TWI422904B - 液晶顯示裝置 - Google Patents

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Keiichi Yagi
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Japan Display West Inc
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Description

液晶顯示裝置
本發明係關於一液晶顯示裝置，該液晶顯示裝置在橫向電場模式中藉由液晶以進行顯示。
一種類型之一液晶顯示裝置在橫向電場模式諸如一FFS(邊緣場切換)模式中使用液晶。圖11係繪示在FFS模式中之一液晶顯示裝置100內之部分擴大的一截面部分。FFS模式中之液晶顯示裝置100具有構成一液晶顯示面板的兩個玻璃基板101a及101b。決定玻璃基板101a與101b之間的距離之一間隔件102被佈置於玻璃基板101a與101b之間。一薄膜電晶體103形成於玻璃基板101a之一側上。在該薄膜電晶體103上，藉由一有機膜或類似物而形成之一層間絕緣膜104用於使粗糙處變平。在該層間絕緣膜104上，一共同電極膜105及一像素絕緣膜106依序堆疊，且進一步而言之，具有一縫隙形缺口之一像素電極膜107堆疊於該層間絕緣膜104上。一液晶層108被佈置於像素電極膜107與玻璃基板101b之間。此一液晶顯示裝置100係揭示於日本未審查專利申請公開案第2008-20753號。
如上所述，在液晶顯示裝置中，間隔件被佈置於一像素之內側或外側。然而，例如在佈置間隔件至像素內之情況下，關於該像素之一合適位置以佈置該間隔件、一合適結構以佈置該間隔件等等，未做過具體考慮。
圖11係繪示間隔件被佈置於像素內之情況的一實例。當在具有此類結構之液晶顯示裝置的一螢幕上施加一擠壓力時，該壓力被傳輸至間隔件102且進一步至間隔件102下方之像素電極膜107、像素絕緣膜106及共同電極膜105。像素電極膜107及共同電極膜105通常由一堅硬材料諸如氧化銦製成，且像素絕緣膜106亦通常由一堅硬材料諸如SiN(氮化矽)製成。相反而言之，共同電極膜105下方之層間絕緣膜104通常由一有機材料諸如丙烯酸樹脂製成且柔軟並易於變形。因此，當施加一相對大的壓力至間隔件102時，例如，如圖12所繪示，層間絕緣膜104在間隔件102下方之一部分變形，且同時在像素電極膜107、像素絕緣膜106、及共同電極膜105上出現一裂縫。在某些情況下，其等可能完全破裂。在該種情況下，像素電極膜107及共同電極膜105經由損壞的像素電極膜107或共同電極膜105的一部分而短路，且在液晶顯示裝置100中出現一像素缺陷。特定而言之，當像素絕緣膜106經變薄以增加像素之電場時，此類問題將變得明顯。
此外，最近提議不僅具有一顯示功能亦具有一影像拾取功能之一種液晶顯示裝置。然而，尤其在此類具有影像拾取功能之液晶顯示裝置中，該螢幕被頻繁以手指或類似物所接觸。因此，由於施加於螢幕之壓力而出現像素缺陷之問題發生的可能性很高。
因此，需要提供可藉由防止由於施加於一螢幕之壓力而引起的一像素缺陷以實現經改良之可靠性的一液晶顯示裝 置。
根據本發明之一實施例的一液晶顯示裝置包含：一第一基板，該第一基板具有形成於一基底絕緣膜上之共同電極膜及經由一像素絕緣膜形成於該共同電極膜上之一像素電極膜；一第二基板，該第二基板被佈置於該像素電極膜之一側以使面朝第一基板；一液晶層，該液晶層被設置於第一基板與第二基板之間；及一間隔件，以定義第一及第二基板間之一距離，其中共同電極膜、像素電極膜或其等兩者在對應於間隔件之一區域內被部分移除，且像素絕緣膜在對應於間隔件之一區域內被部分移除。
在根據本發明之實施例的液晶顯示裝置中，當施加一壓力至第二基板時，間隔件藉由該壓力被推向第一基板之一側。在對應於間隔件之區域內，共同電極膜、像素電極膜或其等兩者被部分移除，且像素絕緣膜在對應於間隔件之區域內被部分移除。因此抑制了由於間隔件之擠壓而出現的一裂縫。即使裂縫出現，共同電極膜及像素電極膜間亦不會出現短路。
在根據本發明之實施例的液晶顯示裝置中，共同電極膜、像素電極膜或其等兩者在對應於間隔件之區域內被部分移除，且像素絕緣膜在對應於間隔件之區域內被部分移除。因此，可避免由於裂縫之出現而造成的電極間短路。因此，防止了由於螢幕上之壓力而出現像素缺陷，且確保了可靠性。
本發明之其他及進一步目的、特徵及優點將自以下描述 中更為充分地顯現。
本發明之實施例將參考該等圖式在下文中詳細描述。
[第一實施例]
圖1係一俯視圖，其繪示根據本發明之一第一實施例的一液晶顯示裝置1之一主要部分之一組態。圖2係圖1中一間隔件零件之一放大視圖。圖3係沿圖1中線A-A所得之一橫截面。圖1及2係繪示位於一液晶層36上方之組件被除去之一狀態。
如圖3所繪示，液晶顯示裝置1包含一第一玻璃基板10作為本發明之一「第一基板」之一個具體實例，且一第二玻璃基板35作為本發明之「第二基板」之一個具體實例。用以維持第一玻璃基板10與第二玻璃基板35之間之一距離的一間隔件31被佈置於第一玻璃基板10與第二玻璃基板35之間。在第一玻璃基板10之一側，設置形成以便像素絕緣膜26夾入中間的一像素電極膜29及一共同電極膜23。液晶層36係被佈置於第一玻璃基板10及第二玻璃基板35之間。
