TWI485532B - 輻射系統及包含該輻射系統之微影裝置 - Google Patents

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Vadim Yevgenyevich Banine
Johannes Christiaan Leonardus Franken
Olav Waldemar Vladimir Frijns
Derk Jan Wilfred Klunder
Niels Machiel Driessen
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Description

輻射系統及包含該輻射系統之微影裝置
本發明係關於一種光學感應器裝置及一種包含該光學感應器裝置之微影裝置。在一實施例中，本發明係關於一種用於一遠紫外線微影系統中之光學感應器裝置。
微影裝置係將一所要之圖案應用至一基板上(通常應用至該基板之一目標部分上)之機器。可將微影裝置用於(例如)製造積體電路(IC)。在彼情況下，可使用一圖案化設備(其或者被稱作光罩或主光罩)來產生一待形成於IC之個別層上的電路圖案。可將此圖案轉移至一基板(例如，一矽晶圓)上之一目標部分(例如，包含晶粒之部分、一或若干個晶粒)上。圖案之轉移通常係經由成像至一設於基板上之輻射敏感物質(抗蝕劑)層上。通常，單一基板將含有被連續圖案化之相鄰目標部分之一網路。已知之微影裝置包括：所謂之步進器，其中藉由將一整個圖案一次性曝光至目標部分上而照射每一目標部分；及所謂之掃描器，其中藉由在一給定方向("掃描"方向)上經由一輻射光束來掃描圖案同時平行或反平行於此方向來同步掃描基板而照射每一目標部分。亦可藉由將圖案壓印至基板上而將該圖案自圖案化設備轉移至基板。
除EUV輻射外，用於EUV微影術中之輻射源通常產生對光學器件及其中執行微影過程之工作環境有害的污染物物質。對於經由放電產生之雷射誘發電漿來操作的EUV源而 言，情況尤為如此。因此，在EUV微影術中，需要限制對經配置以調節來自一EUV源之輻射光束的光學系統之污染。此外，可能需要能夠監控積聚於EUV系統中之污染物的量。另一需求可為能夠監控由一EUV源產生之EUV能量的量。
根據本發明之一態樣，提供一用於一遠紫外線微影系統中之光學感應器裝置，該光學感應器裝置包含：一光學感應器，其包含一感應器表面；及一移除機件，其經組態以自該感應器表面移除碎片。
根據本發明之一態樣，提供一種偵測EUV輻射之方法，該方法包含：將一光學感應器之一感應器表面曝露至一產生EUV輻射之EUV源以偵測該EUV輻射；及自該感應器表面移除碎片。
圖1示意性地描繪了根據本發明之一實施例之微影裝置。該裝置包含：-一照明系統(照明器)IL，其經組態以調節一輻射光束B(例如，UV輻射或EUV輻射)；-一支撐結構(例如，一光罩台)MT，其經建構以支撐一圖案化設備(例如，一光罩)MA且連接至一經組態以根據某些參數來精確定位該圖案化設備的第一***PM；-一基板台(例如，一晶圓台)WT，其經建構以固持一基板(例如，一塗佈有抗蝕劑之晶圓)W且連接至一經組態 以根據某些參數來精確定位該基板之第二***PW；及-一投影系統(例如，一折射式投影透鏡系統)PS，其經組態以將由圖案化設備MA賦予輻射光束B之一圖案投影至基板W之一目標部分C(例如，包含一或多個晶粒)上。
該照明系統可包括各種類型之用於導引、成形或控制輻射的光學組件，諸如折射類型、反射類型、磁性類型、電磁類型、靜電類型或其他類型之光學組件或其任何組合。
支撐結構以一視圖案化設備之定向、微影裝置之設計及其他條件(諸如圖案化設備是否被固持於一真空環境中)而定的方式來固持圖案化設備。該支撐結構可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術來固持圖案化設備。支撐結構可為框架或台，例如，其可根據需要而被固定或可移動。支撐結構可確保圖案化設備(例如)相對於投影系統而位於一所要之位置處。可將術語"主光罩"或"光罩"在本文中之任何使用視為與更一般之術語"圖案化設備"同義。
本文中所使用之術語"圖案化設備"應廣泛地解釋為指代任何可用於賦予一輻射光束的橫截面一圖案以便在基板之一目標部分中產生一圖案的設備。應注意，賦予輻射光束之圖案可並非精確地對應於基板之目標部分中的所要圖案(例如，若該圖案包括相移特徵或所謂之輔助特徵)。通常，賦予輻射光束之圖案將對應於產生於目標部分中的一元件(諸如積體電路)中之一特定功能層。
圖案化設備可為透射型或反射型。圖案化設備之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列及可程式化LCD面板。光罩在 微影術中已為吾人所眾所周知，且包括諸如二元型(binary)、交替相移型及衰減相移型之光罩類型以及各種混合光罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例利用小型鏡面之一矩陣配置，該等鏡面中之每一者可個別地傾斜以便在不同方向上反射傳入輻射光束。該等傾斜鏡面在一被鏡面矩陣所反射之輻射光束中賦予一圖案。
本文中所使用之術語"投影系統"應廣泛地解釋為涵蓋適合於所使用之曝光輻射或適合於其他因素(諸如使用一浸液或使用真空)之任何類型之投影系統，包括折射、反射、折射反射式、磁性、電磁及靜電光學系統或其任何組合。可將術語"投影透鏡"在本文中之任何使用視為與更一般之術語"投影系統"同義。
如此處所描繪，該裝置係一反射類型(例如，利用一反射光罩)。或者，該裝置可為一透射類型(例如，利用一透射光罩)。
微影裝置可為一具有兩個(雙台)或兩個以上之基板台(及/或兩個或兩個以上之支撐結構)的類型。在此等"多台"機器中，可並行使用額外台(及/或支撐結構)，或可在一或多個台(及/或支撐結構)上執行預備步驟，同時將一或多個其他台(及/或支撐結構)用於曝光。
微影裝置亦可為某一類型，其中基板之至少一部分可由一具有相對較高之折射率的液體(例如，水)所覆蓋，以便填充投影系統與基板之間的空間。亦可將一浸液應用於微影裝置中之其他空間(例如，光罩與投影系統之間)。浸沒 技術在此項技術中已為吾人眾所周知地用於增加投影系統之數值孔徑。如本文中所使用之術語"浸沒"並不意謂必須將一結構(諸如基板)淹沒於液體中，而是僅意謂液體在曝光期間位於投影系統與基板之間。
參看圖1，照明器IL自一輻射源SO接收一輻射光束。該源與微影裝置可為獨立實體(例如，當該源係準分子雷射器時)。在此等狀況下，並不將該源視為形成微影裝置之部分，且借助於一包含(例如)合適之導向鏡及/或光束放大器的光束傳遞系統而使輻射光束自源SO傳遞至照明器IL。在其他狀況下，該源可為微影裝置之一整體部分(例如，當該源係一汞燈時)。可將源SO及照明器IL連同該光束傳遞系統一起(若需要)稱作一輻射系統。
照明器IL可包含一用以調整輻射光束之角強度分布的調整器。通常，可調整照明器之一光瞳平面中的強度分布之至少外部及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外徑及σ內徑)。另外，照明器IL可包含各種其他組件，諸如一積光器及一聚光器。可使用照明器來調節輻射光束以在其橫截面中具有所要之均勻性及強度分布。
輻射光束B入射於被固持於支撐結構(例如，光罩台)MT上之圖案化設備(例如，光罩)MA上，且由該圖案化設備來圖案化。在經過圖案化設備MA之後，輻射光束B穿過投影系統PS，該投影系統PS將該光束聚焦至基板W之一目標部分C上。借助於第二***PW及位置感應器IF2(例如，一干涉量測設備、線性編碼器或電容式感應器)，可精確地 移動基板台WT，(例如)以便將不同目標部分C定位於輻射光束B之路徑中。類似地，(例如)在自一光罩庫機械擷取之後或在掃描期間，可使用第一***PM及另一位置感應器IF1來相對於輻射光束B之路徑精確地定位圖案化設備MA。通常，可借助於形成第一***PM之部分的一長衝程模組(粗定位)及一短衝程模組(精定位)來實現支撐結構MT之移動。類似地，可使用形成第二***PW之部分的一長衝程模組及一短衝程模組來實現基板台WT之移動。在一步進器(如與一掃描器相反)之狀況下，支撐結構MT可僅連接至一短衝程致動器，或可被固定。可使用圖案化設備對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化設備MA及基板W。儘管如所說明之基板對準標記佔據專用目標部分，但其可位於目標部分之間的空間中(此等被通稱為切割道對準標記)。類似地，在一個以上之晶粒設於圖案化設備MA上之情形中，圖案化設備對準標記可位於晶粒之間。
可以以下模式中之至少一種模式來使用所描繪之裝置：
1.在步進模式中，支撐結構MT及基板台WT保持基本上靜止，同時將賦予輻射光束之一整個圖案一次性投影至一目標部分C上(亦即，一單一靜態曝光)。接著在X及/或Y方向上使基板台WT移位，使得可曝光一不同之目標部分C。在步進模式中，曝光場之最大大小限制了在單一靜態曝光中所成像之目標部分C之大小。
2.在掃描模式中，同步掃描支撐結構MT及基板台WT， 同時將賦予輻射光束之圖案投影至一目標部分C上(亦即，一單一動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特徵來判定基板台WT相對於支撐結構MT的速度及方向。在掃描模式中，曝光場之最大大小限制了在單一動態曝光中目標部分之寬度(在非掃描方向上)，而掃描運動之長度判定目標部分之高度(在掃描方向上)。
3.在另一模式中，支撐結構MT保持基本上靜止而固持一可程式化圖案化設備，且移動或掃描基板台WT同時將賦予輻射光束之一圖案投影至一目標部分C上。在此模式中，通常利用一脈衝輻射源，且根據需要在掃描期間在基板台WT之每一移動之後或連續輻射脈衝之間更新可程式化圖案化設備。可不難將此操作模式應用於利用可程式化圖案化設備(諸如如上文所提到之類型之可程式化鏡面陣列)之無光罩微影術中。
亦可利用上文所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同之使用模式。
在圖2中，展示了本發明之一實施例。展示了一用於一EUV輻射系統2之光學感應器系統1，該感應器系統1包含一曝露至一EUV源4之感應器表面3。此外，展示了一移除機件5且其經組態以自感應器表面3移除一碎片層6，該碎片層包含(例如)Sn(通常當使用Sn EUV源時)及/或其他污染物(諸如碳)。通常，輻射系統2包含一放電產生之電漿源4(諸如Sn或Xe源)，然而，另一類型之源係可能的。圖2中所描繪之源4通常係以脈衝方式來操作使得週期性地產生 EUV輻射7連同自源4行進之碎片8。典型之操作頻率係在若干(幾十)kHz之範圍中。
在圖2中所描繪之實施例中，光學感應器系統1包含一EUV敏感性閃爍材料9及一用以自該閃爍材料9接收電磁輻射11的光偵測器10，該輻射11係藉由入射EUV輻射7對閃爍材料9進行閃爍12而產生。儘管其他材料係可行的，在一實施例中，EUV敏感性閃爍材料9包含YAG：Ce。該YAG：Ce材料因此將EUV輻射轉換為較高波長之輻射(通常為習知使用光電二極體或其類似物而以電子方式予以轉換的可見光輻射(藍色))。
儘管其他清潔方法(諸如化學清潔或其類似物)係可行的，但在一實施例中，碎片移除機件包含一氫基供應系統5。此氫基供應系統可包含一氫氣供應系統13及一用以自所供應之氫氣分子產生自由基15的細絲14或其他為熟習此項技術人員所已知之構件(諸如微波或其類似物)。在所示之實施例中，舉例而言，此自由基產生器可為在(例如)2000℃之溫度下的熱細絲。使用藉由氫基之清潔，可提供一直接面對EUV源之劑量感應器。
在一種操作模式中，可間歇性地自感應器表面3移除碎片層6。在此操作模式中，可將感應器用作一污染物偵測器，可以某些時間間隔來偶爾地清潔該感應器或一經請求(例如，當達到一指示光偵測器10不再或不足以接收光子能量11的某一臨限值時)便清潔該感應器。在此操作模式中，可藉由獲得沈積於感應器表面上之碎片層6的厚度來 監控污染程度，此將參看圖4來進一步闡明。在另一操作模式中，可連續地自感應器表面3移除碎片8，此意謂移除機件實際上在光學感應器系統1之使用期間有效，其中藉由使碎片層6之厚度保持大體上恆定而使污染程度被保持於某一水平(理想上為零或某一水平(例如，根據該水平能可靠地判定EUV能量之一入射劑量))。
在圖2中所示之實施例中，使用EUV輻射7之優勢係具體言之(與較高波長之輻射相比)EUV輻射對薄污染物層5具有高度敏感性。歸因於此，使得先前所描述之實施例最具敏感性且將提供最快速之回應。
然而，在某些狀況下，吾人可能不需要此較高敏感性。在彼狀況下，可由(例如)一塊玻璃來替代YAG：Ce材料9，且可使用由諸如LED之獨立輻射源(未圖示)產生的一具有較長波長(例如，在UV-IR光之範圍中)的輻射光束。此實施例可更便宜且同時使感應器對污染物8之敏感性較小。因此，此實施例適合於預期具有較大厚度之污染物的應用。此可(例如)在一位於EUV源附近之位置中，其中仍大量存在源碎片8。
在一實施例中，可將感應器置放於EUV微影裝置中之被曝露至EUV輻射的各種位置處。舉例而言，可將感應器置放於照明器或投影光學器件附近以便監控光學器件上污染物(例如，碳)之增長量且具有一警報以警告污染物增長之突然增加(例如，歸因於真空之洩漏)。
在一實施例中，可將感應器置放於EUV源附近而直接面 對EUV輻射及碎片。
在一實施例中，將感應器置放於圖案化設備(例如，光罩)附近以便監控積聚於該圖案化設備上之污染物的量。圖案化設備保持清潔係重要的，且因此一經組態以偵測污染物之量的監控器在此處係有利的。舉例而言，圖案化設備可歸因於EUV抗蝕劑之除氣作用而受污染。
測試並發現是否可使用氫基而自YAG樣本移除Sn污染物以產生高清潔速率(可大於560 nm/小時)。在一實驗中，可使用一塊圓形(直徑為1 cm)YAG，於其上使用濺鍍沈積而沈積有一薄層4.7 nm之Sn。緊接著，量測該Sn層之厚度。緊接著，使用一熱細絲氫基源而將該樣本曝露至氫基。操作電流係22.0 A且電壓係21.0 V。背景壓力係20.0毫巴且樣本固持器之溫度在15℃至50℃之間變化。表1展示了實驗結果。在30秒之總處理時間中，所有Sn皆已自該樣本移除，此對應於至少4.7 nm/30秒=0.16 nm/s=564 nm/小時之清潔速率。
圖3展示了一光學感應器裝置之另一實施例。在此實施例中，描繪了一EUV源4。又，描繪了一光學感應器系統1及一碎片移除機件5。此處，一感應器表面3係一可旋轉之EUV半透明板16之一表面部分。移除機件5經配置以自半 透明板16之另一部分移除碎片8。可連續地或間歇性地旋轉板16，其中可將一被定位於一偵測器10之前部的部分用作一光譜濾光器，且其中清潔被定位於移除機件5附近的部分。或者，可移位或平移該板以將一曝露至碎片的部分移動朝向移除機件5。在一實施例中，EUV半透明板16選擇性地使具有在10-20nm之一範圍中之波長的輻射通過。作為一實例，EUV半透明板16可包含一Nb濾光器、一Zr/Si多層式濾光器或一Zr/Nb多層式濾光器。同樣地，如在圖3中所描繪之實施例中，可將此感應器系統1之應用用作(例如)一污染物監控器或用作一劑量感應系統。
根據本發明之一態樣，圖3之實施例使用一停止Sn碎片同時對EUV仍具有某些透射性的濾光器(例如，一100nm厚之Nb濾光器具有62%之EUV透射率)，且對該濾光器之常規清潔使用氫清潔。此可藉由以下步驟實現：旋轉濾光器16使得其在每次往返行程時穿過一清潔台5，並將一孔徑17置於濾光器16之前使得偵測器10仍經受EUV，但該濾光器之並未面對偵測器之部分則屏蔽於源4。
作為一實際實例，將根據圖3中所描繪之實施例的EUV偵測器1置放於距EUV源410cm之距離處。EUV源4通常產生與1015 -1016 個原子/脈衝等效的碎片量。對於15kHz之重複頻率而言，每秒發射總量為15*1018 -15*1019 個原子，其與2.5*10-5 至2.5*10-4 莫耳之Sn(對於Sn EUV源而言)等效。因此，在此實例中，每單位面積(在10cm距離處)Sn原子之通量係1.98*10-4 至1.98*10-3 莫耳/(m2 *s)，其對應於 2.35*10-5 至2.35*10-4 kg/(m2 *s)的Sn沈積質量及3.2至32nm/s之層厚度(Sn之密度為7.29*103 kg/m3 )。使用此實例，一典型之Sn清潔速率將在3.2至32nm/s之間或更好，此可(例如)透過使用一種藉由供應來自一氫基供應系統13之氫基15的氫清潔方法(如圖2及圖3之實施例中所說明)而得到。當然，該清潔方法並不限於此氫清潔類型，而是可為另一種清潔方法(諸如鹵素清潔或其類似物)。
在應用氫清潔之一實施例中，理想上，使待清潔之表面具備一具有小於0.2之氫基重組常數(hydrogen radical recombination constant)的頂蓋層，該頂蓋層(例如)可由一Si3 N4 層來提供。此頂蓋層可極大地改良氫清潔之效率。
另外，理想地選擇一旋轉頻率Q使得濾光器16被曝露至輻射源4之時間，該曝露產生約0.8nm厚(或更通常地，厚度在0.4nm至2nm範圍內)之Sn層。對於約32nm/s之增長速率而言，此將暗示一小於約0.8/32=25ms之曝露時間。就一用於1cm2 之有效感應器區域3的典型值而言，此就將暗示一大於約0.01/0.025=0.4m/s之線速度，對於一為15cm的EUV偵測器1之有效區域3之中心與一旋轉中心之間的典型徑向距離而言，該線速度可對應於一大於0.4Hz之旋轉頻率。
參看圖4，說明了一展示了EUV透射比率與一污染程度之間的關係的圖表。因此，展示了幾乎存在一指數關係，其中被界定為入射與透射能量之比率的透射率隨碎片層6之厚度而指數遞減。舉例而言，1nm之污染物厚度對應於 5%的透射率變化，其為通常易於使用輻射感應器而達成之精確度。對於30 nm之厚度而言，透射比率為約0.1，且對於100 nm之厚度而言，該透射比率幾乎被降低至零。
因此，藉由偵測器10而對透射比率進行的量測指示污染物之量(更特定言之碎片層6之厚度)。污染物可隨時間而緩慢地積聚，或可歸因於(例如)真空系統中之一問題(例如，真空貯槽中之洩漏)而立刻增長。對由光學感應器系統1所偵測到之透射比率進行持續監控可因此為一種用於在發生偵測到的不規則性(諸如污染物之突然增加)時採取及時且適當之行動的方式。此外，在一實施例中，閃爍材料係具有約2至3%之轉換效率(亦即，將EUV輻射轉換為可見光)的YAG：Ce。另一種材料CaS：Ce具有約0.1至2%之轉換效率且亦為合適的。
圖5展示了一經組態以自感應器表面3移除碎片6的移除機件5之另一實施例。在此實施例中，移除機件5包含一用以主動或被動地升高感應器表面3之溫度的加熱系統18。藉由升高該溫度，可達到一動態平衡，其中所沈積之碎片的量可匹配一碎片蒸發速率，例如，在Sn碎片之狀況下，此高溫將大於約900℃至最大值約1400℃。因此，可達到一連續或半連續狀態，其中在一延長之時間段中，可執行劑量量測或污染物量測。作為一實例(諸如圖5中所描繪)，感應器表面可由直立壁19所圍繞，該等直立壁19包含經組態以加熱該等壁19之加熱元件20。另外，此等壁可被提供作為一準直儀21以集合光並使光準直朝向感應器表面3及/ 或至偵測器10。
此外，舉例而言，在參看圖5所說明之配置中，一10 mm流水層22結合一IR吸附玻璃濾光器23可能夠分別冷卻掉25.4 W及1.6 W(基於27 W之估計總數)。可使用一寬頻帶光譜透射濾光器(例如，MgF2 、SiO2 或CaF2 )來密封水流之頂層。
可在一EUV源4之附近使用本文中之一或多個實施例而大體上無提供於感應器系統1與EUV源4間之路徑中的進一步之碎片減緩構件。然而，視用途而定，感應器系統1可進一步存在於輻射系統2之下游(例如，在一污染物收集器(未圖示)附近)。該污染物收集器可為一使用較高數目之經緊密封裝之箔的設備，該等箔大體平行於由EUV源產生之輻射的傳輸方向而對準。可將污染物碎片8(諸如微米粒子、奈米粒子及離子)收集於由箔板所提供之壁中。因此，此箔收集器充當一收集來自該源之污染物物質的污染物障壁。自箔收集器之下游，可存在一集光器，其起集合來自EUV源之EUV輻射且將該EUV輻射聚焦成一在下游由投影光學器件進一步加以調節之光束的作用。因此，集光器將來自EUV源4之EUV輻射會聚至另外之EUV光學器件。此集光器元件可沿一中心軸方向而呈圓柱形對稱且包含經同心彎曲之外殼形成的反射表面，該等反射表面被堆疊於大體上在1與7 cm之間變化的距離處。或者，其可為多層式正入射類型。
儘管已將本文中所描述之光學感應器裝置之一或多個實 施例描述為一位於源附近之裝置，但亦可將該感應器用於另外之下游光學器件中(例如)以量測該系統之污染程度(詳言之，例如以量測碳含量或其類似物)。在此實施例中，感應器表面可並未直接曝露至EUV輻射源而是可經由一或多個EUV反射鏡面而間接曝露。
儘管可能在本文中特定參考微影裝置在IC製造中的使用，但應理解，本文中所描述之微影裝置可具有其他應用，諸如製造整合式光學系統、用於磁域記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭等等。熟練技工將瞭解，在此等替代性應用之背景中，術語"晶圓"或"晶粒"在本文中之任何使用可認為分別與更一般之術語"基板"或"目標部分"同義。可在曝光之前或之後在(例如)一軌道(一通常將一層抗蝕劑塗覆至一基板且顯影該經曝光之抗蝕劑的工具)、一計量工具及/或一檢測工具中處理本文中所提到之基板。在適用之情況下，可將本文中之揭示內容應用於此等及其他基板處理工具。此外，可處理基板一次以上(例如)以便產生多層式IC，使得本文中所使用之術語基板亦可指代一業已含有多個經處理之層的基板。
儘管可在上文特定參考本發明之實施例在光學微影術之背景中的使用，但將瞭解，可將本發明用於其他應用(例如，壓印微影術)中，且在背景允許的情況下，本發明並不限於光學微影術。在壓印微影術中，一圖案化設備中之一構形界定產生於基板上之圖案。可將該圖案化設備之構 形壓入一層被供應至基板的抗蝕劑中，隨之藉由施加電磁輻射、熱、壓力或其之組合來固化該抗蝕劑。在該抗蝕劑被固化之後將該圖案化設備移出抗蝕劑而在其中留下一圖案。
本文中所使用之術語"輻射"及"光束"涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線(UV)輻射(例如，具有一為或大約為365、355、248、193、157或126 nm之波長)及遠紫外線(EUV)輻射(例如，具有一在5-20 nm之範圍中的波長)以及粒子束(諸如離子束或電子束)。
在背景允許之情況下，術語"透鏡"可指代各種類型之光學組件中之任何一者或組合，該等光學組件包括折射、反射、磁性、電磁及靜電光學組件。
儘管已在上文描述了本發明之特定實施例，但將瞭解，可以不同於如上文所描述之方式的方式來實踐本發明。舉例而言，本發明可呈一含有描述一種如上文所揭示之方法的機器可讀取指令之一或多個序列的電腦程式或一具有儲存於其中之此電腦程式的資料儲存媒體(例如，半導體記憶體、磁碟或光碟)的形式。
上文之描述意欲具有說明性而非限制性。因此，熟習此項技術者將顯而易見，可在不背離下文所陳述之申請專利範圍之範疇的情況下對如所描述之本發明作出修改。
1‧‧‧光學感應器系統
2‧‧‧輻射系統
3‧‧‧感應器表面
4‧‧‧放電產生之電漿源
5‧‧‧移除機件/氫基供應系統
6‧‧‧碎片層
7‧‧‧入射EUV輻射
8‧‧‧碎片
9‧‧‧EUV敏感性閃爍材料
10‧‧‧偵測器
11‧‧‧輻射
12‧‧‧閃爍
13‧‧‧氫氣供應系統
14‧‧‧細絲
15‧‧‧氫基
16‧‧‧EUV半透明板/濾光器
17‧‧‧孔徑
18‧‧‧加熱系統
19‧‧‧直立壁
20‧‧‧加熱元件
21‧‧‧準直儀
22‧‧‧流水層
23‧‧‧IR吸附玻璃細絲
B‧‧‧輻射光束
C‧‧‧目標部分
IF1‧‧‧位置感應器
IF2‧‧‧位置感應器
IL‧‧‧照明系統(照明器)
M1‧‧‧圖案化設備對準標記
M2‧‧‧圖案化設備對準標記
MA‧‧‧圖案化設備
MT‧‧‧支撐結構
P1‧‧‧基板對準標記
P2‧‧‧基板對準標記
PM‧‧‧第一***
PS‧‧‧投影系統
PW‧‧‧第二***
SO‧‧‧輻射源
W‧‧‧基板
WT‧‧‧基板台
圖1描繪了根據本發明之一實施例之微影裝置；圖2描繪了本發明之一實施例； 圖3描繪了本發明之另一實施例；圖4描繪了一說明一EUV透射比率與一污染程度之間的關係的圖表；及圖5描繪了本發明之另一實施例。
B‧‧‧輻射光束
C‧‧‧目標部分
IF1‧‧‧位置感應器
IF2‧‧‧位置感應器
IL‧‧‧照明系統(照明器)
M1‧‧‧圖案化設備對準標記
M2‧‧‧圖案化設備對準標記
MA‧‧‧圖案化設備
MT‧‧‧支撐結構
P1‧‧‧基板對準標記
P2‧‧‧基板對準標記
PM‧‧‧第一***
PS‧‧‧投影系統
PW‧‧‧第二***
SO‧‧‧輻射源
W‧‧‧基板
WT‧‧‧基板台

Claims (11)

  1. 一種用於一遠紫外線(EUV)微影系統中之光學感應器裝置，其包含：一光學感應器，其包含一感應器表面，其中該光學感應器包含具有YAG：Ce之一EUV敏感性閃爍(scintillation)材料及經組態以回應於由入射EUV輻射所引起之閃爍而偵測自該閃爍材料發射之光子能量的一偵測器；及一移除機件，其經組態以連續地自該感應器表面移除碎片，該移除機件具有一氫基供應系統，其中該感應器表面包含具有小於0.2之氫基重組常數的一頂蓋層。
  2. 如請求項1之光學感應器裝置，其中該氫基供應系統包含一氫氣供應系統及一自由基產生器。
  3. 如請求項2之光學感應器裝置，其中該自由基產生器包含一細絲及微波之至少一者。
  4. 如請求項1之光學感應器裝置，其中該頂蓋層包含Si3 N4 。
  5. 如請求項1之光學感應器裝置，其中：該光學感應器裝置經組態以與一EUV輻射系統一起使用；且該EUV輻射系統包含一EUV源，其具有一雷射誘發電漿源或一放電產生之電漿源。
  6. 如請求項5之光學感應器裝置，其中該電漿源包含Sn或Xe。
  7. 一種用於一遠紫外線(EUV)微影系統中之光學感應器裝置，其包含：一光學感應器，其包含一感應器表面；及一移除機件，其經組態以連續地自該感應器表面移除碎片，該移除機件具有一氫基供應系統；其中該感應器表面包含一可旋轉板之一表面部分，且其中該移除機件經組態以自該可旋轉板之另一部分移除碎片。
  8. 如請求項7之光學感應器裝置，其中該可旋轉板為一EUV半透明板或一EUV敏感性閃爍材料。
  9. 如請求項8之光學感應器裝置，其中該EUV半透明板經組態以選擇性地透射來自該EUV源的一EUV輻射光束之一光譜範圍。
  10. 如請求項8之光學感應器裝置，其中該EUV半透明板選擇性地使具有在10-20nm之一範圍中之波長的輻射通過。
  11. 如請求項8之光學感應器裝置，其中該EUV半透明板包含一Nb濾光器、一Zr/Si多層式濾光器或一Zr/Nb多層式濾光器。
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