TWI479005B - Adhesive sheet - Google Patents

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TWI479005B
TWI479005B TW096148500A TW96148500A TWI479005B TW I479005 B TWI479005 B TW I479005B TW 096148500 A TW096148500 A TW 096148500A TW 96148500 A TW96148500 A TW 96148500A TW I479005 B TWI479005 B TW I479005B
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Kazuma Mitsui
Tatsumi Amano
Kousuke Yonezaki
Takeshi Sutou
Atsushi Takashima
Kazuhito Okumura
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Nitto Denko Corp
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Description

黏著片材
本發明係關於一種具有抗靜電性之再剝離型黏著片材。作為上述再剝離型黏著片材，例如可列舉：建築養護用遮蔽膠帶、汽車塗裝用遮蔽膠帶、電子零件(導線架、印刷基板)用遮蔽膠帶、噴砂用遮蔽膠帶等遮蔽膠帶類；鋁框用表面保護膜、光學塑膠用表面保護膜、光學玻璃用表面保護膜、汽車保護用表面保護膜、金屬板用表面保護膜等表面保護膜類；背面研磨膠帶、光罩護膜固定用膠帶、切割用膠帶、導線架固定用膠帶、清洗帶、除塵用膠帶、承載帶、蓋帶等半導體．電子零件製造步驟用黏著帶類；電子機器或電子零件之捆包用膠帶類；輸送時之暫時固定膠帶類；束紮用膠帶類；標籤類等。其中尤其可有效地用作需透明性的液晶顯示器、有機EL(Organic Electro－Luminescence，電致發光)顯示器、場發射顯示器等之面板中所使用之偏光板或波長板等光學構件用保護膜。
目前，在對偏光板等光學用片材進行加工或向其它構件上安裝該光學用片材等步驟中，於作業時作為防止該光學用片材受到損壞或污染等之對策，預先將表面保護膜貼附於該光學用片材上。為了於貼附有表面保護膜之狀態下檢測光學用片材之損壞，而使用聚酯薄膜等高透明性基材作為該保護膜用基材(例如，參照專利文獻1至5)。
又，先前，該薄膜中為了防止因摩擦或剝離而導致產生 靜電，通常設置有抗靜電層，塗佈黏著劑後加以乾燥，向該塗佈有黏著劑之面上貼合剝離薄膜後，依照作為目標之偏光角度或相位角度進行裁剪，且將特定張數之該薄膜加以積層後進行保存(例如，參照專利文獻6)。
於表面保護膜之裁剪作業中，自該裁剪面溢出之黏著劑附著於其它保護膜表面上，妨礙製品之檢測，而且因黏結而妨礙製品之運送。由此，作為上述缺點之對策，提出有一種於保護膜之一側面上設置有防汙層之表面保護膜(例如，參照專利文獻7)。然而，可判明的是上述方法存在生產步驟增多，隨之帶來成本提高之問題。
專利文獻1：日本專利特開平07－311160號公報 專利文獻2：日本專利特開2003－089178號公報 專利文獻3：日本專利特開2005－002220號公報 專利文獻4：日本專利特開2005－125659號公報 專利文獻5：日本專利特開2004－094012號公報 專利文獻6：日本專利特開2001－096698號公報 專利文獻7：日本專利特開平11－256115號公報
本發明的目的在於，鑒於上述情況而提供一種廉價的表面保護膜，其對被黏附體(尤其是光學片材等光學構件)之保護性能優異，可於貼附有該表面保護膜(黏著片材)之狀態下，對被黏附體(尤其是光學片材)進行高精度之缺陷檢測。又，本發明的目的在於提供一種廉價的表面保護膜， 其於對被黏附體(尤其是光學片材)進行加工、搬送時，不會使被黏附體(尤其光學片材)帶電，進而具有防汙功能。
本發明者們為了解決上述問題而反覆進行積極研究之結果發現，可利用以下所示之黏著片材而達成上述目的，從而完成本發明。
即，本發明之黏著片材之特徵在於，其為再剝離型黏著片材，於基材層之一表面上具有黏著劑層且於另一表面上具有抗靜電層，並且上述抗靜電層含有包含烯烴嵌段及親水性嵌段的高分子型抗靜電劑。
根據本發明，如實施例之結果所示，具有上述含有包含烯烴嵌段及親水性嵌段之高分子型抗靜電劑的抗靜電層之黏著片材，係對被黏附體(尤其是光學片材等光學構件)之保護性能優異，且可於黏附有該表面保護膜(黏著片材)之狀態下對被黏附體(尤其是光學片材)進行高精度之缺陷檢測之表面保護膜，以及於對被黏附體(尤其是光學片材)進行加工、搬送時，不會使被黏附體(尤其是光學片材)帶電，進而具有防汙功能之廉價的表面保護膜。雖不明確上述黏著片材表現上述特性之具體理由，但可推測出藉由利用使用有含有上述特定組成之高分子型抗靜電劑之抗靜電層，而不會黏結或不會妨礙製品之檢測，且黏接可靠性、透明性優異，並可低價製造。又，藉由將上述高分子型抗靜電劑用於抗靜電層中，即使進行水洗或拭水等處理，抗靜電能力亦幾乎不降低，獲得穩定之抗靜電能力。
上述黏著片材之特徵在於，上述抗靜電層含有包含烯烴嵌段及親水性嵌段之高分子型抗靜電劑。
再者，所謂本發明之高分子型抗靜電劑係指含有烯烴嵌段與親水性嵌段之嵌段共聚物，且係烯烴嵌段與親水性嵌段進行化學鍵結而成者。
本發明中，較好的是上述抗靜電層含有丙烯樹脂。又，較好的是上述抗靜電層含有丙烯均聚物及/或丙烯．α－烯烴無規共聚物。又，上述抗靜電層可含有使用茂金屬觸媒進行聚合而成之丙烯．α－烯烴無規共聚物。
另一方面，較好的是上述基材層含有丙烯樹脂，又，更好的是上述基材層含有丙烯均聚物及/或丙烯．α－烯烴無規共聚物。又，上述基材層可含有使用茂金屬觸媒進行聚合而成之丙烯．α－烯烴無規共聚物。
又，較好的是上述黏著劑層含有以具有碳數1~14之烷基的丙烯酸酯及/或甲基丙烯酸酯中之1種或2種以上為主成分的(甲基)丙烯酸系聚合物。更好的是上述黏著劑層係對上述(甲基)丙烯酸系聚合物進行交聯處理而得之交聯結構物。
另一方面，本發明之黏著片材因具有上述作用效果，故尤其好的是用於保護光學構件之表面。
以下，對本發明之實施形態加以詳細說明。
本發明之黏著片材之特徵在於，其係再剝離型黏著片材，於基材層之一表面上具有黏著劑層且於另一表面上具 有抗靜電層，並且上述抗靜電層含有包含烯烴嵌段及親水性嵌段之高分子型抗靜電劑。
作為用作基材層之材料，若為可獲得具有高透明性之黏著片材之塑膠，則無特別限定，可使用聚丙烯、聚酯、聚碳酸酯、聚醯胺、聚醯亞胺、聚丙烯酸、聚苯乙烯、聚乙酸酯、聚醚碸、三乙酸纖維素等透明樹脂。該等中，自生產率、成型性之方面考慮較好的是使用聚丙烯。該等可單獨使用，又可混合2種以上使用。
作為聚丙烯，可列舉作為均聚物之均質型、作為丙烯．α－烯烴無規共聚物之無規型、作為丙烯．α－烯烴嵌段共聚物之嵌段型者，自獲得高透明性之黏著片材之方面考慮，尤其好的是使用均質型或無規型。此處所謂高透明性係指，以由JIS(Japanese Industrial Standard，日本工業標準)K7361定義之總透光率計為88%以上，較好的是90%以上，更好的是92%以上，且以由JIS K7136定義之霧度計為9%以下，較好的是以霧度計為8%以下，更好的是7%以下，尤其好的是未達5%者。該等可單獨使用，又可混合2種以上使用。
作為上述均質型之聚丙烯，若為可獲得具有作為目標之高透明性的黏著片材之樹脂，則無特別限制。作為市售品，例如可列舉ZS1327A、F104A、F3900、J－5900(上述均由普瑞曼聚合物公司製造)等。
作為無規型之丙烯．α－烯烴無規共聚物之α－烯烴成分，例如有：乙烯、1－丁烯、1－戊烯、1－己烯、1－庚烯、1－辛 烯、3－甲基丁烯－1、4－甲基戊烯－1、3－甲基己烯－1等，較好的是乙烯、1－丁烯、3－甲基丁烯－1、4－甲基戊烯－1。又，另外可使用4－甲基－1,4－己二烯、5－甲基－1,4－己二烯、7－甲基－1,6－辛二烯、1,9－癸二烯等非共軛二烯作為聚合物成分之一部分。進而亦可使降冰片烯等環狀烯烴進行聚合。
作為上述無規共聚物，例如可列舉：丙烯－乙烯無規共聚物、丙烯．1－丁烯無規共聚物、丙烯．1－己烯無規共聚物、丙烯．乙烯．1－辛烯無規共聚物、丙烯．乙烯．1－丁烯無規共聚物等。作為市售品，例如可列舉：F327、J－5910、J－5710(上述均由普瑞曼聚合物公司製造)、Wintec WFX6、Wintec WFX4、Wintec WFX4T、Wintec WFX4TA、Wintec WFW4(上述均由日本聚丙烯公司製造)等。該等中自獲得透明性更優異之薄膜而言，較好的是使用利用茂金屬觸媒進行聚合而成之丙烯．α－烯烴無規共聚物。又，使用茂金屬觸媒進行聚合而成之丙烯．α－烯烴無規共聚物為均勻組成之共聚物，可獲得具有高透明性之基材層，因此可較好地使用。
此處使用茂金屬觸媒進行聚合而成之丙烯．α－烯烴無規共聚物中所使用之α－烯烴，例如有：乙烯、1－丁烯、1－戊烯、1－己烯、1－庚烯、1－辛烯、3－甲基丁烯－1、4－甲基戊烯－1、3－甲基己烯－1等，較好的是乙烯、1－丁烯、3－甲基丁烯－1、4－甲基戊烯－1。又，另外可使用4－甲基－1,4－己二烯、5－甲基－1,4－己二烯、7－甲基－1,6－辛二烯、1,9－癸二烯等非共軛二烯作為聚合物成分之一部分。進而亦可使降冰 片烯等環狀烯烴進行共聚合。作為上述無規共聚物之具體例，可列舉：丙烯．乙烯無規共聚物、丙烯．1－丁烯無規共聚物、丙烯．1－己烯無規共聚物、丙烯．乙烯．1－辛烯無規共聚物、丙烯．乙烯．1－丁烯無規共聚物等。
又，自成形性之觀點而言，較好的是使用熔點為110℃~150℃、尤其好的是110℃~135℃者作為利用茂金屬觸媒進行聚合而成之丙烯．α－烯烴無規共聚物。作為該等之具體例，例如可列舉：Wintec WFX6、Wintec WFX4、Wintec WFX4T、Wintec WFX4TA、Wintec WFW4(上述均由日本聚丙烯公司製造)等市售品。此處熔點表示根據示差掃描熱析儀之熔解峰值溫度而求得之值。
此處，茂金屬觸媒係含有包含具有環戊二烯基骨架之配位體的週期表第4族過渡金屬化合物(所謂之茂金屬化合物)、可與茂金屬化合物反應而活化為穩定之離子狀態的促進劑及根據需要之有機鋁化合物之觸媒，該茂金屬觸媒可使用眾所周知之任一觸媒。茂金屬化合物較好的是可進行丙烯之立體規則性聚合之交聯型茂金屬化合物，更好的是具有同排性之交聯型茂金屬化合物。
