TWI462834B - 利用熱機械效應製作經調節之多層構造之方法 - Google Patents

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Description

利用熱機械效應製作經調節之多層構造之方法
本發明係有關於利用移轉至少一層至一支撐層上而製作多層半導體構造或底材(亦稱為多層半導體晶圓)之領域。
多層構造(multilayer structures)的製作，通常包含有，例如，一矽質或SOI(絕緣體上矽)晶圓的第一晶圓在，例如，由矽或藍寶石製成的第二晶圓或支撐(support)之上的直接晶圓黏結或融合黏結，黏結強化回火，以及第一晶圓的薄化，以便在第二晶圓上形成一層移轉層。
本發明更特別是有關於因黏結強化回火溫度限制而具有相對較弱黏結界面的多層構造。在直接晶圓黏結之後，其構造通常會進行回火以便強化兩晶圓之間的黏結，亦即是說，增加其間之黏結的表面能量(surface energy)。黏結強化回火溫度越高，其結果所形成之黏結或黏附能量便越大。
不過，在多種多層構造的情況之中，其黏結回火的溫度必須要予限制在相對較低的溫度上。
第一種情況是有關於所謂「異質」(“heterogeneous”)多層構造的製作，其中之異質性係在於，其所要組合的兩晶圓具有不同的熱膨脹係數，例如，在室溫(20℃)下差異達至少10%或20%。此種異質性特別出現在特定應用於微電子或光電用途的SOS(藍寶石上矽，silicon-on-sapphire(Al2 O3 ))構造之中。在溫度增加的期間，例如由200℃及以上，兩晶圓中之一相對於另一晶圓的行為上的變異會導致異質構造中應力及/或應變的出現，其可能會導致兩晶圓或層間的脫層或脫離情形，及/或塑性形變及/或裂痕及/或底材或層其中之一的破裂。此即為黏結強化回火溫度在此等構造之中會有所限制之故。
第二種情況是相關於，其第一晶圓更包含了其所有或者元件或多個微元件中之一部份的多層構造，即如該些需要有一或多層的微元件被移轉到一最終支持層上的3D集積技術中的情況，其亦相關於電路移轉的情況，例如在背光成像器的製作中的情形。在此種情況下，黏結強化回火必須予以限制以免損傷到其微元件。
特別被用來形成移轉層以及支撐的晶圓的邊緣通常形成有斜角，或擁有圓滑邊緣，其用途是要讓晶圓的處理較為容易，並避免邊緣的碎屑化，此在晶圓的邊緣若是具有尖銳形狀時便可能會發生，此些碎屑常成為晶圓表面顆粒狀汙染的來源。其斜角可具圓滑及/或倒角的形式。
不過，此些斜角的存在會使晶圓之間在其週緣之處無法達成良好接觸，此黏結上的弱點在黏結界面之處，會因前述黏結強化回火溫度上的限制而更為嚴重。其結果即會出現第一晶圓或移轉層只微弱地黏結，甚至完全未達成黏結的週緣區域。由於可能會出現無法控制形式的破裂，並以碎片或顆粒汙染其構造的情形，第一晶圓或移轉層的此一週緣區域便必須去除掉。
因此，一旦晶圓被黏結在其支撐之上，且在該晶圓已被薄化之後，移轉層即進行調節以便去除掉斜角所延伸的週緣區域。其調節通常是利用機械性加工，特別是打磨的方式進行，以便處理移轉層的曝露表面，並深達其作為支撐用之第二晶圓。
不過，深層的機械性調節會在移轉層與其支持之間的黏結界面以及在移轉層本身兩者，皆導致剝離的問題。更精確而言，在黏結界面處，剝離的問題係對應於移轉層在接近於該層週緣處某些區域中的脫層，其可稱為「巨量剝落」(“macro peel-off”)。由於斜角的存在，在移轉層的接近週緣之處，其黏結能量相對較弱。其結果，此調節在移轉層的此區域內可以導致其移轉層與支持底材間黏結界面的部份黏結脫離情形。
因此，本技術領域中需要尋找一種製程，其可以容許一多層構造中的第一晶圓，或移轉層，能夠在不出現前述缺點的情況之下進行調節。
本發明之目的係在於利用提供製作一多層構造(130)之一製程而解決前述問題：
-　將一第一晶圓黏結至一第二晶圓上，至少第一晶圓具有一斜角邊緣，其黏結界面具有小於或等於1 J/m2 ；之黏結表面能量，或黏附能量；與
-　將第一晶圓薄化以便形成一移轉層，在此製程中，在第一晶圓薄化之前，利用一研磨輪執行第一晶圓邊緣調節之步驟，其工作表面包含有平均尺寸大於或等於800篩目或小於或等於18微米之礫質顆粒，該調節步驟係以大於或等於每秒5微米的下降速率降下研磨輪而執行，研磨輪之下降進入至第一晶圓更停止於離黏結界面少於或等於30 μm的高度處。
利用在薄化之前調節第一晶圓，且在以上所界定的操作條件之下，便有可能可以獲得第一晶圓的完整調節，其同時需將研磨輪之穿透深度限制在低於第一晶圓所要調節部份之總高度以下(第一晶圓之內研磨輪之下降停止於黏結界面之上)。前述之剝離問題便得以避免。
依據本發明一要點，其調節步驟係在至少等於斜角邊緣所延伸之寬度的一個寬度上進行。
依據本發明一特定實施例，該製程包含有在黏結步驟之前，在第一晶圓之一側上製作一層元件之至少一步驟，第一晶圓之包含有該層元件之該側係被黏結於第二晶圓上。其更可執行在第一晶圓反對於製作有第一層元件側之一側上製作一第二層微元件之步驟。
使用本發明之調節製程可容許利用堆疊二或更多片的晶圓而製作三度空間構造，其同時亦可以減低在晶圓間的黏結界面及在元件層之中發生脫層的風險。其元件層中之一可特別地包含有影像感測器。
本發明大致上可適用於對包含有至少兩晶圓的多層構造所進行之調節，此構造係利用黏結(bonding)而連結在一起，且其黏結的表面能量限制在1 J/m2 或更低，且兩晶圓中至少有一片在其週緣部份具有斜角或圓滑邊緣。此種多層構造特別是指利用具有不同熱膨脹係數，或包含有微元件的至少二片晶圓所製成，且其可令黏結穩定並增加其黏結能量的黏結強化回火之溫度必須予與限制的該些構造。本發明同樣亦可適用於其晶圓係利用其他諸如陽極黏結，金屬黏結，或黏劑黏結等的其他形態黏結方式而連結在一起的多層構造─只要其黏結能量保持低於1 J/m2 即可。
此些晶圓通常是為圓形並可能具各種不同直徑，特別是100 mm，150 mm，200 mm或300 mm。
兩晶圓中之一可能已有元件形成於其中，其接著被黏結至作為支撐的另一晶圓上。「元件」一詞在此應指利用與晶圓不同材料所製作，且可能對一般進行黏結界面強化所常見的，對高溫相當敏感的任何元件。此些元件係為形成一電子元件或多個微電子元件，諸如電路或其接觸，甚或主動層等之所有或一部份的元件。
本發明更係特別適用於，但不限於，由藍寶石所製成之一第一晶圓或底材以及包含有諸如SOI構造的矽質一第二晶圓或底材之組合所形成的SOS(藍寶石上矽)構造。包含有藍寶石底材上一矽層的異質構造乃特具其優點。SOS構造使高頻，低功率消耗元件的製作變為可能。此外，藍寶石底材更可極為良好地將熱消散掉，其例如，比石英底材為佳。
本發明建議進行調節，其中第一晶圓被調節至低於該晶圓總厚度的一個深度，但在特定條件之下會產生足以使第一晶圓所要調節的殘餘部份，亦即是說，位於黏結界面上方，研磨輪尚未穿透的第一晶圓之部份被剝離的熱機械效應(thermo-mechanical effect)。利用在工具到達第一及第二晶圓之間的黏結界面之前即阻止其下降，便可以避免上述剝離與黏結脫黏的問題。
更特定而言，在本發明中，其調節係利用一研磨輪進行，其工作表面，或其活動部份包含有平均尺寸小於或等於18微米或大於或等於800篩目之礫質顆粒(grit particles)。該些礫質顆粒特別可以是鑽石顆粒。
此外，研磨輪之下降率，亦稱為前進速率，係大於或等於5 μm/s。此兩參數的調整可將對第一晶圓進行調節時，特別是在調節程序終端時的熱機械效應放大，並將其環，或第一晶圓在輪下的殘餘部份，特別是利用在其中產生裂痕而加以弱化，其結果可使剝離的進行較為容易。在本發明中，若在第一晶圓的薄化進行之前先執行調節，則此等效應便更為實際，因此而能夠在進行調節時實質移除更多的材料，以在調節終止時能夠獲得實質熱機械效應。
