TWI437381B - 流體處置結構、微影裝置及器件製造方法 - Google Patents

流體處置結構、微影裝置及器件製造方法 Download PDF

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Description

流體處置結構、微影裝置及器件製造方法
本發明係關於一種流體處置結構、一種微影裝置，及一種用於使用微影裝置來製造器件之方法。
微影裝置為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)的機器。微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)之製造中。在該情況下，圖案化器件(其或者被稱作光罩或比例光罩)可用以產生待形成於IC之個別層上的電路圖案。可將此圖案轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包含晶粒之部分、一個晶粒或若干晶粒)上。通常經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上而進行圖案之轉印。一般而言，單一基板將含有經順次地圖案化之鄰近目標部分的網路。已知微影裝置包括：所謂步進器，其中藉由一次性將整個圖案曝光至目標部分上來輻照每一目標部分；及所謂掃描器，其中藉由在給定方向(「掃描」方向)上經由輻射光束而掃描圖案同時平行或反平行於此方向而同步地掃描基板來輻照每一目標部分。亦有可能藉由將圖案壓印至基板上而將圖案自圖案化器件轉印至基板。
已提議將微影投影裝置中之基板浸沒於具有相對高折射率之液體(例如，水)中，以便填充投影系統之最終元件與基板之間的空間。在一實施例中，液體為蒸餾水，但可使用另一液體。將參考液體來描述本發明之一實施例。然而，另一流體可為合適的，特別是濕潤流體、不可壓縮流體，及/或折射率高於空氣之折射率(理想地，高於水之折射率)的流體。排除氣體之流體係特別理想的。由於曝光輻射在液體中將具有較短波長，故此情形之要點係實現較小特徵之成像。(液體之效應亦可被視為增加系統之有效數值孔徑(NA)且亦增加聚焦深度)。已提議其他浸沒液體，包括懸浮有固體粒子(例如，石英)之水，或具有奈米粒子懸浮液(例如，最大尺寸高達10奈米之粒子)之液體。懸浮粒子可能具有或可能不具有類似於或相同於懸浮有該等粒子之液體之折射率的折射率。可為合適的其他液體包括烴，諸如，芳族、氟代烴及/或水溶液。
將基板或基板及基板台浸漬於液體浴中(見(例如)美國專利第4,509,852號)意謂在掃描曝光期間存在必須被加速之大液體本體。此情形需要額外或更強大之馬達，且液體中之擾動可能導致不良且不可預測之效應。
在浸沒裝置中，藉由流體處置系統、器件結構或裝置來處置浸沒流體。在一實施例中，流體處置系統可供應浸沒流體且因此為流體供應系統。在一實施例中，流體處置系統可至少部分地限制浸沒流體且藉此為流體限制系統。在一實施例中，流體處置系統可提供對浸沒流體之障壁且藉此為障壁部件(諸如，流體限制結構)。在一實施例中，流體處置系統可產生或使用氣流，例如，以有助於控制浸沒流體之流動及/或位置。氣流可形成用以限制浸沒流體之密封件，因此，流體處置結構可被稱作密封部件；此密封部件可為流體限制結構。在一實施例中，將浸沒液體用作浸沒流體。在該狀況下，流體處置系統可為液體處置系統。關於前述描述，在此段落中對關於流體所定義之特徵的參考可被理解為包括關於液體所定義之特徵。
若藉由流體處置系統將浸沒液體限制至在投影系統下方之表面上的局域化區域，則彎液面延伸於流體處置系統與表面之間。若彎液面碰撞表面上之小滴，則此情形可引起在浸沒液體中夾雜氣泡。小滴可出於各種原因(包括由於自流體處置系統之洩漏)而存在於表面上。舉例而言，浸沒液體中之氣泡可藉由在基板之成像期間干擾投影光束而導致成像誤差。
舉例而言，需要提供一種微影裝置，在該微影裝置中至少縮減氣泡夾雜之可能性。
根據一態樣，提供一種用於一微影裝置之流體處置結構，該流體處置結構在自經組態以含有浸沒流體之一空間至在該流體處置結構外部之一區的一邊界處具有：一彎液面牽制特徵，其用以抵抗自該空間在一徑向向外方向上浸沒流體之傳遞；一氣體供應開口，其係自該彎液面牽制特徵徑向地向外；及一氣體回收開口，其係自該彎液面牽制特徵徑向地向外且至少部分地環繞該氣體供應開口。
根據一態樣，提供一種用於一微影裝置之流體處置結構，該流體處置結構在自經組態以含有浸沒流體之一空間至在該流體處置結構外部之一區的一邊界處順次地具有：一彎液面牽制特徵，其用以抵抗自該空間在一徑向向外方向上浸沒流體之傳遞；一氣體回收開口，其係自該彎液面牽制特徵徑向地向外；及一氣體供應開口，其係自該氣體回收開口徑向地向外。
根據一態樣，提供一種用於一微影裝置之流體處置結構，該流體處置結構在自經組態以含有浸沒流體之一空間至在該流體處置結構外部之一區的一邊界處順次地具有：一彎液面牽制特徵，其用以抵抗自該空間在一徑向向外方向上浸沒流體之傳遞；一氣體供應開口，其係自該彎液面牽制特徵徑向地向外；及一流體供應開口，其係自該氣體供應開口徑向地向外，以供應可溶於該浸沒流體中之一可溶流體，該可溶流體在溶解至該浸沒流體中時降低該浸沒流體之表面張力。
根據一態樣，提供一種微影裝置，該微影裝置包含：一流體處置結構，其在自經組態以含有浸沒流體之一空間至在該流體處置結構外部之一區的一邊界處具有：用以抵抗自該空間在一徑向向外方向上浸沒流體之傳遞之一彎液面牽制特徵，及自該彎液面牽制特徵徑向地向外之一氣體供應開口；及一熱蓋罩，其用於熱屏蔽來自該流體處置系統之組件，該熱蓋罩包含自該彎液面牽制特徵徑向地向外且至少部分地環繞該氣體供應開口之一氣體回收開口。
根據一態樣，提供一種器件製造方法，該器件製造方法包含：通過受限制至在投影系統之一最終元件與一基板之間的一空間之一浸沒液體而投影一經圖案化輻射光束；通過一開口而將氣體提供至鄰近於該浸沒液體之一彎液面的一位置；及自該開口通過一氣體回收開口而回收氣體。
根據一態樣，提供一種器件製造方法，該器件製造方法包含：通過受限制至在投影系統之一最終元件與一基板之間的一空間之一浸沒液體而投影一經圖案化輻射光束；通過一開口而將氣體提供至鄰近於該浸沒液體之一彎液面的一位置；提供可溶於該浸沒流體中之一流體，且該可溶流體在溶解於該浸沒流體中後隨即降低該浸沒流體之一彎液面之表面張力；及將該可溶流體提供至處於自經提供有該氣體之該位置徑向地向外之一位置的一流體供應開口。
現在將參看隨附示意性圖式而僅藉由實例來描述本發明之實施例，在該等圖式中，對應元件符號指示對應零件。
圖1示意性地描繪根據本發明之一實施例的微影裝置。該裝置包含：
-　照明系統(照明器)IL，其經組態以調節輻射光束B(例如，UV輻射或DUV輻射)；
-　支撐結構(例如，光罩台)MT，其經建構以支撐圖案化器件(例如，光罩)MA，且連接至經組態以根據某些參數來準確地定位圖案化器件MA之第一***PM；
-　支撐台(例如，用以支撐一或多個感測器之感測器台，或經建構以固持基板(例如，抗蝕劑塗佈基板)W之基板台WT)，其連接至經組態以根據某些參數來準確地定位該台之表面(例如，基板W之表面)之第二***PW；及
-　投影系統(例如，折射投影透鏡系統)PS，其經組態以將藉由圖案化器件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C(例如，包含一或多個晶粒)上。
照明系統IL可包括用於引導、塑形或控制輻射的各種類型之光學組件，諸如，折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。
支撐結構MT固持圖案化器件MA。支撐結構MT以取決於圖案化器件MA之定向、微影裝置之設計及其他條件(諸如，圖案化器件MA是否被固持於真空環境中)的方式來固持圖案化器件MA。支撐結構MT可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術以固持圖案化器件MA。支撐結構MT可為(例如)框架或台，其可根據需要而為固定或可移動的。支撐結構MT可確保圖案化器件MA(例如)相對於投影系統PS處於所要位置。可認為本文中對術語「比例光罩」或「光罩」之任何使用皆與更通用之術語「圖案化器件」同義。
本文中所使用之術語「圖案化器件」應被廣泛地解釋為指代可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以在基板之目標部分中創製圖案的任何器件。應注意，例如，若被賦予至輻射光束之圖案包括相移特徵或所謂輔助特徵，則圖案可能不會確切地對應於基板之目標部分中的所要圖案。通常，被賦予至輻射光束之圖案將對應於目標部分中所創製之器件(諸如，積體電路)中的特定功能層。