作為茂金屬化合物，例如揭示於日本專利特開昭60－35007號、日本專利特開昭61－130314號、日本專利特開昭63－295607號、日本專利特開平1－275609號、日本專利特開平2－41303號、日本專利特開平2－131488號、日本專利特開平2－76887號、日本專利特開平3－163088號、日本專利特開平4－300887號、日本專利特開平4－211694號、日本專利特 開平5－43616號、日本專利特開平5－209013號、日本專利特開平6－239914號、日本專利特表平7－504934號及日本專利特開平8－85708號之各公報中。
進而，具體而言可例示：亞甲基(環戊二烯基)(3,4－二甲基環戊二烯基)二氯化鋯、異亞丙基(環戊二烯基)(3,4－二甲基環戊二烯基)二氯化鋯、伸乙基(環戊二烯基)(3,5－二甲基戊二烯基)二氯化鋯、亞甲基雙(茚基)二氯化鋯、伸乙基雙(2－甲基茚基)二氯化鋯、伸乙基1,2－雙(4－苯基茚基)二氯化鋯、異亞丙基(環戊二烯基)(茀基)二氯化鋯、異亞丙基(4－甲基環戊二烯基)(3－第三丁基茚基)二氯化鋯、二甲基亞矽烷基(環戊二烯基)(四甲基環戊二烯基)二氯化鋯、二甲基亞矽烷基雙(茚基)二氯化鋯、二甲基亞矽烷基雙(4,5,6,7－四氫茚基)二氯化鋯、二甲基亞矽烷基(環戊二烯基)(茀基)二氯化鋯、二甲基亞矽烷基(環戊二烯基)(八氫茀基)二氯化鋯、二甲基亞矽烷基雙[4－(1－苯基－3－甲基茚基)]二氯化鋯、二甲基亞矽烷基(茀基)第三丁基醯胺二氯化鋯、甲基苯基亞矽烷基雙[1－(2－甲基－4,5－苯幷(茚基))二氯化鋯、二甲基亞矽烷基雙[1－(2－甲基－4,5－苯幷茚基)]二氯化鋯、二甲基亞矽烷基雙[1－(2－甲基－4－苯基－4H－薁基)]二氯化鋯、二甲基亞矽烷基雙[1－(2－甲基－4－(4－氯苯基)－4H－薁基)]二氯化鋯、二甲基亞矽烷基雙[1－(2－乙基－4－(4－氯苯基)－4H－薁基)]二氯化鋯、二甲基亞矽烷基雙[1－(2－乙基－4－萘基－4H－薁基)]二氯化鋯、二苯基亞矽烷基雙[1－(2－甲基－4－(4－氯苯基)－4H－薁基)]二氯化鋯、二甲基亞矽烷基雙[1－(2－甲基－4－ 苯基茚基)]二氯化鋯、二甲基亞矽烷基雙[1－(2－乙基－4－苯基茚基)]二氯化鋯、二甲基亞矽烷基雙[1－(2－乙基－4－萘基－4H－薁基)]二氯化鋯、二甲基亞鍺烷基雙(茚基)二氯化鋯、二甲基亞鍺烷基(環戊二烯基)(茀基)二氯化鋯等鋯化合物。上述中，亦可同樣使用將鋯取代為鈦、鉿而得之化合物。有時亦可使用鋯化合物與鉿化合物等之混合物。又，可將氯化物取代為其它鹵化物；甲基、異丁基、苄基等烴基；二甲基醯胺、二乙基醯胺等之醯胺基；甲氧基、苯氧基等烷氧基；氫化物基等。
又，茂金屬化合物亦可承載於無機或有機化合物之載體上使用。作為該載體，較好的是無機或有機化合物之多孔化合物，具體而言可列舉：離子交換性層狀矽酸鹽、沸石，SiO2 、Al2 O3 、矽鋁氧化物、MgO、ZrO2 、TiO2 、B2 O3 、CaO、ZnO、BaO、ThO2 等無機化合物，多孔聚烯烴、苯乙烯．二乙烯苯共聚物、烯烴．丙烯酸共聚物等有機化合物，或該等之混合物。
作為可與茂金屬化合物反應而活化為穩定之離子狀態之促進劑，例如可列舉：有機鋁氧化物(例如，鋁氧烷化合物)、離子交換性層狀矽酸鹽、路易斯酸、含硼化合物、離子性化合物、含氟有機化合物。
作為有機鋁化合物，例如可列舉：三乙基鋁、三異丙基鋁、三異丁基鋁等三烷基鋁，二烷基鹵化鋁、烷基倍半鹵化鋁、烷基二鹵化鋁、烷基氫化鋁、有機鋁醇鹽等。
作為聚合法可列舉：於上述觸媒之存在下使用惰性溶劑 之漿料法、溶液法、實質上未使用溶劑之氣相法，或以聚合單體為溶劑之總體聚合法等。作為獲得上述丙烯．α－烯烴共聚物之方法，例如可藉由調節聚合溫度或共聚單體量，且適當控制分子量及結晶性之分布而獲得所需之聚合物。
該等基材層中所使用之樹脂可單獨使用或混合2種以上使用。又，可形成單層或兩層以上不同之樹脂層作為基材層。基材層之厚度通常為10~200 μm，較好的是20~100 μm，更好的是30~70 μm。
再者，可於不損及本發明目的之範圍內，於上述基材層中適當添加抗氧化劑、潤滑劑、抗結塊劑、紫外線吸收劑等通常用於薄膜基材中之各種添加劑、填充劑。又，亦可適當地對薄膜表面進行酸處理、鹼處理、底層處理、電暈處理、電漿處理、紫外線處理等易黏接處理。
又，本發明之抗靜電層之特徵在於含有高分子型抗靜電劑，較好的是由上述基材層中所使用之樹脂及高分子型抗靜電劑形成。
作為用於抗靜電層之樹脂，自生產率、成型性、進而防汙性之方面而言，較好的是使用上述基材層中所使用之樹脂中的聚丙烯。
作為上述聚丙烯，可列舉作為均聚物之均質型、作為丙烯．α－烯烴無規共聚物之無規型、及作為丙烯．α－烯烴嵌段共聚物之嵌段型者，自透明性之觀點而言，較好的是使用均質型或無規型聚丙烯。
作為上述均質型聚丙烯，若為可獲得具有作為目標之高 透明性的黏著片材之樹脂，則無特別限制，作為市售品，例如可列舉ZS1327A、F104A、F3900、J－5900(上述均由普瑞曼聚合物公司製造)等。
作為無規型丙烯．α－烯烴共聚物之α－烯烴成分，例如為：乙烯、1－丁烯、1－戊烯、1－己烯、1－庚烯、1－辛烯、3－甲基丁烯－1、4－甲基戊烯－1、3－甲基己烯－1等，較好的是乙烯、1－丁烯、3－甲基丁烯－1、4－甲基戊烯－1。又，另外可使用4－甲基－1,4－己二烯、5－甲基－1,4－己二烯、7－甲基－1,6－辛二烯、1,9－癸二烯等非共軛二烯作為聚合物成分之一部分。進而亦可使降冰片烯等環狀烯烴進行聚合。
作為無規型丙烯．α－烯烴無規共聚物，例如可列舉：丙烯．乙烯無規共聚物、丙烯．1－丁烯無規共聚物、丙烯．1－己烯無規共聚物、丙烯．乙烯．1－辛烯無規共聚物、丙烯．乙烯．1－丁烯無規共聚物等。作為市售品，例如可列舉：F327、J－5910、J－5710(上述均由普瑞曼聚合物公司製造)、Wintec WFX6、Wintec WFX4、Wintec WFX4T、Wintec WFX4TA、Wintec WFW4(上述均由日本聚丙烯公司製造)等。該等中使用茂金屬觸媒進行聚合而成之丙烯．α－烯烴無規共聚物為均勻組成之共聚物，可獲得具有高透明性之抗靜電層，因此可較好地使用。
此處利用茂金屬觸媒進行聚合而成之丙烯．α－烯烴無規共聚物中所使用之α－烯烴，例如有：乙烯、1－丁烯、1－戊烯、1－己烯、1－庚烯、1－辛烯、3－甲基丁烯－1、4－甲基戊烯－1、3－甲基己烯－1等，較好的是乙烯、1－丁烯、3－甲基 丁烯－1、4－甲基戊烯－1。又，另外可使用4－甲基－1,4－己二烯、5－甲基－1,4－己二烯、7－甲基－1,6－辛二烯、1,9－癸二烯等非共軛二烯作為聚合物成分之一部分。進而亦可使降冰片烯等環狀烯烴進行共聚合。作為上述無規共聚物之具體例，可列舉：丙烯．乙烯無規共聚物、丙烯．1－丁烯無規共聚物、丙烯．1－己烯無規共聚物、丙烯．乙烯．1－辛烯無規共聚物、丙烯．乙烯．1－丁烯無規共聚物等。
又，自成形性及與抗靜電劑之相容性之觀點而言，較好的是使用熔點為110℃~150℃、尤其好的是110℃~135℃者作為利用茂金屬觸媒進行聚合而成之丙烯．α－烯烴無規共聚物。作為該等之具體例，例如可列舉Wintec WFX6、Wintec WFX4、Wintec WFX4T、Wintec WFX4TA、Wintec WFW4(上述均由日本聚丙烯公司製造)等市售品。
本發明中所使用之高分子型抗靜電劑係含有烯烴嵌段與親水性嵌段之嵌段共聚物。嵌段共聚物之烯烴嵌段發揮使抗靜電劑均勻分散於形成抗靜電層之樹脂中之功能，親水性嵌段發揮抗靜電之功能。由此，可藉由包含該等雙方成分之共聚物，而形成抗靜電劑均勻分散於抗靜電層中，表現出穩定之抗靜電能力，且透明性高之抗靜電層。又，藉由使用包含上述嵌段共聚物之抗靜電劑，即使進行水洗、拭水等處理，抗靜電能力亦幾乎不降低，從而可獲得穩定之抗靜電能力。
形成上述嵌段共聚物之烯烴嵌段為α－烯烴之(共)聚合物。此處所使用之α－烯烴(A1)有：乙烯、丙烯、1－丁烯、 1－戊烯、1－己烯、1－庚烯、1－辛烯、3－甲基丁烯－1、4－甲基戊烯－1、3－甲基己烯－1等，較好的是乙烯、丙烯，1－丁烯、3－甲基丁烯－1、4－甲基戊烯－1。又，另外可使用4－甲基－1,4－己二烯、5－甲基－1,4－己二烯、7－甲基－1,6－辛二烯、1,9－癸二烯等非共軛二烯作為聚合物成分之一部分。進而亦可使降冰片烯等環狀烯烴進行共聚合。其中較好的是使用藉由乙烯及/或丙烯之熱降解法而獲得之低分子量α－烯烴。
α－烯烴之數量平均分子量為800~20,000，更好的是1,000~10,000，尤其好的是1,200~6,000。上述數量平均分子量係利用凝膠滲透層析法(GPC，Gel permeation chromatography)以聚苯乙烯換算值而求得者。
烯烴嵌段與親水性嵌段進行化學鍵結，其鍵為選自酯鍵、醯胺鍵、醚鍵、胺基甲酸酯鍵、醯亞胺鍵等中之至少1種鍵，具有經由該等鍵而進行重複交錯鍵結之結構。由此，烯烴嵌段之分子末端必須以與親水性嵌段之分子末端官能基有反應性之官能基進行改質。作為該等官能基，有羧酸基、羥基、胺基、酸酐基、噁唑啉基、環氧基等。該等中，自改質之容易度而言較好的是羧酸基。
作為於聚合物末端具有羧酸基之烯烴嵌段，可列舉：以α、β－不飽和羧酸及/或其酸酐[(甲基)丙烯酸、馬來酸(酐)及富馬酸等，(甲基)丙烯酸表示丙烯酸及/或甲基丙烯酸，馬來酸(酐)表示馬來酸及/或馬來酸酐。以下相同]對上述α－烯烴(A1)之末端進行改質而成之聚烯烴(A2)；及以內醯 胺(己內醯胺、十二烷內醯胺等)或胺基羧酸(11－胺基十一烷酸、12－胺基十二烷酸等)對上述烯烴(A2)進行二次改質而成之聚烯烴；以氧及/或臭氧對上述α－烯烴(A1)進行氧化改質而成之聚烯烴(A3)；以內醯胺或胺基羧酸對上述聚烯烴(A3)進行二次改質而成之聚烯烴；及該等之2種以上之混合物。
自重複結構之形成性及抗靜電性之觀點而言，基於α－烯烴(A1)之重量，上述α、β－不飽和羧酸及/或其酸酐之使用量為0.5~40重量份%，較好的是1~30重量份%，更好的是2~20重量份%。
作為上述α、β－不飽和羧酸及/或其酸酐對α－烯烴(A1)進行改質之方法，例如可列舉利用溶液法或熔融法將α、β－不飽和羧酸及/或其酸酐與α－烯烴(A1)之末端雙鍵進行熱加成(烯類反應)之方法。該等方法中，自反應均勻性之觀點而言較好的是溶液法。
作為溶液法可列舉如下方法，即於二甲苯、甲苯等烴系溶劑之存在下，於α－烯烴(A1)中添加α、β－不飽和羧酸及/或其酸酐，且於氮氣等惰性氣體環境中於170~230℃下進行反應。