相較於習知技術其第一晶圓進行調節期間，其研磨輪被降至深達黏結界面之處，在本發明中，研磨輪是被停止在黏結界面以上的一個既定高度。更精確而言，研磨輪進入第一晶圓的穿透深度，亦稱為「目標深度」者，被調整到使得研磨輪的下降進入第一晶圓被停止於離黏結界面少於30 μm，最好少於20 μm距離之處。通常，研磨輪係被停止於離黏結界面30 μm至10 μm之間的高度之處。
在前述調節期間熱機械效應的極大化，以及兩層之間黏結界面的弱化，即可以完全地調節第一晶圓，其係利用所要調節的殘餘部份之剝離而獲得，即便第一晶圓並未以研磨輪研磨其整個厚度時亦然。
以下參考圖1A至1E及圖2說明此調節程序的一種作法。
以下參考圖1A至1E及圖2所說明的是利用一第一晶圓，或初始底材110(頂)，與一第二晶圓，或支持底材120(底)，而製作一SOS異質構造的一程序。第一晶圓110，在其週緣之處，包含有一頂斜角117a與一底斜角117b。同樣的，第二晶圓120在其週緣處亦包含有一頂斜角127a與一底斜角127b。第一晶圓120之厚度約在600至900 μm之間。
如圖1A所示，第一晶圓110包括有一SOI構造，其包含有亦由矽所製成之支撐113上的一矽層111，一埋置氧化物層112，其係，例如，由SiO2 所製成者，置於層111與支撐113之間。第一晶圓110的外表面先前已以厚度在10至50 nm之間的一熱氧化物層114所覆蓋，其係，例如，利用晶圓表面之氧化而形成，以便在後續的化學蝕刻步驟期間保護晶圓。第一晶圓110亦可由一單晶矽晶圓(monolithic silicon wafer)所構成，其上可以包含，亦可不包含有元件。
第二晶圓120係由一藍寶石晶圓所構成(圖1A)。
第一晶圓110的側邊111a(在此係被氧化物層114所覆蓋)與第二晶圓120的表面120a被安置成緊密接觸，且壓力被施加於兩晶圓其中之一之上，以便在接觸表面上啟始黏結波的傳遞(步驟S1，圖1B)。
如同一般所習知，直接晶圓黏結(direct wafer bonding)，或者，直接黏結(direct bonding)，的原理係以兩表面之間的直接接觸為基礎─此亦即是說，其間並未使用到任何特定的材料(黏劑，蠟，銅銲(braze)，等等)。為了執行此種作業，其黏結的表面便必須要充份地平滑，沒有物粒或其他污染，並且要將黏結表面帶到互相足夠接近的程度，以便可以啟始其間的接觸─其通常需要達到小於數奈米以下的分隔距離。在此種情況下，兩表面之間的吸引力會強大到使得直接黏結自動發生，亦即，因兩個要予黏結的表面其原子或分子之間的凡德瓦力引起了其間的黏結。
直到進行一次黏結強化回火之前，如此所進行的黏結並不穩固。要讓兩晶圓的組合接受回火亦是可以，但由於兩晶圓熱膨賬係數之間的差異，此回火的溫度必定要加以限制。在此所描述的實例之中，其回火不可超過180℃，並不超過約十小時的時間。這樣的回火只會容許黏結穩定到黏結之表面能量不超過700 mJ/m2 的程度。
依據本發明，在第一晶圓110薄化之前，先予進行調節(步驟S2，圖1C)。
如圖1C所顯示，由第一晶圓110的邊緣開始調節一個寬度ld110 ，此寬度至少相對應於第一晶圓的底斜角117b所延伸的寬度。以100 mm，200 mm與300 mm直徑的晶圓而言，被調節的寬度ld110 ，通常是在2 mm至10 mm之間，最好是在2 mm至6 mm之間。
調節係利用由第一晶圓110的頂側開始進行機械動作或加工(邊緣研磨)而執行的。其機械性動作可利用一研磨輪(砂磨)或任何其他能夠機械性地磨掉該層材料的工具進行。
在此所說明的實例之中，調節係利用具有一工作表面或一主動部件151的一研磨輪150而進行的，此亦即是說，包含了能夠將晶圓的材料研磨掉的礫質顆粒的表面，其係由平行於晶圓之平面的一第一部份151a與對應於研磨輪150之側邊的一第二部份151b所形成。依據本發明，研磨輪150之工作表面151包含有礫質顆粒，諸如鑽石顆粒，其平均尺寸小於或等於18微米(或，大於或等於800篩目(mesh))。
