TWI471917B - 用於基板處理腔室的冷卻遮蔽件 - Google Patents

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Description

用於基板處理腔室的冷卻遮蔽件 【交互參照文獻】
本申請案是與Pavloff等人於2009年1月29日申請、名稱為「用於基板處理腔室的處理套件(PROCESS KIT FOR SUBSTRATE PROCESSING CHAMBER)」且同在申請中的正式申請案序號11/668461有關。
本發明的實施例是有關於一種用於基板處理腔室中的遮蔽件。
在積體電路及顯示器的製程中，諸如半導體晶圓或顯示面板等基板會放置在處理腔室中，並且設定腔室內的處理條件以在基板上沉積或蝕刻材料。典型的處理腔是包含多種腔室部件，包括用以圈出處理區域的圈圍室壁、提供製程器體至腔室中的氣體供應器、激發製程氣體以處理基板的氣體激發器(energizer)、用以排放及移除用畢氣體且維持腔內壓力的氣體出口，以及一用以支撐基板的基板支撐件。此類腔室可包括例如濺射或物理氣相沉積室(PVD)、化學氣相沉積室(CVD)及蝕刻室。
在PVD腔室中，靶材受到濺射而造成濺射出的靶材材料沉積在位於靶材對面處的基板上。在濺射製程中，供應一含有惰性氣體與反應性氣體的製程氣體至腔室中。激發 製程氣體以形成能量化離子來轟擊靶材，而將材料從靶材上濺擊出來並且沉積在基板上而形成薄膜。在這些濺射製程中，從靶材濺射出來的材料會順著該些用來接收濺射材料的遮蔽件或內襯再次沉積，以保護與避免材料沉積在腔室側壁與其他腔室部件的表面上。然而，並不希望在遮蔽件或內襯上累積與結集再沉積材料，因為此類累積沉積物可能脫落與剝離，而掉落至腔室中而污染腔室與腔室部件。為了避免此種後果，該些遮蔽件和內襯在少數個製程循環後就要拆卸下來加以清洗，也因為這些必要的勞動而使得製程非常沒有效率且花費較高。
由於在遮蔽件多個部件之間以及在遮蔽件與接合件之間的界面處具有高熱阻性(thermal resistance)，因此可能因為遮蔽件的熱傳導性不佳而造成累積沉積物的顆粒剝離與掉落。現行的遮蔽件與內襯僅提供小幅的溫度控制，且遮蔽件又會因為暴露在電漿中而隨著遮蔽件的循環溫度負載經歷大幅溫度震盪，使得顆粒從遮蔽件與內襯上脫離且剝落下來。大幅的溫度震盪會造成遮蔽件膨脹與收縮，從而在遮蔽件的結構中產生熱應力。由於遮蔽件或內襯與其上方沉積材料(例如高應力膜層)之間的熱膨脹係數並不相同，因此待完成製程循環之後，形成在遮蔽件與內襯上的濺射材料可能會剝落或碎裂。
因此，需要一種能夠減少遮蔽件表面上累積沉積物之剝落情形的遮蔽件。更期望能夠提高遮蔽件與內襯的熱傳導性，以控制基板處理過程中的遮蔽件與內襯溫度，從而 減少遮蔽件與內襯表面上的顆粒剝落情形。還期望一種遮蔽件與內襯，其具有能接受與承受非常大量的累積沉積物又能夠提高這些沉積物對遮蔽件與內襯的附著力。更期望具有一種具有少數個零件或部件的遮蔽件或內襯，並且部件的造型與部件之間的彼此配置關係能夠減少處理腔室內表面上之濺射沉積量。
本發明提供一種用以在基板處理腔室中環繞一濺射靶材的上遮蔽件，其中該濺射靶材具有一傾斜邊緣。該上遮蔽件具有：(a)一頂環，該頂環包含一徑向內凸塊，且該凸塊具有一拱形表面用以環繞該濺射靶材的該傾斜周長邊緣；(b)一支撐支架，其位於頂環下方，該支撐支架徑向向外延伸；以及(c)一圓筒狀箍(cylindrical band)，其從該支撐支架向下延伸出。該圓筒狀箍具有：(1)一徑向內表面，其具有一傾斜平面以及一實質垂直平面；以及(2)一徑向外表面，其具有多個階梯。
本發明提供一種用以在基板處理腔室中設置在一上遮蔽件及一基板支撐件周圍的下遮蔽件，並且該基板支撐件具有一周長邊緣(peripheral edge)。該下遮蔽件具有一環形箍以及一內凸唇部，其中該環形箍向下延伸出一曲形接合部；以及該內凸唇部係從該曲形接合部水平地延伸出；該內凸唇部包含一徑向內邊緣，且該徑向內邊緣至少部分地環繞著該基板支撐件的該周長邊緣。
本發明提供一種用以設置在一濺射靶材周圍的遮蔽 件支撐組件。該遮蔽件支撐組件具有一上遮蔽件、一用以支撐該遮蔽件的接合件以及多個螺釘。該上遮蔽件包含一頂環、一支撐支架與一圓筒狀箍；其中該頂環具有一內表面，該內表面環繞著該濺射靶材的一濺射表面；該支撐支架位於該頂環下方，且該支撐支架徑向向外延伸並包含多個突出物，每個突出物具有半圓形造型；以及該圓筒狀箍從該支撐支架向下延伸。該接合件具有一或多個切口，該等切口的形狀與尺寸塑造成用以接收該多個突出物的其中一個或多個，以使該遮蔽件對準該接合件。該多個螺釘係用以將該上遮蔽件固定至該接合件，從而提高該上遮蔽件與該接合件之間的傳導性。
本發明提供一種下遮蔽件，其用以設置在一上遮蔽件與一基板處理腔室的側壁之間，且該下遮蔽件環繞著具有一周長邊緣的基板支撐件。該下遮蔽件具有：(a)一環形箍，且該環形箍具有一末端；(b)一內凸唇部，其從該環形箍的該末端徑向向內延伸出；以及(c)一徑向內邊緣，其從該內凸唇部延伸出，而至少部分環繞該基板支撐件的該周長邊緣。
本發明提供一種用以在基板處理腔室中設置在一上遮蔽件及一基板支撐件周圍的下遮蔽件，並且該基板支撐件具有一周長邊緣。該下遮蔽件具有一向下延伸的環形箍以及一內凸唇部，該內凸唇部從該環形箍水平延伸出，並且該內凸唇部包含一徑向內邊緣，該徑向內邊緣至少部分地環繞著該基板支撐件的周長邊緣。
本發明提供一種用以在基板處理腔室中設置在一基板支撐件與一沉積環周圍的蓋環。該蓋環具有：(a)一楔子，(b)從該楔子向下延伸出的多個外腳及內腳，以及(c)一停靠在該沉積環上以支撐該蓋環的基腳(footing)。該楔子包括(i)一頂面，其延伸環繞著該基板支撐件，以及(ii)一位在該沉積環上的凸緣。
可用來處理基板104之處理腔室100的適當範例顯示於第1A圖中。腔室100包含多個圈圍室壁106，該些室壁圈圍出一處理區域108。該等室壁106包含多個側壁116、一底壁120以及一頂壁124。該腔室100可以是具有藉由一基板傳送機構(例如機械手臂)而互相連接多個腔室之多個多腔室平台的其中一部分，而該基板傳送機構可在該等腔室100之間傳送基板104。在圖中所示的態樣中，處理腔室100包含一濺射沉積腔室，也就是所謂的物理氣相沉積或PVD腔室，其能將諸如鋁、銅、鉭、鈦及鎢等一或多種材料濺射沉積在基板104上。
