TWI461727B - 積層體的製造方法 - Google Patents

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Description

積層體的製造方法
本發明係有關一種具有基材與形成於其上之粒子層之積層體的製造方法。
在如LCD、PDP、CRT、有機EL、無機EL、FED之顯示器中,有時會因太陽光或螢光燈之光之外部光在顯示器表面反射,因而發生映入(反射)或眩光(光暈),而降低影像之辨識性。
上述現象之原因係在顯示器之表面附近之部分之折射率、和與該部分相接之大氣之折射率之間的差距大,做為減少如此之折射率差距之手法,已知有於顯示器之表面形成由具有較構成該表面之材料更低的折射率之材料組成之抗反射膜。做為具有抗反射膜之基材,已知有例如:由鏈狀氧化矽微粒子及相對於該鏈狀氧化矽微粒子之重量為5至30%之非粒子狀氧化矽組成,且於玻璃基板表面被覆有具有110至250nm之厚度之膜,並且於該膜表面形成有凹凸之抗可見光反射玻璃板(參照日本特開平11-292568號公報)。
然而,為了形成如前述之抗反射膜,必須使用可水解及/或縮聚之有機矽化合物、或從此等水解物中選出之矽化合物,並在數百度之高溫進行處理。因此,做為形成抗反射膜之基材,只能使用耐熱性優良者。此外,為了將抗反射層配置於顯示器表面,而要求該抗反射層具有高的強度,但若為了提高抗反射性能,而形成具有空隙之構造或低密度構造使膜之折射率降低,則強度會降低,因此,有難以兼具強度與抗反射性能之問題。
本發明之目的為提供一種未在高溫進行處理即可形成,且抗反射性能及膜強度之平衡優良之積層體的製造方法。
本發明有關一種積層體的製造方法,係於基材上積層有粒子之層之積層體的製造方法,其中,包括下述之步驟(1)至(3):步驟(1):使體積分率為0.30至0.84且由串連成鏈狀之粒徑為10至60nm之3個以上的粒子組成之無機粒子鏈(A)、體積分率為0.10至0.45且平均粒徑為1至20nm之無機粒子(B)、與體積分率為0.06至0.25且平均粒徑Dc大於20nm之粒子(C)分散於液體分散媒中而調製混合粒子分散液之步驟;步驟(2):將前述混合粒子分散液塗佈於基材上之步驟;以及步驟(3):經由從所塗佈之混合粒子分散液去除液體分散媒,而於前述基材上形成具有充分滿足0.5D≦Dc≦D之厚度D之前述粒子層之步驟。
依本發明之方法製得之積層體主要係做為如LCD、PDP、CRT、有機EL、無機EL、FED之各種顯示器之抗反射材使用之構件,更具體而言,係為了防止在顯示器表面之起因於外部光所造成之映入、和防止起因於從顯示器內部之發光體所發出之光在顯示器內部反射所造成之顯示器之亮度降低之目的,而主要配置於顯示器之表面或內部者。
在本發明中,基材只要為具有符合欲製造之積層體之用途之適度的機械性剛性之材料即可,可使用由樹脂、玻璃、金屬、無機物組成之薄膜、薄片、箔等。基材以表面平滑者為佳,也可為具有凹凸者、或於表面具有線路圖案或裝飾圖案等者或者多孔質薄膜。當將所製造之積層體使用於顯示器材料時,以使用透明材料,例如透明塑膠薄膜或薄片、透明玻璃薄片為佳。透明塑膠薄膜或薄片之具體例可舉例如:聚對酞酸乙二酯、聚乙烯、聚丙烯、賽璐凡、三乙醯纖維素、二乙醯纖維素、乙醯纖維素丁酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯等薄膜或薄片。因透明性優良且無光學異向性,而以由三乙醯纖維素或聚對酞酸乙二酯組成之薄膜或薄片為佳。此外,也可將偏光板、擴散板、導光板、亮度提高薄膜、反射偏光板等光學用構件做為基材使用。基材也可具有由紫外線硬化性樹脂等組成之硬塗層或具有導電性微粒子等之抗靜電層做為表面層。