圖案化器件MA可為透射或反射的。圖案化器件之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列，及可程式化LCD面板。光罩在微影中為吾人所熟知，且包括諸如二元、交變相移及衰減相移之光罩類型，以及各種混合光罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中每一者可個別地傾斜，以便在不同方向上反射入射輻射光束。傾斜鏡面將圖案賦予於藉由鏡面矩陣反射之輻射光束中。
本文中所使用之術語「投影系統」應被廣泛地解釋為涵蓋適於所使用之曝光輻射或適於諸如浸沒液體之使用或真空之使用之其他因素的任何類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、磁性、電磁及靜電光學系統，或其任何組合。可認為本文中對術語「投影透鏡」之任何使用皆與更通用之術語「投影系統」同義。
如此處所描繪，裝置為透射類型(例如，使用透射光罩)。或者，裝置可為反射類型(例如，使用上文所提及之類型的可程式化鏡面陣列，或使用反射光罩)。
微影裝置可為具有兩個或兩個以上台(或載物台或支撐件)(例如，兩個或兩個以上基板台)或一或多個基板台與一或多個感測器或量測台之組合的類型。在此等「多載物台」機器中，可並行地使用多個台，或可在一或多個台上進行預備步驟，同時將一或多個其他台用於曝光。微影裝置可具有可以與基板台、感測器台及量測台類似之方式並行地使用之兩個或兩個以上圖案化器件台(或載物台或支撐件)。
參看圖1，照明器IL自輻射源SO接收輻射光束。舉例而言，當輻射源SO為準分子雷射時，輻射源SO與微影裝置可為分離實體。在此等狀況下，不認為輻射源SO形成微影裝置之零件，且輻射光束係憑藉包含(例如)合適引導鏡面及/或光束擴展器之光束遞送系統BD而自輻射源SO傳遞至照明器IL。在其他狀況下，例如，當輻射源SO為水銀燈時，輻射源SO可為微影裝置之整體零件。輻射源SO及照明器IL連同光束遞送系統BD(在需要時)可被稱作輻射系統。
照明器IL可包含用於調整輻射光束之角強度分佈的調整器AD。通常，可調整照明器IL之光瞳平面中之強度分佈的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。另外，照明器IL可包含各種其他組件，諸如，積光器IN及聚光器CO。照明器IL可用以調節輻射光束，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈。類似於輻射源SO，可能認為或可能不認為照明器IL形成微影裝置之零件。舉例而言，照明器IL可為微影裝置之整體零件，或可為與微影裝置分離之實體。在後一狀況下，微影裝置可經組態以允許照明器IL安裝於其上。視情況，照明器IL係可拆卸的，且可被分離地提供(例如，由微影裝置製造商或另一供應商提供)。
輻射光束B入射於被固持於支撐結構(例如，光罩台)MT上之圖案化器件(例如，光罩)MA上，且係藉由圖案化器件MA而圖案化。在已橫穿圖案化器件MA的情況下，輻射光束B傳遞通過投影系統PS，投影系統PS將該光束聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二***PW及位置感測器IF(例如，干涉量測器件、線性編碼器或電容性感測器)，基板台WT可準確地移動，例如，以便使不同目標部分C定位於輻射光束B之路徑中。類似地，第一***PM及另一位置感測器(其未在圖1中被明確地描繪)可用以(例如)在自光罩庫之機械擷取之後或在掃描期間相對於輻射光束B之路徑準確地定位圖案化器件MA。一般而言，可憑藉形成第一***PM之零件的長衝程模組(粗略定位)及短衝程模組(精細定位)來實現支撐結構MT之移動。類似地，可使用形成第二***PW之零件的長衝程模組及短衝程模組來實現基板台WT之移動。在步進器(相對於掃描器)之狀況下，支撐結構MT可僅連接至短衝程致動器，或可為固定的。可使用圖案化器件對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化器件MA及基板W。儘管所說明之基板對準標記佔據專用目標部分，但該等標記可位於目標部分C之間的空間中(此等標記被稱為切割道對準標記)。類似地，在一個以上晶粒提供於圖案化器件MA上之情形中，圖案化器件對準標記可位於該等晶粒之間。
所描繪裝置可用於以下模式中至少一者中：
1.　在步進模式中，在將被賦予至輻射光束B之整個圖案一次性投影至目標部分C上時，使支撐結構MT及基板台WT保持基本上靜止(亦即，單次靜態曝光)。接著，使基板台WT在X及/或Y方向上移位，使得可曝光不同目標部分C。在步進模式中，曝光場之最大大小限制單次靜態曝光中所成像之目標部分C的大小。
2.　在掃描模式中，在將被賦予至輻射光束B之圖案投影至目標部分C上時，同步地掃描支撐結構MT及基板台WT(亦即，單次動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板台WT相對於支撐結構MT之速度及方向。在掃描模式中，曝光場之最大大小限制單次動態曝光中之目標部分C的寬度(在非掃描方向上)，而掃描運動之長度判定目標部分C之高度(在掃描方向上)。
3.　在另一模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，使支撐結構MT保持基本上靜止，從而固持可程式化圖案化器件，且移動或掃描基板台WT。在此模式中，通常使用脈衝式輻射源，且在基板台WT之每一移動之後或在掃描期間的順次輻射脈衝之間根據需要而更新可程式化圖案化器件。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化器件(諸如，上文所提及之類型的可程式化鏡面陣列)之無光罩微影。
亦可使用對上文所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同的使用模式。
儘管在本文中可特定地參考微影裝置在IC製造中之使用，但應理解，本文中所描述之微影裝置可在製造具有微米尺度或甚至奈米尺度特徵之組件時具有其他應用，諸如，製造整合光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭，等等。
可將用於在投影系統PS之最終元件與基板之間提供液體之配置分類成三種通用類別。此等類別為浴類型配置、所謂局域化浸沒系統及全濕潤浸沒系統。在浴類型配置中，基板W之實質上全部及(視情況)基板台WT之部分被浸漬於液體浴中。
局域化浸沒系統使用液體供應系統，其中液體僅提供至基板之局域化區域。藉由液體填充之空間的平面圖小於基板之頂部表面的平面圖，且填充有液體之區域相對於投影系統PS保持實質上靜止，而基板W在該區域下方移動。圖2至圖7展示可用於此系統中之不同供應器件。存在密封特徵以將液體密封至局域化區域。PCT專利申請公開案第WO 99/49504號中揭示一種經提議以安排此情形之方式。
在全濕潤配置中，液體係未受限制的。基板之整個頂部表面及基板台之全部或部分被覆蓋於浸沒液體中。覆蓋至少該基板之液體的深度小。液體可為在基板上之液體膜(諸如，液體薄膜)。浸沒液體可供應至投影系統及面對該投影系統之對向表面或供應於該投影系統及該對向表面附近(此對向表面可為基板及/或基板台之表面)。圖2至圖5之液體供應器件中任一者亦可用於此系統中。然而，密封特徵不存在、未被啟動、不如正常一樣有效率，或以另外方式對於將液體僅密封至局域化區域係無效的。
如圖2及圖3所說明，液體係藉由至少一入口而供應至基板上(較佳地，沿著基板相對於最終元件之移動方向)。液體在已傳遞於投影系統下方之後係藉由至少一出口而移除。隨著在-X方向上於元件下方掃描基板，在元件之+X側處供應液體且在-X側處吸取液體。圖2示意性地展示如下配置：液體係經由入口被供應且在元件之另一側上藉由連接至低壓力源之出口被吸取。在圖2之說明中，沿著基板相對於最終元件之移動方向供應液體，但並非需要為此狀況。圍繞最終元件而定位之入口及出口的各種定向及數目係可能的；圖3中說明一實例，其中圍繞最終元件以規則圖案來提供在任一側上的入口與出口之四個集合。應注意，圖2及圖3中藉由箭頭來展示液體之流動方向。
圖4中展示具有局域化液體供應系統之另外浸沒微影解決方案。液體係藉由投影系統PS之任一側上的兩個凹槽入口被供應，且藉由經配置成自該等入口徑向地向外之複數個離散出口被移除。可在中心具有孔之板中配置入口，且投影光束被投影通過該孔。液體係藉由投影系統PS之一側上的一個凹槽入口被供應，且藉由投影系統PS之另一側上的複數個離散出口被移除，從而在投影系統PS與基板W之間造成液體薄膜之流動。對將使用入口與出口之哪一組合的選擇可取決於基板W之移動方向(入口與出口之另一組合係非作用中的)。應注意，圖4中藉由箭頭來展示流體及基板之流動方向。
已提議之另一配置係提供具有液體限制結構之液體供應系統，液體限制結構沿著在投影系統之最終元件與基板台之間的空間之邊界之至少一部分而延伸。圖5中說明此配置。
圖5示意性地描繪具有液體限制結構12之局域化液體供應系統或流體處置系統，液體限制結構12沿著在投影系統之最終元件與基板台WT或基板W之間的空間之邊界之至少一部分而延伸。(請注意，另外或在替代例中，除非另有明確陳述，否則在以下本文中對基板W之表面的參考亦指代基板台之表面)。液體限制結構12在XY平面中相對於投影系統實質上靜止，但在Z方向上(在光軸之方向上)可能存在某相對移動。在一實施例中，密封件形成於液體限制結構12與基板W之表面之間，且可為諸如氣體密封件之無接觸密封件(歐洲專利申請公開案第EP-A-1,420,298號中揭示具有氣體密封件之此系統)或液體密封件。
液體限制結構12使在投影系統PS之最終元件與基板W之間的空間11中至少部分地含有液體。對基板W之無接觸密封件16可圍繞投影系統PS之影像場而形成，使得將液體限制於在基板W之表面與投影系統PS之最終元件之間的空間內。空間11係藉由定位於投影系統PS之最終元件下方且環繞投影系統PS之最終元件的液體限制結構12至少部分地形成。藉由液體入口13將液體帶入至在投影系統PS下方且在液體限制結構12內之空間中。可藉由液體出口13來移除液體。液體限制結構12可延伸至略高於投影系統之最終元件。液體液位上升至高於最終元件，使得提供液體緩衝。在一實施例中，液體限制結構12具有內部周邊，內部周邊在上部末端處緊密地符合投影系統或其最終元件之形狀且可(例如)為圓形。在底部處，內部周邊緊密地符合影像場之形狀(例如，矩形)，但並非需要為此狀況。
可藉由氣體密封件16而使在空間11中含有液體，氣體密封件16在使用期間形成於障壁部件12之底部與基板W之表面之間。氣體密封件係藉由氣體形成。在壓力下經由入口15而將氣體密封件中之氣體提供至在障壁部件12與基板W之間的間隙。經由出口14而萃取氣體。氣體入口15上之過壓、出口14上之真空位準及間隙之幾何形狀經配置成使得在內部存在限制液體之高速氣流16。氣體對在障壁部件12與基板W之間的液體之力使在空間11中含有液體。入口/出口可為環繞空間11之環形凹槽。環形凹槽可為連續的或不連續的。氣流16對於使在空間11中含有液體係有效的。全文以引用之方式併入本文中的美國專利申請公開案第US 2004-0207824號中揭示此系統。在一實施例中，液體限制結構12不具有氣體密封件。
圖6說明為液體供應系統之零件的液體限制結構12。液體限制結構12圍繞投影系統PS之最終元件的周邊(例如，圓周)而延伸。
部分地界定空間11之表面中之複數個開口20將液體提供至空間11。液體在進入空間11之前分別通過各別腔室24、26而傳遞通過側壁28中之開口29及側壁22中之開口20。
密封件提供於液體限制結構12之底部與對向表面(例如，基板W或基板台WT或其兩者)之間。在圖6中，密封器件經組態以提供無接觸密封件且係由若干組件組成。自投影系統PS之光軸徑向地向外，提供延伸至空間11中之(選用)流動控制板51。控制板51可具有開口55以准許流動液體通過開口55；若控制板51在Z方向(例如，平行於投影系統PS之光軸)上位移，則開口55可為有益的。開口180可在面對對向表面(例如，基板W)(例如，與對向表面(例如，基板W)相對置)的液體限制結構12之底部表面上自流動控制板51徑向地向外。開口180可在朝向對向表面之方向上提供液體。在成像期間，此情形可有用於藉由使在基板W與基板台WT之間的間隙填充有液體而防止浸沒液體中之氣泡形成。
用以自液體限制結構12與對向表面之間萃取液體之萃取器總成70可自開口180徑向地向外。萃取器總成70可作為單相萃取器或作為雙相萃取器進行操作。萃取器總成70充當彎液面牽制特徵。
氣刀90可自萃取器總成徑向地向外。全文以引用之方式併入本文中的美國專利申請公開案第US 2006/0158627號中詳細地揭示萃取器總成及氣刀之配置。
作為單相萃取器之萃取器總成70可包含液體移除器件、萃取器或入口，諸如，全文以引用之方式併入本文中的美國專利申請公開案第US 2006-0038968號中所揭示之萃取器總成。在一實施例中，液體移除器件70包含被覆蓋於多孔材料111中之入口，多孔材料111用以使液體與氣體分離以實現單液相液體萃取。腔室121中之負壓經選擇成使得形成於多孔材料111之孔中的彎液面防止周圍氣體被牽引至液體移除器件70之腔室121中。然而，當多孔材料111之表面接觸液體時，不存在用以限制流動之彎液面，且液體可自由地流動至液體移除器件70之腔室121中。
多孔材料111具有大量小孔，該等小孔各自具有在5微米至50微米之範圍內的尺寸，例如，寬度(諸如，直徑)。可將多孔材料111維持於在高於諸如對向表面之表面(例如，基板W之表面)50微米至300微米之範圍內的高度，液體將自該對向表面被移除。在一實施例中，多孔材料111係至少稍微親液性的，亦即，與浸沒液體(例如，水)成小於90°、理想地小於85°或理想地小於80°之動態接觸角。
儘管在圖6中未被特定地說明，但液體供應系統具有用以處理液體之液位變化的配置。此情形係使得積聚於投影系統PS與液體限制結構12之間的液體可被處理且不會逸出。一種處理此液體之方式係提供疏液性(例如，疏水性)塗層。塗層可圍繞液體限制結構12之頂部形成環繞開口之帶狀物，及/或圍繞投影系統PS之最後光學元件形成帶狀物。塗層可自投影系統PS之光軸徑向地向外。疏液性(例如，疏水性)塗層有助於使浸沒液體保持於空間11中。
另一局域化區域配置為流體處置系統，其使用氣體拖曳原理。舉例而言，美國專利申請公開案第US 2008-0212046號、第US 2009-0279060號及第US 2009-0279062號中已描述所謂氣體拖曳原理。在該系統中，萃取孔係以可理想地具有隅角之形狀而配置。隅角可與較佳移動方向(諸如，步進方向或掃描方向)對準。對於在較佳方向上之給定速率，相比於流體處置結構之表面中之兩個出口經對準成垂直於較佳方向的情況，隅角可與較佳移動方向對準的情況縮減對在流體處置結構之表面中之兩個開口之間的彎液面之力。然而，本發明之一實施例可應用於流體處置系統，該流體處置系統在平面圖中具有任何形狀，或具有諸如經配置為任何形狀之萃取開口的組件。在一非限制性清單中，此形狀可包括橢圓形(諸如，圓形)、直線形狀(諸如，矩形(例如，正方形)，或平行四邊形(諸如，斜方形))，或具有四個以上隅角之成隅角形狀(諸如，具有四個或四個以上尖角之星形)。
在本發明之一實施例可涉及的US 2008/0212046 A1之系統之變化中，供以配置開口之成隅角形狀的幾何形狀允許針對在掃描方向及步進方向兩者上所對準之隅角而存在尖銳隅角(介於約60°與90°之間，理想地介於75°與90°之間，且最理想地介於75°與85°之間)。此情形允許在每一經對準隅角之方向上之速率增加。此係因為歸因於在掃描方向上之不穩定彎液面(例如，在超過臨界速率時)的液體小滴產生縮減。在隅角係與掃描方向及步進方向兩者對準時，可在該等方向上達成增加速率。理想地，在掃描方向及步進方向上之移動速率可實質上相等。
圖7示意性地且以平面圖說明流體處置系統之彎液面牽制特徵或液體限制結構12之彎液面牽制特徵，液體限制結構12具有體現氣體拖曳原理且本發明之一實施例可涉及的萃取器。說明可(例如)替換圖5之彎液面牽制配置14、15、16或圖6所示之至少萃取器總成70的彎液面牽制器件之特徵。圖7之彎液面牽制器件為萃取器之形式。彎液面牽制器件包含複數個離散開口50。每一開口50被說明為圓形，但未必為此狀況。實際上，開口50中之一或多者可為選自圓形、橢圓形、直線(例如，正方形或矩形)、三角形等等中之一或多者，且一或多個開口可為狹長的。每一開口在平面圖中具有如下長度尺寸(亦即，在自一開口至鄰近開口之方向上)：大於或等於0.2毫米，理想地大於或等於0.5毫米或1毫米，在一實施例中選自0.1毫米至10毫米之範圍，在一實施例中選自0.25毫米至2毫米之範圍。在一實施例中，每一開口之寬度係選自0.1毫米至2毫米之範圍。在一實施例中，每一開口之寬度係選自0.2毫米至1毫米之範圍。在一實施例中，長度尺寸係在0.2毫米至0.5毫米之範圍內，理想地在0.2毫米至0.3毫米之範圍內。
可將圖7之彎液面牽制器件之開口50中每一者連接至一分離負壓源。或者或另外，可將開口50中每一者或複數者連接至自身被固持於負壓下之一共同腔室或歧管(其可為環形)。以此方式，可在開口50中每一者或複數者處達成均一負壓。可將開口50連接至真空源，及/或可在壓力方面增加環繞流體處置系統(或限制結構)之氛圍以產生所要壓力差。
在圖7之實施例中，開口為流體萃取開口。每一開口為用於將氣體、液體或氣體與液體之二相流體傳遞至流體處置系統中的入口。可認為每一入口是來自空間11之出口。
開口50形成於流體處置結構12之表面中。在使用時，該表面面對基板W及/或基板台WT。在一實施例中，開口係在流體處置結構12之平坦表面中。在一實施例中，隆脊可存在於基板部件之底部表面上。該等開口中至少一者可在該隆脊中。可藉由針狀物或管路界定開口50。可將一些針狀物(例如，鄰近針狀物)之本體接合在一起。可將該等針狀物接合在一起以形成單一本體。單一本體可形成成隅角形狀。