腔室100包含一基板支撐件130，該基板支撐件130包含一基座134以支撐基板104。基座134具有一基板接收表面138，該基板接收表面138具有一實質平行於上方濺射靶材140之濺射表面139的水平平面。基座134的基板接收表面138可在處理過程中接收且支撐著基板104。基座134可能包含一靜電夾盤或一加熱器，例如電阻式加 熱器或熱交換器。操作時，透過位在腔室100之側壁116中的基板裝載入口142將基板104引進腔室100內，並且放置在基板支撐件130的接收表面138上。利用支撐件升降波紋管來升高或降低該支撐件130，並且將基板104放置在基板支撐件130上的過程中，可使用一升降手指組件在該支撐件130上升高或降低該基板104。在電漿操作過程中，基座134可能保持一電性浮動電位或是接地。
腔室100包含一處理套組200，其用以設置在濺射靶材140以及基板支撐件130的周圍。處理套組200包含多個不同部件(components)並且可輕易地從腔室100上拆卸下來，以進行諸如從部件表面上清除濺射沉積物、更換或維修受到腐蝕的部件，以及調整腔室100以進行其他製程等動作。在一態樣中，處理套組200包含上遮蔽件201a、下遮蔽件201b以及一環組件202，用以設置在該基板支撐件130之周長壁204的周圍，當基板104放置在基板支撐件130的接收表面138時，基板104的懸伸邊緣206超出基板支撐件130。環組件202包含一沉積環208與一蓋環212。沉積環208與蓋環212彼此合作，以減少形成在該支撐件130之周長壁204與基板104之懸伸邊緣206上的濺射沉積物。
參閱第1A、1B、2A與2B圖，上遮蔽件201a的直徑尺寸可環繞住面對著基板支撐件130之濺射靶材140的濺射表面139，環繞基板支撐件130的外周長，並且遮擋住腔室100的側壁116。上遮蔽件201a可用來減少來自濺射 靶材140之濺射表面139的濺射沉積物在支撐件130的表面、基板104的懸伸邊緣206以及腔室100的側壁116及底壁120上的沉積作用。
上遮蔽件201a包含一頂環216，該頂環216具有一徑向內凸塊217。凸塊217具有一拱形表面，該拱形表面塑造成可以環繞該濺射靶材140的傾斜周長邊緣。藉著使用頂環216的凸塊217為非所欲濺射沉積物創造出更小的區域，使介於頂環216與濺射靶材140之間的間隔縮小或減至最小。此外，頂環216之向內凸塊217的拱形表面讓濺射沉積物難以附著。向內凸塊217的拱形表面包含下部份，該下部份是以徑向向外的方向傾斜的傾斜表面，並且在徑向上相對於位在頂環216下方的支撐支架226的頂面228a，使得該下部份凹陷遠離濺射靶材的周長邊緣，以致該下部份位在離靶材之濺射表面更遠處。
參閱第1B與3圖，支撐支架(support ledge)226位於頂環216的正下方。支撐支架226徑向向外地朝向腔室100的側壁116延伸出。支撐支架226包含頂面與底面228a、228b。頂面228a具有多個切口(cutouts)230，且每個切口230都具有半圓形的形狀。在一態樣中，支撐支架226具有三個切口230。支撐支架226的底表面228b包含多個突出物(protrusions)231用以使上遮蔽件201a對準一環狀接合件(adapter)232，該環狀接合件232支撐著上遮蔽件201a。每個突出物231具有半圓形造型，並且在一態樣中，支撐支架226具有三個突出物231。位在支撐支架226之 頂面228a上的多個切口230位於該支撐支架226之底面228b上之多個突出物231的上方且與其垂直對齊，而可用以使該等突出物231與該接合件232上的相似切口對準。支撐支架226之底表面228b上的該等突出物231可用以將上遮蔽件201a精確地對準至該接合件232上。此對準動作有助於嚴密控制靶材140與上遮蔽件201a之間的間隔(spacing)，而可將電弧與次級電漿的發生率降至最少，並且可使每次更換處理套組200以及與腔室匹配之間都維持固定電壓。利用多個螺釘將上遮蔽件201a的支撐支架226鎖固至接合件232。在一態樣中，多個螺釘是12個螺釘。將上遮蔽件201a鎖固至環狀接合件232可提供上遮蔽件201a的溫度控制。
從上遮蔽件201a之頂環216向下延伸出來的是圓筒狀箍(cylindrical band)214，其具有一徑向內表面219以及一徑向外表面220。圓筒狀箍214的徑向內表面219具有一傾斜平面221a以及一實質垂直平面221b。在一態樣中，相對於該圓筒狀箍214的實質垂直平面221b而言，傾斜平面221a的角度約為7度至14度。該圓筒狀箍214之徑向內表面219所具有的內傾斜平面221a係位在該實質垂直平面221b的上方，以例如可為該些從頂環216以及從靶材140之邊緣剝落下來之濺射沉積物提供一個可供其附著的表面。如此可有效地將基板104(特別是邊緣周圍)的污染減至最少。
圓筒狀箍214的徑向外表面220包含多個階梯 (steps)223。並且藉由傾斜平面224使該些階梯223彼此連接。圓筒狀箍214上的最下方階梯223從該傾斜平面224向下延伸出且其結束末端呈圓滑邊緣225。在一態樣中，圓筒狀箍214具有三個階梯223a、b、c。在一態樣中，圓筒狀箍214之第三階梯223c的厚度小於第一及第二階梯223a、b的厚度。在一態樣中，第三階梯223c的厚度約為0.05英吋至約0.3英吋。
頂環216、支撐支架226以及圓筒狀箍214形成單件式結構。例如，整個上遮蔽件201a可由導電材料所製成，例如用不鏽鋼300系列，或在一態樣中，則使用鋁。習知的上遮蔽件經常是由兩個獨立部分拼湊而成，當欲移除遮蔽件以進行清洗時，比起移除由多零件所構成的遮蔽件來說，移除單個上遮蔽件201a較不困難也較不吃力，因此一體成形(unitary)的上遮蔽件201a優於習知含有多個零件的上遮蔽件。再者，單件式的遮蔽件201a具有可暴露至濺射沉積物中的連續表面，而沒有難以清洗的轉角或界面；由於界面可能成為顆粒產生來源，因此界面是不受歡迎的。此外，不論是在維修期間加熱，還是在處理期間電將加熱該上遮蔽件201a時所進行的冷卻動作，單件式上遮蔽件201a比起多零件式遮蔽件而言可得到更加均勻的熱均勻性。單件式上遮蔽件201a還可遮擋住室壁106，以在製程循環中，能避免室壁受到濺射沉積。
在一態樣中，可使用雙絲電弧噴塗鋁來處理該上遮蔽件201a的表面，例如使用購自美國加州聖喀拉拉市應用材 料公司的CleanCoatTM 商品來進行噴塗。將CleanCoatTM 施用至基板處理腔是部件上，例如上遮蔽件201a，以減少從上遮蔽件201a上剝落下來的顆粒，從而避免腔室100內部受到污染。在一態樣中，塗覆在上遮蔽件201a上的雙絲電弧噴塗鋁塗層具有約600微英吋至2600微英吋的平均表面粗糙度。
上遮蔽件201a具有多個露出表面240，該些表面240面對著腔室100內之電漿區域108的中心。可選地，該些露出表面可經過噴珠研磨處理(bead blasted)，使其具有介於約200微英吋至約300微英吋之間的表面粗糙度。經過噴珠處理的表面有助於雙絲電弧噴塗鋁塗層附著到上遮蔽件201a的表面上，並且亦可用來減少掉落顆粒以及避免污染腔室100內部。
