TWI409579B - 光罩之製造方法、描繪裝置、光罩之檢查方法及光罩之檢查裝置 - Google Patents

光罩之製造方法、描繪裝置、光罩之檢查方法及光罩之檢查裝置 Download PDF

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Description

光罩之製造方法、描繪裝置、光罩之檢查方法及光罩之檢查裝置
本發明係關於LSI或液晶顯示裝置(Liquid Crystal Display，以下稱LCD)等製造上所使用之光罩之製造方法、描繪裝置、光罩之檢查方法及光罩之檢查裝置。
薄膜電晶體液晶顯示裝置(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，以下稱TFT-LCD)，與CRT(陰極射線管)比較，因易薄型化且消耗電力較低之優點，目前其被商品化、朝大型化急速進展。TFT-LCD，具有於排列成矩陣狀之各像素排列TFT之構造之TFT基板，與對應於各像素排列紅、綠及藍之像素圖案之彩色濾光片，介隔以液晶相而重疊之概略構造。
TFT-LCD之製造中，與LSI之製造相同，利用投影曝光技術之微影步驟係必須的。進行該投影曝光時作為遮罩所使用之光罩，係於透明基板上形成薄膜，經過圖案化，而形成包含透光部與遮光部之曝光用轉印圖案者(亦有進而包含半透光部之情形)。該轉印圖案，相對設計之特定座標，各個圖案有必要正確地成為特定位置關係。該位置關係之正確性與圖案之更細微化、高解析度化成比例，被要求有較高度的正確性。
該轉印圖案通常於透光性基板表面形成有遮光膜、及/或半透光膜(以下簡稱薄膜)之空白光罩上，形成抗蝕膜，成為附有抗蝕膜之空白光罩，於該抗蝕膜以雷射或電子束等能量射束描繪轉印圖案後，利用顯影後之抗蝕圖案藉由蝕刻而形成。該描繪步驟中，將附有抗蝕膜之空白光罩保持於台座，將待描繪之圖案作為設計描繪資料儲存於電腦，基於該設計描繪資料控制描繪光照射位置及/或台座之位置而進行描繪。
此處，考慮有必要使藉由該描繪而曝光、利用抗蝕劑之顯影、薄膜之蝕刻而實際形成於光罩之轉印圖案，及光罩使用者所指定之於設計描繪資料所示之轉印圖案正確一致。又，使用該光罩於被轉印體(液晶面板等裝置)上轉印之圖案，必須滿足光罩使用者所要求之規格。使用不滿足該條件之光罩進行圖案轉印時，將製造出大量之不良裝置。
例如，日本特開平7-273160號公報(專利文獻1)中，記載有評估光罩圖案之方法，其係針對製造之光罩，調查實際形成之轉印圖案，及設計描繪資料所示之轉印圖案是否以特定以上之精度一致。
另，日本特表2007-512551號公報(專利文獻2)中，係記載一種在曝光裝置中使用之表面寫入圖案之方法，其將厚度為T之空白光罩配置於描繪機(描繪裝置)之台座上，將表面分割成多數測定點，測定各測定點中表面之斜度，計算各點之X-Y平面內二維局部偏移d，使用該二維局部偏移d修正圖案。
根據專利文獻1，雖的確可進行圖案之評估，但形成於光罩之轉印圖案藉由曝光轉印於被轉印體時，無法使其座標精度提高。
另，專利文獻2中，其曝光系統等雖係以與寫入圖案時產生之所有物理性變形無關之方式將圖案寫入對象物之方法，但未考慮及區別與描繪步驟或曝光步驟不同之步驟中之對象物之物理變形之要因之差異，因此以專利文獻2之方法，形成具有相對設計描繪資料有充分精度之圖案之光罩有其困難。
此處，所謂「設計描繪資料」，即反映企圖獲得之裝置之圖案形狀之設計上的圖案資料。
本發明係以提供一種光罩之製造方法、檢查方法及裝置為目的，可在LSI或LCD等電子裝置之製造中，更高精度地製造TFT等電子裝置之圖案。