本發明中所使用之混合粒子分散液係使體積分率為0.30至0.84且由串連成鏈狀之粒徑為10至60nm之3個以上的粒子組成之無機粒子鏈(A)、體積分率為0.10至0.45且平均粒徑為1至20nm之無機粒子(B)、與體積分率為0.06至0.25且平均粒徑Dc大於20nm之粒子(C)分散於液體分散媒中而成者。
無機粒子鏈(A)之化學組成與無機粒子(B)之化學組成可為相同也可為不同。做為無機粒子鏈(A)及無機粒子(B)使用之無機粒子之例子可舉例如:氧化矽、氧化鈦、氧化鋁、氧化鋅、氧化錫、碳酸鈣、硫酸鋇、滑石、高嶺土等。由於在溶劑中之分散性良好、折射率低,且粒徑分布小的粉體取得容易,故無機粒子鏈(A)及無機粒子(B)以氧化矽粒子為佳。
本發明之粒子(C)可為無機粒子,也可為樹脂粒子。並且無機粒子鏈(A)和無機粒子(B)之化學組成可相同也可不同。無機粒子之例子可舉例如:由氧化矽、氧化鈦、氧化鋁、氧化鋅、氧化錫、碳酸鈣、硫酸鋇等金屬氧化物;滑石、高嶺土等礦物;鉑、金、銀、銅、鋁、鎳、鉭、鎢等金屬組成之粒子。樹脂粒子可舉例如:由丙烯酸系、苯乙烯系、聚苯乙烯系、PAN、耐綸、聚胺酯系、酚、聚矽氧、苯基胍胺、三聚氰胺系、氟樹脂組成之粒子。由於在溶劑中之分散性良好、折射率低,且粒徑分布小的粉體取得容易,故本發明之粒子(C)以氧化矽粒子為佳。
本發明之方法中所使用之無機粒子鏈(A),係指由串連成鏈狀之粒徑在10至60nm之範圍內(較佳為在20至50nm之範圍內)之3個以上的粒子組成之無機粒子之鏈。形成無機粒子鏈(A)之粒子之粒徑係從使用光學顯微鏡、雷射顯微鏡、掃描型電子顯微鏡、穿透型電子顯微鏡、原子力顯微鏡等觀察而得之影像求出之粒徑、或BET法之平均粒徑、依西爾斯(sears)法等求出之平均粒徑。所謂西爾斯法,係指Analytical Chemistry,vol.28,p.1981-1983,1956中所記載之方法,且為適用於測定氧化矽粒子之平均粒徑之分析手法,並且為從將pH=3之矽酸膠分散液調整至pH=9為止所消耗之NaOH之量求出氧化矽粒子之表面積並從所求得之表面積計算相當球徑之方法。如此之無機粒子鏈可使用市售物,其例可舉例如:日產化學工業股份有限公司製之SNOWTEX(註冊商標)UP、OUP、PS-S、PS-SO、PS-M、PS-MO(此等係以水做為分散媒之氧化矽溶膠)、及日產化學工業股份有限公司製之IPA-ST-UP(此等係以異丙醇做為分散媒之氧化矽溶膠)等。形成有無機粒子鏈之粒子之粒徑、及無機粒子鏈之形狀,係藉由穿透型電子顯微鏡觀察而決定。在此,表達「串連成鏈狀」係相對於「串連成環狀」之表達,不僅為串連成直鏈狀者,也包含彎曲地串連者。
本發明之方法中所使用之無機粒子(B)之平均粒徑係在1至20nm之範圍內,較佳為在1至10nm之範圍內。在此,無機粒子(B)之平均粒徑係從使用掃描型電子顯微鏡、穿透型電子顯微鏡、原子力顯微鏡等觀察而得之影像求出之粒徑、或依動態光散射法、西爾斯法等求出之平均粒徑。
本發明之方法中所使用之粒子(C)之平均粒徑Dc係大於20nm,較佳為60至200nm。在此,粒子(C)之平均粒徑係使用光學顯微鏡、雷射顯微鏡、掃描型電子顯微鏡、穿透型電子顯微鏡、原子力顯微鏡等以影像所觀察而得之粒徑、或依雷射繞射散射法、動態光散射法、BET法之平均粒徑、依西爾斯法等求出之平均粒徑。
本發明之方法中所形成之積層體之厚度係滿足0.5D≦Dc≦D。若Dc<0.5D,則無法得到提高粒子層強度之效果。若D<Dc,則會喪失表面平滑性,故不佳。