作為熔融法可列舉如下方法，即將α－烯烴(A1)加熱熔融後，添加α、β－不飽和羧酸及/或其酸酐，於氮氣等惰性氣體環境中於170~230℃下進行反應。
作為於聚合物末端具有羥基之烯烴嵌段，例如可列舉以碳數2~10之羥胺(2－胺基乙醇、3－胺基丙醇、4－胺基丁酯、 6－胺基己醇等)對上述羧酸基改質聚烯烴進行改質而成之聚烯烴及該等之2種以上之混合物。
以羥胺進行之改質，例如可藉由使上述羧酸基改質聚烯烴與羥胺直接反應而進行。反應溫度為120~230℃。
相對於上述羧酸基改質聚烯烴中之α、β－不飽和羧酸及/或其酸酐之每1個殘基，改質所使用之羥胺之羥基量為0.1~2個，較好的是0.3~1.5個，更好的是0.5~1.2個，尤其好的是1個。
作為於聚合物末端具有胺基之烯烴嵌段，例如可列舉以二胺(碳數2~18之二胺、乙二胺、己二胺、庚二胺、辛二胺、癸二胺等)對上述羧酸基改質聚烯烴進行改質而成之胺基改質聚烯烴及該等之2種以上之混合物。
以二胺進行之改質，例如可藉由使上述羧酸基改質聚烯烴與二胺直接反應而進行。反應溫度為120~230℃。
相對於上述羧酸基改質聚烯烴中之α、β－不飽和羧酸及/或其酸酐之每1個殘基，改質所使用之二胺之胺基量為0.1~2個，較好的是0.3~1.5個，更好的是0.5~1.2個，尤其好的是1個。
再者，烯烴嵌段之末端通常係作為兩末端經改質之烯烴嵌段與單末端經改質之烯烴嵌段之混合物而獲得，可直接使用該等之混合物，又亦可進行純化分離而僅使用兩末端經改質之烯烴嵌段或僅使用單末端經改質之烯烴嵌段。
該聚烯烴嵌段之數量平均分子量為800~50,000，較好的是1,000~30,000，更好的是2,000~20,000，尤其好的是 2,500~10,000。
作為上述親水性嵌段之親水性聚合物，例如可列舉聚醚、含聚醚之親水性聚合物、陽離子性聚合物及陰離子性聚合物。
作為聚醚，例如可列舉聚醚二醇、聚醚二胺及該等之改質物。
作為聚醚二醇，例如可列舉以通式(1)：H－(OA1 )n－O－E1 －O－(A1 O)n'－H所示者，及以通式(2)：H－(OA2 )m－O－E2 －O－(A2 O)m'－H所示者等。
通式(1)中，E1 表示自含二元羥基之化合物中除去羥基後之殘基，A1 表示碳數2~4之伸烷基，n及n'表示與上述含二元羥基之化合物的每1個羥基對應之環氧烷加成數。n個(OA1 )與n'個(A1 O)可相同亦可不同，又，該等由2種以上之氧伸烷基構成時之鍵結形式，可為嵌段或無規或者該等之組合中的任一者。
n及n'通常為1~300，較好的是2~250，尤其好的是10~100。又，n與n'可相同亦可不同。
作為上述含二元羥基之化合物，例如可列舉於一分子中包含兩個醇性或酚性羥基之化合物，即二羥基化合物，具體而言可列舉二元醇(例如碳數2~12之脂肪族、脂環式、或芳香族二元醇)、碳數6~18之二元酚、含三級胺基之二醇等。
作為脂肪族二元醇，例如可列舉：乙二醇、丙二醇等烷二醇、1,4－丁二醇，1,6－己二醇、新戊二醇、1,12－十二烷 二醇等。
作為脂環式二元醇，例如可列舉1,2－環戊二醇及1,3－環戊二醇、1,2－環己二醇、1,3－環己二醇及1,4－環己二醇、1,4－環己烷二甲醇等，作為芳香族二元醇，例如可列舉苯二甲醇等。
作為二元酚，例如可列舉：對苯二酚、鄰苯二酚、間苯二酚、漆酚等單環二元酚，雙酚A、雙酚F、雙酚S、4,4'－二羥基二苯基－2,2－丁烷、二羥基聯苯、二羥基二苯基醚等雙酚，及二羥基萘、聯萘酚等縮合多環二元酚等。
通式(2)中，E2 係自通式(1)中記載之含二元羥基之化合物中除去羥基後之殘基，A2 之至少一部分為通式(3)：－CHR－CHR'－[式中，R、R'中之一者為通式(4)：－CH2 O(A3 O)x R"所表示之基，另一者為H。通式(4)中，X為1~10之整數，R"為H或碳數1~10之烷基、芳基、烷基芳基、芳基烷基或醯基，A3 為碳數2~4之伸烯基]所示之經取代之伸烷基，剩餘部分亦可為碳數2~4之伸烷基。
m個(OA2 )與m'個(A2 O)可相同亦可不同。m及m'較好的是1~300，更好的是2~250，尤其好的是10~100。又，m與m'可相同亦可不同。
上述通式(1)所示之聚醚二醇可藉由使環氧烷與含二元羥基之化合物進行加成反應而製得。
作為環氧烷，例如使用碳數2~4之環氧烷，例如環氧乙烷、環氧丙烷、1,2－環氧丁烷、1,4－環氧丁烷、2,3－環氧丁烷及1,3－環氧丁烷，以及該等之2種以上之併用系。
併用2種以上環氧烷時之鍵結形式可為無規及/或嵌段中之任一者。作為環氧烷，較好的是單獨之環氧乙烷、及併用環氧乙烷與其它環氧烷而形成之嵌段及/或無規加成物。
相對於上述含二元羥基之化合物之每1個羥基，環氧烷之加成數較好的是1~300，更好的是2~250，尤其好的是10~100。上述通式(2)所示之聚醚二醇之較佳製造方法，可列舉下述之(A)、(B)等方法。
(A)之方法：將上述含二元羥基之化合物作為起始物質，使通式(5)： [通式(5)中，A4 表示碳數2~4之伸烷基，P為1~10之整數，R1 為H或碳數1~10之烷基、芳基、烷基芳基、芳基烷基或醯基]所示之縮水甘油醚進行聚合、或與碳數2~4之環氧烷進行共聚合。
(B)將上述含二元羥基之化合物作為起始物質，經由支鏈上具有氯甲基之聚醚之方法。進一步具體而言係如下方法：使環氧氯丙烷進行聚合、或使環氧氯丙烷與環氧烷進行加成共聚合而獲得支鏈上具有氯甲基之聚醚後，使該聚醚、碳數2~4之聚烷二醇及R1 X(R1 係上述者，X係Cl、Br或I)於鹼存在下進行反應，或者使該聚醚與碳數2~4之聚烷 二醇單香芹醚於鹼存在下進行反應。又，此處使用之碳數2~4之環氧烷可列舉上述者。
作為聚醚二胺，可藉由利用眾所周知之方法將上述聚醚二醇之羥基取代為胺基而獲得。例如可列舉對將聚醚二醇之羥基加以氰烷基化所得之末端進行還原而形成胺基者。
作為改質物，可列舉：上述聚醚二醇或聚醚二胺之胺基羧酸改質物(末端為胺基)、上述聚醚二醇或聚醚二胺之異氰酸酯改質物(末端為異氰酸酯基)、及上述聚醚二醇或聚醚二胺之環氧改質物(末端為環氧基)。
胺基羧酸改質物可藉由使上述聚醚二醇或聚醚二胺與胺基羧酸或內醯胺進行反應而獲得。
異氰酸酯改質物可藉由使上述聚醚二醇或聚醚二胺與有機二異氰酸酯進行反應，或使聚醚二胺與光氣進行反應而獲得。
作為有機二異氰酸酯，可列舉：碳數(NCO基中之碳除外，以下相同)6~20之芳香族二異氰酸酯、碳數2~18之脂肪族二異氰酸酯、碳數4~15之脂環式二異氰酸酯、碳數8~15之芳香脂肪族二異氰酸酯、該等二異氰酸酯之改質體及該等之2種以上之混合物。
環氧改質物可藉由使上述聚醚二醇或聚醚二胺與二環氧化物(二縮水甘油醚、二縮水甘油酯、脂環式二環氧化物等環氧樹脂，環氧當量：85~600)進行反應，或使聚醚二醇與環氧鹵丙烷(環氧氯丙烷等)進行反應而獲得。
上述聚醚之數量平均分子量為150~20,000，較好的是 300~20,000，更好的是1,000~15,000，尤其好的是1,200~8,000。
作為含聚醚之親水性聚合物，例如可列舉：具有聚醚二醇之嵌段之聚醚酯醯胺、具有聚醚二醇之嵌段之聚醚醯胺醯亞胺、具有聚醚二醇之嵌段之聚醚酯、具有聚醚二胺之嵌段之聚醚醯胺、及具有聚醚二醇或聚醚二胺之嵌段之聚醚胺基甲酸乙酯。
聚醚酯醯胺係由末端具有羧基之聚醯胺與上述聚醚二醇所構成。
作為聚醯胺，例如可列舉：碳數6~12之內醯胺開環聚合物，碳數6~12之胺基羧酸之聚縮合物，二胺(碳數2~20之脂肪族二胺、碳數6~15之脂環式二胺、碳數8~15之芳香族二胺等)與碳數4~20之二羧酸(脂肪族二羧酸、芳香族二羧酸、脂環族二羧酸及該等之酯形成性衍生物[低級烷基(碳數1~6)酯、酸酐等]等)所形成之醯胺，及該等之混合物。
更具體而言，作為聚醯胺，較好的是使用己內醯胺開環聚合物、12－胺基十二酸之聚縮合物、及己二酸與己二胺所形成之醯胺，尤其好的是使用己內醯胺開環聚合物。
聚醚醯胺醯亞胺係由具有至少1個醯亞胺環之聚醯胺醯亞胺與上述聚醚二醇所構成。
作為聚醯胺醯亞胺，可使用：由碳數6~12之內醯胺與具有至少1個醯亞胺環之三元或四元芳香族多羧酸所形成之聚合物；由碳數6~12之胺基羧酸與三元或四元芳香族多羧酸形成之聚合物；由二胺(碳數2~20之脂肪族二胺、碳數 6~15之脂環式二胺、碳數8~15之芳香族二胺等)與碳數4~20之二羧酸(脂肪族二羧酸、芳香族二羧酸、脂環族二羧酸及該等之酯形成性衍生物[低級烷基(碳數1~6)酯、酸酐等]等)所形成之醯胺與三元或四元芳香族多羧酸形成的聚合物；及該等之混合物。
聚醚酯係由聚酯與上述聚醚二醇所構成。作為聚酯可列舉：由碳數4~20之二羧酸與二醇(例如碳數2~12之脂肪族、脂環式、或芳香族二元醇、碳數6~18之二元酚、含三級胺基之二醇等)所形成之聚酯；由碳數6~12之內酯或碳數6~12之氧羧酸所形成之聚酯；及該等之混合物。
聚醚醯胺係由上述聚醯胺與上述聚醚二胺所構成。
聚醚胺基甲酸乙酯係由上述有機二異氰酸酯、上述聚醚二醇或上述聚醚二胺、及根據需要之鏈延長劑(上述二醇中之二元醇及上述二胺等)所構成。
自成形性之觀點而言，基於含聚醚親水性聚合物重量，含聚醚之親水性聚合物中之聚醚嵌段之含量為30~80重量%，較好的是40~70重量%。
又，自抗靜電性及成形性之觀點而言，基於含聚醚之親水性聚合物重量，含聚醚之親水性聚合物中之氧伸烷基之含量為30~80重量%，較好的是40~70重量%。
含聚醚之親水性聚合物之數量平均分子量，自耐熱性之觀點而言，較好的是800以上，更好的是1,000以上，自與上述烯羥嵌段之反應性之觀點而言，較好的是50,000以下，更好的是30,000以下。
陽離子性聚合物使用如下聚合物，其分子內具有被非離子性分子鏈隔開之2~80個、較好的是3~60個陽離子性基。
作為非離子性分子鏈，可列舉選自由二價烴基；具有醚鍵、硫醚鍵、羰基鍵、酯鍵、亞胺基鍵、醯胺鍵、醯亞胺鍵、胺基甲酸乙酯鍵、脲鍵、碳酸酯鍵及/或矽烷氧基鍵之烴基；及具有包含氮原子或氧原子之雜環結構之烴基所組成之群中之至少1種二價烴基等二價有機基，以及該等之2種以上之併用。
作為二價烴基，可列舉碳數1~8之直鏈或支鏈之脂肪族烴基、碳數6~20之芳香族烴基及碳數4~15之脂環式烴基等。
作為具有醚鍵、硫醚鍵、羰基鍵、酯鍵、亞胺基鍵、醯胺鍵、醯亞胺鍵、胺基甲酸乙酯鍵、脲鍵、碳酸酯鍵及/或矽烷氧基鍵之二價烴基，可列舉：(聚)氧伸烷基、聚醚二醇之殘基、單醚二醇之殘基、聚硫醚之殘基、聚酯之殘基、聚醯胺之殘基、聚胺基甲酸乙酯之殘基、聚脲之殘基、聚碳酸酯之殘基、聚有機矽氧烷之殘基等。該等中作為非離子性分子鏈，較好的是二價烴基及具有醚鍵之二價烴基，更好的是碳數1~8之伸烷基、伸苯基及(聚)氧伸乙基、(聚)氧伸丙基。
