TWI418602B - 高溫旋塗暫時結合組成物 - Google Patents

高溫旋塗暫時結合組成物 Download PDF

Info

Publication number
TWI418602B
TWI418602B TW097123665A TW97123665A TWI418602B TW I418602 B TWI418602 B TW I418602B TW 097123665 A TW097123665 A TW 097123665A TW 97123665 A TW97123665 A TW 97123665A TW I418602 B TWI418602 B TW I418602B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
group
substrate
compound
polymer
oligomer
Prior art date
Application number
TW097123665A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200920807A (en
Inventor
Wen Bin Hong
Sunil K Pillalamarri
Original Assignee
Brewer Science Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Brewer Science Inc filed Critical Brewer Science Inc
Publication of TW200920807A publication Critical patent/TW200920807A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI418602B publication Critical patent/TWI418602B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J5/00—Adhesive processes in general; Adhesive processes not provided for elsewhere, e.g. relating to primers
    • C09J5/06—Adhesive processes in general; Adhesive processes not provided for elsewhere, e.g. relating to primers involving heating of the applied adhesive
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2203/00—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2203/326—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/6834—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used to protect an active side of a device or wafer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/30105—Capacitance
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/11—Methods of delaminating, per se; i.e., separating at bonding face
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24355—Continuous and nonuniform or irregular surface on layer or component [e.g., roofing, etc.]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)

