TWI461781B - Display device and display device - Google Patents

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TWI461781B
TWI461781B TW101119661A TW101119661A TWI461781B TW I461781 B TWI461781 B TW I461781B TW 101119661 A TW101119661 A TW 101119661A TW 101119661 A TW101119661 A TW 101119661A TW I461781 B TWI461781 B TW I461781B
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Takeshi Kuriyagawa
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Pixtronix Inc
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Description

顯示裝置及顯示裝置之製造方法
本發明關於一種使用機械快門之顯示裝置以及顯示裝置之製造方法。
近年來，使用應用了MEMS(Micro Electro Mechanical Systems；微機電系統)技術的機械快門(以下稱作「MEMS快門」)之顯示裝置受到矚目。使用MEMS快門之顯示裝置(以下稱作「MEMS顯示裝置」)係利用TFT(Thin FilmTransistor；薄膜電晶體)而以高速開閉設置在每個像素之MEMS快門，來控制穿透快門的光線量，並進行影像的明暗調整之顯示裝置(例如，參照專利文獻1：日本特開2008-197668號公報)。MEMS顯示裝置中，採用時間階調方式並藉由依序切換來自紅色、綠色及藍色之LED背光源的光線來進行影像顯示之方式為主流。因此，MEMS顯示裝置不需要使用於液晶顯示裝置之偏光膜或彩色濾光片等，相較於液晶顯示裝置具有背光源的光利用效率約為10倍，消耗電功率為1/2以下，且顏色再現性優異這些特點。
MEMS顯示裝置係在基板上形成有TFT，該TFT係構成用以驅動MEMS快門之開關元件，以及驅動開關元件之閘極驅動器或資料驅動器。且基板上亦同時形成有用以從外部將訊號供應至TFT之端子。通常， MEMS顯示裝置中，會在形成有TFT及端子的TFT基板上形成覆蓋TFT及端子之保護膜(絕緣膜)，再於該保護膜上形成MEMS快門。MEMS快門除了與端子電連接的部分以外係受到絕緣膜覆蓋。此時，由於MEMS快門的可動部為中空構造，故為了在可動部的側部及下部亦形成有絕緣膜，便藉由CVD(Chemical Vapor Deposition)法等而在形成有MEMS快門之TFT基板整面形成絕緣膜。然後，再將對向基板貼合於TFT基板。由於必須從外部來對形成於TFT基板之端子供應訊號，因而便以對向基板不會覆蓋端子上部之方式來將TFT基板與對向基板加以貼合。
而為了從外部來對形成於TFT基板上之端子供應訊號及電源，則必須去除端子上的絕緣膜來使端子露出。這類的絕緣膜可藉由光微影製程與蝕刻製程的組合等來去除。但是，作為保護膜之上述下層絕緣膜，與覆蓋形成於該下層絕緣膜上的MEMS快門之上層絕緣膜大多皆係使用被膜性或絕緣性優異的氮化膜，而難以僅僅去除上層的絕緣膜但使足夠膜厚的下層絕緣膜殘留來進行蝕刻。若蝕刻進行到下層的絕緣膜，則形成於TFT基板的配線便會露出，而有導致絕緣不良或導電不良之虞。
因此，本發明係鑑於上述問題所發明者，而提供一種能夠抑制保護TFT基板表面之絕緣膜的膜削減且去除端子上的絕緣膜，從而可謀求TFT基板的可靠度提 升之顯示裝置及其製造方法。
本發明一實施型態提供一種顯示裝置，其包含有：複數像素，係分別對應而配置在基板上所配置之複數資訊線與複數閘極線的交點；第1絕緣膜，係配置在該基板上；第2絕緣膜，係與該第1絕緣膜的至少一部分相接而配置在該第1絕緣膜的上層，且與該第1絕緣膜為不同材質的膜；複數MEMS快門，係分別對應於該複數像素而配置在該第2絕緣膜上，且於側部配置有第3絕緣膜；以及複數端子，係對該複數閘極線及該複數資訊線供應電位，而從該複數端子的上部所配置之該第1絕緣膜及該第2絕緣膜的開口部接受該電位的供應。
該第2絕緣膜可具有與該第1絕緣膜及該第3絕緣膜不同的蝕刻率。
該MEMS快門可具備有具有開口部之快門、連接於該快門之第1彈簧、連接於該第1彈簧之第1固定部、第2彈簧、以及連接於該第2彈簧之第2固定部；可藉由該第1固定部與該第2固定部的電位差來靜電驅動該第1彈簧與該第2彈簧。
該MEMS快門可具有分別對應而連接於該MEMS快門之開關元件；該第1固定部與該第2固定部的電位差可由該開關元件所供應。
可另包含有：對向基板，係具有與該基板接合之透 光部；以及背光源，係與該對向基板呈對向配置；可由該快門之該開口部與該對向基板之該透光部的重疊部分來使從該背光源所供應之光線穿透。
又，本發明一實施型態提供一種顯示裝置之製造方法，係於基板上形成複數開關元件及複數端子；於該複數開關元件及該複數端子上形成第1絕緣膜；蝕刻該複數端子上的該第1絕緣膜來使該複數端子的一部分露出；於該第1絕緣膜上形成與該第1絕緣膜為不同材質的膜之第2絕緣膜；蝕刻該複數端子上的該第2絕緣膜來使該複數端子的一部分露出；於該第2絕緣膜上形成分別藉由該複數開關元件而被驅動之複數MEMS快門，其具有：具有開口部之快門、連接於該快門之第1彈簧、連接於該第1彈簧之第1固定部、第2彈簧、以及連接於該第2彈簧之第2固定部；於該複數MEMS快門及該複數端子上形成第3絕緣膜；蝕刻該複數端子上的該第3絕緣膜來使該複數端子的一部分露出。
又，本發明一實施型態提供一種顯示裝置之製造方法，係於基板上形成複數開關元件及複數端子；於該複數開關元件及該複數端子上形成第1絕緣膜；於該第1絕緣膜上形成與該第1絕緣膜為不同材質的膜之第2絕緣膜；蝕刻該複數端子上的該第1絕緣膜及該第2絕緣膜來使該複數端子的一部分露出；於該第2絕緣膜上形成分別藉由該複數開關元件而被驅動之複數MEMS快門，其具有：具有開口部之快門、連接於該快門之第1 彈簧、連接於該第1彈簧之第1固定部、第2彈簧、以及連接於該第2彈簧之第2固定部；於該複數MEMS快門及該複數端子上形成第3絕緣膜；蝕刻該複數端子上的該第3絕緣膜來使該複數端子的一部分露出。
