TWI388908B - Liquid crystal display device - Google Patents

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Yuko Kizu
Yukio Kizaki
Rei Hasegawa
Hirofumi Wakemoto
Kenji Nakao
Tetsuya Kojima
Tetsuo Fukami
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Toshiba Kk
Japan Display Central Inc
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Description

液晶顯示裝置
本發明是有關一種液晶顯示裝置。
在OCB(optically compensated bend)模式的液晶顯示裝置中，在液晶材料形成彎曲(bend)配向，在各配向膜附近改變液晶分子的傾斜角，藉此改變調光層的延遲(retardation)。OCB模式是得以實現優異之應答速度及視角特性的顯示模式之一，近年深受注目。
OCB模式，如上述，必須彎曲配向。但是，如下說明，難以穩定的得到彎曲配向。
亦即，在電源投入前的初期狀態，液晶材料形成飛沫(spray)配向。此乃由於原本飛沫配向與彎曲配向相比，更穩定。於是，起動顯示裝置之際，需要有用以由飛沫配向轉變成彎曲配向的處理。
對於發現該轉變，必須使液晶材料獲得比彎曲配向與飛沫配向之狀態電能差更大的電能。對該液晶材料供給電能，通常是藉由對液晶胞施加電壓進行。在該電能略等於先前之電能差的情形下，由飛沫配向轉變成彎曲配向的行進延遲。因此，實際上對該轉移需要施行非常高的電壓。又，該轉移過程，易受基板表面的形狀或電場分佈的影響。因此，在調光層中會殘留未轉變區域。
在JP-A 2001-83552(KOKAI)記載著為了解決此問 題，將畫素電極及/或配線圖案化成複雜的形狀，產生不均勻的電場。又，在JP-A 2006-154797(KOKAI)記載著使畫素電極的端面傾斜，藉此產生不均勻的電場。
若採用該等技術，在通常之溫度條件下，能利用施加較低的電壓，由飛沫配向高速的轉變成彎曲配向。但本發明人等發現在採用該等技術的情形下，亦有可能在接近動作保證範圍之下限的低溫，無法在調光層之一部分的區域進行轉變。
藉由本發明的第1觀點，提供一種液晶顯示裝置，係為包括：具備第1主面的第1絕緣基板；和覆蓋前述第1主面，用以規定平行於前述第1主面的配向方向、前述配向方向之一端側的上游側、前述配向方向之他端側的下游側，使液晶分子朝前述下游側傾倒的第1配向膜；和具備介設在前述第1絕緣基板與前述第1配向膜之間，設有包括向著前述上游側的第1邊緣的上游部分與包括向著前述下游側的第2邊緣且對前述第2邊緣凹陷的第1凹部的下游部分的第1電極的第1基板，其特徵為：前述第1凹部係具備：在前述下游部分形成朝前述配向方向延伸的第3邊緣、以及將前述第3邊緣連接到前述第2邊緣並且向著前述上游側的第4邊緣的第1基板；和包括：具備與前述第1配向膜相對的第2主面的第2絕緣基板、覆蓋前述第2主面的第2配向膜、以及介設在前述第2絕緣基板與前 述第2配向膜之間的第2電極的第2基板；和介設在前述第1及第2基板之間，含有液晶分子的調光層。
藉由本發明的第2觀點，提供一種液晶顯示裝置，係為包括：具備第1主面的第1絕緣基板；和覆蓋前述第1主面，用以規定平行於前述第1主面的配向方向、前述配向方向之一端側的上游側、前述配向方向之他端側的下游側，使液晶分子朝前述下游側傾倒的第1配向膜；和具備介設在前述第1絕緣基板與前述第1配向膜之間，包括向著前述上游側的第1邊緣的上游部分與包括向著前述下游側的第2邊緣以及自前述第2邊緣突出於前述下游側的第1凸部的下游部分的第1電極的第1基板，其特徵為：前述第1凸部係具備：在前述下游部分形成朝前述配向方向延伸的第3邊緣、以及將前述第3邊緣連接到前述第2邊緣並且向著前述上游側的第4邊緣的第1基板；和包括：具備與前述第1配向膜相對的第2主面的第2絕緣基板、覆蓋前述第2主面的第2配向膜、以及介設在前述第2絕緣基板與前述第2配向膜之間的第2電極的第2基板；和介設在前述第1及第2基板之間，含有液晶分子的調光層。
 〔用以實施發明的最佳形態〕
以下，針對本發明之形態，邊參照圖面、邊做詳細說明。再者，在各圖中，在發揮同樣或類似之機能的構成要 件，附上相同符號，重複的說明省略。
第1圖至第3圖所示的液晶顯示裝置，是OCB模式的主動陣列型液晶顯示裝置。再者，在第1圖中，省略後述的彩色濾光片。
該液晶顯示裝置包括：液晶顯示面板1、和設置成與此相對的背光(圖未示)。
液晶顯示面板1如第2圖及第3圖所示，包含：陣列基板的背面基板10、和對向基板的前面基板20。在背面基板10與前面基板20之間，夾介著框狀的接著劑層(圖未示)。包圍背面基板10與前面基板20的接著劑層的空間以液晶材料填滿，該液晶材料形成調光層30。在背光基板10及前面基板20的各外面上，依序配置有光學補償薄膜40及偏光板50。
背面基板10例如包括玻璃基板等的透明基板100。
在透明基板100上例如形成有SiNx層及/或SiO2 層等的下塗佈層101。
在下塗佈層101上配置著形成有源極及汲極的多晶矽層等的半導體層102。
半導體層102及下塗佈層101是以柵絕緣膜103覆蓋。柵絕緣膜103例如能使用TEOS(tetraethoxyorthosilane)形成。
在柵絕緣膜103上並置有第1圖及第3圖所示的掃瞄線104、第1圖及第2圖所示的閘極電極105、第1圖及第3圖所示的參考配線106。
掃瞄線104分別朝第1方向延伸，排列在與該第1方向交叉的第2方向。在第1圖中，掃瞄線104分別朝橫或行方向的X方向延伸，排列在縱或列方向的Y方向。掃瞄線104的材料可使用金屬材料。例如，掃瞄線104的材料可使用MoW。
閘極電極105如第1圖所示，設成作為掃瞄線104的一部分。又，閘極電極105如第2圖所示，夾介柵絕緣膜103，與半導體層102內的通道相對。閘極電極105、閘絕緣膜103及半導體層102，是作為配置在掃瞄線104與後述之信號線108之交叉部附近的切換元件110，構成薄膜電晶體。再者，在此雖是以薄膜電晶體舉例示範作為切換元件110，但也可使用二極體或MIM(Metal Insulator-Metal)元件等之其他元件。
