TWI488943B - 蝕刻膏組成物及其應用 - Google Patents

蝕刻膏組成物及其應用 Download PDF

Info

Publication number
TWI488943B
TWI488943B TW102115287A TW102115287A TWI488943B TW I488943 B TWI488943 B TW I488943B TW 102115287 A TW102115287 A TW 102115287A TW 102115287 A TW102115287 A TW 102115287A TW I488943 B TWI488943 B TW I488943B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
solvent
parts
weight
acid
etching
Prior art date
Application number
TW102115287A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201441346A (zh
Inventor
kai min Chen
Chun An Shih
Original Assignee
Chi Mei Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Chi Mei Corp filed Critical Chi Mei Corp
Priority to TW102115287A priority Critical patent/TWI488943B/zh
Priority to CN201410157734.0A priority patent/CN104119921A/zh
Publication of TW201441346A publication Critical patent/TW201441346A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI488943B publication Critical patent/TWI488943B/zh

Links

Landscapes

  • Weting (AREA)
  • Inks, Pencil-Leads, Or Crayons (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)

Description

蝕刻膏組成物及其應用
本發明是有關於一種蝕刻膏組成物,特別是指一種適用於絲網印刷的蝕刻膏組成物。
觸控面板、薄膜電晶體或太陽能電池的結構中,常藉由化學氣相沉積(Chemical Vapor Deposition,CVD)或濕式化學塗佈等方式,藉以形成氧化矽或氮化矽層,於多數情況下,常作為抗反射層或鈍化層之使用。
移除氧化矽或氮化矽層之特定部份的步驟稱為蝕刻,習知技術包括採用雷射支持蝕刻法(laser-supported etching method),或在光阻形成遮罩圖案後,藉由濕式蝕刻法(wet-chemical method)或乾式蝕刻法(dry-etching method)選擇性地進行蝕刻。
