TWI408991B - 自體發光顯示單元及電子裝置 - Google Patents

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Description

自體發光顯示單元及電子裝置
本發明係關於一種包括一自體發光裝置之自體發光顯示單元及一種包括此類自體發光顯示單元之電子裝置。
近年來，已積極開發一種使用有機場致發光(EL)裝置作為自體發光裝置的自體發光顯示單元(有機場致發光顯示單元)。有機場致發光裝置係一種在施加電場至有機薄膜之情況下發射光線之現象的裝置。由於有機場致發光裝置係能夠以(例如)10伏或以下之施加電壓予以驅動，所以電力消耗低。另外，如上文所述，因為有機場致發光裝置係自體發光裝置，所以不需要照明構件(諸如液晶裝置)，並且因此，藉此易於實現重量減輕及厚度減小。另外，由於有機場致發光裝置的響應速度極高(即，約數微秒)，所以具有在顯示視訊過程中未產生殘像之優點。
在使用此類有機場致發光裝置的有機場致發光顯示單元之中，尤其，積極開發一種主動矩陣型有機場致發光顯示單元，在該主動矩陣型有機場致發光顯示單元中，在每一像素中以構成整體方式形成作為一驅動元件之一薄膜電晶體(TFT)與類似物(例如，請參閱日本未審查專利公開案第2007-310311號)。
在前述之日本未審查專利公開案第2007-310311及類似案中揭示一種在各像素中形成的像素電路。在一些情況中，用於各顏色(R(紅色)、G(綠色)與B(藍色))的各自像素電路之一驅動電晶體與一累積式電容元件的大小係依據各所需的一顯示驅動電流之大小而不同。結果，在用於一特定顏色之一像素電路中，像素圖案密度變高，並且因此歸因於灰塵或類似物而使圖案缺陷率增大。假使圖案缺陷率增大，則降低製造良率。
前述缺點不僅存在於自體發光裝置係有機場致發光裝置之情況中，而且亦發生於無機場致發光裝置或發光二極體(LED)之情況中。
鑑於前述缺點，在本發明中，希望提供一種能夠改進製造良率之自體發光顯示單元及電子裝置。
根據本發明一項具體實施例，提供一種第一自體發光顯示單元，其包括：一像素層，在該像素層中形成複數個像素，該等像素之各者係由複數個彩色像素所組態，各彩色像素具有一彩色自體發光元件；及一像素電路層，在該像素電路層中形成複數個像素電路，該等像素電路之各者係由複數個彩色像素電路所組態，該複數個彩色像素電路分別驅動該等彩色像素。依據驅動電流之一量值比率，不均等地設定該像素電路內之該等彩色像素電路之大小，該等驅動電流使該像素中之該等彩色自體發光元件以一相同之光發射照度發射。
根據本發明一項具體實施例，提供一種包括前述第一自體發光顯示單元之第一電子裝置，該自體發光顯示單元具有一顯示功能。
在本發明之具體實施例之該第一自體發光顯示單元及該第一電子裝置中，依據驅動電流之一量值比率，不均等地設定該像素電路內之該等彩色像素電路之大小，該等驅動電流使該像素中之該等彩色自體發光元件以一相同之光發射照度發射。
藉此，即使該等像素電路中之裝置大小係依據驅動電流之量值而彼此不同，在用於各顏色之各自像素中，在相對應之像素電路中的像素圖案密度仍然彼此均等。藉此，避免歸因於在用於一特定顏色之像素電路中的像素圖案密度增大而使圖案缺陷率增大，並且減小整個像素電路之圖案缺陷率。
根據本發明一項具體實施例，提供一種第二自體發光顯示單元，其包括：一像素層，在該像素層中形成複數個像素，該等像素之各者係由複數個彩色像素所組態，各彩色像素具有一彩色自體發光元件；及一像素電路層，在該像素電路層中形成複數個像素電路，該等像素電路之各者係由複數個彩色像素電路所組態，該複數個彩色像素電路分別驅動該等彩色像素。該等彩色像素電路之各者包括一驅動電晶體，該驅動電晶體具有一作用層與一閘電極。依據重疊區域之間的一面積比率，不均等地設定該像素電路內之該等彩色像素電路之大小，各區域定義為該驅動電晶體中之該作用層與該閘電極彼此重疊所在處之一區域。
根據本發明一項具體實施例，提供一種包括前述第二自體發光顯示單元之第二電子裝置，該自體發光顯示單元具有一顯示功能。
在本發明之具體實施例之該第二自體發光顯示單元及該第二電子裝置中，依據重疊區域之間的一面積比率，不均等地設定該像素電路內之該等彩色像素電路之大小，各區域定義為該驅動電晶體中之該作用層與該閘電極彼此重疊所在處之一區域。藉此，即使該等驅動電晶體之裝置大小係依據重疊區域之間的面積而彼此不同，在用於各顏色之各自像素中，在相對應之像素電路中的像素圖案密度仍然彼此均等。藉此，避免歸因於在用於一特定顏色之像素電路中的像素圖案密度增大而使圖案缺陷率增大，並且減小整個像素電路之圖案缺陷率。
根據本發明一項具體實施例，提供一種第三自體發光顯示單元，其包括：一像素層，在該像素層中形成複數個像素，該等像素之各者係由複數個彩色像素所組態，各彩色像素具有一彩色自體發光元件；及一像素電路層，在該像素電路層中形成複數個像素電路，該等像素電路之各者係由複數個彩色像素電路所組態，該複數個彩色像素電路分別驅動該等彩色像素。該等彩色像素電路之各者包括一電容元件。另外，依據該像素電路內之該等彩色像素電路中的電容元件之間的一面積比率，不均等地設定該等彩色像素電路之大小。
根據本發明一項具體實施例，提供一種包括前述第三自體發光顯示單元之第三電子裝置，該自體發光顯示單元具有一顯示功能。
在本發明之具體實施例之該第三自體發光顯示單元及該第三電子裝置中，依據該像素電路內之該等彩色像素電路中的電容元件之間的一面積比率，不均等地設定該等彩色像素電路之大小。藉此，即使該等累積式電容元件之裝置大小係依據該等累積式電容元件之面積而彼此不同，在用於各顏色之各自像素中，在相對應之像素電路中的像素圖案密度仍然彼此均等。藉此，避免歸因於在用於一特定顏色之像素電路中的像素圖案密度增大而使圖案缺陷率增大，並且減小整個像素電路之圖案缺陷率。
根據本發明之具體實施例之該第一自體發光顯示單元或該第一電子裝置，依據驅動電流之一量值比率，不均等地設定該像素電路內之該等彩色像素電路之大小，該等驅動電流使該像素中之該等彩色自體發光元件以一相同之光發射照度發射。藉此，用於各顏色之各像素中的相對應之像素電路之像素圖案密度變成彼此均等，並且能夠減小整個像素電路之圖案缺陷率。據此，能夠改進製造良率。
根據本發明之具體實施例之該第二自體發光顯示單元及該第二電子裝置，依據重疊區域之間的一面積比率，不均等地設定該像素電路內之該等彩色像素電路之大小，各區域定義為該驅動電晶體中之一作用層與一閘電極彼此重疊所在處之一區域。因此，用於各顏色之各像素中的相對應之像素電路中的像素圖案密度變成彼此均等，並且能夠減小整個像素電路之圖案缺陷率。據此，能夠改進製造良率。
