TWI419980B - 鎳-錸合金粉末及含有它之導電糊 - Google Patents
鎳-錸合金粉末及含有它之導電糊 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI419980B TWI419980B TW096136508A TW96136508A TWI419980B TW I419980 B TWI419980 B TW I419980B TW 096136508 A TW096136508 A TW 096136508A TW 96136508 A TW96136508 A TW 96136508A TW I419980 B TWI419980 B TW I419980B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- nickel
- alloy powder
- powder
- rhenium alloy
- oxide film
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C19/00—Alloys based on nickel or cobalt
- C22C19/03—Alloys based on nickel or cobalt based on nickel
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/005—Electrodes
- H01G4/008—Selection of materials
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F1/00—Metallic powder; Treatment of metallic powder, e.g. to facilitate working or to improve properties
- B22F1/16—Metallic particles coated with a non-metal
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/20—Conductive material dispersed in non-conductive organic material
- H01B1/22—Conductive material dispersed in non-conductive organic material the conductive material comprising metals or alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/005—Electrodes
- H01G4/008—Selection of materials
- H01G4/0085—Fried electrodes
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F2998/00—Supplementary information concerning processes or compositions relating to powder metallurgy
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F27/00—Details of transformers or inductances, in general
- H01F27/28—Coils; Windings; Conductive connections
- H01F27/29—Terminals; Tapping arrangements for signal inductances
- H01F27/292—Surface mounted devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/30—Stacked capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
- H01L23/49866—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers characterised by the materials
- H01L23/49883—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers characterised by the materials the conductive materials containing organic materials or pastes, e.g. for thick films
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/29—Coated or structually defined flake, particle, cell, strand, strand portion, rod, filament, macroscopic fiber or mass thereof
- Y10T428/2982—Particulate matter [e.g., sphere, flake, etc.]
- Y10T428/2991—Coated
Description
本發明關於電子領域中用於形成導體而使用的以鎳當作主成分的合金粉末。特別地,關於適用於形成積層電容器、積層感應器、積層致動器等的積層陶瓷電子零件之內部電極的以鎳當作主成分的鎳-錸合金粉末,及含有該合金粉末的導電糊。
積層陶瓷電子零件(以下亦稱為「積層電子零件」)一般係如下地製造。使介電體、磁性體、壓電體等的陶瓷原料粉末分散於樹脂黏結劑中,準備片化而成的陶瓷綠片(以下稱為「陶瓷片」)。於該陶瓷片上,以指定的圖案來印刷以導電性粉末當作主成分,依照所欲含有陶瓷粉末等的無機粉末分散在含有樹脂黏結劑及溶劑的媒液中而成之內部電極用導電糊,使乾燥及去除溶劑,形成內部電極乾燥膜。將具有所得到的內部電極乾燥膜之陶瓷片,以複數片堆積、壓黏,得到陶瓷片與內部電極糊層所交互積層而成的未煅燒之積層體。將該積層體裁切成指定的形狀後,經過將黏結劑加熱分解使飛散的脫黏結劑步驟,藉由在高溫煅燒,同時進行陶瓷層的燒結與內部電極層的形成,得到陶瓷基體。然後,在基體的兩端面燒附端子電極,得到積層電子零件。端子電極亦有與未煅燒的積層體同時煅燒的情況。
作為內部電極用導電糊的導電性粉末,最近代替鈀、銀等的貴金屬粉末,使用鎳、銅等的賤金屬粉末係成為主流,隨著此,積層體的煅燒,亦以賤金屬粉末在煅燒中不氧化的方式,通常在氧分壓極低的非氧化性氣氛中進行。
近年來,強烈要求積層電子零件的小型化、高積層化,尤其於使用鎳當作導電性粉末的積層陶瓷電容器中,陶瓷層、內部電極層的薄層化皆快速地進展。然而,若言及內部電極,由於電容器的煅燒溫度通常為1200℃以上的高溫,故鎳粉末成為過燒結的狀態,除了煅燒後發生大的空隙導致電阻值的上升,亦有過度的粒成長導致電極的球狀化,使外觀的電極厚度變厚的問題,在內部電極的薄層化係有限度。
又,為了將電極薄層化,於內部電極用導電糊中,雖然使用粒徑1μm以下、尤其0.5μm以下的極微細之鎳粉末,但如此微細的鎳粉末由於活性高,燒結開始溫度極低,故即使藉由在煅燒中還早的階段中開始燒結,內部電極也成為不連續。即,鎳粒子於非氧化性氣氛中煅燒時,即使為比較活性低的單結晶粒子,在400℃以下的低溫也開始燒結、收縮。另一方面,構成陶瓷片的陶瓷粒子開始燒結的溫度一般為遠高於此的高溫,於與上述含鎳粉末的內部電極糊同時煅燒時,由於陶瓷層不會與鎳膜一起收縮,故鎳膜在面方向成為被拉伸的形式。因此,茲認為在比較低溫的燒結鎳膜中所產生的空隙,隨著在高溫範圍的燒結之進行而擴大,容易成為大的空穴。於如此的內部電極中若發生大的空隙,則引起電阻值的上升或斷線,電容器的靜電容量會降低。
另外,由於起因於煅燒中的鎳之氧化還原反應,發生體積的膨脹收縮,故內部電極與陶瓷層的燒結收縮行為不一致,此亦成為發生脫層或龜裂等的構造缺陷之原因,良率、可靠性會降低。而且,由於微細鎳粉末的表面活性高,在氮氣氛等的非氧化性氣氛中進行脫黏結劑時,對於媒液當作分解觸媒而作用,樹脂在比通常的分解溫度還低的溫度會爆發地分解。於該情況下,不僅由於發生劇烈的氣體而導致龜裂或脫層,而且由於劇烈反應,樹脂不能完全揮散,產生碳質殘渣,起因於此而造成電容器特性的降低、構造缺陷的發生、可靠性的降低之問題。即,脫黏結劑後在內部電極層所殘留的碳,在接著高溫之陶瓷燒結步驟中氧化、氣體化而飛散時,由陶瓷層抽出氧,使陶瓷基體的強度降低,使靜電容量、絕緣電阻等的電氣特性惡化。又,由於碳會使鎳粉末的熔點降低,故亦引起過燒結。
為了解決如此的問題,專利文獻1中揭示作為導電性粉末,以鎳當作主成分,含有20莫耳%以下的比鎳之熔點還高的釕、銠、錸、鉑中之至少1種元素,使用含有平均粒徑0.01~1.0μm的合金粉末之導電糊,形成積層陶瓷電容器的內部電極,則即使內部電極層的厚度變薄時,也可抑制煅燒階段的鎳粉末之粒成長,藉此可防止球狀化、斷線、龜裂等,可有效地抑制靜電容量的降低。專利文獻2中記載一種導電糊,其使用一種在鎳粉末表面上具有含釕、銠、錸、鉑中至少1種元素的被覆層之粉末,也能有同樣的效果。
又,例如專利文獻3中揭示藉由在鎳粉末的表面上形成具有某一程度的厚度之緻密氧化膜,可壓低煅燒時鎳的氧化還原所致的體積及重量之變化,而且可提高燒結開始溫度,有效地防止脫層。
[專利文獻1]WO2004/070748號公報[專利文獻2]特開2004-319435號公報[專利文獻3]特開2000-45001號公報
上述鎳的合金粉末及被覆粉末,尤其鎳-錸合金粉末或錸被覆鎳粉末(以下亦將此等總稱為「含錸的鎳粉末」),係不會對介電體的特性有不良影響,可形成比使用純鎳粉末之情況還薄的內部電極層。
然而,含錸的鎳粉末之活性一般有比純鎳粉末還高的傾向,尤其若粒徑變極小,則在導電糊的煅燒時,低溫的燒結之進行係快速的,而且會引起如前述的樹脂之劇烈分解。
本發明人們嘗試藉由使含錸的鎳粉末被表面氧化以降低表面活性,藉由延遲燒結開始以更使燒結行為與陶瓷層成一致,惟效果參差不齊。
茲認為如此效果的參差不齊係起因為含錸的鎳粉末之特有性質。即,錸若氧化,則在數百℃左右的低溫具有昇華性質,由於上述表面氧化處理而發生種種問題。例如,於錸被覆的鎳粉末中,由於上述表面氧化處理時的加熱而使錸被膜氧化及飛散。又,即使於鎳與錸合金化的粉末中,若錸的比率高,則由於表面氧化處理時的加熱而生成氧化錸,由於其昇華而使合金組成變化,不能充分得到與錸合金化的效果。而且,鎳-錸合金粉末表面所形成的氧化膜,在煅燒中的低溫會被分解及去除,推測此亦為粉末的耐熱性變低,燒結行為無法固定的一個原因。又,薄的表面氧化膜雖然具有抑制粉末之超出其以外的氧化進行之作用,但亦有由於該氧化膜被分解而降低耐氧化性,在煅燒中錸成分會氧化、飛散,合金組成會變化,對介電體層造成不利影響的問題。
本發明之目的係為了解決如上述的問題,提供即使極微細但活性也低,使用其例如於形成積層陶瓷電容器等的積層陶瓷電子零件之內部電極時,可使更接近陶瓷層的燒結收縮行為,而且可防止高溫的過燒結,因此能更薄地形成連續性優異的內部電極之含錸的鎳粉末,及使用其的導電糊。特別地,目的為提供即使將內部電極薄層化,靜電容量等電氣特性也不會降低,而且沒有構造缺陷,可製造高積層且小型的可靠性高之積層陶瓷電子零件之含錸的鎳粉末,及使用其的積層陶瓷電子零件之內部電極用導電糊。
