TWI409896B - 基板處理裝置及半導體裝置之製造方法 - Google Patents

Description

基板處理裝置及半導體裝置之製造方法

本發明關於基板處理裝置及半導體裝置之製造方法，特別關於防止或抑制自然氧化膜之產生的技術。

例如，於半導體積體電路(以下稱IC)之製造方法中，對含有半導體元件的半導體積體電路被製作而成之半導體晶圓(以下稱晶圓)，進行熱處理(thermal treatment)的熱處理裝置(furnace)所利用的有效技術。

於IC之製造方法中，於晶圓形成絕緣膜或金屬膜及半導體膜等之CVD膜，或擴散雜質的熱處理工程中廣泛使用熱處理裝置。

習知此種熱處理裝置，係具備：處理室，其將多數片晶圓保持於晶舟(boat)之同時，進行批次處理；待機室，晶舟之對處理室搬出入前後之待機用；潔淨單元，由對待機室供給清淨環境的過濾器及送風機構成；及晶舟升降器，於待機室和過濾器呈對向設置，可使晶舟於待機室與處理室之間升降。

通常，晶舟升降器之驅動裝置、亦即馬達係被設置於由待機室被隔離之馬達設置室。

習知此種熱處理裝置，係構成為：使惰性氣體之氮氣體由潔淨單元噴出至待機室而循環，藉此而防止自然氧化 膜因為大氣中之氧(O₂ )而形成於晶圓。例如專利文獻1。

專利文獻1：特開2004－119888號公報

欲藉由氮氣體之由潔淨單元噴出、循環於待機室，而防止自然氧化膜因為大氣中之氧而形成於晶圓的熱處理裝置，須將待機室內之氧濃度維持於數ppm以下。

因此，需執行：藉由氮氣體使待機室內維持於陽壓狀態，而防止大氣之流入待機室內。亦即，執行：使形成待機室之框體的密閉性能設定為較高狀態，將大於由框體間隙等洩漏之氮氣體之流量以上的氮氣體，供給至待機室。

但是，在假設氮氣體環境下實施熱處理工程的基板處理裝置中，進行待機室內之排氣用的排氣管並不需要如此大的尺寸。

亦即，此情況下，只需要維持以下之式的關係即可。

至待機室內之流入環境量＝追加氮氣體供給量＋(待機室內循環環境) 來自待機室內之排出環境量＝來自待機室內之洩漏量等＋(待機室內循環環境) 至待機室內之流入環境量≧來自待機室內之排出環境量

另外，不需要抑制自然氧化膜時(對不會產生自然氧 化膜之膜種的熱處理工程時)，就熱影響之觀點而言，較好是使不循環之一方向之流動藉由大氣環境(含氧之氣體、亦即空氣，以下亦有稱為潔淨空氣(clean air))創造出現於待機室內。

此情況下，只需要單純設定為滿足以下之式的關係即可。

至待機室內之流入環境量＝來自待機室之排出環境量

此情況下，較好是以對於晶舟呈水平流動的方式，使潔淨空氣自待機室之一側面朝向對向側面吹出，而防止微粒或有機物於待機室內產生沈澱或滯留之現象。

亦即，欲將待機室內設為潔淨之環境時，對待機室內進行排氣用之排氣管，需具有充分夠大的尺寸。

以上兩方之要求能在同一基板處理裝置實現一事被期待著。

但是，假設待機室內環境之循環而成的高密閉性框體，未確保充分之排氣性能一事乃現有之狀況。

欲確保充分之排氣性能而增大設計排氣管的尺寸時，會導致基板處理裝置之佔地面積(foot print)之惡化等問題。

本發明目的在於提供基板處理裝置及半導體裝置之製造方法，其可兼顧待機室內環境之循環與一方向之流動。

解決上述課題的手段如下。

基板處理裝置，係具備：處理室，用於處理基板；基板保持具，用於保持上述基板而搬入上述處理室；待機室，設於上述處理室下方，用於使上述基板保持具待機；氣體供給部，設於上述待機室側方，用於對該待機室供給惰性氣體乃至含氧氣體；氣體排出部，設於和上述氣體供給部呈對向的上述待機室側方，用於自上述待機室進行上述惰性氣體乃至上述含氧氣體之排氣；第1氣體排出路，連接於上述氣體排出部，用於排出該氣體排出部內的上述惰性氣體乃至上述含氧氣體；第2氣體排出路，於上述氣體排出部側方被連接，用於排出該氣體排出部內的上述含氧氣體；及柵閥，用於開/閉該第2氣體排出路。

以下依圖面說明本發明之一實施形態。

本實施形態中，本發明之基板處理裝置，係如圖1~4所示構成之熱處理裝置10之例。

其中，具有開放式卡匣(open cassette)與FOUP(Front Opening Unified Pod，以下稱為晶圓搬運盒))，彼等作為收容作為基板之晶圓而加以搬送的搬送治具(carrier))。開放式卡匣，被形成為大略立方體之箱形狀 ，其之互呈對向之一對之面被開口。晶圓搬運盒，係被形成為大略立方體之箱形狀，其之一個面被開口，於該開口面裝卸自如地安裝著蓋部。

晶圓之搬送治具使用晶圓搬運盒時，即使周圍環境存在微粒等之情況下亦可維持晶圓之潔淨度。因為晶圓係於密閉狀態下被搬運。

本實施形態中，晶圓1之搬送治具係使用晶圓搬運盒2。

本實施形態之熱處理裝置10具備框體11。框體11構成為氣密構造，可發揮大氣壓程度之氣密性能。框體11構成為，相對於基板保持具被搬入至處理室時待機用之待機室12。

框體11為組合框架與面板部之構築。彼等面板部彼此之照合面間或重疊面間等，係有可能形成成為洩漏源之極微小間隙。

於框體11之正面壁觸接、卡合著安裝板13。該框體11與安裝板13之觸接面，有可能形成成為洩漏源之極微小間隙。

於安裝板13以上下一對的方式設置晶圓搬出入口(wafer loading port)14，用於進行晶圓1之搬出入(loading與un loading)。於晶圓搬出入口14、14之對應之位置設置晶圓搬運盒開/閉器15，用於使晶圓搬運盒2之蓋部3(參照圖1)裝卸而開/閉晶圓搬運盒2。

於框體11之背面壁設置維修口16。於維修口16以 可開/閉的方式安裝有維修門17。維修口16之開口緣邊部之於框體11之背面，與維修門17間之觸接面，有可能形成成為洩漏源之極微小間隙。。