在調節的期間，第一晶圓110被調節到研磨輪150的一個(目標)下降深度Pd110 ，其係相對於一高度h110 而界定，而此高度係相對於與黏結界面相對應之一參考平面(在此為熱氧化物層114與第二晶圓120的黏結面間的接觸平面)而界定的。深度Pd110 之選定是要令研磨輪只穿透第一晶圓的部份厚度。在此所說明之實例之中，調節深度Pd110 之選定是要將研磨輪150的下降停止於離開黏結界面h110 約30 μm至10 μm之間，由殘留在研磨輪150以下，環形部份或環1110開始的高度，會在熱機械效應之下而剝離。如此即可達成第一晶圓110的完全調節。
異質構造的製作以第一晶圓110的薄化而持續進行，以便形成對應於該片被調節之第一晶圓之一部份的一移轉層。其薄化係利用首先研磨第一晶圓110的支撐113而開始進行的(步驟S3，圖1D)。研磨係利用一研磨輪的工作表面保持頂抵在第一晶圓110的曝露面(圖1D中未顯示)上而執行的。在研磨期間，兩晶圓之組合利用一固持器(圖1D中未顯示)而被固持在第二晶圓120的背側上，該固持器亦稱為夾頭，其包含有能夠，例如，利用吸力或其他的靜電系統而固持第二晶圓120的一盤片。在研磨期間，夾頭可能是靜止的，而研磨輪則在轉動。依另種方式，夾頭也可能繞其一軸心而轉動，研磨輪則可能轉亦可能不轉動。
研磨會在離藍寶石支持底材的表面120a約65 μm之處停止。
在此薄化的階段，亦即，在化學薄化步驟之前，第一晶圓110的支撐113的殘餘部份113a具有一個加工硬化表面(圖1C)。
第一晶圓110的薄化可利用殘餘部份113a的化學蝕刻，亦稱為濕蝕刻，繼續進行(步驟S4，圖1E)，例如，利用TMAH(氫氧化四甲銨(tetramethylammonium hydroxide)或KOH蝕刻液，或諸如RIE(反應性離子蝕刻)等的乾式蝕刻。
除了移除殘餘部份113a，化學蝕刻亦有將可能在該部份被剝離後所留下的環形部份1110之任何碎片予以移除的作用。
在蝕刻之後，便可以獲得一個SOS多層構造130，其包含有由第二晶圓120所形成的藍寶石支撐，以及至少對應於第一晶圓110矽層111的一移轉層115─氧化物層112則，視需要，可被保留或予移除，例如，利用HF去氧化而移除。
以下參考圖3A至3G及圖4說明依據本發明一實施例，利用將形成於一第一晶圓或一初始底材200上的一層微元件移轉到到一第二晶圓或支撐(底)底材300上而製作一三度空間構造之製程。
三度空間構造之製作可由在第一晶圓200的表面上形成一第一系列的微元件204而開始，晶圓200的週圍邊緣有一頂斜角206a與一底斜角206b(圖3A，步驟S1)。於此所說明之實施例中，第一晶圓200係為一SOI多層構造，此亦即，其包含有置於亦以矽製作之底材203上的一矽層201，一埋置氧化物層202(例如，一層SiO2 )則出現於層201與底材203之間。第一晶圓200的厚度約在600至900 μm之間。
微元件204係利用微影(photolithography)技術形成的，其係利用可界定對應於所要製作之微元件之圖形所將要形成之區域的光罩而進行製作。
如圖3A所顯示，第一晶圓200的外表面接著即以一層厚度在0.1至3 μm之間，並利用，例如，晶圓表面之氧化而形成的，例如，熱氧化物層205加以覆蓋，以便在後續的化學蝕刻步驟(步驟S2)期間保護晶圓。第一晶圓200亦可利用單晶矽晶圓製成。
第二晶圓或支撐底材300係為一片矽晶圓，其週圍邊緣具有一頂斜角306a與一底斜角306b。晶圓300的外表面以一層厚度為，例如，0.1至3 μm之間的熱氧化物層305加以覆蓋(圖3B，步驟S3)。
第一晶圓200包含有微元件204的側邊接著即被放置於透過熱氧化物層205a與305而與第二晶圓300的一側面緊密接觸的位置上，並對兩晶圓其中之一施以壓力，以便在其接觸表面之間啟動一次黏結波的傳遞(步驟S4，圖3C)。
