TWI414884B - 微影用防塵薄膜組件及其製造方法 - Google Patents
微影用防塵薄膜組件及其製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI414884B TWI414884B TW99142418A TW99142418A TWI414884B TW I414884 B TWI414884 B TW I414884B TW 99142418 A TW99142418 A TW 99142418A TW 99142418 A TW99142418 A TW 99142418A TW I414884 B TWI414884 B TW I414884B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- frame
- pellicle
- film
- edge
- side wall
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/62—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
- G03F1/64—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof characterised by the frames, e.g. structure or material, including bonding means therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/62—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/66—Containers specially adapted for masks, mask blanks or pellicles; Preparation thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/033—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers
- H01L21/0334—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane
- H01L21/0337—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane characterised by the process involved to create the mask, e.g. lift-off masks, sidewalls, or to modify the mask, e.g. pre-treatment, post-treatment
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T83/00—Cutting
- Y10T83/02—Other than completely through work thickness
- Y10T83/0207—Other than completely through work thickness or through work presented
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Description
本申請案係主張於2009年12月7日申請之日本申請案第2009-277340號的優先權,其整體揭露內容乃藉由參照方式予以合併。
本發明係關於一種微影用防塵薄膜組件,其係使用作為用於微影印刷之遮罩的防塵罩(dust fender),此微影印刷係用以製造例如LSI與超級-LSI的半導體裝置以及液晶顯示板。
在製造例如LSI與超級-LSI的半導體裝置或在製造液晶顯示板等等時,藉由對半導體晶圓或液晶用之曝光原始版(微影用遮罩)照射光而製作圖案,但如果灰塵附著於此曝光原始版,灰塵會吸收光或使光折射而造成轉印圖案變形、邊緣粗糙或在底座上造成黑斑,並且導致尺寸損壞、品質不良、外觀變形等等的問題。
因此,這些工作通常係在無塵室中執行,但即使係在無塵室中,吾人仍難以隨時保持曝光原始版的清潔。所以將防塵薄膜組件接附於曝光原始版的表面以作為防塵罩,曝光用的光可充分通過此防塵薄膜組件。
在此種情況下,外來物質不會直接附著於曝光原始版的表面,而僅會附著到防塵薄膜組件薄膜上,吾人可從曝光原始版的表面充分移除此薄膜,因此藉由將光焦點設定在曝光原始版的微影圖案上,位在防塵薄膜組件薄膜上的外來物質即無法將其陰影轉印在曝光原始版上,因而不再對影像轉印性能造成問題。
