TWI472635B - 脈衝雷射蒸鍍系統 - Google Patents
脈衝雷射蒸鍍系統 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI472635B TWI472635B TW102133097A TW102133097A TWI472635B TW I472635 B TWI472635 B TW I472635B TW 102133097 A TW102133097 A TW 102133097A TW 102133097 A TW102133097 A TW 102133097A TW I472635 B TWI472635 B TW I472635B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- laser
- target
- ultraviolet
- pulsed laser
- evaporation system
- Prior art date
Links
- 238000004549 pulsed laser deposition Methods 0.000 title 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 124
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 123
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 71
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 71
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 57
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 4
- 238000011068 loading method Methods 0.000 claims description 4
- 238000005086 pumping Methods 0.000 claims description 4
- 239000013077 target material Substances 0.000 claims description 4
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 claims description 2
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 claims description 2
- 238000002128 reflection high energy electron diffraction Methods 0.000 claims description 2
- 238000000097 high energy electron diffraction Methods 0.000 claims 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims 1
- 238000010025 steaming Methods 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 20
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 18
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 18
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001174 ascending effect Effects 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000002360 explosive Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000000338 in vitro Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 231100000331 toxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000002588 toxic effect Effects 0.000 description 1
- 239000002341 toxic gas Substances 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/52—Means for observation of the coating process
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/28—Vacuum evaporation by wave energy or particle radiation
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
本發明相關於一種脈衝雷射蒸鍍系統，特別是有關一種可以同時蒸鍍數種靶材的紫外光脈衝雷射蒸鍍系統。
近年來，三五族化合物半導體材料大量應用於高效率發光二極體(LED)以及高功率高電子遷移率電晶體(HEMT)，而這些三五族化合物半導體材料的成長方式通常是採用金屬化學氣相沈積法(MOCVD)與分子束磊晶法(MBE)等方法。然而，金屬化學氣相沈積法(MOCVD)需要花費大量的成本用以防止所使用的具毒性、易***以及具有腐蝕性的有機金屬氣體外洩，且也因為需要在極高的溫度(1000℃)下，所以需要昂貴的設備，而分子束磊晶法(MBE)則因對於真空度的苛刻需求，而同樣需要昂貴的設備，因此，金屬化學氣相沈積法(MOCVD)與分子束磊晶法(MBE)的成本昂貴且無法降低。有鑑於此，近年來，逐漸改以不需有毒氣體且不需要在極度真空度下進行的脈衝雷射蒸鍍法(PLD)來進行三五族化合物半導體材料的成長，以克服採用金屬化學氣相沈積法(MOCVD)與分子束磊晶法(MBE)等方法所產生的製程條件嚴苛與製程成本無法降低等問題。
參照第一圖，其展示目前脈衝雷射蒸鍍法(PLD)所常用的脈衝雷射蒸鍍系統1。脈衝雷射蒸鍍系統1採用可見光及紫外光波段的準分子雷射做為雷射光源10，脈衝雷射蒸鍍系統1具有一腔體20，腔體20上設置有一可供取放基板與靶材的腔體艙門22、單一個可供準分子雷射射入的雷射窗口24、以及一個可以外接抽氣馬達32的接口26。腔體20內部則設置有一用以承載靶材27的靶台28，以及一用以承載基板29的載台30。在以此脈衝雷射蒸鍍系統1進行雷射蒸鍍時，雷射光源10所提供的準分子雷射通過雷射窗口24而照射在靶材27上，使得靶材27表面因吸收高能量而電漿化，形成一團聚高動能之電漿氣體，噴射至基板29上，而在基板上成長成一薄膜，例如三五族化合物半導體材料薄膜。
