TWI404017B - Display devices and electronic machines - Google Patents

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Katsuhide Uchino
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Description

顯示裝置及電子機器
本發明係與顯示裝置及電子機器有關，尤其與平面型(平板型)之顯示裝置及具有該顯示裝置之電子機器有關，而平面型(平板型)之顯示裝置係包含光電元件之畫素呈列行狀(矩陣狀)配置而成者。
近年來，在進行圖像顯示之顯示裝置的範疇中，包含發光元件之畫素(畫素電路)呈列行狀配置而成的平面型之顯示裝置，係正迅速普及中。就平面型之顯示裝置而言，作為畫素之發光元件，有依據往裝置流動之電流值而發光亮度呈變化的所謂電流驅動型之光電元件，而開發出使用有機EL(Electro Luminescene：電致發光)元件之有機EL顯示裝置，並已進行商品化，而有機EL元件係譬如利用將電場施加於有機薄膜則發光之現象者。
有機EL顯示裝置具有如次般的特色。亦即，有機EL元件由於可以10V以下之施加電壓驅動，因此為低消耗電力，又，由於係自發光元件，相較於液晶顯示裝置，圖像之辨識性高，且由於無需液晶顯示裝置所必須之背光等照明構件，因此容易輕量化及薄型化，而液晶顯示裝置係藉由依照包含液晶胞之各畫素，在該液晶胞控制來自光源(背光)之光強度而顯示圖像者。進而，由於有機EL元件之應答速度為非常高之μsec程度，因此，顯示動態影像時並不會發生殘影。
在有機EL顯示裝置方面，係與液晶顯示裝置同樣，作為其驅動方式，可採用單純(被動)矩陣方式與主動矩陣方式。其中，單純矩陣方式之顯示裝置雖構造簡單，但由於光電元件之發光期間藉由掃描線(亦即，畫素數)之增加而減少，因而有難以實現大型且高精細之顯示裝置等的問題。
基於此因，近年來，主動矩陣方式之顯示裝置的開發係相當盛行，而其係將往光電元件流動之電流藉由設於與該光電元件相同畫素電路內之主動元件，譬如，絕緣閘極型電場效果電晶體(一般為TFT(Thin Film Transistor：薄膜電晶體))予以控制者。主動矩陣方式之顯示裝置由於光電元件係跨1圖框之期間持續發光，因此容易實現大型且高精細之顯示裝置。
然而，一般而言，有機EL元件之I-V特性(電流-電壓特性)係當時間經過則劣化(所謂經時劣化)，此為已知事實。在畫素電路中，由於有機EL元件連接於驅動電晶體之源極側，因此，如有機EL元件之I-V特性呈經時劣化，則驅動電晶體之閘極-源極間電壓Vgs呈變化，其結果為，有機EL元件的發光亮度亦呈變化，而該畫素電路係作為將有機EL元件作電流驅動之電晶體(以下，記述為「驅動電晶體」)而使用N通道型之TFT者。
針對此事作更具體說明。驅動電晶體之源極電位係以該驅動電晶體與有機EL元件之動作點而決定。此外，由於如有機EL元件之I-V特性呈劣化，則驅動電晶體與有機EL元件之動作點呈現變動，因此，即使已將相同電壓施加於驅動電晶體之閘極，驅動電晶體之源極電位亦呈變化。藉由此方式，由於驅動電晶體之閘極-源極間電壓Vgs呈變化，因此，往該驅動電晶體流動之電流值係呈變化。其結果為，由於往有機EL元件流動之電流值亦呈變化，所以有機EL元件的發光亮度亦呈變化。
此外，在使用聚矽TFT之畫素電路方面，除有機EL元件之I-V特性的經時劣化外，驅動電晶體之臨限電壓Vth、及構成驅動電晶體之通道的半導體薄膜之遷移率(以下，記述為「驅動電晶體之遷移率」)μ係呈經時性變化，或是，因製造製程之偏差而臨限電壓Vth、及遷移率μ係依照各畫素而有所不同(在各自之電晶體特性有偏差)。
如驅動電晶體之臨限電壓Vth、及遷移率μ依照各畫素而不同，則依照各畫素而往驅動電晶體流動之電流值係產生偏差，因此，即使在畫素間將相同電壓施加於驅動電晶體之閘極，在畫素間有機EL元件之發光亮度亦產生偏差，其結果為，使畫面之一樣性(同一性)受損。
因此，即使有機EL元件之I-V特性呈經時劣化，或驅動電晶體之臨限電壓Vth及遷移率μ呈經時變化，但為了不受到該等之影響，使有機EL元件的發光亮度保持一定，而採取使畫素電路之各個具有下列各修正功能的構成：對有機EL元件之特性變動的補償功能；進而，對驅動電晶體之臨限電壓Vth之變動的修正(以下，記述為「臨限值修正」)；及對驅動電晶體之遷移率μ之變動的修正(以下，記述為「遷移率修正」)(譬如，參考專利文獻1)。
[專利文獻1]特開2006-215213號公報
在專利文獻1記載之先前技術方面，係使畫素電路之各個具有對有機EL元件之特性變動的補償功能、以及對驅動電晶體之臨限電壓Vth或遷移率μ之變動的修正功能，藉此，即使有機EL元件之I-V特性經時劣化，或驅動電晶體之臨限電壓Vth或遷移率μ經時變化，亦不受到該等之影響，可使有機EL元件的發光亮度保持一定，然而其反面，構成畫素電路之元件數多，而成為畫素尺寸微細化的障礙。
相對於此，為了謀求構成畫素電路之元件數或布線數的刪減，譬如可考慮採取如下手法：形成可切換供應至畫素電路之驅動電晶體的電源電位的構成，藉由該電源電位之切換，使驅動電晶體具有控制有機EL元件之發光期間/非發光期間的功能，而省略控制發光/非發光之專用電晶體。
藉由採取此手法，則可藉由如下所需最小限度之2個電晶體(除電容元件外)而構成畫素電路：將影像信號取樣並寫入畫素內的寫入電晶體；及根據由此寫入電晶體所寫入之影像信號而驅動有機EL元件的驅動電晶體(其詳細內容後述之)。
且說在彩色方式之顯示裝置中，如圖20所示，單位畫素(一畫素)300a一般係由屬於同一列之鄰接R(紅色)G(綠色)B(藍色)的三原色之子像素301R、301G、301B所構成。
相對於此，為了謀求高亮度化或低消耗電力化等，有時如圖21所示，除RGB之子像素301R、301G、301B外，還使用使用頻度高之白色(W)之子像素301W，以WRGB之4種子像素301W、301R、301G、301B構成單位畫素300b。
如此將單位畫素300b以4種子像素301W、301R、301G、301B構成的情形，一般而言，如圖21所示，會將正方形之子像素301W、301R、301G、301B遍及複數列，譬如2列而上下左右均等佈局。此一情形，可將每單位畫素之信號線的條數從RGB之情形的3條刪減為2條。
然而，由於單位畫素300b係將2列作為單位，因此在採取使驅動電晶體具有控制有機EL元件之發光期間/非發光期間的功能之畫素構成的情形，作為將電源電位供應至驅動電晶體之電源供應線，需要RGB之情形的2倍條數。
如電源供應線之條數成為2倍，由於該電源供應線在畫素面積所占的比率大，因此畫素之高精細度降低。又，如電源供應線之條數成為2倍，由於驅動該電源供應線之電源供應掃描電路的級數亦成為2倍，因此該電源供應掃描電路之電路規模增大，顯示面板上之被稱為所謂框緣之畫素陣列部的周邊部之窄框緣化就變得困難。