一般而言,防塵薄膜組件係由防塵薄膜組件框架以及透明防塵薄膜組件薄膜所構成,此框架通常係由經過黑鋁氧化陽極處理(almite-anodized)之鋁合金(例如JIS A7075、A6061以及A5052)或不銹鋼或聚乙烯所製造的無接頭框條(frame bar),而此薄膜通常係由硝化纖維素、醋酸纖維素或含氟聚合物所製造;在將能夠溶解防塵薄膜組件薄膜的溶劑塗佈在兩框面之其中一者(以下稱為「頂框面」)上並且藉由氣流來乾燥此溶劑之後(參考公開專利文獻1),或在塗佈例如丙烯酸樹脂、環氧樹脂以及含氟樹脂的黏著劑之後(參考公開專利文獻2與3),將此薄膜接附於頂框面上;再者,在兩框面的其中另一者上(以下稱為「底框面」)塗佈由聚丁烯樹脂、聚醋酸乙烯樹脂、丙烯酸樹脂、矽酮樹脂等等所製造的遮罩接合黏著劑層,以將防塵薄膜組件框架接附於曝光原始版(例如倍縮遮罩(reticle)或遮罩),以及在此遮罩接合黏著劑層上鋪設可剝離襯墊,以保護遮罩接合黏著劑層。圖1與2顯示一般型防塵薄膜組件的構造。
[公開專利文獻1]日本特開昭58-219023號
[公開專利文獻2]美國專利第4861402號
[公開專利文獻3]日本特公昭63-27707號
以防塵薄膜組件框架整個包圍形成在遮罩基板表面中之圖案區域的方式來設置防塵薄膜組件。由於防塵薄膜組件係為了防止灰塵附著於遮罩基板之目的而安裝,因而使圖案區域與外部環境隔離,俾能使位在防塵薄膜組件外的灰塵無法到達圖案區域。
近年來,防塵薄膜組件不僅被使用作為LSI與ULSI之半導體微影製程中的防塵(dust-fending)蓋,而且亦被使用作為在需要較高清晰度之液晶顯示板製程中用以製造TFT電路與彩色濾光片之微影製程用之光罩的防塵蓋。
相較於半導體微影製程用之習知防塵薄膜組件的尺寸(框邊的長度最多約150 mm),對於用在液晶顯示板之微影製程的防塵薄膜組件,其較小實例係具有不小於330 mm×450 mm左右的量測邊長,而其較大實例則具有約850 mm×1200 mm左右的量測邊長。
接著,簡述防塵薄膜組件的製程:首先,洗滌並清理防塵薄膜組件框架;將遮罩接合黏著劑層塗佈在底框面上並進行硬化;接著,將薄膜接合黏著劑塗佈在頂框面上,藉由薄膜接合黏著劑將尺寸大於防塵薄膜組件框架之預先形成的防塵薄膜組件薄膜接附於此頂框面;然後,沿著頂框面的外緣切割並去除延伸超出這些外緣之預先形成防塵薄膜組件薄膜的過剩部分;以及最後,將可剝離襯墊貼在遮罩接合黏著劑層上,以完成防塵薄膜組件。
在用於半導體微影製程之防塵薄膜組件的實例中,框邊的尺寸係不大於150 mm,一般俾能藉由直接使用由機械手臂所承載的切刀或溶劑來切除預先形成防塵薄膜組件薄膜的過剩部分。
然而,在大尺寸防塵薄膜組件的實例中,溶劑因為較大的薄膜厚度而無法輕易切穿薄膜,而機械手臂的成本亦因為其必須具有極大的尺寸而增加;因此,在一般實務上係藉由手握切刀的方式來切除預先形成薄膜的過剩部分。
然而,此手工切割具有下列問題:此切割並不會如機械切割般平穩進行,因而變成必須在切割之後去除毛邊,此會降低產品品質並且增加製造工時;以及在此手工勞動期間出現灰塵而污染產品。
因此,鑒於上述情況,本發明之一目的在於提供一種不具有防塵薄膜組件薄膜切割毛邊的防塵薄膜組件,以及提供此種防塵薄膜組件的製造方法。
為了達到本發明之目的,本案發明人不斷研究因而發現到若將塗佈有薄膜接合黏著劑的頂框面之外緣形成具有特定尺寸範圍之倒角,即等腰直角三角形(其係藉由去角而從其中頂框面連接防塵薄膜組件框架之外側面(壁)之邊緣所去除之直三稜柱的橫截面)之兩股邊長為0.01-0.12 mm的範圍,則吾人可有效切除預先形成薄膜的過剩部分,並因此完成本發明。
因此,依照本發明之微影用防塵薄膜組件係一種大尺寸的微影用防塵薄膜組件,其四個框條的至少其中一者具有不小於300 mm的長度,並且其係藉由下列方式加以製造:藉由薄膜接合黏著劑將繃緊的防塵薄膜組件薄膜貼在防塵薄膜組件框架的頂框面上,並且將遮罩接合黏著劑層設置在底框面上,其特徵包含:沿著其中頂與底框面分別與防塵薄膜組件框架之內側面(壁)與外側面(壁)連接的每一框架邊緣形成倒角;以及尤其其中防塵薄膜組件框架之頂框面與外側面互相連接的邊緣係以下列方式去角:藉由去角而從這些邊緣所移除之直三稜柱的橫截面所構成之等腰直角三角形之兩股邊長為在0.01毫米到0.12毫米範圍內。(此去角方式在此稱為「C:0.01 mm-C:0.12 mm」,並且對其他倒角尺寸亦以此方式表示)。
防塵薄膜組件框架較佳係由其表面經過鋁氧化陽極處理的鋁合金所製造。
又,依照本發明之微影用防塵薄膜組件的製造方法包含使用防塵薄膜組件框架,將其中頂與底框面分別與防塵薄膜組件框架之內側面與外側面連接的框架邊緣去角,且尤其,其中頂框面與防塵薄膜組件框架之外側面連接的邊緣係具有C:0.01 mm-C:0.12 mm的倒角,其中,在將預先形成之防塵薄膜組件薄膜接附於頂框面之後,以將刀片保持與倒角面平行而在刀片與倒角面之間產生面對面接觸並同時使刀片沿著框架之去角邊緣移動的方式,使刀片在薄膜上劃過倒角,而切除延伸超出頂框面之外緣的預先形成防塵薄膜組件薄膜之過剩部分。