根據本發明之具體實施例之該第三自體發光顯示單元及該第三電子裝置，依據該像素電路內之該等彩色像素電路中的電容元件之間的一面積比率，不均等地設定該等彩色像素電路之大小。因此，用於各顏色之各像素中的相對應之像素電路中的像素圖案密度係彼此均等，並且能夠減小整個像素電路之圖案缺陷率。據此，能夠改進製造良率。
從[實施方式]將更徹低顯露本發明的其它及進一步目的、特徵及優點。
下文中將參考圖式來詳細說明本發明具體實施例。
第一具體實施例
圖1繪示根據本發明第一具體實施例之自體發光顯示單元(有機場致發光顯示單元1)之整體結構。該有機場致發光顯示單元1包括：具有以矩陣狀態二維排列之像素20的一像素陣列區段2；及排列在該像素陣列區段2之周邊上的一電力掃描電路31、一寫掃描電路32與一水平驅動電路33。在該像素陣列區段2之m*n像素排列中，電力供應線VL-1至VL-m與掃描線WL-1至WL-m連接至每一像素列的像素，以及訊號線DL-1至DL-n連接至每一像素行的像素。
該像素陣列區段2係形成在由(例如)一玻璃板或類似物製成的一透明絕緣基板(圖中未繪示)上，並且具有一平坦型面板結構。在該像素陣列區段2中的每一像素20中，如下文所述，形成使用一非晶矽TFT(薄膜電晶體)或一低溫複晶矽TFT的一像素電路。如下文所述，在該像素電路中包括：一有機場致發光裝置，其作為一自體發光裝置；及一像素電路層，其係由一金屬層、一半導體層、一絕緣層與類似物所構成。假使在該像素電路中使用低溫複晶矽TFT，則該電力掃描電路31、該寫掃描電路32及該水平驅動電路33亦能夠待安裝在其上已形成該像素陣列區段2的面板(基板)。
該寫掃描電路32係用於藉由線循序地供應一掃描訊號至該等掃描線WL-1至WL-m以依列為單位方式線循序地掃描該像素20之電路。
該電力掃描電路31係用於同步於藉由該寫掃描電路32的線循序掃描而供應一電力電壓至該等電力供應線VL-1至VL-m之電路。
該水平驅動電路33係用於基於一依據照度資訊之圖像訊號(具體而言，一訊號電位(下文稱為訊號電位Vsig)及一參考電位(下文稱為參考電位Vo))而按需要供應一顯示驅動電壓至該等訊號線DL-1至DL-n。
圖2繪示各像素20中之像素電路之結構實例的電路圖。該像素電路包括一寫電晶體21、一驅動電晶體22、一累積式電容元件23及一有機場致發光裝置24。該電力供應線VL、該掃描線WL及該訊號線DL連接至該像素電路。該寫電晶體21及該驅動電晶體22分別係由一N通道型TFT所組態。該寫電晶體21及該驅動電晶體22之傳導類型組合非限於此，而是可採用其它組合。
在該寫電晶體21中，一閘極連接至一掃描線WL，一源極連接至一訊號線DL，及一汲極連接至該驅動電晶體22之一閘極並且連接至該累積式電容元件23之一端。該寫電晶體21依據透過該掃描線WL自該寫掃描電路32施加至該閘極的掃描訊號而變成在傳導狀態中，並且藉此對透過該訊號線DL自該水平驅動電路33供應的該圖像訊號之該訊號電位Vsig進行取樣並且寫入該訊號電位至該像素20中。該經寫入之訊號電位Vsig(顯示驅動電流)被保持在該累積式電容元件23中。
在該驅動電晶體22中，一源極連接至該累積式電容元件23之另一端並且連接至該有機場致發光裝置24之一陽極(陽極電極)訊號線DL，及一汲極連接至該電力供應線VL。假使該電力供應線VL之電位係處於H(高)狀態，則透過該電力供應線VL供應一電流給該驅動電晶體22。藉此，該驅動電晶體22供應依據經保持在該累積式電容元件23中之該訊號電位Vsig的該顯示驅動電流至該有機場致發光裝置24，並且用電流驅動該有機場致發光裝置24。
該累積式電容元件23累積該顯示驅動電流，如上文所述。
在該有機場致發光裝置24中，一陰極(陰極電極)連接至一共有電力供應線25，該共有電力供應線25共有地連接至所有像素20。
將參考圖3至圖6詳細描述圖2中所示之像素電路的平面結構實例與剖面結構實例。
圖3繪示一個像素20中之一像素電路(像素電路層)之平面結構實例。該像素電路具有一疊層式結構，其中一第一金屬層M1、一複晶矽層P1及一第二金屬層M2係始於基板側(圖中未繪示)依此順序分別堆積成層，而且在層之間具有一絕緣層(圖中未繪示)(絕緣層係由(例如)氧化矽(SiO2 )或類似物所構成)。該第一金屬層M1與該第二金屬層M2分別係由(例如)鋁(Al)、銅(Cu)或類似物所構成。該第一金屬層M1與該第二金屬層M2係憑藉介於該第一金屬層M1與該第二金屬層M2之間的一連接接觸區段CT12而電連接。該第二金屬層M2與該複晶矽層P1係憑藉介於該第二金屬層M2與該複晶矽層P1之間的一連接接觸區段CT2P而電連接。
具體而言，該訊號線DL係該第一金屬層M1與該第二金屬層M2所組態。該電力供應線VL及該掃描線WL分別係由該第二金屬層M2所組態。
該寫電晶體21及該驅動電晶體22分別係由該第一金屬層M1、該第二金屬層M2、該複晶矽層P1及該絕緣層(圖中未繪示)所組態。該累積式電容元件23係由該第一金屬層M1、該複晶矽層P1及該絕緣層(圖中未繪示)所組態。
該有機場致發光裝置24透過一連接接觸區段CT23(其結構化一節點Na)而連接至圖3中所示之像素電路層。
圖4繪示用於各顏色之像素20R1、20G1與20B1的一像素電路(像素電路層)之平面結構實例。在圖式中，紅色像素20R1、綠色像素20G1與藍色像素20B1係沿著該電力供應線VL及該掃描線WL及該訊號線DL依此順序排列。即，該像素係20由用於R(紅色)、G(綠色)與B(藍色)之像素20R1、20G1與20B1所組態。對於用於R、G與B之所有像素20R1、20G1與20B1，分別連接用於基於該圖像訊號而供應該顯示驅動電壓的訊號線(訊號線DLr、DLg與DLb)。
在該紅色像素20R1中，如圖3所示，形成一寫電晶體21R1、一驅動電晶體22R1、一累積式電容元件23R1與類似物。該電力供應線VL、該掃描線WL及該訊號線DLr連接至該紅色像素20R1。同樣地，在該綠色像素20G1中，形成一寫電晶體21G1、一驅動電晶體22G1、一累積式電容元件23G1與類似物。該電力供應線VL、該掃描線WL及該訊號線DLg連接至該綠色像素20G1。另外，在該藍色像素20B1中，形成一寫電晶體21B1、一驅動電晶體22B1、一累積式電容元件23B1與類似物。該電力供應線VL、該掃描線WL及該訊號線DLb連接至該藍色像素20B1。