因此，本發明之目的在於提供一種顯示裝置及具有該顯示裝置之電子機器，其係在採取藉由屬於複數列之鄰接的複數個子像素而構成單位畫素，且使驅動電晶體具有控制發光期間/非發光期間之功能的畫素構成的情形下，可使顯示面板高精細化及窄框緣化。
為了達成上述目的，本發明採取如下構成：在包括畫素陣列部與電源供應線的顯示裝置中，將前述電源供應線於前述各複數列，即各單位畫素各布設1條；該畫素陣列部係子像素配置為列行狀，藉由屬於複數列之鄰接的複數個前述子像素而構成單位畫素，而該子像素係包含：光電元件；寫入電晶體，其係寫入影像信號；保持電容，其係保持由前述寫入電晶體所寫入的前述影像信號；及驅動電晶體，其係根據保持於前述保持電容之前述影像信號而驅動前述光電元件；而該電源供應線係對前述驅動電晶體選擇性供應電位不同之電源電位。
在上述構成之顯示裝置及使用該顯示裝置的電子裝置中，對屬於構成同一單位畫素的複數列的複數個子像素，將1條電源供應線共通化，藉此，在將複數列譬如設為2列之情形，即將2列作為單位而構成單位畫素之情形，不增加必須將電源供應線之條數增為2倍之處即可，驅動電源供應線之電源供應掃描電路的電路構成亦維持原狀即可，因此可使顯示面板窄框緣化。又，由於可謀求子像素各個尺寸的縮小化，故可謀求顯示面板之高精細化。
根據本發明，在採取藉由屬於複數列之鄰接的複數個子像素而構成單位畫素，且使驅動電晶體具有控制發光期間/非發光期間之功能的畫素構成的情形下，藉由將電源供應線於前述各複數列(各單位畫素)各布設1條，可使顯示面板高精細化及窄框緣化。
以下，參考圖式，針對本發明之實施型態作詳細說明。
[與參考例有關之有機EL顯示裝置]
首先，為了使本發明容易理解，針對成為本發明之前提的主動矩陣型顯示裝置，作為參考例進行說明。與此參考例有關之主動矩陣型顯示裝置，係藉由本發明專利申請人於特願2006-141836號發明專利說明書中所提案的顯示裝置。
圖1係顯示與參考例有關之主動矩陣型顯示裝置的構成之概略的系統構成圖。在此，作為一例，係設為舉出主動矩陣型有機EL顯示裝置之情形為例作說明，而其係將依據往裝置流動之電流值而發光亮度呈變化的電流驅動型之光電元件(譬如，有機EL元件(有機電場發光元件))作為子像素(次畫素)之發光元件而使用者。
如圖1所示般，與參考例有關之有機EL顯示裝置10A係成為具有畫素陣列部30與驅動部之系統構成；畫素陣列部30係由單位畫素20a作2次元配置為列行狀(矩陣狀)而成，而單位畫素20a係由屬於同一列之鄰接RGB的子像素20R、20G、20B所構成者；驅動部係配置於該畫素陣列部30之周邊部(框緣)，驅動各單位畫素(1圖元)20a者。就驅動單位畫素20a之驅動部而言，係譬如設有寫入掃描電路40、電源供應掃描電路50、及水平驅動電路60。
在畫素陣列部30，對m列n行之子像素排列，係依照各列而布線著掃描線31-1~31-m與電源供應線32-1~32-m，依照各行而布線著信號線33-1~33-n。
畫素陣列部30通常係形成於玻璃基板等透明絕緣基板上，成為平面型(扁平型)之面板構造。畫素陣列部30之各子像素20R、20G、20B係可使用非晶矽TFT(Thin Film Transistor：薄膜電晶體)或低溫聚矽TFT形成。在使用低溫聚矽TFT之情形時，在寫入掃描電路40、電源供應掃描電路50、及水平驅動電路60方面，亦可裝設於形成畫素陣列部30之顯示面板(基板)70上。
寫入掃描電路40係藉由偏移暫存器等所構成，在往畫素陣列部30之各子像素20R、20G、20B之影像信號的寫入之際，藉由按順序將寫入掃描信號WS1~WSm供應至掃描線31-1~31-m，而將畫素陣列部30之各子像素20R、20G、20B以列單位按順序作掃描(線順序掃描)；而偏移暫存器係同步於時脈脈衝ck使開始脈衝sp依序偏移(傳送)者。
電源供應掃描電路50係藉由偏移暫存器等所構成，同步於藉由寫入掃描電路40之線順序掃描，藉由將電源供應線電位DS1~DSm供應至電源供應線32-1~32-m，而進行子像素20R、20G、20B之發光/非發光的控制者；而偏移暫存器係同步於時脈脈衝ck使開始脈衝sp依序偏移者；而電源供應線電位DS1~DSm係以第1電位Vccp與比該第1電位Vccp為低之第2電位Vini作切換者。
亦即，電源供應線32-1~32-m之電位DS1~DSm係具有作為進行子像素20R、20G、20B之發光/非發光的控制之發光控制信號的功能。又，電源供應掃描電路50係具有作為進行子像素20R、20G、20B之發光驅動的控制之發光驅動掃描電路的功能。
水平驅動電路60係將依據從信號供應源(未圖示)所供應之亮度資訊的影像信號之信號電壓(以下，亦有單純記述為「信號電壓」的情形)Vsig與偏移電壓Vofs中任何一方作適宜選擇，介以信號線33-1~33-n，對畫素陣列部30之各子像素20R、20G、20B譬如以列單位作寫入。亦即，水平驅動電路60係採取線順序寫入之驅動型態的信號供應部，而其係將影像信號之信號電壓Vsig以列(line)單位作寫入者。
在此，偏移電壓Vofs係成為影像信號之信號電壓Vsig的基準之基準電壓(譬如，相當於黑位準之電壓)。又，第2電位Vini係比偏移電壓Vofs為低之電位，譬如，將驅動電晶體22之臨限電壓設為Vth時，比Vofs-Vth為低之電位，理想狀態係設為遠比Vofs-Vth為低之電位。
(子像素之畫素電路)
圖2係顯示與參考例有關之有機EL顯示裝置10A中的子像素20R、20G、20B之畫素電路的具體構成例之電路圖。
如圖2所示般，子像素20R、20G、20B係成為如下畫素構成：將依據往裝置流動之電流值而發光亮度呈變化的電流驅動型之光電元件(譬如，有機EL元件21)作為發光元件而具有，除該有機EL元件21外，並具有驅動電晶體22、寫入電晶體23及保持電容24。
在此，作為驅動電晶體22及寫入電晶體23，係使用N通道型之TFT。然而，在此之驅動電晶體22及寫入電晶體23之導電型的組合係僅為一例，並不限於此等組合。
有機EL元件21係將陰極連接於共通電源供應線34，而其係對全部之子像素20R、20G、20B作共通布線者。在驅動電晶體22方面，源極電極係連接於有機EL元件21之陽極，汲極電極係連接於電源供應線32(32-1~32-m)。
在寫入電晶體23方面，閘極電極係連接於掃描線31(31-1~31-m)，一方之電極(源極電極/汲極電極)係連接於信號線33(33-1~33-n)，另一方之電極(汲極電極/源極電極)係連接於驅動電晶體22之閘極電極。
在保持電容24方面，一方之電極係連接於驅動電晶體22之閘極電極，另一方之電極係連接於驅動電晶體22之源極電極(有機EL元件21之陽極)。再者，亦有採取如下構成的情形：在有機EL元件21之陽極與固定電位之間連接著補助電容，以補足有機EL元件21之電容不足分。
在上述構成之子像素20R、20G、20B方面，寫入電晶體23係藉由應答寫入掃描信號WS而成為導通狀態，將影像信號之信號電壓Vsig或偏移電壓Vofs取樣並寫入子像素20R、20G、20B內，而寫入掃描信號WS係從寫入掃描電路40通過掃描線31而施加於閘極電極者，而影像信號之信號電壓Vsig或偏移電壓Vofs係依據通過信號線33而從水平驅動電路60所供應之亮度資訊者。
此已寫入之信號電壓Vsig或偏移電壓Vofs係在被施加於驅動電晶體22之閘極電極的同時，並保持於保持電容24。驅動電晶體22係當電源供應線32(32-1~32-m)之電位DS位於第1電位Vccp時，接受來自電源供應線32之電流的供應，將如下電流值之驅動電流供應至有機EL元件21，藉由將該有機EL元件21驅動而使其發光，而該電流值係依據保持於保持電容24之信號電壓Vsig的電壓值者。
(子像素之構造)
圖3係顯示子像素20R、20G、20B之剖面構造之一例的剖面圖。如圖3所示般，子像素20R、20G、20B係成為如下構成：在已形成驅動電晶體22、寫入電晶體23等畫素電路之玻璃基板201上，依序形成絕緣膜202、絕緣平坦化膜203、及窗絕緣膜204，在該窗絕緣膜204之凹部204A係設有有機EL元件21。
有機EL元件21係由如下者所構成：陽極電極205，其係由形成於上述窗絕緣膜204之凹部204A的底部之金屬等所構成者；有機層(電子輸送層、發光層、電洞輸送層/電洞佈植層)206，其係形成於該陽極電極205上者；及陰極電極207，其係在該有機層206上形成為全畫素共通的透明導電膜等所構成者。
在此有機EL元件21方面，有機層206係藉由在陽極電極205上按順序沉積電洞輸送層/電洞佈植層2061、發光層2062、電子輸送層2063、及電子佈植層(未圖示)而形成。接著，在藉由圖2之驅動電晶體22的電流驅動下，電流係從驅動電晶體22通過陽極電極205而流至有機層206，藉由此方式，在該有機層206內之發光層2062，當電子與電洞作再結合之際，則進行發光。
如圖3所示般，在已形成畫素電路之玻璃基板201上，有機EL元件21介以絕緣膜202、絕緣平坦化膜203及窗絕緣膜204以子像素單位形成後，密封基板209係介以鈍化膜208，藉由黏著劑210而接合，藉由該密封基板209而將有機EL元件21密封，藉由此方式，而形成顯示面板70。
(與參考例有關之有機EL顯示裝置的電路動作)
接著，以圖4之時序波形圖為基礎，使用圖5及圖6之動作說明圖，針對與參考例有關之有機EL顯示裝置10A的基本電路動作作說明。再者，在圖5及圖6之動作說明圖中，為了圖面之簡略化，而將寫入電晶體23以開關之標記作圖示。針對有機EL元件21之電容成分(EL電容25)，亦作圖示。
在圖4之時序波形圖中，係顯示：1H(H為水平期間)中之掃描線31(31-1~31-m)的電位(寫入掃描信號)WS之變化、電源供應線32(32-1~32-m)之電位DS的變化、信號線33(33-1~33-n)的電位(Vofs/Vsig)之變化、驅動電晶體22之閘極電位Vg及源極電位Vs之變化。
<發光期間>
在圖4之時序波形圖中，時刻t1以前，有機EL元件21係處於發光狀態(發光期間)。在此發光期間中，電源供應線32之電位DS係位於第1電位Vccp，又，寫入電晶體23係處於非導通狀態。此時，由於驅動電晶體22係設定為在飽和區域動作，因此，如圖5(A)所示般，從電源供應線32通過驅動電晶體22，將依據該驅動電晶體22之汲極‧源極間電壓Vsig的驅動電流(汲極-源極間電流)Ids供應至有機EL元件21。因而，有機EL元件21係以依據驅動電流Ids的電流值之亮度發光。
<臨限值修正準備期間>
然後，當成為時刻t1，則進入線順序掃描之新圖場，如圖5(B)所示般，電源供應線32之電位DS係從第1電位(以下，記述為「高電位」)Vccp切換為遠比信號線33之偏移電壓Vofs-Vth為低的第2電位(以下，記述為「低電位」)Vini。
在此，將有機EL元件21之臨限電壓設為Vel，將共通電源供應線34之電位設為Vcath時，如將低電位Vini設為Vini<Vel+Vcath，則由於驅動電晶體22之源極電位Vs成為與低電位Vini約略相等，因此，有機EL元件21係成為反偏壓狀態而熄滅。
接著，在時刻t2，藉由掃描線31之電位WS從低電位側往高電位側遷移，如圖5(C)所示般，寫入電晶體23係成為導通狀態。此時，由於從水平驅動電路60對信號線33供應著偏移電壓Vofs，因此，驅動電晶體22之閘極電位Vg係成為偏移電壓Vofs。又，驅動電晶體22之源極電位Vs係位於遠比偏移電壓Vofs為低之電位Vini。
此時，驅動電晶體22之閘極-源極間電壓Vgs係成為Vofs-Vini。在此，如Vofs-Vini不大於驅動電晶體22之臨限電壓Vth，則無法進行後述臨限值修正動作，因此有必要設定為Vofs-Vini>Vth之電位關係。如此般，將驅動電晶體22之閘極電位Vg固定(確定)於偏移電壓Vofs，將源極電位Vs固定(確定)於低電位Vini，予以初期化之動作，係臨限值修正準備之動作。
<臨限值修正期間>
接著，在時刻t3，如圖5(D)所示般，當電源供應線32之電位DS從低電位Vini切換為高電位Vccp，則驅動電晶體22之源極電位Vs係開始上昇。不久，驅動電晶體22之閘極-源極間電壓Vgs係收束為該驅動電晶體22之臨限電壓Vth，而相當於該臨限電壓Vth之電壓係被保持於保持電容24。
在此，權宜上，係將如下期間稱為臨限值修正期間：檢測已收束為驅動電晶體22之臨限電壓Vth的閘極-源極間電壓Vgs，且將相當於該臨限電壓Vth之電壓保持於保持電容24的期間。再者，在此臨限值修正期間中，係設為：為了使電流專往保持電容24側流動，而不往有機EL元件21側流動，係以有機EL元件21成為切斷狀態之方式，而先設定共通電源供應線34之電位Vcath。
接著，在時刻t4，藉由掃描線31之電位WS往低電位側遷移，如圖6(A)所示般，寫入電晶體23係成為非導通狀態。此時，驅動電晶體22之閘極電極雖成為浮動狀態，但由於閘極-源極間電壓Vgs等於驅動電晶體22之臨限電壓Vth，因此該驅動電晶體22係成為切斷狀態。因而，汲極-源極間電流Ids並不往驅動電晶體22流動。
<寫入期間/遷移率修正期間>
接著，在時刻t5，如圖6(B)所示般，信號線33之電位係從偏移電壓Vofs切換為影像信號之信號電壓Vsig。然後，在時刻t6，藉由掃描線31之電位WS往高電位側遷移，如圖6(C)所示般，寫入電晶體23係成為導通狀態，將影像信號之信號電壓Vsig取樣並予以寫入。
藉由根據此寫入電晶體23之信號電壓Vsig的寫入，驅動電晶體22之閘極電位Vg係成為信號電壓Vsig。然後，在藉由影像信號之信號電壓Vsig之驅動電晶體22的驅動之際，係藉由該驅動電晶體22之臨限電壓Vth與保持於保持電容24之相當於臨限電壓Vth的電壓作相互抵銷而進行臨限值修正。有關臨限值修正之原理，係如後述。
此時，有機EL元件21係藉由最初處於反偏壓狀態，而處於切斷狀態(高阻抗狀態)。有機EL元件21在處於反偏壓狀態時係顯示電容性。因而，依據影像信號之信號電壓Vsig而從電源供應線32往驅動電晶體22流動之電流(汲極-源極間電流Ids)係流入有機EL元件21之EL電容25，而開始該EL電容25之充電。
藉由此EL電容25之充電，驅動電晶體22之源極電位Vs係隨同時間的經過而上昇。此時，驅動電晶體22之臨限電壓Vth的偏差已經被修正，驅動電晶體22之汲極-源極間電流Ids係成為依存於該驅動電晶體22之遷移率μ者。
在此，如假定寫入增益(保持電容24之保持電壓Vgs對影像信號之信號電壓Vsig的比率)為1(理想值)，藉由驅動電晶體22之源極電位Vs上昇至Vofs-Vth+ΔV之電位，則驅動電晶體22之閘極-源極間電壓Vgs係成為Vsig-Vofs+Vth-ΔV。
亦即，驅動電晶體22之源極電位Vs的上昇分ΔV，係以被從保持於保持電容24之電壓(Vsig-Vofs+Vth)減去之方式(換言之，以將保持電容24之充電電荷放電之方式)進行作用，施加負回授。因而，源極電位Vs的上昇分ΔV係成為負回授之回授量。
如此般，將往驅動電晶體22流動之汲極-源極間電流Ids輸入至該驅動電晶體22之閘極，亦即，藉由往閘極-源極間電壓Vgs作負回授，而消除驅動電晶體22之汲極-源極間電流Ids之對遷移率μ的依存性，亦即，進行修正遷移率μ的各畫素之偏差的遷移率修正。
更具體而言，由於影像信號之信號電壓Vsig越高，則汲極-源極間電流Ids變得越大，負回授之回授量(修正量)ΔV的絕對值亦變得越大。因而，進行依據發光亮度的遷移率修正。又，將影像信號之信號電壓Vsig設為一定之情形，由於驅動電晶體22之遷移率μ越大，負回授之回授量ΔV的絕對值亦變得越大。因此，可排除各畫素(子像素)之遷移率μ的偏差。有關遷移率修正之原理，係如後述。
<發光期間>
接著，在時刻t7，藉由掃描線31之電位WS往低電位側遷移，如圖6(D)所示般，寫入電晶體23係成為非導通狀態。藉由此方式，驅動電晶體22之閘極電極係被從信號線33切離，而成為浮動狀態。
在此，當驅動電晶體22之閘極電極處於浮動狀態時，藉由保持電容24接於驅動電晶體22之閘極-源極間，如驅動電晶體22之源極電位Vs呈變動，則連動(追蹤)於該源極電位Vs之變動，驅動電晶體22之閘極電位Vg亦呈變動。此係藉由保持電容24之靴帶式動作。
驅動電晶體22之閘極電極成為浮動狀態，與其同時，藉由驅動電晶體22汲極-源極間電流Ids開始往有機EL元件21流動，有機EL元件21之陽極電位係依據驅動電晶體22汲極-源極間電流Ids而上昇。
有機EL元件21之陽極電位的上昇，亦即等完全同於驅動電晶體22之源極電位Vs。如驅動電晶體22之源極電位Vs上昇，藉由保持電容24之靴帶式動作，則驅動電晶體22之閘極電位Vg亦連動而上昇。
此時，如假定靴帶式增益為1(理想值)之情形，閘極電位Vg之上昇量係變成與源極電位Vs之上昇量相等。基於此因，發光期間中驅動電晶體22之閘極-源極間電壓Vgs係以Vsig-Vofs+Vth-ΔV而保持一定。
然後，伴隨驅動電晶體22之源極電位Vs的上昇，而解除有機EL元件21之反偏壓狀態，當變成順偏壓狀態，由於從驅動電晶體22將驅動電流供應至有機EL元件21，因此有機EL元件21係實際上開始發光。其後，在時刻t8，信號線33之電位係從影像信號之信號電壓Vsig切換為偏移電壓Vofs。
(臨限值修正之原理)
在此，針對驅動電晶體22之臨限值修正的原理作說明。驅動電晶體22由於設計為在飽和區域動作，因此作為定電流源而動作。藉由此方式，從驅動電晶體22係將以次式(1)所賦予之一定的汲極-源極間電流(驅動電流)Ids供應至有機EL元件21。
Ids=(1/2)‧μ(W/L)Cox(Vgs-Vth)2 　……(1)
在此，W為驅動電晶體22之通道寬度，L為通道長度，Cox為每單位面積之閘極電容。
圖7係顯示驅動電晶體22之汲極-源極間電流Ids對閘極-源極間電壓Vgs之特性。
如此特性圖所示般，如不進行對驅動電晶體22之臨限電壓Vth的各畫素(子像素)之偏差的修正，當臨限電壓Vth為Vth1時，則對應於閘極-源極間電壓Vgs之汲極-源極間電流Ids係成為Ids1。
相對於此，當臨限電壓Vth為Vth2時(Vth2>Vth1)，則對應於相同閘極-源極間電壓Vgs之汲極-源極間電流Ids係成為Ids2(Ids2<Ids1)。亦即，如驅動電晶體22之臨限電壓Vth呈變動，即使閘極-源極間電壓Vgs為一定，則汲極-源極間電流Ids亦呈變動。
另一方面，在上述構成之畫素電路中，由於發光時之驅動電晶體22的閘極-源極間電壓Vgs係Vsig-Vofs+Vth-ΔV，如將此代入(1)式，則汲極-源極間電流Ids係以下式表示：
Ids=(1/2)‧μ(W/L)Cox(Vsig-Vofs-ΔV)2 ......(2)
亦即，驅動電晶體22之臨限電壓Vth之項被取消，從驅動電晶體22供應至有機EL元件21的汲極-源極間電流Ids並不依存於驅動電晶體22之臨限電壓Vth。其結果為，即使因驅動電晶體22的製造製程之偏差或經時變化，使驅動電晶體22之臨限電壓Vth依照各畫素而變動，但由於汲極-源極間電流Ids並不變動，因此可將有機EL元件21的發光亮度保持為一定。
(遷移率修正的原理)
接著，針對驅動電晶體22之遷移率修正的原理作說明。在此，在說明之方便上，設為將「子像素」記述為「畫素」。
圖8係顯示在將驅動電晶體22之遷移率μ相對較大之畫素A及驅動電晶體22之遷移率μ相對較小之畫素B作比較之狀態下之特性曲線。將驅動電晶體22以聚矽薄膜電晶體等構成之情形，如畫素A及畫素B般，在畫素間，遷移率μ呈偏差的現象並無法避免。
在畫素A及畫素B遷移率μ有偏差的狀態下，譬如，已將相同位準的影像信號之信號電壓Vsig寫入兩畫素A、B之情形時，如不作任何遷移率μ之修正，則在流往遷移率μ大之畫素A的汲極-源極間電流Ids1'與流往遷移率μ小之畫素B的汲極-源極間電流Ids2'之間，會產生大差異。如此般，如起因於遷移率μ之各畫素的偏差，而汲極-源極間電流Ids在畫素間產生大差異，則會損及畫面之同一性。
在此，如前述式(1)之電晶體特性式所明示般，如遷移率μ大，則汲極-源極間電流Ids係變大。因而，負回授中之回授量ΔV係遷移率μ越大則變得越大。如圖8所示般，相較於遷移率μ小的畫素B之回授量ΔV2，遷移率μ大的畫素A之回授量ΔV1係較大。
因此，藉由使遷移率修正使驅動電晶體22之汲極-源極間電流Ids往影像信號之信號電壓Vsig側作負回授，藉由此方式，由於遷移率μ越大則施加越大負回授，因此，可抑制遷移率μ之各畫素的偏差。
具體而言，如在遷移率μ大的畫素A施加回授量ΔV1之修正，則汲極-源極間電流Ids係從Ids1'大幅度下降至Ids1。另一方面，由於遷移率μ小的畫素B的回授量ΔV2小，因此，汲極-源極間電流Ids係成為從Ids2'至Ids2的下降，並不非大幅度下降。其結果為，畫素A之汲極-源極間電流Ids1與畫素B之汲極-源極間電流Ids2係約略成為相等，而修正遷移率μ之各畫素的偏差。