於待機室12之前側空間設置升降器18。升降器18使晶圓移載裝置(wafer transfer equipment)18A升降。晶圓移載裝置18A，係藉由升降器(以下亦有稱為晶圓移載裝置升降器)18進行升降，而於晶圓搬出入口14與晶舟(boat)21之間搬送晶圓1。藉由該搬送，晶圓移載裝置18A可將晶圓1搬出入於晶圓搬運盒2與晶舟21。

於待機室12之後側空間垂直設置晶舟升降器19。晶舟升降器19使密封蓋部20於垂直方向升降。

密封蓋部20被形成為圓盤形狀。於密封蓋部20之中心線上，作為基板保持具的晶舟21被垂直站立。

晶舟21係將多數片晶圓1以中心對齊、水平配置之狀態加以保持。

於框體11之後端部之上部以同心圓狀設置加熱單元22。加熱單元22被框體11支撐。

於加熱單元22內以同心圓狀設置外管23及內管24。外管23，係由石英或氮化矽等耐熱性材料形成，內徑大於內管24之外徑，被形成為上端閉塞下端開口之圓筒形狀。

內管24，係由石英或氮化矽等耐熱性材料形成，被形成為上端及下端均為開口之圓筒形狀。

於內管24之圓筒中空部，形成處理室25可以收納晶 舟21。

於外管23下方以和外管23成為同心圓狀的方式配設歧管26。歧管26，係由不銹鋼形成，被形成為上端與下端均為開口之圓筒形狀。歧管26，係被卡和於外管23與內管24，而支撐彼等。

歧管26之下端部開口係藉由開/閉器27進行開/閉。

於歧管26之側壁部，以排氣管28連通於外管23與內管24間之空間的方式被連接。排氣管28進行處理室25之排氣。

於密封蓋部20，作為氣體導入部之氣體供給管29以可連通於處理室25內的方式被連接。

如圖1~4所示，於框體11敷設循環管32，其構成循環路31而使惰性氣體之氮氣體30循環於待機室12。

循環管32，係具備具有吸入口33的吸入側管部34。吸入側管部34，係構成氣體排出部用於排出氮氣體30乃至潔淨空氣(含氧氣體)40。吸入側管部34，係使吸入口33開設於晶舟升降器19之臂部19d與升降器18之臂部之升降移動範圍。

來自待機室12之作為氣體排出部的吸入側管部34，係在待機室12之一方側面的右側面，使升降器18及晶舟升降器19被由移載室隔離(但是兩方臂部之可動部分為連通)，而且於大略全體面呈垂直延伸的方式被敷設。

於吸入側管部34下端部之前端，連接著主連結管部 35之吸入側端。主連結管部35，係於待機室12之外部以橫切晶圓搬運盒開/閉器15下方的方式呈水平敷設。在主連結管部35面臨待機室12之側壁以橫長的方式開設大的吸入口36。

於吸入側管部34下端部之大略中央位置，連接著副連結管部37之吸入側端。副連結管部37，係於待機室12內之底面上，於左右方向以橫切方式被敷設。

於主連結管部35及副連結管部37之各吹出側下端，分別連接吹出側管部39之下端部。於吹出側管部39，於大略全面大幅開設吹出口。吹出側管部39，係於待機室12之於吸入側管部34的相反側、亦即左側面被垂直敷設。

於吹出側管部39之吹出口38被建入潔淨單元41。潔淨單元41，係構成氣體供給手段、亦即氣體供給部用於供給氮氣體30及潔淨空氣40。

潔淨單元41具備：過濾器42，用於捕捉微粒子；及多數送風機43，用於送出潔淨化之氮氣體30及潔淨空氣40；潔淨單元41構成為：過濾器42露出於待機室12，而且成為送風機43群之下流側。

如圖2所示，在吹出側管部39之較潔淨單元41更上流側，連接有新鮮空氣供給管44用於供給新鮮空氣，於新鮮空氣供給管44存在作為開/閉閥之調節器(damper)45。

於吹出側管部39連接有氮氣體供給管46，氮氣體供 給管46，係構成惰性氣體供給路，用於供給惰性氣體至循環路31。於氮氣體供給管46存在作為流量控制閥之調節器(damper)47。

如圖2所示，在吹出側管部39之下端部，以朝前後方向延伸的方式敷設冷卻器48。冷卻器48，用於冷卻由主連結管部35及副連結管部37被回收至吹出側管部39的環境(氮氣體30)。

本實施形態中，冷卻器48由水冷式熱交換器構成。

於冷卻器48之下流側設置作為流量控制閥之調節器(damper)57。調節器57，係用於開/閉自主連結管部35及副連結管部37被循環至吹出側管部39之潔淨單元41之上流側的循環路31。

如圖3、4所示，吸入側管部34之後端部，係形成於氣體排出部側方被連接之排出路(第2氣體排出路)49。

如圖4所示，於排出路49上端連接著排出管50。於排出管50之下流側端部被形成主排出路51。

於排出管50之下流端另外連接著管部。該管部，係使熱處理裝置10周邊部之氣體不排出至潔淨室，而全部排出至工廠等之排氣處理系。

於主排出路51設置作為開/閉閥之調節器52。

於主排出路51，連接著迂迴繞過調節器52的旁通路53。旁通路53之流量設為少於主排出路51之流量。

又，於旁通路53，藉由設置流量計或針閥等之流量調節裝置，而構成為可調節旁通路53之流量。

如圖2~4所示，晶舟升降器19具備：前進螺旋軸19a，垂直站立、被支撐為可自由旋轉；馬達19b，使前進螺旋軸19a正反旋轉；升降台19c，螺合前進螺旋軸19a，伴隨著正反旋轉而升降；及臂部19d，被支撐於升降台19c，於前端部介由密封蓋部20設置有晶舟21。

如圖3~4所示，升降器18具備：前進螺旋軸18a，垂直站立、被支撐為可自由旋轉；馬達18b，使前進螺旋軸18a正反旋轉；升降台18c，螺合前進螺旋軸18a，伴隨著正反旋轉而升降；及臂部18d，被支撐於升降台18c，設置有晶圓移載裝置18A。

如圖4所示，於吸入側管部34之正上方設有馬達設置室54。於馬達設置室54設有晶舟升降器19之馬達19b，及升降器18之馬達18b。馬達設置室54臂形成為正方體之箱形狀，具有之容積遠大於馬達19b及馬達18b之體積。

在隔離馬達設置室54與待機室12之間隔壁55形成有連通口56。連通口56使馬達設置室54內與吸入側管部34之內部連通。

在馬達設置室54之和排出管50鄰接之部位形成有排出口58。馬達設置室54、連通口56、排出口58與排出管50，係構成於氣體排出部之上方側臂連接的第1氣體排出路59。