通常，載置於描繪機之狀態之空白光罩膜面，乃非理想之平面形狀，會因各種要因而變形。再者，配置空白光罩於描繪機時之變形要因，與曝光完成之光罩時之變形要因不同。即，對從如前述般之理想的平面變形之膜面進行描繪，若形成之光罩圖案面在曝光時變為與描繪時不同之形狀，則會發生由設計描繪資料所決定之期望的圖案，無法正確轉印於被轉印體上之情事。
本發明者等詳細分析配置於描繪機之台座上時之空白光罩表面形狀之變形要因，明確其變形要因中在曝光裝置中使用光罩時，殘存之變形要因與未殘存之變形要因。又，考慮僅就於曝光時消失之要因所引起之座標偏差，修正設計描繪資料而得到描繪資料。
於附有光阻劑之空白光罩上利用描繪機描繪圖案時，空白光罩於描繪機之台座上係使膜面朝上配置。此時，成為空白光罩膜面之表面形狀自理想平坦面變形之要因，可考慮有：(1)台座之不充分的平面度，(2)因台座上之異物夾雜入而造成基板的撓曲，(3)空白光罩之基板表面的凹凸，(4)起因於該基板之背面凹凸之變形等4個要因。即，該狀態下空白光罩之表面形狀之變形，係前述4個要因累積而成者。然後，對該狀態之空白光罩進行描繪。
另一方面，在曝光裝置使用光罩時，藉由使其膜面向下只支撐端部而固定。將形成抗蝕膜之被轉印體配置於光罩之下，自光罩之上照射曝光用光。該狀態下，前述4個變形要因中，(1)台座之不充分的平面度，及(2)因台座上之異物夾雜入所導致之基板的撓曲消失。另，(4)基板背面之凹凸在該狀態下雖會殘留，但未形成圖案之背面之表面形狀，對於表面(圖案形成面)之轉印無影響。另一方面，(3)空白光罩之基板表面之凹凸，在曝光裝置中使用光罩時亦是殘留之變形要因。再者，將光罩設置於曝光機時，支撐端部時因光罩重量產生撓曲，針對該撓曲成份，可利用搭載於各曝光機之補償方法，一般相信不會對轉印性帶來不良影響。
據此，前述例中，測定膜面向上地配置於描繪機之台座上之狀態下空白光罩上面側之表面形狀，針對其表面形狀中，前述(1)、(2)、(4)成為要因之自表面形狀之理想平面之變化部分，修正設計描繪資料，作為描繪資料，而另一方面(3)成為要因之表面形狀變化部分，若未反映於前述修正，則將得到具有更正確之座標設計資料之轉印性能之光罩。
再者，進行前述表面形狀之測定時，係自成為光罩時被剝離之抗蝕膜上測定，但因為相對於基於(1)~(4)之變形要因對座標精度所造成之影響之變形，抗蝕膜之膜厚極小(通常800~1000nm左右)，其變動更小，因此即使自抗蝕膜之表面測定亦不會產生障礙。
即，本發明之光罩之製造方法係包含描繪步驟者，前述描繪步驟係於含有透明基板、前述透明基板上之薄膜與該薄膜上之光阻膜之空白光罩上，利用描繪機按特定的描繪資料照射能量射束，而描繪特定的轉印圖案者；且，藉由計算前述描繪步驟中之前述空白光罩之膜面側之形狀、與對前述光罩進行曝光時之前述空白光罩之膜面側之形狀之形狀變化部分，基於計算出之形狀變化部分，修正用於前述特定的轉印圖案之設計描繪資料，而得到前述特定的描繪資料。
再者，此處所言之形狀變化部分，亦可不包含將光罩設置於曝光機時所產生之因光罩自重所致之撓曲成份。其原因為，對於因該撓曲所致之圖案之座標偏差的補償，係利用搭載於曝光裝置之方法進行，因此在求得描繪資料時可不考慮。
再者，本發明之光罩之製造方法係包含描繪步驟者，前述描繪步驟係於含有透明基板、前述透明基板上之薄膜與該薄膜上之光阻膜之空白光罩上，利用描繪機按特定的描繪資料照射能量射束，而描繪特定的轉印圖案者；且，藉由使用：將前述空白光罩以其具有前述薄膜之面為上側載置於描繪機之台座之狀態下，測定前述空白光罩之上側之面之高度分佈而得之空白面高度分佈資料，及預先取得之前述空白光罩之膜面形狀資料，修正用於前述特定的轉印圖案之設計描繪資料，藉此得到前述特定的描繪資料。
另，本發明之光罩之製造方法包括：準備含有透明基板、前述透明基板上之薄膜與前述薄膜上之光阻膜之空白光罩之步驟；將前述空白光罩以其具有前述薄膜之面為上側載置於台座之步驟；藉由測定前述台座上之前述空白光罩上側之面之高度分佈，而獲得空白面高度分佈資料之步驟；藉由使用預先取得之前述空白光罩之膜面形狀資料與前述空白面高度分佈資料，修正用於特定的轉印圖案之設計描繪資料，而獲得特定的描繪資料之步驟；及藉由對前述光阻膜，按前述特定的描繪資料照射能量射束，而描繪前述特定的轉印圖案之步驟。