下遮蔽件201b設置在上遮蔽件201a之圓筒狀箍214的外表面220周圍，並且遮蔽住腔室100的側壁116。在一態樣中，下遮蔽件201b環繞著該上遮蔽件201a之圓筒狀箍至少一部分的外表面220。下遮蔽件201b可減少來自濺射靶材140之濺射表面139以及上遮蔽件201a的濺射沉積物沉積到支撐件130、基板104的懸伸邊緣206、腔室100的側壁116和底壁120的表面上。下遮蔽件201b包含一環形箍242，其向下延伸出一曲形接合部(curved joint)246。曲形接合部246水平延伸出一內凸唇部(inwardly projecting lip)249。內凸唇部249包含一徑向內邊緣252，該徑向內邊緣252至少部分環繞著該基板支撐 件130的周長邊緣204。在一態樣中，內凸唇部249向下傾斜。該內凸唇部249向下傾斜可讓從該表面落下的濺射沉積物能收集在唇部249與徑向內邊緣252相接的圓形角落中。此類區域是有益的，因為電漿難以激起此區域中的沉積物將其再沉積到基板104上。
沉積環208包含環形箍210，如第1A圖所示，環形箍210延伸且環繞著支撐件130的周長壁204。環形箍210包含一內唇部211，內唇部211從該環形箍210橫向地延伸出且實質平行於支撐件130的周長壁204。內唇部211止於基板104之懸伸邊緣206的正下方。內唇部211界定出沉積環208的內周長，且其環繞著基板104的周長與基板支撐件130，以在處理過程中保護支撐件130未被基板104覆蓋住區域。例如，內唇部211環繞且至少部分覆蓋住支撐件130的周長壁204(否則周長壁204將會暴露在製程環境中)，以減少或完全避免濺射沉積物沉基在周長壁204上。
沉積環208的環形箍210具有一拱形突出物265，其沿著環形箍210的中心部分延伸，並且在該拱形突出物265的每側上徑向向內下降。一開放內側通道位在內唇部211與拱形突出物265之間。開放內側通道徑向地向內延伸且當其至少部分位在該基板104之懸伸邊緣206的下方處終止。當清洗沉積環208時，開放內側通道有助於移除從該些部位上移除濺射沉積物。沉積環208還具有一支架(ledge)282，其向外延伸並且位在該拱形突出物265的徑向外側。 支架282用以支撐該蓋環212。
可利用模塑與機械加工一陶瓷材料(例如氧化鋁)來製造沉積環208。利用諸如均壓成型法(isostatic pressing)等傳統技術來模鑄與燒結陶瓷材料，隨後利用適當的機械加工方法來加工該已模鑄成形且燒結後的陶瓷材料以達成所要求的形狀與尺寸規格。沉積環208的環形箍210可能包含一露出表面，並且使用一適當噴沙尺寸來噴砂研磨該露出表面以達成預定的表面粗糙度。選用性地，可對該沉積環208表面施以雙絲電弧噴塗鋁塗層的處理，例如在該表面上施加CleanCoatTM ，以減少掉落顆粒和腔室100內部污染。
環組件202的蓋環212用以設置在基板支撐件的周圍，以及環繞且至少部分地覆蓋住沉積環208，以接收濺射沉積物，從而遮蔽住沉積環208使其免於受到大量濺射沉積物沉積。使用能夠抵抗濺射電漿腐蝕的材料來製造蓋環212，例如金屬材料，如不鏽鋼、鈦或鋁，或是諸如氧化鋁等陶瓷材料。選用性地，亦可使用雙絲電弧噴塗鋁塗層(例如CleanCoatTM )來處理該蓋環212的表面。
蓋環212包含一下表面(undersurface)，該下表面位於沉積環208的支架282上方、並與該沉積環208的支架282間隔開來，且至少部分地覆蓋住沉積環208的支架282以定義出一窄間隙，該窄間隙阻礙電漿物種通過。該窄間隙的狹窄流動路徑將低能量濺射沉積物的累積限制在沉積環208與蓋環212的匹配表面(mating surfaces)，否則沉積物 將會讓沉積環208與蓋環212彼此相黏，或是黏著到基板104的周圍懸伸邊緣206。
如第1A圖所示，蓋環212包含一楔子(wedge)300，楔子300包含一頂面302與一基腳(footing)306，該頂面302環繞著基板支撐件130，以及該基腳306停靠在沉積環208的支架282上用以支撐蓋環212。基腳306從該楔子300向下延伸出，以在實質上不使沉積環208破損或裂開的情況下壓緊沉積環208。蓋環212的頂面可做為一邊界，用以將電漿維持在介於靶材140與支撐件130之間的處理區域108內、接收大部分的濺射沉積物，以及遮擋住沉積環208。
楔子300向內延伸出一凸緣(projecting brim)308中，其位在該介於蓋環212與沉積環208之間的窄間隙上。凸緣308向外延伸且隨後向下延伸出一外腳(outer leg)309，並且外腳309的末端呈圓底(rounded bottom)310。蓋環212還具有一內腳305，其從該環形楔子300向下延伸而出。內腳305位在該楔子300之基腳306的徑向外側處。內腳305的高度小於外腳309的高度。內腳305具有一傾斜內表面，該傾斜內表面與沉積環208的側邊相接而形成另一個迴旋路徑，以阻礙電漿物種行進以及光熱釋放到周圍區域。
在腔室100內處理基板104的期間，濺射靶材140設置成面對著基板104。濺射靶材140包含一濺射板330，該濺射板330安裝至一背板333。濺射板330包含一金屬材 料，例如，鋁、銅、鎢、鈦、鈷、鎳與鉭之其中一或多種欲濺射至基板104上的金屬。濺射板330包含一中央圓柱形平台(central cylindrical mesa)335，其具有一濺射表面139，該濺射表面139的平面與該基板104的平面平行。環狀傾斜邊緣(annular inclined rim)337環繞著圓柱形平台335。在腔室100中，該環狀傾斜邊緣337鄰近上遮蔽件201之圓筒狀箍214的頂環216，並且介於兩者之間的區域形成一迴旋間隙270，該迴旋間隙270包含一暗空間區域(dark space region)。此輪廓的作用如同可阻擋濺射電漿物種通過間隙270的迷宮般，因此可減少濺射沉積物累積在周圍靶材區域的表面上。
背板333係由金屬製成，例如不鏽鋼、鋁和銅合金，如鉻銅(CuCr)、鋅銅(CuZn)以及矽鎳銅(CuNiSi)。背板333具有一背表面334及一支撐表面350，該背表面334中可選擇具有一或多條溝槽，該支撐表面350則用以支撐濺射板330。圓周支架352延伸超出濺射板330的半徑。圓周支架352包含一外基腳354，該外基腳354停靠在腔室100內部的一絕緣體(isolator)360上。絕緣體360典型由介電材料或絕緣材料所製成，其將背板333與腔室100電性絕緣且分隔開來，且典型通常是由陶瓷材料(例如氧化鋁)製造的環。圓周支架352包含一O形環槽362，並將一O形環364放置在該槽中以形成真空密封。靶材140的圓周支架352可塗覆一層保護塗層，例如雙絲電弧噴塗鋁塗層，如CleanCoatTM 。可利用諸如擴散接合法(diffusion bonding)，例如將兩個板330、333相疊，然後加熱該些板330及333至一適當溫度，通常至少約200℃，而將濺射板330安裝至背板333上。選用性地，濺射靶材140可能是包含由相同材料構成且總厚度約0.5至約1.3英吋之濺射板與背板的單一結構。