Description

高溫旋塗暫時結合組成物
發明背景
政府資助
本發明在由美國陸軍研究、發展及工程司令部(United States Army Research, Development, and Engineering Command)授予之合同號W911SR-05-C-0019下藉由政府支持來進行。美國政府具有本發明之某些權利。
相關申請案
本申請案主張2007年6月25日申請之名為「用於使用滑動法進行暫時晶圓結合之高溫旋塗結合組成物(HIGH-TEMPERATURE SPIN-ON BONDING COMPOSITIONS FOR TEMPORARY WAFER BONDING USING SLIDING APPROACH)」的美國臨時專利申請案第60/946,077號之優先權，該案以引用的方式併入本文中。
本發明廣泛係關於新穎組成物及使用彼等組成物以形成在晶圓薄化及其他加工期間可使活性晶圓支撐於載體晶圓或基板上之結合組成物的方法。
晶圓(基板)薄化已用於使熱耗散且有助於積體電路(IC)之電操作。厚基板會致使電容增加，需要較粗傳輸線，且繼而需要較大IC佔據面積(footprint)。基板薄化會增加阻抗但電容會減小阻抗，致使傳輸線厚度減小且繼 而IC尺寸減小。因此，基板薄化有利於IC小型化。
幾何限制為基板薄化之又一誘因。將通道孔蝕刻於基板之背面上以有利於正面接觸。為使用常用乾式蝕刻技術建構通道，應用幾何約束。對於小於100 μm之基板厚度而言，具有30-70 μm直徑之通道係使用在可接受之時間內產生最少蝕刻後殘餘物之乾式蝕刻方法來建構。對於厚基板而言，需要具有較大直徑之通道。此舉需要較長乾式蝕刻時間且產生較大量之蝕刻後殘餘物，因此顯著降低產量。較大通道亦需要較大量之金屬化，其更具成本。因此，對於背面加工而言，薄基板可更快速地以更低成本加工。
薄基板亦更易於切割及分割成IC。較薄基板具有較少量之待穿透及切割材料且由此需要較小努力。無論使用何種方法(鋸切、分割及折斷，或雷射剝蝕(Iaser ablation))，IC更易於自較薄基板切割。多數半導體晶圓在正面操作之後薄化。為操縱方便，晶圓在其正常實物尺寸厚度(例如600-700 μm)下被加工(亦即，正面裝置)。一旦完成，其薄化至100-150 μm之厚度。在一些狀況下(例如，當諸如砷化鎵(GaAs)之混成基板用於高功率裝置時)，厚度可降至25 μm。
機械基板薄化係藉由使晶圓表面與含有液體漿料之硬質及平坦旋轉水平大淺盤接觸來進行。漿料可含有研磨介質連同諸如氨、氟化物或其組合之化學蝕刻劑。研磨劑提供「大致(gross)」基板移除，亦即，薄化；而蝕刻劑化學有利於在次微米級別下「拋光」。使晶圓維持與介質接 觸直至已移除一定量之基板而達成目標厚度為止。
對於300 μm或更大之晶圓厚度而言，晶圓係以利用真空吸盤或一些機械附著構件之工具固持於適當位置。當晶圓厚度減至小於300 μm時，在進一步薄化及加工期間維持關於晶圓附著及操縱之控制變得困難或不可能。在一些狀況下，可使得機械裝置附著及固持於經薄化之晶圓上，然而，其遭遇許多問題，尤其當製程改變時。出於此原因，將晶圓(「活性」晶圓)安裝至單獨硬性(載體)基板或晶圓上。此基板成為供進一步薄化及薄化後加工用之固持平台。載體基板由諸如藍寶石、石英、某些玻璃及矽之材料構成，且通常展示1000 μm之厚度。基板選擇將取決於各材料之間熱膨脹係數(CTE)匹配之接近程度。
一種已用於將活性晶圓安裝至載體基板之方法包含使用經固化之結合組成物。使用此方法之主要缺陷在於組成物須通常藉由溶解於溶劑中以化學方法移除。其極為耗時，因此降低產量。此外，視溶解結合組成物所需之溶劑而定，溶劑使用增加製程之成本及複雜性，且該溶劑可為危險溶劑。
另一用於將活性晶圓安裝至載體基板之方法係經由熱脫模黏著帶。此製程具有兩個主要缺點。第一，該等黏著帶跨越活性晶圓/載體基板界面具有有限厚度均一性，且此有限均一性通常不足以對超薄晶圓進行操縱。第二，熱脫模黏著劑在如此低溫下會軟化，以致經結合之晶圓/載體基板堆疊不可承受許多在較高溫度下所進行之典型晶圓加工 步驟。
對可耐受高加工溫度且使得晶圓與基板在製程之適當階段迅速分離之新穎組成物及將活性晶圓黏附至載體基板之方法存在需要。
 發明概要
本發明藉由廣泛提供一種晶圓結合方法而克服先前技術之問題，該方法包括提供一包含經由一結合組成物層結合在一起之第一基板及第二基板的堆疊。該層包含可為寡聚或聚合物且係選自由醯亞胺、醯胺醯亞胺及醯胺醯亞胺-矽氧烷聚合物及寡聚物組成之群的化合物。使該堆疊經足夠高之溫度處理以軟化結合層，且接著使第一基板與第二基板分離。
本發明亦提供一種包含第一基板及第二基板之物品。該第一基板包含一背表面及一活性表面，且該活性表面包含至少一個活性位點及複數個構形特徵。該第二基板具有一結合表面，且存在一結合至該活性表面且結合至該結合表面之結合層。該結合層包含寡聚物及聚合物，其係選自由醯亞胺、醯胺醯亞胺及醯胺醯亞胺-矽氧烷聚合物及寡聚物組成之群。
在又一具體實例中，本發明係關於一種具有選自由以下式組成之群之式的聚合物或寡聚物(或包含溶解或分散於溶劑系統中之此聚合物或寡聚物之組成物)： 其中：R係選自由以下者組成之群：及，其中R1 係選自由以下者組成之群：經烷基取代之苯基、及；且X係選自由苯碸、芳族化合物、脂族化合物及環脂族化合物組成之群；及 其中Z係選自由矽氧烷及包含醚橋之部分組成之群。化合物進一步包含衍生自選自由芳族單胺、脂族單胺、環脂族單胺及鄰苯二甲酸酐組成之群之化合物的封端基。
 較佳具體實例詳述
更詳細地，本發明組成物包含分散或溶解於溶劑系統中之化合物。該化合物可為聚合物或寡聚物且以視為100重量%之組成物中之固體總重量計，較佳以約1重量%至約70重量%、更佳約5重量%至約50重量%及甚至更佳約15重量%至約40重量%之含量存在於組成物中。
較佳之聚合或寡聚化合物為熱塑性化合物且具有較佳約3,000道爾頓(Dalton)至約300,000道爾頓及更佳約6,000道爾頓至約50,000道爾頓之重量平均分子量。較佳之化合物具有較佳至少約150℃、更佳至少約200℃及甚至更佳約200℃至250℃之軟化溫度(熔融黏度為3,000 Pa．S)。
較佳之化合物當使靜置於周圍溫度下時至少約95重量%、較佳至少約98重量%及甚至更佳約100重量%溶解於諸如N-甲基-2-吡咯啶酮、二甲苯、二甲基乙醯胺、N,N-二甲基甲醯胺、二甲亞碸及其混合物之溶劑中，歷時約1-24小時之時段。
在本發明中起作用之一些較佳化合物包括選自由醯亞胺、醯胺醯亞胺、醯胺醯亞胺-矽氧烷及其混合物之寡聚物及聚合物組成之群的彼等化合物。
在一具體實例中，較佳之該等化合物具有下式： 其中R係選自由以下者組成之群：及，其中R1 係選自由以下者組成之群：經烷基取代之苯基、及。
用於本發明之較佳之經烷基取代之苯基為經C1 至C6 烷基取代之苯基。經烷基取代之苯基之尤其較佳實例為選自由以下者組成之群的彼等基團：及。
在上式(I)中，X係選自由苯碸、芳族化合物(較佳C6 至C60 、更佳C6 至C30 及甚至更佳C6 至C24 )、脂族化合物(較佳C2 至C15 、更佳C2 至C10 及甚至更佳C2 -C6 )及環脂族化合物(較佳C4 至C60 、更佳C4 至C20 及甚至更佳C4 -C12 )組成之群。
在一具體實例中，X可為上述芳族基團、脂族基團或 環脂族基團。在另一具體實例中，X可包含具有醚橋之芳族基團(諸如下文關於Z所討論之彼等基團)或在間位具有鍵聯基團及/或-NH2 基團之芳族基團。
尤其較佳之X基團係選自由經烷基取代之苯基(諸如上文討論者)、亞異丙基二苯基及六氟亞異丙基組成之群。
在另一具體實例中，較佳之該等化合物具有下式： 其中Z係選自由矽氧烷及包含醚橋之部分組成之群。在Z為矽氧烷之具體實例中，較佳之矽氧烷具有下式： 其中：各R3 係個別地選自由氫、烷基(較佳C1 至C10 及更佳C1 -C2 )及苯基組成之群；m為1至6；且p為1至50、較佳1至20及更佳1至10。
較佳之包含醚橋之部分係選自由以下者組成之群：
在式(I)之具體實例或式(II)之具體實例中，較佳地，聚合物或寡聚物進一步包含封端基。較佳之封端基係衍生自選自由芳族單胺、脂族單胺、環脂族單胺及鄰苯二甲酸酐組成之群的化合物。尤其較佳之封端基具有選自由烷基(較佳C1 至C15 、更佳C1 至C10 及甚至更佳C1 -C6 )組成之群之式，及，其中：R4 為烷基(較佳C1 至C15 、更佳C1 至C10 及甚至更佳C1 -C6 ); R5 為環脂族基團(較佳C3 至C12 及更佳C5 至C6 )； 且k為0至20、較佳0至10及更佳0至5。