就雷射支持蝕刻法來說,雖具有高度精密性,但其逐點逐行地掃描蝕刻圖案的工作方式需要大量的工作時間,不利工業上量產。乾式蝕刻法或濕式蝕刻法,需先使用光阻製作出遮罩圖案,之後,乾式蝕刻法是於真空裝置中予以電漿蝕刻或利用反應性氣體在流動反應器中蝕刻 ,製程複雜且設備昂貴,而濕式蝕刻法則是以具有蝕刻活性的化學藥劑浸泡並蝕刻出圖案,最後將光阻遮罩圖案以溶劑剝除,並於清水沖洗後乾燥。
JP2012-129346揭示一種蝕刻液組成物,特別適用於蝕刻氧化銦系被膜,係由含有下述成分的水溶液所構成:(A)2-羥基乙磺酸或其鹽依2-羥基乙磺酸換算為5~20 wt%;以及(B)從氫氟酸、氟化銨、氟化鉀、氟化鈉及氟化鋰所構成群組中選擇之至少1種氟化化合物0.05~5 wt%。但濕式蝕刻法相當耗時且複雜,所用的化學原料更具有毒性及高腐蝕性。
目前有更高度自動化且更高產量的作法,是透過印刷技術將蝕刻膏轉移至待蝕刻的表面並進行蝕刻,不需要進行光阻遮罩圖案的製作步驟,例如移印方法、壓印方法、噴墨印刷方法,或手動印刷等。
由上述可知,就經濟效益來說,一種適用於印刷技術且品質良好的蝕刻膏組成物,是有迫切需求的。
因此,本發明之第一目的,即在於提供一種適用於絲網印刷且經時安定性佳的蝕刻膏組成物。
於是,本發明蝕刻膏組成物,包含:含氟化合物(A);溶劑(B),包括芳香醇類溶劑(B-1)、水(B-2)及其他溶劑(B-3);微粒(C),是選自於聚合物微粒(C-1)、無機化合物微粒 (C-2),或此等之一組合;有機增稠劑(D);及酸(E),是選自於有機酸(E-1)、無機酸(E-2),或此等之一組合。
本發明另一目的,在於提供一種蝕刻方法。
本發明蝕刻方法,包含:提供一觸控面板,包括一基板,以及一設置於該基板上的氧化矽層或氮化矽層;將如前所述的蝕刻膏組成物絲網印刷於該氧化矽層或氮化矽層上;進行一蝕刻步驟;及進行一清洗步驟。
本發明之功效在於:該蝕刻膏組成物,透過含有特定成分及比例的溶劑調控其揮發性和均勻程度,後續應用於絲網印刷時,黏度經時安定性良好,且不易有塞網的情形發生。
本發明蝕刻膏組成物,包含:含氟化合物(A);溶劑(B),包括芳香醇類溶劑(B-1)、水(B-2)及其他溶劑(B-3); 微粒(C),是選自於聚合物微粒(C-1)、無機化合物微粒(C-2),或此等之一組合;有機增稠劑(D);及酸(E),是選自於有機酸(E-1)、無機酸(E-2),或此等之一組合。
該蝕刻膏組成物透過溶劑組成的調節,可以控制該蝕刻膏組成物的揮發性和均勻程度,後續應用於絲網印刷時,具有經時安定性佳且不塞網的優點。
以該含氟化合物(A)為100重量份計,該溶劑(B)之用量為350至2000重量份,該微粒(C)的用量為300至2000重量份,該有機增稠劑(D)的用量為10至200重量份,該酸(E)的用量為30至600重量份。
較佳地,以該含氟化合物(A)為100重量份計,該溶劑(B)之用量為450至1800重量份,該微粒(C)的用量為400至1800重量份,該有機增稠劑(D)的用量為15至180重量份,該酸(E)的用量為40至550重量份。
更佳地,以該含氟化合物(A)為100重量份計,該溶劑(B)之用量為500至1500重量份,該微粒(C)的用量為500至1500重量份,該有機增稠劑(D)的用量為20至150重量份,該酸(E)的用量為50至500重量份。
該芳香醇類溶劑(B-1)因為揮發性低,能調節該蝕刻膏組成物的黏度並減少因溶劑揮發所造成的黏度改變;若未使用,則會有黏度經時安定性不佳以及絲網印刷時塞網等問題產生。若未使用水(B-2),該蝕刻膏組成物於使 用時可能有塞網的問題產生。若未使用其他溶劑(B-3),則會有經時黏度安定性不佳的問題。
以該含氟化合物(A)為100重量份計,該芳香醇類溶劑(B-1)的用量為100至500重量份,水(B-2)的用量為50至300重量份,其他溶劑(B-3)的用量為200至1200重量份。
較佳地,該含氟化合物(A)為100重量份計,該芳香醇類溶劑(B-1)的用量為150至450重量份,水(B-2)的用量為60至270重量份,其他溶劑(B-3)的用量為250至1000重量份。
更佳地,以該含氟化合物(A)為100重量份計,該芳香醇類溶劑(B-1)的用量為200至400重量份,水(B-2)的用量為70至250重量份,其他溶劑(B-3)的用量為300至800重量份。
該含氟化合物(A)是至少一種選自於由下列所構成群組的化合物:氟化氫銨(Ammonium bifluoride)、氟化銨(Ammonium fluoride)、氟化氫鈉(Sodium bifluoride)、氟化鈉(Sodium fluoride)、氟化氫鉀(Potassium bifluoride)、氟化鉀(Potassium fluoride)、氟化鋇(Barium fluoride),及氟硼酸銨(Ammonium Fluoborate)。
較佳地,該含氟化合物(A)是至少一種選自於由下列所構成群組的化合物:氟化氫銨、氟化氫鈉及氟化鋇。
該芳香醇類溶劑(B-1)是至少一種選自於下列所 構成群組的化合物:苯甲醇、(2-羥基苯基)甲醇、(甲氧基苯基)甲醇、(3,4-二羥基苯基)甲醇、4-(羥甲基)苯-1,2-二醇、(4-羥基-3-甲氧基苯基)甲醇、(3,4-二甲氧基苯基)甲醇、(4-異丙基苯基)甲醇、2-苯乙醇、1-苯乙醇、2-苯基-1-丙醇、對甲苯基醇、2-(4-羥基-3-甲氧基苯基)甲烷-1-醇、2-(3,4-二甲氧基苯基)甲烷-1-醇、3-苯基-丙烷-1-醇、2-苯基-丙烷-2-醇、肉桂醇、3-(4-羥基-3-甲氧基苯基)丙-2-烯-1-醇、3-(4-羥基-3,5-甲氧基苯基)丙-2-烯-1-醇、聯苯甲醇、三苯甲醇、1,2-聯苯甲烷-1,2-二醇,1,1,2,2-四苯基甲烷-1,2-二醇、苯-1,2-二甲醇、苯-1,3-二甲醇,及苯-1,4-二甲醇。
較佳地,該芳香醇類溶劑(B-1)是至少一種選自於下列所構成群組的化合物:苯甲醇、(2-羥基苯基)甲醇及(4-異丙基苯基)甲醇。
該其他溶劑(B-3)是至少一種選自於由下列所構成群組的溶劑:不具芳香基的醇類溶劑、醚類溶劑、羧酸之酯類溶劑,及酮類溶劑。
該不具芳香基的醇類溶劑是至少一種選自於由下列所構成群組的溶劑:丙三醇、1,2-丙二醇、1,4-丁二醇、1,3-丁二醇、1,5-戊二醇、2-乙基-1-己烯醇、乙二醇、二乙二醇、二丙二醇、甲醇、乙醇、異丙醇、正丙醇、戊醇、1-十六醇、1,2,3,4-丁四醇、丙-2-烯-1-醇、2-丙炔-1-醇、3,7-二甲基庚-2,6-二烯-1-醇、木糖醇,及甘露醇。
該醚類溶劑是至少一種選自於由下列所構成群組的溶劑:四氫呋喃、乙二醇單丁醚、三乙二醇單甲醚、 二乙二醇單丁醚、二丙二醇單甲醚、乙二醇單丙醚、乙二醇單甲醚、乙二醇單***、乙二醇丁醚醋酸酯、乙二醇***醋酸酯、乙二醇甲醚醋酸酯、二乙二醇單甲醚、二乙二醇單***、二乙二醇二甲醚、二乙二醇二***、二乙二醇甲***、二丙二醇單***、二丙二醇二甲醚、二丙二醇二***、二丙二醇甲***、丙二醇單甲醚、丙二醇單***、丙二醇單丙醚、丙二醇單丁醚、丙二醇甲醚醋酸酯、丙二醇***醋酸酯、丙二醇丙醚醋酸酯、丙二醇丁醚醋酸酯、丙二醇甲醚丙酸酯、丙二醇***丙酸酯、丙二醇丙醚丙酸酯,及丙二醇丁醚丙酸酯。