又另一依照本發明之微影用防塵薄膜組件的製造方法包含使用防塵薄膜組件框架,將其中頂與底框面分別與防塵薄膜組件框架之內側面與外側面連接的框架邊緣去角,且尤其,其中頂框面與防塵薄膜組件框架之外側面連接的邊緣係具有C:0.01 mm-C:0.12 mm的倒角,其中,在將預先形成之防塵薄膜組件薄膜接附於頂框面之後,以將刀片保持在一角度而使刀片僅接觸其中倒角面與頂框面相交的框架邊緣並同時使刀片沿著框架之去角邊緣移動的方式,使刀片在薄膜上劃過倒角,而切除延伸超出頂框面之外緣的預先形成防塵薄膜組件薄膜之過剩部分。
再者,又進一步改善之依照本發明之微影用防塵薄膜組件的製造方法的特徵在於使用防塵薄膜組件框架,將其中頂與底框面分別與防塵薄膜組件框架之內側面與外側面連接的框架邊緣去角,且尤其,其中頂框面與防塵薄膜組件框架之外側面連接的邊緣係具有C:0.01 mm-C:0.12 mm的倒角,在以上述其中任一特徵方法去除預先形成薄膜的過剩部分之後,藉由用能夠溶解防塵薄膜組件薄膜之溶劑所弄溼的樹脂刷,將薄膜的切割端面塗佈以此溶劑,因而使切割端面變平滑。
本發明係關於微影用防塵薄膜組件及其製造方法。茲參照圖式而進一步詳細說明本發明。本發明之防塵薄膜組件係用於半導體微影製程等等,尤其適用於製造大型液晶顯示器之TFT電路形成曝光製程以及適用於彩色濾光片形成曝光製程。
如圖1與2所示,依照本發明之防塵薄膜組件1包含:防塵薄膜組件框架2;防塵薄膜組件薄膜4,經由薄膜接合黏著劑3而接合在框架2的頂框面上;然後通常係遮罩接合黏著層5,其係塗佈在底框面上;以及可剝離襯墊6,接附於遮罩接合黏著層5的底面。然後,參考符號7係標示一通氣孔,其提供穿過此防塵薄膜組件框架的空氣通道。
在本發明中,這些防塵薄膜組件構件的尺寸係類似於一般用於製造大尺寸液晶顯示板之微影操作的防塵薄膜組件構件,而框架尺寸大約為300 mm×300 mm到1500 mm×1500 mm。
防塵薄膜組件框架的材料可為習知所使用的任何材料,但考慮到變形問題,不宜用過軟的材料;以及吾人可使用例如不鏽鋼的鋼材,但較佳為例如JIS A7075、JIS A6061、以及JIS A5052的輕質鋁合金。
此防塵薄膜組件框架係透過對藉由壓力輥軋或擠壓成型所獲得的板材進行加工而形成與成型,以具有必要結構、夾具孔以及沿著邊緣的倒角。為了防止在機械加工以及後來搬運防塵薄膜組件產品期間因為某物意外碰撞到此框架而造成在框緣處形成凹陷(此會引起功能與外觀上的缺陷)之目的,沿著框緣形成倒角。
一般而言,倒角的尺寸約為C:0.2 mm-C:1.0 mm。在本發明中,本案發明人係著重於沿著頂框面之外緣所製成的倒角面8。在後續去除薄膜過剩部分的階段中,人員可以切刀9沿著倒角來切割薄膜,如圖4所示,毛邊10會根據切刀9與倒角面8的哪一部分接觸而產生,而降低產品品質的安定性。
依照本發明,藉由將沿著頂框面之外緣的倒角尺寸改變成大約C:0.01 mm-C:0.12 mm,藉以使操作者更容易讓切刀接觸倒角面8的頂緣或整個倒角面8,以解決毛邊問題。因此,倒角的尺寸應不大於C:0.12 mm;反之,其應不小於C:0.01 mm,因為此種小倒角無法防止凹陷沿著頂框面的外緣形成,故無法改善品質安定性。因此,倒角尺寸必須為C:0.01 mm-C:0.12 mm。
防塵薄膜組件框架的表面通常係藉由噴砂或化學研磨來進行消光(de-lustered),而在本發明中,消光方法可為任何習知所使用者。舉例而言,在鋁框架的實例中,吾人知悉可使用下列方法:首先以例如由不銹鋼、金剛砂(carborundum)、或玻璃之材料所製造的珠粒對框架表面進行噴砂,然後以NaOH等對此表面進行化學研磨。
吾人可藉由任何已知的程序來執行框架表面的陽極氧化,但大體而言,此種處理係在酸性電解液中執行。一般係使用硫酸、草酸等等的溶液來作為酸性電解液。在陽極氧化之後,框架表面經歷以黑色染料進行著色、在含有例如醋酸鎳之密封劑的熱水中
進行空腔密封、以及洗滌,以完成框架處理。
在此框架中,至少一通氣孔7係穿過在與框面平行之方向上延伸的至少一框條而製成。對於通氣孔的尺寸、形狀、數量或位置並無特別限制,但其可取決於安裝在通氣孔中之(防塵)過濾網的網孔尺寸、過濾面積、或由前面兩參數所計算出之期望氣流量。然而,通氣孔的寬度較佳係不大於所需要者,以及此孔的數量較佳係盡可能地少。
作為用於本發明之防塵過濾網,對於其尺寸、數量或位置並無特別限制,只要其可安裝在通氣孔中即可。製造此過濾網的材料可選自於樹脂(包含PTFE以及Nylon 66)、金屬(包含316L不銹鋼)、陶瓷(包含氧化鋁以及氮化鋁)等等。較佳係在防塵過濾網外的一位置上使化學過濾網與防塵過濾網並置,此化學過濾網吸收並分解存在於環境中的化學物質。
並無限制待用於本發明之防塵薄膜組件薄膜的種類,但有利於用在此薄膜之材料的範例包含習知用於準分子雷射的非晶質含氟聚合物、硝化纖維素、以及改質硝化纖維素。非晶質含氟聚合物的範例包含Citop(Asahi Glass Co.,Ltd.的產品)、TEFLON(商品名稱)、以及AF(Du Pont的產品)。