本發明之液體分散媒只要為具有使粒子分散之機能者即可,可使用例如:水、甲醇、正丁醇、異丙醇、乙二醇、正丙基賽璐蘇、二甲基乙醯胺、甲基乙基酮、甲基異丁基酮、二甲苯、丙二醇單甲基乙酸酯、丙二醇單甲基醚等,因容易處理,而以水為佳。此外,無機粒子鏈(A)、無機粒子(B)及粒子(C)係,為了改良對上述溶劑之分散性,可對粒子施予表面處理,也可添加分散媒電解質或分散助劑。
混合粒子分散液只要以適當方法使無機粒子鏈(A)、無機粒子(B)及粒子(C)分散於液體分散媒中而調製即可,典型地可依例如下述[1]至[5]之任一方法調製,但混合粒子分散液之調製法並非限定於此等方法。
[1]將無機粒子鏈(A)、無機粒子(B)與粒子(C)之粉末同時添加至共同之液體分散媒中並使其分散之方法。
[2]使無機粒子鏈(A)分散於第一液體分散媒中而調製第一分散液,並以其他方法使無機粒子(B)分散於第二液體分散媒中而調製第二分散液,再使粒子(C)分散於第三液體分散媒中而調製第三分散液,接著將第一、第二及第三分散液混合之方法。
[3]使無機粒子鏈(A)分散於液體分散媒中而調製分散液,接著在該分散液中添加無機粒子(B)及粒子(C)之粉末並使其分散之方法。
[4]使無機粒子(B)分散於液體分散媒中而調製分散液,接著在該分散液中添加無機粒子鏈(A)及粒子(C)之粉末並使其分散之方法。
[5]使顆粒在分散媒中成長而調製含有無機粒子鏈(A)之第一分散液,並以其他方法使顆粒在分散媒中成長而調製含有無機粒子(B)之第二分散液,再以其他方法使顆粒在分散媒中成長而調製含有粒子(C)之第三分散液,接著將第一、第二及第三分散液混合之方法。
經由使用超音波分散、超高壓分散等強力分散手法,即可使粒子在混合粒子分散液中特別均勻地分散。
為了達成更均勻的分散,使用於調製混合粒子分散液之無機粒子鏈(A)之分散液和無機粒子(B)之分散液和粒子(C)之分散液以呈現膠體狀態為佳,在最後所得之混合粒子分散液中粒子以呈現膠體狀態為佳。
在前述[2]、[3]、[4]或[5]之方法中,當無機粒子鏈(A)之分散液、無機粒子(B)之分散液或粒子(C)之分散液為鋁酸膠(colloidal alumina)時,為了使帶陽性電荷之氧化鋁粒子安定化,以在鋁酸膠中添加氯離子、硫酸離子、乙酸離子等陰離子做為相對陰離子為佳。鋁酸膠之pH並無特別限定,從分散液之安定性之觀點來看,以pH2至6為佳。
此外,在前述(1]之方法中,也以無機粒子鏈(A)、無機粒子(B)及粒子(C)之至少一種為氧化鋁,且當混合粒子分散液呈現膠體狀態時,在該混合粒子分散液中添加氯離子、硫酸離子、乙酸離子等陰離子為佳。
在前述[2]、[3]、[4]或[5]之方法中,當無機粒子鏈(A)之分散液、無機粒子(B)之分散液或粒子(C)之分散液為矽酸膠(colloidal silica)時,為了使帶陰性電荷之氧化矽粒子安定化,以在矽酸膠中添加銨離子、鹼金屬離子、鹼土金屬離子等陽離子做為相對陽離子為佳。矽酸膠之pH並無特別限定,從分散液之安定性之觀點來看,以pH8至11為佳。
此外,在前述[1]之方法中,也以無機粒子鏈(A)、無機粒子(B)及粒子(C)之至少一種為氧化矽,且當混合粒子分散液呈現膠體狀態時,在該混合粒子分散液中添加銨離子、鹼金屬離子、鹼土金屬離子等陽離子為佳。
從保持抗反射性能及膜強度之平衡之觀點來看,本發明之分散液以無機粒子鏈(A)之體積分率在0.40至0.56、無機粒子(B)之體積分率在0.35至0.40、粒子(C)之體積分率在0.09至0.20之範圍為佳。混合粒子分散液中所含之無機粒子鏈(A)、無機粒子(B)及粒子(C)之量並無特別限定,從塗佈性及分散性之觀點來看,以1至20重量%為佳、以3至10重量%較佳。
混合粒子分散液以在依雷射繞射散射法測定該分散液而得之橫軸粒徑、縱軸頻率之粒徑分布圖中,由最高峰Ra所示之粒徑存在於0.01至1μm之範圍內,且在依雷射繞射散射法測定該分散液而得之累積粒度分布圖中,具有D90以下之粒徑之粒子之累積個數達總粒子數之90%時之粒徑D90為1μm以下為佳。所謂最高峰Ra,係指在前述粒徑分布圖中高度最高的峰值。從所形成之塗膜之均勻性之觀點來看,混合粒子分散液(A)之由最高峰Ra所示之粒徑以在0.05至0.5μm之範圍較佳。如此之分散液可藉由下述調製,例如:將做為無機粒子鏈(A)之平均粒徑10至25nm之鏈狀矽酸膠、做為無機粒子(B)之平均粒徑4至6nm之矽酸膠、做為粒子(C)之平均粒徑70至80nm之矽酸膠進行混合。
在本發明之較佳的態樣中,為了提高抗反射效果,而使用在混合粒子分散液中添加凝聚劑使前述混合粒子分散液中所含之粒子之至少一部分凝聚而成之分散液。典型的凝聚劑係在調製混合粒子分散液後添加,但也可預先添加在調製混合粒子分散液時所使用之分散媒中。
前述所謂凝聚劑,係指具有使分散於液體介質中之粒子凝聚之效果之物質。當混合粒子分散液呈現膠體狀態時,粒子會因添加電解質而凝聚。電解質可舉例如:檸檬酸鹽、酒石酸鹽、硫酸鹽、乙酸鹽、氯化物、溴化物、硝酸鹽、碘化物、硫氰酸鹽、羧甲基纖維素鈉、褐藻酸鈉等。此外,也可使用具有使粒子凝聚之作用之例如:聚乙烯醇、甲基纖維素等非離子性高分子;或由丙烯酸、丙烯醯胺、丙烯酸鈉、甲基丙烯酸二甲基胺基乙酯等單體之聚合物組成之高分子凝聚劑。此外,可經由添加酸或鹼調整pH而使分散液中之無機微粒子凝聚時,如此之酸或鹼也相當於凝聚劑。
混合粒子分散液為親水性膠體時,可經由使用脫水劑或脫水劑與電解質之併用組合做為凝聚劑而使粒子凝聚。在此,所謂脫水劑,係指具有從親水性膠體中之粒子之表面去除水合水(hydration water)之效果者,以甲醇、乙醇、丙醇、異丙醇等醇類為佳。
在本發明之步驟(1)中經由在混合粒子分散液中添加凝聚劑而得之分散液,以在依雷射繞射散射法測定而得之橫軸粒徑、縱軸頻率之粒徑分布圖中,存在有顯示前述最高峰Ra所示之粒徑的20倍以上之粒徑之峰Rb為佳。經由使用如此之分散液,即可形成抗反射性能更優良之抗反射膜。分散液以在該粒徑分布圖中存在有顯示最高峰Ra所示之粒徑的50倍以上(更佳係100倍以上)之粒徑之峰值Rb之分散液為佳。
分散液以在依雷射繞射散射法測定而得之橫軸粒徑、縱軸頻率之粒徑分布圖中,具有前述最高峰Ra所示之粒徑的20倍以上之粒徑之凝聚粒子之體積之合計為該分散液中之粒子之合計體積之1%以上(較佳為5%以上)為佳。經由使用如此之分散液,即可形成抗反射性能更優良之積層體。如此之分散液可藉由下述而得到,例如:在混合有做為無機粒子鏈(A)之平均粒徑10至25nm之鏈狀矽酸膠、做為無機粒子(B)之平均粒徑4至6nm之矽酸膠、做為粒子(C)之平均粒徑70至80nm之矽酸膠之分散液中,將該溶液調整成含有異丙醇30重量%之分散液。
在本發明之方法中,係經由將混合粒子分散液塗佈於基材上,接著以適當手段從所塗佈之混合粒子分散液去除液體分散媒,而於前述基材上形成粒子層。此粒子層由於具有抗反射機能,故會依本發明之方法形成抗反射積層體。粒子層之厚度無特別限定。為了有效地防止外部光在顯示器內部反射,在製造適合做為顯示器之表面層使用之抗反射積層體時,以令抗反射積層體之粒子層之厚度為50至150nm為佳、以80至130nm較佳。粒子層之厚度可經由變更混合粒子分散液之無機粒子鏈(A)之量、無機粒子(B)之量及粒子(C)之量、以及混合粒子分散液之塗佈量而調節。
在本發明中,為了使粒子之分散安定化等之目的,在混合粒子分散液中,可添加界面活性劑、有機系電解質等添加劑。
