TWI437360B - EUV micro-shadow with a reflective mask base, and EUV micro-shadow with a reflective mask - Google Patents

EUV micro-shadow with a reflective mask base, and EUV micro-shadow with a reflective mask Download PDF

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TWI437360B
TWI437360B TW098110411A TW98110411A TWI437360B TW I437360 B TWI437360 B TW I437360B TW 098110411 A TW098110411 A TW 098110411A TW 98110411 A TW98110411 A TW 98110411A TW I437360 B TWI437360 B TW I437360B
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Description

EUV微影術用反射型光罩基底、及EUV微影術用反射型光罩 技術領域
本發明係有關於一種使用在半導體之製造等的EUV(Extreme Ultra Violet：超紫外光)微影術用反射型光罩基底(以下，在本說明書中稱為「EUV光罩基底」)，及，將該EUV光罩基底圖案化而作成的EUV微影術用反射型光罩(以下，在本說明書中稱為「EUV光罩」)。
 背景技術
過去以來，在半導體產業中，關於在Si基板等形成由微細的圖案所構成之積體電路的方面上，所需的微細圖案轉印技術是採利用可見光或紫外光的光微影法。然而，半導體裝置的微細化越來越加速，已逐漸趨近習知的光微影法的極限。光微影法的情況中，圖案的解像極限為曝光波長的1/2左右，即使採用液浸法，也只到曝光波長的1/4左右，就算採用ArF雷射(193nm)的液浸法，預料45nm左右即是極限。因此，採用波長比ArF雷射更短的EUV光之曝光技術，即EUV微影術，被認為有希望作為45nm以下的曝光技術。本說明書中，EUV光係指波長在軟X射線區域或真空紫外線區域的光線，具體而言係指波長10~20nm左右，特別是13.5nm±0.3nm左右的光線。
EUV光容易被所有物質吸收，且物質的折射率在該波長之下接近1，故無法使用像習知利用可見光或紫外光的光微影法之折射光學系統。因此，EUV光微影術中，所採用的是反射光學系統，即，反射型光罩與反射鏡。
光罩基底係在製造光罩時所使用之圖案化前的積層體。若為EUV光罩基底則具有在玻璃等基板上依序形成有反射EUV光的反射層與吸收EUV光的吸收體層的構造(參照專利文獻1)。
EUV光罩基底中，有必要縮小吸收體層的膜厚。EUV微影術中，曝光光並非從對EUV光罩垂直之方向照射，而是從垂直方向傾斜數度通常係6°的方向照射。吸收體層的厚度若很大，進行EUV微影術時，在藉由圖案化去除該吸收體層的一部分而形成的光罩圖案上，會產生曝光光所造成之陰影，導致使用該EUV光罩轉印至Si晶圓等基板上之光阻的光罩圖案(以下，稱為「轉印圖案」)的形狀精度或尺寸精度惡化。EUV光罩上所形成之光罩圖案的線寬越小，該問題就越明顯，故經常被要求更加縮小EUV光罩基底的吸收體層的膜厚。
【專利文獻1】特開2004-6798號公報(美國專利公報第7390596號公報)
 發明揭示
EUV光罩基底的吸收體層所使用的是對EUV光之吸收係數高的材料，且其膜厚係以EUV光照射至該吸收體層表面時，照射之EUV光可在吸收體層被完全吸收的膜厚為理想。然而，如前述，由於被要求縮小吸收體層的膜厚，故無法靠吸收體層完全吸收照射之EUV光，其中一部分會成為反射光。
藉由EUV微影術在基板上之光阻形成轉印圖案時，所要求之事項係EUV光罩的反射光之對比度，即，來自於藉由圖案化去除吸收體層而露出反射層之部位的反射光與來自於吸收體層在圖案化時未被去除之部位的反射光的對比度，故認為只要能充分確保反射光之對比度，即使照射之EUV光未在吸收體層被完全吸收亦不會有任何問題。
然而，本案發明人等發現，既然採用從偏離垂直方向數度的方向照射曝光光這種EUV微影術的曝光光照射形態，習知的EUV光罩將無法避免光罩圖案邊界部的反射光之對比度降低，及，因此所造成之轉印圖案的形狀精度或尺寸精度惡化。關於此點，以下將以圖式說明。另外，本說明書中，光罩圖案邊界部係指，藉由圖案化去除吸收體層而露出反射層之部位(吸收體層去除部位)與吸收體層在圖案化時未被去除之部位(吸收體層非去除部位)的邊界，且 該吸收體層非去除部位鄰接於該吸收體層去除部位。
第7(a)圖係顯示EUV光罩之一構造例的示意圖，顯示對EUV光罩照射曝光光，即，EUV光的狀態。第7(a)圖所示之EUV光罩10，在基板12上依序形成有反射EUV光的反射層13與吸收EUV光的吸收體層14。反射層13係顯示為交互積層有高折射層與低折射層的多層反射膜。另外，雖未圖示，但前述構造以外，在反射層13與吸收體層14之間，通常形成有用以在將吸收體層14圖案化時保護反射層13的保護層，且在吸收體層14上通常形成有針對光罩圖案之檢查光的低反射層。
第7(a)圖所示之EUV光罩10中，圖中右側係去除吸收體層14而露出反射層13的吸收體層去除部位，圖中左側係未去除吸收體層14的吸收體層非去除部位。
實施EUV微影術時，從偏離垂直方向數度的方向對EUV光罩10照射EUV光30a、30b、30c。EUV光罩的反射光之對比度原本意指來自於圖中右側之吸收體層去除部位的反射光31c與來自於圖中左側之吸收體層非去除部位的反射光31a的對比度。來自於吸收體層非去除部位的反射光31a在通過吸收體層14的過程中已充分衰減，故不會對反射光之對比度帶來不良影響。第7(c)圖係顯示僅存在有反射光31a及反射光31c之理想EUV光罩之各部位的反射光強度的圖表。
然而，由於從偏離垂直方向數度的方向對EUV光罩10照射EUV光，故如EUV光30b般，僅通過吸收體層14之一部分的EUV光將產生反射光31b。此種反射光31b由於未充分衰減，故EUV光罩之各部位的反射光強度將如第7(b)圖所示般，描繪成緩曲線。
正如從第7(b)圖、第7(c)圖之比較所得知，習知的EUV光罩無法避免光罩圖案邊界部的反射光之對比度降低。此種反射光之對比度降低會發生在光罩圖案的各邊界部，但光罩圖案外緣邊界部，即，吸收體層去除部位中成為光罩圖案外緣的部位，與相對於成為該光罩圖案外緣的吸收體層去除部位，鄰接於外側的吸收體層非去除部位的邊界部的反射光之對比度降低，係因為以下理由而特別成為問題所在。
實施EUV微影術時，係將數片光罩圖案外緣呈相同形狀的EUV光罩重疊在轉印位置進行曝光。此時，由於光罩圖案外緣的位置固定，故該光罩圖案外緣邊界部的反射光之對比度降低係經常在所有的EUV光罩中的同一處反覆發生。因此，特別要求抑制光罩圖案外緣邊界部的反射光之對比度降低。
為解決前述習知技術的問題點，本發明之目的在於提供一種可抑制光罩圖案邊界部的反射光之對比度降低，尤其可抑制光罩圖案外緣邊界部的反射光之對比度降低的 EUV光罩，及，用於製造該EUV光罩的EUV光罩基底。
為達成前述目的，本發明係提供一種EUV微影術用反射型光罩基底，係在基板上依序形成有反射EUV光的反射層與吸收EUV光的吸收體層者，且，前述基板上之至少一部分中，前述吸收體層在圖案化時被去除之部位與前述吸收體層在圖案化時未被去除之部位之間設有段差，且前述吸收體層未被去除之部位鄰接於前述吸收體層被去除之部位。
又，本發明係提供一種EUV微影術用反射型光罩基底，係在基板上依序形成有反射EUV光的反射層與吸收EUV光的吸收體層者，且，前述基板上，前述吸收體層在圖案化時被去除之部位之中成為光罩圖案外緣之部位與前述吸收體層在圖案化時未被去除之部位之間設有段差，且前述吸收體層在圖案化時未被去除之部位鄰接於成為前述光罩圖案外緣之部位外側。
本發明之EUV光罩基底中，前述段差的高度宜為2~10nm。
本發明之EUV光罩基底中，宜藉由在前述基板表面之一部分形成薄膜，使前述段差形成。
本發明之EUV光罩基底中，宜藉由去除前述基板表面之一部分，使前述段差形成。
本發明之EUV光罩基底中，宜在前述吸收體層上形成有低反射層，其相對於檢查光罩圖案時所使用之檢查光為低反射層。
本發明之EUV光罩基底中，亦可在前述反射層與前述吸收體層之間形成有用以在圖案化時保護前述反射層的保護層。
本發明之EUV光罩基底中，宜在圖案化時的曝光區域外，形成有定位用的標記。
又，本發明係提供一種EUV微影術用反射型光罩，係將前述本發明之EUV光罩基底圖案化而作成者。
本發明之EUV光罩由於可抑制光罩圖案邊界部的反射光之對比度降低，故使用該EUV光罩而形成於基板上之光阻的轉印圖案的形狀精度或尺寸精度佳。
本發明之EUV光罩可藉由使用本發明之EUV光罩基底理想地製作出來。
圖式簡單說明
第1(a)圖係顯示本發明之EUV光罩之一實施形態的示意圖，第1(b)圖係顯示第1(a)圖所示之EUV光罩之各部位的反射光強度的圖表，第1(c)圖係第1(a)圖所示之EUV光罩之段差部的放大圖。
第2圖係顯示EUV光罩之一例的平面圖。
第3圖係顯示在實施例求出之反射光強度的圖表。
第4圖係顯示在實施例求出之反射光強度的圖表。
第5圖係顯示在實施例求出之反射光強度的圖表。
第6圖係顯示在實施例求出之反射光強度的圖表。
第7(a)圖係顯示EUV光罩之一構造例的示意圖，第7(b)圖係顯示第7(a)圖所示之EUV光罩之各部位的反射光強度的圖表，第7(c)圖係顯示僅存在反射光31a及反射光31c之理想EUV光罩之各部位的反射光強度的圖表。
 實施發明之最佳形態
以下，參照圖式說明本發明之EUV光罩。
第1(a)圖係顯示本發明之EUV光罩之一實施形態的示意圖。第1(a)圖所示之光罩1在基板2上依序形成有反射EUV光的反射層3與吸收EUV光的吸收體層4這點，以及，圖中右側係去除吸收體層4而露出反射層3的吸收體層去除部位，圖中左側係未去除吸收體層4的吸收體層非去除部位這 點，與第7(a)圖所示之習知的EUV光罩相同。但是，第1(a)圖所示之EUV光罩中，在基板2上，圖中右側的吸收體層去除部位與圖中左側的吸收體層非去除部位之間設有段差。更具體而言，在相當於吸收體層非去除部位的基板2上之部位形成薄膜5，藉此在相當於吸收體層去除部位的基板2上之部位與相當於吸收體層非去除部位的基板2上之部位之間形成有段差。以下，本說明書中，將在相當於吸收體層去除部位的基板2上之部位與鄰接於該部位的相當於吸收體層非去除部位的基板2上之部位之間形成有段差一事稱為「在基板上之光罩圖案邊界部形成有段差」。又，亦有將設在基板上之光罩圖案的段差單純稱為「段差」的情況。
本發明之EUV光罩中，藉由在基板上之光罩圖案邊界部設置段差，可抑制光罩圖案邊界部的反射光之對比度降低。
第1(a)圖所示之本發明之EUV光罩1中，由於在基板2上之光罩圖案邊界部設有段差，故形成在該基板2上的反射層3係沿著段差而形成，且反射層3呈具有沿著段差之變形部的構造。從偏離垂直方向數度的方向對此種構造之EUV光罩1照射EUV光20a、20b、20c時，在僅通過吸收體層4之一部分的EUV光20b產生反射光21b的過程中，該反射光21b會因存在於反射層3的變形部而散射並減弱。該結果，如第1(b)圖所示，可抑制光罩圖案邊界部的反射光之對比度降低。另外，第1(b)圖係顯示EUV光罩1之各部位的反射光強 度的圖表。
為了發揮抑制光罩圖案邊界部的反射光之對比度降低的效果，所需的段差的高度係會受構成EUV光罩1的各層的膜厚，即，反射層3以及吸收體層4的膜厚，還有通常形成於EUV光罩1的其他層，例如，通常形成於反射層3與吸收體層4之間的保護層，或通常形成於吸收體層4上的低反射層的膜厚的影響。段差的高度若為2nm以上，則在構成EUV光罩1之該等層的膜厚為通常範圍的情況下，可發揮抑制光罩圖案邊界部的反射光之對比度降低的效果。
另一方面，段差的高度過大時，為了不使將吸收體層圖案化來作成EUV光罩1前的EUV光罩基底的表面，即，EUV光罩基底之吸收體層的表面(吸收體層上形成有低反射層時，則為該低反射層的表面)出現段差，必須增大吸收體層或低反射層的膜厚，故為不理想。就此觀點來看，段差的高度係以10nm以下為佳。
另外，EUV光罩基底之吸收體層的表面(吸收體層上形成有低反射層時，則為該低反射層的表面)若出現段差，則形成於吸收體層的光罩圖案恐有變形之虞。又，如後述，研磨或蝕刻相當於吸收體層非去除部位的基板2上之部位來形成凹部，藉此在光罩圖案邊界部形成段差時，EUV光罩基底之吸收體層的表面(吸收體層上形成有低反射層時，則為該低反射層的表面)若出現段差，則進行EUV微影術時，光罩圖案上產生曝光光所造成之陰影的區域會增加。
段差的高度係以2~7nm為較佳，且以3~5nm為更佳。
本發明之EUV光罩中，在基板上之光罩圖案邊界部設置段差的理由係為了抑制起因於從偏離垂直方向數度的方向對該EUV光罩照射EUV光而導致的光罩圖案邊界部的反射光之對比度降低，故如第1(a)圖所示，段差的端部未必需與光罩圖案邊界部一致。例如，第1(a)圖的EUV光罩1的情況中，段差的端部位在相較於光罩圖案邊界部，更靠近圖中右側的方向(位在吸收體層去除部位側的方向)者，在僅通過吸收體層4之一部分的EUV光20b產生反射光21b的過程中，較可提高該反射光21b因存在於反射層3的變形部而變得散亂並減弱的效果。在此，段差的端部如第1(c)圖所示，係指在基板2上形成為段狀之段差20的端面24，又，同一圖中，22係表示段差20的高度。就此觀點來看時，在令EUV光20a、20b、20c對EUV光罩1的入射角為α(°)、令吸收體層4的膜厚(吸收體層4上形成有低反射層時，則為吸收體層與低反射層的合計膜厚)為t(mm)、令段差的高度為h(nm)時，若將段差設置成段差的端部與光罩圖案邊界部的距離L可滿足下述式(1)，則抑制光罩圖案邊界部的反射光之對比度降低的效果佳。
L=(t+h)×tanα-h (1)
另外，段差的端部與光罩圖案邊界部的位置關係或段 差的高度可藉由模擬進行最佳化。通常，α係以數°，或6~8°左右為佳。又，t係以20~100nm為佳，且以25~90nm為較佳，並以30~80nm為更佳。h係以2~7nm為較佳，且以3~5nm為更佳。另外，L宜為藉由前述式求出的值±4nm以內，且特別是以±2nm以內為佳。
第2圖係顯示EUV光罩之一例的平面圖，在EUV光罩1上形成有光罩圖案6。
如前述，反射光之對比度降低雖發生在光罩圖案6的各邊界部，但光罩圖案外緣邊界部的反射光之對比度降低會特別成為問題所在。即，第2圖所示之EUV光罩1的情況中，構成光罩圖案6的吸收體層去除部位中，形成於最外側的吸收體層去除部位與鄰接於該吸收體層去除部位之外側的吸收體層非去除部位，即，位於光罩圖案6之外側的吸收體層非去除部位7之間產生的反射光之對比度降低會特別成為問題所在。
因此，第2圖所示之本發明之EUV光罩1中，在相當於吸收體層非去除部位7的基板2上之部位形成薄膜，且在光罩圖案6與吸收體層非去除部位7之邊界部形成段差的話，可充分發揮抑制光罩圖案邊界部的反射光之對比度降低的效果。此為本發明之EUV光罩的第1態樣。
連同本發明之EUV光罩的第1態樣，若在相當於在EUV光罩1上形成之各光罩圖案6間存在之吸收體層非去除部位 8的基板2上之部位形成薄膜，且在光罩圖案6與吸收體層非去除部位8之邊界部設置段差，可更提高抑制光罩圖案邊界部的反射光之對比度降低的效果。此為本發明之EUV光罩的第2態樣。
連同本發明之EUV光罩的第2態樣，在相當於構成光罩圖案6之各吸收體層非去除部位的基板2上之部位形成薄膜，且在光罩圖案6所包含之各光罩圖案邊界部設置段差，藉此可更提高抑制光罩圖案邊界部的反射光之對比度降低的效果。此為本發明之EUV光罩的第3態樣。另外，本發明之EUV光罩的第3態樣不全然意指在光罩圖案6所包含之所有的光罩圖案邊界部設置段差一事，即，在相當於構成光罩圖案6之所有的吸收體層非去除部位的基板2上之部位形成薄膜一事。例如，光罩圖案6所包含之光罩圖案邊界部中，在形狀精度或尺寸精度會特別成為問題所在的部位設置段差的話，可充分發揮抑制光罩圖案邊界部的反射光之對比度降低的效果。
本發明之EUV光罩的第1態樣中，在相當於第2圖所示之吸收體層非去除部位7的基板2上之部位形成薄膜時，相當於吸收體層非去除部位7的基板2上之部位中，只要在與光罩圖案6之邊界部附近形成薄膜即可，無須連EUV光罩1的外緣都形成薄膜。此時，只要將薄膜形成到與光罩圖案邊界部的距離L滿足上述式(1)的部位即可。令EUV光的入射角α為6°、段差的高度為7nm、吸收體層的膜厚t為70nm 時，只要將薄膜形成到與光罩圖案6之邊界部的距離L呈7nm左右的範圍，尤其是距離L呈10nm左右的範圍，即可充分發揮抑制光罩圖案邊界部的反射光之對比度降低的效果。關於這點，在本發明之EUV光罩的第2態樣及第3態樣亦相同。
但是，就容易形成薄膜這點，第2圖所示之EUV光罩1中，宜將薄膜形成到該EUV光罩1之外緣的相當於吸收體層非去除部位7的基板2上之部位全體。
另外，在基板2上形成薄膜的步驟需在藉由圖案化作成EUV光罩前的EUV光罩基底的階段，更具體而言，在製造EUV光罩基底時實施。
本發明之EUV光罩基底係藉由圖案化作成本發明之EUV光罩前的積層體。就與第1(a)圖所示之EUV光罩1的關係來看時，該EUV光罩1的圖中右側之吸收體層未被去除的狀態係EUV光罩基底。因此，前述與EUV光罩有關的說明中，將「吸收體層去除部位」代換解讀成「吸收體層在圖案化時被去除的部位」、且將「吸收體層非去除部位」代換解讀成「鄰接於該吸收體層被去除之部位且吸收體層在圖案化時未被去除的部位」，即成為關於本發明之EUV光罩基底的說明。下述關於本發明之EUV光罩基底的說明中，亦與前述同樣地進行代換解讀。
本發明之EUV光罩基底中，在對應第1態樣~第3態樣之 相當於吸收體層非去除部的基板2上之部位形成薄膜的方法可舉：使用期望之形狀的光罩，僅在對應第1態樣~第3態樣之相當於吸收體層非去除部的基板2上之部位形成薄膜的方法，以及在形成基板2之反射層之側的表面，即，在基板2的成膜面全體形成薄膜後，蝕刻去除該薄膜的一部分，藉此僅在對應第1態樣~第3態樣之相當於吸收體層非去除部的基板2上之部位形成薄膜的方法。
基板2上形成之薄膜的材料，只要可在薄膜形成後將該薄膜加工成期望形狀，就無特別受限。但是，在基板2的成膜面全體形成薄膜後，蝕刻去除該薄膜的一部分，藉此僅在對應第1態樣~第3態樣之相當於吸收體層非去除部的基板2上之部位形成薄膜時，薄膜與基板2的材料之間必須要能獲得充分的蝕刻選擇比。
