JP5694994B2 - 流体ハンドリング構造、液浸リソグラフィ装置、及びデバイス製造方法 - Google Patents

Description

[0001] 本発明は、流体ハンドリング構造、リソグラフィ装置、リソグラフィ装置を使用したデバイス製造方法、及びリソグラフィ装置の動作方法に関する。

[0002] リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に、通常は基板のターゲット部分に適用する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に使用可能である。このような場合、代替的にマスク又はレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを使用して、ＩＣの個々の層上に形成すべき回路パターンを生成することができる。このパターンを、基板（例えばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば１つ又は幾つかのダイの一部を含む）に転写することができる。パターンの転写は通常、基板に設けた放射感応性材料（レジスト）の層への結像により行われる。一般的に、１枚の基板は、順次パターンが与えられる隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。既知のリソグラフィ装置は、パターン全体をターゲット部分に１回で露光することによって各ターゲット部分が照射される、いわゆるステッパと、基板を所与の方向（「スキャン」方向）と平行あるいは逆平行に同期的にスキャンしながら、パターンを所与の方向（「スキャン」方向）に放射ビームでスキャンすることにより、各ターゲット部分が照射される、いわゆるスキャナとを含む。パターンを基板にインプリントすることによっても、パターニングデバイスから基板へとパターンを転写することが可能である。

[0003] 投影システムの最終要素と基板の間の空間を充填するように、リソグラフィ投影装置内の基板を水などの比較的高い屈折率を有する液体に液浸することが提案されている。ある実施形態では、液体は蒸留水であるが、別の液体を使用することもできる。本発明の実施形態は、液体について説明されている。しかし別の流体、特にウェッティング流体、非圧縮性流体及び／又は屈折率が空気より高い、望ましくは屈折率が水より高い流体が適切なこともある。気体を除く流体が特に望ましい。そのポイントは、露光放射は液体中の方が波長が短いので、結像するフィーチャの小型化を可能にすることである。（液体の効果は、システムの有効開口数（ＮＡ）を大きくでき、焦点深さも大きくすることと見なすこともできる。）固体粒子（例えば石英）が懸濁している水、又はナノ粒子の懸濁（例えば最大１０ｎｍの最大寸法の粒子）がある液体などの他の液浸液も提案されている。懸濁粒子は、これが懸濁している液体と同様の屈折率又は同じ屈折率を有しても、有していなくてもよい。適切になり得る他の液体は、芳香族などの炭化水素、フルオロハイドロカーボン、及び／又は水溶液である。

[0004] 基板又は基板及び基板テーブルを液体の浴槽に浸すこと（例えば米国特許ＵＳ４，５０９，８５２号参照）は、スキャン露光中に加速すべき大きい塊の液体があることでもある。これには、追加のモータ又はさらに強力なモータが必要であり、液体中の乱流が望ましくない予測不能な効果を引き起こすことがある。

[0005] 液浸装置では、液浸流体は、流体ハンドリングシステム、デバイス構造又は装置によってハンドリングされる。ある実施形態では、流体ハンドリングシステムは、液浸流体を供給することができ、それ故、流体供給システムである。ある実施形態では、流体ハンドリングシステムは、少なくとも部分的に液浸流体を閉じ込めることができ、それにより、流体閉じ込めシステムである。ある実施形態では、流体ハンドリングシステムは、流体へのバリアを提供することができ、それにより、流体閉じ込め構造などのバリア部材である。ある実施形態では、流体ハンドリングシステムは、ガスのフローを生成又は使用して、例えば、液浸流体のフロー及び／又は位置を制御するのを助けることができる。ガスのフローは、液浸流体を閉じ込める封止を形成することができ、したがって、流体ハンドリング構造を封止部材と呼ぶこともできる。このような封止部材は、流体閉じ込め構造であってもよい。ある実施形態では、液浸液は、液浸流体として使用される。この場合、流体ハンドリングシステムは、液体ハンドリングシステムであってもよい。上記説明に関して、本節で流体に関して定義されたフィーチャへの言及は、液体に関して定義されたフィーチャを含むと考えてもよい。

[0006] 液浸液が流体ハンドリングシステムによって投影システムの下にある表面の局所区域に閉じ込められると、流体ハンドリングシステムと表面との間にメニスカスが延在する。メニスカスが不安定であると、液浸液中に泡が生じることがあり、それが基板の結像中に例えば投影ビームとの干渉によって結像誤差を引き起こすことがある。

[0007] 例えば、泡混入の可能性が少なくとも低減されるリソグラフィ装置を提供することが望まれる。

[0008] 一態様によれば、リソグラフィ装置用の流体ハンドリング構造であって、該流体ハンドリング構造の外側の領域に液浸流体を封じ込めるように構成された空間の境界部に、該空間から半径方向外側方向への液浸流体の通過に抵抗するメニスカスピニングフィーチャと、メニスカスピニングフィーチャを少なくとも部分的に囲み、メニスカスピニングフィーチャの半径方向外側にある少なくとも１つのガス供給口と、任意選択としてガス供給口の半径方向外側の少なくとも１つのガス回収口と、を有し、１つ又は複数のガス供給口、１つ又は複数のガス回収口、又は１つ又は複数のガス供給口と１つ又は複数のガス回収口の両方が、前記空間の周囲で変動するメートル長さ当たりの開口面積を有する、流体ハンドリング構造が提供される。

[0009] 一態様によれば、リソグラフィ装置用の流体ハンドリング構造であって、該流体ハンドリング構造の外側の領域に液浸流体を封じ込めるように構成された空間の境界部に、該空間から半径方向外側方向への液浸流体の通過に抵抗するメニスカスピニングフィーチャと、メニスカスピニングフィーチャを少なくとも部分的に囲み、メニスカスピニングフィーチャの半径方向外側にある少なくとも１つのガス供給口と、任意選択として、（ａ）１つ又は複数のガス供給口の半径方向外側の少なくとも１つのガス回収口、及び／又は（ｂ）メニスカスピニングフィーチャの半径方向内側の少なくとも１つの液浸流体供給口の一方又は両方と、を有し、（ｉ）１つ又は複数の液浸流体供給口を通る線とメニスカスピニングフィーチャを通る線、（ｉｉ）１つ又は複数のメニスカスピニングフィーチャを通る線とガス供給口を通る線、及び／又は、（ｉｉｉ）１つ又は複数のガス供給口を通る線と１つ又は複数のガス回収口を通る線から選択された少なくとも１つの線の間の間隔が、前記空間の周囲で変動する、流体ハンドリング構造が提供される。

[0010] 一態様によれば、リソグラフィ装置用の流体ハンドリング構造であって、該流体ハンドリング構造の外側の領域に液浸流体を封じ込めるように構成された空間の境界部に、該空間から半径方向外側方向への液浸流体の通過に抵抗するメニスカスピニングフィーチャを有し、メニスカスピニングフィーチャが平面図で見てコーナーに第１の曲率半径を有する低半径部と、第１の曲率半径よりも高い第２の曲率半径を有するコーナーから離間した高半径部とを有するコーナーのある形状を有し、低半径部の領域での流体ハンドリング構造と液浸液との接触角は、高半径部の領域での流体ハンドリング構造と液浸液との接触角よりも小さい、流体ハンドリング構造が提供される。

[0011] 一態様によれば、リソグラフィ装置用の流体ハンドリング構造であって、該流体ハンドリング構造の外側の領域に液浸流体を封じ込めるように構成された空間の境界部に、該空間から半径方向外側方向への液浸流体の通過に抵抗するメニスカスピニングフィーチャを有し、任意選択として、（ａ）メニスカスピニングフィーチャを少なくとも部分的に囲み、メニスカスピニングフィーチャの半径方向外側にある少なくとも１つのガス供給口、（ｂ）１つ又は複数のガス供給口の半径方向外側の少なくとも１つのガス回収口、及び／又は（ｃ）メニスカスピニングフィーチャの半径方向内側の少なくとも１つの液浸液供給口から選択された少なくとも１つの開口を有し、メニスカスピニングフィーチャが平面図で見てコーナーに第１の曲率半径を有する低半径部と、第１の曲率半径よりも高い第２の曲率半径を有するコーナーから離間した高半径部とを有するコーナーのある形状を有し、（ａ）少なくとも１つのガス供給口、（ｂ）メニスカスピニングフィーチャ、（ｃ）少なくとも１つのガス回収口、及び／又は（ｄ）少なくとも１つの液浸液流体供給口から選択された少なくとも１つの開口に、または開口から高半径部に対応する周辺位置で低半径部に対応する周辺位置とは異なる流速で流体を供給し、及び／又は回収するように構成された流体供給及び／又は回収システムを有する、流体ハンドリング構造が提供される。

[0012] 一態様によれば、リソグラフィ装置の流体ハンドリング構造であって、液浸流体を空間に封じ込めるように構成され、下面と、前記空間から半径方向外側方向への液浸流体の通過に抵抗する前記空間を少なくとも部分的に囲む複数の流体回収口と、複数の流体回収口のうちの少なくとも２つの間に延在するメニスカスピニングデバイスとを有する、流体ハンドリング構造が提供される。

[0013] 一態様によれば、デバイス製造方法であって、投影システムと基板との間の空間に閉じ込められた液浸液を通してパターニングされた放射ビームを投影するステップと、少なくとも１つのガス供給口を通ってガスを液浸液のメニスカスの近傍位置に供給するステップと、１つ又は複数のガス供給口を通って１つ又は複数のガス供給口の半径方向外側の少なくとも１つのガス回収口を通過するガスを任意選択として回収するステップとを含み、１つ又は複数のガス供給口、及び／又は１つ又は複数のガス回収口の一方又は両方が、空間の周囲で変動するメートル長さ当たりの開口面積を有する、デバイス製造方法が提供される。

[0014] 一態様によれば、デバイス製造方法であって、投影システムと基板との間の空間に閉じ込められた液浸液を通してパターニングされた放射ビームを投影するステップと、少なくとも１つのガス供給口を通ってガスを液浸液のメニスカスの近傍位置に供給するステップであって、メニスカスピニングフィーチャによってメニスカスの通過が抵抗されるステップと、任意選択として（ａ）少なくとも１つのガス供給口の半径方向外側の少なくとも１つのガス回収口を通って少なくとも１つのガス供給口を通過するガスを回収するステップ、及び／又は（ｂ）メニスカスピニングフィーチャの半径方向内側の少なくとも１つの液浸流体供給口を通って液浸流体を空間に供給するステップの一方及び両方を含み、（ｉ）１つ又は複数の液浸流体供給口を通る線とメニスカスピニングフィーチャを通る線、（ｉｉ）液浸液ピニングフィーチャを通る線と１つ又は複数のガス供給口を通る線、及び／又は（ｉｉｉ）１つ又は複数のガス供給口を通る線と１つ又は複数のガス回収口を通る線から選択された線の間の間隔が、前記空間の周囲で変動する、デバイス製造方法が提供される。

[0015] 一態様によれば、デバイス製造方法であって、投影システムと基板との間の空間に閉じ込められた液浸液を通してパターニングされた放射ビームを投影するステップと、ガス供給口を通ってガスを液浸液のメニスカスの近傍位置に供給するステップであって、メニスカスピニングフィーチャによってメニスカスの通過が抵抗されるステップとを含み、メニスカスピニングフィーチャが平面図で見てコーナーに第１の曲率半径を有する低半径部と、第１の曲率半径よりも高い第２の曲率半径を有するコーナーから離間した高半径部とを有するコーナーのある形状を有し、低半径部の領域での流体ハンドリング構造と液浸液との接触角が、高半径部の領域での流体ハンドリング構造と液浸液との接触角よりも小さい、デバイス製造方法が提供される。

[0016] 一態様によれば、デバイス製造方法であって、投影システムと基板との間の空間に閉じ込められた液浸液を通してパターニングされた放射ビームを投影するステップと、任意選択として、（ａ）メニスカスピニングフィーチャの半径方向外側の少なくとも１つのガス供給口を通ってガスを供給するステップ、（ｂ）少なくとも１つのガス供給口の半径方向内側の少なくとも１つのガス回収口を通って少なくとも１つのガス供給口を通過するガスを回収するステップ、及び／又は（ｃ）メニスカスピニングフィーチャの半径方向内側の少なくとも１つの液浸流体供給口を通って空間に液浸流体を供給するステップから選択された１つ又は複数のステップを含み、メニスカスピニングフィーチャが平面図で見てコーナーに第１の曲率半径を有する低半径部と、第１の曲率半径よりも高い第２の曲率半径を有するコーナーから離間した高半径部とを有するコーナーのある形状を有し、流体が、（ａ）少なくとも１つのガス供給口、（ｂ）メニスカスピニングフィーチャ、（ｃ）少なくとも１つのガス回収口、及び／又は（ｄ）少なくとも１つの液浸液流体供給口から選択された少なくとも１つの開口に、または開口から低半径部に対応する周辺位置よりも高半径部に対応する周辺位置で異なる流速で供給され、及び／又は回収される、デバイス製造方法が提供される。

[0017] 一態様によれば、デバイス製造方法であって、投影システムと基板との間の空間に閉じ込められた液浸液を通してパターニングされた放射ビームを投影するステップと、複数の流体回収口の少なくとも２つの間に延在するメニスカスピニングフィーチャと組み合わせて、前記空間から半径方向外側方向への液体のメニスカスの通過に抵抗する前記空間を少なくとも部分的に囲む複数の流体回収口を通して流体を回収するステップを含む、デバイス製造方法が提供される。

[0018] 一態様によれば、リソグラフィ装置用の流体ハンドリング構造であって、流体ハンドリング構造の外側の領域に液浸流体を閉じ込めるように構成された空間の、流体ハンドリング構造の下面と平行な面に少なくとも１つのコーナーを有する境界部に、前記空間から半径方向外側方向への液浸流体の通過に抵抗するメニスカスピニングフィーチャと、コーナーにおけるメニスカスピニングフィーチャの安定性を高めるように構成されたメニスカス安定化デバイスとを有する、流体ハンドリング構造が提供される。

[0019] 対応する参照符号が対応する部分を示す添付の概略図を参照しながら以下に本発明の実施形態について説明するが、これは単に例示としてのものに過ぎない。
[0020]本発明のある実施形態によるリソグラフィ装置を示す。 [0021]リソグラフィ投影装置に使用する液体供給システムを示す。 [0021]リソグラフィ投影装置に使用する液体供給システムを示す。 [0022]リソグラフィ投影装置に使用する別の液体供給システムを示す。 [0023]リソグラフィ投影装置に使用する別の液体供給システムを示す。 [0024]リソグラフィ投影装置に使用する別の液体供給システムの断面図を示す。 [0025]リソグラフィ投影装置に使用する液体供給システムの平面図を示す。 [0026]リソグラフィ投影装置に使用する液体供給システムのコーナーの平面図を示す。 [0027]リソグラフィ投影装置に使用する液体供給システムのコーナーの平面図を示す。 [0028]リソグラフィ投影装置に使用する液体供給システムのコーナーの平面図を示す。 [0029]リソグラフィ投影装置に使用する液体供給システムのコーナーの平面図を示す。 [0030]リソグラフィ投影装置に使用する液体供給システムのコーナーの平面図を示す。 [0031]リソグラフィ投影装置に使用する液体供給システムのコーナーの平面図を示す。 [0032]ｙ軸上のガスの半径方向速度とｘ軸上の位置とを対比して示すグラフである。 [0033]リソグラフィ投影装置に使用する液体供給システムのコーナーの平面図を示す。 [0034]リソグラフィ投影装置に使用する液体供給システムのコーナーの平面図を示す。 [0035]リソグラフィ投影装置に使用する液体供給システムのコーナーの平面図を示す。 [0036]ｙ軸上のガスの半径方向速度とｘ軸上の位置とを対比して示すグラフである。 [0037]リソグラフィ投影装置に使用する液体供給システムのコーナーの平面図を示す。 [0038]ｙ軸上のガスの半径方向速度とｘ軸上の位置とを対比して示すグラフである。 [0039]リソグラフィ投影装置に使用する液体供給システムのコーナーの平面図を示す。 [0040]リソグラフィ投影装置に使用する液体供給システムの一部の平面図を示す。 [0041]リソグラフィ投影装置に使用する液体供給システムの一部の平面図を示す。

発明の詳細な説明

[0042] 図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示したものである。この装置は、
− 放射ビームＢ（例えばＵＶ放射又はＤＵＶ放射）を調節するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、
− パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを支持するように構築され、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めするように構成された第１のポジショナＰＭに接続された支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴと、
− 基板（例えばレジストコート基板）Ｗを保持するように構築され、特定のパラメータに従って例えば基板Ｗなどのテーブルの表面を正確に位置決めするように構成された第２のポジショナＰＷに接続された１つ又は複数のセンサ又は基板テーブルＷＴを支持する例えばセンサテーブルなどの支持テーブルと、
− パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに与えられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば１つ又は複数のダイを含む）上に投影するように構成された投影システム（例えば屈折投影レンズシステム）ＰＳとを備える。

[0043] 照明システムＩＬは、放射の誘導、整形、又は制御を行うための、屈折、反射、磁気、電磁気、静電型等の光学コンポーネント、又はその任意の組合せなどの種々のタイプの光学コンポーネントを含んでいてもよい。

[0044] 支持構造ＭＴはパターニングデバイスＭＡを保持する。支持構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡの方向、リソグラフィ装置の設計等の条件、例えばパターニングデバイスＭＡが真空環境で保持されているか否かに応じた方法でパターニングデバイスＭＡを保持する。この支持構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡを保持するために、機械的、真空、静電気等のクランプ技術を使用することができる。支持構造ＭＴは、例えばフレーム又はテーブルでよく、必要に応じて固定式又は可動式でよい。支持構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡが例えば投影システムＰＳなどに対して確実に所望の位置にくるようにできる。本明細書において「レチクル」又は「マスク」という用語を使用した場合、その用語は、より一般的な用語である「パターニングデバイス」と同義と見なすことができる。

[0045] 本明細書において使用する「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分にパターンを生成するように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用し得る任意のデバイスを指すものとして広義に解釈されるべきである。ここで、放射ビームに与えられるパターンは、例えばパターンが位相シフトフィーチャ又はいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分における所望のパターンに正確には対応しないことがある点に留意されたい。一般的に、放射ビームに与えられるパターンは、集積回路などのターゲット部分に生成されるデバイスの特定の機能層に相当する。

[0046] パターニングデバイスＭＡは透過性又は反射性でよい。パターニングデバイスの例としては、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルＬＣＤパネルがある。マスクはリソグラフィにおいて周知のものであり、これには、バイナリマスク、レベンソン型(alternating)位相シフトマスク、ハーフトーン型(attenuated)位相シフトマスクのようなマスクタイプ、更には様々なハイブリッドマスクタイプも含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例として、小さなミラーのマトリクス配列を使用し、そのミラーは各々、入射する放射ビームを異なる方向に反射するよう個々に傾斜することができる。傾斜したミラーは、ミラーマトリクスによって反射する放射ビームにパターンを与える。

[0047] 本明細書において使用する「投影システム」という用語は、例えば使用する露光放射、又は液浸液の使用や真空の使用などの他の要因に合わせて適宜、例えば屈折光学システム、反射光学システム、反射屈折光学システム、磁気光学システム、電磁気光学システム及び静電型光学システム、又はその任意の組合せを含む任意のタイプの投影システムを網羅するものとして広義に解釈されるべきである。本明細書において「投影レンズ」という用語を使用した場合、これは更に一般的な「投影システム」という用語と同義と見なすことができる。

[0048] 本明細書で示すように、本装置は透過タイプである（例えば透過マスクを使用する）。あるいは、装置は反射タイプでもよい（例えば上記で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイを使用する、又は反射マスクを使用する）。

[0049] リソグラフィ装置は、２つ以上のテーブル（又はステージ若しくは支持体）、例えば、２つ以上の基板テーブル又は１つ又は複数の基板テーブルと１つ又は複数のセンサ若しくは測定テーブルの組合せを有するタイプであってもよい。このような「マルチステージ」機械では、複数のテーブルを並列に使用でき、あるいは１つ又は複数の他のテーブルを露光のために使用しながら、１つ又は複数のテーブル上で準備ステップを実行することができる。リソグラフィ装置は、基板、センサ及び測定テーブルと同様に並列に使用できる２つ以上のパターニングデバイステーブル（又はステージ若しくは支持体）を有していてもよい。

[0050] 図１を参照すると、イルミネータＩＬは放射源ＳＯから放射ビームを受ける。放射源ＳＯとリソグラフィ装置とは、例えば放射源ＳＯがエキシマレーザである場合に、別々の構成要素であってもよい。このような場合、放射源ＳＯはリソグラフィ装置の一部を形成すると見なされず、放射ビームは、例えば適切な誘導ミラー及び／又はビームエクスパンダなどを備えるビームデリバリシステムＢＤを用いて、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへと渡される。他の事例では、例えば放射源ＳＯが水銀ランプの場合は、放射源ＳＯがリソグラフィ装置の一体部分であってもよい。放射源ＳＯ及びイルミネータＩＬは、必要に応じてビームデリバリシステムＢＤとともに放射システムと呼ぶことができる。

[0051] イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調整するアジャスタＡＤを備えてもよい。通常、イルミネータＩＬの瞳面における強度分布の外側及び／又は内側半径範囲（一般にそれぞれ、σ-outer及びσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。また、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮ及びコンデンサＣＯなどの他の種々のコンポーネントを備えてもよい。イルミネータＩＬを用いて放射ビームを調節し、その断面にわたって所望の均一性と強度分布とが得られるようにしてもよい。放射源ＳＯと同様、イルミネータＩＬは、リソグラフィ装置の一部を形成すると考えてもよいし、又は考えなくてもよい。例えば、イルミネータＩＬは、リソグラフィ装置の一体化部分であってもよく、又はリソグラフィ装置とは別の構成要素であってもよい。後者の場合、リソグラフィ装置は、イルミネータＩＬをその上に装着できるように構成することもできる。任意選択として、イルミネータＩＬは着脱式であり、別に提供されてもよい（例えば、リソグラフィ装置の製造業者又は別の供給業者によって）。

[0052] 放射ビームＢは、支持構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴ上に保持されたパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡに入射し、パターニングデバイスＭＡによってパターニングされる。パターニングデバイスＭＡを横断した放射ビームＢは、投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、ビームを基板Ｗのターゲット部分Ｃ上に合焦させる。第２のポジショナＰＷと位置センサＩＦ（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ又は容量センサ）を用いて、基板テーブルＷＴは、例えば、様々なターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路に位置決めできるように正確に移動できる。同様に、第１のポジショナＰＭと別の位置センサ（図１には明示されていない）を用いて、マスクライブラリからの機械的な取り出し後又はスキャン中などに放射ビームＢの経路に対してパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めできる。一般に、支持構造ＭＴの移動は、第１のポジショナＰＭの部分を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）及びショートストロークモジュール（微動位置決め）を用いて実現できる。同様に、基板テーブルＷＴの移動は、第２のポジショナＰＷの部分を形成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールを用いて実現できる。ステッパの場合（スキャナとは対照的に）、支持構造ＭＴをショートストロークアクチュエータのみに接続するか、又は固定してもよい。パターニングデバイスＭＡ及び基板Ｗは、パターニングデバイスアライメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせすることができる。図示のような基板アライメントマークは、専用のターゲット部分を占有するが、ターゲット部分Ｃの間の空間に位置してもよい（スクライブレーンアライメントマークとして知られている）。同様に、パターニングデバイスＭＡ上に複数のダイを設ける状況では、パターニングデバイスアライメントマークをダイ間に配置してもよい。

[0053] 図示のリソグラフィ装置は、以下のモードのうち少なくとも１つにて使用可能である。

[0054] １．ステップモードにおいては、支持構造ＭＴ及び基板テーブルＷＴは、基本的に静止状態に維持される一方、放射ビームＢに与えたパターン全体が１回でターゲット部分Ｃに投影される（すなわち単一静的露光）。次に、別のターゲット部分Ｃを露光できるように、基板テーブルＷＴがＸ方向及び／又はＹ方向に移動される。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光で像が形成されるターゲット部分Ｃのサイズが制限される。

[0055] ２．スキャンモードにおいては、支持構造ＭＴ及び基板テーブルＷＴは同期的にスキャンされる一方、放射ビームＢに与えられるパターンがターゲット部分Ｃに投影される（すなわち単一動的露光）。支持構造ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影システムＰＳの拡大（縮小）及び像反転特性によって求めることができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光におけるターゲット部分Ｃの（非スキャン方向における）幅が制限され、スキャン動作の長さによってターゲット部分Ｃの（スキャン方向における）高さが決まる。

[0056] ３．別のモードでは、支持構造ＭＴはプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に維持され、基板テーブルＷＴを移動又はスキャンさせながら、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Ｃに投影する。このモードでは、一般にパルス状放射源を使用して、基板テーブルＷＴを移動させる毎に、又はスキャン中に連続する放射パルスの間で、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、以上で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に利用できる。

[0057] 上述した使用モードの組合せ及び／又は変形、又は全く異なる使用モードも利用できる。

[0058] 本文ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用について特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることを理解されたい。例えば、これは、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用誘導及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどのマイクロスケール、更にはナノスケールのフィーチャを有するコンポーネントの製造である。

[0059] 投影システムＰＳの最終要素と基板との間に液体を提供する構成は、３つの一般的なカテゴリに分類できる。これらは、浴槽タイプの構成、いわゆる局所液浸システムと、オールウェット液浸システムである。浴槽タイプの構成では、実質的に基板Ｗの全体と、任意選択で基板テーブルＷＴの一部が液体の浴槽に浸される。

[0060] 局所液浸システムは、液体が基板の局所区域にのみ提供される液体供給システムを使用する。液体によって充填された空間は、基板の上面より平面視で小さく、液体によって充填される区域は、その区域の下を基板Ｗが移動している間、投影システムＰＳに対して実質的に静止している。図２〜図７は、そのようなシステムで使用することができる異なった供給デバイスを示す。液体を局所区域に封止する封止特徴部が存在する。提案されているこれを配置する方法の１つが、ＰＣＴ特許出願公開ＷＯ９９／４９５０４号に開示されている。

[0061] オールウェット構成では、液体は閉じ込められない。基板上面の全体と基板テーブルの全部又は一部が液浸液に覆われる。少なくとも基板を覆う液体の深さは小さい。液体は、基板上の液体の薄膜などの膜であってもよい。液浸液は、投影システムと投影システムに対向する対向面（そのような対向面は基板及び／又は基板テーブルの表面であってもよい）に、又はその領域内に供給することができる。図２〜図５の液体供給デバイスのいずれもそのようなシステムで使用することができる。しかし、封止特徴部が存在しないか、活性化されていないか、通常より効率が落ちるか、又はその他の点で液体を局所区域にのみ封止する効果がない場合がある。

[0062] 図２及び図３に図示されているように、液体は、少なくとも１つの入口によって基板上に、好ましくは最終要素に対する基板の動作方向に沿って供給される。液体は、投影システムの下を通過した後に少なくとも１つの出口によって除去される。基板が−Ｘ方向にて要素の下でスキャンされると、液体が要素の＋Ｘ側にて供給され、−Ｘ側にて取り上げられる。図２は、液体が入口を介して供給され、低圧源に接続された出口によって要素の他方側で取り上げられる構成を概略的に示したものである。図２の図では、液体が最終要素に対する基板の動作方向に沿って供給されるが、こうである必要はない。最終要素の周囲に配置された入口及び出口の様々な方向及び数が可能であり、一例が図３に示され、ここでは両側に出口を持つ４組の入口が最終要素の周囲に規則的パターンで設けられる。液体のフローの方向は、図２及び図３に矢印で示されていることに留意されたい。

[0063] 局所液体供給システムを備える液浸リソグラフィの別の解決法が図４に示されている。液体が、投影システムＰＳのいずれかの側にある２つの溝入口によって供給され、入口の半径方向外側に配置された複数の別個の出口によって除去される。入口は、投影される投影ビームが通る穴が中心にあるプレートに配置することができる。液体は、投影システムＰＳの一方側にある１つの溝入口によって供給され、投影システムＰＳの他方側にある複数の別個の出口によって除去されて、投影システムＰＳと基板Ｗの間に液体の薄膜の流れを引き起こす。どの組合せの入口と出口を使用するかの選択は、基板Ｗの動作方向によって決定することができる（他の組合せの入口及び出口は動作しない）。流体のフローの方向と基板Ｗの方向は図４に矢印で示されていることに留意されたい。

[0064] 提案されている別の構成は、液体供給システムに液体閉じ込め構造を提供する構成である。液体閉じ込め構造は、投影システムの最終要素と基板テーブルとの間の空間の境界の少なくとも一部に沿って延在する。そのような構成を図５に示す。

[0065]
図５は、局所的液体供給システム又は流体ハンドリング構造１２を概略的に示す。流体ハンドリング構造はバリアとして機能し、液体を基板Ｗ、基板テーブルＷＴ又はその両方の下面の局所表面に閉じ込める。流体ハンドリング構造は、投影システムの最終要素と基板テーブルＷＴ又は基板Ｗとの間の空間の境界の少なくとも一部に沿って延在する。（以下の説明で、基板Ｗの表面という表現は、明示的に断りのない限り、追加的に又は代替的に、基板テーブルの表面も意味することに留意されたい。）流体ハンドリング構造１２はＸＹ平面内で投影システムに対して実質的に静止しているが、Ｚ方向（光軸の方向）には相対運動があってもよい。ある実施形態では、流体ハンドリング構造１２と基板Ｗとの間に封止が形成され、封止はガスシール（ガスシールを備えたこのようなシステムが欧州特許出願公開ＥＰ−Ａ−１，４２０，２９８号に開示されている）又は液体シールなどの非接触封止であってもよい。

