TWI438447B - 電容容量及其寄生電阻測量電路 - Google Patents

電容容量及其寄生電阻測量電路 Download PDF

Info

Publication number
TWI438447B
TWI438447B TW100148515A TW100148515A TWI438447B TW I438447 B TWI438447 B TW I438447B TW 100148515 A TW100148515 A TW 100148515A TW 100148515 A TW100148515 A TW 100148515A TW I438447 B TWI438447 B TW I438447B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
capacitor
pin
voltage
microprocessor
tested
Prior art date
Application number
TW100148515A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201326835A (zh
Inventor
Yun Bai
song-lin Tong
Original Assignee
Hon Hai Prec Ind Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hon Hai Prec Ind Co Ltd filed Critical Hon Hai Prec Ind Co Ltd
Publication of TW201326835A publication Critical patent/TW201326835A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI438447B publication Critical patent/TWI438447B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R27/00—Arrangements for measuring resistance, reactance, impedance, or electric characteristics derived therefrom
    • G01R27/02—Measuring real or complex resistance, reactance, impedance, or other two-pole characteristics derived therefrom, e.g. time constant
    • G01R27/26—Measuring inductance or capacitance; Measuring quality factor, e.g. by using the resonance method; Measuring loss factor; Measuring dielectric constants ; Measuring impedance or related variables
    • G01R27/2605—Measuring capacitance

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Measurement Of Resistance Or Impedance (AREA)