又，本發明一實施型態提供一種顯示裝置之製造方法，係於基板上形成複數開關元件及複數端子；於該複數開關元件及該複數端子上形成第1絕緣膜；蝕刻該複數端子上的該第1絕緣膜來使該複數端子的一部分露出；於該第1絕緣膜上形成與該第1絕緣膜為不同材質的膜之第2絕緣膜；於該第2絕緣膜上形成分別藉由該複數開關元件而被驅動之複數MEMS快門，其具有：具有開口部之快門、連接於該快門之第1彈簧、連接於該第1彈簧之第1固定部、第2彈簧、以及連接於該第2彈簧之第2固定部；於該複數MEMS快門及該複數端子上形成第3絕緣膜；蝕刻該複數端子上的該第2絕緣膜及該第3絕緣膜來使該複數端子的一部分露出。
該第2絕緣膜可使用具有與該第1絕緣膜及該第3絕緣膜不同蝕刻率的成膜材料而形成。
該第2絕緣膜可形成為複數層所構成的層積構造。
該第1絕緣膜及該第3絕緣膜可使用CVD法來形成矽氮化膜。
一對向基板可透過密封材與該基板上之形成有該複數開關元件的面呈對向而被加以接合。
以下，參照圖式就本發明顯示裝置的實施型態加以說明。此外，本發明之顯示裝置不限於以下實施型態，而可做各種變形。
圖1(a)及(b)係顯示本發明一實施型態之顯示裝置100。圖1(a)為顯示裝置之立體圖，(b)為顯示裝置之俯視圖。本實施型態之顯示裝置100係具有基板101及對向基板109。基板101係具有顯示部101a、驅動電路101b,101c及101d及端子部101e。基板101與對向基板109係使用密封材等而被加以接合。
圖2係顯示本發明一實施型態之顯示裝置100的電路方塊圖。圖2所示之本發明一實施型態之顯示裝置100係從控制器120供應有影像訊號及控制訊號。又，圖2所示之本發明一實施型態之顯示裝置100係從受到控制器120的控制之背光源122供應有光線。此外，亦可包含控制器120及背光源122來構成本發明之顯示裝置100。
如圖2所示，顯示部101a係在對應於閘極線(G1、G2、‧‧‧、Gn)與資訊線(D1、D2、‧‧‧、Dm)的交點之位置處具有配置成陣列狀之機械快門(MEMS快門)202、開關元件204以及具有滯留容量(Retention Volume)206之像素200。驅動電路101b,101c係一種資料驅動器，而透過資訊線(D1、D2、‧‧‧、Dm)來對開關元件204供應資料訊號。驅動電路101d係一種閘極驅 動器，而透過閘極線(G1、G2、‧‧‧、Gn)來對開關元件204供應閘極訊號。此外，本實施型態中，如圖1所示，資料驅動器之驅動電路101b,101c雖係配置為如同將顯示部101a挾置其中般，但未限定於此結構。開關元件204係依據從資訊線(D1、D2、‧‧‧、Dm)所供應之資料訊號來驅動MEMS快門202。
以下，參照圖3及圖4說明MEMS快門202的結構。圖3係顯示本發明一實施型態之顯示裝置100所使用之MEMS快門202的結構之圖式。圖4係顯示本發明一實施型態之顯示裝置100所使用之MEMS快門202的結構之圖式。為了便於說明，圖3雖僅顯示1個MEMS快門202，但本發明一實施型態之顯示裝置100係於基板101上陣列狀地配置有圖3所示之MEMS快門202。
MEMS快門202係具有快門210、第1彈簧216,218,220,222、第2彈簧224,226,228,230以及固定(anchor)部232,234,236,238,240,242。快門210係具有開口部212,214，則快門210本體便成為遮光部。又，雖未圖示，對向基板109係具有能夠讓光線穿透的透光部，而配置為快門210的開口部212,214與對向基板109的透光部會於平面方向大致相重合，且對向基板109係透過密封材等而被接合在基板101。顯示裝置100係構成為從對向基板109背面被供應而穿透對向基板109的透光部之光線會穿透快門210的開口部212,214，且可被人眼目視確認。此外，本實施型態所示之MEMS快 門202僅為可使用於本發明之顯示裝置100的MEMS快門一例，只要是能夠以開關元件來驅動之MEMS快門，則不限於圖示結構，而可使用任意樣態的物體。
快門210的一側係透過第1彈簧216,218而連接至固定部232,234。固定部232,234係具有將第1彈簧216,218連同快門210支撐為自基板101表面浮起之狀態之功能。固定部232係與第1彈簧216電連接，並且固定部234係與第1彈簧218電連接。固定部232,234係從開關元件204供應有偏電位，則第1彈簧216,218便會供應有偏電位。又，第2彈簧224,226係電連接於固定部236。固定部236係具有將第2彈簧224,226支撐為自基板101表面浮起之狀態之功能。固定部236係供應有接地電位，則第2彈簧224,226便會供應有接地電位。另外，固定部236亦可為取代上述接地電位而供應有特定電位之結構。(以下說明中的接地電位亦相同。)
又，快門210的另一側係透過第1彈簧220,222而連接至固定部238,240。固定部238,240係具有將第1彈簧220,222連同快門210支撐為自基板101表面浮起之狀態之功能。固定部238係與第1彈簧220電連接，並且固定部240係與第1彈簧222電連接。固定部238,240係從開關元件204供應有偏電位，則第1彈簧220,222便會供應有偏電位。又，第2彈簧228,230係電連接於固定部242。固定部242係具有將第2彈簧228,230支撐為自基板101表面浮起之狀態之功能。固 定部242係與第2彈簧228,230電連接。固定部242係供應有接地電位，則第2彈簧228,230便會供應有接地電位。
如上所述，本實施型態中，固定部232,234係從開關元件204供應有偏電位，則第1彈簧216,218便會供應有偏電位，並且固定部236係供應有接地電位，則第2彈簧224,226便會供應有接地電位。第1彈簧216與第2彈簧224會因第1彈簧216,218與第2彈簧224,226之間的電位差被靜電驅動而相互吸引靠近般地移動，並且第1彈簧218與第2彈簧226會被靜電驅動而相互吸引靠近般地移動，則快門210便會移動。
又，同樣地，固定部238,240係從開關元件204供應有偏電位，則第1彈簧220,222便會供應有偏電位，並且固定部242係供應有接地電位，則第2彈簧228,230便會供應有接地電位。第1彈簧220與第2彈簧228會因第1彈簧220,222與第2彈簧228,230之間的電位差被靜電驅動而相互吸引靠近般地移動，並且第1彈簧222與第2彈簧230會被靜電驅動而相互吸引靠近般地移動，則快門210便會移動。