濺射過程中，使用一電源(未示出)對靶材140、支撐件130以及上遮蔽件施以相對的電性偏壓。靶材140、上遮蔽件201a、支撐件130以及其他連接至靶材功率電源的腔室部件一起運作而做為氣體激發器(gas energizer)370來激發濺射氣體，以形成濺射氣體的電漿。氣體激發器370含可包含一源線圈(source coil)，並透過該線圈來施加電流以供電。富含能量的電漿射向靶材140的濺射表面139且轟擊之，以將表面139的材料濺射到基板104上。
氣體輸送系統372從氣體供應器374經由多個具有氣體流量控制閥(例如質量流量控制器)的導管，使一設定流速的氣體通過該些導管而將濺射氣體引入腔室100中。該些氣體饋入一混合歧管(未示出)中進行混合，以形成一所欲的製程氣體組合，然後饋入一在腔室100中具有多個氣體出口的氣體分配器377中，以將氣體分配至腔室100內。製程氣體可能包含一非反應性氣體，例如氬氣或氙氣，其能夠能量撞擊靶材140並且將材料從靶材上濺射出來。製程氣體還可能包含一反應性氣體，例如一或多種含氧氣體與含氮氣體，其能夠與濺射材料反應而在基板104上形成一膜層。用畢的製程氣體與副產物可透過出口380排出 腔室100，該出口380包含一出口埠382，用以接收用畢氣體並讓用畢氣體通過而流到一具有節流閥的排出導管，以控制腔室100內部的氣體壓力。排出導管可連接到一或多個排氣幫浦。典型地，腔室100內的濺射氣體壓力設定成低於大氣壓，例如真空環境，如介於1毫托(mTorr)至400毫托的氣體壓力。
可利用控制器400來控制腔室100，該控制器400包括一程式編碼，該程式編碼中含有多組用來操作腔室100多個部件的指令，以在腔室100中處理基板104。例如，控制器400的程式編碼可包含：用以操作基板支撐件130和基板傳送機構的基板定位指令組；用以操作氣體流量控制閥以設定輸送到腔室100之濺射氣體流量的氣體流量控制指令組；用以操作排氣節流閥以維持腔室100內部壓力的氣體壓力控制指令組；用以操作氣體激發器370以設定氣體激發功率的激發器控制指令組；用以控制支撐件130或室壁116中之溫度控制系統以設定腔室100內部各種部件溫度的溫度控制指令組；以及，用以監控腔室100中之製程的製程監控指令組。
處理套組200的多個部件，例如上下遮蔽件201a、b可大幅提高製程循環次數，以及大幅提高在無需移出處理套件200進行清洗前該處理套組200在腔室100中的使用時間。其可藉著溫度與表面光滑度來提高濺射沉積物對於處理套組200之部件的附著力來達成之。由於處理套組200的多個部件會因為受到快速加熱及冷卻而膨脹與收縮，造 成濺射沉積物的顆粒剝離或掉落而污染基板，因此處理套組200的多個部件係設計用來提高與控制熱傳導性。
以上已參考主要較佳實施例來說明本發明，但仍可能具有其他的實施態樣。例如，該領域中熟悉此項技術者應能了解到處理套組200的上下遮蔽件201a、b可用於其他類型的應用用途與腔室中。因此，後附申請專利範圍的精神與涵蓋範圍不應僅限制於本文中對於較佳實施例的敘述內容。
100‧‧‧腔室
104‧‧‧基板
106‧‧‧室壁
108‧‧‧處理區
116‧‧‧側壁
120‧‧‧底壁
124‧‧‧頂壁
130‧‧‧基板支撐件
134‧‧‧基座
138‧‧‧基板接收表面
139‧‧‧濺射表面
140‧‧‧靶材
142‧‧‧入口
200‧‧‧處理套組
201a‧‧‧上遮蔽件
201b‧‧‧下遮蔽件
202‧‧‧環組件
204‧‧‧支撐件周長壁
206‧‧‧基板懸伸邊緣
210‧‧‧環形箍
211‧‧‧內唇部
212‧‧‧蓋環
214‧‧‧圓筒狀箍
216‧‧‧頂環
217‧‧‧徑向內凸塊
219‧‧‧徑向內表面
220‧‧‧徑向外表面
221a‧‧‧傾斜平面
221b‧‧‧垂直平面
224‧‧‧傾斜面
226‧‧‧支撐支架
228a‧‧‧支撐支架頂面
228b‧‧‧支撐支架底面
232‧‧‧環狀接合件
242‧‧‧環形箍
246‧‧‧曲形接合部
249‧‧‧內凸唇部
265‧‧‧半圓形突出物
282‧‧‧沉積環支架
300‧‧‧楔子
305‧‧‧內腳
306‧‧‧基腳
308‧‧‧凸緣
309‧‧‧外腳
310‧‧‧外腳圓底
330‧‧‧濺射板
333‧‧‧背板
334‧‧‧背表面
335‧‧‧圓柱形平台
337‧‧‧環狀傾斜邊緣
350‧‧‧支撐表面
352‧‧‧圓周支架
354‧‧‧外基腳
360‧‧‧絕緣體
362‧‧‧O形環槽
364‧‧‧O形環
370‧‧‧氣體激發器
372‧‧‧氣體輸送系統
374‧‧‧氣體供應器
377‧‧‧氣體分配器
380‧‧‧出口
382‧‧‧出口埠
400‧‧‧控制器
本發明的上述特徵、態樣與優點將可參閱上述說明內容、申請專利範圍以及繪示出本發明多個範例的附圖而更加清楚明白。然而，需了解的是，每個特徵都可用於整體本發明中，而不是僅限於特定圖式內容。本發明包含該些特徵的任意組合。附圖如下：第1A圖是一基板處理腔室的側剖面示意圖，其顯示出多個處理套組部件與靶材；第1B圖是上遮蔽件實施例的側剖面圖；第2A圖是上遮蔽件的簡化上視圖；第2B圖是上遮蔽件之實施例的等視角圖；以及第3圖是上遮蔽件之上部分的剖面圖，其連接至一接合件。
100‧‧‧腔室
104‧‧‧基板
106‧‧‧室壁
108‧‧‧處理區
116‧‧‧側壁
120‧‧‧底壁
124‧‧‧頂壁
130‧‧‧基板支撐件
134‧‧‧基座
138‧‧‧基板接收表面
139‧‧‧濺射表面
140‧‧‧靶材
142‧‧‧入口
200‧‧‧處理套組
201a‧‧‧上遮蔽件
201b‧‧‧下遮蔽件
202‧‧‧環組件
204‧‧‧支撐件周長壁
206‧‧‧基板懸伸邊緣
210‧‧‧環形箍
211‧‧‧內唇部
228b‧‧‧支撐支架底面
232‧‧‧環狀接合件
242‧‧‧環形箍
246‧‧‧曲形接合部
249‧‧‧內凸唇部
265‧‧‧半圓形突出物
282‧‧‧沉積環支架
300‧‧‧楔子
305‧‧‧內腳
306‧‧‧基腳
308‧‧‧凸緣
309‧‧‧外腳
310‧‧‧外腳圓底
330‧‧‧濺射板
333‧‧‧背板
334‧‧‧背表面
335‧‧‧圓柱形平台
337‧‧‧環狀傾斜邊緣