舉例而言，開口50為管路或狹長通道之末端。理想地，開口經定位成使得在使用時其指向(理想地，面對)對向表面(例如，基板W)。開口50之緣邊(亦即，離開表面之出口)可實質上平行於對向表面之部分之頂部表面。開口50被連接至之通道之狹長軸線可實質上垂直於(在與垂直線所成之+/- 45°內，理想地在與垂直線所成之35°、25°或甚至15°內)對向表面之頂部(例如，基板W之頂部表面)。
每一開口50經設計成萃取液體與氣體之混合物。自空間11萃取液體，而將氣體自開口50之另一側上的氛圍萃取至液體。此情形產生如藉由箭頭100所說明之氣流，且此氣流對於將開口50之間的彎液面320牽制於實質上適當位置(如圖7所說明)係有效的。氣流有助於維持藉由動量阻擋、藉由氣流誘發性壓力梯度及/或藉由氣流(例如，空氣流)在液體上之拖曳(剪切)而限制的液體。
開口50環繞流體處置結構將液體供應至的空間。開口50可分佈於流體處置結構之下表面中。開口50可圍繞空間實質上連續地隔開(但鄰近開口50之間的間隔可變化)。在本發明之一實施例中，液體係始終圍繞成隅角形狀被萃取，且實質上在供其撞擊於成隅角形狀上之點處被萃取。此情形係因為開口50係始終圍繞空間被形成(呈成隅角形狀)而達成。以此方式，可將液體限制至空間11。可在操作期間藉由開口50牽制彎液面。
自圖7可看出，開口50經定位成在平面圖中形成成隅角形狀(亦即，具有隅角52之形狀)。在圖7之狀況下，此形狀呈具有彎曲邊緣或側54之斜方形(理想地，正方形)的形狀。邊緣54在彎曲時具有負半徑。邊緣54可在遠離隅角52之區域中朝向成隅角形狀之中心彎曲。本發明之一實施例可在平面圖中應用於任何形狀，包括(但不限於)所說明之形狀，例如，直線形狀(例如，斜方形、正方形或矩形)，或圓形形狀、三角形形狀、星形形狀、橢圓形形狀，等等。
成隅角形狀具有與在投影系統PS下方基板W之主要行進方向對準的主軸110、120。此情形有助於確保在低於臨界掃描速率的情況下的最大掃描速率快於在以圓形形狀配置開口50之情況下的最大掃描速率。此係因為對在兩個開口50之間的彎液面之力係以因數cos θ而縮減。此處，θ為連接兩個開口50之線相對於供基板W移動之方向的角度。
正方形成隅角形狀之使用允許在步進方向上之移動及在掃描方向上之移動處於相等最大速率。此情形可藉由使該形狀之隅角52中每一者與掃描方向110及步進方向120對準而達成。若青睞於使在該等方向中之一者(例如，掃描方向)上之移動快於在步進方向上之移動，則可使用斜方形形狀。在此配置中，斜方形之主軸可與掃描方向對準。對於斜方形形狀，儘管該等隅角中每一者可為銳角，但斜方形之兩個鄰近側之間的角度(例如，在步進方向上)可為鈍角，亦即，大於90°(例如，選自約90°至120°之範圍，在一實施例中選自約90°至105°之範圍，在一實施例中選自約85°至105°之範圍)。
可藉由使開口50之形狀之主軸與基板之主要行進方向(通常為掃描方向)對準且使第二軸線與基板之另一主要行進方向(通常為步進方向)對準來最佳化產出率。應瞭解，在至少一移動方向上，θ不為90°之任何配置皆將給出一優點。因此，主軸與主要行進方向之確切對準並不至關重要。
提供具有負半徑之邊緣的優點為：可使隅角較尖銳。對於與掃描方向對準之隅角52及與步進方向對準之隅角52兩者，選自75°至85°或甚至更低之範圍的角度可皆為可達成的。若其對於此特徵係不可達成的，則為了使在兩個方向上對準之隅角52具有相同角度，該等隅角必須具有90°。若需要小於90°，則將有必要選擇一方向以具有小於90°之隅角，結果，另一隅角將具有大於90°之角度。
可能不存在自開口50徑向地向內之彎液面牽制特徵。用藉由氣流誘發至開口50中之拖曳力將彎液面牽制於開口50之間。大於約15公尺/秒(理想地，約20公尺/秒)之氣體拖曳速度係足夠的。可縮減液體自基板蒸發的量，藉此縮減液體濺射以及熱膨脹/收縮效應兩者。
在一實施例中，各自具有1毫米之直徑且被分離達3.9毫米的至少三十六(36)個離散開口50對於牽制彎液面可為有效的。在一實施例中，存在一百一十二(112)個開口50。開口50可為正方形，其中側之長度為0.5毫米、0.3毫米、0.2毫米或0.1毫米。此系統中之總氣流為大約100公升/分鐘。在一實施例中，總氣流係選自70公升/分鐘至130公升/分鐘之範圍。
流體處置結構之底部的其他幾何形狀係可能的。舉例而言，美國專利申請公開案第US 2004-0207824號或2009年5月26日申請之美國專利申請案第US 61/181,158號中所揭示之結構中任一者皆可用於本發明之一實施例中。
在圖7中可看出，相對於空間11，一或多個隙縫61可提供於開口50外部。隙縫61可實質上平行於接合開口50之線。在一實施例中，隙縫61可為沿著該形狀之側54而提供的一系列離散孔隙。在使用時，隙縫61連接至過壓且形成環繞藉由開口50形成之彎液面牽制器件之氣刀(等效於圖6及圖10中之氣刀90)。
本發明之一實施例中之氣刀用以縮減留在對向表面(諸如，基板W或基板台WT)上之任何液體膜之厚度。氣刀有助於確保液體膜不破裂成小滴，而是朝向開口50驅動液體且萃取液體。在一實施例中，氣刀進行操作以防止膜之形成。為了達成此情形，需要使在氣刀之中心線與彎液面牽制開口50之中心線之間的距離係在自1.5毫米至4毫米(理想地自2毫米至3毫米)之範圍內。配置氣刀所沿著的線通常遵循開口50之線，使得在開口50中之鄰近開口與氣刀之隙縫61之間的距離係在前述範圍內。理想地，配置氣刀所沿著的線平行於開口50之線。需要在開口50中之鄰近開口與氣刀之隙縫61之間維持恆定分離度。在一實施例中，此情形沿著氣刀之每一中心線之長度係理想的。在一實施例中，恆定分離度可在液體處置器件之更多隅角中之一者附近。
局域化區域流體處置系統(諸如，上文參看圖2至圖7所描述之局域化區域流體處置系統)可遭受至空間11中之氣泡夾雜。可看出，彎液面320延伸於流體處置系統12與在流體處置系統12下方之表面之間。圖5及圖6所說明之此彎液面320界定空間11之邊緣。當彎液面320及小滴(例如，已逸出空間11之液體小滴)碰撞於表面上時，氣體氣泡可夾雜至空間11中。因為氣體氣泡可導致成像誤差，所以氣泡至空間11中之夾雜係有害的。小滴通常在如下至少三種情況中之一或多者下留在表面上：(a)當在液體處置器件與基板W之間存在相對移動時液體處置器件位於基板W之邊緣之上時；(b)當在液體處置器件與面對液體限制結構之對向表面之間存在相對移動時液體處置器件隨著對向表面之高度的步進改變而定位時；及/或(c)歸因於(例如)在彎液面(例如)藉由超過對向表面之臨界掃描速率而變得不穩定時在液體處置器件與對向表面之間的過高相對速率。氣泡可夾雜於圖5及圖6所說明之彎液面400處，彎液面400延伸於液體限制結構12與投影系統PS之間。此處，可由於自液體處置系統12之徑向向內對向表面上之液體入口(圖5中之入口13及圖6中之入口20)所供應的液體自投影系統PS與液體處置器件12之間夾帶氣體而產生氣體氣泡。
處理氣泡夾雜之困難的方式已集中於改良液體限制結構12之限制屬性。舉例而言，可減小液體限制結構12與對向表面之間的相對速率，以便避免液體溢出。
極小氣體氣泡可在到達空間11之曝光區域之前溶解於浸沒液體中。本發明之一實施例使用溶解速率係取決於經截留氣體之類型及浸沒液體屬性的事實。
二氧化碳(CO2 )氣泡相比於空氣氣泡通常溶解得較快。溶解度比氮氣之溶解度大五十五(55)倍且擴散率為氮氣之擴散率之0.86倍的CO2 氣泡通常將在比使相同大小之氮氣氣泡溶解之時間短三十七(37)倍的時間內溶解。
全文以引用之方式併入本文中的美國專利申請案第US 61/313,964號描述將在浸沒液體中於20℃及1大氣壓之總壓力下具有大於5×10-3 莫耳/公斤之溶解度的氣體供應至鄰近於空間11之區。其亦描述將在浸沒液體中於20℃及1大氣壓之總壓力下具有大於3×10-5 cm2 s-1 之擴散率的氣體供應至鄰近於空間11之區。其亦描述將在浸沒液體中於20℃及1大氣壓之總壓力下擴散率與溶解度之乘積大於空氣之擴散率與溶解度之乘積的氣體供應至鄰近於空間11之區。
若氣體氣泡為在浸沒液體中具有高擴散率、溶解度或擴散率與溶解度之乘積的氣體，則其將快得多地溶解至浸沒液體中。因此，使用本發明之一實施例將會縮減成像缺陷之數目，藉此允許較高產出率(例如，基板W相對於液體處置系統12之較高速率)及較低缺陷度。
因此，本發明之一實施例提供經組態以將氣體供應至鄰近於空間11之區(例如，供應至鄰近於空間11之體積，或朝向鄰近於空間11之區域)的氣體供應器件。詳言之，提供氣體，使得氣體存在於鄰近於彎液面320之區中，彎液面320延伸於對向表面與液體處置器件之間。
舉例而言，合適氣體為在浸沒液體(例如，水)中於20℃及1大氣壓之總壓力下具有大於1×10-3 之溶解度(在1大氣壓之總壓力(氣體之分壓與浸沒液體之分壓的總和)下每單位浸沒液體質量之氣體質量)的氣體。氣體體積(而非氣體重量)可更重要，此係因為需要某一氣體體積(而非重量)來填充鄰近於空間之區。因此，可更好地以每公斤液體之氣體莫耳(亦即，以mol/kg)表達溶解度。在該狀況下，溶解度應大於5×10-3 莫耳/公斤，理想地大於10×10-3 莫耳/公斤、大於15×10-3 莫耳/公斤、大於20×10-3 莫耳/公斤，或大於25×10-3 莫耳/公斤。
舉例而言，合適氣體為在20℃及1大氣壓之總壓力下具有大於3×10-5 cm2 s-1 之擴散率的氣體。此擴散率與為2.3×10-5 cm2 s-1 的空氣之擴散率相當。理想地，擴散率大於8×10-5 cm2 s-1 、大於1×10-4 cm2 s-1 ，或大於5×10-4 cm2 s-1 。大多數氣體具有介於1×10-5 cm2 s-1 至2×10-5 cm2 s-1 之間的擴散率。氧氣及氮氣兩者具有2.3×10-5 cm2 s-1 之擴散率，且二氧化碳之擴散率為1.6×10-5 cm2 s-1 。氦氣具有3.8×10-5 cm2 s-1 之擴散率(及1.6×10-6 公斤/公斤或4×10-4 莫耳/公斤之溶解度)。氫氣具有5.8×10-5 cm2 s-1 之擴散率(及1.6×10-6 公斤/公斤或8×10-4 莫耳/公斤之溶解度)。
特別合適的氣體為在20℃及1大氣壓之總壓力下具有大於1×10-3 公斤/公斤或大於3×10-3 莫耳/公斤之溶解度及/或在浸沒液體中於20℃及1大氣壓之總壓力下具有大於3×10-5 cm2 s-1 之擴散率的氣體。在一實施例中，氣體為擴散率與溶解度之乘積大於空氣之擴散率與溶解度之乘積的氣體。舉例而言，擴散率與溶解度之乘積應大於1×10-9 cm2 s-1 (使用針對溶解度之質量比率)或大於2×10-8 mol cm2 s-1 kg-1 (使用針對溶解度之莫耳/公斤)。理想地，溶解度與擴散率之乘積大於5×10-9 cm2 s-1 、大於1×10-8 cm2 s-1 或大於3×10-8 cm2 s-1 (使用針對溶解度之質量比率)，或大於4×10-8 cm2 s-1 mol kg1 、大於10×10-8 cm2 s-1 mol kg1 、大於20×10-8 cm2 s-1 mol kg1 、大於40×10-8 cm2 s-1 mol kg1 或大於50×10-8 cm2 s-1 mol kg1 (使用針對溶解度之莫耳/公斤)。實例氣體為二氧化碳。
在一實施例中，使用(在20℃及1大氣壓之總壓力下)溶解度與擴散率之乘積大於空氣之溶解度與擴散率之乘積的氣體。可以公斤/公斤或莫耳/公斤為單位來量測溶解度。具有該等屬性之氣體將比空氣更快地溶解於浸沒液體中，藉此允許使用較高掃描速率，而無包括於彎液面320、400處之氣泡在曝光時間仍存在於曝光區域中的風險。
實例氣體為二氧化碳，其可為理想的，此係因為其易於得到且可出於其他目的而用於浸沒系統中。二氧化碳在水中於20℃及1大氣壓之總壓力下具有1.69×10-3 公斤/公斤或37×10-3 莫耳/公斤之溶解度。其他合適氣體可為氯氣(7.0×10-3 公斤/公斤或98×10-3 莫耳/公斤)、硫化氫(3.85×10-3 公斤/公斤或113×10-3 莫耳/公斤)、氯化氫(0.721公斤/公斤或19753×10-3 莫耳/公斤)、氨氣(0.531公斤/公斤或31235×10-3 莫耳/公斤)，或二氧化硫(0.113公斤/公斤或1765×10-3 莫耳/公斤)。該等氣體中之一些可具有一或多個缺點。舉例而言，該等氣體中之一些可與浸沒微影裝置中之組件反應及/或可有毒，且可因此比二氧化碳更難以處置且更不理想。易於溶解於浸沒液體中之任何非反應性氣體皆係合適的。
本文中所描述之本發明之一實施例可圍繞浸沒液體之彎液面320形成CO2 氛圍，使得氣體至浸沒液體中之任何夾雜皆產生溶解於浸沒液體中之氣體夾雜。下文將參考為二氧化碳之可溶氣體來描述本發明之一實施例，但可溶氣體可為任何氣體，如上文所描述。
藉由使用氣體CO2 ，可縮減(若未減輕)與碰撞液體小滴之彎液面320相關聯的問題。通常，300微米之小滴將產生直徑為30微米(亦即，大小的十分之一)之氣泡。此二氧化碳氣泡通常將在到達曝光區域之前溶解於浸沒液體中。(應注意，此大小之小滴可造成一或多個其他問題)。因此，由小滴造成之問題將較不顯著。浸沒系統將更容許與已自空間逸出之浸沒液體相互作用。
可通過氣體供應開口210而提供二氧化碳。氣體供應開口210可自諸如圖6中之萃取器70或圖7中之出口50的彎液面牽制特徵徑向地向外。
通過氣體供應開口210而提供二氧化碳之另一優點為：二氧化碳可接著在彎液面牽制開口50下方溶解於彎液面320處之浸沒液體中。此情形引起彎液面320處之浸沒液體變得稍微有酸性(pH值減小)。若浸沒液體變得更有酸性，則此情形會增加H3 O+ 離子之存在。H3 O+ 離子之數目的增加會引起固體-液體表面能(γSL )減小。固體-氣體表面能(γSG )不改變，且液體-氣體表面能(γLG )亦不改變。因此，固體-液體表面能之改變會影響該三種表面能之間的平衡。特別朝向液體彎液面與固體表面之界面的液體彎液面中之表面張力受到影響。圖8中說明由於表面能之改變的表面張力之方向改變。圖8展示表面310上之小滴300之接觸角θC 。在以下方程式中給出三種表面能與接觸角之間的關係：
γ LG cosθ C =γ SG -γ SL
根據此方程式，固體-液體電表面能(γSL )之減小會引起接觸角θC 之增加。液體與對向表面之間(特別是在彎液面320處)的接觸角θC 之增加會引起液體牽制特徵(例如，彎液面牽制開口50)之效能改良。在液體超出彎液面牽制特徵而自浸沒空間損失之前，可達成在流體處置系統與對向表面之間的較高速度。
圖9為展示沿著x軸的浸沒液體之pH值及沿著y軸在液體損失之前的臨界掃描速率的曲線圖。該曲線圖係針對特定類型之流體處置系統及具有可購自JSR Micro,Inc.(在CA,US.)之TCX041頂部塗層之基板。
圖9展示浸沒液體之pH值之縮減會導致臨界掃描速率之增加。臨界掃描速率之增加將導致產出率之增加，此係因為可在無液體損失之風險的情況下使用高掃描速率(液體損失可導致如上文所描述之成像誤差)。針對較大基板(諸如，具有450毫米之直徑的基板)特別如此。此係因為：在此基板上，相對於較小基板，更多掃描經執行成與該基板之邊緣相隔一距離(例如，在朝向該基板之中心之區中)。在朝向基板之中心之區中的掃描可經執行成接近於臨界掃描速率；而可能需要以慢於臨界掃描速率之速率執行經執行成較接近於基板之邊緣的掃描。此掃描速率差之原因可為(例如)基板之邊緣對彎液面320之穩定性的影響。
在一實施例中，用二氧化碳使彎液面320處之浸沒液體飽和(此情形達成恰好低於4之pH值)。此情形引起最高接觸角且藉此引起理論上最快臨界掃描速率。然而，在飽和時將不會達成關於浸沒液體中氣泡之夾雜的上文所描述之優點。此係因為夾雜於浸沒液體中之任何二氧化碳皆不能溶解(因為浸沒液體飽和)。因此，在一實施例(特別是流體處置系統包含自彎液面牽制特徵徑向地向外之使用二氧化碳之氣刀的實施例)中，浸沒液體中二氧化碳之較低含量(例如，引起介於5與6之間的pH值)受到青睞。若氣刀使用除了二氧化碳以外之氣體，則可使浸沒液體飽和，如上文所描述。
在一實施例中，所供應之氣體不為二氧化碳。除了二氧化碳以外之氣體(諸如，SO2 、HCl、COOH)可用以溶解於浸沒液體中且使浸沒液體變成酸性。此氣體至少在某種程度上可溶於浸沒液體中。此氣體改變浸沒液體之pH值。超出7(中性)之pH值增加將引起H3 O+ 離子之數目減小且因此引起固體-液體表面能(γSL )減小。此係因為電化學電位與離子濃度之平方根成比例。在溶解於浸沒液體中時使浸沒液體更有鹼性之氣體之實例為氨氣及CH3 NH2 。諸如CH3 F、CH3 Cl及鹽類之解離化合物可具有減小固體-液體表面能(γSL )之相同效應。
在一實施例中，所提供之浸沒液體可為酸性或鹼性，而不管流體處置結構之類型。先前已在全文以引用之方式併入本文中的EP 1,482,372中結合縮減浸沒液體與頂部塗層之相互作用而描述提供酸性浸沒液體之觀念。然而，此文件並未瞭解由於酸性浸沒液體而增加掃描速率之可能性。在一實施例中，可使用正常(例如，中性)浸沒液體，且可通過自彎液面牽制特徵徑向地向內的在流體處置結構之下表面中之液體供應開口而提供酸性或鹼性浸沒液體。液體供應開口之實例為圖6所說明之開口180。類似開口可存在於本文中所描述之其他實施例中任一者中。
將二氧化碳提供於微影裝置中之困難為：一些組件(例如，基板台之位置量測系統之組件)可在二氧化碳氛圍中具有減退效能。在一實施例中，確保在掃描期間純二氧化碳環境存在於彎液面320附近。為了達成此情形，可能有必要(例如，在圖7之實施例中)使離開出口210的二氧化碳之流率大於通過開口50之萃取的二氧化碳之流率。此情形可引起過多二氧化碳自流體處置系統12下方漏出至機器之環境中，且特別是朝向基板台WT之位置量測系統之組件。
在本發明之一實施例中，為了有助於確保過多二氧化碳不自流體處置結構12洩漏，提供自一或多個彎液面牽制特徵50、70徑向地向外之至少一氣體回收開口220。以此方式，仍可提供自彎液面牽制特徵徑向地向外之二氧化碳環境，藉此有助於在空間11中達成縮減氣泡夾雜。又，可防止或縮減微影裝置之組件之機能的可能污染或中斷。