非離子性分子鏈之數量平均分子量為28~10,000，較好的是300~5,000。
作為陽離子性基，可列舉具有四級銨鹽或鏻鹽之基。作為具有四級銨鹽之基，較好的是二價的含四級銨鹽之雜環 基。
作為二價的含四級銨鹽之雜環基，可列舉將二價的含三級胺基之雜環基[例如，二價咪唑環基(1,4－伸咪唑基、2－苯基－1,4－伸咪唑基等)、二價派啶環基(2,3－伸哌啶基、3,4－伸哌啶基、2,6－伸哌啶基等)、及二價芳香雜環基(2,3－伸吡啶基、2,4－伸吡啶基、2,5－伸吡啶基、2,6－伸吡啶基、3,4－伸吡啶基、3,5－伸吡啶基、2,5－伸嘧啶基、3,6－伸達嗪基、及2,5－伸吡嗪基等)]加以四級胺化而成者。
作為陽離子性基之配對陰離子(counter anion)，可列舉超強酸陰離子及其它陰離子。作為超強酸陰離子，可列舉自質子酸與路易斯酸之組合衍生之超強酸(四氟硼酸、6氟磯酸等)的陰離子及三氟甲磺酸等超強酸的陰離子。作為其它陰離子，可列舉鹵素離子(F－ 、Cl－ 、Br－ 、I－ )、OH－ 、PO4 － 、ClO4 － 、NO3 － 、CH3 COO－ 、C2 H5 OSO4 － 、CH3 OSO4 － 等。
自與烯烴嵌段之反應性之觀點而言，陽離子性聚合物之末端結構較好的是羰基、羥基、胺基。
又，陽離子性聚合物之數量平均分子量為500~20,000，較好的是1,000~15,000，更好的是1,200~8,000。
作為陰離子性聚合物，可列舉以具有磺醯基之二羧酸及二醇或聚醚為必需構成單位，且一分子內較好的是具有2~80個、更好的是3~60個磺醯基之陰離子性聚合物。
作為具有磺醯基之二羧酸，可列舉具有磺醯基之芳香族二羧酸、具有磺醯基之脂肪族二羧酸以及僅該等之磺醯基 成為鹽者。該等中較好的是使用具有磺醯基之芳香族二羧酸。
作為具有磺醯基之芳香族二羧酸，例如可列舉：2－磺基間苯二甲酸、4－磺基間苯二甲酸、5－磺基間苯二甲酸、4－磺基－2,6－萘二甲酸及該等之酯衍生物[低級烷基(碳數1~4)酯、酸酐等]。
作為具有磺醯基之脂肪族二羧酸，例如可列舉磺基琥珀酸及其之酯衍生物。
作為僅該等之磺醯基成為鹽者，可列舉：鹼金屬鹽；鹼土金屬鹽；銨鹽；具有羥烷(碳數2~4)基之單、二或三胺等胺鹽；該等胺之四級銨鹽；及該等之2種以上之併用。
構成陰離子性聚合物之二醇或聚醚中，較好的是碳數2~10之烷二醇、乙二醇、聚乙二醇(聚合度為2~20)、雙酚之環氧乙烷加成物(加成莫耳數為2~60)及該等之2種以上之混合物。
陰離子性聚合物之數量平均分子量為500~20,000，較好的是1,000~15,000，更好的是1,200~8,000。
又，本發明之高分子型抗靜電劑可藉由利用眾所周知之方法使上述聚烯烴嵌段與親水性聚合物嵌段進行聚合而獲得。例如，可藉由使烯烴嵌段與親水性嵌段於減壓下、200~250℃下進行聚合反應而製造本發明之高分子型抗靜電劑。
又，聚合反應時可使用眾所周知之聚合觸媒，較好的是選自單丁基氧化錫等錫系觸媒；三氧化銻、二氧化銻等銻 系觸媒；鈦酸四丁酯等鈦系觸媒；氫氧化鋯、氧化鋯、乙酸鋯等鋯系觸媒；Ⅱ B族有機酸鹽觸媒中之1種或2種以上之組合。
自抗靜電性之觀點而言，包含上述烯烴嵌段與親水性嵌段之嵌段共聚物之數量平均分子量為2,000~60,000，較好的是5,000~40,000，更好的是8,000~30,000。
基於嵌段共聚物之重量，構成嵌段共聚物之親水性嵌段之含量較好的是10~90重量%，更好的是20~80重量%，進而好的是30~70重量%。
上述嵌段共聚物可以例如日本專利特開2001－278985號公報、日本專利特開2003－48990號公報所記載之方法進行製造，進而，本發明之抗靜電劑可使用三洋化成工業公司製造的Pelestat 300系列之300、303及230(商品名)等。
基於形成抗靜電層之樹脂與抗靜電劑之合計重量，本發明之高分子型抗靜電劑之使用量為1~50重量%，較好的是3~40重量%，更好的是5~35重量%，尤其好的是10~30重量%，若未達1重量%，則存在抗靜電性變差之傾向，若超過50重量%，則存在薄膜外觀惡化之傾向。
上述合成樹脂及抗靜電劑之混合方法並無特別限定，例如可列舉：1)以滾筒混合機、帶型摻合機、亨舍爾混合機等對樹脂與抗靜電劑進行乾摻合併混合之方法；2)對樹脂與抗靜電劑進行乾摻合後，於擠出機內進行熔融混合而顆粒化之方法；3)預先製作樹脂與抗靜電劑之母料，以上述混合機對該母料、樹脂及根據需要之其它添加劑進行乾摻 合併混合之方法等。
又，自本發明之目的即進一步提高抗靜電性之觀點而言，可含有鹼金屬鹽、鹼土金屬鹽。可於高分子型抗靜電劑之聚合前或聚合時含有該等成分，亦可於聚合後含有該等成分，又可於製造本發明之抗靜電層時調配該等成分，又可以將該等加以組合之方法含有該等成分。
作為鹼金屬及/或鹼土金屬之鹽，例如可列舉鋰、鈉、鉀等鹼金屬及/或鎂、鈣等鹼土金屬之有機酸、磺酸、無機酸鹽及鹵化物等。
作為鹼金屬及/或鹼土金屬鹽之更具體之較佳例，可列舉：氯化鋰、氯化鈉、氯化鉀、溴化鋰、溴化鈉、溴化鉀等鹼金屬之鹵化物；過氯酸鋰、過氯酸鈉、過氯酸鉀等鹼金屬之無機酸鹽；乙酸鉀、十八酸鋰等鹼金屬之有機酸鹽；辛基磺酸、十二烷基磺酸、十四烷基磺酸、十八烷基磺酸、二十四烷基磺酸、2－乙基己基磺酸等烷基之碳數為8~24之烷基磺酸的鹼金屬鹽；苯基磺酸、萘基磺酸等芳香族磺酸之鹼金屬鹽；辛基苯基磺酸、十二烷基苯基磺酸、二丁基苯基磺酸、二壬基苯基磺酸等烷基之碳數為6~18之烷基苯磺酸的鹼金屬鹽；二甲基萘基磺酸、二異丙基萘基磺酸、二丁基萘基磺酸等烷基之碳數為2~18之烯基萘磺酸的鹼金屬鹽；三氟甲磺酸等氟磺酸等之鹼金屬鹽等，該等可單獨使用1種，或併用2種以上。
上述金屬之鹽相對本發明之高分子型抗靜電劑，較好的是於0.001~10重量%，更好的是0.01~5重量%之範圍內使 用。
抗靜電層之厚度通常為1~100 μm，較好的是2~80 μm，更好的是3~70 μm，進而好的是5~50 μm，尤其好的是5~30 μm。
再者，可於不損及本發明目的之範圍內，於上述抗靜電層中適當添加抗氧化劑、潤滑劑、抗結塊劑、紫外線吸收劑等通常用於薄膜基材中之各種添加劑、填充劑。
對上述基材層、抗靜電層之製膜方法並未特別限定，可使用擠出法、充氣法、管式法等眾所周知之製膜方法。任一方法均藉由自可進行共擠出之鑄模以積層狀態擠出樹脂而進行製膜，或將抗靜電層層壓於基材層上，或利用黏接劑或者黏接層將基材層與抗靜電層貼合而形成膜。再者，基材層亦可為兩層以上之多層構成。本發明中為了表現透明性，較好的是利用共擠出法進行製膜。
共擠出法中，可設形成基材層之樹脂之溫度為例如85~280℃，形成抗靜電層之樹脂之溫度為例如85~230℃，且鑄模之溫度為例如180~280℃而進行成形。
層壓法中，例如可於將各層積層後進行加熱壓接，亦可於預先將各層加熱後進行壓接。
作為利用黏接劑之方法，例如可將乙烯－乙酸乙烯酯共聚物、甲基丙烯酸甲酯聚合物彈性體等用作黏接劑。
作為本發明之黏著劑層中所使用之黏著劑，若為具有不會於液晶面板之面板表面等上殘存黏著劑或形成污染、且黏著後再剝離之特性者，則可無特別限定地使用。作為黏 著劑，例如可列舉：丙烯酸系、天然橡膠系、合成橡膠系、乙烯－乙酸乙烯酯共聚物系、乙烯－丙烯酸酯系、苯乙烯－異戊二烯嵌段共聚物、苯乙烯丁二烯嵌段共聚物系、聚胺基甲酸乙酯系、聚酯系等各種黏著劑。
該等黏著劑中，自易於獲得透明性高且表現出與光學片材之良好密著特性之黏著劑的理由而言，較好的是使用丙烯酸系黏著劑。
丙烯酸系黏著劑係使用如下(甲基)丙烯酸系聚合物作為基礎聚合物，該(甲基)丙烯酸系聚合物係含有50~100重量%的具有碳數1~14之烷基之(甲基)丙烯酸酯作為單體成分。
作為本發明中所使用之(甲基)丙烯酸系聚合物，若為具有與上述者相當之黏著性之(甲基)丙烯酸系聚合物，則並未特別限定。
再者，所謂本發明中之(甲基)丙烯酸系聚合物係指丙烯酸系聚合物及/或甲基丙烯酸系聚合物。又，所謂(甲基)丙烯酸烷基酯係指丙烯酸烯基酯及/或甲基丙烯酸烷基酯，所謂(甲基)丙烯酸酯係指丙烯酸酯及/或甲基丙烯酸酯。
作為具有碳數1~14之烷基之(甲基)丙烯酸酯之具體例，例如可列舉：(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸第二丁酯、(甲基)丙烯酸第三丁酯、(甲基)丙烯酸異丁酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸2－乙基己酯、(甲基)丙烯酸正辛酯，(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸正壬酯、(甲基)丙烯酸異壬酯、 (甲基)丙烯酸正癸酯、(甲基)丙烯酸異癸酯、(甲基)丙烯酸正十二烷基酯、(甲基)丙烯酸正十三烷基酯、(甲基)丙烯酸正十四烷基酯等。
其中，當用於本發明之再剝離型黏著片材中時，較好的是使用：(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸2－乙基己酯、(甲基)丙烯酸正辛酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸正壬酯、(甲基)丙烯酸異壬酯、(甲基)丙烯酸正癸酯、(甲基)丙烯酸異癸酯、(甲基)丙烯酸正十二烷基酯、(甲基)丙烯酸正十三烷基酯、(甲基)丙烯酸正十四烯基酯等具有碳數6~14之烯基之(甲基)丙烯酸酯。藉由使用包含以碳數6~14之烷基為主成分之(甲基)丙烯酸酯的(甲基)丙烯酸系聚合物，而形成容易將對被黏附體之黏著力控制為較低、且再剝離性優異者。
上述具有碳數1~14之烯基之(甲基)丙烯酸酯，可單獨使用又可混合2種以上使用，較好的是在(甲基)丙烯酸系聚合物之總單體成分中為50~100重量%，更好的是60~99.5重量%，進而好的是70~99重量%。
又，本發明中，除上述具有碳數1~14之烷基之(甲基)丙烯酸酯以外，可使用含有可與交聯劑反應之官能基的單體或用以調整(甲基)丙烯酸系聚合物之玻璃轉移點或剝離性的其他聚合性單體成分。
作為上述合官能基之單體，例如可適當使用：合羧基之單體、含酸酐基之單體、含羥基之單體、合胺基之單體、含環氧基之單體、含異氰酸酯基之單體、合氮丙啶基之單 體等具有發揮交聯化基點作用之官能基之成分。
作為含羧基之單體，例如可列舉：(甲基)丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧基乙酯、(甲基)丙烯酸羧基戊酯、衣康酸、馬來酸、富馬酸、丁烯酸、異丁烯酸等。
作為含酸酐基之單體，例如可列舉'馬來酸酐、衣康酸酐、上述含羧基之單體之酸酐等。