然而，雖然傳統的脈衝雷射蒸鍍系統，如第一圖所示之脈衝雷射蒸鍍系統1，可以用來製作三五族化合物半導體材料薄膜，但是卻無法製作具有摻雜或三元以上的磊晶層。此乃因為傳統的脈衝雷射蒸鍍系統(如第一圖所示之脈衝雷射蒸鍍系統1)一次僅能夠蒸鍍一個靶材，而一個靶材通常都是僅而單一成分所組成，所以並無法製作具有摻雜或多種成分所組成。雖然，近年來發展出採用多種不同成分所混合壓製而成的靶材來進行雷射蒸鍍，而製作具有摻雜或三元以上的磊晶層，但是此一方法具有下列限制與缺點：首先，欲使用由多種成分組成的靶材，需要先利用壓靶機將各種不同成分的粉末壓錠成型，再經過燒結成一多種成分組成的靶材，但是並非所有組成成分的粉末都可以被壓靶機壓錠成型或燒結，一旦其中有一種組成成分的粉末無法被壓靶機壓錠成型或無法進行燒結，就無法進行雷射蒸鍍，也就無法製作含有該成分的磊晶層，更無法製作含有該成分的具有摻雜或三元以上的磊晶層。其次，靶材雖然可以多種成分依照固定比例所混合、壓錠成型、與燒結而成，但是靶材內的各個成分的分佈會不夠均勻，導致藉由此一靶材所產生的成分比例無法預測與確定，而造成無法控制所形成的磊晶層的成分比例。再者，由於以雷射蒸鍍製作具有摻雜的磊晶層，需要一其內用以進行摻雜的成分與用以組成磊晶層的成分之間濃度差異極大的靶材，但是依照目前的靶材製作技術顯然並無法製作此一其內組成成分濃度差異極大的靶材，而使得傳統的脈衝雷射蒸鍍系統(如第一圖所示之脈衝雷射蒸鍍系統1)並無法製作具有摻雜的磊晶層。
另外，傳統的脈衝雷射蒸鍍系統(如第一圖所示之脈衝雷射蒸鍍系統1)所能製作的的磊晶層面積，受限於傳統的脈衝雷射蒸鍍系統本身所能承載的尺寸，而僅能對於小尺寸(≦4吋)的基板進行雷射蒸鍍，並無法對於大尺寸(>4吋)的基板進行雷射蒸鍍。
有鑑於此，亟需要一種脈衝雷射蒸鍍系統，可以製作具有摻雜或三元以上的磊晶層(或三五族化合物半導體材料薄膜)，並且能有效與精確地控制磊晶層內摻雜濃度與組成成分比例，也可以對大尺寸(>4吋)的基板進行雷射蒸鍍。
本發明之一目的為提供一種脈衝雷射蒸鍍系統，可以克服前述缺點，而可以同時使用一種或多種靶材進行雷射蒸鍍，而具有製作出具有摻雜或三元以上的磊晶層(或三五族化合物半導體材料薄膜)的能力，並且可以對大尺寸(>4吋)的基板進行雷射蒸鍍。
根據本發明之一目的，本發明提供一種脈衝雷射蒸鍍系統。此脈衝雷射蒸鍍系統包含一紫外光雷射光源、一腔體、一雷射分光裝置、一靶材平台、以及一載台，其中，紫外光雷射光源與雷射分光裝置設置於腔體外，而靶材平台與載台則設置於腔體內部。紫外光雷射光源可以發射各種紫外光波段的準分子雷射，用以提供提紫外光雷射給該脈衝雷射蒸鍍系統進行蒸鍍。雷射分光裝置則用以對紫外光雷射光源所提供之紫外光雷射進行分光，而將其分光成多道紫外光雷射。腔體則具有複數個雷射射入窗口，藉由雷射分光裝置分光而成的多道紫外光雷射，則會同時藉由雷射分光裝置而分別導入該複數個雷射射入窗口，而經由該等雷射射入窗***入腔體內部。靶材平台，由數個靶材置放台所組成，而用以承載一或多種靶材以進行脈衝雷射蒸鍍，載台為一大尺寸(≧6吋)載台而可以承載大尺寸基板，用以承載一或多個基板而對其進行脈衝雷射蒸鍍。在此脈衝雷射蒸鍍系統中，經由雷射分光裝置而將紫外光雷射光源所發出之紫外光雷射分光成數道紫外光雷射，並經由數個雷射射入窗口導入腔體內，而分別照射到靶材平台上的不同靶材，並同時將這些靶材電漿化而對載台上放置的基板進行雷射蒸鍍，而製作出具有摻雜或三元以上的磊晶層(或三五族化合物半導體材料薄膜)。藉由控制導入各個雷射射入窗口的紫外光雷射的強度，可以有效且精確地控制磊晶層的摻雜濃度或是組成成分比例。
因此，本發明提供了一種脈衝雷射蒸鍍系統，藉由雷射分光裝置、在腔體設置多個雷射射入窗口、以及多個靶材置放台所組成的平台，而將紫外光雷射光源所發出之紫外光雷射分光成數道紫外光雷射，並同時經由不同的雷射射入窗口導入腔體而同時照射在不同的靶材上，使其具有製作出具有製作出具有摻雜或三元以上的磊晶層(或三五族化合物半導體材料薄膜)的能力，並且由於載台為一大尺寸(≧6吋)載台而具有對大尺寸(>4吋)的基板進行雷射蒸鍍的能力。
本發明的一些實施例詳細描述如下。然而，除了該詳細描述外，本發明還可以廣泛地在其他的實施例施行。亦即，本發明的範圍不受已提出之實施例的限制，而以本發明提出之申請專利範圍為準。其次，當本發明之實施例圖示中的各元件或步驟以單一元件或步驟描述說明時，不應以此作為有限定的認知，即如下之說明未特別強調數目上的限制時本發明之精神與應用範圍可推及多數個元件或結構並存的結構與方法上。再者，在本說明書中，各元件之不同部分並沒有完全依照尺寸繪圖，某些尺度與其他相關尺度相比或有被誇張或是簡化，以提供更清楚的描述以增進對本發明的理解。而本發明所沿用的現有技藝，在此僅做重點式的引用，以助本發明的闡述。
請同時參照第二A圖、第二B圖、以及第二C圖，第二A圖為本發明之一實施例之脈衝雷射蒸鍍系統100的立體示意圖，第二B圖為脈衝雷射蒸鍍系統100的俯視圖，而第二C圖則為脈衝雷射蒸鍍系統100中的腔體200的立體示意圖。脈衝雷射蒸鍍系統100包含一紫外光雷射光源102、一雷射分光裝置200、一腔體300、一靶材平台400、以及一載台500，其中，紫外光雷射光源102與雷射分光裝置200設置於腔體300外，而靶材平台400與載台500則設置於腔體300內部。紫外光雷射光源102為一可以發射包含各種紫外光波段的準分子雷射的雷射光源，用以提供提紫外光雷射給脈衝雷射蒸鍍系統100進行蒸鍍。雷射分光裝置200則對紫外光雷射光源102所發出的紫外光雷射進行分光，而將原本的一道紫外光雷射分成數道紫外光雷射，並導引這些分光過的紫外光雷射進入腔體300內部，以進行雷射蒸鍍。腔體300用以提供一密閉空間進行雷射蒸鍍，靶材平台400設置於腔體300內部，用以承載一或多種靶材以進行脈衝雷射蒸鍍，一載台500同樣設置於腔體300內部，用以承載一或多個基板508而對其進行脈衝雷射蒸鍍。
腔體300用以提供一密閉空間進行雷射蒸鍍。腔體300包含有一腔體艙門302、複數個雷射射入窗口304a、304b、304c、304d、一抽氣幫浦接口306、以及一觀景窗308。其中，腔體艙門302用以置入與取出欲進行脈衝雷射蒸鍍的基板以及欲使用之靶材，雷射射入窗口304a、304b、304c、304d則用以導入紫外光雷射。觀景窗308為一玻璃材質或其他透明材料所製作的窗口，使得使用者可以透過觀景窗308觀察該腔體內進行雷射蒸鍍的情形。抽氣幫浦接口306用以連接一抽氣幫浦600(例如渦輪幫浦或其他真空幫浦)而對腔體300內部進行抽氣，以控制腔體300內部的壓力，而使腔體300內部達到進行雷射蒸鍍所需的真空度或壓力值。另外，在本發明之其他實施例中，可以於腔體的側邊設置有一用以加載外加裝置的法蘭(flange)，而直接電漿解離氮***(plasma gun)或反射式高能量電子繞射槍(RHEED gun)直接加載於本發明之脈衝雷射蒸鍍系統(或腔體)，用以觀察基板上磊晶層的長晶狀況，但不以此為限，而是可以依照需求加載不同的其他外加裝置。雖然於第二A圖至第二C圖所示之脈衝雷射蒸鍍系統100中，腔體300具有4個雷射射入窗口304a、304b、304c、304d，但是並不以此為限，而是可以依照需求增加(例如5個、6個或以上)或是減少(例如2個或3個)。