該羧酸之酯類溶劑是至少一種選自於由下列所構成群組的溶劑:2-(2-正丁氧基乙氧基)乙酸乙酯、碳酸丙烯酯、γ-丁內酯、γ-戊內酯、δ-戊內酯、乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸丙酯、乙酸丁酯、2-羥基丙酸乙酯、2-羥基-2-甲基丙酸甲酯、2-羥基-2-甲基丙酸乙酯、羥乙酸甲酯、羥乙酸乙酯、羥乙酸丁酯、乳酸甲酯、乳酸丙酯、乳酸丁酯、3-羥基丙酸甲酯、3-羥基丙酸乙酯、3-羥基丙酸丙酯、3-羥基丙酸丁酯、2-羥基-3-甲基丁酸甲酯、甲氧基乙酸甲酯、甲氧基乙酸乙酯、甲氧基乙酸丁酯、乙氧基乙酸甲酯、乙氧基乙酸乙酯、乙氧基乙酸丙酯、乙氧基乙酸丁酯、丙氧基乙酸甲酯、丙氧基乙酸乙酯、丙氧基乙酸丙酯、丙氧基乙酸丁酯、丁氧基乙酸甲酯、丁氧基乙酸乙酯、丁氧基乙酸丙酯、丁氧基乙酸丁酯、3-甲氧基丁基乙酸酯、2-甲氧基丙酸甲酯、2-甲氧基丙酸乙酯、2-甲氧基丙酸丙酯、2-甲氧 基丙酸丁酯、2-乙氧基丙酸甲酯、2-乙氧基丙酸乙酯、2-乙氧基丙酸丙酯、2-乙氧基丙酸丁酯、2-丁氧基丙酸甲酯、2-丁氧基丙酸甲酯、2-丁氧基丙酸乙酯、2-丁氧基丙酸丙酯、2-丁氧基丙酸丁酯、3-甲氧基丙酸甲酯、3-甲氧基丙酸乙酯、3-甲氧基丙酸丙酯、3-甲氧基丙酸丁酯、3-乙氧基丙酸甲酯、3-乙氧基丙酸乙酯、3-乙氧基丙酸丙酯、3-乙氧基丙酸丁酯、3-丙氧基丙酸甲酯、3-丙氧基丙酸乙酯、3-丙氧基丙酸丙酯、3-丙氧基丙酸丁酯、3-丁氧基丙酸甲酯、3-丁氧基丙酸乙酯、3-丁氧基丙酸丙酯,及3-丁氧基丙酸丁酯等。
該酮類溶劑是至少一種選自於由下列所構成群組的溶劑:苯乙酮、甲基-2-己酮、2-辛酮、4-羥基-4-甲基-2-戊酮、1-甲基-2-吡咯啶酮、甲乙酮、環己酮、環庚酮、氮-甲基吡咯烷酮、2-庚酮、3-庚酮,及二丙酮醇。
較佳地,該其他溶劑(B-3)是至少一種選自於由下列所構成群組的溶劑:乙二醇、乙二醇單丁醚,及碳酸丙烯酯。
該聚合物微粒(C-1)是至少一種選自於由下列所構成群組的聚合物:聚乙烯、聚苯乙烯、聚丙烯酸、聚醯胺、聚醯亞胺、聚甲基丙烯酸酯、三聚氰胺、胺基甲酸酯、苯并鳥嘌呤、酚醛樹脂、聚矽氧樹脂、氟化聚合物(例如聚四氟乙烯(Poly-tetrafluoroethylene)或聚偏氟乙烯(Polyvinylidene fluoride)),微粉化纖維素及微粉化蠟(micronised wax);其中,該聚乙烯之市售商品例如Dupont 公司出品之「Coathylene HX 1681」。較佳地,該聚合物微粒(C-1)是聚四氟乙烯、聚乙烯,或酚醛樹脂。
較佳地,該無機化合物微粒(C-2)是至少一種選自於由下列所構成群組的化合物:氧化鋁、氟化鈣、氧化硼、氧化鈦、氧化鋯、氯化鉀、氯化鎂、氯化鈣,及氯化鈉。
更佳地,該無機化合物微粒(C-2)是氟化鈣、氧化鋁,或氧化硼。
該聚合物微粒(C-1)的粒徑範圍為10 nm至3000 nm,較佳地,該聚合物微粒(C-1)的粒徑範圍為100 nm至2000 nm,更佳地,該聚合物微粒(C-1)的粒徑範圍為500nm至1500nm。
該無機化合物微粒(C-2)的粒徑範圍為10 nm至3000 nm,較佳地,該無機化合物微粒(C-2)的粒徑範圍為100nm至2000nm,更佳地,該無機化合物微粒(C-2)的粒徑範圍為500nm至1500nm。
上述聚合物微粒(C-1)及該無機化合物微粒(C-2)有助於提升該蝕刻膏組成物的蝕刻速率及蝕刻深度。
該有機增稠劑(D)是至少一種選自於由下列所構成群組的化合物:水溶性纖維素醚、多醣及水溶性聚合物。
該水溶性纖維素醚是選自於:烷基纖維素,例如纖維素、甲基纖維素,或乙基纖維素等;羥烷基纖維素,例如羥丙基甲基纖維素、羥乙基纖維素,或羥丙基纖維 素等;或是羧烷基纖維素,例如羧甲基纖維素等。
該多醣是選自於殼聚醣、藻酸、瓜耳膠、黃原膠,或鼠李聚糖膠(Rhamsan Gum)。
該水溶性聚合物是選自於聚乙烯醇、聚乙烯吡咯烷酮(polyvinylpyrrolidone)。
較佳地,該有機增稠劑(D)是選自於纖維素、聚乙烯吡咯烷酮,或殼聚醣。
該有機酸(E-1)具有C1 至C10 的直鏈或支鏈烷基,且是至少一種選自於由下列所構成群組的酸:烷基羧酸、羥基羧酸及二羧酸。
該有機酸(E-1)是至少一種選自於由下列所構成群組的酸:草酸、甲酸、乙酸、丙酸、丁酸、戊酸、己酸、庚酸、辛酸、壬酸、癸酸、檸檬酸、一氯乙酸二氯乙酸、三氯乙酸、三氟乙酸、及乳酸。較佳地,該有機酸(E-1)是選自於甲酸、乙酸、或乳酸。
該無機酸(E-2)是至少一種選自於由下列所構成群組的酸:氫氯酸、氫溴酸、氫碘酸、亞磷酸、次磷酸、磷酸、硫酸、亞硫酸、硼酸、偏硼酸,及硝酸。
較佳地,該無機酸(E-2)是選自於硝酸、磷酸,或硫酸。
該蝕刻膏組成物的黏度範圍為1~500Pa.s,較佳地,該蝕刻膏組成物的黏度範圍為3~300Pa.s,更佳地,該蝕刻膏組成物的黏度範圍為5~200Pa.s。
該蝕刻膏組成物的製備方法是將含氟化合物 (A)、溶劑(B)、微粒(C)、有機增稠劑(D)及酸(E)彼此混合,攪拌足夠時間至形成具有觸變性質的黏性糊狀物。攪拌可以在室溫或升溫至合適溫度的情況下進行。
本發明蝕刻方法,包含:提供一觸控面板,包括一基板,以及一設置於該基板上的氧化矽層或氮化矽層;將如前所述的蝕刻膏組成物絲網印刷於該氧化矽層或氮化矽層上;進行一蝕刻步驟;及進行一清洗步驟。
該基板的材質並沒有特別限制,一般的材質均可以適用。
所謂氧化矽層,除了玻璃或石英的純SiO2 之外,亦包含所有基於SiO2 的系統,包含由SiO2 離散及/或聯結成SiO4 所構成的系統,亦可以含有其他組份。由SiO2 離散及/或聯結成SiO4 所構成的系統可例如焦矽酸鹽、雙矽酸鹽、環矽酸鹽、鏈矽酸鹽、頁矽酸鹽、網矽酸鹽,該其它組份例如鈣、鈉、鋁、鉛、鋰、鎂、鋇、鉀、硼、鈹、磷、鎵、砷、銻、鑭、鋅、釷、銅、鉻、錳、鐵、鈷、鎳、鉬、釩、鈦、金、鉑、鈀、銀、鈰、銫、鈮、鉭、鋯、釹、鐠等元素,且該等元素不限於以氧化物、碳酸鹽、硝酸鹽、磷酸鹽、硫酸鹽及/或鹵化物的形式存在於SiO2 的系統中或作為摻雜元素。
所謂氮化矽層是指結晶及部分結晶(通常稱為 微晶)系統,包括α-Si3 N4 及β-Si3 N4 改質的Si3 N4 ,及所有結晶及部分結晶的SiNx 及SiNx :H。除了結晶的氮化矽還可以包含其它元素,諸如硼、鋁、鎵、銦、磷、砷或銻等。
本發明蝕刻方法並不限於絲網印刷,所屬技術領域具有通常知識者可以通過已知的印刷方法將該蝕刻膏組成物施加到待蝕刻區域上,例如通過移印方法、壓印方法、噴墨印刷方法,或手動印刷等。
絲網印刷是透過含有印刷模板的細目絲網或金屬蝕刻絲網與該基板上氧化矽層或氮化矽層的接觸,而將該蝕刻膏組成物轉移至該基板上氧化矽層或氮化矽層來進行該蝕刻步驟。所用的絲網材質並沒有特別限制,通常由塑料或金屬絲製成。
於應用時,該蝕刻膏組成物可以施加到整個區域,或以合適的方式選擇性地施加到待蝕刻的氧化矽層或氮化矽層表面上,例如使用已知的印刷方法選擇性地施加到需要蝕刻的區域。如果必要的話,可以輸入能量來活化該蝕刻膏組成物,具體作法是將該蝕刻膏組成物於能量下暴露10秒至15分鐘,較佳地是暴露30秒至2分鐘。該蝕刻膏組成物的蝕刻溫度範圍為20至500℃,較佳地為25至400℃,更佳地為30至300℃。
當整個區域或在選擇性印刷區域中的蝕刻完成時,可以通過進一步加熱進行摻雜,或使用溶劑或混合溶劑洗去用過的蝕刻膏組成物,或是通過加熱將用過的蝕刻 膏組成物燒除。較佳地,蝕刻完成後以水進行清洗。
本發明將就以下實施例來作進一步說明,但應瞭解的是,該實施例僅為例示說明之用,而不應被解釋為本發明實施之限制。
<實施例1至9及比較例1至6>
[實施例1]
在一1公升之聚丙烯杯中,於室溫下,加入100重量份的氟化氫銨(A-1)、100重量份的(4-異丙基苯基)甲醇(B-1-3)、100重量份的水(B-2)、300重量份的乙二醇(B-3-1)及30重量份的甲酸(E-1-1)均勻攪拌5分鐘後,在一邊攪拌的同時加入300重量份的聚四氟乙烯(C-1-1),並攪拌5分鐘最後加入10重量份的纖維素(D-1),於轉速500rmp下攪拌60分鐘,即可製得實施例1之製備蝕刻膏組成物。
[實施例2至9及比較例1至6]
實施例2至9及比較例1至6是以與實施例1相同的步驟來製備該蝕刻膏組成物,不同的地方在於:改變化學品的種類及其使用量,該化學品的種類及其使用量如表1及表2所示。
<檢測項目>
將實施例1至9及比較例1至6的蝕刻膏組成物進行下列檢測,並將結果記錄於表1及表2。
1.黏度經時安定性測試
於25℃下,以黏度機分別量測該等蝕刻膏組成物靜置鐘,再分別以黏度機測定靜置後之黏度,記為μ2 ,並依下列公式計算黏度變化率,藉以該等蝕刻膏組成物的評價黏度經時安定性。
黏度變化率=|μ21 |/μ1 ×100%
○:黏度變化率<10%
X:黏度變化率≧10%
2.塞網測試
將配製好之蝕刻膏組成物,分別使用網印機(東遠科技出品,型號AT-45PA)配合網目數180目/cm2 的網版於室溫下進行網印測試,該網版上具有500μm線寬的印刷圖樣,於重覆五次印刷後,觀察印刷圖樣是否有蝕刻膏殘留的塞網情況發生。
○:無蝕刻膏殘留
X:有蝕刻膏殘留
如表1所示,比較例4至6僅使用單一種類的溶劑(B),黏度經時安定性不佳,且會有塞網問題。比較例1至3是搭配使用兩種溶劑,其中比較例1僅使用水(B-2)及其他溶劑(B-3),不含有芳香醇類溶劑(B-1),黏度經時安定性不佳且塞網測試的結果不合乎需求;比較例2未使用水(B-2),有塞網問題產生;比較例3未使用其他溶劑,黏度經時安定性不佳。
實施例1至9的溶劑(B)包括芳香醇類溶劑(B-1)、水(B-2)及其他溶劑(B-3),該等蝕刻膏組成物黏度經時安定性良好,且用於絲網印刷時不會有塞網問題產生。
綜上所述,本發明蝕刻膏組成物透過選用特定組成的溶劑,黏度經時安定性佳,特別適用於採用絲網印刷的蝕刻方法,且不會有塞網問題產生,故確實能達成本發明之目的。
惟以上所述者,僅為本發明之較佳實施例而已,當不能以此限定本發明實施之範圍,即大凡依本發明申請專利範圍及專利說明書內容所作之簡單的等效變化與修飾,皆仍屬本發明專利涵蓋之範圍內。

Claims (8)

  1. 一種蝕刻膏組成物,包含:含氟化合物(A);溶劑(B),包括芳香醇類溶劑(B-1)、水(B-2)及其他溶劑(B-3),該其他溶劑(B-3)是至少一種選自於由下列所構成群組的溶劑:不具芳香基的醇類溶劑、醚類溶劑、羧酸之酯類溶劑,及酮類溶劑;微粒(C),是選自於聚合物微粒(C-1)、無機化合物微粒(C-2),或此等之一組合;有機增稠劑(D);及酸(E),是選自於有機酸(E-1)、無機酸(E-2),或此等之一組合;其中,以該含氟化合物(A)為100重量份計,該芳香醇類溶劑(B-1)的用量為100至500重量份,水(B-2)的用量為50至300重量份,其他溶劑(B-3)的用量為200至1200重量份。
  2. 如請求項1所述的蝕刻膏組成物,其中,以該含氟化合物(A)為100重量份計,該溶劑(B)之用量為350至2000重量份,該微粒(C)的用量為300至2000重量份,該有機增稠劑(D)的用量為10至200重量份,該酸(E)的用量為30至600重量份。
  3. 如請求項1所述的蝕刻膏組成物,其中,該含氟化合物(A)是至少一種選自於由下列所構成群組的化合物:氟化氫銨、氟化銨、氟化氫鈉、氟化鈉、氟化氫鉀、氟化 鉀、氟化鋇,及氟硼酸銨。
  4. 如請求項1所述的蝕刻膏組成物,其中,該芳香醇類溶劑(B-1)是至少一種選自於下列所構成群組的化合物:苯甲醇、(2-羥基苯基)甲醇、(甲氧基苯基)甲醇、(3,4-二羥基苯基)甲醇、4-(羥甲基)苯-1,2-二醇、(4-羥基-3-甲氧基苯基)甲醇、(3,4-二甲氧基苯基)甲醇、(4-異丙基苯基)甲醇、2-苯乙醇、1-苯乙醇、2-苯基-1-丙醇、對甲苯基醇、2-(4-羥基-3-甲氧基苯基)甲烷-1-醇、2-(3,4-二甲氧基苯基)甲烷-1-醇、3-苯基-丙烷-1-醇、2-苯基-丙烷-2-醇、肉桂醇、3-(4-羥基-3-甲氧基苯基)丙-2-烯-1-醇、3-(4-羥基-3,5-甲氧基苯基)丙-2-烯-1-醇、聯苯甲醇、三苯甲醇、1,2-聯苯甲烷-1,2-二醇,1,1,2,2-四苯基甲烷-1,2-二醇、苯-1,2-二甲醇、苯-1,3-二甲醇,及苯-1,4-二甲醇。
  5. 如請求項1所述的蝕刻膏組成物,其中,該聚合物微粒(C-1)是至少一種選自於由下列所構成群組的聚合物:聚乙烯、聚苯乙烯、聚丙烯酸、聚醯胺、聚醯亞胺、聚甲基丙烯酸酯、三聚氰胺、胺基甲酸酯、苯并鳥嘌呤、酚醛樹脂、聚矽氧樹脂、氟化聚合物,微粉化纖維素及微粉化蠟。
  6. 如請求項1所述的蝕刻膏組成物,其中,該無機化合物微粒(C-2)是至少一種選自於由下列所構成群組的化合物:氧化鋁、氟化鈣、氧化硼、氧化鈦、氧化鋯、氯化鉀、氯化鎂、氯化鈣及氯化鈉。
  7. 如請求項1所述的蝕刻膏組成物,其中,該有機增稠劑(D)是至少一種選自於由下列所構成群組的化合物:水溶性纖維素醚、多醣及水溶性聚合物。
  8. 一種蝕刻方法,包含:提供一觸控面板,包括一基板,以及一設置於該基板上的氧化矽層或氮化矽層;將如請求項1至7中任一項所述的蝕刻膏組成物絲網印刷於該氧化矽層或氮化矽層上;進行一蝕刻步驟;及進行一清洗步驟。
TW102115287A 2013-04-29 2013-04-29 蝕刻膏組成物及其應用 TWI488943B (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW102115287A TWI488943B (zh) 2013-04-29 2013-04-29 蝕刻膏組成物及其應用
CN201410157734.0A CN104119921A (zh) 2013-04-29 2014-04-18 蚀刻膏组成物及其应用