當混合無機微粒子分散液含有界面活性劑時,其含量相對於分散媒100重量份,通常為0.1重量份以下。所使用之界面活性劑並無特別限定,可舉例如:陰離子性界面活性劑、陽離子性界面活性劑、非離子性界面活性劑、兩性界面活性劑等。
陰離子性界面活性劑可舉例如:羧酸之鹼金屬鹽,具體而言可舉例如:辛酸鈉、辛酸鉀、癸酸鈉、己酸鈉、肉豆蔻酸鈉、油酸鉀、硬脂酸四甲銨、硬脂酸鈉等。特別是,以具有碳原子數6至10之烷基鏈之羧酸之鹼金屬鹽為佳。
陽離子性界面活性劑可舉例如:氯化鯨蠟基三甲基銨、氯化二(十八烷基)二甲基銨、溴化N-十八烷基吡啶鎓鹽、溴化鯨蠟基三乙基鏻等。
非離子性界面活性劑可舉例如:山梨醇酐脂肪酸酯、甘油脂肪酸酯等。
兩性界面活性劑可舉例如:2-烷基-N-羧甲基-N-羥乙基咪唑啉鎓鹽甜菜鹼、月桂醯胺丙基甜菜鹼等。
當混合粒子分散液含有有機系電解質時,其含量相對於液體分散媒100重量份,通常為0.01重量份以下。本發明中所謂有機系電解質,係指具有游離性離子性基之有機化合物(惟,界面活性劑除外)。可舉例如:對甲苯磺酸鈉、苯磺酸鈉、丁磺酸鉀、苯膦酸鈉、二乙基磷酸鈉等。該有機系電解質以苯磺酸衍生物為佳。
在本發明中,於基材上塗佈混合粒子分散液之方法無特別限定,可依下述習知方法塗佈,例如:凹版塗佈法、逆塗佈法、刷毛輥塗佈法、噴霧塗佈法、吻合塗佈法、模具塗佈法、浸漬法、棒塗佈法等。
在於基材塗佈混合粒子分散液前,以對基材之表面進行電暈處理、臭氧處理、電漿處理、火焰處理、電子束處理、錨塗佈處理、洗淨處理等前處理為佳。
經由從塗佈於基材上之混合粒子分散液去除液體分散媒,而於基材上形成粒子層。液體分散媒之去除可依例如在常溫下或減壓下藉由加熱而進行。去除液體分散媒時之壓力、加熱溫度可依所使用之材料(亦即,無機粒子鏈(A)、無機粒子(B)、粒子(C)及液體分散媒)而適當選擇。例如:分散媒為水時,一般可在50至80℃(較佳為約60℃)進行乾燥。
根據本發明之方法,未在如超過200℃之高溫進行處理,即可於基材上形成強度優良的粒子層。推測其原因為所形成之粒子層形成為無機粒子(B)位於無機粒子鏈(A)之間隙中之構造,而透過無機粒子(B)來拴住無機粒子鏈(A)之故。
於本發明之方法中所形成之抗反射積層體之粒子層上,也可再形成由氟系化合物等組成之防污層。防污層之形成可使用浸塗法。
由於本發明之方法中所形成之抗反射積層體係具有多孔質構造,故可利用在細孔之保水性,利用做為眼鏡、農業用薄膜、帳篷等之防霧用塗佈。此外,由於為多孔質構造而也具有物質穿透性能,故也可利用做為蓄電池、燃料電池、太陽電池等之隔壁。
(實施例)
以下,藉由實施例更詳細地說明本發明,但本發明並非受此所限定。
所使用之主要材料係如同下述。
[無機粒子鏈(A)]
(1)SNOWTEX(註冊商標)PS-M(日產化學工業股份有限公司製之鏈狀矽酸膠;球狀粒子之粒徑:18至25nm;依動態光散射法所得之平均粒徑111nm;固形份濃度20重量%),以下,將此標示為「PS-M」。
(2)SNOWTEX(註冊商標)PS-S(日產化學工業股份有限公司製之鏈狀矽酸膠;球狀粒子之粒徑:10至18nm;依動態光散射法所得之平均粒徑106nm;固形份濃度20重量%),以下,將此標示為「PS-S」。
[無機粒子(B)]
SNOWTEX(註冊商標)ST-XS(日產化學工業股份有限公司製之矽酸膠;平均粒徑4至6nm;固形份濃度20重量%),以下,將此標示為「ST-XS」。
[粒子(C)]
SNOWTEX(註冊商標)ST-ZL(日產化學工業股份有限公司製之矽酸膠;平均粒徑78nm;固形份濃度40重量%),以下,將此標示為「ST-ZL」。
