TWI407505B - Plasma chemical reactor - Google Patents

Description

等離子化學反應器

本發明係關於一種製作大尺寸晶片之等離子化學反應器，尤指一種等離子化學反應器，係設有一空腔，一通過懸壁結構被支撐在該空腔之一側壁面上，用以支撐一基板之陰極裝置，以及一排放反應氣體之擋板。該擋板上可以不均勻設置複數穿孔用以排放反應氣體，甚至可以在一不均勻結構中之陰極裝置上均勻排放需要排出之氣體，從而提高了該空腔中等離子的均勻性，也改進了蝕刻等過程中該基板蝕刻率之均勻性。

按，一個半導體積體電路(IC)設備或一種玻璃基板中通常使用一種大尺寸晶片主要作為液晶顯示器(LCD)等。它表面形成複數薄膜層，通過僅選擇性地移動一部分薄膜，從而在表面上形成一個預定形狀的超精細結構，藉以形成了一複合圈或薄膜層。這時可以使用多種方法製作薄膜，如一種水洗法、一種沉積法、一種影印石版法、一種電鍍法、一種蝕刻法等等。

上述各種方法主要是在一空腔或一反應爐中進行，通過此種反應設備將一晶體或一基板從外面分離出來。

在上述方法，特別是蝕刻方法中，主要是通過向該空腔或該反應爐中注入反應氣體(如：CF4、Cl2、HBr等)，使在一晶體表面上移動的目標材料經過一個等離子狀態的化學反應。蝕刻法選擇性移動一部分，而不是通過一種光致抗蝕模 式，如一種範本，來使用光致抗蝕劑將其整個覆蓋，這樣也就在該基板上形成了一種較好的模式。因此，最重要的是在該基板之表面上保持蝕刻之均勻性。

因此，提高蝕刻之均勻性，防止過程中產生錯誤，該空腔中形成汁等離子均要保持均勻性，從而與該基板之表面接觸。

但是，在傳統的等離子化學反應器中，該陰極裝置是安裝在該空腔中一左/右不均勻結構中的，因為支撐該基板的該陰極裝置是通過一安裝在該空腔一側之壁面上之陰極支撐杆被支撐在一懸臂結構裏的。所以，就產生了下述問題。

第一個問題是，當等離子反應產生的反應氣體、聚合物或顆粒流到該空腔的下面，會受到支撐該陰極裝置之陰極支撐杆的阻礙，因此不能在該陰極裝置的週邊均勻地排放需排出的氣體。第二個問題是，當反應氣體被排出後，會受到該陰極支撐杆一端的阻礙，由於反應氣體是不均勻排出的，也就無法在該基板之表面均勻地形成等離子，從而引起一個蝕刻等過程中蝕刻率的非均勻性。

有鑒於上述習用等離子化學反應器仍有諸多缺失；因此，發明人乃經過長久努力研究與實驗，終於開發設計出本發明之一種「等離子化學反應器」。

本發明的較佳實施例一方面是至少解決習用技術之問題或缺點，並至少具有下述優點。此外，本發明的較佳實施例一方面可以使反應氣體沿一空腔內之一基托周圍均勻高效地 排出，為通過安裝一擋板使反應氣體沿該基托周圍排出，並且在該擋板上不均勻設置複數穿孔使反應氣體可以均勻地排出。

本發明的較佳實施例另一方面是通過使一基板之表面上的等離子保持均勻性，藉以保持整個該基板之表面在蝕刻等過程中均勻的蝕刻率，並提高過程的均勻性。

本發明之目的即在提供一種等離子化學反應器，係包括一空腔、一陰極裝置及一擋板，該空腔提供了一等離子反應之空間，該陰極裝置係包括一陰極支撐杆及一基托，該陰極支撐杆之一端與該空腔之一壁面連接，該陰極支撐杆之另一端與該基托連接，該基托用以支撐該基板並在該空腔內中心之位置處設置一基板，該擋板係從外面***該基托並與其連接，藉以將該空腔之一反應空間分隔成上部和下部，該擋板上間隔設有複數穿過該擋板之穿孔，該等穿孔用來排放反應氣體。該等穿孔是不均勻設置的，其中在該陰極支撐杆頂側處之一穿孔面積要大於遠離該陰極支撐杆一側處之另一穿孔面積。

上述該擋板上之穿孔係包括複數間隔設置之狹槽，該等狹槽係一起形成一放射狀，該等狹槽之間在該陰極支撐杆頂側處之一間距小於遠離該陰極支撐杆一側處之另一間距。

上述該穿孔係包括複數等間距間隔設置之狹槽，該等狹槽係一起形成一放射狀，且每一狹槽之長度係從該陰極支撐杆之頂側到遠離該陰極支撐杆之一側逐漸規則變大，使該每一狹槽之一剖面可呈一橢圓形。

上述該穿孔係包括複數等間距間隔設置之狹槽，該等狹槽係一起形成一放射狀。且每一狹槽之長度係由內側從該陰極支撐杆之頂側到遠離該陰極支撐杆之一側逐漸規則變大，使該每一狹槽之一中心點為偏心設置於遠離該陰極支撐杆之一側。

上述該穿孔係包括複數間隔設置之洞，該等洞之間在該陰極支撐杆頂側處之一間距小於遠離該陰極支撐杆一側處之另一間距。

本發明之另一目的係在提供一種等離子化學反應器，係包括一空腔、一陰極裝置及一擋板，該空腔係提供了一等離子反應之空間，該陰極裝置係包括一陰極支撐杆及一基托，所述的陰極支撐杆一端與空腔的側壁連接，另一端與基托連接。所述的基托用於支撐基板，這樣便於在空腔內中心的位置處設置一塊基板。所述的擋板上下間隔地從外面***基托並與之連接，這樣將空腔的一個反應空間分隔成上部和下部，所述的擋板包括一塊第一排氣板和一塊第二排氣板，其中第一和第二排氣板上均間隔地設有多個穿過排氣板的穿孔用來排放空腔中的反應氣體。所述的第一和第二排氣板上用來排放反應氣體的一個穿孔面積是不同的。

上述該擋板之第一及第二排氣板係分別被互相匹配設置於一支撐物之頂端及底端，且該支撐物係從外面***該基托並與其連接。

上述該第一及該第二排氣板上之穿孔係包括複數等間距間隔設置之狹槽，該等狹槽係一起形成一放射狀，且該第一 及該第二排氣板上之每一狹槽之間距並不相同。

上述該第一及該第二排氣板上之穿孔均係包括複數間隔設置之洞，且該第一及該第二排氣板中設置至少一洞，而該第一及該第二排氣板上設置之該等洞之間在該陰極支撐杆頂側處之一間距小於遠離該陰極支撐杆一側之另一間距。

上述該第一及該第二排氣板上之穿孔均係包括複數間隔設置之狹槽，該等狹槽係一起形成一放射狀，且該第一及該第二排氣板中設置至少一洞，而該第一及該第二排氣板上設置之該等狹槽之間在該陰極支撐杆頂側處之一間距小於遠離該陰極支撐杆一側之另一間距。

上述該第一及該第二排氣板上的穿孔均係包括複數間隔設置之狹槽，該等狹槽係一起形成一放射狀，並於該第一及該第二排氣板中設置至少一狹槽，而該第一及該第二排氣板上所設置之每一狹槽之長度從該陰極支撐杆之頂側到遠離該陰極支撐杆之一側逐漸規則變大，使該狹槽之一剖面呈一橢圓形。

上述該該第一及該第二排氣板上之穿孔係包括複數間隔設置之狹槽，該等狹槽係一起形成一放射狀，且該第一及該第二排氣板中設置至少一狹槽，而該第一及該第二排氣板上所設置之每一狹槽之長度由內側從該陰極支撐杆之頂側到遠離該陰極支撐杆之一側逐漸規則變大，使每一狹槽之一中心點為偏心設置於遠離該陰極支撐杆之一側。

為便於 貴審查委員能對本發明之技術手段及運作過程 有更進一步之認識與瞭解，茲舉實施例配合圖式，詳細說明如下。

請分別參閱第一圖及第二A至第二C圖所示，係分別為本發明一較佳實施例之側面剖視圖及本發明所述之一擋板在不同較佳實施例中之結構示意圖。

本發明一較佳實施例係包括一提供等離子反應空間之空腔1，及安裝在該空腔1中之一陰極裝置10以及一擋板20。

該空腔1提供了一等離子反應之空間，在該空腔1之頂部中心位置處，設有一噴入一反應氣體之噴氣口2。在該空腔1之底部中心位置處，設有一將該反應氣體排放到該空腔1外之排氣口7。

該空腔1上面設有一射頻(RF)頂端電極6。

該陰極裝置10支撐一基板60，使該基板60能夠水準設置在該空腔1內，同時形成一RF底端電極16，而該陰極裝置10係包括一基托15、一陰極支撐杆13及一固定板12。

該基托15支撐該基板60，使該基板60能夠設置在該空腔1內之中心位置處，在該基托15之上面設有該RF底端電極16，用來放置該基板60。

該底端電極16形成了一RF陰極，其將噴入該空腔1內之反應氣體轉變成一等離子態，並通過該等離子來處理該基板60之表面。

每一個RF電源均分別與該空腔1上之頂端電極6，以及該底端電極16相連，它們提供一個RF電流，用於將該反應氣體轉變成一等離子狀態。

該反應氣體通過該噴氣口2噴入該空腔1內，由於該噴氣口2與該底端電極16是設置在同一直線上，因此該基板60之表面可以均勻地產生等離子體。

因此，借助於RF電源，該反應氣體在該空腔1內轉變成一等離子狀態，並在該基板60之表面發生反應，處理該基板60，然後通過設置在該空腔1下側之排氣口7排出。

還可以在該底端電極16之上部設置一用於固定該基板60之靜電夾頭(圖中未示)，從而進一步穩定固定該基板60；也可以在該底端電極16或該靜電夾頭之上表面設置一導氣管(圖中未示)來導入氫(He)氣，用於冷卻該基板60。

該靜電夾電通過利用靜電之電位差，使電極表面及一目標物之間產生靜電引力，從而吸附該目標物。

該陰極支撐杆13支撐該基托15，而該陰極支撐杆13之一端與該固定板12相連，且該陰極支撐杆13之另一端與該基托15的週邊相連，從而以懸臂支撐的方式支撐該基托15。

該固定板12與該空腔1之一側壁面連接，該空腔1之一側壁面上設有穿過該壁面之插洞8，該固定板12與該插洞8相連。

該固定板12和該空腔1上之插洞8可以設置成各種形狀，如圓形，正方形等等。

該固定板12比該插洞8更大，並沿該插洞8週邊螺接於該插洞8。此外，該空腔1其週邊表面的連接部位處設有一密封構件5，從而防止反應氣體發生洩漏。

該擋板20使等離子反應氣體在該空腔1之上部停留預定時 間後排出，而該擋板20從外面***該陰極裝置10之基托15，並且彼此間隔設置在該空腔1之一內周表面和該基托15之一外周表面之間。

該擋板20為預定厚度之圓環形(如第二A圖所示)，該擋板20之中心設有一穿過該擋板20之連接洞27，該連接洞27用於***該基托15並與其連接，該擋板20之外周表面與該空腔1之內周表面相匹配。

在本實施例中，該擋板20之外周並不僅限於圓環形，也可以是正方形等等，該擋板20之形狀是由該空腔1之內周表面形狀所決定之。

因此，該擋板20之外周表面是緊密附著連接在該空腔1之內周表面的，並該連接洞27之內周表面是緊密附著連接在該基托15之外周表面的，從而將該空腔1之一反應空間分隔成上部及下部。

該固定板12之內表面上設有一階式部件14，該部件14具有與該空腔1內周表面相同之表面，而該階式部件14之內表面係與該基板20之外周表面緊密相連。

該擋板20可以承壓或連接，為了支撐該擋板20之下表面，可以在該空腔1之內周表面上或該基托15之外周表面上突出設置一預定高度之支撐夾(圖中未示)。

該擋板20上設有複數穿過該擋板20之穿孔25(如第二A圖所示)。

該反應氣體穿過該穿孔25，該等穿孔25之狹槽長度是預定的，該等穿孔25之狹槽彼此之間間隔一定的距離，呈放射 狀設置。

該陰極裝置10之陰極支撐杆13設置在該反應氣體的排氣通道上(如第一圖所示)，這樣就阻礙了該反應氣體之排放。因此，如果狹槽等間距地間隔設置在該擋板20上，那麼該反應氣體主要是從設置在遠離陰極支撐杆13一側(圖1中所示的A側)處的狹槽排出，因為這裏不會產生阻礙。

因此，該反應氣體是不均勻地排出的，從而使該基板60上部的等離子無法保持均勻的狀態。

為了解決這個問題，將該擋板20上之穿孔25設置成複數間隔設置之狹槽(如第二A圖所示)，該等穿孔25之狹槽一起形成一放射狀。該等穿孔25之狹槽之間的一裂縫是不均勻設置的，該等穿孔25之狹槽之間在該陰極支撐杆頂13頂側(如第一圖和第二A圖中的B側)處之一間距小於遠離該陰極支撐杆13一側(如第一圖和第二A圖中的A側)處之另一間距。

因此，該擋板20在遠離該陰極支撐杆13一側(如第一圖和第二A圖中的A側)處之一穿孔面積相對較小，而該反應氣體相對較少地從遠離該陰極支撐杆13一側排出，在這一側，該等穿孔25之狹槽間之間距更大，這樣使該反應氣體均勻地穿過整個擋板20排出。

請分別參閱第二B圖及第二C圖所示，係為該擋板21、22在不同較佳實施例中之結構示意圖。將該等穿孔25之狹槽設置成不同的長度，使該反應氣體較少地從遠離陰極支撐杆13一側(圖中的A側)排出。

即，如第二B圖所示，這樣設置一擋板21(該擋板21為與 第二A圖之擋板20有所區別以方便進行說明，故在本實施例將原該擋板20之元件符號改標示為21)，由於該擋板21偏向遠離該陰極支撐杆13一側(如第二B圖中的A側)，形成該等穿孔25之狹槽長度由外側逐漸規則變小，因此，使整個狹槽之一剖面呈一橢圓形。

第二C圖顯示該擋板22的另一個較佳實施例。由於該擋板22(該擋板22為與第二B圖之擋板21有所區別以方便進行說明，故在本實施例將原該擋板21之元件符號改標示為22)偏向遠離該陰極支撐杆13一側(第二C圖中的A側)，形成該等穿孔25之狹槽長度由外側逐漸規則變小，因此，使整個狹槽的一中心點22a與該連接洞27之中心不重合，而是偏心於遠離該陰極支撐杆13的一側(第二C圖中的A側)。

因此，該擋板22在遠離該陰極支撐杆13之一側(第二C圖中的A側)處之一穿孔面積更小，這樣就使該反應氣體可全部均勻排出。

請參閱第3圖所示，係為本發明所述之一擋板在另一較佳實施例中之結構示意圖。除了穿孔35(該穿孔35為與前述實施例之穿孔25有所區別以方便進行說明，故在本實施例將原該穿孔25之元件符號改標示為35)被設置成洞形，該擋板30(該擋板30為與前述實施例之擋板20、21、22有所區別以方便進行說明，故在本實施例將原該擋板20、21、22之元件符號改標示為30)的其他特徵與上述實施例均一致，因此該擋板30是前述較佳實施例的另一改進結構。

將該擋板30上之穿孔35設置成複數間隔排列之洞。

該等洞之間在該陰極支撐杆頂13頂側(第3圖中的B側)處之一間距小於遠離該陰極支撐杆13一側(第3圖中的A側)處之另一間距，並且A側處之一穿孔面積相對小於B側。因此，該反應氣體相對較少且穿過A側之穿孔35予以排出。

請分別參閱第四圖及第五A至五B圖所示，係分別為本發明中設有一擋板40之另一較佳實施例之側面剖視圖。除了該擋板40在結構上包括頂部及底部兩個部分之外，該較佳實施例的其他特徵與前述較佳實施例均相同，因此該擋板40是前述較佳實施例之改進結構。

該擋板40(該擋板40為與前述實施例之擋板20、21、22、30有所區別以方便進行說明，故在本實施例將原該擋板20、21、22、30之元件符號改標示為40)係包括一支撐物49、一第一排氣板45及一第二排氣板46(如第五A圖及第五B圖所示)，該支撐物49上設有一穿過整個支撐物49之連接洞47，這樣該基托就可以通過該支撐物49被***到該擋板40之中心並與其連接，該第一排氣板45及該第二排氣板46係分別沿該支撐物49之上端及下端外周表面突出設置。

在本實施例中，該支撐物49係為一圓柱形，且該支撐物49從外面***安裝在該基托15上。

因此，該擋板40之第一排氣板45及第二排氣板46(如第四圖所示)係分別從外面相匹配地***該基托15中，因此該等排氣板45、46是上下間隔地安裝之。

該等排氣板45、46之外周表面均分別與該空腔1的之內周表面相匹配。

因此，該連接洞47之內周表面與該支撐物49之外周表面緊密附著，而該等排氣板45、46之外周表面沿該固定板12之階式部件14與該空腔1之內周表面緊密附著連接。

為了使該第二排氣板46之下表面，可以按照第二A至二C圖所示之單一形式之擋板20、21及22的方式，同樣在該空腔1之內周表面上或該基托15之外周表面上突出設置一預定高度之支撐夾(圖中未示)。

在另一個較佳實施例中，該擋板40不包括一支撐物49，而是只包括該等排氣板45、46，而該等排氣板45、46係上下間隔設置，並分別***該基托15中。

而理想的擋板40，其該第一排氣板45及第二排氣板46設有複數狹槽形之穿孔48，且該等排氣板45、46上設有不同之狹槽裂縫，並隨之具有不同之穿孔面積。

將該第一排氣板45上之狹槽裂縫設置成小於該第二排氣板46上的並不能限制本發明的保護範圍。該第二排氣板46上之狹槽裂縫也可以設置成相對更小的。

因此，該反應氣體在穿過該第一排氣板45之後，會第二次穿過該第二排氣板46予以排出。

這時，該等排氣板45、46之間的間隔就形成了一個緩衝器，從而減少了在不均勻結構中，該陰極裝置10之陰極支撐杆13對氣體之阻礙。從而增加了該反應氣體排出的均勻性。

請分別參閱第六A至六C圖所示，係為第四圖所示之擋板40在不同較佳實施例中之俯視圖。其中該第一排氣板45中穿孔48的設置和第二A至二C圖所示的較佳實施例具有相同的特 徵。遠離該陰極支撐杆13之一側，即A側部位設置之一穿孔面積更小。

因此，該擋板40之第一排氣板45在遠離該陰極支撐杆13一側(如第六A至六C圖中的A側)設置之一穿孔面積比該陰極支撐杆13之頂側(如第六A至六C圖中的B側)相對更小，該反應氣體相對更少地從遠離該陰極支撐杆13之一側(如第六A至六C圖中的A側)予以排出，在這一側設置之狹槽間距更大，因此使該反應氣體均勻地穿過整個擋板40予以排出。

請參閱第七圖所示，係為第五圖所示之擋板40在另一較佳實施例中之俯視圖，該穿孔58(該穿孔58為與前述實施例之穿孔35有所區別以方便進行說明，故在本實施例將原該穿孔35之元件符號改標示為58)是通過與第三圖所示之較佳實施例中相同的方法被設置在該擋板50(該擋板50為與前述實施例之擋板20、21、22、30、40有所區別以方便進行說明，故在本實施例將原該擋板20、21、22、30、40之元件符號改標示為50)之第一排氣板55(該第一排氣板55為與前述實施例之第一排氣板45有所區別以方便進行說明，故在本實施例將原該第一排氣板45之元件符號改標示為55)中的。而該穿孔58設置成複數間隔排列之洞，該等洞之間在A側部位設置的一個間距更大，這樣在遠離該陰極支撐杆13一側(如第七圖中的A側)處設置之穿孔面積就更小。

因此，該等排氣板55、56(該等排氣板55、56為與前述實施例之該等排氣板45、46有所區別以方便進行說明，故在本實施例將原該等排氣板45、46之元件符號分別改標示為 55、56)之間的間隔部分所產生的緩衝作用可以進一步改進該反應氣體之非均勻排氣，且該等排氣板55、56還可以減小該基板60之支撐杆13的影響，從而保證排氣的整體均勻性。

該第一排氣板45、55和該第二排氣板46、56中即可以是兩者擇一的，也可以全部地都將該擋板41、42、43和50上的穿孔48、58設置成非均勻排列。此外，在第五圖所示的較佳實施例中，該等排氣板45、46上之穿孔面積也可以不相同。

請分別參閱第八A至八B圖，係分別為設有一擋板之等離子化學反應器，其蝕刻率之實驗資料比較曲線圖。

在曲線中，水準軸表示連接該基板60(如一300mm之晶片)頂端及底端的一條虛擬線上的一個測量點，垂直軸表示一蝕刻率(如每小時的一蝕刻濃度)。

當該擋板上等間距地間隔設置複數狹槽時(如第八A圖所示)，蝕刻率約為2,900-3,150(Å/min)，即不均勻率約為4.12%。

但是，當擋板上不均勻地設置複數狹槽時(如第八B圖所示)，蝕刻率約為2,870-2,970(Å/min)，即不均勻率約為2.28%。

因此，在本發明之一較佳實施例中，該穿孔25、35、48及58是不均勻地設置在該擋板20、21、22、30、40、41、42、43及50上的，從而減少該基托15之影響，並使該反應氣體沿該基托15之周圍均勻地排出。這樣，該基板60表面上形成汁等離子就可以保持均勻性，從而可以在蝕刻等過程中，增加該基板60整個表面上之蝕刻均勻性。

綜上所述，上述較佳實施例僅是舉例描述了有益之處，因此並不能用於限制權利要求。因此本發明也可以同樣應用於其他所有的等離子真空處理設備，如反應濺射法或化學氣相澱積工藝(CVD)。

綜上所述，本發明較佳的實施例中，首先是通過使該反應氣體沿不均勻結構中，由該陰極裝置10之週邊均勻排出，高效地排出該反應氣體，來達到有效減少過程中的錯誤率並提高反應效率的目的。

其次，通過保持該基板60表面上等離子的均勻性以及保持蝕刻過程中，整個基板60表面蝕刻率的均勻性，來達到顯著提高基板60的蝕刻均勻性並提高品質及生產力的目的。

上列詳細說明係針對本發明之一可行實施例之具體說明，惟該實施例並非用以限制本發明之專利範圍，凡未脫離本發明技藝精神所為之等效實施或變更均應包含於本案之專利範圍中。

1‧‧‧空腔

10‧‧‧陰極裝置

12‧‧‧固定板

13‧‧‧陰極支撐杆

14‧‧‧階式部件

15‧‧‧基托

16‧‧‧底端電極

2‧‧‧噴氣口

20‧‧‧擋板

21‧‧‧擋板

22‧‧‧擋板

22a‧‧‧中心點

25‧‧‧穿孔

27‧‧‧連接洞

30‧‧‧擋板

35‧‧‧穿孔

40‧‧‧擋板

45‧‧‧第一排氣板

46‧‧‧第二排氣板

47‧‧‧連接洞

48‧‧‧穿孔

49‧‧‧支撐物

5‧‧‧密封構件

50‧‧‧擋板

55‧‧‧第一排氣板

56‧‧‧第二排氣板

58‧‧‧穿孔

6‧‧‧頂端電極

60‧‧‧基板

7‧‧‧排氣口

8‧‧‧插洞

第一圖係為本發明之一較佳實施例之側面剖視圖；第二A至二C圖係為本發明所述之一擋板在不同較佳實施例中之結構示意圖；第三圖係為本發明所述之一擋板在另一較佳實施例中之結構示意圖；第四圖係為本發明另一較佳實施例之側面剖視圖；第五A至五B圖係分別為本發明所述之一第一排氣板及一第二排氣板之擋板在一較佳實施例之側視圖及俯視圖； 第六A至六C圖係分別為第四圖所示之擋板在不同較佳實施例中之俯視圖；第七圖係為第五圖所示之擋板在另一較佳實施例中之俯視圖；以及第八A至八B圖係分別為設有一擋板之等離子反應器，其蝕刻率之實驗資料比較曲線圖。

1‧‧‧空腔

10‧‧‧陰極裝置

12‧‧‧固定板

13‧‧‧陰極支撐杆

14‧‧‧階式部件

15‧‧‧基托

16‧‧‧底端電極

2‧‧‧噴氣口

20‧‧‧擋板

5‧‧‧密封構件

6‧‧‧頂端電極

60‧‧‧基板

7‧‧‧排氣口

8‧‧‧插洞

Claims (9)

1. 一種等離子化學反應器，包括：一空腔，係為提供等離子反應之空間；一陰極裝置，係包括一陰極支撐杆及一基托，該陰極支撐杆之一端與該空腔之一壁面連接，且該陰極支撐杆之另一端與該基托連接，而該基托用於支撐基板，藉以在該空腔內中心之位置處設置一基板；以及一擋板，係自外面***該基托並與其連接，藉以將該空腔之一反應空間分隔成上部及下部，該擋板之上間隔設有複數穿過該擋板之穿孔，且該擋板上之穿孔具有複數間隔設置之狹槽，該等狹槽一起形成一放射狀，該等狹槽之間在該陰極支撐杆頂側處之一間距小於遠離該陰極支撐杆一側處之另一間距，該等穿孔用以排放反應氣體，該等穿孔為不均勻設置之，其中在該陰極支撐杆頂側處之一穿孔面積要大於遠離該陰極支撐杆一側處之另一穿孔面積，而該等穿孔具有複數間隔設置之洞，該等洞之間在該陰極支撐杆頂側處之一間距小於遠離該陰極支撐杆一側處之另一間距。
2. 如申請專利範圍第1項所述之等離子化學反應器，其中該等穿孔係包括複數等間距間隔設置之狹槽，該等狹槽一起形成一放射狀，並且其中之一狹槽之長度係從該陰極支撐杆之頂側到遠離該陰極支撐杆之一側逐漸規則變大，使該狹槽之一剖面呈一橢圓形。
3. 如申請專利範圍第2項所述之等離子化學反應器，其中該複數等間距間隔設置之狹槽，該等狹槽一起形成一放射狀，且 每一狹槽之長度係由內側從該陰極支撐杆之頂側到遠離該陰極支撐杆之一側逐漸規則變大，使該每一狹槽之中心點為偏心設置於遠離該陰極支撐杆之另一側。
4. 一種等離子化學反應器，包括：一空腔，係為提供等離子反應之空間；一陰極裝置，係包括一陰極支撐杆及一基托，該陰極支撐杆之一端與該空腔之一壁面連接，且該陰極支撐杆之另一端與基托連接，而該基托用以支撐一基板，藉以在該空腔內中心之位置處設置該基板；以及一擋板，該擋板之上下間隔係自從外面***該基托並與其連接，藉以將該空腔之一反應空間分隔成上部和下部，而該擋板係包括一第一排氣板及一第二排氣板，其中該第一和該第二排氣板上均間隔設有複數穿過該等排氣板之穿孔，該等穿孔用以排放該空腔中之反應氣體，該第一和該第二排氣板上用以排放該反應氣體之穿孔面積並不相同，且該擋板之第一和第二排氣板分別被互相匹配設置在一支撐物之頂端及底端，該支撐物係自外面***該基托並與其連接。
5. 如申請專利範圍第4項所述之等離子化學反應器，其中該第一及該第二排氣板上之穿孔係包括複數等間距間隔設置之狹槽，該等狹槽係一起形成一放射狀，且該第一及該第二排氣板上每一狹槽之間距並不相同。
6. 如申請專利範圍第5項所述之等離子化學反應器，其中該第一及該第二排氣板上之穿孔係包括複數間隔設置之洞，並於該第一及該第二排氣板中設置至少一洞，該第一及該第二排 氣板上所設置之複數洞之間在該陰極支撐杆頂側處之一間距小於遠離該陰極支撐杆一側之另一間距。
7. 如申請專利範圍第6項所述之等離子化學反應器，其中該第一及該第二排氣板上之穿孔係包括複數間隔設置之狹槽，該等狹槽係一起形成一放射狀，並於該第一及該第二排氣板中設置至少一狹槽，該第一及該第二排氣板上所設置之複數狹槽之間在該陰極支撐杆頂側處之一間距小於遠離該陰極支撐杆一側之另一間距。
8. 如申請專利範圍第7項所述之等離子化學反應器，其中該第一及該第二排氣板上之穿孔係包括複數間隔設置之狹槽，該等狹槽係一起形成一放射狀，並於該第一及該第二排氣板中設置至少一狹槽，該第一及該第二排氣板上所設置之該狹槽之長度從該陰極支撐杆之頂側到遠離該陰極支撐杆之一側逐漸規則變大，使該狹槽之一剖面呈一橢圓形。
9. 如申請專利範圍第8項所述之等離子化學反應器，其中該第一及該第二排氣板上之穿孔係包括複數間隔設置之狹槽，該等狹槽係一起形成一放射狀，且每一狹槽之長度由內側從該陰極支撐杆之頂側到遠離該陰極支撐杆之一側逐漸規則變大，使該每一狹槽之一中心點為偏心設置於遠離該陰極支撐杆之一側。