上述本發明之光罩之製造方法中，前述設計描繪資料之修正，較佳包含求得前述空白面高度分佈資料與前述膜面形狀資料之差分。例如，可含有自前述空白面高度分佈資料減去前述膜面形狀資料之步驟。另，前述本發明之光罩之製造方法中，前述設計描繪資料之修正時，可使用求取前述空白面高度分佈資料與前述膜面形狀資料之差分而得之差分資料，基於在前述空白光罩表面上之複數位置中之前述空白光罩之高度方向之斜度與前述空白光罩之厚度，轉換前述設計描繪資料之座標值而進行。或者，亦可使用求取前述空白面高度分佈資料與前述膜面形狀資料之差分而得之差分資料，基於在前述空白光罩表面上之複數位置中之前述空白光罩之高度方向之斜度與前述空白光罩之厚度，修正描繪機之描繪座標系統而進行。即，本發明中，所謂「設計描繪資料之修正」，不僅包含修正設計描繪資料本身之情形，亦包含描繪時藉由修正描繪機所具有之描繪座標系統，得到相同效果之情形。
另，可進而包含將描繪所描繪之前述轉印圖案而得之抗蝕圖案作為遮罩，蝕刻前述薄膜之步驟。
另，本發明之描繪裝置，係於表面形成光阻膜之空白光罩上描繪特定的轉印圖案者，且包括：高度測定機構，其係藉由測定使前述光阻膜朝上而配置於台座上之前述空白光罩的表面之高度分佈，而獲得空白面高度分佈資料者；運算機構，其係藉由使用預先取得之前述空白光罩之膜面形狀資料與前述空白面高度分佈資料，修正用於前述特定的轉印圖案之設計描繪資料，而獲得特定的描繪資料者；及描繪機構，其係對前述光阻膜，按前述特定的描繪資料照射能量射束者。此處，所謂設計描繪資料之修正，同前所述，除修正設計描繪資料本身之情形外，亦包含使用該設計描繪資料進行描繪時修正描繪座標系統之情形。具有如此修正描繪座標系統之機構(運算機構)之描繪裝置更佳。
另，本發明之光罩之檢查方法，係檢查於透明基板上包括含有薄膜之轉印圖案之光罩者，且包括：將前述光罩以其具有前述轉印圖案之面為上側載置於台座之步驟；藉由測定前述台座上之前述光罩上側之面之高度分佈，而獲得遮罩面高度分佈資料之步驟；測定前述台座上之前述光罩之前述轉印圖案之形狀，而獲得圖案測長資料之步驟；及使用預先取得之前述光罩之膜面形狀資料與前述遮罩面高度分佈資料，而修正前述圖案測長資料或用於前述轉印圖案之設計描繪資料之步驟。
例如，可包括使用預先取得之前述光罩之膜面形狀資料與前述遮罩面高度分佈資料，修正前述圖案測長資料，比較修正後之前述圖案測長資料與前述設計描繪資料之步驟。或，可具有使用預先取得之前述光罩之膜面形狀資料與前述遮罩面高度分佈資料，修正前述設計描繪資料，比較修正後之前述設計描繪資料與前述圖案測長資料之步驟。作為此時所使用之前述膜面形狀資料，可使用前述光罩部之膜面形狀資料使之近似。
再者，本發明之光罩之檢查裝置，係檢查於透明基板上包括含有薄膜形成之轉印圖案之光罩者，且可包括：高度測定機構，其係藉由測定使前述轉印圖案朝上而配置於台座上之前述光罩表面之高度分佈，而獲得遮罩面高度分佈資料者；測長機構，其係測定前述台座上之前述光罩之轉印圖案之形狀，而獲得圖案測長資料者；及運算機構，其係使用預先取得之前述光罩之膜面形狀資料與前述遮罩面高度分佈資料，而修正前述圖案測長資料或用於前述轉印圖案之設計描繪資料者。
例如，包含一種光罩之檢查裝置，其包括：運算機構，其係使用預先取得之前述光罩之膜面形狀資料與前述遮罩面高度分佈資料，而修正前述圖案測長資料者；及比較機構，其係比較修正後之前述圖案測長資料與前述設計描繪資料者。
再者，包含一種光罩之檢查裝置，其包括：運算機構，其係使用預先取得之前述膜面形狀資料與前述遮罩面高度分佈資料，而修正前述設計描繪資料者；及比較機構，其係比較前述修正後之設計描繪資料與前述圖案測長資料者。
本發明之光罩之製造方法，係測定配置於描繪機之台座上之狀態下之空白光罩之膜面側之表面形狀，自其表面形狀之理想平面之變形要因中，於該空白光罩成為形成圖案之光罩且設置於曝光裝置之狀態下，就前述表面形狀變化之變化部分，修正設計描繪資料。具體言之，自描繪時膜面形狀之理想平面之變形要因中，區別曝光時亦殘留之部分(膜面之凹凸)與曝光時消失之部分(因異物所造成之基板之撓曲等)，就相當於曝光時消失部分之座標偏差，修正設計描繪資料，得到特定的描繪資料。據此，使用遮罩時，轉印於被轉印體上之轉印圖案，將正確地反應欲得之裝置圖案之設計描繪資料。
再者，該光罩檢查步驟中，亦相對於載置於檢查機之台座上之狀態下所得之測長資料，針對因異物所造成之基板之撓曲等、相當於曝光時消失之變形部分之座標偏差，修正測長資料或設計描繪資料，與設計描繪資料比較，評估遮罩。據此，可正確評估形成於遮罩之圖案的良否。
以下，使用圖、實施例等說明本發明之實施形態。並且，該等圖、實施例等及說明，係例示本發明者，並非限制本發明之範圍。當然合乎本發明主旨範圍之其他實施形態，亦屬於本發明之範疇。
圖1係本發明之實施形態之光罩製造方法所使用之描繪裝置之概念圖。該描繪裝置，至少具有台座10、描繪機構11、高度測定機構12及描繪資料作成機構15(運算機構)。於台座10上固定有空白光罩13。空白光罩於單面形成至少包含遮光膜之薄膜14，使形成薄膜14之面向上配置。描繪機構11，例如照射雷射，描繪步驟中，係用以描繪特定的轉印圖案於固定於台座10之附有光阻膜之空白光罩13者。
高度測定機構12，例如藉由空氣墊等，自空白光罩13之表面隔開一定距離配置。高度測定機構12，對應因空白光罩13之表面形狀之高度的變化，高度成為上下動之機構，可測定空白光罩13之表面高度(Z方向)之變化。
再者，作為測定表面高度之方法，除前述外，亦可使用用以將與高度測定機構12相同之構件維持於一定位置之空氣流量進行測定之方法，或藉由間隙間之靜電容量、利用雷射之脈衝計數、光學上聚焦者等。
描繪資料作成機構15，係對應空白光罩13之描繪步驟中膜面側之形狀，與藉由該空白光罩13製作光罩時之曝光時膜面側之形狀之形狀變化，修正特定應描繪之轉印圖案形狀之設計描繪資料，作成描繪資料。例如，描繪作成機構15，基於顯示空白光罩13之自膜面形狀資料高度測定機構12之空白光罩13之表面形狀高度變化之資料，與預先取得之空白光罩13之膜面形狀資料，修正設計描繪資料，作成用以以描繪機構11描繪之描繪資料。
再者，同前述，該描繪資料之修正，不僅在作成修正之描繪資料時，當然亦可對描繪機具有之描繪座標系統，進行反映前述資料之修正。
描繪機構11及高度測定機構12，都藉由保持在於x方向及y方向移動於台座10上之機構，可在與台座平行之面內移動(無圖示)。取代此，亦可具備固定描繪機構11及高度測定機構12，使台座10於x方向及y方向平行移動之機構，或亦可具備使描繪機構等與台座中之一方於x方向，另一方於y方向移動，藉由相對移動使描繪機構等移動至台座上之期望的位置之機構。
圖2係描繪裝置之台座10上之空白光罩13之剖面放大圖。例如為與y軸垂直之面之剖面(與x軸平行之面)。省略薄膜14。配置於台座10上之空白光罩13之表面20之形狀，因同前述之複數之要因而從理想平面變形。
以下，使用圖2藉由高度測定機構12，說明測定台座10上之空白光罩13表面形狀之變形之方法。以無變形之理想平面情形下之空白光罩13之表面為基準表面21。特定的測定點22中，藉由高度測定機構12測定高度，以特定的間隔Pitch重複其測定。將藉由高度測定機構12測定之高度與基準表面21之差分作為空白面高度分佈資料。
空白面高度分佈資料與0之測定點(即高度與基準表面21一致之測定點)鄰接之測定點中之空白面高度分佈資料為H時，藉由該高度之差異，空白光罩13之表面20與基準表面21所成之角度Φ，Φ充分小時，以下式表示：
sinΦ=H/Pitch‧‧‧　(式1)
並且，前述中，H/Pitch亦可考慮空白光罩表面之高度方向之斜度。
再者，若Φ之值充分小，亦可近似為：
Φ=H/Pitch‧‧‧　(式1')
以下之說明中使用(式1)。
前述情形中，起因於該高度差異之測定點之x軸方向之偏差d，一般可以下式求得：
d=sinΦxt/2=Hx(t/2Pitch)‧‧‧　(式2)
再者，前述中，若Φ充分小，則亦可近似為：
d=Φxt/2=Hx(t/2Pitch)‧‧‧　(式2')。
再者，此處t為空白光罩之厚度。
將前述測定在空白光罩13上之x方向、y方向，以特定間隔Pitch進行，藉此可測定因各測定點之表面形狀變化所引起之測定點之偏差。
根據以上測定所得之結果中，如前述，認為包含(1)台座10不充分的平面度，(2)因台座10上之異物夾入所造成之基板的撓曲，(3)空白光罩13之基板表面的凹凸，(4)空白光罩13之基板背面凹凸之4個空白光罩表面形狀之自理想平面之變形要因所造成之高度變化。
另一方面，於空白光罩轉印特定的轉印圖案所製作之光罩的曝光裝置之使用例，以圖3表示。圖3係曝光裝置之概念圖。光罩30，以支撐體31支撐兩端，膜面32向下設置。被轉印體33配置於光罩30之下。來自光源34之曝光用光從光罩30之上照射，經由光罩30照射於被轉印體。
再者，實際支撐於曝光裝置內之光罩，因其自身重量而撓曲。但因該撓曲之圖案座標偏差之補償機構搭載於曝光裝置。
該狀態中，如前述，前述4個變形要因中，由於只殘留(3)空白光罩13之基板表面(膜面32)之凹凸，(1)、(2)及(4)消失，因此不會影響圖案形成，據此，描繪時與曝光時之膜面(圖案形成面)之形狀變化，成為前述(1)、(2)、(4)之合計，起因與此之圖案座標偏差亦成為反應該變化部分者。因此，描繪轉印圖案時，除去前述4個變形要因之偏差中起因於(3)之偏差，只有起因於(1)、(2)及(4)之偏差部分，有必要修正轉印圖案之設計描繪資料。
本發明中，預先取得關於(3)空白光罩之基板表面凹凸之資料(空白光罩膜面之平面度資料)較有效。該資料，可藉由將空白光罩垂直地豎立，在排除因基板重量而撓曲之狀態下，測定空白光罩之表面形狀而求得。測定可以一般的光學測定方法進行。以該測定所求得之測定點之高度變動(高度實測值與基準表面之差分)作為膜面形狀資料。若膜面形狀資料為H1 ，則起因於(1)、(2)及(4)之高度變動為H-H1 ，根據式(2)，起因於(1)、(2)及(4)之偏差，可以下式求得。
d1 =(H-H1 )×t/2Pitch‧‧‧　(式3)
描繪資料作成機構15中，使用前述d1 修正轉印圖案之設計描繪資料，作成描繪資料。基於該描繪資料使用描繪機構11，於空白光罩13上之光阻膜描繪轉印圖案，進行顯影等處理，因而可於空白光罩13上之光阻膜轉印特定的轉印圖案。以該光阻膜作為遮罩，蝕刻薄膜14，因而可得到光罩。
(實施例)
以下，就本發明之實施例進行說明。
準備厚度13mm，大小1220mm×1400mm之玻璃基板，於該基板上，以1250膜厚形成以Cr為主成份的遮光膜，製作空白光罩。
前述玻璃基板，係於垂直豎立狀態下藉由通常的光學測定，以特定的間隔測定遮光膜形成面側之表面形狀，得到各測定點之膜面形狀資料H1 者。遮光膜係藉由濺鍍法成膜，於Cr膜表面部分形成具有抗反射機能之CrO者。
再者，亦可將前述空白光罩之膜面側之表面形狀如前述地測定。
接著，將藉由毛細管塗布機於遮光膜上塗布膜厚800nm之正型光阻膜之空白光罩，於圖1所示之描繪裝置，以使形成遮光膜之面向上地配置。藉由該描繪裝置所具有之高度測定機構12，以特定間隔進行高度變動之測定，得到各測定點之空白面高度分佈資料H。測定點以與垂直豎立進行之表面形狀測定相同之點進行。
求得各測定點之高度變動差分H-H1 ，以三維圖表表示其分佈之圖如圖4所示。
圖4中，橫向係空白光罩表面之x軸方向，縱向係y軸方向，深度係空白光罩之厚度方向。圖4中，區域M1係高度變動之差分H-H1 為5μm~10μm之區域。同樣，區域M2係0μm~5μm之區域，區域M3係-5μm~0μm之區域，區域M4係-10μm~-5μm之區域，區域M5係-15μm~-10μm之區域。由圖4可知，空白光罩之中央附近，高度變動之差分變化較少，越朝y軸方向兩端，變化變得越急劇。
其次，於該空白光罩使用以特定間隔配置圖案之設計描繪資料，不修正地進行描繪。其圖案之座標測定結果與設計描繪資料之偏差以圖5表示。圖5中，橫向為x軸方向，縱向為y軸方向。另，白圓為描繪之圖案實測資料，黑圓為設計描繪資料。由圖5可知，空白光罩之中央附近，因實測資料與設計描繪資料之偏差較小，故黑圓部分幾乎未殘留，但y軸方向之兩端因偏差較大，故黑圓部分比較多地殘留。
如上，比較圖4及圖5可知，確認在圖4所求得之高度變動之差分H-H1 ，與描繪之實測資料之自設計描繪資料之偏差相關。據此，描繪轉印圖案時，除了4個變形要因之偏差中起因於在曝光裝置中使用光罩時亦殘留之(3)空白光罩13之基板表面之凹凸之偏差以外，藉由只有起因於(1)台座10之平面度，(2)台座10上之因異物夾雜入之基板之撓曲及(4)空白光罩13之基板背面之凹凸之偏差部分，修正轉印圖案之設計描繪資料，作成描繪資料，確認可使實際形成於光罩之轉印圖案與設計描繪資料之偏差減少。
再者，前述光罩之製造方法亦可轉用於光罩之檢查方法。即，於檢查機(使用圖1所示之描繪裝置之記號說明)之台座10上，將光罩以膜面(圖案形成面)朝上配置，以高度測定機構12與前述同樣地，得到光罩之遮罩面高度分佈資料。該遮罩面高度分佈資料中，與前述空白面高度分佈資料同樣，包含因自理想平面之4個變形要因所造成之表面形狀之變形。接著，測量該光罩之圖案形狀之長度，得到圖案測長資料。該圖案測長資料中，包含因4個變形要因之表面形狀之變形所引起之偏差。
再者，以垂直豎立光罩之狀態測定光罩的膜面之表面形狀，藉而求得該光罩之膜面凹凸，作為膜面形狀資料。測定可以一般的光學測定方法進行。該膜面形狀資料同前述，包含(3)光罩表面之凹凸所引起之表面形狀之變形。再者，該膜面形狀資料係於光罩製造前之階段(空白光罩或基板之階段)得到，亦可使用前述膜面形狀資料。
藉由自前述遮罩面高度分佈資料減去膜面形狀資料之值，使用(式3)修正圖案測長資料，而可計算實際於曝光裝置中使用該光罩時之圖案形狀。藉由比較該修正後之圖案測長資料與圖案之設計描繪資料，可估計該光罩之實際之偏差，而可評估光罩。例如可在只有偏差在特定範圍以內之情況下，將該光罩視為合格品。
或，可藉由自遮罩面高度分佈資料減去膜面形狀資料之值，使用(式3)修正圖案之設計描繪資料。藉由比較該修正後之設計描繪資料與前述圖案測長資料，可評估光罩。
再者，本發明不限於前述實施形態，可適宜變更而實施。例如，前述實施形態中，雖顯示雷射束作為描繪裝置之描繪機構，但不限於此，亦可以是電子束等能量射束。
另，作為光罩，雖就形成一層遮光膜作為薄膜者進行說明，但除遮光膜外亦可以是具有半透光膜之多階光罩。該情形時，僅依必要的轉印圖案數，重複進行光阻膜形成、描繪步驟、蝕刻步驟。
一般而言，在必須進行二次以上光微影步驟之光罩製造過程中，常因二次圖案化而使對準偏差成為大問題。但，若將本發明之描繪資料之修正使用於每複數次描繪步驟，則曝光該光罩並將圖案轉印於被轉印體時之圖案相互之對準可非常正確地進行，故較為適宜。即，對於形成於基板上、具有複數遮光膜之空白光罩，進行複數次描繪、抗蝕顯影、薄膜蝕刻，最終呈具有期望的轉印圖案之光罩時，每次描繪可適用本發明之描繪方法/描繪裝置。
此時，第1次描繪與第2次描繪中，由於空白膜面之變形要因不同，因此描繪資料之修正亦不同。然後，結果，經過該2次描繪所形成之光罩之1個轉印圖案，對被轉印體正確形成期望的圖案。
再者，每個檢查步驟亦可適用本發明之檢查方法/檢查裝置。
另，前述實施形態之材料、尺寸、處理步驟等係一例，可作各種變更而實施。
10．．．台座
11．．．描繪機構
12．．．高度測定機構
13．．．空白光罩
14．．．薄膜
15．．．描繪資料作成機構
20．．．空白光罩之表面
21．．．基準表面
22．．．測定點
30．．．光罩
31．．．支撐體
32．．．膜面
33．．．被轉印體
34．．．光源
M1~M5．．．區域
圖1係顯示本發明之實施形態之描繪裝置之外觀圖；
圖2係顯示本發明之實施形態之空白光罩之剖面圖；
圖3係顯示使用本發明之實施形態之光罩之曝光裝置之外觀圖；
圖4係顯示本發明之實施形態之空白光罩表面之高度變動之分佈圖；及
圖5係顯示本發明之實施形態之實測資料與設計描繪資料之偏差之圖。
10．．．台座
11．．．描繪機構
12．．．高度測定機構
13．．．空白光罩
14．．．薄膜
15．．．描繪資料作成機構

Claims (15)

  1. 一種光罩之製造方法，其特徵在於：包含描繪步驟，該步驟係於含有透明基板、前述透明基板上之薄膜與前述薄膜上之光阻膜之空白光罩上，使用描繪機按特定的描繪資料照射能量射束，而描繪特定的轉印圖案者；且藉由計算前述描繪步驟中之前述空白光罩之膜面側之形狀、與對前述光罩進行曝光時之前述空白光罩之膜面側之形狀之形狀變化部分，基於前述形狀變化部分，修正用於前述特定的轉印圖案之設計描繪資料，而獲得前述特定的描繪資料。
  2. 一種光罩之製造方法，其包含描繪步驟，該步驟係於含有透明基板、前述透明基板上之薄膜與前述薄膜上之光阻膜之空白光罩上，使用描繪機按特定的描繪資料照射能量射束，而描繪特定的轉印圖案者；且藉由使用：將前述空白光罩以其具有前述薄膜之面為上側載置於描繪機之台座的狀態下，測定前述空白光罩上側之面之高度分佈而得之空白面高度分佈資料，及預先取得之前述空白光罩之膜面形狀資料，修正用於前述特定的轉印圖案之設計描繪資料，而獲得前述特定的描繪資料。
  3. 一種光罩之製造方法，其包括：準備含有透明基板、前述透明基板上之薄膜與前述薄膜上之光阻膜之空白光罩之步驟；將前述空白光罩以其具有前述薄膜之面為上側載置於台座之步驟；藉由測定前述台座上之前述空白光罩上側之面之高度分佈，而獲得空白面高度分佈資料之步驟；藉由使用預先取得之前述空白光罩之膜面形狀資料與前述空白面高度分佈資料，修正用於特定的轉印圖案之設計描繪資料，而獲得特定的描繪資料之步驟；及藉由對前述光阻膜，按前述特定的描繪資料照射能量射束，而描繪前述特定的轉印圖案之步驟。
  4. 如請求項2或3之光罩之製造方法，其中前述設計描繪資料之修正，包含求得前述空白面高度分佈資料與前述膜面形狀資料之差分。
  5. 如請求項2或3之光罩之製造方法，其中前述設計描繪資料之修正，係使用求取前述空白面高度分佈資料與前述膜面形狀資料之差分而得之差分資料，基於在前述空白光罩表面上之複數位置中之前述空白光罩高度方向之斜度與前述空白光罩之厚度而進行。
  6. 如請求項2或3之光罩之製造方法，其中進而包含將藉由使用修正前述設計描繪資料而得之描繪資料所描繪之前述特定的轉印圖案而形成之光阻圖案作為遮罩，而蝕刻前述薄膜之步驟。
  7. 如請求項6之光罩之製造方法，其中包含於前述透明基板上形成複數之前述薄膜，對於前述複數之薄膜之各者，將藉由使用前述特定的描繪資料所描繪之前述特定的轉印圖案而形成之光阻圖案作為遮罩進行蝕刻之步驟。