將各實施例及比較例中之混合粒子分散液中之無機粒子鏈及無機粒子之所有粒子之體積分率匯整於表1。再者,由於在所有例子中,使用於形成粒子層之無機粒子鏈(A)及無機粒子(B)皆為氧化矽,故將無機粒子鏈(A)及無機粒子(B)之重量分率做為此等之體積分率使用。
[基材]
於富士照相Film股份有限公司製之三乙醯纖維素薄膜(厚度:80μm)上,使用微凹版輥(股份有限公司康井精機公司製,120篩)塗佈由200g之ST-XS、400g之ST-ZL、1400g之水組成之塗佈液,在60℃進行乾燥。於該積層體上再反覆進行塗佈液之塗佈及乾燥之操作各9次,而得到於基材上積層粒子層而成之積層體。
實施例之評估係依下述方法實施。
[膜強度]
使用#0000之鋼絲絨,以載重200gf/cm2 來回摩擦膜之表面10次,對於摩擦後之膜表面,以肉眼觀察有無傷痕。當傷痕為10條以下時,判斷為膜強度高並以記號「○」表示,當傷痕大於10條時,判斷為膜強度低並以記號「×」表示。
[反射率]
使用島津製作所製造之分光光度計UV-3150測定入射角5°之相對正反射強度。以400nm至700nm之區域之各波長之相對正反射強度值中之最小值做為最小反射率。在測定時,於薄膜內面貼上黑色膠帶。
(實施例1)
將做為無機粒子鏈(A)之67.5g之PS-M、10.0g之PS-S、做為無機粒子(B)之54.0g之ST-XS、做為粒子(C)之6.25g之ST-ZL、與362.3g之水混合並攪拌,而調製混合粒子分散液。上述混合粒子分散液中之無機粒子鏈(A)、無機粒子(B)及粒子(C)之比例係如表1所示。於基材之無機層上使用微凹版輥(股份有限公司康井精機公司製,230篩)塗佈該混合粒子分散液,並在60℃進行乾燥,而得到抗反射層。所得之抗反射層之膜厚約為120nm。
(實施例2)
將做為無機粒子鏈(A)之55.0g之PS-M、10.0g之PS-S、做為無機粒子(B)之54.0g之ST-XS、做為粒子(C)之12.5g之ST-ZL、與218.5g之水混合並攪拌後,再混合異丙醇150.0g並攪拌,而調製混合粒子分散液。上述混合粒子分散液中之無機粒子鏈(A)、無機粒子(B)及粒子(C)之比例係如表1所示。於基材之無機層上使用微凹版輥(股份有限公司康井精機公司製,230篩)塗佈該混合粒子分散液,並在60℃進行乾燥,而得到抗反射層。
(實施例3)
將做為無機粒子鏈(A)之67.5g之PS-M、10.0g之PS-S、做為無機粒子(B)之54.0g之ST-XS、做為粒子(C)之6.25g之ST-ZL、與212.3g之水混合並攪拌後,再混合異丙醇150.0g並攪拌,而調製混合粒子分散液。上述混合粒子分散液中之無機粒子鏈(A)、無機粒子(B)及粒子(C)之比例係如表1所示。於基材之無機層上使用微凹版輥(股份有限公司康井精機公司製,230篩)塗佈該混合粒子分散液,並在60℃進行乾燥,而得到抗反射層。
(比較例1)
將做為無機粒子鏈(A)之80.0g之PS-M、10.0g之PS-S、做為無機粒子(B)之54.0g之ST-XS、與356.0g之水混合並攪拌,而調製混合粒子分散液。上述混合粒子分散液中之無機粒子鏈(A)及無機粒子(B)之比例係如表1所示。於基材之無機層上使用微凹版輥(股份有限公司康井精機公司製,230篩)塗佈該混合粒子分散液,並在60℃進行乾燥,而得到抗反射層。所得之抗反射層之膜厚約為120nm。
(比較例2)
將做為無機粒子鏈(A)之80.0g之PS-M、10.0g之PS-S、做為無機粒子(B)之54.0g之ST-XS、與206.0g之水混合並攪拌後,再混合異丙醇150.0g並攪拌,而調製混合粒子分散液。上述混合粒子分散液中之無機粒子鏈(A)及無機粒子(B)之比例係如表1所示。於基材之無機層上使用微凹版輥(股份有限公司康井精機公司製,230篩)塗佈該混合粒子分散液,並在60℃進行乾燥,而得到抗反射層。所得之抗反射層之膜厚約為120nm。