兩晶圓之間的黏附係在不太高的溫度下進行，以免損傷元件及/或第一晶圓。更精確而言，在室溫下使晶圓相接觸之後，便可以執行一次黏度強化回火，但應在450℃以下的溫度進行，若在此溫度以上，則諸如鋁或銅等的某些金屬便會開始熔化。此等回火程序只允許黏結被穩定到其黏結能量不超過1 J/m2 的程度。
依據本發明，在黏結之後且在第一晶圓200薄化之前，晶圓200即進行調節(步驟S5，圖3D)。
於此所說明之實例之中，調節係利用具有一工作表面或一主動部件401的一研磨輪400而進行的，此亦即是說，包含了能夠將晶圓的材料研磨掉的礫質顆粒的表面，其係由平行於晶圓之平面的一第一部份401a與對應於研磨輪400之側邊的一第二部份401b所形成。如圖3E所顯示，第二部份401b係與第一部份401a垂直，以便形成一側邊200c，其在第一晶圓中進行調節，且實質上垂直於第一晶圓之平面。依據本發明，研磨輪400之工作表面401包含有礫質顆粒，諸如鑽石顆粒，其平均尺寸小於或等於18微米(或，大於或等於800篩目)。
如圖3D所示，調節係在由第一晶圓110的邊緣開始的最小寬度ld200 上進行的，其係至少對應於第一晶圓的底斜角206b所延伸的寬度。以100 mm，200 mm與300 mm直徑的晶圓而言，被調節的寬度ld200 ，通常是在2 mm至10 mm之間，最好是在2 mm至6 mm之間。
在調節的期間，第一晶圓110被調節到研磨輪150的一個(目標)下降深度Pd200 ，其係相對於一高度h200 而界定，而此高度係相對於與黏結界面相對應之一參考平面(在此為熱氧化物層205與305的黏結面間的接觸平面)而界定的。深度Pd200 之選定是要令研磨輪只穿透第一晶圓的部份厚度。在此所說明之實例之中，調節深度Pd200 之選定是要將研磨輪40的下降停止於離開黏結界面h200 約30 μm至15 μm之間，由殘留在研磨輪400以下，環形部份或環210開始的高度，會在熱機械效應之下而剝離。如此即可達成第一晶圓200的完全調節。
三度空間構造的製作利用第一晶圓200的薄化而持續進行，亦即此晶圓出現在微元件層以上的某些部份的研磨(步驟S6，圖3E)，在此為底材203a的大部份。研磨是在與前述相同的條件之下進行的。
研磨會在離第二晶圓300的表面300a約65 μm之處停止。
在此薄化的階段，亦即，在化學薄化步驟之前，第一晶圓200的支撐203的殘餘部份203a具有一個加工硬化表面(圖3E)。
第一晶圓200的薄化可利用殘餘部份203a的化學蝕刻而繼續進行(步驟S7，圖3F)，例如，利用TMAH(氫氧化四甲銨(tetramethylammonium hydroxide))或KOH蝕刻液，慎或諸如RIE(反應性離子蝕刻)等的乾式蝕刻。
一旦氧化物層202已被去除，第二層的微元件214即形成於層201的曝露表面(步驟S8，圖3G)。在此所說明的實例之中，微元件214係對正於埋置微元件204而形成，此係因所使用的是為與用來形成微元件204相類同的微影光罩之故。
此時即獲得一複合構造500，其係由第二晶圓300與一移轉層215形成，其對應於第一晶圓200的殘餘部份，並包含有微元件204與214。
作為一種變化，此三度空間構造可由一個多層堆疊構成，亦即，利用將一或更多片額外晶圓或底材黏結在層201上，其每一片額外晶圓係與其直接相鄰接的一或更多層對正。依據本發明，根據以上所說明的，在兩薄化步驟之間所執行的一個局部調節可對每一片晶圓進行，以便形成一層移轉層。此外，在一片額外晶圓的每一次移轉之前，其亦可以在曝露層上沉積一層氧化物層，其例如為一層TEOS，以便使其組合更容易，並保護已調節區(在此區內其底下晶圓的材料被曝露出來)免受後續化學蝕刻的影響。
依一特定實施例，微元件層中之一特別可以包含有影像感應器。
