TWI394208B - 半導體晶圓的研磨方法以及研磨墊整形治具 - Google Patents

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Description

半導體晶圓的研磨方法以及研磨墊整形治具
本發明是關於使用設置於壓盤上的研磨墊(pad)來對半導體晶圓(wafer)的被研磨面進行研磨的半導體晶圓的研磨方法、以及用於該半導體晶圓的研磨方法的研磨墊整形治具。
於半導體晶圓的表面上形成電路而製造半導體元件的情形時，若該半導體晶圓的表面的平坦度較低，則存在如下顧慮，即於形成電路的光微影(photolithography)步驟中，曝光時的焦點局部性地變得不準確而妨礙電路的微細圖案的形成。因此，對半導體晶圓的表面以及背面要求極高的平坦度。
為了使半導體晶圓的表面以及背面實現極高的平坦度，而必需對半導體晶圓的表面以及背面高精度地研磨，作為用於此的裝置而眾所周知有雙面研磨裝置。該雙面研磨裝置是藉由設置於壓盤上的研磨墊、與由載體(carrier)保持的半導體晶圓的相對移動，來同時對半導體晶圓的表面以及背面進行研磨。
然而，此種雙面研磨裝置中，於應研磨的半導體晶圓的厚度大於載體的厚度的情形時，成為半導體晶圓陷入研磨墊中的狀態，從而促使半導體晶圓的外周受到過度研磨。其結果，於半導體晶圓的表面以及背面的外周部(周緣部)發生壓陷，從而使得半導體晶圓的平坦度降低。
為了防止該外周部的壓陷，日本專利特開2000－235941號公報中揭示有如下的技術：與半導體晶圓的最終厚度的目標值大致一致地設定載體的厚度，使自研磨墊作用於半導體晶圓的外周部的表面壓力分散於載體上，以此來防止半導體晶圓的外周部發生壓陷。
然而，即便為以上述方式調整載體厚度的雙面研磨裝置亦存在如下顧慮：因壓盤的形狀或設置於該壓盤上的研磨墊的貼附狀態的影響，被研磨的半導體晶圓的中央部成為凹陷量較大的凹形狀或成為***量較大的凸形狀，該被研磨的半導體晶圓的表面以及背面的平坦度無法實現所期望的值。
本發明是考慮到上述情況而完成的，其目的在於提供一種能夠以良好的平坦度來研磨半導體晶圓的被研磨面的半導體晶圓的研磨方法以及研磨墊整形治具。
本發明的半導體晶圓的研磨方法是藉由研磨墊與半導體晶圓的相對移動而利用上述研磨墊來對上述半導體晶圓的被研磨面進行研磨的半導體晶圓的研磨方法，其特徵在於：使利用上述研磨墊來研磨時的上述半導體晶圓的上述被研磨面的形狀相對於理想形狀而反轉，來形成研磨墊整形治具的整形面，將上述研磨墊整形治具的整形面的形狀轉印於上述研磨墊上，並使用整形後的研磨墊來對半導體晶圓的被研磨面進行研磨。
又，本發明的研磨墊整形治具是為了改變研磨墊作用於應研磨的半導體晶圓的表面壓力而安裝於半導體晶圓研磨裝置上、且按壓上述研磨墊來進行整形的研磨墊整形治具，其特徵在於：其整形面是使藉由整形前的上述研磨墊來研磨的半導體晶圓的被研磨面的形狀形成為相對於理想的形狀而反轉的形狀來構成的。又，該研磨墊整形治具的特徵在於：於上述整形面上設置有硬質塗層(coat layer)。
根據本發明的半導體晶圓的研磨方法以及研磨墊整形治具，使利用整形前的研磨墊來研磨時的半導體晶圓的被研磨面的形狀相對於理想的形狀而反轉來形成研磨墊整形治具的整形面，並使用轉印有該整形面的形狀的研磨墊來對半導體晶圓的被研磨面進行研磨，因此可使研磨墊作用於半導體晶圓的被研磨面的表面壓力最佳化，其結果，可藉由該研磨墊而以良好的平坦度對半導體晶圓的被研磨面進行研磨。又，藉由在上述整形面上設置硬質塗層，可成為耐磨損性優異的研磨墊整形治具。
