TWI456596B - 過電流保護元件及其製作方法 - Google Patents
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- 一種過電流保護元件,包含:至少一PTC元件,其厚度小於0.4mm,且包括:一第一導電構件;一第二導電構件;及一PTC材料層,疊設於該第一導電構件和第二導電構件之間;一第一電極,電氣連接該第一導電構件;一第二電極,電氣連接該第二導電構件;以及一第一絕緣層,設於該第一導電構件表面,該第一絕緣層的厚度介於10~65μm之間;其中該過電流保護元件形成沿第一方向延伸的層疊結構,且包含於垂直該第一方向之第二方向上之至少一孔洞,該至少一孔洞的涵蓋面積佔該過電流保護元件的形狀因數面積之值不小於2%,且該過電流保護元件的厚度除以該PTC元件的個數之值小於0.7mm。
- 根據請求項1之過電流保護元件,其中該至少一孔洞包含容納該第一絕緣層於製作過程中產生的流膠之空間。
- 根據請求項1之過電流保護元件,其中該至少一孔洞具有電氣連接第一電極及第一導電構件及/或第二電極及第二導電構件之功能。
- 根據請求項1之過電流保護元件,其中該第一絕緣層之厚度介於15~45μm之間。
- 根據請求項1之過電流保護元件,其中該第一絕緣層的材料係選自預浸玻纖布、液態樹脂、乾膜介質層、片狀膠材或其組合。
- 根據請求項1之過電流保護元件,其中過電流保護元件包含二個PTC元件,其中一PTC元件設置於另一PTC元件上方,該過電流保護元件之厚度小於0.8mm。
- 根據請求項1之過電流保護元件,其另包含:一第一導電連接件,電氣連接第一導電構件和第一電極;以及一第二導電連接件,電氣連接第二導電構件和第二電極。
- 根據請求項7之過電流保護元件,其中該第一導電連接件和第二導電連接件係位於該過電流保護元件之兩端的半圓導電通孔,且該半圓導電通孔係包含該孔洞。
- 根據請求項7之過電流保護元件,其中該第一導電連接件和第二導電連接件係位於該過電流保護元件轉角處的導電通孔,且該導電通孔係包含該孔洞。
- 根據請求項1之過電流保護元件,其中該孔洞係位於該過電流保護元件內。
- 根據請求項1之過電流保護元件,其中該至少一孔洞的涵蓋面積佔該過電流保護元件的形狀因數面 積之值不大於50%。
- 根據請求項1之過電流保護元件,其中該至少一孔洞的涵蓋面積佔該過電流保護元件的形狀因數面積之值介於4~22%。
- 根據請求項1之過電流保護元件,其中該孔洞為圓形、半圓形或1/4圓形,其直徑為0.3~3.25mm。
- 根據請求項1之過電流保護元件,其中該孔洞的周長介於1~12mm。
- 根據請求項1之過電流保護元件,其另包含一第二絕緣層,設於該第二導電構件表面,該第二絕緣層的厚度介於10~65μm之間。
- 根據請求項1之過電流保護元件,其中該第一絕緣層係於壓合製程中產生流膠。
- 根據請求項1之過電流保護元件,其中該過電流保護元件的厚度除以該PTC元件的個數之值小於0.6mm。
- 一種過電流保護元件之製作方法,包含:提供至少一PTC基板,該PTC基板包含上下導電構件和疊設於其間之PTC材料層;將該上下導電構件圖案化;製作至少一孔洞於該PTC基板中,該孔洞之延伸方向和該PTC基板之延伸方向垂直;於該PTC基板之至少一表面依序層疊絕緣層和電極層;壓合該PTC基板、絕緣層和電極層,絕緣層受壓 時之流膠係流入該孔洞中;於該PTC基板、絕緣層和電極層的壓合後結構中製作導電連接件,以電氣連接PTC基板之上下導電構件和電極層;將該電極層圖案化;以及切割該PTC基板、絕緣層和電極層,形成複數個過電流保護元件。
- 根據請求項18之過電流保護元件之製作方法,其中該至少一孔洞的涵蓋面積佔該過電流保護元件的形狀因數面積之值不小於2%。
- 根據請求項19之過電流保護元件之製作方法,其中該至少一孔洞的涵蓋面積佔該過電流保護元件的形狀因數面積之值不大於50%。
- 根據請求項18之過電流保護元件之製作方法,其中該絕緣層的厚度介於10~65μm之間;
- 根據請求項18之過電流保護元件之製作方法,其中該孔洞之位置係介於兩鄰近的過電流保護元件之間,該導電連接件的位置和該孔洞位置重疊,且導電連接件的孔徑大於等於該孔洞的孔徑。
- 根據請求項18之過電流保護元件之製作方法,其中該孔洞的位置介於四鄰近的過電流保護元件之間,該導電連接件的位置和該孔洞位置重疊,且導電連接件的孔徑大於等於該孔洞的孔徑。
- 根據請求項18之過電流保護元件之製作方法,其中該孔洞位於過電流保護元件內。
- 根據請求項18之過電流保護元件之製作方法,其中該孔洞為圓形、橢圓形、矩型或圓角矩形。
- 根據請求項18之過電流保護元件之製作方法,其中該過電流保護元件為包含單層PTC材料層之結構,其厚度小於0.55mm。
- 根據請求項18之過電流保護元件之製作方法,其中該過電流保護元件為包含二層PTC材料層之結構,其厚度小於0.8mm。
- 根據請求項18之過電流保護元件之製作方法,其中該絕緣層的厚度於壓合後可減薄10%以上。
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