此外，本實施型態中，雖係以將第1彈簧、第2彈簧及固定部連接並配置在快門210兩側為例來加以說明，但本發明之顯示裝置100並未限定於上述結構。例如，亦可將第1彈簧，第2彈簧及固定部連接並配置在快門210的一側，而僅將第1彈簧及固定部連接並配置 在快門210的另一側，並使另一側的第1彈簧及固定部具有將快門支撐為自基板浮起之狀態之功能，來靜電驅動快門210一側的第1彈簧及第2彈簧，以使快門210動作。
此處，作為本發明一實施型態之顯示裝置100的發明經過，參照圖5至圖7來加以說明使用一般的MEMS快門之顯示裝置結構。
以下，參照圖5來針對相對於本發明一實施型態之顯示裝置100而為一般的顯示裝置之顯示部及端子部的結構加以說明。圖5係顯示一般的顯示裝置之顯示部及端子部的一例之剖視圖。圖5中，與上述本發明顯示裝置100的結構相同結構之部分則賦予相同符號來表示。又，圖5上方處，為了便於說明，將對應於顯示部之區域以“A”表示，而對應於端子部之區域則以“B”來表示。圖5所示之”A”區域係對應於利用圖4所示MEMS快門202中的A-A’線來表示之部位。
如圖5所示，形成有TFT之基板101上係形成有第1絕緣膜113。此外，形成有第1絕緣膜113之基板101已預先形成有閘極線(G1、G2、‧‧‧、Gn)、資訊線(D1、D2、‧‧‧、Dm)、資料驅動器101b、101c、閘極驅動器101d、開關元件204及端子102等，而構成TFT基板。如圖5所示，對應於顯示部之區域A處，基板101上係形成有第1絕緣膜113，而對應於端子部之區域B處，形成於基板101上之端子102上則形成有第1 絕緣膜113。第1絕緣膜113由於覆蓋率高且絕緣耐壓性強，因此可藉由CVD法等來形成例如矽氮化膜(SiN)。依據CVD法，便可在200℃左右的溫度下，於基板101上形成作為第1絕緣膜113之矽氮化膜。又，第1絕緣膜113的材料以具有能夠讓光線在顯示裝置100中穿透且不會無謂地反射或遮蔽光線般的透光性較為適合。因此，較佳係使用具透光性的膜。
於第1絕緣膜113上，對應於顯示部之區域A處係形成有快門210、第1彈簧218、第2彈簧226及固定部234。如圖5所示，快門210係具有a-Si(210a)及遮光用的AlSi(210b)的層積體，且固定部234亦可具有a-Si(234a)及AlSi(234b)的層積體。又，第1彈簧218及第2彈簧226亦可使用a-Si(226a)來形成。此外，快門210、第1彈簧218、第2彈簧226及固定部234只要具有MEMS快門202能夠動作的構造，則未限定於上述構造及材料。
形成有快門210、第1彈簧218、第2彈簧226及固定部234之基板101上係形成有第2絕緣膜115。第2絕緣膜115如圖示，係形成為覆蓋快門210、第1彈簧218、第2彈簧226及固定部234的側部或下部般。藉此，可防止當MEMS快門202動作時，a-Si所構成的快門210、第1彈簧218及第2彈簧226位移來與其他部分接觸而變得無法分離(黏著)或短路。第2絕緣膜115由於係與第1絕緣膜113同樣地具有透光性且覆蓋 率及絕緣耐壓性強，故可使用矽氮化膜而藉由CVD法等來形成。藉由使用CVD法，則在200℃左右的溫度下，基板101上以及自基板101隔離而形成的快門210、第1彈簧218及第2彈簧226的側部或下部便亦會形成有第2絕緣膜115。此外，第2絕緣膜115只要是具有防止短路構造，而能夠使MEMS快門202的靜電驅動動作良好地進行，則未限定於圖5所示構造及上述材料。
形成於端子102上之第1絕緣膜113及第2絕緣膜115係藉由蝕刻而被去除來使端子102露出，而如圖5所示般地形成有會使端子102露出之端子開口部(端子露出部)102k。
以下，參照圖6及圖7來針對相對於本發明顯示裝置100而為一般的顯示裝置中之端子部的製造步驟加以說明。
圖6係顯示一般的顯示裝置之端子部的製造步驟之圖式，(a)係顯示形成第1絕緣膜113之步驟之剖視圖，(b)係顯示形成第2絕緣膜115之步驟之剖視圖，(c)係顯示將對向基板109接合於基板101之步驟之剖視圖，(d)係顯示形成端子開口部102k之步驟之剖視圖。圖7係顯示一般的顯示裝置之顯示部及端子部的製造步驟之圖式，(a)係顯示形成第2絕緣膜115之步驟之剖視圖，(b)係顯示形成端子開口部102k之步驟之剖視圖。
如圖6(a)所示，首先，於形成有端子102之基板101 上形成第1絕緣膜113，並藉由蝕刻來去除端子開口部102k的形成位置處之第1絕緣膜113。第1絕緣膜113如上所述，亦可使用CVD法來形成矽氮化膜。藉由CVD法來形成矽氮化膜，便可在基板101上而於200℃左右的溫度下形成第1絕緣膜113。作為蝕刻方法，當蝕刻矽氮化膜所構成的第1絕緣膜113時，可藉由RIE(Reaction Ion Etching；反應式離子蝕刻)法而使用CF4 氣體或SF6 氣體等含氟氣體與O2 氣體的混合氣體等來進行乾蝕刻。
接下來，如圖6(b)所示，於第1絕緣膜113上形成第2絕緣膜115。此時，如圖7(a)所示，第1絕緣膜113上係形成有快門210、第1彈簧218、第2彈簧226及固定部234，且覆蓋該等的側部及下部般地形成有第2絕緣膜115。第2絕緣膜115由於亦與上述第1絕緣膜113同樣地具有透光性，並且覆蓋率高、絕緣耐壓性強，因此可使用CVD法來形成矽氮化膜。
接下來，如圖6(c)所示，透過密封材108來將對向基板109接合於基板101上。對向基板109亦可由例如玻璃基板與配置在玻璃基板上之反射膜所構成。反射膜可配置在與基板101呈對向之玻璃基板的面上，而形成為與玻璃基板相接之側的反射率較高，而與基板101呈對向之側的反射率較低。此反射膜雖未圖示，係具有透光部，其能夠讓來自配置於對向基板109的內面側(使得與基板101呈對向之面為上面時對向基板109的下面 側)之背光源的光線穿透。透光部可為設置於反射膜之開口部。來自背光源的光線會在通過對向基板109的玻璃基板而通過形成於反射膜之透光部後，到達形成於基板101之MEMS快門202。此時，藉由以快門210的開口部212,214與對向基板109的透光部會在平面方向上相重合之方式來接合基板101與對向基板109，便可藉由MEMS快門202的動作來控制通過快門210的開口部212,214之光線量。此外，對向基板109的反射膜係如上所述地，藉由使得與玻璃基板相接之面的反射率較高，可使來自背光源的光線反射而增加光線量，而藉由使得與基板101呈對向之面的反射率較低，便可抑制不需要之光線的反射。
