TWI397120B - 用於蝕刻一基材的設備與方法 - Google Patents

Description

用於蝕刻一基材的設備與方法

本發明係關於一種用於蝕刻一基材之設備與方法。更特定言之，本發明係關於用於蝕刻一具有均一厚度之基材的設備與方法。

一般而言，液晶顯示器("LCD")設備包括一LCD面板，其具有一薄膜電晶體("TFT")基材、一面向該TFT基材之彩色濾光片基材及一介於TFT基材與彩色濾光片基材之間安置的液晶層。

最近，隨著對諸如移動終端、多媒體播放機、膝上型電腦等之移動電子裝置增加之需求，LCD設備由於其重量輕而變得日益普及。

諸如LCD設備之TFT基材及彩色濾光片基材的玻璃基材之重量占LCD設備之大比例重量。因此，通常使用一蝕刻設備來降低玻璃基材之厚度以降低LCD設備之重量。

然而，當使用用於蝕刻之習知設備蝕刻基材時，產生雜質，使得可能不能均勻蝕刻基材。

本發明提供一種藉由將氣泡均勻噴射於玻璃基材上來均勻蝕刻基材之設備。

本發明亦提供一種使用該設備來蝕刻基材之方法。

在根據本發明之用於蝕刻一基材之一實例設備中，該設備包括一蝕刻容器、複數個氣泡噴射器及一氣體供應部件。蝕刻容器容納複數個玻璃基材，以便玻璃基材垂直於蝕刻容器之底部表面及在蝕刻容器中相互平行而安置。每一氣泡噴射器***每一玻璃基材中用於將氣泡噴射於玻璃基材上。氣體供應部件係安置於蝕刻容器之外部用於向氣泡噴射器供應氣體。

每一氣泡噴射器包括一噴射板，其具有一在該噴射板中形成之氣體過道；及複數個噴射噴嘴，其在面向玻璃基材之一者之噴射板的表面上形成且連接至氣體過道。噴射噴嘴呈一晶格結構在噴射板上形成。

該設備進一步包括一固定板，其安置於蝕刻容器內部且具有形成於其上之固定夾。固定夾固定玻璃基材。固定板包括一氣體入口孔，其連接氣體供應部件與每一氣泡噴射器之氣體過道。

每一氣泡噴射器包括一框架，其具有一在該框架之中心部分中形成之開口部分；一第一管，其安置於該框架中且連接至氣體供應部件；及第二管，其以固定間隔垂直連接至第一管以橫越開口部分且具有對應於面向玻璃基材之一者之表面所形成的複數個噴射孔。噴射孔以固定間隔在第二管上形成。

蝕刻容器充滿蝕刻流體且可包括氫氟酸(HF)。氣泡噴射器可包括聚氯乙烯(PVC)。

在根據本發明之用於蝕刻一基材之另一實例設備中，該設備包括一蝕刻容器、一氣泡噴射管及一氣體供應部件。蝕刻容器容納複數個玻璃基材，以便玻璃基材垂直於蝕刻容器之底部表面安置且相互平行。氣泡噴射管沿玻璃基材之垂直方向縱向形成且安置於玻璃基材之側邊，用於將氣泡噴射於玻璃基材上。氣體供應部件係安置於蝕刻容器之外部用於向氣泡噴射管供應氣體。

氣泡噴射管安置於玻璃基材之側面，用於將氣泡噴射至玻璃基材上。

氣泡噴射管包括以固定間隔面向玻璃基材之側面形成的複數個噴射孔。

該設備進一步包括一用於沿玻璃基材之側面轉移氣泡噴射管之轉移器件。轉移器件包括一安置於蝕刻容器外部之汽缸、一與汽缸組合且沿玻璃基材側面轉移之汽缸負載、一用於連接汽缸負載與氣泡噴射管之連接部件及一部分覆蓋連接部件且導引氣泡噴射管移動之導引部件。汽缸由氣壓型及油壓型之至少一者驅動。

該設備進一步包括***每一玻璃基材中的用於將氣泡噴射至玻璃基材上的複數個氣泡噴射器之每一者。

在根據本發明之用於蝕刻一基材之一實例方法中，該方法包括垂直於蝕刻容器之底部表面定位複數個玻璃基材，該等玻璃基材相互平行安置；定位待***每一玻璃基材中之複數個氣泡噴射器之每一者；自安置於蝕刻容器外部之氣體供應部件向氣泡噴射器供應氣體；及使用氣泡噴射器將氣泡噴射於玻璃基材上用於消除雜質。

每一氣泡噴射器經由在面向玻璃基材之一者之噴射板的表面上所形成之複數個噴射噴嘴來噴射氣泡且噴射板具有一在噴射板內定位之氣體過道。氣體過道連接至氣體供應部件。

每一氣泡噴射器經由在複數個第二管上形成以對應於面向每一玻璃基材之表面的複數個噴射孔噴射氣泡，該等第二管垂直連接至連接於氣體供應部件之第一管。

在根據本發明之用於蝕刻一基材之另一實例方法中，該方法包括垂直於蝕刻容器之底部表面定位複數個玻璃基材，該等玻璃基材相互平行安置；定位兩個氣泡噴射管以分別對應於玻璃基材之兩側；及沿玻璃基材之側邊轉移氣泡噴射管且將氣泡噴射於玻璃基材上用於消除雜質。氣泡噴射管係以大體上相同之速率轉移。