作為含羥基之單體，例如可列舉：(甲基)丙烯酸2－羥乙酯、(甲基)丙烯酸2－羥丙酯、(甲基)丙烯酸4－羥丁酯、(甲基)丙烯酸6－羥己酯、(甲基)丙烯酸8－羥辛酯、(甲基)丙烯酸10－羥癸酯、(甲基)丙烯酸12－羥十二酯、丙烯酸(4－羥甲基環己基)甲酯、N－羥甲基(甲基)丙烯醯胺、乙烯醇、烯丙醇、2－羥乙基乙烯醚、4－羥丁基乙烯醚、二乙二醇單乙烯醚等。
作為含胺基之單體，例如可列舉(甲基)丙烯酸胺基乙酯、(甲基)丙烯酸N,N－二甲基胺基乙酯、(甲基)丙烯酸N,N－二甲基胺基丙酯等。
作為含環氧基之單體，例如可列舉(甲基)丙烯酸縮水甘油酯、(甲基)丙烯酸甲基縮水甘油酯、烯丙基縮水甘油醚等。
作為合異氰酸酯基之單體，例如可列舉異氰酸2－甲基丙烯醯氧基乙酯等。
上述含官能基之(甲基)丙烯酸酯，可單獨使用又可混合2種以上使用，於(甲基)丙烯酸系聚合物之總單體成分中，其整體含量較好的是0.1~15重量%，更好的是0.2~12重量 %，尤其好的是0.3~10重量%。若上述含官能基之(甲基)丙烯酸酯之含量低於0.1重量%，則存在如下傾向：藉由交聯劑而形成之交聯不充分，黏著劑組合物之凝聚力變小，導致殘存黏著劑。另一方面，若上述含官能基之(甲基)丙烯酸酯之含量超過15重量%，則存在如下傾向：黏著劑組合物之凝聚力過大而使流動性降低，被黏附體之潤濕不充分，導致剝離。
又，作為其它聚合性單體成分，可於不損及本發明效果之範圍內使用用以調整(甲基)丙烯酸系聚合物之玻璃轉移點或剝離性之聚合性單體等。
作為其它聚合性單體成分，例如可適當使用：含磺酸基之單體、含磷酸基之單體、含氰基之單體、乙烯酯類、芳香族乙烯系化合物等提高凝聚力．耐熱性之成分，以及含醯胺基之單體、含醯亞胺基之單體、N－丙烯醯[口＋末]啉、乙烯醚類等具有提高黏接力或發揮交聯化基點作用之官能基之成分。
作為含磺酸基之單體，例如可列舉：苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2－(甲基)丙烯醯胺－2－甲基丙磺酸、(甲基)丙烯醯胺丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯、(甲基)丙烯醯氧基萘磺酸、乙烯基磺酸鈉等。
作為合磷酸基之單體，例如可列舉磷酸2－控乙基丙烯醯酯。
作為含氰基之單體，例如可列舉丙烯腈、甲基丙烯腈。
作為乙烯酯類，例如可列舉乙酸乙烯酯、丙酸乙烯酯、 十二酸乙烯酯等。
作為芳香族乙烯系化合物，例如可列舉苯乙烯、氯苯乙烯、氯甲基苯乙烯、α－甲基苯乙烯、其它經取代之苯乙烯等。
作為含醯胺基之單體，例如可列舉：丙烯醯胺、甲基丙烯醯胺、二乙基丙烯醯胺、N－乙烯基吡咯烷酮、N,N－二甲基丙烯醯胺，N,N－二甲基甲基丙烯醯胺、N,N－二乙基丙烯醯胺、N,N－二乙基甲基丙烯醯胺、N,N'－亞甲基雙丙烯醯胺、N,N－二甲基胺基丙基丙烯醯胺、N,N－二甲基胺基丙基甲基丙烯醯胺、二丙酮丙烯醯胺等。
作為含醯亞胺基之單體，例如可列舉：環己基馬來醯亞胺、異丙基馬來醯亞胺、N－環己基馬來醯亞胺、衣康醯亞胺等。
作為乙烯醚類，例如可列舉甲基乙烯醚、乙基乙烯醚、異丁基乙烯醚等。
上述之其它聚合性單體成分可單獨使用，又可混合2種以上使用，且於(甲基)丙烯酸系聚合物之總單體成分中，其整體含量較好的是0~35重量%，更好的是0~30重量%，尤其好的是0~25重量%。可藉由使用上述其它聚合性單體成分而適當地調節出良好之黏接性。
又，作為基礎聚合物之上述(甲基)丙烯酸系聚合物之玻璃轉移溫度(Tg)通常較好的是－100℃~0℃，更好的是－80℃~－10℃。若玻璃轉移溫度高於0℃，則有時難以獲得充分之黏著力。再者，可藉由適當變更所使用之單體成分及 其等之組成比而將(甲基)丙烯酸系聚合物之玻璃轉移溫度(Tg)調整於上述範圍內。又，(甲基)丙烯酸系聚合物可為無規共聚物、嵌段共聚物、接枝共聚物等中之任一者。
上述丙烯酸系聚合物可利用溶液聚合、乳化聚合、整體聚合、懸浮聚合等通常用作丙烯酸系聚合物合成方法之聚合方法而獲得。
本發明中，自比較容易獲得目標之黏著劑組合物之理由而言，較好的是使用溶液聚合、乳化聚合。
作為溶液聚合，可使用先前眾所周知之方法作為黏著劑之溶液聚合方法。例如，首先混合上述單體或共聚單體，添加聚合起始劑及溶劑後，進行溶液聚合。
作為用於本發明之聚合起始劑，可使用偶氮系化合物或過氧化物等。
作為偶氮系化合物之具體例，可列舉：2,2'－偶氮雙異丁腈、2,2'－偶氮雙異戊腈、2,2'－偶氮雙(4－甲氧基－2,4－二甲基戊腈)、2,2'－偶氮雙(2,4－二甲基戊腈)、2,2'－偶氮雙(2－甲基丁腈)、1,1'－偶氮雙(環己烷－1－甲腈)、2,2'－偶氮雙(2,4,4－三甲基戊烷)、2,2'－偶氮雙(2－甲基丙酸)二甲酯等。
作為過氧化物之具體例，可列舉：過氧化苯甲醯、第三丁基過氧化氫、二第三丁基過氧化氫、第三丁基過氧化苯甲酸酯、過氧化二異丙苯、1,1－雙(第三丁基過氧化)－3,3,5－三甲基環己烷、1,1－雙(第三丁基過氧化)環十二烷等。
溶劑可使用各種普通之有機溶劑。例如可列舉：乙酸乙酯、乙酸正丁酯等酯類；甲苯、苯等芳香族烴類；正己 烷、正庚烷等脂肪族烴類；環己烷、甲基環己烷等脂環式烴類；甲基乙基酮、甲基異丁基酮等酮類等。溶劑可使用1種亦可組合2種以上使用。
上述聚合起始劑可單獨使用，又可混合2種以上使用，且相對於單體100重量份，其整體之含量通常為0.001~0.4重量份，較好的是0.002~0.2重量份。
作為乳化聚合，例如首先混合上述單體或共聚單體，且於其中調配乳化劑及水後，進行乳化而製備乳液。此時之單體可調配所使用之單體總量之全部或者一部分，剩餘單體於聚合途中滴下。繼而，於該乳液中添加聚合起始劑及根據需要之水後，進行乳化聚合(乳液聚合)。
用於本發明之乳化劑、聚合起始劑等並未特別限定，可適當選用。
作為用於本發明之乳化劑，可列舉烷基硫酸酯類、烯基苯磺酸鹽類、烷基磺基琥珀酸鹽類、聚氧乙烯烷基硫酸鹽類、聚氧乙烯烷基磷酸酯類等陰離子系乳化劑；聚氧乙烯烷基醚類、聚氧乙烯烷基苯基醚類、聚氧乙烯－聚氧丙烯嵌段聚合物類、山梨糖醇酐脂肪酸酯類、聚氧乙烯脂肪酸酯類等非離子系乳化劑等。該等乳化劑可單獨使用，又可混合2種以上使用。
進而，作為反應性乳化劑，亦可使用導入有丙烯基、烯丙基、(甲基)丙烯醯基、烯丙基醚基等自由基聚合性官能基(反應性官能基)之乳化劑。具體而言，例如可列舉日本專利特開平4－53802號公報中所記載者等，可列舉： Aqualon HS－10、HS－20、KH－10、BC－05、BC－10、BC－20(第一工業製藥公司製造)；Adeka Reasoap SE－10N(旭電化工業公司製造)、Latemul PD－104(花王公司製造)等。
自聚合穩定性及機械穩定性而言，相對於單體100重量份，乳化劑之使用量較好的是0.1~10重量份，更好的是0.3~5重量份。
再者，本發明中所使用之水，可僅於製備乳液時進行調配，或者亦可於其後進一步調配，可根據後述聚合方法加以適當選擇。又，水之調配量無特別限定，以乳液聚合(乳化聚合)後之(甲基)丙烯酸系聚合物之固形分濃度成為30~75重量%、較好的是35~70重量%之方式製備乳液。
作為本發明中所使用之乳化聚合用之聚合起始劑，例如可列舉：2,2'－偶氮雙異丁腈、2,2'－偶氮雙(2－脒基丙烷)二鹽酸鹽、2,2'－偶氮雙[2－(5－甲基－2－咪唑啉－2－基)丙烷]二鹽酸鹽、2,2'－偶氮雙(2－甲基丙脒)二硫酸鹽、2,2'－偶氮雙(N,N'－二亞甲基異丁基脒)、2,2'－偶氮雙[N－(2－羧基乙基)－2－甲基丙脒]水合物等偶氮系起始劑；過硫酸鉀、過硫酸銨等過硫酸鹽；過氧化二碳酸二(2－乙基己基)酯、過氧化二碳酸二(4－第三丁基環己基)酯、過氧化二碳酸二第二丁酯、過氧化新癸酸第三丁酯、過氧化特戊酸第三己酯、過氧化特戊酸第三丁酯、過氧化二月桂醯、過氧化二正辛醯、過氧化2－乙基己酸1,1,3,3－四甲基丁酯、過氧化二(4－甲基苯甲醯)、過氧化苯甲醯、過氧化異丁酸第三丁酯、1,1－二(第三己基過氧化)環己烷、第三丁基過氧化氫、過 氧化氫等過氧化物系起始劑；過硫酸鹽與亞硫酸氫鈉之組合、過氧化物與抗壊血酸鈉之組合等將過氧化物與還原劑加以組合而成之氧化還原系起始劑等，但並未限定於該等。
上述聚合起始劑可單獨使用，又可混合2種以上使用，且相對於單體100重量份，整體之含量通常為0.001~0.1重量份，較好的是0.002~0.05重量份。
乳化聚合(乳液聚合)之方法並未特別限定，可自一併聚合法(一併裝入法)、連續滴下法(單體滴下法、單體乳液滴下法)、將該等加以組合而成之聚合法等中適當選擇。
一併聚合法中，例如將單體混合物、乳化劑及水裝入反應容器內，藉由攪拌混合而使該等乳化製備成乳液後，進而於該反應容器中添加聚合起始劑及根據需要之水後，進行乳化聚合(乳液聚合)。
又，連續滴下法中，例如首先添加單體混合物、乳化劑及水，藉由攪拌混合而使該等乳化製備成滴液，並且於反應容器中裝入聚合起始劑及水，繼而將滴液滴下至反應容器內，進行乳化聚合(乳液聚合)。
進而，作為乳液聚合後之添加劑，例如可適當使用pH值緩衝劑、中和劑、發泡抑制劑、穩定劑等眾所周知者。
又，本發明中，聚合時亦可使用鏈轉移劑。可藉由使用該等鏈轉移劑而調整(甲基)丙烯酸系聚合物之分子量等。
作為鏈轉移劑，例如可列舉：十二硫醇、縮水甘油基硫醇、巰基乙酸、2－巰基乙醇、硫代乙醇酸、硫代乙醇酸2－ 乙基己酯、2,3－二巰基－1－丙醇等。
該等鏈轉移劑可單獨使用，又可混合2種以上使用，且相對於單體100重量份，其整體之含量較好的是0.01~1重量份。
當尤其使用(甲基)丙烯酸系聚合物作為黏著劑組合物時，可藉由使(甲基)丙烯酸系聚合物適當交聯，而獲得耐熱性、低污染性更優異之黏著片材。
作為交聯方法之具體手段有如下所謂使用交聯劑之方法，其係添加異氰酸酯化合物、環氧化合物、三聚氰胺系化合物、氮丙啶化合物、碳二醯亞胺化合物、金屬螯合物等化合物而使其反應，該等化合物具有可與(甲基)丙烯酸系聚合物中作為適當交聯化基點而含有之羧基、羥基、胺基、醯胺基等進行反應之基。該等化合物可單獨使用，又可混合2種以上使用。其中主要自獲得適度凝聚力之觀點而言，尤其好的是使用異氰酸酯化合物或環氧化合物。
其中作為異氰酸酯化合物，可列舉：甲苯二異氰酸酯、二甲苯二異氰酸酯等芳香族異氰酸酯；異佛爾酮二異氰酸酯等脂環族異氰酸酯；六亞甲基二異氰酸酯等脂肪族異氰酸酯等。
