CN105629591B - 一种阵列基板、其制备方法及液晶显示面板 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种阵列基板、其制备方法及液晶显示面板，通过将用于连接两个相邻的像素电极的连接部的面向隔垫物的一侧设置成凹槽结构，并且使连接部位于像素设定区域中的两个像素区域内的上表面与衬底基板之间的距离大于隔垫物的下表面与衬底基板之间的距离，使得隔垫物被阻挡在该连接部与薄膜晶体管形成的限位结构中，可以防止隔垫物移动到像素显示区域中，从而不会使隔垫物划伤配向膜，进而可以避免液晶显示面板产生漏光现象，提高液晶显示面板的显示效果。

Description

一种阵列基板、其制备方法及液晶显示面板
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种阵列基板、其制备方法及液晶显示面板。
背景技术
液晶显示面板(LCD，Liquid Crystal Display)中，一般由彩膜基板和阵列基板对盒而成，且液晶分子层夹在彩膜基板和阵列基板之间，为了保证液晶分子层的厚度的均一性，通常需要设置支撑用的隔垫物。
如图1所示，目前现有的阵列基板一般包括：衬底基板10，交叉设置的多条栅线Gate和多条数据线Data，由各栅线Ga1e和各数据线Data限定的多个像素区域11，各像素区域11包括相互绝缘的公共电极12和像素电极13以及与各像素电极13对应的薄膜晶体管14，用于连接沿列方向相邻的两个公共电极12的连接线15，以及位于连接线15与薄膜晶体管14之间的隔垫物16。
但是在由上述阵列基板形成的液晶显示面板中，当隔垫物受到外力作用时可能会移动到像素区域11中，由于像素区域11中具有控制液晶层中液晶分子偏转的配向膜，当隔垫物移动到像素区域11中会划伤配向膜，而配向膜受损后会造成液晶分子偏转紊乱，导致在黑态时配向膜受损区域的液晶分子发生偏转，进而导致LCD显示面板产生漏光现象，影响LCD显示面板的显示效果。
发明内容
本发明实施例提供一种阵列基板、其制备方法及液晶显示面板，能够防止隔垫物移动，提高液晶显示面板的显示效果。
因此，本发明实施例提供了一种阵列基板，包括：衬底基板，多条沿第一方向延伸的第一信号线、多条沿第二方向延伸的第二信号线，位于由所述第一信号线和所述第二信号线所限定的各像素区域内的且相互绝缘的公共电极和像素电极，用于连接沿所述第一方向相邻的两个公共电极的连接部，与各所述像素电极对应连接的且至少与所述第二信号线有部分重叠区域的薄膜晶体管，以及若干位于所述第二信号线上且位于所述薄膜晶体管与所述连接部之间的隔垫物；其中，所述第一方向与所述第二方向垂直，所述连接部与所述第一信号线和所述第二信号线均绝缘；
以与所述隔垫物相邻的两个像素区域为一像素设定区域，至少连接所述像素设定区域中的两个公共电极的连接部在面向所述隔垫物的一侧具有凹槽结构，并且所述连接部在所述像素区域内的上表面与所述衬底基板的上表面之间的距离大于所述隔垫物的下表面与所述衬底基板的上表面之间的距离；
所述连接部与所述薄膜晶体管构成限位结构，用于限制所述隔垫物移动至所述像素区域中。
较佳地，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，所述连接部的结构相同。
较佳地，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，所述连接部包括：分别位于两个相邻的像素区域内且沿所述第二方向延伸的第一子连接部，以及用于连接两个所述第一子连接部的第二子连接部；其中，
所述第二子连接部包括：沿所述第一方向延伸的第一延伸部以及由所述第一延伸部的两端向所述第二方向延伸的第二延伸部，其中，所述第二延伸部在所述衬底基板的正投影与所述第一子连接部在所述衬底基板的正投影重合。
较佳地，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，所述第一子连接部与所述第二信号线设置为同层同材质，且厚度相同；
所述第二子连接部与所述第一信号线设置为同层同材质，且厚度相同。
较佳地，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，所述连接部位于所述公共电极的上方。
较佳地，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，还包括：位于所述第一信号线所在层与所述第二信号线所在层之间的第一绝缘层；其中，
所述第二信号线所在层位于所述第一信号线所在层的上方，所述连接部中的所述第一子连接部通过贯穿所述第一绝缘层的第一过孔与所述第二子连接部电性连接，所述第二子连接部与对应的公共电极电性连接；或者，
所述第一信号线所在层位于所述第二信号线所在层的上方，所述连接部中的所述第二子连接部通过贯穿所述第一绝缘层的第一过孔与所述第一子连接部电性连接，所述第一子连接部与对应的公共电极电性连接。
较佳地，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，还包括：位于所述连接部上的导电层；
所述连接部在所述衬底基板的正投影覆盖所述导电层在所述衬底基板的正投影。
较佳地，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，所述导电层与所述像素电极同层设置且相互绝缘。
较佳地，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，在所述第二信号线所在层位于所述第一信号线所在层的上方时，所述阵列基板还包括：位于所述第二信号线所在层与所述像素电极所在层之间的第二绝缘层；
所述导电层通过贯穿所述第二绝缘层的第二过孔与所述连接部中的第一子连接部电性连接。
较佳地，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，在所述第一信号线所在层位于所述第二信号线所在层的上方时，所述阵列基板还包括：位于所述第一信号线所在层与所述像素电极所在层之间的第二绝缘层；
所述导电层通过贯穿所述第二绝缘层的第二过孔与所述连接部中的第二子连接部电性连接。
较佳地，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，所述第一信号线为数据线，所述第二信号线为栅线；或，
所述第一信号线为栅线，所述第二信号线为数据线。
相应地，本发明实施例还提供了一种液晶显示面板，包括相对设置的对向基板和阵列基板，以及位于所述对向基板与所述阵列基板之间的液晶层，所述阵列基板为本发明实施例提供的上述任一种阵列基板。
相应地，本发明实施例还提供了一种阵列基板的制备方法，包括：
所述第一子连接部与所述第二信号线通过一次构图工艺形成；和/或，
所述第二子连接部与所述第一信号线通过一次构图工艺形成。
较佳地，在本发明实施例提供的上述制备方法中，当所述阵列基板包括所述导电层时，所述导电层与所述像素电极通过一次构图工艺形成。
本发明实施例提供的上述阵列基板、其制备方法及液晶显示面板，通过将用于连接两个相邻的像素电极的连接部的面向隔垫物的一侧设置成凹槽结构，并且使连接部位于像素设定区域中的两个像素区域内的上表面与衬底基板之间的距离大于隔垫物的下表面与衬底基板之间的距离，使得隔垫物被阻挡在该连接部与薄膜晶体管形成的限位结构中，可以防止隔垫物移动到像素显示区域中，从而不会使隔垫物划伤配向膜，进而可以避免液晶显示面板产生漏光现象，提高液晶显示面板的显示效果。
附图说明
图1为现有的阵列基板的结构示意图；
图2a为本发明实施例提供的阵列基板的俯视结构示意图之一；
图2b为本发明实施例提供的阵列基板的俯视结构示意图之二；
图3a为图2a所示的阵列基板中连接部的具体结构示意图；
图3b为图2a所示的阵列基板沿A-A’方向的刨面结构示意图；
图4a为图2b所示的阵列基板中连接部的具体结构示意图；
图4b为图2b所示的阵列基板沿A-A’方向的刨面结构示意图；
图5a为本发明实施例提供的阵列基板的俯视结构示意图之三；
图5b为图5a所示的阵列基板沿A-A’方向的刨面结构示意图；
图6a为本发明实施例提供的阵列基板的俯视结构示意图之四；
图6b为图6a所示的阵列基板沿A-A’方向的刨面结构示意图；
图7a至图7e分别为本发明实施例一执行各步骤后的剖面结构示意图；
图8a至图8d分别为本发明实施例二执行各步骤后的剖面结构示意图。
具体实施方式
为了使本发明的目的，技术方案和优点更加清楚，下面结合附图，对本发明实施例提供的阵列基板、其制备方法及液晶显示面板的具体实施方式进行详细地说明。
附图中各层薄膜厚度和形状不反映阵列基板的真实比例，目的只是示意说明本发明内容。
本发明实施例提供了一种阵列基板，如图2a和图2b所示，包括：衬底基板100，多条沿第一方向Y延伸的第一信号线110、多条沿第二方向X延伸的第二信号线120，位于由第一信号线110和第二信号线120所限定的各像素区域130内的且相互绝缘的公共电极131和像素电极132，用于连接沿第一方向Y相邻的两个公共电极131的连接部140，与各像素电极132对应连接的且至少与第二信号线120有部分重叠区域的薄膜晶体管150，以及若干位于第二信号线120上且位于薄膜晶体管150与连接部140之间的隔垫物160；其中，第一方向Y与第二方向X垂直，连接部140与第一信号线110和第二信号线120均绝缘，
以与隔垫物160相邻的两个像素区域130为一像素设定区域170，至少连接像素设定区域170中的两个公共电极131的连接部140在面向隔垫物160的一侧具有凹槽结构，并且连接部140在像素区域130内的上表面与衬底基板100的上表面之间的距离大于隔垫物160的下表面与衬底基板100的上表面之间的距离；
连接部140与薄膜晶体管150构成限位结构，用于限制隔垫物160移动至像素区域130中。
本发明实施例提供的上述阵列基板，通过将用于连接两个相邻的像素电极的连接部的面向隔垫物的一侧设置成凹槽结构，并且使连接部位于像素设定区域中的两个像素区域内的上表面与衬底基板之间的距离大于隔垫物的下表面与衬底基板之间的距离，使得隔垫物被阻挡在该连接部与薄膜晶体管形成的限位结构中，可以防止隔垫物移动到像素显示区域中，从而不会使隔垫物划伤配向膜，进而可以避免液晶显示面板产生漏光现象，提高液晶显示面板的显示效果。
进一步地，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，仅与隔垫物对应的连接部面向隔垫物的一侧具有凹槽结构，其余不用于限制隔垫物的连接部可以不具有凹槽结构，这样可以提高除像素设定区域之外的像素区域的显示开口率。
较佳地，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，如图2a和图2b所示，连接部140的结构相同。这样可以使制备各连接部140的工艺统一，从而可以降低工艺难度。
进一步地，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，如图3a和图4a所示，连接部140包括：分别位于两个相邻的像素区域130内且沿第二方向X延伸的第一子连接部141，以及用于连接两个第一子连接部141的第二子连接部142；其中，
第二子连接部142包括：沿第一方向Y延伸的第一延伸部1421以及由第一延伸部1421的两端向第二方向X延伸的第二延伸部1422，其中，第一子连接部141在衬底基板100的正投影覆盖第二延伸部1422在衬底基板100的正投影；或者，第二延伸部1422在衬底基板100的正投影覆盖第一子连接部141在衬底基板100的正投影。
较佳地，在具体实施时，为了不影响像素区域中显示区域的开口率，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，第二延伸部在衬底基板的正投影与第一子连接部在衬底基板的正投影重合。
进一步地，公共电极的材料一般常采用透明导电材料，例如氧化铟锡(ITO)材料，由于ITO材料的电阻比金属材料的电阻大，因此在阵列基板中不同位置处的公共电极的电压可能会不同，从而导致公共电极的均一性降低，因此为了提高阵列基板中不同位置处的公共电极的均一性，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，连接部的材料均为金属材料，例如金、银、铝等。
进一步地，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，第一信号线和第二信号线的材料可以为透明导电材料，例如氧化铟锡(ITO)材料、氧化铟锌(IZO)材料、碳纳米管或石墨烯等；也可以为金属材料，例如金、银、铝等，在此不作限定。
较佳地，由于金属材料的电阻小于透明导电材料的电阻，为了降低信号线的功耗，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，第一信号线和第二信号线均为金属材料。
较佳地，为了简化制作工艺，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，如图3b和图4b所示，第一子连接部141与第二信号线120设置为同层同材质，且厚度相同。这样，在制备阵列基板100时只需要在形成第二信号线120时改变原有的构图图形，即可通过一次构图工艺形成第一子连接部141和第二信号线120的图形，不用增加单独制备第一子连接部141的工艺，可以简化制备工艺流程，节省生产成本，提高生产效率。
或者，如图3b和图4b所示，第二子连接部142与第一信号线(图3b和图4b均未示出)设置为同层同材质，且厚度相同。这样，在制备阵列基板100时只需要在形成第一信号线时改变原有的构图图形，即可通过一次构图工艺形成第二子连接部142和第一信号线的图形，不用增加单独制备第二子连接部142的工艺，可以简化制备工艺流程，节省生产成本，提高生产效率。
较佳地，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，如图3b和图4b所示，第一子连接部141与第二信号线120设置为同层同材质，且厚度相同；并且第二子连接部142与第一信号线(图3b和图4b均未示出)设置为同层同材质，且厚度相同。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，连接部可以位于公共电极的上方，当然连接部也可以位于公共电极的下方，在此不作限定。下面均是以连接部位于公共电极的上方为例进行说明的。
进一步地，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，如图3b和图4b所示，阵列基板还包括：位于第一信号线110所在层与第二信号线120所在层之间的第一绝缘层180。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，如图3b所示，第一信号线(图3b中未示出)所在层位于第二信号线120所在层的上方，连接部140中的第二子连接部142通过贯穿第一绝缘层180的第一过孔181与第一子连接部141电性连接，第一子连接部141与对应的公共电极131电性连接。
较佳地，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，第一子连接部可以直接位于公共电极上方，从而与公共电极直接电性连接。这样可以省略制备过孔的工艺，简化制备工艺流程，节省生产成本，提高生产效率，
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，如图4b所示，第二信号线120所在层位于第一信号线(图4b中未示出)所在层的上方，连接部140中的第一子连接部141通过贯穿第一绝缘层180的第一过孔181与第二子连接部142电性连接，第二子连接部142与对应的公共电极131电性连接。
较佳地，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，第二子连接部直接位于公共电极上方，从而与公共电极直接电性连接。这样可以省略制备过孔的工艺，简化制备工艺流程，节省生产成本，提高生产效率，
当然，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，当第一信号线所在层位于第二信号线所在层的上方时，阵列基板还可以包括：位于第二信号线与公共电极之间的公共绝缘层，连接部中的第一子连接部可以通过贯穿公共绝缘层的过孔与对应的公共电极电性连接；或者，
当第二信号线所在层位于第一信号线所在层的上方时，阵列基板还可以包括：位于第一信号线与公共电极之间的公共绝缘层，连接部中的第二子连接部通过贯穿公共绝缘层的过孔与公共电极电性连接。
进一步地，由于电阻并联后的等效电阻会比独立的电阻的电阻值小，为了降低连接部的电阻，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，如图5a和6a所示，该阵列基板还包括：位于连接部140上的导电层190；连接部140在衬底基板100的正投影覆盖导电层190在衬底基板100的正投影。这样通过在连接部上增加导电层，还可以进一步限制隔垫物，使其不会进入像素区域。
较佳地，通过增加导电层的面积可以降低连接部与导电层的等效电阻，但为了使导电层不影响像素区域中显示区域的开口率，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，连接部在衬底基板的正投影与导电层在衬底基板的正投影重合。
进一步地，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，如图5b所示，导电层190与像素电极132同层设置且相互绝缘。这样，在制备阵列基板100时只需要在形成像素电极132时改变原有的构图图形，即可通过一次构图工艺形成导电层190与像素电极132的图形，不用增加单独制备导电层190的工艺，可以简化制备工艺流程，节省生产成本，提高生产效率。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，如图5b所示，在第一信号线(图5b中未示出)所在层位于第二信号线120所在层的上方时，该阵列基板还包括：位于第一信号线所在层与像素电极132所在层之间的第二绝缘层200；导电层190通过贯穿第二绝缘层200的第二过孔201与连接部140中的第二子连接部142电性连接。
或者，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，如图6b所示，在第二信号线120所在层位于第一信号线(图6b中未示出)所在层的上方时，该阵列基板还包括：位于第二信号线120所在层与像素电极132所在层之间的第二绝缘层200；导电层190通过贯穿第二绝缘层200的第二过孔201与连接部140中的第一子连接部141电性连接。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，第一信号线可以为数据线，第二信号线可以为栅线；或者，第一信号线可以为栅线，第二信号线可以为数据线。
进一步地，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，薄膜晶体管一般包括相互绝缘的栅电极与有源层，以及与有源层电连接的源电极和漏电极；其中，栅电极一般与栅线设置为同层同材质，源电极和漏电极与数据线设置为同层同材质。
进一步地，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，在衬底基板上一般还设置有其它结构和膜层，由于这些结构和膜层的设置均与现有技术相同，在此不作赘述。
基于同一发明构思，当阵列基板中的连接部包括第一子连接部和第二子连接部时，本发明实施例还提供了一种该阵列基板的制备方法，第一子连接部与第二信号线通过一次构图工艺形成；和/或，
第二子连接部与第一信号线通过一次构图工艺形成。
需要说明的是，在本发明实施例提供的上述制备方法中，构图工艺可只包括光刻工艺，或，可以包括光刻工艺以及刻蚀步骤，同时还可以包括打印、喷墨等其他用于形成预定图形的工艺；光刻工艺是指包括成膜、曝光、显影等工艺过程的利用光刻胶、掩模板、曝光机等形成图形的工艺。在具体实施时，可根据本发明中所形成的结构选择相应的构图工艺。
具体地，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述制备方法中，第一子连接部与第二信号线通过一次构图工艺形成。这样只需要在形成第二信号线时改变原有的构图图形，即可通过一次构图工艺形成第一子连接部和第二信号线的图形，不用增加单独制备第一子连接部的工艺，可以简化制备工艺流程，节省生产成本，提高生产效率。
或者，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述制备方法中，第二子连接部与第一信号线通过一次构图工艺形成。这样只需要在形成第一信号线时改变原有的构图图形，即可通过一次构图工艺形成第二子连接部和第一信号线的图形，不用增加单独制备第二子连接部的工艺，可以简化制备工艺流程，节省生产成本，提高生产效率。
较佳地，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述制备方法中，第一子连接部与第二信号线通过一次构图工艺形成；并且第二子连接部与第一信号线通过一次构图工艺形成。这样可以只需要分别通过两次构图工艺即可形成第一子连接部与第二信号线的图形以及第二子连接部与第一信号线的图形，能够进一步简化制备工艺、节省生产成本，提高生产效率。
进一步地，当阵列基板包括导电层时，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述制备方法中，导电层与像素电极通过一次构图工艺形成。这样可以同时形成导电层与像素电极的图形，能够简化制备工艺，节省生产成本，提高生产效率。
下面以图5b和图6b所示的阵列基板为例说明其制备方法。下面以第一信号线为数据线，第二信号线为栅线为例进行说明，但不限制本发明。
实施例一、
以图5b所示的阵列基板为例，该阵列基板的制备可以包括以下步骤：
(1)通过一次构图工艺在衬底基板100上形成公共电极131的图形，如图7a所示；
(2)通过一次构图工艺在衬底基板100上至少形成包括第二信号线120和第一子连接部141的图形，第一子连接部141与公共电极131直接电性连接，如图7b所示；这样只需要在形成第二信号线120时改变原有的构图图形，即可通过一次构图工艺形成第一子连接部141和第二信号线120的图形，不用增加单独制备第一子连接部141的工艺，可以简化制备工艺流程，节省生产成本，提高生产效率。
(3)通过一次构图工艺形成第一绝缘层180和过孔181的图形，如图7c所示；
(4)通过一次构图工艺至少形成包括第一信号线(图7d中未示出)和第二子连接部142的图形，第二子连接部142通过贯穿第一绝缘层180的过孔181与第一子连接部141电性连接，如图7d所示；这样只需要在形成第一信号线时改变原有的构图图形，即可通过一次构图工艺形成第二子连接部142和第一信号线的图形，不用增加单独制备第二子连接部142的工艺，可以简化制备工艺流程，节省生产成本，提高生产效率。
(5)通过一次构图工艺形成第二绝缘层200和过孔201的图形，如图7e所示；
(6)通过一次构图工艺形成导电层190和像素电极132的图形，导电层190通过贯穿第二绝缘层200的过孔与第二子连接部142电性连接，如图5b所示。这样只需要在形成像素电极132时改变原有的构图图形，即可通过一次构图工艺形成导电层190与像素电极132的图形，不用增加单独制备导电层190的工艺，可以简化制备工艺流程，节省生产成本，提高生产效率。
在具体实施时，在步骤(3)之后，在步骤(4)之前，还包括形成薄膜晶体管中的有源层的图形。
实施例二、
以图6b所示的阵列基板为例，该阵列基板的制备除了包括实施例一中的步骤(1)，还包括：
(2)通过一次构图工艺至少形成包括第一信号线(图8a中未示出)和第二子连接部142的图形，第二子连接部142与公共电极131直接电性连接，如图8a所示；这样只需要在形成第一信号线时改变原有的构图图形，即可通过一次构图工艺形成第二子连接部142和第一信号线的图形，不用增加单独制备第二子连接部142的工艺，可以简化制备工艺流程，节省生产成本，提高生产效率。
(3)通过一次构图工艺形成第一绝缘层180和过孔181的图形，如图8b所示；
(4)通过一次构图工艺在衬底基板100上至少形成包括第二信号线120和第一子连接部141的图形，第一子连接部141通过贯穿第一绝缘层180的过孔181与第二子连接部142电性连接，如图8c所示；这样只需要在形成第二信号线120时改变原有的构图图形，即可通过一次构图工艺形成第一子连接部141和第二信号线120的图形，不用增加单独制备第一子连接部141的工艺，可以简化制备工艺流程，节省生产成本，提高生产效率。
(5)通过一次构图工艺形成第二绝缘层200和过孔201的图形，如图8d所示；
(6)通过一次构图工艺形成导电层190和像素电极132的图形，导电层190通过贯穿第二绝缘层200的过孔与第一子连接部141电性连接，如图6b所示。这样只需要在形成像素电极132时改变原有的构图图形，即可通过一次构图工艺形成导电层190与像素电极132的图形，不用增加单独制备导电层190的工艺，可以简化制备工艺流程，节省生产成本，提高生产效率。
在具体实施时，在步骤(3)之后，且在步骤(4)之前，还包括形成薄膜晶体管中的有源层的图形。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种液晶显示面板，包括相对设置的对向基板和阵列基板，以及位于对向基板与阵列基板之间的液晶层，该阵列基板为本发明实施例提供的上述任一种阵列基板。该液晶显示面板解决问题的原理与前述阵列基板相似，因此该液晶显示面板的实施可以参见前述阵列基板的实施，重复之处在此不再赘述。
本发明实施例提供的阵列基板、液晶显示面板即显示装置，通过将用于连接两个相邻的像素电极的连接部的面向隔垫物的一侧设置成凹槽结构，并且使连接部位于像素设定区域中的两个像素区域内的上表面与衬底基板之间的距离大于隔垫物的下表面与衬底基板之间的距离，使得隔垫物被阻挡在该连接部与薄膜晶体管形成的限位结构中，可以防止隔垫物移动到像素显示区域中，从而不会使隔垫物划伤配向膜，进而可以避免液晶显示面板产生漏光现象，提高液晶显示面板的显示效果。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (14)

1.一种阵列基板，包括：衬底基板，多条沿第一方向延伸的第一信号线、多条沿第二方向延伸的第二信号线，位于由所述第一信号线和所述第二信号线所限定的各像素区域内的且相互绝缘的公共电极和像素电极，用于连接沿所述第一方向相邻的两个公共电极的连接部，与各所述像素电极对应连接的且至少与所述第二信号线有部分重叠区域的薄膜晶体管，以及若干位于所述第二信号线上且位于所述薄膜晶体管与所述连接部之间的隔垫物；其中，所述第一方向与所述第二方向垂直，所述连接部与所述第一信号线和所述第二信号线均绝缘；其特征在于，
以与所述隔垫物相邻的两个像素区域为一像素设定区域，至少连接所述像素设定区域中的两个公共电极的连接部在面向所述隔垫物的一侧具有凹槽结构，并且所述连接部在所述像素区域内的上表面与所述衬底基板的上表面之间的距离大于所述隔垫物的下表面与所述衬底基板的上表面之间的距离；
所述连接部与所述薄膜晶体管构成限位结构，用于限制所述隔垫物移动至所述像素区域中。
2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述连接部的结构相同。
3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述连接部包括：分别位于两个相邻的像素区域内且沿所述第二方向延伸的第一子连接部，以及用于连接两个所述第一子连接部的第二子连接部；其中，
所述第二子连接部包括：沿所述第一方向延伸的第一延伸部以及由所述第一延伸部的两端向所述第二方向延伸的第二延伸部，其中，所述第二延伸部在所述衬底基板的正投影与所述第一子连接部在所述衬底基板的正投影重合。
4.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第一子连接部与所述第二信号线设置为同层同材质，且厚度相同；
所述第二子连接部与所述第一信号线设置为同层同材质，且厚度相同。
5.如权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述连接部位于所述公共电极的上方。
6.如权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，还包括：位于所述第一信号线所在层与所述第二信号线所在层之间的第一绝缘层；其中，
所述第二信号线所在层位于所述第一信号线所在层的上方，所述连接部中的所述第一子连接部通过贯穿所述第一绝缘层的第一过孔与所述第二子连接部电性连接，所述第二子连接部与对应的公共电极电性连接；或者，
所述第一信号线所在层位于所述第二信号线所在层的上方，所述连接部中的所述第二子连接部通过贯穿所述第一绝缘层的第一过孔与所述第一子连接部电性连接，所述第一子连接部与对应的公共电极电性连接。
7.如权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，还包括：位于所述连接部上的导电层；
所述连接部在所述衬底基板的正投影覆盖所述导电层在所述衬底基板的正投影。
8.如权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述导电层与所述像素电极同层设置且相互绝缘。
9.如权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，在所述第二信号线所在层位于所述第一信号线所在层的上方时，所述阵列基板还包括：位于所述第二信号线所在层与所述像素电极所在层之间的第二绝缘层；
所述导电层通过贯穿所述第二绝缘层的第二过孔与所述连接部中的第一子连接部电性连接。
10.如权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，在所述第一信号线所在层位于所述第二信号线所在层的上方时，所述阵列基板还包括：位于所述第一信号线所在层与所述像素电极所在层之间的第二绝缘层；
所述导电层通过贯穿所述第二绝缘层的第二过孔与所述连接部中的第二子连接部电性连接。
11.如权利要求1-10任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述第一信号线为数据线，所述第二信号线为栅线；或，
所述第一信号线为栅线，所述第二信号线为数据线。
12.一种液晶显示面板，包括相对设置的对向基板和阵列基板，以及位于所述对向基板与所述阵列基板之间的液晶层，其特征在于，所述阵列基板为如权利要求1-11任一项所述的阵列基板。
13.一种如权利要求4-10任一项所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：
所述第一子连接部与所述第二信号线通过一次构图工艺形成；和/或，
所述第二子连接部与所述第一信号线通过一次构图工艺形成。
14.如权利要求13所述的制备方法，其特征在于，当所述阵列基板包括所述导电层时，所述导电层与所述像素电极通过一次构图工艺形成。
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