，其中，上述超晶格障壁層，是由以(Alx Ga1-x )y In1-y P(0≦x≦1，0.4≦y≦0.6)及/或Alz Ga1-z As(0≦z≦1)所組成的能帶隙不同之層交互積層而成。
- 如請求項1所述的發光元件，其中，上述超晶格障壁層，是由能帶隙不同且厚度在15nm以下之層交互積層而成。
- 如請求項2所述的發光元件，其中，上述超晶格障壁 層，是由能帶隙不同且厚度在15nm以下之層交互積層而成。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2010292808A JP5648475B2 (ja) | 2010-12-28 | 2010-12-28 | 発光素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201246601A TW201246601A (en) | 2012-11-16 |
| TWI493750B true TWI493750B (zh) | 2015-07-21 |
Family
ID=46382544
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW100146527A TWI493750B (zh) | 2010-12-28 | 2011-12-15 | Light emitting element |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8933432B2 (zh) |
| JP (1) | JP5648475B2 (zh) |
| CN (1) | CN103283041B (zh) |
| TW (1) | TWI493750B (zh) |
| WO (1) | WO2012090400A1 (zh) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102101356B1 (ko) * | 2013-06-18 | 2020-04-17 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 및 조명시스템 |
| DE102013107969B4 (de) | 2013-07-25 | 2020-04-09 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronischer Halbleiterchip |
| CN104266143B (zh) * | 2014-09-15 | 2015-10-28 | 潘凡峰 | 一种恶劣环境下使用的防爆led节能灯 |
| CN104269476A (zh) * | 2014-09-30 | 2015-01-07 | 扬州乾照光电有限公司 | 一种掺杂超晶格结构的黄绿光led及其生产工艺 |
| CN104868024A (zh) * | 2015-03-31 | 2015-08-26 | 山西南烨立碁光电有限公司 | 一种多功能的新型AlGaInP结构 |
| CN105206721B (zh) * | 2015-10-29 | 2018-01-19 | 天津三安光电有限公司 | 发光二极管 |
| US10418519B2 (en) * | 2015-12-22 | 2019-09-17 | Apple Inc. | LED sidewall processing to mitigate non-radiative recombination |
| KR102189614B1 (ko) * | 2016-07-28 | 2020-12-11 | 루미레즈 엘엘씨 | 초격자를 갖는 iii-p 발광 디바이스 |
| US20180033912A1 (en) * | 2016-07-28 | 2018-02-01 | Lumileds Llc | Iii-p light emitting device with a superlattice |
| US10396241B1 (en) * | 2016-08-04 | 2019-08-27 | Apple Inc. | Diffusion revealed blocking junction |
| KR20200088934A (ko) * | 2019-01-15 | 2020-07-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치 |
| CN109904287B (zh) * | 2019-01-29 | 2020-07-31 | 华灿光电（浙江）有限公司 | 发光二极管外延片及其生长方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11274635A (ja) * | 1998-03-19 | 1999-10-08 | Hitachi Ltd | 半導体発光装置 |
| JP2007258269A (ja) * | 2006-03-20 | 2007-10-04 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体光素子 |
| JP2010087270A (ja) * | 2008-09-30 | 2010-04-15 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 発光素子 |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63153887A (ja) | 1986-08-08 | 1988-06-27 | Sharp Corp | 半導体レ−ザ素子 |
| JP3245937B2 (ja) * | 1992-03-25 | 2002-01-15 | ソニー株式会社 | 半導体発光素子 |
| JPH06326406A (ja) * | 1993-03-18 | 1994-11-25 | Fuji Xerox Co Ltd | 半導体レーザ装置 |
| JP3761589B2 (ja) | 1993-03-26 | 2006-03-29 | 豊田合成株式会社 | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
| JPH0773146B2 (ja) | 1993-03-30 | 1995-08-02 | 日本電気株式会社 | 超格子構造体及び半導体発光素子 |
| JP2504372B2 (ja) | 1993-04-27 | 1996-06-05 | 日本電気株式会社 | 超格子構造体 |
| JPH0888404A (ja) | 1994-09-17 | 1996-04-02 | Toshiba Corp | 面発光型半導体発光装置 |
| JP3408413B2 (ja) | 1998-03-06 | 2003-05-19 | 松下電器産業株式会社 | 半導体の製造方法及び半導体装置 |
| JP4061040B2 (ja) | 2001-07-31 | 2008-03-12 | アンリツ株式会社 | 多重量子井戸半導体素子 |
| JP2006032837A (ja) | 2004-07-21 | 2006-02-02 | Toshiba Corp | 半導体発光素子 |
| JP2008103534A (ja) | 2006-10-19 | 2008-05-01 | Hitachi Cable Ltd | 半導体発光素子 |
| JP5032171B2 (ja) * | 2007-03-26 | 2012-09-26 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子およびその製造方法ならびに発光装置 |
| KR101017396B1 (ko) * | 2008-08-20 | 2011-02-28 | 서울옵토디바이스주식회사 | 변조도핑층을 갖는 발광 다이오드 |
| JP5309971B2 (ja) * | 2008-12-24 | 2013-10-09 | 信越半導体株式会社 | 発光素子 |
| JP5407359B2 (ja) * | 2009-01-23 | 2014-02-05 | 信越半導体株式会社 | 発光ダイオード |
-
2010
- 2010-12-28 JP JP2010292808A patent/JP5648475B2/ja active Active
-
2011
- 2011-12-09 WO PCT/JP2011/006879 patent/WO2012090400A1/ja active Application Filing
- 2011-12-09 CN CN201180063025.0A patent/CN103283041B/zh active Active
- 2011-12-09 US US13/976,756 patent/US8933432B2/en active Active
- 2011-12-15 TW TW100146527A patent/TWI493750B/zh active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11274635A (ja) * | 1998-03-19 | 1999-10-08 | Hitachi Ltd | 半導体発光装置 |
| JP2007258269A (ja) * | 2006-03-20 | 2007-10-04 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体光素子 |
| JP2010087270A (ja) * | 2008-09-30 | 2010-04-15 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 発光素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20130270520A1 (en) | 2013-10-17 |
| CN103283041B (zh) | 2016-01-20 |
| JP2012142361A (ja) | 2012-07-26 |
| JP5648475B2 (ja) | 2015-01-07 |
| WO2012090400A1 (ja) | 2012-07-05 |
| CN103283041A (zh) | 2013-09-04 |
| US8933432B2 (en) | 2015-01-13 |
| TW201246601A (en) | 2012-11-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI493750B (zh) | Light emitting element | |
| TWI529962B (zh) | 氮化物半導體發光元件及其製造方法 | |
| KR101712049B1 (ko) | 발광 소자 | |
| WO2010100844A1 (ja) | 窒化物半導体素子及びその製造方法 | |
| JP5407359B2 (ja) | 発光ダイオード | |
| US20120273753A1 (en) | Semiconductor light emitting device | |
| JP2010087270A (ja) | 発光素子 | |
| WO2016072150A1 (ja) | 窒化物半導体発光素子 | |
| CN107833956B (zh) | 氮化物半导体结构及半导体发光元件 | |
| JP5148885B2 (ja) | 窒化物半導体発光素子 | |
| JP5309971B2 (ja) | 発光素子 | |
| KR101707358B1 (ko) | 질화물 발광 소자 및 그 제조 방법 | |
| KR100751632B1 (ko) | 발광 소자 | |
| KR101712549B1 (ko) | 스페이서층을 가지는 발광 다이오드 | |
| TWI535054B (zh) | LED components | |
| KR101063286B1 (ko) | 확산방지층을 갖는 발광다이오드 | |
| TWI555230B (zh) | Light emitting element | |
| KR101196961B1 (ko) | 발광 다이오드 및 그 제조 방법 | |
| KR101140138B1 (ko) | 수직형 발광 다이오드의 제조 방법 | |
| KR100592395B1 (ko) | 알루미늄-갈륨-인듐-포스파이드 반도체 소자 | |
| JP2023178174A (ja) | 発光素子および発光素子の製造方法 | |
| KR101045057B1 (ko) | 발광 다이오드 및 그 제조 방법 | |
| JP2023177714A (ja) | 発光素子および発光素子の製造方法 | |
| JP2023177713A (ja) | 発光素子および発光素子の製造方法 | |
| TWI508326B (zh) | 氮化物半導體結構及半導體發光元件 |