350‧‧‧支撐表面
352‧‧‧圓周支架
354‧‧‧外基腳
212‧‧‧蓋環
214‧‧‧圓筒狀箍
216‧‧‧頂環
217‧‧‧徑向內凸塊
219‧‧‧徑向內表面
220‧‧‧徑向外表面
221a‧‧‧傾斜平面
221b‧‧‧垂直平面
224‧‧‧傾斜面
226‧‧‧支撐支架
228a‧‧‧支撐支架頂面
360‧‧‧絕緣體
362‧‧‧O形環槽
364‧‧‧O形環
370‧‧‧氣體激發器
372‧‧‧氣體輸送系統
374‧‧‧氣體供應器
377‧‧‧氣體分配器
380‧‧‧排出
382‧‧‧出口埠
400‧‧‧控制器

Claims (20)

  1. 一種用以在一基板處理腔室中環繞一濺射靶材的上遮蔽件，該濺射靶材具有一傾斜周長邊緣，該上遮蔽件包含：(a)一頂環，其包含一徑向內凸塊，該凸塊具有一拱形表面用以環繞該濺射靶材的該傾斜周長邊緣；(b)一支撐支架，其位於頂環下方，該支撐支架徑向向外延伸；以及(c)一圓筒狀箍，其從該支撐支架向下延伸，並且該圓筒狀箍包括：(1)一徑向內表面，其具有一傾斜平面以及一實質垂直平面；以及(2)一徑向外表面，其具有多個階梯。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之上遮蔽件，其中該圓筒狀箍包含一或多個下列特性：(i)一傾斜平面，且相對於該實質垂直平面而言，該傾斜平面具有約從7度至約14度的角度；(ii)一徑向外表面，其具有藉著該傾斜平面而結合的第一、第二與第三階梯；(iii)一徑向外表面，其具有從該傾斜平面向下延伸並且終止於一圓形邊緣的一階梯；以及(iv)一具有第一、第二與第三階梯的徑向外表面，其中該第三階梯的厚度小於該第一與該第二階梯的厚度。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之上遮蔽件，其中該支撐支架包含一或多個下列特性：(i)一底面，其具有多個半圓形突出物，以使該遮蔽件對準一接合件；以及(ii)一頂面，其具有多個半圓形切口。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之上遮蔽件，其中該頂環、支撐支架與圓筒狀箍是一由鋁所構成的單一結構。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之上遮蔽件，其中該遮蔽件的一表面包含一或多個下列特性：(i)一雙絲電弧噴塗鋁塗層；以及(ii)一平均表面粗糙度約600至2600微英吋的鋁塗層。
  6. 一種用以在基板處理腔室中設置於一濺射靶材及一基板支撐件周圍的處理套組，該處理套組包括：(a)申請專利範圍第1項所述的上遮蔽件，以環繞該濺射靶材；(b)一下遮蔽件，用以設置在申請專利範圍第1項所述之上遮蔽件的周圍；以及(c)一環組件，其包括：(1)一蓋環，用以設置在該基板支撐件周圍；以及 (2)一沉積環，其支撐該蓋環。
  7. 一種用以在基板處理腔室中設置在一上遮蔽件及一基板支撐件周圍的下遮蔽件，該基板支撐件具有一周長邊緣，該下遮蔽件包括：一環形箍，其向下延伸出一曲形接合部；以及一內凸唇部，其從該曲形接合部水平地延伸出，該內凸唇部包含一徑向內邊緣，且該徑向內邊緣至少部分地環繞著該基板支撐件的該周長邊緣。
  8. 一種遮蔽件支撐組件，其用以設置在一濺射靶材周圍，該遮蔽件支撐組件包括：(a)一上遮蔽件，其包含：(1)一頂環，該頂環包含一內表面，該內表面環繞著該濺射靶材的一濺射表面；(2)一支撐支架，其位於該頂環下方，該支撐支架徑向向外延伸且包含多個突出物，且每個突出物具有半圓形造型；以及(3)一圓筒狀箍，其從該支撐支架向下延伸；(b)一接合件，其用以支撐該遮蔽件，該接合件具有一或多個切口，該等切口的形狀與尺寸塑造成用以接收一或多個該等突出物，以使該遮蔽件對準該接合件；以及(c)多個螺釘，用以將該上遮蔽件固定至該接合件，從而提高該上遮蔽件與該接合件之間的傳導性。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之組件，其中該頂環、支撐支架與圓柱狀箍形成一由鋁所構成的單一結構。
  10. 一種基板處理腔室，包括：(a)一基板支撐件，其包含用以接收一基板的一接收表面；(b)申請專利範圍第8項的遮蔽件支撐組件，用以設置在該基板支撐件周圍；(c)一下遮蔽件，用以設置在該上遮蔽件周圍；(d)一氣體分配器，以分配一製程氣體到該腔室中；(e)一氣體激發器，用以激發該製程氣體；以及(f)一氣體出口，用以排出該製程氣體。
  11. 一種下遮蔽件，用以設置在一上遮蔽件與一基板處理腔室的側壁之間，且環繞著一具有一周長邊緣的基板支撐件，該下遮蔽件包括：(a)一環形箍，其具有一末端；(b)一內凸唇部，其從該環形箍的該末端徑向向內延伸；以及(c)一徑向內邊緣，其從該內凸唇部延伸出，而至少部分環繞該基板支撐件的該周長邊緣。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之遮蔽件，其包括一或多 個下列特性：(i)該內凸唇部從該環形箍的該末端水平延伸出；(ii)該內凸唇部從該環形箍的該末端向下傾斜；(iii)其在該環形箍的該末端和該內凸唇部之間具有一曲形接合部；以及(iv)該內凸唇部和該徑向內邊緣在一圓角處相接。
  13. 如申請專利範圍第11項所述之遮蔽件，其中該上遮蔽件包含一外表面，且至少一部分的該環形箍環繞住至少一部分的該上遮蔽件外表面。
  14. 如申請專利範圍第11項所述之遮蔽件，其中該遮蔽件的一表面包含一雙絲電弧噴塗鋁塗層，且該雙絲電弧噴塗鋁塗層的平均表面粗糙度約600至約2600微英吋。
  15. 一種用以在基板處理腔室中設置於一濺射靶材及一基板支撐件周圍的處理套組，該處理套組包括：(a)一申請專利範圍第11項所述的下遮蔽件，用以環繞該濺射靶材；(b)一上遮蔽件，用以設置在該下遮蔽件周圍；以及(c)一環組件，包括：(1)一蓋環，用以設置在該基板支撐件的周圍；(2)一沉積環，其支撐該蓋環。
  16. 一種用以在基板處理腔室中設置於一上遮蔽件及一基板支撐件周圍的下遮蔽件，該基板支撐件具有一周長邊緣，該下遮蔽件包括：(a)一向下延伸的環形箍；以及(b)一內凸唇部，其從該環形箍水平延伸出，且該內凸唇部包含一徑向內邊緣，該徑向內邊緣至少部分地環繞住該基板支撐件的該周長邊緣。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之遮蔽件，其在該環形箍與該內凸唇部之間具有一曲形接合部。