本發明人等檢討於含錸的鎳粉末上,再現性良好地形成薄且在某一程度的高溫之前不會分解的能維持在粒子表面上之強固的表面氧化膜。結果發現若為特定的粒徑範圍、特定組成的鎳-錸合金粉末,則幾乎不會發生錸成分的蒸發飛散,且不會損害後合金的特性,可形成的良好的表面氧化膜,而且藉由使用形成有如此安定表面氧化膜的鎳-錸合金粉末,能形成薄且連續性優異的內部電極被膜。本發明係以該知識為基礎而完成者。
即,本發明係由以下的構成所成。
(1)一種鎳-錸合金粉末,其特徵為以鎳當作主成分,含有0.1~10重量%的錸之平均粒徑0.05~1.0μm的鎳-錸合金粉末,具有含鎳的氧化物及錸的氧化物之表面氧化膜,而且表面氧化膜中的氧量對於粉末的總量而言係0.1~3.0重量%。
(2)如上述(1)記載的鎳-錸合金粉末,其中將上述鎳-錸合金粉末在氮-氫還原氣氛中,以5℃/分鐘的速度從室溫升溫到1300℃為止進行TMA測定時,對於1300℃的收縮率而言其顯示20%收縮率的溫度係在400~800℃的範圍。
(3)如上述(1)或(2)記載的鎳-錸合金粉末,其中於上述表面氧化膜中存在有矽的氧化物。
(4)如上述(1)至(3)中任一項記載的鎳-錸合金粉末,其中上述鎳-錸合金粉末更含有硫。
(5)如上述(4)記載的鎳-錸合金粉末,其中上述硫係偏析於表面附近。
(6)如上述(4)或(5)記載的鎳-錸合金粉末,其中上述硫的含量,對於粉末全體的重量而言,以硫原子換算係100~2,000ppm。
(7)一種積層陶瓷電子零件的內部電極形成用導電糊,其特徵為含有如上述(1)至(6)中任一項記載的鎳-錸合金粉末當作導電性粉末。
本發明之具有表面氧化膜的鎳-錸合金粉末,於用在積層陶瓷電子零件的內部電極之形成時,由於可抑制煅燒時的低溫之燒結開始和進行,且耐氧化性亦良好,故可使電極層與陶瓷層的燒結收縮行為接近。又,不會發生過燒結所致的電極之球狀化。故,可形成薄且空隙少的低電阻之電極。因此,例如於積層陶瓷電容器的情況,不會降低靜電容量等的電氣特性,可將內部電極層及陶瓷層更薄層化,可謀求小型化、高積層化。而且,起因於煅燒中的氧化還原之脫層、龜裂等的構造缺陷亦少。再者,可安定化脫黏結劑步驟的黏結劑分解行為,可抑制起因於殘留碳所致的積層陶瓷電子零件之構造缺陷的發生或電氣特性的降低。因此,於陶瓷層、內部電極層的厚度薄之高積層品中,也可良率高地得到可靠性高的積層陶瓷電子零件。
特別地,當矽成分以氧化物存在上述表面氧化膜中時,可形成更薄且連續性高的優異內部電極膜。再者,藉由在本發明的鎳-錸合金粉末中含有硫,可抑制起因於脫黏結劑步驟所致的電子陶瓷零件之電氣性能的降低,大體上消除構造缺陷的發生。
於本發明中,鎳-錸合金粉末中的錸含量,對於合金粉末總量而言,係在0.01~10重量%的範圍內。若含量低於0.01重量%,則例如在使用作為積層陶瓷電子零件的內部電極用時,鎳的過燒結抑制效果變小,內部電極的薄層化變困難。若錸超過10重量%,則難以成為均質的合金,會相分離,析出錸相或含許多錸的相,損害作為鎳-錸合金的特性,而且煅燒中錸進行氧化,合金組成會變化,或由所形成的積層零件之內部電極部所昇華的氧化錸會對介電體造成不良影響。藉由使錸含量在上述範圍內,可不會發生如此的問題,可形成含鎳氧化物及錸氧化物的安定之表面氧化膜。錸含量特佳為在1.0~8.0重量%的範圍內。
構成鎳-錸合金粉末的各個合金粒子之合金組成未必定要為均質,例如可以為從粒子的表面到中心部,具有錸的濃度梯度之合金粒子。
於本發明的鎳-錸合金粉末中,不將含有作為主成分的鎳與錸以外的第3成分者排出在外。作為第3成分,例如可以含有鉑、鈀、鐵、鈷、釕、銠等之與錸可合金化者,以及少量的金、銀、銅、鎢、鈮、鉬、釩、鉻、鋯、鉭等的金屬元素。再者,亦可以含有少量的使鎳的觸媒能力降低之輕元素,例如硫、磷、矽等。
本發明的鎳-錸合金粉末之平均粒徑若小於0.05μm,則活性過高而變成難以抑制低溫的燒結或低溫的樹脂分解。又,於製造導電糊時,由於為了使分散及得到適當的黏度特性,必須大量的溶劑或分散劑等的有機成分,故於印刷糊,作乾燥時,得不到緻密的電極乾燥膜,因此,變成難以形成連續性良好的煅燒膜。又,對應於積層電子零件的小型化、高積層化的要求,為了將內部電極層作薄層化,鎳-錸合金粉末的平均粒徑必須為1.0μm以下。特別地,為了形成緻密且平滑性高的薄內部電極層,較佳為使用平均粒徑0.05~0.5μm、比表面積1.5~15m2
/g的極微細之分散性良好的粉末。再者,於本發明中,粉末的平均粒徑,只要沒有特別預先指明,則表示由BET法所測定的比表面積所換算的比表面積徑。
本發明的合金粉末係藉由將上述特定粒徑範圍內之含有特定量的錸之鎳-錸合金粉末作特定量表面氧化,形成含有鎳的氧化物及錸的氧化物之安定的薄表面氧化膜者。表面氧化膜除了含有鎳的氧化物及錸的氧化物,亦可以含有合金中所可含有的上述第3成分之氧化物。又,也可以含有含合金成分的複合氧化物,例如鎳與錸的複合氧化物。茲認為表面氧化膜中所含有的錸氧化物係藉由與鎳的氧化物連結而安定化。
藉此,即使為極微細的粉末,表面活性也降低,粒子表面擴散支配的比較低溫之粒子的燒結係被抑制,燒結開始溫度可轉移到高溫。因此,於使用如此的鎳-錸合金粉末於形成積層陶瓷電子零件的內部電極之情況,茲認為在積層陶瓷電子零件的煅燒時,該內部電極層的低溫範圍中之燒結收縮的開始和進行變緩慢,結果電極中的空隙之發生及其擴大係被抑制。又,由於抑制煅燒中超出其以外的氧化之進行,故耐氧化性優異,亦防止煅燒中起因於氧化還原的體積變化所致的脫層、龜裂之發生。
表面氧化膜的量,以對於合金粉末全體而言表面氧化膜中所含有的總氧量之比例而言,係在0.1~3.0重量%的範圍內。於本發明中,表面氧化膜中的氧量係表示將該合金粉末在還原性氣氛中加熱到900℃為止時所脫離的氧量,具體地,於由含有4%的H2
的N2
氣體所構成的還原性氣氛中,將粉末從常溫加熱到900℃為止時,由當作重量變化率所測定的強熱減量扣除碳及硫等在該條件下所揮發的氧以外之揮發性元素的含量而得之值。氧量若少於0.1重量%,則氧化膜的厚度變薄,由於無法覆蓋表面全體,故效果變小。又,若超過3.0重量%,則在還原性氣氛中煅燒積層電子零件時,由於氧化物的還原所致的氣體發生及體積變化會變大,故變成難以得到緻密的電極膜,同時會引起龜裂或脫層。特別地,較佳為在0.3~2.0重量%的範圍內。而且,以平均厚度大約30nm以下般的薄氧化膜來均勻覆蓋表面全體時,更有效果。
氧化膜的安定性,即於煅燒中任何程度的高溫之前是否強固地結合於合金粉末粒子表面,以及氧化膜是否均勻覆蓋任何程度的表面,係可藉由在與煅燒氣氛同樣的還原氣氛中加熱時之收縮行為來近似地表示。於本發明中,將粉末成形體,在含4%的H2
之N2
氣所構成的還原氣氛中,以5℃/分鐘的速度從室溫升溫到1300℃為止,進行熱機械分析(TMA)時,對於1300℃的收縮率而言其顯示20%收縮率的溫度宜在400~800℃的範圍內,尤其在430~800℃的範圍內,由於降低電極的空隙率之效果大,故係較宜。
為了形成在低溫不易分解的強固表面氧化膜,在上述表面氧化膜中較佳為存在有矽的氧化物。當矽以氧化物存在鎳-錸合金粉末的表面氧化膜中時,茲認為與上述鎳的氧化物和錸氧化物連結而使氧化膜安定化。藉此,錸氧化物不會單獨地昇華,而且煅燒中在鎳-錸合金粉末表面上確實維持緊密的氧化膜,直到高溫為止。結果,顯示更優異的燒結行為,可形成薄且空隙少的優異之內部電極層,同時得到龜裂或脫層等的構造缺陷少之積層電子零件,故係較宜。
再者,矽如後述地亦具有在鎳-錸合金粉末上生成均勻表面氧化膜的作用,藉由在使鎳-錸合金粉末被表面氧化時,預先在合金粉末中含有矽成分,則不進行超出需要的氧化,可確實地形成極薄且均勻被覆合金粒子表面全體的氧化膜。因此,茲認為粉末的燒結抑制作用或提高耐氧化性的作用係變得更顯著。
氧化膜中的矽氧化物之含量,較佳為對於粉末全體的重量而言以矽原子換算係10~10,000ppm,更佳係100~5,000ppm。若少於10ppm,則氧化膜的改善安定性之效果小,而若多於10,000ppm,則無法忽視對介電體特性的影響。
於本發明中,較佳為在上述鎳-錸合金粉末中含硫成分。硫較佳為偏析在合金粒子的表面附近而存在。如前述地,鎳-錸合金粉末的表面活性係比純粹的鎳還高。藉由將表面氧化而不使純粹的金屬表面露出表面,及藉由含有矽,則可降低表面活性,但是藉由再添加硫,可極有效地減低表面活性。藉此,防止脫黏結劑時的觸媒作用所發生的低溫的樹脂之劇烈燃燒,構造缺陷的發生,或碳殘留及由此所引起的基體強度、電氣性能的降低等。
茲認為該作用係因為:硫存在於合金粉末粒子的表面附近,尤其表面氧化膜存在時,藉由在該氧化膜之部分薄的地方等存在有硫,可降低粒子表面全體的觸媒活性,同時對於鎳的結合力強,在脫黏結劑時的強還原性氣氛下即使表面氧化膜被還原時,也不會自表面脫離。
硫的含量,較佳為對於粉末全體的重量而言,以硫原子換算係100~2,000ppm。若少於100ppm,則表面活性的降低效果弱,而若多於2,000ppm,則擔心對介電體特性的影響,而且無法忽視積層陶瓷電子零件之煅燒時所發生的含硫氣體對煅燒爐所產生的傷害。
製造本發明的鎳-錸合金粉末之方法係沒有限制。例如有微粉化法,濕式還原法,金屬化合物的氣相還原之化學氣相析出法(CVD),將金屬蒸氣冷卻、凝結的物理氣相析出法(PVD),以及將金屬化合物作熱分解的方法,例如本案申請人在特開2002-20809號等所記載的使熱分解性金屬化合物粉末在氣相中分散的狀態下作熱分解的方法,本案申請人在特開2007-138280號(特願2006-71018號)中所記載的方法等。特別地,特開2007-138280號中所記載的方法,由於可以簡單且安定地製造組成上均質的微細鎳-錸合金粉末,故係較宜。特開2007-138280號所提案的製造方法,係使固相及/或液相狀態的鎳等之主成分金屬粒子分散在氣相中,藉由將錸氧化物蒸氣還原,以在該金屬粒子的表面析出錸,在高溫下擴散於粒子中者。
形成表面氧化膜的方法亦沒有限定,例如可將合金粉末在氧化性氣氛中,邊防止凝聚邊進行加熱處理,而將表面以一定量氧化。又,例如於氣相析出法、特開2002-20809號等中所記載的將熱分解性金屬化合物粉末在氣相中作熱分解的方法、或特開2007-138280號記載的方法等中,在將高溫所生成的合金粉末於氣相中分散著而照原樣地進行冷卻的步驟中,藉由混合空氣等的氧化性氣體,由於不會引起粉末的凝聚,能瞬間形成均勻的薄氧化膜,故係較宜。於該情況下,藉由所生成的粒子與氧化性氣體的接觸溫度等,可以調整氧化量。為了薄且均勻地形成安定的表面氧化膜,採用本案申請人的特開2007-157563號(特願2005-352925號)中所記載的減低碳量之方法,亦有效於減低鎳-錸合金粉末所含有的當作雜質之碳量。於該情況下,碳的含量,以對於單位重量的合金粉末而言碳成分的重量比率(碳原子換算)計,較佳為控制在粉末的每1m2
/g比表面積為200ppm以下。
為了在表面氧化膜中含有矽,有在將鎳-錸合金粉末作表面氧化後,使與矽化合物接觸,接著作熱處理的方法,或藉由預先對含有矽的鎳-錸合金粉末作表面氧化處理,以將矽的至少一部分當作氧化物併入表面氧化膜中的方法等。例如,於如前述地將高溫所生成的合金粉末在氣相中分散著,照原樣地以氧化性氣體作表面氧化時,藉由在合金粉末中預先含有矽,矽成分自鎳-錸合金粉末滲出到表面,而併入氧化膜中,可形成含有矽氧化物的表面氧化膜。於該方法中,由於矽具有在鎳-錸合金粉末上使均勻生成表面氧化膜的作用,形成薄且均勻被覆合金粒子表面全體的氧化膜,故係較宜。再者,於上述方法中,要在鎳-錸合金粉末中預先含有矽,有種種的方法,但較佳為採用例如於上述特開2007-138280號記載的製造方法中,預先在原料的鎳粉末中含有矽的方法,或與錸氧化物蒸氣一起將矽烷系化合物或矽氧烷系化合物等的矽化合物當作氣體送入之方法等。
使含有硫的方法亦沒有限定。例如,有將合金粉末與硫粉末混合,在密閉的容器內加熱之方法,或在合金粉末上使含有硫化氫氣體或亞硫酸氣體等的含硫氣體流通而反應之方法等。又,於氣相析出法、特開2002-20809號等記載的將金屬化合物粉末在氣相中作熱分解的方法、或特開2007-138280號記載的方法等中,藉由在合金原料中含有硫化合物,或將硫化氫氣體或亞硫酸氣體、硫醇系的有機硫化合物之氣體等加到反應系中,可得到含硫的鎳-錸粉末。
本發明的導電糊係至少含有當作導電性粉末的上述鎳-錸合金粉末,將其分散在含有樹脂黏結劑及溶劑的媒液者。作為樹脂黏結劑,並沒有特別的限制,可以使用導電糊中所通常使用者,例如乙基纖維素、羥乙基纖維素等的纖維素系樹脂、丙烯酸樹脂、甲基丙烯酸樹脂、丁縮醛樹脂、環氧樹脂、苯酚樹脂、松香等。樹脂黏結劑的配合量係沒有特別的限定,但通常對於100重量份的導電性粉末而言,係1~15重量份左右。作為溶劑,只要能溶解上述黏結劑樹脂即可,並沒有特別的限定,可適當地選擇通常導電糊中所使用者來配合。例如可舉出醇系、酮系、醚系、酯系、烴系等的有機溶劑或水、或此等的混合溶劑。溶劑的量,只要通常所使用的量即可,並沒限制,可依照導電性粉末的性質形狀或樹脂的種類、塗佈法等來適宜配合。通常對於100重量份的導電性粉末而言,係40~150重量份左右。
於本發明的導電糊中,除了上述成分,亦可按照目的適當地配合通常所配合的某些成分,即包含與陶瓷片中所含有的陶瓷相同或近似組成的成分之陶瓷、或玻璃、氧化鋁、矽石、氧化鋯、氧化銅、氧化錳、氧化鈦等的金屬氧化物、蒙脫石等的無機粉末,或金屬有機化合物、可塑劑、分散劑、界面活性劑等。
本發明的導電糊可依照常用方法,使鎳-錸合金粉末與其它添加成分一起與媒液共捏合,均勻分散而製造,但不限定為糊狀,亦可為塗料狀或油墨狀。所得到的導電糊,特別適合於形成積層電容器、積層感應器、積層致動器等的積層陶瓷電子零件之內部電極,但另外亦可使用於形成陶瓷電子零件的端子電極或厚膜導體電路。
接著,以實施例為基礎來具體說明本發明,惟本發明不受此等實施例所限定。
實施例1~6以2000g/hr的供給速度將醋酸鎳四水合物的粉末供應給氣流式粉碎機,以200L/min的流速之氮氣使粉碎、分散。另外,將錸氧化物(Re2
O7
)加熱到300℃以產生錸氧化物蒸氣,以流速10L/min的氮氣當作載體,以錸金屬換算約25g/hr的供給速度,供應到分散有醋酸鎳粉末的氣流中。將此分散氣流導入經加熱到1550℃的電爐內之反應管。將通過電爐內的氣流冷卻到100℃左右為止後,藉由袋濾器來回收所生成的粉末。此時藉由在冷卻管設置空氣的導入管,導入空氣而使生成的粉末被表面氧化。導入管係在氣流的流動方向中設有複數個,藉由其位置來改變生成粒子與空氣的接觸溫度,以控制生成粉末的表面氧化量。
藉由掃描式電子顯微鏡(SEM)的觀察,在上述任一情況中,確認所生成的粉末皆為由平均粒徑約0.3μm以下的球形粒子所構成的粒徑一致之分散性良好的粉末。又,藉由掃描式透射型電子顯微鏡(STEM)的觀察,確認粒子表面上形成有氧化膜。藉由光電子分光分析法(ESCA)的解析,確認此表面氧化膜含有鎳氧化物、錸氧化物及矽氧化物。表面氧化膜的平均厚度為數nm~30nm左右。於粉末的X射線繞射計之分析中,鎳的繞射線係稍微移向低角側,由於沒有看到鎳以外的繞射線,故顯示錸固溶且合金化於鎳中。
又,調查所得到的粉末之比表面積、平均粒徑、錸含量、矽含量、氧含量、硫含量、碳含量,顯示於表1中。比表面積係藉由BET法來測定者,平均粒徑係由比表面積所換算的粒徑。錸含量及矽含量係藉由感應耦合電漿分光分析(ICP)來定量。氧含量係指在氧化鋁船中秤量約2克粉末,於含4%的H2
之N2
氣中從常溫加熱到900℃為止後,冷卻到室溫為止時,測定重量變化率(%)(強熱減量),自其扣除碳及硫的含量而得之值。硫及碳的含量係藉由碳-硫分析裝置(堀場製作所製EMIA-320V)來測定。再者,於本實施例中,可以判斷所檢測出的微量矽及硫係從原材料或步驟所混入的雜質。
如以下地調查粉末的燒結-收縮行為。以直徑5mm的高度約3mm的成形為圓柱狀之粉末當作試料,於含4%的H2
之N2
氣中,以5℃/min的速度從室溫升溫到1300℃為止,進行TMA測定。根據該測定結果,將對於1300℃的收縮率而言其顯示20%收縮率的溫度表示為TMA收縮溫度,顯示於表1中。
如以下地進行導電糊的脫黏結劑特性之評價。摻合100重量份所得到的鎳-錸合金粉末、5重量份當作樹脂黏結劑的乙基纖維素、95重量份當作溶劑的二氫萜品醇,使用3支輥式研磨機來捏合以製作導電糊。以膜厚成為250μm的方式,將所得到的導電糊塗佈在PET薄膜上,在150℃作乾燥而去除溶劑。將此乾燥體在氮氣氛中以每分鐘20℃的升溫速度升溫到500℃為止,進行熱重量測定,調查樹脂的分解開始溫度,將其當作脫黏結劑溫度顯示於表1中。
如以下地進行煅燒膜的連續性(煅燒膜被覆率)之測定。摻合100重量份所得到的鎳-錸合金粉末、20重量份的粒徑50nm之鈦酸鋇粉末、5重量份的乙基纖維素、95重量份的二氫萜品醇,使用3支輥式研磨機來捏合以製作導電糊。以金屬換算成為0.8mg/cm3
的塗佈量之方式,將所得到的導電糊塗佈在氧化鋁基板上,於含4%的H2
之N2
氣中在1200℃煅燒。以SEM來觀察煅燒膜,藉由所觀察的影像之畫像處理,計測煅燒膜的基板被覆率,顯示於表1中。數字愈大則表示連續性愈良好。
實施例7~8除了於分散有醋酸鎳粉末的氣流中,以流速10L/min的經加熱之氮氣來氣化及供應錸氧化物蒸氣,加上經異丙醇所稀釋的四乙氧基矽烷溶液以外,於與實施例1~6同樣的條件下,製造鎳-錸合金粉末。
同樣地進行所得到的粉末之解析,在任一情況中,與實施例1~6所得者比較下,確認皆為更均勻厚度的氧化膜覆蓋表面全體、粒徑一致的分散性良好之球狀合金粉末。又,藉由ESCA,確認在表面氧化膜中含有鎳氧化物、錸氧化物及矽氧化物。氧化膜的平均厚度為10nm~20nm左右。
與實施例1~6同樣地測定所得到的粉末之比表面積、平均粒徑、錸含量、矽含量、氧含量、硫含量、碳含量、TMA收縮溫度、導電糊的脫黏結劑溫度、煅燒膜的基板被覆率,顯示於表1中。
實施例9~10除了於分散有醋酸鎳粉末的氣流中,供應錸氧化物蒸氣及四乙氧基矽烷蒸氣,加上經氮氣所稀釋的硫化氫氣體以外,於與實施例7~8同樣的條件下,製造鎳-錸合金粉末。
同樣地進行所得到的粉末之解析,在任一情況中,確認皆為具有平均10nm~20nm左右之均勻厚度的表面氧化膜、粒徑一致之分散性良好的球狀合金粉末。又,藉由ESCA,確認在表面氧化膜中含有鎳氧化物、錸氧化物及矽氧化物,而且在粒子表面附近有硫的存在。
與實施例1~6同樣地測定所得到的粉末之比表面積、平均粒徑、錸含量、矽含量、氧含量、硫含量、碳含量、TMA收縮溫度、導電糊的脫黏結劑溫度、煅燒膜的基板被覆率,顯示於表1中。
實施例11~12除了改變錸氧化物蒸氣的供給量,供給錸氧化物蒸氣加上經氮氣所稀釋的硫化氫氣體以外,於與實施例1~6同樣的條件下,製造錸含量及硫含量不同的合金粉末。
同樣地進行粉末之解析,結果確認為平均厚度20nm左右的具有表面氧化膜的粒徑一致之分散性良好的球狀鎳-錸合金粉末,表面氧化膜含有鎳氧化物、錸氧化物,而且在粒子表面附近有硫的存在。
與實施例1~6同樣地測定所得到的粉末之比表面積、平均粒徑、錸含量、矽含量、氧含量、硫含量、碳含量、TMA收縮溫度、導電糊的脫黏結劑溫度、煅燒膜的基板被覆率,顯示於表1中。
實施例13除了醋酸鎳四水合物粉末的供給速度成為5000g/hr,錸氧化物蒸氣的供給速度以錸金屬換算成為約60g/hr以外,於與實施例1~6同樣的條件下,製造鎳-錸合金粉末。
與實施例1~6同樣地測定所得到的粉末之比表面積、平均粒徑、錸含量、矽含量、氧含量、硫含量、碳含量、TMA收縮溫度、導電糊的脫黏結劑溫度、煅燒膜的基板被覆率,顯示於表1中。
實施例14除了醋酸鎳四水合物粉末的供給速度成為200g/hr,錸氧化物蒸氣的供給速度以錸金屬換算成為約2.5g/hr以外,於與實施例11~12同樣的條件下,製造鎳-錸合金粉末。
與實施例1~6同樣地測定所得到的粉末之比表面積、平均粒徑、錸含量、矽含量、氧含量、硫含量、碳含量、TMA收縮溫度、導電糊的脫黏結劑溫度、煅燒膜的基板被覆率,顯示於表1中。
比較例1~2除了改變表面氧化量以外,於與實施例1~6同樣的條件下,製造鎳-錸合金粉末。
比較例3除了不供給錸氧化物蒸氣以外,於與實施例1~6同樣的條件下,製造具有表面氧化膜的鎳粉末。
與實施例1~6同樣地測定比較例1~3所得之粉末的比表面積、平均粒徑、錸含量、矽含量、氧含量、硫含量、碳含量、TMA收縮溫度、導電糊的脫黏結劑溫度、煅燒膜的基板被覆率,顯示於表1中。
根據表1,若比較實施例1~6與比較例1~2的結果,可知隨著粒子的表面氧化量在本發明的範圍內增加,TMA收縮溫度會上升,煅燒膜的被覆率會提高。但,由比較例2可明知,表面氧化量若過多則反而降低被覆率。再者,於本實施例中,關於煅燒膜的連續性之評價,如果被覆率為70%以上,則判斷作為積層陶瓷電容器的電極係為實用程度,因此氧含量對於粉末總量而言必須是0.1~3.0重量%。又,可得到TMA收縮溫度為400℃以上、尤其430℃以上的更優異之電極。
關於脫黏結劑溫度,由實施例1~6與比較例的結果可知,氧含量愈多,則抑制脫黏結劑活性而脫黏結劑溫度愈高。實施例7~10顯示由於含有矽而提高TMA收縮溫度,提高煅燒膜的被覆率。又,實施例9~10的結果顯示由於含有硫,即使氧含量為比較低時,也可提高脫黏結劑溫度。於實施例10中,由於同時含有適量的矽和硫,可高效率地達成煅燒膜的被覆率之提高及脫黏結劑活性的抑制。又,比較例3的結果顯示上述本發明的效果以不含有錸的鎳粉末係得不到。
Claims (7)
- 一種鎳-錸合金粉末,其特徵為以鎳當作主成分,含有0.1~10重量%的錸之平均粒徑0.05~1.0μm的鎳-錸合金粉末,具有含鎳的氧化物及錸的氧化物之表面氧化膜,而且表面氧化膜中的氧量相對於粉末的總量係0.1~3.0重量%。
- 如申請專利範圍第1項之鎳-錸合金粉末,其中將該鎳-錸合金粉末在氮-氫還原氣體環境中,以5℃/分鐘的速度從室溫升溫到1300℃為止進行TMA測定時,相對於1300℃的收縮率之顯示其20%收縮率的溫度係在400~800℃的範圍。
- 如申請專利範圍第1或2項之鎳-錸合金粉末,其中於該表面氧化膜中存在有矽的氧化物。
- 如申請專利範圍第1項之鎳-錸合金粉末,其中該鎳-錸合金粉末更含有硫。
- 如申請專利範圍第4項之鎳-錸合金粉末,其中該硫係偏析於表面附近。
- 如申請專利範圍第4或5項之鎳-錸合金粉末,其中該硫的含量,相對於粉末全體的重量,以硫原子換算係100~2,000ppm。
- 一種積層陶瓷電子零件的內部電極形成用導電糊,其特徵為至少含有如申請專利範圍第1至6項中任一項之鎳-錸合金粉末當作導電性粉末。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006270672 | 2006-10-02 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW200829701A TW200829701A (en) | 2008-07-16 |
TWI419980B true TWI419980B (zh) | 2013-12-21 |
Family
ID=39268403
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW096136508A TWI419980B (zh) | 2006-10-02 | 2007-09-29 | 鎳-錸合金粉末及含有它之導電糊 |
Country Status (10)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7744779B2 (zh) |
EP (1) | EP2078762B1 (zh) |
JP (1) | JP5327442B2 (zh) |
KR (1) | KR101355329B1 (zh) |
CN (1) | CN101522928B (zh) |
AT (1) | ATE525490T1 (zh) |
CA (1) | CA2663572C (zh) |
MY (1) | MY145770A (zh) |
TW (1) | TWI419980B (zh) |
WO (1) | WO2008041541A1 (zh) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101412950B1 (ko) | 2012-11-07 | 2014-06-26 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 커패시터 |
US9093675B2 (en) * | 2013-01-21 | 2015-07-28 | E I Du Pont De Nemours And Company | Method of manufacturing non-firing type electrode |
US9099215B2 (en) * | 2013-01-21 | 2015-08-04 | E I Du Pont De Nemours And Company | Method of manufacturing non-firing type electrode |
CN103192070B (zh) * | 2013-04-17 | 2015-07-08 | 苏州格林泰克科技有限公司 | 一种银/氯化银电极材料及其制备方法和电极 |
JP6512844B2 (ja) * | 2015-01-30 | 2019-05-15 | 太陽誘電株式会社 | 積層コンデンサ及び積層コンデンサの製造方法 |
JP7251068B2 (ja) * | 2018-07-31 | 2023-04-04 | 住友金属鉱山株式会社 | 厚膜抵抗体用組成物、厚膜抵抗体用ペースト、及び厚膜抵抗体 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5622638A (en) * | 1994-08-15 | 1997-04-22 | General Electric Company | Method for forming an environmentally resistant blade tip |
TWI527242B (zh) * | 2014-03-17 | 2016-03-21 | 台灣積體電路製造股份有限公司 | 半導體裝置與其製造方法 |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US431385A (en) * | 1890-07-01 | Berth for vessels | ||
JP3640511B2 (ja) | 1997-09-05 | 2005-04-20 | Jfeミネラル株式会社 | ニッケル超微粉 |
JPH1180816A (ja) * | 1997-09-10 | 1999-03-26 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 導電ペースト用ニッケル粉末とその製造方法 |
JP2992270B2 (ja) * | 1998-05-29 | 1999-12-20 | 三井金属鉱業株式会社 | 複合ニッケル微粉末及びその製造方法 |
FR2780982B1 (fr) | 1998-07-07 | 2000-09-08 | Onera (Off Nat Aerospatiale) | Superalliage monocristallin a base de nickel a haut solvus |
JP3984712B2 (ja) | 1998-07-27 | 2007-10-03 | 東邦チタニウム株式会社 | 導電ペースト用ニッケル粉末 |
JP4016232B2 (ja) * | 1998-12-04 | 2007-12-05 | 住友金属鉱山株式会社 | ニッケル粉末の製造方法 |
GB2379448B (en) * | 1999-06-02 | 2004-03-31 | Abb Research Ltd | Coating composition for high temperature protection |
JP3812359B2 (ja) | 2000-05-02 | 2006-08-23 | 昭栄化学工業株式会社 | 金属粉末の製造方法 |
JP2002060877A (ja) | 2000-08-16 | 2002-02-28 | Kawatetsu Mining Co Ltd | 導電ペースト用Ni合金粉 |
EP1594146A4 (en) * | 2003-02-05 | 2010-01-06 | Tdk Corp | ELECTRONIC PARTS AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME |
JP4182009B2 (ja) | 2003-03-31 | 2008-11-19 | Tdk株式会社 | 導電性粒子、導電性ペースト、電子部品、積層セラミックコンデンサおよびその製造方法 |
JP2005347288A (ja) * | 2004-05-31 | 2005-12-15 | Tdk Corp | 積層セラミックコンデンサの製造方法 |
JP2005352925A (ja) | 2004-06-11 | 2005-12-22 | P A:Kk | ネットワークを利用した求人・求職情報およびそれに関連した情報の提供におけるマッチングシステム |