液晶顯示裝置1之詳細組態如下。
如圖3所繪示，複數個閘極線11作為選擇線在第一玻璃基板10之一頂面沿一列方向(在圖1中一水平方向)延伸。在構成像素12之一區域中，用於驅動像素12之一薄膜電晶體(TFT)13之一閘極13a自閘極線11沿一行方向(在圖1中一垂直方向)延伸。在所繪示之實例中，兩個閘極13a互相平行而延伸，藉此建立所謂的一雙重資料結構。在第一玻璃基 板10之頂面上，設置一閘極絕緣膜14以覆蓋該等閘極線11及該等閘極13a。
如圖3所繪示，在閘極絕緣膜14之一頂面上，設置一半導體層15用作TFT 13之一主動層。在當前實施例中，該半導體層15沿該列方向延長(圖1)。半導體層15與閘極13a在半導體層15內相交之一區域用作TFT 13之一通道。在閘極絕緣膜14上，設置具有絕緣性質以保護TFT 13之一電晶體保護膜16以覆蓋半導體層15。該電晶體保護膜16係一堅硬膜，其由例如SiN或類似物製成。因此即使當施加壓力時，電晶體保護膜16亦不會變形。
在電晶體保護膜16中，在半導體層15之一末端(一源極13c)之一側上設置一第一接觸孔17，及在該半導體層15之另一末端(一汲極13d)之一側上設置一第二接觸孔18(圖1)。該第一接觸孔17填滿一種導體，藉此形成電氣性地連接至半導體層15的一第一接觸件19。該第二接觸孔18亦填滿一種導體，藉此形成一第二接觸件20(圖1)電氣性地連接至半導體層15。該第一接觸件19電氣性地連接TFT 13之源極13c及像素電極膜29。該第二接觸件20電氣性地連接電晶體保護膜16上方沿行方向延伸之一資料線21及TFT 13之汲極13d。一資料信號(像素電壓)係經由第二接觸件20自資料線21被供應至TFT 13。當TFT 13處於導通狀態時，資料信號係經由汲極13d及第一接觸件19自TFT 13之源極13c被供應至像素電極膜29。
在電晶體保護膜16、第一接觸件19及第二接觸件20之 上，設置一層間絕緣膜22以覆蓋其等。該層間絕緣膜22由一有機材料諸如丙烯酸樹脂製成且因此易於變形。在第一接觸件19形成於該層間絕緣膜22內的位置中，形成觸及第一接觸件19之一頂面的一層間絕緣膜接觸孔22a。層間絕緣膜22係對應於本發明之一「基底絕緣層」之一具體實例。
在層間絕緣膜22之一頂面，設置共同電極膜23。在該共同電極膜23中，形成一矩形共同電極膜孔24及一共同電極膜接觸孔25。該共同電極膜孔24在俯視圖中大於間隔件31之尺寸。在共同電極膜接觸孔25在俯視圖中與第一接觸件19重疊的位置中設置該共同電極膜接觸孔25，且在俯視圖中其尺寸大於層間絕緣膜接觸孔22a，以防止共同電極膜23與像素電極膜29之間的短路。
在共同電極膜23之一頂面上，設置像素絕緣膜26。在該像素絕緣膜26中，一像素絕緣膜孔27形成於對應於間隔件31之一位置，且一像素絕緣膜接觸孔28形成於對應於第一接觸件19之一位置。該像素絕緣膜孔27大於間隔件31之尺寸且小於共同電極膜孔24之尺寸。該像素絕緣膜孔27被設置於對應於共同電極膜孔24之一位置中。
在像素絕緣膜26上，為像素12之各者形成一像素電極膜29。如圖1所繪示，佈置像素電極膜29以便與該等閘極線11之任何一者重疊且延伸橫越兩個鄰近之閘極線11。在像素電極膜29中，像素電極膜孔30(圖3)形成於對應於像素絕緣膜孔27及共同電極膜孔24之一位置。在俯視圖中，像素 電極膜孔30具有一尺寸等於共同電極膜孔24之尺寸，且因此其大於間隔件31之尺寸。像素電極膜29形成以便覆蓋像素絕緣膜接觸孔28之一內面，且與在該孔之底端處的第一接觸件19接觸。因此，該TFT 13之汲極13d及像素電極膜29經由第一接觸件19電氣性地互相連接。沿行方向延伸之複數個伸長的開口(縫隙29a)在像素電極膜29中形成。
當自共同電極膜孔24或像素電極膜孔30之一邊緣至像素絕緣膜孔27之一邊緣的距離為「d1」，且像素絕緣膜26之一厚度為「t」時，滿足d1>t之一關係。藉由設定此一關係，可防止共同電極膜23與像素電極膜29所產生之電場僅在間隔件31周圍變強。
在第二玻璃基板35之一下表面上，依序堆疊一彩色濾光器33及一黑色矩陣34，以及一平坦層32。在該黑色矩陣34下方，設置由例如光阻劑製成之間隔件31。該間隔件31之一較低端面與層間絕緣膜22之頂面接觸，該層間絕緣膜22係曝露於對應於在第一玻璃基板10之側的共同電極膜孔24、像素絕緣膜孔27、及像素電極膜孔30之一區域。如圖2及圖3所繪示，該黑色矩陣34係形成為略大於像素電極膜孔30。該黑色矩陣34係形成以便分開該鄰近之彩色濾光器33以防止色彩混合。在第二玻璃基板35之側的一堆疊結構與在第一玻璃基板10之側的一堆疊結構之間設置液晶層36。間隔件31穿透該液晶層36，且發揮作用以在第一玻璃基板10之側的堆疊結構與該第二玻璃基板35之側的堆疊結構之間維持一預定距離。間隔件31可被設置用於所有像素或僅 用於一部分像素。在僅為一部分像素設置該間隔件31之情況下，最好該等間隔件31被設置於(例如)用於藍色之像素，因為在用於藍色之像素中，即使當傳輸光線之數量由於間隔件之配置而減少時，就可見性特徵之觀點而言，影響還是很小。