以視為100重量%之組成物之總重量計，組成物應包含至少約30重量%之溶劑系統、較佳約50重量%至約90重量%之溶劑系統、更佳約60重量%至約90重量%之溶劑系統及甚至更佳約70重量%至約90重量%之溶劑系統。該溶劑系統應具有約100-250℃及較佳約120-220℃之沸點。
合適之溶劑包括選自由N-甲基-2-吡咯啶酮、二甲苯、二甲基乙醯胺、N,N-二甲基甲醯胺、二甲亞碸及其混合物組成之群的彼等溶劑。
以視為100重量%之組成物之總重量計，組成物中之總固體含量應為至少約10重量%、較佳約10重量%至約40重量%及更佳約10重量%至約30重量%。
在其他具體實例中，組成物可包括許多視情況可選成份，包括界面活性劑、黏著促進劑、增塑劑及/或抗氧化劑。
當利用界面活性劑時，以視為100重量%之組成物中之固體總重量計，其以較佳約0.1重量%至約3重量%及更佳約0.1重量%至約1重量%之含量存在於組成物中。合適界面活性劑之實例包括乙氧基化醇，諸如乙氧基化辛基酚(以名稱Triton® X-100出售)。
當利用黏著促進劑時，以視為100重量%之組成物中之固體總重量計，其以較佳約0.1重量%至約3重量%及較佳約0.1重量%至約1重量%之含量存在於組成物中。合適 黏著促進劑之實例包括選自由雙(三甲氧基矽烷基乙基)苯、胺基丙基三(烷氧基矽烷)(例如胺基丙基三(甲氧基矽烷)、胺基丙基三(乙氧基矽烷)、苯基胺基丙基三(乙氧基矽烷))及其他矽烷偶合劑組成之群的彼等黏著促進劑。
當利用抗氧化劑時，以視為100重量%之組成物中之固體總重量計，其以較佳約0.01重量%至約3重量%、更佳約0.01重量%至約1.5重量%及甚至更佳約0.01重量%至約0.1重量%之含量存在於組成物中。合適抗氧化劑之實例包括選自由酚系抗氧化劑(諸如以名稱Irganox® 1010由Ciba出售之異戊四醇肆(3-(3,5-二-第三丁基-4-羥苯基)丙酸酯)及亞磷酸酯抗氧化劑(諸如以名稱Irgafos® 168由Ciba出售之參(2,4-二第三丁基苯基)亞磷酸酯)組成之群的彼等抗氧化劑。
上述成份可簡單地與溶劑系統中之化合物混合。最終組成物應為熱塑性的(亦即，不可交聯)。因此，組成物將基本上不含(小於約0.1重量%及較佳約0重量%)交聯劑。
最終組成物之熔融黏度將較佳小於約200 Pa．S，更佳小於約100 Pa．S，且甚至更佳為約10 Pa．S至約50 Pa．S。出於此等量測之目的，熔融黏度係經由流變動力學分析(TA儀器，AR-2000，兩個平行板組態，其中各板具有25 mm之直徑)來測定。此外，此熔融黏度係於300-350℃下測定且存在較佳小於約3重量%及更佳小於約2重量%之組成物損失。換言之，如由熱解重量分析(TGA)測定，組 成物在此溫度下極少熱分解至無熱分解。
儘管組成物可首先塗覆於載體基板或活性晶圓上，但較佳地，其首先塗覆於活性晶圓上。較佳之塗覆方法涉及以約300-3,500 rpm(更佳約500-1,500 rpm)之旋轉速度、以約500-15,000 rpm/s之加速度旋塗組成物，且歷時約30-300秒之旋轉時間。應瞭解，可改變塗覆步驟以達成特定厚度。
塗佈後，可烘焙基板(例如於熱板上)以蒸發溶劑。典型烘焙將在約80-275℃及較佳約150-225℃之溫度下歷時約2-15分鐘及更佳約3-10分鐘之時段。烘焙後膜厚度(構形之頂部)一般將為至少約5 μm且更佳為約5-50 μm。
烘焙後，使所要載體晶圓與本發明組成物之層接觸且與其相抵地擠壓。藉由在約150-300℃及較佳約180-300℃之溫度下加熱使該載體晶圓結合至此本發明組成物。在約1至約15千牛頓(kilonewton)之結合力下，此加熱較佳於真空下進行且歷時約1-10分鐘之時段。
圖1(a)展示包含活性晶圓12及載體晶圓或基板14之例示性堆疊10。活性晶圓12包含背表面16及活性表面18。活性表面18可包含一或多個活性位點(圖中未示)以及複數個構形特徵(凸起特徵或線以及孔、溝槽或空間)，諸如以20a-d表示之彼等特徵。特徵20d表示活性表面18上之「最高」特徵。亦即，末端部分或表面21距晶圓12之背表面16比晶圓12上之任何其他構形特徵之個別末端部分更遠。
典型活性晶圓12可包括任何微電子基板。一些可能活性晶圓12之實例包括選自由以下者組成之群的彼等活性晶圓：微電子機械系統(MEMS)裝置、顯示器裝置、可撓性基板(例如經固化之環氧樹脂基板、可用於形成映射(map)之翻捲基板)、化合物半導體、低k介電層、介電層(例如氧化矽、氮化矽)、離子植入層及包含矽、鋁、鎢、矽化鎢、砷化鎵、鍺、鉭、亞硝酸鉭、SiGe及前述者之混合物的基板。
載體基板14具有結合表面22。典型載體基板14包含選自由藍寶石、陶瓷、玻璃、石英、鋁、銀及矽組成之群的材料。
晶圓12及載體基板14係經由結合組成物層24結合在一起。結合層24由上文所述之聚合物組成物形成，且已亦如上文所述塗覆及乾燥。如圖1(a)所示，結合層24結合至晶圓12之活性表面18且結合至基板14之結合表面22。與先前技術帶不同，結合層24跨越其厚度為均一(化學性質上相同)材料。換言之，整個結合層24由相同組成物形成。
應瞭解，由於結合層24可藉由旋塗而塗覆於活性表面18上，因此結合組成物流至各個構形特徵中及各個構形特徵之上。此外，結合層24在活性表面18之構形之上形成一均一層。為說明此點，圖1展示一由虛線表示之平面26，其在末端部分21處且實質上平行於背表面16。此平面距結合表面22之距離係由厚度「T」表示。跨越平面26及 基板14之長度，厚度「T」之改變小於約8%、較佳小於約5%、更佳小於約2%及甚至更佳小於約1%。
可接著使晶圓封裝經如圖1(b)所示之基板之後續薄化(或其他加工)處理：其中12'表示薄化後晶圓12。應瞭解，基板可薄化至小於約100 μm、較佳小於約50 μm及更佳小於約25 μm之厚度。薄化後，可進行典型背面加工，包括光微影、通道蝕刻及金屬化。
有利地，本發明組成物之經乾燥層具有許多高度理想特性。舉例而言，該等層對於真空蝕刻製程而言將展示低釋氣作用。亦即，若將組成物之15-μm厚之膜在200℃下烘焙2分鐘，則溶劑將自組成物驅出使得後續在200℃下歷時60分鐘之烘焙產生小於約5%、較佳小於約2%及甚至更佳小於約1%或甚至0%之膜厚度變化(稱作「膜收縮測試(Film Shrinkage Test)」)。因此，在層中無物理變化或化學反應發生之情況下，可將經乾燥層加熱至高達約190℃、較佳高達約200℃、更佳高達約220℃及甚至更佳高達約240℃之溫度。舉例而言，該等層低於此等溫度將不會軟化。在一些具體實例中，亦可在85℃之溫度下將層暴露於極性溶劑(例如PGME)歷時90分鐘而無反應。
經乾燥層之結合完整性甚至在暴露於酸或鹼之後仍可維持。亦即，可在85℃下將具有約15 μm厚度之組成物之經乾燥層浸入酸性介質(例如濃硫酸)或鹼(例如30 wt.%KOH)中歷時約45分鐘，而同時維持結合完整性。結合完整性可藉由使用玻璃載體基板及透過玻璃載體基板視覺 觀測結合組成物層以檢查氣泡、空隙等來評估。又，若活性晶圓及載體基板不可用手分離，則結合完整性得以維持。
在所要加工已發生之後，可藉由加熱至至少約200℃、較佳至少約225℃及更佳約250℃至約350℃之溫度使活性晶圓或基板與載體基板分離。此等溫度範圍表示結合組成物層之較佳軟化點。此加熱將使結合組成物層軟化且形成如圖1(c)所示之經軟化結合組成物層24'，屆時兩個基板可藉由滑動分開而分離。圖1(c)亦展示穿過晶圓12與基板14二者之軸28，且滑動力將在一般與軸28橫向之方向上施加。或者，滑動可能並非必需，且替代地，可向上(亦即，在一般遠離晶圓12或基板14之方向上)提舉晶圓12或基板14中之另一者以使晶圓12與基板14分離。
應瞭解，分離可藉由簡單滑動及/或提舉晶圓12或基板14中之一者同時使另一者維持於實質上固定位置以抵抗滑動力或提舉力(例如藉由將並行相反滑動力施加於晶圓12及基板14)來實現。其皆可經由習知設備實現。
殘留於裝置區域中之任何結合組成物可易於使用乾燥前為組成物之一部分的原始溶劑且使用諸如二甲苯、NMP及二甲亞碸之溶劑來移除。暴露於溶劑5-15分鐘後，之後仍殘留之任何組成物將完全溶解(至少約98%、較佳至少約99%及更佳約100%)。單獨或與溶劑移除製程組合使用電漿蝕刻來移除任何殘留結合組成物亦可接受。在此步驟之後，清潔的無結合組成物之晶圓12'及載體基板14(其 清潔狀態圖中未示)將保留。
實施例
以下實施例陳述本發明之較佳方法。然而，應瞭解，此等實施例係作為說明而提供且其中無一者應視為限制本發明之總體範疇。
實施例1 以2,6-二甲基苯胺封端之雙酚-A-二酐-共-1,3-苯二胺寡聚物
在此程序中，將4,4'-雙酚-A-二酐(BPADA，57.25公克，0.011莫耳)、間苯二胺(10.81公克，0.01莫耳)及2,6-二甲基苯胺(2.42公克，0.02莫耳)溶解於N-甲基-2-吡咯啶酮中至15 wt.% BPADA之最終濃度。將溶液在室溫下於惰性氣氛下攪拌12小時。將二甲苯(38.17公克)添加至所得醯胺酸溶液中以形成共沸溶液以在藉由將溶液加熱至180℃再歷時12小時進行醯亞胺化期間移除水。將所得醯亞胺溶液以1,500 rpm旋塗60秒以形成無空隙的均質膜。
實施例2 以正丁胺封端之雙酚-A-二酐-共-1,3-苯二胺寡聚物
在此實施例中，將4,4'-雙酚-A-二酐(57.25公克，0.011莫耳)、間苯二胺(10.81公克，0.01莫耳)及正丁胺(1.46 公克，0.02莫耳)溶解於N-甲基-2-吡咯啶酮中至15 wt.% BPADA之最終濃度。將溶液在室溫下於惰性氣氛下攪拌12小時。在此階段之後，基於在氮氣淨化下加熱至180℃再歷時12小時，用所添加之二甲苯(38.17公克)使所得聚(醯胺酸)溶液醯亞胺化。
實施例3 以2,6-二甲基苯胺封端之雙酚-A-二酐-共-鄰聯甲苯胺寡聚物
對於此程序而言，將4,4'-雙酚-A-二酐(57.25公克，0.011莫耳)、鄰聯甲苯胺(21.229公克，0.01莫耳)及2,6-二甲基苯胺(2.42公克，0.02莫耳)溶解於N-甲基-2-吡咯啶酮中至15 wt.% BPADA之最終濃度。將溶液在室溫下於惰性氣氛下攪拌12小時。將二甲苯(38.17公克)添加至所得醯胺酸溶液中以形成共沸溶液以在藉由將溶液加熱至180℃再歷時12小時進行醯亞胺化期間移除水。將所得醯亞胺溶液以適當速度旋塗以形成無空隙的均質膜。
實施例4 以2,6-二甲基苯胺封端之雙酚-A-二酐-共-1,3-苯二胺- 共-2-甲基-1,5-戊二胺寡聚物
在此實施例中，將4,4'-雙酚-A-二酐(57.25公克，0.011莫耳)、間苯二胺(7.57公克，0.007莫耳)、2-甲基-1,5-戊二胺(0.348公克，0.003莫耳，以商品名DYTEK-A購自Invista)及2,6-二甲基苯胺(2.42公克，0.02莫耳)溶解於N-甲基-2-吡咯啶酮中至15 wt.% BPADA之最終濃度。將溶液在室溫下於惰性氣氛下攪拌12小時。將二甲苯(38.17公克)添加至所得醯胺酸溶液中以形成共沸溶液以在藉由將溶液加熱至180℃再歷時12小時進行醯亞胺化期間移除水。將所得醯亞胺溶液以適當速度旋塗以形成無空隙的均質膜。
實施例5 以鄰苯二甲酸酐封端之氯化偏苯三酸酐-共-2,2-雙[4-(4-胺基苯氧基)苯基]丙烷-共-雙酚A-二酐寡聚物
在此程序中，在0-5℃下將氯化偏苯三酸酐(0.447公克，2.12莫耳)、2,2-雙[4-(4-胺基苯氧基)苯基]丙烷(2.0公克，4.87毫莫耳)及三乙胺(0.257公克，2.54毫莫耳)溶解於N-甲基-2-吡咯啶酮中至總量15 wt.%之所有單體的濃度。將溶液在0-5℃下於惰性氣氛下攪拌2小時。其後， 添加4,4-雙酚-A-二酐(1.105公克，2.12毫莫耳)、鄰苯二甲酸酐(0.199公克，1.34毫莫耳)及額外N-甲基-2-吡咯啶酮至15 wt.%之最終濃度。將溶液在室溫下於惰性氣氛下攪拌20小時。過濾所得沈澱物(氯化三乙胺)，且將二甲苯(2.5公克)添加至醯胺酸溶液中以形成共沸溶液以在醯亞胺化期間移除水，該醯亞胺化係藉由將溶液加熱至180℃再歷時12小時來進行。聚合物之結構於下文展示。將所得醯胺-醯亞胺溶液以適當速度旋塗以形成無空隙的均質膜。
實施例6 以鄰苯二甲酸酐封端之氯化偏苯三酸酐-共-2,2-雙[4-(4-胺基苯氧基)苯基]丙烷寡聚物
在此實施例中，在0-5℃下將氯化偏苯三酸酐(1.0公克，4.7毫莫耳)、2,2-雙[4-(4-胺基苯氧基)苯基]丙烷(2.464公克，6.0毫莫耳)及三乙胺(0.571公克，5.64毫莫耳)溶解於N-甲基-2-吡咯啶酮中至15 wt.%之濃度。將溶液在0-5℃下於，惰性氣氛下攪拌1小時。添加鄰苯二甲酸酐(0.439公克，2.96毫莫耳)及額外N-甲基-2-吡咯啶酮至15 wt.%之最終濃度。將溶液在室溫下於惰性氣氛下攪拌20小時。過濾所得沈澱物(氯化三乙胺)，且將二甲苯(2.6公克) 添加至醯胺酸溶液中以形成共沸溶液以在醯亞胺化期間移除水，該醯亞胺化係藉由將溶液加熱至180℃再歷時12小時來進行。將所得醯胺-醯亞胺溶液以適當速度旋塗以形成無空隙的均質膜。
實施例7 以鄰苯二甲酸酐封端之氯化偏苯三酸酐-共-1,3-雙(3-胺基苯氧基)苯寡聚物
在此程序中，在0-5℃下將氯化偏苯三酸酐(0.69公克，3.28毫莫耳)、1,3-雙(3-胺基苯氧基)苯(以商品名APB-133購自CHRISKEV Company, Inc.，1.0公克，3.42毫莫耳)及三乙胺(0.398公克，3.93毫莫耳)溶解於N-甲基-2-吡咯啶酮中至15 wt.%之濃度。將溶液在0-5℃下於，惰性氣氛下攪拌1小時。添加鄰苯二甲酸酐(0.0427公克，0.29毫莫耳)及額外N-甲基-2-吡咯啶酮至15 wt.%之最終濃度。將溶液在室溫下於惰性氣氛下攪拌20小時。過濾所得沈澱物(氯化三乙胺)，且將二甲苯(1.29公克)添加至醯胺酸溶液中以形成共沸溶液以在藉由將溶液加熱至180℃再歷時12小時進行醯亞胺化期間移除水。將所得醯胺-醯亞胺溶液以適當速度旋塗以形成無空隙的均質膜。
實施例8 以鄰苯二甲酸酐封端之醯胺封端二矽氧烷-共-2,2-雙[4-(4-胺基苯氧基)苯基]丙烷-共-氯化偏苯三酸酐寡聚物
在此程序中，在0-5℃下將氯化偏苯三酸酐(1.149公克，5.46毫莫耳)、1,3-雙(3-胺基丙基)四甲基二矽氧烷(0.226公克，0.91毫莫耳)及三乙胺(0.663公克，6.55毫莫耳)溶解於N-甲基-2-吡咯啶酮/THF輔溶劑(70/30體積)中至15 wt.%之濃度。將溶液在0-5℃下於惰性氣氛下攪拌12小時。其後，添加2,2-雙[4-(4-胺基苯氧基)苯基]丙烷(2.0公克，4.87毫莫耳)、鄰苯二甲酸酐(0.108公克，0.729毫莫耳)及額外N-甲基-2-吡咯啶酮至15 wt.%之最終濃度。將溶液在室溫下於惰性氣氛下攪拌12小時。過濾所得沈澱物(氯化三乙胺)，且將二甲苯(2.3公克)添加至醯胺酸溶液中以形成共沸溶液以在醯亞胺化期間移除水，該醯亞胺化係藉由將溶液加熱至180℃再歷時12小時來進行。將所得醯胺-醯亞胺-矽氧烷溶液以1,500 rpm旋塗60秒以形成無空隙的均質膜。
實施例9 以鄰苯二甲酸酐封端之醯胺封端二矽氧烷-共-2,2-雙[4-(4-胺基苯氧基)苯基]丙烷-共-雙酚-A-二酐寡聚物
在此程序中，在0-5℃下將氯化偏苯三酸酐(0.372公克，1.77毫莫耳)、1,3-雙(3-胺基丙基)四甲基二矽氧烷(0.220公克，0.89毫莫耳)及三乙胺(0.215公克，2.12毫莫耳)溶解於N-甲基-2-吡咯啶酮/THF輔溶劑(70/30體積)中至15 wt.%之濃度。將溶液在0-5℃下於惰性氣氛下攪拌12小時。其後，添加2,2-雙[4-(4-胺基苯氧基)苯基]丙烷(2.0公克，4.87毫莫耳)、4,4'-雙酚-A-二酐(1.840公克，3.54毫莫耳)、鄰苯二甲酸酐(0.141公克，0.95毫莫耳)及額外N-甲基-2-吡咯啶酮至15 wt.%之最終濃度。將溶液在室溫下於惰性氣氛下攪拌12小時。過濾所得沈澱物(氯化三乙胺)，且將二甲苯(3.0公克)添加至醯胺酸溶液中以形成共沸溶液以在醯亞胺化期間移除水，該醯亞胺化係藉由將溶液加熱至180℃再歷時12小時來進行。將所得醯胺-醯亞胺-矽氧烷溶液以1,500 rpm旋塗60秒以形成無空隙的均質膜。
實施例10 以鄰苯二甲酸酐封端之醯胺封端聚二矽氧烷-共-2;2-雙[4-(4-胺基苯氧基)苯基]丙烷-共-氯化偏苯三酸酐寡聚物
在此實施例中，在0-5℃下將氯化偏苯三酸酐(1.080公克，5.13毫莫耳)、胺基丙基封端之聚二甲基矽氧烷(購自Gelest, Inc.，0.420公克，0.47毫莫耳)及三乙胺(0.623公克，6.15毫莫耳)溶解於N-甲基-2-吡咯啶酮/THF輔溶劑(70/30體積)中至15 wt.%之濃度。將溶液在0-5℃下於惰性氣氛下攪拌12小時。其後，添加2,2-雙[4-(4-胺基苯氧基)苯基]丙烷(2.0公克，4.87毫莫耳)、鄰苯二甲酸酐(0.063公克，0.425毫莫耳)及額外N-甲基-2-吡咯啶酮至15 wt.%之最終濃度。將溶液在室溫下於惰性氣氛下攪拌12小時。過濾所得沈澱物(氯化三乙胺)，且將二甲苯(2,4公克)添加至醯胺酸溶液中以形成共沸溶液以在醯亞胺化期間移除水，該醯亞胺化係藉由將溶液加熱至180℃再歷時12小時來進行。將所得醯胺-醯亞胺-矽氧烷溶液以1,500 rpm旋塗60秒以形成無空隙的均質膜。
實施例11 塗覆、結合及解結合
將來自實施例1至10之調配物旋塗至各種基板晶圓上。烘焙以蒸發溶劑之後，藉由施加壓力使第二晶圓結合至各經塗佈之晶圓。使用此等黏著劑進行暫時晶圓結合之典型程序展示於圖2中。測試經結合晶圓之機械強度、熱 穩定性及耐化學性。藉由在可接受之溫度下手動使其滑動分開來測試晶圓之解結合。
實施例12 黏著劑-聚醯亞胺分析
將實施例1及3之組成物之黏度、軟化點及Tg 報導於表1中，且所有此等材料皆針對解結合成功測試。對此等四種組成物進行熱穩定性及耐化學性之進一步研究。所有此等組成物具有至少高達350℃之所需熱穩定性且展示最小釋氣作用(<0.5 wt.%)。
實施例13 黏著劑-聚醯胺醯亞胺分析
來自實施例5-7之醯胺醯亞胺聚合物之組成物具有具醚鍵或烷鍵之芳族胺。因此，該等材料具有低軟化點、低玻璃轉移溫度及低熔融黏度。實施例材料之流變資料展示於圖3中。實施例之黏度、軟化點及Tg 報導於表2中，且所有此等材料皆已針對解結合成功測試。對此等組成物已進行熱穩定性及耐化學性之進一步研究。所有此等組成物 具有至少高達350℃之所需熱穩定性且展示最小釋氣作用(<0.5 wt.%)。
實施例14 黏著劑-聚(醯胺醯亞胺-矽氧烷)分析
來自實施例8-10之醯胺醯亞胺-矽氧烷聚合物之組成物包括由醯胺基封端之矽氧烷單元，該等矽氧烷單元會形成分子間及分子內氫鍵。因此，使矽氧烷單元自相變分離且防止其引入相分離。此效應於下文展示。實施例之黏度、軟化點及Tg 報導於表3中，且所有此等材料皆針對解結合成功測試。對此等組成物已進行熱穩定性及耐化學性之進一步研究。所有此等組成物具有至少高達350℃之所需熱穩定性且展示最小釋氣作用(<0.5 wt.%)。
實施例15 以鄰苯二甲酸酐封端之氯化偏苯三酸酐-共-2,2-雙[4-(3-胺基苯氧基)苯基]碸-共-雙酚-A-二酐寡聚物
在0-5℃下將氯化偏苯三酸酐(2.245公克，10.66毫莫耳)、2,2-雙[4-(3-胺基苯氧基)苯基]碸(10.0公克，23.12毫莫耳)及三乙胺(1.294公克，12.79毫莫耳)溶解於N-甲基-2-吡咯啶酮中至15 wt.%之濃度。將溶液在0-5℃下於惰性氣氛下攪拌1小時。添加雙酚-A-二酐(5.550公克，10.66毫莫耳)、鄰苯二甲酸酐(0.555公克，3.74毫莫耳)及額外N-甲基-2-吡咯啶酮至15 wt.%之最終濃度。將溶液在 室溫下於惰性氣氛下攪拌20小時。過濾所得沈澱物(氯化三乙胺)，且將二甲苯(6.2公克)添加至醯胺酸溶液中以形成共沸溶液以在藉由將溶液加熱至180℃再歷時12小時進行醯亞胺化期間移除水。將所得醯胺-醯亞胺溶液以1,500 rpm旋塗60秒以形成無空隙的均質膜。
實施例16 以環己胺封端之雙酚-A-二酐-共-2,2-雙[4-(4-胺基苯氧基)苯基]碸寡聚物
在此程序中，將4,4'-雙酚-A-二酐(10.624公克，20.40毫莫耳)、2,2-雙[4-(4-胺基苯氧基)苯基]碸(8.0公克，18.5毫莫耳)及環己胺(0.399公克，4.0毫莫耳)溶解於N-甲基-2-吡咯啶酮中至10 wt.%之最終濃度。將溶液在室溫下於惰性氣氛下攪拌12小時。將二甲苯(12.0公克)添加至所得醯胺酸溶液中以形成共沸溶液以在醯亞胺化期間移除水，該醯亞胺化係藉由將溶液加熱至180℃再歷時12小時來進行。將所得醯亞胺溶液以1,500 rpm旋塗60秒以形成無空隙均質膜。
實施例17 以2,6-二甲基苯胺封端之雙酚-A-二酐-共-2,4,6-三甲基-間苯二胺-共-2-甲基-1,5-戊二胺寡聚物
在此實施例中，將4,4'-雙酚-A-二酐(20.0公克，38.43毫莫耳)、2,4,6-三甲基-間苯二胺(0.811公克，5.40毫莫耳)、2-甲基-1,5-戊二胺(以商品名Dytek-A購自Invista，3.556公克，30.60毫莫耳)及2,6-二甲基苯胺(0.609公克，5.03毫莫耳)溶解於N-甲基-2-吡咯啶酮中至10 wt.%之最終濃度。將溶液在室溫下於惰性氣氛下攪拌12小時。將二甲苯(16.6公克)添加至所得醯胺酸溶液中以形成共沸溶液以在醯亞胺化期間移除水，該醯亞胺化係藉由將溶液加熱至180℃再歷時12小時來進行。將所得醯亞胺溶液以1,500 rpm旋塗60秒以形成無空隙均質膜。
實施例18 以環己胺封端之雙酚-A-二酐-共-3,3'-二胺基二苯基碸-共-2-甲基-1,5-戊二胺寡聚物
在此程序中，將4,4'-雙酚-A-二酐(10.0公克，19.2毫莫耳)、3.3'-二胺基二苯基碸(2.220公克，8.9毫莫耳)、 2-甲基-1,5-戊二胺(以商品名Dytek-A購自Invista，1.039公克，8.9毫莫耳)及環己胺(0.273公克，2.8毫莫耳)溶解於N-甲基-2-吡咯啶酮中至10 wt.%之最終濃度。將溶液在室溫下於惰性氣氛下攪拌12小時。將二甲苯(9.0公克)添加至所得醯胺酸溶液中以形成共沸溶液以在藉由將溶液加熱至180℃再歷時12小時進行醯亞胺化期間移除水。將所得醯亞胺溶液以1,500 rpm旋塗60秒以形成無空隙均質膜。
實施例19 以環己胺封端之雙酚-A-二酐-共-2,4,6-三甲基-間苯二胺-共-1,2-二胺基環己烷寡聚物
在此實施例中，將4,4'-雙酚-A-二酐(10.0公克，19.2毫莫耳)、2,4,6-三甲基-間苯二胺(0.663公克，4.42毫莫耳)、1,2-二胺基環己烷(1.514公克，13.26毫莫耳)及 環己胺(0.317公克，3.2毫莫耳)溶解於N-甲基-2-吡咯啶酮中至10 wt.%之最終濃度。將溶液在室溫下於惰性氣氛下攪拌12小時。將二甲苯(8.3公克)添加至所得醯胺酸溶液中以形成共沸溶液以在藉由將溶液加熱至180℃再歷時12小時進行醯亞胺化期間移除水。將所得醯亞胺溶液以1,500 rpm旋塗60秒以形成無空隙均質膜。
實施例20 以環己胺封端之雙酚-A-二酐-共-2,4,6-三甲基-間苯二胺-共-4,4'-亞甲基-雙-環己胺寡聚物
在此程序中，將4,4'-雙酚-A-二酐(10.0公克，19.2毫莫耳)、2,4,6-三甲基-間苯二胺(0.657公克，4.38毫莫耳)、4,4'-亞甲基-雙-環己胺(2.762公克，13.13毫莫耳)及環己胺(0.355公克，3.58毫莫耳)溶解於N-甲基-2-吡咯啶酮中至10 wt.%之最終濃度。將溶液在室溫下於惰性 氣氛下攪拌12小時。將二甲苯(9.2公克)添加至所得醯胺酸溶液中以形成共沸溶液以在醯亞胺化期間移除水，該醯亞胺化係藉由將溶液加熱至180℃再歷時12小時來進行。將所得醯亞胺溶液以1,500 rpm旋塗60秒以形成無空隙均質膜。
實施例21
實施例15、16、19及20之組成物之黏度、軟化點及Tg 報導於表4中，而實施例17-18之組成物之值報導於表5中。對此等組成物進行熱穩定性及耐化學性之進一步研究。所有此等組成物具有至少高達350℃之所需熱穩定性且展示最小釋氣作用(<0.5 wt.%)。
10‧‧‧堆疊
12‧‧‧活性晶圓
12'‧‧‧薄化後晶圓
14‧‧‧載體晶圓或基板
16‧‧‧背表面
18活性表面
20a,20b,20c,20d‧‧‧構形特徵
21‧‧‧構形特徵20d之末端表面
22‧‧‧結合表面
24‧‧‧結合層
24'‧‧‧經軟化結合組成物層
26‧‧‧平面
28‧‧‧軸
T‧‧‧厚度
圖1說明根據本發明使兩個晶圓薄化及解結合之本發明方法；圖2為展示實施例中所遵循之典型製程步驟之流程圖；及圖3為描繪本發明之結合組成物之流變分析結果的曲線圖。
10‧‧‧堆疊
12‧‧‧活性晶圓
12'‧‧‧薄化後晶圓
14‧‧‧載體晶圓或基板
16‧‧‧背表面
18‧‧‧活性表面
20a,20b,20c,20d‧‧‧構形特徵
21‧‧‧構形特徵20d之末端表面
22‧‧‧結合表面
24‧‧‧結合層
24'‧‧‧經軟化結合組成物層
26‧‧‧平面
28‧‧‧軸
T‧‧‧厚度