參考配線106分別朝X方向延伸，排列在與該X方向交叉的Y方向。此例中，在每一條掃瞄線設置一條參考配線106。參考配線106例如可利用與掃瞄線104相同的製程形成。
閘絕緣膜103、掃瞄線104、閘極電極105及參考配線106如第2圖及第3圖所示，以層間絕緣膜107覆蓋。在層間絕緣膜107例如可使用SiO2 及/或SiNx等。
在層間絕緣膜107上如第1圖及第2圖所示，配置有信號線108與源極電極109。
信號線108分別朝上述的第2方向延伸，排列在上述的第1方向。在第1圖中，信號線108分別朝Y方向延伸 ，排列在X方向。信號線108的材料可使用金屬材料。例如在信號線108可採用Mo層、Al-Nd層及Mo層的三層構造。
在此例中，使用薄膜電晶體作為切換元件110，並且如第2圖所示，將信號線108經由設置在層間絕緣膜107的貫通孔，連接到薄膜電晶體110的汲極。亦即，在此例中，信號線108兼具汲極電極。
源極電極109的一端如第1圖及第2圖所示，經由設置在層間絕緣膜107的貫通孔，連接到薄膜電晶體110的源極。又，源極電極109的他端如第1圖及第3圖所示，夾介層間絕緣膜107，與參考配線106相對。亦即，在此例中，源極電極109、與參考配線106及層間絕緣膜107是構成電容器在該源極電極109例如可使用與信號線108相同的材料。
層間絕緣膜107、信號線108及源極電極109是以絕緣基層覆蓋。在此，雖是以鈍化膜111與彩色濾光片120構成絕緣基層作為一例，但鈍化膜111可省略。
鈍化膜111如第2圖及第3圖所示，覆蓋層間絕緣膜107、信號線108及源極電極109。在鈍化膜111例如可使用SiNx。
彩色濾光片120是包括吸收光譜互異的複數個著色層，例如綠色著色層G、藍色著色層B、紅色著色層R。該等著色層G、B、R，在此例中，分別如第3圖所示，具有朝Y方向延伸的帶狀，並且如第2圖所示，排列在X方 向，形成條形圖案。又，在此例中，該等著色層G、B、R如第2圖所示，配置成讓該等之間的邊界位在信號線108上。在著色層G、B、R例如可使用透明樹脂與染料及/或顏料的混合物。再者，在此雖將彩色濾光片120設置在背面基板10，但彩色濾光片120也可設置在前面基板20。
在彩色濾光片120上如第1圖至第3圖所示，對應於薄膜電晶體110，例如排列以ITO(indium tin oxide)等之透明導電體所形成的畫素電極130。該等畫素電極130如第1圖及第3圖所示，經由設置在鈍化膜111及彩色濾光片120的貫通孔，連接到源極電極109。畫素電極130的邊緣，與參考配線106和信號線108等的配線相對。於是能防止光線外漏。於後詳細說明有關畫素電極130的構造等。
畫素電極130及彩色濾光片120是以配向膜140覆蓋。配向膜140是用來規定配向方向與上游及下游側。配向方向是與基板100之配向膜140相對的主面平行的方向。在第1圖中，配向方向是以箭頭AD標示。上游側是配向方向的一端側，下游側是配向方向的他端側。在第1圖中，上游側是箭頭AD的後端側，下游側是箭頭AD的前端側。亦即，在第1圖中，上游側是左斜下方，下游側是右側上方。
配向膜140是將其附近的液晶分子300朝下游側傾倒。亦即，配向膜140是使液晶材料沿著配向方向AD傾斜 配向。
配向膜140是例如施行研磨等之配向處理的樹脂層。該樹脂層材料例如可使用聚醯亞胺。進行研磨作為配向處理的情形下，研磨開始側為上游側，研磨結束側為下游側。又，配向方向AD等同於研磨方向。
配向膜140也可為利用斜向蒸鍍形成的矽氧化物層。或者，配向膜140也可為在表面設有微細傾斜面之排列的層。或者，配向膜140也可為藉由從斜向對以光配向性樹脂所形成的層，照射紫外線所得到的。
前面基板20如第2圖及第3圖所示，例如包括玻璃基板等的透明基板200。基板200是設置成與形成背面基板10之配向膜140的面相對。
在與基板200的背面基板10之相對面，形成有共通電極230。在共通電極230例如可使用ITO等的透明導電體。
共通電極230是以配向膜240覆蓋。配向膜250是藉由圖未示的間隔件，自位在配向膜140中之畫素電極130上的部分分離。
配向膜240與配向膜140同樣的，是用來規定配向方向與上游及下游側。在此例中，配向膜240所規定的配向方向、上游及下游側，是等同於配向膜140所規定的配向方向、上游及下游側。
配向膜240是將其附近的液晶分子300朝下游側傾倒。亦即，配向膜240是使液晶材料沿著配向方向AD傾斜 配向。作為配向膜240，例如可使用與舉例示範有關配向膜140同樣的層。
在背面基板10與前面基板20之間，夾介著框狀的接著劑層(圖未示)。又，在背面基板10與前面基板20之間，在形成有接著劑層之框的內側，夾介著圖未示的粒狀間隔件。或者，在背面基板10與前面基板20的至少一邊的相對面，形成柱狀間隔件。該等間隔件是達到將以背面基板10、前面基板20及接著劑層包圍的空間保持既定厚度的作用。
調光層30包括介電質異方性及折射率異方性為正的液晶材料。該液晶材料是對畫素電極130與共通電極230之間施加電壓的期間，形成彎曲配向。明顯示與暗顯示的切換，是藉由典型上在大於零的第1值與大於第1值的第2值之間，切換施加於畫素電極130與共通電極230之間的電壓之絕對值進行。再者，在本形態中，第1值也可為零。以下，以施加電壓的絕對值為第1值的狀態稱為OFF狀態，以施加電壓的絕對值為第2值的狀態稱為ON狀態。
在第2圖及第3圖描繪在OFF狀態形成彎曲配向的液晶分子300。在ON狀態與OFF狀態相比，配向膜140及240附近的液晶分子300的傾斜角變得更大。
光學補償薄膜40，例如為雙軸性薄膜。光學補償薄膜40包括例如使射率異方性為負的單軸性化合物，例如盤形(discotic)液晶化合物高混合配向(hybrid orientation) 的光學異方性層。
包括基板100之光學補償薄膜40的單軸性化合物的光學軸，例如在基板100側，為大致與位在背面基板10附近的液晶分子300之ON狀態的光學軸平行，在其相反側，為大致與位置在背面基板10與前面基板20之中間的液晶分子300之ON狀態的光學軸平行。包括基板200之光學補償薄膜40的單軸性化合物的光學軸，例如在基板200側，為大致與位在背面基板20附近的液晶分子300之ON狀態的光學軸平行，在其相反側，為大致與位置在背面基板10與前面基板20之中間的液晶分子300之ON狀態的光學軸平行。該等光學補償薄膜40的延遲之和，例如大致等同於調光層30之ON狀態的延遲。
偏光板50例如配置成該等之透過軸大致互相的正交。又，各偏光板50例如配置成其透過軸對X方向及Y方向為約45°的角度。