Description

電容容量及其寄生電阻測量電路
本發明係關於一種電容容量及其寄生電阻測量電路，尤指一種用於測量超級電容容量及其寄生電阻的測量電路。
隨著電子技術的不斷發展，電子設備對其內部元件的精度要求亦愈來愈高，因此一些電子元件在使用前，經常需要對其參數進行測量。電容作為無源器件，在電路中具有儲能、濾波、去耦等作用，在很多電子產品中，電容皆是必不可少的電子元件，電容的容量及其寄生電阻是電容元件的重要參數，傳統的測量方法是用電橋法測量，然而電橋法只適合對小容量的電容進行測量，當測量大容量的電容時，會產生較大的誤差，將測量值誤差較大的電容用在電子設備中，會影響電子設備的性能。
鑒於上述內容，有必要提供一種可以準確測量電容容量及其寄生電阻的電路。
一種電容容量及其寄生電阻測量電路，包括：一電壓轉換電路，用於接收一電壓並將接收到的電壓轉換後輸出； 一充電電路，用於對一待測電容進行充電，並在該待測電容充滿電時輸出一停止充電訊號；一放電及採樣電路，包括一放電電阻，該放電及採樣電路接收該電壓轉換電路的輸出電壓，並對一待測電容的放電過程進行控制以及偵測該待測電容的電壓及該放電電阻的電壓；一控制電路，包括一具有內部計時器的微處理器，該微處理器在待測電容充滿電時接收充電電路輸出的停止充電訊號並根據該停止充電訊號控制該充電電路停止對該待測電容充電並輸出一放電控制訊號透過該放電及採樣電路控制該待測電容放電，該微處理器透過該計時器及該放電及採樣電路獲取該待測電容從充滿電至放電至零伏電壓的放電時間並根據該待測電容的放電時間及該放電電阻的電阻值計算得到該待測電容的容量；該微處理器還控制該放電及採樣電路偵測該待測電容充滿電時的電壓及偵測該待測電容放電過程中任一時刻該待測電容及放電電阻的電壓以根據獲得的該時刻的電壓值及該放電電阻的電阻值得到該待測電容的寄生電阻值。
相較習知技術，該電容容量及其寄生電阻測量電路透過該控制電路控制該充電電路對該待測電容進行充電及透過控制該放電及採樣電路使該待測電容放電，並透過該放電及採樣電路獲取待測電容的電壓及放電電阻的電壓，以此來測量得到該待測電容的電容容量及其寄生電阻值。該電容容量及其寄生電阻測量電路測量準確。
100‧‧‧電壓轉換電路
200‧‧‧充電電路
300‧‧‧放電及採樣電路
400‧‧‧控制電路
10‧‧‧指令輸入單元
20‧‧‧顯示單元
30‧‧‧待測電容
C1-C22‧‧‧電容
R1-R20‧‧‧電阻
U1‧‧‧電源轉換晶片
L1、L2‧‧‧電感
D1‧‧‧發光二極體
U2‧‧‧充電晶片
Q1、Q2‧‧‧場效應電晶體
SW1‧‧‧開關
R0‧‧‧放電電阻
U3‧‧‧模數轉換晶片
U4‧‧‧採樣晶片
Z1‧‧‧穩壓管
U5‧‧‧微處理器
Y1‧‧‧晶體振盪器
圖1為本發明電容容量及其寄生電阻測量電路的較佳實施方式的 框圖。
圖2至圖5為本發明電容容量及其寄生電阻測量電路的較佳實施方式的電路圖。
請參考圖1至圖5，本發明電容容量及其寄生電阻測量電路用於測量一待測電容30的容量及其寄生電容，其較佳實施方式包括一指令輸入單元10、一顯示單元20、一電壓轉換電路100、一充電電路200、一放電及採樣電路300及一控制電路400。該電壓轉換電路100接收一電壓並將其轉換後提供給該放電及採樣電路300。該充電電路200對該待測電容30進行充電，該放電及採樣電路300包括一放電電阻R0，該放電及採樣電路300控制對該待測電容30進行放電並偵測該待測電容30的電壓及該放電電阻R0的電壓。該控制電路400包括一具有內部計時器的微處理器U5，該微處理器U5接收充電電路200輸出的一停止充電訊號並根據該停止充電訊號控制該充電電路200停止對該待測電容30充電並輸出一放電控制訊號透過該放電及採樣電路300控制該待測電容30放電，該微處理器U5透過該計時器及該放電及採樣電路300獲取該待測電容30的放電時間並根據該待測電容30放電的時間及該放電電阻R0的電阻值計算得到該待測電容30的容量，該微處理器U5還控制該放電及採樣電路300偵測該待測電容30充滿電時的電壓及偵測該待測電容30放電過程中任一時刻該待測電容30及放電電阻R0的電壓以根據獲得的該時刻的電壓值及該放電電阻R0的電阻值得到該待測電容30的寄生電阻值。在本實施方式中，該指令輸入單元10為一設置有按鍵的鍵盤，透過按下按鍵即可實現指令的輸入。該顯示 單元20為一液晶顯示幕。該待測電容30為一超級電容。