在此具體實施例之像素電路層中，依據每一有機場致發光裝置24所需的顯示驅動電流之一大小之一比率，分別不均等地設定該像素電路內的相對應於用於R、G與B之該等像素20R1、20G1與20B1之彩色像素電路大小26R、26G與26B，以獲得相同之光發射照度。具體而言，依據該等像素電路中的該等驅動電晶體22R1、22G1與22B1中的一作用層(複晶矽層P1)與一閘電極(第二金屬層M2)的面對面區域(重疊區域)的該等彩色像素電路之間的一面積比率，分別不均等地設定該像素電路內之彩色像素電路大小26R、26G與26B。另外，依據該像素電路內之該等彩色像素電路中的該等累積式電容元件23R1、23G1與23B1之間的一面積比率，不均等地設定彩色像素電路大小26R、26G與26B。但是，該紅色像素20R1、該綠色像素20G1與該藍色像素20B1之總像素大小(舉例而言，總像素大小26RGB約100微米)被設定為相同於現有總像素大小。
藉由下列表達式1表達彩色像素電路大小26R、26G與26B：
(相對應於綠色之像素20G1的像素大小26G)<(相對應於紅色之像素20R1的像素大小26R)<(相對應於藍色之像素20B1的像素大小26B)...<表達式1>
在此具體實施例之像素層中，如同圖5中所示之平面結構實例，均等地設定像素內的用於R、G與B之像素20R1、20G1與20B1之各自大小27R1、27G1與27B1，並且均等地設定像素內的用於R、G與B之像素20R1、20G1與20B1之形成位置。具體而言，分別均等地設定像素內的陽極電極281R1、281G1與281B1及發光層29R1、29G1與29B1之排列間距，並且分別均等地設定像素內的陽極電極281R1、281G1與281B1及發光層29R1、29G1與29B1之形成位置。更具體而言，分別均等地設定像素內的陽極電極281R1、281G1與281B1之排列間距，並且分別均等地設定像素內的陽極電極281R1、281G1與281B1之形成位置，並且分別均等地設定像素內的發光層29R1、29G1與29B1之排列間距，並且分別均等地設定像素內的發光層29R1、29G1與29B1之形成位置。該等陽極電極281R1、281G1與281B1係(例如)由其中ITO(氧化銦錫複合物)被堆層在銀(Ag)或Ag合金上之電極所組態。
如圖6之剖面結構實例(沿著圖5中之II-II的剖面結構實例)中所示，該有機場致發光裝置24具有一疊層式結構，其包括該陽極電極281R1與類似物、發光層29R1及類似物、每一像素共有的一陰極電極282、電連接至該陰極電極282的一輔助電極區段280-1及一絕緣層42，並且係形成一像素電路層41上。該陰極電極282係由一單一物質或一金屬元素之一合金所組態，諸如鋁(Al)、鎂(Mg)、鈣(Ca)及鈉(Na)。
接下來，將描述此具體實施例之有機場致發光顯示單元1的操作與效果之細節。
首先，除了參考圖2外，亦參考圖7來描述該有機場致發光顯示單元1之基本操作(顯示驅動每一像素20之像素電路的操作)。圖7繪示圖2中所示之像素電路中的顯示驅動操作實例的時序波形圖。在圖7中，(A)繪示一掃描線電位V(WL)；(B)繪示一電力供應線電位V(VL)；(C)繪示一訊號線電位V(DL)；(D)繪示該驅動電晶體22之一閘極電位Vg；及(E)繪示該驅動電晶體22之一源極電位Vs。
光發射時間週期T0
首先，在時序t1之前的光發射時間週期T0中，該有機場致發光裝置24係處於光發射狀態中(光發射時間週期)。在光發射時間週期T0中，該電力供應線VL之電位V(VL)係處於高電位狀態(「H」狀態)，則透過該驅動電晶體22自該電力供應線VL供應一顯示驅動電流(汲極至源極電流)至該有機場致發光裝置24。因此，該有機場致發光裝置24發射依據該顯示驅動電流之照度的光線。
臨限值校正預備時間週期T1
接下來，在時序t1中，該狀態變成一線循序掃描之新場域。此時，該電力供應線VL之電位V(VL)自高電位偏移至充分低於該訊號線DL之該參考電位Vo的一電位(「L(低)」狀態)，並且該驅動電晶體22之該源極電位Vs變成幾乎均等於此低電位之一電位。
接下來，在時序t2中，自該寫掃描電路32輸出該掃描訊號，並且該掃描線WL之電位被偏移至高電位側。藉此，該寫電晶體21變成處於傳導狀態。此時，由於自該水平驅動電路33供應該參考電位Vo至該訊號線DL，所以該驅動電晶體22之該閘極電位Vg變成該參考電位Vo。此時，該驅動電晶體22之該源極電位Vs係充分低於該參考電位Vo之電位。
該低電位被設定使得該驅動電晶體22之閘極源極電壓Vgs係大於該驅動電晶體22之一臨限值電壓Vth。如上文所述，實行各自初始化，致使該驅動電晶體22之該閘極電位Vg變成該參考電位Vo，以及該源極電位Vs變成該低電位，並且藉此完成臨限值電壓校正操作之預備。
臨限值校正時間週期T2
接下來，在時序t3中，該電力供應線VL之電位V(VL)自低電位偏移至高電位。該驅動電晶體22之該源極電位Vs開始增大。在適當的時間，該驅動電晶體22之該閘極源極電壓Vgs變成該驅動電晶體22之該臨限值電壓Vth。相對應於該臨限值電壓Vth的一電壓被寫入於該累積式電容元件23中。
為了便利，相對應於該臨限值電壓Vth的該電壓被寫入於該累積式電容元件23中期間之時間週期被稱為臨限值校正時間週期T2。在臨限值校正時間週期T2中，為了使一電流僅流動至累積式電容元件23側，並且防止該電流流動至該有機場致發光裝置24，設定該共有電力供應線25之電位，以致使該有機場致發光裝置24變成切斷狀態。
取樣時間週期/遷移率校正時間週期T3
接下來，在時序t4中，停止自該寫掃描電路32輸出該掃描訊號，並且該掃描線WL之電位V(WL)被偏移至低電位側。藉此，該寫電晶體21變成處於非傳導狀態。此時，該驅動電晶體22之該閘極變成處於浮動狀態中。但是，由於該閘極源極電壓Vgs均等於該驅動電晶體22之該臨限值電壓Vth，所以該驅動電晶體22係處於切斷狀態。
因此，該汲極至源極電流未流動。
接下來，在時序t5中，該訊號線DL之電位V(DL)自該參考電位Vo偏移至該圖像訊號之該訊號電位Vsig。在時序t6中，再次自該寫掃描電路32輸出該掃描訊號，並且該掃描線WL之電位V(WL)被偏移至高電位側。藉此，該寫電晶體21變成處於傳導狀態，並且對該圖像訊號之該訊號電位Vsig取樣。
歸因於藉由該寫電晶體21對該訊號電位Vsig取樣，該驅動電晶體22之該閘極電位Vg變成該訊號電位Vsig。此時，由於該有機場致發光裝置24首先係處於切斷狀態(高阻抗狀態)。因此，該驅動電晶體22之汲極至源極電流流動進入經並聯連接至該有機場致發光裝置24的一寄生電容元件(圖中未繪示)，並且開始對該寄生電容元件充電。
歸因於對該寄生電容元件充電，該驅動電晶體22之該源極電位Vs開始增大。在適當的時間，該驅動電晶體22之該閘極源極電壓Vgs變成(Vsig+Vth-ΔV)。即，自經保持在該累積式電容元件23中之電壓(Vsig+Vth)減除該源極電位Vs之增大部分ΔV；即，該源極電位Vs之增大部分ΔV作用以使該累積式電容元件23放電，導致負反饋狀態。因此，該源極電位Vs之增大部分ΔV變成負反饋之反饋量。