就以上事項來看，薄膜材料宜為CrN、Si、SiO2 、Ta、Mo。
其中，CrN、Si、SiO2 由於加工性良好的理由係為較佳，且特別係以CrN、Si為佳。
使用該等材料在基板2上形成薄膜的方法並無特別受限，可使用眾所週知的成膜方法，例如，磁控濺鍍法、離子束濺鍍法等濺鍍法、CVD法、真空沉積法、電鍍法來形成。其中，就可在大面積的基板以均勻膜厚成膜的觀點來看，宜為磁控濺鍍法、離子束濺鍍法。
在基板2上形成CrN膜作為薄膜時，可用例如以下條件 實施磁控濺鍍法。
靶材：Cr靶材
濺鍍氣體：Ar與N2 的混合氣體(N2 氣體濃度：3~45vol%，以5~40vol%為佳，且以10~35vol%為較佳。氣壓：1.0×10-1 Pa~50×10-1 Pa，以1.0×10-1 Pa~40×10-1 Pa為佳，且以1.0×10-1 Pa~30×10-1 Pa為較佳。)
投入電力：30~1000W，以50~750W為佳，且以80~500W為較佳
成膜速度：2.0~60nm/min，以3.5~45nm/min為佳，且以5~30nm/min為較佳
基板2上形成之薄膜的厚度會成為設在光罩圖案邊界部的段差的高度，故薄膜的厚度係以2~10nm為佳，且以2~7nm為較佳，並以3~5nm為更佳。厚度過大的話，會增大陰影部分(shadowing)，結果有可能無法充分改善對比度。
基板2上形成之薄膜的表面性狀宜滿足後述基板2的成膜面所要求的表面性狀。
前述態樣係在對應第1態樣~第3態樣之相當於吸收體層非去除部的基板2上之部位形成薄膜，藉此在光罩圖案邊界部形成有段差，但是在光罩圖案邊界部形成段差的方法不受限於此。例如，亦可研磨相當於吸收體層非去除部位的基板2上之部位來形成凹部，或蝕刻該部位來形成凹部，藉此在光罩圖案邊界部形成段差。此時，前述說明中，係 將記載「在相當於吸收體層非去除部的基板2上之部位形成薄膜」的部分代換解讀成「部分地研磨相當於吸收體層非去除部的基板2上之部位來形成凹部」或「蝕刻相當於吸收體層非去除部的基板2上之部位來形成凹部」。
另外，部分地研磨相當於吸收體層非去除部的基板2上之部位來形成凹部時，可使用眾所週知的裝置，例如，nm 450(RAVE LLC製)來實施。
蝕刻相當於吸收體層非去除部的基板2上之部位來形成凹部時，蝕刻法可使用濕式蝕刻法、乾式蝕刻法之任一者，但就可高精度加工，以及，加工面的表面性狀佳來看，宜使用乾式蝕刻法。
另外，乾式蝕刻法可使用離子束蝕刻、氣體集合離子束蝕刻、電漿蝕刻等各種乾式蝕刻法。
基板2上形成之凹部的深度會成為設在光罩圖案邊界部的段差的高度，故凹部的深度係以2~10nm為佳，且以2~7nm為較佳，並以3~5nm為更佳。深度過大的話，會增大陰影部分(shadowing)，結果有可能無法充分改善對比度。
凹部的表面性狀宜滿足後述基板2的成膜面所要求的表面性狀。
以下，說明本發明之EUV光罩基底的各構成要素。
基板2被要求滿足作為EUV光罩基底用基板的特性。因此，基板2宜為具有低熱膨脹係數(具體而言，20℃的熱膨 脹係數宜為0±0.05×10-7 /℃，且特別是以0±0.03×10-7 /℃為佳)，且平滑性、平坦度、及對用在洗淨EUV光罩基底或圖案化後之EUV光罩等的洗淨液的耐性佳者。基板2具體而言係使用具有低熱膨脹係數的玻璃，例如，SiO2 -TiO2 系玻璃等，但不受限於此，亦可使用沉積β石英固溶體的結晶化玻璃或石英玻璃或矽或金屬等的基板。
為了使圖案化後的EUV光罩可得到高反射率及轉印精度，基板2宜具有表面粗度(rms)0.15nm以下的平滑表面與100nm以下的平坦度。
基板2的大小或厚度等係可藉由EUV光罩的設計值等適當決定者，可舉例如，外形：6吋(152mm)×6吋(152mm)、厚度：0.25吋(6.3mm)。
基板2的成膜面係以不存在瑕疵為佳。但是，即使存在瑕疵，為了不因凹狀瑕疵及/或凸狀瑕疵而產生相位瑕疵，凹狀瑕疵的深度及凸狀瑕疵的高度宜為2nm以下，且該等凹狀瑕疵及凸狀瑕疵的半寬度宜為60nm以下。
反射層3只要是具有作為EUV光罩基底之反射層的期望特性者，就無特別受限。在此，反射層3特別被要求的特性係高EUV光線反射率。具體而言，將EUV光之波長區域的光線以入射角6度照射至反射層3表面時，波長13.5nm附近的光線反射率的最大值係以60%以上為佳，且以65%以上為較佳。又，即使反射層3上設有保護層或低反射層，波長13.5nm附近的光線反射率的最大值仍係以60%以上為佳， 且以65%以上為較佳。
就反射層3可達成高EUV光線反射率來看，通常係將多次交互積層有高折射層與低折射層的多層反射膜作為反射層3使用。形成反射層3的多層反射膜中，高折射層內廣泛使用有Mo，而低折射層內廣泛使用有Si。即，Mo/Si多層反射膜係最普遍的。但是，多層反射膜不受限於此，亦可使用Ru/Si多層反射膜、Mo/Be多層反射膜、Mo化合物/Si化合物多層反射膜、Si/Mo/Ru多層反射膜、Si/Mo/Ru/Mo多層反射膜、Si/Ru/Mo/Ru多層反射膜。
構成形成反射層3的多層反射膜的各層膜厚以及層的重複單位之數量，可依使用之膜材料以及反射層被要求的EUV光線反射率適當決定。以Mo/Si反射膜為例，要作成EUV光線反射率的最大值為60%以上的反射層3，多層反射膜只要係將膜厚2.3±0.1mm的Mo層與膜厚4.5±0.1mm的Si層進行積層，使重複單位之數量呈30~60即可。
另外，構成形成反射層3的多層反射膜的各層，只要使用磁控濺鍍法、離子束濺鍍法等眾所週知的成膜方法來成膜以形成期望厚度即可。例如，使用離子束濺鍍法形成Si/Mo多層反射膜時，係以下述方式為佳，即，使用Si靶材作為靶材，且使用Ar氣體作為濺鍍氣體(氣壓：1.3×10-2 Pa~2.7×10-2 Pa)，以離子加速電壓：300~1500V、成膜速 度：0.03~0.30nm/sec形成Si膜使其厚度呈4.5nm後，接著，使用Mo靶材作為靶材，且使用Ar氣體作為濺鍍氣體(氣壓：1.3×10-2 Pa~2.7×10-2 Pa)，以離子加速電壓：300~1500V、成膜速度：0.03~0.30nm/sec形成Mo膜使其厚度呈2.3nm。以此為1週期，使Si膜及Mo膜積層40~50週期，藉此成膜Si/Mo多層反射膜。
為了防止反射層3表面氧化，形成反射層3的多層反射膜的最上層宜為難以氧化之材料的層。難以氧化之材料的層可作為反射層3的覆蓋層(cap layer)發揮功能。作為覆蓋層發揮功能的難以氧化之材料的層，其具體例可舉Si層為例。形成反射層3的多層反射膜為Si/Mo膜時，藉由令最上層為Si層，可使該最上層作為覆蓋層發揮功能。此時，覆蓋層的膜厚係以11±2nm為佳。
反射層3與吸收體層4之間可設置保護層。保護層係以保護反射層3為目的而設置，以使反射層3不會在藉由通常為乾式蝕刻製程之蝕刻製程將吸收體層4圖案化時，受到蝕刻製程所造成之損傷。因此，保護層的材質可選擇難以受到吸收體層4的蝕刻製程所造成之影響的物質，即，蝕刻速度比吸收體層4慢，且難以受到蝕刻製程所造成之損傷的物質。滿足該條件的物質可舉例如：Cr、Al、Ta及該等之氮化物；Ru及Ru化合物(RuB、RuSi等)；以及SiO2 、Si3 N4 、Al2 O3 或該等之混合物。其中，宜為Ru及Ru化合物(RuB、 RuSi等)、CrN及SiO2 ，且特別是以Ru及Ru化合物(RuB、RuSi等)為佳。
設置保護層時，其厚度係以1~60nm為佳。
設置保護層時，係使用磁控濺鍍法、離子束濺鍍法等眾所週知的成膜方法來成膜。藉由磁控濺鍍法形成Ru膜時，係以下述方式為佳，即，使用Ru靶材作為靶材，且使用Ar氣體作為濺鍍氣體(氣壓：1.0×10-2 Pa~10×10-1 Pa)，以投入電力：30~1500V、成膜速度：0.02~1.0nm/sec形成膜使其厚度呈2~5nm。
吸收體層4特別被要求的特性係藉由與反射層3之間的關係(該反射層3上形成有保護層時，則係藉由與該保護層之間的關係)，充分提高反射光之對比度。
本說明書中，可使用下述式求出反射光之對比度。
反射光之對比度(%)=((R2 -R1 )/(R2 +R1 ))×100
在此，R2 係反射層3表面(該反射層3上形成有保護層時，則為保護層表面)對EUV光之波長的反射率，R1 係吸收體層4表面(該吸收體層4上形成有對檢查光之波長的低反射層時，則為該低反射層表面)對EUV光之波長的反射率。另外，前述R1 及R2 係在如第1(a)圖所示之EUV光罩1般，藉由圖案化去除吸收體層之一部分的狀態下測定的。另外，吸收體層上形成有低反射層時，係在藉由圖案化去除EUV光罩基底的吸收體層及低反射層之一部分的狀態下測定 的。前述R2 係在藉由圖案化去除吸收體層4(吸收體層4上形成有低反射層時，則為吸收體層4及低反射層)而露出至外部的反射層3表面(反射層3上形成有保護層時，則為保護層表面)測定出的值，即，就第1(a)圖所示之EUV光罩1來看時，係在圖中右側的吸收體層去除部測定出的值。前述R1 係在未藉由圖案化去除而殘留的吸收體層4表面(吸收體層4上形成有低反射層時，則為低反射層表面)測定出的值，即，就第1(a)圖所示之EUV光罩1來看時，係在圖中左側的吸收體層非去除部測定出的值。
本發明之EUV光罩基底及EUV光罩中，以前述式表示之反射光之對比度係以60%以上為較佳，且以65%以上為更佳，特別是以70%以上為佳。
為達成前述反射光之對比度，吸收體層4的EUV光線反射率宜極低。具體而言，EUV光之波長區域的光線照射至吸收體層4表面時，波長13.5nm附近的最大光線反射率係以0.5%以下為佳，且以0.1%以下為較佳。
另外，吸收體層上形成有低反射層時，EUV光之波長區域的光線照射至低反射層表面時，波長13.5nm附近的最大光線反射率亦以0.5%以下為佳，且以0.1%以下為較佳。
為達成前述特性，吸收體層4係以EUV光之吸收係數高的材料所構成。EUV光之吸收係數高的材料宜使用以鉭(Ta)為主要成分的材料。本說明書中，提及以鉭(Ta)為主要成分的材料時，係指該材料中含有Ta40at%(原子%)以上，且以 50at%以上為佳，並以55at%以上為較佳的材料。
用於吸收體層4的以Ta為主要成分的材料除了Ta以外，亦可含有選自於鉿(Hf)、矽(Si)、鋯(Zr)、鍺(Ge)、硼(B)及氮(N)之至少一種元素。含有Ta以外之前述元素的材料的具體例可舉例如：TaN、TaHf、TaHfN、TaBSi、TaBSiN、TaB、TaBN、TaSi、TaSiN、TaGe、TaGeN、TaZr、TaZrN等。
但是，吸收體層4中，最好是不含有氧(O)。具體而言，吸收體層4中的O含有率宜小於25at%。將吸收體層4圖案化時，通常係使用乾式蝕刻製程，且蝕刻氣體通常係使用氯系氣體(或含氯系氣體的混合氣體)或氟系氣體(或含氟系氣體的混合氣體)。在藉由蝕刻製程防止反射層受損的目的下，就反射層上形成有含Ru或Ru化合物的膜作為保護層時，保護層的損傷很少一事來看，主要係使用氯系氣體作為蝕刻氣體。然而，使用氯系氣體實施乾式蝕刻製程時，吸收體層4若含有氧，則蝕刻速度會降低且光阻損傷會變大，係為不理想。吸收體層4中的氧含有率係以15at%以下為佳，尤其係以10at%以下為較佳，並以5at%以下為更佳。
吸收體層4的厚度係以20~100nm為佳，且以25~90nm為較佳，並以30~80nm為更佳。
前述構造之吸收體層4可藉由實施眾所週知的成膜方 法，例如，磁控濺鍍法或離子束濺鍍等濺鍍法來形成。
例如，使用磁控濺鍍法形成TaHf膜作為吸收體層4時，可用以下條件實施。
濺鍍靶材：TaHf化合物靶材(Ta=30~70at%、Hf=70~30at%)
濺鍍氣體：Ar氣體等惰性氣體(氣壓：1.0×10-1 Pa~50×10-1 Pa，以1.0×10-1 Pa~40×10-1 Pa為佳，且以1.0×10-1 Pa~30×10-1 Pa為較佳。)
成膜前真空度：1×10-4 Pa以下，以1×10-5 Pa以下為佳，且以1×10-6 Pa以下為較佳。
投入電力：30~1000W，以50~750W為佳，且以80~500W為較佳。
成膜速度：2.0~60nm/min，以3.5~45nm/min為佳，且以5~30nm/min為較佳。
在吸收體層4上亦可形成相對於檢查光呈低反射的低反射層。形成低反射層時，該低反射層係以相對於檢查光罩圖案時所使用之檢查光呈低反射之膜所構成。製作EUV光罩時，於吸收體層形成圖案後，會檢查該圖案是否有按照設計形成。該光罩圖案的檢查中，使用有檢查機，該檢查機通常係使用257nm左右的光作為檢查光。即，藉由該257nm左右之波長域的反射光之對比度來檢查。EUV光罩基底的吸收體層4，其EUV光線反射率極低，具有作為EUV光罩基底1的吸收體層的優異特性，但就檢查光之波長來看 時，未必能斷言光線反射率夠低。該結果，有可能無法充分得到檢查時的對比度。若無法充分得到檢查時的對比度，則在光罩檢查中無法充分辨別圖案的瑕疵，將無法進行正確的瑕疵檢查。
在吸收體層4上形成相對於檢查光呈低反射的低反射層，藉此可令檢查時的對比度呈良好，換言之，在檢查光之波長的光線反射率會變得極低。具體而言，檢查光之波長域的光線照射至低反射層表面時，該檢查光之波長的最大光線反射率係以15%以下為佳，且以10%以下為較佳，並以5%以下為更佳。
低反射層中的檢查光之波長的光線反射率若為15%以下，則該檢查時的對比度良好。具體而言，以前述式所求出之檢查光之波長域的反射光之對比度將呈30%以上。
在吸收體層4上形成相對於檢查光呈低反射的低反射層時，吸收體層4與低反射層的合計厚度係以20~100nm為佳，且以25~90nm為較佳，並以30~80nm為更佳。
另外，本發明之EUV光罩基底1中，之所以宜在吸收體層4上形成低反射層，是因為圖案之檢查光的波長與EUV光的波長不同的緣故。
因此，使用EUV光(13.5nm附近)作為圖案之檢查光時，認為無須在吸收體層4上形成低反射層。檢查光的波長有隨 著圖案尺寸縮小而偏向短波長側的傾向，亦認為將來會偏向193nm，甚至13.5nm。檢查光的波長為13.5nm時，認為無須在在吸收體層4上形成低反射層。
本發明之EUV光罩基底1，除了反射層3及吸收體層4，以及，隨意形成之保護層及低反射層以外，亦可具有在EUV光罩基底的領域裡眾所週知的功能膜。此種功能膜的具體例可舉例如：如同特表2003-501823號公報所記載者，為了促進基板的靜電吸附而施加在基板之內面側的高介電性塗膜。在此，就第1圖所示之EUV光罩1來看時，基板之內面係指與基板2的形成有反射層3的側呈相反之側的面。在此種目的下施加於基板之內面的高介電性塗膜，會選擇構成材料的導電率與厚度，使薄膜電阻在以JIS k7194測定時呈100Ω以下。高介電性塗膜的構成材料可從眾所週知的文獻所記載者中廣泛選擇。例如，可適用特表2003-501823號公報所記載之高介電率的塗膜，具體而言，係由矽、TiN、鉬、鉻、或TaSi所構成之塗膜。高介電性塗膜的厚度可為例如10~1000nm。
高介電性塗膜可使用眾所週知的成膜方法，例如，磁控濺鍍法、離子束濺鍍法等濺鍍法、CVD法、真空沉積法、電鍍法來形成。
本發明中，製作EUV光罩基底時，藉由在基板上形成薄膜而設成的段差，或，藉由在基板上形成凹部而設成的 段差，必須與藉由將該EUV光罩基底圖案化而形成的光罩圖案邊界部一致。因此，將製成之EUV光罩基底圖案化時，必須將該EUV光罩基底正確地定位。因此，本發明之EUV光罩基底宜在曝光區域外設有定位用標記。
EUV光罩基底用的基板中，該基板的成膜面全體並非都用在形成光罩圖案。例如，若為152mm×152mm的基板，則形成光阻膜的區域係其中142mm×142mm的區域，且形成光罩圖案的曝光區域係其中132×104mm的區域。藉由在EUV光罩基底上之曝光區域外設置定位用標記，可提高將該EUV光罩圖案化時的位置精度，而可輕易使藉由在基板上形成薄膜而設成的段差，或，藉由在基板上形成凹部而設成的段差與藉由將該EUV光罩基底圖案化而形成的光罩圖案邊界部一致。
本發明之EUV光罩基底中，設在曝光區域外的定位用標記的形狀、大小、數量等並無特別受限，例如，關於形狀方面，就容易特定標記方向的觀點來看，宜為十字形。關於大小方面，若為十字形，宜令其一邊的長度為1000μm左右。關於數量方面，就可從標記間之相對位置進行定位的觀點來看，宜為3處。
本發明之EUV光罩基底中，需要定位用標記，是在將該EUV光罩基底圖案化時，以及，構成EUV光罩基底之各層(反射層、保護層、吸收體層及低反射層)通常係形成於基板的成膜面全體。而從此兩點來看，形成於曝光區域外的定位用標記在形成反射層時，必須使藉由在基板上形成薄 膜而設成的段差，或，藉由在基板上形成凹部而設成的段差與藉由將該EUV光罩基底圖案化而形成的光罩圖案邊界部一致。因此，將製成之EUV光罩基底圖案化時，必須將該EUV光罩基底正確地定位。因此，本發明之EUV光罩基底宜在曝光區域外設有定位用標記。
藉由至少將本發明之光罩基底的吸收體層圖案化，即可製造光罩。吸收體層的圖案化方法並無特別受限，例如，可採用在吸收體層上塗佈光阻形成光阻圖案，並以此為光罩來蝕刻吸收體層的方法。光阻的材料或光阻圖案的描繪法可在考量吸收體層的材質等後適當選擇。吸收體層的蝕刻方法亦無特別受限，可採用反應性離子蝕刻等乾式蝕刻或濕式蝕刻。將吸收體層圖案化後，藉由以剝離液剝離光阻，即可得到EUV光罩。
說明使用本發明之EUV光罩的半導體積體電路的製造方法。本發明可適用於藉使用EUV光作為曝光用光源之光微影法進行之半導體積體電路的製造方法。具體而言，將塗佈有光阻的矽晶圓等基板配置在工作台上，並將前述EUV光罩設置在與反射鏡組合而構成之反射型曝光裝置。然後，透過反射鏡從光源照射EUV光至EUV光罩後，藉由EUV光罩反射EUV光，使之照射至塗佈有光阻的基板。電路圖案可藉由該圖案轉印製程轉印至基板上。轉印有電路圖案的基板在藉由顯像來蝕刻感光部分或非感光部分後，會剝離光阻。半導體積體電路可藉由重複此種製程來製造。
實施例
以下，用實施例進一步說明本發明。
(例1)
例1中，實施假想下述情況的模擬，即，照射EUV光至第1(a)圖所示之構造的EUV光罩，使對該EUV光罩之入射角呈6°，來求出第1(b)圖所示之顯示EUV光罩之各部位的反射光強度的圖表。結果顯示於第3圖。另外，第3圖所示之結果，係用以下所示之條件實施模擬而得到者。
反射層3、吸收體層4：反射光之對比度呈1000：1的假想反射層、吸收體層。
吸收體層的厚度：70nm
段差的高度：7nm
段差的端部與光罩圖案邊界部之距離：0nm
散射光強度：因存在於反射層的變形部而散射的散射光強度之全方位總和。假設取任意之常態分佈函數，其標準偏差呈段差端到吸收體層之陰影端的距離的約1/5。
反射光強度I：未散射時的反射光強度。假設通過吸收體層的光根據朗伯-比爾法則(Lambert-Beer law)而衰減。
反射光強度S：加上散射影響的反射光強度。假設通過吸收體層的光因段差所引起之散射而衰減。
另外，反射光強度I、S係表示為令EUV光在反射層表面通常反射時的反射光強度為1時的相對強度。
正如從第3圖所得知，在光罩圖案邊界部設置段差的結果，可確認在僅通過吸收體層之一部分的EUV光產生反射 光的過程中，該反射光因存在於反射層的變形部而散射，藉此可抑制光罩圖案邊界部的反射光之對比度降低。
(例2)
例2中，係在令段差的高度為4nm，且將第1(a)圖中的段差5的端部位置挪到圖中右側，使段差的端部與光罩圖案邊界部之距離呈4nm的條件下，實施與例1相同的模擬。第4圖係顯示藉由模擬所得到之EUV光罩之各部位的反射光強度的圖表。
正如從第4圖所得知，在光罩圖案邊界部設置段差的結果，可確認在僅通過吸收體層之一部分的EUV光產生反射光的過程中，該反射光因存在於反射層的變形部而散射，藉此可提高光罩圖案邊界部的反射光之對比度。另外，正如從第3圖與第4圖之比較所得知，例2抑制反射光之對比度的效果比例1高。
(例3)
例3中，係在令反射層3、吸收體層4為反射光之對比度呈100：1的假想反射層、吸收體層，且令段差的高度為7nm，並將第1(a)圖中的段差5的端部位置挪到圖中右側，使段差的端部與光罩圖案邊界部之距離呈1nm的條件下，實施與例1相同的模擬。第5圖係顯示藉由模擬所得到之EUV光罩之各部位的反射光強度的圖表。
正如從第5圖所得知，在光罩圖案邊界部設置段差的結 果，可確認在僅通過吸收體層之一部分的EUV光產生反射光的過程中，該反射光因存在於反射層的變形部而散射，藉此可提高光罩圖案邊界部的反射光之對比度。
(例4)
例4中，係在令反射層3、吸收體層4為反射光之對比度呈100：1的假想反射層、吸收體層，且令段差的高度為15nm，並令段差的端部與光罩圖案邊界部之距離呈0nm的條件下，實施與例1相同的模擬。第6圖係顯示藉由模擬所得到之EUV光罩之各部位的反射光強度的圖表。
正如從第6圖所得知，在光罩圖案邊界部設置段差的結果，可確認在僅通過吸收體層之一部分的EUV光產生反射光的過程中，該反射光因存在於反射層的變形部而散射，藉此可提高光罩圖案邊界部的反射光之對比度。
但是，反射光的上升係，段差的高度為10nm以下的例1~3比例4佳。段差過大的話，會增大陰影部分(shadowing)，結果有可能無法充分改善對比度。
產業上利用之可能性
本發明可作為EUV光罩利用在高精細的半導體製造等。
另外，在此沿用2008年4月23日申請的日本專利申請案2008-112763號的專利說明書、申請專利範圍、圖式、及發明摘要的所有內容，作為本發明之專利說明書的揭示，納 入本發明。
1‧‧‧光罩
1‧‧‧光罩基底
2‧‧‧基板
3‧‧‧反射層
4‧‧‧吸收體層
5‧‧‧薄膜
6‧‧‧光罩圖案
7‧‧‧吸收體層非去除部位
8‧‧‧吸收體層非去除部位
10‧‧‧EUV光罩
12‧‧‧基板
13‧‧‧反射層
14‧‧‧吸收體層
20‧‧‧段差
22‧‧‧段差的高度
24‧‧‧段差的端面
20a‧‧‧EUV光
20b‧‧‧EUV光
20c‧‧‧EUV光
21a‧‧‧反射光
21b‧‧‧反射光
21c‧‧‧反射光
30a‧‧‧EUV光
30b‧‧‧EUV光
30c‧‧‧EUV光
31a‧‧‧反射光
31b‧‧‧反射光
31c‧‧‧反射光
第1(a)圖係顯示本發明之EUV光罩之一實施形態的示意圖，第1(b)圖係顯示第1(a)圖所示之EUV光罩之各部位的反射光強度的圖表，第1(c)圖係第1(a)圖所示之EUV光罩之段差部的放大圖。
第2圖係顯示EUV光罩之一例的平面圖。
第3圖係顯示在實施例求出之反射光強度的圖表。
第4圖係顯示在實施例求出之反射光強度的圖表。
第5圖係顯示在實施例求出之反射光強度的圖表。
第6圖係顯示在實施例求出之反射光強度的圖表。
第7(a)圖係顯示EUV光罩之一構造例的示意圖，第7(b)圖係顯示第7(a)圖所示之EUV光罩之各部位的反射光強度的圖表，第7(c)圖係顯示僅存在反射光31a及反射光31c之理想EUV光罩之各部位的反射光強度的圖表。
1‧‧‧EUV光罩
2‧‧‧基板
3‧‧‧反射層
4‧‧‧吸收體層
5‧‧‧薄膜
20‧‧‧段差
20a‧‧‧EUV光
20b‧‧‧EUV光
20c‧‧‧EUV光
21a‧‧‧反射光
21b‧‧‧反射光
21c‧‧‧反射光
22‧‧‧段差的高度
24‧‧‧段差的端面

Claims (13)

  1. 一種EUV微影術用反射型光罩基底，係在基板上依序形成有反射EUV光的反射層與吸收EUV光的吸收體層者，且，前述基板上之至少一部分中，前述吸收體層在圖案化時被去除之部位與前述吸收體層在圖案化時未被去除之部位之間設有段差，且前述吸收體層未被去除之部位鄰接於前述吸收體層被去除之部位。
  2. 如申請專利範圍第1項之EUV微影術用反射型光罩基底，其中前述段差之端部位在相較於吸收體層被去除之部位與前述吸收體層未被去除之部位的邊界部，更靠近前述吸收體層被去除之部位的方向。
  3. 如申請專利範圍第1項之EUV微影術用反射型光罩基底，其中前述段差的高度為2~10nm。
  4. 如申請專利範圍第1項之EUV微影術用反射型光罩基底，其係藉由在前述基板表面之一部分形成薄膜，使前述段差形成。
  5. 如申請專利範圍第1項之EUV微影術用反射型光罩基底，其係藉由去除前述基板表面之一部分，使前述段差形成。
  6. 如申請專利範圍第1項之EUV微影術用反射型光罩基底，其中前述吸收體層上形成有低反射層，其相對於檢查光罩圖案時所使用之檢查光為低反射層。
  7. 如申請專利範圍第1項之EUV微影術用反射型光罩基底，其係在前述反射層與前述吸收體層之間形成有用以 在圖案化時保護前述反射層的保護層。
  8. 如申請專利範圍第1項之EUV微影用反射型光罩基底，其係在圖案化時的曝光區域外，形成有定位用的標記。
  9. 一種EUV微影術用反射型光罩基底，係在基板上依序形成有反射EUV光的反射層與吸收EUV光的吸收體層者，且，前述基板上，前述吸收體層在圖案化時被去除之部位之中成為光罩圖案外緣之部位與前述吸收體層在圖案化時未被去除之部位之間設有段差，且前述吸收體層在圖案化時未被去除之部位鄰接於成為前述光罩圖案外緣之部位外側。
  10. 如申請專利範圍第9項之EUV微影術用反射型光罩基底，其中前述段差之端部位在相較於前述光罩圖案外緣之部位與前述吸收體層未被去除之部位的邊界部，更靠近成為前述光罩圖案外緣之部位的方向。
  11. 如申請專利範圍第2、9及10項中任一項之EUV微影術用反射型光罩基底，其中前述段差之端部與光罩圖案之邊界部的距離L，在令EUV光對EUV光罩的入射角為α(°)、令吸收體層的膜厚(吸收體層上形成有低反射層時，係指吸收體層與低反射層的合計膜厚)為t(mm)、令段差的高度為h(nm)時，滿足下述式(1)：L=(t+h)×tanα-h (1)。
  12. 一種EUV微影術用反射型光罩，係將申請專利範圍第1至11項中任一項之EUV微影術用反射型光罩基底圖案化而作成者。
  13. 一種半導體積體電路的製造方法，係藉由使用申請專利範圍第12項之EUV微影術用反射型光罩，對被曝光體進行曝光，來製造半導體積體電路。
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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5970901B2 (ja) * 2012-03-26 2016-08-17 凸版印刷株式会社 反射型マスクおよび反射型マスクの製造方法
US8765331B2 (en) 2012-08-17 2014-07-01 International Business Machines Corporation Reducing edge die reflectivity in extreme ultraviolet lithography
JP2014127630A (ja) 2012-12-27 2014-07-07 Asahi Glass Co Ltd Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランクおよびその製造方法
JP2014160752A (ja) 2013-02-20 2014-09-04 Asahi Glass Co Ltd Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランクおよび該マスクブランク用反射層付基板
IL239577B (en) * 2015-06-22 2020-10-29 Zeiss Carl Smt Gmbh Correction of variation in critical dimension in extreme ultraviolet lithography
JP6586934B2 (ja) 2015-09-17 2019-10-09 Ａｇｃ株式会社 反射型マスクブランク、及び反射型マスクブランクの製造方法
JP2017075997A (ja) * 2015-10-13 2017-04-20 旭硝子株式会社 反射型マスクブランク、及び反射型マスクブランクの製造方法
KR20210088582A (ko) * 2018-11-15 2021-07-14 도판 인사츠 가부시키가이샤 반사형 포토마스크 블랭크 및 반사형 포토마스크
KR20210120512A (ko) 2020-03-27 2021-10-07 삼성전자주식회사 극자외선 노광 장치의 노광 마스크

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06120125A (ja) * 1991-11-12 1994-04-28 Hitachi Ltd 光学素子およびそれを用いた投影露光装置
US5485497A (en) * 1991-11-12 1996-01-16 Hitachi, Ltd. Optical element and projection exposure apparatus employing the same
JP3806702B2 (ja) 2002-04-11 2006-08-09 Ｈｏｙａ株式会社 反射型マスクブランクス及び反射型マスク及びそれらの製造方法並びに半導体の製造方法
EP1498936B1 (en) * 2002-04-11 2012-11-14 Hoya Corporation Reflection type mask blank and reflection type mask and production methods for them
JP3683261B2 (ja) * 2003-03-03 2005-08-17 Ｈｏｙａ株式会社 擬似欠陥を有する反射型マスクブランクス及びその製造方法、擬似欠陥を有する反射型マスク及びその製造方法、並びに擬似欠陥を有する反射型マスクブランクス又は反射型マスクの製造用基板
JP2005101399A (ja) * 2003-09-26 2005-04-14 Sony Corp 露光用マスクおよびマスク製造方法
US7094507B2 (en) * 2004-10-29 2006-08-22 Infineon Technologies Ag Method for determining an optimal absorber stack geometry of a lithographic reflection mask
CN100454485C (zh) * 2004-12-10 2009-01-21 凸版印刷株式会社 反射型光掩模坯料、反射型光掩模及半导体装置的制造方法
JP4622504B2 (ja) * 2004-12-21 2011-02-02 凸版印刷株式会社 極端紫外線露光用マスクブランク及びマスク並びにパターン転写方法
JP4926522B2 (ja) * 2006-03-31 2012-05-09 Ｈｏｙａ株式会社 反射型マスクブランクス及び反射型マスク並びに半導体装置の製造方法

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