該電壓轉換電路100包括電容C1-C5、電阻R1-R4、電源轉換晶片U1、電感L1及一電壓輸出端Vout。該電源轉換晶片U1的兩輸入引腳IN1及IN2相連並經該電感L1連接一電壓源P5V，該電阻R1及R2連接在該電壓源P5V與地之間，該電源轉換晶片U1的I/O引腳EN連接在該電阻R1與R2之間的節點，該電容C1連接在該電源轉換晶片U1的輸入引腳IN1與地之間。該電源轉換晶片U1的I/O引腳PG連接該控制電路400，其I/O引腳BIAS連接輸入引腳IN1且經該電容C2接地。該電源轉換晶片U1的兩輸出引腳OUT1及OUT2相連並連接該電壓輸出端Vout，該電容C4及C5分別連接在該電壓輸出端Vout與地之間，該電阻R3及R4依次串接在該電源轉換晶片U1的輸出引腳OUT2與地之間，該電源轉換晶片U1的I/O引腳FB連接在該電阻R3與R4之間的節點，其I/O引腳SS經該電容C3接地，其接地引腳GND及EPAD均接地。
該充電電路200包括一場效應電晶體Q1、一開關SW1、電容C6-C10、電阻R5-R8、發光二極體D1及充電晶片U2。該充電晶片U2的輸入引腳VIN經該開關SW1連接該電壓源P5V，該發光二極體D1的陽極連接該充電晶片U2的輸入引腳VIN，其陰極經該電阻R5接地，該電容C6及C7分別連接在該充電晶片U2的輸入引腳VIN與地之間。該場效應電晶體Q1的汲極連接該充電晶片U2的I/O引腳SHDN及經該電阻R6連接該充電晶片U2的輸入引腳VIN，其源極接地，其閘極連接該控制電路400。該電容C8連接在該充電晶片U2的I/O引腳C+與C-之間，該充電晶片U2的I/O引腳PGOOD連接該控制電路400，其接地引腳EPAD及GND均接地，其輸出引腳COUT連接該待測 電容30。該電容C9及C10分別連接在該充電晶片U2的輸出引腳COUT與地之間，該充電晶片U2的I/O引腳PROG經該電阻R8接地，其I/O引腳VSEL連接該電壓源P5V且經該電阻R7接地。
該放電及採樣電路300還包括場效應電晶體Q2、模數轉換晶片U3、採樣晶片U4、電容C11-C14及電阻R9-R13。該電容C11及該電阻R11依序連接在該模數轉換晶片U3的I/O引腳CLK_IN及CLK_R之間，該模數轉換晶片U3的I/O引腳CS連接該控制電路400，其輸入引腳Vin+經該電阻R13連接該待測電容30的第一端，其輸入引腳Vin-經該電阻R12連接該待測電容30的第二端。該模數轉換晶片U3的兩接地引腳AGND及DGND相連並依次經該電阻R10及R9連接該電壓源P5V及直接接地。該模數轉換晶片U3的I/O引腳Vref連接在該電阻R9與R10之間的節點，其電壓引腳Vcc連接該電壓源P5V，其I/O引腳DB0-DB7連接該控制電路400。該電容C12連接在該模數轉換晶片U3的輸入引腳Vin+與地之間，該電容C13連接在該模數轉換晶片U3的輸入引腳Vin-與地之間。該場效應電晶體Q2的汲極經該放電電阻R0連接該待測電容30的第一端，其源極連接該待測電容30的第二端並接地，其閘極連接該控制電路400。該電容C14連接在該場效應電晶體Q2的汲極與源極之間。該採樣晶片U4的兩輸入引腳VIN+及VIN-分別連接在該放電電阻R0的兩端，其電壓引腳Vs連接該電壓轉換電路100的電壓輸出端Vout，其I/O引腳SCL及SDA連接該控制電路400，其I/O引腳A0連接該I/O引腳SDA，其接地引腳GND及A1均接地。
該控制電路400還包括電容C15-C22、電阻R14-R20、晶體振盪器Y1、穩壓管Z1及電感L2。在本實施方式中，該微處理器U5為一單 片機。該微處理器U5的I/O引腳PB0-PB7分別對應連接該放電及採樣電路300中的模數轉換晶片U3的I/O引腳DB0-DB7，其I/O引腳PA0-PA3分別經該電阻R16-R19連接該電壓源P5V，其電壓引腳VCC連接該電壓源P5V，其接地引腳GND接地，其I/O引腳PD0連接該指令輸入單元10，其I/O引腳PD5連接該放電及採樣電路300的模數轉換晶片U3的I/O引腳CS。該微處理器U5的I/O引腳PC7連接該顯示單元20，其I/O引腳PC1及PC0分別對應連接該放電及採樣電路300的採樣晶片U4的I/O引腳SDA及SCL。該微處理器U5的重定引腳RESET經該電阻R15連接該電壓源P5V及經該電容C16接地，該電容C15連接在該電壓源P5V與地之間。該微處理器U5的時鐘引腳XTAL2經該電容C17接地，其時鐘引腳XTAL1經該電容C18接地，該晶體振盪器Y1連接在該微處理器U5的時鐘引腳XTAL2與XTAL1之間。該微處理器U5的參考電壓引腳AREF連接該穩壓管Z1的控制端，該穩壓管Z1的陰極經該電阻R20連接該電壓源P5V，其陽極接地，該電容C21連接該穩壓管Z1的控制端與地之間，該電容C22與電容C21並聯連接。該穩壓管Z1的控制端還與其陰極相連。該微處理器U5的類比電壓引腳AVCC經該電感L2連接該電壓源P5V，該電容C19連接在該微處理器U5的類比電壓引腳AVCC與地之間。該電容C20與電容C19並聯連接。該微處理器U5的I/O引腳PA3連接該電壓轉換電路100的電源轉換晶片U1的I/O引腳PG，該微處理器U5的I/O引腳PA2連接該放電及採樣電路300的場效應電晶體Q2的閘極，該微處理器U5的I/O引腳PA1連接該充電電路200的場效應電晶體Q1的閘極，該微處理器U5的I/O引腳PA0連接該充電電路200的充電晶片U2的I/O引腳PGOOD。
使用時，該電壓轉換電路100將從該電壓源P5V接收到的5V電壓轉 換為3.3V後透過該電壓輸出端Vout提供給該放電及採樣電路300，此時該微處理器U5的I/O引腳PA1輸出一低電平訊號給該場效應電晶體Q1以使其截止。接通開關SW1後，該5V電壓提供給該充電晶片U2，以使其對該待測電容30進行充電，同時該發光二極體D1發光以指示5V電壓正常。當該待測電容30充滿時，該充電晶片U2的I/O引腳PGOOD輸出一控制訊號給該微處理器U5的I/O引腳PA0，以使該微處理器U5的I/O引腳PA1輸出一高電平訊號給該場效應電晶體Q1，使其導通，此時，該5V電壓將透過該電阻R6及該場效應電晶體Q1形成回路，從而阻止該5V電壓提供給該充電晶片U2以繼續為該待測電容30充電。此時該模數轉換晶片U3透過其輸入引腳Vin+及Vin-偵測到該待測電容30的飽和電壓，如5V，並將其轉換為數位訊號後輸出給該微處理器U5，該微處理器U5處理之後透過該顯示單元20將其進行顯示。
同時，該微處理器U5透過其I/O引腳PA2輸出一高電平訊號給該場效應電晶體Q2使其導通，從而該待測電容30、該放電電阻R0及該場效應電晶體Q2形成放電回路，以使該待測電容30進行放電，此時該微處理器U5內部計數器開始計時，當該微處理器U5透過該模數轉換晶片U3獲得該待測電容30上的電壓為零時，該微處理器U5內部的計時器停止計時並獲得該待測電容30的放電時間，並透過該顯示單元20顯示該放電時間。由電容放電公式τ=R×C，τ為放電時間，單位為秒，R為放電電阻R0的阻值，單位為歐姆，C為待測電容30的容量，單位為法拉，因此，在該放電時間τ及該電阻R已知的情況下即可根據上述電容放電公式得到該待測電容30的容量C=τ/R。
例如，當該待測電容30的飽和電壓為5V時該微處理器U5控制該待測電容30進行放電，該微處理器U5的內部計時器開始計時，當該微處理器U5透過該模數轉換晶片U3獲得該待測電容30上的電壓為零時該微處理器U5的內部計時器結束計時並獲得一放電時間τ，如τ=1.83秒，亦就是說，該微處理器U5的內部計時器得到該待測電容30的放電時間為τ，而且該放電電阻R0的電阻值R已知，如R=2.2歐姆，因此，該待測電容30的容量C=τ/R=1.83/2.2=0.83法拉。從而測量得到了該待測電容30的容量。
當需要獲得該待測電容30的寄生電阻時，可以在對待測電容30進行測試過程中透過該指令輸入單元10輸入採樣結束訊號給該微處理器U5，以使該微處理器U5透過該模數轉換晶片U3獲得任一時刻待測電容30的電壓及透過該採樣晶片U4獲得任一時刻放電電阻R0兩端的電壓降。由該待測電容30的寄生電阻值R30=Drop/I30，其中Drop為該待測電容30的飽和電壓與採樣結束時獲得的該待測電容30的電壓之差，單位為伏特，I30為流過該待測電容30的電流，單位為安培。由於該待測電容30放電時其寄生電阻與該放電電阻R0串聯，亦就是說流過該放電電阻R0的電流值即為流過該待測電容30的電流值。其中，流過該放電電阻R0的電流IR0=△VR0/R，△VR0為該放電電阻R0兩端的電壓降，R為該放電電阻R0的電阻值。
例如，透過該採樣晶片U4獲取採樣結束時該放電電阻R0兩端的電壓降△VR0=4.28V，該放電電阻R0的電阻值R=2.2歐姆，則流過該放電電阻R0的電流IR0=4.28/2.2=1.95安培，亦就是說流過該待測電容30的電流I30=1.95安培。透過該模數轉換晶片U3獲得該待 測電容30的飽和電壓VCAP=5V及獲得採樣結束時的電壓值(比如該待測電容30放電50us後的電壓VCAP1=3.6V)，則可得到該待測電容30的Drop=VCAP-VCAP1=1.4V，因此，可以得到該待測電容30的寄生電阻值ESR=Drop/I30=1.4/1.95=0.72Ω。從而測量得到了該待測電容30的寄生電阻值。
該電容容量及其寄生電阻測量電路透過該控制電路400控制該充電電路200對該待測電容30進行充電及透過控制該放電及採樣電路300使該待測電容30放電，並透過該放電及採樣電路300獲取待測電容30的電壓及放電電阻R0的電壓，以此來測量得到該待測電容30的電容容量及其寄生電阻值。該電容容量及其寄生電阻測量電路測量準確。
綜上所述，本發明符合發明專利要件，爰依法提出專利申請。惟，以上所述者僅為本發明之較佳實施例，舉凡熟悉本案技藝之人士，在爰依本發明精神所作之等效修飾或變化，皆應涵蓋於以下之申請專利範圍內。
100‧‧‧電壓轉換電路
200‧‧‧充電電路
300‧‧‧放電及採樣電路
400‧‧‧控制電路
10‧‧‧指令輸入單元
20‧‧‧顯示單元
30‧‧‧待測電容

Claims (8)

  1. 一種電容容量及其寄生電阻測量電路，包括：一電壓轉換電路，用於接收一電壓並將接收到的電壓轉換後輸出；一充電電路，用於對一待測電容進行充電，並在該待測電容充滿電時輸出一停止充電訊號；一放電及採樣電路，包括一放電電阻，該放電及採樣電路接收該電壓轉換電路的輸出電壓，並對一待測電容的放電過程進行控制以及偵測該待測電容的電壓及該放電電阻的電壓；一控制電路，包括一具有內部計時器的微處理器，該微處理器在待測電容充滿電時接收充電電路輸出的停止充電訊號並根據該停止充電訊號控制該充電電路停止對該待測電容充電並輸出一放電控制訊號透過該放電及採樣電路控制該待測電容放電，該微處理器透過該計時器及該放電及採樣電路獲取該待測電容從充滿電至放電至零伏電壓的放電時間並根據該待測電容的放電時間及該放電電阻的電阻值計算得到該待測電容的容量；該微處理器還控制該放電及採樣電路偵測該待測電容充滿電時的電壓及偵測該待測電容放電過程中任一時刻該待測電容及放電電阻的電壓以根據獲得的該時刻的電壓值及該放電電阻的電阻值得到該待測電容的寄生電阻值。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之電容容量及其寄生電阻測量電路，其中該電容容量測量電路還包括一連接該微處理器的指令輸入單元，透過該指令輸入單元輸入一指令訊號以使該微處理器控制該放電及採樣電路偵測該待測電容放電過程中任一時刻該待測電容及放電電阻的電壓以根據獲得的該時刻的電壓值及該放電電阻的電阻值得到該待測電容的寄生電阻值 。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之電容容量及其寄生電阻測量電路，其中該電容容量測量電路還包括一連接該微處理器的顯示單元，該顯示單元用於顯示該微處理器獲得的該待測電容的電壓及放電時間。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之電容容量及其寄生電阻測量電路，其中該電壓轉換電路包括第一至第五電容、第一至第四電阻、一電源轉換晶片、一第一電感及一電壓輸出端，該電源轉換晶片的第一及第二輸入引腳相連並經該第一電感接一電壓源，該第一及第二電阻連接在該電壓源與地之間，該電源轉換晶片的第一I/O引腳連接在該第一與第二電阻之間的節點，該第一電容連接在該電源轉換晶片的第一輸入引腳與地之間，該電源轉換晶片的第二I/O引腳連接該控制電路，該電源轉換晶片的第三I/O引腳連接第一輸入引腳及經該第二電容接地，該電源轉換晶片的第一及第二輸出引腳相連並連接該電壓輸出端，該第四及第五電容分別連接在該電壓輸出端與地之間，該第三及第四電阻依次串接在該電源轉換晶片的第二輸出引腳與地之間，該電源轉換晶片的第四I/O引腳連接在該第三及第四電阻之間的節點，第五I/O引腳經該第三電容接地。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之電容容量及其寄生電阻測量電路，其中該充電電路包括一第一場效應電晶體、一開關、第六至第十電容、第五至第八電阻、一發光二極體及一充電晶片，該充電晶片的輸入引腳經該開關連接該電壓源，該發光二極體的陽極連接該充電晶片的輸入引腳，該發光二極體的陰極經該第五電阻接地，該第六及第七電容分別連接在該充電晶片的輸入引腳與地之間，該第一場效應電晶體的汲極連接該充電晶片的第一I/O引腳及經該第六電阻連接該充電晶片的輸入引腳，該第一場效應電晶體的源極接地，該第一場效應電晶體的閘極連接該控制電路，該第八電容連接在該充電晶片的第二及第三I/O引腳之間，該充電晶片的 第四I/O引腳連接該控制電路，該充電晶片的輸出引腳連接該待測電容，該第九及第十電容分別連接在該充電晶片的輸出引腳與地之間，該充電晶片的第五I/O引腳經該第八電阻接地，該充電晶片的第六I/O引腳連接該電壓源及經該第七電阻接地。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之電容容量及其寄生電阻測量電路，其中該放電及採樣電路還包括一第二場效應電晶體、一模數轉換晶片、一採樣晶片、第十至第十四電容及第九至第十三電阻，該第十一電容及該第十一電阻依次連接在該模數轉換晶片的第一與第二I/O引腳之間，該模數轉換晶片的第三I/O引腳連接該控制電路，該模數轉換晶片的第一輸入引腳經該第十三電阻連接該待測電容的第一端，該模數轉換晶片的第二輸入引腳經該第十二電阻連接該待測電容的第二端，該模數轉換晶片的兩接地引腳相連並依次經該第十及第九電阻連接該電壓源及接地，該模數轉換晶片的第四I/O引腳連接在該第九與第十電阻之間的節點，該模數轉換晶片的電壓引腳連接該電壓源，該模數轉換晶片的第五至第十二I/O引腳連接該控制電路，該第十二電容連接在該模數轉換晶片的第二輸入引腳與地之間，該第十三電容連接在該模數轉換晶片的第一輸入引腳與地之間，該第二場效應電晶體的汲極經該放電電阻連接該待測電容的第一端，該第二場效應電晶體的源極連接該待測電容的第二端並接地，該第二場效應電晶體的閘極連接該控制電路，該第十四電容連接在該第二場效應電晶體的汲極與源極之間，該採樣晶片的第一及第二輸入引腳分別連接在該放電電阻的兩端，該採樣晶片的電壓引腳連接該電壓轉換電路的電壓輸出端，該採樣晶片的第一及第二I/O引腳連接該控制電路，該採樣晶片的第三I/O引腳連接該第二I/O引腳。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之電容容量及其寄生電阻測量電路，還包括連接該微處理器的指令輸入單元及顯示單元，透過該指令輸入單元輸入一 指令訊號以使該微處理器控制該放電及採樣電路偵測該待測電容放電過程中任一時刻該待測電容及放電電阻的電壓以根據獲得的該時刻的電壓值及該放電電阻的電阻值得到該待測電容的寄生電阻值，該顯示單元用於顯示該微處理器獲得的該待測電容的電壓及放電時間，該控制電路還包括第十五至第二十二電容、第十四至第二十電阻、一晶體振盪器、一穩壓管及一第二電感，該微處理器的第一至第七I/O引腳分別對應連接該放電及採樣電路中的模數轉換晶片的第五至第十二I/O引腳，該微處理器的第八至第十一I/O引腳分別經該第十六至第十九電阻連接該電壓源，該微處理器的電壓引腳連接該電壓源，該微處理器的第十二I/O引腳連接該指令輸入單元，該微處理器的第十三I/O引腳連接該放電及採樣電路的模數轉換晶片的第三I/O引腳，該微處理器的第十四I/O引腳連接該顯示單元，該微處理器的第十五及第十六I/O引腳分別對應連接該放電及採樣電路的採樣晶片的第二及第一I/O引腳，該微處理器的重定引腳經該第十五電阻連接該電壓源及經該第十六電容接地，該第十五電容連接在該電壓源與地之間，該微處理器的第一時鐘引腳經該第十七電容接地，該微處理器的第二時鐘引腳經該第十八電容接地，該晶體振盪器連接在該微處理器的第一及第二時鐘引腳之間，該微處理器的參考電壓引腳連接該穩壓管的控制端，該穩壓管的陰極經該第二十電阻連接該電壓源，該穩壓管的陽極接地，該第二十一及第二十二電容分別連接在該穩壓管的控制端與地之間，該微處理器的類比電壓引腳經該第二電感連接該電壓源，該第十九及第二十電容分別連接在該微處理器的類比電壓引腳與地之間，該微處理器的第十一I/O引腳連接該電壓轉換電路的電源轉換晶片的第一I/O引腳，該微處理器的第九I/O引腳連接該充電電路的第一場效應電晶體的閘極，該微處理器的第八I/O引腳連接該充電電路的充電晶片的第四I/O引腳，該微處理器的第十I/O引腳連接該放電及採樣電路的第二場 效應電晶體的閘極。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之電容容量及其寄生電阻測量電路，其中該微處理器為一單片機。
TW100148515A 2011-12-23 2011-12-26 電容容量及其寄生電阻測量電路 TWI438447B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2011104372796A CN103176053A (zh) 2011-12-23 2011-12-23 电容容量及其寄生电阻测量电路

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201326835A TW201326835A (zh) 2013-07-01
TWI438447B true TWI438447B (zh) 2014-05-21

Family

ID=48636044

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW100148515A TWI438447B (zh) 2011-12-23 2011-12-26 電容容量及其寄生電阻測量電路

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20130166238A1 (zh)
CN (1) CN103176053A (zh)
TW (1) TWI438447B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI631347B (zh) * 2017-11-13 2018-08-01 盛群半導體股份有限公司 電容值的量測方法

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104251938A (zh) * 2013-06-27 2014-12-31 深圳市同洲电子股份有限公司 一种测量电容电路和***
CN103499743B (zh) * 2013-09-29 2016-06-08 湖北工业大学 一种高精度测量电阻电容的***及电路
CN103941102A (zh) * 2014-04-28 2014-07-23 肇庆绿宝石电子有限公司 一种电双层超级电容容量测量电路及其测量方法
CN104375010A (zh) * 2014-11-06 2015-02-25 陕西华星电子开发有限公司 一种测量陶瓷电容器在高压(dc≤3kv)下电容量的装置
CN104345219A (zh) * 2014-11-19 2015-02-11 益阳铃木电子科技有限公司 一种铝电解电容器用负极铝箔的充电测试方法及测试装置
CN104459337B (zh) * 2014-12-08 2017-02-22 工业和信息化部电子第五研究所 电容量检测方法和***
CN105510723B (zh) * 2016-01-28 2018-06-22 武汉理工大学 一种大电容的容量及内阻测量装置及其测量方法
CN105842539B (zh) * 2016-03-22 2018-08-21 西安电子科技大学 基于fpga-tdc的电阻测量***及方法
CN106093595A (zh) * 2016-08-29 2016-11-09 航宇救生装备有限公司 大电容组件放电时间检测装置
JP6939527B2 (ja) * 2017-12-25 2021-09-22 トヨタ自動車株式会社 蓄電デバイスの検査方法および製造方法
CN108054810B (zh) * 2018-01-24 2024-01-30 歌尔科技有限公司 一种充电控制电路和一种充电电源设备
CN108173359B (zh) * 2018-02-06 2024-07-19 深圳劲芯微电子有限公司 基于q值判别无线充电异物的方法及其电路
CN108469218B (zh) * 2018-05-09 2020-02-07 广东工业大学 一种电容测距方法、***、装置及可读存储介质
CN109342823B (zh) * 2018-09-29 2020-12-01 北京长城华冠汽车科技股份有限公司 Y电容的测量电路、控制方法及电动汽车
CN112187277B (zh) * 2020-10-09 2024-01-02 中国船舶重工集团公司第七0七研究所九江分部 一种具有机内测试功能的模数信号转换电路
CN113288205A (zh) * 2021-05-08 2021-08-24 中国人民解放军西部战区总医院 一种tcd检测装置及其运行电路
CN115267523B (zh) * 2022-08-30 2023-05-02 迈思普电子股份有限公司 一种自动放电on/off循环监测治具
CN116317033B (zh) * 2023-05-17 2023-07-18 中国人民解放军国防科技大学 一种模块化的法拉电容电能存储与释放控制装置

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5903469A (en) * 1994-11-08 1999-05-11 Synopsys, Inc. Method of extracting layout parasitics for nets of an integrated circuit using a connectivity-based approach
JP3486369B2 (ja) * 1999-04-23 2004-01-13 日本電信電話株式会社 待ちキュー監視制御方法
DE10255429A1 (de) * 2002-11-28 2004-06-09 Conti Temic Microelectronic Gmbh Verfahren zum Betreiben einer aus einer Betriebsspannungsquelle versorgten elektronischen Baugruppe
US7173438B2 (en) * 2005-05-18 2007-02-06 Seagate Technology Llc Measuring capacitance
US7802220B1 (en) * 2007-04-26 2010-09-21 Tasit, LLC Method for effective placement of on-chip decoupling capacitors determined by maximum effective radii
KR100919212B1 (ko) * 2007-09-19 2009-09-28 주식회사 포인칩스 터치센서의 정전용량 측정회로
CN101788609B (zh) * 2010-02-09 2012-12-12 华为终端有限公司 电阻值测量方法及装置、电容值测量方法及装置
CN102072989B (zh) * 2010-11-03 2014-04-09 北京普源精电科技有限公司 一种具有电容测量功能的测量装置
JP2012137341A (ja) * 2010-12-24 2012-07-19 Toshiba Corp 電子機器、及び同電子機器における蓄電器静電容量検出方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI631347B (zh) * 2017-11-13 2018-08-01 盛群半導體股份有限公司 電容值的量測方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN103176053A (zh) 2013-06-26
US20130166238A1 (en) 2013-06-27
TW201326835A (zh) 2013-07-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI438447B (zh) 電容容量及其寄生電阻測量電路
TW201319580A (zh) 電容容量測量電路
CN101315398B (zh) 电容值测量装置及方法
US8456172B2 (en) Measurement circuit for capacitor
EP2647954A3 (en) Self test of mems gyroscope with asics integrated capacitors
TWI520018B (zh) 觸控感測電路與相關方法
US9716398B2 (en) Auto correction driving device and wireless charger driving system using the same
JP6270403B2 (ja) 半導体装置及び電子制御装置
CN104641562A (zh) 模拟-数字转换电路、传感器装置、便携式电话和数字摄像机
CN104459338B (zh) 一种电容容值测量装置及测量方法
JP2013205325A (ja) 電流測定装置
TW201729543A (zh) 阻抗至數位轉換器、阻抗至數位轉換裝置及方法
TW202013114A (zh) 電源裝置、電流偵測電路及電流偵測方法
TW201344209A (zh) Mosfet短路測試裝置
JP2012039273A (ja) 二重積分型ａｄ変換器および積分型ａｄ変換器
Tan et al. A low-voltage low-power CMOS time-domain temperature sensor accurate to within [− 0.1,+ 0.5]° C From− 40° C To 125° C
WO2015043252A1 (zh) 一种感温电路及温度传感器
CN108303586A (zh) 一种电源功率测试装置
CN110998338B (zh) 确定电参数的方法和确定电参数的测量装置
Welter et al. Embedded high-precision frequency-based capacitor measurement system
TW201403081A (zh) 電感測試系統
JP2011040985A (ja) Ａｄ変換器
CN106468743A (zh) 脉冲恒流二极管正向压降测试仪
TWI505810B (zh) 電壓－頻率變換電路及血壓測定裝置
CN203759111U (zh) 交流小电流高精度检测模块

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees