JP2012227334A - プラズマ処理方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】シリコン基板111やSOI(Silicon On Insulator)基板111に高アスペクト比(アスペクト比=トレンチ深さ/トレンチ幅)の深いシリコントレンチまたは穴を形成するプラズマエッチング方法において、マイクロ波によって生成されたプラズマを用い、プラズマを形成するマイクロ波は、高圧力、高マイクロ波出力においても安定したプラズマを形成するため、導波管104の一部にマイクロ波回転発生器105を設け、マイクロ波回転発生器105を通過したものであり、また、プラズマ形成に用いるガスとして少なくともフッ素を含むガスとO2の混合ガスを用い、かつ、試料台110に高周波電源112によりバイアス電圧を印加することにより深いシリコントレンチまたは穴を形成する。
【選択図】図1
Description
102 マイクロ波発生器
103 整合器
104 導波管
105 マイクロ波回転発生器
106 マイクロ波導入窓
107 ガス導入手段
108 透過窓
109 ソレノイドコイル
110 試料台
111 被処理基板
112 高周波電源
113 静電吸着電源
114 冷却ガス供給口
115 チラーユニット
116 排気ポンプ
201 マスク材
202 被処理基板
203 トレンチ開口部
Claims (3)
- 内部を減圧可能な処理室と、該処理室内に処理ガスを供給するガス供給手段と、前記処理室内にマイクロ波を供給してプラズマを生成するマイクロ波供給手段と、前記マイクロ波の偏波面を回転させて前記処理室に供給するマイクロ波回転発生器と、前記マイクロ波回転発生器を介して前記マイクロ波を前記処理室へ導入するマイクロ波導入部と、前記処理室内に設けられ試料を載置する試料載置電極と、前記試料載置電極に高周波電力を印加する高周波電源と、前記ガス供給手段により供給されたガスを排気する排気手段とを備えるプラズマ処理装置を用いて、シリコン基板またはSOI基板に深いシリコントレンチまたは穴を形成するプラズマエッチング方法において、
フッ素を含むガスと酸素ガスを用い、処理圧力を60Pa以下、前記マイクロ波の電力を1000〜5000Wにして前記マイクロ波の偏波面を回転させてエッチング処理を行うことを特徴とするプラズマエッチング方法。 - 請求項1記載のプラズマエッチング方法において、前記フッ素を含むガスは、SF6ガスまたは、SF6ガス及びSiF4ガスであることを特徴とするプラズマエッチング方法。
- 請求項1記載のプラズマエッチング方法において、時間変調された間欠的な高周波電力を試料台に印加してエッチングすることを特徴とするプラズマエッチング方法。
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