可在以密封材108接合基板101與對向基板109後，將填封材料封入基板101與對向基板109之間的空間。填封材料可使用例如矽油。填封材料可選擇不會妨礙MEMS快門202的動作，且不會發生腐蝕等而具有期望的黏性之材料或封入條件。藉此，便可抑制來自外部的衝撃而導致MEMS快門202過度振動等，且抑制MEMS快門202的一部分與其他部分接觸而變得無法無法分離(黏著)。
接下來，如圖6(d)及圖7(b)所示，藉由蝕刻來去除端子102上的第2絕緣膜115而形成能夠讓端子102露出之端子開口部102k。藉由端子開口部102k，端子102便可與外部端子(未圖示)電連接，而接受來自外部電路 (未圖示)之電源或訊號的供應。蝕刻方法可與上述第1絕緣膜113的蝕刻方法同樣地，藉由RIE法而使用CF4 氣體或SF6 氣體等含氟氣體與O2 氣體的混合氣體等來進行乾蝕刻。
但藉由蝕刻來去除第2絕緣膜115時，若覆蓋端子102之第1絕緣膜113與第2絕緣膜115例如同樣皆為矽氮化膜的情況，由於第1絕緣膜113與第2絕緣膜115的蝕刻率相同，因此會難以只去除第2絕緣膜115但使保護基板101之第1絕緣膜113具有足夠膜厚而殘留。如圖6(d)及圖7(b)所示，端子部的第1絕緣膜113會有被過度削除的情況。於是，形成於為TFT基板之基板101之配線等便會露出，而有導致絕緣不良或導電不良之虞。
是以，本發明者再三研究可抑制顯示裝置的端子部處之TFT基板的表面保護膜(絕緣膜)之膜削減，來提升TFT基板的可靠度之顯示裝置後，發明了以下所示本發明實施型態之顯示裝置。
(第1實施型態)
以下，參照圖8至圖10來針對本發明第1實施型態之顯示裝置之端子部的製造步驟加以說明。
圖8係顯示本發明第1實施型態之顯示裝置100的顯示部101a及端子部101e之剖視圖。圖9係顯示本發明第1實施型態之顯示裝置100的端子部101e的製造步驟之圖式，(a)係顯示形成第1絕緣膜103及第2絕緣 膜104之步驟之剖視圖，(b)係顯示形成供端子102開口的部分之步驟之剖視圖，(c)係顯示形成第3絕緣膜105之步驟之剖視圖，(d)係顯示將對向基板109接合於基板101之步驟之剖視圖，(e)係顯示將端子開口之步驟之剖視圖。圖10係顯示本發明第1實施型態之顯示裝置100的顯示部101a及端子部101e的製造步驟中，形成第3絕緣膜105之步驟之剖視圖。
如圖8所示，本發明第1實施型態之顯示裝置100係在顯示部101a處，於配置在TFT基板(基板101)上之第1絕緣膜103上配置有第2絕緣膜104，再於第2絕緣膜104上配置有MEMS快門202。MEMS快門202包含了快門210、第1彈簧218、第2彈簧226及固定部234。配置有第2絕緣膜104之基板101上以及MEMS快門202的側部係配置有第3絕緣膜105。於顯示部101a上，對向基板109係透過密封材108而被接合在基板101。又，於端子部101e處，配置在基板101上之端子102上係配置有第1絕緣膜103，再於第1絕緣膜103上配置有第2絕緣膜104，藉由在第1絕緣膜103及第2絕緣膜104呈開口的開口部(端子開口部102k)，則端子102的一部分便會露出。由於可藉由此端子開口部102k來使端子102與外部端子(未圖示)電連接，因此便可接受來自外部電路(未圖示)之電源或訊號的供應。
以下，參照圖9及圖10來針對本發明顯示裝置100之端子部101e及顯示部101a的製造步驟加以說明。
如圖9(a)所示，於形成有端子102之基板101上形成第1絕緣膜103，並藉由蝕刻來去除端子開口部102k的形成位置處之第1絕緣膜103後，形成第2絕緣膜104。第1絕緣膜103係能夠保護TFT基板(基板101)表面之絕緣膜。第1絕緣膜103由於係與上述第1絕緣膜113同樣地具有透光性，並且覆蓋率或絕緣耐壓性高，因此可使用矽氮化膜而藉由CVD法來形成。依據CVD法，便可在200℃左右的溫度下，於基板101上形成矽氮化膜所構成的第1絕緣膜103。藉此，便可在不會損及TFT基板的可靠度之情況下，於形成有端子102之基板101上形成第1絕緣膜103。在形成第1絕緣膜103後，藉由蝕刻來去除端子開口部102k的形成位置處之第1絕緣膜103。蝕刻方法係當第1絕緣膜103為矽氮化膜時，可藉由RIE法而使用CF4 氣體或SF6 氣體等含氟氣體與O2 氣體的混合氣體等來進行乾蝕刻。
去除端子開口部102k的形成位置處之第1絕緣膜103後，於第1絕緣膜103上形成第2絕緣膜104。第2絕緣膜104只要是使用相對於第1絕緣膜103而能夠在後述蝕刻步驟中獲得期望的選擇比之材料，則關於材料並無特別限制。例如，使用矽氮化膜於第1絕緣膜103的情況，可使用具有與矽氮化膜不同的蝕刻率之矽氧化膜(SiO)於第2絕緣膜104。當使用矽氧化膜於第2絕緣膜104的情況，可藉由CVD法等來形成。又，第2絕緣膜104只要是能夠與例如矽氮化膜之第1絕緣膜 103獲得期望的選擇比則亦可為矽氧氮化膜(SiON)或樹脂。此時，第1絕緣膜103與第2絕緣膜104的選擇比較佳為第2絕緣膜104/第1絕緣膜103=5~10左右。又，亦可藉由將第2絕緣膜104的膜厚形成為較厚，來使第1絕緣膜103與第2絕緣膜104的蝕刻條件不同。藉此，便可在後述蝕刻步驟中，使第1絕緣膜103殘留足夠的膜厚，而形成能夠讓端子102露出之端子開口部102k。
接下來，如圖9(b)所示，藉由蝕刻來去除端子開口部102k的形成位置處之第2絕緣膜104以使端子102露出。蝕刻方法可利用配合第2絕緣膜104的材料而使用蝕刻劑之濕蝕刻或是使用蝕刻氣體之乾蝕刻。使用矽氧化膜於第2絕緣膜104的情況，可舉出以HF稀釋水溶液或NH4 F水溶液作為蝕刻液使用之濕蝕刻。又，亦可藉由RIE法而使用CF4 氣體或SF6 氣體等含氟氣體與O2 氣體的混合氣體等來進行乾蝕刻。
接下來，如圖9(c)及圖10所示，於第2絕緣膜104上形成第3絕緣膜105。第3絕緣膜105係與圖7(a)所示上述第2絕緣膜115同樣地形成為覆蓋快門210、第1彈簧218、第2彈簧226及固定部234的側部或下部。藉此，可防止當MEMS快門202動作時，a-Si所構成的快門210、第1彈簧218及第2彈簧226位移來與其他部分接觸而變得無法分離(黏著)或短路。於是，第3絕緣膜105由於覆蓋率高且絕緣耐壓性強，因此便與第1絕緣膜103同樣地，可使用矽氮化膜而藉由CVD法 等來形成。藉由CVD法來形成矽氮化膜，便可在200℃左右的溫度下，於基板101上以及自基板101隔離而形成的快門210、第1彈簧218及第2彈簧226的側部或下部形成第3絕緣膜105。第3絕緣膜105只要是使用相對於第2絕緣膜104而能夠在後述蝕刻步驟中獲得期望的選擇比之材料，且具有防止短路構造，並能夠使MEMS快門202的靜電驅動動作良好地進行，則未限定於上述構造及材料。此外，第2絕緣膜104與第3絕緣膜105的選擇比較佳為第3絕緣膜105/第2絕緣膜104=10~20左右。
接下來，如圖9(d)所示，透過密封材108來將對向基板109接合於基板101上後，如圖9(e)所示，藉由蝕刻來去除第3絕緣膜105，而形成能夠讓端子102露出之端子開口部102k。蝕刻方法可利用配合第3絕緣膜105的材料而使用蝕刻劑之濕蝕刻或是使用蝕刻氣體之乾蝕刻。此外，當第2絕緣膜104為矽氧化膜，而第3絕緣膜105為矽氮化膜的情況，可藉由RIE法而使用CF4 氣體或SF6 氣體等含氟氣體與O2 氣體的混合氣體等來進行乾蝕刻。又，濕蝕刻的情況可使用磷酸溶液等。此時，密封材108係使用不會被該等的蝕刻劑或蝕刻氣體蝕刻之材料。如上所述，第2絕緣膜104由於具有與第3絕緣膜105及第1絕緣膜103不同的蝕刻率，因此可如圖9(e)所示般地以第2絕緣膜104作為蝕刻停止部，而在不會蝕刻到第1絕緣膜103情況下結束第3絕 緣膜105的蝕刻。
是以，依據本發明第1實施型態，由於可在於端子部101e處形成供端子102露出的端子開口部102k之際，不會讓形成於基板101之TFT或配線等露出來而去除覆蓋端子102之第3絕緣膜105，因此可防止配線等的絕緣不良或導電不良，從而可維持TFT基板的可靠度。
如此地，依據本發明之顯示裝置及其製造方法，便可提供一種能夠抑制保護TFT基板表面之絕緣膜的膜削減且去除端子上的絕緣膜，從而可謀求TFT基板的可靠度提升之顯示裝置及其製造方法。
此外，雖未圖示，但若能夠蝕刻第1絕緣膜103到殘留足夠的膜厚之情況，則不僅是第3絕緣膜105甚至是第2絕緣膜104亦可藉由蝕刻來去除。
(第2實施型態)
以下，參照圖11來針對本發明第2實施型態之顯示裝置100的端子部101e的製造步驟加以說明。此外，與上述第1實施型態之顯示裝置100的端子部101e的製造步驟相同之步驟則省略說明。
圖11係顯示本發明第2實施型態之顯示裝置100的端子部101e的製造步驟之圖式，(a)係顯示形成第1絕緣膜103及第2絕緣膜104之步驟之剖視圖，(b)係顯示形成供端子102開口的部分之步驟之剖視圖，(c)係顯示形成第3絕緣膜105之步驟之剖視圖，(d)係顯示將對 向基板109接合於基板101之步驟之剖視圖，(e)係顯示將端子102開口之步驟之剖視圖。
如圖11(a)所示，於形成有端子102的基板101上形成第1絕緣膜103及第2絕緣膜104。與上述第1實施型態不同，並非蝕刻第1絕緣膜103，而是在第1絕緣膜103上形成第2絕緣膜104。此時，第1絕緣膜103與第2絕緣膜104係使用蝕刻率互為不同的材料。又，第1絕緣膜103及第2絕緣膜104亦可使用與上述第1實施型態之第1絕緣膜103及第2絕緣膜104相同的材料及方法來形成。
接下來，如圖11(b)所示，藉由蝕刻來去除端子開口部102k的形成位置處之第1絕緣膜103及第2絕緣膜104以使端子102露出。蝕刻方法可藉由RIE法而使用CF4 氣體或SF6 氣體等含氟氣體與O2 氣體的混合氣體等來進行乾蝕刻。
接下來，如圖11(c)所示，於第2絕緣膜104上形成第3絕緣膜105。第2絕緣膜104與第3絕緣膜105係使用具有不同蝕刻率的材料。又，第3絕緣膜105亦可使用與上述第1實施型態之第3絕緣膜105相同的材料及方法來形成。
接下來，如圖11(d)所示，透過密封材108來將對向基板109接合於基板101上後，如圖11(e)所示，藉由蝕刻來去除第3絕緣膜105，而形成能夠讓端子102露出之端子開口部102k。蝕刻方法可與上述第1實施 型態同樣地利用配合第3絕緣膜105的材料而使用蝕刻劑之濕蝕刻或是使用蝕刻氣體之乾蝕刻。此時，第2絕緣膜104由於具有與第3絕緣膜105及第1絕緣膜103不同的蝕刻率，因此可以第2絕緣膜104作為蝕刻停止部，而在不會蝕刻到第1絕緣膜103情況下結束第3絕緣膜105的蝕刻。
是以，依據本發明第2實施型態，由於可在於端子部101e處形成供端子102露出的端子開口部102k之際，不會讓形成於基板101之TFT或配線等露出來而去除覆蓋端子102之第3絕緣膜105，因此可與上述第1實施型態同樣地防止配線等的絕緣不良或導電不良，從而可維持TFT基板的可靠度。
(第3實施型態)
以下，參照圖12來針對本發明第3實施型態之顯示裝置100的端子部101e的製造步驟加以說明。此外，與上述第1實施型態之顯示裝置100的端子部101e的製造步驟相同之步驟則省略說明。
圖12係顯示本發明第3實施型態之顯示裝置100的端子部101e的製造步驟之圖式，(a)係顯示形成第1絕緣膜103及第2絕緣膜104之步驟之剖視圖，(b)係顯示形成第3絕緣膜105之步驟之剖視圖，(c)係顯示將對向基板109接合於基板101之步驟之剖視圖，(d)係顯示將端子102開口之步驟之剖視圖。
如圖12(a)所示，於形成有端子102之基板101上 形成第1絕緣膜103後，形成第2絕緣膜104。第1絕緣膜103係與上述第1實施型態同樣地，藉由蝕刻來去除端子開口部102k的形成位置處之第1絕緣膜103。在去除端子開口部102k的形成位置處之第1絕緣膜103後，於第1絕緣膜103上形成第2絕緣膜104。與上述第1實施型態同樣地，第1絕緣膜103與第2絕緣膜104係使用蝕刻率互為不同的材料。又，第1絕緣膜103及第2絕緣膜104亦可使用與上述第1實施型態之第1絕緣膜103及第2絕緣膜104相同的材料及方法來形成。
接下來，如圖12(b)所示，於第2絕緣膜104上形成第3絕緣膜105。第2絕緣膜104與第3絕緣膜105係使用具有不同蝕刻率的材料。又，第3絕緣膜105亦可使用與上述第1實施型態之第3絕緣膜105相同的材料及方法來形成。
接下來，如圖12(c)所示，透過密封材108來將對向基板109接合於基板101上後，如圖12(d)所示，藉由蝕刻來去除第2絕緣膜104及第3絕緣膜105，而形成能夠讓端子102露出之端子開口部102k。蝕刻方法可與上述第1實施型態同樣地利用配合第3絕緣膜105的材料而使用蝕刻劑之濕蝕刻或是使用蝕刻氣體之乾蝕刻。此時，第2絕緣膜104由於具有與第3絕緣膜105及第1絕緣膜103不同的蝕刻率，因此可以第2絕緣膜104作為蝕刻停止部，而在不會蝕刻到第1絕緣膜 103情況下結束第3絕緣膜105的蝕刻。