總括以上而言，有遷移率μ不同之畫素A與畫素B之情形，相較於遷移率μ小的畫素B的回授量ΔV2，遷移率μ大的畫素A之回授量ΔV1係成為較大。亦即，遷移率μ越大則回授量ΔV越大，則汲極-源極間電流Ids之減少量成為較大。
因而，藉由使驅動電晶體22之汲極-源極間電流Ids往影像信號之信號電壓Vsig側作負回授，藉由此方式，遷移率μ不同的畫素之汲極-源極間電流Ids的電流值係呈均一化。其結果為，可修正遷移率μ之各畫素的偏差。
在此，使用圖9，針對在圖2所示畫素電路中，根據臨限值修正、遷移率修正之有無的影像信號之信號電位(取樣電位)Vsig、與驅動電晶體22之汲極-源極間電流Ids之關係作說明。
在圖9中，分別顯示：(A)係未一起進行臨限值修正及遷移率修正之情形、(B)係未進行遷移率修正，僅進行臨限值修正之情形、(C)係一起進行臨限值修正及遷移率修正之情形。如圖9(A)所示般，在未一起進行臨限值修正及遷移率修正之情形時，起因於臨限電壓Vth及遷移率μ之各畫素A、B的偏差，則汲極-源極間電流Ids在畫素A、B間產生大差異。
相對於此，僅進行臨限值修正之情形，如圖9(B)所示般，藉由該臨限值修正雖可若干程度減低汲極-源極間電流Ids的偏差，但在畫素A、B間之汲極-源極間電流Ids的差仍殘留，而其係起因於遷移率μ之各畫素A、B的偏差者。
此外，藉由一起進行臨限值修正及遷移率修正，如圖9(C)所示般，由於可使在畫素A、B間之汲極-源極間電流Ids的差幾乎消失，因此，無論在任何灰階，並不會發生有機EL元件21之亮度偏差，可獲得良好畫質之顯示圖像，而在畫素A、B間之汲極-源極間電流Ids的差係起因於臨限電壓Vth及遷移率μ之各畫素A、B的偏差者。
又，圖2所示畫素20係除臨限值修正及遷移率修正之各修正功能外，並具備前述靴帶式功能，藉由此方式，可獲得如次之作用效果。
亦即，即使有機EL元件21之I-V特性呈經時變化，伴隨於此，驅動電晶體22之源極電位Vs亦呈變化，但藉由根據保持電容24的靴帶式功能，則可將驅動電晶體22之閘極-源極間電壓Vgs維持為一定，因此，往有機EL元件21流動之電流並不變化。因而，由於有機EL元件21之發光亮度保持一定，所以即使有機EL元件21之I-V特性呈經時變化，亦可實現無伴隨於此之亮度劣化的圖像顯示。
從以上所說明之內容所可知，在與參考例有關之有機EL顯示裝置10A方面，子像素20R、20G、20B在具有驅動電晶體22及寫入電晶體23之2個電晶體的畫素構成上，係與如下畫素構成的專利文件1記載之有機EL顯示裝置同等，可實現對有機EL元件21之特性變動的補償功能、以及臨限值修正及遷移率修正的各修正功能，且以等同於畫素電路之構成元件減少之分可將畫素尺寸微細化，而達成顯示面板70的高精細化，而該畫素構成係除該等電晶體外並具有複數個電晶體者。
[與參考例有關之有機EL顯示裝置]
圖10係顯示與本發明之一實施型態有關之主動矩陣型顯示裝置的構成之概略的系統構成圖，在圖中係賦予與圖1同等部分同一符號。
在本實施型態中，作為一例，係設為舉出主動矩陣型有機EL顯示裝置之情形為例作說明，而其係將依據往裝置流動之電流值而發光亮度呈變化的電流驅動型之光電元件(譬如，有機EL元件)作為子像素之發光元件而使用者。
如圖10所示般，與本實施型態有關之有機EL顯示裝置10B具有：畫素陣列部30，其係由單位畫素20b作2次元配置為列行狀而成者；及驅動部(譬如，寫入掃描電路40、電源供應掃描電路50、及水平驅動電路60)，其係配置於該畫素陣列部30之周邊部(框緣)，驅動各單位畫素20b者；基本上，係與參考例有關之有機EL顯示裝置10A呈相同之系統構成。
此外，與本實施型態有關之有機EL顯示裝置10B係在如下之點係與參考例有關之有機EL顯示裝置10A為不同：單位畫素20b的構成、及伴隨其之驅動系的構成。具體而言，在與參考例有關之有機EL顯示裝置10A方面，單位畫素20a係由屬於同一列之子像素20R、20G、20B所構成，相對的，在與本實施型態有關之有機EL顯示裝置10B方面，單位畫素20b係藉由屬於複數列(譬如，上下2列)之鄰接的複數個子像素所構成。
此外，以高亮度化及低消耗電力化等為目的，與本例有關之單位畫素20b係藉由4種子像素20W、20R、20G、20B，以2列2行作為單位而構成，而4種子像素20W、20R、20G、20B係除RGB之子像素20R、20G、20B外，並具有使用頻度高之W(白色)之子像素20W者。
在4種子像素20W、20R、20G、20B之中，譬如，子像素20W、20B係屬於上之列，子像素20R、20G係屬於下之列。又，子像素20W、20R係屬於左之列，子像素20B、20G係屬於右之列。4種子像素20W、20R、20G、20B之各個畫素電路係與圖2所示畫素電路相同。
如此般，由於單位畫素20b係將2列2行作為單位，相較於將1列3行作為單位之單位畫素2a的情形(與參考例有關之有機EL顯示裝置10A的情形)，畫素陣列部30之列數係成為2倍，行數係成為2/3。因而，畫素陣列部30之子像素的排列係成為j列(j=2m)k行(k=(2/3)×n)。
對此j列k行之子像素的排列，係依照各列而布線著掃描線31-1~31-j，依照各行而布線著信號線33-1~33-k。亦即，相對於以1列3行作為單位之單位畫素2a的情形，掃描線31-1~31-j之條數雖增為2倍，但在信號線33-1~33-k方面，則每單位畫素從3條可刪減為2條。
通常，在電源供應線32方面，雖與掃描線31同樣，依照各列而布線，但在與本實施型態有關之有機EL顯示裝置10B中，則依照每單位畫素20b(4個子像素20W、20R、20G、20B)而布線著電源供應線32-1~32-m各1條(亦即，2列各1條)。亦即，在與本實施型態有關之有機EL顯示裝置10B方面係採用如下構成：在構成同一單位畫素20b的4個子像素20W、20R、20G、20B間共用一條電源供應線32(32-1~32-m)。
如此般，將如下之點設為本實施型態之特徵：對屬於構成同一單位畫素20b的上下2列之4個子像素20W、20R、20G、20B，使1條電源供應線32(32-1~32-m)共通化。介以1條電源供應線32(32-1~32-m)，有關藉由電源供應掃描電路50而驅動4個子像素20W、20R、20G、20B之情形的具體之電路動作等，係如後述。
藉由對構成單位畫素20b之4個子像素20W、20R、20G、20B使1條電源供應線32共通化，相對於以1列3行作為單位之單位畫素20a的情形，雖列數增為2倍，但就電源供應掃描電路50而言，係仍維持與以1列3行作為單位之單位畫素20a的情形相同之m階的電路構成即可。
在寫入掃描電路40方面，雖必須為輸出列數分之j個寫入掃描信號的電路構成才行，但根據後述理由，就偏移暫存器之階數而言，如為m階之電路構成即可。此外，設為如下者即可：以從m階之偏移暫存器所輸出之m個寫入掃描信號為基礎，而在偏移暫存器之後階的邏輯電路中生成2倍之j個寫入掃描信號(其詳細容係如後述)。
又，在水平驅動電路60方面，相對於以1列3行作為單位之單位畫素20a的情形，為了將行數減為2/3，而可對應於其，達成水平驅動電路60之電路規模的縮小化。
(畫素單位之佈局)
在此，針對單位畫素20b之各子像素的構成元件、與掃描線31及電源供應線32之配置關係作說明。在此，舉出以如下之情形為例予以顯示：除保持容量(Cs)24之外，並設有用於補助有機EL元件21之電容不足的補助電容(Csub)25。再者，補助電容(Csub)25之尺寸之所以因發光色而不同，係根據如次之理由。
亦即，有機EL元件21係因發光色而發光效率不同。基於此因，將有機EL元件21作電流驅動之驅動電晶體22的尺寸，係因有機EL元件21之發光色而不同，以及，進行遷移率修正之際的修正時間，係因有機EL元件21之發光色而產生差異。
遷移率修正時間係根據有機EL元件21所具有之電容成分(EL電容)而決定。因而，為了使遷移率修正時間無關於有機EL元件21之發光色而成為一定，如設為藉由依據驅動電晶體22的尺寸而改變有機EL元件21之尺寸，在有機EL元件21之發光色間使EL電容具有差異即可。然而，從畫素之開孔率等之關係，在加大有機EL元件21之尺寸上，亦有其限度。
基於此因，因而設為：使用補助電容(Csub)25將其一方之電極連接於有機EL元件21之陽極電極，將另一方之電極連接於固定電位(譬如，共通電源供應線34)，藉由將該補助電容25之尺寸依照有機EL元件21之各發光色予以改變，而補足EL電容之電容不足，且使遷移率修正時間無關於有機EL元件21之發光色而成為一定。
<參考例>
首先，使用圖11，針對將電源供應線32每1列各布線1條之情形的單位畫素20a之各子像素的構成元件、與掃描線31及電源供應線32之配置關係，作為參考例作說明。
如圖11所示般，在WRGB之4種子像素20W、20R、20G、20B之中，譬如，子像素20W與20B係屬於上之列，子像素20R與20G係屬於下之列。又，子像素20W與20R係屬於左之列，子像素20B與20G係屬於右之列。
在此等子像素20W、20R、20G、20B方面，無論何者，上側部分係成為布線區域，從中央部起往下側係形成包含保持電容(Cs)24及補助電容(Csub)25的構成元件。
此外，在子像素20W與20B之布線區域，上側之列的掃描線31U與電源供應線32U，係以特定間隔d沿著列方向(列之子像素排列方向)而布線。同樣的，在子像素20R與20G之布線區域，下側之列的掃描線31L與電源供應線32L，係以特定間隔d沿著列方向而布線。
在此，電源供應線32U、32L係如下布線：用於將驅動電流供應至驅動電晶體22，且控制有機EL元件21之發光/非發光者。因而，相較於傳送寫入掃描信號的掃描線31U、31L之布線寬度w1，電源供應線32U、32L之布線寬度w2係成為較寬闊。
如上述般，採用將電源供應線32(32U、32L)每1列各布線1條之構成的情形，如上述內容所明示般，由於該電源供應線32於畫素面積所占之比率大，所以畫素(子像素)之高精細度係降低。
<第1例>
圖12係顯示將電源供應線32以每2列各布線1條之情形的單位畫素20b之各子像素的構成元件、與掃描線31及電源供應線32之配置關係的第1例之佈局圖。在圖中係賦予與圖11同等部分同一符號。
如圖12所示般，在WRGB之4種子像素20W、20R、20G、20B之中，譬如，子像素20W與20B係屬於上之列，子像素20R與20G係屬於下之列。又，子像素20W與20R係屬於左之列，子像素20B與20G係屬於右之列。
從圖12可知，屬於上之列的子像素20W與20B與屬於下之列的子像素20R與20G，針對包含保持電容(Cs)24及補助電容(Csub)25的構成元件之配置，關於之上之列與下之列之境界線O係配置成為上下對稱之關係。藉由此方式，在子像素20W與20B之下端部分與子像素20R與20G之上端部分之間，可確保寬闊之布線區域。
此外，上側之列的掃描線31U係在子像素20W與20B之上端的布線區域，沿著列方向而布線。下側之列的掃描線31L係在子像素20R與20G之下端的布線區域，沿著列方向而布線。又，在上下2列共通之電源供應線32，係在子像素20W與20B之下端的布線區域及在子像素20R與20G之上端的布線區域，以布線寬度2w2沿著列方向而布線。
如此般，屬於上之列的子像素20W與20B與屬於下之列的子像素20R與20G之各構成元件，係關於境界線O而處於上下對稱之配置關係。藉由在此等上下子像素的各構成元件間之配置區域將電源供應線32布線，而使該電源供應線32與上下子像素之各驅動電晶體22的汲極電極之間的距離變近，因此，具有兩者間之電性連接變得簡單的優點。
如此般，藉由採取將電源供應線32以每2列各布線1條(亦即，對同一單位畫素20的4個子像素20W、20R、20G、20B各布線1條)之構成，則不再須要確保圖12中之上側之列的掃描線31U-電源供應線32U間的間隔d、及下側之列的掃描線31L-電源供應線32L間的間隔d，因此，以等同於該分可提昇畫素(子像素)之高精細度，且可提昇佈局之自由度。
又，藉由電源供應線32之布線寬度2w2成為將電源供應線32以每1列各布線1條之情形的布線寬度w2之2倍，而可使單色發光之情形(具體而言，子像素20R、20G、20B單獨發光之情形)的每1子像素的布線電阻變小，因此，可使在遠離電源供應掃描電路50之子像素與接近其之子像素之間的傳播延遲之差變小。
<第2例>
圖13係顯示將電源供應線32以每2列各布線1條之情形的單位畫素20b之各子像素的構成元件、與掃描線31及電源供應線32之配置關係的第2例之佈局圖。在圖中係賦予與圖12同等部分同一符號。
在第1例中，係採取如下構成：藉由將電源供應線32之布線寬度2w2設定為將電源供應線32以每1列各布線1條之情形的布線寬度w2之2倍；相對於此，在第2例中，從圖13可知，係採取將電源供應線32之布線寬度w3設定得比布線寬度2w2窄的構成。
如此般，藉由將電源供應線32之布線寬度w3設定得比布線寬度2w2窄，雖使單色發光之情形的每1子像素的布線電阻上昇，但由於可充分取得子像素20W、20R、20G、20B之各個元件的配置空間，因此，以等同於該分可增加畫素電路之構成元件數。又，由於可使子像素20W、20R、20G、20B之各個的尺寸縮小化，因此，可達成顯示面板70之高精細度。
(電路動作)
接著，使用圖14之時序波形圖，針對與本實施型態有關之有機EL顯示裝置10B的電路動作作說明。
在圖14中，係顯示1F(F為圖場/圖框期間)中之信號線33的電位(Vofs/Vsig)之變化、上下2列之掃描線31U、31L的電位(寫入掃描信號)WSU、WSL之變化、電源供應線32的電位DS之變化、驅動電晶體22的閘極電位Vg與源極電位Vs之變化。
再者，在4種子像素20W、20R、20G、20B中之臨限值修正準備、臨限值修正、信號寫入＆遷移率修正、及發光的各具體之動作方面，基本上係與前述參考例有關之有機EL顯示裝置10A之電路動作的情形相同。
在非發光狀態下，在時刻t11，上下2列之掃描線31U、31L的電位WSU、WSL一起從低電位側往高電位側遷移。時刻t11係相當於圖4之時序波形圖中之時刻t2。此時，信號線33之電位係處於偏移電壓Vofs之狀態，在上下2列之子像素20W、20R、20G、20B中，偏移電壓Vofs係藉由寫入電晶體23而被寫入驅動電晶體22之閘極電極。
接著，在時刻t12，藉由電源供應線32之電位DS係從低電位Vini切換為高電位Vccp，在上下2列之子像素20W、20R、20G、20B中，係開始臨限值修正動作。時刻t12係相當於圖4之時序波形圖中之時刻t3。臨限值修正動作係從時刻t12起掃描線31U、31L的電位WSU、WSL一起從高電位側往低電位側遷移之時刻t3為止的期間(臨限值修正期間)進行。
接著，在時刻t14，從水平驅動電路60對信號線33供應上之列方面的影像信號之信號電壓Vsig，接著，在時刻t15，藉由上之列之掃描線31U的電位WSU再度從低電位側往高電位側遷移，而在上之列的子像素20W、20B中，藉由寫入電晶體23將影像信號之信號電壓Vsig寫入驅動電晶體22之閘極電極。時刻t14、t15係相當於圖4之時序波形圖中之時刻t5、t6。
接著，在時刻t16，上之列之掃描線31U的電位WSU從高電位側往低電位側遷移，且從水平驅動電路60對信號線33供應下之列方面的影像信號之信號電壓Vsig，接著，在時刻t17，藉由下之列之掃描線31L的電位WSL再度從低電位側往高電位側遷移，而在下之列的子像素20R、20G中，藉由寫入電晶體23將影像信號之信號電壓Vsig寫入驅動電晶體22之閘極電極。然後，在時刻t18，藉由下之列之掃描線31L的電位WSL從高電位側往低電位.側遷移，而進入發光期間。
從上述一連之動作可知，將電源供應線32以每2列各布線1條，使電源電位DS(Vccp/Vini)在同一單位畫素20b之4個子像素20W、20R、20G、20B共通化之情形，臨限值修正期間係在上之列的子像素20W、20B與下之列的子像素20R、20G成為同一，而電源電位DS(Vccp/Vini)係介以該電源供應線32從電源供應掃描電路50被賦予，而控制有機EL元件21之發光期間者，而臨限值修正期間係以電源電位DS之從低電位Vini往高電位Vccp遷移之時序決定者。在臨限值修正動作方面，即使在上下2列間同時執行，電路動作上亦不會有任何問題。
另一方面，在信號寫入＆遷移率修正之動作方面，在包含臨限值修正期間之1H期間內，在上之列的子像素20W、20B與下之列的子像素20R、20G，係以一定時間(t16-t17)(譬如，數μsec的時間)的錯開予以執行。藉由此等動作，在上之列的子像素20W、20B與下之列的子像素20R、20G，發光期間會產生差異，但其差為數μsec之值，就發光亮度差而言，由於是無法辨識之位準，因此不會有任何問題。
又，在上之列的子像素20W、20B與下之列的子像素20R、20G，將信號寫入＆遷移率修正之動作，於1H期間內將時間錯開予以進行，藉由此方式，就垂直掃描之掃描期間而言，由於成為與列數為m之情形相同的1H週期即可，因此，如前述般，可將偏移暫存器之階數設為相當於列數j(j=2m)之一半的m階，而偏移暫存器係構成發生寫入掃描信號之寫入掃描電路40者。
然後，設為如下者即可：以從m階之偏移暫存器所輸出之m個寫入掃描信號為基礎，如在偏移暫存器之後階的邏輯電路中，設為生成2倍之j個寫入掃描信號。更具體而言，設為如下者即可：在邏輯電路中，譬如，將偏移暫存器所輸出之寫入掃描信號作為上之列的寫入掃描信號使用，另一方面，以該上之列的寫入掃描信號為基礎，而生成以相當於上述一定時間延遲的寫入掃描信號，將該寫入掃描信號作為下之列的寫入掃描信號使用。
(本實施型態之作用效果)
如以上所說明般，在採取如下畫素構成之主動矩陣型有機EL顯示裝置10B中，對屬於構成同一單位畫素20b的上下2列之4個子像素20W、20R、20G、20B，使1條電源供應線32(32-1~32-m)共通化，藉由此方式，就寫入掃描電路40之偏移暫存器及電源供應掃描電路50而言，仍維持m階之電路構成即可，在寫入掃描電路40方面，由於可刪減電路規模，因此可達成顯示面板70之窄框緣化；而該畫素構成係藉由屬於複數列(譬如，上下2列)之相互鄰接的4個子像素20W、20R、20G、20B而構成單位畫素20b，且使驅動電晶體22具有控制有機EL元件21之發光期間/非發光期間的功能者。
又，對構成同一單位畫素20b之屬於上下2列的4個子像素20W、20R、20G、20B，使1條電源供應線32(32-1~32-m)共通化，藉由此方式，由於可充分取得子像素20W、20R、20G、20B之各個的面積，以等同於該分可增加畫素電路之構成元件數。又，由於可使子像素20R、20G、20B之各個的尺寸縮小化，因此，可達成顯示面板70之高精細化。
[變形例]
在上述實施型態中，係舉出應用於有機EL顯示裝置之情形為例作說明，而其係作為子像素20W、20R、20G、20B之光電元件，而使用有機EL元件者。但本發明並不限於此應用例，亦可應用於平面型(平板型)之顯示裝置全體，而其係由單位畫素作2次元配置為列行狀而成，而單位畫素係由屬於複數列之複數個子像素所構成者。
[應用例]
以上所說明之根據本發明之顯示裝置，可應用於所有範疇之電子機器的顯示裝置，而其係將輸入電子機器之影像信號、或在電子機器內生成之影像信號作為圖像或影像予以顯示者，而電子機器，作為一例，有圖15～圖19所示各種電子機器，譬如，數位照相機、筆記型個人電腦、行動電話機等行動終端裝置、攝影機等電子機器。
如此般，作為所有範疇之電子機器的顯示裝置而使用根據本發明之顯示裝置，藉由此方式，從前述實施型態之說明可知，根據本發明之顯示裝置，由於可達成顯示面板70之窄框緣化及高精細化，因此，在各種電子機器中，有助於機器主體之小型化，且實現高精細之圖像顯示。
再者，根據本發明之顯示裝置係包含已密封之構成的模組形狀者。譬如，在畫素陣列部30黏貼於透明之玻璃等對向部而形成的顯示模組即相當於此。在此透明之對向部，如設有彩色濾光片、保護膜等，乃至上述遮光膜亦可。再者，在顯示模組，如設有用於將從外部往畫素陣列部之信號等作輸出入的電路部或FPC(可撓式印刷電路)等亦可。
以下，針對應用本發明之電子機器的具體例作說明。
圖15係顯示應用本發明之電視機的外觀之立體圖。與本應用例有關之電視機包含由前面板102及彩色濾光片103等所構成之影像顯示畫面部101，藉由作為該影像顯示畫面部101，使用根據本發明之顯示裝置而製作。
圖16係顯示應用本發明之數位照相機的外觀之立體圖。(A)係從表面側所見之立體圖，(B)係從背面側所見之立體圖。與本應用例有關之數位照相機包含閃光燈用之發光部111、顯示部112、選單開關113、快門按鍵114等，藉由作為該顯示部112，使用根據本發明之顯示裝置而製作。
圖17係顯示應用本發明之筆記型個人電腦的外觀之立體圖。在與本應用例有關之筆記型個人電腦方面，在主體121，包含輸入文字等時所操作之鍵盤122、顯示圖像之顯示部123等；藉由作為該顯示部123，使用根據本發明之顯示裝置而製作。
圖18係顯示應用本發明之攝影機的外觀之立體圖。與本應用例有關之攝影機包含主體部131、朝向前方在側面之被攝體攝影用鏡頭132、攝影時之開始/停止開關133、顯示部134等；藉由作為該顯示部134，使用根據本發明之顯示裝置而製作。
圖19係顯示應用本發明之行動終端裝置(譬如，行動電話機)的外觀圖，(A)係在打開之狀態的正面圖、(B)係其側面圖、(C)係在關閉之狀態的正面圖、(D)係左側面圖、(E)係右側面圖、(F)係上面圖、(G)係下面圖。與本應用例有關之行動電話機包含上側筐體141、下側筐體142、連結部(在此為鉸鏈部)143、顯示器144、次顯示器145、讀圖燈146、照相機147等；藉由作為該顯示器144及次顯示器145，使用根據本發明之顯示裝置而製作。
10A、10B．．．有機EL顯示裝置
20．．．單位畫素
20W、20R、20G、20B．．．子像素
21．．．有機EL元件
22．．．驅動電晶體
23．．．寫入電晶體
24．．．保持電容
25．．．補助電容
30．．．畫素陣列部
31(31-1~31-j、31-1~31-m)．．．掃描線
32(32-1~32-m)．．．電源供應線
33(33-1~31-k、33-1~33-n)．．．信號線
34．．．共通電源供應線
40．．．寫入掃描電路
50．．．電源供應掃描電路
60．．．水平驅動電路
70．．．顯示面板
圖1係顯示與本發明之參考例有關之有機EL顯示裝置的構成之概略的系統構成圖。
圖2係顯示畫素(畫素電路)之電路構成的一例之電路圖。
圖3係顯示畫素之剖面構造的一例之剖面圖。
圖4係供與本發明之參考例有關之有機EL顯示裝置的動作說明之時序波形圖。
圖5(A)-(D)係與本發明之參考例有關之有機EL顯示裝置的電路動作之說明圖(其1)。
圖6(A)-(D)係與本發明之參考例有關之有機EL顯示裝置的電路動作之說明圖(其2)。
圖7係供起因於驅動電晶體之臨限電壓Vth的偏差之待解決問題的說明之特性圖。
圖8係供起因於驅動電晶體之遷移率μ的偏差之待解決問題的說明之特性圖。
圖9(A)-(C)係供根據臨限值修正、遷移率修正之有無的影像信號之信號電壓Vsig與驅動電晶體之汲極‧源極間電流Ids之關係的說明之特性圖。
圖10係顯示與本發明之一實施型態有關之有機EL顯示裝置的構成之概略的系統構成圖。
圖11係顯示將電源供應線每1列各布線1條之情形的單位畫素之各子像素的構成元件、與掃描線及電源供應線之配置關係的佈局圖。
圖12係顯示將電源供應線每2列各布線1條之情形的單位畫素之各子像素的構成元件、與掃描線及電源供應線之配置關係的第1例之佈局圖。
圖13係顯示將電源供應線每2列各布線1條之情形的單位畫素之各子像素的構成元件、與掃描線及電源供應線之配置關係的第2例之佈局圖。
圖14係供與本實施型態有關之有機EL顯示裝置的動作說明之時序波形圖。
圖15係顯示應用本發明之電視機的外觀之立體圖。
圖16係顯示應用本發明之數位照相機的外觀之立體圖，(A)係從表面側所見之立體圖，(B)係從背面側所見之立體圖。
圖17係顯示應用本發明之筆記型個人電腦的外觀之立體圖。
圖18係顯示應用本發明之攝影機的外觀之立體圖。
圖19係顯示應用本發明之行動電話機的外觀圖，(A)係在打開之狀態的正面圖、(B)係其側面圖、(C)係在關閉之狀態的正面圖、(D)係左側面圖、(E)係右側面圖、(F)係上面圖、(G)係下面圖。
圖20係顯示具有藉由屬於同一列之鄰接RGB的三原色之子像素所構成之單位畫素的彩色顯示裝置之系統構成圖。
圖21係顯示具有藉由屬於上下2列之鄰接WRGB的4種子像素所構成之單位畫素的彩色顯示裝置之系統構成圖。
10B．．．有機EL顯示裝置
20W、20R、20G、20B．．．子像素
20b．．．單位畫素
30．．．畫素陣列部
31(31-1~31-j)．．．掃描線
32(32-1~32-m)．．．電源供應線
33(33-1~31-k)．．．信號線
34．．．共通電源供應線
40．．．寫入掃描電路
50．．．電源供應掃描電路
60．．．水平驅動電路
70．．．顯示面板
ck．．．時脈脈衝
DS1、DSm．．．電源供應線電位
sp．．．開始脈衝
WS1、WSj．．．寫入掃描信號

Claims (3)

  1. 一種顯示裝置，其特徵為包括：畫素陣列部，其係子像素配置為行列狀，藉由屬於複數列之鄰接的複數個前述子像素而構成單位畫素，該子像素係包含：光電元件；寫入電晶體，其係寫入影像信號；保持電容，其係保持由前述寫入電晶體所寫入的前述影像信號；及驅動電晶體，其係根據保持於前述保持電容之前述影像信號而驅動前述光電元件；及電源供應線，其係對前述驅動電晶體選擇性供應電位不同之電源電位；且前述電源供應線係於每前述複數列布設1條；前述子像素可作臨限值修正動作，在屬於構成前述單位畫素之同一行的子像素上使前述臨限值修正動作的修正期間相同，該臨限值修正動作係修正前述驅動電晶體之臨限電壓的各子像素之偏差；前述子像素可作遷移率修正動作，在屬於構成前述單位畫素之同一行的子像素上，在前述臨限值修正動作後，於1水平期間內錯開時間進行藉由前述寫入電晶體之前述影像信號的寫入動作及前述遷移率修正動作，該遷移率修正動作係修正前述驅動電晶體之遷移率的各畫素之偏差。
  2. 如請求項1之顯示裝置，其中前述複數列係2列；在屬於前述2列之上下的子像素上，前述寫入電晶 體、前述保持電容及前述驅動電晶體係關於前述2列之境界線配置為上下對稱。
  3. 一種電子機器，其特徵為：具有顯示裝置，該顯示裝置係包括：畫素陣列部，其係子像素配置為行列狀，藉由屬於複數列之鄰接的複數個前述子像素而構成單位畫素，該子像素係包含：光電元件；寫入電晶體，其係寫入影像信號；保持電容，其係保持由前述寫入電晶體所寫入的前述影像信號；及驅動電晶體，其係根據保持於前述保持電容之前述影像信號而驅動前述光電元件；及電源供應線，其係對前述驅動電晶體選擇性供應電位不同之電源電位；且前述電源供應線係於每前述複數列布設1條；前述子像素可作臨限值修正動作，在屬於構成前述單位畫素之同一行的子像素上使前述臨限值修正動作的修正期間相同，該臨限值修正動作係修正前述驅動電晶體之臨限電壓的各子像素之偏差；前述子像素可作遷移率修正動作，在屬於構成前述單位畫素之同一行的子像素上，在前述臨限值修正動作後，於1水平期間內錯開時間進行藉由前述寫入電晶體之前述影像信號的寫入動作及前述遷移率修正動作，該遷移率修正動作係修正前述驅動電晶體之遷移率的各畫素之偏差。
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