在製造防塵薄膜組件薄膜時,任何這些聚合物可在必要程度內溶解於溶劑中,而例如親氟(fluoro-philic)溶劑的溶劑充分溶解這些聚合物。為了將這些聚合物成型為防塵薄膜組件薄膜,吾人可使用例如旋轉塗佈(spin coating)、棒塗佈(bar coating)以及模塗佈(die coating)的方法。亦可採用其他方法,只要所產生的薄膜具有關於防塵薄膜組件薄膜的必要特性即可。
用以接合防塵薄膜組件薄膜的黏著劑可為任何習知所使用者,例如,由丙烯酸樹脂、環氧樹脂、矽酮樹脂、以及含氟樹脂(如含氟矽酮樹脂)所製造者,在這些樹脂之中,由於具有高耐光性的理由,故較佳為矽酮樹脂黏著劑與含氟樹脂黏著劑。含氟樹脂黏著劑的一範例為CT69(Asahi Glass Co.,Ltd.的產品)。
用以接合倍縮遮罩的黏著劑可為壓敏黏著劑雙面膠帶、矽酮樹脂黏著劑、丙烯酸樹脂黏著劑等等。
依照本發明的防塵薄膜組件可藉由下列方式加以製造:藉由任何習知所使用之方法,使用薄膜接合黏著劑將防塵薄膜組件薄膜繃緊地貼在頂框面上,且通常將遮罩接合黏著劑層塗佈在底框面上,並且最後以離型層(襯墊)來覆蓋此遮罩接合黏著劑層的曝露面,此離型層保護此黏著劑層並且能夠平滑地與此黏著劑層分離。
於是,塗佈在防塵薄膜組件之頂框面上的薄膜接合黏著劑層可藉由下列方式加以形成:若必要時,先將一黏著劑產品以溶劑稀釋至適當的程度,然後將此黏著劑塗佈在防塵薄膜組件的頂框面上,之後對其進行加熱與乾燥至硬化。附帶一提,吾人可以例如刷毛塗佈、噴塗以及自動配送的方式來塗佈此黏著劑。
對於待用於本發明以保護遮罩接合黏著劑層之可剝離襯墊的材料選擇並無特別限制。例如,可為PET、PTFE、PFA、PE、PC、PVC、PP等等。吾人可採用這些材料的其中一者來製造底層,並且以離型劑來塗佈其表面,此離型劑係對特定使用的遮罩接合黏著劑適當排斥。
關於防塵薄膜組件之製造操作的詳細說明如下。首先,藉由例如旋轉塗佈的方法,將以溶劑所溶解的聚合物塗佈至大型底板的平坦表面;然後,以接近此溶劑之沸點的溫度來乾燥此聚合物溶液,藉以形成防塵薄膜組件薄膜。
接著,將黏著劑塗佈至已製造成具有可比擬底板之尺寸之臨時框架的框面;然後將臨時框架的黏著劑塗佈框面接合在形成於底板上的防塵薄膜組件薄膜上。在此接合操作之後,從底板移除臨時框架,因此將防塵薄膜組件薄膜轉移至臨時框架。之後,使臨時框架所承載的此薄膜與防塵薄膜組件框架的頂框面接觸,並藉由事先製備於防塵薄膜組件框架之頂框面上的黏著劑,而使此薄膜與防塵薄膜組件框架的頂框面永久結合;接著,可在以切割器切割與去除延伸超出防塵薄膜組件框架之外緣的薄膜過剩部分之後,使防塵薄膜組件成型。
以下將說明本發明之範例。
首先,將由鋁合金A5052所製造的矩形框架加工成防塵薄膜組件框架,此框架具有474 mm×782 mm的外周邊尺寸、7.0 mm的長邊條寬度、6.0 mm的短邊條寬度、以及5.5 mm的框架厚度(頂與底框面之間的距離)。將薄膜接合頂框面的外緣加工成具有C:0.01 mm的倒角面,並且將框架的其他邊緣加工成具有C:0.2 mm的倒角面。將10個各自具有0.5 mm直徑的通氣孔形成穿過框架之其中一邊條的中間部分。
洗滌此框架的表面,之後在噴砂機中使其粗糙化,其中,使此框架在約147 kPa(1.5 kg/cm2
)噴砂壓力下接受玻璃珠噴砂經過1分鐘。然後,將此框架浸入NaOH水溶液的浴槽中經過10秒以進行洗滌,之後在10V(1.3A)的陽極處理電壓下,使此框架在具有18℃之溶液溫度的14%硫酸水溶液中接受陽極氧化。
又,將由鋁合金A7075-T651所製造的矩形框架加工成具有800 mm×920 mm的外周邊尺寸、6 mm的邊條寬度、以及6 mm的框架厚度,以作為用於防塵薄膜組件薄膜的臨時框架。
接著,藉由噴塗機,將防塵薄膜組件框架的內面塗佈以1微米厚度的矽酮樹脂黏著劑。然後,將過濾網安裝在每一通氣孔中,此過濾網係由PTFE所製造;對粒徑為0.1微米-3.0微米之灰塵具有99.9999%的灰塵過濾能力;以及具有寬度為9.5 mm、高度為2.5 mm以及厚度為300微米的尺寸。
接著,將Citop CTX809(Asahi Glass Co.,Ltd.的商品名稱)溶解在含氟溶劑Fluorinert Electronic Liquid FC-75(美國3M的商品名稱)中,以獲得具有8%濃度的溶液。然後,藉由旋轉塗佈機,將此溶液塗佈在具有850 mm×1200 mm外部尺寸之石英玻璃底板的鏡面研磨面上,以形成4微米厚的透明薄膜。
接著,藉由環氧樹脂黏著劑ARALDITE RAPID(SHOWA HIGHPOLYMER CO.,LTD的商品名稱),將上述用於防塵薄膜組件薄膜的臨時框架接附於此薄膜,並因此從底板將薄膜加以剝除。
接著,用矽酮樹脂黏著劑弄溼如上述所製備之由鋁合金製造之防塵薄膜組件框架的頂框面,並藉由在100℃的溫度下進行加熱10分鐘而將此黏著劑乾燥至硬化。又,將矽酮樹脂黏著劑塗佈在鋁合金防塵薄膜組件框架的底框面上,並藉由在100℃的溫度下進行加熱10分鐘而將此黏著劑乾燥至硬化。取得由PET所製造的可剝離襯墊,並藉由具有影像處理位置控制機構(設有CCD攝影機)的襯墊貼合機,將其接附至位於底框面上的矽酮樹脂黏著劑層。