依另一實施例，在與構成移轉層的第一晶圓組合之前，其元件先前已在其支持的第二晶圓內形成。
110、200．．．第一晶圓
111、201．．．矽層
111a．．．側邊
112、202．．．埋置氧化物層
113．．．支撐
114、205305．．．熱氧化物層
117a、127a、206a、306a．．．頂斜角
117b、127b、206b、306b．．．底斜角
120‧‧‧第二晶圓
120a、300a‧‧‧表面
1110、210‧‧‧環
150、400‧‧‧研磨輪
151、401‧‧‧主動部件
151a、401a‧‧‧第一部份
151b、401b‧‧‧第二部份
113a、203a‧‧‧殘餘部份
203‧‧‧底材
204、214‧‧‧微元件
115、215‧‧‧移轉層
300‧‧‧晶圓
500‧‧‧複合構造
本發明之特徵及優點參考以上配合附圖所進行說明性質，非限定性之特定實施例之說明即可變得更為清楚，圖式之中：
圖1A至1E為依據本發明一實施例製作一多層構造之製程步驟示意圖；
圖2為圖1A至1E所顯示製程所執行步驟之流程圖；
圖3A至3G之示意圖顯示一三度空間構造之製程，其執行本發明之調節程序；與
圖4為3A至3G所顯示三度空間構造製程所執行步驟之流程圖。
110．．．第一晶圓
111．．．矽層
111a．．．側邊
112．．．埋置氧化物層
113．．．支撐
114．．．熱氧化物層
117a．．．頂斜角
117b．．．底斜角
120．．．第二晶圓
120a．．．表面

Claims (38)

  1. 製作一多層構造(130)之一製程，其包含：- 將一第一晶圓(110)黏結至一第二晶圓(120)上，至少第一晶圓具有一斜角邊緣(117a，117b)，其黏結界面具有小於或等於1J/m2 ；之黏附能量；與- 將第一晶圓(110)薄化以便形成一移轉層(115)，其特徵為其包含有，在第一晶圓(110)薄化之前，利用一研磨輪(150)執行第一晶圓(110)邊緣調節之步驟，其工作表面(151)包含有平均尺寸大於或等於800篩目或小於或等於18微米之礫質顆粒，該調節步驟係以大於或等於每秒5微米的下降速率降下研磨輪而執行，研磨輪之下降進入至第一晶圓更停止於離黏結界面少於或等於30μm的高度處。
  2. 如申請專利範圍第1項之製程，其特徵為其調節步驟係在至少等於斜角邊緣(117a、117b)所延伸之寬度的一個寬度(ld110 )上進行。
  3. 如申請專利範圍第2項之製程，其特徵為其調節步驟係在2mm至8mm之間的一個寬度(ld110 )上進行。
  4. 如申請專利範圍第1項之製程，其特徵為其第一晶圓(110)在薄化之前具有至少600μm的厚度。
  5. 如申請專利範圍第1項之製程，其特徵為其薄化包括有一研磨步驟。
  6. 如申請專利範圍第1項之製程，其特徵為其第一晶圓(110)係為一矽晶圓或一SOI構造。
  7. 如申請專利範圍第6項之製程，其特徵為其薄化更包括有在研磨步驟之後進行的一化學蝕刻步驟。
  8. 如申請專利範圍第6項之製程，其特徵為，在黏結步驟之前，一層氧化物層(114)被形成於第一晶圓(110)之曝露表面上。
  9. 如申請專利範圍第7項之製程，其特徵為，在黏結步驟之前，一層氧化物層(114)被形成於第一晶圓(110)之曝露表面上。
  10. 如申請專利範圍第1至9項中任一項之製程，其特徵為其第一晶圓(110)包含有元件。
  11. 如申請專利範圍第1至9項中任一項之製程，其特徵為其第二晶圓(120)係為一藍寶石晶圓。
  12. 如申請專利範圍第1至9項中任一項之製程，其特徵為其第二晶圓(120)係為一矽晶圓。
  13. 如申請專利範圍第12項之製程，其特徵為，在黏結步驟之前，一層氧化物層被形成於第二晶圓(120)之曝露表面上。
  14. 如申請專利範圍第10項之製程，其特徵為其包含有，在黏結步驟之前，在第一晶圓(200)之一側上製作一層元件(204)之至少一步驟，第一晶圓(200)之包含有該層元件(204)之該側係被黏結於第二晶圓(300)上。
  15. 如申請專利範圍第14項之製程，其特徵為其更包含有在第一晶圓(200)反對於製作有第一層元件(204)側之一側上製作一第二層微元件(214)之步驟。
  16. 如申請專利範圍第14項之製程，其特徵為該至少第一層元件(214)包含有影像感測器。
  17. 如申請專利範圍第15項之製程，其特徵為該至少第一層元件(214)包含有影像感測器。
  18. 如申請專利範圍第2至3項中任一項之製程，其特徵為其第一晶圓(110)在薄化之前具有至少600μm的厚度。
  19. 如申請專利範圍第2至4項中任一項之製程，其特徵為其薄化包括有一研磨步驟。
  20. 如申請專利範圍第2至5項中任一項之製程，其特徵為其第一晶圓(110)係為一矽晶圓或一SOI構造。
  21. 如申請專利範圍第20項之製程，其特徵為其薄化更包括有在研磨步驟之後進行的一化學蝕刻步驟。
  22. 如申請專利範圍第20項之製程，其特徵為，在黏結步驟之前，一層氧化物層(114)被形成於第一晶圓(110)之曝露表面上。
  23. 如申請專利範圍第21項之製程，其特徵為，在黏結步驟之 前，一層氧化物層(114)被形成於第一晶圓(110)之曝露表面上。
  24. 如申請專利範圍第10項之製程，其特徵為其第二晶圓(120)係為一藍寶石晶圓。
  25. 如申請專利範圍第24項之製程，其特徵為其包含有，在黏結步驟之前，在第一晶圓(200)之一側上製作一層元件(204)之至少一步驟，第一晶圓(200)之包含有該層元件(204)之該側係被黏結於第二晶圓(300)上。
  26. 如申請專利範圍第25項之製程，其特徵為其更包含有在第一晶圓(200)反對於製作有第一層元件(204)側之一側上製作一第二層微元件(214)之步驟。
  27. 如申請專利範圍第25項之製程，其特徵為該至少第一層元件(214)包含有影像感測器。
  28. 如申請專利範圍第26項之製程，其特徵為該至少第一層元件(214)包含有影像感測器。
  29. 如申請專利範圍第10項之製程，其特徵為其第二晶圓(120)係為一矽晶圓。
  30. 如申請專利範圍第29項之製程，其特徵為其包含有，在黏結步驟之前，在第一晶圓(200)之一側上製作一層元件(204)之至少一步驟，第一晶圓(200)之包含有該層元件(204)之該側係被黏結於第二晶圓(300)上。
  31. 如申請專利範圍第30項之製程，其特徵為其更包含有在第一晶圓(200)反對於製作有第一層元件(204)側之一側上製作一第二層微元件(214)之步驟。
  32. 如申請專利範圍第30項之製程，其特徵為該至少第一層元件(214)包含有影像感測器。
  33. 如申請專利範圍第31項之製程，其特徵為該至少第一層元件(214)包含有影像感測器。
  34. 如申請專利範圍第25項之製程，其特徵為，在黏結步驟之前，一層氧化物層被形成於第二晶圓(120)之曝露表面上。
  35. 如申請專利範圍第34項之製程，其特徵為其包含有，在黏 結步驟之前，在第一晶圓(200)之一側上製作一層元件(204)之至少一步驟，第一晶圓(200)之包含有該層元件(204)之該側係被黏結於第二晶圓(300)上。
  36. 如申請專利範圍第35項之製程，其特徵為其更包含有在第一晶圓(200)反對於製作有第一層元件(204)側之一側上製作一第二層微元件(214)之步驟。
  37. 如申請專利範圍第35項之製程，其特徵為該至少第一層元件(214)包含有影像感測器。
  38. 如申請專利範圍第36項之製程，其特徵為該至少第一層元件(214)包含有影像感測器。
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