  18. 一種用以在基板處理腔室中設置在一基板支撐件與一沉積環周圍的蓋環，該蓋環包括：(a)一楔子，該楔子包括：(i)一頂面，其延伸環繞著該基板支撐件；以及(ii)一凸緣，位在該沉積環上；(b)多個從該楔子向下延伸出的外腳及內腳；以及(c)一基腳，其停靠在該沉積環上以支撐該蓋環。
  19. 如申請專利範圍第18項所述之蓋環，其包括一或多個下列特性：(i)該內腳的高度小於該外腳的高度；(ii)該內腳位於該基腳的徑向外側；(iii)該外腳的終點呈一圓形底部； (iv)該凸緣包含一下表面，該下表面與該沉積環間隔開來且至少部分覆蓋住該沉積環；以及(v)該沉積環包括一側，且該內腳包含一傾斜內表面，該內腳的該傾斜內表面接觸該沉積環的該側。
  20. 如申請專利範圍第19項所述之蓋環，其包括：(1)一材料，其能抵抗濺射電漿的腐蝕，且該材料包括陶瓷、不鏽鋼、鈦或鋁；以及(2)一位在該材料上的雙絲電弧噴塗鋁塗層。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI741530B (zh) * 2019-03-19 2021-10-01 日商日本碍子股份有限公司 晶圓載置裝置及其製法

Families Citing this family (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7910218B2 (en) 2003-10-22 2011-03-22 Applied Materials, Inc. Cleaning and refurbishing chamber components having metal coatings
US7670436B2 (en) 2004-11-03 2010-03-02 Applied Materials, Inc. Support ring assembly
US8617672B2 (en) 2005-07-13 2013-12-31 Applied Materials, Inc. Localized surface annealing of components for substrate processing chambers
US7762114B2 (en) 2005-09-09 2010-07-27 Applied Materials, Inc. Flow-formed chamber component having a textured surface
US9127362B2 (en) 2005-10-31 2015-09-08 Applied Materials, Inc. Process kit and target for substrate processing chamber
US20070125646A1 (en) 2005-11-25 2007-06-07 Applied Materials, Inc. Sputtering target for titanium sputtering chamber
US7981262B2 (en) 2007-01-29 2011-07-19 Applied Materials, Inc. Process kit for substrate processing chamber
US7942969B2 (en) 2007-05-30 2011-05-17 Applied Materials, Inc. Substrate cleaning chamber and components
JP5424744B2 (ja) * 2009-07-01 2014-02-26 株式会社フェローテック 分割環状リブ型プラズマ処理装置
JP5603219B2 (ja) * 2009-12-28 2014-10-08 キヤノンアネルバ株式会社 薄膜形成装置
US9834840B2 (en) * 2010-05-14 2017-12-05 Applied Materials, Inc. Process kit shield for improved particle reduction
US8744250B2 (en) * 2011-02-23 2014-06-03 Applied Materials, Inc. Edge ring for a thermal processing chamber
US8802545B2 (en) 2011-03-14 2014-08-12 Plasma-Therm Llc Method and apparatus for plasma dicing a semi-conductor wafer
US20130136864A1 (en) * 2011-11-28 2013-05-30 United Technologies Corporation Passive termperature control of hpc rotor coating
WO2013094200A1 (ja) * 2011-12-22 2013-06-27 キヤノンアネルバ株式会社 基板処理装置
CN103374702B (zh) * 2012-04-24 2015-08-12 上海北玻镀膜技术工业有限公司 一种防溅射装置
US10504719B2 (en) * 2012-04-25 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Cooled reflective adapter plate for a deposition chamber
CN106029938B (zh) * 2014-02-19 2018-12-21 堺显示器制品株式会社 成膜装置
US10053777B2 (en) * 2014-03-19 2018-08-21 Applied Materials, Inc. Thermal processing chamber
US20150354054A1 (en) * 2014-06-06 2015-12-10 Applied Materials, Inc. Cooled process tool adapter for use in substrate processing chambers
CN105624634B (zh) * 2014-11-04 2018-05-08 北京北方华创微电子装备有限公司 反应腔室及半导体加工设备
US10546733B2 (en) * 2014-12-31 2020-01-28 Applied Materials, Inc. One-piece process kit shield
KR102531090B1 (ko) * 2015-05-27 2023-05-10 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 고 성장률 epi 챔버를 위한 열 차폐 링