然後,放置上述已加工的防塵薄膜組件框架,以使其與已剝除並轉移至臨時框架之Citop的膜表面接觸,藉以將防塵薄膜組件框架與薄膜穩固地接合在一起。藉由鎖定裝置,以防塵薄膜組件框架之薄膜接合面朝上並且使彼此相對之框架位置為不可改變的方式,使兩框架互鎖。接著,將位於防塵薄膜組件框架外的臨時框架升起,並將其固定在延伸到防塵薄膜組件框架外之薄膜部分之張力變為0.5 g/cm的一位置上。
之後,藉由沿著防塵薄膜組件框架之薄膜接合面的外部邊緣以切割刀切開薄膜,而切除與去除延伸超出防塵薄膜組件框架的薄膜過剩部分。觀察切開後之薄膜切割邊緣的外觀,並未發現切割毛邊且在薄膜上亦未發現直徑大於0.5微米的灰塵微粒。
首先,將由鋁合金A7075-T651所製造的矩形框架加工成防塵薄膜組件框架,此框架具有474 mm×782 mm的外周邊尺寸、6.5 mm的邊條寬度、以及7 mm的框架厚度。
將薄膜接合頂框面的外緣加工成具有C:0.1 mm的倒角面,並且將此框架的其他邊緣加工成具有C:0.2 mm的倒角面。將10個各自具有0.5 mm直徑的通氣孔形成穿過框架之其中一邊條的中間部分。洗滌此框架的表面,之後在噴砂機中使其粗糙化,其中,使此框架在約147 kPa(1.5 kg/cm2
)噴砂壓力下接受玻璃珠噴砂經過1分鐘。
然後,將此框架浸入NaOH水溶液的浴槽中經過10秒以進行洗滌,之後在10V(1.3A)的陽極處理電壓下,使此框架在具有18℃之溶液溫度的14%硫酸水溶液中接受陽極氧化。
又,將由鋁合金A6061-T651所製造的矩形框架加工成具有800mm×920mm的外周邊尺寸、5mm的邊條寬度、以及5mm的框架厚度,以作為用於防塵薄膜組件薄膜的臨時框架。
接著,藉由噴塗機,將防塵薄膜組件框架的內面塗佈以1微米厚度的矽酮樹脂黏著劑。然後,將過濾網安裝在每一通氣孔中,此過濾網係由PTFE所製造;對粒徑為0.1微米-3.0微米之灰塵具有99.9999%的灰塵過濾能力;以及具有寬度為9.5 mm、高度為2.5 mm以及厚度為300微米的尺寸。
接著,將Citop CTX809(Asahi Glass Co.,Ltd.的商品名稱)溶解在含氟溶劑Fluorinert Electronic Liquid FC-75(美國3M的商品名稱)中,以獲得具有8%濃度的溶液。然後,藉由旋轉塗佈機,將此溶液塗佈在具有850 mm×1200 mm外部尺寸之石英玻璃底板的鏡面研磨面上,以形成4微米厚的透明薄膜。
接著,藉由環氧樹脂黏著劑ARALDITE RAPID(SHOWA HIGHPOLYMER CO.,LTD的商品名稱),將上述用於防塵薄膜組件薄膜的臨時框架接附於此薄膜,並因此從底板將薄膜加以剝除。
接著,以矽酮樹脂黏著劑弄溼如上述所製備之由鋁合金製造之防塵薄膜組件框架的頂框面,並藉由在100℃的溫度下進行加熱10分鐘而將此黏著劑乾燥至硬化。又,將矽酮樹脂黏著劑塗佈在鋁合金防塵薄膜組件框架的底框面上,並藉由在100℃的溫度下進行加熱10分鐘而將此黏著劑乾燥至硬化。取得由PET所製造的可剝離襯墊,並藉由具有影像處理位置控制機構(設有CCD攝影機)的襯墊貼合機,將其接附至位於底框面上的矽酮樹脂黏著劑層。
然後,放置上述已加工的防塵薄膜組件框架,以使其與已剝除並轉移至臨時框架之Citop的膜表面接觸,藉以將防塵薄膜組件框架與薄膜穩固地接合在一起。藉由鎖定裝置,以防塵薄膜組件框架之薄膜接合面朝上並且使彼此相對之框架位置為不可改變的方式,使兩框架互鎖。接著,將位於防塵薄膜組件框架外的臨時框架升起,並將其固定在延伸到防塵薄膜組件框架外之薄膜部分之張力變為0.5 g/cm的一位置上。
之後,藉由沿著防塵薄膜組件框架之薄膜接合面的外部邊緣以切割刀切開薄膜,而切除與去除延伸超出防塵薄膜組件框架的薄膜過剩部分。觀察切開後之薄膜切割邊緣的外觀,並未發現切割毛邊且在薄膜上亦未發現直徑大於0.5微米的灰塵微粒。
以下將說明一比較範例。首先,將由鋁合金A5052所製造的矩形框架加工成防塵薄膜組件框架,此框架具有474 mm×782 mm的外周邊尺寸、7.0 mm的長邊條寬度、6.0 mm的短邊條寬度、以及5.5 mm的框架厚度。然後,將薄膜接合頂框面的外緣加工成具有C:0.2 mm的倒角面,並且將此框架的其他邊緣加工成具有C:0.2 mm的倒角面。將10個各自具有0.5 mm直徑的通氣孔形成穿過框架之其中一邊條的中間部分。
洗滌此框架的表面,之後在噴砂機中使其粗糙化,其中,使此框架在約147 kPa(1.5 kg/cm2
)噴砂壓力下接受玻璃珠噴砂經過1分鐘。然後,將此框架浸入NaOH水溶液的浴槽中經過10秒以進行洗滌,之後在10V(1.3A)的陽極處理電壓下,使此框架在具有18℃之溶液溫度的14%硫酸水溶液中接受陽極氧化。
又,將由鋁合金A6061-T651所製造的矩形框架加工成具有800 mm×920 mm的外周邊尺寸、12 mm的邊條寬度、以及10 mm的框架厚度,以作為用於防塵薄膜組件薄膜的臨時框架。接著,藉由噴塗機,將防塵薄膜組件框架的內面塗佈以1微米厚度的矽酮樹脂黏著劑。
