TWI456688B - 一種易於釋放晶片的靜電吸盤結構及方法 - Google Patents

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Claims (13)

  1. 一種易於釋放晶片的靜電吸盤結構，包含基座(110)和設置在基座(110)頂部的介電層(120)；所述介電層(120)上放置有晶片(200)，在介電層(120)與晶片(200)之間產生有吸持固定所述晶片(200)的靜電引力；其特徵在於：所述介電層(120)中設置有提升所述介電層(120)溫度的若干加熱體(130)，來減小所述介電層(120)與晶片(200)之間的靜電引力。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的一種易於釋放晶片的靜電吸盤結構，其中，所述介電層(120)上設有若干分區，其中若干分區內嵌有所述加熱體(130)。
  3. 如申請專利範圍第2項所述的一種易於釋放晶片的靜電吸盤結構，其中，所述若干加熱體(130)分別與升溫電源電性連接而發熱。
  4. 如申請專利範圍第3項所述的一種易於釋放晶片的靜電吸盤結構，其中，與所述介電層(120)若干分區內的加熱體(130)分別電性連接的所述升溫電源，具有相同或不同的直流電流。
  5. 如申請專利範圍第4項所述的一種易於釋放晶片的靜電吸盤結構，其中，所述介電層(120)若干分區內嵌入的加熱體(130)，分別在所述介電層(120)內形成相同或不同的圖形形狀。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的一種易於釋放晶片的靜電吸盤結構，其中，所述介電層(120)上由若干加熱體(130)提升的表面溫度，在所述介電層(120)上晶片(200)取放的交替期間，由於斷開與所述升溫電源的電性連接，而恢復至原有工作溫度。
  7. 如申請專利範圍第1項所述的一種易於釋放晶片的靜電吸盤結構，其中，所述加熱體(130)是嵌設在所述介電層(120)內的若干鎢絲(131)。
  8. 如申請專利範圍第1項所述的一種易於釋放晶片的靜電吸盤結構，其中，所述基座(110)還與射頻功率源連接，生成與所述晶片(200)反應的蝕刻氣體等離子體。
  9. 如申請專利範圍第1項所述的一種易於釋放晶片的靜電吸盤結構，其中，所述介電層(120)是由導熱的陶瓷材料製成的。
  10. 如申請專利範圍第1項所述的一種易於釋放晶片的靜電吸盤結構，其中，所述介電層(120)內還設置有電極(140)，其與直流的電極電源電性連接，生成吸持所述晶片(200)的靜電引力。
  11. 一種易於釋放晶片的方法，其特徵在於，包含以下步驟：步驟1.1　切斷與所述介電層(120)內電極(140)電性連接的電極電源，減少所述晶片(200)與介電層(120)間的靜電引力；步驟1.2　連通與所述介電層(120)內加熱體(130)電性連接的升溫電源，使所述介電層(120)表面溫度提升；步驟2.　切斷所述升溫電源，取走所述晶片(200)。
  12. 如申請專利範圍第11項所述的一種易於釋放晶片的方法，其中，在切斷所述升溫電源的步驟2後，還包含，在所述介電層(120)上晶片(200)取放的交替期間，使所述介電層(120)提升的表面溫度，恢復至原有工作溫度的步驟。
  13. 如申請專利範圍第11項所述的一種易於釋放晶片的方法，其中，所述晶片(200)與介電層(120)之間、用於吸持固定所述晶片(200)的靜電引力，是在連通所述電極電源後產生的。
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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TW498420B (en) * 2000-07-10 2002-08-11 Toshiba Corp Hot plate and manufacture method of semiconductor device
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