以下，基於圖式來對本發明的實施方式進行說明。
圖1是表示實施本發明的半導體晶圓的研磨方法的一實施形態的雙面研磨裝置的立體圖。圖2是沿著圖1的II－II線的箭頭方向視圖。圖3是沿著圖2的III－III線的剖面圖。
該些圖1～圖3所示的雙面研磨裝置10是包括如下部分而構成，即被支持為水平的環狀的下壓盤12；上壓盤11，對向設置於該下壓盤12的上方；內齒輪(inner gear)13，作為配置於下壓盤12的內側的恆星齒輪；及外齒輪(outer gear)14，作為配置於下壓盤12的外側的圓環(ring)形狀的正齒輪(spur gear)。
下壓盤12是由未圖示的驅動馬達(motor)驅動。又，上壓盤11設置為可升降，並且藉由與驅動下壓盤12的驅動馬達不同的驅動馬達(未圖示)，而向與下壓盤12相反的方向旋轉驅動。此外，於上壓盤11上裝備有研磨液供給系統15，用以向該上壓盤11與下壓盤12之間供給混合有研磨粒的研磨液(研磨用研漿(slurry))。
內齒輪13是由與分別驅動上壓盤11、下壓盤12的驅動馬達不同的驅動馬達來驅動。此外，外齒輪14亦由與分別驅動上壓盤11、下壓盤12的驅動馬達不同的驅動馬達來驅動。
於上壓盤11與下壓盤12的各自的對向面上分別貼附有研磨墊16、17。該些研磨墊16、17是由不織布中含浸著胺酯樹脂(urethane resin)的材料或發泡胺酯樹脂等構成。
於下壓盤12上，多片(例如4片)載體18載置於內齒輪13的周圍。該些各載體18分別嚙合於內側的內齒輪13以及外側的外齒輪14，來作為與下壓盤12的旋轉連動而可運動的行星齒輪發揮作用。而且，於該些載體18上，介隔樹脂環(resin ring)19而收納半導體晶圓1的孔(hole)20偏心設置有多個(例如3個)。樹脂環19的內徑設定得少許大於半導體晶圓1的外徑，半導體晶圓1設置於樹脂環19內而呈可自轉。
進而，各載體18的厚度設定得與半導體晶圓1的最終加工厚度的目標值一致、或稍小於該目標值。藉此，於雙面研磨時，載體18對於研磨墊16、17發揮著緩衝作用，而防止於半導體晶圓1的作為被研磨面的表面2以及背面3發生外周部的壓陷。
於對半導體晶圓1進行研磨時，在使上壓盤11上升的狀態下，於下壓盤12上載置多個載體18，並將半導體晶圓1逐個***並設置(set)於各載體18的孔20內的樹脂環19內側。其次，使上壓盤11下降而對各半導體晶圓1賦予規定的加壓力。於該狀態下，一邊自研磨液供給系統15向上壓盤11與下壓盤12之間供給研磨液，一邊使上壓盤11與下壓盤12彼此向相反方向以規定的速度旋轉。此時，使外齒輪14與內齒輪13的至少一者以規定的速度旋轉。
藉此，於上壓盤11與下壓盤12之間，多個載體18進行一邊自轉一邊繞內齒輪13的周圍公轉的、所謂行星運動。其結果，由各載體18保持的半導體晶圓1於研磨液中相對於研磨墊16、17而進行相對移動，如圖3所示，表面2滑接於研磨墊16的墊面16A，且背面3滑接於研磨墊17的墊面17A，該些表面2以及背面3同時被研磨。以多片半導體晶圓1均等地被研磨的方式設定研磨條件。
上述的雙面研磨裝置10中，載體18的厚度設定得與半導體晶圓1的最終加工厚度的目標值大致同等，從而藉由該載體18的緩衝作用來防止半導體晶圓1的表面2以及背面3的外周部發生壓陷。然而，因上壓盤11以及下壓盤12的形狀或研磨墊16、17的貼附狀態的影響，存在半導體晶圓1的表面2以及背面3的中央部的形狀變得不穩定的情形。
例如，如圖6(B)所示，存在半導體晶圓1的表面2以及背面3形成為凹陷量較大的凹形狀的情形。該情形時，表示半導體晶圓1的表面2以及背面3的平坦度的指標GBIR或SBIR、尤其是GBIR，於多片半導體晶圓1中，如圖7的符號B所示，例如為0.41 μm～0.957 μm而較大，可說平坦度未必良好。再者，GBIR(Global Back-side Ideal Range，總體背面理想範圍)是以半導體晶圓1的表面2或背面3的一面為基準面而表示另一面的最高位與最低位的距離的差。又，SBIR是Site Back-side Ideal Range(局部背面理想範圍)的簡稱。
由此，本實施形態中，將例如圖4或圖8所示的研磨墊整形治具21、22等用於雙面研磨裝置10，而對研磨墊16、17的各自的墊面16A、17A的形狀進行按壓來整形。藉此，於雙面研磨時，研磨墊16、17改變作用於半導體晶圓1的表面2、背面3的表面壓力來控制半導體晶圓1的表面2以及背面3的形狀，從而提高該表面2以及背面3的平坦度。
即，於使用整形前的研磨墊16、17並藉由雙面研磨裝置10來對導體晶圓1的表面2以及背面3進行研磨時，在如圖6(B)所示該表面2以及背面3的形狀成為相對於理想形狀23而凹陷量較大的凹形狀的情形時，準備如下的研磨墊整形治具21，該研磨墊整形治具21是以使該表面2以及背面3的形狀相對於理想形狀23而反轉的凸形狀的反轉形狀24來對整形面25(圖4)進行整形。
該研磨墊整形治具21由鋁、不鏽鋼或者鈦等金屬、矽晶圓等半導體晶圓、玻璃、或者石材等陶瓷、或玻璃環氧樹脂等樹脂構成。尤其好的是，研磨墊整形治具21是於上述金屬、半導體晶圓、玻璃、陶瓷或樹脂表面上被覆著硬質塗層26，並藉由該硬質塗層26而形成整形面25。硬質塗層26包含例如DLC(Diamond Like Carbon，類鑽碳)或TiN(氮化鈦)等、高硬質且耐磨損性優異的材料。
於由矽晶圓構成研磨墊整形治具21的情形時，對研磨條件加以調整來藉由雙面研磨裝置10而形成整形面25的形狀。於使研磨墊整形治具21(後述的研磨墊整形治具22)以矽晶圓等半導體晶圓1為材料、且整形面25、28藉由半導體晶圓1而形成的情形時，可於設定不同的條件的基礎上，使用雙面研磨裝置10來形成該研磨墊整形治具21(後述的研磨墊整形治具22)的整形面25、28，並使用該研磨墊整形治具21(後述的研磨墊整形治具22)來將整形面25(後述的整形面28)轉印於墊面16A、17A上，之後，藉由整形後的研磨墊16、17來對半導體晶圓1進行研磨，因此可對應於雙面研磨裝置10的特性，而更高精度地形成具有接近於後述的理想形狀23的被研磨面的半導體晶圓1。
又，於由金屬構成研磨墊整形治具21的情形時，可藉由彎曲加工等的機械加工而形成整形面25的形狀。如此，研磨墊整形治具21的整形面25的形狀可由上述的金屬、矽或樹脂形成，或亦可藉由硬質塗層26而形成。於由金屬形成研磨墊整形治具21(後述的研磨墊整形治具22)的情形時，存在對研磨墊16、17以及半導體晶圓1造成金屬污染的顧慮，但可藉由將硬質塗層26被覆於整形面25(後述的整形面28)上而避免金屬污染的顧慮。
進而，研磨墊整形治具21(後述的研磨墊整形治具22)亦可與載體18一體地形成，使載體18與研磨墊16、17相對運動而將整形面25(後述的整形面28)的形狀轉印於研磨墊16、17，該載體18是一邊保持研磨墊整形治具21、22，一邊如上述般與貼附有研磨墊16、17的壓盤(下壓盤12)的旋轉連動而運動。藉由使研磨墊整形治具21、22與載體18為同一材料，可使兩者一體地形成，從而可削減成本。
再者，亦可形成如下構成：使載體18由PVC(Poly Vinyl Chloride，聚氯乙烯)的板材等形成，於相當於研磨墊整形治具21、22的位置上，(以與例如圖2所示的研磨墊整形治具21相同的形狀、相同的配置)貼附具有整形面25、28的金屬(藉由硬質塗層26而塗佈)等的構件。進而亦可將由互不相同的材料形成的多個構件貼附於一個載體上，亦可根據規格來更換構件。又，該些構件只要具有整形面25、28，則構件的外形不必為圓形，又整形面的GBIR較理想的是1 μm左右。
其次，與對半導體晶圓1進行研磨時同樣地，將以上述方式構成的研磨墊整形治具21***到圖1～圖3所示的雙面研磨裝置10的載體18的孔20內的樹脂環19的內側。然後，於該狀態下，與對半導體晶圓1進行研磨時同樣地，使雙面研磨裝置10作動。如此一來，如圖5所示，將研磨墊整形治具21的整形面25的形狀按壓並轉印於研磨墊16、17的各自的墊面16A、17A，從而使該些墊面16A、17A形成為凹形狀。
如此，於藉由研磨墊整形治具21對研磨墊16、17的各自的墊面16A、17A進行整形後，使雙面研磨裝置10停止作動，自載體18取出研磨墊整形治具21。
其後，將應研磨的半導體晶圓1***並設置於雙面研磨裝置10的載體18的孔20內的樹脂環19內側，使雙面研磨裝置10作動，使用墊面16A、17A經上述般整形後的研磨墊16、17，對半導體晶圓1的表面2以及背面3進行研磨。
該經研磨的半導體晶圓1的表面2以及背面3如圖6(A)所示，成為相對於理想形狀23而凹陷量較小的凹形狀(或***量較小的凸形狀，但未圖示)。其結果，對於同樣地被研磨的多片半導體晶圓1而言，如圖7的符號A所示，半導體晶圓1的表面2以及背面3的平坦度GBIR成為0.205 μm～0.384 μm左右。即得知，與研磨墊16、17的各墊面16A、17A整形前的情形(圖7的符號B)相比，研磨墊16、17的各墊面16A、17A整形後的情形時(圖7的符號A)的半導體晶圓1的表面2以及背面3的平坦度得以大幅改善。
其理由如下所述。即，於研磨墊16、17的各墊面16A、17A整形之前，如圖6(B)所示，研磨中自研磨墊16、17作用於半導體晶圓1的表面2以及背面3的表面壓力P1，較之表面2以及背面3的外周部而於中央部變大，因此於研磨後，半導體晶圓1的表面2以及背面3的中央部成為凹陷量較大的凹形狀。與此相對，於使用藉由研磨墊整形治具21進行了整形的研磨墊16、17對半導體晶圓1的表面2以及背面3進行研磨的情形時，如圖6(A)所示，研磨中自研磨墊16、17作用於半導體晶圓1的表面2以及背面3的表面壓力F1，於表面2以及背面3的中央部與外周部上改變為大致同程度，因此於研磨後，在半導體晶圓1的表面2以及背面3的中央部的凹陷量(或***量，但未圖示)變小，該表面2以及背面3成為接近於理想形狀23的凹陷量較小的凹形狀(或***量較小的凸形狀，但未圖示)。
又，於使用整形前的研磨墊16、17並藉由雙面研磨裝置10而對半導體晶圓1的表面2以及背面3進行研磨時，如圖10(B)所示，在該表面2以及背面3的形狀成為相對於理想形狀23而***量較大的凸形狀的情形時，準備如下的研磨墊整形治具22，該研磨墊整形治具22是以使該表面2以及背面3的形狀相對於理想形狀23而反轉的凹形狀的反轉形狀27來對整形面28(圖8)進行整形。較好的是，該研磨墊整形治具22是與圖4所示的研磨墊整形治具21同樣地構成，且整形面28由硬質塗層26形成。
其次，與對半導體晶圓1進行研磨時同樣地，將以上述方式構成的研磨墊整形治具22***至圖1～圖3所示的雙面研磨裝置10的載體18的孔20內的樹脂環19的內側。然後，於該狀態下，與對半導體晶圓1進行研磨時同樣地，使雙面研磨裝置10作動。如此一來，如圖9所示，將研磨墊整形治具22的整形面28的形狀按壓並轉印於研磨墊16、17的各自的墊面16A、17A，而使該些墊面16A、17A形成為凸形狀。
如此，於藉由研磨墊整形治具22對研磨墊16、17的各自的墊面16A、17A進行整形之後，使雙面研磨裝置10停止作動，自載體18取出研磨墊整形治具22。
其後，將研磨半導體晶圓1***並設置於雙面研磨裝置10的載體18的孔20內的樹脂環19內側，使雙面研磨裝置10作動，並使用墊面16A、17A經上述般整形的研磨墊16、17，對半導體晶圓1的表面2以及背面3進行研磨。
該經研磨的半導體晶圓1的表面2以及背面3如圖10(A)所示，成為相對於理想形狀23而***量較小的凸形狀(或凹陷量較小的凹形狀，但未圖示)。其結果，半導體晶圓1的表面2以及背面3的平坦度GBIR與圖7的符號A所示的情形同樣地，與使用整形前的研磨墊16、17的情形相比得以改善。
其理由如下所述。即，於研磨墊16、17的各墊面16A、17A整形之前，如圖10(B)所示，研磨中自研磨墊16、17作用於半導體晶圓1的表面2以及背面3的表面壓力P2，較之表面2以及背面3的中央部而於外周部變大，因此於研磨後，半導體晶圓1的表面2以及背面3的中央部成為***量較大的凸形狀。與此相對，於使用藉由研磨墊整形治具22進行了整形的研磨墊16、17對半導體晶圓1的表面2以及背面3進行研磨的情形時，如圖10(A)所示，研磨中自研磨墊16、17作用於半導體晶圓1的表面2以及背面3的表面壓力F2，於表面2以及背面3的中央部與外周部改變為大致同程度，因此於研磨後，於半導體晶圓1的表面2以及背面3的中央部的***量(或凹陷量，但未圖示)變小，該表面2以及背面3成為接近於理想形狀23的***量較小的凸形狀(或凹陷量較小的凹形狀，但未圖示)。
根據以上構成，藉由本實施形態而可發揮以下的效果(1)以及(2)。
(1)使利用整形前的研磨墊16、17來研磨時的半導體晶圓1的表面2以及背面3的形狀相對於理想形狀23而反轉來形成研磨墊整形治具21、22的各自的整形面25、28，並將該整形面25、28的形狀轉印於研磨墊16、17的各自的墊面16A、17B上，使用轉印有該研磨墊整形治具21、22的整形面25、28的形狀的研磨墊16、17來對半導體晶圓1的表面2以及背面3進行研磨。因此，墊面16A、17A經上述般整形的研磨墊16、17作用於半導體晶圓1的表面2以及背面3的表面壓力F1、F2變得大致均等而最佳化。其結果，藉由該研磨墊16、17，可以良好的平坦度對半導體晶圓1的表面2以及背面3進行研磨。
(2)當於研磨墊整形治具21的整形面25以及研磨墊整形治具22的整形面28上設置有硬質塗層26時，該硬質塗層26為高硬質且耐磨損性優異，因此於將研磨墊整形治具21、22設置於雙面研磨裝置10的載體18上來對研磨墊16、17的各自的墊面16A、17A進行整形時，可於該墊面16A、17A高精度地形成所期望的形狀。
(3)於使研磨墊整形治具21、22以矽晶圓等的半導體晶圓1為材料、且藉由半導體晶圓1而形成整形面25、28的情形時，可於設定不同的條件的基礎上，使用雙面研磨裝置10來形成該研磨墊整形治具21、22的整形面25、28，並使用該研磨墊整形治具21、22來將整形面25、28轉印於墊面16A、17A上，之後，藉由整形後的研磨墊16、17而對半導體晶圓1進行研磨，因此可對應於雙面研磨裝置10的特性，而高精度地形成具有接近於理想形狀23的被研磨面的半導體晶圓1。
(4)研磨墊整形治具21、22亦可與載體18一體地形成，使載體18與研磨墊16、17相對運動而將整形面25、28的形狀轉印於研磨墊16、17上，該載體18是一邊保持研磨墊整形治具21、22，一邊如上述般與貼附有研磨墊16、17的壓盤(下壓盤12)的旋轉連動而運動。藉由使研磨墊整形治具21、22與載體18為同一材料，可使兩者一體地形成，從而可削減成本。
以上，基於上述實施形態而對本發明進行了說明，但本發明並不限定於此。例如，本實施形態中說明了研磨裝置為雙面研磨裝置10的情形，但亦可將本發明適用於僅對半導體晶圓1的表面2或背面3的任一面進行研磨的單面研磨裝置。
根據以上，本發明可用作能夠以良好的平坦度對半導體晶圓的被研磨面進行研磨的半導體晶圓的研磨方法以及研磨墊整形治具。
1．．．半導體晶圓
2．．．表面
3．．．背面
10．．．雙面研磨裝置
11．．．上壓盤
12．．．下壓盤
13．．．內齒輪
14．．．外齒輪
15．．．研磨液供給系統
16、17．．．研磨墊
16A、17A．．．墊面
18．．．載體
19．．．樹脂環
20‧‧‧孔
21、22‧‧‧研磨墊整形治具
23‧‧‧理想形狀
24、27‧‧‧反轉形狀
25、28‧‧‧整形面
26‧‧‧硬質塗層
A、B‧‧‧符號
F1、F2、P1、P2‧‧‧表面壓力
圖1是表示實施本發明的半導體晶圓的研磨方法的一實施形態的雙面研磨裝置的立體圖。
圖2是沿著圖1的II－II線的箭頭方向視圖。
圖3是沿著圖2的III－III線的剖面圖。
圖4是表示安裝於圖1的雙面研磨裝置上的研磨墊整形治具的一型態的剖面圖。
圖5是藉由圖4的研磨墊整形治具而整形的研磨墊的剖面圖。
圖6(A)及圖6(B)表示藉由圖1的雙面研磨裝置來研磨的半導體晶圓，圖6(A)是使用圖5的經整形的研磨墊的情形的剖面圖，圖6(B)是使用整形前的研磨墊的情形的剖面圖。
圖7是表示分別使用整形前與整形後的研磨墊來研磨的多片半導體晶圓的表面、背面的平坦度(GBIR)的圖表。
圖8是表示安裝於圖1的雙面研磨裝置上的研磨墊整形治具的另一型態的剖面圖。
圖9是表示藉由圖8的研磨墊整形治具而整形的研磨墊的剖面圖。
10(A)及圖10(B)是表示藉由雙面研磨裝置來研磨的半導體晶圓，圖10(A)表示使用圖9的經整形的研磨墊的情形的剖面圖，圖10(B)表示使用整形前的研磨墊的情形的剖面圖。
1．．．半導體晶圓
10．．．雙面研磨裝置
11．．．上壓盤
12．．．下壓盤
13．．．內齒輪
14．．．外齒輪
15．．．研磨液供給系統
17．．．研磨墊
17A．．．墊面
18．．．載體

Claims (9)

  1. 一種半導體晶圓的研磨方法，藉由研磨墊與半導體晶圓的相對移動而利用上述研磨墊來對上述半導體晶圓的被研磨面進行研磨，其特徵在於：使利用上述研磨墊來研磨時的上述半導體晶圓的上述被研磨面的形狀相對於理想形狀而反轉，來形成研磨墊整形治具的整形面；將上述研磨墊整形治具的上述整形面的形狀轉印於上述研磨墊上；以及使用整形後的上述研磨墊來對上述半導體晶圓的上述被研磨面進行研磨。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的半導體晶圓的研磨方法，其中當使用整形前的上述研磨墊來研磨時的上述半導體晶圓的上述被研磨面的形狀相對於上述理想形狀而成為凹形狀時，使上述被研磨面相對於上述理想形狀而反轉來將上述研磨墊整形治具的上述整形面形成為凸形狀，並轉印上述整形面而將上述研磨墊形成為凹形狀。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的半導體晶圓的研磨方法，其中當使用整形前的上述研磨墊來研磨時的上述半導體晶圓的上述被研磨面的形狀相對於上述理想形狀而成為凸形狀時，使上述被研磨面相對於上述理想形狀而反轉來將上述研磨墊整形治具的上述整形面形成為凹形狀，並轉印上述整形面而將上述研磨墊形成為凸形狀。
  4. 一種研磨墊整形治具，其是為了改變研磨墊作用於 應研磨的半導體晶圓的表面壓力而安裝於半導體晶圓研磨裝置上，且按壓上述研磨墊來進行整形，其特徵在於：上述研磨墊整形治具的整形面是使藉由整形前的上述研磨墊來研磨的上述半導體晶圓的被研磨面的形狀形成為相對於理想的形狀而反轉的形狀來構成的。
  5. 如申請專利範圍第4項所述的研磨墊整形治具，其中上述整形面是藉由利用上述研磨墊來研磨的上述半導體晶圓而形成。
  6. 如申請專利範圍第4項所述的研磨墊整形治具，其中上述研磨墊整形治具是與載體一體地形成，使上述載體與上述研磨墊相對運動來將上述整形面的形狀轉印於上述研磨墊上，上述載體是一邊保持上述研磨墊整形治具，一邊與貼附有上述研磨墊的壓盤的旋轉連動而運動。
  7. 一種研磨墊整形治具，其是為了改變研磨墊作用於應研磨的半導體晶圓的表面壓力而安裝於半導體晶圓研磨裝置上，且按壓上述研磨墊來進行整形，其特徵在於：上述研磨墊整形治具的整形面是使藉由整形前的上述研磨墊來研磨的上述半導體晶圓的被研磨面的形狀形成為相對於理想的形狀而反轉的形狀來構成的，且於上述整形面上設置有硬質塗層。
  8. 如申請專利範圍第7項所述的研磨墊整形治具，其中上述整形面是藉由利用上述研磨墊來研磨的上述半導體晶圓而形成。
  9. 如申請專利範圍第7項所述的研磨墊整形治具，其 中上述研磨墊整形治具是與載體一體地形成，使上述載體與上述研磨墊相對運動來將上述整形面的形狀轉印於上述研磨墊上，上述載體是一邊保持上述研磨墊整形治具，一邊與貼附有上述研磨墊的壓盤的旋轉連動而運動。
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