然後,將過濾網安裝在每一通氣孔中,此過濾網係由PTFE所製造;對粒徑為0.1微米-3.0微米之灰塵具有99.9999%的灰塵過濾能力;以及具有寬度為9.5 mm、高度為2.5 mm以及厚度為300微米的尺寸。
接著,將Citop CTX809(Asahi Glass Co.,Ltd.的商品名稱)溶解在含氟溶劑Fluorinert Electronic Liquid FC-75(美國3M的商品名稱)中,以獲得具有8%濃度的溶液。然後,藉由旋轉塗佈機,將此溶液塗佈在具有850 mm×1200 mm外部尺寸之石英玻璃底板的鏡面研磨面上,以形成4微米厚的透明薄膜。
接著,藉由環氧樹脂黏著劑ARALDITE RAPID(SHOWA HIGHPOLYMER CO.,LTD的商品名稱),將上述用於防塵薄膜組件薄膜的臨時框架接附於此薄膜,並因此從底板將薄膜加以剝除。接著,以矽酮樹脂黏著劑弄溼如上述所製備之由鋁合金製造之防塵薄膜組件框架的頂框面,並藉由在100℃的溫度下進行加熱10分鐘而將此黏著劑乾燥至硬化。又,將矽酮樹脂黏著劑塗佈在鋁合金防塵薄膜組件框架的底框面上,並藉由在100℃的溫度下進行加熱10分鐘而將此黏著劑乾燥至硬化。取得由PET所製造的可剝離襯墊,並藉由具有影像處理位置控制機構(設有CCD攝影機)的襯墊貼合機,將其接附至位於底框面上的矽酮樹脂黏著劑層。
然後,放置上述已加工的防塵薄膜組件框架,以使其與已剝除並轉移至臨時框架之Citop的膜表面接觸,並藉由IR燈來加熱防塵薄膜組件框架;將防塵薄膜組件框架與薄膜穩固地接合在一起。藉由鎖定裝置,以防塵薄膜組件框架之薄膜接合面朝上並且使彼此相對之框架位置為不可改變的方式,使兩框架互鎖。接著,將位於防塵薄膜組件框架外的臨時框架升起,並將其固定在延伸到防塵薄膜組件框架外之薄膜部分之張力變為0.5 g/cm的一位置上。之後,藉由沿著防塵薄膜組件框架之薄膜接合面的外部邊緣以切割刀切開薄膜,而切除與去除延伸超出防塵薄膜組件框架的薄膜過剩部分。觀察切開後之薄膜切割邊緣的外觀,發現到許多切割毛邊;且在薄膜上亦發現到10個直徑量測為10-20微米的灰塵微粒。在不同條件下執行其他範例與比較範例,而其結果記載於下列表1中。
1...防塵薄膜組件
2...防塵薄膜組件框架
3...防塵薄膜組件薄膜接合黏著劑
4...防塵薄膜組件薄膜
5...遮罩(倍縮遮罩)接合黏著劑
6...用以保護遮罩接合黏著劑的襯墊
7...通氣孔
8...沿著防塵薄膜組件框架之頂框面之外緣的倒角面
9...切刀
10...毛邊
圖1係顯示本發明之防塵薄膜組件的橫剖面圖。
圖2係顯示本發明之防塵薄膜組件的立體圖。
圖3係顯示依照本發明之防塵薄膜組件之更相關部分的放大橫剖面圖。
圖4係顯示依照本發明之防塵薄膜組件之更相關部分的另一放大橫剖面圖。
1...防塵薄膜組件
2...防塵薄膜組件框架
3...防塵薄膜組件薄膜接合黏著劑
4...防塵薄膜組件薄膜
5...遮罩(倍縮遮罩)接合黏著劑
6...用以保護遮罩接合黏著劑的襯墊
Claims (5)
- 一種微影用防塵薄膜組件,包含:一防塵薄膜組件框架,其至少一邊具有不小於300 mm的長度;一防塵薄膜組件薄膜,藉由一薄膜接合黏著劑而接合在該防塵薄膜組件框架的一第一框面上;以及一遮罩接合黏著劑層,接附於該防塵薄膜組件框架的一第二框面,其特徵在於:沿著其中該第一框面與該防塵薄膜組件框架之內側壁或該防塵薄膜組件框架之外側壁連接的每一框架邊緣,並且沿著其中該第二框面與該防塵薄膜組件框架之內側壁或該防塵薄膜組件框架之外側壁連接的每一框架邊緣,而對該防塵薄膜組件框架去角;以及沿著其中該第一框面連接該防塵薄膜組件框架之外側壁之邊緣所形成的倒角具有大於C:0.01 mm但不大於C:0.12 mm的倒角面尺寸。
- 如申請專利範圍第1項所述之微影用防塵薄膜組件,其特徵在於:該防塵薄膜組件框架係由鋁合金所製造,該鋁合金的表面係經過鋁氧化陽極處理(almite-anodized)。
- 一種微影用防塵薄膜組件的製造方法,該組件具有:一防塵薄膜組件框架;一防塵薄膜組件薄膜,藉由一薄膜接合黏著劑而接合在該防塵薄膜組件框架的一第一框面上;以及一遮罩接合黏著劑層,接附於該防塵薄膜組件框架的一第二框面,該方法包含下列步驟:(i)沿著其中該第一框面與該防塵薄膜組件框架之內側壁或該防塵薄膜組件框架之外側壁連接的每一框架邊緣,並且沿著其中該第二框面與該防塵薄膜組件框架之內側壁或該防塵薄膜組件框架之外側壁連接的每一框架邊緣,而對該防塵薄膜組件框架去角,以及沿著其中該第一框面連接該防塵薄膜組件框架之外側壁之邊緣所形成的倒角具有大於C:0.01 mm但不大於C:0.12 mm的倒角面尺寸;及(ii)切除接合在該第一框面上並延伸超出該第一框面之外緣之該防塵薄膜組件薄膜的過剩部分,其中,以將刀片與該倒角面保持面對面接觸並同時使該刀片沿著該框架之去角邊緣移動的方式,使該刀片在該薄膜上劃過倒角。
