TWI471955B - 半導體封裝件及其製法 - Google Patents

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TWI471955B
TWI471955B TW101146817A TW101146817A TWI471955B TW I471955 B TWI471955 B TW I471955B TW 101146817 A TW101146817 A TW 101146817A TW 101146817 A TW101146817 A TW 101146817A TW I471955 B TWI471955 B TW I471955B
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Hung Jen Lee
Shu Ming Chang
Tsang Yu Liu
Yen Shih Ho
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Xintec Inc
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    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B7/00—Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems
    • B81B7/0032—Packages or encapsulation
    • B81B7/007—Interconnections between the MEMS and external electrical signals
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
    • B81C1/00015—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems
    • B81C1/00222—Integrating an electronic processing unit with a micromechanical structure
    • B81C1/0023—Packaging together an electronic processing unit die and a micromechanical structure die
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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    • B81C1/00015—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems
    • B81C1/00261—Processes for packaging MEMS devices
    • B81C1/00301—Connecting electric signal lines from the MEMS device with external electrical signal lines, e.g. through vias

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  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
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Claims (21)

  1. 一種半導體封裝件，係包括：一晶片，係具有第一部份與第二部份，該第二部份係設於該第一部份上，且具有至少一通孔以外露出部分之該第一部份，又該第一部份及/或第二部份具有微機電系統(MEMS)，其中，該晶片之第一部份具有連通該通孔而未貫穿該第一部份之凹處；以及止蝕層，係形成於該第一部份與第二部份之間、及外露於該通孔中的第一部份之表面上。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之半導體封裝件，復包括基板，係設於該第一部份相對設置該第二部份之一側。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之半導體封裝件，其中，該基板表面具有電性連接墊。
  4. 如申請專利範圍第2項所述之半導體封裝件，其中，該晶片之第一部份藉由凸塊設於該基板上，使該第一部份與該基板之間具有間距。
  5. 如申請專利範圍第2項所述之半導體封裝件，其中，該基板係為晶片結構。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之半導體封裝件，其中，該止蝕層係設於該凹處上。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之半導體封裝件，其中，該凹處具有底部及側壁，且該止蝕層係設於該凹處之底部或側壁上。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之半導體封裝件，復包括 設於該通孔上之保護層，使該通孔與該凹處形成密封空間。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之半導體封裝件，復包括封蓋該通孔之保護層。
  10. 一種半導體封裝件之製法，係包括：提供一具有第一部份與第二部份之晶圓，該晶圓具有形成於該第一與第二部份間之止蝕層，其中，該第一部份或/及第二部份具有微機電系統(MEMS)；蝕刻該第二部份以形成至少一通孔，令該止蝕層之部分表面外露出該通孔；移除該通孔中之止蝕層，令該第一部份之部分表面外露出該通孔；移除該通孔中之部分第一部份，以於該第一部份上形成未貫穿該第一部份之凹處，使該凹處具有底部；以及形成保護層於該第二部份上，以封蓋該通孔。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之半導體封裝件之製法，復包括先將該第一部份設於一基板上。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之半導體封裝件之製法，其中，該基板係為晶圓結構。
  13. 如申請專利範圍第11項所述之半導體封裝件之製法，其中，該第一部份藉由凸塊設於該基板上，使該第一部份與該基板之間具有間距。
  14. 如申請專利範圍第11項所述之半導體封裝件之製法， 其中，於該基板上設置該第一部份時，該基板表面上具有電性連接墊，且該第一部份具有位於該電性連接墊上方之覆蓋部。
  15. 如申請專利範圍第14項所述之半導體封裝件之製法，復包括移除該覆蓋部及其上之止蝕層與第二部份，以外露出該電性連接墊。
  16. 如申請專利範圍第14項所述之半導體封裝件之製法，其中，該第一部份之設於該基板上之一側具有位於該覆蓋部上之缺口。
  17. 如申請專利範圍第10項所述之半導體封裝件之製法，復包括：於形成該保護層後，該通孔與該凹處形成密封空間。
  18. 如申請專利範圍第10項所述之半導體封裝件之製法，其中，該凹處具有底部及側壁，且該止蝕層形成於該凹處之底部及側壁上，又該第二部份具有凸處，該凸處位於該凹處中，且該通孔位置係對應於該凸處。
  19. 如申請專利範圍第18項所述之半導體封裝件之製法，復包括於形成該保護層後，令該通孔與該凹處形成密封空間。
  20. 如申請專利範圍第18項所述之半導體封裝件之製法，復包括當形成該保護層前，移除該凹處中之止蝕層。
  21. 如申請專利範圍第19項所述之半導體封裝件之製法，其中，移除該凹處中之止蝕層後，於該凹處之底部或側壁上具有該止蝕層。
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