作為上述異氰酸酯化合物，例如可列舉：伸丁基二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯等低級脂肪族聚異氰酸酯類；伸環戊基二異氰酸酯、伸環己基二異氰酸酯、異佛爾酮二異氰酸酯等脂環族異氰酸酯類；2,4－甲苯二異氰酸酯、4,4'－二苯基甲烷二異氰酸酯、苯二甲基二異氰酸酯等芳香 族二異氰酸酯類；三羥甲基丙烷/甲苯二異氰酸酯三聚物加成物(商品名Coronate L)，三羥甲基丙烷/六亞甲基二異氰酸酯三聚物加成物(商品名Coronate HL)、六亞甲基二異氰酸酯之異氰尿酸酯體(商品名Coronate HX)[上述均由日本聚胺酯工業公司製造]等異氰酸酯加成物等。該等化合物可單獨使用，又可混合2種以上使用。
作為上述環氧化合物，可列舉：N,N,N',N'－四縮水甘油基－間二甲苯二胺(商品名TETRAD－X)或1,3－雙(N,N－二縮水甘油基胺甲基)環己烷(商品名TETRAD－C)[上述均由三菱瓦斯化學公司製造]等。該等化合物可單獨使用，又可混合2種以上使用。
作為上述三聚氰胺系化合物，可列舉六羥甲基三聚氰胺等。作為氮丙啶衍生物，例如可列舉作為市售品之商品名HDU、TAZM、TAZO(以上均由相互藥工公司製造)等。該等化合物可單獨使用，又可混合2種以上使用。
再者，當使藉由乳化聚合而得之(甲基)丙烯酸系聚合物進行交聯時，較好的是使用水溶***聯劑。
作為水溶***聯劑，例如可列舉：聚乙二醇二縮水甘油醚等環氧化合物、水分散型異氰酸酯化合物、噁唑啉化合物、氮丙啶化合物、經親水化處理之碳二醯亞胺化合物、活性羥甲基化合物、活性烷氧基甲基化合物、金屬螯合物等。
交聯劑之使用量可根據與應交聯之丙烯酸系聚合物的平衡度，進而根據黏著片材之用途而加以適當選擇。為了利 用丙烯酸系黏著劑之凝聚力而獲得充分之耐熱性，通常相對於上述丙烯酸系聚合物100重量份，交聯劑較好的是含有0.01~15重量份，更好的是含有0.5~10重量份。當交聯劑含量低於0.01重量份時亦有如下情形：藉由交聯劑而形成之交聯不充分，黏著劑組合物之凝聚力變小，無法獲得充分之耐熱性；又有導致殘存黏著劑之傾向。另一方面，當黏著劑含量超過15重量份時有如下傾向：聚合物之凝聚力較大，流動性降低，對被黏附體之潤濕不充分，從而導致剝離。
又，亦可添加具有兩個以上放射線反應性不飽和鍵之多官能單體來作為實質上之交聯劑，用放射線等使該多官能單體進行交聯。
作為具有兩個以上放射線反應性不飽和鍵之多官能單體，使用如乙烯基、丙烯醯基、甲基丙烯醯基、乙烯基苄基般具有兩個以上之可藉由照射放射線而進行交聯處理(硬化)之1種或2種以上之放射線反應性不飽和鍵的多官能單體成分。再者通常較好的是使用放射線反應性不飽和鍵為10個以下者。亦可併用2種以上之多官能單體。作為多官能單體之具體例，可列舉：乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、二乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、四乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6－己二醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、二乙烯基苯、N,N'－亞甲基雙丙烯醯胺等。
多官能單體之使用量可根據與應交聯之丙烯酸系聚合物之平衡度，進而根據黏著片材之用途而加以適當選擇。為了利用丙烯酸系黏著劑之凝聚力而獲得充分之耐熱性，通常相對於丙烯酸系聚合物100重量份，多官能單體較好的是以0.1~30重量份進行調配。又，自柔軟性、黏接性之方面而言，相對於丙烯酸系聚合物100重量份，多官能單體較好的是以10重量份以下進行調配。
作為放射線，例如可列舉紫外線、雷射線、α射線、β射線、γ射線、X射線、電子射線等，自控制性及操作性佳、成本方面而言，較好的是使用紫外線。更好的是使用波長200~400 nm之紫外線。可使用高壓水銀燈、微波激發型燈、化學燈等適當光源來照射紫外線。
再者，當使用紫外線作為放射線時，向丙烯酸系黏著劑中添加光聚合起始劑。
光聚合起始劑可為藉由根據放射線反應性成分之種類，照射可誘發該放射線反應性成分之聚合反應的適當波長之紫外線而生成自由基或陽離子的物質，作為光自由基聚合起始劑，例如可列舉：安息香、安息香甲醚、安息香***、鄰苯甲醯安息香酸甲基－對安息香***、安息香異丙醯、α－甲基安息香等安息香類；苄基二甲基縮酮、三氯苯乙酮、2,2－二乙氧基苯乙酮、1－羥基環己基苯基酮等苯乙酮；2－羥基－2－甲基苯丙酮、2－羥基－4'－異丙基－2－甲基苯丙酮等苯丙酮類；二苯甲酮、甲基二苯甲酮、對氯二苯甲酮、對二甲基胺基二苯甲酮等二苯甲酮類；2－氯噻噸酮、 2－乙基噻噸酮、2－異丙基噻噸酮等噻噸酮類；雙(2,4,6－三甲基苯甲醯)－苯基氧化膦、2,4,6－三甲基苯甲醯二苯基氧化膦、(2,4,6－三甲基苯甲醯)－(乙氧基)－苯基氧化膦等醯基膦氧化物類；苄基、二苯幷環庚酮、α－醯基肟酯等。
作為光陽離子聚合起始劑，例如可列舉：芳香族重氮鎓鹽、芳香族錪鹽、芳香族鋶鹽等鎓鹽，或鉄－丙二烯錯合物、二茂鈦錯合物、芳基矽烷醇－鋁錯合物等有機金屬錯合物類；硝基苄基酯、磺酸衍生物、磷酸酯、磺酸衍生物、磷酸酯、苯酚磺酸酯、重氮萘醌，N－羥基醯亞胺磺酸酯等。
上述光聚合起始劑亦可併用2種以上。相對於丙烯酸系聚合物100重量份，光聚合起始劑通常較好的是於0.1~10重量份、較好的是0.2~7重量份之範圍內調配。
進而亦可併用胺類等光聚合起始助劑。作為上述光聚合起始助劑，可列舉：2－二甲基胺基乙基苯甲酸酯、二甲基胺基苯乙酮、對二甲基胺基安息香酸乙酯、對二甲基胺基安'息香酸異戊酯等。上述光聚合起始助劑亦可併用2種以上。相對於丙烯酸系聚合物100重量份，聚合起始助劑較好的是於0.05~10重量份、更好的是0.1~7重量份之範圍內調配。
進而用於本發明之黏著片材中之黏著劑組合物，可根據用途而適當添加先前眾所周知之各種增黏劑，或者表面潤滑劑、界面活性劑、均化劑、抗氧化劑、肪腐蝕劑、光穩定劑、紫外線吸收劑、聚合抑制劑、矽烷偶合劑、無機或 有機填充劑、金屬粉、顏料等粉體、粒子狀物、箔狀物等先前眾所周知之各種添加劑。
另一方面，本發明之黏著劑層係使如上所述之黏著劑組合物交聯而成者。又，本發明之黏著片材係將上述黏著劑層形成於基材層(支持膜)上而成者。此時，通常於塗佈黏著劑組合物之後進行黏著劑組合物之交聯，亦可將由交聯後之黏著劑組合物形成之黏著劑層轉印於支持膜等上。
於薄膜上形成黏著劑層之方法並未特別限制，例如可藉由將上述黏著劑組合物塗佈於支持膜上，乾燥除去聚合溶劑(有機溶劑、水或水溶液)等後將黏著劑層形成於支持膜上而製作。其後，亦可進行養護以調整黏著劑層之成分過渡或調整交聯反應等。又，當將黏著劑組合物塗佈於支持膜上而製作黏著片材時，亦可於該組合物中重新添加聚合溶劑及/或除聚合溶劑以外之1種以上之溶劑，以使黏著劑組合物均勻地塗佈於支持膜上。
又，作為本發明之黏著劑層之形成方法，可使用製造黏著片材時所使用之眾所周知之方法。具體而言，例如可列舉輥塗法、凹板印刷式塗佈、反輥塗佈、輥式刷塗、噴塗、氣刀塗佈法、浸漬及簾塗法、模塗佈機等之擠出塗佈法。
本發明之黏著片材係通常以厚度成為3~100 μm、較好的是5~50 μm左右之方式，將上述黏著劑層塗佈形成於支持膜上之單面而形成片狀或帶狀等形態者。
又，本發明之黏著片材尤其好的是用於易於產生靜電之 塑膠製品等。其中尤其是用作液晶顯示器等中所使用之偏光板、波長板、相位差板、光學補償膜、反射片材、亮度提高膜等用以保護光學構件表面保護之表面保護膜時非常有用。
實施例
以下，對具體表示本發明之構成及效果之實施例等進行說明。再者，實施例等中之評估項目係以下述方式進行測定。
<分子量之測定> 分子量係使用GPC裝置(Tosoh股份有限公司製造，HLC－8220GPC)進行測定。測定條件如下所述。
．樣品濃度：0.2重量%(THF(tetrahydrofuran四氫呋喃)溶液) ．樣品注入量：10 μl ．溶離液：THF ．流速：0.6 ml/min ．測定溫度：40℃ ．管柱： 樣品管柱：TSK guardcolumn Super HZ－H(1根)＋TSK gel Super HZM－H(2根) 參考管柱：TSK gel Super H－RC(1根) ．檢測器：示差折射器(RI)
再者，分子量係以聚苯乙烯換算值而求得。
<玻璃轉移溫度(Tg)之測定> 所得之(甲基)丙烯酸系聚合物之玻璃轉移溫度Tg(℃)係 使用下述文獻值作為各單體所形成之均聚物之玻璃轉移溫度Tgn (℃)，根據下述式而求得。
式：1/(Tg＋273)＝Σ[Wn /(Tgn ＋273)] [式中，Tg(℃)表示共聚物之玻璃轉移溫度(℃)，Wn (－)表示各單體之重量分率，Tgn (℃)表示各單體所形成之均聚物之玻璃轉移溫度(℃)，n表示各單體之種類。]
(文獻值：參照日本中部經營開發中心出版部發行之"丙烯酸系樹脂之合成．設計與新用途開發")
．丙烯酸2－乙基已酯：－70℃ ．甲基丙烯酸正丁酯：20℃ ．丙烯酸2－羥乙酯：－15℃ ．丙烯酸：106℃
<熔點(Tm)之測定> 用於抗靜電膜中之各樹脂(聚合物)之熔點(℃)，係使用精工電子工業公司製造之示差掃描熱析儀(DSC)進行測定。測定條件為，取約5 mg樣品，於200℃下保持5分鐘後，以10℃/分之降溫速度冷卻至40℃為止，其後以10℃/分之升溫速度使其熔融。求得此時所得之熔融曲線之峰值溫度作為熔點(℃)。
<薄膜之製備> (抗靜電膜(A)) 將利用茂金屬觸媒而聚合成之無規聚丙烯(日本聚丙烯公司製造，Wintec WFW4，熔點：135℃)75重量份、與高分子型抗靜電劑(三洋化成工業公司製造，Pelestat VH230)25重量份，以雙軸擠出機(料缸設定溫度：220℃)進行熔融混練而顆粒化。將該樹脂組合物製成抗靜電層，且將利用茂金屬觸媒而聚合成之無規聚丙烯(日本聚丙烯公司製造，Wintec WFW4，熔點：135℃)製成基材層，利用T型模(鑄模溫度：220℃)進行雙層共擠出，通過20℃之鑄輥以抽取速度5 m/min獲得抗靜電層為10 μm、基材層為50 μm之薄膜。對所得薄膜之抗靜電層面之相反面進行電暈放電處理，獲得抗靜電膜(A)。
(抗靜電膜(B)) 將利用茂金屬觸媒而聚合成之無規聚丙烯(日本聚丙烯公司製造，Wintec WFX4，熔點：125℃)75重量份、與高分子型抗靜電劑(三洋化成工業公司製造，Pelestat VH230)25重量份，以雙軸擠出機(料缸設定溫度：220℃)進行熔融混練而顆粒化。將該樹脂組合物製成抗靜電層，且將利用茂金屬觸媒而聚合成之無規聚丙烯(日本聚丙烯公司製造，Wintec WFX4，熔點：125℃)製成基材層，利用T型模(鑄模溫度：220℃)進行雙層共擠出，通過20℃之鑄輥以抽取速度5 m/min獲得抗靜電層為10 μm、基材層為50 μm之薄膜。對所得薄膜之抗靜電層面之相反面進行電暈放電處理，獲得抗靜電膜(B)。
(抗靜電膜(C)) 將利用茂金屬以外之觸媒而聚合成之無規聚丙烯(普瑞曼聚合物公司製造，F327，熔點：138℃)75重量份、與高分子型抗靜電劑(三洋化成工業公司製造，Pelestat VH230)25重量份，以雙軸擠出機(料缸設定溫度：220℃)進行熔融混練而顆粒化。將該樹脂組合物製成抗靜電層，且將上述無規聚丙烯(普瑞曼聚合物公司製造，F327，熔點：138℃)製成基材層，利用T型模(鑄模溫度：220℃)進行雙層共擠出，通過20℃之鑄輥以抽取速度5 m/min獲得抗靜電層為10 μm、基材層為50 μm之薄膜。對所得薄膜之抗靜電層面之相反面進行電暈放電處理，獲得抗靜電膜(C)。
(抗靜電膜(D)) 將利用茂金屬以外之觸媒而聚合成之無規聚丙烯(普瑞曼聚合物公司製造，F327，熔點：138℃)75重量份、與高分子型抗靜電劑(三洋化成工業公司製造，Pelestat VH230)25重量份，以雙軸擠出機(料缸設定溫度：220℃)進行熔融混練而顆粒化。將該樹脂組合物製成抗靜電層，且將利用茂金屬觸媒而聚合成之無規聚丙烯(日本聚丙烯公司製造，Wintec WFX4，熔點：125℃)製成基材層，利用T型模(鑄模溫度：220℃)進行雙層共擠出，通過20℃之鑄輥以抽取速度5 m/min獲得抗靜電層為10 μm、基材層為50 μm之薄膜。對所得薄膜之抗靜電層面之相反面進行電暈放電處理，獲得抗靜電膜(D)。
(抗靜電膜(E)) 將利用茂金屬以外之觸媒而聚合成之無規聚丙烯(普瑞曼聚合物公司製造，J－5710，熔點：152℃)75重量份、與高分子型抗靜電劑(三洋化成工業公司製造，Pelestat VH230)25重量份，以雙軸擠出機(料缸設定溫度：220℃)進行熔融混練而顆粒化。將該樹脂組合物製成抗靜電層，且將利用茂金屬觸媒而聚合成之無規聚丙烯(日本聚丙烯公司製造，Wintec WFX4，熔點：125℃)製成基材層，利用T型模(鑄模溫度：220℃)進行雙層共擠出，通過20℃之鑄輥以抽取速度5 m/min獲得抗靜電層為10 μm、基材層為50 μm之薄膜。對所得薄膜之抗靜電層面之相反面進行電暈放電處理，獲得抗靜電膜(E)。
(抗靜電膜(F)) 將利用茂金屬以外之觸媒而聚合成之均聚丙烯(普瑞曼聚合物公司製造，ZS1327A，熔點：162℃)75重量份、與高分子型抗靜電劑(三洋化成工業公司製造，Pelestat VH230)25重量份，以雙軸擠出機(料缸設定溫度：220℃)進行熔融混練而顆粒化。將該樹脂組合物製成抗靜電層，且將上述均聚丙烯(普瑞曼聚合物公司製造，ZS1327A，熔點：162℃)製成基材層，利用T型模(鑄模溫度：220℃)進行雙層共擠出，通過20℃之鑄輥以抽取速度5 m/min獲得抗靜電層為10 μm、基材層為50 μm之薄膜。對所得薄膜之抗靜電層面之相反面進行電暈放電處理，獲得抗靜電膜(F)。
(非抗靜電膜(G)) 將利用茂金屬觸媒而聚合成之無規聚丙烯(日本聚丙烯公司製造，Wintec WFX4，熔點：125℃)製成基材層，利用T型模(鑄模溫度：220℃)進行單層擠出，通過20℃之鑄 輥以抽取速度5 m/min獲得基材層為60 μm之薄膜。對所得薄膜之單面進行電暈放電處理，獲得非抗靜電膜(G)。
(非抗靜電膜(H)) 將利用茂金屬觸媒而聚合成之無規聚丙烯(日本聚丙烯公司製造，Wintec WFW4，熔點：135℃)製成基材層，利用T型模(鑄模溫度：220℃)進行單層擠出，通過20℃之鑄輥以抽取速度5 m/min獲得基材層為60 μm之薄膜。對所得薄膜之單面進行電暈放電處理，獲得非抗靜電膜(H)。
(非抗靜電膜(I)) 將利用茂金屬以外之觸媒而聚合成之無規聚丙烯(普瑞曼聚合物公司製造，F327，熔點：138℃)製成基材層，利用T型模(鑄模溫度：220℃)進行單層擠出，通過20℃之鑄輥以抽取速度5 m/min獲得基材層為60 μm之薄膜。對所得薄膜之單面進行電暈放電處理，獲得非抗靜電膜(I)。
(非抗靜電膜(J)) 將利用茂金屬以外之觸媒而聚合成之無規聚丙烯(普瑞曼聚合物公司製造，ZS1327A，熔點：162℃)製成基材層，利用T型模(鑄模溫度：220℃)進行單層擠出，通過20℃之鑄輥以抽取速度5 m/min獲得基材層為60 μm之薄膜。對所得薄膜之單面進行電暈放電處理，獲得非抗靜電膜(J)。
(抗靜電膜(K)) 將聚乙烯(住友化學公司製造，L705)75重量份、與高分子型抗靜電劑(三洋化成工業公司製造，Pelestat VH230)25 重量份，以雙軸擠出機(料缸設定溫度：200℃)進行熔融混練而顆粒化。將該樹脂組合物製成抗靜電層，且將聚乙烯(日本聚乙烯公司製造，LF440C)製成基材層，利用T型模(鑄模溫度：200℃)進行雙層共擠出，通過20℃之鑄輥以抽取速度5 m/min獲得抗靜電層為10 μm、基材層為50 μm之薄膜。對所得薄膜之抗靜電層面之相反面進行電暈放電處理，獲得抗靜電膜(K)。
(抗靜電膜(L)) 將利用茂金屬以外之觸媒而聚合成之嵌段聚丙烯(日本聚丙烯公司製造，NEWSTREN SB8000)75重量份、與高分子型抗靜電劑(三洋化成工業公司製造，Pelestat VH230)25重量份，以雙軸擠出機(料缸設定溫度：220℃)進行熔融混練而顆粒化。將該樹脂組合物製成抗靜電層，且將上述嵌段聚丙烯(日本聚丙烯公司製造，NEWSTREN SB8000)製成基材層，利用T型模(鑄模溫度：220℃)進行雙層共擠出，通過20℃之鑄輥以抽取速度5 m/min獲得抗靜電層為10 μm、基材層為50 μm之薄膜。對所得薄膜之抗靜電層面之相反面進行電暈放電處理，獲得抗靜電膜(L)。
(抗靜電膜(M)) 將聚乙烯(Tosoh公司製造，Petrothene 0M05A)75重量份、與高分子型抗靜電劑(三洋化成工業公司製造，Pelestat VH230)25重量份，以雙軸擠出機(料缸設定溫度：200℃)進行熔融混練而顆粒化。將該樹脂組合物製成抗靜電層，且將利用茂金屬觸媒而聚合成之無規聚丙烯(日本 聚丙烯公司製造，Wintec WFX4，熔點：125℃)製成基材層，利用T型模(鑄模溫度：200℃)進行雙層共擠出，通過20℃之鑄輥以抽取速度5 m/min獲得抗靜電層為10 μm、基材層為50 μm之薄膜。對所得薄膜之抗靜電層面之相反面進行電暈放電處理，獲得抗靜電膜(M)。
(抗靜電膜(N)) 將經抗靜電處理之聚酯薄膜(三菱化學聚酯薄膜公司製造，T100G，厚度：38 μm)作為抗靜電膜(N)。
(抗靜電膜(O)) 將利用茂金屬觸媒而聚合成之無規聚丙烯(日本聚丙烯公司製造，Wintec WFX4，熔點：125℃)80重量份、與高分子型抗靜電劑(三洋化成工業公司製造，Pelestat VH230)20重量份，以雙軸擠出機(料缸設定溫度：220℃)進行熔融混練而顆粒化。將該樹脂組合物製成抗靜電層，且將利用茂金屬觸媒而聚合成之無規聚丙烯(日本聚丙烯公司製造，Wintec WFX4，熔點：125℃)製成基材層，利用T型模(鑄模溫度：220℃)進行雙層共擠出，通過20℃之鑄輥以抽取速度5 m/min獲得抗靜電層為10 μm、基材層為50 μm之薄膜。對所得薄膜之抗靜電層面之相反面進行電暈放電處理，獲得抗靜電膜(O)。
(抗靜電膜(P)) 將利用茂金屬觸媒而聚合成之無規聚丙烯(日本聚丙烯公司製造，Wintec WFX4，熔點：125℃)90重量份、與高分子型抗靜電劑(三洋化成工業公司製造，Pelestat VH230)10重量份，以雙軸擠出機(料缸設定溫度：220℃)進行熔融混練而顆粒化。將該樹脂組合物製成抗靜電層，且將利用茂金屬觸媒而聚合成之無規聚丙烯(日本聚丙烯公司製造，Wintec WFX4，熔點：125℃)製成基材層，利用T型模(鑄模溫度：220℃)進行雙層共擠出，通過20℃之鑄輥以抽取速度5 m/min獲得抗靜電層為10 μm、基材層為50 μm之薄膜。對所得薄膜之抗靜電層面之相反面進行電暈放電處理，獲得抗靜電膜(P)。
(抗靜電膜(Q)) 將利用茂金屬觸媒而聚合成之無規聚丙烯(日本聚丙烯公司製造，Wintec WFX4，熔點：125℃)60重量份、與高分子型抗靜電劑(三洋化成工業公司製造，Pelestat VH230)40重量份，以雙軸擠出機(料缸設定溫度：220℃)進行熔融混練而顆粒化。將該樹脂組合物製成抗靜電層，且將利用茂金屬觸媒而聚合成之無規聚丙烯(日本聚丙烯公司製造，Wintec WFX4，熔點：125℃)製成基材層，利用T型模(鑄模溫度：220℃)進行雙層共擠出，通過20℃之鑄輥以抽取速度5 m/min獲得抗靜電層為10 μm、基材層為50 μm之薄膜。對所得薄膜之抗靜電層面之相反面進行電暈放電處理，獲得抗靜電膜(Q)。
(抗靜電膜(R)) 將利用茂金屬觸媒而聚合成之無規聚丙烯(日本聚丙烯公司製造，Wintec WFX4，熔點：125℃)90重量份、與並非係包含烯烴嵌段與親水性嵌段之高分子型抗靜電劑的抗 靜電劑(第一工業製藥公司製造，Resistat PE132，多元醇系衍生物)10重量份，以雙軸擠出機(料缸設定溫度：220℃)進行熔融混練而顆粒化。將該樹脂組合物製成抗靜電層，且將利用茂金屬觸媒而聚合成之無規聚丙烯(日本聚丙烯公司製造，Wintec WFX4，熔點：125℃)製成基材層，利用T型模(鑄模溫度：220℃)進行雙層共擠出，通過20℃之鑄輥以抽取速度5 m/min獲得抗靜電層為10 μm、基材層為50 μm之薄膜。對所得薄膜之抗靜電層面之相反面進行電暈放電處理，獲得抗靜電膜(R)。
(抗靜電膜(S)) 將利用茂金屬觸媒而聚合成之無規聚丙烯(日本聚丙烯公司製造，Wintec WFX4，熔點：125℃)90重量份、與並非係包含烯烴嵌段與親水性嵌段之高分子型抗靜電劑的抗靜電劑(Du Pont－Mitsui Polychemicals公司製造，Entira MK400，離子聚合物)10重量份，以雙軸擠出機(料缸設定溫度：220℃)進行熔融混練而顆粒化。將該樹脂組合物製成抗靜電層，且將利用茂金屬觸媒而聚合成之無規聚丙烯(日本聚丙烯公司製造，Wintec WFX4，熔點：125℃)製成基材層，利用T型模(鑄模溫度：220℃)進行雙層共擠出，通過20℃之鑄輥以抽取速度5 m/min獲得抗靜電層為10 μm、基材層為50 μm之薄膜。對所得薄膜之抗靜電層面之相反面進行電暈放電處理，獲得抗靜電膜(S)。
<(甲基)丙烯酸系聚合物之製備> (丙烯酸系聚合物(A)) 於具有攪拌翼、溫度計、氮氣導入管、回流冷卻器之四口燒瓶中裝入丙烯酸2－乙基己酯200重量份、丙烯酸2－羥基乙酯8重量份、作為聚合起始劑之2,2'－偶氮雙異丁腈0.4重量份、乙酸乙酯312重量份，一面緩緩地攪拌一面導入氮氣，將燒瓶內之液溫保持於65℃左右進行約6小時聚合反應，製備丙烯酸系聚合物(A)溶液(40重量%)。上述丙烯酸系聚合物(A)之重量平均分子量為50萬，玻璃轉移溫度(Tg)為－68℃。
(丙烯酸系聚合物(B)) 使包含丙烯酸2－乙基己酯50重量份、甲基丙烯酸正丁酯50重量份、丙烯酸2重量份之單體混合物，作為乳化劑之聚氧乙烯壬基苯基醚1.5重量份及聚氧乙烯壬基苯基醚硫酸銨1.5重量份、水80重量份進行乳化分散。將該乳化物裝入具有溫度計、攪拌機、氮氣導入管及回流冷卻管之四口燒瓶中，於作為聚合起始劑之2,2'－偶氮雙(2－脒基丙脒)二鹽酸鹽0.02重量份之存在下，以50℃進行7小時乳化聚合。其後，添加氨水及水，調整為固形分40重量%、pH值8.0而獲得丙烯酸系聚合物(B)水分散體，所得之水分散體之粒徑為0.2 μm。又，丙烯酸系聚合物(B)之溶劑不溶分為92%，溶劑可溶分之分子量為60萬，玻璃轉移溫度(Tg)為－31℃。
[實施例1]
[黏著劑溶液之製備] 以乙酸乙酯將上述丙烯酸系聚合物(A)溶液(40重量%)稀 釋至20重量%，於該溶液100重量份中添加六亞甲基二異氰酸酯之異氰尿酸酯體(日本聚胺酯工業公司製造，Coronate HX)0.8重量份、作為交聯觸媒之二月桂酸二丁基錫(1重量%乙酸乙酯溶液)0.4重量份，於常溫(25℃)下混合攪拌約1分鐘，製備丙烯酸系黏著劑溶液(1)。
[黏著片材之製作] 將上述丙烯酸系黏著劑溶液(1)，塗佈於對單面實施有矽酮處理之聚對苯二甲酸乙二酯薄膜(厚度25 μm)之矽酮處理面上，以110℃加熱3分鐘而形成厚度為20 μm之黏著劑層。將上述黏著劑層貼合於以上述方式製作之抗靜電膜(A)之電暈處理面上，製作黏著片材。
[實施例2]
[黏著片材之製作] 除使用抗靜電膜(B)代替上述抗靜電膜(A)以外，以與實施例1相同之方式製作黏著片材。
[實施例3]
[黏著片材之製作] 除使用抗靜電膜(C)代替上述抗靜電膜(A)以外，以與實施例1相同之方式製作黏著片材。
[實施例4]
[黏著片材之製作] 除使用抗靜電膜(D)代替上述抗靜電膜(A)以外，以與實施例1相同之方式製作黏著片材。
[實施例5]
[黏著片材之製作] 除使用抗靜電膜(E)代替上述抗靜電膜(A)以外，以與實施例1相同之方式製作黏著片材。
[實施例6]
[黏著片材之製作] 除使用抗靜電膜(F)代替上述抗靜電膜(A)以外，以與實 施例1相同之方式製作黏著片材。
[實施例7]
[黏著劑溶液之製備] 直接使用上述丙烯酸系聚合物(B)水分散體(40重量%)，於其中對應於聚合物固形分每100重量份，添加含噁唑啉基之水溶***聯劑(日本觸媒公司製造，Epocros WS500)4重量份(噁唑啉價：220)，於常溫(25℃)下混合攪拌約1分鐘，製備丙烯酸系黏著劑水分散體(2)。
[黏著片材之製作] 將上述丙烯酸系黏著劑水分散體(2)，塗佈於以上述方式製作之抗靜電膜(A)之電暈處理面上，以90℃加熱3分鐘而形成厚度為5 μm之黏著劑層。繼而，將未處理之聚乙烯薄膜(厚度60 μm)貼合於上述黏著劑層之表面上，製作黏著片材。
[實施例8]
[黏著片材之製作] 除使用抗靜電膜(B)代替上述抗靜電膜(A)以外，以與實施例7相同之方式製作黏著片材。
[實施例9]
[黏著片材之製作] 除使用抗靜電膜(C)代替上述抗靜電膜(A)以外，以與實施例7相同之方式製作黏著片材。
[實施例10]
[黏著片材之製作] 除使用抗靜電膜(D)代替上述抗靜電膜(A)以外，以與實施例7相同之方式製作黏著片材。
[實施例11]
[黏著片材之製作] 除使用抗靜電膜(E)代替上述抗靜電膜(A)以外，以與實施例7相同之方法製作黏著片材。
[實施例12]
[黏著片材之製作] 除使用抗靜電膜(F)代替上述抗靜電膜(A)以外，以與實施例7相同之方式製作黏著片材。
[實施例13]
[黏著片材之製作] 除使用抗靜電膜(O)代替上述抗靜電膜(A)以外，以與實施例1相同之方式製作黏著片材。
[實施例14]
[黏著片材之製作] 除使用抗靜電膜(P)代替上述抗靜電膜(A)以外，以與實施例1相同之方式製作黏著片材。
[實施例15]
[黏著片材之製作] 除使用抗靜電膜(K)代替上述抗靜電膜(A)以外，以與實 施例1相同之方式製作黏著片材。
[實施例16]
[黏著片材之製作] 除使用抗靜電膜(L)代替上述抗靜電膜(A)以外，以與實施例1相同之方式製作黏著片材。
[實施例17]
[黏著片材之製作] 除使用抗靜電膜(M)代替上述抗靜電膜(A)以外，以與實施例1相同之方式製作黏著片材。
[實施例18]
[黏著片材之製作] 除使用抗靜電膜(Q)代替上述抗靜電膜(A)以外，以與實施例1相同之方式製作黏著片材。
[比較例1]
[黏著片材之製作] 將上述丙烯酸系黏著劑溶液(1)，塗佈於對單面實施有矽酮處理之聚對苯二甲酸乙二酯薄膜(厚度25 μm)之矽酮處理面上，以110℃加熱3分鐘而形成厚度為20 μm之黏著劑層。將上述黏著劑層貼合於以上述方式製作之非抗靜電膜(G)之電暈處理面上，製作黏著片材。
[比較例2]
[黏著片材之製作] 除使用非抗靜電膜(H)代替上述非抗靜電膜(G)以外，以與比較例1與相同製作黏著片材。
[比較例3]
[黏著片材之製作] 除使用非抗靜電膜(I)代替上述非抗靜電膜(G)以外，以與比較例1相同之方式製作黏著片材。
[比較例4]
[黏著片材之製作] 除使用非抗靜電膜(J)代替上述非抗靜電膜(G)以外，以與比較例1相同之方式製作黏著片材。
[比較例5]
[黏著片材之製作] 將上述丙烯酸系黏著劑溶液(1)，塗佈於對單面實施有矽酮處理之聚對苯二甲酸乙二酯薄膜(厚度25 μm)之矽酮處理面上，以110℃加熱3分鐘而形成厚度為20 μm之黏著劑層。將上述黏著劑層貼合於以上述方式製作之抗靜電膜(N)之抗靜電處理面的相反面上，製作黏著片材。
[比較例6]
[黏著片材之製作] 除使用抗靜電膜(R)代替上述非抗靜電膜(G)以外，以與比較例1相同之方式製作黏著片材。
[比較例7]
除使用抗靜電膜(S)代替上述非抗靜電膜(G)以外，以與 比較例1相同之方式製作黏著片材。
以下述要領，對上述實施例及比較例中所得之黏著片材進行總透光率、霧度、表面電阻率、黏著力、防汙性之測定及評估。
<總透光率之測定> 總透光率之測定係根據JIS K7361「塑膠－透明材料之總透光率之測試方法」中規定之方法，使用霧度計(村上色彩技術研究所製造，HM－150型)進行。
<霧度之測定> 霧度之測定係根據JIS K7136「塑膠－透明材料之霧度之計算方法」中規定之方法，使用霧度計(村上色彩技術研究所製造，HM－150型)進行。
<初始表面電阻率之測定> 初始表面電阻率之測定係根據JIS K6911「熱硬化性塑膠之常用測試方法」中規定之方法，使用測定器(DKK－TOA CORPORATION公司製造，DSM－8103)，測定抗靜電層表面之電阻值(Ω/□)。設施加電壓為500 V，測定施加該電壓後30 sec後之電阻值。於測定環境為溫度23℃、相對濕度為50%RH之環境中測定初始表面電阻率。
<水洗後表面電阻率之測定> 將黏著片材於40℃之溫水中浸漬30分鐘後，用碎布擦去水，其後於溫度23℃、相對濕度50%RH之環境中放置2小時後，作為評估用樣品。對上述樣品，根據JIS K6911「熱硬化性塑膠之常用測試方法」中規定之方法，使用測 定器(DKK－TOA CORPORATION公司製造，DSM－8103)，測定抗靜電層表面之電阻值(Ω/□)。設施加電壓為500 V，測定施加該電壓後30 sec後之電阻值。於測定環境為溫度23℃、相對濕度50%RH之環境中測定水洗後表面電阻率。
<初始黏著力之測定> 將黏著片材切割成25 mm寬後，以線壓78.5 N/cm貼合於丙烯酸系樹脂板(三菱麗陽公司製造，「Acrylite L」)，30分鐘後於拉伸速度300 mm/分鐘、剝離角度180°之條件下，利用拉伸測試機測定黏著力。
<防汙功能之評估> 使黏著帶No.31B(日東電工公司製造)之黏著面摩擦貼合於黏著片材之抗靜電層，No.31B之丙烯酸系黏著劑附著於抗靜電層之後，用碎布輕輕擦拭，確認是否可輕鬆除去黏著劑。將可輕鬆除去之情形記為○，且將無法除去之情形記為×。
上述結果示於表1及表2。
根據上述表1及2之結果可知，當使用本發明中製作之黏著片材時(實施例1~18)，於任一實施例中，黏著片材之透明性均非常優異並且抗靜電性均優異。進而可知，任一實施例中，黏著片材之防汙功能均優異。

Claims (13)

  1. 一種再剝離型黏著片材，其特徵在於，其係於基材層之一表面上具有黏著劑層且於另一表面上具有抗靜電層之再剝離型黏著片材，上述抗靜電層含有包含烯烴嵌段及親水性嵌段之高分子型抗靜電劑；上述抗靜電層之厚度為1~100μm；且上述高分子型抗靜電劑之含量相對於樹脂與抗靜電劑之合計重量為10~40重量%。
  2. 如請求項1之再剝離型黏著片材，其中上述抗靜電層含有丙烯樹脂。
  3. 如請求項1之再剝離型黏著片材，其中上述抗靜電層含有丙烯均聚物及/或丙烯．α-烯烴無規共聚物。
  4. 如請求項1之再剝離型黏著片材，其中上述抗靜電層含有使用茂金屬觸媒進行聚合而成之丙烯．α-烯烴無規共聚物。
  5. 如請求項1之再剝離型黏著片材，其中上述基材層含有丙烯樹脂。
  6. 如請求項1之再剝離型黏著片材，其中上述基材層含有丙烯均聚物及/或丙烯．α-烯烴無規共聚物。
  7. 如請求項1之再剝離型黏著片材，其中上述基材層含有使用茂金屬觸媒進行聚合而成之丙烯．α-烯烴無規共聚物。
  8. 如請求項1之再剝離型黏著片材，其中上述黏著劑層含有以具有碳數1~14之烷基之丙烯酸酯及/或甲基丙烯酸酯之1種或2種以上為主成分之(甲基)丙烯酸系聚合物。
  9. 如請求項8之再剝離型黏著片材，其中上述黏著劑層係使上述(甲基)丙烯酸系聚合物交聯而得者。
  10. 如請求項1之再剝離型黏著片材，其係用於保護光學構件之表面。
  11. 如請求項1之再剝離型黏著片材，其中上述黏著劑層為丙烯酸系黏著劑，而相對於1至100重量份之上述(甲基)丙烯酸系聚合物，上述丙烯酸系黏著劑係摻合有0.1至30重量份之具交聯作用之多官能性單體。
  12. 如請求項1之再剝離型黏著片材，其以由JIS K7136定義之霧度計為12.1%以下，且係用於保護光學構件之表面。
  13. 如請求項1之再剝離型黏著片材，其中上述抗靜電層之厚度為5~30μm。
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