CN1260384C (zh) * | 2004-07-20 | 2006-06-21 | 兰州理工大学 | 用于两相流工件喷熔的NiCrWRE合金粉末及其制备方法 |
JP2006071018A (ja) | 2004-09-02 | 2006-03-16 | Nsk Ltd | 電動ブレーキ装置 |
JP4218067B2 (ja) | 2005-10-19 | 2009-02-04 | 昭栄化学工業株式会社 | レニウム含有合金粉末の製造方法 |
JP4697539B2 (ja) | 2005-12-07 | 2011-06-08 | 昭栄化学工業株式会社 | ニッケル粉末、導体ペーストおよびそれを用いた積層電子部品 |
US7731809B2 (en) * | 2006-01-18 | 2010-06-08 | Honeywell International Inc. | Activated diffusion brazing alloys and repair process |
-
2007
- 2007-09-25 JP JP2008537468A patent/JP5327442B2/ja active Active
- 2007-09-25 US US12/310,745 patent/US7744779B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2007-09-25 AT AT07828337T patent/ATE525490T1/de active
- 2007-09-25 EP EP07828337A patent/EP2078762B1/en not_active Not-in-force
- 2007-09-25 KR KR1020097007942A patent/KR101355329B1/ko active IP Right Grant
- 2007-09-25 CN CN2007800366016A patent/CN101522928B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2007-09-25 WO PCT/JP2007/068520 patent/WO2008041541A1/ja active Application Filing
- 2007-09-25 MY MYPI20090909A patent/MY145770A/en unknown
- 2007-09-25 CA CA2663572A patent/CA2663572C/en not_active Expired - Fee Related
- 2007-09-29 TW TW096136508A patent/TWI419980B/zh not_active IP Right Cessation
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5622638A (en) * | 1994-08-15 | 1997-04-22 | General Electric Company | Method for forming an environmentally resistant blade tip |
TWI527242B (zh) * | 2014-03-17 | 2016-03-21 | 台灣積體電路製造股份有限公司 | 半導體裝置與其製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CA2663572A1 (en) | 2008-04-10 |
KR20090069302A (ko) | 2009-06-30 |
JPWO2008041541A1 (ja) | 2010-02-04 |
KR101355329B1 (ko) | 2014-01-23 |
CA2663572C (en) | 2013-07-30 |
CN101522928A (zh) | 2009-09-02 |
EP2078762B1 (en) | 2011-09-21 |
ATE525490T1 (de) | 2011-10-15 |
JP5327442B2 (ja) | 2013-10-30 |
EP2078762A4 (en) | 2010-09-01 |
TW200829701A (en) | 2008-07-16 |
US20100021735A1 (en) | 2010-01-28 |
US7744779B2 (en) | 2010-06-29 |
EP2078762A1 (en) | 2009-07-15 |
CN101522928B (zh) | 2010-09-29 |
WO2008041541A1 (en) | 2008-04-10 |
MY145770A (en) | 2012-04-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI400719B (zh) | 鎳粉末、導電糊及使用它之多層電子組件 | |
KR100970061B1 (ko) | 니켈 분말, 그 제조방법, 도체 페이스트 및 그것을 이용한적층 세라믹 전자 부품 | |
TWI517914B (zh) | Nickel powder and its manufacturing method | |
TWI419980B (zh) | 鎳-錸合金粉末及含有它之導電糊 | |
JP3812359B2 (ja) | 金属粉末の製造方法 | |
TWI418639B (zh) | 鎳-錸合金粉末及含有它之導電糊 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |