TWI456688B - 一種易於釋放晶片的靜電吸盤結構及方法 - Google Patents
一種易於釋放晶片的靜電吸盤結構及方法 Download PDFInfo
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- 一種易於釋放晶片的靜電吸盤結構,包含基座(110)和設置在基座(110)頂部的介電層(120);所述介電層(120)上放置有晶片(200),在介電層(120)與晶片(200)之間產生有吸持固定所述晶片(200)的靜電引力;其特徵在於:所述介電層(120)中設置有提升所述介電層(120)溫度的若干加熱體(130),來減小所述介電層(120)與晶片(200)之間的靜電引力。
- 如申請專利範圍第1項所述的一種易於釋放晶片的靜電吸盤結構,其中,所述介電層(120)上設有若干分區,其中若干分區內嵌有所述加熱體(130)。
- 如申請專利範圍第2項所述的一種易於釋放晶片的靜電吸盤結構,其中,所述若干加熱體(130)分別與升溫電源電性連接而發熱。
- 如申請專利範圍第3項所述的一種易於釋放晶片的靜電吸盤結構,其中,與所述介電層(120)若干分區內的加熱體(130)分別電性連接的所述升溫電源,具有相同或不同的直流電流。
- 如申請專利範圍第4項所述的一種易於釋放晶片的靜電吸盤結構,其中,所述介電層(120)若干分區內嵌入的加熱體(130),分別在所述介電層(120)內形成相同或不同的圖形形狀。
- 如申請專利範圍第1項所述的一種易於釋放晶片的靜電吸盤結構,其中,所述介電層(120)上由若干加熱體(130)提升的表面溫度,在所述介電層(120)上晶片(200)取放的交替期間,由於斷開與所述升溫電源的電性連接,而恢復至原有工作溫度。
- 如申請專利範圍第1項所述的一種易於釋放晶片的靜電吸盤結構,其中,所述加熱體(130)是嵌設在所述介電層(120)內的若干鎢絲(131)。
- 如申請專利範圍第1項所述的一種易於釋放晶片的靜電吸盤結構,其中,所述基座(110)還與射頻功率源連接,生成與所述晶片(200)反應的蝕刻氣體等離子體。
- 如申請專利範圍第1項所述的一種易於釋放晶片的靜電吸盤結構,其中,所述介電層(120)是由導熱的陶瓷材料製成的。
- 如申請專利範圍第1項所述的一種易於釋放晶片的靜電吸盤結構,其中,所述介電層(120)內還設置有電極(140),其與直流的電極電源電性連接,生成吸持所述晶片(200)的靜電引力。
- 一種易於釋放晶片的方法,其特徵在於,包含以下步驟:步驟1.1 切斷與所述介電層(120)內電極(140)電性連接的電極電源,減少所述晶片(200)與介電層(120)間的靜電引力;步驟1.2 連通與所述介電層(120)內加熱體(130)電性連接的升溫電源,使所述介電層(120)表面溫度提升;步驟2. 切斷所述升溫電源,取走所述晶片(200)。
- 如申請專利範圍第11項所述的一種易於釋放晶片的方法,其中,在切斷所述升溫電源的步驟2後,還包含,在所述介電層(120)上晶片(200)取放的交替期間,使所述介電層(120)提升的表面溫度,恢復至原有工作溫度的步驟。
- 如申請專利範圍第11項所述的一種易於釋放晶片的方法,其中,所述晶片(200)與介電層(120)之間、用於吸持固定所述晶片(200)的靜電引力,是在連通所述電極電源後產生的。
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TW100128003A TWI456688B (zh) | 2011-08-05 | 2011-08-05 | 一種易於釋放晶片的靜電吸盤結構及方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW498420B (en) * | 2000-07-10 | 2002-08-11 | Toshiba Corp | Hot plate and manufacture method of semiconductor device |
TW201044491A (en) * | 2009-02-04 | 2010-12-16 | Mattson Tech Inc | Electrostatic chuck system and process for radially tuning the temperature profile across the surface of a substrate |
TW201103101A (en) * | 2009-06-30 | 2011-01-16 | Intevac Inc | Electrostatic chuck |
TW201125067A (en) * | 2009-10-21 | 2011-07-16 | Lam Res Corp | Heating plate with planar heater zones for semiconductor processing |
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2011
- 2011-08-05 TW TW100128003A patent/TWI456688B/zh active
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