TWI492245B - A battery composition for solar cell electrodes - Google Patents
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- TWI492245B TWI492245B TW099100252A TW99100252A TWI492245B TW I492245 B TWI492245 B TW I492245B TW 099100252 A TW099100252 A TW 099100252A TW 99100252 A TW99100252 A TW 99100252A TW I492245 B TWI492245 B TW I492245B
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- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims description 49
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 71
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical group [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 17
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000002003 electrode paste Substances 0.000 claims description 16
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 15
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 3
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 57
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 14
- HTUMBQDCCIXGCV-UHFFFAOYSA-N lead oxide Chemical compound [O-2].[Pb+2] HTUMBQDCCIXGCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 13
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 11
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 9
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000010587 phase diagram Methods 0.000 description 7
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 description 4
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 4
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 4
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 4
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 4
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 3
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 3
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 3
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 3
- VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethyl acetate Chemical compound CCCCOCCOCCOC(C)=O VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 2
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910018068 Li 2 O Inorganic materials 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 2
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 2
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007496 glass forming Methods 0.000 description 2
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000005355 lead glass Substances 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910015902 Bi 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M Bromide Chemical compound [Br-] CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910002651 NO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N Nitrate Chemical compound [O-][N+]([O-])=O NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 239000006063 cullet Substances 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 229910021478 group 5 element Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004679 hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 229910000464 lead oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N lithium oxide Chemical compound [Li+].[Li+].[O-2] FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001947 lithium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009766 low-temperature sintering Methods 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 150000002823 nitrates Chemical class 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N sodium oxide Chemical compound [O-2].[Na+].[Na+] KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001948 sodium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- -1 that is Substances 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
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- C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
- C03C8/14—Glass frit mixtures having non-frit additions, e.g. opacifiers, colorants, mill-additions
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- H01B1/14—Conductive material dispersed in non-conductive inorganic material
- H01B1/16—Conductive material dispersed in non-conductive inorganic material the conductive material comprising metals or alloys
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- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/20—Conductive material dispersed in non-conductive organic material
- H01B1/22—Conductive material dispersed in non-conductive organic material the conductive material comprising metals or alloys
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Description
本發明係關於一種採用燒結貫通(fire-through)法形成之適用於太陽電池電極之糊劑組成物。
例如，一般的矽系太陽電池具有，在p型多結晶半導體的矽基板上面以n+
層為媒介備有抗反射膜及受光面電極，同時，在下面以p+
層為媒介備有背面電極(以下，在不區別它們時，簡稱為「電極」。)之結構。上述抗反射膜是用以保持足夠的可見光透射率，同時降低表面反射率的構件，由氮化矽、二氧化鈦、二氧化矽等的薄膜形成。
上述太陽電池的受光面電極係以，例如，被稱為燒結貫通的方法形成。在該電極形成方法中係於，例如，將前述抗反射膜設在n+
層上的全面後，採用例如網版印刷法在該抗反射膜上以適當的形狀塗布導電性糊劑，並施行燒結處理。若利用該方法，與部分地除去抗反射膜並在該除去部分形成電極的方法相比，製程簡單，也不會產生除去部分與電極形成位置的位置偏差之問題。上述導電性糊劑是以例如，銀粉末和，玻璃粉(將玻璃原料熔融並經急冷後依需要粉碎成的薄片或粉末狀的玻璃碎片)和，有機載體和，有機溶劑為主成分，在燒結過程中，該導電性糊劑中的玻璃成分會穿破抗反射膜，所以會由導電性糊劑中的導體成分和n+
層形成歐姆接觸(例如，參見專利文獻1。)。
形成這種太陽電池的受光面電極時，在提高燒結貫通性以改善歐姆接觸，進而提高曲線因子(FF)和能量轉換效率等之目的下，從過去就有各種提案被提出。例如，有將磷等的5族元素添加到導電性糊劑中，藉以促進玻璃及銀對抗反射膜的氧化還原作用，使燒結貫通性提高的提案(例如，參見前述專利文獻1。)。另外，有將氯化物、溴化物或氟化物添加到導電性糊劑中，藉這些添加物來輔助玻璃及銀穿破抗反射膜之作用以改善歐姆接觸的提案(例如，參見專利文獻2。)。
另外，有在含85～99(wt%)的銀及1～15(wt%)的玻璃之含銀糊劑中，將該玻璃做成含有15～75(mol%)的PbO及5～50(mol%)的SiO2
，且不含B2
O3
的組成之提案被提出(例如，參見專利文獻4。)。該含銀糊劑係用於形成太陽電池的電極，通過使用上述組成的玻璃，判斷歐姆接觸會獲得改善。
另外，提出了將銀粉末、含鋅添加劑和軟化點為300～600(℃)之範圍內的玻璃粉分散到有機溶劑中形成的厚膜導電性組成物(例如，參見專利文獻5。)。由於該厚膜導電性組成物係用以形成太陽電池的受光面電極的，藉鋅的添加使導電性與焊料附著性獲得改善。
另外，提出了含有氧化鋅為40～70(wt%)，氧化鉛為1～10(wt%)之範圍內的玻璃粉和銀等之導電性材料的太陽電池元件用導電性糊劑(例如，參見專利文獻6。)。若利用該糊劑，不需要用焊料等覆蓋電極表面即可確保附著強度，所以可以用高生產性製作可靠性高的電極層。
【專利文獻1】特公平03-046985號公報
【專利文獻2】特許第3707715號公報
【專利文獻3】特開平11-329072號公報
【專利文獻4】特表2008-520094號公報
【專利文獻5】特開2006-302890號公報
【專利文獻6】特開2007-281023號公報
但是，在利用如上所述的燒結貫通法製造太陽電池時，燒結溫度大大地影響太陽電池輸出功率。燒結曲線如果脫離用以從電極用糊劑生成受光面電極的最佳燒結溫度，玻璃及銀穿破抗反射膜的作用就會下降，結果，受光面電極和n+
層的歐姆接觸變差，所以太陽電池輸出功率降低。但是，在習知的電極用糊劑中，因為最佳燒結溫度的範圍小到例如10(℃)以下左右，所以難以確實地獲得高輸出功率的太陽電池。這在如前所述的用以改善歐姆接觸的各種提案中也是同樣的。再者，這裡的最佳燒結溫度是可以得到曲線因子的最大值的溫度。
還有，在目前的矽系太陽電池的製造中，因為矽基板、抗反射膜、n層各自的厚度尺寸等、基板每一個都有偏差，各自的最佳燒結條件由此產生偏差。雖然在每個基板中曲線因子的最大值可以在十分寬泛的溫度範圍取得，惟若以生產批次內之每個基板的最佳燒結溫度範圍之重疊範圍確定，每一批次的最佳燒結溫度會由於上述的偏差而變窄。再者，因為太陽電池製造製程的產距時間(tack time)為3秒左右1個的極短時間，所以考慮每一個的偏差來實現燒結條件最佳化是不可能的。
本發明是以以上的事項為背景提出的，其目的在於提供一種在製造太陽電池的燒結步驟中，最佳燒結溫度範圍寬的太陽電池電極用糊組成物。
為了達成該目的，本發明之要旨係，一種含有導電性粉末和，玻璃粉和，載體的太陽電池電極用糊組成物，(a)前述玻璃粉換算成氧化物計，由含有PbO 46～57(mol%)，B2
O3
1～7(mol%)，SiO2
38～53(mol%)的範圍內的比例之玻璃形成。
若如此處理，太陽電池電極用糊組成物，因為構成組成物的玻璃粉由含有PbO 46～57(mol%)，B2
O3
1～7(mol%)，SiO2
38～53(mol%)的範圍內的比例之玻璃形成，所以使用它來形成受光面電極的太陽電池之最佳燒結溫度範圍會變寬。例如，每一生產批次的最佳燒結溫度範圍都放寬到30～40(℃)左右。因此，燒結貫通性提高，歐姆接觸獲得改善，所以每個生產批次的平均輸出功率提高。
再者，在前述玻璃粉組成中，PbO是使玻璃軟化點降低的成分，是為了可以低溫燒結所必須的。本發明中，為了獲得良好的燒結貫通性，必須使PbO為46(mol%)以上且57(mol%)以下。PbO量為49(mol%)以上更好，為54(mol%)以下更好。即，為49～54(mol%)之範圍更加合適。
另外，B2
O3
為玻璃形成氧化物(即構成玻璃骨架的成分)，是用以降低玻璃之軟化點必須的成分。本發明中，為了獲得良好的燒結貫通性，B2
O3
必須為1(mol%)以上且7(mol%)以下。B2
O3
量為3(mol%)以上更好，為5(mol%)以下更好。即，為3～5(mol%)之範圍更加合適。
另外，SiO2
為玻璃形成氧化物，是用以提高玻璃之耐化學性必須的成分。本發明中，為了獲得良好的燒結貫通性，SiO2
必須為38(mol%)以上且53(mol%)以下。SiO2
量為43(mol%)以上更好，為48(mol%)以下更好。即，為43～48(mol%)之範圍更加合適。
再者，上述各成分在玻璃中是以何種形態含有雖然未必難以具體指明，惟其等之比例每一個都是取換算成氧化物的數值。
另外，構成本發明之電極用糊劑的前述玻璃在不損害其特性之範圍可以含有其他各種的玻璃構成成分或添加物。例如，即使含有Al、Zr、Na、Li、Ca、Zn、Mg、K、Ti、Ba、Sr等也無妨。該等可以在合計10(mol%)以下之範圍含有。
還有，在前述專利文獻3中，記載了含有Bi2
O3
20(mol%)以上，B2
O3
50(mol%)以下，SiO2
60(mol%)以下之範圍內的玻璃粉之玻璃構成的導電性糊劑。該導電性糊劑係，以改善使用無鉛焊料安裝引線端子時，鉛系玻璃潤濕性差，無法獲得焊接可靠性的情況為目的。這樣，雖然自過去以來提出過與本發明同樣著眼於構成導電性糊劑的玻璃粉之組成的提案，惟上述導電性糊劑與本發明之電極用糊劑的目的及組成均完全不同。
這裡，合適的是，前述玻璃粉的平均粒徑為0.5～3(μm)之範圍內。若如此處理，可以獲得印刷性進一步良好且取得進一步高的FF值的太陽電池電極用糊組成物。平均粒徑若為0.5(μm)以上，調和糊劑時的分散性就會進一步優良，進而可以獲得良好的印刷性。另一方面，玻璃粉的平均粒徑變得越大，玻璃就愈發難以熔融，FF值有降低的傾向，所以為了得到足夠高的FF值，平均粒徑以3(μm)以下為佳。
另外，合適的是，前述太陽電池電極用糊組成物係相對於糊劑全體含有前述玻璃粉在7～35(vol%)之範圍內的比例。若如此處理，因糊劑中的玻璃粉可使抗反射膜適宜地溶解，所以可以獲得進一步良好的歐姆接觸，進而進一步提高FF值。若含有玻璃粉為7(vol%)以上，由於抗反射膜的溶解性變得極高，最佳燒結溫度範圍會進一步變寬。另外，若為35(vol%)以下就會由於難以形成絕緣層而確保電極和基板之間的高導電性。
另外，合適的是，前述導電性粉末為銀粉末。雖然也可以使用銅粉末或鎳粉末等作為導電性粉末，惟因銀粉末可以獲得高導電性而最合適。
另外，合適的是，前述太陽電池電極用糊組成物含有前述銀粉末64～90重量份，前述載體5～20重量份之範圍內的比例。若如此處理，可以獲得印刷性良好，並可製作導電性高，焊料潤濕良好的電極之導電性組成物。銀粉末太少時無法獲得高導電性，過剩時流動性會下降，印刷性變差。另外，玻璃粉太少時和基板的密著力不足，過剩時燒結後玻璃會出現在電極表面，焊料潤濕性變差。
再者，前述銀粉末不作特殊限定，無論使用球狀或鱗片狀等哪種形狀的粉末，都可以享受所謂的擴大最佳燒結溫度範圍之本發明的基本效果。但是，例如在使用成為球狀的粉末時，因為在印刷性優異的同時，塗布膜中的銀粉末之填充率升高，所以與使用了導電性高的銀之情形相配合，較之使用了鱗片狀等的其他形狀的銀粉末之情形，由該塗布膜所生成的電極之導電率升高。因此，在確保了必要導電性的同時，線寬可以進一步變細。從而，將該導電性組成物用於受光面電極，若使線寬變細，就可以進一步加大可以吸收太陽能的受光面積，所以可以獲得轉換效率進一步提高的太陽電池。
另外，本案發明的導電性組成物可以合適地控制如前所述的利用燒結貫穿形成電極時的銀擴散，所以可以適合用於受光面電極。但是，並不限定於受光面電極，亦可對於背面電極使用。例如，背面電極係由覆蓋全面的鋁膜和重疊其的帶狀等之電極構成，其亦適合作為該帶狀電極的構成材料。
另外，前述玻璃粉在前述組成範圍可以由可玻璃化的各種原料合成。可舉例如，氧化物、碳酸鹽、硝酸鹽等，例如，Si源可以使用二氧化矽SiO2
，B源可以使用硼酸B2
O3
，Pb源可以使用鉛丹Pb3
O4
。
另外，除了主要成分Si、B、Pb以外，在含有Al、Zr等之其他成分的組成時，可以使用例如該等之氧化物、氫氧化物、碳酸鹽、硝酸鹽等。
第1圖顯示在受光面電極的形成上應用本發明之一實施例的電極用糊組成物做成之太陽電池的斷面結構模式圖。
第2圖第1圖的太陽電池之受光面電極圖形的一例之示意圖。
第3圖實施例及比較例中使用的玻璃粉之主成分組成的三元相圖表示圖。
第4圖第3圖的三元相圖中，實施例及比較例分布區域的擴大示意圖。
第5圖第3圖的三元相圖之實施例分布區域的進一步擴大的，特別合適的範圍的示意圖。
以下，參見圖示詳細說明本發明之一實施例。再者，以下的實施例中，圖係適當簡略化或加以變形的，各部分的尺寸比及形狀等未必正確描繪。
第1圖是本發明之一實施例的導電性組成物所應用的矽系太陽電池10的斷面結構之模式化示意圖。在第1圖中，太陽電池10備有例如p型多結晶半導體的矽基板12和，分別形成於其上下面的n+
層14及p+
層16和，形成於該n+
層14上的抗反射膜18及受光面電極20，以及形成於該p+
層16上的背面電極22。
上述n+
層14及p+
層16係透過在矽基板12的上下面形成雜質濃度高的層之方式加以設置，該高濃度層的厚度尺寸，即層14，16的厚度尺寸為例如0.5(μm)左右。n+
層14所含的雜質為例如n型摻雜劑的磷(P)，p+
層16所含的雜質為例如p型摻雜劑的硼(B)。
另外，前述的抗反射膜18為例如氮化矽Si3
N4
等形成的薄膜，通過設為例如可見光波長1/4左右的光學厚度以構成10(%)以下，例如2(%)左右的極低反射率。
另外，前述的受光面電極20係由例如厚度尺寸一致的厚膜導體構成，如第2圖所示，在受光面24的大致全面，設為具有多條細線部的形成梳狀之平面形狀。上述的厚膜導體係由含Ag為67～98(wt%)左右及玻璃為2～33(wt%)左右的厚膜銀形成，該玻璃換算成氧化物計的數值，係分別含PbO為46～57(mol%)，B2
O3
為1～7(mol%)，SiO2
為38～53(mol%)之範圍內的比例之鉛玻璃。另外，上述的導體層之厚度尺寸為例如15～20(μm)之範圍內，例如17(μm)左右，細線部各自的寬度尺寸為例如80～130(μm)之範圍內，例如100(μm)左右，具備足夠高的導電性。
另外，前述的背面電極22係由，在p+
層16上將以鋁為導體成分的厚膜材料塗布到大致全面所形成的全面電極26和，在該全面電極26上塗布成帶狀所形成之厚膜銀形成的帶狀電極28所構成。該帶狀電極28係為在背面電極22可以焊接導線等所設。
如以上所構成的太陽電池10係如前所述，受光面電極20是以含前述組成的鉛玻璃2～33(wt%)之範圍的厚銀膜所構成，所以和採用過去以來所使用的各種玻璃的太陽電池相比，有燒結裕度大的優點。
如上所述的受光面電極20係使用例如導體粉末和，玻璃粉和，載體和，溶劑形成的電極用糊劑，以公知的燒結貫穿法所形成的。將含該受光面電極形成的太陽電池10的製造方法之一例和比較例的導電性組成物之製造方法一併於以下做說明。
首先，製作上述玻璃粉。分別準備二氧化矽SiO2
作為Si源，硼酸B2
O3
作為B源，鉛丹Pb3
O4
作為Pb源，氧化鋁Al2
O3
作為Al源，氧化鋯ZrO2
作為Zr源，氧化鈉Na2
O作為Na源，氧化鋰Li2
O作為Li源，氧化鈣CaO作為Ca源，氧化鋅ZnO作為Zn源，氧化鎂MgO作為Mg源，以成為表1所示之組成的狀態稱量並調配。將其投入坩堝，依組成在900～1100(℃)之範圍內的溫度，熔融30分鐘～1小時左右來施行玻璃化。使用罐式球磨機(pot mill)等適當的粉碎裝置將所製得之玻璃進行粉碎，得到平均粒徑為0.4(μm)、0.6(μm)、1.5(μm)、3.0(μm)、4.0(μm)的粉末。
另外，準備例如平均粒徑在1～3(μm)之範圍內，例如2(μm)左右的市售之球狀銀粉末作為前述導體粉末。因使用這種平均粒徑十分小的銀粉末，可以提高塗布膜中的銀粉末之填充率，進而提高導體的導電率。另外，前述載體係將有機結合劑溶解到有機溶劑中調製而成，有機溶劑可使用例如二甘醇丁醚醋酸酯(butyl carbitol acetate)，有機結合劑可使用例如乙基纖維素。載體中的乙基纖維素之比例為例如15(wt%)左右。另外，載體以外添加的溶劑為，例如二甘醇丁醚醋酸酯。即，並不限定於此，惟以和用於載體者相同的溶劑為佳。該溶劑，係以調整糊劑的黏度為目的而添加。
分別準備以上的糊劑原料，例如以導體粉末為64～82(wt%)，玻璃粉為2～20(wt%)，載體為13(wt%)，溶劑為3(wt%)之比例進行稱量，利用攪拌機混合以後，以例如三輥輥磨機進行分散處理。藉此製得前述電極用糊劑。再者，本實施例中，導體粉末和玻璃粉的合計量為84(wt%)，載體及溶劑的合計量為16(wt%)。再者，前述表1為歸納各實施例及比較例中的玻璃粉之組成和其粒徑、添加量與、使用各自的玻璃粉形成前述受光面電極20時的太陽電池10之特性的評估結果。再者，在該表1中，玻璃粉量係以相對於糊劑全體的容積表示。
如上所述，邊調製電極用糊劑，邊以例如熱擴散法或離子佈植法等的公知方法在適當的矽基板擴散或注入雜質，形成前述n+
層14及p+
層16，藉以製作前述矽基板12。接著，用例如旋轉塗布法等之適當的方法對其形成氮化矽薄膜，設為前述抗反射膜18。
接著，在上述抗反射膜18上以示於前述第2圖的圖形對前述電極用糊劑進行網版印刷。將其以例如150(℃)進行乾燥，然後，在近紅外爐中，760～900(℃)之範圍內的溫度施行燒結處理。藉此，在該燒結過程使電極用糊劑中的玻璃成分融入抗反射膜18，由於該電極用糊劑穿破抗反射膜18，可以獲得電極用糊劑中的導體成分即銀和n+
層的電連接(electrical bonding)，如前述第1圖所示的，可以獲得矽基板12和受光面電極20的歐姆接觸。受光面電極20係這樣處理來形成。
再者，前述背面電極22可以在上述步驟之後形成，亦可與受光面電極20同時燒結來形成。在形成背面電極22時，藉由在上述矽基板12的背面全面，用例如網版印刷法等塗布鋁糊劑，並施行燒結處理來形成由鋁厚膜構成的前述全面電極26。此外，在該全面電極26的表面利用網版印刷法等將前述電極用糊劑塗布成帶狀並施行燒結處理，藉以形成前述帶狀電極28。藉此，形成覆蓋背面全面的全面電極26和，設在該表面之一部分呈帶狀的帶狀電極28形成的背面電極22，從而製得前述的太陽電池10。上述步驟中，在用同時燒結來製造時，要在受光面電極20的燒結前施行印刷處理。
前述的表1右端2欄所示的特性，是如此處理所製得之太陽電池10中，關於將玻璃的組成、粒徑及添加量做各種變化後各自的實施例及比較例，使燒結溫度在前述範圍內變化並形成受光面電極20，測定所製得之太陽電池10的輸出功率，曲線因子FF的最大值，和比該最大值僅低1%的值以上的FF值所得溫度幅度即燒結裕度之評估結果。再者，太陽電池10的輸出功率係使用市售的太陽光模擬器做測定。
在太陽電池中，雖然可獲得70以上之FF值就可以使用，惟FF值當然是越高越好。表1的實施例1～23中，獲得了74～75的FF值，可以獲得足夠高的輸出功率。另外，在實施例1～23中，可以獲得30～40(℃)的足夠寬的燒結裕度。
即，若依據表1所示的評估結果，PbO為46～57(mol%)，B2
O3
為1～7(mol%)，SiO2
為38～53(mol%)之範圍內，FF值就會足夠高，且燒結裕度會足夠寬。另外，若依據實施例11～18，在上述主要成分以外，即使進一步含有Al2
O3
為3(mol%)以下、ZrO2
為5(mol%)以下、Na2
O為3(mol%)以下、Li2
O為7(mol%)以下、CaO為2(mol%)以下、ZnO為1(mol%)以下、MgO為5(mol%)以下之範圍，亦可獲得同樣的特性。另外，若依據實施例4，21～23，只要玻璃粉的粒徑為0.6～3.0(μm)之範圍內，則不管粒徑大小都可以獲得高的特性。另外，若依據實施例10，19，20，只要為7～35(vol%)之範圍內的添加量，則不管添加量多少都可以獲得高的特性。再者，上述玻璃量，相對於糊劑全體相當於3～15(wt%)。
上述燒結裕度是在本實施例中考慮到對生產批次內的基板厚度偏差的最佳燒結溫度之影響後的數值。即，即使考慮厚度偏差，「FF最大值-1%」所得之溫度範圍也足夠寬達30～40(℃)。
與此相對，在比較例1～11中，由於PbO、B2
O3
、SiO2
的至少一個從前述合適的範圍脫離，就無法獲得燒結裕度，或者，出現FF值低的結果。再者，關於比較例2，3等，FF最大值低於70的情形，因為不具有作為太陽電池之充分的機能，所以沒有評估燒結裕度。
另外，比較例12～15，因為玻璃組成包含在本發明之範圍內，所以與實施例1～22相比保留了稍低的特性，是可以利用在太陽電池用途的。所以，亦可將這些加到實施例中，惟在此分類為比較例。比較例12，13的組成是與實施例10相同的，但由於玻璃粉的添加量太少(5(vol%))或過剩(47(vol%))，所以FF值停留在稍低的70～71。但是，由於該值滿足作為太陽電池用途之最低限度的要求，同時燒結裕度足夠都放寬到30(℃)，所以本發明中亦包含這種結構。另外，比較例14，15的組成與實施例4相同，惟由於玻璃粉的粒徑過小(0.4(μm))或過大(4.0(μm))，所以FF最大值低至71～72且燒結裕度也停留在15～20(℃)的狹窄範圍里。但是，可以說該FF值滿足作為太陽電池用途之最低限度的要求，同時燒結裕度也比10(℃)以下的比較例1～11獲得改善，所以本案發明中亦包含這種結構。
若依據上述的實施例及比較例，構成玻璃粉的玻璃組成在PbO為46～57(mol%)，B2
O3
為1～7(mol%)(以3(mol%)以上為佳)，SiO2
為38～53(mol%)之範圍內，就可以獲得具有70以上的FF值和，15(℃)以上的燒結裕度之電極用糊劑。另外，玻璃粉的添加量若在7～35(vol%)之範圍內，就可以獲得比在範圍外時還高的FF值。另外，玻璃粉的粒徑若在0.5～3.0(μm)(以0.6～3.0(μm)為佳)之範圍內，燒結裕度就可以放寬到30(℃)以上。
第3圖係將示於前述表1的實施例1～10及比較例1～10中分別使用的玻璃粉之主成分Pb、B、Si的構成比表示在三元相圖上，第4圖中，係擴大顯示除比較例11以外的其他實施例‧比較例的組成所分布的區域。再者，上述以外的實施例及比較例，比較例11為顯著不同的組成，其他的為或含其他成分，或組成相同而粒徑或添加量不同，因而省略了記載。
第4圖中，用一點劃線圍成且施以斜線的範圍是本發明之主成分的組成範圍。比較例1～15的組成選在其周邊分布。在實施例的組成範圍較近的比較例1，5～8，雖然FF最大值足夠高，惟燒結裕度狹窄至5～10(℃)。另外，從實施例的組成範圍脫離程度大的比較例2～4，9，10，FF最大值顯著地小到不足70。脫離程度進一步大的比較例11也是同樣。
從上述的圖示結果判斷，若從實施例的組成範圍脫離，首先燒結裕度會變窄，此外若脫離，FF最大值就會變小，無論哪個都無法達成本發明之目的。
第5圖是第4圖中用一點劃線圍成的顯示實施例之範圍內及其附近區域的進一步擴大示意圖。如前述表1所示，在本實施例的範圍內無論使用任一種組成的玻璃粉，均可以獲得74(%)以上的FF值及30(℃)以上的燒結裕度。但是，若採用第5圖中用兩點劃線圍成的，顯示之範圍內的組成之玻璃粉，就可以獲得FF值為75(%)，燒結裕度為40(℃)，的更好的結果。即，若依據表1示出的評估結果，使用PbO為49～54(mol%)，B2
O3
為3～5(mol%)，SiO2
為43～48(mol%)之範圍內的玻璃粉是最合適的。
總而言之，若依據本實施例，太陽電池10的電極用糊劑係，因為構成該糊劑之玻璃粉由PbO為46～57(mol%)，B2
O3
為1～7(mol%)，SiO2
為38～53(mol%)的範圍內之玻璃形成，所以使用它來形成受光面電極20的太陽電池10之最佳燒結溫度範圍會變寬。例如，每一生產批次的最佳燒結溫度範圍都放寬到30～40(℃)左右。因此，燒結貫通性提高，歐姆接觸獲得改善，所以每個生產批次的平均輸出功率提高。
以上，參見圖示詳細說明了本發明，惟本發明亦可進一步以其他的態樣來實施，在不脫離該主旨的範圍可加以各種變化。
例如，在前述實施例中，抗反射膜18係由氮化矽膜形成，惟並不特殊限定於該構成材料，同樣可以使用通常用於太陽電池的二氧化鈦TiO2
等之其他各種材料形成。
另外，在實施例中，本發明係針對應用於矽系太陽電池10之情形做的說明，惟本發明只要是可以用燒結貫穿法形成受光面電極的太陽電池，適用對象就不作特殊限定。
10．．．太陽電池
12．．．矽基板
14．．．n+
層
16．．．p+
層
18．．．抗反射膜
20．．．受光面電極
22．．．背面電極
24．．．受光面
26．．．全面電極
28．．．帶狀電極
第1圖顯示在受光面電極的形成上應用本發明之一實施例的電極用糊組成物做成之太陽電池的斷面結構模式圖。
第2圖第1圖的太陽電池之受光面電極圖形的一例之示意圖。
第3圖實施例及比較例中使用的玻璃粉之主成分組成的三元相圖表示圖。
第4圖第3圖的三元相圖中，實施例及比較例分布區域的擴大示意圖。
第5圖第3圖的三元相圖之實施例分布區域的進一步擴大的，特別合適的範圍的示意圖。
Claims (3)
- 一種太陽電池電極用糊組成物，係含有導電性粉末、玻璃粉及載體的太陽電池電極用糊組成物，特徵在於，前述玻璃粉係由以氧化物換算含有比例範圍為PbO 46~57(mol%)，B2 O3 1~7(mol%)，SiO2 38~53(mol%)之玻璃所形成，且其中前述導電性粉末是銀粉末。
- 如申請專利範圍第1項記載的太陽電池電極用糊組成物，其中前述玻璃粉的平均粒徑在0.5~3(μm)之範圍內。
- 如申請專利範圍第1項或第2項記載的太陽電池電極用糊組成物，其中相對於糊全體，以7~35(vol%)之範圍內的比例含有前述玻璃粉。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2009043154A JP5059042B2 (ja) | 2009-02-25 | 2009-02-25 | 太陽電池電極用ペースト組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201035993A TW201035993A (en) | 2010-10-01 |
| TWI492245B true TWI492245B (zh) | 2015-07-11 |
Family
ID=42665377
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW099100252A TWI492245B (zh) | 2009-02-25 | 2010-01-07 | A battery composition for solar cell electrodes |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8512601B2 (zh) |
| JP (1) | JP5059042B2 (zh) |
| KR (1) | KR101674233B1 (zh) |
| CN (1) | CN102405530B (zh) |
| DE (1) | DE112010000891T5 (zh) |
| TW (1) | TWI492245B (zh) |
| WO (1) | WO2010098167A1 (zh) |
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| JP2012142422A (ja) * | 2010-12-28 | 2012-07-26 | Noritake Co Ltd | 太陽電池用導電性ペースト用ガラス |
| WO2013018408A1 (ja) * | 2011-07-29 | 2013-02-07 | 株式会社ノリタケカンパニーリミテド | 太陽電池用導電性ペースト組成物 |
| JP5820278B2 (ja) * | 2012-01-10 | 2015-11-24 | シャープ株式会社 | 太陽電池及び太陽電池の製造方法 |
| JP2013243279A (ja) * | 2012-05-22 | 2013-12-05 | Namics Corp | 太陽電池の電極形成用導電性ペースト |
| KR101600652B1 (ko) | 2012-11-12 | 2016-03-07 | 제일모직주식회사 | 태양전지 전극용 페이스트 및 이로부터 제조된 전극 |
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| JP4948876B2 (ja) | 2006-04-03 | 2012-06-06 | 京セラ株式会社 | 太陽電池素子用導電性ペースト及びそれを用いた太陽電池素子の製造方法。 |
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-
2009
- 2009-02-25 JP JP2009043154A patent/JP5059042B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-01-07 TW TW099100252A patent/TWI492245B/zh not_active IP Right Cessation
- 2010-01-28 DE DE112010000891T patent/DE112010000891T5/de not_active Withdrawn
- 2010-01-28 US US13/203,359 patent/US8512601B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2010-01-28 CN CN201080017522.2A patent/CN102405530B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2010-01-28 KR KR1020117022303A patent/KR101674233B1/ko active IP Right Grant
- 2010-01-28 WO PCT/JP2010/051174 patent/WO2010098167A1/ja active Application Filing
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW201035993A (en) | 2010-10-01 |
| CN102405530A (zh) | 2012-04-04 |
| KR20110115620A (ko) | 2011-10-21 |
| JP2010199334A (ja) | 2010-09-09 |
| WO2010098167A1 (ja) | 2010-09-02 |
| JP5059042B2 (ja) | 2012-10-24 |
| KR101674233B1 (ko) | 2016-11-08 |
| DE112010000891T5 (de) | 2012-06-14 |
| US8512601B2 (en) | 2013-08-20 |
| US20110309312A1 (en) | 2011-12-22 |
| CN102405530B (zh) | 2014-08-27 |
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