(比較例3)
將做為無機粒子鏈(A)之72.5g之PS-M、10.0g之PS-S、做為無機粒子(B)之54.0g之ST-XS、做為粒子(C)之3.75g之ST-ZL、與209.8g之水混合並攪拌後,再混合異丙醇150.0g並攪拌,而調製混合粒子分散液。上述混合粒子分散液中之無機粒子鏈(A)、無機粒子(B)及粒子(C)之比例係如表1所示。於基材之無機層上使用微凹版輥(股份有限公司康井精機公司製,230篩)塗佈該混合粒子分散液,並在60℃進行乾燥,而得到抗反射層。所得之抗反射層之膜厚約為120nm。
(產業上之可利用性)
根據本發明,由於並非須有高溫處理,故於由易熱性材料所形成之基材上,也可製造積層有抗反射性能與膜強度之平衡優良的抗反射膜之積層體。
本案無圖式。

Claims (11)

  1. 一種積層體的製造方法,該積層體係於基材上積層有粒子之層,該方法包括下述之步驟(1)至(3):步驟(1):使體積分率為0.30至0.84且由串連成鏈狀之粒徑為10至60nm之3個以上的粒子組成之無機粒子鏈(A)、體積分率為0.10至0.45且平均粒徑為1至20nm之無機粒子(B)、與體積分率為0.06至0.25且平均粒徑Dc大於20nm之粒子(C)分散於液體分散媒中而調製混合粒子分散液之步驟;步驟(2):將前述混合粒子分散液塗佈於基材上之步驟;以及步驟(3):經由從所塗佈之混合粒子分散液去除液體分散媒,而於前述基材上形成具有充分滿足0.5D≦Dc≦D之厚度D之前述粒子層之步驟。
  2. 如申請專利範圍第1項之方法,其中,無機粒子鏈(A)及無機粒子(B)係由氧化矽構成。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項之方法,其中,粒子(C)係由氧化矽構成。
  4. 如申請專利範圍第1項之方法,其係於基材上積層有粒子之層之積層體的製造方法,其中,在步驟(1)中再添加凝聚劑。
  5. 如申請專利範圍第4項之方法,其中,添加凝聚劑前之混合粒子分散液係滿足以下之要件(A),且添加凝聚劑後之混合粒子分散液係滿足以下之要件(B), 要件(A):在依雷射繞射散射法測定混合粒子分散液而得之粒徑分布圖中,由最高峰Ra所示之粒徑存在於0.01至1μm之範圍內,且在依雷射繞射散射法測定該混合粒子分散液而得之累積粒度分布圖中,具有D90以下之粒徑之粒子之累積個數達總粒子數之90%時之粒徑D90為1μm以下;要件(B):在依雷射繞射散射法測定混合粒子分散液而得之粒徑分布圖中,存在有顯示由前述最高峰Ra所示之粒徑的20倍以上之粒徑之峰值Rb。
  6. 如申請專利範圍第5項之方法,其中,前述添加凝聚劑後之混合粒子分散液中,具有前述最高峰Ra所示之粒徑的20倍以上之粒徑之粒子之體積之合計係該分散液中之無機粒子鏈(A)與無機粒子(B)之合計體積之1%以上。
  7. 如申請專利範圍第4項至第6項中任一項之方法,其中,前述凝聚劑係脫水劑。
  8. 如申請專利範圍第4項至第6項中任一項之方法,其中,前述凝聚劑係醇類。
  9. 如申請專利範圍第4項至第6項中任一項之方法,其中,粒子(C)之平均粒徑大於60nm,且不大於粒子層之膜厚。
  10. 如申請專利範圍第4項至第6項中任一項之方法,其中,無機粒子鏈(A)及無機粒子(B)係分別由氧化矽構成。
  11. 如申請專利範圍第4項至第6項中任一項之方法,其中,粒子(C)係由氧化矽構成。
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