TWI449114B - Target power loading method, target power supply and semiconductor processing equipment - Google Patents

Description

靶材功率載入方法、靶材電源及半導體處理設備

本發明涉及微電子技術領域，尤指一種靶材功率載入方法、靶材電源及應用上述靶材功率載入方法/靶材電源的半導體處理設備。

在現代工業中，微電子加工技術取得了前所未有的成就。其中，大型積體電路已經被應用於人們生產及生活中的各個領域。與此同時，對積體電路的製程及加工設備也正在以驚人的速度進行著不斷的改進和更新。

磁控濺鍍是一項用於製備積體電路中的銅/鋁等金屬互連層的關鍵技術。在磁控濺鍍製程中，部分靶材原子以離子態的形式被濺鍍出靶材表面，通常，將以離子狀態脫離靶材的金屬粒子在所有被濺鍍出的金屬粒子中所佔的比例定義為金屬原子的離化率。由於對金屬離子的能量及運行的控制與金屬原子相比要容易得多，尤其是在填充一些較大深/寬比的孔隙及溝道時，較容易達到理想的沈積效果，因此，磁控濺鍍技術已經成為積體電路生產製程中不可或缺的重要加工手段。可以預見，隨著集成度的大幅提高及特徵尺寸的不斷縮小，廣大技術人員必將面臨更多新的、更高的挑戰。

請參閱圖1，為一種目前常用的磁控濺鍍設備的原理示意圖。如圖所示，該磁控濺鍍設備包括製程腔室1、設置於製程腔室1上方的靶材2及磁控管3、載入至靶材2的直流電源4、設置於製程腔室1內部下方的基片夾持裝置5，下電極電源6與基片夾持裝置5相連接以使其同時具有下電極的功能。利用該設備進行銅互連製程的過程如下：先將基片7被固定於基片夾持裝置5的上表面；然後，向製程腔室1內通入氬氣，同時直流電源4為靶材載入直流功率以將氬氣激發為等離子體；等離子體中的高能氬離子轟擊靶材2表面而使靶材2粒子脫落；被濺鍍出的靶材粒子在下電極偏壓的作用下沈積在基片7表面。在上述過程中，當靶材2為銅、銀、金等金屬材料時，部分離子化的金屬粒子會被靶材2上的負偏壓吸引而轟擊靶材2，當靶材的金屬離化率達到一定程度後，可以停止向製程腔室1中通入氬氣，僅依靠濺鍍出的金屬離子對靶材的轟擊作用就能維持濺鍍製程的輝光放電過程，這一現象被業內稱為自維持濺鍍(Sustained self Sputtering)。由於上述自維持濺鍍過程僅需在啟輝階段(將製程氣體激發為等離子體的過程)通入氬氣，而主要濺鍍過程沒有氬氣參與，從而可避免氬氣原子或離子對金屬離子沈積方向的影響，獲得更好的沈積效果。因此，上述自維持濺鍍製程在積體電路的銅互連加工製程中被廣泛採用。

請參閱圖2，為利用上述圖1所示設備進行銅濺鍍實驗所得到的金屬離化率的實驗資料圖。圖中，擬合線1和2分別表示目前常用的兩種磁控管磁場強度，下面分別將這兩種磁場強度稱為磁場強度1和磁場強度2；其中，磁場強度2約為磁場強度1的兩倍。如圖所示，當磁控管具有磁場強度1時，在載入20KW、40KW和60KW的直流功率分別可得到約16%、30%和50%的金屬離化率；當磁控管具有磁場強度2時，在上述磁控管3中直流功率下可分別得到約20%、50%和70%的金屬離化率。由上述實驗資料可知，銅的金屬離化率在一定範圍內與磁控管的磁場強度和靶材電源的功率密度成正比，這裡，所謂功率密度是指單位磁鐵濺鍍槽面積的直流濺鍍功率。由此可知，若要提高濺鍍製程中的金屬離化率，可以採取兩種方式，即：提高靶材單位面積內的磁場強度或直流功率。

然而，任何材料的磁體的磁場強度均具有一定的物理極限值，因而通過增加磁場強度而提高金屬離化率的方式具有極限性。另一方面，載入較高的直流功率的時間過長會使靶材的發熱量急劇增加，從而影響設備的熱穩定性及製程可靠性；且持續載入較高的磁場強度和直流功率還會導致材料的沈積速率過快的問題，而過快的沈積速率將增加對沈積製程結果的控制難度，進而產生不利的製程結果。因此，在實際的產業化應用中，多採用60kW直流功率配合磁場強度1或者採用40kW直流功率配合磁場強度2的兩種參數方案，實際可獲得的金屬離化率大致為40%~50%左右。這一金屬離化率在一定程度上可滿足現今的工業加工需求，但是，當今一些高科技企業已經實現了32nm級別的加工精度，可想而知，在不久的將來微電子加工行業即將進入全新的32nm時代，為了實現這一新的技術節點，要求在能夠保證製程穩定性及可控性的前提下，使銅互連層濺鍍製程中的金屬離化率達到80%或更高的水平，然而就目前已有的技術和設備來看，顯然還無法實現上述要求。

為解決上述問題，本發明提供一種靶材功率載入方法，其能夠在保證製程穩定、可控的情況下，有效提高濺鍍製程的金屬離化率，從而滿足新的技術需求。

此外，本發明還提供一種靶材電源，其同樣能夠在保證製程穩定、可控的情況下，有效提高濺鍍製程的金屬離化率。

另外，本發明還提供了一種應用上述靶材功率載入方法/靶材電源的半導體處理設備，其同樣能夠在保證製程穩定、可控的情況下，有效提高濺鍍製程的金屬離化率。

為此，本發明提供一種靶材功率載入方法，用於在磁控濺鍍製程中向靶材載入功率，該靶材功率載入方法包括下述步驟：10)為所述靶材分別連接主功率電源和維持功率電源；20)使所述主功率電源以脈衝的形式向所述靶材載入一定的主功率，單個脈衝的作用時間為t1，脈衝間隔時間為t2；使所述維持功率電源至少在所述主功率電源的脈衝間隔時間t2內向靶材載入一定的維持功率，所述維持功率小於所述主功率，用以在t2內維持濺鍍製程的輝光放電過程。

其中，在所述步驟20)中，所述主功率為80kW~200kW；所述主功率電源的脈衝頻率f為50Hz~20kHz；所述t1為5μs~10ms，t1+t2=1/f且t1≦t2。

其中，在所述步驟20)中，所述維持功率電源包括脈衝直流電源；該脈衝直流電源的輸出功率為500W~25 kW、脈衝頻率與所述主功率電源的脈衝頻率相同，所述脈衝直流電源的脈衝載入時間與所述主功率電源的脈衝間隔時間t2相對應，以使所述脈衝直流電源與所述主功率電源交替地向靶材載入功率。

其中，在所述步驟20)中，所述維持功率電源包括直流電源，該直流電源的輸出功率為500W~20 kW，所述直流電源持續向靶材載入維持功率。

此外，本發明還提供一種靶材電源，其包括連接至所述靶材的主功率模組和維持功率模組。所述主功率模組以脈衝的形式向所述靶材載入一定的主功率，單個脈衝的作用時間為t1，脈衝間隔時間為t2；所述維持功率模組至少在所述主功率模組的脈衝間隔時間t2內向靶材載入一定的維持功率，所述維持功率小於所述主功率，用以在t2內維持濺鍍製程的輝光放電過程。

其中，所述主功率模組包括脈衝直流電源，所述主功率為80 kW~200kW，所述主功率電源的脈衝頻率f為50Hz~20kHz；所述t1為5μs~10ms，t1+t2=1/f且t1≦t2。

其中，所述維持功率模組包括脈衝直流電源；該脈衝直流電源的輸出功率為500W~25 kW、脈衝頻率與所述主功率模組的脈衝頻率相同，所述脈衝直流電源的脈衝載入時間與所述主功率模組的脈衝間隔時間t2相對應，以使所述脈衝直流電源與所述主功率模組交替地向靶材載入功率。