是以，依據本發明第3實施型態，由於可在於端子部101e處形成供端子102露出的端子開口部102k之際，不會讓形成於基板101之TFT或配線等露出來而去除覆蓋端子102之第2絕緣膜104及第3絕緣膜105，因此可與上述第1及第2實施型態同樣地防止配線等的絕緣不良或導電不良，從而可維持TFT基板的可靠度。
(第4實施型態)
以下，參照圖13來針對本發明第4實施型態之顯示裝置100的端子部101e的製造步驟加以說明。此外，與上述第1實施型態之顯示裝置100的端子部101e的製造步驟相同之步驟則省略說明。
圖13係顯示本發明第4實施型態之顯示裝置100的端子部101e的製造步驟之圖式，(a)係顯示形成第1絕緣膜103及下層的第2絕緣膜104a之步驟之剖視圖，(b)係顯示形成上層的第2絕緣膜104b之步驟之剖視圖，(c)係顯示形成形成第3絕緣膜105之步驟之剖視圖，(d)係顯示將對向基板109接合於基板101之步驟之剖視圖，(e)係顯示將端子102開口之步驟之剖視圖。
此外，本實施型態中，為了顯示上述第1至第3實施型態之第2絕緣膜104為2層的層積構造，在說明方便上，便顯示為下層的第2絕緣膜104a與上層的第2絕緣膜104b。因此，下層的第2絕緣膜104a與上層的第2絕緣膜104b亦會有下層與上層上下相反的情況， 但並未限定於此。又，第2絕緣膜104亦可為具有2層以上的層積構造。
如圖13(a)所示，於形成有端子102之基板101上形成第1絕緣膜103後，形成下層的第2絕緣膜104a，並藉由蝕刻來去除端子開口部102k的形成位置處之第1絕緣膜103及下層的第2絕緣膜104a。第1絕緣膜103及下層的第2絕緣膜104a由於可以相同於圖11(a)及(b)所示上述第2實施型態之製造步驟來形成，故省略製造步驟的詳細說明。因此，第1絕緣膜103與下層的第2絕緣膜104a係與上述第1實施型態之第1絕緣膜103及第2絕緣膜104同樣地使用蝕刻率互為不同的材料。又，第1絕緣膜103及下層的第2絕緣膜104a亦可使用與上述第1實施型態之第1絕緣膜103及第2絕緣膜104相同的材料及方法來形成。
接下來，如圖13(b)所示，於下層的第2絕緣膜104a上形成上層的第2絕緣膜104b。上層的第2絕緣膜104b亦可與下層的第2絕緣膜104a同樣地使用與上述第1實施型態之第2絕緣膜104相同的材料及方法來形成。因此，當下層的第2絕緣膜104a為例如矽氧化膜時，則上層的第2絕緣膜104b可仍為矽氧化膜或是矽氧氮化膜。
接下來，如圖13(c)所示，於上層的第2絕緣膜104b上形成第3絕緣膜105。上層的第2絕緣膜104b與第3絕緣膜105係使用具有不同蝕刻率的材料。又，第3絕 緣膜105亦可使用與上述第1實施型態之第3絕緣膜105相同的材料及方法來形成。
接下來，如圖13(d)所示，透過密封材108來將對向基板109接合於基板101上後，如圖13(e)所示，藉由蝕刻來去除上層的第2絕緣膜104b及第3絕緣膜105，而形成能夠讓端子102露出之端子開口部102k。蝕刻方法可與上述第1實施型態同樣地利用配合第3絕緣膜105的材料而使用蝕刻劑之濕蝕刻或是使用蝕刻氣體之乾蝕刻。此時，第2絕緣膜104由於具有與第3絕緣膜105及第1絕緣膜103不同的蝕刻率，因此可以第2絕緣膜104作為蝕刻停止部，而在不會蝕刻到第1絕緣膜103情況下結束第3絕緣膜105的蝕刻。
是以，依據本發明第4實施型態，由於可在於端子部101e處形成供端子102露出的端子開口部102k之際，不會讓形成於基板101之TFT或配線等露出來而去除覆蓋端子102之第2絕緣膜104a及第3絕緣膜105，因此可與上述第1至第3實施型態同樣地防止配線等的絕緣不良或導電不良，從而可維持TFT基板的可靠度。
(第5的實施型態)
上述的第1至第4實施型態中，第2絕緣膜104(亦包含104a)雖係從端子102附近延伸至顯示部側所形成，但亦可為從密封材108到顯示部側的區域處並未形成有第2絕緣膜104之結構。亦可包含去除從密封材 108到顯示部側區域處的第2絕緣膜104之步驟。上述結構亦可抑制保護TFT基板表面之絕緣膜的膜削減且去除端子上的絕緣膜。
以上，依據本發明第1至第5的實施型態，便可抑制保護TFT基板表面之絕緣膜的膜削減且去除端子上的絕緣膜。於是，依據本實施型態之顯示裝置及其製造方法，便可提升TFT基板製造時的良率且提升其可靠度。
本申請案係依據2011年6月3日向日本專利局所申請之日本專利申請第2011-125432號而主張優先權，並援用其全部內容於此。
D1,D2,Dm‧‧‧資訊線
G1,G2,Gn‧‧‧閘極線
100‧‧‧顯示裝置
101‧‧‧基板
101a‧‧‧顯示部
101b,101c,101d‧‧‧驅動電路
101e‧‧‧端子部
102‧‧‧端子
102k‧‧‧端子開口部
103‧‧‧第1絕緣膜
104‧‧‧第2絕緣膜
104a‧‧‧下層的第2絕緣膜
104b‧‧‧上層的第2絕緣膜
105‧‧‧第3絕緣膜
108‧‧‧密封材
109‧‧‧對向基板
113‧‧‧第1絕緣膜
115‧‧‧第2絕緣膜
120‧‧‧控制器
122‧‧‧背光源
200‧‧‧像素
202‧‧‧MEMS快門
204‧‧‧開關元件
206‧‧‧滯留容量
210‧‧‧快門
212,214‧‧‧開口部
216,218,220,222‧‧‧第1彈簧
224,226,228,230‧‧‧第2彈簧
232,234,236,238,240,242‧‧‧固定部
210a,226a,234a‧‧‧a-Si
210b,234b‧‧‧AlSi
圖1係顯示本發明一實施型態之顯示裝置之圖式，(a)為顯示裝置之立體圖，(b)為顯示裝置之俯視圖。
圖2係本發明一實施型態之顯示裝置的電路方塊圖。
圖3係顯示本發明一實施型態之顯示裝置所使用的MEMS快門結構之圖式。
圖4係顯示本發明一實施型態之顯示裝置所使用的MEMS快門結構之圖式。
圖5係顯示相對於本發明一實施型態之顯示裝置而為一般的顯示裝置之顯示部及端子部的一例之剖視圖。
圖6係顯示相對於本發明一實施型態之顯示裝置而為一般的顯示裝置之端子部的製造步驟之圖式，(a)係顯示形成第1絕緣膜之步驟之剖視圖，(b)係顯示形成第2絕緣膜之步驟之剖視圖，(c)係顯示將對向基板接合於基板之步驟之剖視圖，(d)係顯示形成端子開口部之步驟之剖視圖。
圖7係顯示相對於本發明一實施型態之顯示裝置而為一般的顯示裝置之顯示部及端子部的製造步驟之圖式，(a)係顯示形成第2絕緣膜之步驟之剖視圖，(b)係顯示形成端子開口部之步驟之剖視圖。
圖8係顯示本發明第1實施型態之顯示裝置的顯示部及端子部之剖視圖。
圖9係顯示本發明第1實施型態之顯示裝置之端子部的製造步驟之圖式，(a)係顯示形成第1絕緣膜及第2絕緣膜之步驟之剖視圖，(b)係顯示形成供端子開口的部分之步驟之剖視圖，(c)係顯示形成第3絕緣膜之步驟之剖視圖，(d)係顯示將對向基板接合於基板之步驟之剖視圖，(e)係顯示將端子開口之步驟之剖視圖。
圖10係顯示本發明第1實施型態之顯示裝置之顯示部及端子部的製造步驟中，形成第3絕緣膜之步驟之剖視圖。
圖11係顯示本發明第2實施型態之顯示裝置之端子部的製造步驟之圖式，(a)係顯示形成第1絕緣膜及第2絕緣膜之步驟之剖視圖，(b)係顯示形成供端子開口的 部分之步驟之剖視圖，(c)係顯示形成第3絕緣膜之步驟之剖視圖，(d)係顯示將對向基板接合於基板之步驟之剖視圖，(e)係顯示將端子開口之步驟之剖視圖。
圖12係顯示本發明第3實施型態之顯示裝置之端子部的製造步驟之圖式，(a)係顯示形成第1絕緣膜及第2絕緣膜之步驟之剖視圖，(b)係顯示形成第3絕緣膜之步驟之剖視圖，(c)係顯示將對向基板接合於基板之步驟之剖視圖，(d)係顯示將端子開口之步驟之剖視圖。
圖13係顯示本發明第4實施型態之顯示裝置之端子部的製造步驟之圖式，(a)係顯示形成第1絕緣膜及下層的第2絕緣膜之步驟之剖視圖，(b)係顯示形成上層的第2絕緣膜之步驟之剖視圖，(c)係顯示形成形成第3絕緣膜之步驟之剖視圖，(d)係顯示將對向基板接合於基板之步驟之剖視圖，(e)係顯示將端子開口之步驟之剖視圖。
100‧‧‧顯示裝置
101‧‧‧基板
101a‧‧‧顯示部
101b,101c,101d‧‧‧驅動電路
101e‧‧‧端子部
102‧‧‧端子
109‧‧‧對向基板

Claims (11)

  1. 一種顯示裝置，其包含有：複數畫素，係分別對應而配置在基板上所配置之複數資訊線與複數閘極線的交點；第1絕緣膜，係配置在該基板上；第2絕緣膜，係與該第1絕緣膜的至少一部分相接而配置在該第1絕緣膜的上層，且與該第1絕緣膜為不同材質的膜；複數MEMS快門，係分別對應於該複數畫素而配置在該第2絕緣膜上，且於側部配置有第3絕緣膜；以及複數端子，係對該複數閘極線及該複數資訊線供應電位，而從該複數端子的上部所配置之該第1絕緣膜及該第2絕緣膜的開口部接受該電位的供應。
  2. 如申請專利範圍第1項之顯示裝置，其中該第2絕緣膜係具有與該第1絕緣膜及該第3絕緣膜不同的蝕刻率。
  3. 如申請專利範圍第1項之顯示裝置，其中該MEMS快門係具備有具有開口部之快門、連接於該快門之第1彈簧、連接於該第1彈簧之第1固定部、第2彈簧、以及連接於該第2彈簧之第2固定部；藉由該第1固定部與該第2固定部的電位差來靜電驅動該第1彈簧與該第2彈簧。
  4. 如申請專利範圍第3項之顯示裝置，其中該 MEMS快門係具有分別對應而連接於該MEMS快門之開關元件；該第1固定部與該第2固定部的電位差係由該開關元件所供應。
  5. 如申請專利範圍第1項之顯示裝置，其另包含有：對向基板，係具有與該基板接合之透光部；以及背光源，係與該對向基板呈對向配置；由該快門之該開口部與該對向基板之該透光部的重疊部分來使從該背光源所供應之光線穿透。
  6. 一種顯示裝置之製造方法，係於基板上形成複數開關元件及複數端子；於該複數開關元件及該複數端子上形成第1絕緣膜；於該第1絕緣膜上形成與該第1絕緣膜為不同材質的膜之第2絕緣膜；蝕刻該複數端子上的該第1絕緣膜及該第2絕緣膜來使該複數端子的一部分露出；於該第2絕緣膜上形成分別藉由該複數開關元件而被驅動之複數MEMS快門，其具有：具有開口部之快門、連接於該快門之第1彈簧、連接於該第1彈簧之第1固定部、第2彈簧、以及連接於該第2彈簧之第2固定部；於該複數MEMS快門及該複數端子上形成第3絕 緣膜；蝕刻該複數端子上的該第3絕緣膜來使該複數端子的一部分露出。
  7. 一種顯示裝置之製造方法，係於基板上形成複數開關元件及複數端子；於該複數開關元件及該複數端子上形成第1絕緣膜；蝕刻該複數端子上的該第1絕緣膜來使該複數端子的一部分露出；於該第1絕緣膜上形成與該第1絕緣膜為不同材質的膜之第2絕緣膜；於該第2絕緣膜上形成分別藉由該複數開關元件而被驅動之複數MEMS快門，其具有：具有開口部之快門、連接於該快門之第1彈簧、連接於該第1彈簧之第1固定部、第2彈簧、以及連接於該第2彈簧之第2固定部；於該複數MEMS快門及該複數端子上形成第3絕緣膜；蝕刻該複數端子上的該第2絕緣膜及該第3絕緣膜來使該複數端子的一部分露出。
  8. 如申請專利範圍第6項之顯示裝置之製造方法，其中該第2絕緣膜係使用具有與該第1絕緣膜及該第3絕緣膜不同蝕刻率的成膜材料而形成。
  9. 如申請專利範圍第6項之顯示裝置之製造方 法，其中該第2絕緣膜係形成為複數層所構成的層積構造。
  10. 如申請專利範圍第6項之顯示裝置之製造方法，其中該第1絕緣膜及該第3絕緣膜係使用CVD法來形成矽氮化膜。
  11. 如申請專利範圍第6項之顯示裝置之製造方法，其中一對向基板係透過密封材與該基板上之形成有該複數開關元件的面呈對向而被加以接合。
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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5762842B2 (ja) * 2011-06-21 2015-08-12 ピクストロニクス，インコーポレイテッド 表示装置及び表示装置の製造方法
JP2014145857A (ja) * 2013-01-28 2014-08-14 Sony Corp 表示装置およびその製造方法、並びに電子機器
JP2014178456A (ja) * 2013-03-14 2014-09-25 Pixtronix Inc 表示装置及びその製造方法
US20140268273A1 (en) * 2013-03-15 2014-09-18 Pixtronix, Inc. Integrated elevated aperture layer and display apparatus
WO2015153179A1 (en) 2014-04-01 2015-10-08 Agiltron, Inc. Microelectromechanical displacement structure and method for controlling displacement
CN104464632B (zh) * 2014-12-24 2017-01-11 京东方科技集团股份有限公司 一种像素结构及其制备方法、像素显示方法和阵列基板