根據本發明，每一氣泡噴射器安置於每一玻璃基材之間且將氣泡噴射於玻璃基材上，以便可防止在蝕刻玻璃基材中產生之雜質再黏附於玻璃基材上且亦可消除已黏附於玻璃基材上之雜質。因此，可均勻蝕刻玻璃基材。

參看展示本發明之實施例的附圖在下文中更充分地描述本發明。然而，本發明可用許多不同形式體現且不應理解為受限於本文闡述之實施例。更確切地，提供此等實施例以便本揭示內容將會詳盡且全面且將充分地將本發明之範疇傳達給熟習該項技術者。在諸圖中，為了清楚起見，可誇示層及區域之尺寸及相對尺寸。

應瞭解，當一元件或層被指係"在另一元件或層上"、"連接至"或"耦合至"另一元件或層時，該元件或層可直接在其他元件或層上、連接至或耦合至其他元件或層或可存在***元件或層。相反，當一元件被指係"直接在另一元件或層上"、"直接連接至"或"直接耦合至"另一元件或層時，不存在***元件或層。相同數字始終係指相同元件。如本文所使用，術語"及/或"包括相關聯之列出項目之一或多者之任何及所有組合。

應瞭解，儘管術語第一、第二、第三等可在本文中使用以描述多個元件、組件、區域、層及/或部分，但此等元件、組件、區域、層及/或部分將不會由此等術語限制。此等術語僅用以將一個元件、組件、區域、層或部分區別於另一區域、層或部分。因此，在不偏離本發明之教示之情況下，以下所討論之第一元件、組件、區域、層或部分可稱為第二元件、組件、區域、層或部分。

為易於描述，可在本文中使用諸如"之下"、"以下"、"下面"、"之上"、"上面"及其類似術語之空間相對術語以描述如圖中所說明之一個元件或特徵與另一元件或特徵之關係。應瞭解，空間相對術語意欲涵蓋除在圖中描繪之定向外，使用或操作中之器件的不同定向。例如，若圖中器件轉動，描述為在其他元件或特徵"以下"或"之下"之元件則將在該等其他元件或特徵"之上"定向。因此，術語"以下"可涵蓋之上及以下兩者之定向。器件可另外定向(旋轉90度或其他定向)且相應地由在本文中使用之空間相對描述符解釋。

在本文中使用之術語僅為描述特定實施例之目的且不欲限制本發明。除非本文清楚地另外指示，否則如本文所使用，單數形式"一"意欲亦包括複數形式。應進一步瞭解，當用於本說明書中時，術語"包含"表示存在規定特徵、整數、步驟、操作、元件及/或組件，但不排除存在或增加一或多種其他特徵、整數、步驟、操作、元件、組件及/或其組合。

在本文中參看示意性說明本發明之理想化實施例(及中間結構)之橫截面圖解描述本發明之實施例。如此，將預期作為(例如)製造技術結果之圖解之形狀的變化及/或公差。因此，本發明之實施例將不會理解為受限於本文說明之區域之特定形狀，但包括由(例如)製造所產生之形狀的偏差。例如，作為矩形來說明之植入區域通常將具有圓形或曲線特徵及/或在其邊緣處之植入濃度梯度，而非自植入區域至非植入區域之二元變化。同樣，由植入形成之內埋區域可引起在內埋區域與表面之間的區域(經由其發生植入)之一些植入。因此，在圖中說明之區域本質上為示意性的且其形狀不意欲說明器件之區域之實際形狀且不意欲限制本發明之範疇。

除非另外定義，否則在本文中使用之所有術語(包括技術及科學術語)具有如由本發明所屬之該項技術之一般技術者通常所瞭解之相同含義。應進一步瞭解，諸如彼等在通常使用之辭典中所定義之術語應解釋為具有與其在相關技術範圍中之含義一致之含義且除非在本文中十分明確地定義，否則不會以理想化或過度形式化意義來解釋。

在下文中，將參看附圖詳細解釋本發明。

圖1為說明根據本發明之第一實例實施例之用於蝕刻一基材之設備的正視圖且圖2為說明圖1中之玻璃基材、氣泡噴射器及固定板之分解透視圖。

參看圖1及圖2，根據本發明之第一實例實施例之基材蝕刻設備100包括一蝕刻容器110、複數個氣泡噴射器120及一氣體供應部件150。

蝕刻容器110包括一底部表面112及側壁114且充滿蝕刻流體10。側壁114自底部表面112之側邊延伸且垂直於該底部表面112。可用於蝕刻流體10之材料之一實例可包括氫氟酸("HF")。蝕刻流體10係藉由以某一比率將HF與去離子水("DI")混合而製成。

通常，將HF歸類為弱酸且具有用以蝕刻玻璃、石英等之特徵。例如，為避免由HF所蝕刻，蝕刻容器110可包括樹脂材料。

由於HF對人體皮膚及黏膜有害，因此基材蝕刻設備100可進一步包括一容納蝕刻容器110之額外容器以防止HF漏出基材蝕刻設備100之外。

複數個玻璃基材200垂直於蝕刻容器110之底部表面112且相互平行來安置。在此狀況下，例如，玻璃基材200可為一薄膜電晶體("TFT")基材及一彩色濾光片基材，其為在一LCD設備中顯示影像之液晶顯示器("LCD")面板的主要元件。玻璃基材200可為具有TFT基材、彩色濾光片基材及一***於TFT基材與彩色濾光片基材之間的液晶層之LCD面板。由於TFT基材及彩色濾光片基材之重量構成LCD設備之大部分重量，因此當使用本發明之基材蝕刻設備100減小TFT基材及彩色濾光片基材之厚度時，LCD設備之總重量可顯著減小。

基材蝕刻設備100進一步包括一用於固定玻璃基材200之固定板140。固定板140安置於蝕刻容器110之底部表面112與玻璃基材200之間。另外，固定板140可包括與蝕刻容器110相同之材料以避免被具有HF之蝕刻流體10蝕刻。

為固定玻璃基材200，對應於接觸固定板140之每一玻璃基材200之兩個邊緣部分形成固定夾142。每一固定夾142包括一固定凹槽143。固定凹槽143之厚度稍微大於或等於玻璃基材200之厚度。例如，玻璃基材200之兩個邊緣部分***固定凹槽143中而得以固定。固定夾142可與固定板140整體成形或可分別成形且隨後附著於固定板140上。

在用蝕刻流體10填充蝕刻容器110且在蝕刻容器110中定位玻璃基材200後，蝕刻玻璃基材200。視蝕刻流體10中之HF密度及浸漬時間而定，蝕刻玻璃基材200。因此，玻璃基材200之蝕刻可根據操作者之需要，藉由改變蝕刻流體10中HF之密度及浸漬時間來控制。

當蝕刻玻璃基材200時，雜質自然產生。雜質再黏附於如上所述之玻璃基材200，使得玻璃基材200可經蝕刻而具有一不均勻表面。

當蝕刻表示玻璃基材200之一實例實施例之LCD面板之TFT基材或彩色濾光片基材時，由雜質所致之不均勻表面可使顯示器品質變差。因此，基材蝕刻設備100可需要用於防止雜質再黏附於玻璃基材200上的獨立氣泡噴射器120。

複數個氣泡噴射器120之每一者***每一玻璃基材200中，用於將氣泡20噴射於玻璃基材200上。例如，每一氣泡噴射器120將氣泡20噴射於玻璃基材200上用於防止雜質再黏附於玻璃基材200上且用於在複數個玻璃基材200上同步噴射氣泡20以縮短蝕刻基材之前置時間。

每一氣泡噴射器120安置於固定板140上。在此狀況下，固定板140包括在接觸每一氣泡噴射器120之表面上的複數個第一氣體入口孔144。第一氣體入口孔連接每一氣泡噴射器120與氣體供應部件150。

在此狀況下，固定板140分成一用於玻璃基材200之第一部分及一用於氣泡噴射器120之第二部分。第一部分及第二部分可分別製造且可組合成固定板140。因此，當氣泡噴射器120噴射氣泡20時，玻璃基材200及氣泡噴射器120可相互以相反方向重複移動，以便氣泡20可均勻地噴射於玻璃基材200上。

或者，每一氣泡噴射器120可與固定板140分離且可經由一空氣管直接連接至氣體供應部件150。在此狀況下，除氣泡噴射器120外，固定板140可隨玻璃基材200移動，以便可根據玻璃基材200之尺寸更靈活地修改固定板140。尤其，當每一玻璃基材200之尺寸大於每一氣泡噴射器120之尺寸時，每一玻璃基材200上下及左右移動固定板140，以便氣泡20可均勻地噴射於玻璃基材200上。

氣泡噴射器120包括與蝕刻容器110相同之材料以避免被具有HF之蝕刻流體10蝕刻。可用於氣泡噴射器120之材料之一實例可包括聚氯乙烯(PVC)。

氣體供應部件150係安置於蝕刻容器110之外部，用於向氣泡噴射器120供應氣體30。氣體供應部件150包括經壓縮之氣體30，以便形成處於固定水平之氣體壓力。例如，氣體供應部件150使用氣體壓力向固定板140供應氣體30，從而使得氣體30供應至氣泡噴射器120。

氣體供應部件150可包括一調節器，其用於以處於固定水平下之氣體壓力向固定板140供應氣體30。調節器包括一測量儀，可經由該測量儀檢查氣體壓力之水平，以便可定量控制氣體壓力之水平。

因此，空氣供應部件150經由固定板140及第一氣體入口孔144向每一氣泡噴射器120供應具有處於固定水平下之氣體壓力的氣體30，以便氣泡噴射器120可噴射氣泡20。在此狀況下，可用於氣體30之材料之一實例可包括氮氣(N₂ )、大氣空氣等。

或者，基材蝕刻設備100可包括一過濾器160、一儲存槽170及一泵180，以用於淨化及補給蝕刻流體10。

使用以上元件之淨化及補給方法係如下。首先，在穿過過濾器160時，將雜質與蝕刻容器110之蝕刻流體10分離且將無雜質之蝕刻流體10供應至儲存槽170。接著，將無雜質之蝕刻流體10藉由泵180自儲存槽170補給至蝕刻容器110中。在此狀況下，泵180可由操作者或可安置於蝕刻容器110中之水位感應器控制。或者，蝕刻流體10可包括額外DI或HF用於在儲存槽170中將DI與HF之混合比率保持在固定水平。

圖3為說明圖2中之氣泡噴射器之一者的實例實施例之透視圖且圖4為說明圖3中之氣泡噴射器之平面圖。

參看圖1至圖4，每一氣泡噴射器120包括一噴射板122及在該噴射板122之表面上形成的複數個噴射噴嘴124。噴射板122之表面面向玻璃基材200之一者。

噴射板122具有矩形板形狀。噴射板122具有形成於其中之氣體過道126。另外，噴射板122進一步包括一第二氣體入口孔128。第二氣體入口孔128在接觸固定板140之噴射板122之側面上形成以用於將氣體過道126連接至第一氣體入口孔144。

噴射噴嘴124連接至氣體過道126。噴射噴嘴124以一晶格結構在噴射板122上形成，用於將氣泡20均勻地噴射於玻璃基材200上。因此，氣體過道126亦自第二氣體入口孔128呈一直線形成。

例如，氣體過道126可藉由習知鑽孔方法自第二氣體入口孔128在噴射板122中形成。然而，由於孔之縱橫比(定義為高寬比)為習知鑽孔方法之重要因素，因此當噴射板122之寬度太小或噴射板122之深度太深，而超過某一縱橫比時，氣體過道126可能不能藉由該鑽孔方法形成。在此狀況下，當氣體過道126沿垂直於鑽孔過程之方向分離成兩片以上時，氣體過道126可藉由習知鑽孔方法形成。或者，氣體過道126可使用具有優良縱橫比特徵之高精度加工中心來形成。

或者，當氣體過道126可向每一噴射噴嘴124供應氣體30時，氣體過道126可具有多種結構。另外，當每一噴射噴嘴124以相同距離自相鄰噴射噴嘴124分離時，噴射噴嘴124可呈除晶格結構外之任意結構在噴射板122上形成。

噴射噴嘴124可分為包括一變化噴射角型及一固定噴射角型之兩種類型。本發明之噴射噴嘴124較佳具有用於將氣泡20均勻地噴射於玻璃基材200上之固定噴射角型。然而，當必須根據噴射板122之位置控制噴射角時，變化噴射角型亦可用於本發明中。

噴射噴嘴124係以固定間隔呈晶格結構在噴射板122之表面上形成且噴射板122之表面面向玻璃基材200之一者，以便氣泡20可根據每一玻璃基材200之位置均勻地噴射於玻璃基材200上。因此，可藉由防止雜質黏附於玻璃基材200上且消除已黏附於玻璃基材200上之雜質來均勻蝕刻玻璃基材200。

圖5為說明圖2中之氣泡噴射器之一者的另一實例實施例之透視圖且圖6為說明圖5中之氣泡噴射器之平面圖。

此實例實施例之複數個氣泡噴射器係在相同位置中安置但具有與在圖1中稱為參考數字120之氣泡噴射器不同之結構及形狀，且因此此實例實施例之氣泡噴射器係稱為參考數字130。

參看圖1、圖5及圖6，每一氣泡噴射器130包括一框架132、一安置於該框架132中之第一管134、垂直連接於該第一管134之複數個第二管138。

框架132具有在框架132之中心部分中形成之開口部分133。例如，框架132具有一矩形框架形狀。或者，框架132可具有一其中一對矩形桿相互平行安置之形狀。

第一管134連接至氣體供應部件150。第一管134平行於玻璃基材200安置。第一管134之至少一個邊緣部分係暴露於外部且第一管134之經暴露邊緣部分為第二氣體入口孔135，以便氣體30自氣體供應部件150施加於第二氣體入口孔135。接著，氣體30再施加於第二管138。

或者，第一管134之未暴露邊緣部分係用軟木136密封，用於防止氣體30漏出。在此狀況下，較佳使用聚矽氧環繞軟木136來密封。

第二管138係以固定間隔垂直連接於第一管134。另外，第二管138橫越框架132之開口部分133，用於將氣泡20噴射於玻璃基材200上。第二管138包括對應於面向每一玻璃基材之表面所形成之複數個噴射孔139。

例如，兩個第一管134係在第二管138之兩側部分安置且第二管138係在兩末端部分垂直連接至兩個第一管134。在此狀況下，每一第一管134之一個末端部分暴露於外部，且第一管134之每一暴露末端部分相互在相反方向上形成。第一管134之每一暴露邊緣部分為第二氣體入口孔135。

在此狀況下，自氣體供應部件150所施加之氣體壓力在穿過第一管134及第二管138時顯著降低，以便氣體壓力可根據噴射孔139之位置而不同。因此，安置兩個第一管134以防止氣體壓力不同。例如，氣泡20不均勻地噴射於玻璃基材200上，使得不均勻地蝕刻玻璃基材200。然而，當玻璃基材200之尺寸足夠小時，噴射孔139中之氣體壓力之差異幾乎可忽略，使得僅一個第一管134安置於第二管138之一個側邊部分處便足夠。