  8. 一種描繪裝置，其係於表面形成有光阻膜之空白光罩上描繪特定的轉印圖案者，且包括：高度測定機構，其係藉由測定使前述光阻膜朝上而配置於台座上之前述空白光罩的表面之高度分佈，而獲得空白面高度分佈資料者；運算機構，其係藉由使用預先取得之前述空白光罩之膜面形狀資料與前述空白面高度分佈資料，修正用於前述特定的轉印圖案之設計描繪資料，而獲得特定的描繪資料者；及描繪機構，其係對前述光阻膜，按前述特定的描繪資料照射能量射束者。
  9. 一種光罩之檢查方法，其係檢查於透明基板上包括含有薄膜之轉印圖案之光罩者，且包括：將前述光罩以其具有前述轉印圖案之面為上側載置於台座之步驟；藉由測定前述台座上之前述光罩上側之面之高度分佈，而獲得遮罩面高度分佈資料之步驟；測定前述台座上之前述光罩之前述轉印圖案之形狀，而獲得圖案測長資料之步驟；及使用預先取得之前述光罩之膜面形狀資料與前述遮罩面高度分佈資料，而修正前述圖案測長資料或用於前述轉印圖案之設計描繪資料之步驟。
  10. 一種光罩之檢查方法，其係檢查於透明基板上包括含有薄膜之轉印圖案之光罩者，且包括：將前述光罩以其具有前述轉印圖案之面為上側載置於台座之步驟；藉由測定前述台座上之前述光罩上側之面之高度分佈，而獲得遮罩面高度分佈資料之步驟；測定前述台座上之前述光罩之前述轉印圖案之形狀，而獲得圖案測長資料之步驟；使用預先取得之前述光罩之膜面形狀資料與前述遮罩面高度分佈資料，而修正前述圖案測長資料之步驟；及比較修正後之前述圖案測長資料與用於前述轉印圖案之設計描繪資料之步驟。
  11. 一種光罩之檢查方法，其係檢查於透明基板上包括含有薄膜之轉印圖案之光罩者，且包括：將前述光罩以其具有前述轉印圖案之面為上側載置於台座之步驟；藉由測定前述台座上之前述光罩上側之面之高度分佈，而獲得遮罩面高度分佈資料之步驟；測定前述台座上之前述光罩之前述轉印圖案之形狀，而獲得圖案測長資料之步驟；使用預先取得之前述光罩之膜面形狀資料與前述遮罩面高度分佈資料，而修正用於前述轉印圖案之設計描繪資料之步驟；及比較修正後之前述設計描繪資料與前述圖案測長資料之步驟。
  12. 如請求項9至11中任一項之光罩之檢查方法，其中作為前述光罩之膜面形狀資料，係使用預先取得之前述空白光罩之膜面形狀資料。
  13. 一種光罩之檢查裝置，其係檢查於透明基板上包括含有薄膜之轉印圖案之光罩者，且包括：高度測定機構，其係藉由測定使前述轉印圖案朝上而配置於台座上之前述光罩表面之高度分佈，而獲得遮罩面高度分佈資料者；測長機構，其係測定前述台座上之前述轉印圖案之形狀，而獲得圖案測長資料者；及運算機構，係使用預先取得之前述光罩之膜面形狀資料與前述遮罩面高度分佈資料，而修正前述圖案測長資料或用於前述轉印圖案之設計描繪資料者。
  14. 一種光罩之檢查裝置，其係檢查於透明基板上包括含有薄膜之轉印圖案之光罩者，且包括：高度測定機構，其係藉由測定使前述轉印圖案朝上而配置於台座上之前述光罩表面之高度分佈，而獲得遮罩面高度分佈資料者；測長機構，其係測定前述台座上之前述轉印圖案之形狀，而得到圖案測長資料者；運算機構，其係使用預先取得之前述光罩之膜面形狀資料與前述遮罩面高度分佈資料，而修正前述圖案測長資料者；及比較機構，其係比較修正後之前述圖案測長資料與用於前述轉印圖案之設計描繪資料者。
  15. 一種光罩之檢查裝置，其係檢查於透明基板上包括含有薄膜之轉印圖案之光罩者，且包括：高度測定機構，其係藉由測定使前述轉印圖案朝上而配置於台座上之前述光罩表面之高度分佈，而得到遮罩面高度分佈資料者；測長機構，其係測定前述台座上之前述轉印圖案之形狀，而得到圖案測長資料者；運算機構，其係使用預先取得之前述光罩之膜面形狀資料與前述遮罩面高度分佈資料，而修正用於前述轉印圖案之設計描繪資料者；及比較機構，其係比較前述修正後之設計描繪資料與前述圖案測長資料者。
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