圖4A及4B示意性地繪示液晶顯示裝置之一透視結構。如該等圖式所繪示，一第一配向膜38a、液晶層36、一第二配向膜38b、及一第二偏光鏡37b被佈置於像素電極膜29之頂面之一側(光線出射側)。另外，一第一偏光鏡37a被佈置於玻璃基板(共同電極膜23)之該下表面之一側(光線入射側)。
[製造方法]
具有此一組態之液晶顯示裝置1係(例如)以如下之方式製造。首先，在第一玻璃基板10上形成一金屬膜以形成閘極線11及用於驅動該液晶顯示裝置1之像素12的TFT 13之閘極13a。該金屬膜可藉由使用一膜形成方法例如濺鍍法，用一金屬材料諸如鉬而形成。接著，藉由使用微影技術在該金屬膜之一頂面上形成一遮罩。其後，自該遮罩之開口部分曝露之金屬膜被蝕刻，且該遮罩被移除。以此方式，閘極線11及TFT 13之閘極13a形成。
其次，覆蓋第一玻璃基板10、閘極線11及TFT 13之閘極13a的閘極絕緣膜14形成。該閘極絕緣膜14藉由使用膜形成方法諸如電漿加強的化學氣相沉積法(電漿CVD)，用一絕緣材料諸如SiN而形成。
其次，形成半導體層15。為形成該半導體層15，首先，藉由使用一膜形成方法(諸如電漿CVD法)在閘極絕緣膜14之頂面形成變為半導體層15的一膜，該膜由一半導體材料(諸如非晶矽)製成。接著，藉由使用微影技術在該半導體材料之一頂面形成一遮罩。其後，自該遮罩之開口部分曝露之半導體材料被蝕刻，且該遮罩被移除。在此一方式中，半導體層15形成。
其次，保護TFT 13之電晶體保護膜16形成於半導體層15之頂面上及該閘極絕緣膜14之頂面上。為形成該電晶體保護膜16，首先，藉由使用一膜形成方法(諸如電漿CVD法)在閘極絕緣膜14之頂面形成一膜以覆蓋半導體層15，該膜由一絕緣材料(諸如SiN)製成。其次，藉由使用微影技術在閘極絕緣膜14之頂面上形成一遮罩，且自該遮罩之開口部分曝露之絕緣材料被蝕刻，且其後該遮罩被移除，以使第一接觸孔17及第二接觸孔18沿一層疊方向佈置。在此一方式中，第一接觸孔17及第二接觸孔18在電晶體保護膜16中形成。
其次，藉由用導體填充第一接觸孔17及第二接觸孔18，第一接觸件19及第二接觸件20形成。接著，資料線21形成。該資料線21可以類似於形成閘極線11之方式形成。
其後，層間絕緣膜22在電晶體保護膜16、第一接觸件19及資料線21之頂面上形成，在此一方式中層間絕緣膜22具有例如為約1.5μm至2μm之一厚度。該層間絕緣膜22可藉由使用一絕緣材料諸如丙烯酸樹脂而形成。在該種情況 下，當使用具有光敏性之丙烯酸樹脂時，藉由使用一微影技術易於形成層間絕緣膜接觸孔22a。在此一方式中，用於在第一接觸件19與共同電極膜23間產生絕緣之層間絕緣膜22形成。
接著，共同電極膜23作為一光透電極形成於層間絕緣膜22上，在此一方法中共同電極膜23具有約為0.05μm至0.1μm之一厚度。為形成共同電極膜23，首先，藉由使用一膜形成方法(諸如濺鍍法)，在層間絕緣膜22之頂面形成一膜，該膜由一電極材料諸如氧化銦製成。接著，為形成共同電極膜孔24及共同電極膜接觸孔25，藉由使用一微影技術在共同電極膜23之頂面上形成一遮罩，且自該遮罩之開口部分曝露之電極材料被蝕刻，且其後，該遮罩被移除。在此一方式中，具有共同電極膜孔24及共同電極膜接觸孔25之共同電極膜23形成，該共同電極膜孔24係藉由部分移除對應於間隔件31之區域而獲得，該共同電極膜接觸孔25係藉由部分移除對應於第一接觸件19之區域而獲得。
接著，具有約為0.1μm至0.2μm之一厚度的像素絕緣膜26形成於共同電極膜23之上。該像素絕緣膜26藉由形成一膜、形成一遮罩、蝕刻未被該遮罩所覆蓋之部分、及移除該遮罩而獲得，該膜由(例如)一電介質(諸如SiN)製成，係藉由使用一膜形成方法(諸如電漿CVD法)在共同電極膜23之頂面形成；該遮罩藉由使用一微影技術形成於該電介質層之一頂面上。在此一方式中，具有像素絕緣膜孔27及像素絕緣膜接觸孔28之像素絕緣膜26形成，該像素絕緣膜孔 27係藉由部分移除對應於間隔件31之區域而獲得，該像素絕緣膜接觸孔28係藉由部分移除對應於該第一接觸件19之該區域而獲得。
其次，像素電極膜29形成於像素絕緣膜26之上，在此一方式中像素電極膜29具有約為0.05μm至0.1μm之一厚度。像素電極膜29藉由形成一膜、形成一遮罩、蝕刻未被該遮罩所覆蓋之部分、及移除該遮罩而獲得，該膜係藉由使用一膜形成方法諸如濺鍍法，用一電極材料諸如氧化鉬而形成，該遮罩係藉由使用一微影技術形成於該電極材料之一頂面上。在此一方式中，具有縫隙29a之像素電極膜29及藉由部分移除對應於間隔件31之區域而獲得之像素電極膜孔30形成，該縫隙29a用於容許經由像素絕緣膜26在像素電極膜29及共同電極膜23間施加電場。
同時，彩色濾光器33、黑色矩陣34、平坦層32、及間隔件31形成於第二玻璃基板35。首先，黑色矩陣34形成於第二玻璃基板35之頂面上。該黑色矩陣34形成於對應於間隔件31之區域，即是，在俯視圖中間隔件31重疊之一部分、當光線透射經過時對比惡化之區域、及在彩色濾光器33中鄰近之色彩部分之間的邊界區域。較佳而言之，在平面方向之一側形成之黑色矩陣34比像素電極膜孔30或共同電極膜孔24大4μm或更多。該黑色矩陣34係藉由在該第二玻璃基板35之頂面上塗敷一負型黑色光阻劑，及藉由使用一微影技術以進行曝光而獲得。藉此，在曝露部分之光阻劑作為在第二玻璃基板35之頂面上的黑色矩陣34而保留。應注 意正型光阻劑可用為黑色光阻劑。
其次，彩色濾光器33形成於第二玻璃基板35之頂面上。彩色濾光器33係形成用於紅、綠、及藍之各色彩。明確言之，該紅色彩色濾光器33係藉由塗敷一紅色負型光阻劑於第二玻璃基板35之頂面上，且藉由使用一微影技術進行曝光及顯影。接著，綠色及藍色彩色濾光器33形成。該等綠色及藍色彩色濾光器33可藉由一類似於紅色彩色濾光器33之一方法而形成。形成紅色彩色濾光器33、綠色彩色濾光器33、藍色彩色濾光器33之順序係為可選。可用一正型光阻劑作為色彩光阻劑。
其次，平坦層32形成於該黑色矩陣34及彩色濾光器33之該等頂面上。藉由在黑色矩陣34及彩色濾光器33之上形成平坦層32，藉由形成黑色矩陣34及彩色濾光器33而形成之粗糙表面被平坦化。
接著，間隔件31形成於平坦層32之一頂面上。該間隔件31藉由塗敷一負型光阻劑於平坦層32之頂面上而獲得，且藉由使用一微影技術以執行曝光及顯影。在此一方式中，在俯視圖中重疊於黑色矩陣34之間隔件31形成。可用一正型光阻劑作為該光阻劑。
其後，佈置以便配置於第一玻璃基板10之側的像素電極膜29與配置於第二玻璃基板35之側的間隔件31互相面對，且第一玻璃基板10與第二玻璃基板35附接在一起。此時，進行定位以使間隔件31通過像素電極膜孔30之內側、像素絕緣膜孔27及共同電極膜孔24，且使間隔件31之一末端與 層間絕緣膜22接觸。
接著，在像素電極膜29及平坦層32之間注入一液晶以形成液晶層36。藉此，液晶顯示裝置之主要製程完成。
[操作及作用]
首先，將描述液晶顯示裝置1之基本操作。圖4A及4B係繪示該液晶顯示裝置1之一透視組態，且圖5A及5B係繪示該液晶顯示裝置1之橫截面(沿圖1中B-B線所得之橫截面)。圖4A及5A係繪示未施加電壓之一狀態，且圖4B及5B係繪示施加電壓之一狀態。
對於該液晶顯示裝置1，光線係自佈置於玻璃基板之後側(圖1中之較低側)的背光(未繪示)入射。當通過液晶層36時入射於液晶層36上之光線經受以下所描述之FFS模式中的間隔調整。
明確言之，如圖4A及圖5A所繪示，在未施加電壓於共同電極膜23與像素電極膜29之間的一狀態中，構成液晶層36之液晶分子36a之軸與在一入射側之第一偏光鏡37a的傳輸軸成直角，且平行於在一光出射側之第二偏光鏡37b的傳輸軸。因此，入射光線「h」通過在入射側之第一偏光鏡37a到達在出射側之第二偏光鏡37b而不在液晶層36中引起一相位差，且藉此被吸收。因此顯示黑色。
另一方面而言之，如圖4B及5B所繪示，在橫越共同電極膜23及像素電極膜29施加電壓之一狀態中，液晶分子36a之一排列方向藉由產生於像素電極膜29之間的電場E而轉向傾斜於像素電極膜29之一延伸方向。此時，白色顯示 中的電場強度被優化用於將液晶分子36a轉大約45度角，液晶分子36a位於液晶層36一厚度方向之中心。藉此，當入射光線通過液晶層36時，通過在入射側之第一偏光鏡37a的入射光線中出現相位差。該光線變成轉向90度的線性極化光線，且通過在出射側之第二偏光鏡37b。因此，顯示白色。
現在將描述該液晶顯示裝置1之一特性作用。
圖6係繪示液晶顯示裝置1之一截面組態。在圖6中，僅附隨參考數字至該描述所需之組件，且不附隨至其他組件。如圖6之一箭頭所繪示，當自第二玻璃基板35之側施加一壓力至液晶顯示裝置1時，一向下壓力被施加至間隔件31，且佈置於間隔件31下方之層間絕緣膜22變形。由於此時無壓力直接施加至共同電極膜23、像素絕緣膜26及像素電極膜29，很難出現一裂縫。因此，共同電極膜23及像素電極膜29不短路。
在本實施例中，共同電極膜23及像素電極膜29在對應於間隔件31之區域中被部分移除，且像素電極膜孔30及共同電極膜孔24敞開。因此，自其下方之閘極線11的電場可滲漏入液晶層36內以影響液晶分子(未繪示)之行為。因此，對比似可惡化。考慮到該可能性，在本實施例中，黑色矩陣34係形成為略大於像素電極膜孔30以充分確保光線遮蔽區域圍繞於間隔件31。藉此，即使在間隔件31之週邊區域的電場中出現干擾，亦無光線通過該區域。因此，防止了電場之干擾使對比惡化。
相應而言之，在本實施例中，共同電極膜23、像素絕緣膜26及像素電極膜29在對應於間隔件31之位置被移除，且間隔件31之端面的一者與層間絕緣膜22接觸。因此，即使當強烈地擠壓第二玻璃基板35或在液晶顯示裝置1上施加衝擊時，亦可避免在像素電極膜29與共同電極膜23之間發生短路。因此，有效防止一像素缺陷的發生。因此，裝置的可靠性及直至一產品缺陷出現的一時期(產品壽命)增加了。此外，即使當像素絕緣膜26變薄時亦可抑制像素缺陷的出現。因此，液晶顯示面板可在厚度上縮減。
在下文中，將描述本發明之其他實施例。在該等實施例之如下描述中，相同參考數字被指定用於與該第一實施例相同之組件，且將不給定或將簡要給定該等組件之細節描述。
[第二實施例]
圖7係繪示根據一第二實施例之一液晶顯示裝置2中一主要部分的一截面組態。相對於一像素電極膜40及一黑色矩陣41，該液晶顯示裝置2異於第一實施例之液晶顯示裝置1。明確言之，在液晶顯示裝置2中，未在像素電極膜40中設置一像素電極膜孔。因此像素電極膜40覆蓋所有部分，包含像素絕緣膜26之頂面及像素絕緣膜孔27之一內壁面與一底面(自像素絕緣膜孔27曝露之層間絕緣膜22的頂面)。此外，間隔件31之端面的一者係與覆蓋像素絕緣膜孔27之底面的像素電極膜40之頂面接觸。其他組態類似於第一實施例(圖3)。
在具有此一組態之液晶顯示裝置2中，如圖8所繪示，當擠壓第二玻璃基板35時，該壓力施加至間隔件31，且像素電極膜40及像素絕緣膜40下方之層間絕緣膜22受到擠壓。由於層間絕緣膜22由一柔軟有機材料製成，因此易於藉由擠壓而變形。藉此，諸如一裂縫之破壞可在像素電極膜40中出現。然而，由於共同電極膜23不存在於間隔件31下方，且此外，共同電極膜孔24之邊緣完全被像素絕緣膜26覆蓋，所以即使在像素電極膜40中出現裂縫，像素電極膜40及共同電極膜23亦不短路。因此，抑制了像素缺陷的發生。
進一步而言之，在液晶顯示裝置2中，未設置像素電極膜孔30(圖1)，且像素電極膜40完全覆蓋共同電極膜孔24。因此，自閘極線11之電場被像素電極膜40有效阻止，且間隔件31之週邊的一場干擾面積減少。藉此，佈置於間隔件31上方之黑色矩陣41之俯視圖的一尺寸可製成小於第一實施例中之尺寸。明確而言之，自間隔件31之一端部至黑色矩陣41之一端部之一平面距離d2可縮小。因此，黑色矩陣41之一面積及自未繪示之背光之照射光線通過之一區域增加了(數值孔徑增加了)。
相應而言之，在本實施例中，在亮度惡化及由於間隔件31之存在而引起的對比惡化皆避免的同時，間隔件零件之像素缺陷被有效阻止。
[第三實施例]
圖9係繪示根據一第三實施例之一液晶顯示裝置3中間隔 件31部的一截面組態。相對於一共同電極膜45，該液晶顯示裝置異於第一實施例之液晶顯示裝置1。明確言之，在液晶顯示裝置3中，未設置用於共同電極膜45之共同電極膜孔24(圖1)。因此，共同電極膜45自像素絕緣膜孔27之底端處曝露。此外，間隔件31之端面的一者與曝露於像素電極膜孔27之底端處的共同電極膜45之一頂面接觸。其他組態類似於第一實施例中之組態(圖3)。
在第三實施例中，形成像素絕緣膜孔27及像素電極膜孔30，且像素絕緣膜孔26及像素電極膜29在對應於間隔件31之區域中被部分移除。另一方面而言，共同電極膜23未被移除而是保留下來，且間隔件31之端面的一者與共同電極膜45之表面接觸。因此，當在第二玻璃基板35上施加壓力或衝擊時，共同電極膜45及在共同電極膜45下方之層間絕緣膜22被間隔件31擠壓。由於層間絕緣膜22由一柔軟有機材料製成，層間絕緣膜22經被擠壓後會發生變形，且諸如裂縫之損壞似會出現在共同電極膜45中。然而，即使當共同電極膜45被破壞，像素電極膜29與共同電極膜45之間之短路亦不太可能出現。因此，可防止出現像素缺陷。
[第四實施例]
圖10係繪示根據一第四實施例之液晶顯示裝置4中間隔件31的一截面組態。相對於一層間絕緣膜50，該液晶顯示裝置4異於如第一實施例之液晶顯示裝置1。明確言之，在液晶顯示裝置4中，在層間絕緣膜50中一層間絕緣膜孔51形成於對應於間隔件31之一區域中。形成之層間絕緣膜孔 51稍大於間隔件31之平面尺寸以使間隔件31經其通過，且小於共同電極膜孔24。因此，間隔件31通過像素電極膜孔30、像素絕緣膜孔27、共同電極膜孔24及層間絕緣膜孔51，且與電晶體保護膜16之頂面接觸。其他組態類似於第一實施例之組態(圖3)。
在具有此一組態之液晶顯示裝置4中，當藉由擠壓第二玻璃基板35以施加一壓力至間隔件31時，電晶體保護膜16受到擠壓。然而，由於該電晶體保護膜16由一堅硬材料諸如SiN製成因此難以變形。換言之，由於已除去易變形之層間絕緣膜50，對抗該擠壓的力量增至最大值。因此可減少像素缺陷之出現。
儘管本發明已參考例示性實施例進行如上描述，本發明並不限於前述之該等實施例而可進行各種修改。例如，間隔件31之平面組態不限於環形而可為其他形狀諸如橢圓形或四邊形。
此外，在前述之實施例中，已描述僅具有顯示功能之液晶顯示裝置。然而，本發明並不僅限於此。本發明亦可應用至具有一觸控面板所具有之功能的一液晶顯示裝置，例如，除了顯示功能之外的一影像捕獲功能。此類裝置形成具有複數個光感測器(諸如PIN光二極體)和液晶之一驅動基板(圖1中之該第一玻璃基板10)之一側的TFT 13，並捕獲一物體諸如手指觸摸顯示螢幕之一影像以偵測該物體。藉此，可輸入關於該物體之資訊諸如位置、尺寸、形狀等等。此一裝置係基於假設該螢幕頻繁用一手指等觸摸，且 在某些情況中，該螢幕被相當強烈地擠壓。因此，在實際中應用本發明之結構至此一裝置非常有效。
本申請案含有2008年8月27日日本專利局編入檔內之日本優先權專利申請案JP 2008-217637中之相關標的，該案之全文以引用之方式併入本文中。
顯然按照以上之該等教示，本發明可有諸多修改及變動。因此應瞭解在附隨請求項之範圍內，本發明可於除明確描述之外進行實踐。
1‧‧‧液晶顯示裝置
2‧‧‧液晶顯示裝置
3‧‧‧液晶顯示裝置
4‧‧‧液晶顯示裝置
10‧‧‧第一玻璃基板
11‧‧‧閘極線
12‧‧‧像素
13‧‧‧薄膜電晶體
13a‧‧‧閘極
13c‧‧‧源極
13d‧‧‧汲極
14‧‧‧閘極絕緣膜
15‧‧‧導體層
16‧‧‧電晶體保護膜
17‧‧‧第一接觸孔
18‧‧‧第二接觸孔
19‧‧‧第一接觸件
20‧‧‧第二接觸件
21‧‧‧資料線
22‧‧‧層間絕緣膜
22a‧‧‧層間絕緣膜接觸孔
23‧‧‧共同電極膜
24‧‧‧共同電極膜孔
25‧‧‧共同電極膜接觸孔
26‧‧‧像素絕緣膜
27‧‧‧像素絕緣膜孔
28‧‧‧像素絕緣膜接觸孔
29‧‧‧像素電極膜
29a‧‧‧縫隙
30‧‧‧像素電極膜孔
31‧‧‧間隔件
32‧‧‧平坦層
33‧‧‧彩色濾光器
34‧‧‧黑色矩陣
35‧‧‧第二玻璃基板
36‧‧‧液晶層
36a‧‧‧液晶分子
37a‧‧‧第一偏光鏡
37b‧‧‧第二偏光鏡
38a‧‧‧第一配向膜
38b‧‧‧第二配向膜
40‧‧‧像素電極膜
41‧‧‧黑色矩陣
45‧‧‧共同電極膜
50‧‧‧層間絕緣膜
51‧‧‧層間絕緣膜孔
100‧‧‧液晶顯示裝置
101a‧‧‧玻璃基板
101b‧‧‧玻璃基板
102‧‧‧間隔件
103‧‧‧薄膜電晶體
104‧‧‧層間絕緣膜
105‧‧‧共同電極膜
106‧‧‧像素絕緣膜
107‧‧‧像素電極膜
108‧‧‧液晶層
圖1係一俯視圖，以繪示根據本發明之一第一實施例之一液晶顯示裝置之一主要部分之一結構；圖2係圖1中一間隔件部分之一放大圖；圖3係沿圖1中線A-A所取之一橫截面；圖4A及圖4B係繪示該液晶顯示裝置之一主要部分之一組態的透視圖；圖5A及圖5B係沿圖1中線B-B所取之一橫截面；圖6係一橫截面，其解釋圖1所繪示之該液晶顯示裝置之操作；圖7係一橫截面，其根據一第二實施例繪示一液晶顯示裝置之一主要部分之一結構；圖8係一橫截面，其繪示在圖7所顯示之該液晶顯示裝置中一像素電極膜損壞之一狀態；圖9係一橫截面，其根據一第三實施例繪示一液晶顯示裝置之一主要部分之一結構； 圖10係一橫截面，其繪示根據一第四實施例之一液晶顯示裝置之一主要部分之一結構；圖11係一橫截面，其繪示在一FFS模式中在一現存的液晶顯示裝置之一主要部分的一結構；及圖12係一橫截面，其繪示在如圖11所繪示之液晶顯示裝置中一像素電極膜、一像素絕緣膜及一共同電極膜損壞之一狀態。
1‧‧‧液晶顯示裝置
11‧‧‧閘極線
12‧‧‧像素
13‧‧‧薄膜電晶體
13a‧‧‧閘極
13c‧‧‧源極
13d‧‧‧汲極
15‧‧‧導體層
17‧‧‧第一接觸孔
18‧‧‧第二接觸孔
19‧‧‧第一接觸件
20‧‧‧第二接觸件
21‧‧‧資料線
29‧‧‧像素電極膜
29a‧‧‧縫隙
31‧‧‧間隔件

Claims (3)

  1. 一種液晶顯示裝置，其包括：一第一基板，其具有形成於一基底絕緣膜上之一共同電極膜及經由一像素絕緣膜形成於該共同電極膜上之一像素電極膜；一第二基板，其被佈置於該像素電極膜之一側以便面朝該第一基板；一液晶層，其被設置於該第一基板與該第二基板之間；及一間隔件，其定義該第一基板與該第二基板之間之一距離，其中無論該共同電極膜、或該像素電極膜或其等兩者在對應於該間隔件之一區域內被部分移除，該像素絕緣膜在對應於該間隔件之該區域內被部分移除，在該像素絕緣膜及該共同電極膜被部分移除之該區域內所形成的一孔之內部被以該像素電極膜覆蓋，且該間隔件之端面的一者與在該孔之一底面上之該像素電極膜接觸。
  2. 一種液晶顯示裝置，其包括：一第一基板，其具有形成於一基底絕緣膜上之一共同電極膜及經由一像素絕緣膜形成於該共同電極膜上之一像素電極膜；一第二基板，其被佈置於該像素電極膜之一側以便面 朝該第一基板；一液晶層，其被設置於該第一基板與該第二基板之間；及一間隔件，其定義該第一基板與該第二基板之間之一距離，其中該共同電極膜以及該像素電極膜在對應於該間隔件之一區域內被部分移除，該像素絕緣膜在對應於該間隔件之該區域內被部分移除，在該像素電極膜、該像素絕緣膜及該共同電極膜被部分移除之該區域中所形成之一孔的一底端處曝露該基底絕緣層，且該間隔件之端面的一者與曝露於該孔之該底端處的該基底絕緣層接觸。
  3. 一種液晶顯示裝置，其包括：一第一基板，其具有形成於一基底絕緣膜上之一共同電極膜及經由一像素絕緣膜形成於該共同電極膜上之一像素電極膜；一第二基板，其被佈置於該像素電極膜之一側以便面朝該第一基板；一液晶層，其被設置於該第一基板與該第二基板之間；及一間隔件，其定義該第一基板與該第二基板之間之一 距離，其中該共同電極膜以及該像素電極膜在對應於該間隔件之一區域內被部分移除，該像素絕緣膜在對應於該間隔件之該區域內被部分移除，該基底絕緣層亦在對應於該間隔件之該區域內被部分移除。
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Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI399601B (zh) * 2009-05-27 2013-06-21 Innolux Corp 薄膜電晶體基板及液晶顯示面板
US8928846B2 (en) * 2010-05-21 2015-01-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device having dielectric film over and in contact with wall-like structures
JP5278777B2 (ja) * 2010-11-09 2013-09-04 Ｎｌｔテクノロジー株式会社 液晶表示装置
WO2013011601A1 (ja) * 2011-07-19 2013-01-24 パナソニック株式会社 液晶表示装置およびその製造方法
US8970799B2 (en) 2011-07-19 2015-03-03 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Liquid crystal display device and method of manufacturing the same
JP6002478B2 (ja) * 2012-07-04 2016-10-05 株式会社ジャパンディスプレイ 液晶表示装置
KR102101000B1 (ko) 2012-07-20 2020-04-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
KR101391836B1 (ko) * 2012-12-17 2014-05-07 엘지디스플레이 주식회사 어레이 기판 및 이를 포함하는 액정표시장치
CN103901650B (zh) * 2012-12-25 2016-12-28 上海天马微电子有限公司 一种内嵌式触控显示装置
TWI490618B (zh) 2013-01-04 2015-07-01 E Ink Holdings Inc 畫素結構
KR20140090853A (ko) 2013-01-10 2014-07-18 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20150029177A (ko) * 2013-09-09 2015-03-18 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
KR102098304B1 (ko) * 2013-12-10 2020-05-27 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20160006880A (ko) * 2014-07-09 2016-01-20 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
JP2016148807A (ja) 2015-02-13 2016-08-18 株式会社ジャパンディスプレイ 液晶表示装置
JP6503052B2 (ja) * 2015-03-09 2019-04-17 シャープ株式会社 液晶表示装置
US10031363B2 (en) * 2015-06-05 2018-07-24 Innolux Corporation Touch display device
JP6584891B2 (ja) * 2015-09-18 2019-10-02 イー インク コーポレイション 表示装置用基板、表示装置、電子機器および表示装置用基板の製造方法
CN105629591B (zh) * 2016-01-11 2018-10-30 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、其制备方法及液晶显示面板
JP6808335B2 (ja) * 2016-03-11 2021-01-06 株式会社ジャパンディスプレイ 液晶表示装置
TWI600947B (zh) * 2016-11-24 2017-10-01 友達光電股份有限公司 用於顯示面板的畫素結構與主動元件陣列基板
CN206460240U (zh) * 2017-02-09 2017-09-01 中华映管股份有限公司 触控显示装置
JP6392957B2 (ja) * 2017-09-07 2018-09-19 株式会社ジャパンディスプレイ 液晶表示装置
CN108427229A (zh) * 2018-05-08 2018-08-21 深圳市华星光电技术有限公司 液晶显示面板
CN114761833A (zh) * 2019-12-05 2022-07-15 伟视达电子工贸有限公司 发光装置、用于显示装置的背光单元以及显示装置
CN111025782A (zh) * 2019-12-13 2020-04-17 武汉华星光电技术有限公司 液晶显示面板和液晶显示装置
CN114217481B (zh) * 2021-12-30 2022-12-23 绵阳惠科光电科技有限公司 显示面板和显示装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20010019372A1 (en) * 2000-03-06 2001-09-06 Hitachi, Ltd Liquid crystal display element having controlled storage capacitance
US7126661B2 (en) * 1999-05-20 2006-10-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd In-plane switching display device having common electrode overlapping channel forming region, and double gate TFT
US20070002261A1 (en) * 2005-06-29 2007-01-04 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. Liquid crystal display panel and fabricating method thereof

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4362250B2 (ja) * 2001-10-16 2009-11-11 Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 液晶表示装置及びその製造方法
KR100980020B1 (ko) * 2003-08-28 2010-09-03 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판과 그 제조 방법
KR100971089B1 (ko) * 2005-05-31 2010-07-16 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 그 제조방법
US7525631B2 (en) * 2005-12-13 2009-04-28 Lg Display Co., Ltd. Liquid crystal display device and method of fabricating the same
KR101192783B1 (ko) * 2005-12-15 2012-10-18 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 이의 제조방법
JP2007334003A (ja) * 2006-06-15 2007-12-27 Nec Lcd Technologies Ltd 液晶表示装置及びその製造方法
JP4902284B2 (ja) 2006-07-14 2012-03-21 株式会社 日立ディスプレイズ 半透過型液晶表示装置
JP2008058573A (ja) * 2006-08-31 2008-03-13 Epson Imaging Devices Corp 液晶装置及び電子機器
JP2008157997A (ja) * 2006-12-20 2008-07-10 Seiko Epson Corp 液晶装置及び電子機器
JP2008170589A (ja) * 2007-01-10 2008-07-24 Seiko Epson Corp 液晶装置、液晶装置の製造方法並びに電子機器
JP5143637B2 (ja) * 2008-06-12 2013-02-13 株式会社ジャパンディスプレイウェスト 液晶表示パネル

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7126661B2 (en) * 1999-05-20 2006-10-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd In-plane switching display device having common electrode overlapping channel forming region, and double gate TFT
US20010019372A1 (en) * 2000-03-06 2001-09-06 Hitachi, Ltd Liquid crystal display element having controlled storage capacitance
US20070002261A1 (en) * 2005-06-29 2007-01-04 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. Liquid crystal display panel and fabricating method thereof

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