[0066] 流体ハンドリング構造１２は、投影システムＰＳの最終要素と基板Ｗとの間の空間１１内に少なくとも部分的に液体を封じ込める。液体が基板Ｗの表面と投影システムＰＳの最終要素との間の空間内に閉じ込められるように、基板Ｗへの非接触封止１６を投影システムＰＳのイメージフィールドの周囲に形成することができる。空間１１は、投影システムＰＳの最終要素の下に位置し、それを取り囲む流体ハンドリング構造１２によって少なくとも部分的に形成される。液体は、液体入口１３によって投影システムＰＳの下の空間及び流体ハンドリング構造１２内に流し込まれる。液体は、液体出口１３によって除去することができる。流体ハンドリング構造１２は、投影システムの最終要素から上に少し延在することができる。液体のバッファが提供されるように、液面は最終要素より上に上昇する。ある実施形態では、流体ハンドリング構造１２は、上端で、投影システム又はその最終要素の形状にぴったりと一致する、例えば円形の内周を有する。底部で、内周は、イメージフィールドの形状、例えば矩形にぴったりと一致するが、これはそうでなくてもよい。

[0067] 液体は、流体ハンドリング構造１２の底部と基板Ｗの表面との間に使用時に形成されるガスシール１６によって空間１１内に封じ込められてもよい。ガスシールは気体によって形成される。ガスシール内の気体は、圧力を受けて入口１５を介して流体ハンドリング構造１２と基板Ｗの間のギャップに提供される。気体は出口１４を介して抽出される。気体入口１５での正圧力、出口１４の真空レベル、及びギャップのジオメトリは、液体を閉じ込める内側への高速の気体フロー１６が存在するように構成される。流体ハンドリング１２と基板Ｗとの間の液体にかかる気体の力が液体を空間１１に封じ込める。入口／出口は、空間１１を取り囲む環状の溝であってもよい。環状の溝は連続していてもよいし、又は不連続であってもよい。気体フロー１６は、空間１１内に液体を封じ込める効果がある。このようなシステムは、参照によりその全体を本明細書に組み込むものとする米国特許出願公開ＵＳ２００４−０２０７８２４号に開示されている。ある実施形態では、流体ハンドリング構造１２はガスシールを有さない。

[0068] 図６は、液体供給システムの一部である流体ハンドリング構造１２を示す。流体ハンドリング構造１２は、投影システムＰＳの最終要素の周辺（例えば周囲）の周りに延在する。

[0069] 部分的に空間１１を画定する表面の複数の開口２０が液体を空間１１に提供する。液体は、空間１１に流入する前にそれぞれのチャンバ２４、２６をそれぞれ通って側壁２８、２２の開口２９、２０を通過する。

[0070] 流体ハンドリング構造１２の底面と、例えば基板Ｗ、又は基板テーブルＷＴ、又は両方である対向面の間にシールが設けられる。図６では、シールデバイスは非接触シールを形成するように構成され、幾つかのコンポーネントから成っている。投影システムＰＳの光軸から半径方向外側に、空間１１内に延在する（任意選択の）フロー制御板５１が設けられている。制御板５１は、液体がそれを通って流れることができる開口５５を有していてもよい。開口５５は、制御板５１が（例えば投影システムＰＳの光軸と平行な）Ｚ方向に変位する場合に有利であり得る。例えば基板Ｗである対向面に面する（例えば反対側）流体ハンドリング構造１２の底面上にフロー制御板５１の半径方向外側には、液浸流体供給口１８０があってもよい。液浸流体供給口１８０は対向面に向かう方向に液浸流体（例えば、水溶液又は水などの液体）を供給することができる。この液浸流体は、結像中に基板Ｗと基板テーブルＷＴとの間のギャップを満たすことによって液浸液中に泡が形成されることを防止するのに有用であり得る。

[0071] 液浸流体供給口１８０の半径方向外側に、流体ハンドリング構造１２と対向面との間から液体を抽出するための抽出器アセンブリ７０があってもよい。抽出器アセンブリ７０は単相抽出器として、又は二相抽出器として動作してもよい。抽出器アセンブリ７０はメニスカスピニングフィーチャとして動作する。

[0072] 抽出器アセンブリの半径方向外側にはガスナイフ９０を設けてもよい。抽出器アセンブリとガスナイフの配置は、参照により全体を本明細書に組み込むものとする米国特許出願公開ＵＳ２００６／０１５８６２７号に詳細に開示されている。

[0073] 単相抽出器としての抽出器アセンブリ７０は、参照により全体を本明細書に組み込むものとする米国特許出願公開ＵＳ２００６−００３８９６８号に開示されているような液体除去デバイス、抽出器、又は入口を含んでもよい。ある実施形態では、液体除去デバイス７０は、単一の液相の液体抽出を可能にするために液体をガスから分離するために使用される多孔質材料１１１で覆われた入口を含んでもよい。多孔質材料１１１の穴内に形成されるメニスカスが、周囲ガスが液体除去デバイス７０のチャンバ１２１内に引き込まれることを実質的に防止するようなチャンバ１２１内の負圧が選択される。しかし、多孔質材料１１１の表面が液体と接触すると、フローを制限するメニスカスがなくなり、液体は液体除去デバイス７０のチャンバ１２１内に自由に流入することができる。

[0074] 多孔質材料１１１は、例えば直径などの幅などが５〜５０マイクロメートルの範囲の寸法を各々が有する多数の小さな穴を有している。多孔質材料１１１は、例えば基板Ｗの表面のような、液体がそこから除去される対向面などの表面から５０〜３００マイクロメートルの範囲の高さに保持されてもよい。ある実施形態では、多孔質材料１１１は少なくともやや親液性であり、すなわち例えば水などの液浸液に対するその動的接触角は９０°以下、望ましくは８５°以下、又は望ましくは８０°以下である。

[0075] ある実施形態では、液体供給システムは液体レベルの変動に対処する配置を有している。これは投影システムＰＳと液体閉じ込め構造１２との間に溜まり（例えばメニスカス４００を形成する）液体が処理され、逸出しないようにするためである。この液体を処理する方法の１つは、疎液性（例えば疎水性）コーティングを施すことである。コーティングは、開口を囲む流体ハンドリング構造１２の上部の周囲、及び／又は投影システムＰＳの最終光学要素の周囲に帯を形成してもよい。コーティングは投影システムＰＳの光軸の半径方向外側に施されてもよい。疎液性（例えば疎水性）コーティングは液浸液を空間１１内に保つことに役立つ。この液体に対処する追加の、又は代替の方法は、液体閉じ込め構造及び／又は投影システムＰＳに対するある一定のポイント（例えば高さ）に達する液体を除去するために出口２０１を設けることである。

[0076] 別の局所区域の配置は、気体抗力原理を利用する流体ハンドリング構造である。いわゆる気体抗力原理は、例えば米国特許出願公開ＵＳ２００８−０２１２０４６号、ＵＳ２００９−０２７９０６０号、及びＵＳ２００９−０２７９０６２号に記載されている。このシステムでは、抽出穴は望ましくはコーナーを有する形状で配置される。コーナーがある形状は、高半径部（すなわちコーナーの間の部分及び／又はコーナーから離間した部分）の第２の曲率半径よりも低い第１の曲率半径を有する少なくとも１つの低半径部（すなわちコーナーにある部分）を有している。低半径部は、高半径部にある第２の曲率半径よりも低い第１の曲率半径を有している。第２の曲率半径は無限であってもよく、すなわち高半径部は直線的であってもよい。コーナーはステップ方向、又はスキャン方向などの好ましい移動方向と位置合わせされてもよい。これによって、２つの出口が好ましい方向に垂直に位置合わせされた場合と比較して、好ましい方向での所与の速度の場合、流体ハンドリング構造の表面の２つの開口の間のメニスカスに加わる力が低減する。しかし、本発明のある実施形態は、平面図でみて任意の形状を有し、又は任意の形状で配置された抽出口などのコンポーネントを有する流体ハンドリングシステムに適用されてもよい。このような形状としては、円のような楕円、例えば四角形などの矩形のような直線形状、ひし形のような平行四辺形、又は４点星以上の星形のような５つ以上のコーナーを有するコーナー付きの形状が挙げられるが、これらに限定されない。

[0077] 本発明の実施形態が関連する米国特許出願公開ＵＳ２００８／０２１２０４６Ａ１号のシステムの変化形態では、開口が配置されているコーナーを有する幾何形状によって、スキャン方向とステップ方向の両方向に位置合わせされたコーナーにとって鋭角のコーナー（約６０°〜９０°、望ましくは７５°〜９０°、最も望ましくは７５°〜８５°）が存在できる。それによって位置合わせされた各コーナーの方向での速度を高めることが可能になる。これは、例えば臨界速度を超えるなど、スキャン方向での不安定なメニスカスによる液滴の生成が低減するからである。コーナーがスキャン方向とステップ方向の両方向に位置合わせされる場合は、これらの方向で速度上昇を達成し得る。スキャン方向とステップ方向での移動速度は実質的に等しいことが望ましい。

[0078] 図７は、気体抗力原理を実現した抽出器を有し、本発明の実施形態が関連する流体ハンドリングシステム又は流体ハンドリング構造１２のメニスカスピニングフィーチャの概略平面図である。メニスカスピニングフィーチャは、空間１１から半径方向外側への流体の通過に抵抗し、望ましくは（出来るだけ）防止するように設計されている。メニスカスピニングデバイスの特徴は図７に示されており、これは図５のメニスカスピニング配置１４、１５、１６、又は少なくとも図６に示す抽出器アセンブリ７０の代わりに使用されてもよい。図７のメニスカスピニングデバイスは抽出器の形態のものである。メニスカスピニングデバイスは複数の別個の開口５０を含んでいる。各開口５０は円形であるように示されているが、これは必ずしもそうである必要はない。実際、１つ又は複数の開口は、円、楕円、直線形状（例えば四角形、矩形）、三角形などから選択された形状のものでよく、１つ又は複数の開口は細長い形状でもよい。各々の開口は平面図で見て０．２ｍｍ以上、０．５ｍｍ以上、又は１ｍｍ以上の長さ寸法（すなわち１つの開口から隣接する開口までの方向の寸法）を有している。ある実施形態では、長さ寸法は０．１ｍｍ〜１０ｍｍの範囲から選択され、又は０．２５ｍｍ〜２ｍｍの範囲から選択される。ある実施形態では、各開口の幅は０．１ｍｍ〜２ｍｍから選択される。ある実施形態では、各開口の幅は０．２ｍｍ〜１ｍｍから選択される。ある実施形態では、長さ寸法は０．２ｍｍ〜０．５ｍｍの範囲から選択され、又は０．２ｍｍ〜０．３ｍｍの範囲から選択される。図６の（１８０の参照番号が付された）入口開口のような入口開口を開口５０の半径方向内側に設けてもよい。

[0079] 図７のメニスカスピニングデバイスの各々の開口５０は、別個の負圧源に接続されてもよい。代替的に又は追加的に、各々の、又は複数の開口５０は、それ自体が負圧に保たれている（環状であってもよい）共通のチャンバ又はマニホールドに接続されてもよい。このようにして、各々の、又は複数の開口５０で均一な負圧が達成されてもよい。開口５０は、真空源に接続されることができ、及び／又は流体ハンドリングシステム（又は閉じ込め構造）の周囲の大気の圧力を上昇させて所望の圧力差を生じるようにしてもよい。

[0080] 図７の実施形態では、開口５０は流体抽出口である。各開口はガス、液体、又は２相のガス流体と液体とを流体ハンドリングシステムへと通過させるための入口である。各入口は空間１１からの出口であると見なしてもよい。

[0081] 開口５０は流体ハンドリング構造１２の表面に形成される。表面は使用時には基板Ｗ及び／又は基板テーブルＷＴと対面する。ある実施形態では、開口５０は流体ハンドリング構造１２の実質的に平坦な表面にある。ある実施形態では、基板部材の底面に***部を設けてもよい。開口のうちの少なくとも１つが***部にあってもよく、又は図２３を参照して後述するように、***部の縁部にあってもよい。開口５０はニードル又はチューブによって画定されてもよい。例えば隣接するニードルなどの幾つかのニードルのボデーを互いに接合してもよい。ニードルを互いに接合して１つのボデーを形成してもよい。１つのボデーがコーナーのある形状を形成してもよい。

[0082] 開口５０は、例えばチューブ又は細長い通路の端部である。望ましくは、開口は使用時に例えば基板Ｗなどの対向面に向けられ、望ましくは対向面に対面するように位置決めされる。開口５０のリム（すなわち表面からの出口）は対向面の一部の上面と実質的に平行でよい。開口５０が接続される通路の長手軸は対向面の上面、例えば基板Ｗの上面と実質的に垂直（垂直から±４５°以内、望ましくは３５°、２５°、又は更には１５°以内）であってもよい。

[0083] 各開口５０は液体とガスの混合物を抽出するようの設計されている。液体は空間１１から抽出され、一方、ガスは液体への開口５０の他方の側の大気から抽出される。これによって矢印１００で示されるようにガスフローが生成され、このガスフローは開口５０の間のメニスカス３２０を図７に示すような所定位置に保持するために、例えばピニング（固定）するために有効である。ガスフローは瞬時のブロッキングにより、ガスフローに誘発される圧力勾配により、及び／又は液体上での気体（例えば空気）抗力（せん断）により液体の閉じ込め状態を保つのに役立つ。

[0084] 開口５０は、流体ハンドリング構造が液体を供給する空間を囲む。開口５０は、流体ハンドリング構造の下面に分散されていてもよい。開口５０は、（隣接する開口５０間の間隔は変動することがあるものの）空間の周囲で実質的に連続的な間隔で離隔されてもよい。ある実施形態では、液体はコーナーのある形状の周囲の全体から抽出され、且つ実質的にコーナーのある形状に当たるポイントで抽出される。これが達成されるのは、開口５０が（コーナーのある形状内の）空間の周囲全体に形成されるからである。このようにして、液体が空間１１内に閉じ込められる。動作中、メニスカスは開口５０によってピニングされ得る。

[0085] 図７から分かるように、開口５０は平面図で見てコーナーのある形状（すなわちコーナー５２を有する形状）を形成するように位置決めされる。図７の場合は、これは湾曲した縁部又は辺５４を有するひし形、望ましくは四角形の形状である。縁部５４は湾曲している場合は負の半径を有する。縁部５４は、コーナー５２から離れた領域でコーナーのある形状の中心に向かって湾曲してもよい。本発明の実施形態は、平面図で見て例えばひし形、四角形又は矩形のような例えば直線形状、又は円形、三角形、又は星形、楕円形などの図示した形状を含むがそれに限定されない任意の形状に適用することができる。

[0086] コーナーのある形状は、投影システムＰＳの下の基板Ｗの主要な進行方向に位置合わせされた基本軸１１０、１２０を有している。これが、臨界スキャン速度以下では、開口５０が円形に配置された場合よりも最高スキャン速度が確実に速くなることに役立つ。これは、２つの開口５０間のメニスカスに加わる力がｃｏｓθ分の１に低減する。ここで、θは基板Ｗの移動方向に対する２つの開口５０を結ぶ線の角度である。

[0087] 四角形のコーナーのある形状を使用することによって、ステップ及びスキャン方向の移動を等しい最高速度にすることが可能になる。これは形状の各コーナーをスキャン方向及びステップ方向に位置合わせすることによって達成し得る。一方向、例えばスキャン方向での移動がステップ方向での移動よりも速いことが好ましい場合は、ひし形の形状を使用できる。このような配置では、ひし形の主軸をスキャン方向と位置合わせしてもよい。ひし形の形状の場合、各コーナーは鋭角であるが、例えばステップ方向でのひし形の隣接する２つの辺がなす角度は鈍角、すなわち９０°以上であってもよい（例えば約９０°〜１２０°の範囲から選択され、ある実施形態では約９０°〜１０５°の範囲から選択され、ある実施形態では約８５°〜１０５°の範囲から選択される）。

[0088] 開口５０の形状の主軸を（通常はスキャン方向である）基板の主要な進行方向と位置合わせし、第２の軸を（通常はステップ方向である）基板の別の主要進行方向と位置合わせすることによって、スループットを最適化することができる。θが９０°とは異なるどの配置も少なくとも１つの移動方向に利点をもたらすことを理解されたい。したがって、基本軸を主要な進行方向と正確に位置合わせすることは不可欠ではない。

[0089] 負の半径を有する縁部を設けることの利点は、コーナーをより尖鋭にできることにある。７５°〜８５°の範囲から選択される角度、又は更に小さい角度は、スキャン方向に位置合わせされたコーナー５２と、ステップ方向に位置合わせされたコーナー５２の両方について達成し得る。この特徴がない場合は、両方向に位置合わせされたコーナー５２が同じ角度を有するためには、これらのコーナーは９０°の角度を有する必要があろう。９０°未満の角度が望ましい場合は、一方向が９０°未満のコーナーを有するように選択する必要があり、その結果、他方のコーナーは９０°以上の角度を有することになろう。

[0090] 開口５０の半径方向内側にメニスカスピニングフィーチャがなくてもよい。メニスカスは開口５０へのガスフローによって引き起こされる抵抗力で開口５０の間にピニングされる。約１５ｍ／ｓ以上、望ましくは約２０ｍ／ｓの気体抗力速度で十分であろう。基板からの液体気化量は低減され、それによって液体の飛抹と熱膨張／収縮作用の両方を低減し得る。

[0091] メニスカスピニングフィーチャとして作用する開口５０の半径方向内側には、図６の実施形態のように複数の液浸流体供給口１８０がある。液浸流体供給口１８０は平面図で見て、平面図で見た開口５０と同じ形状を有してもよい。ある実施形態では、液浸流体供給口１８０は例えば１２５μｍ程度の（円形の場合）直径を、又は（四角形の場合は）辺の長さを有してもよい。図示の通り、コーナーの領域ではコーナーではない領域よりも多くの液浸流体供給口１８０があってもよい。

[0092] 流体ハンドリング構造１２の底部は別の幾何形状のものも可能である。例えば、参照により全体を本明細書に組み込むものとする米国特許出願公開ＵＳ２００４−０２０７８２４号、又は米国特許出願公開ＵＳ２０１０−０３１３９７４号に開示されているいずれの構造も本発明の実施形態で使用することができる。

[0093] 米国特許出願公開ＵＳ２０１０／０３１３９７４号に記載されているような流体ハンドリング構造１２では、スリット状開口（例えば連続する線形開口）の形態のガスナイフを開口５０の周囲に設けられる。スリットの幅は約３０又は５０μｍでよい。スリット状開口の形態のガスナイフを図６の実施形態の抽出器７０の周囲にも設けてもよい。スリット状開口の形態のガスナイフの幅は５０μｍでよいであろう。

[0094] ある実施形態では、スリット状開口の形態のガスナイフをメニスカスピニングフィーチャ（例えば図６の実施形態の抽出器７０、又は図７の実施形態の開口５０）の周囲に設けてもよい。このような実施形態は図１０に示されている。本発明の実施形態はメニスカスピニングフィーチャを囲むスリットの形態の開口に限定され、以下に記載するように、スリット状開口の代わりに複数の別個の開口部でもよい。参照により全体を本明細書に組み込むものとする２０１１年７月１１に出願された米国特許出願第６１／５０６，４４２号に記載されているように、スリットと比較して別個のガス供給口を使用することが有利である。

[0095] 図６及び図７に示される実施形態では、複数のガス供給口６１（すなわち別個の開口部）が線形アレイで設けられている。ガス供給口６１は空間に対してメニスカスピニングフィーチャ（それぞれ抽出器７０及び開口５０）に半径方向外側に設けられている。ガス供給口６１によって形成される線形アレイは開口５０を結ぶ線と実質的に平行である。使用時には、ガス供給口６１は正圧力に接続され、メニスカスピニングデバイスを囲むガスナイフ（例えば空気などのガスを供給）を形成する。線形アレイ（例えば一次元又は二次元の線形アレイ）の複数のガス供給口６１はメニスカスピニングフィーチャを少なくとも部分的に囲む。

[0096] 線形アレイの例はフィーチャがそれに沿って位置する線である。線形アレイの例は２列以上の開口を含んでいる。このような線形アレイは二次元の線形アレイと呼ばれ、フィーチャが線又は配列に沿って、且つ線に垂直な方向に配置されている。開口は線形アレイに沿って周期的に配置されてもよい。例えば、列に沿った開口は互い違いでもよい。１列以上の開口では、各々の開口は直線的に整列されてもよい。２列の開口は互い違いに配列されてもよい（すなわち２列の穴）。

[0097] ある実施形態では、ガス供給口６１は、流体ハンドリング構造１２の下の通路内の基板Ｗ又は基板テーブルＷＴなどの対向面に残される液膜の厚さを減少させる機能を果たす。例えば、ガス供給口は線形アレイの半径方向外側からメニスカス３２０に向かって相対的に移動する液滴、又はメニスカス３２０から半径方向外側に相対的に移動する液滴に厚さを縮小する機能を果たしてもよい。（例えば直径９０μｍ、ピッチが２００μｍの）複数のガス供給口６１を通る流量が実質的に同じである場合、同じ流量を用いてスリット幅が例えば５０μｍのスリット状ガスナイフで達成されるよりも高い開口の下の平均圧力ピークを達成し得る。したがって別個のガス供給口６１によって、流体ハンドリング構造１２の下の液膜を通過後により薄い液膜が対向面上に残されることになる。平均圧力ピークがより高いと、メニスカス３２０に対して移動する液滴を止める効率を高めることができる。平均圧力ピークがより高いと、基板Ｗと基板テーブルＷＴとの間のギャップが交差する場合に性能が更に高まる結果をもたらす。スリット状ガスナイフを使用すると、スリットから流出するガスフローが開口５０を通して外側に吸い出されるので、スリットの下の圧力ピークが崩壊することがある。複数のガス供給口６１の圧力ピークは開口５０を通って外側に吸い出される可能性が低くなる。その結果、圧力ピークがより安定化するにつれ、性能がより高まる。

[0098] ガス供給口６１は、液膜が壊れて液滴になるのではなく、液体が開口５０の方向に駆動され、抽出されることを確実にすることに役立つ。ある実施形態では、ガス供給口６１は膜の形成を防止するように動作する。ガス供給口６１が配置される線形アレイは基本的にメニスカスピニングフィーチャ（例えば開口５０）の線を辿る。したがって、隣接するメニスカスピニングフィーチャ（例えば開口５０）とガス供給口６１との間の間隔は０．５ｍｍ〜４．０ｍｍ以内であり、望ましくは２ｍｍ〜３ｍｍである。ガス供給口６１と開口５０との間隔は小さくてもよく、それでもスリット状ガスナイフと比較して液滴のメニスカス３２０との衝突から泡が誘発されるリスクが少ない。

[0099] ある実施形態では、ガス供給口６１が配置される線形アレイはメニスカスピニングフィーチャ（例えば開口５０）の線に対して実質的に平行な方向に細長い。ある実施形態では、隣接するメニスカスピニングフィーチャ（例えば開口５０）とガス供給口６１との分離間隔は実質的に一定に保たれる。

[00100] ある実施形態では、線形アレイの複数のガス供給口６１はガスナイフとして作用する。

[00101] 流体ハンドリング構造は以下に記載すること以外は２０１１年７月１１日に出願された米国特許出願公開ＵＳ６１／５０６，４４２号に記載のような構造である。液浸流体供給口１８０、ガス供給口６１（又はガスナイフ）及び抽出口２１０の組合せはなくてもよく、又はいずれかの組合せがあってもよい。すなわち、抽出口２１０は任意選択である。ガス供給口６１は任意選択である。液浸流体供給口１８０は任意選択である。液浸流体供給口１８０、ガス供給口６１及び抽出口２１０のいずれかの組合せがあってもよい（ただし互いの相対位置、特にメニスカスピニングフィーチャ（すなわち開口５０）に対する位置は固定されている）。

[00102] 個別のガス供給口６１がガスナイフのような機能を果たすためには、メートル長さ当たりの開口面積が６．０×１０^−５ｍ^２以下であることが望ましい。これはスリット幅が６０μｍのガスナイフの単位長当たりの開口面積に匹敵する。ある実施形態では、メートル長さ当たりの開口面積は５．０×１０^−５ｍ^２以下、４．０×１０^−５ｍ^２以下、又は３．５×１０^−５ｍ^２以下である。開口面積比が低いほど、各々の開口の下の達成可能な最大圧力は高くなり、レーキング作用を達成できる可能性が高まる。しかし、開口面積が小さすぎると、隣接するガス供給口間のピッチを１８０μｍ以下に縮小することが実際的ではないため、ガスナイフの機能性は失われる。ある実施形態では、メートル長さ当たりの開口面積は１．０×１０^−５ｍ^２以上、２．０×１０^−５ｍ^２以上、又は２．５×１０^−５ｍ^２以上である。開口面積が大きいと、ガスフローが大きくなり、したがって達成可能な圧力が高まるのでより大きい開口面積が望ましい。

[00103] ある実施形態では、ガス供給口６１は断面が円形（丸形）である。ある実施形態では、非円形の開口６１の場合の直径又は最大寸法は１２５μｍ以下、望ましくは１１５μｍ以下である。これは（四角形の開口の場合に計算した最大１．６×１０^−８ｍ^２、望ましくは最大１．３×１０^−８ｍ^２の開口面積に匹敵する。

[00104] 理論上の計算は、非円形の開口６１の直径又は最大寸法は作動距離の１／２であるべきであることを示している。作動距離とは流体ハンドリング構造１２の底面と対向面（例えば基板Ｗ）との距離である。流体ハンドリング構造１２の底面と対向面との距離（作動距離又はフライング高さ）は１５０μｍでよく、ある実施形態では非円形の開口６１の場合は最小直径又は最小寸法が７５μｍであることを示している。この要件が満たされると、ガスジェットが浸透する停滞する環境によって乱されないガス供給口６１から出るガスジェットのコアは対向面に到達し、したがって大きな圧力勾配が生ずる。

[00105] ある実施形態では、個別のガス供給口６１は非円形の開口６１の場合の直径又は最小寸法は８０μｍ以上であり、望ましくは９０μｍ以上である。したがってメートル長さ当たりの断面積は５．０×１０^−９ｍ^２以上、又はメートル長さ当たりの断面積は６．４×１０^−９ｍ^２以上であることが望ましい。この範囲の穴のサイズは（小さいサイズ範囲での）製造可能性と（より大きいサイズ範囲での）隣接するガス供給口６１間の許容されるピッチとの平衡をとる。すなわち、最大許容ピッチは、隣接する開口６１間の所与の最小値（例えば５０ｍｂａｒ）以上の最低圧力をもたらすことができるピッチに関連する。更に、隣接する開口に間に小さすぎる材料が残されると、結果として隣接する開口間の材料の脆弱性と破壊の可能性が生ずることがある。これは非円形の穴の場合、最大の穴径又は最大寸法につながる。

[00106] ある実施形態では、隣接するガス供給口６１間のピッチは１８０μｍ以上であり、望ましくは２００μｍ以上である。逆に、ピッチは３００μｍ以下、望ましくは２８０μｍ以下であるべきである。これらの範囲は隣接する開口からのガス流の強さと相互結合とをうまく両立させ、それによって開口間の（少なくとも３０ｍｂａｒ、望ましくは最低５０ｍｂａｒの）大きい最低圧をもたらす。

[00107] ある実施形態では、一列の複数のガス供給口６１の隣接する穴間の所望の最小圧力を達成するには、隣接する穴間の材料の長さは最長で流体ハンドリング構造１２の底面と対向面との間の距離の半分にするべきである。それによって最長の材料長さ７５μｍになる。ある実施形態では、ピッチは各々の個別ガス供給口６１から出るガスジェットが隣接する個別のガス供給口と重なるように選択される。ガスジェットは縁部で１：４の勾配で拡散する傾向がある。したがって、ある実施形態では、ジェットが重なるにはガス供給口６１は作動距離の１／４の２倍以下だけ離間するか、又は作動距離の１／２以下だけ離間する必要がある。

[00108] ある実施形態では、十分な強度を付与するには隣接する開口６１間にある材料の長さは少なくとも８０μｍ、又は少なくとも９０μｍである必要がある。

[00109] 隣接する開口６１間の材料を２００μｍ以上にする必要はなく、そうするとガスジェットの分離が生じ、それによって開口間に圧力が３０ｍｂａｒ以下になる。ある実施形態では、隣接する開口６１間の距離を１５０μｍにしてもよい。

[00110] ある実施形態では、ガス供給口６１は、高半径部に対応する周辺（例えば周囲）では直径１２５μｍ、ピッチは３００μｍであり、その結果、メートル長さ当たりの開口面積は５．８×１０^−５ｍ^２となる。ピッチを１８０μｍまで縮小すると、開口面積は９．８×１０^−５まで拡大するが、環境によってはこれは大きすぎ、開口６１間の材料の長さは５５μｍしか残らない。ある実施形態では、開口６１の直径は８０μｍであり、それによって８０μｍのピッチで開口面積がメートル当たり２．７９×１０^−５ｍ^２となり、これは３０μｍｎスリット幅と同等に近い。

[00111] ある実施形態では、隣接する開口６１間に向かう方向に大きい圧力勾配があり、その結果、液滴が開口６１間の最低圧のポイントに移動する。この場合、液滴は凝集することがある。液滴の一部はガス供給口６１間の最低圧のポイントを通過することがある。したがって、図６に断面図で、図７に平面図で示すように、ある実施形態では、少なくとも１つの抽出口２１０が線形アレイの複数の個別のガス供給口６１の半径方向外側に設けられる。

[00112] ある実施形態では、少なくとも１つの抽出口２１０は複数の抽出口２１０であってもよい。ある実施形態では、少なくとも１つの抽出口２１０はスリット状の（すなわち連続的な）開口である。この実施形態は、液滴が複数のガス供給口６１のどこを通過するかに関わらず収集されるということが利点である。ある実施形態では、隣接する開口６１間の各空間が対応する抽出口２１０を有している。ある実施形態では、抽出口２１０は線形アレイ（例えば一列）の複数のガス抽出口である。

[00113] 少なくとも１つの抽出口２１０が複数の抽出口２１０であるある実施形態では、ガスナイフはスリット状の、又は連続的な開口の形態のものでよい。すなわち、図７に示す複数のガス供給口６１はスリット状の（すなわち連続的な）開口を含んでいる。

[00114] 線形アレイのガス供給口６１を通過する液滴は、最低圧の位置で通過する。その結果、液滴は隣接する開口６１間を実質的に等間隔で通過する。したがって、抽出口２１０は、上述のように隣接する開口６１間に実質的に等間隔に位置している。すなわち、隣接する開口６１間の空間を分岐する位置である。その結果、線形アレイのガス供給口６１を通過する液滴は、液滴がそれを通って移動する空間に対応する抽出口２１０の下を通過する可能性が高い。その結果、液滴は抽出口２１０によって抽出される可能性が高い。液滴が抽出口２１０に接触すると抽出がなされる。したがって、液滴の凝集を生ずる接線勾配の作用が有利であるが、それは抽出口２１０に接触する可能性がより高いより大きい液滴を生み出すからである。

[00115] 抽出口２１０は、上述のガス供給口６１と同じ特徴及び／又は寸法を有していてもよい。少なくとも１つの抽出口２１０は断続的、連続的、二次元の線形アレイ（例えば実質的に平行な開口の列）などの抽出口でよい。

[00116] ある実施形態では、少なくとも１つの抽出口２１０と複数のガス供給口６１の間の距離は少なくとも０．２ｍｍ、最大で１．０ｍｍである。この比較的短い距離が有利であるのは、液滴が捕捉される可能性が高いからである。距離が短すぎると、ガス供給口６１から流出して抽出口２１０に流出するガスフローどうしの干渉を引き起こすことがあり、これは望ましくない。

[00117] 極めて微小な気泡は、空間１１の露光区域に達する前に液浸液中に融解することがある。その他のいずれかの実施形態と組み合わせることができるある実施形態では、融解速度が閉じ込められるガスと液浸液の特性によって左右されるという事実が利用される。

[00118] 二酸化炭素（ＣＯ_２）の泡は通常は空気の泡よりも速く溶解する。窒素の泡よりも５５倍溶解性が高く、窒素の拡散性の０．８６倍の拡散性を有するＣＯ_２の泡は、通常は同じサイズの窒素の泡が溶解する時間よりも３７分の１だけ短い時間で溶解する。

[00119] 参照により全体を本明細書に組み込むものとする米国特許出願公開ＵＳ２０１１−０１３４４０１号は、２０℃で空間１１に隣接する領域での全圧力が１ａｔｍの場合、液浸液中の溶解性が５×１０^−３ｍｏｌ／ｋｇ以上であるガスの供給を記載している。この文献は更に、２０℃で空間１１に隣接する領域での全圧力が１ａｔｍの場合、液浸液中の拡散性が３×１０^−５ｃｍ^２ｓ^−１以上であるガスの供給を記載している。この文献は更に、２０℃で空間１１に隣接する領域での全圧力が１ａｔｍの場合、液浸液中の拡散性と溶解性との積が空気の場合よりも高いガスの供給を記載している。

[00120] 気泡が液浸液中の拡散性、溶解性、又は拡散性と溶解性との積が高い気泡である場合は、この気泡は大幅に速く液浸液中に溶解する。したがって、本発明の実施形態を使用すると、結像の欠陥数が低減し、それによってより高いスループットが可能になり（例えば液体ハンドリング構造１２に対する基板Ｗの速度がより速くなる）、欠陥度が低下する。

[00121] したがって、本発明の実施形態は空間１１の近傍の領域（例えば容積、又は区域に向けてガスを供給するように構成されたガス供給デバイスを提供する。例えば、ガスが対向面と液体ハンドリング構造１２との間に延在するメニスカス３２０の近傍領域に存在するようにガスが提供される。

[00122] 例示的なガスは二酸化炭素であり、これが望ましいのは入手し易く、液浸システムで別の目的にも使用できるからである。二酸化炭素の２０℃、１ａｔｍで水中での溶解性は１．６９×１０^−３ｋｇ／ｋｇ又は３７×１０^−３ｍｏｌ／ｋｇである。液浸液中で融解し易い非反応性ガスも適している。

[00123] 本明細書に記載の本発明の実施形態は、液浸液のメニスカス３２０の周囲のＣＯ_２大気を形成して、液浸液中にガスを含有させると、液浸液中に溶解するガス含有物が生成されるようにしてもよい。

[00124] 気相のＣＯ_２を使用することで、液滴と衝突するメニスカスに関連する問題点は解消されないまでも軽減される。通常は、３００マイクロメートルの液滴は直径３０マイクロメートルの泡（すなわち１０分の１のサイズ）を生成する筈である。このような二酸化炭素の泡は、通常は露光区域に達する前に溶解するであろう。（このようなサイズの液滴は１つ又は複数の別の問題点を生ずることに留意されたい。）したがって、液滴に起因する問題点はそれほど重要ではない。液浸システムは、空間から漏れ出る液浸液との相互作用に対する許容性をより高めることができるであろう。

[00125] 二酸化炭素はガス供給口６１を通して供給されることができる。ある実施形態では、ガスは第２の配列のガス供給口を通して、又はガス供給口と第２の配列のガス開口の両方を通して供給される。

[00126] ある実施形態では、開口５０から流出する二酸化炭素の流量と、抽出口２１０から流出するガスの流量を加えた流量は、ガス供給口６１から流出されるガスの流量以上である。ある実施形態では、合計のガス抽出流量はガス供給流量の１．２倍、又は望ましくは１．４倍である。例えば、開口５０に流入するガス流量は毎分６０リットルであり、抽出口２１０に流入するガス流量は毎分６０リットルであり、ガス供給口６１から流出するガス流量は毎分９０リットルであってもよい。ガス供給口６１から供給されるガスが二酸化炭素である場合は、（以下に記載するように）この配置構成は有利である。これは、二酸化炭素が流体ハンドリング構造１２の外側の干渉計と干渉することがあるからである。記載のように流量を配置構成することによって、流体ハンドリング構造１２から流出する二酸化炭素の損失を低減又は防止することができる。二酸化炭素の閉じ込めを所望通りに向上させることができる。

[00127] ガスナイフ内にＣＯ_２を使用する場合は、ガスフロー中の不均一さによるフローの変動の結果、ＣＯ_２ではないガス（例えば空気）が流体ハンドリング構造１２の外側の大気からフローに混入し、その後、開口５０に達することがある。これは望ましくないことがある。

[00128] 二酸化炭素がガス供給口６１から供給される場合は、抽出口２１０とガス供給口６１との間の距離は少なくとも１又は２ｍｍ、又は１．０ｍｍ〜４．０ｍｍの範囲内、望ましくは２ｍｍ〜３ｍｍの範囲内である。設計上の原則は作動距離の４倍プラス０．２〜０．５ｍｍである。これは流体ハンドリング構造１２の外側のガス（例えば抽出口２１０の軽方向外側の空気）がメニスカス３２０の近傍の二酸化炭素と混合することを防止するために効果的に役立つ。

[00129] ある実施形態では、液体を例えば液滴の形態で対抗面から除去する際の抽出口２１０の効果は、ガス供給口６１からのしきい値距離の拡大と共に低減する。所望の動作条件での液滴除去のためのしきい値距離は抽出口２１０とガス供給口６１との間の所望距離未満であってもよい。ガス供給口６１から流出するガスとして二酸化炭素を使用する場合、流体閉じ込め構造１２の下面の溝２２０（図７では単に明快にするために少数だけが示されている）を使用することが有利であるが、それは溝２２０が液滴除去のためにガス供給口６１と抽出口２１０とのしきい値距離を延ばすのに役立つからである。したがって、溝２００は外側の抽出器を経て有効な二酸化炭素ガスの除去、及び液滴除去を達成することを助ける。

[00130] 上記実施形態はメニスカスピニングフィーチャを囲む１つの線形アレイのガス供給口６１だけが存在する場合について記載されてきた。しかし、第１の複数のガス供給口６１を少なくとも部分的に囲む第２の（又はそれ以上の）複数のガス供給口６１が線形アレイで配置されている場合も本発明の実施形態を等しく適用することができる。この配置は、２つのスリット状ガスナイフの代わりに上述のような複数の個別ガス供給口を使用すること以外は、参照により全体を本明細書に組み込むものとする米国特許出願公開ＵＳ２０１１−００９０４７２号に記載されている配置と同様のものでよい。このことは、流体ハンドリングシステム１２と対抗面とのあいだで特に急速な相対移動が行われる場合に有利であり得る。このようなより急速な相対速度は、現在の工業規格である３００ｍｍ以上の直径を有する基板、例えば直径が４５０ｍｍの基板を露光するリソグラフィ装置で使用し得る。

[00131] メニスカスピニングフィーチャ（例えば開口５０又は抽出器７０）によってピニングされるメニスカス３２０の安定性を高めることが望ましい。メニスカスが不安定だと液体損失と液滴の発生を引き起こすことがあり、それによって後述のように泡が含まれることがあり、又は後述のようにメニスカス３２０に気泡が含まれることがある。

[00132] 例えばスキャン方向６０１への流体ハンドリング構造の移動中、メニスカス６００は前縁部、特の前縁部のコーナー（低半径部）で図７に示すように開口５０から分離することがある。この離脱は流体ハンドリング構造の幾何形状の結果であることがあり、ＣＯ_２又はその他の溶解度が高いガスがガス供給口６１から供給されてもされなくても、又、更にはガス供給口６１、抽出口２１０、及び液浸流体供給口１８０があってもなくても生じることがある。メニスカス６００は開口５０の幾つかから分離することがある。開口５０は図７に示すように円形でもよく、例えば図８に示すように、コーナーの先端に位置するスロット状開講を有する略四角形でもよい。メニスカス６００はコーナーのスロット５０ａ、並びに１つ又は複数の近接する開口５０から離脱し得る。

[00133] 支えられていない長いメニスカス６００の離脱及び発生は、それによって空間１１から液体が損失することがあるので問題になることがある。その結果、液滴が発生することがある。メニスカス３２０と液滴、例えば空間１１から漏れ出した液体の液滴とが衝突すると、気泡が空間１１に含まれることがある。泡が空間１１に含まれると、気泡が結像誤差を生ずることがあるので悪影響を及ぼすことがある。代替的に又は追加的に、メニスカスが開口５０、５０ａに戻る際にメニスカスの長さ故にメニスカス６００に気泡が含まれることがある。したがって、メニスカス３２０が隣接する開口５０から分離する公算を減らすことが望ましい。

[00134] ２０１１年７月１１日に出願された米国特許出願第６１／５０６，４４２号では、複数のガス供給口６１（及び抽出口２１０）が同様のサイズ（互いに５％以内）であり、隣接の開口間に実質的に一定のピッチを有するものとして記載されている。本発明の実施形態では、メニスカスピニングフィーチャでのメニスカス３２０の安定性はメニスカス安定化デバイスによって（特にコーナーで）安定化される。ある実施形態では、メニスカス安定化デバイスは、空間１１の周辺（例えば周囲）での変化（例えばピッチの変動、開口サイズの変動、フィーチャ間の距離の変動、フィーチャ数の変動などの形態の非対称性）である。この変動はガス供給口６１、抽出口２１０、及び液浸流体供給口１８０の少なくとも１つに適用することができる。変動は特に、そうしないとメニスカス３２０の安定性が損なわれることがある区域の周囲で行われる。しかし、その他の周辺位置、例えばギャップとメニスカピニングフィーチャとが互いに平行な方向、又は平行に近い方向に延びる基板と基板テーブル（又は基板テーブル又は別のテーブル上の別のオブジェクト）間で対抗面のギャップを横切る周辺区域でメニスカス３２０の安定性を高める措置を講じる必要があることがある。

[00135] メニスカスが開口５０から分離する位置でメニスカス６００に加わる経方向内側への力を軽減する措置を講ずることができる。基本的に、液浸流体供給口１８０から不安定なメニスカス６００への液浸液を増加することが、メニスカス６００が開口５０から分離する公算を減らすことに役立つ。追加的に又は代替的に、不安定なメニスカス６００の方向へのガスの流速を低下させることがそのことに役立つ。ガスの流速の低下は幾つかの方法によって達成可能である。図８〜図１１に４つの方法が示されている。これらは全てガス供給口６１の幾何形状の変動に関わるものである。しかし、以下に記載のように、抽出口２１０に対抗措置を講じても同じ効果を達成し得る。

[00136] 図８では、ガス供給口６１の開口寸法（例えば直径）はほぼ一定であるが、ガス供給口６１のピッチ（隣接する開口間の距離）は不安定なメニスカス６００の近傍区域で変化する。すなわち、ガス供給口６１は別の区域（高半径部に対応する周囲の区域）ではほぼ一定のピッチを有している。コーナー（低半径部）ではピッチが拡大される。したがって、空間１１の周囲のメートル長さ当たりの開口面積は変動されている。これは単位長さ当たりの開口の数を変動することによって達成される。（例えば各開口６１が開口の上流側の共通のチャンバ又はチャネル又はマニホールドを共用するように配置することによって）各々の開口６１が同じ加圧を受ける場合、コーナー（低半径部）でのガス速度は低下し、それによってその位置でのメニスカス６００の安定性が高まる。低半径部に対応する周辺位置で抽出口２１０のピッチを短縮することによって同じ効果を達成し得る。したがって、各抽出口２１０が（例えば共通のチャンバ又はチャネル又はマニホールドに接続されることによって）同じ負圧を受ける場合、低半径部で不安定なメニスカス６００からより多くのガスフローが流出することを予期することができ、それによってメニスカス６００が開口６１から分離する公算が低減する。高半径部に対応する周辺位置に２列のガス供給口６１を設け、低半径部（すなわちコーナー）に対応する周辺位置には１列のガス抽出口６１のみを設けることによって同じ効果を達成できる。これは以下に記載の図１６に示す配置とは逆である。図１６に示す配置は、低半径部に対応する周辺位置での開口の数を減らすために抽出口２１０に適用できる。すなわち、開口のピッチ（及び／又は図９を参照して以下に記載するように面積）を付加的に増減する代わりに、低半径部で開口の数又は列を増減することができる。

[00137] 図９はガス供給口６１のピッチはほぼ一定に保たれているが、低半径部に対応する周辺位置で開口の面積が縮小されている実施形態を示す。したがって、空間１１の周囲のメートル長さ当たりの開口面積は変動されている。これは、開口の幅（例えば直径）を変動することによって達成される。低半径部に対応する周辺位置で抽出口２１０の面積を拡大することによって同じ効果を達成できる。

[00138] ガス供給口６１と抽出口２１０の一方又は両方のピッチの変動及び／又は面積の変動の組合せが可能である。例えば、低半径部でのガス速度を低下させるために以下のうちの１つ以上、すなわちガス供給口６１のピッチの拡大、ガス供給口６１の面積の縮小、ガス抽出口２１０のピッチの縮小、及び／又はガス抽出口２１０のサイズの拡大の１つ以上を実施してもよい。

[00139] 図１０は、スリットの形態の少なくとも１つのガス供給口６１（又は少なくとも１つの抽出口２１０）の場合の空間１１の周囲のメートル長さ当たりの開口面積の変動を以下に実施し得るかを示している。図示の通り、スリットの幅は低半径部に対応する周辺位置（ガス供給口６１の場合）で縮小されている。スリットの形態の抽出口の場合、低半径部に対応する周辺位置でスリット幅が拡大されよう。

[00140] 図８〜図１０を参照して記載した実施形態は全て、空間１１の周囲でガスを供給／抽出できる単位長さ当たりの有効開口面積が変動している。図１１及び図１２を参照して記載した措置に加えてこれらの措置を講じてもよい。

[00141] 追加的に又は代替的に、上述の及び後述の同様の措置を（（例えばメートル長さ当たりの開口面積の拡大など）反対の意味ではあるが）液浸流体供給口１８０の低半径部に対応する経方向位置に講じてもよい。すなわち、変動は高半径部に対応し、低半径部には対応しない周辺位置で変動がなされてもよい。例えば、図８を参照すると、液浸流体供給口１８０のピッチは低半径部に対応する周辺位置で実質的に一定でもよいが、高半径部に対応する周辺位置では変動（例えばほぼ同じ割合で互いに接近させる）してもよい。

[00142] 図１１では、一組の開口１８０、５０、６１、２１０を通る線と、別の組の開口１８０、５０、６１、２１０を通る線との最短の経方向距離が空間の周辺で変動される。開口面積と単位長さ当たりのピッチ数は実質的に一定に保たれる。図１１の実施形態では、メニスカスピニングフィーチャの開口５０を通る線８０１と、ガス供給口６１を通る線との最短経方向距離は低半径部に対応する周辺位置で拡大される。開口５０とガス供給口６１との間の距離が変動されない場合、ガス供給口６１から流出する流量が同じであれば、メニスカス６００の方向に向かうガスの速度は低半径部で低下する。したがって、高半径部Ｄ１での周辺位置の線８０１、８０２間の最短距離Ｄ１は低半径部での周辺位置の線８１０、８０２間の最短距離Ｄ２よりも短い。追加的に又は代替的に、隣接する抽出口２１０を通る線と線８０２との最短距離が高半径部に対応する経方向位置での対応する最短距離よりも長くなるように配置することによって同じ効果を達成できる。

[00143] 低半径部に対応する経方向位置での液浸流体供給口を、高半径部に対応する経方向位置での液浸流体供給口１８０よりも開口５０に近接するように移動することによって同様の効果を達成できる。

[00144] ガス供給口６１からＣＯ_２が供給される場合、図１１の距離Ｄ１は、１．５〜３ｍｍ程度である。Ｄ１とＤ２の長さの変動は１ｍｍ程度でよい。ある実施形態では、Ｄ１とＤ２との変動は少なくとも２０％、望ましくは少なくとも３０％、又は望ましくは４０％以上である。ある実施形態では、Ｄ１とＤ２との変動は１００％未満である。ガス供給口６１から空気が供給される場合は、長さＤ１とＤ２は大幅に短い（１ｍｍ未満）。しかし、距離Ｄ１とＤ２との変動は、ガス供給口６１からＣＯ_２が供給される実施形態と百分比が同じであることが必要である。

[00145] 二酸化炭素がガス供給口６１から供給される場合は、抽出口２１０とガス供給口６との距離は１〜２ｍｍでよい。変動は１ｍｍに及んでもよく、距離Ｄ１、Ｄ２の変動に関する上記の百分比は、ガス供給口６１と抽出口２１０との距離にも該当する。ガス供給口６１から空気が供給される場合は、ガス供給口６１と抽出口２１０とを隔てる距離は１ｍｍ未満であり、距離変動の百分比は上記のとおりである。

[00146] 液浸液供給口１８０とメニスカスピニングフィーチャの開口５０との距離は約２．５ｍｍでよい。１ｍｍ又は更には１．５ｍｍの距離変動を用いることができる。したがって、メニスカスピニングフィーチャの開口５０と液浸流体供給口１８０との距離変動は４０％以上、望ましくは５０％以上、又は望ましくは６０％以上である。変動は２００％未満である。

[00147] ガス供給口６１からＣＯ_２が供給される場合、メニスカスピニングデバイスの開口５０とガス供給口６１と抽出口２１０との距離は、メニスカス３２０の位置でのガス（流体ハンドリングシステムの外側からメニスカス３２０に達することがある）空気に対するＣＯ_２の比率が確実に高くなるようにするため、それ以外の場合よりみも高くてもよい。開口５０及び抽出口２１０から流出する６０リットル／分の流量、及びガス供給口６１から流出する９０リットル／分の流量を使用してもよい。それによってメニスカス３２０における９９．９％のＣＯ_２濃度が生ずる。

[00148] 上記の及び下記の実施形態における変動のタイプは上述の形態に限定されない。例えば、変動は段階的な変化、漸次的な変化、一様に拡大する変化、増分的に拡大する変化などでよい。

[00149] 図１２はそれ自体で、又は図８〜図１１を参照して上述したいずれかの措置との組合せで使用することができる実施形態を示す。図１２では、メニスカス安定化デバイスは流体ハンドリング構造のした面の一部６５０であり、液浸液がそれに対して高半径部に位置する流体ハンドリング構造の下面の一部よりも小さい接触角を有する表面を有している。部分６５０での流体ハンドリング構造の下面の親液性（水の場合は親水性）の性質は、低半径部にある開口５０のあいだにメニスカス３２０が付着した状態を保つために役立つ。部分６５０は低半径部のコーナー又は頂点から３ｍｍ以内、２ｍｍ以内、又は１ｍｍ以内でよい。

[00150] どのような方法で流体ハンドリング構造の下面を親液性にしてもよい。例えば、区域６５０を例えば粗さを他の区域よりも少なくし、すなわちより平滑にするように表面処理を施して親液性にしてもよい。追加的に又は代替的に、例えば下面に塗布される層、又は接着されるシールの形態で区域６５０にコーティングを施してもよい。ある実施形態では、追加的に又は代替的に、流体ハンドリング構造の下面の、低半径部の開口５０にある部分６５０と反対の開口５０とガス供給口６１との間に疎液性（水の場合は疎水性）の性質を与えてもよい。これは低半径部での開口５０間にメニスカス３２０が付着した状態を保つのに役立つ。疎液性の表面は低半径部のコーナー又は頂点から３ｍｍ以内、２ｍｍ以内、又は１ｍｍ以内でよい。

[00151] ある実施形態では、追加的に又は代替的に、流体ハンドリング構造は、液浸流体供給口１８０、開口５０、ガス供給口６１及び抽出口２１０の１つ又は全てを含む存在する開口から流体を供給し、及び／又は回収するように構成された流体供給及び／又は回収システム５００を有している。システムは周辺位置に応じて異なる流速で流体を供給／回収するように構成されている。例えば、以下の条件、すなわち液浸流体供給口１８０から流出する液浸流体の拡大された流量、ガス供給口６１から流出する低減された流量、及び／又は抽出口２１０への拡大された流量の少なくとも１つを高半径部と比較した低半径部に対応する経方向位置で適用してもよい。したがって、流体供給及び／又は回収システム５００は、低半径部に対応する経方向位置で異なる流量で流体を供給／回収する。

[00152] 高半径部又は低半径部に対応する半径方向位置の全ての位置で、複数のガス供給口６１は同様の、例えば同じサイズである。ある実施形態では、ガス供給口６１は所定サイズの例えば５％のような百分比内にある。ある実施形態では、複数のガス供給口６１は線に沿って周期的パターンで配置される。例えば、ガス供給口は、各々の穴の間に異なるギャップを有する反復する一連の穴、例えば密な離隔間隔の２つの穴の後にギャップが入り、次に、密な離隔間隔の２つの穴の後にギャップが入るなどの構成で配置される。ある実施形態では、複数のガス供給口６１は等間隔で離間されている。

[00153] 液浸流体供給口１８０と抽出口２１０とは、複数のガス供給口６１の特徴に関して上述したように、高半径部又は低半径部に対応する半径方向位置で複数のガス供給口６１と同様の特性を有してもよい。

[00154] 図８及び図９に関連して記載したような実施形態では、ガス供給口６１の断面寸法は円形開口又は同等の開口面積（７．８×１０^−９ｍ^２）の場合、直径が１００μｍ〜２００μｍの範囲、望ましくは直径が約１００μｍであってもよい。隣接するガス供給口６１の中心間の距離、又は隣接するガス供給口６１のピッチは、２００〜４００μｍの間、望ましくは２００〜３００μｍの間であってもよい。このような値は、メートル長さ当たり１０．０×１０^−５ｍ^２以下の、望ましくはメートル長さ当たり６．０×１０^−５ｍ^２以下の、又は望ましくは４．０×１０^−５ｍ^２以下の、又は望ましくは３．５×１０^−５ｍ^２以下の開口面積をもたらす。開口のピッチを拡大し、又は開口のサイズを縮小することによって、高半径部又は低半径部の他方での開口面積の変文は望ましくは少なくとも１０％、望ましくは少なくとも１５％、望ましくは少なくとも２０％、又は望ましくは少なくとも３０％である。開口の平均サイズでの少なくとも５％の、望ましくは少なくとも１０％の、又は少なくとも１５又は２０％の変動がある。この程度の大きさの変動を行う結果、開口５０間に延在するメニスカス３２０に加わる力が大幅に低減し、しかも変動が加えられるポイントでのガス供給口６１の機能性が保たれる。単位長さ当たりの開口面積などのガス供給口のこのような寸法の変動は供給される二酸化炭素ガス及び／又は液浸液も閉じ込めを所望の通りに向上させる。

[00155] 抽出口２１０に変動がある場合は、この変動はガス供給口６１に関して上述した大きさと同様の、又は同一の変動であるものとする。標準の抽出口２１０のサイズは上述の通りガス供給口６１のサイズと同様である。

[00156] 液浸流体供給口１８０の変動がある場合は、この変動はガス供給口６１に関して上述した大きさと同様の変動であるものとする。

[00157] 図１０に示したような実施形態でスリット状開口の幅が変動する場合は、スリット幅はガス供給口６１に関して上述した百分比だけ変動するものとする。

[00158] 図１３は、メニスカスピニングフィーチャの開口５０とガス供給口６１だけが存在する配置を示している。すなわち、スロット状開口５０ａは存在しない。上述のように、メニスカス６００はコーナースロット５０ａ並びに１つ又は複数の隣接する開口５０から分離することがある。実質的に等しいサイズの開口５０を有し、スロット状開口５０ａを有していないメニスカスピニングフィーチャを使用する際は、メニスカスはメニスカスピニングフィーチャから分離する公算は少ないであろう。しかし、メニスカスが分離するリスクは依然としてある。点線９０１は低半径部を示し、実線９０２は高半径部を示す。線９０５は低半径部９０１の大まかな範囲を示す。物質移動が接線方向で制約されるので、物質は半径方向のみに移動可能であると想定した計算がなされた。その結果得られた図１４は、（開口５０及びガス供給口６１の符号を付した）ｘ軸と、ｙ軸上の（半径方向の）ガス速度とをグラフで示している。実線は高半径部の結果を示し、点線は低半径部の結果を示している。図示の通り、単位長さ当たりの相対的なフローは高半径部と低半径部で異なっている。

[00159] ガスの平均速度はメニスカスピニングフィーチャの周囲で同様であることが最適であろう。これは、特定の流体供給／回収システムを使用して空間１１の周囲のガス供給口６１及び（存在する場合は）抽出口２１０から流出するフローを変化させることによって達成可能であろう。追加的に又は代替的に、メニスカスピニングフィーチャ、ガス供給口６１、及び抽出口５０の開口面積の変動及び／又は相互間の距離の変動によって同じ効果、又は同様の効果を達成できる。

[00160] 可能な変動のタイプは図８〜図１１に示したタイプ、及び上述のタイプと同一である。

[00161] 以下のような別の変動も可能である。すなわち、低半径部に対応する位置でガス供給口６１のピッチを縮小する（図１５）、又は例えばコーナーに関連する２列の開口を有するガス供給口６１の数を拡大する（図１６）、又はガス供給口６１のサイズ、すなわち単位長さ当たりの断面積を拡大する（図１７）、又は低半径部にあるスリットの形態のガス供給口６１の幅を拡大する（図１９）、又は低半径部での線形アレイのガス供給口６１とメニスカスピニングフィーチャの間の大胆距離を短縮する（図２１）。これらの変動は、図１５、図１６、図１７、図１９及び図２１に示されている。それが存在する場合、抽出口２１０については（ガス供給口６１の変更に加えて、又は代替的に）変更を逆にすることができる。図８〜図１１の実施形態を参照して記載したものと同じ効果を達成するには、図示した低半径部ではなく高半径部にこれらの変動を加えることができる。更に、これらの配置は、図１３に示すようにコーナースロット５０ａを有していないメニスカスピニングフィーチャ内の開口５０を有することができる。

[00162] 図１８及び図２０は、ある相違点を除いて図１４に示したグラフを作成するために用いられたものと同じ計算から導き出されたグラフである。図１８の場合は、抽出口２１０は、余剰ガスを除去するために直径が１５０μｍに拡大される低半径部を除いて１００μｍの直径を有している。図２０の場合は、図１９に示されるようなスリット状ガスナイフが使用され、その幅は高半径部で３５μｍであり、低半径部（すなわちコーナー）ではコーナーでのガスフローを低減するため５０μｍである。これらの結果は、コーナーでのガスの流速の向上と、達成可能な一種の効果とを示している。

[00163] 図１５〜図２１の実施形態の変動量は、（逆方向であるが）図８〜図１１の実施形態に関連して上述した変動量と同じであってもよい。

[00164] 図８〜図１１の実施形態はこれらのグループ（例えば図８〜図１１及び図１５〜図２１）の他のいずれかの実施形態と同様に図１５〜図２１の実施形態と正反対であるように見えるが、これらの二組の実施形態を１つの流体ハンドリング構造で組み合わせてもよい。すなわち、メニスカスピニングフィーチャの周囲に異なる区域、すなわち逆の変更（例えば低半径部では図８〜図１１の変動を施し、高半径部では図１５〜図１７、図１９、及び図２１の変動を施す）により利点が得られることになる異なる問題点があるメニスカスピニングフィーチャの長さ又は部分があってもよい。

[00165] これまで変動は高半径部及び／又は低半径部で行われるものと記載してきたが、これは必ずしもそうでなくてもよく、変動がどこで行われるかを判断する別の判断基準を適用することもできる。上述のように、その一例として、基板のスキャン中に前縁部又は後縁部がそこを通過する細長いギャップと実質的に同一面にある縁部を有する流体ハンドリング構造の前縁部又は後縁部がある。

[00166] 追加的に又は代替的に、メニスカスピニングフィーチャの同じ周辺位置で両方の問題が生じる場合は、変動の組合せを選択することによってこれらの両方の問題に対処することもできる。例えば、低半径部のガス供給口の面積を拡大し、同時に低半径部のこれらのガス供給口６１をメニスカスピニングフィーチャの開口５０から更に離れるように移動することが可能である（図１７と図１１のそれぞれの実施形態の組合せ）。例えば、同じ実施形態で液浸液供給口１８０と開口５０との間の距離を短縮し、ガス供給口６１と開口５０との距離を短縮することができる。

[00167] 図２２及び図２３は、メニスカスピニングフィーチャの隣接する開口５０の間に延在するメニスカス３２０を安定化させるために講じられる更に別の措置を示している。この実施形態はそれ自体で実装されてもよく、又は実施形態のいずれかの組合せを含む他のいずれかの実施形態と組み合わせてもよい。この実施形態では、メニスカスピニングデバイス１０００は流体ハンドリング構造の下面にあり、少なくとも２つの開口５０から延在する。メニスカスピニングデバイス１０００は、望ましくは１つの開口から隣接する開口の中心部に延在する。例えば、メニスカスピニングフィーチャは開口５０の直径の中心から５０％以内、望ましくは中心から４０％以内、又は更には３０％以内で開口５０と接触する。開口１８０、６１及び２１０は任意選択であり、いずれかの組合せで存在してもよい。開口６１、１８０及び２１０は本明細書の別の個所で記載して機能と同じ機能を有しているもよい。開口６１は１つのスリット状開口であってもよい。開口６１、１８０及び２１０は存在してもしなくてもよく、又いずれかの組合せで存在してもよい。

[00168] メニスカスピニングデバイス１０００は、どの種類のメニスカスピニングデバイス１０００であってもよい。望ましくは、メニスカスピニングフィーチャは、移動部品又は流体のフローを供給する必要がないという点で受動的メニスカスピニングフィーチャである。図２２の例では、メニスカスピニングデバイス１０００は表面特性に段階的変化、例えば区域１００１から１００２への粗さの変化及び／又は区域１００１と２００１との間で液浸液と流体ハンドリング構造の下面との間の異なる接触角を生ずる表面特性の変化を含んでいる。

[00169] 図２３では、メニスカスピニングデバイス１０００は、縁部１０１２によって形成される。望ましくは、縁部１０１２は、使用時に流体ハンドリング構造の下面の半径方向外側部分が流体ハンドリング構造の半径方向内側の下面よりも対向面（例えば基板Ｗ）に近いような縁部である。このように、半径方向内側の、したがって空間１１内の液体に直面する各開口の開口面積は、（平均して開口の直径の半分が湿潤であるものと想定すると）ガスに開かれた開口の面積よりも大きい。

[00170] 縁部の高さは例えば約３０ミクロン、例えば１０〜５０ミクロンの間である。

[00171] 縁部は、実際には図示のように溝又は凹部又は溝１０２０であってもよい。溝１０２０は、望ましくは、ガスに対するよりも液体に対する開口５０の開口面積が大きいという利点があるように、複数の開口５０の半径方向内側に延在する。

[00172] メニスカスピニングフィーチャ１０００を隣接する開口５０の間に設けることによって、メニスカス３２０が真っ直ぐになり、それによって開口５０への液体のフローが平滑になる。その結果、メニスカスがより安定化し、それによって欠陥性が低下する。それによってスキャン速度が高まる可能性が増す。

[00173] 上記フィーチャのいずれかを任意の他のフィーチャと共に使用することができ、本出願に記載する明示された組合せのみではないことを理解されたい。例えば、本発明の実施形態を図２〜図４の実施形態に適用することができる。

[00174] 本文ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることを理解されたい。例えば、これは、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用誘導及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの製造である。こうした代替的な用途に照らして、本明細書で「ウェーハ」又は「ダイ」という用語を使用している場合、それぞれ、「基板」又は「ターゲット部分」というより一般的な用語と同義と見なしてよいことが、当業者には認識される。本明細書に述べている基板は、露光前又は露光後に、例えばトラック（通常はレジストの層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール）、メトロロジーツール及び／又はインスペクションツールで処理することができる。適宜、本明細書の開示は、上記及びその他の基板処理ツールに適用することができる。更に、基板は、例えば多層ＩＣを生成するために、複数回処理することができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み層を含む基板も指すことができる。

[00175] 本明細書で使用する「放射」及び「ビーム」という用語は、紫外線（ＵＶ）放射（例えば、３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ若しくは１２６ｎｍ、又はこれら辺りの波長を有する）を含むあらゆるタイプの電磁放射を網羅する。「レンズ」という用語は、状況が許せば、屈折及び反射光学コンポーネントを含む様々なタイプの光学コンポーネントのいずれか一つ、又はその組合せを指す。

[00176] 以上、本発明の特定の実施形態を説明したが、説明とは異なる方法でも本発明を実践できることが理解される。例えば、本発明の実施形態は、上記で開示したような方法を述べる機械読み取り式命令の１つ又は複数のシーケンスを含むコンピュータプログラム、又はこのようなコンピュータプログラムを内部に記憶したデータ記憶媒体（例えば半導体メモリ、磁気又は光ディスク）の形態をとることができる。更に機械読み取り式命令は、２つ以上のコンピュータプログラムで実現することができる。２つ以上のコンピュータプログラムを、１つ又は複数の異なるメモリ及び／又はデータ記憶媒体に記憶することができる。

[00177] 本発明は、直径が３００ｍｍ、４５０ｍｍ又はその他の任意のサイズの基板に適用し得る。

[00178] １つ又は複数のコンピュータプログラムがリソグラフィ装置の少なくとも１つのコンポーネント内にある１つ又は複数のコンピュータプロセッサによって読み出されるときに、本明細書に記載するあらゆるコントローラは各々、又は組み合わせて動作可能になる。コントローラは各々、又は組み合わせて、信号を受信、処理、送信するのに適した任意の構成を有する。１つ又は複数のプロセッサは、コントローラの少なくとも１つと通信するように構成されている。例えば、各コントローラは、上記方法のための機械読み取り式命令を含むコンピュータプログラムを実行する１つ又は複数のプロセッサを含むことができる。コントローラは、そのようなコンピュータプログラムを記憶するデータ記憶媒体及び／又はそのような媒体を収容するハードウェアを含むことができる。したがって、コントローラは、１つ又は複数のコンピュータプログラムの機械読み取り式命令に従って動作することができる。

[00179] 本発明の１つ又は複数の実施形態は、任意の液浸リソグラフィ装置に、特に、液浸液が槽の形態で提供されるか、基板の局所的な表面領域のみに提供されるか、又は閉じ込められないかにかかわらず、上述したタイプに適用することができるが、それに限定されない。閉じ込められない構成では、液浸液は基板及び／又は基板テーブルの表面上に流れることができ、したがって実質的に基板テーブル及び／又は基板の覆われていない表面全体が濡れる。このように閉じ込められていない液浸システムでは、液体供給システムが液浸液を閉じ込めることができない、又はある割合の液浸液閉じ込めを提供することができるが、実質的に液浸液の閉じ込めを完成しない。

[00180] 本明細書で想定するような液体供給システムは、広義に解釈されたい。特定の実施形態では、これは、液体を投影システムと基板及び／又は基板テーブルの間の空間に提供する機構又は構造の組合せでよい。これは、１つ又は複数の構造、１つ又は複数の液体開口を含む１つ又は複数の流体開口、１つ又は複数の気体開口あるいは１つ又は複数の２相流用の開口の組合せを含んでもよい。これらの開口は、各々、液浸空間への入口（又は流体ハンドリング構造からの出口）あるいは液浸空間からの出口（又は流体ハンドリング構造への入口）であってもよい。ある実施形態では、空間の表面が基板及び／又は基板テーブルの一部でよいか、空間の表面が基板及び／又は基板テーブルの表面を完全に覆ってよいか、又は空間が基板及び／又は基板テーブルを囲んでもよい。液体供給システムは任意選択で、液体の位置、量、品質、形状、流量又は任意の他の特徴を制御する１つ又は複数の要素を更に含むことができる。

[00181] ある実施形態では、リソグラフィ装置は、投影システムの露光側に位置する２つ以上のテーブルを備え、各テーブルが１つ又は複数のオブジェクトを備え、及び／又は保持する多段装置である。ある実施形態では、１つ又は複数のテーブルは放射感応性基板である。ある実施形態では、１つ又は複数のテーブルは、投影システムからの放射を測定するセンサを保持してもよい。ある実施形態では、多段装置は放射感応性基板を保持するように構成された第１のテーブル（すなわち、基板テーブル）と、放射感応性基板を保持するように構成されていない第２のテーブル（以下では限定的にではなく一般に測定及び／又は洗浄テーブルと呼ばれる）とを備えている。第２のテーブルは放射感応性基板以外の１つ又は複数のオブジェクトを備え、及び／又はこれを保持してもよい。このような１つ又は複数のオブジェクトは以下から選択された１つ又は複数のオブジェクト、すなわち投影システムからの放射を測定するセンサ、１つ又は複数のアライメントマーク、及び／又は（例えば液体と機米構造を洗浄するための）洗浄デバイスを含んでもよい。

[00182] ある実施形態では、リソグラフィ装置は装置のコンポーネントの位置、速度などを測定するエンコーダシステムを備えていてもよい。ある実施形態では、コンポーネントは基板テーブルを含んでいる。ある実施形態では、コンポーネントは測定及び／又は洗浄テーブルを含んでいる。エンコーダシステムは本明細書に記載のテーブル用の干渉計システムの追加、又はその代替であってもよい。エンコーダシステムは、センサ、トランスデューサ、又は目盛又はグリッドを有する例えば１対の関連する読み取りヘッドを備えている。ある実施形態では、可動コンポーネント（例えば基板テーブル及び／又は測定及び／又は洗浄テーブル）は１つ又は複数の目盛又はグリッドと、コンポーネントがそれに対して移動するリソグラフィ装置のフレームは１つ又は複数のセンサ、トランスデューサ、又は読み取りヘッドを有している。１つ又は複数のセンサ、トランスデューサ、又は読み取りヘッドは、１つ又は複数の目盛又は１つ又は複数のグリッドと連係してコンポーネントの位置、速度などを判定する。ある実施形態では、コンポーネントがそれに対して移動するリソグラフィ装置のフレームは１つ又は複数の目盛又はグリッドを有し、可動コンポーネント（例えば基板テーブル及び／又は測定及び／又は洗浄テーブル）は１つ又は複数の目盛又は１つ又は複数のグリッドと連係してコンポーネントの位置、速度などを判定する１つ又は複数のセンサ、トランスデューサ、又は読み取りヘッドを有している。

[00183] ある実施形態では、リソグラフィ装置は、メッシュ又は同様の多孔質材料で覆われた入口を有する液体除去デバイス（又はメニスカスピニングフィーチャ）を有する液体閉じ込め構造を備えている。メッシュ又は同様の多孔質材料は、投影システムの最終要素と可動テーブル（例えば基板テーブル）との間の空間で液浸液と接触する二次元配列の穴を備えている。ある実施形態では、メッシュ又は同様の多孔質材料はハニカムメッシュ又はその他の多角形メッシュを含んでいる。ある実施形態では、メッシュ又は同様の多孔質材料はリソグラフィ装置の投影システムの画像フィールドの周囲全体に延在する。ある実施形態では、メッシュ又は同様の多孔質材料は液体閉じ込め構造の底面に位置し、テーブルの方向に面する表面を有している。ある実施形態では、メッシュ又は同様の多孔質材料は、テーブルの上面と全体的に平行な底面の少なくとも一部を有している。

[00184] 上記の説明は例示的であり、限定的ではない。それ故、添付の特許請求の範囲から逸脱することなく、記載されたような本発明を変更できることが当業者には明白である。

[00185]
１．リソグラフィ装置用の流体ハンドリング構造であって、該流体ハンドリング構造の外側の領域に液浸流体を封じ込めるように構成された空間の境界部に、
前記空間から半径方向外側への液浸流体の通過に抵抗するメニスカスピニングフィーチャと、
前記メニスカスピニングフィーチャを少なくとも部分的に囲み、前記メニスカスピニングフィーチャの半径方向外側にあるガス供給口と、
任意選択として前記ガス供給口の半径方向外側のガス回収口と、
を有し、
前記ガス供給口、前記ガス回収口、又はガス供給口とガス回収口の両方は、前記空間の周囲で変動するメートル長さ当たりの開口面積を有する、流体ハンドリング構造。
２．前記変動は、開口の幅を変更することによって少なくとも部分的に達成される、条項１に記載の流体ハンドリング構造。
３．前記変動は、単位周囲長さ当たりの開口の数を変更することによって少なくとも部分的に達成される、条項１又は２に記載の流体ハンドリング構造。
４．前記ガス供給口は、線形アレイの複数のガス供給口を含み、及び／又は前記ガス回収口は、線形アレイの複数のガス回収口を備える、条項１〜３に記載の流体ハンドリング構造。
５．前記変動は、隣接する開口間のピッチを変更することによって、任意選択として単位周囲長さ当たりの開口の数を変更することによって少なくとも部分的に達成される、条項１〜４に記載の流体ハンドリング構造。
６．前記変動は、開口列の数を変更することによって、任意選択として単位周囲長さ当たりの開口の数を変更することによって、少なくとも部分的に達成される、条項１〜５に記載の流体ハンドリング構造。
７．前記開口面積の変動は、開口の平均サイズの少なくとも５％、少なくとも１０％、少なくとも１５％、又は少なくとも２０％の開口サイズの変動である、条項１〜６のいずれかに記載の流体ハンドリング構造。
８．前記開口面積の変動は、少なくとも１０％、少なくとも１５％、少なくとも２０％、又は少なくとも３０％の変動である、条項１〜６のいずれかに記載の流体ハンドリング構造。
９．前記メニスカスピニングフィーチャが平面図で見て、コーナーに第１の曲率半径を有する低半径部と、前記第１の曲率半径よりも高い第２の曲率半径を有する前記コーナーから離間した高半径部とを有するコーナーのある形状を有し、開口面積の前記変動は、低半径部に対応する半径方向位置と高半径部に対応する半径方向位置との間で行われる、条項１〜８のいずれかに記載の流体ハンドリング構造。
１０．前記開口面積の変動は、前記低半径部での拡大である、条項９に記載の流体ハンドリング構造。
１１．前記開口面積の変動は、前記低半径部での縮小である、条項９に記載の流体ハンドリング構造。

１２．任意選択として前記メニスカスピニングフィーチャの半径方向内側の液浸流体供給口を更に備え、
以下、すなわち、
（ｉ）前記液浸流体供給口を通る線と前記メニスカスピニングフィーチャを通る線、
（ｉｉ）前記メニスカスピニングフィーチャを通る線と前記ガス供給口を通る線、及び／又は
（ｉｉｉ）前記ガス供給口を通る線とガス回収口を通る線
から選択された少なくとも１つの線の間の間隔が、前記空間の周囲で変動する、条項１〜１１のいずれかに記載の流体ハンドリング構造。
１３．前記メニスカスピニングフィーチャは、平面図で見て、コーナーに第１の曲率半径を有する低半径部と、前記第１の曲率半径よりも高い第２の曲率半径を有する前記コーナーから離間した高半径部とを有するコーナーのある形状を有し、
前記距離の変動は、低半径部に対応する半径方向位置と高半径部に対応する半径方向位置との間で行われる、条項１２に記載の流体ハンドリング構造。
１４．前記距離の変動は、低半径部での拡大である、条項１３に記載の流体ハンドリング構造。
１５．前記距離の変動は、低半径部での縮小である、条項１３に記載の流体ハンドリング構造。
１６．リソグラフィ装置用の流体ハンドリング構造であって、前記流体ハンドリング構造の外側の領域に液浸液を封じ込めるように構成された空間の境界部に、
前記空間から半径方向外側への液浸流体の通過に抵抗するメニスカスピニングフィーチャと、
前記メニスカスピニングフィーチャを少なくとも部分的に囲み、前記メニスカスピニングフィーチャの半径方向外側にあるガス供給口と、
任意選択として、（ａ）前記ガス供給口の半径方向外側のガス回収口、及び／又は（ｂ）前記メニスカスピニングフィーチャの半径方向内側の液浸流体供給口の一方又は両方と、
を有し、以下、すなわち、
（ｉ）前記液浸流体供給口を通る線と前記メニスカスピニングフィーチャを通る線、
（ｉｉ）前記メニスカスピニングフィーチャを通る線と前記ガス供給口を通る線、及び／又は、
（ｉｉｉ）前記ガス供給口を通る線と前記ガス回収口を通る線
から選択された少なくとも１つの線の間の間隔が、前記空間の周囲で変動する、流体ハンドリング構造。
１７．前記メニスカスピニングフィーチャが平面図で見て、コーナーに第１の曲率半径を有する低半径部と、前記第１の曲率半径よりも高い第２の曲率半径を有する前記コーナーから離間した高半径部とを有するコーナーのある形状を有する、条項１６に記載の流体ハンドリング構造。
１８．前記距離の変動は、拡大である、条項１７に記載の流体ハンドリング構造。
１９．前記距離の変動は、縮小である、条項１７に記載の流体ハンドリング構造。
２０．複数のガス供給口の各々に同じ圧力でガスを供給するように構成されたガス供給源を更に備える、条項１〜１９のいずれかに記載の流体ハンドリング構造。
２１．複数のガス回収口の各々に同じ負圧をかけるように構成されたガス回収システムを更に備える、条項１〜２０のいずれかに記載の流体ハンドリング構造。
２２．前記距離の変動は、最短距離の少なくとも２０％、少なくとも３０％、少なくとも４０％、又は少なくとも５０％である、条項１６〜２１のいずれかに記載の流体ハンドリング構造。
２３． リソグラフィ装置用の流体ハンドリング構造であって、前記流体ハンドリング構造の外側の領域に液浸流体を封じ込めるように構成された空間の境界部に、
前記空間から半径方向外側への液浸流体の通過に抵抗するメニスカスピニングフィーチャを有し、
前記メニスカスピニングフィーチャは、平面図で見てコーナーに第１の曲率半径を有する低半径部と、前記第１の曲率半径よりも高い第２の曲率半径を有するコーナーから離間した高半径部とを有するコーナーのある形状を有し、前記低半径部の領域での流体ハンドリング構造と液浸液との接触角は、前記高半径部の領域での前記流体ハンドリング構造と液浸液との接触角よりも小さい、流体ハンドリング構造。
２４．リソグラフィ装置用の流体ハンドリング構造であって、前記流体ハンドリング構造の外側の領域に液浸流体を封じ込めるように構成された空間の境界部に、
前記空間から半径方向外側への液浸流体の通過に抵抗するメニスカスピニングフィーチャを有し、
任意選択として以下から、すなわち
（ａ）前記メニスカスピニングフィーチャを少なくとも部分的に囲み、前記メニスカスピニングフィーチャの半径方向外側にあるガス供給口、
（ｂ）前記ガス供給口の半径方向外側のガス回収口、及び／又は
（ｃ）前記メニスカスピニングフィーチャの半径方向内側の液浸液供給口
から選択された少なくとも１つの開口を有し、
前記メニスカスピニングフィーチャ平面図で見てコーナーに第１の曲率半径を有する低半径部と、前記第１の曲率半径よりも高い第２の曲率半径を有するコーナーから離間した高半径部とを有するコーナーのある形状を有し、
以下から、すなわち（ａ）前記ガス供給口、（ｂ）前記メニスカスピニングフィーチャ、（ｃ）少前記ガス回収口、及び／又は（ｄ）前記液浸液供給口
から選択された少なくとも１つの開口に、または開口から前記低半径部に対応する周辺位置よりも前記高半径部に対応する周辺位置で異なる流速で流体を供給し、及び／又は回収するように構成された流体供給及び／又は回収システムを有する、流体ハンドリング構造。
２５．前記メニスカスピニングフィーチャは、線形アレイの複数の開口を設ける、条項１〜２４のいずれかに記載の流体ハンドリング構造。
２６．前記メニスカスピニングフィーチャは、単相抽出器を備える、条項１〜２４のいずれかに記載の流体ハンドリング構造。
２７．リソグラフィ装置用の流体ハンドリング構造であって、液浸流体を空間に封じ込めるように構成され、その下面に、
前記空間から半径方向外側方向への液浸流体の通過に抵抗する前記空間を少なくとも部分的に囲む複数の流体回収口と、
前記複数の流体回収口のうちの少なくとも２つの間に延在するメニスカスピニングデバイスと、
を有する、流体ハンドリング構造。
２８．前記メニスカスピニングデバイスは、縁部である、条項２７に記載の流体ハンドリング構造。
２９．前記縁部は、前記下面の凹部の縁部である、条項２８に記載の流体ハンドリング構造。
３０．前記凹部は、前記複数の流体回収口の半径方向内側に延在する、条項２９に記載の流体ハンドリング構造。
３１．前記メニスカスピニングデバイスは、少なくとも２つの複数の流体回収口の一方の中心部から前記少なくとも２つの複数の流体回収口の他方の中央部へと延在する、条項２７〜３０のいずれかに記載の流体ハンドリング構造。
３２．液浸リソグラフィ装置であって、
条項１〜３１のいずれかに記載の流体ハンドリング構造を備える装置。
３３．デバイス製造方法であって、
投影システムと基板との間の空間に閉じ込められた液浸液を通してパターニングされた放射ビームを投影するステップと、
ガス供給口を通ってガスを前記液浸液のメニスカスの近傍位置に供給するステップと、
前記ガス供給口を通って前記ガス供給口の半径方向外側のガス回収口を通過するガスを任意選択として回収するステップと、
を含み、
前記ガス供給口、又は前記ガス回収口、又は前記ガス供給口と前記ガス回収口の両方が、前記空間の周囲で変動するメートル長さ当たりの開口面積を有する、デバイス製造方法。
３４．デバイス製造方法であって、
投影システムと基板との間の空間に閉じ込められた液浸液を通してパターニングされた放射ビームを投影するステップと、
ガス供給口を通ってガスを液浸液のメニスカスの近傍位置に供給するステップであって、メニスカスピニングフィーチャによって前記メニスカスの通過が抵抗されるステップと、
任意選択として（ａ）前記ガス供給口の半径方向外側のガス回収口を通って前記ガス供給口を通過するガスを回収するステップ、及び／又は（ｂ）前記メニスカスピニングフィーチャの半径方向内側の液浸流体供給口を通って液浸流体を空間に供給するステップの一方及び両方を含み、以下、すなわち
（ｉ）液浸流体供給口を通る線と前記メニスカスピニングフィーチャを通る線、
（ｉｉ）前記液浸ピニングフィーチャを通る線と前記ガス供給口を通る線、及び／又は
（ｉｉｉ）前記ガス供給口を通る線と前記ガス回収口を通る線
から選択された少なくとも１つの線の間の間隔が前記空間の周囲で変動する、デバイス製造方法。
３５．デバイス製造方法であって、
投影システムと基板との間の空間に閉じ込められた液浸液を通してパターニングされた放射ビームを投影するステップと、
ガス供給口を通ってガスを前記液浸液のメニスカスの近傍位置に供給するステップであって、メニスカスピニングフィーチャによって前記メニスカスの通過が抵抗されるステップと、
を含み、
前記メニスカスピニングフィーチャが平面図で見てコーナーに第１の曲率半径を有する低半径部と、前記第１の曲率半径よりも高い第２の曲率半径を有するコーナーから離間した高半径部とを有するコーナーのある形状を有し、
前記低半径部の領域での前記流体ハンドリング構造と液浸液との接触角は、前記高半径部の領域での前記流体ハンドリング構造と液浸液との接触角よりも小さい、デバイス製造方法。
３６．デバイス製造方法であって、
投影システムと基板との間の空間にメニスカスピニングフィーチャによって閉じ込められた液浸液を通してパターニングされた放射ビームを投影するステップと、
任意選択として以下、すなわち（ａ）前記メニスカスピニングフィーチャの半径方向外側のガス供給口を通ってガスを供給するステップ、（ｂ）前記ガス供給口の半径方向外側のガス回収口を通ってガス供給口を通過するガスを回収するステップ、及び／又は（ｃ）前記メニスカスピニングフィーチャの半径方向内側の液浸流体供給口を通って前記空間に液浸流体を供給するステップから選択された１つ又は複数のステップと、
を含み、
前記メニスカスピニングフィーチャが平面図で見てコーナーに第１の曲率半径を有する低半径部と、前記第１の曲率半径よりも高い第２の曲率半径を有するコーナーから離間した高半径部とを有するコーナーのある形状を有し、
流体が、以下、すなわち（ａ）前記ガス供給口、（ｂ）前記メニスカスピニングフィーチャ、（ｃ）前記ガス回収口、及び／又は（ｄ）前記液浸流体供給口から選択された少なくとも１つの開口に、または開口から前記高半径部に対応する周辺位置で前記低半径部に対応する周辺位置とは異なる流速で流体が供給され、及び／又は回収される、デバイス製造方法。
３７．デバイス製造方法であって、
投影システムと基板との間の空間に閉じ込められた液浸液を通してパターニングされた放射ビームを投影するステップと、
複数の流体回収口の少なくとも２つの間に延在するメニスカスピニングフィーチャと組み合わせて、前記空間から半径方向外側への液体のメニスカスの通過に抵抗する前記空間を少なくとも部分的に囲む複数の流体回収口を通して流体を回収するステップと、
を含むデバイス製造方法。
３８．デバイス製造方法であって、
投影システムと基板との間の空間に閉じ込められた液浸液を通してパターニングされた放射ビームを投影するステップと、
前記空間の周辺で変動する速度でガスを前記空間内の前記液浸液のメニスカスの近傍位置に向けるステップと、
を含むデバイス製造方法。
３９．リソグラフィ装置用の流体ハンドリング構造であって、該流体ハンドリング構造の外側の領域に液浸流体を封じ込めるように構成された空間の、前記流体ハンドリング構造の下面と平行な面に少なくとも１つのコーナーを有する境界部に、
前記空間から半径方向外側への液浸流体の通過に抵抗するメニスカスピニングフィーチャと、
前記コーナーにおける前記メニスカスピニングの安定性を高めるように構成されたメニスカス安定化デバイスと、
を有する流体ハンドリング構造。

Claims (14)

1. リソグラフィ装置用の流体ハンドリング構造であって、該流体ハンドリング構造の外側の領域に液浸流体を封じ込める空間の境界部に、
   前記空間から半径方向外側への液浸流体の通過に抵抗するメニスカスピニングフィーチャを有し、
   前記メニスカスピニングフィーチャを少なくとも部分的に囲み、前記メニスカスピニングフィーチャの半径方向外側にあるガス供給口、及び／又は、
   前記ガス供給口の半径方向外側のガス回収口、を備え、
   前記ガス供給口、前記ガス回収口、又は前記ガス供給口と前記ガス回収口の両方は、前記空間の周囲で変動する単位長さ当たりの開口面積を有する、流体ハンドリング構造。
2. 前記変動は、開口の幅を変更することによって少なくとも部分的に達成される、請求項１に記載の流体ハンドリング構造。
3. 前記変動は、単位長さ当たりの開口の数を変更することによって少なくとも部分的に達成される、請求項１又は２に記載の流体ハンドリング構造。
4. 前記ガス供給口は、線形アレイの複数のガス供給口を備え、及び／又は前記ガス回収口は、線形アレイの複数のガス回収口を備える、請求項１〜３に記載の流体ハンドリング構造。
5. 前記変動は、隣接する開口間のピッチを変更することによって、少なくとも部分的に達成される、請求項１〜４のいずれかに記載の流体ハンドリング構造。
6. 前記変動は、開口列の数を変更することによって、少なくとも部分的に達成される、請求項１〜５のいずれかに記載の流体ハンドリング構造。
7. 前記メニスカスピニングフィーチャの半径方向内側の液浸流体供給口を更に備え、
   （ｉ）前記液浸流体供給口を通る線と前記メニスカスピニングフィーチャを通る線、
   （ｉｉ）前記メニスカスピニングフィーチャを通る線と前記ガス供給口を通る線、及び
   （ｉｉｉ）前記ガス供給口を通る線とガス回収口を通る線
   から選択された少なくとも１つの線の間の間隔が、前記空間の周囲で変動する、請求項１〜６のいずれかに記載の流体ハンドリング構造。
8. 前記メニスカスピニングフィーチャは、平面図で見て、コーナーに第１の曲率半径を有する低半径部と、前記第１の曲率半径よりも高い第２の曲率半径を有する前記コーナーから離間した高半径部とを有するコーナーのある形状を有し、
   前記距離の変動は、低半径部に対応する半径方向位置と高半径部に対応する半径方向位置との間で行われる、請求項７に記載の流体ハンドリング構造。
9. 前記距離の変動は、低半径部での拡大である、請求項８に記載の流体ハンドリング構造。
10. 複数のガス供給口の各々に同じ圧力でガスを供給するガス供給源を更に備える、請求項１〜９のいずれかに記載の流体ハンドリング構造。
11. 複数のガス回収口の各々に同じ負圧をかけるガス回収システムを更に備える、請求項１〜１０のいずれかに記載の流体ハンドリング構造。
12. 前記メニスカスピニングフィーチャは、単相抽出器を備える、請求項１〜１１のいずれかに記載の流体ハンドリング構造。
13. 液浸リソグラフィ装置であって、
    請求項１〜１２のいずれかに記載の流体ハンドリング構造を備える装置。
14. デバイス製造方法であって、
    投影システムと基板との間の空間に閉じ込められた液浸液を通してパターニングされた放射ビームを投影するステップを含み、
    ガス供給口を通ってガスを前記液浸液のメニスカスの近傍位置に供給するステップ、及び／又は、
    前記ガス供給口の半径方向外側のガス回収口を通過するガスを回収するステップ、を更に含み、
    前記ガス供給口、又は前記ガス回収口、又は前記ガス供給口と前記ガス回収口の両方は、前記空間の周囲で変動する単位長さ当たりの開口面積を有する、デバイス製造方法。