US10103012B2 (en) * 2015-09-11 2018-10-16 Applied Materials, Inc. One-piece process kit shield for reducing the impact of an electric field near the substrate
CN106298424B (zh) * 2016-10-10 2018-04-06 武汉华星光电技术有限公司 干刻蚀电极及刻蚀机
WO2018094024A1 (en) * 2016-11-19 2018-05-24 Applied Materials, Inc. Process kit having a floating shadow ring
KR101930788B1 (ko) * 2016-11-23 2018-12-24 주식회사 조인솔루션 기판 프로세싱 챔버의 냉각기
US10886113B2 (en) * 2016-11-25 2021-01-05 Applied Materials, Inc. Process kit and method for processing a substrate
CN108456860B (zh) * 2017-02-22 2020-12-08 北京北方华创微电子装备有限公司 一种沉积腔室和膜层沉积装置
JP6871068B2 (ja) * 2017-05-31 2021-05-12 株式会社アルバック スパッタリング装置
US11043364B2 (en) * 2017-06-05 2021-06-22 Applied Materials, Inc. Process kit for multi-cathode processing chamber
US11637000B2 (en) * 2017-08-02 2023-04-25 Oerlikon Surface Solutions Ag, Pfäffikon Coating device for conducting high efficient low temperature coating
US10998172B2 (en) * 2017-09-22 2021-05-04 Applied Materials, Inc. Substrate processing chamber having improved process volume sealing
CN109837518B (zh) * 2017-11-28 2021-06-08 北京北方华创微电子装备有限公司 沉积环固定组件、承载装置及反应腔室
US20210104380A1 (en) * 2017-12-22 2021-04-08 Institute Of Geological And Nuclear Sciences Limited Ion beam sputtering apparatus and method
KR20200105955A (ko) * 2018-01-29 2020-09-09 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 Pvd 프로세스들에서의 입자 감소를 위한 프로세스 키트 기하형상
CN110468383B (zh) * 2018-05-11 2022-04-22 北京北方华创微电子装备有限公司 工艺套件及反应腔室
KR102420149B1 (ko) * 2018-06-28 2022-07-12 한국알박(주) 플라즈마 에칭 장치 및 플라즈마 에칭 방법
US11127572B2 (en) * 2018-08-07 2021-09-21 Silfex, Inc. L-shaped plasma confinement ring for plasma chambers
CN111383888B (zh) * 2018-12-27 2022-03-11 江苏鲁汶仪器有限公司 等离子体刻蚀机
US11935728B2 (en) * 2020-01-31 2024-03-19 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Apparatus and method of manufacturing a semiconductor device
US11339466B2 (en) * 2020-03-20 2022-05-24 Applied Materials, Inc. Heated shield for physical vapor deposition chamber
US11581166B2 (en) 2020-07-31 2023-02-14 Applied Materials, Inc. Low profile deposition ring for enhanced life
US11980938B2 (en) 2020-11-24 2024-05-14 Rolls-Royce Corporation Bladed disk repair process with shield
US11629412B2 (en) 2020-12-16 2023-04-18 Rolls-Royce Corporation Cold spray deposited masking layer
CN114908329B (zh) * 2021-02-08 2024-03-08 台湾积体电路制造股份有限公司 校正方法及半导体制造设备
US20230128611A1 (en) * 2021-10-22 2023-04-27 Applied Materials, Inc. Apparatus for Temperature Control in a Substrate Processing Chamber

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5879523A (en) * 1997-09-29 1999-03-09 Applied Materials, Inc. Ceramic coated metallic insulator particularly useful in a plasma sputter reactor
US20020029960A1 (en) * 2000-09-07 2002-03-14 Naoki Morimoto Sputtering apparatus and film manufacturing method
US20030196890A1 (en) * 2002-04-19 2003-10-23 Applied Materials, Inc. Reducing particle generation during sputter deposition
US6676812B2 (en) * 2002-05-09 2004-01-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Alignment mark shielding ring without arcing defect and method for using
US20040055880A1 (en) * 2001-11-14 2004-03-25 Applied Materials, Inc. Sidewall magnet improving uniformity of inductively coupled plasma and shields used therewith

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5803977A (en) * 1992-09-30 1998-09-08 Applied Materials, Inc. Apparatus for full wafer deposition
US6264812B1 (en) * 1995-11-15 2001-07-24 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for generating a plasma
US5824197A (en) * 1996-06-05 1998-10-20 Applied Materials, Inc. Shield for a physical vapor deposition chamber
US5736021A (en) * 1996-07-10 1998-04-07 Applied Materials, Inc. Electrically floating shield in a plasma reactor
US6589407B1 (en) * 1997-05-23 2003-07-08 Applied Materials, Inc. Aluminum deposition shield
JP4439033B2 (ja) * 1999-04-16 2010-03-24 株式会社ルネサステクノロジ 半導体記憶装置
US6149784A (en) * 1999-10-22 2000-11-21 Applied Materials, Inc. Sputtering chamber shield promoting reliable plasma ignition
US6627050B2 (en) * 2000-07-28 2003-09-30 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for depositing a tantalum-containing layer on a substrate
US20030015421A1 (en) * 2001-07-20 2003-01-23 Applied Materials, Inc. Collimated sputtering of cobalt
US6730174B2 (en) * 2002-03-06 2004-05-04 Applied Materials, Inc. Unitary removable shield assembly
JP4491262B2 (ja) * 2004-03-19 2010-06-30 株式会社シンクロン スパッタ装置及び薄膜形成方法
US20070012558A1 (en) * 2005-07-13 2007-01-18 Applied Materials, Inc. Magnetron sputtering system for large-area substrates
US7718045B2 (en) * 2006-06-27 2010-05-18 Applied Materials, Inc. Ground shield with reentrant feature

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5879523A (en) * 1997-09-29 1999-03-09 Applied Materials, Inc. Ceramic coated metallic insulator particularly useful in a plasma sputter reactor
US20020029960A1 (en) * 2000-09-07 2002-03-14 Naoki Morimoto Sputtering apparatus and film manufacturing method
US20040055880A1 (en) * 2001-11-14 2004-03-25 Applied Materials, Inc. Sidewall magnet improving uniformity of inductively coupled plasma and shields used therewith
US20030196890A1 (en) * 2002-04-19 2003-10-23 Applied Materials, Inc. Reducing particle generation during sputter deposition
US6676812B2 (en) * 2002-05-09 2004-01-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Alignment mark shielding ring without arcing defect and method for using

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI741530B (zh) * 2019-03-19 2021-10-01 日商日本碍子股份有限公司 晶圓載置裝置及其製法

Also Published As

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