如圖3、4所示，在框體11之背面之和排出路49鄰接之部位連設，被敷設有氣體配管等的公用盒60。

又，公用盒60，係於內部具備氣體供給單元及排氣系等。氣體供給單元，係構成氣體供給部，而具備對氣體供給管29供給氣體的閥、流量計等。排氣系，係具備由排氣管排出氣體的閥、壓力計等。

又，和晶圓置放用的環境、亦即待機室12內的潔淨度比較，因未被置放晶圓之故，公用盒60內未被要求高潔淨度。因此，和框體11比較，其構成之密閉性遠較其為低。

在公用盒60與排出路49之間隔壁，於上下方向被配置形成多數個(本實施形態中為2個)排出口61，用於使排出路49內潔淨空氣40被排出，各排出口61係藉由開/閉手段、亦即柵閥62分別進行開/閉。

在吸入側管部34與排出路49之間隔壁63，於上下方向被配置形成多數個(本實施形態中為3個)排出口64，用於使吸入側管部34內之潔淨空氣40排出至排出路49，於各排出口61分別設置排氣風扇65。各排氣風扇65係構成使潔淨空氣40排出至排出路49的強制氣體排氣手段、亦即強制氣體排氣部。

排出口61與排出口64，係分別形成為開口面積大於連通口56。

亦即，和第1氣體排出路比較，第2氣體排出路之流路面積形成為較大。

排出路49與排出管50之連接部位係藉由隔開板67隔開，隔開板67將第1氣體排出路59與第2排出路49 切斷。

又，亦可不設置隔開板67，而將排出管50載置於排出路49上，使排出路49與排出管50隔開。

如圖4所示，熱處理裝置10具備控制手段、亦即控制器70，用於控制排氣風扇65及柵閥62。控制器70，係經由通信配線71控制排氣風扇65及柵閥62。

亦即，控制器70，在由潔淨單元41對待機室12被供給氮氣體30時，係藉由柵閥62關閉排出口61而加以控制。另外，控制器70，在由潔淨單元41對待機室12被供給潔淨空氣40時，係藉由柵閥62開放排出口61而加以控制，或者作動排氣風扇65之同時，藉由柵閥62開放排出口61而加以控制。

又，控制器70，除排氣風扇65及柵閥62之控制以外，亦對升降器18、晶舟升降器19、晶圓移載裝置18A、晶圓搬運盒開/閉器15等進行控制，對加熱單元22等之加熱部進行控制，對送風機43、調節器45、47、52、57等進行控制，對處理室25之氣體供給、排氣、壓力等進行控制。

以下說明上述構成之熱處理裝置之作用。

如圖1－3所示，於晶圓搬入步驟，被移載至晶圓搬運盒開/閉器15之載置台的晶圓搬運盒2，係藉由晶圓搬運盒開/閉器15打開蓋部3(參照圖1)使其開放。

晶圓搬運盒2藉由晶圓搬運盒開/閉器15被打開之後，收納於晶圓搬運盒2之多數片晶圓1，藉由晶圓移載 裝置18A被移載至晶舟21而被填入(charging)。

預先指定之片數之晶圓1被裝入之後，藉由晶舟升降器19使晶舟21上升而被搬入(晶舟載入，boat loading)處理室25。

晶舟21到達上限之後，保持晶舟21的密封蓋部20之上面周邊部，以密封狀態被觸接於歧管26之下面，因此處理室25被密閉成為氣密狀態。

處理室25被密閉成為氣密狀態下，藉由排氣管28排氣成為特定真空度之同時，藉由加熱單元22加熱至特定溫度。

之後，特定之處理氣體由氣體供給管29被供給至處理室25。

依此則，晶圓1被進行所要之熱處理(熱處理步驟)。

於該晶圓搬入步驟之前，待機室12及循環路31被替換為氮氣體30環境。之後，於晶圓搬入步驟及熱處理中，氮氣體30之中之大半藉由循環路31被循環於待機室12。

亦即，由氮氣體供給管46被供給至循環路31的氮氣體30之中之大半、例如由氮氣體供給管46被供給至循環路31的氮氣體30量之中約80%，係如圖2所示，由被建立於循環管32中之吹出側管部39的潔淨單元41，被吹出至待機室12，流通於循環路31之一部分、亦即待機室12，而由吸入口33被吸入至吸入側管部34。

被吸入至吸入側管部34的氮氣體30，係經由主連結管部35及副連結管部37回至吹出側管部39，由潔淨單元41再度被吹出至待機室12。

之後，氮氣體30，係重複上述流動而循環於待機室12與循環路31。

另外，由待機室12與吸入側管部34經由連通口56流入馬達設置室54之少量(例如，由氮氣體供給管46被供給至循環路31的氮氣體30量之中約15%)氮氣體30，係經由排出口58及排出管50流入旁通路53而被排出。

另外，微量(例如，由氮氣體供給管46被供給至循環路31的氮氣體30量之中約5%)氮氣體30，係經由框體11或框體11與安裝板13間之觸接面或框體11與維修門17間之觸接面等間隙而被排出至框體11外。

此時，和由旁通路53及框體11等之間隙而被排出的氮氣體30之流量分相當的氮氣體30之流量，係由氮氣體供給管46被補給。

於該氮氣體30之循環步驟，主排出路51之調節器52及新鮮空氣供給管44之調節器45被關閉，氮氣體供給管46之調節器47及位於循環路31之調節器57被打開。

經過預定處理時間後，藉由晶舟升降器19下降晶舟21，保持有處理完畢晶圓1的晶舟21，係被搬出至待機室12之原待機位置(晶舟載出，boat unloading)。

晶舟21被由處理室25搬出後，藉由開/閉器27關閉處理室25。

保持有處理完畢晶圓1的晶舟21被搬出(晶舟載出步驟，boat unloading step)時，調節器52被打開。如此則，待機室12及循環路31之大部分之氮氣體30、例如由氮氣體供給管46被供給至循環路31的氮氣體30量之約95%，係經由連通口56流入馬達設置室54。流入馬達設置室54的氮氣體30，係經由排出口58及排出管50，藉由主排出路51及旁通路53而被排出。

另外，微量(例如，由氮氣體供給管46被供給至循環路31的氮氣體30量之中約5%)之氮氣體30，係經由框體11或框體11與安裝板13間之觸接面或框體11與維修門17間之觸接面等間隙而被排出至框體11外。此時，和由主排出路51、旁通路53及框體11等之間隙而被排出的氮氣體30之流量分相當的氮氣體30之流量，係由氮氣體供給管46被補給。