WO2016180048A1 (zh) * 2015-05-13 2016-11-17 京东方科技集团股份有限公司 一种显示装置及其驱动方法
WO2017164094A1 (ja) * 2016-03-23 2017-09-28 住友精密工業株式会社 変位拡大機構及びシャッタ装置
CN109143657A (zh) * 2017-06-28 2019-01-04 京东方科技集团股份有限公司 一种光阀、显示装置及其显示方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003021798A (ja) * 2001-07-06 2003-01-24 Sony Corp Ｍｅｍｓ素子、ｇｌｖデバイス、及びレーザディスプレイ
WO2006036435A1 (en) * 2004-09-27 2006-04-06 Idc, Llc Controlling electromechanical behavior of structures within a microelectromechanical systems device
US20060091860A1 (en) * 2004-10-29 2006-05-04 Seiko Epson Corporation Power supply control circuit,electronic apparatus, semiconductor device, control method for power supply control circuit, and control method for electronic apparatus
US20060250325A1 (en) * 2005-02-23 2006-11-09 Pixtronix, Incorporated Display methods and apparatus
CN101128765A (zh) * 2005-02-23 2008-02-20 皮克斯特罗尼克斯公司 显示方法和装置

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101027594A (zh) * 2004-09-27 2007-08-29 Idc公司 控制微机电***装置内结构的机电行为
JP4414855B2 (ja) * 2004-09-30 2010-02-10 富士フイルム株式会社 透過型光変調素子の製造方法
US9261694B2 (en) * 2005-02-23 2016-02-16 Pixtronix, Inc. Display apparatus and methods for manufacture thereof
CA2599579C (en) 2005-02-23 2013-11-26 Pixtronix, Inc. A display utilizing a control matrix to control movement of mems-based light modulators
ATE414971T1 (de) * 2005-02-23 2008-12-15 Pixtronix Inc Licht-modulator und verfahren zu seiner herstellung
US8526096B2 (en) * 2006-02-23 2013-09-03 Pixtronix, Inc. Mechanical light modulators with stressed beams
KR20090025837A (ko) 2007-09-07 2009-03-11 삼성전기주식회사 온도 보상층을 갖는 멤스 구조물 및 광변조기 소자
KR100948722B1 (ko) * 2008-03-12 2010-03-22 김혜리 무선통신을 이용한 교통과 편의시설의 정보 제공시스템
KR20100005501A (ko) * 2008-07-07 2010-01-15 웅진코웨이주식회사 자연가습 공기청정기의 가습필터 미장착 판단 시스템 및방법
KR20100026594A (ko) * 2008-09-01 2010-03-10 박정일 영구자석을 회전시켜 운동에너지를 얻는 방법
JP2010181495A (ja) * 2009-02-03 2010-08-19 Seiko Epson Corp 光制御装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003021798A (ja) * 2001-07-06 2003-01-24 Sony Corp Ｍｅｍｓ素子、ｇｌｖデバイス、及びレーザディスプレイ
WO2006036435A1 (en) * 2004-09-27 2006-04-06 Idc, Llc Controlling electromechanical behavior of structures within a microelectromechanical systems device
US20060091860A1 (en) * 2004-10-29 2006-05-04 Seiko Epson Corporation Power supply control circuit,electronic apparatus, semiconductor device, control method for power supply control circuit, and control method for electronic apparatus
US20060250325A1 (en) * 2005-02-23 2006-11-09 Pixtronix, Incorporated Display methods and apparatus
CN101128765A (zh) * 2005-02-23 2008-02-20 皮克斯特罗尼克斯公司 显示方法和装置

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Publication number Publication date
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