- 一種微影用防塵薄膜組件的製造方法,該組件具有:一防塵薄膜組件框架;一防塵薄膜組件薄膜,藉由一薄膜接合黏著劑而接合在該防塵薄膜組件框架的一第一框面上;以及一遮罩接合黏著劑層,接附於該防塵薄膜組件框架的一第二框面,該方法包含下列步驟:(i)沿著其中該第一框面與該防塵薄膜組件框架之內側壁或該防塵薄膜組件框架之外側壁連接的每一框架邊緣,並且沿著其中該第二框面與該防塵薄膜組件框架之內側壁或該防塵薄膜組件框架之外側壁連接的每一框架邊緣,而對該防塵薄膜組件框架去角,以及沿著其中該第一框面連接該防塵薄膜組件框架之外側壁之邊緣所形成的倒角具有大於C:0.01 mm但不大於C:0.12 mm的倒角面尺寸;及(ii)切除接合在該第一框面上並延伸超出該第一框面之外緣之該防塵薄膜組件薄膜的過剩部分,其中,以將刀片保持在一角度而使該刀片僅接觸其中該倒角面與該第一框面相交的框架邊緣並同時使該刀片沿著該框架之去角邊緣移動的方式,使該刀片在該薄膜上劃過倒角。
- 如申請專利範圍第3或4項所述之微影用防塵薄膜組件的製造方法,更包含下列步驟:在切除該防塵薄膜組件薄膜的過剩部分之後,使該防塵薄膜組件薄膜的切割端面變平滑,其中,藉由用能夠溶解該防塵薄膜組件薄膜之溶劑所弄溼的樹脂刷,將該薄膜的切割端面塗佈以該溶劑。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009277340A JP5152870B2 (ja) | 2009-12-07 | 2009-12-07 | リソグラフィ用ペリクル及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201131289A TW201131289A (en) | 2011-09-16 |
TWI414884B true TWI414884B (zh) | 2013-11-11 |
Family
ID=44080731
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW99142418A TWI414884B (zh) | 2009-12-07 | 2010-12-06 | 微影用防塵薄膜組件及其製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8273507B2 (zh) |
JP (1) | JP5152870B2 (zh) |
KR (1) | KR101441166B1 (zh) |
TW (1) | TWI414884B (zh) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5822401B2 (ja) * | 2012-12-25 | 2015-11-24 | 信越化学工業株式会社 | リソグラフィ用ペリクル |
JP5950467B2 (ja) * | 2013-09-24 | 2016-07-13 | 信越化学工業株式会社 | ペリクル |
JP6371904B2 (ja) | 2015-04-27 | 2018-08-08 | 三井化学株式会社 | ペリクルの製造方法およびペリクル付フォトマスクの製造方法 |
US9759997B2 (en) * | 2015-12-17 | 2017-09-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Pellicle assembly and method for advanced lithography |
JP6478283B2 (ja) * | 2015-12-24 | 2019-03-06 | 信越化学工業株式会社 | Euv露光用ペリクル |
JP6706575B2 (ja) * | 2016-12-22 | 2020-06-10 | 信越化学工業株式会社 | ペリクルフレーム及びこれを用いたペリクル |
JP6861596B2 (ja) * | 2017-08-07 | 2021-04-21 | 信越化学工業株式会社 | ペリクルフレーム及びペリクル |
JP7190953B2 (ja) * | 2019-03-28 | 2022-12-16 | 三井化学株式会社 | ペリクルの製造方法 |
CN111965861B (zh) * | 2020-08-14 | 2021-06-11 | 深圳市灵触科技有限公司 | 一种tft液晶屏框贴带触摸功能贴合装置及方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001092113A (ja) * | 1999-09-24 | 2001-04-06 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 半導体リソグラフィ用ペリクル |