在一實施例中，提供自氣體供應開口210徑向地向外之至少一氣體回收開口220。然而，未必為此狀況。舉例而言，在下文所描述的圖10之實施例中，提供自氣體供應開口210徑向地向內之至少一氣體回收開口220。
可將氣體供應開口210及/或氣體回收開口220提供為單一隙縫或複數個離散開口。
在一實施例中，氣體回收開口220至少部分地環繞氣體供應開口210。也許沒有可能使氣體回收開口220完全地環繞氣體供應開口210。舉例而言，在圖12之實施例中，可存在通向流體處置結構12之組件，其意謂熱蓋罩300不完全地環繞流體處置結構12，且藉此，氣體回收開口220不完全地環繞流體處置結構12。在一實施例中，氣體回收開口220環繞氣體供應開口210之周界之大部分。在一實施例中，氣體回收開口220可環繞周界之至少一半。亦即，在一實施例中，氣體回收開口220可實質上完全地環繞氣體供應開口210之周界。離開氣體回收開口220之高萃取率(例如，將大負壓源連接至氣體回收開口220)至少部分地緩和至少一氣體回收開口220不完全地環繞氣體供應開口210之事實。
在圖6之實施例中，至少一氣體回收開口220形成於流體處置結構12中。在一實施例中，至少一氣體回收開口220形成於流體處置結構12之下表面中。在一實施例中，至少一氣體回收開口220形成於流體處置結構12之底部表面中。在一實施例中，氣體回收開口220形成於經形成有氣體供應開口210及彎液面牽制特徵70之同一表面中。氣刀90係自氣體供應開口210及氣體回收開口220徑向地向外。離開氣體供應開口210之氣流既朝向彎液面320徑向地向內，又徑向地向外。
在一實施例中，徑向向外流動大於向內流動。此情形有助於確保不存在自流體處置結構12外部徑向地向內之氣流。若來自氣體供應開口210之徑向向外流動太低，則此情形可具有自流體處置結構12外部吸入氣體之效應。
在一實施例中，不存在氣刀90。氣刀提供在對向表面(例如，基板)上引起壓力峰值之氣流。有時，需要不具有來自基板W上之氣刀之力。在此狀況下，可獨自地使用在浸沒液體中具有高溶解度之氣體之屏蔽。在圖11之實施例中，通過氣刀自身而提供二氧化碳，如下文所描述。
圖6之實施例特別適於供二氧化碳之低流率使用。相比於大氣壓力，自在流體處置結構12與對向表面(例如，基板W)之間的彎液面320徑向地向外之區域在其中具有二氧化碳之稍微過壓。此情形有助於防止與來自流體處置結構12外部之氣體混合，且有助於防止二氧化碳洩漏至環境中。
關於氣體供應開口210及氣體回收開口220，圖7之實施例與圖6之實施例相同。在圖7之實施例中，離開氣體供應開口210的二氧化碳之較高流率將係最佳的。此係由於氣體至開口50中之高流率。
圖10之實施例與圖6之實施例相同，惟下文所描述之內容除外。在圖10之實施例中，至少一氣體回收開口220係自彎液面牽制特徵70徑向地向外且自氣體供應開口210徑向地向內。氣體供應開口210係自至少一氣體回收開口220徑向地向外。氣體供應開口210係自氣刀90徑向地向內(在存在該氣刀之狀況下)。圖10(或圖6)之實施例中不需要氣刀90，且氣刀90為選用特徵。
在圖10之實施例中，二氧化碳過壓區帶定位於流體處置結構12與對向表面(例如，基板W)之間，且經定位成自氣體供應開口210徑向地向內。可至少部分地看到至少一氣體回收開口220在內側上環繞氣體供應開口210。
圖11之實施例與圖7之實施例相同，惟下文所描述之內容除外。在圖11之實施例中，氣刀開口61附接至二氧化碳之供應件。藉此，圖7之氣體供應開口210之功能係藉由氣刀61之開口61接管。
至少一氣體回收開口220經定位成自開口50徑向地向外以及自氣刀之開口61徑向地向外。藉此，氣刀之功能與在不提供氣體供應開口210之狀況下的氣刀之功能相同。然而，因為離開氣刀之開口61之氣體為二氧化碳，所以達成使用在浸沒液體中具有高溶解度之氣體的美國專利申請案第US 61/313,964號中所描述之優點。
因為離開氣刀之開口61之氣體為二氧化碳，所以在相同速度下，該氣體相比於包含空氣之氣體具有較高動能。此係因為二氧化碳之密度高於空氣之密度。結果，可針對給定流動體積在氣刀下方達成液體之較薄膜厚度。
藉由通過氣體回收開口220而收集自氣刀之開口61徑向地向外之二氧化碳來縮減二氧化碳至微影裝置之環境中之逸出。
在圖6、圖7、圖10及圖11之所有實施例中，至少一氣體回收開口220提供於流體處置結構12自身中。在圖12之實施例中，至少一氣體回收開口220提供於分離組件中。圖12之實施例與圖11之實施例相同，惟下文所描述之內容除外。在圖12之實施例中，流體處置結構12係藉由熱蓋罩300環繞。熱蓋罩300使投影系統PS之最終光學元件及/或基板台WT位置量測裝置之組件與起因於流體處置結構12之熱負荷絕緣。流體處置結構12上之空間有限。因此，可能更方便的是將至少一氣體回收開口220提供於熱蓋罩300中，如圖12所說明。因此，儘管二氧化碳可離開氣刀之開口61且自流體處置結構12下方通過，但通過熱蓋罩300中之至少一氣體回收開口220而回收此氣體。至少一氣體供應開口220可在熱蓋罩300之下表面中。
圖13之實施例與圖12之實施例相同，惟如下文所描述之內容除外。在美國專利申請案第US 61/313,964號中，揭示供應可溶於浸沒液體中之流體之觀念，該流體在溶解至浸沒流體中時降低浸沒流體之表面張力。
美國專利申請案第US 61/313,964號描述：相比於較高之小滴，具有較低高度之小滴在碰撞彎液面320時較不可能造成氣泡夾雜。因此，提供可溶於浸沒液體中且能夠降低在空間外部之浸沒液體本體之彎液面之表面張力的流體會縮減小滴碰撞彎液面320之機會，從而在空間中導致較低氣泡夾雜。一或多個另外優點可起因於此情形。舉例而言，因為縮減浸沒液體之損失的缺點，所以可縮減離開氣刀的氣體之流率。因為小滴在其表面張力縮減時展開，所以可縮減可歸因於小滴之蒸發而發生且可在對向表面上引起機械變形及/或乾燥斑點的局域熱負荷。此展開會引起較不局域化之熱負荷。
在一實施例中，有可能有助於確保在液體膜(而非離散小滴)在傳遞於流體處置結構12下方時液體膜留在基板W上。當液體膜留在基板W上時，該膜由於浸沒液體之彎液面之降低之表面張力而較不可能破裂成小滴。液體膜可為理想的，此係因為此液體膜縮減基板上之液體與彎液面320之間的碰撞之總數目，藉此縮減可導致氣泡形成之碰撞之數目。亦即，表面張力之縮減會增加液體膜破裂成複數個小滴所花費的時間。另外，歸因於蒸發之任何熱負荷均勻地施加至對向表面。因此，在圖13之實施例中，提供自氣刀之開口61(或在分離氣體供應開口210之狀況下，自氣體供應開口210)徑向地向外之流體供應開口230。氣刀(或在分離氣體供應開口210之狀況下，氣體供應開口210)提供美國專利申請案第US 61/313,964號中所提及之屏蔽器件。
可溶於浸沒液體中且用於降低浸沒液體之彎液面之表面張力的流體可為達成縮減浸沒液體之彎液面之表面張力之功能的任何流體。為了達成此情形，流體應至少在某種程度上可溶於浸沒液體中。理想地，流體在浸沒液體中具有大於10%之溶解度。在一實施例中，流體在浸沒液體中具有大於15%、20%、30%或甚至40%之溶解度。理想地，流體相比於水具有較低表面張力。流體在操作溫度下具有相對高蒸汽壓以確保足夠供應。在液體中可溶流體之蒸汽之攝取應足夠快。合適種類之化學物為醇類、酮類(例如，丙酮)、醛類(例如，甲醛)、有機酸(例如，乙酸及甲酸)，及/或酯類及胺類(包括氨氣)。一般而言，具有較低分子量之化學物(其通常給出較高蒸汽壓及液體溶解度)係理想的。理想地，可溶流體具有每分子少於10個碳原子，理想地每分子少於8個、6個、5個、4個、3個或甚至2個碳原子。流體之一實例為IPA(異丙醇)。流體之另一實例為乙醇。在一實施例中，可溶流體為具有經歷氫鍵結之分子的液體；IPA及乙醇亦具有相對高蒸汽壓(亦即，小分子)。
可以任何形式通過流體供應開口230而提供流體，如美國專利申請案第US 61/313,964號中所描述。詳言之，可將流體提供為蒸汽、提供為純氣體或氣體之混合物，或提供為小滴之噴霧。
圖13之實施例之優點為：藉由存在二氧化碳而縮減提供***性蒸汽或液體之潛在威脅。
圖14之實施例與圖11之實施例相同，惟如下文所描述之內容除外。在圖14之實施例中，提供流體供應開口230，諸如，上文關於圖13所描述之流體供應開口。流體供應開口230定位於氣刀之開口61與至少一氣體回收開口220之間。
流體供應開口230可用於任何實施例中。流體供應開口230可提供於圖6、圖7或圖10中任一者之氣體供應開口210與至少一氣體回收開口220之間，或(如在圖13及圖14之狀況下)提供於氣刀之開口61與至少一氣體回收開口220之間。
在一實施例中，提供用於浸沒微影裝置之模組。該模組包含以上實施例中任一者之流體處置結構12，及經組態以將氣體供應至氣體供應開口210之氣體供應器件212(圖1所說明)。藉由氣體供應器件供應之氣體為(例如)在浸沒液體中於20℃及1大氣壓之總壓力下具有大於5×10-3 莫耳/公斤之溶解度以到達鄰近於空間11之區的氣體。
在一實施例中，該模組包含可連接至至少一氣體回收開口220之負壓源222(圖1所說明)。
在一實施例中，該模組包含一流體之可溶流體源232(圖1所說明)，該流體可溶於浸沒流體中且在溶解於浸沒流體中後隨即降低浸沒流體之彎液面320之表面張力，且用於提供至流體供應開口230。
應瞭解，上文所描述之特徵中任一者皆可與任何其他特徵一起使用，且其不僅僅為本申請案中所覆蓋的明確地描述之該等組合。舉例而言，本發明之一實施例可應用於圖2至圖4之實施例。
在一第一態樣中，本發明係關於一種用於一微影裝置之流體處置結構，該流體處置結構在自經組態以含有浸沒流體之一空間至在該流體處置結構外部之一區的一邊界處具有：一或多個彎液面牽制特徵，其用於抵抗自該空間在一徑向向外方向上浸沒流體之傳遞；至少一氣體供應開口，其係自該一或多個彎液面牽制特徵徑向地向外；及至少一氣體回收開口，其係自該一或多個彎液面牽制特徵徑向地向外且至少部分地環繞該至少一氣體供應開口。
在一第二態樣中，該第一態樣之該至少一氣體回收開口環繞該至少一氣體供應開口之周界之大部分。
在一第三態樣中，該第一態樣或該第二態樣進一步包含自該至少一氣體回收開口徑向地向外之至少一氣刀開口。
在一第四態樣中，該第一態樣或該第二態樣之該至少一氣體供應開口為一氣刀之一開口。
在一第五態樣中，任何前述態樣進一步包含至少一流體供應開口。
在一第六態樣中，該第五態樣之該至少一流體供應開口係自該至少一氣體供應開口徑向地向外。
在一第七態樣中，該第五態樣或該第六態樣之該至少一流體供應開口係自該至少一氣體回收開口徑向地向內。
在一第八態樣中，任何前述態樣之該一或多個彎液面牽制特徵包含排呈一線之複數個開口。
在一第九態樣中，該第一態樣至該第七態樣中任一者之該一或多個彎液面牽制特徵包含一單相萃取器。
在一第十態樣中，該等前述態樣中任一者之該至少一氣體回收開口係自該至少一氣體供應開口徑向地向外。
在一第十一態樣中，該等前述態樣中任一者之該至少一氣體回收開口係自該至少一氣體供應開口徑向地向內。
在一第十二態樣中，任何前述態樣之該至少一氣體供應開口及/或該至少一氣體回收開口係在該流體處置結構之一下表面中。
在一第十三態樣中，任何前述態樣之該至少一氣體供應開口及該氣體回收開口形成於該流體處置結構之同一表面中。
第十四態樣係關於一種用於一浸沒微影裝置之模組，該模組包含：根據前述態樣中任一者之流體處置結構。
在一第十五態樣中，該第十四態樣之該模組進一步包含一氣體供應器件，該氣體供應器件經組態以將在該浸沒液體中於20℃及1大氣壓之總壓力下具有大於5×10-3 莫耳/公斤之一溶解度以到達鄰近於該空間之一區的一氣體供應至該至少一氣體供應開口。
在一第十六態樣中，該第十四態樣或該第十五態樣之該模組進一步包含一氣體供應器件，該氣體供應器件經組態以將在溶解於該浸沒液體中時縮減該浸沒液體之pH值的一氣體供應至該至少一氣體供應開口。
在一第十七態樣中，該第十四態樣、該第十五態樣或該第十六態樣進一步包含可連接至該至少一氣體回收開口之一負壓源。
在一第十八態樣中，該第十四態樣至該第十七態樣中任一者進一步包含一流體之一可溶流體源，該流體可溶於該浸沒流體中且在溶解於該浸沒流體中後隨即降低該浸沒流體之一彎液面之表面張力，且用於提供至該至少一流體供應開口。
一第十九態樣係關於一種浸沒微影裝置，該裝置包含：根據該第一態樣至該第十三態樣中任一者之流體處置結構，及/或根據該第十四態樣至該第十八態樣中任一者之模組。
一第二十態樣係關於一種用於一微影裝置之流體處置結構，該流體處置結構在自經組態以含有浸沒流體之一空間至在該流體處置結構外部之一區的一邊界處順次地具有：一或多個彎液面牽制特徵，其用於抵抗自該空間在一徑向向外方向上浸沒流體之傳遞；至少一氣體回收開口，其係自該一或多個彎液面牽制特徵徑向地向外；及至少一氣體供應開口，其係自該至少一氣體回收開口徑向地向外。
在一第二十一態樣中，該第二十態樣之該一或多個彎液面牽制特徵包含一單相萃取器。
在一第二十二態樣中，該第二十態樣或該第二十一態樣進一步包含自該至少一氣體回收開口徑向地向外之至少一流體供應開口。
一第二十三態樣係關於一種用於一微影裝置之流體處置結構，該流體處置結構在自經組態以含有浸沒流體之一空間至在該流體處置結構外部之一區的一邊界處順次地具有：一或多個彎液面牽制特徵，其用於抵抗自該空間在一徑向向外方向上浸沒流體之傳遞；至少一氣體供應開口，其係自該一或多個牽制特徵徑向地向外；及至少一流體供應開口，其係自該至少一氣體供應開口徑向地向外，以用於供應可溶於該浸沒流體中之一可溶流體，該可溶流體在溶解至該浸沒流體中時降低該浸沒流體之表面張力。
在一第二十四態樣中，該第二十三態樣進一步包含自該至少一流體供應開口徑向地向外且至少部分地環繞該至少一流體供應開口之至少一氣體回收開口。
一第二十五態樣係關於一種微影裝置，該微影裝置包含一流體處置結構及一熱蓋罩，該熱蓋罩用於熱屏蔽來自該流體處置系統之組件；其中該流體處置結構在自經組態以含有浸沒流體之一空間至在該流體處置結構外部之一區的一邊界處具有：一或多個彎液面牽制特徵，其用於抵抗自該空間在一徑向向外方向上浸沒流體之傳遞；及至少一氣體供應開口，其係自該一或多個牽制特徵徑向地向外；其中該熱蓋罩包含自該一或多個牽制特徵徑向地向外且至少部分地環繞該至少一氣體供應開口之至少一氣體回收開口。
在一第二十六態樣中，該第二十五態樣進一步包含至少一流體供應開口，該至少一流體供應開口係自該一或多個牽制特徵徑向地向外，以用於供應可溶於該浸沒流體中之一可溶流體，該可溶流體在溶解至該浸沒流體中時降低該浸沒流體之表面張力。
一第二十七態樣係關於一種器件製造方法，該器件製造方法包含：通過受限制至在投影系統之一最終元件與一基板之間的一空間之一浸沒液體而投影一經圖案化輻射光束，且通過一開口而將氣體提供至鄰近於該浸沒液體之一彎液面的一位置；及自該開口通過一氣體回收開口而回收氣體。
在一第二十八態樣中，其中該第二十七態樣之該氣體在該浸沒液體中於20℃及1大氣壓之總壓力下具有大於5×10-3 莫耳/公斤之一溶解度以到達鄰近於該空間之一區。
一第二十九態樣係關於一種器件製造方法，該器件製造方法包含：通過受限制至在投影系統之一最終元件與一基板之間的一空間之一浸沒液體而投影一經圖案化輻射光束，且通過一開口而將氣體提供至鄰近於該浸沒液體之一彎液面的一位置；及提供一流體，該流體可溶於該浸沒流體中且在溶解於該浸沒流體中後隨即降低該浸沒流體之一彎液面之表面張力，且用於提供至處於自經提供有該氣體之該位置徑向地向外之一位置的流體供應開口。
儘管在本文中可特定地參考微影裝置在IC製造中之使用，但應理解，本文所描述之微影裝置可具有其他應用，諸如，製造整合光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭，等等。熟習此項技術者應瞭解，在此等替代應用之內容背景中，可認為本文中對術語「晶圓」或「晶粒」之任何使用分別與更通用之術語「基板」或「目標部分」同義。可在曝光之前或之後在(例如)塗佈顯影系統(通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具)、度量衡工具及/或檢測工具中處理本文中所提及之基板。適用時，可將本文中之揭示內容應用於此等及其他基板處理工具。另外，可將基板處理一次以上，(例如)以便創製多層IC，使得本文中所使用之術語「基板」亦可指代已含有多個經處理層之基板。
本文中所使用之術語「輻射」及「光束」涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線(UV)輻射(例如，具有為或為約365奈米、248奈米、193奈米、157奈米或126奈米之波長)。術語「透鏡」在內容背景允許時可指代各種類型之光學組件中任一者或其組合，包括折射及反射光學組件。
雖然上文已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述之方式不同的其他方式來實踐本發明。舉例而言，本發明之實施例可採取如下形式：電腦程式，該電腦程式含有描述如上文所揭示之方法的機器可讀指令之一或多個序列；或資料儲存媒體(例如，半導體記憶體、磁碟或光碟)，該資料儲存媒體具有儲存於其中之此電腦程式。另外，可以兩個或兩個以上電腦程式來體現機器可讀指令。可將兩個或兩個以上電腦程式儲存於一或多個不同記憶體及/或資料儲存媒體上。
當藉由位於微影裝置之至少一組件內之一或多個電腦處理器來讀取一或多個電腦程式時，本文中所描述之任何控制器可各自或組合地為可操作的。該等控制器可各自或組合地具有用於接收、處理及發送信號之任何合適組態。一或多個處理器經組態以與該等控制器中至少一者通信。舉例而言，每一控制器可包括用於執行包括用於上文所描述之方法之機器可讀指令之電腦程式的一或多個處理器。該等控制器可包括用於儲存此等電腦程式之資料儲存媒體，及/或用以收納此媒體之硬體。因此，該(該等)控制器可根據一或多個電腦程式之機器可讀指令進行操作。
本發明之一或多個實施例可應用於任何浸沒微影裝置，尤其(但不獨佔式地)為上文所提及之該等類型，且不管浸沒液體是以浴之形式被提供、僅提供於基板之局域化表面區域上，或是未受限制的。在一未受限制配置中，浸沒液體可流動遍及基板及/或基板台之表面，使得基板台及/或基板之實質上整個未經覆蓋表面濕潤。在此未受限制浸沒系統中，液體供應系統可能不限制浸沒液體或其可能提供浸沒液體限制之比例，但未提供浸沒液體之實質上完全限制。
應廣泛地解釋本文中所預期之液體供應系統。在某些實施例中，液體供應系統可為將液體提供至在投影系統與基板及/或基板台之間的空間的機構或結構之組合。液體供應系統可包含一或多個結構、包括一或多個液體開口之一或多個流體開口、一或多個氣體開口或用於二相流之一或多個開口的組合。開口可各自為至浸沒空間中之入口(或自流體處置結構之出口)或離開浸沒空間之出口(或至流體處置結構中之入口)。在一實施例中，空間之表面可為基板及/或基板台之部分，或空間之表面可完全地覆蓋基板及/或基板台之表面，或空間可包覆基板及/或基板台。液體供應系統可視情況進一步包括用以控制液體之位置、量、品質、形狀、流率或任何其他特徵的一或多個元件。
以上描述意欲為說明性而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離下文所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下對所描述之本發明進行修改。
11．．．空間
12．．．液體限制結構/障壁部件/流體處置結構/流體處置系統
13．．．液體入口/液體出口
14．．．出口/彎液面牽制配置
15．．．氣體入口/彎液面牽制配置
16．．．無接觸密封件/氣體密封件/氣流/彎液面牽制配置
20．．．開口
22．．．側壁
24．．．腔室
26．．．腔室
28．．．側壁
29．．．開口
50．．．離散開口/出口/彎液面牽制開口/彎液面牽制特徵
51．．．流動控制板
52．．．隅角
54．．．側/邊緣
55．．．開口
61．．．隙縫/氣刀開口
70．．．萃取器總成/液體移除器件/彎液面牽制特徵
90．．．氣刀
100．．．氣流
110．．．主軸/掃描方向
111．．．多孔材料
120．．．主軸/步進方向
121．．．腔室
180．．．開口
210．．．氣體供應開口/出口
212．．．氣體供應器件
220．．．氣體回收開口
222．．．負壓源
230．．．流體供應開口
232．．．可溶流體源
300．．．小滴(圖8)/熱蓋罩(圖12)
310．．．表面
320．．．彎液面
400．．．彎液面
AD．．．調整器
B．．．輻射光束
BD．．．光束遞送系統
C．．．目標部分
CO．．．聚光器
IF．．．位置感測器
IL．．．照明系統/照明器
IN．．．積光器
M1 ．．．圖案化器件對準標記
M2 ．．．圖案化器件對準標記
MA．．．圖案化器件
MT．．．支撐結構
P1 ．．．基板對準標記
P2 ．．．基板對準標記
PM．．．第一***
PS．．．投影系統
PW．．．第二***
SO．．．輻射源
W．．．基板
WT．．．基板台
γSL ．．．固體-液體電表面能
γLG ．．．液體-氣體表面能
γSG ．．．固體-氣體表面能
θC ．．．接觸角
圖1描繪根據本發明之一實施例的微影裝置；
圖2及圖3描繪供微影投影裝置中使用之液體供應系統；
圖4描繪供微影投影裝置中使用之另外液體供應系統；
圖5描繪供微影投影裝置中使用之另外液體供應系統；
圖6以橫截面描繪供微影投影裝置中使用之另外液體供應系統；
圖7以平面圖描繪供微影投影裝置中使用之液體供應系統；
圖8以橫截面說明作用於表面上之小滴的力，該等力引起特定接觸角；
圖9為浸沒液體之臨界掃描速率相對於pH值的曲線圖；
圖10以橫截面描繪供微影投影裝置中使用之另外液體供應系統；
圖11以平面圖描繪供微影投影裝置中使用之液體供應系統；
圖12以平面圖描繪供微影投影裝置中使用之液體供應系統及熱蓋罩；
圖13以平面圖描繪供微影投影裝置中使用之液體供應系統及熱蓋罩；及
圖14以平面圖描繪供微影投影裝置中使用之液體供應系統。
11．．．空間
12．．．液體限制結構/障壁部件/流體處置結構/流體處置系統
13．．．液體入口/液體出口
14．．．出口/彎液面牽制配置
15．．．氣體入口/彎液面牽制配置
16．．．無接觸密封件/氣體密封件/氣流/彎液面牽制配置
320．．．彎液面
400．．．彎液面
PS．．．投影系統
W．．．基板

Claims (15)

  1. 一種用於一微影裝置之流體處置(handling)結構，該流體處置結構在自經組態以含有浸沒流體(immersion fluid)之一空間至在該流體處置結構外部之一區的一邊界處具有：一或多個彎液面牽制特徵(meniscus pinning features)，其用於抵抗浸沒流體自該空間在一徑向向外(radially outward)方向上之傳遞；至少一氣體供應開口，其係自該一或多個彎液面牽制特徵徑向地向外；及至少一氣體回收開口，其係自該一或多個彎液面牽制特徵徑向地向外且至少部分地環繞該至少一氣體供應開口；及一流體供應開口，其供應可溶於該浸沒流體中之一可溶流體。
  2. 如請求項1之流體處置結構，其中該至少一氣體回收開口環繞該至少一氣體供應開口之周界之大部分。
  3. 如請求項1或2之流體處置結構，其中該至少一氣體供應開口為一氣刀之一開口。
  4. 如請求項1或2之流體處置結構，其進一步包含至少一流體供應開口。
  5. 一種用於一微影裝置之流體處置結構，該流體處置結構在自經組態以含有浸沒流體之一空間至在該流體處置結構外部之一區的一邊界處順次地(successively)具有： 一或多個彎液面牽制特徵，其用於阻止浸沒流體自該空間在一徑向向外方向上之傳遞；至少一氣體回收開口，其係自該一或多個彎液面牽制特徵徑向地向外；至少一氣體供應開口，其係自該至少一氣體回收開口徑向地向外；及一流體供應開口，其供應可溶於該浸沒流體中之一可溶流體。
  6. 如請求項5之流體處置結構，其中該一或多個彎液面牽制特徵包含一單相萃取器。
  7. 一種用於一微影裝置之流體處置結構，該流體處置結構在自經組態以含有浸沒流體之一空間至在該流體處置結構外部之一區的一邊界處順次地具有：一或多個彎液面牽制特徵，其用於阻止浸沒流體自該空間在一徑向向外方向上之傳遞；至少一氣體供應開口，其係自該一或多個牽制特徵徑向地向外；及至少一流體供應開口，其係自該至少一氣體供應開口徑向地向外，以用於供應可溶於該浸沒流體中之一可溶流體，該可溶流體在溶解至該浸沒流體中時降低該浸沒流體之表面張力。
  8. 一種用於一浸沒微影裝置之模組，該模組包含：如請求項1至7中任一項之流體處置結構。
  9. 如請求項8之模組，其進一步包含： 一氣體供應器件，其經組態以將在該浸沒液體中於20℃及1大氣壓之總壓力下具有大於5×10-3 莫耳/公斤之一溶解度以到達鄰近於該空間之一區的一氣體供應至該至少一氣體供應開口。
  10. 如請求項8或9之模組，其進一步包含一氣體供應器件，該氣體供應器件經組態以將在溶解於該浸沒液體中時縮減該浸沒液體之pH值的一氣體供應至該至少一氣體供應開口。
  11. 如請求項8或9之模組，其進一步包含一流體之一可溶流體源，該流體可溶於該浸沒流體中且在溶解於該浸沒流體中後隨即降低該浸沒流體之一彎液面之表面張力，且用於提供至該至少一流體供應開口。
  12. 一種浸沒微影裝置，該裝置包含：如請求項1至7中任一項之流體處置結構，及/或如請求項8至11中任一項之模組。
  13. 一種微影裝置，其包含一流體處置結構及一熱蓋罩(thermal cover)，該熱蓋罩用於熱屏蔽(theramlly shielding)來自該流體處置系統之組件；其中該流體處置結構在自經組態以含有浸沒流體之一空間至在該流體處置結構外部之一區的一邊界處具有：一或多個彎液面牽制特徵，其用於阻止浸沒流體自該空間在一徑向向外方向上之傳遞；至少一氣體供應開口，其係自該一或多個牽制特徵徑向地向外；及一流體供應開口，其供應可溶於該浸沒流體中之一可溶流體； 其中該熱蓋罩包含自該一或多個牽制特徵徑向地向外且至少部分地環繞該至少一氣體供應開口之至少一氣體回收開口。
  14. 一種器件製造方法，其包含：通過受限制至在投影系統之一最終元件與一基板之間的一空間之一浸沒液體而投影一經圖案化輻射光束，且通過一開口而將氣體提供至鄰近於該浸沒液體之一彎液面的一位置；自該開口通過一氣體回收開口而回收氣體；及提供一可溶流體溶於該浸沒液體中。
  15. 如請求項14之方法，其中該氣體在該浸沒液體中於20℃及1大氣壓之總壓力下具有大於5×10-3 莫耳/公斤之一溶解度以到達鄰近於該空間之一區。
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