雷射分光裝置200包含一組分光鏡組201以及數組導引鏡組202a、202b、202c、202d，其中，分光鏡組201用以將紫外光雷射光源102所發出的紫外光雷射分光分成數道紫外光雷射，並且自由地調整分光後的每一道紫外光雷射的強度。每一導引鏡組202a、202b、202c、202d皆對應一雷射射入窗口304a、304b、304c、304d，用以引導分光後各個紫外光雷射至各個雷射射入窗口，而使其經由不同雷射射入窗口而同時進入腔體中，其中，每一該引導鏡組至少對應一該雷射射入窗口。以第二A圖至第二C圖所示之脈衝雷射蒸鍍系統100為例，導引鏡組202a對應雷射射入窗口304a，用以將其中一道紫外光雷射引導至雷射射入窗口304a而進入腔體300，導引鏡組202b對應雷射射入窗口304b，用以將其中一道紫外光雷射引導至雷射射入窗口304b而進入腔體300，導引鏡組202c對應雷射射入窗口304c，用以將其中一道紫外光雷射引導至雷射射入窗口304c而進入腔體300，導引鏡組202d對應雷射射入窗口304d，用以將其中一道紫外光雷射引導至雷射射入窗口304d而進入腔體300。雖然於第二A圖至第二C圖所示之脈衝雷射蒸鍍系統100中，雷射光分光裝置200具有4個導引鏡組202a、202b、202c、202d，但是並不以此為限，而是可以依照需求增加(例如5個、6個或以上)或是減少(例如2個或3個)，或依照雷射射入窗口的數量而改變。
每一組導引鏡組202a、202b、202c、202d包含一組反射鏡組204a、204b、204c、204d與一組聚焦鏡組206a、206b、206c、206d。反射鏡組204a、204b、204c、204d分別設置於分光鏡組201與之間，而每一雷射射入窗口304a、304b、304c、304d至少對應一組反射鏡組204a、204b、204c、204d，即雷射射入窗口304a對應反射鏡組204a，雷射射入窗口304b對應反射鏡組204b，雷射射入窗口304c對應反射鏡組204c，雷射射入窗口304d對應反射鏡組204d。反射鏡組204a、204b、204c、204d分別用以反射經分光的各道紫外光雷射而將其導入對應的雷射射入窗口304a、304b、304c、304d。聚焦鏡組206a、206b、206c、206d則分別設置於反射鏡組204a、204b、204c、204d以及與其對應的雷射射入窗口304a、304b、304c、304d之間，每一聚焦鏡組206a、206b、206c、206d則對應一雷射射入窗口304a、304b、304c、304d與一組反射鏡組204a、204b、204c、204d，即聚焦鏡組206a設置於雷射射入窗口304a與反射鏡組204a之間，而同時對應雷射射入窗口304a與反射鏡組204a，聚焦鏡組206b設置於雷射射入窗口304b與反射鏡組204b之間，而同時對應雷射射入窗口304b與反射鏡組204b，聚焦鏡組206c設置於雷射射入窗口304c與反射鏡組204c之間，而同時對應雷射射入窗口304c與反射鏡組204c，聚焦鏡組206d設置於雷射射入窗口304d與反射鏡組204d之間，而同時對應雷射射入窗口304d與反射鏡組204d。聚焦鏡組206a、206b、206c、206d用以將經由分光鏡組201分光與反射鏡組204a、204b、204c、204d反射而欲導入雷射射入窗口304a、304b、304c、304d的紫外光雷射進行聚焦。
另外，為了可以更有效地控制與調整導入每一雷射射入窗口304a、304b、304c、304d的紫外光雷射的強度，雷射分光裝置200可以包含一或數個用以調整導入雷射射入窗口304a、304b、304c、304d的紫外光雷射強度的衰減片鏡組208a、208b、208c、208d。雖然於第二A圖至第二C圖所示之脈衝雷射蒸鍍系統100中，每一導引鏡組202a、202b、202c、202d內皆具有一衰減片鏡組208a、208b、208c、208d，且每一衰減片鏡組208a、208b、208c、208d皆設置於一聚焦鏡組206a、206b、206c、206d與一雷射射入窗口304a、304b、304c、304d之間，而分別對應一聚焦鏡組206a、206b、206c、206d與一雷射射入窗口304a、304b、304c、304d，但是在本發明其他實施例中，則是可以依照每一導引鏡組或是每一雷射射入窗口所欲導引的紫外光雷射的強度或是每一種靶材所需的紫外光雷射強度，選擇是否在每一個導引鏡組中加入衰減片鏡組，或是選擇在那一個導引鏡組需要加入衰減片鏡組，或是選擇是否在一導引鏡組中加入一組或多組衰減片鏡組，而使得導入不同雷射射入窗口的紫外光雷射具有不同的強度或分別具有特定的強度。再者，雖然於第二A圖至第二C圖所示之脈衝雷射蒸鍍系統100中，每一衰減片鏡組208a、208b、208c、208d皆設置於一聚焦鏡組206a、206b、206c、206d與一雷射射入窗口304a、304b、304c、304d之間，但是在本發明其他實施例中，可以依照需求而將聚焦鏡組選擇性地設置於分光鏡組與反射鏡組之間、反射鏡組與聚焦鏡組之間、或是聚焦鏡組與雷射射入窗口之間。另外，在本發明之其他實施例中，也可以改以檔板取代衰減片鏡組，而控制與調整導入每一雷射射入窗口的紫外光雷射強度，檔板也可依照需求而選擇設置於設置於分光鏡組與反射鏡組之間、反射鏡組與聚焦鏡組之間、或是聚焦鏡組與雷射射入窗口之間。
請同時參照第二A圖、第二B圖、第二C圖、第三A圖、以及第三B圖，靶材平台400包含一基座402、數個設置於基座402上的支柱406、數個靶材置放台404a、404b、404c、404d、以及靶材傾斜角度控制裝置411。其中，每一靶材置放台404a、404b、404c、404d設置於兩相鄰的支柱406之間，並與相鄰兩支柱406樞接而經由相鄰兩支柱406間接地設置於基座402上，而可以於相鄰兩支柱406之間上下轉動。靶材置放台404a、404b、404c、404d用以承載或置放靶材進行雷射蒸鍍，而靶材傾斜角度控制裝置411則用以控制與調整靶材置放台404a、404b、404c、404d的傾斜角度，而使得靶材置放台404a、404b、404c、404d內放置的靶材可以不同傾斜角度被紫外光雷射來回掃瞄。
靶材傾斜角度控制裝置411包含一設置於基座402上且可以於基座402上進行上下移動(或升降)的傾斜角度控制柱409，以及數個做為傾斜角度控制柱409與靶材置放台404a、404b、404c、404d之間連接的傾斜角度轉動軸408，其中，傾斜角度控制柱409。每一傾斜角度轉動軸皆對應一靶材置放台404a、404b、404c、404d，而每一傾斜角度轉動軸408的一端與其對應的靶材置放台404a、404b、404c、404d鉸接，而可以帶動靶材置放台404a、404b、404c、404d上下轉動而傾斜一預定角度，每一傾斜角度轉動軸408的另外一端則皆與傾斜角度控制柱409鉸接，使得每一傾斜角度轉動軸408可以隨著傾斜角度控制柱409上下移動(或升降)而連動，以帶動靶材置放台404a、404b、404c、404d向上或向下轉動，而控制靶材置放台404a、404b、404c、404d的傾斜角度。當傾斜角度控制柱409向上移動(或上升)，會帶動傾斜角度轉動軸408向下移動，而使靶材置放台404a、404b、404c、404d向下轉動(或向內翻轉)，而向下傾斜一角度(如第三A圖所示)。當傾斜角度控制柱409向下移動(或下降)，會帶動傾斜角度轉動軸408向上移動，而使靶材置放台404a、404b、404c、404d向上轉動(或向外翻轉)，而向上傾斜一角度或是回到水平位置。藉由控制與調整傾斜角度控制柱409向上移動(或上升)或向下移動(或下降)的距離，可以控制與調整傾斜角度轉動軸408向下移動或向上移動的距離，進而控制與調整靶材置放台404a、404b、404c、404d向下轉動(或向內翻轉)或向上轉動(或向外翻轉)的角度，即靶材置放台404a、404b、404c、404d之傾斜度。因此，本發明之脈衝雷射蒸鍍系統100可以藉由靶材傾斜角度控制裝置411控制靶材以不同的傾斜角度進行雷射蒸鍍。
另外，在靶台平台400下設置有一轉動裝置410，用以轉動靶材平台400而使各個靶材置放台404a、404b、404c、404d、繞著靶材平台400中心公轉或來回轉動，以變更或切換每一雷射入射窗口304a、304b、304c、304d所對應的靶材置放台404a、404b、404c、404d而切換不同靶材進行雷射蒸鍍，或是用以轉動靶材平台400而使靶材置放台404a、404b、404c內置放的靶材可以被紫外光雷射做水平方向的來回掃瞄。因此，本發明之脈衝雷射蒸鍍系統100可以藉由靶材傾斜角度控制裝置411與轉動裝置410，而控制靶材平台404a、404b、404c、404d的靶材進行不同傾斜角度的來回掃瞄。另外，雖然在第二A圖與第三A圖所示之靶材平台400具有4個靶材置放台404a、404b、404c、404d，但是並不以此為限，而是可以依照需求增減，但是靶材置放台的數量要大於或等於雷射射入窗口數量，最好是雷射射入窗口數量的倍數，以利不同靶材的切換，使得本發明之脈衝雷射蒸鍍系統在進行可以切換不同的靶材，而可以製作更多元的磊晶層(或三五族化合物半導體材料薄膜)。
請同時參照第二A圖與第四A圖，載台500為大尺寸的載台，其尺寸至少是介於6吋至12吋，甚至可以為一大於12吋的大尺寸載台。載台500具有一可以放置6吋至12吋的基板的溝槽502(如第四A圖所示)，而使得本發明之脈衝雷射蒸鍍系統100可以對大尺寸(6吋至12吋)的基板進行雷射蒸鍍。接著參照第四B圖，其為本發明之脈衝雷射蒸鍍系統中的載台500A的另一實施例。載台500A除了具有一可以放置6吋至12吋的基板的溝槽502之外，更在溝槽502中設置有數個小尺寸基板容置槽504a、504b、504c、506，用以承載小尺寸(6吋以下)之基板進行雷射蒸鍍。其中，小尺寸基板容置槽504a、504b、504c用以容置2-4吋的基板進行雷射蒸鍍，而小尺寸基板容置槽506則用以容置2吋以下的基板進行雷射蒸鍍。藉由載台500A，本發明之脈衝雷射蒸鍍系統除了可以對大尺寸基板(6吋以上)進行雷射蒸鍍之外，更可以對小尺寸基板(6吋以下)進行雷射蒸鍍，更可以同時對數種不同規格的小尺寸基板進行雷射蒸鍍。雖然第四B圖所示之載台500A具有3個小尺寸(2-4吋)基板容置槽504a、504b、504c與一個小尺寸(2吋以下)基板容置槽506，但並不以此為限，而是可依照需求變更小尺寸基板容置槽的規格與增減小尺寸基板容置槽的數量。
參照第四C圖，其為本發明之脈衝雷射蒸鍍系統中的載台500B的又一實施例。載台500B上並未設置有容置基板的的溝槽，相反的，在載台500B上設置有一用以容置基板的載具512。載具512可以如同第四A圖所示載台一樣具有可以放置6吋至12吋的基板的溝槽，或是如同第四B圖所示載台一樣除了具有可以放置6吋至12吋的基板的溝槽，還具有數個可以放置6吋以下基板的小尺寸基板容置槽。載具512可以為一個固定於載台500B上的載具，或是為一可拆卸的載具，可以由載台500B拆下而更換成不同規格與設計的載具。
另外，請參照第二A圖，載台500具有一轉動與升降控制裝置510，用以控制載台500進行轉動而使載台500上所放置的基板508可以被均勻地雷射蒸鍍，並且用以控制載台500進行升降而控制與調整載台500與該靶材平台400的工作距離。其中，轉動與升降控制裝置510可以手動方式(例如手動轉動轉盤)或機械方式(例如升降機構)控制載台500進行升降，而依照需求調整載台500與靶材平台400之間的工作距離，使得載台500與該靶材平台400之間的工作距離可以在10公分至40公分之間進行調整。在本發明之脈衝雷射蒸鍍系統中，可以將一加熱裝置(圖中未示)設置於載台上方或是周圍，用以加熱載台上所置放的基板以利雷射蒸鍍的進行。
此外，雖然第二B圖所示之脈衝雷射蒸鍍統100僅具有一組分光鏡組201，但是在本發明其他實施例中，可以依照所需的紫外光雷射數量，增加一或多組分光鏡組，而將紫外光雷射光源所提供的紫外光雷射分光成各多道的紫外光雷射，以製作更多元的或更多摻雜的磊晶層(或三五族化合物半導體材料薄膜)。
請同時參照第二A圖、第二B圖、以及第二C圖，本發明之脈衝雷射蒸鍍系統100進行雷射蒸鍍的作動如下：在紫外光雷射光源102射出一紫外光雷射後，雷射分光裝置200中的分光鏡組201將此紫外光雷射分光成數道紫外光雷射，而雷射分光裝置200中的導引鏡組202a、202b、202c、202d則將分光後的紫外光雷射分別導引至其所對應的雷射射入窗口304a、304b、304c、304d。然而，在導入各個雷射射入窗口304a、304b、304c、304d之前，藉由分光鏡組201以及衰減片鏡組208a、208b、208c、208d(或檔板)，調整各道紫外光雷射的強度，使其符合所需的強度需求。接著，經由雷射射入窗口304a、304b、304c、304d，分光後的紫外光雷射同時照射到各個雷射射入窗口304a、304b、304c、304d所對應的靶材置放台404a、404b、404c、404d上所放置的靶材，而將這些靶材電漿化以進行雷射蒸鍍。在紫外光雷射照射到這些靶材時，藉由靶材傾斜角度控制裝置控制靶材置放台404a、404b、404c、404d與其上靶材的傾斜角度，以轉動裝置410控制靶材置放台404a、404b、404c、404d與其上靶材來回的水平轉動，使得照射在這些靶材上的紫外光雷射可以依照需求，而以不同的傾斜角度來回的掃瞄這些靶材。在雷射蒸鍍的過程中，甚至可以藉由轉動裝置410變更各個雷射射入窗口304a、304b、304c、304d所對應的靶材置放台，即變更分光後的紫外光所照射到的靶材置放台與靶材，而使得形成更多元的磊晶層(或三五族化合物半導體材料薄膜)。另外，載台500上可以放置一大尺寸基板或是放置一或多個小尺寸基板進行雷射蒸鍍，並且藉由轉動與升降控制裝置510控制載台500與其上基板508轉動以均勻地進行雷射蒸鍍，並且藉由轉動與升降控制裝置510調整所需的載台500與靶材平台所需的工作距離。因此，本發明之脈衝雷射蒸鍍系統100可以同時電漿化數種靶材進行雷射蒸鍍，並可以藉由調整分光後的紫外光雷射強度以及控制靶材的大小，而精確地控制所製作成的磊晶層(或三五族化合物半導體材料薄膜)的成分比例或摻雜濃度。
以本發明之脈衝雷射蒸鍍系統100進行多元磊晶層(或三五族化合物半導體材料薄膜)的作動如下：首先，打開紫外光雷射光源102而提供一紫外光雷射。接著，以雷射分光裝置200中的分光鏡組201將此紫外光雷射分光成數道紫外光雷射，並調控每一道紫外光雷射的強度。然後，以導引鏡組202a、202b、202c、202d中的反射鏡組204a、204b、204c、204d將各道紫外光雷射反射導向各個導引鏡組202a、202b、202c、202d(或反射鏡組204a、204b、204c、204d)所對應的雷射射入窗口304a、304b、304c、304d。接著，分別以聚焦鏡組206a、206b、206c、206d將被導向各個雷射射入窗口304a、304b、304c、304d的各道紫外光雷射聚焦於對應的雷射射入窗口304a、304b、304c、304d，再依照每一雷射射入窗口304a、304b、304c、304d對應的靶材置放台404a、404b、404c、404d上欲放置的靶材種類所需的能量強度，以衰減片鏡組208a、208b、208c、208d進一步將各道紫外光雷射更精確地調整到所需的強度。然後，讓各道紫外光雷射分別經由雷射射入窗口304a、304b、304c、304d同時入腔體300中，而照射到靶台平台400上的不同靶材置放台404a、404b、404c、404d。接著，將基板放置於載台500上，並將所需的各種靶材分別放置於不同的靶材置放台404a、404b、404c、404d上。然後，關閉艙體腔門302，打開抽氣幫浦600對腔體300內部進行抽氣，而使其達到所需的真空度或壓力值，並升溫以及通入反應氣體，再讓經過分光與強度調整的各道紫外光雷射分別同過不同的雷射射入窗口304a、304b、304c、304d進入腔體300中，而分別照射到不同靶材置放台404a、404b、404c、404d與其上靶材，而將各種不同的靶材電漿化以進行雷射蒸鍍。藉此，將原本的一道紫外光雷射分光成數道紫外光雷射，並精確地控制與調整各道紫外光雷射的強度，而同時電漿化多種靶材同時，從而以精確的組成比例組成三元以上的磊晶層(或三五族化合物半導體材料薄膜)。
以本發明之脈衝雷射蒸鍍系統100進行具摻雜的磊晶層(或三五族化合物半導體材料薄膜)的作動如下：首先，打開紫外光雷射光源102而提供一紫外光雷射。接著，以雷射分光裝置200中的分光鏡組201將此紫外光雷射分光成數道紫外光雷射，並調控每一道紫外光雷射的強度。然後，以導引鏡組202a、202b、202c、202d中的反射鏡組204a、204b、204c、204d將各道紫外光雷射反射導向各個導引鏡組202a、202b、202c、202d(或反射鏡組204a、204b、204c、204d)所對應的雷射射入窗口304a、304b、304c、304d。接著，分別以聚焦鏡組206a、206b、206c、206d將被導向各個雷射射入窗口304a、304b、304c、304d的各道紫外光雷射聚焦於對應的雷射射入窗口304a、304b、304c、304d，再依照每一雷射射入窗口304a、304b、304c、304d對應的靶材置放台404a、404b、404c、404d上欲放置的靶材種類所需的能量強度，以衰減片鏡組208a、208b、208c、208d進一步將各道紫外光雷射更精確地調整到所需的強度。由於其中用於電漿化用於摻雜的靶材的紫外光雷射的強度要遠小於做為長晶的靶材，因此，可以多組衰減片鏡組或加上一或多個檔板，而進一步降低做為電漿化用於摻雜的靶材的紫外光雷射的強度，從而控制摻雜的濃度。然後，讓各道紫外光雷射分別經由雷射射入窗口304a、304b、304c、304d同時入腔體300中，而照射到靶台平台400上的不同靶材置放台404a、404b、404c、404d，其中，被進一步弱化的紫外光雷射照射到欲放置用於摻雜的靶材的靶材置放台。接著，將基板放置於載台500上，並將所需的各種靶材分別放置於不同的靶材置放台404a、404b、404c、404d上，特別是用於摻雜的靶材所需對應導入被進一步弱化的紫外光雷射的雷射射入窗口的放置靶材置放台。然後，關閉艙體腔門302，打開抽氣幫浦600對腔體300內部進行抽氣，而使其達到所需的真空度或壓力值，並升溫以及通入反應氣體，再讓經過分光與強度調整的各道紫外光雷射分別同過不同的雷射射入窗口304a、304b、304c、304d進入腔體300中，而分別照射到不同靶材置放台404a、404b、404c、404d與其上靶材，而將各種不同的靶材電漿化以進行雷射蒸鍍。藉此，將原本的一道紫外光雷射分光成數個強度差異極大的數道紫外光雷射，而同時電漿化多種靶材(包含摻雜用靶材與長晶用靶材)，從而以精確的摻雜濃度組成具摻雜的磊晶層(或三五族化合物半導體材料薄膜)。
有鑑於上述實施例，供了一種脈衝雷射蒸鍍系統，藉由雷射分光裝置、在腔體設置多個雷射射入窗口、以及多個靶材置放台所組成的平台，而將紫外光雷射光源所發出之紫外光雷射分光成數道紫外光雷射，並同時經由不同的雷射射入窗口導入腔體而同時照射在不同的靶材上，使其具有製作出具有製作出具有摻雜或三元以上的磊晶層(或三五族化合物半導體材料薄膜)的能力，並且由於載台為一大尺寸(≧6吋)載台而具有對大尺寸(>4吋)的基板進行雷射蒸鍍的能力。
1‧‧‧脈衝雷射蒸鍍系統
10‧‧‧雷射光源
20‧‧‧腔體
22‧‧‧腔體艙門
24‧‧‧雷射窗口
26‧‧‧接口
27‧‧‧靶材
28‧‧‧靶台
29‧‧‧基板
30‧‧‧載台
32‧‧‧抽氣馬達
100‧‧‧脈衝雷射蒸鍍系統
102‧‧‧紫外光雷射光源
200‧‧‧雷射分光裝置
201‧‧‧分光鏡組
202a、202b、202c、202d‧‧‧導引鏡組
204a、204b、204c、204d‧‧‧反射鏡組
206a、206b、206c、206d‧‧‧聚焦鏡組
208a、208b、208c、208d‧‧‧衰減片鏡組
300‧‧‧腔體
302‧‧‧腔體艙門
304a、304b、304c、304d‧‧‧雷射射入窗口
306‧‧‧抽氣幫浦接口
308‧‧‧觀景窗
400‧‧‧靶材平台
402‧‧‧基座
404a、404b、404c、404d‧‧‧靶材置放台
406‧‧‧支柱
408‧‧‧傾斜角度轉動軸
409‧‧‧傾斜角度控制柱
410‧‧‧轉動裝置
411‧‧‧靶材傾斜角度控制裝置
500‧‧‧載台
502‧‧‧溝槽
504a、504b、504c‧‧‧小尺寸基板容置槽
506‧‧‧小尺寸基板容置槽
508‧‧‧基板
510‧‧‧轉動與升降控制裝置
512‧‧‧載具
600‧‧‧抽氣幫浦
10‧‧‧雷射光源
20‧‧‧腔體
22‧‧‧腔體艙門
24‧‧‧雷射窗口
26‧‧‧接口
27‧‧‧靶材
28‧‧‧靶台
29‧‧‧基板
30‧‧‧載台
32‧‧‧抽氣馬達
100‧‧‧脈衝雷射蒸鍍系統
102‧‧‧紫外光雷射光源
200‧‧‧雷射分光裝置
201‧‧‧分光鏡組
202a、202b、202c、202d‧‧‧導引鏡組
204a、204b、204c、204d‧‧‧反射鏡組
206a、206b、206c、206d‧‧‧聚焦鏡組
208a、208b、208c、208d‧‧‧衰減片鏡組
300‧‧‧腔體
302‧‧‧腔體艙門
304a、304b、304c、304d‧‧‧雷射射入窗口
306‧‧‧抽氣幫浦接口
308‧‧‧觀景窗
400‧‧‧靶材平台
402‧‧‧基座
404a、404b、404c、404d‧‧‧靶材置放台
406‧‧‧支柱
408‧‧‧傾斜角度轉動軸
409‧‧‧傾斜角度控制柱
410‧‧‧轉動裝置
411‧‧‧靶材傾斜角度控制裝置
500‧‧‧載台
502‧‧‧溝槽
504a、504b、504c‧‧‧小尺寸基板容置槽
506‧‧‧小尺寸基板容置槽
508‧‧‧基板
510‧‧‧轉動與升降控制裝置
512‧‧‧載具
600‧‧‧抽氣幫浦
第一圖為傳統脈衝雷射蒸鍍系統之立體示意圖。 第二A圖至第二C圖分別為本發明之一實施例之脈衝雷射蒸鍍系統的立體示意圖與俯視圖。 第三A圖至第三B圖為本發明之一實施例之脈衝雷射蒸鍍系統中的靶材平台的立體示意圖。 第四A圖至第四C圖為本發明之脈衝雷射蒸鍍系統中的載台的各種實施例的示意圖。
100‧‧‧脈衝雷射蒸鍍系統
202a、202b、202c、202d‧‧‧導引鏡組
204a、204b、204c、204d‧‧‧反射鏡組
206a、206b、206c、206d‧‧‧聚焦鏡組
208a、208b、208c、208d‧‧‧衰減片鏡組
300‧‧‧腔體
302‧‧‧腔體艙門
304a、304b、304c、304d‧‧‧雷射射入窗口
306‧‧‧抽氣幫浦接口
400‧‧‧靶材平台
404a、404b、404c、404d‧‧‧靶材置放台
410‧‧‧轉動裝置
500‧‧‧載台
508‧‧‧基板
510‧‧‧轉動與升降控制裝置
600‧‧‧抽氣幫浦
Claims (21)
- 一種脈衝雷射蒸鍍系統，包含： 一紫外光雷射光源，用以提供紫外光雷射進行蒸鍍; 一腔體，該腔體具有複數個雷射射入窗口; 一雷射分光裝置，用以將該紫外光雷射光源所提供之紫外光雷射分光成多道紫外光雷射，並將這些紫外光雷射分別導入該複數個雷射射入窗口; 一靶材平台，用以承載一或多種靶材以進行脈衝雷射蒸鍍;以及 一載台，用以承載一或多個基板而對其進行脈衝雷射蒸鍍。
- 根據申請專利範圍第1項所述之脈衝雷射蒸鍍系統，其中該腔體具有一腔體艙門用以置入與取出欲進行脈衝雷射蒸鍍的基板以及欲使用之靶材。
- 根據申請專利範圍第1項所述之脈衝雷射蒸鍍系統，其中該腔體具有一抽氣幫浦接口，用以連接一抽氣幫浦而對該腔體內部進行抽氣，以控制該腔體內部的壓力。
- 根據申請專利範圍第1項所述之脈衝雷射蒸鍍系統，其中該腔體具有一觀景窗，用以觀察該腔體內進行雷射蒸鍍的情形。
- 根據申請專利範圍第1項所述之脈衝雷射蒸鍍系統，其中該腔體側邊具有一法蘭(flange)，用以加載外加裝置。
- 根據申請專利範圍第5項所述之脈衝雷射蒸鍍系統，其中該外加裝置為電漿解離氮***(plasma gun)或反射式高能量電子繞射槍(RHEED gun)。
- 根據申請專利範圍第1項所述之脈衝雷射蒸鍍系統，其中該雷射分光裝置包含： 一組分光鏡組，用以對紫外光雷射進行分光而形成數道紫外光雷射;以及 數組引導鏡組，用以引導分光後的各個紫外光雷射分別至各個雷射射入窗口，而使其經由各個雷射射入窗口而同時進入該腔體中，其中，每一該引導鏡組至少對應一該雷射射入窗口。
- 根據申請專利範圍第7項所述之脈衝雷射蒸鍍系統，其中每一該引導鏡組包含： 一組反射鏡組，用以反射經分光的紫外光雷射而將其導入對應的雷射射入窗口，其中，每一該雷射射入窗口至少對應一組該反射鏡組;以及 一組聚焦鏡組，用以將經由該分光鏡組分光與該反射鏡組反射而欲導入該雷射射入窗口的紫外光雷射進行聚焦，其中，每一該聚焦鏡組對應一反射鏡組與一雷射射入窗口，而設置於所對應的反射鏡組與雷射射入窗口之間。
- 根據申請專利範圍第7項所述之脈衝雷射蒸鍍系統，其中該雷射分光裝置更包含一或複數個衰減片鏡組，用以調整導入該等雷射射入窗口的紫外光雷射強度，其中，該衰減片鏡組可以設置於分光鏡組與該反射鏡組之間、該等反射鏡組與該等聚焦鏡組之間、或是該等聚焦鏡組與該等雷射射入窗口之間。
- 根據申請專利範圍第7項所述之脈衝雷射蒸鍍系統，其中該雷射分光裝置更包含一或複數個檔板，用以調整導入該等雷射射入窗口的紫外光雷射強度，其中，該檔板可以設置於分光鏡組與該反射鏡組之間、該等反射鏡組與該等聚焦鏡組之間、或是該等聚焦鏡組與該等雷射射入窗口之間。
- 根據申請專利範圍第7項所述之脈衝雷射蒸鍍系統，其中該雷射分光裝置更包含一組第二分光鏡組，用以將已經過分光的紫外光雷射再次進行分光，其中，該第二分光鏡組設置於該分光鏡組與該等反射鏡組之間。
- 根據申請專利範圍第1項所述之脈衝雷射蒸鍍系統，其中該紫外光雷射光源為一可以發射包含各種紫外光波段的準分子雷射的雷射光源。
- 根據申請專利範圍第1項所述之脈衝雷射蒸鍍系統，其中該靶材平台包含： 一基座; 數個靶材置放台，設置於該基座上，用以置放與承載靶材; 數個支柱設置於該基座上，其中，每一靶材置放台樞接於兩支柱之間，而使得該靶材置放台可以轉動;以及 一靶材傾斜角度控制裝置，用以控制該等靶材置放台的傾斜角度，而使得該等靶材置放台內放置的靶材可以不同傾斜角度被紫外光雷射來回掃瞄。
- 根據申請專利範圍第13項所述之脈衝雷射蒸鍍系統，其中該靶材傾斜角度控制裝置包含： 數個傾斜角度轉動軸，其中，每一該傾斜角度轉動軸的一端與一靶材置放台鉸接，而可以帶動該靶材置放台轉動而傾斜一預定角度;以及 一傾斜角度控制柱設置於該基座上，而可以於該基座上下移動，其中，每一該傾斜角度轉動軸的另一端皆與該傾斜角度控制柱鉸接，使得每一該傾斜角度轉動軸皆可以隨著傾斜角度控制柱上下移動而連動，以帶動該靶材置放台向上或向下轉動，而控制該靶材置放台的傾斜角度。
- 根據申請專利範圍第14項所述之脈衝雷射蒸鍍系統，其中當該傾斜角度控制柱向上移動，會帶動該傾斜角度轉動軸轉動向下移動，而使該靶材置放台向下轉動，而向下傾斜一角度，反之，當該傾斜角度控制柱向下移動，會帶動該傾斜角度轉動軸向上移動，而使該靶材置放台向上轉動，而向上傾斜一角度。
- 根據申請專利範圍第13項所述之脈衝雷射蒸鍍系統，其中更包含一轉動裝置設置於該靶材平台下，用以轉動該靶材平台而使各個靶材置放台繞著靶材平台中心公轉或來回轉動，以變更該等雷射入射窗口所對應的靶材置放台而切換不同靶材進行雷射蒸鍍，或是用以轉動該靶材平台而使該等靶材置放台內置放的靶材可以被紫外光雷射做水平方向的來回掃瞄。
- 根據申請專利範圍第16項所述之脈衝雷射蒸鍍系統，其中該載台包含一可以放置6吋至12吋的基板的溝槽或載具。
- 根據申請專利範圍第17項所述之脈衝雷射蒸鍍系統，其中該溝槽或載具上設置有一或多個小尺寸基板容置槽，用以承載小尺寸之基板進行雷射蒸鍍。
- 根據申請專利範圍第1項所述之脈衝雷射蒸鍍系統，其中該載台更包含一轉動與升降控制裝置，用以控制該載台進行轉動而使該載台上所放置的基板可以被均勻地雷射蒸鍍，以及用以控制該載台進行升降以控制該載台與該靶材平台的工作距離。
- 根據申請專利範圍第19項所述之脈衝雷射蒸鍍系統，其中該工作距離介於10公分至40公分之間。
- 根據申請專利範圍第1項所述之脈衝雷射蒸鍍系統，其中更包含一加熱裝置設置於該載台上方或是周圍，用以加熱該載台上所置放的基板以進行雷射蒸鍍。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW102133097A TWI472635B (zh) | 2013-09-13 | 2013-09-13 | 脈衝雷射蒸鍍系統 |
| US14/158,004 US20150075426A1 (en) | 2013-09-13 | 2014-01-17 | Pulsed laser deposition system |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW102133097A TWI472635B (zh) | 2013-09-13 | 2013-09-13 | 脈衝雷射蒸鍍系統 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TWI472635B true TWI472635B (zh) | 2015-02-11 |
| TW201510253A TW201510253A (zh) | 2015-03-16 |
Family
ID=52666781
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW102133097A TWI472635B (zh) | 2013-09-13 | 2013-09-13 | 脈衝雷射蒸鍍系統 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20150075426A1 (zh) |
| TW (1) | TWI472635B (zh) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10901190B2 (en) * | 2015-06-23 | 2021-01-26 | The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. | Hemispherical star camera |
| TWI582464B (zh) * | 2015-09-22 | 2017-05-11 | 馗鼎奈米科技股份有限公司 | 均勻分光機構 |
| CN106086797B (zh) * | 2016-07-12 | 2018-12-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 氧化铟锡薄膜及其制备方法、含其的阵列基板、显示装置 |
| DE102018127262A1 (de) * | 2018-10-31 | 2020-04-30 | MAX-PLANCK-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V. | Beschichtungsvorrichtung sowie Verfahren zum Beschichten eines Substrats |
Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4970196A (en) * | 1987-01-15 | 1990-11-13 | The Johns Hopkins University | Method and apparatus for the thin film deposition of materials with a high power pulsed laser |
| US5672211A (en) * | 1990-07-03 | 1997-09-30 | Mai; Hermann | Apparatus for depositing a thin layer on a substrate by laser pulse vapor deposition |
| US6475285B2 (en) * | 2000-03-28 | 2002-11-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Deposition apparatus |
| WO2007134300A2 (en) * | 2006-05-12 | 2007-11-22 | Photon Dynamics, Inc. | Deposition repair apparatus and methods |
| TW200904998A (en) * | 2007-02-28 | 2009-02-01 | Ulvac Inc | Deposition source, deposition apparatus, and forming method of organic film |
| TW200907078A (en) * | 2007-03-26 | 2009-02-16 | Ulvac Inc | Deposition source, deposition apparatus, and film forming method |
| TWI313570B (en) * | 2006-05-10 | 2009-08-11 | Toppoly Optoelectronics Corp | Laser evaporation apparatus and method thereof |
| TW201305372A (zh) * | 2011-03-23 | 2013-02-01 | Canon Tokki Corp | 蒸鍍裝置及蒸鍍方法 |
| TWI396758B (zh) * | 2005-08-25 | 2013-05-21 | Canon Tokki Corp | Vacuum evaporation method and device for organic material |
| US20130180960A1 (en) * | 2010-07-15 | 2013-07-18 | Unist Academy-Industry Research Corporation | Pulsed laser deposition apparatus and deposition method using same |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR1587294A (zh) * | 1968-10-29 | 1970-03-13 | ||
| US4065097A (en) * | 1976-05-17 | 1977-12-27 | Airco, Inc. | Slot sealing valve for vacuum coating apparatus |
| JP2579070B2 (ja) * | 1991-03-06 | 1997-02-05 | 日本無線株式会社 | アレイアンテナ及び揺動補償型アンテナ装置 |
| JP3255469B2 (ja) * | 1992-11-30 | 2002-02-12 | 三菱電機株式会社 | レーザ薄膜形成装置 |
| US5490912A (en) * | 1994-05-31 | 1996-02-13 | The Regents Of The University Of California | Apparatus for laser assisted thin film deposition |
| US6552301B2 (en) * | 2000-01-25 | 2003-04-22 | Peter R. Herman | Burst-ultrafast laser machining method |
| US20050034668A1 (en) * | 2001-03-22 | 2005-02-17 | Garvey James F. | Multi-component substances and apparatus for preparation thereof |
| US7863611B2 (en) * | 2004-11-10 | 2011-01-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Integrated circuits utilizing amorphous oxides |
| US20100038658A1 (en) * | 2006-09-11 | 2010-02-18 | Vanderbilt University | Polymer light-emitting diode and fabrication of same by resonant infrared laser vapor deposition |
| JP5057834B2 (ja) * | 2007-04-25 | 2012-10-24 | 株式会社東芝 | ランタノイドアルミネート膜の製造方法 |
| JP4222627B1 (ja) * | 2008-06-25 | 2009-02-12 | 高秋 伊藤 | 映像立体的認識装置 |
| KR20100068617A (ko) * | 2008-12-15 | 2010-06-24 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광소자 |
| US20140227461A1 (en) * | 2013-02-14 | 2014-08-14 | Dillard University | Multiple Beam Pulsed Laser Deposition Of Composite Films |
| US20150030759A1 (en) * | 2013-07-29 | 2015-01-29 | Xiaojun Zhang | Multi-plume pulsed laser deposition system for high-throughput fabrication of diverse materials |
-
2013
- 2013-09-13 TW TW102133097A patent/TWI472635B/zh active
-
2014
- 2014-01-17 US US14/158,004 patent/US20150075426A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4970196A (en) * | 1987-01-15 | 1990-11-13 | The Johns Hopkins University | Method and apparatus for the thin film deposition of materials with a high power pulsed laser |
| US5672211A (en) * | 1990-07-03 | 1997-09-30 | Mai; Hermann | Apparatus for depositing a thin layer on a substrate by laser pulse vapor deposition |
| US6475285B2 (en) * | 2000-03-28 | 2002-11-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Deposition apparatus |
| TWI396758B (zh) * | 2005-08-25 | 2013-05-21 | Canon Tokki Corp | Vacuum evaporation method and device for organic material |
| TWI313570B (en) * | 2006-05-10 | 2009-08-11 | Toppoly Optoelectronics Corp | Laser evaporation apparatus and method thereof |
| WO2007134300A2 (en) * | 2006-05-12 | 2007-11-22 | Photon Dynamics, Inc. | Deposition repair apparatus and methods |
| TW200904998A (en) * | 2007-02-28 | 2009-02-01 | Ulvac Inc | Deposition source, deposition apparatus, and forming method of organic film |
| TW200907078A (en) * | 2007-03-26 | 2009-02-16 | Ulvac Inc | Deposition source, deposition apparatus, and film forming method |
| US20130180960A1 (en) * | 2010-07-15 | 2013-07-18 | Unist Academy-Industry Research Corporation | Pulsed laser deposition apparatus and deposition method using same |
| TW201305372A (zh) * | 2011-03-23 | 2013-02-01 | Canon Tokki Corp | 蒸鍍裝置及蒸鍍方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20150075426A1 (en) | 2015-03-19 |
| TW201510253A (zh) | 2015-03-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI472635B (zh) | 脈衝雷射蒸鍍系統 | |
| US6635554B1 (en) | Systems and methods using sequential lateral solidification for producing single or polycrystalline silicon thin films at low temperatures | |
| KR101167546B1 (ko) | 증착 장치 | |
| US20170137930A1 (en) | Film Formation Apparatus and Method for Forming a Film | |
| US8826856B2 (en) | Optical thin-film vapor deposition apparatus and optical thin-film production method | |
| US10115888B2 (en) | Method for manufacturing crystal film | |
| JP6537324B2 (ja) | 蒸着装置並びに蒸着方法 | |
| US11148230B2 (en) | Method of manufacturing deposition mask | |
| CN109891554A (zh) | 激光照射装置以及半导体器件制造方法 | |
| KR101690804B1 (ko) | 유전체 재료 처리 시스템 및 작동 방법 | |
| CN1989271A (zh) | 成膜装置和成膜方法 | |
| CN1735962A (zh) | 光照射装置 | |
| US20130122687A1 (en) | Laser scribing systems, apparatus, and methods | |
| TW202025254A (zh) | 半導體形成裝置與半導體裝置的形成方法 | |
| CN1265016C (zh) | 成膜方法和成膜装置 | |
| KR20160036911A (ko) | 가스 분위기에서 포토레지스트를 레이저 처리하는 방법 | |
| JP2003096557A (ja) | 有機ｅｌ素子の製造装置および有機ｅｌ素子の製造方法 | |
| JPS58164135A (ja) | 収束イオンビ−ムを用いた半導体加工装置 | |
| JP2022545190A (ja) | 電子デバイス製造用の基板上に堆積させた材料を乾燥させるシステム、装置、および方法 | |
| KR20170099176A (ko) | 경사기능성 무반사 코팅용 펄스 레이저 증착장치 및 이를 이용한 무반사 코팅 증착방법 | |
| JPH0885865A (ja) | レーザ蒸着法による薄膜の作製方法 | |
| JP2011195872A (ja) | マスク洗浄装置及び洗浄方法並びに有機ｅｌ製造装置 | |
| KR100599399B1 (ko) | 펄스파 레이저 증착 장치 | |
| CN110726703A (zh) | 增强钙钛矿CsPbBr3量子点光致发光及荧光寿命的装置和方法 | |
| US20190017163A1 (en) | Evaporation apparatus, evaporation equipment, and evaporation method of display substrate |