Claims (40)

  1. 一種晶圓結合方法，其包含：提供包含經由結合組成物層結合在一起之第一基板及第二基板的堆疊，該結合組成物層包含選自由寡聚物及聚合物組成之群的化合物，該等寡聚物及聚合物係選自由醯亞胺、醯胺醯亞胺及醯胺醯亞胺-矽氧烷聚合物及寡聚物組成之群；使該堆疊經足以軟化該結合層之溫度處理；及分離該第一基板與該第二基板。
  2. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該溫度為至少約200℃。
  3. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該分離包含將力施加於該第一基板及該第二基板中之至少一者，同時使該第一基板及該第二基板中之另一者抵抗該力，該力係以足量施加以分離該第一基板與該第二基板。
  4. 如申請專利範圍第3項之方法，該堆疊具有穿過該第一基板與該第二基板之軸，該力係在一般相對於該軸為橫向之方向上施加。
  5. 如申請專利範圍第3項之方法，該施加力包含在一般遠離第一基板及第二基板中之至少一者之方向上提舉該第一基板及該第二基板中之另一者。
  6. 如申請專利範圍第1項之方法，其進一步包含在該經處理之前使該等基板中之一者薄化。
  7. 如申請專利範圍第1項之方法，其進一步包含在該 經溫度處理之前使該堆疊經受選自由背面研磨、金屬化、圖案化及其組合組成之群的製程。
  8. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該提供堆疊包含：將結合組成物塗覆於第一基板及第二基板中之至少一者上；及使該等基板彼此接觸以將該等基板結合在一起。
  9. 如申請專利範圍第8項之方法，其中該塗覆包含將結合組成物旋塗至第一基板及第二基板中之一者上。
  10. 如申請專利範圍第8項之方法，其中該接觸包含將壓力施加於該等基板。
  11. 如申請專利範圍第1項之方法，其中：該第一基板具有第一表面及遠離該第一表面之第二表面且包含至少一個活性位點及複數個構形特徵，且該結合組成物層係結合至該第二表面；且該第二基板包含結合至該結合組成物層之結合表面。
  12. 如申請專利範圍第11項之方法，其中：該等構形特徵呈現遠離該第一基板之該第一表面的個別端面，且該等端面中之至少一者距該第一基板之該第一表面比該等端面中之其他者更遠，該更遠端面界定實質上平行於該第一表面之平面；且該平面距該第二基板上之結合表面之距離跨越該平面及該第二基板結合表面改變小於約10%。
  13. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該第一基板： 具有第一表面及遠離該第一表面之第二表面；在該第二表面上包含至少一個活性位點及複數個構形特徵；且係選自由微電子機械系統裝置、顯示器裝置、可撓性基板、化合物半導體、低k介電層、介電層、離子植入層及包含矽、鋁、鎢、矽化鎢、砷化鎵、鍺、鉭、亞硝酸鉭、SiGe及前述者之混合物組成之群。
  14. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該第二基板包含選自由藍寶石、陶瓷、玻璃、石英、鋁及矽組成之群的材料。
  15. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該化合物係選自由聚合物及寡聚物組成之群，該等聚合物及寡聚物具有選自由以下式組成之群之式： 其中：R係選自由以下者組成之群：及，其中R1 係選自由以下者組成之群：經烷基取代之苯基、及，且X係選自由苯碸、芳族化合物、脂族化合物及環脂族化合物組成之群；及 其中Z係選自由矽氧烷及包含醚橋之部分組成之群。
  16. 如申請專利範圍第15項之方法，其中該化合物為(I)，且X係選自由經烷基取代之苯基、亞異丙基二苯基及六氟亞異丙基組成之群。
  17. 如申請專利範圍第15項之方法，其中該化合物進一步包含衍生自選自由芳族單胺、脂族單胺、環脂族單胺及鄰苯二甲酸酐組成之群之化合物的封端基。
  18. 如申請專利範圍第17項之方法，其中該封端基係選自由以下者組成之群：烷基、及，其中：R4 為烷基； R5 為環脂族基團；且k為0至20。
  19. 如申請專利範圍第15項之方法，其中該化合物為(II)，且Z為具有下式之矽氧烷： 其中：各R3 係個別地選自由氫、烷基及苯基組成之群；m為1至6；且p為1至50。
  20. 如申請專利範圍第15項之方法，其中該化合物為(II)，且Z為選自由以下者組成之群之包含醚橋的部分：
  21. 一種物品，其包含： 具有背表面及活性表面之第一基板，該活性表面包含至少一個活性位點及複數個構形特徵；具有結合表面之第二表面；及結合至該活性表面且結合至該結合表面之結合層，其中該結合層包含寡聚物及聚合物，該等寡聚物及聚合物係選自由醯亞胺、醯胺醯亞胺及醯胺醯亞胺-矽氧烷聚合物及寡聚物組成之群。
  22. 如申請專利範圍第21項之物品，其中：該等構形特徵呈現遠離該第一基板之該背表面的個別端面，且該等端面中之至少一者距該第一基板之該背表面比該等端面中之其他者更遠，該更遠端面界定一實質上平行於該第一表面之平面；且該平面距該第二基板上之該結合表面之距離沿該平面及該第二基板結合表面改變小於約5%。
  23. 如申請專利範圍第21項之物品，其中該第一基板係選自由微電子機械系統裝置、顯示器裝置、可撓性基板、化合物半導體、低k介電層、介電層、離子植入層及包含矽、鋁、鎢、矽化鎢、砷化鎵、鍺、鉭、亞硝酸鉭、SiGe及前述者之混合物組成之群。
  24. 如申請專利範圍第21項之物品，其中該第二基板包含選自由藍寶石、陶瓷、玻璃、石英、鋁、銀及矽組成之群的材料。
  25. 如申請專利範圍第21項之物品，其中該等聚合物及寡聚物具有選自由以下式組成之群之式： 其中：R係選自由以下者組成之群：及，其中R1 係選自由以下者組成之群：經烷基取代之苯基、及，且X係選自由苯碸、芳族化合物、脂族化合物及環脂族化合物組成之群；及 其中Z係選自由矽氧烷及包含醚橋之部分組成之群。
  26. 如申請專利範圍第25項之物品，其中該等聚合物或寡聚物包含式(I)，且X係選自由經烷基取代之苯基、亞異丙基二苯基及六氟亞異丙基組成之群。
  27. 如申請專利範圍第25項之物品，其中該化合物進一步包含衍生自選自由芳族單胺、脂族單胺、環脂族單胺及鄰苯二甲酸酐組成之群之化合物的封端基。
  28. 如申請專利範圍第27項之物品，其中該封端基係選自由以下者組成之群：烷基、及，其中：R4 為烷基；R5 為環脂族基團；且k為0至20。
  29. 如申請專利範圍第25項之物品，其中該等聚合物或寡聚物包含式(II)，且Z為具有下式之矽氧烷： 其中：各R3 係個別地選自由氫、烷基及苯基組成之群；m為1至6；且P為1至50。
  30. 如申請專利範圍第25項之物品，其中該等聚合物或寡聚物包含式(II)，且Z為選自由以下者組成之群之包含醚橋的部分：
  31. 一種適用於將兩個基板結合在一起之組成物，該組成物包含溶解或分散於溶劑系統中之化合物，該化合物係選自由聚合物及寡聚物組成之群，該等聚合物及寡聚物具有選自由以下式組成之群之式： 其中：R係選自由以下者組成之群：及， 其中R1 係選自由以下者組成之群：經烷基取代之苯基、及，且X係選自由苯碸、芳族化合物、脂族化合物及環脂族化合物組成之群；及 其中Z係選自由矽氧烷及包含醚橋之部分組成之群，其中該化合物進一步包含衍生自選自由芳族單胺、脂族單胺、環脂族單胺及鄰苯二甲酸酐組成之群之化合物的封端基。
  32. 如申請專利範圍第31項之組成物，其中該化合物包含式(I)，且X係選自由經烷基取代之苯基、亞異丙基二苯基及六氟亞異丙基組成之群。
  33. 如申請專利範圍第31項之組成物，其中該封端基係選自由以下者組成之群：烷基、及，其中： R4 為烷基；R5 為環脂族基團；且k為0至20。
  34. 如申請專利範圍第31項之組成物，其中該化合物包含式(II)，且Z為具有下式之矽氧烷： 其中：各R3 係個別地選自由氫、烷基及苯基組成之群；m為1至6；且p為1至50。
  35. 如申請專利範圍第31項之組成物，其中該化合物包含式(II)，且Z為選自由以下者組成之群之包含醚橋的部分：
  36. 一種聚合物或寡聚物，其具有選自由以下式組成之群之式： 其中：R係選自由以下者組成之群：及，其中R1 係選自由以下者組成之群：經烷基取代之苯基、及，且X係選自由苯碸、芳族化合物、脂族化合物及環脂族化合物組成之群；及 其中Z係選自由矽氧烷及包含醚橋之部分組成之群，其中該聚合物或寡聚物進一步包含衍生自選自由芳族單胺、脂族單胺、環脂族單胺及鄰苯二甲酸酐組成之群之化合物的封端基。
  37. 如申請專利範圍第36項之聚合物或寡聚物，其中該等聚合物或寡聚物包含式(I)，且X係選自由經烷基取代之苯基、亞異丙基二苯基及六氟亞異丙基組成之群。
  38. 如申請專利範圍第36項之聚合物或寡聚物，其中該封端基係選自由以下者組成之群：烷基、及，其中：R4 為烷基；R5 為環脂族基團；且k為0至20。
  39. 如申請專利範圍第36項之聚合物或寡聚物，其中該聚合物或寡聚物包含式(II)，且Z為具有下式之矽氧烷： 其中： 各R3 係個別地選自由氫、烷基及苯基組成之群；m為1至6；且p為1至50。
  40. 如申請專利範圍第36項之聚合物或寡聚物，其中該聚合物或寡聚物包含式(II)，且Z為選自由以下者組成之群之包含醚橋的部分：
TW097123665A 2007-06-25 2008-06-25 高溫旋塗暫時結合組成物 TWI418602B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US94607707P 2007-06-25 2007-06-25
US12/146,148 US7935780B2 (en) 2007-06-25 2008-06-25 High-temperature spin-on temporary bonding compositions

