TWI400805B - 基板，具其之液晶顯示面板及具其之液晶顯示裝置 - Google Patents

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Description

基板，具其之液晶顯示面板及具其之液晶顯示裝置
本發明係關於一種陣列基板、具有該陣列基板之液晶顯示(LCD)面板及具有該陣列基板之LCD裝置。具體而言，本發明係關於一種能夠改良影像顯示品質之陣列基板、具有該陣列基板之液晶顯示(LCD)面板及具有該陣列基板之LCD裝置。
一般而言，一LCD裝置可包括一陣列基板、一彩色濾光基板及一液晶層。該陣列基板可包括複數個薄膜電晶體(TFT)，該複數個薄膜電晶體(TFT)係控制像素。該彩色濾光基板具有一共同電極。該液晶層被***在該陣列基板與該彩色濾光基板之間。該液晶層的透光度係回應一施加至該液晶層的電場而變更，藉此顯示一影像。
該透光度之變化被限制在一預先決定範圍中，並且結果，該LCD裝置具有一相對窄之視角。為了增加該LCD裝置之視角，該LCD裝置實施一垂直對位(vertical alignment；VA)模式。
經組態成實施該VA模式之該LCD裝置可包括兩個基板及一液晶層，該液晶層併入一種含展現負異向性(negative anisotropy)之介電常數的液晶材料。該液晶層中的液晶具有一垂直對位(homeotropic alignment)模式。
在運作中，當未施加一電壓至該等基板時，該等液晶係往一垂直方向排列，以顯示黑色。當一至少等於V0 之電壓被施加至該等基板時(例如，用以控制該陣列基板的控制電極及該彩色濾光基板的相關聯之共同電極)，該等液晶係往一水平方向排列，以顯示白色。當一小於V0 之電壓被施加至該等基板時，該等液晶係相對於該水平方向傾斜，以顯示灰色，其中灰階取決於該液晶材料之分子的平均定向。
在小螢幕LCD裝置中，該LCD裝置被組態成實施一圖案化垂直對位(patterned vertical alignment；PVA)模式，以增加該視角且減少一灰階反轉(gray－scale inversion)。PVA模式之LCD裝置具有一圖案化共同電極及一圖案化像素電極。
在一些可用的LCD裝置中，一施加至每個像素的電壓不穩定，使得像素閃爍，導致影像顯示品質惡化。
本發明提供一種能夠改良影像顯示品質之陣列基板。
本發明還提供一種具有上文所述之陣列基板的液晶顯示(LCD)面板。
本發明還提供一種具有上文所述之陣列基板的LCD裝置。
一種根據本發明一態樣之陣列基板可包括一絕緣基板、一開關元件(例如，一諸如電晶體之開關，其可能係一TFT)、一主像素部分、一耦合電容器及一子像素部分。該開關元件係在該絕緣基板上由互相鄰接之閘極線與資料線所界定之一像素區域中。舉例而言，該像素區域可能係由一第一閘極線與一鄰接之第一資料線所界定，並且進一步係由連貫於該第一閘極線的一第二閘極線與連貫於該第一資料線的一第二資料線所界定。該等閘極線與資料線係在該絕緣基板上。該主像素部分係在該像素區域之一第一(例如，中心)部分上。該耦合電容器被電連接到該開關元件。該耦合電容器係在該絕緣基板上。該子像素部分被電連接到該耦合電容器。該子像素部分係在該像素區域之一第二(例如，周邊)部分上。
一種根據本發明另一態樣之陣列基板可包括一絕緣基板、一主閘極線、一主開關、一主像素部分、一子閘極線、一子開關及一子像素部分。該絕緣基板具有一像素區域。該主閘極線係在該像素區域上。該主開關係在該絕緣基板上。該主開關被電連接到該主閘極線。該主像素部分係在該像素區域之一中心部分上。該主像素部分被電連接到該主開關。該子閘極線係在該像素區域上。該子開關係在該絕緣基板上。該子開關被電連接到該子閘極線。該子像素部分係在該像素區域之一周邊部分上。
一種根據本發明之一示例性具體實施例的LCD面板可包括一上部基板、一下部基板及一液晶層。該上部基板具有一透明基板及一位於該透明基板上的共同電極。該下部基板可包括一絕緣基板、一主像素、一耦合電容器及一子像素部分。該絕緣基板具有一由互相鄰接之閘極線與資料線所界定之像素區域。該等閘極線與資料線係在該絕緣基板上。該主像素部分係在一第一(例如，中心)部分上。該耦合電容器被電連接到該絕緣基板上的一開關元件。該子像素部分被電連接到該耦合電容器。該子像素部分係在該像素區域之一周邊部分上。該液晶層被***在該上部基板與該下部基板之間。
一種根據本發明之一示例性具體實施例的LCD裝置可包括一上部基板、一下部基板及一液晶層。該上部基板具有一透明基板及一位於該透明基板上的共同電極。該下部基板可包括一絕緣基板、一閘極線、一資料線、一開關元件、一主像素、一第一耦合電容器、一第一子像素部分、一第二耦合電容器及一第二子像素部分。該閘極線係在該絕緣基板上，用以傳輸一閘極訊號。該資料線係在該絕緣基板上，用以傳輸一資料訊號。該開關元件被電連接到該閘極線及該資料線。該開關元件係在該絕緣基板上。該主像素部分被電連接到該開關元件。該主像素部分係在該絕緣基板上。該第一耦合電容器具有一電連接到該開關元件之第一末端。該第一子像素部分係透過該第一耦合電容器而電連接到該開關元件。該第一子像素部分係在該絕緣基板上。該第二耦合電容器具有一電連接到該開關元件之末端。該第二子像素部分係透過該第二耦合電容器而電連接到該開關元件。該第二子像素部分係在該絕緣基板上。該液晶層被***在該上部基板與該下部基板之間。
根據本發明之一些具體實施例，一總閘極－源極電容被劃分成一閘極－源極電容器的一閘極－源極電容及一額外閘極－源極電容器的一額外閘極－源極電容。該閘極－源極電容器及該額外閘極－源極電容器分別對應於主電極及子電極。結果，減小該主電極的一回掃脈衝(kickback)電壓，並且改良該LCD裝置的影像顯示品質。
下文將參考用以呈現本發明具體實施例的附圖來詳細說明本發明之具體實施例。然而，本發明可運用許多不同形式具體化，並且不應視為限於本文中提出的具體實施例。而是，提供這些具體實施例以徹底且完整地揭示本發明，並且對熟悉此項技術者完整描述本發明。在圖式中，為了清楚明晰而誇大層及區域的大小及相對大小。
應明白，當將一元件或層聲稱係"在另一元件或層上"、"連接至"或"耦合至"另一元件或層時，可能為直接在其他元件或層上，或連接至或耦合至其他元件或層，或可能有中間元件或層。反之，當將一元件聲稱係"直接位於另一元件上或層上"、"直接連接至"或"直接耦合至"另一元件或層時，則沒有中間元件或層。整份說明書中相似的數字代表相似的元件。在本文中，用詞"及/或"包括一或多項相關聯之所列出項目的任何或所有組合。
應明白，雖然本文中使用用詞"第一"、"第二"、"第三"等等來描述各種元件、組件、區域、層及/或區段，但是彼等元件、組件、區域、層及/或區段不應受限於彼等用詞。彼等用詞僅用來區別一元件、組件、區域、層或區段與另一元件、組件、區域、層或區段。因此，下文所論述的一第一元件、組件、區域、層或區段可被稱為一第二元件、組件、區域、層或區段，而不會脫離本發明之講授。引用一"第一"元件等等未意謂著需要"第二"或額外元件。
為了容易說明，來描述如圖所示之一元件或特徵相對於其他元件或特徵的關係，本文中會使用空間相對用詞，諸如"下面"、"下方"、"下部"、"上方"、"上部"等等。
應明白，除了圖中所描繪之定向以外，彼等空間相對用詞還預定涵蓋使用中或運作中之裝置的不同定向。例如，如果圖式中的元件翻轉，則描述為在其他元件或特徵"下面"或"下方"的元件或特徵，於是被定向成在其他元件或特徵"上方"。因此，示例性用詞"下方"可涵蓋"上方"及"下方"兩種定向。可用其他方式來定向該裝置(旋轉90度或以其他定向)，並且據此解釋本文中使用的空間相對描述項。
本文中使用的術語係僅用於描述特定具體實施例之用途，並且非預定限制本發明。在本文中，單數形式"一"及"該"預定也包括複數形式，除非內容以其他方式明確表明。應進一步明白，當本文中使用用詞"包括"、"包含"、"含有"及/或"具有"時，係用來明確說明所述特徵、實體、步驟、操作、元件及/或組件之存在，但不排除一或一個以上其他特徵、實體、步驟、操作、元件、組件及/或其群組之存在或附加。
本文中參考本發明之理想化具體實施例(及中間結構)的概要圖解來描述本發明具體實施例。就其本身而論，由於(舉例而言)製造技術及/或容限，來自於圖解之形狀的變化係所預期。因此，本發明之具體實施例不應被視為限於本文中示例之特定區域形狀，而是包括(舉例而言)製造所致的形狀偏差。舉例而言，繪示為矩形的一植入之區域將典型具有圓形或曲線特徵及/或位於其邊緣之植入集中梯度，而非從植入之區域至非植入之區域的二進制變更。同樣地，藉由植入所形成的一埋入區域可導致在介於該埋入區域與發生該植入之表面之間的區域中之一些植入。因此，圖式中所繪示之區域本質上係概要形式，並且其形狀非預定用以繪示出一裝置之一區域的實質形狀，並且非預定用以限制本發明之範疇。
除非以其他方式定義，否則本文中使用的所有用詞(包括技術及科學用詞)具有相同於熟悉本發明所屬之技術的一般技術者所通常理解之意義。應進一步明白，用詞(諸如常用字典中所定義之用詞)應被解釋為具有與相關技術背景中之意義一致的意義，並且不應以理想化或過度形式意義予以解釋，惟本文中明確定義除外。
下文中，將參考附圖來詳細說明本發明之具體實施例。
圖1繪示根據本發明示例性具體實施例之LCD面板的平面圖。圖2繪示以沿圖1所示之I－I'線為例的斷面圖。圖1及2之示例性具體實施例繪示一種透射型LCD面板。
請參考圖1及圖2，該LCD面板包括一陣列基板100、一液晶層180及一彩色濾光基板190。將該彩色濾光基板190與該陣列基板100結合在一起，使得該液晶層180被***在該陣列基板100與該彩色濾光基板190之間。
該陣列基板100可包括：一閘極線110，其往一水平方向延伸；一閘電極112，其被電連接至該閘極線110；第一與第二下部儲存圖案STL1與STL2，其在一像素區域中與該閘極線110相間隔，並且實質上平行於該閘極線110；以及一第一耦合圖案CPL，其將該像素區域劃分成兩個區域。該陣列基板100可包括複數個閘極線110、複數個閘電極112、複數個像素區域及複數個第一耦合圖案CPL。