圖未示的背光是設置成照明液晶顯示面板1的背面基板10。
再者，在此雖是說明在液晶顯示面板1進行常白驅動之情形的構造，但該液晶顯示面板也可設計成進行常黑驅動。又，在此雖是採用補償ON狀態的構造，但也可採用補償OFF狀態的構造。
其次，針對畫素電極130，邊參照第1圖、第4圖及第5圖、邊做說明。
如第1圖所示，在該液晶顯示裝置，畫素電極130具 有略長方形形狀。各畫素電極130包括上游部分與下游部分。上游部分包括向著上游側的邊緣。在第1圖中，畫素電極130之邊緣中，下側的邊緣與左側的邊緣是向著上游側。下游部分包括向著下游側的邊緣。在第1圖中，畫素電極130之邊緣中，上側的邊緣與右側的邊緣是向著下游側。
畫素電極130的下游部分如第1圖及第4圖所示，設有對右側的邊緣ER 凹陷的凹部RD 。凹部RD 是在下游部分形成朝配向方向AD延伸的邊緣ER 1、和將邊緣ER 1連接到邊緣ER ，並且向著上游側的邊緣ER 2、和將邊緣ER 1連接到邊緣ER ，並且向著下游側的邊緣ER 3。
在畫素電極130的下游部分如第1圖及第5圖所示，更設有自右側的邊緣ER 突出於下游側的凸部PD 。再者，參考符號ER ’為邊緣ER 的彎曲部。凸部PD 是在下游部分形成朝配向方向AD延伸的邊緣EP 1、和將邊緣EP 1連接到邊緣ER ，並且向著上游側的邊緣EP 2、和將邊緣EP 1連接到邊緣ER ，並且向著下游側的邊緣EP 3。
若採用該構造，即使在低溫，亦能抑制在調光層30中產生未轉變區域。有關於此，邊參照第6圖至第9圖、邊說明。
第6圖及第7圖所示的構造，分別大致等同於第4圖及第5圖所示的構造。該液晶材料是對畫素電極130與共通電極230之間施加電壓的期間，形成彎曲配向。又，在第6圖至第9圖僅描繪液晶分子300之中，位在配向膜 140附近，亦即畫素電極130附近。
在調光層30之中，對應於畫素電極130之中央的區域，產生在畫素電極130與共通電極230之間的電力線垂直於基板100的主面。因此，電場會使液晶分子300垂直的配向於基板100的主面。亦即，電場會使液晶分子300配向成該長軸或分子軸垂直於基板100的主面。但如上述，配向膜140會使液晶分子300朝下游側傾倒。因而，在該區域，配向膜140附近的液晶分子300會稍微朝下游側傾倒。
在調光層30之其他區域，會產生已彎曲的電力線。已彎曲的電力線是在對畫素電極130之邊緣垂直的面內。而且該等電力線，會在配向膜140的附近，朝畫素電極130的外側傾倒。因而，在該區域，電場會使配向膜140附近的液晶分子300，在對畫素電極130之邊緣略垂直的面內，朝畫素電極130間的區域側傾倒。又，在該區域，配向膜140亦會使液晶分子300朝下游側傾倒。
配向膜140受到液晶分子300之配向的影響，大致是在面內的既定方向。對此，電場受到液晶分子300之力的大小及方向，是對應場所而變化。因此，配向膜140附近的液晶分子300，在充分離開畫素電極130的位置，由於電場的影響變弱，因此朝下游側的傾倒較大。而且，在畫素電極130的附近，配向膜140附近的液晶分子300，在對畫素電極130之邊緣略垂直的面內，朝畫素電極130間的區域側傾倒。
由此即可明白，在調光層30之中，配向膜140的附近鄰接著液晶分子300之方向不同的區域。在鄰接的區域間，液晶分子之方向相異愈大，該等之邊界部的狀態能量愈高。
調光層30之狀態能量不均勻的情形下，由飛沫配向轉變成彎曲配向，是從狀態能量最高的區域開始。而且，該狀態能量愈高，愈容易產生由飛沫配向轉變成彎曲配向。
若比較第6圖的構造與第8圖的構造，該等構造在畫素電極130包括邊緣ER 1、ER 3及ER 的這點上一致。
如上述，在畫素電極130的中央部上方，液晶分子300稍微朝下游側傾倒。又，因為邊緣ER 1與配向方向AD平行，所以使位在該附近的液晶分子300，在對畫素電極130之邊緣略垂直的面內，朝畫素電極130間的區域側傾倒。其結果，在邊緣ER 1附近形成有液晶分子300的方位向著X方向，朝順時針旋轉改變的扭轉(twist)配向。但採用第8圖構造的情形下，該扭轉角最大90°。
第6圖的構造在畫素電極130包括邊緣ER 2的這點上與第8圖的構造不同。形成邊緣ER 2的電場，會加大邊緣ER 1附近之前面的扭轉角。因此，若採用第6圖的構造，會使其在邊緣ER 1及ER 2的附近，產生扭轉角超過90°之順時針旋轉的扭轉配向。
產生扭轉角超過90°的扭轉配向狹窄的區域內之情形下，該液晶排列應變顯著的提高先前區域的狀態能量。而 且，該扭轉配向與易於轉變成彎曲配向的180°扭轉配向類似。因此，採用第6圖之構造的情形，與採用第8圖之構造的情形相比，易產生由飛沫配向轉變成彎曲配向。
除此之外，採用第6圖之構造的情形下，在邊緣ER 2附近的區域與鄰接於此的畫素電極130之上方的區域，在液晶分子300垂直於邊緣ER 2的面內，能讓傾斜方位明顯不同。藉此，可讓不連續線(discrination line)DL產生在邊緣ER 2的附近。
不連續線DL及其附近的區域，幾乎沒有形成上述之扭轉配向的區域，狀態能量很高。而且，不連續線DL及其附近的區域，與形成上述之扭轉配向的區域相比差很遠。而且，該等區域互相鄰接。
因而，採用第6圖之構造的情形下，若在形成扭轉配向的區域產生轉變成彎曲配向，該彎曲配向的區域會快速的朝不連續線DL及其附近的區域擴大。因此，採用第6圖之構造的情形，與採用第8圖之構造的情形相比，在調光層30之中，對應於畫素電極130之下游側的區域，非常容易產生由飛沫配向轉變成彎曲配向。
其次，比對第7圖的構造與第9圖的構造。
採用該等構造的情形，在邊緣ER2附近，形成有逆時針旋轉的扭轉配向該等扭轉配向的扭轉角例如約90°。
如上述，在畫素電極130的中央部上方，液晶分子300稍微朝下游側傾倒。在第9圖的構造中，因為邊緣ER 3a向著下游側，所以形成邊緣ER 3a的電場不會大為改 變液晶分子300的方向。因此，採用第9圖之構造的情形，雖是在邊緣ER 3a的附近形成有順時針旋轉的扭轉配向，但僅該扭轉角大致在全區為小於90°，與邊緣ER 2連接的角部附近約90°。又，雖然朝向離開電極的方向，在X方向形成有逆時針旋轉的扭轉配向，但有關其扭轉角亦是同樣的。
對此，在第7圖的構造中，邊緣EP 1與配向方向AD平行。因此，採用第7圖之構造的情形，形成在邊緣EP 1附近的順時針旋轉的扭轉配向的扭轉角，在靠近邊緣EP 2的部分超過90°，在其他部分亦約為90°。雖然朝向電極的外側，在X方向形成有逆時針旋轉的扭轉配向，但有關其扭轉角亦是同樣的。
如此，採用第7圖之構造的情形下，能在整個廣大的區域形成扭轉角約為90°的扭轉配向，進而也能形成超過90°的扭轉配向。
因此，採用第9圖之構造的情形下，由飛沫配向轉變成彎曲配向，有可能會從前面的角部附近產生，該舉動很不穩定。對此，採用第7圖之構造的情形，能在更廣的區域，更穩定的產生由飛沫配向轉變成彎曲配向。
而且，採用第7圖之構造的情形，可讓不連續線DL產生在邊緣EP 2的附近。不連續線DL及其附近的區域，幾乎沒有形成上述之扭轉配向的區域，狀態能量很高。而且，不連續線DL及其附近的區域，與形成上述之扭轉配向的區域相比差很遠。而且，該等區域互相鄰接。
因而，採用第7圖之構造的情形下，若在形成前面之扭轉配向的區域產生轉變成彎曲配向，該彎曲配向的區域會快速的朝不連續線DL及其附近的區域擴大。因此，若採用第7圖之構造的情形，在調光層30之中，對應於畫素電極130之下游部分的區域，極易產生由飛沫配向轉變成彎曲配向。
如此，若在畫素電極130採用第6圖及第7圖所示之構造的至少一方，在調光層30之中，對應於畫素電極130之下游部分的區域，極易產生由飛沫配向轉變成彎曲配向。由飛沫配向轉變成彎曲配向，從下游側向著上游側擴大的速度會有加快的傾向。
又，在調光層30之中，對應於畫素電極130之上游部分的區域，在向著畫素電極130之上游側的邊緣附近，會在前面之邊緣的略整個長邊產生不連續線。因此，在調光層30之中，對應於畫素電極130之上游部分的區域，較易產生由飛沫配向轉變成彎曲配向。
亦即，若在畫素電極130採用第6圖及第7圖所示之構造的至少一方，在調光層30的整區，易產生由飛沫配向轉變成彎曲配向。因而，在低溫投入電源的情形下，能抑制在調光層30中產生未轉變區域。
其次，說明有關第2形態。
第10圖所示的液晶顯示裝置，是OCB模式的主動陣列型液晶顯示裝置。該液晶顯示裝置除了採用以下之構造外，大致與一面參照第1圖至第7圖、一面說明的液晶顯 示裝置相同。亦即，在該液晶顯示裝置中，使配向方向與X方向一致，如第11圖至第13圖所示，在向著畫素電極130之下游側的邊緣ER ，設置凸部PD 取代凹部RD ，在向著畫素電極130之上游側的邊緣EL ，設置凹部RU 。凹部RU 係在畫素電極130之上游部分形成，朝配向方向AD延伸的邊緣ER 4、和與上游側相對，並且將邊緣ER 4與邊緣EL 連接的邊緣ER 5a及ER 5b。而且，在該液晶顯示裝置中，省略信號線108的凸部。
採用此構造的情形，若與採用一面參照第1圖至第7圖、一面說明之構造的情形相同，在調光層30之中，對應於畫素電極130之下游部分的區域，極易產生由飛沫配向轉變成彎曲配向。
又，在調光層30之中，對應於畫素電極130之上游部分的區域，在向著畫素電極130之上游側的邊緣EL 、ER 5a及ER 5b附近，會在前面之邊緣的略整個長邊產生不連續線。而且，在邊緣ER 4附近，形成狀態能量高的扭轉配向。因此，若採用該構造，因與一面參照第6圖、一面說明的構造相同的理由，所以在調光層30之中，對應於畫素電極130之上游部分的區域，更易產生由飛沫配向轉變成彎曲配向。
亦即，若在畫素電極130採用第10圖至第13圖所示的構造，在調光層30的整區，更易產生由飛沫配向轉變成彎曲配向。因而，在低溫投入電源的情形下，能更有效的抑制在調光層30中產生未轉變區域。
又，在該液晶顯示裝置中，使設置在各畫素電極130之凸部PD 的一部分，位於設置在朝X方向與此鄰接的畫素電極130的凹部RU 的內側。因而，起因於設置凸部PD 之孔徑比(aperture ratio)降低小或者幾乎沒有。
其次，說明有關第3形態。
第14圖所示的液晶顯示裝置，是OCB模式的主動陣列型液晶顯示裝置。該液晶顯示裝置除了採用以下之構造外，大致與一面參照第1圖至第7圖、一面說明的液晶顯示裝置相同。亦即，在該液晶顯示裝置中，配向方向與AD與一面參照第1圖至第7圖、一面說明的液晶顯示裝置反向，將凹部RD 設置在畫素電極130的邊緣EL 取代設置在畫素電極130的邊緣ER 。而且，在畫素電極130的邊緣ER 設有，自邊緣ER 突出於上游側的凸部PU 。凸部PU 包括：朝配向方向AD延伸的邊緣EP 4、和將邊緣EP 4連接至邊緣ER ，並且向著上游側的邊緣EP 5。
採用此構造的情形，若與採用一面參照第1圖至第7圖、一面說明之構造的情形相同，在調光層30之中，對應於畫素電極130之下游部分的區域，極易產生由飛沫配向轉變成彎曲配向。
又，在調光層30之中，對應於畫素電極130之上游部分的區域，在向著畫素電極130之上游側的邊緣ER 及EP 5附近，會在前面之邊緣的略整個長邊產生不連續線。而且，在邊緣EP 4附近，形成狀態能量高的扭轉配向。因此，若採用該構造，因與一面參照第7圖、一面說明的構 造相同的理由，所以在調光層30之中，對應於畫素電極130之上游部分的區域，更易產生由飛沫配向轉變成彎曲配向。
亦即，若在畫素電極130採用第14圖及第15圖所示的構造，在調光層30的整區，更易產生由飛沫配向轉變成彎曲配向。因而，在低溫投入電源的情形下，能更有效的抑制在調光層30中產生未轉變區域。
而且，在該液晶顯示裝置中，設置在畫素電極130之下游部分的凹部RD 之尺寸，與設置在畫素電極130之上游部分的凸部PU 之尺寸相比更大。如上述，在調光層30之中，對應於畫素電極130之上游部分的區域，在向著畫素電極130之上游側的邊緣ER 及EP 5附近，會在前面之邊緣的略整個長邊產生不連續線。對此，在調光層30之中，對應於畫素電極130之下游部分的區域，只會在向著畫素電極130之上游側的邊緣ER 2附近產生不連續線。因此，在調光層30之中，對應於畫素電極130之下游部分的區域，與對應於上游部分的區域相比，難以產生由飛沫配向轉變成彎曲配向。若凹部RD 大於凸部PU ，與凹部RD 小於凸部PU 的情形或等同於該些尺寸之大小的情形相比，易產生由飛沫配向轉變成彎曲配向。
又，在該液晶顯示裝置中，使設置在各畫素電極130之凸部PU 的一部分，位於設置在朝X方向與此鄰接的畫素電極130的凹部RD 的內側。因而，起因於設置凸部PU 之孔徑比降低小或者幾乎沒有。
其次，說明有關第4形態。
第16圖所示的液晶顯示裝置，是OCB模式的主動陣列型液晶顯示裝置。在該液晶顯示裝置中，除了在畫素電極130的邊緣ER，設置凹部RU 取代凸部PU 以外，大致與一面參照第14圖及第15圖、一面說明的液晶顯示裝置相同。採用該構造的情形下，也在低溫投入電源的情形下，能更有效的抑制在調光層30中產生未轉變區域。
又，在該液晶顯示裝置中，在鄰接於X方向的畫素電極130間，不必使凹部RD 及RU 之Y方向的位置一致。亦即，採用該構造的情形下，設計自由度高。
再者，在該液晶顯示裝置中，凹部RD 的數量設定的比凹部RU 多。像這樣，藉由調整凹部RD 的數量與凹部RU 的數量之比，或者調整凹部RD 的尺寸與凹部RU 的尺寸之比，變得易於產生由飛沫配向轉變成彎曲配向。
又，在調光層30之中，對應於畫素電極130之上游部分的區域，在向著畫素電極130之上游側的邊緣ER 及ER 5附近，會在前面之邊緣的略整個長邊產生不連續線。而且，在邊緣ER 4附近，形成狀態能量高的扭轉配向。因此，若採用該構造，因與一面參照第7圖、一面說明的構造相同的理由，所以在調光層30之中，對應於畫素電極130之上游部分的區域，更易產生由飛沫配向轉變成彎曲配向。
其次，說明有關第5形態。
第18圖所示的液晶顯示裝置，是OCB模式的主動陣 列型液晶顯示裝置。該液晶顯示裝置除了採用以下之構造外，大致與一面參照第1圖至第7圖、一面說明的液晶顯示裝置相同。亦即，在該液晶顯示裝置中，對一面參照第1圖至第7圖、一面說明的液晶顯示裝置的配向方向AD，使配向方向AD在平行於Z方向的軸周旋轉90°。而且，在該液晶顯示裝置中，省略畫素電極130之右側的邊緣ER 至凸部PD ，進而在畫素電極130之下側的邊緣EB設置凸部PD 。
像這樣，若使配向方向AD 對略四角形的畫素電極130的邊傾斜，就能在畫素電極130之下游側的兩個邊設置凹部RD 及/或凸部PD 。亦即，可配置更多的凹部RD 及/或凸部PD 。因此，採用此構造的情形，與採用一面參照第1圖至第7圖、一面說明之構造的情形相比，在調光層30之中，對應於畫素電極130之下游部分的區域，更易產生由飛沫配向轉變成彎曲配向。因而，在低溫投入電源的情形下，能更有效的抑制在調光層30中產生未轉變區域。
其次，說明有關第6形態。
第21圖所示的液晶顯示裝置，是OCB模式的主動陣列型液晶顯示裝置。該液晶顯示裝置除了採用以下之構造外，大致與一面參照第1圖至第7圖、一面說明的液晶顯示裝置相同。亦即，在該液晶顯示裝置中，一面參照第第1圖至第7圖、一面說明的液晶顯示裝置，配向方向AD為逆向。而且，在該液晶顯示裝置中，在畫素電極130之 右側的邊緣ER 設置凹部RD 及凸部PD ，並且在畫素電極130之左側的邊緣EL 設置凹部RU 及凸部PU 。
再者，在第24圖及第26圖中，邊緣EP 2兼具邊緣ER 2。亦即，邊緣EP 2達到邊緣EP 2的作用與邊緣ER 2作用。
採用此構造的情形，若與採用一面參照第1圖至第7圖、一面說明之構造的情形相同，在調光層30之中，對應於畫素電極130之下游部分的區域，極易產生由飛沫配向轉變成彎曲配向。因此，若採用此構造的情形，在調光層30之中，對應於畫素電極130之上游部分的區域，亦極易產生由飛沫配向轉變成彎曲配向。亦即，採用第21圖至第26圖所示之構造的情形，在調光層30的整區，更易產生由飛沫配向轉變成彎曲配向。因而，在低溫投入電源的情形下，能更有效的抑制在調光層30中產生未轉變區域。
又，在該液晶顯示裝置中，如第24圖及第26圖所示，在向著畫素電極130的下游側的邊緣ER ，設置凹部RD 及凸部PD 之兩者。而且，使凹部RD 和凸部PD 相鄰。如此一來，與在邊緣ER 只設置凹部RD 及凸部PD 之一者的情形相比，能以更高的密度配置凹部RD 及凸部PD 。
在上述之液晶顯示裝置中，只要邊緣EP 1及ER 1與配向方向AD大致平行，不完全平行亦可。同樣的，只要邊緣ER 4與配向方向AD大致平行，不完全平行亦可。各個邊緣EP 1、ER 1以及ER 4對配向方向AD所呈的角度，例 如為-15°至+15°之範圍內即可，典型上為-5°至+5°之範圍內。
雖然配向方向AD與邊緣ER 2所呈的角度，理論上為大於0°，且小於180°即可，但典型上為45°至135°之範圍內。又，雖然配向方向AD與邊緣EP 2所呈的角度，理論上為大於0°，且小於180°即可，但典型上為30°至150°之範圍內。°該等角度較小或較大的情形下，難以產生不連續線DL。
邊緣ER 1的長度，例如為1μm以上，典型上為3μm以上。又，邊緣EP 1的長度，例如為1μm以上，典型上為3μm以上。邊緣ER 1或EP 1較短的情形下，難以產生上述的扭轉配向。
邊緣ER 1的長度，例如為平行畫素電極130之邊緣ER 1尺寸的一半以下，典型上為20μm以下。又，邊緣EP 1的長度，例如為平行畫素電極130之邊緣EP 1尺寸的一半以下，典型上為20μm以下。邊緣ER 1或EP 1較長的情形下，難以實現較大的孔徑比。
邊緣ER 2的長度，例如為1μm以上，典型上為3μm以上。又，邊緣EP 2的長度，例如為1μm以上，典型上為3μm以上。邊緣ER 2或EP 2較短的情形下，並不會產生足夠長度的不連續線DL。
邊緣ER 2的長度，例如為平行畫素電極130之邊緣ER 2尺寸的一半以下，典型上為20μm以下。又，邊緣EP 2的長度，例如為平行畫素電極130之邊緣EP 2尺寸的一半 以下，典型上為20μm以下。邊緣ER 2或EP 2較長的情形下，難以實現較大的孔徑比。
畫素電極130亦可依序以具有錐狀之斷面形狀的方式，使端面傾斜。如此一來，能更有效的抑制在調光層30中產生未轉換區域。此種畫素電極130，例如藉由在導電層上形成光阻圖案，且以該光阻圖案作為蝕刻掩膜(etching mask)使用的適當條件為基礎，來濕式蝕刻導電層所得到。
在上述的液晶顯示裝置可做各種變形。
例如可以凸部PD 來置換凹部RD 的至少一部分，也可以凹部RD 來置換凸部PD 的至少一部分。又，可以凸部PU 來置換凹部RU 的至少一部分，也可以凹部RU 來置換凸部PU 的至少一部分。
又，雖然在前面的液晶顯示裝置中，採用主動陣列驅動方式，但可採用其他的驅動方式。例如也可採用單純陣列驅動方式或扇形驅動方式。
以下，針對本發明的範例做說明。
(範例1)
在本例中，藉由以下方法來製造一面參照第1圖至第7圖、一面說明的OCB模式的液晶顯示裝置。再者，在本例中，未在背面基板10的外面設置光學補償薄膜40，只在前面基板20的外面設置光學補償薄膜40。
首先，在厚度05mm的玻璃基板100上，形成由下塗 佈層101至畫素電極130的構造。在該構造之上，依序形成SiO2 層與壓克力樹脂層。又，在在厚度0.5mm的玻璃基板200上，形成共通電極230。
在此，畫素電極130為略長方形，其X方向的間距為82μm，Y方向的間距為246μm。在各畫素電極130的邊緣ER 設置四個凹部RD 與一個凸部PD 。
邊緣ER 1的長度為7μm，邊緣ER 2的長度為5μm，邊緣ER 3的長度為10μm。邊緣ER 1對X方向所呈的角度為45°，邊緣ER 2及邊緣ER 3對X方向形成平行。
邊緣EP 1的長度為7μm，邊緣EP 2的長度為5μm，邊緣ER ’的長度為7μm。邊緣EP 1對X方向所呈的角度為45°，邊緣ER ’對邊緣EP 1形成垂直，邊緣EP 2及邊緣EP 3對X方向形成平行。
其次，藉由將JSR公司製的奧圖碼(OPTOMA)AL3456，旋塗在各個平坦化層及共通電極230之上，形成厚度0.1μm的聚醯亞胺樹脂層。對各聚醯亞胺樹脂層，沿著第1圖所示的配向方向AD施行刷磨(rubbing)處理。如此製作得到配向膜140及240。
其次，在背面基板10的主面，以包圍配向膜140的方式，分配熱硬化性接著劑。在形成該接著劑層的框，設置作為液晶注入口利用的開口部。暫時乾燥接著劑後，在轉移墊(圖未示)上分配銀膏。
其次，在配向膜240上，散佈直徑7.0μm的粒狀間隔件。雖然在此散佈粒狀間隔件作為間隔件，但也可使用感 光性樹脂形成柱狀間隔件取代於此。
然後，以配向膜140及240相對，且該等之刷磨方位相等的方式，貼合背面基板10與前面基板20，且將此加熱。如以上製作得到空晶胞(cell)。
其次，在該空晶胞內，藉由浸塗法注入介電質異方性為正的向列型液晶化合物。
接著，在液晶注入口分配紫外線硬化樹脂，對此照射紫外線。進而，在背面基板10的外面黏貼偏光板50，並月在前面基板20的外面依序黏貼光學補償薄膜40及偏光板50。
再者，在此使用的光學補償薄膜40，係包括以在該光學軸垂直於X方向的面內改變浸塗液晶化合物的方式，使其彎曲配向的光學異方性層。該光學補償薄膜40的最大主法線速度方向與厚度方向平行，最小主法線速度方向與X方向平行，剩下的主法線速度方向與Y方向平行。
將按此所得到的液晶顯示面板1與背光元件(圖未示)等組合，藉此完成一面參照第1圖至第7圖、一面說明的液晶顯示裝置。
將該液晶顯示裝置設置在溫度調節器內，其內部溫度設置在-20℃。其次，一面使用顯微鏡來觀察畫素、一面對液晶顯示裝置投入電源。具體上，對畫素電極130與共通電極230之間施加±15V的交游電壓，並且對畫素電極130與信號線108之間施加±5V的交游電壓。其結果，在一個畫素由表示飛沫配向的著色狀態變成表示彎曲配向的 無色狀態，所需要時間的平均值為2.0秒。又，在畫面整體完成呈色變化前，平均所需要的時間為2.5秒。
再者，該所需要的時間是配合畫素的尺寸而變化。又，該所需要的時間亦依存於使用的液晶材料之粘度。例如，若使用粘度更低的液晶材料，前面所需要的時間縮短。進而，該所需要的時間亦依存於測定條件。例如，前面所需要的時間，以更低的溫度測定時間變長，施加更高的電壓時間變短。
(範例2)
在本例中，藉由以下方法來製造一面參照第10圖至第13圖、一面說明的液晶顯示裝置。亦即，在畫素電極130採用第10圖至第13圖所示的構造，並且使配向方向AD對X方向形成平行。除此以外，藉由與範例1說明相同的方法來製造液晶顯示裝置。
在此，畫素電極130為略長方形，其X方向及Y方向的間距與範例1相同。在各畫素電極130，在邊緣ER 設置五個凸部PD ，在邊緣EL 設置四個凹部RD 。
在第11圖所示凸部PD ，邊緣EP 1的長度為7μm，邊緣EP 2的長度為20μm，邊緣EP 3a的長度為7μm，邊緣EP 3b的長度為7μm。邊緣EP 1對X方向形成平行，邊緣EP 2及EP 3b對X方向所呈的角度為45°，邊緣EP 3a對Y方向形成平行。
在第12圖所示凸部PD ，邊緣EP 1的長度為5μm，邊 緣EP 2的長度為7μm，邊緣EP 3a的長度為5μm，邊緣EP 3b的長度為14μm。邊緣EP 1對X方向形成平行，邊緣EP 2及EP 3b對X方向所呈的角度為45°，邊緣EP 3a對Y方向形成平行。
在第12圖所示凹部RU ，邊緣ER 4的長度為7.5μm，邊緣ER 5a的長度為13.5μm，邊緣ER 5b的長度為10.5μm。邊緣ER 4對X方向形成平行，邊緣ER 5a對Y方向形成平行，邊緣ER 5對X方向所呈的角度為45°。
在第13圖所示凸部PD ，邊緣EP 1的長度為5μm，邊緣EP 2的長度為7μm，邊緣EP 3a的長度為5μm，邊緣EP 3b的長度為14μm。邊緣EP 1對X方向形成平行，邊緣EP 2及EP 3b對X方向所呈的角度為45°，邊緣EP 3a對Y方向形成平行。
在第13圖所示凹部RU ，邊緣ER 4的長度為7.5μm，邊緣ER 5的長度為10μm。邊緣ER 4對X方向形成平行，邊緣ER 5對Y方向形成平行。
在該液晶顯示裝置中，藉由與範例1所實施相同的方法來測定由飛沫配向狀態轉變成彎曲配向狀態之轉變所需要的時間。其結果，在一個畫素由著色狀態變成表示無色狀態，所需要時間的平均值為1.1秒。又，在畫面整體完成呈色變化前，平均所需要的時間為1.3秒。
(範例3)
在本例中，藉由以下方法來製造一面參照第14圖及 第15圖、一面說明的液晶顯示裝置。亦即，在畫素電極130採用第14圖及第15圖所示的構造，並且使配向方向AD在平行於Z方向的軸周旋轉180°。除此以外，藉由與範例1說明相同的方法來製造液晶顯示裝置。
在此，畫素電極130為略長方形，其X方向及Y方向的間距與範例1相同。在各畫素電極130，在邊緣ER 設置三個凸部PU ，在邊緣EL設置三個凹部RD 。
在各凹部RD ，邊緣ER 1的長度為10μm，邊緣ER 2的長度為5μm，邊緣ER 3的長度為12μm。邊緣ER 1對X方向所呈的角度為45°，邊緣ER 2及邊緣ER 3對X方向形成平行。
又，在凸部PU ，邊緣EP 4的長度為7μm，邊緣EP 5的長度為5μm。邊緣EP 4對X方向所呈的角度為45°，邊緣EP 5對X方向形成平行。
在該液晶顯示裝置中，藉由與範例1所實施相同的方法來測定由飛沫配向狀態轉變成彎曲配向狀態之轉變所需要的時間。其結果，在一個畫素由著色狀態變成表示無色狀態，所需要時間的平均值為1.3秒。又，在畫面整體完成呈色變化前，平均所需要的時間為1.5秒。
(範例4)
在本例中，藉由以下方法來製造一面參照第16圖及第17圖、一面說明的液晶顯示裝置。亦即，在畫素電極130採用第16圖及第17圖所示的構造，並且使配向方向 AD為逆向。除此以外，藉由與範例1說明相同的方法來製造液晶顯示裝置。
在此，畫素電極130為略長方形，其X方向及Y方向的間距與範例1相同。在各畫素電極130，在邊緣ER 設置三個凹部RU ，在邊緣EL 設置四個凹部RD 。
在各凹部RD ，邊緣ER 1的長度為7μm，邊緣ER 2的長度為5μm，邊緣ER 3的長度為10μm。邊緣ER 1對X方向所呈的角度為45°，邊緣ER 2及ER 3對X方向形成平行。
又，在凹部RU ，邊緣ER 4的長度為7μm，邊緣ER 5的長度為5μm。邊緣ER 4對X方向所呈的角度為45°，邊緣ER 5對X方向形成平行。
在該液晶顯示裝置中，藉由與範例1所實施相同的方法來測定由飛沫配向狀態轉變成彎曲配向狀態之轉變所需要的時間。其結果，在一個畫素由著色狀態變成表示無色狀態，所需要時間的平均值為1.1秒。又，在畫面整體完成呈色變化前，平均所需要的時間為1.3秒。
(範例5)
在本例中，藉由以下方法來製造一面參照第18圖至第20圖、一面說明的液晶顯示裝置。亦即，在畫素電極130採用第18圖至第20圖所示的構造，並且使配向方向AD在平行於Z方向的軸周旋轉90°。除此以外，藉由與範例1說明相同的方法來製造液晶顯示裝置。
在此，畫素電極130為略長方形，其X方向及Y方向的間距與範例1相同。在各畫素電極130，在邊緣ER設置三個凹部RD ，在邊緣EL 設置兩個凸部PD 。
在各凹部RD ，邊緣ER 1的長度為7μm，邊緣ER 2的長度為5μm，邊緣ER 3的長度為10μm。邊緣ER 1對X方向所呈的角度為45°，邊緣ER 2及ER 3對X方向形成平行。
在各凸部PD ，邊緣EP 1的長度為7μm，邊緣EP 2的長度為5μm，邊緣EP 3的長度為10μm。邊緣EP 1對X方向所呈的角度為45°，邊緣EP 2及EP 3對Y方向形成平行。
在該液晶顯示裝置中，藉由與範例1所實施相同的方法來測定由飛沫配向狀態轉變成彎曲配向狀態之轉變所需要的時間。其結果，在一個畫素由著色狀態變成無色狀態，所需要時間的平均值為1.6秒。又，在畫面整體完成呈色變化前，平均所需要的時間為2.0秒。
(範例6)
在本例中，藉由以下方法來製造一面參照第21圖至第26圖、一面說明的液晶顯示裝置。亦即，在畫素電極130採用第22圖至第26圖所示的構造，並且使配向方向AD在平行於Z方向的軸周旋轉180°。除此以外，藉由與範例1說明相同的方法來製造液晶顯示裝置。
在此，畫素電極130為略長方形，其X方向及Y方向的間距與範例1相同。在各畫素電極130，在邊緣ER 設 置兩個凸部PU 與兩個凹部RU ，在邊緣EL 設置三個凹部RD 與五個凹部RD 。
具體上，在第22圖所示的構造，邊緣EP 1的長度為5.5μm，邊緣EP 2的長度為20μm，邊緣EP 3a的長度為5μm，邊緣EP 3b的長度為15.5μm。邊緣EL ’的長度為3μm，邊緣ER ’的長度為4μm。邊緣EP 1及EL ’對X方向所呈的角度為45°，邊緣EP 2、邊緣EP 3b及ER ’是與邊緣EP 1及EL ’正交，邊緣邊緣EP3a對Y方向形成平行。
在第23圖所示的構造，邊緣ER 1的長度為5.5μm，邊緣ER 3a的長度為3μm，邊緣ER 3b的長度為3μm，邊緣EP 4的長度為11μm，邊緣EP 5的長度為8μm，邊緣ER ’的長度為4μm。邊緣ER 1及EP 4對X方向所呈的角度為45°，邊緣ER 3b及ER ’是與邊緣ER 1及EP 4正交，邊緣ER 3a對Y方向形成平行，邊緣EP 5對X方向形成平行，。
在第24圖所示的構造，邊緣ER 1的長度為1μm，邊緣ER 2的長度為5.5μm，邊緣ER 3及ER 3a的長度為2μm，邊緣ER 3b的長度為5.5μm，邊緣EP 1的長度為1μm，邊緣EP 2的長度為9.5μm，邊緣EP 3a的長度為4μm，邊緣EP 3b的長度為11μm，邊緣ER 4的長度為4μm，邊緣EP 5a的長度為8μm，邊緣ER 5b的長度為4μm。邊緣ER 1、EP 1及ER 4對X方向所呈的角度為45°，邊緣EP 2、ER 3b、邊緣EP 3b及ER 5b是與邊緣ER 1、EP 1及ER 4正交，邊緣ER 3、ER 3a、EP 3a及ER5a與Y方向平行。
在第25圖所示的構造，邊緣ER 1的長度為5.5μm，邊緣ER 3a的長度為5μm，邊緣ER 3b的長度為4μm，邊緣EP 4的長度為11μm，邊緣EP 5的長度為5μm，邊緣ER ’的長度為4μm。邊緣ER 1及EP 4對X方向所呈的角度為45°，邊緣ER ’是與邊緣ER 1及EP 4正交，邊緣ER 3a對Y方向形成平行，邊緣ER 3b及EP 5對X方向形成平行。
在第26圖所示的構造，邊緣ER 1的長度為1μm，邊緣ER 3的長度為2μm，邊緣ER 3b的長度為5.5μm，邊緣EP 1的長度為1μm，邊緣EP 2的長度為9.5μm，邊緣EP 3a的長度為4μm，邊緣EP 3b的長度為11μm，邊緣ER 4的長度為4μm，邊緣ER 5a的長度為8μm，邊緣ER 5b的長度為4μm。邊緣ER 1、EP 1及ER 4對X方向所呈的角度為45°，邊緣ER 3b、EP 2、邊緣EP 3b及ER 5b是與邊緣ER 1、EP 1及ER 4正交，邊緣ER 3a、EP 3a及ER 5a與Y方向平行。
在該液晶顯示裝置中，藉由與範例1所實施相同的方法來測定由飛沫配向狀態轉變成彎曲配向狀態之轉變所需要的時間。其結果，在一個畫素由著色狀態變成表示無色狀態，所需要時間的平均值為1.1秒。又，在畫面整體完成呈色變化前，平均所需要的時間為1.3秒。
進一步的利益及變形，業者很容易完成。因此，本發明在其更廣的面上，儘可能不限於在此所記載的特定記載或代表性的形態。因而，在包括因所附加的申請專利範圍及其等價物所規定的本發明之概念的真意或不脫離範圍的範圍內，可做各種變形。
1‧‧‧液晶顯示面板
10‧‧‧背面基板
20‧‧‧前面基板
30‧‧‧調光層
40‧‧‧光學補償薄膜
50‧‧‧偏光板
100‧‧‧透明基板
101‧‧‧下塗佈層
102‧‧‧半導體層
103‧‧‧閘極絕緣膜
104‧‧‧掃瞄線
105‧‧‧閘極電極
106‧‧‧參考配線
107‧‧‧層間絕緣膜
108‧‧‧信號線
109‧‧‧源極電極
110‧‧‧切換元件(薄膜電晶體)
111‧‧‧鈍化膜
120‧‧‧彩色濾光片
130‧‧‧畫素電極
140、240‧‧‧配向膜
200‧‧‧透明基板
230‧‧‧共通電極
300‧‧‧液晶分子
AD‧‧‧配向方向
EP 1、EP 2、EP 3、EP 4、EP 5‧‧‧邊緣
EP 3a、EP 3b‧‧‧邊緣
ER 、ER ’‧‧‧邊緣
EL ‧‧‧邊緣
ER 1、ER 2、ER 3、ER 4、ER 5‧‧‧邊緣
ER 3a、ER 3b、ER 5a、ER 5b‧‧‧邊緣
RD 、RU ‧‧‧凹部
PD 、PU ‧‧‧凸部
DL‧‧‧不連續線(discrination line)
第1圖是概略表示有關第1形態的液晶顯示裝置之俯視圖。
第2圖是沿著第1圖之液晶顯示裝置之II-II線的剖面圖。
第3圖是沿著第1圖之液晶顯示裝置之III-III線的剖面圖。
第4圖是放大表示第1圖至第3圖所示的液晶顯示裝置之一部分的俯視圖。
第5圖是放大表示第1圖至第3圖所示的液晶顯示裝置之其他部分的俯視圖。
第6圖是概略表示第1圖至第3圖所示的液晶顯示裝置所產生的初期轉變之一例的俯視圖。
第7圖是概略表示第1圖至第3圖所示的液晶顯示裝置所產生的初期轉變之其他例的俯視圖。
第8圖是概略表示有關一參考例的液晶顯示裝置所產生的初期轉變之俯視圖。
第9圖是概略表示有關其他參考例的液晶顯示裝置所產生的初期轉變之俯視圖。
第10圖是概略表示有關第2形態的液晶顯示裝置之俯視圖。
第11圖是放大表示第10圖所示的液晶顯示裝置之一部分的俯視圖。
第12圖是放大表示第10圖所示的液晶顯示裝置之其他部分的俯視圖。
第13圖是放大表示第10圖所示的液晶顯示裝置之另一部分的俯視圖。
第14圖是概略表示有關第3形態的液晶顯示裝置之俯視圖。
第15圖是放大表示第14圖所示的液晶顯示裝置之一部分的俯視圖。
第16圖是概略表示有關第4形態的液晶顯示裝置之俯視圖。
第17圖是放大表示第16圖所示的液晶顯示裝置之一部分的俯視圖。
第18圖是概略表示有關第5形態的液晶顯示裝置之俯視圖。
第19圖是放大表示第18圖所示的液晶顯示裝置之一部分的俯視圖。
第20圖是放大表示第18圖所示的液晶顯示裝置之其他部分的俯視圖。
第21圖是概略表示有關第6形態的液晶顯示裝置之俯視圖。
第22圖是放大表示第21圖所示的液晶顯示裝置之一部分的俯視圖。
第23圖是放大表示第21圖所示的液晶顯示裝置之其他部分的俯視圖。
第24圖是放大表示第21圖所示的液晶顯示裝置之又另一部分的俯視圖。
第25圖是放大表示第21圖所示的液晶顯示裝置之又另一部分的俯視圖。
第26圖是放大表示第21圖所示的液晶顯示裝置之又另一部分的俯視圖。
108‧‧‧信號線
130‧‧‧畫素電極
AD‧‧‧配向方向
ER ‧‧‧第2邊緣
ER 1、ER 2、ER 3‧‧‧邊緣
RD ‧‧‧凹部

Claims (15)

  1. 一種液晶顯示裝置，係OCB模式之液晶顯示裝置，其特徵為具備：包括：具備第1主面的第1絕緣基板；和覆蓋前述第1主面，用以規定平行於前述第1主面的配向方向、前述配向方向之一端側的上游側、前述配向方向之他端側的下游側，使液晶分子朝前述下游側傾倒的第1配向膜；和具備介設在前述第1絕緣基板與前述第1配向膜之間，設有包括向著前述上游側的第1邊緣的上游部分與包括向著前述下游側的第2邊緣且對前述第2邊緣凹陷的第1凹部的下游部分的第1電極的第1基板，前述第1凹部包含在前述下游部分形成朝前述配向方向延伸的第3邊緣、以及將前述第3邊緣的下游側端部連接到前述第2邊緣的第4邊緣，而前述第3邊緣與第4邊緣連接而成的圖形，在從藉由前述第1電極的輪廓所包圍的區域的內側來看的場合是往內側凹入的第1基板；和包括：具備與前述第1配向膜相對的第2主面的第2絕緣基板、覆蓋前述第2主面的第2配向膜、以及介設在前述第2絕緣基板與前述第2配向膜之間的第2電極的第2基板；和介設在前述第1及第2基板之間，含有液晶分子的調光層。
  2. 如申請專利範圍第1項所記載的顯示裝置，其中，前述上游部分更包括自前述第1邊緣突出於前述上游 側，並且包括朝前述配向方向延伸的邊緣的凸部。
  3. 如申請專利範圍第2項所記載的顯示裝置，其中，前述第1凹部與前述凸部相比，尺寸更大。
  4. 如申請專利範圍第2項所記載的顯示裝置，其中，前述凸部的一部分，係位於前述第1凹部的內側。
  5. 如申請專利範圍第1項所記載的顯示裝置，其中，在前述上游部分設有包括對前述第1緣凹陷，並且朝前述配向方向延伸的邊緣的第2凹部。
  6. 如申請專利範圍第5項所記載的顯示裝置，其中，前述第1凹部與前述第2凹部相比，尺寸更大。
  7. 如申請專利範圍第1項所記載的顯示裝置，其中，前述第1電極具有在長邊設有前述第1凹部的長方形狀。
  8. 如申請專利範圍第1項所記載的顯示裝置，其中，前述第1電極具有在鄰接的一對邊的至少一方，設有前述第1凹部的四角形狀，前述一對的邊於前述下游側形成突出角部。
  9. 一種液晶顯示裝置，係OCB模式之液晶顯示裝置 ，其特徵為具備：包括：具備第1主面的第1絕緣基板；和覆蓋前述第1主面，用以規定平行於前述第1主面的配向方向、前述配向方向之一端側的上游側、前述配向方向之他端側的下游側，使液晶分子朝前述下游側傾倒的第1配向膜；和具備介設在前述第1絕緣基板與前述第1配向膜之間，且包括向著前述上游側的第1邊緣的上游部分與包括向著前述下游側的第2邊緣以及自前述第2邊緣突出於前述下游側的第1凸部的下游部分的第1電極的第1基板，前述第1凸部包含在前述下游部分形成朝前述配向方向延伸的第3邊緣、以及將前述第3邊緣的上游側端部連接到前述第2邊緣的第4邊緣，而前述第3邊緣與第4邊緣連接而成的圖形，在從藉由前述第1電極的輪廓所包圍的區域的內側來看的場合是往外側凸出的第1基板；和包括：具備與前述第1配向膜相對的第2主面的第2絕緣基板、覆蓋前述第2主面的第2配向膜、以及介設在前述第2絕緣基板與前述第2配向膜之間的第2電極的第2基板；和介設在前述第1及第2基板之間，含有液晶分子的調光層。
  10. 如申請專利範圍第9項所記載的顯示裝置，其中，在前述上游部分設有包括對前述第1緣凹陷，並且朝前述配向方向延伸的邊緣的凹部。
  11. 如申請專利範圍第10項所記載的顯示裝置，其中，前述第1凸部與前述凹部相比，尺寸更大。
  12. 如申請專利範圍第9項所記載的顯示裝置，其中，前述上游部分更包括自前述第1邊緣突出於前述上游側，並且包括朝前述配向方向延伸的邊緣的第2凸部。
  13. 如申請專利範圍第12項所記載的顯示裝置，其中，前述第1凸部與前述第2凸部相比，尺寸更大。
  14. 如申請專利範圍第9項所記載的顯示裝置，其中，前述第1電極具有在長邊設有前述第1凸部的長方形狀。
  15. 如申請專利範圍第9項所記載的顯示裝置，其中，前述第1電極具有在鄰接的一對邊的至少一方，設有前述第1凸部的四角形狀，前述一對的邊於前述下游側形成突出角部。
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