噴射孔139係以固定間隔在每一第二管138中形成。氣泡20之注射壓力及尺寸視每一噴射孔139之尺寸而定。例如，噴射孔139可根據玻璃基材200之尺寸、厚度及蝕刻狀態而具有多種尺寸。

因此，噴射孔139係以固定間隔在每一氣泡噴射器130之第二管138中形成，以便氣泡20可均勻地噴射於空氣基材200上。另外，每一氣泡噴射器130不同於圖3及圖4中之每一氣泡噴射器120，其具有第一管134及第二管138，氣體30穿過第一管134及第二管138且第一管134及第二管138可容易與框架132分離。因此，氣泡噴射器130具有可易於維護且維護費用亦可降低之優點。

圖7為說明使用根據本發明之第一實例實施例之設備蝕刻一基材之方法的流程圖。

參看圖1至圖7，使用根據本發明之第一實例實施例之基材蝕刻設備100蝕刻一基材之方法包括將複數個玻璃基材200定位於填充有蝕刻流體10之蝕刻容器110中(步驟S1)。在此狀況下，每一玻璃基材200相互平行地安置。另外，每一玻璃基材200垂直於蝕刻容器310之底部來安置。

蝕刻基材之方法包括定位複數個氣泡噴射器120及氣泡噴射器130以***每一玻璃基材200中(步驟S2)。

接著，蝕刻該基材之方法包括自安置於蝕刻容器110外部之氣體供應部件150向氣泡噴射器120及氣泡噴射器130供應氣體(步驟S3)。

最後，蝕刻該基材之方法包括使用氣泡噴射器120及氣泡噴射器130將氣泡20噴射於玻璃基材200上用於消除雜質(步驟S4)。

在此狀況下，當氣泡噴射器為在圖3及圖4中說明之實例實施例時，氣泡噴射器120及氣泡噴射器130經由複數個噴射噴嘴124噴射氣泡20。噴射噴嘴124係在噴射板122之表面上形成，該噴射板122具有一在噴射板122中連接至氣體供應部件150之氣體過道126且噴射板122之表面面向玻璃基材200之一者。

或者，當氣泡噴射器為在圖5及圖6中說明之實例實施例時，氣泡噴射器120及氣泡噴射器130經由複數個噴射孔139噴射氣泡20。噴射孔139在複數個第二管138上形成以對應於面向每一玻璃基材200之表面。第二管138垂直連接至連接於氣體供應部件150之第一管134。

圖8為說明根據本發明之第二實例實施例用於蝕刻一基材之設備的正視圖，圖9為說明圖8中之氣泡噴射管及玻璃基材之透視圖，且圖10為尤其說明圖9中之氣泡噴射管之噴射孔的側視圖。

根據本發明之第二實例實施例，除用於噴射氣泡於玻璃基材上之結構外，用於蝕刻一基材之設備與以上在圖1至圖6中所解釋之第一實例實施例相同。因此，相同參考數字將用以指示如彼等在第一實例實施例中描述之相同或相似部件且將會省略涉及以上元件之任何另外之重複解釋。

參看圖8至10，根據本發明之第二實例實施例之基材蝕刻設備300包括一蝕刻容器310、一氣泡噴射管320及一氣體供應部件150。蝕刻容器310容納垂直於該蝕刻容器310之底部312且相互平行的複數個玻璃基材200。氣泡噴射管320沿玻璃基材200之垂直方向縱向形成。氣體供應部件150安置於蝕刻容器310之外部，用於向氣泡噴射管320供應氣體30。在此狀況下，蝕刻流體10填充蝕刻容器310，用於蝕刻玻璃基材200。

氣泡噴射管320係安置於玻璃基材200之一個側邊處，用於將氣泡20噴射於玻璃基材200上。或者，如在本發明之第二實例實施例中，複數個氣泡噴射管320可各別地安置於玻璃基材200之兩側。氣泡噴射管320將氣泡20噴射於相互平行安置之玻璃基材200間之空間中。

因此，氣泡噴射管320係平行於玻璃基材200之表面噴射氣泡20，以便防止雜質再黏附於玻璃基材200之表面上且消除已黏附於表面之雜質。另外，氣泡噴射管320包括不被包括HF之蝕刻流體10所蝕刻之聚氯乙烯(PVC)。

氣泡噴射管320包括複數個噴射孔334。噴射孔334係以固定間隔在氣泡噴射管320上形成。氣泡噴射管320可包括具有噴射角之複數個噴射噴嘴來替代噴射孔334。

氣泡噴射管320連接至氣體入口管線332，以便藉由氣體供應部件150向氣泡噴射管320供應氣體30。氣體供應管線152連接至氣體供應部件150，且氣體入口管線332藉由額外夾鉗330而與氣體供應管線152組合。因此，氣泡噴射管320及氣體供應部件150可相互分離，以便可容易地解決供應氣體30中之問題。在此狀況下，夾鉗330通常具有環形狀，但為方便起見夾鉗330可具有閂扣形狀。

或者，氣體入口管線332及氣體供應管線152可由一快速耦合類型之組合而相互組合。由於高氣體壓力，因此快速耦合類型之組合可比夾鉗330類型之組合更容易分離且由此應在氣體供應部件150中安置額外安全器件(未圖示)。例如，安全器件可在氣體供應部件150中安置，用於當氣體壓力超過預定水平時，將氣體供應部件150中之氣體吹出。

基材蝕刻設備300進一步包括一轉移器件340。轉移器件340沿玻璃基材200之側邊轉移氣泡噴射管320。在此狀況下，第一方向40係定義為沿玻璃基材200之側邊之轉移方向。

轉移器件340包括一汽缸342、一汽缸負載344、一連接部件346及一導引部件348。汽缸342安置於蝕刻容器310之外側。汽缸負載344與汽缸342組合且沿第一方向40轉移。連接部件346連接汽缸負載344與氣泡噴射管320。導引部件348部分覆蓋連接部件346且導引氣泡噴射管320沿第一方向40移動。

汽缸342經由活塞移動誘發直線移動。汽缸342通常為油壓型及氣壓型，但在本發明中，當汽缸342沿第一方向40低速移動時，汽缸342較佳為氣壓型。由操作者程式設計之額外印刷電路板可控制用於油壓或氣壓之油或空氣之進入方向。另外，轉移器件340可進一步包括一可控制氣泡噴射管320之速度之調節器。氣泡噴射管320之速度可藉由改變供應至汽缸342之油或空氣之量得以控制。

在本發明之實例實施例中，兩個汽缸342可相互面向地安置於蝕刻容器310之兩側。然而，相對低功率足以移動氣泡噴射管320，以便一個汽缸342可安置於蝕刻容器310之一側邊。

汽缸負載344及汽缸342係同時製造，且汽缸負載344促使汽缸342直線移動至外部。連接部件346之第一邊緣與汽缸負載344組合，且連接部件346之第二邊緣與氣泡噴射管320之邊緣組合。在此狀況下，連接部件346可使用一螺釘與汽缸負載344及氣泡噴射管320組合。由於連接部件346在其中具有蝕刻流體10，因此連接部件346包括一樹脂材料以避免被包括HF之蝕刻流體10蝕刻。

導引部件348包括一導引凹槽(未圖示)，其具有大體上與氣泡噴射管320之直徑相同之寬度或比氣泡噴射管320之直徑稍微大之寬度。因此，導引部件348保持氣泡噴射管320之直線移動以避免諸如連接部件346自氣泡噴射管320分離及玻璃基材200被氣泡噴射管320損壞之問題。由於導引部件348亦在其中具有蝕刻流體10，因此導引部件348包括一樹脂材料以避免被包括HF之蝕刻流體10蝕刻。

因此，氣泡噴射管320經安置對應於玻璃基材200之兩側且藉由使用轉移器件340，沿第一方向40將氣泡20均勻地噴射於玻璃基材200上，以便防止雜質再黏附於玻璃基材200上且消除已黏附於玻璃基材200上之雜質。

或者，轉移器件340可使用可容易控制速度、時間及旋轉方向之伺服馬達沿第一方向40移動氣泡噴射管320。例如，轉移器件340經由一直齒輪將伺服馬達之旋轉功率施加於齒條上以將圓形移動轉化成直線移動，以便轉移器件340可移動氣泡噴射管320。

基材蝕刻設備300可包括在圖1至圖6中說明之氣泡噴射器120及氣泡噴射器130來替代本發明之第二實例實施例之氣泡噴射管320。

圖11為說明根據本發明之第三實例實施例之用於蝕刻一基材之設備的正視圖。

本發明實例實施例包括圖1至圖6中說明之第一實例實施例及圖8至圖10中說明之第二實例實施例，且因此相同參考數字將用以指示如彼等在第一實例實施例中描述之相同或相似部件且將省略關於以上元件之任何其他重複解釋。

參看圖11，根據本發明之第三實例實施例之基材蝕刻設備400填充有蝕刻流體10且包括蝕刻容器310、氣泡噴射器120及氣泡噴射管320。蝕刻容器310容納複數個垂直於底部312且相互平行安置之玻璃基材200。每一氣泡噴射器120***每一玻璃基材200中。氣泡噴射管320經安置對應於玻璃基材200之兩側。

因此，氣泡噴射器120及氣泡噴射管320係由氣體供應部件150來供應氣體30且可將氣泡20均勻地噴射於玻璃基材200上，用於防止雜質再黏附於玻璃基材200上且消除已黏附於玻璃基材200上之雜質，以便可均勻蝕刻基材。

然而，第三實例實施例之基材蝕刻設備400由於其複雜結構可更頻繁地毀壞。另外，額外增壓器件可為氣體供應部件150所必需的以同時向氣泡噴射器120及氣泡噴射管320供應氣體30。

圖12為說明使用根據本發明之第二實例實施例之設備蝕刻一基材之方法的流程圖。

參看圖8至圖10及圖12，使用根據本發明之第二實例實施例之基材蝕刻設備300蝕刻一基材之方法包括將複數個玻璃基材200定位於填充有蝕刻流體10之蝕刻容器310中(步驟S10)。在此狀況下，每一玻璃基材200相互平行地安置。另外，每一玻璃基材200垂直於蝕刻容器310之底部312安置。

蝕刻基材之方法包括定位兩個氣泡噴射管320以分別對應於玻璃基材200之兩側(步驟S20)。

接著，蝕刻基材之方法包括沿玻璃基材200之側邊(例如，沿第一方向40)轉移氣泡噴射管320且將氣泡20噴射於玻璃基材200上用於消除雜質(步驟S30)。

在此狀況下，氣泡噴射管320係以大體上相同之速度轉移。尤其，氣泡噴射管320大體上同時自玻璃基材200之較低部分啟動且以大體上相同之速度移動至玻璃基材200之上部用於消除雜質。

或者，氣泡噴射管320可在固定時間差下移動用於最小化氣泡20間之干擾。尤其，在第一側邊處之氣泡噴射管320首先開始移動後，在第二側邊之氣泡噴射管320可以一時間延遲而開始移動。另外，氣泡噴射管320可在彼此相反之方向上移動。在此狀況下，當玻璃基材200安置於蝕刻容器310中時，雜質係藉由蝕刻玻璃基材200而產生。

因此，使用根據第二實例實施例之基材蝕刻設備300用於蝕刻基材之方法可藉由僅僅改變氣泡噴射管320之長度來修改以適用於各種尺寸之基材，以便可均勻蝕刻基材同時降低甚至用於較大玻璃基材200之設備的製造成本。

隨後，已經蝕刻之玻璃基材200係由DI清潔且接著乾燥。當玻璃基材200為LCD面板之TFT基材或彩色濾光片基材時，基材蝕刻設備300可適用於LCD製造方法。

根據本發明之用於蝕刻基材之設備及使用該設備用於蝕刻基材之方法，每一氣泡噴射器係***每一玻璃基材中且將氣泡噴射於玻璃基材上，用於防止藉由蝕刻玻璃基材所產生之雜質再黏附於玻璃基材上且消除已黏附於玻璃基材上之雜質。因此，可均勻蝕刻玻璃基材。

已描述本發明之實例實施例及其優勢，應注意可在不脫離如由附加申請專利範圍所定義之本發明之精神及範疇之情況下，進行各種改變、替代及變更。

10．．．蝕刻流體

20．．．氣泡

30．．．氣體

40．．．第一方向

100．．．基材蝕刻設備/蝕刻設備

110．．．蝕刻容器

112．．．底部表面

114．．．側壁

120．．．氣泡噴射器

122．．．噴射板

124．．．噴射噴嘴

126．．．氣體過道

128．．．第二氣體入口

130．．．氣泡噴射器

132．．．框架

133．．．開口部分

134．．．第一管

135．．．第二氣體入口

136．．．軟木

138．．．第二管

139．．．噴射孔

140．．．固定板

142．．．固定夾

143．．．固定凹槽

144．．．第一氣體入口

150．．．氣體供應部件

152．．．氣體供應管線

160．．．過濾器

170．．．儲存槽

180．．．泵

200．．．玻璃基材

300．．．基材蝕刻設備

310．．．蝕刻容器

312．．．底部

320．．．氣泡噴射管

330．．．夾鉗

332．．．氣體入口管線

334．．．噴射孔

340．．．轉移器件

342．．．汽缸

344．．．汽缸負載

346．．．連接部件

348．．．導引部件

400．．．基材蝕刻設備

圖1為說明根據本發明之第一實例實施例之用於蝕刻一基材之設備的正視圖；圖2為說明圖1中之玻璃基材、氣泡噴射器及固定板之分解透視圖；圖3為說明圖2中之每一氣泡噴射器的實例實施例之透視圖；圖4為說明圖3中之氣泡噴射器之平面圖；圖5為說明圖2中之氣泡噴射器之一者的另一實例實施例之透視圖；圖6為說明圖5中之氣泡噴射器之平面圖；圖7為說明使用根據本發明之第一實例實施例之設備蝕刻一基材之方法的流程圖；圖8為說明根據本發明之第二實例實施例之用於蝕刻一基材之設備的正視圖；圖9為說明圖8中之氣泡噴射管及玻璃基材之透視圖；圖10為尤其說明圖9中之氣泡噴射管之噴射孔的側視圖；圖11為說明根據本發明之第三實例實施例之用於蝕刻一基材之設備的正視圖；及圖12為說明使用根據本發明之第二實例實施例之設備蝕刻一基材之方法的流程圖。

10．．．蝕刻流體

20．．．氣泡

30．．．氣體

100．．．基材蝕刻設備/蝕刻設備

110．．．蝕刻容器

112．．．底部表面

114．．．側壁

120．．．氣泡噴射器

140．．．固定板

142．．．固定夾

150．．．氣體供應部件

160．．．過濾器

170．．．儲存槽

180．．．泵

200．．．玻璃基材

Claims (21)

1. 一種用於蝕刻一基材之設備，其包含：一蝕刻容器，其容納複數個玻璃基材，使得該等玻璃基材係垂直於該蝕刻容器之一底部表面且在該蝕刻容器中相互平行地安置；複數個氣泡噴射器，其每一者係***該等玻璃基材之每一者中，用於將氣泡噴射於該等玻璃基材上；及一氣體供應部件，其係安置於該蝕刻容器之外部，用於向該等氣泡噴射器供應一氣體。
2. 如請求項1之設備，其中該等氣泡噴射器之每一者包括：一噴射板，其具有一在該噴射板中形成之氣體過道；及複數個噴射噴嘴，其係在該噴射板之一表面上形成，該表面面向該等玻璃基材之一者，且該等噴射噴嘴係連接至該氣體過道。
3. 如請求項2之設備，其中該等噴射噴嘴係以一晶格結構在該噴射板上形成。
4. 如請求項2之設備，其進一步包含一安置於該蝕刻容器內部且具有形成於其上之固定夾的固定板，該等固定夾係用於固定該等玻璃基材。
5. 如請求項4之設備，其中該固定板包括一連接該氣體供應部件與該等氣泡噴射器之每一者之該氣體過道的氣體入口孔。
6. 如請求項1之設備，其中該等氣泡噴射器之每一者包括：一框架，其具有一在該框架之一中心部分中形成之開口部分；一第一管，其係安置於該框架中且連接至該氣體供應部件；及第二管，其係以固定間隔垂直連接至該第一管以橫越該開口部分且具有經成形以對應於該等玻璃基材之每一者之相對表面的複數個噴射孔。
7. 如請求項6之設備，其中該等噴射孔係以固定間隔在該等第二管上形成。
8. 如請求項1之設備，其中該蝕刻容器填充有蝕刻流體且包括氫氟酸(HF)。
9. 如請求項8之設備，其中該等氣泡噴射器包括聚氯乙烯(PVC)。
10. 一種用於蝕刻一基材之設備，其包含：一蝕刻容器，其容納複數個玻璃基材，使得該等玻璃基材係垂直於該蝕刻容器之一底部表面且在該蝕刻容器中相互平行地安置；一氣泡噴射管，其沿該等玻璃基材之一垂直方向縱向成形且係安置於該等玻璃基材之一側，用於將氣泡噴射於該等玻璃基材上；及一氣體供應部件，其係安置於該蝕刻容器之外部，用於向該氣泡噴射管供應一氣體。
11. 如請求項10之設備，其中複數個該等氣泡噴射管係安置於該等玻璃基材之兩側，用於將該等氣泡噴射於該等玻璃基材上。
12. 如請求項10之設備，其中該氣泡噴射管包括複數個噴射孔，該等噴射孔係以固定間隔形成以面向該等玻璃基材之該側。
13. 如請求項12之設備，其進一步包含一轉移器件，其係用於沿該等玻璃基材之該側轉移該氣泡噴射管。
14. 如請求項13之設備，其中該轉移器件包括：一汽缸，其係安置於該蝕刻容器之一外側；一與該汽缸組合之汽缸負載，其係沿該等玻璃基材之該側轉移；一連接部件，其係用於連接該汽缸負載與該氣泡噴射管；及一導引部件，其係用於部分覆蓋該連接部件且導引該氣泡噴射管之移動。
15. 如請求項14之設備，其中該汽缸係由一氣壓型及一油壓型之至少一者來驅動。
16. 如請求項10之設備，其進一步包含複數個氣泡噴射器，其每一者係***該等玻璃基材之每一者中，用於將該等氣泡噴射於該等玻璃基材上。
17. 一種用於蝕刻一基材之方法，其包含：垂直於一蝕刻容器之一底部表面定位複數個玻璃基材，該等玻璃基材係相互平行地安置；定位複數個氣泡噴射器之每一者以***該等玻璃基材之每一者中；自一安置於該蝕刻容器外部之氣體供應部件供應一氣體至該等氣泡噴射器；及使用該等氣泡噴射器將氣泡噴射於該等玻璃基材上用於消除雜質。
18. 如請求項17之方法，其中該等氣泡噴射器之每一者經由形成於該等噴射板之一表面上的複數個噴射噴嘴噴射該等氣泡，該表面面向該等玻璃基材之一者，且該噴射板具有一在該噴射板中之氣體過道，該氣體過道係連接至該氣體供應部件。
19. 如請求項17之方法，其中該等氣泡噴射器之每一者經由複數個噴射孔噴射該等氣泡，該等噴射孔係形成於複數個第二管上以對應於該等玻璃基材之每一者之相對表面，該等第二管係垂直連接至一連接至該氣體供應部件之第一管。
20. 一種用於蝕刻一基材之方法，其包含：垂直於一蝕刻容器之一底部表面定位複數個玻璃基材，該等玻璃基材係相互平行地安置；定位兩個氣泡噴射管以分別對應於該等玻璃基材之兩側；及沿該等玻璃基材之該側轉移該等氣泡噴射管且將氣泡噴射於該等玻璃基材上用於消除雜質。
21. 如請求項20之方法，其中該等氣泡噴射管係以大體上相同之速度轉移。