其中，所述維持功率模組包括直流電源，該直流電源的輸出功率為500W~20 kW，所述直流電源持續向靶材載入維持功率。

另外，本發明還提供一種半導體處理設備，包括製程腔室，在所述製程腔室中進行磁控濺鍍製程時，應用上述本發明提供的靶材功率載入方法而向靶材載入功率。

另外，本發明還提供了另一種半導體處理設備，包括製程腔室，在所述製程腔室中進行磁控濺鍍製程時，在靶材上連接有上述本發明提供的靶材電源，用以向靶材載入功率。

本發明具有下述有益效果：

本發明提供的靶材功率載入方法，首先為靶材分別連接主功率電源和維持功率電源；然後，使主功率電源以脈衝的形式向靶材載入一定的主功率；同時，使維持功率電源至少在主功率間隔時間內向靶材載入一定的維持功率，該維持功率小於上述主功率，用以在主功率間隔的時間內維持濺鍍製程的輝光放電過程。由此可見，在上述功率載入過程中，主功率以脈衝方式載入不但可有效避免連續載入高功率而使靶材發熱量劇增的問題，而且，當所載入的主功率足夠大時將有可能使靶材的瞬間金屬離化率達到80%及以上的水平，從而滿足新的技術節點的需要，使濺鍍製程水平達到32nm級別的要求。而且，本發明提供的靶材功率載入方法，在主功率脈衝的間隔時間內向靶材載入一個低於主功率的並可維持濺鍍製程中輝光放電過程的維持功率，由於該維持功率相對較低，從而在保持製程連續性的同時，能夠使濺鍍沈積的速率維持在一個容易控制的水平，進而有利於獲得穩定可靠的製程結果。綜上所述，本發明提供的靶材功率載入方法能夠在保證製程穩定性及可控性的同時，使濺鍍製程中的金屬離化率得到明顯提高，從而滿足新技術節點的製程要求。

此外，本發明提供的靶材電源，包括連接至靶材的主功率模組和維持功率模組。其中，主功率模組能夠以脈衝的形式向靶材載入一定的主功率；同時，維持功率模組可在主功率模組的脈衝間隔時間內向靶材載入一定的維持功率，該維持功率小於主功率，從而在主功率間隔的時間內維持濺鍍製程的輝光放電過程。由此可見，本發明提供的靶材電源，由於其主功率模組以脈衝方式向靶材載入主功率，不但可有效避免連續載入高功率而使靶材發熱量劇增的問題，而且，當所載入的主功率足夠大時將有可能使靶材的瞬間金屬離化率達到80%及以上的水平，從而滿足新的技術節點的需要，使濺鍍製程水平達到32nm級別的要求。而且，本發明提供的靶材電源，在主功率模組載入主功率的間隔時間內，利用其維持功率模組向靶材載入一個低於主功率的並可維持濺鍍製程中輝光放電過程的維持功率，由於該維持功率相對較低，從而在保持製程連續性的同時，能夠使濺鍍沈積的速率維持在一個容易控制的水平，進而有利於獲得穩定可靠的製程結果。綜上所述，本發明提供的靶材電源能夠在保證製程穩定性及可控性的同時，有效提高濺鍍製程中的金屬離化率，從而滿足新技術節點的製程要求。

作為另一技術方案，本發明提供的半導體處理設備，在進行磁控濺鍍製程時，應用上述本發明提供的靶材功率載入方法或者為靶材連接上述本發明提供的靶材電源，同樣能夠在保證製程穩定性及可控性的同時，有效提高濺鍍製程中的金屬離化率，從而滿足新技術節點的製程要求。

為使本領域的技術人員更好地理解本發明的技術方案，下面結合附圖對本發明提供的靶材功率載入方法、靶材電源以及應用上述靶材功率載入方法/靶材電源的半導體處理設備進行詳細描述。

請參閱圖3，為本發明提供的靶材功率載入方法的流程示意圖。該靶材功率載入方法主要用於在磁控濺鍍製程中向靶材載入功率，其包括下述步驟：10)為靶材分別連接主功率電源和維持功率電源；20)使主功率電源以脈衝的形式向靶材載入一定的主功率，單個脈衝的作用時間為t1，脈衝間隔時間為t2，當該主功率足夠大時可使磁控濺鍍製程的金屬離化率達到80%及以上的水平；使維持功率電源至少在主功率電源的脈衝間隔時間t2內向靶材載入一定的維持功率，該維持功率小於上述主功率，用以在t2內維持濺鍍製程的輝光放電過程。

具體地，該主功率電源包括一個脈衝直流電源，其脈衝作用時間為t1，脈衝頻率為f，脈衝周期為T=1/f=t1+t2。該主功率電源的輸出功率範圍包括80 kW~200kW，其在磁控濺鍍製程中所起的作用是使靶材金屬的離化率瞬間升高(理想值是達到80%或更高的水平)，以滿足32nm技術節點的製程要求。並且，由於該主功率電源以脈衝的方式向靶材輸出主功率，因而能夠有效避免長時間載入較高的直流功率使靶材溫度劇增的問題，也正是基於此點考慮，一般要求在實際操作時，主功率的脈衝作用時間t1應小於或等於其脈衝間隔時間t2，即：t1≦t2。由於脈衝作用時間t1的長短將決定整體製程中金屬離化率以及磁控濺鍍製程的平均沈積速率，因此對於t1的取值應根據實際製程所需而在一定範圍內進行選取，通常情況下，t1的範圍在5μs~10ms之間。

上述步驟20)所述的維持功率電源可以採用與上述主功率電源的脈衝頻率相同的脈衝直流電源，也可以採用直流電源。也就是說，該維持功率電源可以僅在上述主功率電源的脈衝間隔時間向靶材載入維持功率，也可以持續向靶材載入維持功率，而只要能夠保證在主功率電源的脈衝間隔時間t2內靶材能夠得到一定的維持功率即可，從而維持濺鍍製程中的等離子體輝光放電過程。在實際應用中，當採用脈衝直流電源作為維持功率電源時，上述維持功率的取值範圍是500W~25kW；當採用直流電源作為維持功率電源時，則上述維持功率的取值範圍為500W~20kW。步驟20)的具體實施過程請詳見下述兩個具體實施例。

請參閱圖4為本發明提供的靶材功率載入方法第一種具體實施例中所採用的功率示意圖。圖中，橫軸表示功率載入時間t，縱軸表示載入功率P，以P1表示主功率，P2表示維持功率。本實施例中，維持功率電源採用與上述主功率電源的脈衝頻率相同的脈衝直流電源。該脈衝直流電源的脈衝頻率與主功率電源的脈衝頻率相同，而脈衝作用時間為主功率電源的脈衝作用時間互補，即：主功率電源的脈衝間隔時間t2正好為維持功率電源的脈衝作用時間，而主功率電源的脈衝作用時間t1正好為維持功率電源的脈衝間隔時間，從而使維持功率與主功率交替地載入至載板上。這樣，在任何時刻均有一定的功率載入至靶材上，從而維持磁控濺鍍製程的連續性。

本實施例中，具體採用下述功率及時間等參數：主功率電源和維持功率電源的脈衝頻率f採用10kHz，即，脈衝周期為100ms；使主功率P1為120kW，脈衝作用時間t1為10ms；維持功率P2為5kW，脈衝作用時間t2為90ms。如圖4所示，在濺鍍過程中，首先載入主功率P1並持續作用時間t1，在完成等離子體的啟輝過程的同時，使金屬離化率得到明顯提高(理想值是達到80%或更高的水平)；然後，開始載入維持功率P2並持續作用時間t2，以維持等離子體的輝光放電過程；重復上述主功率P1和維持功率P2的交替載入過程直至製程結束。本實施例中，整個濺鍍製程中，載入至靶材的平均功率為16.5kW，不但可獲得非常高的金屬離化率，而且將濺鍍沈積速率維持在較容易控制的範圍內，從而可滿足32nm技術節點的製程需求。

需要指出的是，本實施例中所採用的主功率、維持功率、脈衝頻率、t1、t2等數值均是為了便於說明本方法的具體實施過程而選取的資料，在實際應用中並不局限於此，可根據實際需要在製程允許的範圍內進行選取。

由上述描述可知，本實施例所提供的靶材功率載入方法，使用兩個脈衝直流電源而交替對靶材載入功率，其中，一個脈衝直流電源作為主功率電源而在較短的時間內向靶材載入一個高功率(80kW~200kW)，以期能夠在瞬間使金屬離化率提高至80%及以上的水平，從而在滿足32nm技術節點的製程要求的同時，避免了長時間載入高功率而使靶材劇烈發熱的問題；另一脈衝直流電源作為維持功率電源在較長的時間內向靶材載入一個低功率(500W~25kW)，從而在維持等離子體輝光放電的同時，還可穩定製程的沈積速率，使整個製程的沈積速率保持在一個可控範圍內，從而有利於獲得穩定可靠的製程結果。

請參閱圖5，為本發明提供的靶材功率載入方法第二種具體實施例中所採用的功率示意圖。圖中，橫軸表示功率載入時間t，縱軸表示載入功率P，以P1表示主功率，P3表示維持功率。本實施例與上述靶材功率載入方法第一種具體實施例的區別在於，維持功率電源採用直流電源，即，在整個製程過程中，維持功率電源向靶材持續供電。由此可知，在主功率電源的脈衝作用時間t1內，靶材上將得到主功率P1和維持功率P3的疊加功率，此時將獲得很高的金屬離化率(80%或更高)；在主功率電源的脈衝間隔時間t2內，僅依靠維持功率P3向靶材載入功率，以維持輝光放電過程；重復上述過程直至製程結束。不難理解，本實施例具有同上述第一種實施例同樣的有益效果，即，在有效控制靶材發熱及沈積速率過快的同時，獲得非常高的 金屬原子離化率，從而滿足新技術節點的製程要求。

需要指出的是，本發明提供的靶材功率載入方法中，對於維持功率的載入方式並不僅限於上述實施例，具體如下：

其一、當維持功率電源為脈衝直流電源時，還可以使該脈衝直流電源的脈衝載入時間大於主功率電源的脈衝間隔時間；也就是說，使脈衝直流電源在主功率電源的脈衝載入時間結束之前的某個時間點即開始載入，和/或，使該脈衝直流電源持續載入至主功率電源的下一個脈衝載入時間開始之後的某個時間點。

其二、當維持功率電源為直流電源時，也可以通過控制直流電源通/斷的方式而使該直流電源僅在主功率電源的載入間隔時間內以間斷的形式向靶材載入維持功率。

作為另一技術方案，本發明還提供一種用於在磁控濺鍍製程中向靶材載入功率的靶材電源。該靶材電源包括連接至所述靶材的主功率模組和維持功率模組。在磁控濺鍍製程中，主功率模組以脈衝的形式向靶材載入一定的主功率，當該主功率足夠大時可使磁控濺鍍製程的金屬離化率達到80%及以上的水平，單個脈衝的作用時間為t1，脈衝間隔時間為t2。維持功率模組至少在主功率模組的脈衝間隔時間t2內向靶材載入一定的維持功率，該維持功率要明顯小於上述主功率，其主要用於在t2內維持濺鍍製程的輝光放電過程。

具體地，主功率模組包括一個脈衝直流電源，其輸出功率範圍為80kW~200kW，脈衝頻率f為50Hz~20kHz；單個脈衝的作用時間t1為5μs~10ms，t1+t2=1/f並同時滿足t1≦t2的條件。

在本發明提供的靶材電源的一個具體實施例中，維持功率模組採用一個脈衝直流電源；該脈衝直流電源的輸出功率範圍為500W~25 kW、脈衝頻率與上述主功率模組的脈衝頻率相同並與主功率模組交替向靶材載入功率。

在本發明提供的靶材電源的另一個具體實施中，維持功率模組採用一個直流電源，該直流電源的輸出功率為500W~20 kW。

至於靶材電源在濺鍍製程中對靶材載入功率的具體過程，同上述本發明提供的靶材功率載入方法相同或類似，在此不再贅述。

上述本發明提供的靶材電源，藉助其主功率模組和維持功率模組使靶材上獲得交替變化的功率。一方面，主功率模組以脈衝的方式向靶材提供一個高功率(80 kW~200kW)，以期在瞬間獲得80%或以上的金屬離化率，從而滿足新的技術節點的製程需求，同時可有效避免長時間載入高功率所導致的靶材劇烈發熱的問題；另一方面，維持功率模組在主功率模組的脈衝間隔時間對靶材載入一個較低的功率(500W~25kW或500W~20kW)，在維持等離子體輝光放電的同時，還可穩定製程的沈積速率，使整個製程的沈積速率保持在一個可控範圍內，從而有利於獲得穩定可靠的製程結果。

作為另一種技術方案，本發明還提供一種應用上述本發明提供的靶材電源的半導體處理設備。

請參閱圖6，為本發明提供的半導體處理設備的一個具體實施例的結構示意圖。該半導體處理設備包括製程腔室1，設置於製程腔室1內部下方的基片夾持裝置5，設置於製程腔室1上方的靶材2及磁控管3；基片夾持裝置5連接有下電極電源6，從而在製程過程中該基片夾持裝置5同時作為下電極；靶材2連接有上述本發明提供的靶材電源8，該靶材電源8由主功率模組81和維持功率模組82組成。上述主功率模組81和維持功率模組82在製程過程中為靶材載入功率，以在保證製程穩定及可控性的同時，提高金屬離化率，從而滿足新的技術節點的製程要求。其具體的靶材功率載入過程同上述本發明提供的靶材功率載入方法和/或靶材電源的具體載入過程相同或類似，因而不再贅述。

此外，本發明還提供一種應用上述本發明所提供的靶材功率載入方法的半導體處理設備，其同樣能夠在保證製程穩定及可控性的同時，提高金屬離化率，從而滿足新的技術節點的製程要求。

可以理解的是，以上實施方式僅僅是為了說明本發明的原理而採用的示例性實施方式，然而本發明並不局限於此。對於本領域內的普通技術人員而言，在不脫離本發明的精神和實質的情況下，可以做出各種變型和改進，這些變型和改進也視為本發明的保護範圍。

1‧‧‧製程腔室

2‧‧‧靶材

3‧‧‧磁控管

4‧‧‧直流電源

5‧‧‧基片夾持裝置

6‧‧‧下電極電源

7‧‧‧基片

8‧‧‧靶材電源

81‧‧‧主功率模組

82‧‧‧維持功率模組

圖1為一種目前常用的磁控濺鍍設備的原理示意圖。

圖2 為利用圖1所示設備進行銅濺鍍的金屬離化率的實驗資料圖。

圖3為本發明提供的靶材功率載入方法的流程圖。

圖4為本發明提供的靶材功率載入方法第一種具體實施例中所採用的功率示意圖。

圖5為本發明提供的靶材功率載入方法第二種具體實施例中所採用的功率示意圖。

圖6為本發明提供的半導體處理設備的一個具體實施例的結構示意圖。

Claims (10)

1. 一種靶材功率載入方法，用於在磁控濺鍍製程中向靶材載入功率，包括下述步驟：10)為所述靶材分別連接主功率電源和維持功率電源；20)使所述主功率電源以脈衝的形式向所述靶材載入一定的主功率，單個脈衝的作用時間為t1，脈衝間隔時間為t2；使所述維持功率電源至少在所述主功率電源的脈衝間隔時間t2內向靶材載入一定的維持功率，所述維持功率電源的載入時間大於所述主功率電源的脈衝間隔時間t2，並且所述維持功率小於所述主功率，用以在t2內維持濺鍍製程的輝光放電過程。
2. 如請求項1所述的靶材功率載入方法，在所述步驟20)中，所述主功率為80kW~200kW；所述主功率電源的脈衝頻率f為50Hz~20kHz；所述t1為5μs~10ms，t1+t2=1/f且t1≦t2。
3. 如請求項2所述的靶材功率載入方法，在所述步驟20)中，所述維持功率電源包括脈衝直流電源；該脈衝直流電源的輸出功率為500W~25kW、脈衝頻率與所述主功率電源的脈衝頻率相同，且使所述脈衝直流電源在主功率電源的脈衝載入時間結束之前的某個時間點即開始載入，和/或，使所述脈衝直流電源載入至主功率電源的下一個脈衝載入時間開始之後的某個時間點。
4. 如請求項2所述的靶材功率載入方法，在所述步驟20)中，所述維持功率電源包括直流電源，該直流電源的輸出功率為500W~20kW，所述直流電源持續向靶材載入維 持功率。
5. 一種靶材電源，包括連接至所述靶材的主功率模組和維持功率模組；所述主功率模組以脈衝的形式向所述靶材載入一定的主功率，單個脈衝的作用時間為t1，脈衝間隔時間為t2；所述維持功率模組至少在所述主功率模組的脈衝間隔時間t2內向靶材載入一定的維持功率，所述維持功率電源的載入時間大於所述主功率電源的脈衝間隔時間t2，並且所述維持功率小於所述主功率，用以在t2內維持濺鍍製程的輝光放電過程。
6. 如請求項5所述的靶材電源，所述主功率模組包括脈衝直流電源，所述主功率為80kW~200kW，所述主功率電源的脈衝頻率f為50Hz~20kHz；所述t1為5μs~10ms，t1+t2=1/f且t1≦t2。
7. 如請求項6所述的靶材電源，所述維持功率模組包括脈衝直流電源；該脈衝直流電源的輸出功率為500W~25kW、脈衝頻率與所述主功率模組的脈衝頻率相同，且使所述脈衝直流電源在主功率電源的脈衝載入時間結束之前的某個時間點即開始載入，和/或，使所述脈衝直流電源載入至主功率電源的下一個脈衝載入時間開始之後的某個時間點。
8. 如請求項6所述的靶材電源，所述維持功率模組包括直流電源，該直流電源的輸出功率為500W~20kW，所述直流電源持續向靶材載入維持功率。
9. 一種半導體處理設備，包括一製程腔室，在所述製 程腔室中進行磁控濺鍍製程時，應用請求項1至4中任一項所述的靶材功率載入方法向靶材載入功率。
10. 一種半導體處理設備，包括一製程腔室，在所述製程腔室中進行磁控濺鍍製程時，在靶材上連接有請求項5至8中任一項所述的靶材電源，用以向靶材載入功率。