KR101541920B1 - 리소그래피용 펠리클 - Google Patents

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Abstract

(과제) 노광 원판 접착용 점착제를 펠리클 프레임 전체 폭으로부터 비어져나오는 일 없이 안정하게 설치함으로써, 반도체 제조에 있어서의 생산성을 향상시키는 것.
(해결수단) 펠리클 프레임의 일단면에 펠리클막 접착제를 개재하여 펠리클막을 펼쳐 설치하고, 타단면에 노광 원판 접착용 점착제를 설치한 리소그래피용 펠리클로서, 상기 펠리클 프레임의 펠리클막 접착면 및 노광 원판 접착면과 프레임 내외측면이 형성하는 모서리부에 C 모따기가 실시되어 있고, 노광 원판 접착면에서의 모따기 치수를 C 0.35 보다 크고 C 0.55 이하로 한 것을 특징으로 하는 리소그래피용 펠리클.

Description

리소그래피용 펠리클{PELLICLE FOR LITHOGRAPHY}
본 발명은 LSI, 초(超) LSI 등의 반도체 장치 또는 액정 표시판을 제조할 때에 리소그래피용 마스크의 이물질 회피용으로 사용되는 리소그래피용 펠리클에 관한 것이다.
LSI, 초 LSI 등의 반도체 제조 또는 액정 표시판 등의 제조에 있어서는, 반도체 웨이퍼 또는 액정용 원판에 광을 조사하여 패턴을 제작하는데, 이 경우에 사용하는 노광 원판에 이물질이 부착되어 있으면 이 이물질이 광을 흡수하거나 광을 휘어지게 하기 때문에, 전사된 패턴이 변형되거나, 에지가 버석거리는 것 외에, 하지(下地)가 검게 오염되거나 하여, 치수, 품질, 외관 등이 손상된다는 문제가 있었다. 또, 본 발명에 있어서, 「노광 원판」이란, 리소그래피용 마스크 및 레티클의 총칭이다.
이들 작업은 통상 클린 룸에서 이루어지고 있는데, 이 클린 룸 내에서도 노광 원판을 항상 청정하게 유지하기가 어렵기 때문에, 노광 원판의 표면에 이물질을 피하기 위한 노광용 광을 잘 통과시키는 펠리클을 부착하는 방법이 취해지고 있다.
이 경우, 이물질은 노광 원판의 표면 상에는 직접 부착되지 않고 펠리클막 상에 부착되기 때문에, 리소그래피시에 초점을 노광 원판의 패턴 상에 맞춰 두면, 펠리클막 상의 이물질은 전사에 관계하지 않게 된다.
펠리클의 기본적인 구성은, 펠리클 프레임 및 이것에 펼쳐 설치한 펠리클막으로 이루어진다. 펠리클막은 노광에 사용하는 광 (g 선, i 선, 248㎚, 193㎚, 157㎚ 등) 을 잘 투과시키는 니트로셀룰로오스, 아세트산셀룰로오스, 불소계 폴리머 등으로 이루어진다. 펠리클 프레임은 흑색 알루마이트 처리 등을 실시한 A7075, A6061, A5052 등의 알루미늄 합금, 스테인리스, 폴리에틸렌 등으로 이루어진다. 펠리클 프레임의 상부에 펠리클막의 양(良)용매를 도포하고, 펠리클막을 풍건(風乾)시켜 접착하거나 (특허 문헌 1 참조), 아크릴 수지, 에폭시 수지나 불소 수지 등의 접착제로 접착한다 (특허 문헌 2 참조). 그리고, 펠리클 프레임의 하부에는 노광 원판이 장착되기 때문에, 폴리부텐 수지, 폴리아세트산비닐 수지, 아크릴 수지 및 실리콘 수지 등으로 이루어지는 점착층, 및 점착층의 보호를 목적으로 한 레티클 점착제 보호용 라이너를 설치한다.
펠리클은 노광 원판의 표면에 형성된 패턴 영역을 둘러싸도록 설치된다. 펠리클은 노광 원판 상에 이물질이 부착되는 것을 방지하기 위해 설치되는 것이므로, 이 패턴 영역과 펠리클 외부는 펠리클 외부의 진애가 패턴면에 부착되지 않도록 격리되어 있다.
최근, LSI 의 디자인 룰은 서브쿼터 마이크론으로 미세화가 진행되고 있으며, 그것에 수반하여 노광 광원의 단파장화가 진행되고 있다. 즉, 지금까지 주류였던 수은 램프에 의한 g 선 (436㎚), i 선 (365㎚) 에서, KrF 엑시머레이저 (248㎚), ArF 엑시머레이저 (193㎚), F2 레이저 (157㎚) 등으로 이행되고 있다. 이와 같이 노광의 단파장화가 진행되면, 당연히 노광 광이 갖는 에너지가 높아지게 된다. 엑시머레이저 등의 고에너지 광을 사용하는 경우, 종래와 같은 g 선이나 i 선 광에 비교하여, 노광 분위기에 존재하는 가스상 물질의 반응에 의해 노광 원판 상에 이물질을 생성할 가능성이 현격히 높아지게 된다. 그래서, 클린 룸 내의 가스상 물질을 최대한 저감하거나, 레티클의 세정을 엄격하게 실시하거나, 펠리클의 구성 물질로부터 가스를 발생시키는 물질을 배제하는 등의 대책이 취해져 왔다.
특히 펠리클은 노광 원판에 직접 첩부하여 사용하는 것이기 때문에, 펠리클 구성 재료 즉 유기 재료로 이루어지는 레티클 접착제, 막 접착제, 내벽 코팅제 등에 관해서 낮은 가스 발생율이 요구되어, 개선이 진행되어 왔다. 그러나, 노광 원판 상에 발생하는 이른바 헤이즈라고 불리는 뿌연 형상의 이물질은, 레티클의 세정이나 펠리클 구성 재료의 저(低)가스발생화를 진행시켜도 완전하게는 해소할 수 없어, 반도체 제조에 있어서의 생산성 저하의 원인이 되어 왔다.
또한, 패턴 에어리어도 확대되고 있어, 펠리클 프레임 근방까지 노광 에어리어로서 관리하는 요구가 높아졌다. 이 때문에, 특허 문헌 3 에는, 펠리클 프레임의 상하 단면의 4 개 모서리에 C 모따기를 실시하는 것이 개시되어 있다. 그러나, 종래 사용되고 있는 펠리클 프레임의 상하 단면에 있어서의 C 모따기의 크기에서는, 펠리클을 노광 원판에 장착하였을 때에 노광 원판 접착용 점착제가 프레임 전체 폭으로부터 비어져 나오는 문제가 발생하였다. 이 때문에, 반도체 제조에 있어서의 생산성 저하 문제는 해소되어 있지 않았다.
특허 문헌 1: 일본 공개특허공보 소58-219023호
특허 문헌 2: 미국 특허 제4861402호 명세서
특허 문헌 3: 일본 공개특허공보 2001-92113호
본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위해서 이루어진 것이다. 즉, 본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 노광 원판 접착용 점착제를 펠리클 프레임 전체 폭으로부터 비어져 나오는 일 없이 안정하게 설치함으로써, 반도체 제조에 있어서의 생산성을 향상시키는 것이다.
상기 과제는 이하의 (1) 에 기재된 수단에 의해 해결되었다. 본 발명의 바람직한 실시양태와 함께 나열하여 기재한다.
(1) 펠리클 프레임의 일단면에 펠리클막 접착제를 개재하여 펠리클막을 펼쳐 설치하고, 타단면에 노광 원판 접착제를 설치한 리소그래피용 펠리클로서, 상기 펠리클 프레임의 펠리클막 접착면 및 노광 원판 접착면과 프레임 내외측면이 형성하는 모서리부에 C 모따기가 실시되어 있고, 노광 원판 접착면에서의 모따기 치수를 C 0.35 보다 크고 C 0.55 이하로 한 것을 특징으로 하는 리소그래피용 펠리클,
(2) 상기 펠리클 프레임의 노광 원판 접착면에서의 모따기 치수를, 펠리클 내측에서 C 0.4 이상 C 0.55 이하로 한, (1) 에 기재된 리소그래피용 펠리클,
(3) 상기 펠리클 프레임의 펠리클막 접착면에서의 모따기 치수를 C 0.15 이상 C 0.25 이하로 한, (2) 에 기재된 리소그래피용 펠리클,
(4) 상기 펠리클 프레임의 노광 원판 접착면에 설치된 접착용 점착층의 표면을 평탄하게 가공한, (1) ∼ (3) 중 어느 한 항에 기재된 리소그래피용 펠리클,
(5) 상기 펠리클 프레임이 폴리머의 전착 도장막을 갖는 알루미늄 합금제 펠리클 프레임인 (1) ∼ (4) 중 어느 한 항에 기재된 리소그래피용 펠리클.
또한, 「펠리클막 접착면」이란 「펠리클막 접착제 도포 단면」을 의미하고, 「노광 원판 접착면」이란 「노광 원판 접착(용 점착)제 도포 단면」을 의미한다.
노광 원판 접착면에서의 모따기 치수를 C 0.35 보다 크고 C 0.55 이하로 함으로써, 노광 원판 접착제의 첩부폭을 안정하게 확보하면서, 비어져 나오는 것을 효율적으로 억제할 수 있었다. 이 결과, 노광 원판의 패턴 에어리어가 확대되어 패턴이 펠리클 프레임 근방까지 설치되어도, 노광 원판 상에 있어서의 이물질의 발생을 억제하여 반도체 제조의 생산성을 향상시킬 수 있었다.
특히 펠리클을 가압 접착하였을 때에 마스크 평탄성을 저해하지 않을 목적에서 만들어진, 마스크 접착제가 평탄하게 가공된 펠리클에 관해서는, 종래 프레임을 사용한 경우와 비교한 결과, 안정된 점착제 폭으로 제품을 높은 생상성으로 제조할 수 있다고 하는 효과를 갖는다.
본 발명의 리소그래피용 펠리클은, 펠리클 프레임의 일단면에 펠리클막 접착제를 개재하여 펠리클막을 펼쳐 설치하고, 타단면에 노광 원판 접착제를 설치한 리소그래피용 펠리클로서, 상기 펠리클 프레임의 펠리클막 접착면 및 노광 원판 접착면과 프레임 내외측면이 형성하는 모서리부에 C 모따기가 실시되어 있고, 노광 원판 접착면에서의 모따기 치수를 C 0.35 보다 크고 C 0.55 이하로 한 것을 특징으로 한다.
본 발명자들은 상기 펠리클 프레임의 노광 원판 접착면에서의 모따기 치수를, 펠리클 내측에서 C 0.4 이상 C 0.55 이하로 한 리소그래피용 펠리클이 바람직하다는 것을 알아내었다. 펠리클 프레임의 노광 원판 접착면의 모따기 치수를 종래보다 확대함으로써, 펠리클을 노광 원판에 첩부하여도 마스크 접착제가 프레임 폭으로부터 비어져 나오는 일이 없도록 할 수 있었다.
이하, 도면을 참조하면서 본 발명을 상세히 설명한다.
도 1 에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 펠리클 (10) 은, 펠리클 프레임 (3) 의 상단면에 펠리클막 첩부용 접착층 (2) 을 개재하여 펠리클막 (1) 을 펼쳐 설치한 것으로서, 이 경우, 펠리클 (10) 을 노광 원판 (마스크 기판 또는 레티클: 5) 에 점착시키기 위한 접착용 점착층 (4) 이 통상 펠리클 프레임 (3) 의 하단면에 형성되고, 그 접착용 점착층 (4) 의 하단면에 라이너 (도시 생략) 를 박리 가능하게 접착하여 이루어지는 것이다. 또한, 펠리클 프레임 (3) 에 기압 조정용 구멍 (통기구: 6) 이 설치되어 있고, 또한 파티클 제거를 목적으로 제진용 필터 (7) 가 설치되어 있어도 된다.
이 경우, 이들 펠리클 구성 부재의 크기는 통상의 펠리클, 예를 들어 반도체 리소그래피용 펠리클, 대형 액정 표시판 제조 리소그래피 공정용 펠리클 등과 동일하고, 또한, 그 재질도 상술한 바와 같은 공지된 재질로 할 수 있다.
펠리클막의 종류에 관해서는 특별히 제한은 없고, 예를 들어 종래 엑시머레이저용으로 사용되고 있는, 비정질 불소 폴리머 등이 사용된다. 비정질 불소 폴리머의 예로는, 사이톱 (아사히가라스 (주) 제조, 상품명), 테플론 (등록 상표) AF (듀퐁사 제조, 상품명) 등을 들 수 있다. 이들 폴리머는 그 펠리클막 제작시에 필요에 따라서 용매에 용해하여 사용해도 되고, 예를 들어 불소계 용매 등으로 적절히 용해할 수 있다.
본 발명에 있어서 사용되는 펠리클 프레임의 모재에 관해서는, 종래 사용되고 있는 알루미늄 합금재, 바람직하게는 JIS A7075, JIS A6061, JIS A5052 재 등이 사용되는데, 알루미늄 합금재이면 펠리클 프레임으로서의 강도가 확보되는 한 특별히 제한은 없다. 펠리클 프레임 표면은 폴리머 피막을 형성하기 전에 샌드 블라스트나 화학 연마에 의해서 조화 (粗化) 하는 것이 바람직하다. 본 발명에 있어서, 이 프레임 표면의 조화 방법은 종래 공지된 방법을 채용할 수 있다. 알루미늄 합금재에 대하여, 스테인리스, 카보런덤, 유리 비즈 등에 의해서 표면을 블라스트 처리하고, 또 NaOH 등에 의해서 화학 연마를 실시하여 표면을 조화하는 방법이 바람직하다.
도 2 는 펠리클 프레임의 일 예의 단면 확대도를 나타낸다. 펠리클 프레임의 단면은 높이 h 두께 d 의 대략 직사각형 형상을 갖고, 그 펠리클막 접착면, 즉 상부 단면에는 펠리클막 (1) 접착용의 점착층 (2) 이 형성되어 있다. 펠리클 프레임 (3) 의 노광 원판 접착면, 즉 하부 단면에는 노광 원판 (5) 접착용의 점착층 (4) 이 설치되어 있다. 또, 본 발명에 있어서, 「접착용의 점착제」를 간단히 「접착제」라고도 한다.
펠리클 프레임의 모따기 가공은, 펠리클 프레임의 내외측면과 상부 단면 및 하부 단면의 4 모서리부에서 실시한다. 즉, 펠리클 프레임의 상부 단면 내측 C-ui, 상부 단면 외측 C-uu, 하부 단면 내측 C-di 및 하부 단면 외측 C-du 의 4 개의 C 면에 있어서의 C 모따기의 수평 거리는 각각, d-ui, d-uu, d-di 및 d-du (㎜ 단위) 로 되어 있다.
어떠한 모따기 가공도, JIS 규격에 따르는 「C」모따기 가공에서는 모따기의 각도 θ 가 45°이다. 단, 모따기 각도 θ 는 30°∼ 60°의 범위에서 변경할 수도 있으며, 40°∼ 50° 인 것이 바람직하고, C 면 가공이 특히 바람직하다.
본 발명에 있어서, 펠리클 프레임 하부 단면의 노광 원판 접착면에서의 모따기를, 펠리클 프레임 내측의 C-di 면에 있어서, 모따기 치수 d-di 가 C0.4 이상 C0.55 이하가 되도록 하는 것이 바람직하다.
펠리클막 접착면의 C 모따기 치수 (d-uu, d-ui) 는 C 0.1 ∼ C 0.3 인 것이 바람직하고, C 0.15 ∼ C 0.25 인 것이 보다 바람직하다.
이러한 C 면의 수평 길이를 조합함으로써, 노광 원판 접착용 점착제의 첩부폭을 1㎜ 이상으로 하여 필요한 접착력도 확보할 수 있다.
점착제가 프레임 내측으로 비어져 나온 경우, 최근 패턴 에어리어가 펠리클 프레임 근방까지 임박해 와 있기 때문에, 비어져 나온 점착제가 노광광에 의해 광분해되어 노광 원판 상에 헤이즈라고 하는 이물질을 발생시키는 문제를 일으킨다. C-di 면에서의 C 모따기 치수를 C0.35 초과 C0.6 이하로 확대함으로써 비어져 나온 점착제의 문제를 해소할 수 있어, 반도체 제조에 있어서의 생산성 저하를 방지할 수 있다.
본 발명의 펠리클은, 특히 펠리클을 가압 접착하였을 때에 마스크 평탄성을 저해하지 않을 목적에서 제작된, 마스크 접착용 점착제의 접착면을 평탄한 형상으로 가공한 펠리클 프레임을 갖는 펠리클에 적용하는 것이 바람직하며, 비어져 나오는 것에 대한 방지 효과가 현저해진다.
마스크 접착용 점착제의 접착면을 평탄하게 가공하기 위해서는, 전용의 접착제 으깸 성형 장치를 사용하여 가공할 수 있다.
접착제 으깸 성형 장치는 프로그램에 의해 제어된 1 축 구동 장치이고, 마스크 접착제를 평탄하게 가공하기 위한 상부 가압 플레이트가 병행을 유지한 채로 승강할 수 있는 구조로 되어 있다. 구체적으로는 가압 플레이트의 네 모서리에 리니어부시와 같은 가이드 구조를 설치하여 플레이트가 승강할 때에 기울어지지 않도록 되어 있다.
또한, 점착제를 평탄 가공하는 가압 플레이트의 높이 방향의 도달 포인트는, 오차를 20 ∼ 40㎛ 로 제어하는 것이 바람직하다. 또 가압 플레이트의 이동 속도는 1 ∼ 50㎜/초인 것이 바람직하며, 워크 근방에서 속도를 변화시킬 수 있도록 하여, 저속에서 가압 가능한 구조로 하는 것이 양호한 정밀도로 가공할 수 있다.
본 발명에 있어서, 펠리클 프레임이 폴리머 피막을 갖는 것이 바람직하고, 폴리머의 전착 도장막을 갖는 것이 보다 바람직하다. 또한, 펠리클 프레임은, 알루미늄 합금제 펠리클 프레임인 것이 바람직하고, 폴리머의 전착 도장막을 갖는 알루미늄 합금제 펠리클 프레임인 것이 특히 바람직하다.
펠리클 프레임 표면의 폴리머 피막 (폴리머 코팅) 은 여러 가지 방법에 의해 서 설치할 수 있는데, 일반적으로 스프레이 도장, 정전 도장, 전착 도장 등을 들 수 있다. 본 발명에서는 전착 도장에 의해서 폴리머 피막을 형성하는 것이 바람직하다.
전착 도장에 관해서는, 열경화형 수지나 자외선 경화형 수지 중 어느 것이나 사용할 수 있다. 또한, 각각에 대하여 아니온 전착 도장, 카티온 전착 도장 중 어느 것이나 사용할 수 있다. 본 발명에서는 내(耐)자외선 성능도 요구되기 때문에, 열경화형 수지의 음이온 전착 도장이 코팅의 안정성, 외관, 강도의 면에서 바람직하다.
폴리머 피막 표면은, 반사를 억제할 목적에서 광택을 없애도록 마무리되는 것이 바람직하다. 또한, 폴리머 피막의 유기성 아웃 가스의 발생을 낮게 억제하기 위해서, 전착 도장하는 폴리머 피막의 막두께를 최적화하고, 또 전착 도장 후의 가열건조 조건을, 종래보다도 온도를 높게 시간을 길게 설정하여 마무리하는 것이 바람직하다.
폴리머 피막으로 함으로써, 종래와 같은 양극 산화법에 의해 얻어지는 알루마이트 피막과 달리, 황산 이온, 질산 이온, 유기산의 함유 및 비산을 전무하게 하는 것이 가능해진다. 폴리머 피막의 코팅은 원재료나 공정 중에 황산, 질산, 유기산 등을 전혀 사용하지 않고 실시하는 것도 가능하기 때문에, 종래에 문제가 되었던 황산 이온, 질산 이온, 유기산을 저감시키기 위해서 필요한 세정 공정 등을 간소화할 수 있다.
전착 도장 (electrodeposition) 의 기술은 당업자에게 공지되어 있다. 예를 들어, 1) 타메히로 시게오 저, 「전착 도장」(닛칸공업신문사, 1969년 간행), 2) 고분자 대사전 (마루젠, 1994년 발행)「도장, 전착」의 항목 및 그 인용 문헌을 참조할 수 있다. 전착 도장에서는 물에 분산시킨 수지 입자의 이온이 반대 부호의 전극 물질 표면으로 끌어 당겨져 석출되어서, 폴리머 피막을 형성한다.
본 발명에 있어서, 전착 도장에는 피도장물을 양극으로 하는 아니온형 전착 도장법 쪽이, 발생하는 기체의 양이 적고, 도장막에 핀 홀 등의 문제가 생길 가능성이 적기 때문에, 피도장물을 음극으로 하는 카티온형 전착 도장법보다 바람직하다.
본 발명의 펠리클에 있어서, 펠리클 프레임에 설치하는 폴리머 피막은, 에폭시 수지, 아크릴 수지, 아미노아크릴 수지, 폴리에스테르 수지 등 다방면에 걸치지만, 열가소성 수지보다도 열경화성 수지를 폴리머 피막으로 하는 쪽이 바람직하다. 열경화성 수지로는, 주로 아크릴계 수지를 예시할 수 있다. 열경화성 도막을 전착 도장한 후에, 도막을 가열 경화할 수 있다.
또한, 흑색 안료에 의해 착색한 광택 제거 도료를 사용하여, 폴리머 피막을 흑색 광택 제거 전착 도장막으로 하는 것이 바람직하다.
전착 도장 전에, 알루미늄 합금제 프레임에 샌드 블라스트에 의한 표면 조면화(粗面化) 및 알칼리 용액에 의한 표면 에칭을 실시하는 것이 바람직하다.
전착 도장된 폴리머 피막의 두께는 5 ∼ 30㎛ 인 것이 바람직하고, 5 ∼ 20㎛ 인 것이 보다 바람직하다.
이러한 목적으로 사용하는 도장 장치나 전착 도장용 도료는 몇몇 일본 회사 로부터 시판품을 구입하여 사용할 수 있다. 예를 들어, (주) 시미즈로부터 엘렉코트의 상품명으로 시판되는 전착 도료를 예시할 수 있다. 「엘렉코트 후로스티 W-2」나 「엘렉코트 후로스티 ST 사티나」는 광택 제거 (염소 (艶消)) 타입의 열경화형 아니온 타입 전착 도료로, 본 발명에 바람직하게 사용할 수 있다.
폴리머 피막이 흑색 광택 제거 전착 도장막인 경우, 그 방사율이 0.80 ∼ 0.99 인 것이 바람직하다. 여기서, 「방사율」이란, 흑체 (그 표면에 입사되는 모든 파장을 흡수하여, 반사도 투과도 하지 않는 이상적인 물체) 를 기준으로 한 전방사 에너지 P 와 물체가 방사하는 에너지 P1 의 비율로 구해지는 (P1/P) 를 의미하고, 재팬 센서 (주) 제조의 방사 측정기 TSS-5X 에 의해 측정한 값이다.
실시예
(실시예 1)
이하에 실시예에 의해 구체적으로 본 발명을 예시하여 설명한다. 또, 실시예 및 비교예에 있어서의 「마스크」는 「노광 원판」의 예로서 기재한 것으로, 레티클에 대해서도 동일하게 적용할 수 있음은 말할 필요도 없다.
펠리클 프레임으로서, 프레임 바깥 치수 149㎜×122㎜×5.8㎜, 프레임 두께 2㎜ 의 흑색 알루마이트를 실시한 프레임을 준비하였다. 또한, 이 프레임의 마스크 접착제 도포 단면의 C 면 가공 모따기 치수를 C 0.40 으로 하고, 펠리클막 접착면의 C 모따기 치수를 C 0.20 으로 하였다.
종래의 펠리클 제조 공정에 따라서, 프레임을 정밀 세정한 후, 마스크 접착제를 도포하고 60 분 정치 후에, 전용 접착제 으깸 성형 장치를 사용하여 마스크 접착제의 평탄 성형 가공을 하였다. 접착제 으깸 성형 장치는 프로그램에 의해 제어된 1 축 구동 장치로, 가압 플레이트의 도달 포인트 오차는 30㎛ 로 제어하였다.
본 실시예에서는 100 개의 펠리클을 이 장치에 의해서 마스크 접착제 평탄 성형 가공을 실시한 결과, 1 개도 프레임 폭으로부터 비어져 나오는 일 없이 접착제 평탄 성형 가공을 실시할 수 있었다.
펠리클 완성 후에 마스크 기판에 첩부시킨 결과, 마스크 접착제가 프레임으로부터 비어져 나오는 일 없이 양호하게 첩부되어 있음이 확인되었다.
(실시예 2)
펠리클 프레임으로서, 프레임 바깥 치수 149㎜×122㎜×5.8㎜, 프레임 두께 2㎜ 의 흑색 알루마이트를 실시한 프레임을 준비하였다. 또한, 이 프레임의 마스크 접착면의 C 모따기 치수를 C 0.45 로 하고, 그 밖의 C 모따기 치수를 C 0.20 으로 하였다.
종래의 펠리클 제조 공정에 따라서, 프레임을 정밀 세정한 후, 마스크 접착제를 도포하고 60 분 정치 후에, 전용 접착제 으깸 성형 장치를 사용하여 마스크 접착제의 평탄 성형 가공을 하였다. 접착제 으깸 성형 장치는 프로그램에 의해 제어된 1 축 구동 장치로, 가압 플레이트의 도달 포인트 오차는 30㎛ 로 제어하였다.
본 실시예에서는 100 개의 펠리클을 이 장치에 의해 마스크 접착제 평탄 성형 가공한 결과, 1 개도 프레임 폭으로부터 비어져 나오는 일 없이 접착제 평탄 성 형 가공을 실시할 수 있었다.
펠리클 완성 후에 마스크 기판에 첩부시킨 결과, 마스크 접착제가 프레임으로부터 비어져 나오는 일 없이 양호하게 첩부되어 있음이 확인되었다.
(실시예 3)
펠리클 프레임으로서, 프레임 바깥 치수 149㎜×122㎜×5.8㎜, 프레임 두께 2㎜ 의 흑색 알루마이트를 실시한 프레임을 준비하였다. 또한, 이 프레임의 마스크 접착면 내측의 C 모따기 치수를 C 0.50 으로 하고, 그 밖의 3 개의 C 모따기 치수를 C 0.20 으로 하였다.
종래의 펠리클 제조 공정에 따라서, 프레임을 정밀 세정한 후, 마스크 접착제를 도포하고 60 분 정치 후에, 전용 접착제 으깸 성형 장치를 사용하여 마스크 접착제의 평탄 성형 가공을 하였다. 접착제 으깸 성형 장치는 프로그램에 의해 제어된 1 축 구동 장치로, 가압 플레이트의 도달 포인트 오차는 30㎛ 로 제어하였다.
본 실시예에서는 100 개의 펠리클을 이 장치에 의해 마스크 접착제 평탄 성형 가공한 결과, 1 개도 프레임 폭으로부터 비어져 나오는 일 없이 접착제 평탄 성형 가공을 실시할 수 있었다.
펠리클 완성 후에 마스크 기판에 첩부시킨 결과, 마스크 접착제가 프레임으로부터 비어져 나오는 일 없이 양호하게 첩부되어 있음이 확인되었다.
(비교예 1)
펠리클 프레임으로서, 프레임 바깥 치수 149㎜×122㎜×5.8㎜, 프레임 두께 2㎜ 의 흑색 알루마이트를 실시한 프레임을 준비하였다. 또한, 이 프레임의 마스크 접착면에서의 프레임 내측의 C 모따기 치수를 C 0.27, 그 밖의 C 모따기 치수를 C 0.20 으로 하였다.
종래의 펠리클 제조 공정에 따라서, 프레임을 정밀 세정한 후, 마스크 접착제를 도포하고 60 분 정치 후에, 전용 접착제 으깸 성형 장치를 사용하여 마스크 접착제의 평탄 성형 가공을 하였다. 접착제 으깸 성형 장치는 프로그램에 의해 제어된 1 축 구동 장치로, 가압 플레이트의 도달 포인트 오차는 30㎛ 로 제어하였다.
본 비교예에서는 100 개의 펠리클을 이 장치에 의해 마스크 접착제 평탄 성형 가공한 결과, 7 개의 펠리클에 있어서 프레임 폭으로부터 마스크 접착제가 비어져 나오는 문제가 발생하였다. 장치의 이력을 확인한 결과, 이들 7 개의 평탄 성형 가공은 로봇이 설정치보다 20-30㎛ 과잉되게 으깼음이 확인되었다.
(비교예 2)
펠리클 프레임으로서, 프레임 바깥 치수 149㎜×122㎜×5.8㎜, 프레임 두께 2㎜ 의 흑색 알루마이트를 실시한 프레임을 준비하였다. 또한, 이 프레임의 마스크 접착제 도포 단면측의 C 모따기 치수를 C 0.60, 그 밖의 C 모따기 치수를 C 0.20 으로 하였다.
종래의 펠리클 제조 공정에 따라서, 프레임을 정밀 세정한 후, 마스크 접착제를 도포하고 60 분 정치 후에, 전용 접착제 으깸 성형 장치를 사용하여 마스크 접착제의 평탄 성형 가공을 하였다. 접착제 으깸 성형 장치는 프로그램에 의해 제어된 1 축 구동 장치로, 가압 플레이트의 도달 포인트 오차는 30㎛ 로 제어하였다.
본 비교예에서는 100 개의 펠리클을 이 장치에 의해 마스크 접착제 평탄 성형 가공한 결과, 1 개도 프레임 폭으로부터 마스크 접착제가 비어져 나오는 일 없이 접착제 평탄 성형 가공을 실시할 수 있었다.
펠리클 완성 후에 마스크 기판에 첩부한 결과, 마스크 접착제가 프레임으로부터 비어져 나오는 일 없이 양호하게 첩부되어 있음이 확인되었다. 그러나 프레임 폭 2㎜ 에 대하여 C 모따기 치수를 C0.60 확보하였기 때문에, 점착제의 첩부폭이 1.0㎜ 를 하회하여 바람직하지 못한 결과가 되었다.
도 1 은 본 발명의 펠리클의 구성예를 나타내는 설명도이다.
도 2 는 본 발명의 펠리클 프레임의 일 예의 단면 확대도이다.
(부호의 설명)
1: 펠리클막
2: 접착층
3: 펠리클 프레임
4: 점착층
5: 노광 원판
6: 기압 조정용 구멍 (통기구)
7: 제진용 필터
10: 펠리클
d: 펠리클 프레임 두께
h: 펠리클 프레임 높이
θ: 모따기의 각도
C-uu: 펠리클 프레임 상부 단면 외측 C 면
C-ui: 펠리클 프레임 상부 단면 내측 C 면
C-du: 펠리클 프레임 하부 단면 외측 C 면
C-di: 펠리클 프레임 하부 단면 내측 C 면
d-uu: 펠리클 프레임 상부 단면 외측 모따기 치수 (mm)
d-ui: 펠리클 프레임 상부 단면 내측 모따기 치수 (mm)
d-du: 펠리클 프레임 하부 단면 외측 모따기 치수 (mm)
d-di: 펠리클 프레임 하부 단면 내측 모따기 치수 (mm)

Claims (5)

  1. 펠리클 프레임의 일단면에 펠리클막 접착제를 개재하여 펠리클막을 펼쳐 설치하고, 타단면에 노광 원판 접착제를 설치한 리소그래피용 펠리클로서, 상기 펠리클 프레임의 펠리클막 접착면 및 노광 원판 접착면과 프레임 내외측면이 형성하는 모서리부에 C 모따기가 실시되어 있고, 노광 원판 접착면에서의 모따기 치수를, 펠리클 외측에서, C 0.35 보다 크고 C 0.55 이하로 하고, 상기 펠리클 프레임의 노광 원판 접착면에서의 모따기 치수를, 펠리클 내측에서, C 0.4 이상 C 0.55 이하로 하고, 상기 펠리클 프레임의 펠리클막 접착면에서의 모따기 치수를, C 0.15 이상 C 0.25 이하로 하며, 상기 펠리클 프레임의 폭이 2 mm 인 것을 특징으로 하는 리소그래피용 펠리클.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 펠리클 프레임의 노광 원판 접착면에 설치된 접착용 점착층의 표면을 평탄하게 가공한 리소그래피용 펠리클.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 펠리클 프레임이 폴리머의 전착 도장막을 갖는 알루미늄 합금제 펠리클 프레임인 리소그래피용 펠리클.
  4. 삭제
  5. 삭제
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Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5602626B2 (ja) 2007-06-29 2014-10-08 アーティフィシャル マッスル,インク. 感覚性フィードバック用途のための電気活性ポリマートランスデューサー
EP2239793A1 (de) 2009-04-11 2010-10-13 Bayer MaterialScience AG Elektrisch schaltbarer Polymerfilmaufbau und dessen Verwendung
JP5142297B2 (ja) * 2009-06-19 2013-02-13 信越化学工業株式会社 ペリクル
JP5411595B2 (ja) * 2009-06-24 2014-02-12 信越化学工業株式会社 ペリクルフレーム及びリソグラフィ用ペリクル
KR101990345B1 (ko) * 2009-10-02 2019-06-18 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 펠리클의 제조 방법
JP5199217B2 (ja) * 2009-11-02 2013-05-15 信越化学工業株式会社 ペリクル
JP5152870B2 (ja) * 2009-12-07 2013-02-27 信越化学工業株式会社 リソグラフィ用ペリクル及びその製造方法
JP2011164255A (ja) * 2010-02-08 2011-08-25 Shin-Etsu Chemical Co Ltd リソグラフィー用ペリクル
JP2012093595A (ja) * 2010-10-28 2012-05-17 Shin Etsu Chem Co Ltd ペリクルフレームおよびペリクル
WO2012118916A2 (en) 2011-03-01 2012-09-07 Bayer Materialscience Ag Automated manufacturing processes for producing deformable polymer devices and films
KR20140019801A (ko) 2011-03-22 2014-02-17 바이엘 인텔렉쳐 프로퍼티 게엠베하 전기활성 중합체 작동기 렌티큘라 시스템
JP2013057861A (ja) * 2011-09-09 2013-03-28 Shin Etsu Chem Co Ltd リソグラフィ用ペリクルおよびその製造方法
EP2828901B1 (en) 2012-03-21 2017-01-04 Parker Hannifin Corporation Roll-to-roll manufacturing processes for producing self-healing electroactive polymer devices
KR20150031285A (ko) * 2012-06-18 2015-03-23 바이엘 인텔렉쳐 프로퍼티 게엠베하 연신 공정을 위한 연신 프레임
WO2014066576A1 (en) 2012-10-24 2014-05-01 Bayer Intellectual Property Gmbh Polymer diode
JP5822401B2 (ja) * 2012-12-25 2015-11-24 信越化学工業株式会社 リソグラフィ用ペリクル
JP6156998B2 (ja) * 2013-10-22 2017-07-05 信越化学工業株式会社 ペリクル
JP6551837B2 (ja) * 2015-08-17 2019-07-31 三井化学株式会社 ペリクルフレーム、及びこれを含むペリクル
JP6632057B2 (ja) * 2016-01-07 2020-01-15 信越化学工業株式会社 ペリクル
JP2018180252A (ja) * 2017-04-12 2018-11-15 日本特殊陶業株式会社 ペリクル枠及びその製造方法
EP3764161A4 (en) 2018-03-05 2021-12-01 Mitsui Chemicals, Inc. PELLICLE, EXPOSURE MASTER, EXPOSURE DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR COMPONENT

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001092113A (ja) * 1999-09-24 2001-04-06 Shin Etsu Chem Co Ltd 半導体リソグラフィ用ペリクル
JP2007333910A (ja) * 2006-06-14 2007-12-27 Shin Etsu Chem Co Ltd ペリクル

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4965946A (ko) * 1972-10-28 1974-06-26
JPS58219023A (ja) 1982-06-15 1983-12-20 Daicel Chem Ind Ltd 樹脂薄膜の製造方法
US4861402A (en) * 1984-10-16 1989-08-29 Du Pont Tau Laboratories, Inc. Method of making a cellulose acetate butyrate pellicle
US4828640A (en) 1987-05-28 1989-05-09 Mitsui Petrochemical Industries, Ltd. Method of producing films using a peeling jig
US5234742A (en) * 1989-03-03 1993-08-10 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Pellicle for lithography
JPH05341502A (ja) * 1992-06-09 1993-12-24 Tosoh Corp ペリクル枠
JPH06148871A (ja) * 1992-10-30 1994-05-27 Tosoh Corp ペリクル及びペリクルの製造方法
JP3027073B2 (ja) * 1993-07-28 2000-03-27 信越化学工業株式会社 ペリクル
JP3240261B2 (ja) * 1996-07-25 2001-12-17 信越化学工業株式会社 ペリクルの製造方法
DE10253928A1 (de) * 2001-11-21 2003-06-18 Asahi Glass Co Ltd Struktur zum Anbringen eines Häutchens an einer Photomaske
JP2004157229A (ja) * 2002-11-05 2004-06-03 Shin Etsu Chem Co Ltd リソグラフィ用ペリクル及びその製造方法
JP2006146085A (ja) * 2004-11-24 2006-06-08 Shin Etsu Chem Co Ltd 大型ペリクル
JP2006178434A (ja) * 2004-11-25 2006-07-06 Asahi Kasei Electronics Co Ltd 大型ペリクル
KR101112544B1 (ko) * 2004-12-03 2012-03-13 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
JP2007156397A (ja) * 2005-05-09 2007-06-21 Mitsui Chemicals Inc 汚染の少ないペリクル及びその製造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001092113A (ja) * 1999-09-24 2001-04-06 Shin Etsu Chem Co Ltd 半導体リソグラフィ用ペリクル
JP2007333910A (ja) * 2006-06-14 2007-12-27 Shin Etsu Chem Co Ltd ペリクル

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Publication number Publication date
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US8026023B2 (en) 2011-09-27
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TWI392958B (zh) 2013-04-11

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