US20070292775A1 (en) * | 2006-06-14 | 2007-12-20 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd | Pellicle |
TW200942964A (en) * | 2008-04-01 | 2009-10-16 | Shinetsu Chemical Co | Pellicle for lithography |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0812418B2 (ja) * | 1987-05-28 | 1996-02-07 | 三井石油化学工業株式会社 | ペリクルの製造方法 |
-
2009
- 2009-12-07 JP JP2009277340A patent/JP5152870B2/ja active Active
-
2010
- 2010-11-22 US US12/926,481 patent/US8273507B2/en active Active
- 2010-12-06 KR KR1020100123409A patent/KR101441166B1/ko active IP Right Grant
- 2010-12-06 TW TW99142418A patent/TWI414884B/zh active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001092113A (ja) * | 1999-09-24 | 2001-04-06 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 半導体リソグラフィ用ペリクル |
US20070292775A1 (en) * | 2006-06-14 | 2007-12-20 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd | Pellicle |
TW200942964A (en) * | 2008-04-01 | 2009-10-16 | Shinetsu Chemical Co | Pellicle for lithography |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20110132258A1 (en) | 2011-06-09 |
TW201131289A (en) | 2011-09-16 |
JP2011118263A (ja) | 2011-06-16 |
KR101441166B1 (ko) | 2014-09-17 |
KR20110065364A (ko) | 2011-06-15 |
US8273507B2 (en) | 2012-09-25 |
JP5152870B2 (ja) | 2013-02-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI414884B (zh) | 微影用防塵薄膜組件及其製造方法 | |
KR101541920B1 (ko) | 리소그래피용 펠리클 | |
TWI411873B (zh) | 防塵薄膜組件 | |
JP5047232B2 (ja) | ペリクル | |
KR101012001B1 (ko) | 리소그래피용 펠리클의 제조방법 | |
KR101780062B1 (ko) | 펠리클 프레임 및 리소그래피용 펠리클 | |
EP2998792B1 (en) | A pellicle frame and a pellicle | |
TWI461841B (zh) | 微影用防護薄膜組件 | |
EP2568336B1 (en) | A pellicle for lithography and a method of making thereof | |
KR102635619B1 (ko) | 펠리클 프레임 및 펠리클 | |
JP2006323178A (ja) | リソグラフィ用ペリクル及びその製造方法 | |
CN111679551B (zh) | 防尘薄膜组件 | |
JP4202554B2 (ja) | 半導体リソグラフィ用ペリクル | |
JP2000292909A (ja) | ペリクルおよびペリクルの製造方法 | |
TWI423382B (zh) | 防塵薄膜組件剝離用夾具及剝離方法 | |
JP2003057804A (ja) | リソグラフィ用ペリクル | |
JP7063962B2 (ja) | ペリクルフレーム及びペリクル | |
TWI431413B (zh) | 微影用防塵薄膜組件 | |
JP4055856B2 (ja) | 大型ペリクル膜の製造方法 | |
TW202417983A (zh) | 防護膜框架、防護膜及帶防護膜的曝光原版、以及防護膜框架的製造方法、曝光方法、半導體裝置的製造方法以及液晶顯示面板的製造方法 |