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200920807A TW200920807A (en) 2009-05-16
TWI418602B true TWI418602B (zh) 2013-12-11

Family

ID=40186272

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW097123665A TWI418602B (zh) 2007-06-25 2008-06-25 高溫旋塗暫時結合組成物

Country Status (6)

Country Link
US (2) US7935780B2 (zh)
JP (1) JP5788173B2 (zh)
KR (1) KR101565176B1 (zh)
CN (1) CN101779268B (zh)
TW (1) TWI418602B (zh)
WO (1) WO2009003029A2 (zh)

Families Citing this family (88)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5788173B2 (ja) 2007-06-25 2015-09-30 ブルーワー サイエンス アイ エヌシー． 高温スピンオン仮接合用組成物
US8673163B2 (en) 2008-06-27 2014-03-18 Apple Inc. Method for fabricating thin sheets of glass
US7810355B2 (en) 2008-06-30 2010-10-12 Apple Inc. Full perimeter chemical strengthening of substrates
US8092628B2 (en) 2008-10-31 2012-01-10 Brewer Science Inc. Cyclic olefin compositions for temporary wafer bonding
US9063605B2 (en) 2009-01-09 2015-06-23 Apple Inc. Thin glass processing using a carrier
US7918019B2 (en) 2009-01-09 2011-04-05 Apple Inc. Method for fabricating thin touch sensor panels
WO2010101961A2 (en) 2009-03-02 2010-09-10 Apple Inc. Techniques for strengthening glass covers for portable electronic devices
US8771927B2 (en) * 2009-04-15 2014-07-08 Brewer Science Inc. Acid-etch resistant, protective coatings
KR20120027237A (ko) 2009-04-16 2012-03-21 수스 마이크로텍 리소그라피 게엠바하 웨이퍼 가접합 및 분리를 위한 개선된 장치
US8366873B2 (en) 2010-04-15 2013-02-05 Suss Microtec Lithography, Gmbh Debonding equipment and methods for debonding temporary bonded wafers
US8950459B2 (en) 2009-04-16 2015-02-10 Suss Microtec Lithography Gmbh Debonding temporarily bonded semiconductor wafers
US9778685B2 (en) 2011-05-04 2017-10-03 Apple Inc. Housing for portable electronic device with reduced border region
EP2534218A1 (en) * 2010-02-12 2012-12-19 Dow Corning Corporation Temporary wafer bonding method for semiconductor processing
US9837295B2 (en) 2010-04-15 2017-12-05 Suss Microtec Lithography Gmbh Apparatus and method for semiconductor wafer leveling, force balancing and contact sensing
US9064686B2 (en) 2010-04-15 2015-06-23 Suss Microtec Lithography, Gmbh Method and apparatus for temporary bonding of ultra thin wafers
US9859141B2 (en) 2010-04-15 2018-01-02 Suss Microtec Lithography Gmbh Apparatus and method for aligning and centering wafers
US9213451B2 (en) 2010-06-04 2015-12-15 Apple Inc. Thin glass for touch panel sensors and methods therefor
US9263314B2 (en) 2010-08-06 2016-02-16 Brewer Science Inc. Multiple bonding layers for thin-wafer handling
US10189743B2 (en) 2010-08-18 2019-01-29 Apple Inc. Enhanced strengthening of glass
US8824140B2 (en) 2010-09-17 2014-09-02 Apple Inc. Glass enclosure
US8950215B2 (en) 2010-10-06 2015-02-10 Apple Inc. Non-contact polishing techniques for reducing roughness on glass surfaces
TW201241134A (en) * 2010-12-14 2012-10-16 Sumitomo Bakelite Co Method of processing a base material
KR101455046B1 (ko) 2010-12-29 2014-10-28 스미토모 베이클라이트 가부시키가이샤 일시적 접착용 폴리머 조성물
US10781135B2 (en) 2011-03-16 2020-09-22 Apple Inc. Strengthening variable thickness glass
US9725359B2 (en) 2011-03-16 2017-08-08 Apple Inc. Electronic device having selectively strengthened glass
JP5729097B2 (ja) * 2011-04-07 2015-06-03 Jsr株式会社 基材の処理方法、仮固定材および電子部品
US9128666B2 (en) 2011-05-04 2015-09-08 Apple Inc. Housing for portable electronic device with reduced border region
KR101287186B1 (ko) * 2011-05-13 2013-07-23 (주)태인케미컬 투명 점착 시트 및 그를 이용한 디스플레이패널 조립체 분리방법
DE102011079687A1 (de) 2011-07-22 2013-01-24 Wacker Chemie Ag Temporäre Verklebung von chemisch ähnlichen Substraten
US8940104B2 (en) 2011-08-02 2015-01-27 Brewer Science Inc. Cleaning composition for temporary wafer bonding materials
US9944554B2 (en) 2011-09-15 2018-04-17 Apple Inc. Perforated mother sheet for partial edge chemical strengthening and method therefor
FR2980201B1 (fr) * 2011-09-20 2014-10-24 Rhodia Operations Polyimides thermoplastiques
FR2980204B1 (fr) * 2011-09-20 2015-03-27 Rhodia Operations Nouveaux (co)polyimides thermoplastiques et procedes de synthese
US9516149B2 (en) 2011-09-29 2016-12-06 Apple Inc. Multi-layer transparent structures for electronic device housings
JP5592330B2 (ja) * 2011-10-07 2014-09-17 信越化学工業株式会社 仮接着剤組成物、及びそれを用いた薄型ウエハの製造方法
NL2007705C2 (en) * 2011-11-02 2013-05-21 Stichting Energie Low cost polymer supported hybrid silica membrane and production thereof.
US10144669B2 (en) 2011-11-21 2018-12-04 Apple Inc. Self-optimizing chemical strengthening bath for glass
US10381254B2 (en) 2011-11-29 2019-08-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Wafer debonding and cleaning apparatus and method
US9390949B2 (en) * 2011-11-29 2016-07-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Wafer debonding and cleaning apparatus and method of use
US11264262B2 (en) 2011-11-29 2022-03-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Wafer debonding and cleaning apparatus
US10133156B2 (en) 2012-01-10 2018-11-20 Apple Inc. Fused opaque and clear glass for camera or display window
US8773848B2 (en) 2012-01-25 2014-07-08 Apple Inc. Fused glass device housings
US10543662B2 (en) 2012-02-08 2020-01-28 Corning Incorporated Device modified substrate article and methods for making
US9127126B2 (en) 2012-04-30 2015-09-08 Brewer Science Inc. Development of high-viscosity bonding layer through in-situ polymer chain extension
US9946302B2 (en) 2012-09-19 2018-04-17 Apple Inc. Exposed glass article with inner recessed area for portable electronic device housing
US9269623B2 (en) 2012-10-25 2016-02-23 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Ephemeral bonding
DE102012220954A1 (de) 2012-11-16 2014-05-22 Wacker Chemie Ag Schleifbare Siliconelastomerzusammensetzung und deren Verwendung
US10086584B2 (en) 2012-12-13 2018-10-02 Corning Incorporated Glass articles and methods for controlled bonding of glass sheets with carriers
US10014177B2 (en) 2012-12-13 2018-07-03 Corning Incorporated Methods for processing electronic devices
TWI617437B (zh) 2012-12-13 2018-03-11 康寧公司 促進控制薄片與載體間接合之處理
US9340443B2 (en) 2012-12-13 2016-05-17 Corning Incorporated Bulk annealing of glass sheets
US9349643B2 (en) 2013-04-01 2016-05-24 Brewer Science Inc. Apparatus and method for thin wafer transfer
US9269603B2 (en) 2013-05-09 2016-02-23 Globalfoundries Inc. Temporary liquid thermal interface material for surface tension adhesion and thermal control
US9459661B2 (en) 2013-06-19 2016-10-04 Apple Inc. Camouflaged openings in electronic device housings
US8962449B1 (en) 2013-07-30 2015-02-24 Micron Technology, Inc. Methods for processing semiconductor devices
US10103048B2 (en) 2013-08-28 2018-10-16 Brewer Science, Inc. Dual-layer bonding material process for temporary bonding of microelectronic substrates to carrier substrates
JP6709052B2 (ja) 2013-09-25 2020-06-10 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理装置
US10510576B2 (en) 2013-10-14 2019-12-17 Corning Incorporated Carrier-bonding methods and articles for semiconductor and interposer processing
US9315696B2 (en) 2013-10-31 2016-04-19 Dow Global Technologies Llc Ephemeral bonding
US9865490B2 (en) 2014-01-07 2018-01-09 Brewer Science Inc. Cyclic olefin polymer compositions and polysiloxane release layers for use in temporary wafer bonding processes
CN106068551B (zh) 2014-01-07 2019-12-17 布鲁尔科技公司 用于暂时性晶片粘结方法的环状烯烃聚合物组合物和聚硅氧烷剥离层
CN106132688B (zh) 2014-01-27 2020-07-14 康宁股份有限公司 用于薄片与载体的受控粘结的制品和方法
US9355881B2 (en) 2014-02-18 2016-05-31 Infineon Technologies Ag Semiconductor device including a dielectric material
US9886062B2 (en) 2014-02-28 2018-02-06 Apple Inc. Exposed glass article with enhanced stiffness for portable electronic device housing
JP2017518954A (ja) 2014-04-09 2017-07-13 コーニング インコーポレイテッド デバイスで改質された基体物品、およびそれを製造する方法
TWI661935B (zh) * 2014-06-13 2019-06-11 日商富士軟片股份有限公司 暫時接著用積層體、暫時接著用積層體的製造方法以及帶有元件晶圓的積層體
EP3172762B1 (en) 2014-07-22 2021-04-21 Brewer Science, Inc. Temporary substrate bonding method using a polyimide release layer and substrate stack including said polyimide release layer
KR101844204B1 (ko) * 2014-12-03 2018-03-30 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 적층체의 제조 방법, 기판의 처리 방법 및 적층체
US9644118B2 (en) 2015-03-03 2017-05-09 Dow Global Technologies Llc Method of releasably attaching a semiconductor substrate to a carrier
CN107635769B (zh) 2015-05-19 2020-09-15 康宁股份有限公司 使片材与载体粘结的制品和方法
CN107810168A (zh) 2015-06-26 2018-03-16 康宁股份有限公司 包含板材和载体的方法和制品
GB2544563B (en) * 2015-11-20 2019-02-06 Rfhic Corp Mounting of semiconductor-on-diamond wafers for device processing
TW202216444A (zh) 2016-08-30 2022-05-01 美商康寧公司 用於片材接合的矽氧烷電漿聚合物
TWI821867B (zh) 2016-08-31 2023-11-11 美商康寧公司 具以可控制式黏結的薄片之製品及製作其之方法
FR3060601B1 (fr) * 2016-12-20 2018-12-07 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Composition adhesive et son utilisation dans l'electronique
WO2019036710A1 (en) 2017-08-18 2019-02-21 Corning Incorporated TEMPORARY BINDING USING POLYCATIONIC POLYMERS
CN107946283B (zh) * 2017-11-27 2020-03-17 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 一种晶圆载片键合结构及利用该结构进行tsv露头的方法
US11331692B2 (en) 2017-12-15 2022-05-17 Corning Incorporated Methods for treating a substrate and method for making articles comprising bonded sheets
WO2019169394A1 (en) * 2018-03-02 2019-09-06 Kaneka Americas Holding, Inc. Polyimides for temporary bonding adhesives, methods for manufacturing of thermoplastic polyimide materials, and methods for thin wafer bonding using the same
JP7267567B2 (ja) * 2018-10-31 2023-05-02 ユニチカ株式会社 低誘電率ポリイミド
US11610801B2 (en) 2019-01-22 2023-03-21 Brewer Science, Inc. Laser-releasable bonding materials for 3-D IC applications
US11753566B2 (en) 2019-01-31 2023-09-12 Synthomer Adhesive Technologies Llc Low volatile tackifier compositions
EP4197028A1 (en) * 2020-08-14 2023-06-21 Brewer Science, Inc. Permanent bonding and patterning material
EP4317339A1 (en) 2021-03-30 2024-02-07 Nissan Chemical Corporation Adhesive composition, laminate, method for manufacturing laminate, and method for manufacturing processed substrate
EP4310157A1 (en) 2021-03-31 2024-01-24 Nissan Chemical Corporation Laminate, release agent composition, and method for manufacturing machined semiconductor substrate
CN117083697A (zh) 2021-03-31 2023-11-17 日产化学株式会社 层叠体、剥离剂组合物以及经加工的半导体基板的制造方法
CN117157739A (zh) 2021-03-31 2023-12-01 日产化学株式会社 层叠体、剥离剂组合物以及经加工的半导体基板的制造方法
WO2023074324A1 (ja) 2021-10-29 2023-05-04 日産化学株式会社 積層体、剥離剤組成物及び加工された半導体基板の製造方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10245539A (ja) * 1996-08-02 1998-09-14 Internatl Business Mach Corp <Ibm> 重合体シール剤／接着剤とその電子パッケージ・アセンブリにおける使用