該陣列基板100可包括一包含氮化矽、氧化矽及/或其他絕緣材料之絕緣基板105。該陣列基板100可進一步包括一閘極絕緣層113及一作用層114。該閘極絕緣層113係在具有該閘極線110及該閘電極112的該絕緣基板105上。該作用層114係在該閘極絕緣層113上一相對應於該閘電極112之位置處。該作用層114包括一半導體層(諸如非晶系矽、多晶矽及/或其他適合之材料)及一已植入雜質之半導體層(N＋非晶系矽、N＋多晶矽及/或其他適合之材料)。
該陣列基板100可包括：一源極線120，其往一縱向方向延伸；一源電極122，其被電連接至該源極線120；以及一汲電極123，其與該源電極122相間隔。該陣列基板100可包括複數個源極線120、複數個源電極122及複數個汲電極123。閘電極112、作用層114(包括半導體層及已植入雜質之半導體層)、源電極122及汲電極123形成一或多個薄膜電晶體(TFT)。
該陣列基板100可進一步包括：一第一上部儲存圖案124，其被電連接至該汲電極123；一第一延伸圖案125，其在該像素區域之一左側上電連接至該汲電極123；一第二耦合圖案126，其被電連接至該第一延伸圖案125；一第二延伸圖案127，其在該像素區域之該左側上電連接至該第一延伸圖案125；以及一第二上部儲存圖案128，其被電連接至該第二延伸圖案127。
該閘極線110可具有一種單層式結構或一種多層式結構。當該閘極線110具有一種單層式結構時，該閘極線110可包括鋁、鋁釹合金等等。當該閘極線110具有一種多層式結構時，該閘極線110可包括一下層部位(其具有鉻、鉬、鉬合金及/或其他適合之材料)及一上層部位(其具有鋁、鋁合金及/或其他適合之材料)。
該陣列基板100可進一步包括一鈍化層130及一有機絕緣層132。該鈍化層130覆蓋該TFT。該鈍化層130及該有機絕緣層132具有一接觸通孔，透過該接觸通孔而局部曝露該汲電極123。該鈍化層130及該有機絕緣層132保護介於該源電極122與該汲電極123之間的該作用層114。藉由該鈍化層130及該有機絕緣層132，使該TFT電絕緣於一像素電極構件140。該作用層114可包括一半導體層及一已摻雜(例如，已植入雜質)之半導體層。
該有機絕緣層132的一高度受到控制，使得該液晶層180的一厚度受到控制。在一些具體實施例中，可省略該鈍化層130。
該陣列基板100可進一步包括透過該接觸通孔而電連接至該TFT之該汲電極123的該像素電極構件140。該像素電極構件140具有開口圖樣。
具體而言，該像素電極構件140可包括一主電極144、一第一子電極142及一第二子電極146。該主電極144被電連接至該第二耦合圖案126。該第一子電極142被電連接至該第一下部儲存圖案STL1。該第二子電極146與該第一子電極142相間隔，並且被電連接至該第二下部儲存圖案STL2。
該主電極144具有兩個Y形開口圖樣，該等Y形開口圖樣係相對於該像素區域之該水平方向的該像素區域之一中心線呈對稱。該等Y形開口圖樣各自的一中心部分具有構成約90°的兩個鄰接桿。該第一子電極142具有兩個線形開口圖樣，該等線形開口圖樣實質上平行於該等Y形開口圖樣各自的該等兩個鄰接桿之一。該第二子電極146具有兩個線形開口圖樣，該等線形開口圖樣實質上平行於該等Y形開口圖樣各自的該等兩個鄰接桿之另一桿。該第一子電極142之該等線形開口圖樣係相對於該中心線而對稱於該第二子電極146之該等線形開口圖樣。在運作中，在該液晶層180中，形成鄰接於該像素電極構件140的該等開口圖樣的複數個域。
該主電極144、該第一子電極142及該第二子電極146可包括一透明導電材料，諸如氧化銦錫(indium tin oxide；ITO)、非晶系氧化銦錫(amorphous indium tin oxide；a－ITO)、氧化銦鋅(indium zinc oxide；IZO)、氧化鋅(zinc oxide；ZO)及/或其他透明導電材料。
該彩色濾光基板190可包括：一透明基板192；一彩色濾光層194，其在該透明基板192上；以及一共同電極196，其在該彩色濾光層194上。該共同電極196覆蓋該像素電極構件140的該等開口圖樣，並且被局部展開。該彩色濾光基板190被附接至該陣列基板100，以密封該液晶層180。在此示例性具體實施例中，該液晶層180具有一垂直對位(VA)模式。
該等域係由該主電極144與該第一子電極142和該第二子電極146所形成，使得可以省略該陣列基板100及/或該彩色濾光基板190的一配向製程(rubbing process)。此外，也可以省略對位層(圖中未顯示)。
圖3繪示圖2所示之陣列基板的電路圖。
請參考圖3，該LCD裝置可包括一閘極線GL、一資料線DL、一薄膜電晶體TFT、一主像素部分MP、一第一耦合電容器Ccp1、一第一子像素部分SP1、一第二耦合電容器Ccp2及一第二子像素部分SP2。
透過該閘極線GL，將一閘極訊號施加至該薄膜電晶體TFT。透過該資料線DL，將一資料訊號施加至該薄膜電晶體TFT。
該主像素部分MP可包括一主液晶電容器ClcM及一主儲存電容器CstM。該主液晶電容器ClcM之一末端被電連接至該薄膜電晶體TFT，以及一共同電壓Vcom被施加至該主液晶電容器ClcM之另一末端。該主儲存電容器CstM之一末端被電連接至該薄膜電晶體TFT，以及一儲存電壓Vst被施加至該主儲存電容器CstM之另一末端。
該第一耦合電容器Ccp1之一末端被電連接至該薄膜電晶體TFT，並且該第一耦合電容器Ccp1之另一末端被電連接至該第一子像素部分SP1。
該第一子像素部分SP1可包括一第一液晶電容器Clcs1及一第一儲存電容器Csts1。該第一液晶電容器Clcs1之一末端被電連接至該第一耦合電容器Ccp1，以及該共同電壓被施加至該第一液晶電容器Clcs1之另一末端。該第一儲存電容器Csts1之一末端被電連接至該第一耦合電容器Ccp1，以及該儲存電壓Vst被施加至該第一儲存電容器Csts1之另一末端。
該第二耦合電容器Ccp2之一末端被電連接至該薄膜電晶體TFT，並且該第二耦合電容器Ccp2之另一末端被電連接至該第二子像素部分SP2。
該第二子像素部分SP2可包括一第二液晶電容器Clcs2及一第二儲存電容器Csts2。該第二液晶電容器Clcs2之一末端被電連接至該第二耦合電容器Ccp2，以及該共同電壓Vcom被施加至該第二液晶電容器Clcs2之另一末端。該第二儲存電容器Csts2之一末端被電連接至該第二耦合電容器Ccp2，以及該儲存電壓Vst被施加至該第二儲存電容器Csts2之另一末端。
圖4到8繪示一種製造圖3所示之陣列基板之方法的平面圖。該陣列基板具有接觸通孔，該等接觸通孔分別與鄰接於該TFT的汲極線及相隔於該TFT的汲極線鄰接。具體而言，圖4繪示該閘極線的平面圖。圖5繪示該作用層的平面圖。圖6繪示該源極－汲極線的平面圖。圖7繪示該有機絕緣層的平面圖。圖8繪示該像素電極構件的平面圖。
請參考圖2及圖4，一或多種金屬材料(諸如鉭(Ta)、鈦(Ti)、鉬(Mo)、鋁(Al)、鉻(Cr)、銅(Cu)、鎢(W)及/或其他金屬材料)被沉積一含一透明絕緣材料(諸如玻璃、陶瓷等等)的該絕緣基板105上，藉此形成一金屬層。
該沉積之金屬層被圖案化，以形成：該等閘極線110，其往該水平方向延伸且往縱向方向予以排列；該等閘電極112，其被電連接至該等閘極線110；該等第一與第二下部儲存圖案STL1與STL2，其在該像素區域中實質上平行於該等閘極線110；以及該第一耦合圖案CPL，其將該像素區域劃分成兩個區域。
在具有該等閘極線110、該等閘電極112、該等第一與第二下部儲存圖案STL1與STL2及該第一耦合圖案CPL的該絕緣基板105上沉積氮化矽，以形成該閘極絕緣層113。在此示例性具體實施例中，透過一化學沉積製程，在該絕緣基板105上沉積氮化矽，並且在整個該絕緣基板105沉積上該閘極絕緣層113。替代做法為，該閘極絕緣層113被圖案化，使得該圖案化之閘極絕緣層僅在該等閘極線110、該等閘電極112、該等第一與第二下部儲存圖案STL1與STL2及該第一耦合圖案CPL上。
請參考圖5，在該閘極絕緣層113上形成一非晶系矽層及一N＋非晶系矽層。該非晶系矽層及一N＋非晶系矽層被圖案化，以在該閘電極112上形成該作用層114。
一或多種金屬料(諸如鉭(Ta)、鈦(Ti)、鉬(Mo)、鋁(Al)、鉻(Cr)、銅(Cu)、鎢(W)及/或其他金屬材料)被沉積一具有該作用層114的該閘極絕緣層113上，藉此形成一金屬層。
請參考圖6，該沉積之金屬層被圖案化，以形成：該等資料線120；該等源電極122，其被電連接至該等資料線120；以及該等汲電極123，其分別與該等源電極122相間隔；該等第一上部儲存圖案124，其分別電連接至該等汲電極123；該等第一延伸圖案125，其分別電連接至該等汲電極123；該等第二耦合圖案126，其分別電連接至該等第一延伸圖案125；該等第二延伸圖案127，其分別電連接至該等第一延伸圖案125；以及該等第二上部儲存圖案128，其分別電連接至該等第二延伸圖案127。
在該等第一上部儲存圖案124之每一第一上部儲存圖案上各形成一第一接觸通孔CNTST1。該等第二耦合圖案126之每一第二耦合圖案各覆蓋該等第一耦合圖案CPL之每一第一耦合圖案且將該像素區域劃分成兩個區域。在該等第二上部儲存圖案128之每一第二上部儲存圖案上各形成一第二接觸通孔CNTST2。
請參考圖2及圖7，在具有該作用層114、該等資料線120、該等源電極122、該等汲電極123、該等第一上部儲存圖案124、該等第一延伸圖案125、該等第二耦合圖案126、該等第二延伸圖案127及該等第二上部儲存圖案128的該閘極絕緣層113上，形成該鈍化層130及該有機絕緣層132。在此示例性具體實施例中，該汲極線包括該等第一上部儲存圖案124、該等第一延伸圖案125、該等第二耦合圖案126、該等第二延伸圖案127及該等第二上部儲存圖案128。
在該像素區域中的該鈍化層130之一部分及該有機絕緣層132被局部移除，以形成一相對應於該第一接觸通孔CNTST1的第三接觸通孔CNTST3、一相對應於該第二接觸通孔CNTST2的第四接觸通孔CNTST4以及一相對應於該第二耦合圖案126的第五接觸通孔CNTCP。該陣列基板的像素區域被界定為由連貫之閘極線110與資料線120所限界的區域。
請參考圖2及圖8，該像素電極構件140被形成在該有機絕緣層132上。該像素電極構件140係透過該第一接觸通孔CNTST1和該第三接觸通孔CNTST3而電連接至每個該等第一下部儲存圖案STL1，並且係透過該第二接觸通孔CNTST2和該第四接觸通孔CNTST4而電連接至每個該等第二下部儲存圖案STL2。此外，該像素電極構件140係透過該第五接觸通孔CNTCP而電連接至該第二耦合圖案126。
具體而言，該像素電極構件140可包括：該主電極144，其被電連接至該第二耦合圖案126；該第一子電極142，其被電連接至該第一下部儲存圖案STL1；以及該第二子電極146，其被電連接至該第二下部儲存圖案STL2且相間隔於該第一下部儲存圖案STL1。
該主電極144具有兩個Y形開口圖樣，該等Y形開口圖樣係相對於該像素區域之該水平方向的該像素區域之一中心線呈對稱。該等Y形開口圖樣各自的一中心部分具有構成約90°內角的兩個鄰接桿。該第一子電極142具有兩個線形開口圖樣，該等線形開口圖樣實質上平行於該等Y形開口圖樣各自的該等兩個鄰接桿之一。該第二子電極146具有兩個線形開口圖樣，該等線形開口圖樣實質上平行於該等Y形開口圖樣各自的該等兩個鄰接桿之另一桿。該第一子電極l42之該等線形開口圖樣係相對於該中心線而對稱於該第二子電極146之該等線形開口圖樣。在運作中，在介於該陣列基板與該彩色濾光基板之間的該液晶層180中，形成鄰接於該陣列基板之該像素電極構件140的該等開口圖樣的複數個域。
該主電極144、該第一子電極142及該第二子電極146包括一或多種透明導電材料，諸如氧化銦錫(ITO)、非晶系氧化銦錫(a－ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZO)及/或其他透明導電材料。該透明導電材料可被塗佈在該有機絕緣層132上，並且可被圖案以形成該主電極144、該第一子電極142及該第二子電極146。替代做法為，可透過互相不同的製程來形成該主電極144、該第一子電極142及該第二子電極146。
在此示例性具體實施例中，該主電極144、該第一子電極142及該第二子電極146互相間隔。替代做法為，該主電極144可局部重疊於該第一子電極142及該第二子電極146。
根據此示例性具體實施例，該主像素部分係在該像素區域之一中心部分上；以及該子像素部分係在該像素區域之一周邊部分上。該子像素部分係透過該耦合電容器而電連接到該薄膜電晶體。因此，減小該主像素部分的一回掃脈衝電壓。
圖9繪示根據本發明示例性具體實施例之閘極－源極電容器的平面圖。
請參考圖9，一閘極－源極電容器Cgs1係藉由一作用層上的一閘極線110與一汲極線120的重疊部分予以界定。在此示例性具體實施例中，一額外閘極－源極電容器Cgs2係藉由該閘極線110與一像素電極142的重疊部分予以界定。
一總閘極－源極電容被劃分成該閘極－源極電容器Cgs1的一閘極－源極電容及該額外閘極－源極電容器Cgs2的一額外閘極－源極電容。該額外閘極－源極電容器Cgs2的該額外閘極－源極電容對應於該子像素部分，使得按照下列等式1，減小該主像素部分的一回掃脈衝電壓。在此示例性具體實施例中，該閘極－源極電容器Cgs1與該額外閘極－源極電容器Cgs2的面積比係約60：40。
下列等式1表示該回掃脈衝電壓Vk。
等式1 Vk＝Cgs．(Von－Voff)/(Cgs＋Cst＋Clc)
Cgs、Cst、Clc、Von及Voff分別表示該閘極－源極電容、一儲存電容、一液晶電容、一閘極開通電壓及一閘極關斷電壓。
藉由減小該回掃脈衝電壓，得以減少或排除一些顯示缺陷。舉例而言，減少一像素電壓的根均方(root－meansquare；RMS)所造成的一故障，例如，一閃爍。
此外，該子電極部分顯示介於一零灰階與一中間灰階之間的黑色，藉此減少一低灰階的一殘像。
圖10繪示根據本發明另一示例性具體實施例之LCD面板的平面圖。圖11繪示圖10所示之陣列基板的平面圖。該陣列基板具有一在一層上的接觸通孔，在該層上形成一鄰接於一薄膜電晶體(TFT)的汲電極。
請參考圖2、圖10及圖11，該陣列基板200可包括：一閘極線210，其往一水平方向延伸；一閘電極212，其被電連接至該閘極線210；第一與第二下部儲存圖案STL1與STL2，其在一像素區域中與該閘極線210相間隔，並且實質上平行於該閘極線210；以及一第一耦合圖案CPL，其將該像素區域劃分成兩個區域。在一些具體實施例中，該陣列基板200可包括複數個閘極線210、複數個閘電極212、複數個像素區域及複數個第一耦合圖案CPL，其中像素區域係由連貫之閘極線210與資料線220予以界定。
該陣列基板200可包括一包含氮化矽、氧化矽及/或其他絕緣材料之絕緣基板(圖中未繪示)。該陣列基板200可進一步包括一閘極絕緣層(圖中未繪示)及一作用層214。該閘極絕緣層(圖中未繪示)係在具有該閘極線210及該閘電極212的該絕緣基板(圖中未繪示)上。該作用層214係在該閘極絕緣層(圖中未繪示)上而相對應於該閘電極212。該作用層214包括一半導體層(其具有非晶系矽、多晶矽及/或其他適合之材料)及一已摻雜(例如，已植入)雜質之半導體層(其包含N＋非晶系矽、N＋多晶矽及/或其他已摻雜之材料)。
該陣列基板200可包括：一源極線220，其往一縱向方向延伸；一源電極222，其被電連接至該源極線220；以及一汲電極223，其與該源電極222相間隔。在一些具體實施例中，該陣列基板200可包括複數個源極線220、複數個源電極222及複數個汲電極223。每個該等閘電極212、每個該等半導體層、每個該等已植入雜質之半導體層、每個該等源電極222及每個該等汲電極223各形成一相關聯之薄膜電晶體(TFT)。
該陣列基板200可進一步包括：一第一上部儲存圖案224，其被電連接至該汲電極223；一第一延伸圖案225，其在該像素區域之一左側上電連接至該汲電極223；一第二耦合圖案226，其被電連接至該第一延伸圖案225；一第二延伸圖案227，其在該像素區域之該左側上電連接至該第一延伸圖案225；以及一第二上部儲存圖案228，其被電連接至該第二延伸圖案227。在此示例性具體實施例中，該等第一上部儲存圖案224、該等第一延伸圖案225、該等第二耦合圖案226、該等第二延伸圖案227及該等第二上部儲存圖案228形成一汲極線。
該陣列基板200可進一步包括一鈍化層230及一有機絕緣層232。該鈍化層230覆蓋該TFT。該鈍化層230及該有機絕緣層232具有一接觸通孔，透過該接觸通孔而局部曝露該汲電極223。該鈍化層230及該有機絕緣層232保護介於該源電極222與該汲電極223之間的該作用層214。藉由該鈍化層230及該有機絕緣層232，使該TFT電絕緣於一像素電極構件。該作用層214可包括該半導體層及該已植入雜質之半導體層。
該有機絕緣層232的一高度可受到控制，使得該液晶層200的一厚度受到控制。在一些具體實施例中，可省略該鈍化層230。
該陣列基板200可進一步包括透過該接觸通孔CNTST1而電連接至該第一上部儲存圖案224的該像素電極構件。該像素電極構件具有開口圖樣。
具體而言，該像素電極構件可包括一主電極244及一子電極242。該主電極244具有一朝向該像素區域之一右側突出的楔形形狀。該子電極242係在該像素區域之未形成該主電極244的一其餘部分上。
在此圖解具體實施例中，該主電極244具有兩個Y形開口圖樣，該等Y形開口圖樣係相對於該像素區域之該水平方向的該像素區域之一中心線呈對稱。該等Y形開口圖樣各自的一中心部分具有構成約90°內角的兩個鄰接桿。該子電極242被劃分成複數個部分。在此圖解具體實施例中，該子電極242的每個部分各具有一實質上固定寬度。
該子電極242具有四個線性開口圖樣。其中兩個線形開口圖樣實質上平行於該等Y形開口圖樣各自的該等兩個鄰接桿之一上部桿。其餘兩個線形開口圖樣實質上平行於該等Y形開口圖樣各自的該等兩個鄰接桿之一下部桿。實質上平行於該等Y形開口圖樣各自的該等兩個鄰接桿之該上部桿的該等兩個線形開口圖樣，係相對於該中心線而對稱於實質上平行於該等Y形開口圖樣各自的該等兩個鄰接桿之該下部桿的該等其餘兩個線形開口圖樣。
在一包括陣列基板200之LCD裝置運作中，在置放於陣列基板200與一彩色濾光基板之間的該液晶層中，形成鄰接於該像素電極構件的該等開口圖樣的複數個域。
該主電極244及該子電極242包括一或多種透明導電材料，諸如氧化銦錫(ITO)、非晶系氧化銦錫(a－ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZO)及/或其他透明導電材料。
根據此示例性具體實施例，一總閘極－源極電容被劃分成該閘極－源極電容器的一閘極－源極電容及該額外閘極－源極電容器的一額外閘極－源極電容。該額外閘極－源極電容器的該額外閘極－源極電容對應於該子電極242，使得減小該主像素部分的一回掃脈衝電壓。因此，改良該LCD裝置的影像顯示品質。
此外，在一有機絕緣層上之該等接觸通孔的數量係僅有兩個，這可改良該LCD裝置的可靠度，如下文所述。
在本文所論述之示例性具體實施例中，一接觸通孔被形成在一形成該閘極線210的層與一形成該源極線220的層之間；以及另一接觸通孔被形成在一形成該像素電極構件的層與該形成該源極線220的層之間。其他LCD裝置組態具有三個接觸通孔：一接觸通孔被形成在一形成一閘極線的層與一形成一源極線的層之間；以及另兩個接觸通孔被形成在一形成該像素電極構件的層與該形成該源極線的層之間。由於每個接觸通孔增加可能形成一短路的機率，所以此圖解具體實施例降低介於該形成該閘極線210的層與該形成該源極線220的層之間的一短路之機率。介於該形成該閘極線210的層與該形成該源極線220的層之間的一短路可造成該LCD裝置之一故障。
此外，在此圖解具體實施例中，在每個像素區域中僅形成一個子電極。即，減少子電極之數量，使得可以容易測試該陣列基板200。這可縮短該LCD裝置的製造時間。
圖12繪示根據本發明另一示例性具體實施例之LCD面板的平面圖。圖13繪示圖12所示之陣列基板的平面圖。多個接觸通孔被形成在鄰接於一TFT的一儲存線上及相隔於該TFT的該儲存線上。該儲存線之一中心部分的寬度大於該儲存線之一其餘部分的寬度。
請參考圖12及圖13，該陣列基板300可包括：一閘極線310，其往一水平方向延伸；一閘電極312，其被電連接至該閘極線310；第一與第二下部儲存圖案STL1與STL2，其在一像素區域中與該閘極線310相間隔，並且實質上平行於該閘極線310；以及一第一耦合圖案CPL，其將該像素區域劃分成兩個區域。在一些具體實施例中，該陣列基板300可包括複數個閘極線310、複數個閘電極312、複數個像素區域及複數個第一耦合圖案CPL，其中像素區域係由連貫之閘極線310與資料線320予以界定。
該陣列基板300可包括一包含氮化矽、氧化矽及/或其他絕緣材料之絕緣基板(圖中未繪示)。該陣列基板300可進一步包括一閘極絕緣層(圖中未繪示)及一作用層314。該閘極絕緣層(圖中未繪示)係在具有該閘極線310及該閘電極312的該絕緣基板(圖中未繪示)上。該作用層314係在該閘極絕緣層(圖中未繪示)上而相對應於該閘電極312。該作用層314具有一半導體層(其具有非晶系矽、多晶矽及/或其他適合之材料)及一已摻雜(例如，已植入)雜質之半導體層(其包含N＋非晶系矽、N＋多晶矽及/或其他已摻雜之材料)。
該陣列基板300可包括：一源極線320，其往一縱向方向延伸；一源電極322，其被電連接至該源極線320；以及一汲電極323，其與該源電極322相間隔。在一些具體實施例中，該陣列基板300可包括複數個源極線320、複數個源電極322及複數個汲電極323。每個該等閘電極312、每個該等半導體層、每個該等已植入雜質之半導體層、每個該等源電極322及每個該等汲電極323各形成一相關聯之薄膜電晶體(TFT)。
該陣列基板300可進一步包括：一第一上部儲存圖案324，其被電連接至該汲電極323，並且具有一開口，透過該開口而局部曝露出該第一下部儲存圖案STL1；一第一延伸圖案325，其在該像素區域之一左側上電連接至該第一上部儲存圖案324；一第二耦合圖案326，其被電連接至該第一延伸圖案325；一第二延伸圖案327，其在該像素區域之該左側上電連接至該第一延伸圖案325；以及一第二上部儲存圖案328，其被電連接至該第二延伸圖案327，並且具有一開口，透過該開口而局部曝露出該第二下部儲存圖案STL2。在此示例性具體實施例中，該等第一上部儲存圖案324、該等第一延伸圖案325、該等第二耦合圖案326、該等第二延伸圖案327及該等第二上部儲存圖案328形成一汲極線。
該陣列基板300可進一步包括一鈍化層(圖中未繪示)及一閘極絕緣層(圖中未繪示)。該鈍化層(圖中未繪示)覆蓋該TFT。該鈍化層(圖中未繪示)及該有機絕緣層(圖中未繪示)具有一接觸通孔，透過該接觸通孔而局部曝露該汲電極323。該鈍化層(圖中未繪示)及該有機絕緣層(圖中未繪示)保護介於該源電極322與該汲電極323之間的該作用層314。藉由該鈍化層(圖中未繪示)及該有機絕緣層(圖中未繪示)，使該TFT電絕緣於一像素電極構件。該作用層314可包括該半導體層及該已植入雜質之半導體層。
該陣列基板300可進一步包括透過一接觸通孔CNTCP而電連接至該第二耦合圖案326的該像素電極構件。
具體而言，該像素電極構件可包括一主電極344、一第一子電極342及一第二子電極346。該主電極344係透過該接觸通孔CNTCP而電連接至該第二耦合圖案326。該第一子電極342被電連接至該第一下部儲存圖案STL1。該第二子電極346被電連接至該第二下部儲存圖案STL2，並且相間隔於該第一子電極342。
在此圖解具體實施例中，該主電極344具有兩個Y形開口圖樣，該等Y形開口圖樣係相對於該像素區域之該水平方向的該像素區域之一中心線呈對稱。該等Y形開口圖樣各自的一中心部分具有構成約90°內角的兩個鄰接桿。該第一子電極342具有兩個線形開口圖樣，該等個線形開口圖樣實質上平行於該等Y形開口圖樣各自的該等兩個鄰接桿之一。該第二子電極346具有兩個線形開口圖樣，該等線形開口圖樣實質上平行於該等Y形開口圖樣各自的該等兩個鄰接桿之另一桿。該第一子電極342之該等線形開口圖樣係相對於該中心線而對稱於該第二子電極346之該等線形開口圖樣。在一包括陣列基板300之LCD裝置運作中，在置放於陣列基板300與一彩色濾光基板之間的一液晶層中，形成鄰接於該像素電極構件的該等開口圖樣的複數個域。
該主電極344、該第一子電極342及該第二子電極346包括一或多種透明導電材料，諸如氧化銦錫(ITO)、非晶系氧化銦錫(a－ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZO)及/或其他透明導電材料。
該等域係由該主電極344與該第一子電極342和該第二子電極346所形成，使得可以省略該陣列基板及/或一彩色濾光基板的一配向製程。此外，也可以省略對位層(圖中未顯示)。
根據此示例性具體實施例，一總閘極－源極電容被劃分成該閘極－源極電容器的一閘極－源極電容及該額外閘極－源極電容器的一額外閘極－源極電容。該額外閘極－源極電容器的該額外閘極－源極電容對應於該第一子電極342和該第二子電極346。結果，減小該主電極344的一回掃脈衝電壓，並且改良該LCD裝置的影像顯示品質。
圖14繪示根據本發明另一示例性具體實施例之LCD面板的平面圖。圖15繪示圖14所示之陣列基板的平面圖。在此圖解具體實施例中，多個接觸通孔被形成在鄰接於一TFT的一汲極線上、相隔於該TFT的該汲極線上以及一儲存線的一中心部分上。在其上形成該等接觸通孔的該汲極線之一部分的寬度大於該汲極線之其餘部分的寬度。該儲存線之該中心部分的寬度大於該儲存線之一其餘部分的寬度。
請參考圖14及圖15，該陣列基板400可包括：一閘極線410，其往一水平方向延伸；一閘電極412，其被電連接至該閘極線410；第一與第二下部儲存圖案STL1與STL2，其在一像素區域中與該閘極線410相間隔，並且實質上平行於該閘極線410；以及一第一耦合圖案CPL，其將該像素區域劃分成兩個區域。在一些具體實施例中，該陣列基板400可包括複數個閘極線410、複數個閘電極412、複數個像素區域及複數個第一耦合圖案CPL，其中像素區域係由連貫之閘極線410與資料線420予以界定。
該陣列基板400可包括一包含氮化矽、氧化矽及/或其他絕緣材料之絕緣基板(圖中未繪示)。該陣列基板400可進一步包括一閘極絕緣層(圖中未繪示)及一作用層414。該閘極絕緣層(圖中未繪示)係在具有該閘極線410及該閘電極412的該絕緣基板(圖中未繪示)上。該作用層414係在該閘極絕緣層(圖中未繪示)上而相對應於該閘電極412。該作用層414包括一半導體層(其具有非晶系矽、多晶矽及/或其他適合之材料)及一已摻雜(例如，已植入)雜質之半導體層(其具有N＋非晶系矽、N＋多晶矽及/或其他已摻雜之材料)。
該陣列基板400可包括：一源極線420，其往一縱向方向延伸；一源電極422，其被電連接至該源極線420；以及一汲電極423，其與該源電極422相間隔。在一些具體實施例中，該陣列基板400可包括複數個源極線420、複數個源電極422及複數個汲電極423。每個該等閘電極412、每個該等半導體層、每個該等已植入雜質之半導體層、每個該等源電極422及每個該等汲電極423各形成一相關聯之薄膜電晶體(TFT)。
該陣列基板400可進一步包括：一第一上部儲存圖案424、一第一延伸圖案425、一第二耦合圖案426、一第二延伸圖案427及一第二上部儲存圖案428。在此示例性具體實施例中，該等第一上部儲存圖案424、該等第一延伸圖案425、該等第二耦合圖案426、該等第二延伸圖案427及該等第二上部儲存圖案428形成一汲極線。在一些具體實施例中，該陣列基板400可進一步包括：複數個第一上部儲存圖案424、複數個第一延伸圖案425、複數個第二耦合圖案426、複數個第二延伸圖案427及複數個第二上部儲存圖案428。
該第一上部儲存圖案424被電連接至該汲電極423，並且該第一上部儲存圖案424係在該第一下部儲存圖案STL1上。該第一延伸圖案425係在該像素區域之一左側上電連接至該第一上部儲存圖案424。替代做法為，該第一延伸圖案425可能係置在該像素區域之一中心部分上。替代做法為，該第二耦合圖案426被電連接至該第一延伸圖案425，並且覆蓋該第一耦合圖案CPL。該第二延伸圖案427係在該像素區域之該左側上電連接至該第一延伸圖案425。替代做法為，該第二延伸圖案427可能係置在該像素區域之該中心部分上。該第二上部儲存圖案428被電連接至該第二延伸圖案427，並且該第二上部儲存圖案428係在該第二下部儲存圖案STL2上。
該陣列基板400可進一步包括一鈍化層(圖中未繪示)及一閘極絕緣層(圖中未繪示)。該鈍化層(圖中未繪示)覆蓋該TFT。該鈍化層(圖中未繪示)及該有機絕緣層(圖中未繪示)具有一接觸通孔，透過該接觸通孔而局部曝露該汲電極423。該鈍化層(圖中未繪示)及該有機絕緣層(圖中未繪示)保護介於該源電極422與該汲電極423之間的該作用層414。藉由該鈍化層(圖中未繪示)及該有機絕緣層(圖中未繪示)，使該TFT電絕緣於一像素電極構件。該作用層414可包括該半導體層及該已植入雜質之半導體層。
該陣列基板400可進一步包括透過一接觸通孔CNTCP而電連接至該第二耦合圖案426的該像素電極構件。
具體而言，該像素電極構件可包括一主電極444、一第一子電極442及一第二子電極446。該主電極444係透過該接觸通孔CNTCP而電連接至該第二耦合圖案426。該第一子電極442被電連接至該第一下部儲存圖案STL1。該第二子電極446被電連接至該第二下部儲存圖案STL2，並且相間隔於該第一子電極442。
在此圖解具體實施例中，該主電極444具有兩個Y形開口圖樣，該等Y形開口圖樣係相對於該像素區域之該水平方向的該像素區域之一中心線呈對稱。該等Y形開口圖樣各自的一中心部分具有構成約90°內角的兩個鄰接桿。
該第一子電極442具有兩個線形開口圖樣，該等線形開口圖樣實質上平行於該等Y形開口圖樣各自的該等兩個鄰接桿之一。
該第二子電極446具有兩個線形開口圖樣，該等線形開口圖樣實質上平行於該等Y形開口圖樣各自的該等兩個鄰接桿之另一桿。該第一子電極442之該等線形開口圖樣係相對於該中心線而對稱於該第二子電極446之該等線形開口圖樣。在一包括陣列基板400之LCD裝置運作中，在置放於陣列基板400與一彩色濾光基板之間的一液晶層中，形成鄰接於該像素電極構件的該等開口圖樣的複數個域。
該主電極444、該第一子電極442及該第二子電極446包括一或多種透明導電材料，諸如氧化銦錫(ITO)、非晶系氧化銦錫(a－ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZO)及/或其他透明導電材料。
該等域係由該主電極444與該第一子電極442和該第二子電極446所形成，使得可以省略該陣列基板及/或一彩色濾光基板的一配向製程。此外，也可以省略對位層(圖中未顯示)。
根據此示例性具體實施例，一總閘極－源極電容被劃分成該閘極－源極電容器的一閘極－源極電容及該額外閘極－源極電容器的一額外閘極－源極電容。該額外閘極－源極電容器的該額外閘極－源極電容對應於該第一子電極442和該第二子電極446。結果，減小該主電極444的一回掃脈衝電壓，並且改良該LCD裝置的影像顯示品質。
圖16繪示根據本發明另一示例性具體實施例之LCD面板的平面圖。圖17繪示圖16所示之陣列基板的平面圖。在此圖解具體實施例中，一接觸通孔被形成在鄰接於一TFT的一汲極線上。一儲存線之一中心部分的寬度大於該儲存線之一其餘部分的寬度。
請參考圖16及圖17，該陣列基板500可包括：一閘極線510，其往一水平方向延伸；一閘電極512，其被電連接至該閘極線510；一下部儲存圖案STL，其在一像素區域中與該閘極線510相間隔，並且實質上平行於該閘極線510；以及一第一耦合圖案CPL，其將該像素區域劃分成兩個區域。在一些具體實施例中，該陣列基板500可包括複數個閘極線510、複數個閘電極512、複數個像素區域、複數個下部儲存圖案STL及複數個第一耦合圖案CPL，其中像素區域係由連貫之閘極線510與資料線520予以界定。
該陣列基板500可包括一包含氮化矽、氧化矽及/或其他絕緣材料之絕緣基板(圖中未繪示)。該陣列基板500可進一步包括一閘極絕緣層(圖中未繪示)及一作用層514。該閘極絕緣層(圖中未繪示)係在具有該閘極線510及該閘電極512的該絕緣基板(圖中未繪示)上。該作用層514係在該閘極絕緣層(圖中未繪示)上而相對應於該閘電極512。該作用層514包括一半導體層(其具有非晶系矽、多晶矽及/或其他適合之材料)及一已摻雜(例如，已植入)雜質之半導體層(其具有N＋非晶系矽、N＋多晶矽及/或其他已摻雜之材料)。
該陣列基板500可包括：一源極線520，其往一縱向方向延伸；一源電極522，其被電連接至該源極線520；以及一汲電極523，其與該源電極522相間隔。在一些具體實施例中，該陣列基板500可包括複數個源極線520、複數個源電極522及複數個汲電極523。每個該等閘電極512、每個該等半導體層、每個該等已植入雜質之半導體層、每個該等源電極522及每個該等汲電極523各形成一相關聯之薄膜電晶體(TFT)。
該陣列基板500可進一步包括：一第一上部儲存圖案524，其被電連接至該汲電極523；一第一延伸圖案525，其在該像素區域之一左側上電連接至該第一上部儲存圖案524；以及一第二耦合圖案526，其被電連接至該第一延伸圖案525，以覆蓋一第一耦合圖案CPL。在一些具體實施例中，該陣列基板500可進一步包括複數個第一上部儲存圖案524、複數個第一延伸圖案525及複數個第二耦合圖案526。在此示例性具體實施例中，該等第一上部儲存圖案524、該等第一延伸圖案525及該等第二耦合圖案526形成一汲極線。
該陣列基板500可進一步包括一鈍化層(圖中未繪示)及一閘極絕緣層(圖中未繪示)。該鈍化層(圖中未繪示)及一有機絕緣層(圖中未繪示)覆蓋該TFT。該鈍化層(圖中未繪示)及該有機絕緣層(圖中未繪示)保護介於該源電極522與該汲電極523之間的該作用層514。藉由該鈍化層(圖中未繪示)及該有機絕緣層(圖中未繪示)，使該TFT電絕緣於一像素電極構件。該作用層514可包括該半導體層及該已植入雜質之半導體層。
該陣列基板500可進一步包括透過該接觸通孔CNTCP而電連接至該第二耦合圖案526的該像素電極構件。該像素電極構件具有開口圖樣。
具體而言，該像素電極構件可包括一主電極544及一子電極542。該主電極544具有一朝向該像素區域之一右側突出的楔形形狀。該子像素542係在該像素區域之未形成該主電極544的一其餘部分上。
在此圖解具體實施例中，該主電極544具有兩個Y形開口圖樣，該等Y形開口圖樣係相對於該像素區域之該水平方向的該像素區域之一中心線呈對稱。該等Y形開口圖樣各自的一中心部分具有構成約90°內角的兩個鄰接桿。該子像素542被劃分成複數個部分。該子像素542的每個部分各具有一實質上固定寬度。
該子電極542具有四個線性開口圖樣。其中兩個線形開口圖樣實質上平行於該等Y形開口圖樣各自的該等兩個鄰接桿之一上部桿。其餘兩個線形開口圖樣實質上平行於該等Y形開口圖樣各自的該等兩個鄰接桿之該下部桿。實質上平行於該等Y形開口圖樣各自的該等兩個鄰接桿之該上部桿的該等兩個線形開口圖樣，係相對於該中心線而對稱於實質上平行於該等Y形開口圖樣各自的該等兩個鄰接桿之該下部桿的該等其餘兩個線形開口圖樣。
替代做法為，該子電極542可具有該楔形形狀及該等Y形開口圖樣，以及該主電極544可具有該等線形開口圖樣。
在一包括陣列基板500之LCD裝置運作中，在置放於陣列基板500與一彩色濾光基板之間的該液晶層中，形成鄰接於該像素電極構件的該等開口圖樣的複數個域。
該主電極544及該子電極542包括一或多種透明導電材料，諸如氧化銦錫(ITO)、非晶系氧化銦錫(a－ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZO)及/或其他透明導電材料。
該等域係由該主電極544與該子電極542所形成，使得可以省略該陣列基板500及/或該彩色濾光基板的一配向製程。此外，也可以省略對位層(圖中未顯示)。
根據此示例性具體實施例，一總閘極－源極電容被劃分成該閘極－源極電容器的一閘極－源極電容及該額外閘極－源極電容器的一額外閘極－源極電容。該額外閘極－源極電容器的該額外閘極－源極電容對應於該子電極542。結果，減小該主電極544的一回掃脈衝電壓，並且改良該LCD裝置的影像顯示品質。
此外，在一有機絕緣層上之該等接觸通孔的數量係僅有兩個，這可改良該LCD裝置的可靠度，如下文所述。
在本文所論述之示例性具體實施例中，一接觸通孔被形成在一形成該閘極線510的層與一形成該源極線520的層之間；以及另一接觸通孔被形成在一形成該像素電極構件的層與該形成該源極線520的層之間。其他LCD裝置組態具有三個接觸通孔：一接觸通孔被形成在一形成一閘極線的層與一形成一源極線的層之間；以及另兩個接觸通孔被形成在一形成該像素電極構件的層與該形成該源極線的層之間。由於每個接觸通孔增加可能形成一短路的機率，所以此圖解具體實施例降低介於該形成該閘極線510的層與該形成該源極線520的層之間的一短路之機率。介於該形成該閘極線510的層與該形成該源極線520的層之間的一短路可造成該LCD裝置之一故障。
此外，在此圖解具體實施例中，在每個像素區域中僅形成一個子電極。即，減少子電極之數量，使得可以容易測試該陣列基板500。這可縮短該LCD裝置的製造時間。
圖18繪示根據本發明另一示例性具體實施例之LCD面板的平面圖。圖19繪示圖18所示之陣列基板的平面圖。在此圖解具體實施例中，多個接觸通孔被形成在鄰接於一TFT的一汲極線上、相隔於該TFT的該汲極線上以及一儲存線上。第一延伸圖案及第二延伸圖案係往該像素區域之該縱向方向而沿著該像素區域之一中心線。
請參考圖18及圖19，該陣列基板600可包括：一閘極線610，其往一水平方向延伸；一閘電極612，其被電連接至該閘極線610；第一與第二下－部儲存圖案STL1與STL2，其在一像素區域中與該閘極線610相間隔，並且實質上平行於該閘極線610；以及一第一耦合圖案CPL，其將該像素區域劃分成兩個區域。在一些具體實施例中，該陣列基板600可包括複數個閘極線610、複數個閘電極612、複數個像素區域及複數個第一耦合圖案CPL。
該陣列基板600可包括一包含氮化矽、氧化矽及/或其他絕緣材料之絕緣基板(圖中未繪示)。該陣列基板600可進一步包括一閘極絕緣層(圖中未繪示)及一作用層614。該閘極絕緣層(圖中未繪示)係在具有該閘極線610及該閘電極612的該絕緣基板(圖中未繪示)上。該作用層614係在該閘極絕緣層(圖中未繪示)上而相對應於該閘電極612。該作用層614包括一半導體層(其具有非晶系矽、多晶矽及/或其他適合之材料)及一已摻雜(例如，已植入)雜質之半導體層(其具有N＋非晶系矽、N＋多晶矽及/或其他已摻雜之材料)。
該陣列基板600可包括：一源極線620，其往一縱向方向延伸；一源電極622，其被電連接至該源極線620；以及一汲電極623，其與該源電極622相間隔。在一些具體實施例中，該陣列基板600可包括複數個源極線620、複數個源電極622及複數個汲電極623。每個該等閘電極612、每個該等半導體層、每個該等已植入雜質之半導體層、每個該等源電極622及每個該等汲電極623各形成一相關聯之薄膜電晶體(TFT)。
該陣列基板600可進一步包括：一第一上部儲存圖案624、一第一延伸圖案625、一第二耦合圖案626、一第二延伸圖案627及一第二上部儲存圖案628。在一些具體實施例中，該陣列基板600可進一步包括：複數個第一上部儲存圖案624、複數個第一延伸圖案625、複數個第二耦合圖案626、複數個第二延伸圖案627及複數個第二上部儲存圖案628。在此示例性具體實施例中，該等第一上部儲存圖案624、該等第一延伸圖案625、該等第二耦合圖案626、該等第二延伸圖案627及該等第二上部儲存圖案628形成一汲極線。
具體而言，該第一上部儲存圖案624被電連接至該汲電極623，並且該第一上部儲存圖案624係在該第一下部儲存圖案STL1上。該第一延伸圖案625係往該像素區域之該縱向方向而在該像素區域之一中心線上電連接至該第一上部儲存圖案624。該第二耦合圖案626被電連接至該第一延伸圖案625，並且覆蓋該第一耦合圖案CPL。該第二延伸圖案627係往該縱向方向而在該像素區域之該中心線上電連接至該第一延伸圖案625。該第二上部儲存圖案628被電連接至該第二延伸圖案627，並且該第二上部儲存圖案628係在該第二下部儲存圖案STL2上。
該陣列基板600可進一步包括一鈍化層(圖中未繪示)及一閘極絕緣層(圖中未繪示)。該鈍化層(圖中未繪示)覆蓋該TFT。該鈍化層(圖中未繪示)及該有機絕緣層(圖中未繪示)具有一接觸通孔，透過該接觸通孔而局部曝露該汲電極623。該鈍化層(圖中未繪示)及該有機絕緣層(圖中未繪示)保護介於該源電極622與該汲電極623之間的該作用層614。藉由該鈍化層(圖中未繪示)及該有機絕緣層(圖中未繪示)，使該TFT電絕緣於一像素電極構件。該作用層614可包括該半導體層及該已植入雜質之半導體層。
該陣列基板600可進一步包括透過一接觸通孔CNTCP而電連接至該第二耦合圖案626的一像素電極構件。
具體而言，該像素電極構件可包括一主電極644、一第一子電極642及一第二子電極646。該主電極644係透過該接觸通孔CNTCP而電連接至該第二耦合圖案626。該第一子電極642被電連接至該第一下部儲存圖案STL1。該第二子電極646被電連接至該第二下部儲存圖案STL2，並且相間隔於該第一子電極642。
在此圖解具體實施例中，該主電極644具有兩個Y形開口圖樣，該等Y形開口圖樣係相對於該像素區域之該水平方向的該像素區域之一中心線呈對稱。該等Y形開口圖樣各自的一中心部分具有構成約90°內角的兩個鄰接桿。
該第一子電極642具有兩個線形開口圖樣，該等線形開口圖樣實質上平行於該等Y形開口圖樣各自的該等兩個鄰接桿之一。
該第二子電極646具有兩個線形開口圖樣，該等線形開口圖樣實質上平行於該等Y形開口圖樣各自的該等兩個鄰接桿之另一桿。該第一子電極642之該等線形開口圖樣係相對於該中心線而對稱於該第二子電極646之該等線形開口圖樣。在一包括陣列基板600之LCD裝置運作中，在置放於陣列基板600與一彩色濾光基板之間的一液晶層中，形成鄰接於該像素電極構件的該等開口圖樣的複數個域。
該主電極644、該第一子電極642及該第二子電極646包括一透明導電材料，諸如氧化銦錫(ITO)、非晶系氧化銦錫(a－ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZO)及/或其他透明導電材料。
該等域係由該主電極644與該第一子電極642和該第二子電極646所形成，使得可以省略該陣列基板及/或一彩色濾光基板的一配向製程。此外，也可以省略對位層(圖中未顯示)。
根據此示例性具體實施例，一總閘極－源極電容被劃分成該閘極－源極電容器的一閘極－源極電容及該額外閘極－源極電容器的一額外閘極－源極電容。該額外閘極－源極電容器的該額外閘極－源極電容對應於該第一子電極642和該第二子電極646。結果，減小該主電極644的一回掃脈衝電壓，並且得以改良該LCD裝置的影像顯示品質。
此外，該第一延伸圖案625及該第二延伸圖案627係在該像素區域之該中心線上，以防止介於一形成該源極線620的層與一形成該閘極線610的層之間形成一短路。
圖20繪示根據本發明另一示例性具體實施例之LCD面板的平面圖。圖21繪示圖20所示之陣列基板的平面圖。在此圖解具體實施例中，多個接觸通孔被形成在相間隔於該TFT的一汲極線上。第一延伸圖案及第二延伸圖案係往該像素區域之該縱向方向而沿著該像素區域之一中心線。
請參考圖20及圖21，該陣列基板700可包括：一閘極線710，其往一水平方向延伸；一閘電極712，其被電連接至該閘極線710；第一與第二下部儲存圖案STL1與STL2，其在一像素區域中與該閘極線710相間隔，並且實質上平行於該閘極線710；以及一第一耦合圖案CPL，其將該像素區域劃分成兩個區域。在一些具體實施例中，該陣列基板700可包括複數個閘極線710、複數個閘電極712、複數個像素區域及複數個第一耦合圖案CPL，其中像素區域係由連貫之閘極線710與資料線720予以界定。
該陣列基板700可包括一包含氮化矽、氧化矽及/或其他絕緣材料之絕緣基板(圖中未繪示)。該陣列基板700可進一步包括一閘極絕緣層(圖中未繪示)及一作用層714。該閘極絕緣層(圖中未繪示)係在具有該閘極線710及該閘電極712的該絕緣基板(圖中未繪示)上。該作用層714係在該閘極絕緣層(圖中未繪示)上而相對應於該閘電極712。該作用層714包括一半導體層(其具有非晶系矽、多晶矽及/或其他適合之材料)及一已摻雜(例如，已植入)雜質之半導體層(其具有N＋非晶系矽、N＋多晶矽及/或其他已摻雜之材料)。
該陣列基板700可包括：一源極線720，其往一縱向方向延伸；一源電極722，其被電連接至該源極線720；以及一汲電極723，其與該源電極722相間隔。在一些具體實施例中，該陣列基板700可包括複數個源極線720、複數個源電極722及複數個汲電極723。每個該等閘電極712、每個該等半導體層、每個該等已植入雜質之半導體層、每個該等源電極722及每個該等汲電極723各形成一相關聯之薄膜電晶體(TFT)。
該陣列基板700可進一步包括：一第一上部儲存圖案724、一第一延伸圖案725、一第二耦合圖案726、一第二延伸圖案727及一第二上部儲存圖案728。在一些具體實施例中，該陣列基板700可進一步包括：複數個第一上部儲存圖案724、複數個第一延伸圖案725、複數個第二耦合圖案726、複數個第二延伸圖案727及複數個第二上部儲存圖案728。在此示例性具體實施例中，該等第一上部儲存圖案724、該等第一延伸圖案725、該等第二耦合圖案726、該等第二延伸圖案727及該等第二上部儲存圖案728形成一汲極線。
具體而言，該第一上部儲存圖案724被電連接至該汲電極723，並且該第一上部儲存圖案724係在該第一下部儲存圖案STL1上。該第一延伸圖案725係往該像素區域之該縱向方向而在該像素區域之一中心線上電連接至該第一上部儲存圖案724。該第二耦合圖案726被電連接至該第一延伸圖案725，並且覆蓋該第一耦合圖案CPL。該第二延伸圖案727係往該縱向方向而在該像素區域之該中心線上電連接至該第一延伸圖案725。該第二上部儲存圖案728被電連接至該第二延伸圖案727，並且該第二上部儲存圖案728係在該第二下部儲存圖案STL2上。
該陣列基板700可進一步包括一鈍化層(圖中未繪示)及一閘極絕緣層(圖中未繪示)。該鈍化層(圖中未繪示)覆蓋該TFT。該鈍化層(圖中未繪示)及該有機絕緣層(圖中未繪示)具有一接觸通孔，透過該接觸通孔而局部曝露該汲電極723。該鈍化層(圖中未繪示)及該有機絕緣層(圖中未繪示)保護介於該源電極722與該汲電極723之間的該作用層714。藉由該鈍化層(圖中未繪示)及該有機絕緣層(圖中未繪示)，使該TFT電絕緣於一像素電極構件。該作用層714可包括該半導體層及該已植入雜質之半導體層。
該陣列基板700可進一步包括透過一接觸通孔CNTCP而電連接至該第二耦合圖案726的一像素電極構件。
具體而言，該像素電極構件可包括一主電極742及一子電極744。該子電極744具有一朝向該像素區域之一右側突出的楔形形狀。該主電極742係在該像素區域之未形成該子電極744的一其餘部分上。
在此圖解具體實施例中，該子電極744具有兩個Y形開口圖樣，該等Y形開口圖樣係相對於該像素區域之該水平方向的該像素區域之一中心線呈對稱。該等Y形開口圖樣各自的一中心部分具有構成約90°內角的兩個鄰接桿。藉由該等Y形開口圖樣，將該子像素744劃分成複數個部分。該子電極744的每個部分各具有一實質上固定寬度。
該主電極742具有四個線性開口圖樣。其中兩個線形開口圖樣實質上平行於該等Y形開口圖樣各自的該等兩個鄰接桿之一上部桿。其餘兩個線形開口圖樣實質上平行於該等Y形開口圖樣各自的該等兩個鄰接桿之一下部桿。實質上平行於該等Y形開口圖樣各自的該等兩個鄰接桿之該上部桿的該等兩個線形開口圖樣，係相對於該中心線而對稱於實質上平行於該等Y形開口圖樣各自的該等兩個鄰接桿之該下部桿的該等其餘兩個線形開口圖樣。
在一包括陣列基板700之LCD裝置運作中，在置放於陣列基板700與一彩色濾光基板之間的該液晶層中，形成鄰接於該像素電極構件的該等開口圖樣的複數個域。
該主電極742及該子電極744包括一透明導電材料，諸如氧化銦錫(ITO)、非晶系氧化銦錫(a－ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZO)及/或其他透明導電材料。
根據此示例性具體實施例，一總閘極－源極電容被劃分成該閘極－源極電容器的一閘極－源極電容及該額外閘極－源極電容器的一額外閘極－源極電容。該額外閘極－源極電容器的該額外閘極－源極電容對應於該子電極742。結果，減小該主電極744的一回掃脈衝電壓，並且改良該LCD裝置的影像顯示品質。
此外，在一有機絕緣層上之該等接觸通孔的數量係僅有兩個，這可改良該LCD裝置的可靠度，如下文所述。
在本文所論述之示例性具體實施例中，一接觸通孔被形成在一形成該閘極線710的層與一形成該源極線720的層之間；以及另一接觸通孔被形成在一形成該像素電極構件的層與該形成該源極線720的層之間。其他LCD裝置組態具有三個接觸通孔：一接觸通孔被形成在一形成一閘極線的層與一形成一源極線的層之間；以及另兩個接觸通孔被形成在一形成該像素電極構件的層與該形成該源極線的層之間。由於每個接觸通孔增加可能形成一短路的機率，所以此圖解具體實施例降低介於該形成該閘極線710的層與該形成該源極線720的層之間的一短路之機率。介於該形成該閘極線710的層與該形成該源極線720的層之間的一短路可造成該LCD裝置之一故障。
此外，在此圖解具體實施例中，在每個像素區域中僅形成一個子電極。即，減少子電極之數量，使得可以容易測試該陣列基板700。這可縮短該LCD裝置的製造時間。
另外，該第一延伸圖案725及該第二延伸圖案727係在該像素區域之該中心線上，以防止介於一形成該源極線720的層與一形成該閘極線710的層之間形成一短路。
在此示例性具體實施例中，一TFT被形成在每個像素區域中。在一些具體實施例中，複數個TFT可被形成在每個像素區域中。
圖22繪示根據本發明另一示例性具體實施例之LCD面板的平面圖。圖23繪示圖22所示之陣列基板的平面圖。在此圖解具體實施例中，兩個TFT被形成在每個像素區域上。一主像素係在該像素區域之一中心部分上；以及一子像素係在該像素區域之一周邊部分上。
請參考圖22及圖23，該陣列基板800可包括：第一閘極線810M和第二閘極線810S，其往一水平方向延伸；第一閘電極812M和第二閘電極812S，其分別電連接至該第一閘極線810M和該第二閘極線810S；一第一下部儲存圖案STL，其在一像素區域中相間隔於該第一閘極線810M和該第二閘極線810S，並且實質上垂直於該第一閘極線810M；以及一第一耦合圖案CPL，其將該像素區域劃分成兩個區域。該第一耦合圖案CPL係鄰接於該像素區域之一右側而電連接至該第一下部儲存圖案STL。在一些具體實施例中，該陣列基板800可包括複數個第一下部儲存圖案STL及複數個第一耦合圖案CPL。
該陣列基板800可包括一包含氮化矽、氧化矽及/或其他絕緣材料之絕緣基板(圖中未繪示)。該陣列基板800可進一步包括一閘極絕緣層(圖中未繪示)及第一作用層814M和第二作用層814S。該閘極絕緣層(圖中未繪示)係在具有該第一閘極線810M、該第二閘極線810S、該第一閘電極812M及該第二閘電極812S的該絕緣基板(圖中未繪示)上。該第一作用層814M及該第二作用層814S係在該閘極絕緣層(圖中未繪示)上而分別相對應於該第一閘電極812M及該第二閘電極812S。該第一作用層814M及該第二作用層814S各包括一半導體層(其具有非晶系矽、多晶矽及/或其他適合之材料)及一已摻雜(例如，已植入)雜質之半導體層(其具有N＋非晶系矽、N＋多晶矽及/或其他已摻雜之材料)。
該陣列基板800可包括：一源極線820，其往一縱向方向延伸；第一源電極822M和第二源電極822S，其被電連接至該源極線820；以及第一汲電極823M和第二汲電極823S，其與該第一源電極822M和該第二源電極822S相間隔。在一些具體實施例中，該陣列基板800可包括複數個源極線820。每個該等第一閘電極812M、每個該等半導體層、每個該等已植入雜質之半導體層、每個該等第一源電極822M及每個該等第一汲電極823M各形成一相關聯之主TFT。每個該等第二閘電極812S、每個該等半導體層、每個該等已植入雜質之半導體層、每個該等第二源電極822S及每個該等第二汲電極823S各形成一相關聯之子TFT。
該陣列基板800可進一步包括：一第一延伸圖案825M，其被電連接至第一汲電極823M且鄰接於該像素區域之一左側；一第一上部儲存圖案824M，其被電連接至該第一延伸圖案825M且在該第一耦合圖案CPL上；一第二上部儲存圖案824S，其被電連接至該第二汲電極823S且在該第一下部儲存圖案STL上；以及一第二延伸圖案825S，其被電連接至該第二上部儲存圖案824S且鄰接於該像素區域之一右側。在一些具體實施例中，該陣列基板800可進一步包括複數個第一延伸圖案825M、複數個第一上部儲存圖案824M、複數個第二上部儲存圖案824S及複數個第二延伸圖案825S。在此示例性具體實施例中，該等第一上部儲存圖案824M及該等第一延伸圖案825M形成一第一汲極線；該等第二上部儲存圖案824S及該等第二延伸圖案825S形成一第二汲極線。
該陣列基板800可進一步包括一第二耦合圖案826，該第二耦合圖案826電連接至該第一汲電極823M且覆蓋該第一耦合圖案CPL。在一些具體實施例中，該陣列基板800可進一步包括複數個第二耦合圖案826。
該陣列基板800可進一步包括一鈍化層(圖中未繪示)及一閘極絕緣層(圖中未繪示)。該鈍化層(圖中未繪示)覆蓋該主TFT及該子TFT。該鈍化層(圖中未繪示)及該有機絕緣層(圖中未繪示)具有多個接觸通孔，透過該等接觸通孔而局部曝露該第二上部儲存圖案824S及該第二耦合圖案826。
該鈍化層(圖中未繪示)及該有機絕緣層(圖中未繪示)保護介於該第一源電極822M與該第一汲電極823M之間的該第一作用層814M，以及介於該第二源電極822S與該第二汲電極823S之間的該第二作用層814S。藉由該鈍化層(圖中未繪示)及該有機絕緣層(圖中未繪示)，使該主TFT及該子TFT電絕緣於一像素電極構件。該第一作用層814M及該第二作用層814S各可包括該半導體層及該已植入雜質之半導體層。
該陣列基板800可進一步包括一主電極844及一子電極842。該主電極844係透過一接觸通孔CNTCP而電連接至該第二耦合圖案826。該子電極842係透過一第一接觸通孔CNTST1而電連接至該第二上部儲存圖案824S。
該主電極844具有一朝向該像素區域之一右側突出的楔形形狀。該子電極842係在該像素區域之未形成該主電極844的一其餘部分上。
該主電極844具有兩個V形開口圖樣，該等V形開口圖樣係相對於該像素區域之該水平方向的該像素區域之一中心線呈對稱。該等V形開口圖樣中之該較小V形開口圖樣的未端部分被展開，並且該等V形開口圖樣中之該較小V形開口圖樣的一中心部分被封閉。該等V形開口圖樣中之該較大V形開口圖樣的一中心部分被展開。該等V形開口圖樣各自的一中心部分具有構成約90°內角的兩個鄰接桿。藉由該等V形開口圖樣，將該子電極844劃分成複數個部分。該主電極844之該等劃分部分係互相電連接。該主電極844的每個部分各具有一實質上固定寬度。
該子電極842具有四個線性開口圖樣。其中兩個線形開口圖樣實質上平行於該等Y形開口圖樣各自的該等兩個鄰接桿之一上部桿。其餘兩個線形開口圖樣實質上平行於該等Y形開口圖樣各自的該等兩個鄰接桿之該下部桿。實質上平行於該等Y形開口圖樣各自的該等兩個鄰接桿之該上部桿的該等兩個線形開口圖樣，係相對於該中心線而對稱於實質上平行於該等Y形開口圖樣各自的該等兩個鄰接桿之該下部桿的該等其餘兩個線形開口圖樣。
在一包括陣列基板800之LCD裝置運作中，在該液晶層中，形成鄰接於該像素電極構件的該等開口圖樣的複數個域。
該主電極844及該子電極842包括一透明導電材料，諸如氧化銦錫(ITO)、非晶系氧化銦錫(a－ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZO)及/或其他透明導電材料。
該等域係由該主電極844與該子電極842所形成，使得可以省略該陣列基板及/或該一色濾光基板的一配向製程。此外，也可以省略對位層(圖中未顯示)。
根據本發明具體實施例，一總閘極－源極電容被劃分成該閘極－源極電容器的一閘極－源極電容及該額外閘極－源極電容器的一額外閘極－源極電容。該額外閘極－源極電容器的該額外閘極－源極電容對應於該子電極。結果，減小該主電極的一回掃脈衝電壓，並且得以改良該LCD裝置的影像顯示品質。
此外，該子電極部分顯示介於一零灰階與一中間灰階之間的黑色，藉此減少一低灰階的一殘像。另外，減少在一有機絕緣層上之該等接觸通孔的數量，這可改良該LCD裝置的可靠度。
在本文所論述之具體實施例中，一接觸通孔被形成在一形成該閘極線的層與一形成該源極線的層之間；以及另一接觸通孔被形成在一形成該像素電極構件的層與該形成該源極線的層之間。其他LCD裝置組態具有三個接觸通孔：一接觸通孔被形成在一形成一閘極線的層與一形成一源極線的層之間；以及另兩個接觸通孔被形成在一形成該像素電極構件的層與該形成該源極線的層之間。由於每個接觸通孔增加可能形成一短路的機率，所以此圖解具體實施例降低介於該形成該閘極線的層與該形成該源極線的層之間的一短路之機率。
此外，僅一TFT被形成在每個像素區域中。即，減少子電極之數量，使得可以容易測試該陣列基板，並且可以縮短該LCD裝置的製造時間。
另外，該汲極線之一部分係在該像素區域之一中心部分上，這可降低介於該源極線與該汲極線之間的一短路之機率。
已參考彼等示例性具體實施例來說明本發明。但是，顯而易見，熟悉此項技術者應明白可根據前文說明內容進行許多替代修改及變化。據此，本發明包含屬於隨附申請專利範圍之精神與範疇內的所有此類替代修改及變化。
100．．．陣列基板
105．．．絕緣基板
110．．．閘極線
112．．．閘電極
113．．．閘極絕緣層
114．．．作用層
120．．．源極線(圖1)
120．．．資料線(圖6)
120．．．汲極線(圖9)
122．．．源電極
123．．．汲電極
124．．．第一上部儲存圖案
125．．．第一延伸圖案
126．．．第二耦合圖案
127．．．第二延伸圖案
128．．．第二上部儲存圖案
130．．．鈍化層
132．．．有機絕緣層
140．．．像素電極構件
142．．．第一子電極
142．．．像素電極(圖9)
144．．．主電極
146．．．第二子電極
180．．．液晶層
190．．．彩色濾光基板
192．．．透明基板
194．．．彩色濾光層
196．．．共同電極
200．．．陣列基板
210．．．閘極線
212．．．閘電極
214．．．作用層
220．．．資料線(源極線)
222．．．源電極
223．．．汲電極
224．．．第一上部儲存圖案
225．．．第一延伸圖案
226．．．第二耦合圖案
227．．．第二延伸圖案
228．．．第二上部儲存圖案
230．．．鈍化層
232．．．有機絕緣層
242．．．子電極
244．．．主電極
300．．．陣列基板
310．．．閘極線
312．．．閘電極
314．．．作用層
320．．．資料線(源極線)
322．．．源電極
323．．．汲電極
324．．．第一上部儲存圖案
325．．．第一延伸圖案
326．．．第二耦合圖案
327．．．第二延伸圖案
328．．．第二上部儲存圖案
342．．．第一子電極
344．．．主電極
346．．．第二子電極
400．．．陣列基板
410．．．閘極線
412．．．閘電極
414．．．作用層
420．．．資料線(源極線)
422．．．源電極
423．．．汲電極
424．．．第一上部儲存圖案
425．．．第一延伸圖案
427．．．第二延伸圖案
428．．．第二上部儲存圖案
442．．．第一子電極
444．．．主電極
446．．．第二子電極
500．．．陣列基板
510．．．閘極線
512．．．閘電極
514．．．作用層
520．．．資料線(源極線)
522．．．源電極
523．．．汲電極
524．．．第一上部儲存圖案
525．．．第一延伸圖案
526．．．第二耦合圖案
542．．．子電極
544．．．主電極
600．．．陣列基板
610．．．閘極線
612．．．閘電極
614．．．作用層
620．．．源極線
622．．．源電極
623．．．汲電極
624．．．第一上部儲存圖案
625．．．第一延伸圖案
626．．．第二耦合圖案
627．．．第二延伸圖案
628．．．第二上部儲存圖案
642．．．第一子電極
644．．．主電極
646．．．第二子電極
700．．．陣列基板
710．．．閘極線
712．．．閘電極
714．．．作用層
720．．．資料線(源極線)
722．．．源電極
723．．．汲電極
724．．．第一上部儲存圖案
725．．．第一延伸圖案
726．．．第二耦合圖案
727．．．第二延伸圖案
728．．．第二上部儲存圖案
742．．．主電極
744．．．子電極
800．．．陣列基板
810M．．．第一閘極線
810S．．．第二閘極線
812M．．．第一閘電極
812S．．．第二閘電極
814M．．．第一作用層
814S．．．第二作用層
820．．．源極線
822M．．．第一源電極
822S．．．第二源電極
823M．．．第一汲電極
823S．．．第二汲電極
824M．．．第一上部儲存圖案
824S．．．第二上部儲存圖案
825M．．．第一延伸圖案
825S．．．第二延伸圖案
826．．．第二耦合圖案
842．．．子電極
844．．．主電極
CNTST1．．．第一接觸通孔
CNTST2．．．第二接觸通孔
CNTST3．．．第三接觸通孔
CNTST4．．．第四接觸通孔
CNTCP．．．第五接觸通孔(圖2，圖7)
CNTCP．．．接觸通孔(圖12，圖13)
Cgs1．．．閘極－源極電容器
Cgs2．．．額外閘極－源極電容器
ClcM．．．主液晶電容器
CstM．．．主儲存電容器
Ccp1．．．第一耦合電容器
Ccp2．．．第二耦合電容器
Clcs1．．．第一液晶電容器
Csts1．．．第一儲存電容器
Clcs2．．．第二液晶電容器
Clcs2．．．第二液晶電容器
Cgs．．．閘極－源極電容
Cst．．．儲存電容
Clc．．．液晶電容
CPL．．．第一耦合圖案
STL．．．下部儲存圖案
STL1．．．第一下部儲存圖案
STL2．．．第二下部儲存圖案
GL．．．閘極線
DL．．．資料線
TFT．．．薄膜電晶體
MP．．．主像素部分
SP1．．．第一子像素部分
SP2．．．第二子像素部分
Vcom．．．共同電壓
Vst．．．儲存電壓
Vk．．．回掃脈衝電壓
Von．．．閘極開通電壓
Voff．．．閘極關斷電壓
藉由詳讀【實施方式】中參考附圖所說明的示例性具體實施例，將可明白本發明的前述及其他態樣，圖式中：圖1繪示根據本發明示例性具體實施例之LCD面板的平面圖；圖2繪示以沿圖1所示之I－I'線為例的斷面圖；圖3繪示圖2所示之陣列基板的電路圖；圖4到8繪示一種製造圖3所示之陣列基板之方法的平面圖；圖9繪示根據本發明示例性具體實施例之閘極－源極電容器的平面圖；圖10繪示根據本發明另一示例性具體實施例之LCD面板的平面圖；圖11繪示圖10所示之陣列基板的平面圖；圖12繪示根據本發明另一示例性具體實施例之LCD面板的平面圖；圖13繪示圖12所示之陣列基板的平面圖；圖14繪示根據本發明另一示例性具體實施例之LCD面板的平面圖；圖15繪示圖14所示之陣列基板的平面圖；圖16繪示根據本發明另一示例性具體實施例之LCD面板的平面圖；圖17繪示圖16所示之陣列基板的平面圖；圖18繪示根據本發明另一示例性具體實施例之LCD面板的平面圖；圖19繪示圖18所示之陣列基板的平面圖；圖20繪示根據本發明另一示例性具體實施例之LCD面板的平面圖；圖21繪示圖20所示之陣列基板的平面圖；圖22繪示根據本發明另一示例性具體實施例之LCD面板的平面圖；以及圖23繪示圖22所示之陣列基板的平面圖。
100．．．陣列基板
105．．．絕緣基板
110．．．閘極線
112．．．閘電極
113．．．閘極絕緣層
114．．．作用層
122．．．源電極
123．．．汲電極
124．．．第一上部儲存圖案
125．．．第一延伸圖案
126．．．第二耦合圖案
127．．．第二延伸圖案
128．．．第二上部儲存圖案
130．．．鈍化層
132．．．有機絕緣層
140．．．像素電極構件
142．．．第一子電極
144．．．主電極
146．．．第二子電極
180．．．液晶層
190．．．彩色濾光基板
192．．．透明基板
194．．．彩色濾光層
196．．．共同電極
CNTST1．．．第一接觸通孔
CNTST2．．．第二接觸通孔
CNTST3．．．第三接觸通孔
CNTST4．．．第四接觸通孔
CNTCP．．．第五接觸通孔
CPL．．．第一耦合圖案
STL1．．．第一下部儲存圖案
STL2．．．第二下部儲存圖案

Claims (23)

  1. 一種陣列基板，包括：一絕緣基板；一開關，其在該絕緣基板上之一像素區域中，該像素區域係由一第一閘極線與一鄰接之第一資料線所界定，該第一閘極線及該第一資料線係在該絕緣基板上；一主像素部分，其在該像素區域上，該主像素部分包含一主電容；一耦合電容器，該耦合電容器具有一電連接到該開關之第一末端；一子像素部分，該子像素部分包含電連接到該耦合電容器之一第二末端的至少一電容；以及其中該第一閘極線重疊該子像素部分之一部份但不重疊該主像素部分。
  2. 如請求項1之陣列基板，其中複數個開口圖樣被形成在該主像素部分上。
  3. 如請求項1之陣列基板，其中複數個開口圖樣被形成在該子像素部分上。
  4. 如請求項1之陣列基板，其中該主像素部分沿該第一閘極線而將該像素區域劃分成兩個區域。
  5. 如請求項1之陣列基板，其中該主像素部分被電連接到該開關，並且其中該開關包括一電晶體。
  6. 如請求項1之陣列基板，其中該主像素部分包括：一第二耦合圖案，其在該絕緣基板上；以及 一主電極，其在該第二耦合圖案上，該主電極被電連接至該第二耦合圖案。
  7. 如請求項6之陣列基板，其中該子像素部分包括：一第一下部儲存圖案，其在該絕緣基板上；一第一子電極，其在該第一下部儲存圖案上，該第一子電極被電連接至該第一下部儲存圖案；一第二下部儲存圖案，其在該絕緣基板上；以及一第二子電極，其在該第二下部儲存圖案上而相間隔於該第一子電極，該第二子電極被電連接至該第二下部儲存圖案。
  8. 如請求項7之陣列基板，其中兩個Y形開口圖樣被形成在該主電極上，並且其中該等Y形開口圖樣之每一Y形開口圖樣係相對於該像素區域之一水平方向的該像素區域之一中心線呈對稱。
  9. 如請求項8之陣列基板，其中在該第一子電極上形成兩個線形開口圖樣，該等線形開口圖樣實質上平行於該等Y形開口圖樣各自的兩個鄰接桿之一。
  10. 如請求項9之陣列基板，其中在該第二子電極上形成兩個線形開口圖樣，該等線形開口圖樣實質上平行於該等Y形開口圖樣各自的該等兩個鄰接桿之另一桿；以及其中形成在該第一子電極上的該等兩個線形開口圖樣係相對於該像素區域之該水平方向的該像素區域之該中心線而對稱於形成在該第二子電極上的該等兩個線形開口圖樣。
  11. 如請求項1之陣列基板，其中該主電容包括一主液晶電容。
  12. 如請求項11之陣列基板，其中該主電容進一步包括一主儲存電容。
  13. 如請求項1之陣列基板，其中該至少一電容包括該子像素部分的一液晶電容。
  14. 如請求項13之陣列基板，其中該至少一電容進一步包括該子像素部分的一儲存電容。
  15. 如請求項1之陣列基板，其中該像素區域進一步係由連貫於該絕緣基板上之該第一閘極線的一第二閘極線與連貫於該絕緣基板上之該第一資料線的一第二資料線所界定。
  16. 一種陣列基板，包括：一絕緣基板，其具有一像素區域；一主閘極線，其在該像素區域上；一主開關，其在該絕緣基板上，該主開關被電連接到該主閘極線；一主像素部分，其被置於該像素區域之一中心部分上，主像素部分被連接至該主開關；一子閘極線，其在該像素區域上；一子開關，其在該絕緣基板上，該子開關被電連接到該子閘極線；一子像素部分，其係在該像素區域之一周邊部分上；以及 其中該主閘極線重疊該子像素部分之一部份但不重疊該主像素部分。
  17. 如請求項16之陣列基板，進一步包括：一第一下部儲存圖案，其在該絕緣基板上且實質上垂直於該閘極線；以及一第一耦合圖案，其沿該像素區域之一水平方向而將該像素區域劃分成兩個區域，該第一耦合圖案係鄰接於該像素區域之一右側而電連接至該第一下部儲存圖案。
  18. 一種液晶顯示裝置，包括：一上部基板，其具有一透明基板及一位於該透明基板上的共同電極；一下部基板，包含：一絕緣基板，其具有一像素區域，該像素區域係由一第一閘極線與一鄰接之第一資料線所界定，該第一閘極線及該第一資料線係在該絕緣基板上；一主像素部分，其在該一中心部分上，該主像素部分包含一主電容；一耦合電容器，該耦合電容器具有一電連接到該絕緣基板上之一開關之第一末端；以及一子像素部分，該子像素部分包含電連接到該耦合電容器之一第二末端的至少一電容，該子像素部分係在該像素區域之一周邊部分上；其中該第一閘極線重疊該子像素部分之一部份但不重疊該主像素部分；以及 一液晶層，其被***在該上部基板與該下部基板之間。
  19. 如請求項18之液晶顯示裝置，其中複數個開口圖樣被形成在該主像素部分及該子像素部分上，以及複數個開口圖樣被形成在共同電極上，使得在該液晶顯示裝置運作中，複數個域被形成在該液晶層中。
  20. 一種液晶顯示裝置，包括：一上部基板，其具有一透明基板及一位於該透明基板上的共同電極；一下部基板，包含：一絕緣基板；一閘極線，其在該絕緣基板上，用以傳輸一閘極訊號；一資料線，其在該絕緣基板上，用以傳輸一資料訊號；一開關，其電連接到該閘極線及該資料線，該開關係在該絕緣基板上；一主像素部分，其電連接到該開關，該主像素部分係在該絕緣基板上；一第一耦合電容器，其具有一電連接到該開關之第一末端；一第一子像素部分，其透過該第一耦合電容器而電連接到該開關，該第一子像素部分係在該絕緣基板上； 一第二耦合電容器，其具有一電連接到該開關之末端；以及一第二子像素部分，其透過該第二耦合電容器而電連接到該開關，該第二子像素部分係在該絕緣基板上；以及一液晶層，其被***在該上部基板與該下部基板之間。
  21. 如請求項20之液晶顯示裝置，其中該主像素部分包括：一主液晶電容器，其具有一電連接到該開關之末端及接收一共同電壓之另一末端；以及一主儲存電容器，其具有一電連接到該開關之末端及接收一儲存電壓之另一末端。
  22. 如請求項20之液晶顯示裝置，其中該第一子像素部分包括：一第一液晶電容器，其具有一電連接到該第一耦合電容器之末端及接收一共同電壓之另一末端；以及一第一儲存電容器，其具有一電連接到該第一耦合電容器之末端及接收一儲存電壓之另一末端。
  23. 如請求項20之液晶顯示裝置，其中該第二子像素部分包括：一第二液晶電容器，其具有一電連接到該第二耦合電容器之末端及接收一共同電壓之另一末端；以及一第二儲存電容器，其具有一電連接到該第二耦合電容器之末端及接收一儲存電壓之另一末端。
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