TWI389237B - 基板處理裝置以及使用該裝置處理基板的方法 - Google Patents

基板處理裝置以及使用該裝置處理基板的方法 Download PDF

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Description

基板處理裝置以及使用該裝置處理基板的方法
本文所揭露的本發明是有關於一種製造半導體基板的裝置，更具體而言，是有關於一種提供用於處理半導體基板的化學溶液的處理裝置以及一種用於清潔半導體基板的方法。
通常，藉由重複沈積、蝕刻以及清潔製程而製造半導體元件。特別地，濕式蝕刻以及清潔製程使用各種化學溶液來處理半導體基板。
當使用異丙醇(isopropyl alcohol)來乾燥半導體基板時，用於注入異丙醇的化學溶液噴嘴以及用於注入氮氣的氣體噴嘴各設置在半導體基板的上部。半導體基板藉由分別自化學溶液噴嘴以及氣體噴嘴排放的異丙醇以及氮氣而乾燥。然而，由於獨立地提供化學溶液噴嘴以及氣體噴嘴，並且異丙醇以及氮氣自各自之噴嘴線性地注入到半導體基板，因此不能充分地混合異丙醇以及氮氣。因此，降低了半導體基板的清潔效率。
示範性實施例提供了一種基板處理裝置。此基板處理裝置包括支撐構件以及處理溶液供應部。基板固定地設置在支撐構件上。處理溶液供應部設置在支撐構件上方並且藉由將處理溶液以微小顆粒狀注入到設置在支撐構件上的基板上來乾燥基板。處理溶液供應部包括第一供應噴嘴， 第二供應噴嘴以及注入噴嘴。第一供應噴嘴接收該處理溶液。第二供應噴嘴接收一處理氣體。藉由透過該處理氣體以控制處理氣體流來將處理溶液分解成微小顆粒，注入噴嘴同時排放該處理氣體以及處理溶液。注入噴嘴包括化學溶液流路(flow path)以及氣體流路，來自第一供應噴嘴的處理溶液注入於化學溶液流路中，氣體流路包圍化學溶液流路並且於氣體流路中注入有來自第二供應噴嘴的處理氣體。
示範性實施例提供了一種處理基板的方法。所述方法如下。基板固定地設置在支撐構件上並且注入噴嘴設置在支撐構件的上部上。注入噴嘴將處理溶液以微小顆粒狀注入到基板，以乾燥基板。乾燥該基板之過程如下。將處理氣體注入到包圍化學溶液流路的注入噴嘴的氣體流路中並且將處理溶液注入到注入噴嘴的化學流路中。控制注入到氣體流路中的處理氣體流，以將處理氣體排放到基板並且將化學溶液流路的處理溶液排放到基板以將處理溶液分解成微小顆粒狀。
下文將參考附圖詳細介紹本發明，在附圖中顯示了本發明的實施例。然而，本發明可以實施成不同的形式，並且不應該解釋為僅限於本文所述的實施例。而且，提供此等實施例，使得本公開內容透徹及完整，並且充分地向本領域熟知其技藝者傳達本發明的範圍。在圖式中，各層及區域的尺寸及相對尺寸為了清晰目的可以放大。在全文 中，相似的標號表示相似的元件。
圖1繪示了根據本發明的實施例的基板處理裝置。
參考圖1，基板處理裝置600包括一處理容器100、基板支撐構件200、垂直移動構件310、轉動電動機320以及處理溶液供應部400。
處理容器100包括具有圓柱形狀的第一、第二以及第三收集管(collection tub)。在本實施例中，處理容器100包括三個收集管110、120以及130。然而，可以增加或減小收集管110、120以及130的數量。
第一至第三收集管110、120以及130收集一種在處理製程期間被供應至晶圓10的處理溶液。亦即，當晶圓10藉由基板支撐構件200而轉動時，基板處理裝置600使用處理溶液來處理晶圓10。因此，供應至晶圓10的處理溶液被分散並且第一至第三收集管110、120以及130收集來自晶圓10的已分散的處理溶液。
更具體而言，第一至第三收集管110、120以及130中之每一者均包括環形底面以及自此底面延伸的圓柱形側壁。第二收集管120包圍第一收集管110並且設置成與第一收集管110分離。第三收集管130包圍第二收集管120並且設置成與第二收集管120分離。
第一至第三收集管110、120以及130形成第一至第三收集空間RS1、RS2以及RS3，自晶圓10分散的處理溶液在此等第一至第三收集空間RS1、RS2以及RS3中流動。第一收集空間SR1藉由第一收集管110來限定並且收集首 先對晶圓10進行處理的第一處理溶液。第二收集空間SR2藉由第一收集管110與第二收集管120之間的分離空間來限定，並且收集對晶圓10進行第二次處理的第二處理溶液。第三收集空間SR3藉由第二收集管120與第三收集管130之間的分離空間來限定，並且收集對晶圓10進行第三次處理的第三處理溶液。第三處理溶液可以是漂洗晶圓10的漂洗溶液。
在上述實施例中，根據晶圓10的處理製程，將處理溶液中之每一者依序地收集到第一管110至第三收集管130，但第一至第三收集管110、120以及130的處理溶液的收集順序可根據處理製程以及晶圓10的位置而改變。
第一至第三收集管110、120以及130中之每一者均具有帶有中心開口的頂面。第一至第三收集管110、120以及130的頂面向著其邊緣往下傾斜。因此，自晶圓10分散的處理溶液沿第一至第三收集管110、120以及130的頂面導入至收集空間RS1、RS2以及RS3。
第一收集管110連接到第一收集線141。注入到第一收集空間RS1中的第一處理溶液透過第一收集線141而流出。第二收集管120連接到第二收集線143。注入到第二收集空間RS2的第二處理溶液透過第二收集線143而流出。第三收集管130連接到第三收集線145。注入到第三收集空間RS3的第三處理溶液透過第三收集線145而流出。
處理容器100與垂直移動構件310結合，其中此垂直 移動構件310可改變處理容器100的垂直位置。垂直移動構件310設置在第三收集管130的外壁處並且在基板支撐構件200的垂直位置固定時上下移動處理容器100。結果，可改變該處理容器100以及晶圓10之間的相對垂直位置。因此，處理容器100可使得收集空間RS1、RS2以及RS3中之每一者收集不同類型的處理溶液以及受污染的氣體。
在實施例中，基板處理裝置600藉由垂直地移動處理容器100來改變該處理容器100以及基板支撐構件200之間的相對垂直位置。或者，基板處理裝置600可藉由垂直地移動基板支撐構件200來改變該處理容器100以及基板支撐構件200之間的相對垂直位置。
基板支撐構件200容納於處理容器100中。基板支撐構件200包括轉頭210、轉動軸220以及固定軸230。
轉頭210呈圓板形並且轉頭210的頂面面向晶圓10。支撐晶圓10的多個卡盤插銷(chucking pins)211提供在轉頭210的頂面上。卡盤插銷211藉由卡夾該晶圓10而將晶圓10固定在轉頭210上。
轉動軸220與轉頭210的底面結合。轉動軸220連接到轉動電動機320並且藉由轉動電動機320的轉動動力相對於中軸而轉動。轉動軸220的轉動動力傳輸到轉頭210。因此，轉頭210轉動並且使固定到轉頭210的晶圓亦轉動。
轉動軸220與固定軸230結合。固定軸230的部份***轉動軸220內並且使用多個軸承(未示出)來與轉動軸220結合。因此，該固定軸230不轉動並且僅該轉動軸220 轉動。
處理溶液供應部400藉由供應處理溶液至晶圓10來乾燥該晶圓10。處理溶液供應部400包括：處理溶液注入部410，其將處理溶液注入到晶圓10；第一移動部450，其水平地移動處理溶液注入部410；連接部460，其連接該處理溶液注入部410以及第一移動部450；第二移動部479，其垂直地移動該處理溶液注入部410。第一移動部450提供在處理容器100的上部上並且設置在處理溶液注入部410的上部上。連接部460連接到第一移動部450的第一部份，並且藉由自第一移動部450的底面延伸到下部而使連接部460與處理溶液注入部410結合。第二移動部470自第一移動部450的第二部份延伸，以面向連接部460並且安裝在處理容器100的外部。第二移動部470上下移動，以控制處理溶液注入部410以及晶圓10之間的分離距離。
處理溶液注入部410連接到化學溶液供應部510，以接收該處理溶液。處理溶液注入部410也連接到氣體供應部520，以接收一處理氣體。處理溶液以及處理氣體各包括異丙醇以及氮氣。處理溶液注入部410藉由同時注入處理氣體以及處理溶液來清潔晶圓10。處理溶液注入部410以及晶圓10之間的分離距離以及相對位置藉由第一移動部450以及第二移動部470來控制。從而，控制該處理溶液注入部410的注入位置。
此後，參考各圖式，詳細介紹處理溶液注入部410。
圖2是圖1中所示的處理溶液注入部的透視圖，圖3 是圖2中所示的注入噴嘴的橫截面圖。
參考圖1以及圖2，處理溶液注入部410包括第一供應噴嘴420、第二供應噴嘴430以及注入噴嘴440。
第一供應噴嘴420與注入噴嘴440的頂面結合並且連接到化學溶液供應部510。第一供應噴嘴420將處理溶液CL從化學溶液供應部510供應到注入噴嘴440。
第二供應噴嘴430是與注入噴嘴440的一側結合並且連接到氣體供應部520。第二供應噴嘴430將處理氣體CG從氣體供應部520供應到注入噴嘴440。
參考圖2以及圖3，注入噴嘴420包括接收該處理溶液CL的第一噴嘴部441以及接收該處理氣體CG的第二噴嘴部443。第一噴嘴部441呈圓柱形並且連接到第一供應噴嘴420。化學溶液流路441a形成在第一噴嘴部441中，其中自第一供應噴嘴420供應的處理溶液CL通過此化學溶液流路441a。第一注入孔441b形成在第一噴嘴部441的下部處。第一注入孔441b將注入到化學溶液流路441a中的處理溶液CL排放到外部。
第二噴嘴部443包圍第一噴嘴部441並且呈圓柱形。第二噴嘴部443的上部與第一噴嘴部441結合。第二噴嘴部443的一側連接到第二供應噴嘴430，以接收來自第二供應噴嘴430的處理氣體CG。第二噴嘴部443部份地自第一噴嘴部441分離，使得流動有處理氣體的氣體流路443a形成在第一噴嘴部441與第二噴嘴部443之間。第二注入孔443b形成在第二噴嘴部443的下部處。第二注入孔 443b形成為包圍第一注入孔441b的環形並且將注入到氣體流路443a中的處理氣體CG從第二供應噴嘴430排放到外部。
限定第二注入孔443b的第二噴嘴部443的下部彎向第一注入孔441b。因此，由於第二注入孔的寬度是小於氣體流路443a的寬度，第二注入孔443b中的處理氣體壓力CG高於氣體流路443a中的處理氣體壓力CG。而且，由於第二噴嘴部443的下部向內彎曲，因此自第二注入孔443b排放的處理氣體CG被導引至第一注入孔441b。
將自第二注入孔443b排放的處理氣體CG提供到自第一注入孔441b排放的處理溶液CL，並且將自第一注入孔441b排放的處理溶液CL分解成微小顆粒狀。將微小顆粒提供到晶圓10的表面，以乾燥該晶圓10。
圖4繪示了自圖3中所示的注入噴嘴注入一處理溶液的步驟。
參考圖1以及圖4，首先，晶圓10固定地設置在轉頭210上並且處理溶液注入部410設置在晶圓10的上方。
轉動軸220藉由驅動轉動電動機320而轉動並且轉頭210藉由轉動軸220的轉動動力而轉動，使得晶圓10轉動。處理溶液注入部410的第一供應噴嘴420接收來自化學供應部510的處理溶液CL並且將處理溶液提供到注入噴嘴440。
此注入噴嘴440將處理溶液CL注入到晶圓10以便乾燥該晶圓10，其中注入噴嘴440藉由同時排放該處理氣體 CG以及處理溶液CL而以微小顆粒狀轉動。
注入噴嘴440注入處理溶液CL以及處理氣體CG的過程如下。首先，將排放自化學供應部510的處理溶液CL提供到注入噴嘴440的第一噴嘴部441並且注入到第一噴嘴部441的化學溶液流路441a內。
將自氣體供應部520排放的處理氣體CG提供到注入噴嘴440的第二噴嘴部443並且注入到氣體流路443a內。
注入到化學溶液流路441a中的處理溶液CL透過第一注入孔441b而排放到外部。同時，注入到氣體流路443a中的處理氣體CG透過第二注入孔443b而排放到外部。自第一注入孔441b排放的處理溶液CL藉由處理氣體CG的壓力而分解成微小顆粒狀並且提供到晶圓10。結果，晶圓10被清潔。
當第二噴嘴部443排放該處理氣體CG時，由於第二噴嘴部443的下部向內彎曲，因此第二噴嘴部443朝向一定路徑而注入處理氣體CG，處理溶液CL自第一注入孔441b而排放至此路徑。因此，由於將處理氣體充足地提供到自第一注入孔441b排放的處理溶液，從而減小了處理溶液CL的微小顆粒的尺寸及數量並且增加了處理溶液CL的擴散率。因此，提高了晶圓10的清潔效率以及生產率並且降低了製造成本。
圖5是圖2中所示的另一類型的處理溶液注入部的橫截面圖，圖6以及圖7是圖5中所示的第一噴嘴部的俯視圖。具體而言，圖6是第一噴嘴部481的側視圖，圖7是 第一噴嘴部481的底面圖。
參考圖5以及圖6，處理溶液注入部490包括第一供應噴嘴420以及第二供應噴嘴430和注入噴嘴480。
第一供應噴嘴420接收來自化學溶液供應部510的處理溶液CL並且將處理溶液CL提供到注入噴嘴480。第二供應噴嘴430接收來自氣體供應部520的處理氣體CG並且將處理氣體CG提供到注入噴嘴480。
注入噴嘴480包括注入該處理溶液CL的第一噴嘴部481以及注入處理氣體CG的第二噴嘴部482。
更具體而言，第一噴嘴部481包括主體部481a以及氣體引導部481b。主體部481a呈圓柱形。主體部481a的上部連接到第一供應噴嘴420，以接收來自第一供應噴嘴420的處理溶液CL。自第一供應噴嘴420供應的處理溶液CL所通過的化學流路81a形成在主體部481a中。而且，第一注入孔81b形成在主體部481a的下部中。第一注入孔81b將注入到化學流路81a中的處理溶液CL排放到外部。
氣體引導部481b形成在主體部481a的下部。氣體引導部481b自主體部481a的外壁突出並且控制處理氣體流的多個導孔81c圍繞氣體引導部481b而形成。
第二噴嘴部483包圍第一噴嘴部481並且呈圓柱形形狀。第二噴嘴部483的上部與第一噴嘴部481結合。第二噴嘴部483的一側連接到第二供應噴嘴420，以接收來自第二供應噴嘴420的處理氣體CG。
而且，第二噴嘴部483部份地與第一噴嘴部481分離， 使得流有處理氣體CG的氣體流路83a形成在第一噴嘴部481以及第二噴嘴部483之間。第二注入孔形成在第二噴嘴部483的下部處。第二注入孔83b呈包圍第一注入孔81b的環形並且將注入到氣體流路83a中的處理氣體CG從第二供應噴嘴430排放到外部。
氣體引導部481b設置成與第二注入孔83b相鄰並且與第二噴嘴部483的內壁結合。注入到氣體流路83a中的處理氣體在經由氣體引導部481b的導孔之後透過第二注入孔83b而排放到外部。
參考圖6以及圖7，各導孔設置成彼此分離。處理氣體CG沿導孔81c移動並透過第二注入孔83b而注入。由於導孔81c設置成相對於主體部481a的螺旋結構形狀，處理氣體CG流根據導孔81c的形狀而形成為螺旋結構形狀。
因此，由於自第二注入孔83b排放的處理氣體CG被引導至排放處理溶液CL的流路中，所以處理溶液CL分解成微小顆粒狀。將處理溶液CL的微小顆粒提供到晶圓10的表面，以乾燥該晶圓10。
由於處理氣體CG流藉由導孔81c而形成為螺旋形狀，因此該注入噴嘴480能夠最小化該處理溶液CL的微小顆粒的尺寸，使得處理溶液CL的擴散率增加。因此，注入噴嘴480可提高清潔效率以及晶圓10的產率並且減低製造成本。在本實施例中，導孔81c設置成螺旋結構形狀。然而，導孔81c可相對於主體部481a而成放射狀設置。
10‧‧‧晶圓
81a‧‧‧化學流路
81b‧‧‧第一注入孔
81c‧‧‧導孔
83a‧‧‧氣體流路
83b‧‧‧第二注入孔
100‧‧‧處理容器
110‧‧‧收集管
120‧‧‧收集管
130‧‧‧收集管
141‧‧‧第一收集線
143‧‧‧第二收集線
145‧‧‧第三收集線
200‧‧‧基板支撑構件
210‧‧‧轉頭
211‧‧‧卡盤插銷
220‧‧‧轉動軸線
230‧‧‧固定軸線
310‧‧‧垂直移動構件
320‧‧‧轉動電動機
400‧‧‧處理溶液供應部
410‧‧‧處理溶液注入部
420‧‧‧第一供應噴嘴
430‧‧‧第二供應噴嘴
440‧‧‧注入噴嘴
441‧‧‧第一噴嘴部
441a‧‧‧化學溶液流路
441b‧‧‧第一注入孔
443‧‧‧第二噴嘴部
443a‧‧‧氣體流路
443b‧‧‧第二注入孔443b
450‧‧‧第一移動部
460‧‧‧連接部460
470‧‧‧第二移動部
480‧‧‧注入噴嘴
481‧‧‧第一噴嘴部
481a‧‧‧主體部
481b‧‧‧氣體引導部
482‧‧‧第二噴嘴部
483‧‧‧第二噴嘴部
490‧‧‧處理溶液注入部
510‧‧‧化學溶液供應部
520‧‧‧氣體供應部
600‧‧‧基板處理裝置
CG‧‧‧處理氣體
CL‧‧‧處理溶液
RS1‧‧‧收集空間
RS2‧‧‧收集空間
RS3‧‧‧收集空間
圖1顯示了根據本發明的實施例的基板處理裝置。
圖2是圖1中所示的處理溶液注入部的透視圖。
圖3是圖2中所示的注入噴嘴的橫截面圖。
圖4顯示了自圖3中所示的注入噴嘴注入處理溶液的步驟。
圖5是圖2中所示的另一類型的處理溶液注入部的橫截面圖。
圖6以及圖7是圖5中所示的第一噴嘴部的俯視圖。
10‧‧‧晶圓
100‧‧‧處理容器
110‧‧‧收集管
120‧‧‧收集管
130‧‧‧收集管
141‧‧‧第一收集線
143‧‧‧第二收集線
145‧‧‧第三收集線
200‧‧‧基板支撐構件
210‧‧‧轉頭
211‧‧‧卡盤插銷
220‧‧‧轉動軸線
230‧‧‧固定軸線
310‧‧‧垂直移動構件
320‧‧‧轉動電機
400‧‧‧處理溶液供應部
410‧‧‧處理溶液注入部
450‧‧‧第一移動部
460‧‧‧連接部
470‧‧‧第二移動部
510‧‧‧化學溶液供應部
520‧‧‧氣體供應部
600‧‧‧基板處理裝置
RS1‧‧‧收集空間
RS2‧‧‧收集空間
RS3‧‧‧收集空間

Claims (6)

  1. 一種基板處理裝置，包括：支撐構件，在所述支撐構件上固定地設置有基板；以及處理溶液供應部，設置在所述支撐構件上方並且藉由將處理溶液以微小顆粒狀注入到設置在所述支撐構件上的所述基板上來乾燥所述基板，其中所述處理溶液供應部包括：第一供應噴嘴，接收所述處理溶液；第二供應噴嘴，接收處理氣體；以及注入噴嘴，藉由透過所述處理氣體來控制所述處理氣體流而將所述處理溶液分解成微小顆粒，使所述注入噴嘴同時地排放所述處理氣體以及所述處理溶液，所述注入噴嘴包括化學溶液流路以及包圍所述化學溶液流路的氣體流路，於所述化學溶液流路中所述處理溶液自所述第一供應噴嘴注入，於所述氣體流路中所述處理氣體自所述第二供應噴嘴注入；所述注入噴嘴包括：第一噴嘴部，於所述第一噴嘴部中形成有所述化學溶液流路以及排放所述處理溶液的第一注入孔，所述第一噴嘴部連接到所述第一供應噴嘴；以及第二噴嘴部，所述氣體流路形成在所述第一噴嘴部以及所述第二噴嘴部之間，並且形成了包圍所述第一注入孔的第二注入孔，以排放所述處理氣體，所述第二噴嘴部包 圍所述第一噴嘴部並且連接到所述第二供應噴嘴；其中，所述第一噴嘴部包括：主體部，於所述主體部中形成所述化學溶液流路以連接到所述第一供應噴嘴並且具有圓柱形形狀；以及氣體導向部，於所述氣體導向部中形成有改變所述處理氣體流的多個導孔，所述氣體導向部形成在所述主體部的外壁上，與所述第二噴嘴部的內壁結合，並且與所述第二注入孔相鄰而設置，且所述導孔定位成彼此分離並且設置成相對於所述主體部成螺旋結構狀、或者定位成彼此分離並且設置成相對於所述主體部成放射狀。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之基板處理裝置，其中本身形成有所述第二注入孔的所述第二噴嘴部的下部彎向所述第一噴嘴部。
  3. 一種處理基板的方法，其使用如申請專利範圍第1項所述之基板處理裝置，所述方法包括：將基板固定地設置在支撐構件上；將注入噴嘴設置在所述支撐構件的上部上；以及藉由透過所述注入噴嘴而將所述處理溶液以微小顆粒狀注入而乾燥所述基板，其中乾燥所述基板包括：將處理氣體注入到包圍所述化學溶液流路的所述注入噴嘴的氣體流路中並且將所述處理溶液注入到所述注入噴嘴的化學流路中；以及控制注入到所述氣體流路中的所述處理氣體流以將所 述處理氣體排放到所述基板，並且將所述化學溶液流路的所述處理溶液排放到所述基板來將所述處理溶液分解成微小顆粒狀。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之處理基板的方法，其中所述處理氣體注入到處理溶液中，所述處理溶液藉由控制氣體流而自所述注入噴嘴排放。
  5. 一種處理基板的方法，其使用如申請專利範圍第1項所述之基板處理裝置，所述方法包括：將基板固定地設置在支撐構件上；以及向所述基板提供異丙醇，以乾燥所述基板，其中使用處理氣體將所述異丙醇以噴灑狀而提供到所述基板。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之處理基板的方法，其中乾燥所述基板包括：將注入噴嘴設置在所述支撐構件的上部上；將所述異丙醇注入到所述注入噴嘴的化學流路內並且將所述處理氣體注入到包圍所述化學溶液流路的所述注入噴嘴的氣體流路內；以及控制注入到所述氣體流路中的所述處理氣體流以將所述處理氣體注入到所述基板內並且將所述化學溶液流路的所述異丙醇排放到所述基板以將所述異丙醇分解成微小顆粒狀。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102011078076A1 (de) * 2011-06-24 2012-12-27 Dürr Ecoclean GmbH Düsenmodul und Reinigungsvorrichtung mit Düsenmodul
US9378988B2 (en) * 2011-07-20 2016-06-28 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing apparatus and substrate processing method using processing solution
JP6789038B2 (ja) * 2016-08-29 2020-11-25 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP6938248B2 (ja) * 2017-07-04 2021-09-22 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09213772A (ja) * 1996-01-30 1997-08-15 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板保持装置
TW402737B (en) * 1997-05-27 2000-08-21 Tokyo Electron Ltd Cleaning/drying device and method
US5913981A (en) * 1998-03-05 1999-06-22 Micron Technology, Inc. Method of rinsing and drying semiconductor wafers in a chamber with a moveable side wall
US6280302B1 (en) * 1999-03-24 2001-08-28 Flow International Corporation Method and apparatus for fluid jet formation
TW504776B (en) * 1999-09-09 2002-10-01 Mimasu Semiconductor Ind Co Wafer rotary holding apparatus and wafer surface treatment apparatus with waste liquid recovery mechanism
US7021319B2 (en) * 2000-06-26 2006-04-04 Applied Materials Inc. Assisted rinsing in a single wafer cleaning process
US6863741B2 (en) * 2000-07-24 2005-03-08 Tokyo Electron Limited Cleaning processing method and cleaning processing apparatus
JP2002176026A (ja) * 2000-12-05 2002-06-21 Ses Co Ltd 枚葉式基板洗浄方法および枚葉式基板洗浄装置
JP3958539B2 (ja) * 2001-08-02 2007-08-15 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP4349606B2 (ja) * 2002-03-25 2009-10-21 大日本スクリーン製造株式会社 基板洗浄方法
JP4570008B2 (ja) * 2002-04-16 2010-10-27 東京エレクトロン株式会社 液処理装置および液処理方法
US6837253B1 (en) * 2002-04-22 2005-01-04 Imtec Acculine, Inc. Processing tank with improved quick dump valve
KR100935281B1 (ko) * 2003-03-06 2010-01-06 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 처리액 공급노즐 및 처리액 공급장치
US20040235308A1 (en) * 2003-05-22 2004-11-25 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate treatment method and sustrate treatment apparatus
US7181863B2 (en) * 2004-03-09 2007-02-27 Sez America, Inc. Wafer dryer and method for drying a wafer
JP2006128332A (ja) * 2004-10-28 2006-05-18 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JP4527660B2 (ja) * 2005-06-23 2010-08-18 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及び基板処理装置
JP2007157898A (ja) * 2005-12-02 2007-06-21 Tokyo Electron Ltd 基板洗浄方法、基板洗浄装置、制御プログラム、およびコンピュータ読取可能な記憶媒体
JP4442911B2 (ja) * 2007-03-19 2010-03-31 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
EP2229243A4 (en) * 2007-12-07 2012-11-21 Fontana Technology METHOD AND COMPOSITION FOR CLEANING DISCS

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