Family Cites Families (97)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3234181A (en) * 1961-03-15 1966-02-08 Du Pont Melt-fabricable end-capped aromatic polymides
US3440204A (en) * 1966-05-05 1969-04-22 Gen Electric Polyamide amide-acid coating solutions containing a silicone,method of using said solutions and surfaces coated therewith
US3435002A (en) * 1967-05-15 1969-03-25 Gen Electric Polyamide acid resins and polyimides therefrom
US3392144A (en) * 1967-05-15 1968-07-09 Gen Electric Polyamide compositions and polyimideamides therefrom
US3553282A (en) * 1969-09-08 1971-01-05 Gen Electric Siloxane containing polyamide acid blends
US3598784A (en) * 1970-03-11 1971-08-10 Gen Electric Polysiloxane amides
US3598785A (en) * 1970-03-11 1971-08-10 Gen Electric Polysiloxane amides
US3740305A (en) * 1971-10-01 1973-06-19 Gen Electric Composite materials bonded with siloxane containing polyimides
US3723385A (en) * 1971-10-01 1973-03-27 Gen Electric Siloxane containing prepolymers and polyamide-imides prepared therefrom
US3868433A (en) 1972-04-03 1975-02-25 Exxon Research Engineering Co Thermoplastic adhesive compositions
US3987122A (en) 1972-04-03 1976-10-19 Exxon Research And Engineering Company Thermoplastic adhesive compositions
US3959062A (en) 1972-08-10 1976-05-25 E. I. Du Pont De Nemours And Company Method of joining surfaces using segmented copolyester adhesive
US3970494A (en) * 1975-04-18 1976-07-20 Western Electric Co., Inc. Method for adhering one surface to another
US4281100A (en) * 1979-05-09 1981-07-28 General Electric Company Injection moldable polyetherimide oligomers and method for making
US4331799A (en) * 1980-01-10 1982-05-25 General Electric Company Copolymers of etherimides and amideimides
US4480009A (en) * 1980-12-15 1984-10-30 M&T Chemicals Inc. Siloxane-containing polymers
US4474942A (en) * 1982-06-28 1984-10-02 Takeda Chemical Industries, Ltd. Cross-linked polyesteramide from bis(2-oxazoline)
US4443591A (en) * 1983-01-21 1984-04-17 General Electric Company Method for making polyetherimide
US5227461A (en) * 1983-06-17 1993-07-13 The Boeing Company Extended difunctional end-cap monomers
GB8320270D0 (en) 1983-07-27 1983-09-01 Raychem Ltd Polymer composition
US4599396A (en) * 1984-09-04 1986-07-08 General Electric Company Crystalline polyetherimides and polyamic acid precursors therefor
JPS61162525A (ja) * 1985-01-04 1986-07-23 ゼネラル　エレクトリツク　カンパニイ 新しいコポリアミドイミドとその製造法及びそのプレポリマ−とその製造法
US4558114A (en) * 1985-01-23 1985-12-10 Ashland Oil, Inc. Polymers derived from polyisocyanates, bicyclic amide acetals and oxazolines
US4710542A (en) * 1986-05-16 1987-12-01 American Cyanamid Company Alkylcarbamylmethylated amino-triazine crosslinking agents and curable compositions containing the same
US5187228A (en) * 1986-10-03 1993-02-16 Dexter Corporation Stabilizer for compatibilized polycarbonate and polyamide polymer blends
US4793337A (en) 1986-11-17 1988-12-27 E. R. Squibb & Sons, Inc. Adhesive structure and products including same
JP2653401B2 (ja) * 1987-02-20 1997-09-17 日立化成工業 株式会社 ポリアミドイミドシリコン重合体の製造法
US5817744A (en) * 1988-03-14 1998-10-06 The Boeing Company Phenylethynyl capped imides
US4895972A (en) * 1988-09-01 1990-01-23 The United States Of American As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Process for lowering the dielectric constant of polyimides using diamic acid additives
US4910288A (en) * 1989-02-07 1990-03-20 General Electric Company Process for the preparation of polyetherimides
US4933132A (en) * 1989-02-28 1990-06-12 Hoechst Celanese Corp. Process of making a shaped article from intermediate molecular weight polyimides
US5204399A (en) * 1989-03-09 1993-04-20 National Starch And Chemical Investment Holding Corporation Thermoplastic film die attach adhesives
US4973651A (en) * 1989-05-08 1990-11-27 Hoechst Celanese Corp. Polyimide polymers having 12-F fluorine-containing linking groups
NL8902683A (nl) 1989-10-31 1991-05-16 Stamicarbon Meerkomponentensysteem op basis van een oxazoline en een fosfor bevattende verbinding.
US5043250A (en) * 1990-07-17 1991-08-27 Eastman Kodak Company Radiation-sensitive composition containing a poly (N-acyl-alkyleneimine) and use thereof in lithographic printing plates
US6046072A (en) * 1993-03-29 2000-04-04 Hitachi Chemical Company, Ltd. Process for fabricating a crack resistant resin encapsulated semiconductor chip package
JP2961642B2 (ja) * 1995-05-31 1999-10-12 株式会社巴川製紙所 電子部品用接着テープおよび液状接着剤
US5888650A (en) 1996-06-03 1999-03-30 Minnesota Mining And Manufacturing Company Temperature-responsive adhesive article
US6054363A (en) * 1996-11-15 2000-04-25 Canon Kabushiki Kaisha Method of manufacturing semiconductor article
CA2225131C (en) * 1996-12-18 2002-01-01 Canon Kabushiki Kaisha Process for producing semiconductor article
WO1998033861A1 (fr) * 1997-01-30 1998-08-06 Mitsui Chemicals, Inc. Compositions adhesives thermofusibles
US5844065A (en) * 1997-05-14 1998-12-01 National Science Council 2,2'-dimethyl-4,4'-bis (4-aminophenoxy) biphenyl, and polymers prepared therefrom by polycondensation
US5886131A (en) * 1997-05-30 1999-03-23 China Textile Institute Method for preparing 1,4-Bis(4-aminophenoxy)naphthalene and its polymers
US5939520A (en) * 1997-09-05 1999-08-17 Air Products And Chemicals, Inc. Gas separation membranes based on regiospecific polyamide-imides
JP3347651B2 (ja) * 1997-09-17 2002-11-20 株式会社巴川製紙所 電子部品用接着テープ
JP3432409B2 (ja) * 1997-11-28 2003-08-04 日立化成工業株式会社 耐熱性樹脂組成物及びそれを用いた接着フィルム
US6252010B1 (en) * 1997-10-29 2001-06-26 Hitachi Chemical Company, Ltd. Siloxane-modified polyamideimide resin composition, adhesive film, adhesive sheet and semiconductor device
JP3688133B2 (ja) * 1998-09-25 2005-08-24 日立化成工業株式会社 Ｃｓｐ基板用耐熱性接着シート及びそれを用いるｃｓｐ基板の製造方法
US6110999A (en) * 1998-03-06 2000-08-29 Denovus Llc Reusable adhesive composition and method of making the same
US6066710A (en) * 1998-10-29 2000-05-23 Occidental Chemical Corporation Imide-containing polymers made by bulk polymerization
US6156820A (en) * 1998-12-28 2000-12-05 Occidental Chemical Corporation Polyamideimidesiloxane hot melt adhesive
US6440259B1 (en) 1999-08-04 2002-08-27 3M Innovative Properties Company One-part storage-stable water-based contact adhesive composition with an internal coagulant
JP3575480B2 (ja) * 1999-11-10 2004-10-13 日立化成工業株式会社 半導体用接着フィルム
DE19956422A1 (de) 1999-11-24 2001-06-13 Hella Kg Hueck & Co Lösbare Klebstoffe zum Verbinden von Substraten
JP2001185519A (ja) * 1999-12-24 2001-07-06 Hitachi Ltd 半導体装置及びその製造方法
AU778576B2 (en) 2000-03-30 2004-12-09 H.B. Fuller Company Adhesive composition comprising a particulate thermoplastic component
JP2002100595A (ja) * 2000-07-21 2002-04-05 Enya Systems Ltd ウエ−ハ剥離装置及び方法並びにこれを用いたウエ−ハ処理装置
KR20030042454A (ko) 2000-08-22 2003-05-28 제온 코포레이션 필름 적층 방법
JP2003037155A (ja) * 2001-07-25 2003-02-07 Mitsubishi Gas Chem Co Inc 薄葉化ウェハーの製造法
US20020127821A1 (en) 2000-12-28 2002-09-12 Kazuyuki Ohya Process for the production of thinned wafer
US20020115263A1 (en) * 2001-02-16 2002-08-22 Worth Thomas Michael Method and related apparatus of processing a substrate
TW574753B (en) 2001-04-13 2004-02-01 Sony Corp Manufacturing method of thin film apparatus and semiconductor device
JP2002309187A (ja) * 2001-04-17 2002-10-23 Mitsubishi Gas Chem Co Inc 多層接着フィルムおよび該フィルムに好適な保持基板
DE10137375A1 (de) 2001-07-31 2003-02-27 Infineon Technologies Ag Verwendung von Polybenzoxazolen (PBO) zum Kleben
EP1295926A1 (en) 2001-09-19 2003-03-26 ExxonMobil Chemical Patents Inc. Components for adhesive compositions and process for manufacture
DE10213227A1 (de) 2002-03-25 2003-10-16 Bayer Ag Zusammensetzung
KR20050006120A (ko) 2002-05-13 2005-01-15 제이에스알 가부시끼가이샤 고체의 일시적 고정을 위한 조성물 및 방법
US7535100B2 (en) * 2002-07-12 2009-05-19 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Wafer bonding of thinned electronic materials and circuits to high performance substrates
US6828020B2 (en) 2002-08-14 2004-12-07 Adco Products, Inc. Self-adhesive vibration damping tape and composition
JP4471563B2 (ja) * 2002-10-25 2010-06-02 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置の製造方法
US7608336B2 (en) 2002-11-28 2009-10-27 Nippon Kayaku Kabushiki Kaisha Flame-retardant epoxy resin composition and cured product obtained therefrom
US6869894B2 (en) * 2002-12-20 2005-03-22 General Chemical Corporation Spin-on adhesive for temporary wafer coating and mounting to support wafer thinning and backside processing
JP2004006832A (ja) * 2003-04-22 2004-01-08 Hitachi Chem Co Ltd 接着フィルム及び半導体装置
JP4171898B2 (ja) 2003-04-25 2008-10-29 信越化学工業株式会社 ダイシング・ダイボンド用接着テープ
US6919422B2 (en) * 2003-06-20 2005-07-19 General Electric Company Polyimide resin with reduced mold deposit
DE10334576B4 (de) * 2003-07-28 2007-04-05 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements mit einem Kunststoffgehäuse
US20060089487A1 (en) * 2003-08-26 2006-04-27 Norberto Silvi Method of separating a polymer from a solvent
US7041773B2 (en) * 2003-09-26 2006-05-09 General Electric Company Polyimide sulfones, method and articles made therefrom
US7084201B2 (en) * 2003-11-14 2006-08-01 Wall-Guard Corporation Of Ohio Non-flammable waterproofing composition
CN1886480A (zh) 2003-11-27 2006-12-27 捷时雅株式会社 热熔型粘合剂组合物
JP2006135272A (ja) * 2003-12-01 2006-05-25 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 基板のサポートプレート及びサポートプレートの剥離方法
KR100696287B1 (ko) * 2004-01-28 2007-03-19 미쓰이 가가쿠 가부시키가이샤 반도체 웨이퍼의 보호방법
DE102004007060B3 (de) 2004-02-13 2005-07-07 Thallner, Erich, Dipl.-Ing. Vorrichtung und Verfahren zum Verbinden von Wafern
FR2866983B1 (fr) 2004-03-01 2006-05-26 Soitec Silicon On Insulator Realisation d'une entite en materiau semiconducteur sur substrat
JP5068674B2 (ja) 2005-03-01 2012-11-07 ダウ・コーニング・コーポレイション 半導体加工のための一時的なウェハ結合法
JP2006303180A (ja) * 2005-04-20 2006-11-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd 基板の固定方法
US7462552B2 (en) * 2005-05-23 2008-12-09 Ziptronix, Inc. Method of detachable direct bonding at low temperatures
TWI256082B (en) * 2005-06-01 2006-06-01 Touch Micro System Tech Method of segmenting a wafer
TWI267133B (en) * 2005-06-03 2006-11-21 Touch Micro System Tech Method of segmenting a wafer
US20060286768A1 (en) * 2005-06-16 2006-12-21 Intel Corporation Method of supporting microelectronic wafer during backside processing
US20070004171A1 (en) * 2005-06-30 2007-01-04 Arana Leonel R Method of supporting microelectronic wafer during backside processing using carrier having radiation absorbing film thereon
JP3859682B1 (ja) * 2005-09-08 2006-12-20 東京応化工業株式会社 基板の薄板化方法及び回路素子の製造方法
US8268449B2 (en) * 2006-02-06 2012-09-18 Brewer Science Inc. Thermal- and chemical-resistant acid protection coating material and spin-on thermoplastic adhesive
US20080200011A1 (en) * 2006-10-06 2008-08-21 Pillalamarri Sunil K High-temperature, spin-on, bonding compositions for temporary wafer bonding using sliding approach
US7713835B2 (en) 2006-10-06 2010-05-11 Brewer Science Inc. Thermally decomposable spin-on bonding compositions for temporary wafer bonding
JP5788173B2 (ja) 2007-06-25 2015-09-30 ブルーワー サイエンス アイ エヌシー． 高温スピンオン仮接合用組成物
US8461017B2 (en) * 2010-07-19 2013-06-11 Soitec Methods of forming bonded semiconductor structures using a temporary carrier having a weakened ion implant region for subsequent separation along the weakened region

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10245539A (ja) * 1996-08-02 1998-09-14 Internatl Business Mach Corp <Ibm> 重合体シール剤／接着剤とその電子パッケージ・アセンブリにおける使用

Also Published As

Publication number Publication date
JP5788173B2 (ja) 2015-09-30
US7935780B2 (en) 2011-05-03
US20090038750A1 (en) 2009-02-12
WO2009003029A3 (en) 2009-04-30
CN101779268A (zh) 2010-07-14
CN101779268B (zh) 2013-11-06
US20110065257A1 (en) 2011-03-17
JP2010531385A (ja) 2010-09-24
TW200920807A (en) 2009-05-16
US8236669B2 (en) 2012-08-07
WO2009003029A2 (en) 2008-12-31
KR20100039845A (ko) 2010-04-16
KR101565176B1 (ko) 2015-11-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI418602B (zh) 高溫旋塗暫時結合組成物
JP5656405B2 (ja) スライディング手法を用いるウェーハの仮接合のための、高温およびスピンオン接合用組成物
TWI437062B (zh) 用於暫時性晶圓結合之環烯烴組成物
US7713835B2 (en) Thermally decomposable spin-on bonding compositions for temporary wafer bonding