亦即，由氮氣體供給管46被供給至循環路31的氮氣體30，係由被建入吹出側管部39的潔淨單元41被吹出至待機室12，流通於待機室12，通過吸入側管部34之吸入口33經由連通口56流入馬達設置室54，之後，經由排出口58及排出管50而由主排出路51、旁通路53及框體11等之間隙被排出。

流通於待機室12之間，氮氣體30被熱處理而成高溫，和晶圓1群及保持其之晶舟21接觸、藉由熱交換而被 冷卻。

此時，氮氣體30為藉由氮氣體供給管46供給後之冷的新鮮氮氣體30，可以高的熱交換效率冷卻晶圓1群及晶舟21。

又，冷卻晶圓1群及晶舟21而使溫度上升的大部份氮氣體30，係經由連通口56流入馬達設置室54，之後，經由排出口58及排出管50，藉由主排出路51及旁通路53由循環路31直接被排出。如此則，溫度上升的氮氣體30不通過設於循環路31之潔淨單元41，因此溫度上升的氮氣體30不致於使潔淨單元41之溫度上升。

因此，不會由潔淨單元41產生有機污染物質。

另外，和成為高溫之晶圓1接觸者為氮氣體30，於晶圓1之表面不會產生自然氧化膜。

於該晶舟載出步驟，主排出路51之調節器52及氮氣體供給管46之調節器47被打開，新鮮空氣供給管44之調節器45及循環路31中之調節器57被關閉。

又，循環路31之溫度上升少的溫度範圍中，使溫度上升的氮氣體30之一部分循環於循環路31亦可。

被搬出至待機室12的晶舟21之處理完畢晶圓1，係由晶舟21藉由晶圓移載裝置18A被接取，收納於空的晶圓搬運盒2。空的晶圓搬運盒2被預先搬送至晶圓搬出入口14，蓋部3被拆下、打開。

晶圓搬運盒2被處理完畢晶圓1填滿後，晶圓搬運盒2被藉由晶圓搬運盒開/閉器15安裝蓋部3將其關閉。 之後，晶圓搬運盒2藉由晶圓搬出入口14移送至其他場所。

以下重複上述作用，晶圓1藉由熱處理裝置10被施予整批處理。

但是，被供給至待機室12之氮氣體30之流量為一定，當由待機室12排出之氮氣體30之排出量和被供給至待機室12之氮氣體30之流量為同一量時，若待機室12之環境(氮氣體30)洩漏，會導致待機室12內之壓力降低。

待機室12內之壓力降低時，待機室12之外部之環境(大氣)容易流入待機室12內，會導致待機室12內之氧濃度上升。結果，氧濃度管理變為困難。

本實施形態中，藉由下述而防止待機室12內之壓力降低之現象。

於晶圓搬入步驟及熱處理中之使氮氣體30循環於循環路31的步驟中，被供給和由氮氣體供給管46經由旁通路53及框體11等之間隙排出之排出量相同量的氮氣體30。藉由排出路49排出氮氣體30時，藉由調節器52關閉主排出路51，使氮氣體30經由旁通路53排出。

藉由防止待機室12內之壓力降低，如此則，可防止待機室12之外部環境流入待機室12內，因此依本實施形態，可維持氧濃度於一定。

另外，於晶圓搬入步驟及熱處理中之使氮氣體30循環於循環路31的步驟中，亦藉由旁通路53進行排氣，可 防止待機室12內之沈澱或滯留。因此，不僅可防止自然氧化膜，亦可防止微粒或有機物滯留於待機室12內。

不需要抑制自然氧化膜時，就熱影響觀點而言，較好是於待機室12內藉由潔淨空氣40創造出不循環之單一方向流動。

此情況下，較好是由潔淨單元41使潔淨空氣40相對於晶舟21呈水平流動而吹出，而防止在待機室12內產生微粒或有機物之沈澱或滯留現象。

欲於待機室12內不產生沈澱或滯留而形成潔淨空氣40之單一方向之氣流時，需要使大流量潔淨空氣40流通於待機室12內。

於本實施形態之熱處理裝置10，此情況下，係如圖5所示，控制器70，係作動排氣風扇65之同時，作動柵閥62而打開排出口61。

調節器45被打開、由新鮮空氣供給管44被供給至吹出側管部39之潔淨空氣(參照圖2)，係通過潔淨單元41被淨化成為潔淨空氣40而水平吹出至待機室12，於待機室12內呈水平單一方向流動而通過吸入側管部34之吸入口33被吸入吸入側管部34內。

被吸入吸入側管部34內之潔淨空氣40，如圖5所示，通過多數個排出口64利用多數個排氣風扇65之排氣力而被水平強制排出至排出路49。被排出至排出路49的潔淨空氣40，係由多數個排出口61被水平排出至公用盒60內。

待機室12內之潔淨空氣40之水平單一方向流動，係藉由多數個排氣風扇65之排氣力被充分提升，成為大流量、且層流狀態，因此晶舟21上之晶圓1群可以極為有效被冷卻。

而且，排氣風扇65或排出口64及排出口61於上下方向設置多數個，可使潔淨空氣40朝上下方向均勻排出，因此待機室12內之潔淨空氣40之水平單一方向流動，亦可均勻形成於上下方向。因此，晶舟21上之晶圓1群可於上下方向被均等冷卻。

又，既然被排出至公用盒60，潔淨空氣40之流速會下降。因此不會發生打亂熱處理裝置10之周邊之潔淨室環境、捲入微粒之不良情況。另外，萬一公用盒60之密閉性差引起之大量氣體洩漏至潔淨室時，因為係潔淨空氣40而不會對人體有窒息等之不良影響。

和藉由氮氣體30填充待機室12內之情況不同，潔淨空氣40於待機室12內呈水平單一方向流動時，係由排氣風扇65之排出口64及公用盒60之排出口61被水平排出，如此則，晶舟21上之晶圓1群之熱可以盡快被消除。但是，此時若為過度之陽壓，待機室12內之溫度容易上升，難以被除熱之同時，晶圓1有可能被氧化。

相對於此，本實施形態中，藉由排氣風扇65進行潔淨空氣40之強制排氣，可防止待機室12內成為過度陽壓，可事先防止此種弊害之產生。

於吸入側管部34上側之馬達設置室54設置第1氣體 排出路59，可防止熱之滯留於馬達設置室54。

依據上述實施形態，可獲得以下之效果。

(1)由潔淨單元將氮氣體30供給至待機室，由吸入側管部34排出待機室12內之氮氣體30，於吸入側管部34由上方側連接之第1氣體排出路排出吸入側管部34內之氮氣體30，如此則，可使氮氣體30循環於待機室12內，即使待機室12內配置之容易氧化晶圓，亦可確實防止自然氧化膜之產生。

(2)由潔淨單元將新鮮空氣供給至待機室12，由吸入側管部34排出待機室12內之潔淨空氣，開放吸入側管部側方連接之排出路之排出口，藉由該排出路排出吸入側管部34內之潔淨空氣，如此則，於待機室12內可以層流狀態形成潔淨空氣之水平單一方向流動，可防止待機室12內之產生沈澱或滯留。

(3)藉由上述(2)，在即使形成某種程度厚度之自然氧化膜亦不會造成障礙的熱處理中，可抑制乃至防止氮氣體等之使用，可降低營運成本。

(4)藉由上述(1)及(2)，在同一熱處理裝置中，可兼顧氮氣體循環與潔淨空氣之單一方向流動。

(5)於上述(4)，無須增大排氣管部尺寸，可迴避熱處理裝置之佔地面積(foot print)之增加。

(6)藉由排氣風扇或排出口之於上下方向設置多數個，可使潔淨空氣朝上下方向均勻排出，因此，待機室內之潔淨空氣之水平單一方向流動亦可均勻形成於上下方向 。因此，晶舟上之晶圓群可於上下方向被均等冷卻。

(7)於氣體排出部側方連接之第2氣體排出路，設置柵閥用於開/閉第2氣體排出路，藉由柵閥打開第2氣體排出路，可由第2氣體排出路大量排出潔淨空氣，另外，藉由柵閥關閉第2氣體排出路，可使惰性氣體循環，而由第1排出路排出。亦即，可分別設置主要用於排出惰性氣體的第1氣體排出路，及主要用於排出含氧氣體的第2氣體排出路。

(8)於公用盒連設排出路49，如此則，不必要新設排氣管部，可迴避熱處理裝置之佔地面積(foot print)之增加。

以上依據實施形態說明本發明，但本發明不限定於上述實施形態，在不脫離其要旨情況下可做各種變更實施。

例如排氣風扇65及排出口64不限定於各設置3個，可設置1或2或4個以上。

又，排氣風扇等之強制氣體排氣部亦可省略。

圖6為縱長(上下方向為長型)之排出路49周邊部分之柵閥62之開/閉驅動裝置，與排出口61及柵閥62、排出口64及排氣風扇65間之位置之詳細圖。

於圖6，使3個排出口61及柵閥62、2個排出口64及排氣風扇65以分別不同之數目，而且使排出口61及柵閥62、排出口64及排氣風扇65之設置高度偏移，使排出口61及柵閥62以及排出口64及排氣風扇65於上下方向互為不同而加以配置。

另外，用於開/閉柵閥62的開/閉驅動部、亦即汽缸裝置62A，係被設置於多數排出口64之間。藉由汽缸裝置62A之動作，柵閥62可對排出口61、正對垂直方向而平行移動，據以開/閉排出口61。汽缸裝置62A，係於柵閥62之中心被連接，汽缸裝置62A之推力可以均等、容易傳送至柵閥62全區域。

另外，汽缸裝置62A，係藉由控制器70經由通信配線71被控制。

藉由將汽缸裝置62A設置於多數排出口64之間，可使柵閥62之動作圓滑，另外，汽缸裝置62A之設置可以容易。

另外，使排出口61及柵閥62、2個排出口64及排氣風扇65之數目設為不同，使排出口61及柵閥62與排出口64及排氣風扇65間之設置高度偏離，使排出口61及柵閥62以及排出口64及排氣風扇65於上下方向互為不同而加以配置，如此則，於縱長空間之排出路49容易設置柵閥62，可進行其之開/閉。因此，由排出口64排出之潔淨空氣可由柵閥62盡量避開而被排出。

又，不論排出口61及柵閥62以及2個排出口64及排氣風扇65之數目分別各為1個，或2個以上之同數目之任一情況下，使排出口61及柵閥62與排出口64及排氣風扇65間之設置高度偏離，使排出口61及柵閥62以及排出口64及排氣風扇65分別於上下方向互為不同而加以配置亦可。此情況下，空間之有效性及排出效率略差於 上述實施形態。

不限定於潔淨空氣被排氣於公用盒內之構成。

雖以公用盒60僅設於排出路49側方之例作說明，但不限定於此，例如可使公用盒60之上端延伸至排出管50之側方，增高公用盒60之高度。

設置於潔淨單元之過濾器，係用於除去微粒，只要是潔淨化形態均可。較好是設置能除去微粒之形態及除去有機物之形態之雙方。

惰性氣體不限定於使用氮氣體。

第1氣體排出路59及排出路49之運用方法不限定於上述實施形態，可適當選擇。

例如某種程度厚度之自然氧化膜之形成亦不會產生障礙之熱處理工程中，針對晶圓群無須強制冷卻之晶圓搬入步驟(wafer charging step)或熱處理步驟中，氮氣體循環步驟之切換亦可如下：由第1氣體排出路59排出氮氣體，於晶舟載出步驟使用潔淨空氣40而由排出路49加以排出。

在針對晶圓群須強制冷卻之晶舟載出步驟，除氮氣體之流通以外，亦可加入潔淨空氣之流通。

在針對晶圓群無須強制冷卻之晶舟載出步驟，不打開調節器52，而由氮氣體供給管46補給，和由旁通路53及框體11等之間隙而被排出的氮氣體30之流量分相當的氮氣體30之流量亦可。

又，上述實施形態係以批次式縱型熱處理裝置之例作 說明，但不限定於此，例如可適用批次式縱型擴散裝置等之基板處理裝置全部。

於氣體排出部上方側被連接、用於排出該氣體排出路內之氮氣體乃至潔淨空氣的第1氣體排出路，其被設於上方側時可由待機室或氣體排出部上方側優先排出，有助於熱處理裝置之小型化。但是，此事並不妨礙例如將第1氣體排出路設於氣體排出部之下方側。

圖7及圖8為對待機室內之氣體供給序列、氮氣體/潔淨空氣之供給量、調節器57、調節器52、柵閥62之開/閉，對應於待機室內之氧濃度、待機室內之環境溫度、形成待機室的框體上面之溫度、各步驟，而使動作的運用方法之變形例表示用之序列流程圖。

為能於此次之批次(第2批次)之熱處理步驟中，促進前回之批次(第1批次)時產生之熱等之排出，於如圖7所示運用方法中，在第2批次之晶舟搬入步驟後，打開柵閥62及調節器52之同時，關閉調節器57，對待機室12供給潔淨空氣40。

之後，於熱處理步驟途中，關閉柵閥62之同時，打開調節器57，繼續打開調節器52，對待機室12供給800升每分之氮氣體，時待機室12內之氧濃度回復低濃度狀態(約20ppm)。

之後，打開調節器52，繼續供給氮氣體。

但是，於熱處理步驟途中，於例如700℃高溫將晶圓搬出至待機室12時，通過冷卻器48之前回收之環境成為 60℃，冷卻器48通過後之環境成為40℃。

例如流過冷卻器48之冷卻水溫度設為20~25℃進行熱交換時，因為未完全交換之故，於1批次(1回之處理)步驟中，特別是在處理完畢晶圓之晶舟載出步驟中，於形成待機室12之框體11、待機室12內之氮氣體30會儲存熱。

特別是重複數批次(數回之處理)時，在處理完畢晶圓之晶舟載出步驟中，待機室12之內壁、氮氣體30之熱之儲存會增加。如此則，會由設於待機室12附近之纜線、升降器、電裝品等產生有機物，使過濾器產生熱劣化、由過濾器之密閉構件等產生有機物。

為解除此問題，如圖7所示，於第2批次之熱處理步驟中，以多於氮氣體30之氣體供給量的流量供給潔淨空氣40，開放柵閥62由水平方向加以排出。

如此則，即使潔淨空氣40成為大流量，於待機室12亦不會產生沈澱，可排出熱，可迅速冷卻待機室12。

又，潔淨空氣40係和氮氣體30不同，可使用例如潔淨室內之空氣，容易設為大流量，而且可以降低營運成本。

較好是作動排氣風扇65之同時，進行排出。如此則，可由第2氣體排出路、亦即排出路49有效排出潔淨空氣40。

如圖7所示，假設氮氣體30使用時新的氮氣體之流入分為800升每分鐘，流入循環路31的氮氣體之流量約 為20000升每分鐘，相對量有顯著差異。因此相較於循環氮氣體溫度之約40℃，即使新的氮氣體之溫度約為較低之20~25℃，待機室12之循環環境被維持於約40℃。

亦即，由第1批次之晶舟載出步驟至第2批次之熱處理步驟中，僅下降約35℃，又，形成待機室12的框體11之上面板僅下降約60℃。

但是，如圖7所示，於第2批次之熱處理步驟中，以多於氮氣體30之供給量的流量(約20000升每分鐘)供給潔淨空氣40之同時，開放柵閥62由水平方向排出潔淨空氣40。如此則，可於短時間除去框體11儲存之熱，使待機室12之環境下降至室溫。

又，於熱處理步驟中，將潔淨空氣替換為氮氣體，於晶圓不會形成自然氧化膜。

圖8所示第2之變形例，除了圖7所示第1之變形例之閥之動作以外，係可降低各批次之晶圓冷卻步驟之熱擴散的運用方法。

如圖8所示，於晶圓冷卻步驟，控制器70使氮氣體30之供給流量，由400升每分鐘增至800升每分鐘之同時，開放調節器52。

藉由此控制，於第1之變形例之閥之動作前，可將晶舟載出步驟產生之熱、微粒由第1氣體排出路59排出。因此，於第2批次之熱處理步驟中，可於更短時間除去框體11儲存之熱。

又，於第1之變形例及第2之變形例，係說明藉由第 2批次之熱處理步驟之大流量潔淨空氣之供給而對待機室之冷卻，但不限定於此。例如於第3批次以後亦同樣於熱處理步驟中，實施藉由大流量潔淨空氣之供給而對待機室之冷卻亦可。較好是，每隔1批次進行，如此則，效率較好。

以下為較佳實施態樣。

(1)基板處理裝置，係具備：處理室，用於處理基板；基板保持具，用於保持上述基板而搬入上述處理室；待機室，設於上述處理室下方，用於使上述基板保持具待機；氣體供給部，設於上述待機室側方，用於對該待機室供給惰性氣體乃至含氧氣體；氣體排出部，設於和上述氣體供給部呈對向的上述待機室側方，用於自上述待機室進行上述惰性氣體乃至上述含氧氣體之排氣；第1氣體排出路，連接於上述氣體排出部，用於排出該氣體排出部內的上述惰性氣體乃至上述含氧氣體；第2氣體排出路，於上述氣體排出部側方被連接，用於排出該氣體排出部內的上述含氧氣體；及柵閥，用於開/閉該第2氣體排出路。

(2)於上述(1)之基板處理裝置中，於上述第2氣體排出路具備多數強制氣體排氣部用於排出氣體，於該多數強制氣體排氣部間設置上述柵閥之開/閉驅動部。

(3)於上述(1)之基板處理裝置中，具備氣體供給路，其被設於上述氣體供給部之上流側，用於供給上述惰性氣體乃至上述含氧氣體。

(4)於上述(1)之基板處理裝置中，具備用於控制上述柵閥的控制器，該控制器，在上述惰性氣體由第1氣體供給路被供給至上述待機室時，係藉由上述柵閥關閉上述第2氣體排出路，在上述含氧氣體由第2氣體供給路被供給至上述待機室時，係藉由上述柵閥開放上述第2氣體排出路，而加以控制。

(5)於上述(4)之基板處理裝置中，上述控制器，係以相較於由上述第1氣體供給路被供給至上述待機室的惰性氣體之供給量，使由上述第2氣體供給路被供給至上述待機室的含氧氣體之供給量變為較多的方式，加以控制。

(6)於上述(1)之基板處理裝置中，於上述第2氣體排出路之上下方向設置多數排出口，以可以分別開/閉該多數排出口的方式，於上下方向設置多數個上述柵閥。

(7)於上述(6)之基板處理裝置中，上述強制氣體排氣部，係在和上述柵閥互為不同位置，於上下方向被設置多數個。

(8)於上述(2)之基板處理裝置中， 具備用於控制上述強制氣體排氣部與上述柵閥的控制器，該控制器，在上述惰性氣體由第1氣體供給路被供給至上述待機室時，係藉由上述柵閥關閉上述第2氣體排出路，在上述含氧氣體由第2氣體供給路被供給至上述待機室時，係作動上述強制氣體排氣部之同時，藉由上述柵閥開放上述第2氣體排出路，而加以控制。

(9)於上述(1)之基板處理裝置中，上述第1氣體排出路，係在上述氣體排出部之上方側被連接。

(10)基板處理裝置，係具備：處理室，用於處理基板；基板保持具，用於保持上述基板而搬入上述處理室；待機室，用於使上述基板保持具待機；氣體供給部，設於上述待機室側方，用於對該待機室供給至少含氧氣體；氣體排出部，設於和上述氣體供給部呈對向的上述待機室側方，用於自上述待機室進行至少上述含氧氣體之排氣；氣體排出路，於上述氣體排出部側方被連接，用於排出該氣體排出部內的上述含氧氣體；及柵閥，用於開/閉該氣體排出路。

(11)於上述(10)之基板處理裝置中，於上述氣體排出路具備多數強制氣體排氣部用於排出 氣體，於該多數強制氣體排氣部間設置上述柵閥之開/閉驅動部。

(12)半導體裝置之製造方法，係使用上述(1)之基板處理裝置的半導體裝置之製造方法，至少具備以下步驟：以上述基板保持具保持上述基板之同時，於上述處理室進行處理的步驟；保持處理完成之基板之同時，使上述基板保持具由上述處理室搬出至上述待機室的步驟；及由上述氣體供給部將含氧氣體供給至上述待機室之同時，經由上述氣體排出部，開放上述柵閥，由上述第2氣體排出路排出上述待機室之上述含氧氣體的步驟。

(13)於上述(12)之半導體裝置之製造方法中，排出上述含氧氣體的步驟，係在搬出上述基板的步驟內之一定期間內。

(14)半導體裝置之製造方法，係使用上述(10)之基板處理裝置的半導體裝置之製造方法，至少具備以下步驟：以上述基板保持具保持上述基板之同時，於上述處理室進行處理的步驟；保持處理完成之基板之同時，使上述基板保持具由上述處理室搬出至上述待機室的步驟；及由上述氣體供給部將含氧氣體供給至上述待機室之同時，經由上述氣體排出部，開放上述柵閥，由上述第2氣 體排出路排出上述待機室之上述含氧氣體的步驟。

(15)於上述(14)之半導體裝置之製造方法中，排出上述含氧氣體的步驟，係在搬出上述基板的步驟內之一定期間內。

(16)半導體裝置之製造方法，係至少具備以下步驟：以基板保持具保持基板之同時，於處理室進行處理的步驟；保持處理完成之基板之同時，使上述基板保持具由上述處理室搬出至上述待機室的步驟；及在搬出上述基板保持具的步驟內之一定期間，由設於上述待機室側方之氣體供給部將含氧氣體供給至該待機室之同時，經由設於和上述氣體供給部呈對向的上述待機室側方之氣體排出部，由藉由柵閥被開放的上述氣體排出部之側方所連接之氣體排出路，排出上述待機室之上述含氧氣體的步驟。

(17)半導體裝置之製造方法，係具備以下步驟：由設於待機室側方之氣體供給部將惰性氣體乃至含氧氣體供給至該待機室的步驟；使保持基板之基板保持具搬入處理室之前待於待機室的步驟；在上述待機步驟內之至少一定期間，經由和上述氣體供給部呈對向的上述待機室側方被設置之氣體排出部，排出上述待機室之上述惰性氣體乃至上述含氧氣體的步驟； 由連接於上述氣體排出部的第1氣體排出路，排出上述氣體排出部內的上述惰性氣體乃至上述含氧氣體的步驟；藉由柵閥打開上述氣體排出部側方被連接的第2氣體排出路，而排出該氣體排出部內的上述含氧氣體的步驟；藉由上述柵閥關閉上述第2氣體排出路的步驟；使保持上述基板之基板保持具由上述待機室搬入至上述處理室的步驟；及使上述基板於上述處理室被處理的步驟。

(發明效果)

於上述手段中，由氣體供給部對待機室供給惰性氣體，由設於待機室之面對氣體供給部之側方的氣體排出部進行待機室內之惰性氣體之排氣，由氣體排出部連接之第1氣體排出路排出第1氣體排出部內的惰性氣體，如此則可使惰性氣體循環於待機室內。

另外，由氣體供給部對待機室供給含氧氣體，由設於待機室之面對氣體供給部之側方的氣體排出部進行待機室內之含氧氣體之排氣，藉由柵閥打開氣體排出部側方所連接之第2氣體排出路，由氣體排出部側方所連接之第2氣體排出路排出氣體排出部內的含氧氣體，如此則可使含氧氣體之單一方向之流動形成於待機室內。

1‧‧‧晶圓(基板)

2‧‧‧晶圓搬運盒(晶圓搬送治具)

3‧‧‧蓋部

10‧‧‧熱處理裝置(基板處理裝置)

11‧‧‧框體

12‧‧‧待機室

13‧‧‧安裝板

14‧‧‧晶圓搬出入口

15‧‧‧晶圓搬運盒開/閉器

16‧‧‧維修口

17‧‧‧維修門

18‧‧‧升降器

18a‧‧‧前進螺旋軸

18b‧‧‧馬達(驅動裝置)

18c‧‧‧升降台

18d‧‧‧臂部

18A‧‧‧晶圓移載裝置

19‧‧‧晶舟升降器

19a‧‧‧前進螺旋軸

19b‧‧‧馬達(驅動裝置)

19c‧‧‧升降台

19d‧‧‧臂部

20‧‧‧密封蓋部

21‧‧‧晶舟(基板保持台)

22‧‧‧加熱單元

23‧‧‧外管

24‧‧‧內管

25‧‧‧處理室

26‧‧‧歧管

27‧‧‧開/閉器

28‧‧‧排氣管

29‧‧‧氣體供給管

30‧‧‧氮氣體

31‧‧‧循環路

32‧‧‧循環管

33‧‧‧吸入口

34‧‧‧吸入側管部

35‧‧‧主連結管部

36‧‧‧吸入口

37‧‧‧副連結管部

38‧‧‧吹出口

39‧‧‧吹出側管部

40‧‧‧潔淨空氣(含氧氣體)

41‧‧‧潔淨單元(氣體供給手段)

42‧‧‧過濾器

43‧‧‧送風機

44‧‧‧新鮮空氣供給管(潔淨空氣供給路)

45‧‧‧調節器

46‧‧‧氮氣體供給管(惰性氣體供給路)

47‧‧‧調節器

48‧‧‧冷卻器

49‧‧‧排出路(第2氣體排出路)

50‧‧‧排出管

51‧‧‧主排出路

52‧‧‧調節器

53‧‧‧旁通路

54‧‧‧馬達設置室

55‧‧‧間隔壁

56‧‧‧連通口

57‧‧‧調節器

58‧‧‧排出口

59‧‧‧第1氣體排出路

60‧‧‧公用盒

61‧‧‧排出口

62‧‧‧柵閥(開/閉手段)

62A‧‧‧汽缸裝置

63‧‧‧間隔壁

64‧‧‧排出口

65‧‧‧排氣風扇

67‧‧‧隔開板

70‧‧‧控制器(控制手段)

71‧‧‧通信配線

圖1為本發明之一實施形態之熱處理裝置之側面斷面圖。

圖2為一部分切斷之正面圖。

圖3為待機室之平面斷面圖。

圖4為沿圖3之IV－IV線之側面斷面圖。

圖5為使潔淨空氣之單一方向流動形成於待機室內的步驟之表示用之和圖4相當之側面斷面圖。

圖6為排出路周邊部分之詳細側面斷面圖。

圖7為閥運用方法之第1變形例表示用之序列流程圖。

圖8為閥運用方法之第2變形例表示用之序列流程圖。

1‧‧‧晶圓(基板)

2‧‧‧晶圓搬運盒(晶圓搬送治具)

10‧‧‧熱處理裝置(基板處理裝置)

11‧‧‧框體

12‧‧‧待機室

13‧‧‧安裝板

14‧‧‧晶圓搬出入口

15‧‧‧晶圓搬運盒開/閉器

16‧‧‧維修口

17‧‧‧維修門

18‧‧‧升降器

18A‧‧‧晶圓移載裝置

18d‧‧‧臂部

19‧‧‧晶舟升降器

19a‧‧‧前進螺旋軸

20‧‧‧密封蓋部

21‧‧‧晶舟(基板保持台)

30‧‧‧氮氣體

33‧‧‧吸入口

34‧‧‧吸入側管部

35‧‧‧主連結管部

37‧‧‧副連結管部

38‧‧‧吹出口

39‧‧‧吹出側管部

41‧‧‧潔淨單元(氣體供給手段)

42‧‧‧過濾器

43‧‧‧送風機

49‧‧‧排出路(第2氣體排出路)

60‧‧‧公用盒

61‧‧‧排出口

62‧‧‧柵閥(開/閉手段)

63‧‧‧間隔壁

64‧‧‧排出口

65‧‧‧排氣風扇

Claims (15)

1. 一種基板處理裝置，係具備：處理室，用於處理基板；基板保持具，用於保持上述基板而搬入上述處理室；待機室，設於上述處理室下方，用於使上述基板保持具待機；氣體供給部，設於上述待機室側方，用於對該待機室供給惰性氣體或含氧氣體；氣體排出部，設於和上述氣體供給部呈對向的上述待機室側方，用於自上述待機室進行上述惰性氣體或上述含氧氣體之排氣；第1氣體排出路，連接於上述氣體排出部，用於排出該氣體排出部內的上述惰性氣體或上述含氧氣體；第2氣體排出路，於上述氣體排出部側方介由間隔壁被設置；複數個排出口，係於上述間隔壁，配置於上下方向而被開設；複數個排氣風扇，分別配置於上述複數個排出口，用於排出上述氣體排出部內之上述含氧氣體，而將單方向流供給至上述待機室；及柵閥，用於開/閉上述第2氣體排出路。
2. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中， 於上述複數排出口間設置上述柵閥之開/閉驅動部。
3. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，具備氣體供給路，其設於上述氣體供給部之上流側，用於供給上述惰性氣體或上述含氧氣體。
4. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，具備用於控制上述柵閥的控制器，該控制器，在上述惰性氣體由第1氣體供給路被供給至上述待機室時，係藉由上述柵閥關閉上述第2氣體排出路，在上述含氧氣體由第2氣體供給路被供給至上述待機室時，係藉由上述柵閥開放上述第2氣體排出路，而加以控制。
5. 如申請專利範圍第4項之基板處理裝置，其中，上述控制器，係以相較於由上述第1氣體供給路被供給至上述待機室的惰性氣體之供給量，使由上述第2氣體供給路被供給至上述待機室的上述含氧氣體之供給量變為較多的方式，加以控制。
6. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，於上述第2氣體排出路之上下方向設置多數排出口，以可以分別開/閉該多數排出口的方式，於上下方向設置多數個上述柵閥。
7. 如申請專利範圍第6項之基板處理裝置，其中，上述複數個排氣風扇，係在和上述柵閥互為不同位置，於上下方向被設置多數個。
8. 如申請專利範圍第2項之基板處理裝置，其中，具備用於控制上述複數個排氣風扇與上述柵閥的控制器，該控制器，在上述惰性氣體由第1氣體供給路被供給至上述待機室時，係藉由上述柵閥關閉上述第2氣體排出路，在上述含氧氣體由第2氣體供給路被供給至上述待機室時，係作動上述複數個排氣風扇之同時，藉由上述柵閥開放上述第2氣體排出路，而加以控制。
9. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，上述第1氣體排出路，係在上述氣體排出部之上方側被連接。
10. 一種基板處理裝置，係具備：處理室，用於處理基板；基板保持具，用於保持上述基板而搬入上述處理室；待機室，用於使上述基板保持具待機；氣體供給部，設於上述待機室側方，用於對該待機室供給至少含氧氣體；氣體排出部，設於和上述氣體供給部呈對向的上述待機室側方，用於自上述待機室進行至少上述含氧氣體之排氣；氣體排出路，係於上述氣體排出部側方介由間隔壁被設置；複數個排出口，係於上述間隔壁，配置於上下方向而被開設； 複數個排氣風扇，係分別配置於上述複數個排出口，用於排出上述氣體排出部內之上述含氧氣體而將單方向流供給至上述待機室；及柵閥，用於開/閉上述氣體排出路。
11. 如申請專利範圍第10項之基板處理裝置，其中，於上述複數個排出口間設置上述柵閥之開/閉驅動部。
12. 一種半導體裝置之製造方法，係使用申請專利範圍第1項之基板處理裝置的半導體裝置之製造方法，至少具備以下步驟：以上述基板保持具保持上述基板之同時，於上述處理室進行處理的步驟；保持處理完成之基板之同時，使上述基板保持具由上述處理室搬出至上述待機室的步驟；及由上述氣體供給部將含氧氣體供給至上述待機室之同時，經由上述氣體排出部，開放上述柵閥，由上述第2氣體排出路排出上述待機室之上述含氧氣體的步驟。
13. 如申請專利範圍第12項之半導體裝置之製造方法，其中，排出上述含氧氣體的步驟，係在搬出上述基板的步驟內之一定期間內。
14. 一種半導體裝置之製造方法，係使用申請專利範圍第10項之基板處理裝置的半導體裝置之製造方法，至 少具備以下步驟：以上述基板保持具保持上述基板之同時，於上述處理室進行處理的步驟；保持處理完成之基板之同時，使上述基板保持具由上述處理室搬出至上述待機室的步驟；及由上述氣體供給部將含氧氣體供給至上述待機室之同時，經由上述氣體排出部，開放上述柵閥，由上述第2氣體排出路排出上述待機室之上述含氧氣體的步驟。
15. 如申請專利範圍第14項之半導體裝置之製造方法，其中，排出上述含氧氣體的步驟，係在搬出上述基板的步驟內之一定期間內。