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW102115287A TWI488943B (zh) 2013-04-29 2013-04-29 蝕刻膏組成物及其應用

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201441346A TW201441346A (zh) 2014-11-01
TWI488943B true TWI488943B (zh) 2015-06-21

Family

ID=51765565

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW102115287A TWI488943B (zh) 2013-04-29 2013-04-29 蝕刻膏組成物及其應用

Country Status (2)

Country Link
CN (1) CN104119921A (zh)
TW (1) TWI488943B (zh)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106032074A (zh) * 2015-03-11 2016-10-19 南昌欧菲光学技术有限公司 显示装置、玻璃盖板及其制作方法
CN109722248A (zh) * 2018-01-03 2019-05-07 厦门蓝科电子科技有限公司 一种蚀刻膏及其制备方法
CN110240906A (zh) * 2018-03-07 2019-09-17 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 Iii-v族半导体刻蚀液及其制备方法和应用
CN110129056B (zh) * 2019-04-08 2021-04-06 上海舸海科技有限公司 用于集成电路的蚀刻剂组合物
CN110218563B (zh) * 2019-06-11 2021-04-06 厦门市豪尔新材料股份有限公司 一种刻蚀浆料及其制备方法和应用以及太阳能电池的制造方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5965465A (en) * 1997-09-18 1999-10-12 International Business Machines Corporation Etching of silicon nitride
CN101528884A (zh) * 2006-11-01 2009-09-09 默克专利股份有限公司 用于硅表面和层的含颗粒的蚀刻糊
WO2012083082A1 (en) * 2010-12-15 2012-06-21 Sun Chemical Corporation Printable etchant compositions for etching silver nanoware-based transparent, conductive film
CN102893421A (zh) * 2010-05-21 2013-01-23 默克专利股份有限公司 在塑料底材结构上的碳纳米管(cnt)聚合物基质的选择性蚀刻

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW451347B (en) * 2000-06-16 2001-08-21 United Microelectronics Corp Cleaning method after polycide gate etching
JP5700784B2 (ja) * 2010-12-15 2015-04-15 株式会社Adeka エッチング液組成物
JP5519728B2 (ja) * 2011-05-17 2014-06-11 富士フイルム株式会社 エッチング方法及びこれに用いられるエッチング液、これを用いた半導体素子の製造方法
CN102254814B (zh) * 2011-08-16 2013-12-25 中国科学院电工研究所 一种氧化硅的选择性刻蚀溶液及其制备方法和应用

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5965465A (en) * 1997-09-18 1999-10-12 International Business Machines Corporation Etching of silicon nitride
CN101528884A (zh) * 2006-11-01 2009-09-09 默克专利股份有限公司 用于硅表面和层的含颗粒的蚀刻糊
CN102893421A (zh) * 2010-05-21 2013-01-23 默克专利股份有限公司 在塑料底材结构上的碳纳米管(cnt)聚合物基质的选择性蚀刻
WO2012083082A1 (en) * 2010-12-15 2012-06-21 Sun Chemical Corporation Printable etchant compositions for etching silver nanoware-based transparent, conductive film

Also Published As

Publication number Publication date
TW201441346A (zh) 2014-11-01
CN104119921A (zh) 2014-10-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI488943B (zh) 蝕刻膏組成物及其應用
KR101387260B1 (ko) 이산화규소 및 질화규소층용 프린팅가능한 에칭 매질
JP4837285B2 (ja) シリコン表面および層のためのエッチングペースト
JP5107722B2 (ja) 二酸化ケイ素および窒化ケイ素の層のエッチングのためのプリント可能な媒体
TWI508140B (zh) A diffusing agent composition, a method for forming an impurity diffusion layer, and a solar cell
TWI502031B (zh) 抗蝕刻組成物及其應用
TWI307826B (zh)
JP6101869B2 (ja) 表面処理された透明導電性高分子薄膜の製造方法およびこれを用いて製造した透明電極
TW200835778A (en) Particle-containing etching pastes for silicon surfaces and layers
WO2001083391A1 (de) Ätzpasten für anorganische oberflächen
TWI539611B (zh) A diffusion agent composition, a method for forming an impurity diffusion layer, and a solar cell
JP2007049079A (ja) マスキングペースト、その製造方法およびマスキングペーストを用いた太陽電池の製造方法
TW201705222A (zh) p型不純物擴散組成物、使用其的半導體元件的製造方法以及太陽電池及其製造方法
TW200407463A (en) Etching pastes for titanium oxide surfaces
TW201434884A (zh) 阻障層形成用組成物、帶有阻障層的半導體基板、太陽電池用基板的製造方法及太陽電池元件的製造方法
CN102576171B (zh) 制造用于液晶显示装置的阵列基板的方法
JPWO2016121641A1 (ja) 不純物拡散組成物、それを用いた半導体素子の製造方法および太陽電池
JP2014082333A (ja) 組成物
JP4762867B2 (ja) ホトリソグラフィ用洗浄液およびこれを用いた基板の洗浄方法
TWI589650B (zh) 經表面處理之透明導電高分子薄膜之製造方法及使用彼製造之透明電極
JP6031939B2 (ja) 組成物
KR20150037241A (ko) 표면처리된 안료를 이용한 인쇄형 에천트 조성물 및 그 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees