TWI449810B - Electrical and electronic components for the use of composite materials and electrical and electronic components - Google Patents

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Description

電氣電子零件用複合材料及使用其之電氣電子零件
本發明，係關於一種在金屬基材上設置有絕緣被膜之電氣電子零件用複合材料及使用其之電氣電子零件。
在金屬基材上設置有電絕緣被膜(於本發明中，亦僅稱為「絕緣被膜」)之附有絕緣被膜的金屬材料，係被利用作為例如電路基板等中之屏蔽(shield)材料(例如，參照專利文獻1)。此金屬材料適合使用於框體、機殼(case)、遮罩(cover)、蓋體(caP)等，尤其適合使用於元件內置用低背化(使內部空間之高度較低)框體。
又，提高附有絕緣被膜之金屬材料的金屬基材與絕緣被膜之密合性的方法，已知有在金屬基材之表面塗布偶合劑的方法(例如，參照專利文獻2)，及在金屬基材之表面形成具有樹枝狀結晶之鍍敷層的方法(例如，參照專利文獻3)。
[專利文獻1]日本特開2004-197224號公報
[專利文獻2]日本特許第2802402號公報
[專利文獻3]日本特開平5-245432號公報
當將金屬基材上設置有絕緣被膜之金屬材料作為上述電氣電子零件用之材料使用時，此材料由於在金屬基材上設置有絕緣被膜，故而對金屬基材與絕緣被膜於包含其界面在內的部位實施衝壓加工等加工而形成連接器接點等，藉此亦能以窄間距來配置上述連接器接點，從而可考慮各種應用。
然而，對於先前之材料而言，若對包含金屬基材與絕緣被膜之界面的部位實施衝壓加工等加工，則有時會於加工部位在金屬基材與絕緣被膜之間產生數μm~數十μm左右之微小間隙。圖2中藉由立體圖來概略地表示該情形。於圖2中，2為電氣電子零件，21為金屬基材，22為絕緣被膜，於金屬基材21之衝壓加工面21a附近，在金屬基材21與絕緣被膜22之間形成有間隙23。上述衝壓加工時之餘隙愈大(例如餘隙相對於上述金屬基材之厚度在5%以上)，則上述傾向愈強。由於減少上述衝壓加工時之餘隙實際上存在限度，因此，亦可說上述被加工體愈微細化(例如，上述金屬基材之厚度在0.1mm以下者、衝壓加工之寬度在0.1mm以下者)，則上述傾向愈強。
若處於此種狀態時，則絕緣被膜22會因經年變化等而完全自金屬基材21剝離，從而即使於金屬基材21上設置絕緣被膜22亦無意義。另一方面，於微細加工後再附上絕緣被膜極耗時間，由於會導致產品之成本增加，因而並不實用。並且，當欲將所形成之電氣電子零件的金屬露出面(例如衝壓加工面21a)作為連接器接點等使用時，亦可考慮藉由鍍敷等來對金屬露出面(例如衝壓加工面21a)再附上金屬層，但當浸漬於鍍敷液中時，有可能會因鍍敷液自間隙23滲入而促使絕緣被膜22自金屬基材21剝離。
前述問題點，有時雖可藉由選擇聚醯亞胺作為絕緣被膜來加以解決，但是聚醯亞胺不僅價格昂貴，且為了形成被膜大多需要進行長時間的處理，因此在經濟上並不佳。又，衝壓加工性雖然良好，但是由於被膜的延展性小，所以大多缺乏彎曲加工性，並不適合於被加工體需要進行微細彎曲加工的情形。
又，提高金屬基材與絕緣被膜之密合性的方法，當使用專利文獻2之方法時，因偶合劑之液體壽命較短，故存在必須細心注意管理液體之問題。又，因難以對整個金屬基材表面實施均質處理，故有時對於上述微細空隙起不到效果。當使用專利文獻3之方法時，為了控制所形成之鍍敷層的結晶狀態，必須以限定之鍍敷條件來實施鍍敷，故必須細心注意管理。又，為了獲得充分之密合性，必須使鍍敷厚度大於1μm，因此在經濟上亦不佳。
本發明之課題，在於提供一種即使是在包含金屬基材與絕緣被膜之界面在內的部位實施衝壓加工等加工，亦可保持金屬基材與絕緣被膜之密合性高之狀態的電氣電子零件用複合材料，並且提供一種由此電氣電子零件用複合材料所形成之電氣電子零件。
本發明人等對於前述問題點經過潛心研究之結果，發現若在金屬基材上通過由鎳(Ni)或鎳-鋅(Ni-Zn)合金所構成之金屬層設置絕緣被膜，則可充分得到金屬基材與絕緣被膜之密合性，並進一步進行研究後而完成本發明。
根據本發明，提供：
(1)一種電氣電子零件用複合材料，係作為衝壓加工而形成之電氣電子零件的材料使用、且在金屬基材上之至少一部分實質上設置有1層之絕緣被膜者，其特徵在於，Ni或Ni-Zn合金所構成之金屬層係以前述衝壓加工後之材料端部的前述絕緣被膜的剝離寬度未達10μm的方式介於前述金屬基材與前述絕緣被膜之間；
(2)如(1)所記載之電氣電子零件用複合材料，其中，前述Ni或Ni-Zn合金所構成之金屬層的厚度在0.001μm以上、未達0.1μm；
(3)如(1)或(2)所記載之電氣電子零件用複合材料，其中，前述絕緣被膜係由聚醯胺醯亞胺所構成；
(4)如(1)~(3)中任一項所記載之電氣電子零件用複合材料，其中，前述金屬基材係由銅系金屬材料所構成；
(5)如(1)~(4)中任一項所記載之電氣電子零件用複合材料，其中，前述金屬基材之厚度為0.06~0.4mm；
(6)一種電氣電子零件，其特徵在於，在前述(1)~(5)中任一項所記載之電氣電子零件用複合材料衝壓加工後，形成為在前述金屬基材上之至少一部分殘留有前述絕緣被膜；以及
(7)如(6)所記載之電氣電子零件，其中，該電氣電子零件係在衝壓加工後，對未設置有前述絕緣被膜之部位進行濕式之鍍敷處理而形成。
另，上述衝壓加工後之材料端部的絕緣被膜的剝離寬度，係使用餘隙5μm之金屬模具將試料衝壓成5mm×2mm之矩形後，浸漬於溶有紅墨水之水溶液中所測得。
根據本發明，由於Ni或Ni-Zn合金所構成之金屬層介於金屬基材與絕緣被膜之間，因此即使是在包含金屬基材與絕緣被膜之界面(具體而言，係金屬基材與金屬層之界面以及金屬層與絕緣被膜之界面)在內的部位實施衝壓加工等加工，亦可保持金屬基材與絕緣被膜之密合性高的狀態，可得到加工性優異之電氣電子零件用複合材料。
並且，於本發明，藉由合併使用以下之構成，可更加容易得到保持金屬基材與絕緣被膜之密合性高之狀態的電氣電子零件用複合材料。
(1)使金屬層的厚度在0.001μm以上、未達0.1μm。
(2)以聚醯胺醯亞胺來構成絕緣被膜。
(3)以銅系金屬材料來構成金屬基材。
(4)使金屬基材的厚度為0.06~0.4mm。
又，本發明之電氣電子零件，係藉由衝壓加工等對金屬基材上之至少一部分設置有絕緣被膜的電氣電子零件用複合材料進行加工後，形成為在金屬基材上之一部分殘留有絕緣被膜，由於使用Ni或Ni-Zn合金所構成之金屬層介於金屬基材與絕緣被膜之間的材料來作為電氣電子零件用複合材料，因此絕緣被膜會通過金屬層而密合於金屬基材，可輕易得到藉由衝壓加工等而形成之加工性優異的電氣電子零件。
並且，本發明之電氣電子零件，由於金屬基材與絕緣被膜密合，因此可藉由鍍敷等之後加工，輕易將後附金屬層設於未設置有絕緣被膜之部位，即使以窄間距來配置此電氣電子零件並加以使用，亦不會因絕緣被膜自金屬基材剝離而引起絕緣不良等。
本發明之上述及其他的特徴及優點，參照適當附加的圖式，從下述之記載可更加明白。
以下，說明本發明之電氣電子零件用複合材料之較佳實施態樣。
另，本發明並非限定於此等之實施態樣。例如，絕緣被膜及金屬層可設置於金屬基材之單面或亦可設置於雙面，根據最後製品之電氣電子零件的要求特性，可適當變更本發明之實施態樣。
圖1表示本發明之較佳實施態樣之電氣電子零件用複合材料之剖面圖一例。如圖1所示，此電氣電子零件用複合材料1，係於金屬基材11上設置有絕緣被膜12，且於金屬基材11與絕緣被膜12之間，設置有由Ni或Ni-Zn合金所構成之金屬層13。此金屬層13係用以提高與金屬基材11及絕緣被膜12之密合性，可實現藉由衝壓加工等而形成之加工性優異的電氣電子零件用複合材料1。
於圖1中，雖顯示絕緣被膜12設置於金屬基材11上面之一部分與金屬基材11之整個下面之例，但是此僅為一例，絕緣被膜12亦可設置於金屬基材11之整個上面及整個下面，亦可設置於金屬基材11上面之一部分及下面之一部分。亦即，只要於金屬基材11上之至少一部分設置有絕緣被膜12即可。
設置金屬層13是為了提高金屬基材11與絕緣被膜12之密合性。對於金屬基材11與絕緣被膜12之密合性而言，衝壓加工後之材料端部的絕緣被膜的剝離寬度未達10μm，更佳為未達5μm。
較佳為以電鍍、化學鍍敷等方法來形成金屬層13，且由Ni或Ni-Zn合金來構成金屬層13。Ni-Zn合金，較佳為在合金總量中含有50質量%以下之Zn，更佳為含有10~30質量%。
於藉由鍍敷來形成金屬層13時，可利用濕式鍍敷，亦可利用乾式鍍敷。前述濕式鍍敷之例，可列舉電鍍法或無電電鍍法。前述乾式鍍敷之例，可列舉物理蒸鍍(PVD)法或化學蒸鍍(CVD)法。
金屬層13之厚度若過薄，則無法提升金屬層13與金屬基材11及與絕緣被膜12之密合性，若過厚，則相反地不僅會使密合性降低，且亦會導致製造成本增大，因此較佳在0.001μm以上、未達0.1μm，更佳在0.005μm以上、0.05μm以下。金屬層若過厚則會使密合性降低的原因雖然雖然不清楚，但係認為是金屬層過薄時，無法成為完全之層狀，金屬散布成點狀、或形成針孔多的金屬層，金屬層與絕緣被膜的接觸面積大，而相對於此，若金屬層變厚，則會成為平滑之層狀，金屬層與絕緣被膜的接觸面積變小所致。又，若金屬層過厚，則在施以衝壓加工、彎曲加工等加工時，壓陷會變大、或會發生裂縫，而有助長絕緣被膜之剝離的可能性，因此由此觀點，亦較佳使金屬層13之厚度未達0.1μm。
絕緣被膜12之材料，考慮到加工性等方面，較佳為使用合成樹脂等有機材料，可根據電氣電子零件用複合材料1之要求特性等，適當選擇絕緣被膜12之材料。例如，亦可採用以合成樹脂等有機材料作為基礎材料並於其中添加有基礎材料以外之添加物(有機物、無機物均可)者、或無機材料等。
如上述，絕緣被膜12較佳為具有適當的絕緣性，若考慮到在形成為電氣電子零件後進行回焊(reflow)構裝之可能性，則較佳為具有耐熱性。其中若特別考慮到原料成本、生產性、衝壓加工及彎曲加工性等加工性之平衡，則較佳為耐熱性樹脂之聚醯胺醯亞胺。
金屬基材11，從導電性、鍍敷性等觀點，較佳為使用銅系金屬材料。銅系金屬材料，除了可適用磷青銅(Cu-Sn-P系)、黄銅(Cu-Zn系)、白銅(Cu-Ni-Zn系)、卡遜合金(Cu-Ni-Si系)等之銅基合金外，亦可適用無氧銅(oxygen-free copper)、精銅、磷脫氧銅(phosphorus deoxidized copper)等。
金屬基材11之厚度較佳在0.06mm以上。其原因在於，若金屬基材之厚度小於0.06mm，則無法確保作為電氣電子零件之充分強度。又，若金屬基材之厚度過厚，則於衝壓加工時，餘隙之絕對值會變大，且衝壓部之壓陷會變大，故較佳為將厚度設在0.4mm以下，更佳為設在0.3mm以下。如此，考慮衝壓加工等之加工的影響(餘隙、壓陷之大小等)而決定金屬基材11之厚度的上限。
在金屬基材11之表面通過金屬層13設置絕緣被膜12之方法，可列舉：於金屬基材上需要絕緣之部位，(a)配置附有接著劑之耐熱性樹脂膜，並藉由感應加熱輥來使前述接著劑熔融，接著進行加熱處理以進行反應硬化接合之方法；(b)塗布溶劑中溶解有樹脂或樹脂前驅物之清漆，視必要使溶劑揮發或者不使其揮發，接著進行加熱處理以進行反應硬化接合之方法等。於本發明之實施形態的電氣電子零件用複合材料1，由於使用前述(b)之方法可以無需考慮接著劑之影響，故較佳。
另，上述(b)之方法之具體例於絕緣電線之製造方法等中為普通之技術，亦已於日本特開平5-130759號公報等中知悉。係引用該公報來作為本發明之參考技術。
此處，亦可反覆進行前述(b)之方法。若以此方式，則溶劑未充分揮發之可能性變小，可減少於絕緣被膜12與金屬層13之間產生氣泡等之可能性，從而可進一步提高絕緣被膜12與金屬層13之密合性。即使如此，只要分為複數次所形成之樹脂硬化體為實質上相同者，即可實質上於金屬層13上設置1層絕緣被膜12。於本發明中，「實質上設置1層絕緣被膜」，除了指藉由前述(a)或(b)之單一步驟來設置1層絕緣被膜的情形外，亦指如上所述，藉由複數次之步驟實質上重疊設置相同之絕緣被覆的情形。
又，當欲於金屬基材11之面的一部分上設置絕緣被膜12時，可於金屬基材11之表面上設置金屬層13後，例如可採用：對塗裝部進行平版(offset)印刷或凹版(gravure)印刷之應用輥塗法設備的方法；或者，應用塗布感光性耐熱樹脂、藉由紫外線或電子束來形成圖案及樹脂硬化技術之方法；以及，根據電路基板之藉由曝光顯影蝕刻溶解之微細圖案形成技術在樹脂被膜方面的應用等，而可採用對應於樹脂被膜之形成精度程度的製造方法。藉此，可容易地實現僅於金屬基材11之面中的必要部分上設置絕緣被膜12，從而無須為了將金屬基材11與其他電氣電子零件或電線等加以連接而去除絕緣被膜12。
若絕緣被膜12之厚度過薄，則無法期待絕緣效果，若絕緣被膜12之厚度過厚，則難以進行衝壓加工，因此，上述絕緣被膜12之厚度較佳為2~20μm，更佳為3~10μm。
藉由衝壓加工等對電氣電子零件用複合材料1進行加工後，未殘留一部分之絕緣被膜12的部位，由於露出有金屬基材，因此可進行焊接，且具有可高度維持放熱性的優點，適合於需進行放熱的零件。
亦可對未設置有絕緣被膜12的部位進行濕式鍍敷處理。所謂未設置有絕緣被膜12的部位，係指例如圖1中之金屬基材11的側面、或金屬基材11上面之一部分設置有絕緣被膜12之部分以外的部位等。此處所用之鍍敷處理，例如可例舉Ni鍍敷、Sn鍍敷、Au鍍敷等。藉由鍍敷來設置後附金屬層，藉此可保護金屬基材11之表面。