如上文所述，流動通過該驅動電晶體22之該汲極源極電流被負反饋至該驅動電晶體22之閘極輸入，即，該閘極源極電壓Vgs，並且藉此使對該驅動電晶體22之汲極至源極電流的遷移率μ之可靠性的遷移率校正無效，即，實行校正所有像素之遷移率μ變化的遷移率校正。
更具體而言，隨著該圖像訊號之該訊號電位Vsig增大，該汲極至源極電流增大，並且負反饋之反饋量(校正量)ΔV之絕對值亦增大。因此，能夠實行按照光發射照度位準的遷移率校正。另外，在該圖像訊號之該訊號電位Vsig係恆定之情況下，隨著該驅動電晶體22之遷移率μ增大，負反饋之反饋量(校正量)ΔV之絕對值亦增大，並且因此使所有像素之遷移率μ的變化無效。
光發射時間週期T4(T0)
接下來，在時序t7中，停止自該寫掃描電路32輸出該掃描訊號，並且該掃描線WL之電位V(WL)被偏移至低電位側。藉此，該寫電晶體21變成處於非傳導狀態。藉此，自該訊號線DL卸離該驅動電晶體22之閘極。同時，一汲極至源極電流開始流入該有機場致發光裝置24，並且藉此使該有機場致發光裝置24之陽極電位依據該汲極至源極電流增大。
該有機場致發光裝置24之陽極電位之增大正好係該驅動電晶體22之源該極電位Vs之增大。因此，在該驅動電晶體22之源該極電位Vs增大之情況下，歸因於該累積式電容元件23之升壓操作，而使該驅動電晶體22之該閘極電位Vg同時隨之增大。此時，該閘極電位Vg之增大量係均等於該源極電位Vs之增大量。因此，在光發射時間週期T4中，該驅動電晶體22之該閘極源極電壓Vgs係恆定地維持為(Vin+Vth-ΔV)。
在該像素陣列區段2中以線循序方式實行上文所述的顯示驅動每一像素20中之像素電路，並且藉此對圖1所示之整個有機場致發光顯示單元1實行基於圖像訊號之影像顯示。
接下來，在與比較性實例相比較中，除了參考圖4及圖5外，亦參考圖8及圖9來描述本發明之特性區段的操作與效果之細節。圖8及圖9繪示在根據比較性實例中的一現有之有機場致發光顯示單元中的用於各顏色之像素100R、100G與100B的像素電路層及有機場致發光裝置的平面結構實例。在該紅色像素100R中，形成一寫電晶體101R、一驅動電晶體102R、一累積式電容元件103R與類似物。該電力供應線VL、該掃描線WL及該訊號線DLr連接至該紅色像素100R。同樣地，在該綠色像素100G中，形成一寫電晶體101G、一驅動電晶體102G、一累積式電容元件103G與類似物。該電力供應線VL、該掃描線WL及該訊號線DLg連接至該綠色像素100G。另外，在該藍色像素100B中，形成一寫電晶體101B、一驅動電晶體102B1、一累積式電容元件103B與類似物。該電力供應線VL、該掃描線WL及該訊號線DLb連接至該藍色像素100B。
如圖8所示，在根據比較性實例之有機場致發光顯示單元中，分別均等地設定該像素電路內的分別相對應於用於R、G與B之該等像素100R、100G與100B的彩色像素電路大小106R、106G與106B。另外，該等驅動電晶體102R1、102G1與102B1之大小與該等累積式電容元件103R1、103G1與103B1之大小係依據各自有機場致發光裝置24所需的顯示驅動電流所需的一顯示驅動電流之大小而彼此不同，以獲得相同之光發射照度。
藉此，在用於一特定顏色之一像素電路(在此情況中，具體而言，藍色像素100B)中，像素圖案密度增大，並且歸因於灰塵或類似物而使圖案缺陷率增大。因此，由於圖案缺陷率增大，所以降低製造良率。
由用於R、G與B之像素100R、100G與100B所組態的像素具有(例如)如圖9所示之平面結構。即，以相同於圖5之具體實施例之方式的方式，分別均等地設定像素內的用於R、G與B之像素100R、100G與100B之各自大小27R1、27G1與27B1，並且分別均等地設定像素內的用於R、G與B之像素100R、100G與100B之形成位置。
同時，在此具體實施例之有機場致發光顯示單元1中，如圖4所示，依據每一有機場致發光裝置24所需的顯示驅動電流之大小之比率，分別不均等地設定該像素電路內的分別相對應於用於R、G與B之該等像素20R1、20G1與20B1之彩色像素電路大小26R、26G與26B，以獲得相同之光發射照度。具體而言，依據該等像素電路中的該等驅動電晶體22R1、22G1與22B1中的該作用層(該複晶矽層P1)與該閘電極(該第二金屬層M2)的面對面區域(重疊區域)的該等彩色像素電路之間的一面積比率，分別不均等地設定該像素電路內之彩色像素電路大小26R、26G與26B。另外，依據該等累積式電容元件23R1、23G1與23B1的該等彩色像素電路之間的一面積比率，分別不均等地設定該像素電路內之彩色像素電路大小26R、26G與26B。
藉此，分別相對應於用於R、G與B之該等像素20R1、20G1與20B1的彩色像素電路之圖案密度變成彼此均等，即使該等像素電路中之裝置大小(具體而言，該等驅動電晶體22R1、22G1與22B1之大小及該等累積式電容元件23R1、23G1與23B1之大小)係依據顯示驅動電流之大小、前述面對面區域之面積、該等累積式電容元件23R1、23G1與23B1之面積及類似項而彼此不同。藉此，避免歸因於在用於一特定顏色之像素電路中的像素圖案密度增大而使圖案缺陷率增大，並且減小整個像素電路之圖案缺陷率。
如上文所述，在此具體實施例中，依據每一有機場致發光裝置24所需的顯示驅動電流之大小之比率，分別不均等地設定該像素電路內的分別相對應於用於R、G與B之該等像素20R1、20G1與20B1之彩色像素電路大小26R、26G與26B，以獲得相同之光發射照度。因此，分別相對應於用於R、G與B之該等像素20R1、20G1與20B1的彩色像素電路之圖案密度變成彼此均等，並且能夠減小整個像素電路之圖案缺陷率。因此，能夠改進製造良率。
具體而言，依據該像素電路中的該等驅動電晶體22R1、22G1與22B1中的該作用層(複晶矽層P1)與該閘電極(第二金屬層M2)的面對面區域(重疊區域)的該等彩色像素電路之間的一面積比率，分別不均等地設定該像素電路內之彩色像素電路大小26R、26G與26B。因此，能夠獲得前述效果。
另外，依據該等累積式電容元件23R1、23G1與23B1的該等彩色像素電路之間的一面積比率，分別不均等地設定該像素電路內之彩色像素電路大小26R、26G與26B。因此，能夠獲得前述效果。
另外，分別均等地設定像素內的用於R、G與B之像素20R1、20G1與20B1之各自大小27R1、27G1與27B1，並且均等地設定像素內的用於R、G與B之像素20R1、20G1與20B1之形成位置。因此，能夠無需任何修改地直接使用該等陽極電極281R1、281G1與281B1及該等發光層29R1、29G1與29B1之現有圖案。即，在維持現有圖案之面板之照度特性與類似物之同時，能夠減小整個像素電路之圖案缺陷率。
下文將描述本發明的若干其它具體實施例。對於相同於前述第一具體實施例之元件的元件，將附上相同元件符號，並且將按需要省略描述。
第二具體實施例
圖10繪示根據本發明第二具體實施例之自體發光顯示單元(有機場致發光顯示單元)中之用於各顏色之像素20R2、20G2與20B2的像素電路層及有機場致發光裝置的平面結構實例。
在此具體實施例之像素電路層中，以相同於第一具體實施例之方式的方式，依據每一有機場致發光裝置24所需的顯示驅動電流之一大小的彩色像素電路之間之一比率，分別不均等地設定該像素電路內的相對應於用於R、G與B之該等像素20R2、20G2與20B2之彩色像素電路大小26R、26G與26B，以獲得相同之光發射照度；其係依據該像素電路中的該等驅動電晶體22R1、22G1與22B1中的該複晶矽層P1與該第二金屬層M2之間的面對面區域的該等彩色像素電路之間的一面積比率，或依據該等累積式電容元件23R1、23G1與23B1的該等彩色像素電路之間的一面積比率。
另外，在此具體實施例之有機場致發光裝置中，不同於第一具體實施例，依據彩色像素電路大小26R、26G與26B之一比率，不均等地設定像素內的用於R、G與B之該等像素20R2、20G2與20B2之各自大小27R2、27G2與27B2。具體而言，依據彩色像素電路大小26R、26G與26B，分別不均等地設定該等彩色像素電路之間的陽極電極281R2、281G2與281B2之排列間距27R2、27G2與27B2；及依據彩色像素電路大小26R、26G與26B，分別不均等地設定該等彩色像素電路之間的發光層29R2、29G2與29B2之排列間距27R2、27G2與27B2。
藉由下列表達式2及表達式3來表達彩色像素電路大小26R、26G與26B與彩色像素大小27R2、27G2與27B2：
G彩色像素之大小27G2<R彩色像素之大小27R2<B彩色像素之大小27B2...<表達式2>
G彩色像素電路之大小26G<R彩色像素電路之大小26R<B彩色像素電路之大小26B...<表達式3>
接下來，在與前述第一具體實施例相比較中，除了參考圖10外，亦參考圖11至圖14來描述此具體實施例之有機場致發光顯示單元的操作與效果。
舉例而言，在前述第一具體實施例之像素電路層及有機場致發光裝置24中，如圖11所示，均等地設定像素內的用於R、G與B之彩色像素20R1、20G1與20B1之大小27R1、27G1與27B1，並且均等地設定像素內的用於R、G與B之彩色像素20R1、20G1與20B1之形成位置。因此，舉例而言，如圖所示，在一些情況中，一個彩色像素的一陽極電極(在此情況中，綠色像素20G1之陽極電極281R1)與經連接至相鄰彩色像素的一訊號線(在此情況中，經連接至藍色像素20B1之訊號線DLb)係沿疊層方向彼此面對面(重疊)。在此情況中，在該陽極電極與該訊號線之間產生一寄生電容分量Cp。
即，在現有像素100R、100G及100B中，舉例而言，如圖12A之概要剖面圖所示，彩色像素電路大小(間距)106R、106G與106B對應於彩色像素大小(間距)27R1、27G1與27B1。因此，僅固有電容分量Cr101、Cg101與Cb101存在。同時，在前述第一具體實施例之像素20R1、20G1與20B1中，舉例而言，如圖12B之概要剖面圖所示，彩色像素電路大小(間距)26R、26G與26B不對應於彩色像素大小(間距)27R1、27G1與27B1。因此，與相鄰像素的重疊區域中產生該寄生電容分量Cp。舉例而言，圖13繪示此類寄生電容分量Cp的電路圖。
在產生此類寄生電容分量Cp之情況中，舉例而言，在圖14中之時序波形圖(時序t1至t18)所示，在相對應於正在發射光線之像素(在此情況中，綠色像素20G1)的一訊號線(在此情況中，訊號線DLg)中，受到該寄生電容分量Cp所造成的耦合的影響，可產生影像品質失調(串擾現象)。具體而言，依據相對應於藍色像素20B1的訊號線DLb之電位V(DLb)的振幅，透過該寄生電容分量Cp自藍色訊號電位Vsig而在綠色驅動電晶體22中產生耦合(驅動)。舉例而言，如同介於時序t14與t15之間或介於時序t16與t17之間的時間週期中，綠色驅動電晶體22中的源極電位Vs與閘極電位Vg皆增大。假使在驅動電晶體22中的閘極電位Vg增大之狀態中寫入一訊號，舉例而言，如同時序t18時候與之後的光發射時間週期T4中，與無串擾之情況下相比，閘極源極電壓Vgs減小，並且產生影像品質失調(串擾現象)。
因此，在此具體實施例中，如圖10所示，依據彩色像素電路大小26R、26G與26B之比率，不均等地設定彩色像素20R2、20G2與20B2之大小27R2、27G2與27B2。具體而言，依據彩色像素電路大小26R、26G與26B之比率，分別不均等地設定陽極電極281R2、281G2與281B2之排列間距27R2、27G2與27B2；及依據彩色像素電路大小26R、26G與26B之比率，分別不均等地設定發光層29R2、29G2與29B2之排列間距27R2、27G2與27B2。藉此，未產生介於一個像素的一陽極電極與經連接至相鄰像素的一訊號線之間的重疊區域，並且因此避免產生該寄生電容分量Cp。
如上文所述，在此具體實施例中，由於依據彩色像素電路大小26R、26G與26B之比率，不均等地設定彩色像素20R2、20G2與20B2之大小27R2、27G2與27B2，所以除了前述第一具體實施例中之效果外，亦能夠避免產生該寄生電容分量Cp，並且能夠消除影像品質失調(串擾現象)。據此，能夠減小整個像素電路之圖案缺陷率，而不影響影像品質。
第三具體實施例
圖15繪示根據本發明第三具體實施例之自體發光顯示單元(有機場致發光顯示單元)中之彩色像素20R3、20G3與20B3及分別相對應於彩色像素20R3、20G3與20B3之彩色像素電路的平面結構實例。
在此具體實施例之像素電路層中，以相同於前述第一具體實施例之方式的方式，依據每一有機場致發光裝置24所需的顯示驅動電流之大小之比率，分別不均等地設定該像素電路內的分別相對應於用於R、G與B之該等像素20R3、20G3與20B3之彩色像素電路大小26R、26G與26B，以獲得相同之光發射照度，其係依據該像素電路中的該等驅動電晶體22R1、22G1與22B1中的該複晶矽層P1與該第二金屬層M2之間的面對面區域(重疊區域)的該等彩色像素電路之間的一面積比率，或依據該等累積式電容元件23R1、23G1與23B1的該等彩色像素電路之間的一面積比率。
另外，在此具體實施例中，以相同於前述第一具體實施例之方式的方式，均等地設定該像素內之該等彩色像素20R3、20G3與20B3之大小。