若對以往之附有絕緣被膜的金屬材料施以衝壓加工等之加工後，再實施濕式鍍敷處理，則鍍敷液會自加工時所產生之間隙滲入而有助長絕緣被膜自金屬基材剝離的可能性，但是本實施形態之電氣電子零件用複合材料1，由於使Ni或Ni-Zn合金所構成之金屬層13介於金屬基材11與絕緣被膜12之間，故具有即使藉由鍍敷等之後加工來設置後附金屬層(未圖示)，絕緣被膜12亦不會自金屬基材11剝離的優點。
此處，後附金屬層之厚度與金屬層13之厚度無關，可適當決定。若考量保護金屬基材11表面之目的，則較佳使後附金屬層之厚度在0.001~5μm的範圍。可根據電氣電子零件之用途來適當選擇使用作為後附金屬層之金屬，但是當使用於電氣接點、連接器等時，較佳為Au、Ag、Cu、Ni、Pd、Sn或含有此等金屬之合金。
本發明之電氣電子零件用複合材料1，經加工後，可應用於任何一種電氣電子零件，該零件並無特別限制，例如有連接器、端子、屏蔽箱(shield case)等，可將此等應用於行動電話、攜帶資訊末端機、筆記型電腦、數位相機、數位錄放影機等之電氣電子機器。
將本發明之電氣電子零件用複合材料作為屏蔽箱等之框體零件時，由於可良好地保持與其他零件之間的絕緣性，因此有利於框體的低背化。又，當製成連接器、端子等之電連接零件時，由於可良好地保持與所鄰接之零件之間的絕緣性，因此有利於連接器之窄間距化等。
以下，根據實施例進一步詳細說明本發明，惟，本發明並不限定於此。
[實施例1]
(試料)
對厚度為0.1mm、寬度為20mm之金屬條(金屬基材)依序實施電解脫脂、酸洗處理之後，分別實施約0.001μm、0.005μm、0.02μm、0.05μm、0.085μm、0.1μm、0.2μm之Ni鍍敷、Ni-10%(質量%，以下相同)Zn合金鍍敷、或Ni-30% Zn合金鍍敷，構成金屬層，接著，於各金屬條之距離端部5mm的位置設置寬度10mm之聚醯胺醯亞胺之具有絕緣性的樹脂被膜，來製造本發明例及比較例之電氣電子零件用複合材料。
金屬條係使用JIS合金C5210R(磷青銅，古河電氣工業股份有限公司製造)。另，鍍敷厚度係使用螢光X射線測厚儀SFT-3200(SEIKO PRECISION股份有限公司製造)，根據10點之平均值來測定。
又，作為比較例，與此不同地，於依序實施電解脫脂、酸洗處理之後，不實施鍍敷(無金屬層)而於需要絕緣之部位設置具有絕緣性的樹脂被膜，來製造電氣電子零件用複合材料。
(各種條件)
於包含60g/l之「清潔劑160S」(商品名，美錄德股份有限公司製造)的脫脂液中，於液溫為60℃、電流密度為2.5A/dm2 之條件下進行陰極電解10~30秒鐘，以進行前述電解脫脂處理。
於包含100g/l之硫酸的酸洗液中，於室溫下浸漬10~30秒鐘，以進行前述酸洗處理。
另，電解脫脂處理及酸洗處理之處理時間，可根據為了於後續之鍍敷處理中得到特定之鍍敷厚度而調整線速度後的結果，在上述之範圍內適當加以決定。
於包含胺基磺酸鎳400g/l、氯化鎳30g/l、硼酸30g/l之鍍敷液中，於液溫為55℃、電流密度為1~10A/dm2 之條件下，以達到特定之鍍敷厚度之方式調整電流密度、鍍敷槽長及線速度，以進行前述Ni鍍敷。
於包含硫酸鎳5g/l、焦磷酸鋅1g/l、焦磷酸鉀100g/l之鍍敷液中，於液溫40℃、電流密度0.5~5A/dm2 之條件下，以達到特定之鍍敷厚度之方式調整電流密度、鍍敷槽長及線速度，以進行前述Ni-10% Zn合金鍍敷。
於包含氯化鎳75g/l、氯化鋅30g/l、氯化銨30g/l、硫氰酸鈉15g/l之鍍敷液中，於液溫25℃、電流密度0.05~0.5A/dm2 之條件下，以達到特定之鍍敷厚度之方式調整電流密度、鍍敷槽長及線速度，以進行前述Ni-30% Zn合金鍍敷。
將清漆(流動狀塗布物)自塗裝裝置之矩形噴出口垂直地噴出至移動之金屬基材表面，接著以300℃加熱30秒鐘，以形成前述絕緣被膜層。前述清漆係使用以N-甲基2-吡咯烷酮作為溶劑之聚醯胺醯亞胺(PAI)溶液(東特塗料股份有限公司製造)，形成為使樹脂之被膜厚度在8~10μm之範圍。
(評價)
對所獲得之電氣電子零件用複合材料進行衝壓加工性之評價。
前述衝壓加工性之評價，係使用餘隙為5μm之金屬模具，將試料衝壓成5mm×2mm之矩形後，浸漬於溶解有紅墨水之水溶液中，將衝壓後之材料端部之被膜的剝離寬度未達5μm之情形標註為「優(◎)」，將5μm以上、未達10μm之情形標註為「良(○)」，10μm以上之情形則標註為「否(×)」。
又，使用DAIPLA WINTES股份有限公司製造之SAICAS DN-20S對各材料測定絕緣被膜之密合強度。測定條件，係使用寬度1mm、傾角20°、間隙角10°之鑽石切割刀片，以定速度模式、水平速度2.0μm/s、垂直速度0.1μm/s來進行。其結果示於表1。
如表1所示，沒有金屬層(未施以基底鍍敷處理)之比較例的試料No.16及鍍敷厚度較厚之比較例的No.17~22，絕緣被膜之密合強度低，且剝離寬度亦在10μm以上，衝壓性不佳。
相對於此，本發明之試料No.1~15，絕緣被膜之密合強度在0.8kN/m以上，衝壓性優異，因此適合於精密加壓加工用途。特別是金屬層之厚度為0.005~0.05μm的試料No.2~4、No.7~9、No.12~14，密合強度在0.86kN/m以上，衝壓性亦特別優異。
[實施例2]
除了使用JIS合金C7701R(白銅，MITSUBISHI ELECTRIC METECS股份有限公司製造)作為金屬條之外，其餘皆與實施例1相同地來進行。其結果示於表2。
如表2所示，沒有金屬層(未施以基底鍍敷處理)之比較例的試料No.38及鍍敷厚度較厚之比較例的No.39~44，絕緣被膜之密合強度低，且剝離寬度亦在10μm以上，衝壓性不佳。相對於此，本發明之試料No.23~37，絕緣被膜之密合強度在0.8kN/m以上，衝壓性優異，因此適合於精密加壓加工用途。特別是金屬層之厚度為0.005~0.05μm的試料No.24~26、No.29~31、No.34~36，密合強度在0.86kN/m以上，衝壓性亦特別優異。
[實施例3]
除了使用JIS合金C7025R(卡遜(corson)銅，日鍍金屬股份有限公司製造)作為金屬條之外，其餘皆與實施例1相同地來進行。其結果示於表3。
如表3所示，未施以基底鍍敷處理之比較例的試料No.60及鍍敷厚度較厚之比較例的No.61~66，絕緣被膜之密合強度低，且剝離寬度亦在10μm以上，衝壓性不佳。
相對於此，本發明之試料No.45~59，樹脂之密合強度在0.8kN/m以上，剝離寬度亦未達10μm，衝壓性優異，因此適合於精密加壓加工用途。特別是金屬層之厚度為0.005~0.05μm的試料No.46~48、No.51~53、No.56~58，密合強度在0.86kN/m以上，衝壓性亦特別優異。
[實施例4]
使用餘隙5μm之金屬模具將實施例1~3之各材料衝壓成5mm×2mm之矩形，依序實施電解脫脂、酸洗處理後，施以Ni鍍敷，評價針對後鍍敷處理的被膜剝離寬度進展程度。
前述電解脫脂、酸洗處理、Ni鍍敷，係以與實施例1所示之條件相同的條件，藉由燒杯鍍敷來進行。電解脫脂、酸洗處理的時間分別為30秒鐘，Ni鍍敷之電流密度及時間係以5A/dm2 之條件進行1分鐘。此時，Ni鍍敷之厚度大約為1μm。
前述被膜剝離寬度進展程度的評價，係將鍍敷後之材料浸漬於溶解有紅墨水之水溶液中，測定材料端部之被膜的剝離寬度相對於實施例1~3所評價之被膜的剝離寬度進展至何種程度，藉此來進行。評價基準，係以剝離寬度之進展未達5μm之情形為「優(◎)」，5μm以上、未達10μm之情形為「良(○)」，10μm以上之情形為「否(×)」，被膜完全自材料剝離的情形則為「剝離(××)」。
結果示於表4。
如表4所示，可知比較例之無金屬層(未施以基底鍍敷處理)的試料及鍍敷厚度較厚的試料，被膜之剝離寬度持續進展，並不適合於衝壓加工後再施以鍍敷處理的用途。尤其是無金屬層(未施以基底鍍敷處理)之No.16、38、60，被膜完全自材料剝離。相對於此，本發明之試料，被膜之剝離寬度的進展未達10μm，可知亦可適用於衝壓加工後再施以鍍敷處理的用途。特別是金屬層之厚度為0.01~0.05μm的試料，被膜之剝離寬度的進展未達5μm，可知特別適合於衝壓加工後再施以鍍敷處理的用途。
以上雖說明本發明與其實施態樣，但只要本發明沒有特別指定，則即使在說明本發明之任一細部中，皆非用以限定本發明者，且只要在不違反本案申請專利範圍所示之發明精神與範圍下，應作最大範圍的解釋。
本案係主張基於2008年6月24日於日本提出申請之特願2008-164851號案、及2008年11月25日於日本提出申請之特願2008-300181號案之優先權者，本發明係參照此等申請案並將其內容加入作為本說明書之記載的一部分。
1‧‧‧電氣電子零件用複合材料
2‧‧‧電氣電子零件
11,21‧‧‧金屬基材
12,22‧‧‧絕緣被膜
13‧‧‧金屬層
21a‧‧‧衝壓加工面
23‧‧‧間隙
圖1，係顯示本發明之較佳實施態樣之電氣電子零件用複合材料一例的剖面圖。
圖2，係藉由立體圖來顯示金屬基材與絕緣被膜之間形成有間隙之狀態一例的概念圖。

Claims (5)

  1. 一種電氣電子零件用複合材料，係作為衝壓加工而形成之電氣電子零件的材料使用、且在金屬基材上之至少一部分實質上設置有1層由聚醯胺醯亞胺構成之絕緣被膜者，其特徵在於：使用餘隙5μm之金屬模具將該複合材料之試料衝壓成5mm×2mm之矩形後，浸漬於溶有紅墨水之水溶液中時，厚度為0.001μm以上、未達0.1μm之Ni或Ni-Zn合金所構成之金屬層係以該衝壓加工後之材料端部的該絕緣被膜的剝離寬度未達10μm的方式介於該金屬基材與該絕緣被膜之間。
  2. 如申請專利範圍第1項之電氣電子零件用複合材料，其中，該金屬基材係由銅系金屬材料所構成。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之電氣電子零件用複合材料，其中，該金屬基材之厚度為0.06~0.4mm。
  4. 一種電氣電子零件，在申請專利範圍第1至3項中任一項之電氣電子零件用複合材料衝壓加工後，形成為在該金屬基材上之至少一部分殘留有該絕緣被膜。
  5. 如申請專利範圍第4項之電氣電子零件，其中，該電氣電子零件係在衝壓加工後，對未設置有該絕緣被膜之部位進行濕式之鍍敷處理而形成。
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