但是，在此具體實施例之有機場致發光裝置中，不同於前述第一具體實施例及前述第二具體實施例，依據彩色像素電路大小26R、26G與26B之比率，不均等地設定像素之彩色像素20R3、20G3與20B3之形成位置。具體而言，設定陽極電極281R1、281G1與281B1及發光層29R1、29G1與29B1中之形成位置，致使一個像素的一陽極電極與經連接至相鄰像素的一訊號線沿疊層方向未彼此面對面(未產生重疊區域)，並且在陽極電極281R1、281G1與281B1及發光層29R1、29G1與29B1的形成區域中之適合位置中形成一輔助佈線區段280-3，該輔助佈線區段280-3電連接至陰極電極282。
藉此，不同於前述第一具體實施例，未產生介於一個像素的一陽極電極與經連接至相鄰像素的一訊號線之間的重疊區域。因此，避免產生寄生電容分量Cp。
另外，不同於前述第二具體實施例，由於均等地設定像素內之彩色像素20R3、20G3與20B3之大小(具體而言，發光層29R1、29G1與29B1及類似物之大小)。藉此，避免壽命依據所有顏色之視角特性不同及電流密度不同而不同。另外，避免白色平衡失調及用於R、G與B之垂直線大小不同。
據此，在此具體實施例中，由於均等地設定像素內之彩色像素20R3、20G3與20B3之大小(具體而言，發光層29R1、29G1與29B1及類似物之大小)，除了前述第二具體實施例之效果外，亦能夠減小整個像素電路之圖案缺陷率，而不影響影像品質，壽命特性與類似項未依據所有顏色之視角特性不同及電流密度不同而變更。
第四項具體實施例
圖16繪示根據本發明第四具體實施例之自體發光顯示單元(有機場致發光顯示單元)中之彩色像素20R4、20G4與20B4及分別相對應於彩色像素20R4、20G4與20B4之彩色像素電路的平面結構實例。圖17繪示根據此項具體實施例之另一自體發光顯示單元(有機場致發光顯示單元)中之彩色像素20R5、20G5與20B5及分別相對應於彩色像素20R5、20G5與20B5之彩色像素電路的平面結構實例。
在圖16所示之結構實例中，在對於用於R、G與B之所有像素均等地排列彩色像素電路之情況下(在假設均等地設定像素大小106R、106G與106B之情況下)，各自像素20R4、20G4與20B4之驅動電晶體22R2、22G2與22B2分別排列在本身所屬之彩色像素區域中。即，該等驅動電晶體22R2、22G2與22B2之各者係位於經定義為彩色像素電路區域的均等分割之區域內，該均等分割之區域係當該像素電路被均等地分割成若干彩色像素電路時產生，該均等分割之區域相對應於該等驅動電晶體之各者實際上所屬之該彩色像素電路。
另外，在圖17所示之結構實例中，在對於用於R、G與B之所有像素均等地排列彩色像素電路之情況下(在假設均等地設定像素大小106R、106G與106B之情況下)，各自像素20R5、20G5與20B5之累積式電容元件23R2、23G2與23B2分別排列在本身所屬之彩色像素區域中。即，該等累積式電容元件23R2、23G2與23B2之各者係位於經定義為彩色像素電路區域的均等分割之區域內，該均等分割之區域係當該像素電路被均等地分割成若干彩色像素電路時產生，該均等分割之區域相對應於該等累積式電容元件之各者實際上所屬之該彩色像素電路。
歸因於而造成前述結構，不同於前述第一具體實施例，未產生介於一個像素的一陽極電極與經連接至相鄰像素的一訊號線之間的重疊區域。據此，避免產生寄生電容分量Cp。
如上文所述，在此具體實施例中，該等驅動電晶體22R2、22G2與22B2之各者或該等累積式電容元件23R2、23G2與23B2之各者係位於經定義為彩色像素電路區域的均等分割之區域內，該均等分割之區域係當該像素電路被均等地分割成若干彩色像素電路時產生，該均等分割之區域相對應於該等驅動電晶體之各者或該等累積式電容元件之各者實際上所屬之該彩色像素電路。因此，除了前述第一具體實施例之效果外，亦能夠避免產生該寄生電容分量Cp，並且能夠消除影像品質失調(串擾現象)。結果，亦能夠減小整個像素電路之圖案缺陷率，而不影響影像品質。
再者，相對應於各像素的該等訊號線DLr、DLg與DLb之各者可位於經定義為彩色像素電路區域的均等分割之區域內，該均等分割之區域係當該像素電路被均等地分割成若干彩色像素電路時產生，該均等分割之區域相對應於該等訊號線之各者實際上所屬之該彩色像素電路。在此情況中，能夠消除影像品質失調(串擾現象)，及亦能夠減小整個像素電路之圖案缺陷率，而不影響影像品質。
另外，更一般而言，關於選自下列三組群組中之至少一或多組群組：該等驅動電晶體22R2、22G2與22B2；該等累積式電容元件23R2、23G2與23B2；及的該等訊號線DLr、DLg與DLb，如果一群組中之各元件者係位於經定義為彩色像素電路區域的均等分割之區域內(該均等分割之區域係當該像素電路被均等地分割成若干彩色像素電路時產生，該均等分割之區域相對應於各元件實際上所屬之該彩色像素電路)，則可獲得此具體實施例之效果。
應用實例
接下來，將參考圖18至圖22G描述前述第一具體實施例至第四具體實施例中描述之自體發光顯示單元的應用實例。前述第一具體實施例至第四具體實施例中描述之自體發光顯示單元(具體而言，有機場致發光顯示單元)能夠應用於任何領域中的電子裝置，以用於將自外部輸入的一圖像訊號或在內部產生的一圖像訊號顯示為一影像或一圖像，諸如電視機裝置、數位攝影機、筆記型個人電腦、攜帶型終端機裝置(諸如攜帶型電話機)及視訊攝影機。
第一應用實例
圖18繪示應用前述具體實施例之自體發光顯示單元的電視機裝置外觀。該電視機裝置具有(例如)一圖像顯示螢幕區段510，該圖像顯示螢幕區段510包含一正面面板511及一濾光玻璃512。該圖像顯示螢幕區段510係由依據前述具體實施例之自體發光顯示單元與類似物所組態。
第二應用實例
圖19A及圖19B繪示應用前述具體實施例之自體發光顯示單元的數位攝影機外觀。數位攝影機具有(例如)一用於閃光之發光區段521、一顯示區段522、一選單切換器523及一快門按鈕524。該顯示區段522係由依據前述具體實施例之自體發光顯示單元所組態。
第三應用實例
圖20繪示應用前述具體實施例之自體發光顯示單元的筆記型個人電腦外觀。該筆記型個人電腦具有(例如)：一主體531；一鍵盤532，用於輸入字元與類似項之操作；及一顯示區段533，用於顯示影像。該顯示區段533係由依據前述具體實施例之自體發光顯示單元所組態。
第四應用實例
圖21繪示應用前述具體實施例之自體發光顯示單元的視訊攝影機外觀。視訊攝影機具有(例如)：一主體541；一用於拍攝取物體之透鏡542，其提供在該主體541之正面；一拍攝開始/停止開關543；及一顯示區段544。該顯示區段544係由依據前述具體實施例之自體發光顯示單元所組態。
第五應用實例
圖22A至圖22G繪示應用前述具體實施例之自體發光顯示單元的行動電話外觀。舉例而言，在行動電話中，藉由一接合區段(鉸鏈區段)730來接合一上部封裝710與一下部封裝720。該行動電話具有：一顯示器740、一子顯示器750、一畫燈760及一攝影機770。該顯示器740或該子顯示器750係由依據前述具體實施例之自體發光顯示單元所組態。
雖然已引用第一至第四具體實施例及應用實例來描述本發明，但是應明白本發明不限定於前述之具體實施例與類似物，而是可進行各種修改。
舉例而言，在前述具體實施例與類似物中，雖然已描述藉由表達式1至表達式3來表達彩色像素電路大小26R、26G與26B與彩色像素大小27R2、27G2與27B2之案例，但是不均等排列之具體實施例不限定於此。
另外，舉例而言，如同圖23至圖25中所示之像素20-1中的像素電路，本發明能夠應用於產生並聯於有機場致發光裝置24之寄生電容分量240(所有顏色之電容值皆不同)，並且藉由兩個累積式電容元件23a與23b及類似物來調整所有顏色之電容值之差異。
此外，在前述具體實施例與類似物中，已描述由用於R、G與B之像素(在三個彩色像素之情況下)所構成之結構。但是，但是，本發明不限定於此類結構。即，舉例而言，本發明能夠應用於具有用於隨意數目之顏色的像素之結構，諸如藉由加入w(白色)像素所獲得的四種彩色像素之案例，兩種彩色像素之案例及五種彩色像素之案例。
另外，在前述具體實施例與類似物中，已描述彩色自體發光元件係一有機場致發光裝置之案例。但是，本發明亦應用於使用其它自體發光裝置(例如，無機場致發光裝置或LED)之自體發光顯示單元或類似物。
本發明包含相關於2008年6月18日向日本專利局申請之日本優先權專利案第JP 2008-159169號之主旨，該案整份內容以引用方式併入本文中。
熟習此項技術者應瞭解，取決於設計需求及其它因素(只要於附加申請專利範圍或其均等物之範疇內)，可出現各種修正、組合、子組合及變化。
1‧‧‧有機場致發光(EL)顯示單元
2‧‧‧像素陣列區段
20,20-1‧‧‧像素
20B1,20B2,20B3,20B4,20B5‧‧‧藍色像素
20G1,20G2,20G3,20G4,20G5‧‧‧綠色像素
20R1,20R2,20R3,20R4,20R5‧‧‧紅色像素
21,21R1,21G1,21B1．．．寫電晶體
22,22R1,22G1,22B1,22R2,22G2,22B2．．．驅動電晶體
23,23R1,23G1,23B1,23a,23b．．．累積式電容元件
24．．．有機場致發光裝置
25．．．共有電力供應線
26R,26G,26B．．．彩色像素電路大小/像素大小
26RGB．．．總像素大小
27R1,27G1,27B1．．．像素大小
27R2,27G2,27B2．．．像素大小(間距)/排列間距
29R1,29G1,29B1,29R2,29G2,29B2．．．發光層
31．．．電力掃描電路
32．．．寫掃描電路
33．．．水平驅動電路
100R．．．紅色像素
100G．．．綠色像素
100B．．．藍色像素
101R,101G,101B．．．寫電晶體
102R,102G,102B．．．驅動電晶體
103R,103G,103B．．．累積式電容元件
104．．．有機場致發光裝置
105．．．共有電力供應線
106R,106G,106B．．．彩色像素電路大小(間距)/像素大小
106RGB．．．總像素大小
108-1,108-3．．．輔助電極區段
281R,281G,281B,281R2,281G2,281B2．．．陽極電極
282．．．陰極電極
240．．．寄生電容分量
510．．．圖像顯示螢幕區段
511．．．正面面板511
512．．．濾光玻璃
521．．．用於閃光之發光區段
522．．．顯示區段
523．．．選單切換器
524．．．快門按鈕
531．．．主體
532．．．鍵盤
533．．．顯示區段
541．．．主體
542．．．用於拍攝取物體之透鏡
543．．．拍攝開始/停止開關
544．．．顯示區段
710．．．上部封裝
720．．．下部封裝
730．．．接合區段(鉸鏈區段)
740．．．顯示器
750．．．子顯示器
760．．．畫燈
770．．．攝影機
Cp．．．寄生電容分量
Cr101,Cg101,Cb101．．．固有電容分量
CT12．．．連接接觸區段
CT23．．．連接接觸區段
CT2P．．．連接接觸區段
DL(DL-1至DL-n),DLr,DLg,DLb．．．訊號線
M1．．．第一金屬層
M2．．．第二金屬層
Na．．．節點
P1．．．複晶矽層
VL(VL-1至VL-m)．．．電力供應線
Vo．．．參考電位
Vsig．．．訊號電位
WL(WL-1至WL-m)．．．掃描線
圖1繪示根據本發明第一具體實施例之自體發光顯示單元之整體結構的方塊圖；
圖2繪示圖1所示之各像素中之像素電路之結構實例的電路圖；
圖3繪示圖2中所示之像素電路之結構的平面圖；
圖4繪示根據第一具體實施例之用於各顏色之像素的像素電路層之結構實例的平面圖；
圖5繪示根據第一具體實施例之用於各顏色之像素的自體發光裝置之結構實例的平面圖；
圖6繪示圖4及圖5中所示之像素電路層與自體發光裝置之剖面結構實例的剖面圖；
圖7繪示圖2中所示之像素電路中的顯示驅動操作實例的時序波形圖；
圖8繪示根據比較性實例之用於各顏色之像素的像素電路層之現有結構的平面圖；圖9繪示根據比較性實例之用於各顏色之像素的自體發光裝置之現有結構的平面圖；圖10繪示根據第二具體實施例之用於各顏色之像素的自體發光裝置之結構實例的平面圖；圖11繪示用於解說可在第二具體實施例之像素電路層與自體發光裝置中產生之寄生電容分量的平面圖；圖12A與圖12B繪示用於解說圖11中所示之寄生電容分量的概要剖面圖；圖13繪示用於解說圖11中所示之寄生電容分量的概要剖面圖的電路圖；圖14繪示用於解說圖11中所示之寄生電容分量所造成的串擾現象的時序波形圖；圖15繪示根據第三具體實施例之用於各顏色之像素的自體發光裝置之結構實例的平面圖；圖16繪示根據第四具體實施例之用於各顏色之像素的像素電路層之結構實例的平面圖；圖17繪示根據第四具體實施例之用於各顏色之像素的像素電路層之另一結構實例的平面圖；圖18繪示根據本發明之自體發光顯示單元之第一應用實例之外觀的剖視圖；圖19A繪示自第二應用實例之前側檢視的外觀的剖視圖，及圖19B繪示自第二應用實例之背側檢視的外觀的剖 視圖；圖20繪示第三應用實例之外觀的剖視圖；圖21繪示第四應用實例之外觀的剖視圖；圖22A繪示第五應用實例未閉合之立視圖，圖22B繪示第五應用實例未閉合之側視圖，圖22C繪示第五應用實例閉合之立視圖；圖22D繪示第五應用實例閉合之側視圖，圖22E繪示第五應用實例閉合之右視圖，圖22F繪示第五應用實例閉合之俯視圖，及圖22G繪示第五應用實例閉合之底視圖；圖23繪示根據本發明之修改實例之像素電路之結構的電路圖；圖24繪示圖23中所示之像素電路之結構的平面圖；及圖25繪示相對應於圖23中所示之像素電路的自體發光裝置結構的平面圖。
20R1．．．紅色像素
20G1．．．綠色像素
20B1．．．藍色像素
21R1,21G1,21B1．．．寫電晶體
22R1,22G1,22B1．．．驅動電晶體
23R1,23G1,23B1．．．累積式電容元件
26R,26G,26B．．．彩色像素電路/像素大小
26RGB．．．總像素大小
DLr,DLg,DLb．．．訊號線
VL．．．電力供應線
WL．．．掃描線

Claims (18)

  1. 一種自體發光顯示單元，其包括：一像素層，在該像素層中形成複數個像素，該等像素之各者係由複數個彩色像素所組態，各彩色像素具有一彩色自體發光元件；及一像素電路層，在該像素電路層中形成複數個像素電路，該等像素電路之各者係由複數個彩色像素電路所組態，該複數個彩色像素電路分別驅動該等彩色像素，其中依據驅動電流之一量值比率，不均等地設定該像素電路內之該等彩色像素電路之大小，該等驅動電流使該像素中之該等彩色自體發光元件以一相同之光發射照度發射；其中在該等彩色像素之各者中的該彩色自體發光元件具有一疊層結構，該疊層結構包括一陽極電極、一發光層與一陰極電極；且其中依據該像素電路內之該等彩色像素電路之間的該大小比率，不均等地設定該像素內之該等陽極電極之大小。
  2. 如請求項1之自體發光顯示單元，其中均等地設定該像素內之該等彩色像素之大小，及均等地設定該像素內之該等彩色像素之位置。
  3. 如請求項2之自體發光顯示單元，其中均等地設定該像素內之陽極電極之位置，均等地設定該像素內之發光層之大小，及 均等地設定該像素內之發光層之位置。
  4. 如請求項1之自體發光顯示單元，其中依據該像素電路內之該等彩色像素電路之間的一大小比率，不均等地設定該像素內之該等彩色像素之大小。
  5. 如請求項4之自體發光顯示單元，其中依據該像素電路內之該等彩色像素電路之間的該大小比率，不均等地設定該像素內之該等發光層之大小。
  6. 如請求項4之自體發光顯示單元，其中該等像素係由R(紅色)彩色像素、G(綠色)彩色像素與B(藍色)彩色像素所組態，該像素電路係由R彩色像素電路、G彩色像素電路與B彩色像素電路所組態，及滿足表達式「(該G彩色像素之大小)<(該R彩色像素之大小)<(該B彩色像素之大小)」與表達式「(該G彩色像素電路之大小)<(該R彩色像素電路之大小)<(該B彩色像素電路之大小)」。
  7. 如請求項1之自體發光顯示單元，其中均等地設定該像素內之該等彩色像素之大小，及依據該像素電路內之該等彩色像素電路之間的一大小比率，不均等地設定該像素內之該等彩色像素之位置。
  8. 如請求項7之自體發光顯示單元，其中均等地設定該像素內之發光層之大小，及依據該像素電路內之該等彩色像素電路之間的該大小比率，不均等地設定該像素內之該等陽極電極之位置， 並且不均等地設定該像素內之該等發光層之位置。
  9. 如請求項7之自體發光顯示單元，其中該等彩色像素之各者連接至一訊號線，用於依據一圖像訊號來供應一驅動電壓，及該等陽極電極及該等發光層之位置被設定以致使一個彩色像素之該陽極電極與經連接至一相鄰彩色像素之一訊號線彼此不重疊。
  10. 如請求項9之自體發光顯示單元，其中在未形成該陽極電極且未形成該發光層之一區域中形成一輔助佈線區段，該輔助佈線區段電連接至該陰極電極。
  11. 如請求項1之自體發光顯示單元，其中該等彩色像素電路之各者包括一驅動電晶體：及該驅動電晶體係位於經定義為一彩色像素電路區域的一均等分割之區域內，該均等分割之區域係假設該像素電路被均等地分割成若干彩色像素電路而產生，該均等分割之區域相對應於該驅動電晶體原始所屬之該彩色像素電路。
  12. 如請求項1之自體發光顯示單元，其中該等彩色像素電路之各者包括一電容元件，及該電容元件係位於經定義為一彩色像素電路區域的一均等分割之區域內，該均等分割之區域係假設該像素電路被均等地分割成若干彩色像素電路而產生，該均等分割之區域相對應於該電容元件原始所屬之該彩色像素電路。
  13. 如請求項1之自體發光顯示單元，其中該等彩色像素之各者連接至一訊號線，用於依據一圖像訊號來供應一驅動電壓，及該訊號線係位於經定義為一彩色像素電路區域的一均等分割之區域內，該均等分割之區域係假設該像素電路被均等地分割成若干彩色像素電路而產生，該均等分割之區域相對應於該訊號線原始所屬之該彩色像素電路。
  14. 如請求項1之自體發光顯示單元，其中該像素係由R彩色像素、G彩色像素與B彩色像素所組態。
  15. 如請求項14之自體發光顯示單元，其中滿足表達式「(該G彩色像素之大小)<(該R彩色像素之大小)<(該B彩色像素之大小)」。
  16. 如請求項1之自體發光顯示單元，其中該彩色自體發光元件係一有機場致發光(EL)裝置。
  17. 一種自體發光顯示單元，其包括：一像素層，在該像素層中形成複數個像素，該等像素之各者係由複數個彩色像素所組態，各彩色像素具有一彩色自體發光元件；及一像素電路層，在該像素電路層中形成複數個像素電路，該等像素電路之各者係由複數個彩色像素電路所組態，該複數個彩色像素電路分別驅動該等彩色像素，其中該等彩色像素電路之各者包括一驅動電晶體，該驅動電晶體具有一作用層與一閘電極；其中依據重疊區域之間的一面積比率，不均等地設定 該像素電路內之該等彩色像素電路之大小，各區域定義為該驅動電晶體中之該作用層與該閘電極彼此重疊所在處之一區域；其中在該等彩色像素之各者中的該彩色自體發光元件具有一疊層結構，該疊層結構包括一陽極電極、一發光層與一陰極電極；且其中依據該像素電路內之該等彩色像素電路之間的該大小比率，不均等地設定該像素內之該等陽極電極之大小。
  18. 一種自體發光顯示單元，其包括：一像素層，在該像素層中形成複數個像素，該等像素之各者係由複數個彩色像素所組態，各彩色像素具有一彩色自體發光元件；及一像素電路層，在該像素電路層中形成複數個像素電路，該等像素電路之各者係由複數個彩色像素電路所組態，該複數個彩色像素電路分別驅動該等彩色像素，其中該等彩色像素電路之各者包括一電容元件；其中依據該像素電路內之該等彩色像素電路中的電容元件之間的一面積比率，不均等地設定該等彩色像素電路之大小；其中在該等彩色像素之各者中的該彩色自體發光元件具有一疊層結構，該疊層結構包括一陽極電極、一發光層與一陰極電極；且其中依據該像素電路內之該等彩色像素電路之間的該 大小比率，不均等地設定該像素內之該等陽極電極之大小。
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