TWI384647B - 光電組件 - Google Patents

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Alexander Heindl
Stefan Illek
Andreas Ploessl
Patrick Rode
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Osram Opto Semiconductors Gmbh
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Description

光電組件
本發明涉及一種光電組件。
本專利申請案主張德國專利申請案2007年4月26日DE 10 2007 019 775.8之優先權，其已揭示的整個內容在此藉由參考而收納於本專利申請案中。
本發明的目的是提供一種有效率的光電組件，特別是一種有效率之發出輻射的組件。
上述目的藉由申請專利範圍獨立項之組件來達成。本發明有利的佈置和其它形式描述在申請專利範圍各附屬項中。
依據一實施形式，光電組件包括：一種半導體本體，其半導體層序列具有一活性區。此外，光電組件包括二個電性接觸區，其在該活性區之不同的側面上導電性地與半導體本體相連接。於此，該二個接觸區之第一接觸區之一部份區域配置在半導體本體和第二接觸區之間，且該二個接觸區在該一部份區域中互相電性絕緣。
換言之，光電組件具有二個配置在半導體本體上且在該活性區之同一側上互相重疊的接觸區，各接觸區在該活性區之不同的側面上導電性地與半導體本體相連接，且各接觸區在重疊區中互相電性絕緣。
由於該二個接觸區在重疊區中配置在半導體本體之同一 側面上且特別是配置在該活性區的同一側面上，則可藉由一接觸區來形成一至半導體本體之電性接觸區，且亦可在半導體本體之同一側面上且特別是在活性區的同一側面上藉由另一接觸區使電流在該活性區的延伸方向中擴散。於是，該半導體本體之仍保留著的側面基本上可未具備含金屬-或金屬的接觸元件，此接觸元件例如可以是一種形成至半導體本體之電性接觸區用的結構，或電流擴散結構。此種大面積之通常具有吸收性的接觸元件因此可配置在半導體本體之同一側面上。
光電組件之一發射面因此可簡單地未具備上述具有吸收性的接觸元件。由光電組件所發出的輻射功率於是可有利地提高。
在一較佳的佈置中，該活性區適合用來產生輻射。該活性區可用來產生紫外線、可見光或紅外線光譜區中的輻射。
在另一較佳的佈置中，在一部份區域中於該半導體本體和第二接觸區之間配置著第一接觸區，此一部份區域中在該二個接觸區之間配置著一隔離層，藉此使該二個接觸區在電性上互相絕緣。於是，此二個接觸區不會發生短路現象。
在另一較佳的佈置中，第二接觸區的一部份區域配置在半導體本體和第一接觸區之間且該二個接觸區在該一部份區域中互相電性絕緣。較佳是設置另一可能存在的隔離層，其在該一部份區域中配置在該二個接觸區之間且使各接觸區在電性上互相絕緣。
由半導體本體來觀看時，該組件之一部份區域中存在著以下的序列：第一接觸區之區域，隔離層，第二接觸區之區域，另一隔離層，第一接觸區之另一區域。
隔離層優先施加在半導體本體上，特別是沈積在半導體本體上。適合用於隔離層的材料例如可以是氮化矽，氧化矽或氧化氮化矽。
在另一較佳的佈置中，一反射層配置在半導體本體上。此反射層較佳是沈積在半導體本體上。藉由此一反射層，則由半導體本體發出且入射至該反射層上的輻射被反射回到半導體本體中。於是，該輻射在各個配置在該反射層之遠離該活性區的此側上的元件中被吸收的現象可予以預防。
整體而言，藉由各接觸區重疊地配置在半導體本體之一共同的側面上，則發射效率可提高。所謂發射效率是指該活性區中所產生的輻射功率相對於由該組件中所發出的輻射功率之比。
另一實施形式的光電組件包括一種半導體本體，其具有一種半導體層序列，半導體層序列具有一適合用來產生輻射的活性區。此外，光電組件包括一配置在半導體本體上的反射層和二個電性接觸區。於此，此二個接觸區之第一接觸區在該活性區之與反射層相面對的此側上導電性地與半導體本體相連接。第二接觸區在該活性區之與反射層相遠離的此側上導電性地與半導體本體相連接，其中該反射層(特別是反射層的一部份)配置在該第二接觸區之一部份 區域和半導體本體之間。
由於該反射層配置在第二接觸區和半導體本體(特別是活性區)之間，則各接觸區之配置在該反射層之遠離該活性區之此側上的一部份區域中的輻射的吸收量可下降或不會被吸收。
該反射層可適當地形成而對該活性區中所產生的輻射具有反射性。該反射層對該活性區中所產生的輻射所具有的反射率可為80%或更大，較佳是90%或更大，特別佳時是95%或更大。
在另一較佳的佈置中，該反射層以電性絕緣方式而形成。電性絕緣的反射層例如可以介電質多層結構來構成，其交替地具有多個折射率高和低之層。
該反射層可適當地在形成一種至半導體本體之接觸時藉由一接觸區(第一接觸區或第二接觸區)以特別優先地在該二個接觸區上形成空出的區域。若該反射層以電性絕緣方式形成時，則藉由第二接觸區來形成空出的區域時特別適當。
在另一較佳的佈置中，一接觸區(較佳是第一接觸區)具有該反射層。該反射層以導電方式而形成。該導電的反射層較佳是含有一種金屬或合金，該合金較佳是含有一種金屬。金屬的特徵特別是高的反射性。在與介電質多層結構相比較時，反射層(其具有金屬層或以金屬為主的合金)之反射率與入射至反射層時的入射角之相關性較小。
多個接觸區較佳是施加在半導體本體上且特別是藉由沈 積而形成在半導體本體上。一接觸區或二個接觸區可包括一接觸金屬層或一接觸合金層。
在另一較佳的佈置中，第一接觸區具有一接觸層，經由此一接觸層可使第一接觸區導電性地與半導體本體相連接。該接觸層較佳是直接與該半導體本體相鄰接。該接觸層的一部份區域可配置在第二接觸區和該半導體本體之間。
該接觸層可以反射層來形成，或該反射層可配置在該接觸層之遠離半導體本體之此側上。第二種情況中一種相分開而設置的接觸層所具有的優點是，可分別使用特別適當的材料以形成至半導體本體的接觸區以及形成高反射率的反射層。
在另一較佳的佈置中，在半導體本體上配置一附著層。此附著層較佳是直接鄰接於該半導體本體。較佳是形成該附著層，使一接觸區(特別是第一接觸區)用的材料相對於半導體本體之黏合性可提高。此附著層可形成第一接觸區用的附著層。特別是可形成此附著層，使此附著層相對於半導體本體之黏合性大於第一接觸層之一配置在該附著層之遠離該半導體本體之此側上的材料(特別是與該附著層相鄰接的材料)相對於半導體本體之黏合性。或可以另一方式來形成此附著層，使第一接觸層之配置在該附著層之配置在該半導體本體之此側上的材料(特別是與該附著層相鄰接的材料)相對於該附著層之黏合性大於相對於半導體本體之黏合性。
該附著層可以具有導電性的方式來形成。該附著層可以是一接觸區(特別是第一接觸區)的一部份。該附著層可優先含有一種金屬或合金或由其所構成。例如，該附著層含有鈦。該附著層可配置在該接觸層和半導體本體之間或配置在該反射層和半導體本體之間。該附著層較佳是直接與該接觸層及/或該半導體本體相鄰。該附著層可有利地以整面方式配置在該接觸層或該反射層和半導體本體之間。一接觸材料由半導體本體而脫層(delamination)之危險性因此可下降。該附著層可具有10奈米或更小的厚度，較佳是5奈米或更小的厚度，特別佳時是3奈米或更小的厚度，例如，2奈米或更小的厚度。該附著層可以半透明的形式來形成。該附著層可以是以不連續(例如，島形)的形式來形成的層。
在另一較佳的佈置中，在第一接觸區之導電性的反射層和半導體本體之間配置一介電質反射層，即，電性絕緣的反射層。該反射層可配置在該反射層和該接觸層之間或配置在該接觸層和該附著層之間。
該介電質反射層在與該反射層相組合時可使輻射更良好地反射回到半導體本體中且特別是可進一步改善該輻射在該組件之一發射面上的反射性。一種組合而成的鏡面包括該反射層和介電質反射層，此鏡面特別是可形成高的總反射率。
在另一較佳的佈置中，在半導體本體上，特別是在配置著該反射層及/或該接觸層之此側上，配置一導電性的可透過輻射之層。此層可以是第一接觸區之一部份。
該導電性的可透過輻射之層可包括氧化物，特別是金屬氧化物，例如，氧化鋅，氧化錫或氧化銦錫。
此外，該導電性的可透過輻射之層較佳是針對該半導體本體之主延伸方向上的橫向電流分佈而形成電流擴散層。由於橫向中高的導電性(橫向導電性)，則電荷載體可在橫向中均勻地且大面積地分佈在半導體本體上且因此可注入至半導體本體中。
該導電性的可透過輻射之層可具有一種折射率，其小於由此層這邊以半導體本體為邊界的一種半導體材料的折射率。由於折射率跳躍現象，則該層可形成第一接觸區之導電性的可透過輻射之反射層。
該導電性的可透過輻射之層可另外作為如上所述的介電質反射層。若另外設置一介電質反射層，則在半導體本體之此側上的總反射率可進一步提高。該層較佳是配置在該反射層或接觸層和半導體本體之間。此外，該層可配置在介電質反射層和半導體本體之間。該層的厚度可為200奈米或更小，較佳是10奈米或更小。該導電性的可透過輻射之層較佳是直接與半導體本體相鄰。該導電性的可透過輻射之層可取代該接觸層及/或該附著層。另一方式是，該導電性的可透過輻射之層可另外用作接觸層及/或附著層。在第一種情況下，該附著層可適當地用來使該導電性的可透過輻射之層相對於半導體本體之黏合性獲得改善。在第二種情況下，該接觸層可適當地配置在一種對該導電性的可透過輻射之層形成良好的電性接觸的接觸區上。
在另一較佳的佈置中，第二接觸區由一部份區域(其中在半導體本體和第二接觸區之間配置著第一接觸區或該反射層)開始而延伸至該活性區之遠離該一部份區域之此側為止且在此側上導電性地與半導體本體相連接。
在另一較佳的佈置中，第二接觸區靠近一在橫向中以半導體本體為邊界的側面而由該活性區的一側延伸至該活性區的另一側。第二接觸區可適當地在一區域(此區域中該第二接觸區在活性區上方延伸)中與該活性區在電性上相隔開。例如，在第二接觸區之該區域和該活性區之間可設置上述之多個隔離層之一或情況需要時可設置另一隔離層。
在另一較佳的佈置中，該活性區具有一個或多個穿通部。第二接觸區可經由穿通部而由該活性區的一側延伸至該活性區的另一側。在該穿通部之區域或該穿通部中，該活性區以適當的方式空出。各穿通部較佳是在橫向中由半導體本體圍繞著。此外，第二接觸區在穿通部的區域中適當地與該活性區形成電性絕緣。例如，就電性絕緣而言，上述各隔離層之一或情況需要時另一隔離層在穿通部區域中是配置在第二接觸區和該活性區之間。
藉由第二接觸區在一區域中(此區域中第二接觸區在該活性區上方延伸)與該活性區形成電性絕緣，則可防止該組件發生短路。
該隔離層情況需要時可用作(另一)介電質反射層且特別是可以介電質反射層來形成。在該穿通部之區域中，一介電質反射層上的輻射可增多而反射回到半導體本體中。
(各別的)穿通部之一壁較佳是與該活性區成傾斜狀而延伸及/或與一在該反射層此側以半導體本體為邊界的表面成傾斜狀而延伸。半導體本體中該輻射通道因此可廣泛地例如藉由適當地延伸之介電質反射層及/或第二接觸區之接觸材料上的反射而受到干擾，其中該第二接觸區配置在穿通部之區域中，且所發出的輻射功率可簡易地提高。該傾斜角度介於35度(含)和55度(含)之間(例如，45度)時已顯示是特別有利的。
在另一較佳的佈置中，第二接觸區具有一接觸層。此接觸層可適當地用來形成一種至半導體材料的接觸區。此接觸層較佳是含有金屬或以合金為主，特別是可由一種金屬或金屬合金來構成。例如，該接觸層可含有鉑或由鉑所構成。該接觸層可局部性地設置在與半導體材料相接觸的第二接觸區之接觸位置上，例如，設置在半導體本體之凹口之區域中，且較佳是設置在與半導體材料相接觸的第二接觸區之每一接觸位置上。
在另一較佳的佈置中，第二接觸區具有一導電的反射層。該反射層較佳是配置在第二接觸區的一區域(其中該接觸區較該反射層更靠近該活性區而配置著)中。該反射層可適當地配置在經由該活性區之穿通部之區域中，例如，可配置在該凹口中。該反射層可配置在第二接觸區之該接觸層之遠離該半導體本體之此側上。該接觸層可配置在該反射層和半導體本體之間。該輻射可在該穿通部之區域中在該反射層上增多而被反射。該反射層可含有一種金屬(例 如，鋁或銀)或合金或由該金屬或合金所構成。
在另一較佳的佈置中，第一接觸區(特別是該接觸層)在穿過第二接觸區時中斷。第二接觸區可由第一接觸區之遠離該活性區的此側經由第一接觸區(特別是經由該接觸層)而延伸至第一接觸區之面向該活性區的此側。
在另一較佳的佈置中，該反射層在穿過第二接觸區時中斷。第二接觸區可經由該中斷的反射層而由該反射層的遠離該活性區的此側到達該反射層之面向該活性區的此側。在一隔離的反射層中，該反射層較佳是亦在形成該至半導體本體的第一接觸區時被中斷。
在另一較佳的佈置中，第二接觸區在多個相隔開的接觸位置中導電性地與半導體本體相連接。各接觸位置可均勻地分佈在半導體本體上。
在另一較佳的佈置中，第二接觸區至少一部份以條形或框形方式靠近一在橫向(即，該活性區的延伸方向)中以活性區為邊界(且特別是以半導體本體為邊界)之側面而延伸。
在另一較佳的佈置中，第一接觸區至半導體本體的接觸面大於第二接觸區至半導體本體的接觸面。
在另一較佳的佈置中，第二接觸區是與半導體本體之半導體材料導電性地相連接著，且第二接觸區在橫向中所具有的導電率大於半導體本體之半導體材料的導電率。第一接觸區導電性地與半導體本體相連接著。雖然第二接觸區和半導體本體之間的接觸面積較小，但由於橫向中的導電率較高，故可簡易地使電流在活性區的延伸區中橫向地擴 散。於是，活性區中雖然只有較小的接觸面(例如，在各接觸位置上)，但仍可使電荷載體大面積地且較佳是均勻地注入，這些電荷載體在活性區中重組而產生輻射。
在一較佳的佈置中，第二接觸區具有一電流擴散區。第一接觸區的一部份區域，特別是該接觸層的一部份區域，較佳是配置在該電流擴散區和半導體本體之間。電性上可以是絕緣的反射層可配置在該電流擴散區和半導體本體之間。該電流擴散區可具有一個或多個接觸軌，其在半導體本體上延伸。一接觸軌可在該活性區之多個穿通部上延伸。藉由該電流擴散區，則電荷載體可分佈在半導體本體之主延伸方向中。已擴散的電荷載體然後可經由第二接觸區之與半導體本體之間的接觸面(例如，分佈在半導體本體上的多個接觸位置)而注入至半導體本體中。電荷載體可經由電流擴散區而導引至各接觸位置。第二接觸區之電流擴散區在電性上可適當地與第一接觸區相隔離。這樣可防止各接觸區之間的短路。
二個接觸區特別是可大空間地經由半導體本體之一共同的表面而延伸。各接觸區可由該表面而適當地互相隔離。特別是一接觸區可以區域方式而埋置於絕緣材料(例如，隔離層)中且情況需要時另一隔離層(其將二個接觸區互相隔離)亦埋置於絕緣材料中。
在另一較佳的佈置中，各接觸區分別具有一連接面。各別的連接面可有利地偏離該活性區。
經由各連接面，則可由外部而與該組件達成電性上的接 觸。各別的連接面較佳是用來與一外部的終端載體之配屬於該連接面之終端導體形成導電性的連接。該終端載體例如可以是一種具有導電軌(用作終端導體)之電路板。各連接面例如可藉由一焊接層來形成。
在另一較佳的佈置中，一接觸區之連接面配置在該活性區(特別是該半導體本體)之遠離該介電質反射層之反射層、第一接觸區之接觸層及/或第一接觸區之該配置在半導體本體和第二接觸區之間的部份區域之此側上。
在另一較佳的佈置中，該二個連接面配置在活性區之相同的側面上。該組件特別是可以可表面安裝的組件來形成。
在另一較佳的佈置中，第一接觸區(特別是第一接觸區的一部份區域)配置在半導體本體和第二接觸區之連接面之間。另一方式是，第二接觸區(特別是第二接觸區的一部份區域)較佳是配置在半導體本體和第一接觸區之連接面之間。
第一接觸區之接觸層、第二接觸區之接觸層、反射層及/或該介電質反射層可配置在一接觸區(即，第一或第二接觸區)之連接面和半導體本體之間，較佳是配置在該二個接觸區之連接面和半導體本體之間。特別是第一接觸區之接觸層、該反射層及/或該介電質反射層可由第一接觸區之連接面下方(即，介於該連接面和半導體本體之間)開始延伸至第二接觸區之連接面下方。第二接觸區之電流擴散區可延伸至第一接觸區之連接面下方。
該二個接觸區之連接面可藉由一種導電性的連接層(例 如，導電性的附著層或焊接層)而與該終端載體形成導電性的連接，此時該二個接觸區較佳是分別用作該連接層或導線連接區。
該組件特別是可以覆晶(flip chip)形式來形成。覆晶是藉由導電性的連接層而安裝在終端載體上且與終端載體形成電性接觸。就安裝而言，該組件之終端側上配置著二個接觸區之連接面，此一終端側可適當地作為該組件之安裝側，其與終端載體相面對。
在一種導線連接形式中，該安裝側是該組件之遠離連接面之此側。
各接觸區之連接面可配置在半導體本體之一共同的、較佳是平坦的表面上。各連接面特別是可在該表面上延伸。該表面較佳是配置在該活性區和各接觸區之連接面之間。一接觸區可適當地由半導體本體表面之此側以便較佳是直接地與半導體本體導電性地相連接。另一接觸區可適當地在該活性區之遠離該表面之此側上導電性地與半導體本體相連接。
二個連接面可配置在該活性區之一側上，此側與半導體本體之一側面(第一接觸區之一部份區域由此側面而配置在半導體本體和第二接觸區之間)相遠離。配置著二個連接面之此側特別是可以為半導體本體之遠離該反射層、第一接觸區之接觸層、第二接觸區之接觸層及/或介電質層鏡面之此側。該二個連接面可在半導體本體之一共同的表面上延伸。橫向的電流分佈、電流注入至半導體本體中及/或藉由 反射層使輻射反射時是在半導體本體之遠離各連接面之此側上進行。外部的電性連接可在各連接面之此側上進行。由於電流在第一接觸區中分佈在半導體本體之表面上且特別是至半導體本體之電性接觸之形成亦可藉由半導體本體之另一側上之第一及/或第二接觸區來達成或經由此側來達成，則各連接面可簡易地以小面積來達成。於是，可防止過多的吸收性損耗。各連接面在與一種導線連接時可適當地例如藉由一種連接層(例如，金-層)來形成。各連接面可在外側沿著半導體本體而與屬於各別的連接面之接觸區之配置在活性區之另一側上的部份導電性地相連接。
在另一較佳的佈置中，該光電組件具有一熱終端區。此熱終端區較佳是用來與一導熱元件(例如，導熱體，其可以是一種鍺-體)相連接。熱終端區較佳是可另外用作該電性終端用的連接面。若各連接面配置在活性區之同一側面上，則該熱終端區較佳是配置在活性區之遠離該側面之此側上。熱終端區可藉由一接觸區之一向外裸露的區域來形成。熱終端區可配置在該反射層、第一接觸區之接觸層及/或該介電質反射層之遠離該活性區之此側上。
在另一較佳的佈置中，該二個接觸區之連接面配置在活性區之不同的側面上。活性區(特別是半導體本體)可配置在各連接面之間。在此種情況下，第一接觸區之連接面較佳是用來形成一種導線連接且另一接觸區之連接面用來形成一種至一配屬於各別的連接面之電性終端導體之導電性的層連接。
在另一較佳的佈置中，一接觸區具有一種由接觸區之一側面延伸至由活性區觀看時半導體本體之與此側面相面對的此側上的接觸區。此延伸之接觸區可經由整個半導體本體而延伸或靠近一以半導體本體為邊界之側面而橫向地延伸。此延伸之接觸區可適當地沿著整個半導體本體而延伸。特別是此延伸之接觸區可由活性區之一側而延伸至活性區的另一側。
一接觸區之連接面例如配置在半導體本體之遠離第一接觸區之接觸層、該反射層、該電流擴散區及/或該介電質反射層之此側上，藉由上述之延伸之接觸區，則該連接面可導電性地與該接觸區之配置在半導體本體之遠離該連接面之此側上的此部份相連接。
在另一較佳的佈置中，該組件之一接觸區(較佳是該組件之二個接觸區)具有至少一個連接面。此接觸區的二個連接面較佳是配置在半導體本體(特別是活性區)之不同的側面上。外部的電性終端之自由度因此可有利地提高。
在另一較佳的佈置中，該組件是一種發出輻射之組件，特別是一種電致發光二極體組件。該組件較佳是用來產生-且特別是用來發出非相參的輻射。
在另一較佳的佈置中，該組件之半導體本體以磊晶方式生長而成。半導體本體之半導體層可生長在一種生長基板上。
在另一較佳的佈置中，該組件具有一載體，載體上配置著半導體本體。半導體本體可藉由載體而達成機械上的穩 定性。半導體本體受損的危險性因此可下降。
一個或多個接觸區之連接面、第一接觸區之接觸層、第二接觸區之接觸層、電流擴散區、反射層及/或介電質反射層可配置在半導體本體之遠離載體之此側上且特別是配置在活性區之遠離載體之此側上。
該載體由生長基板所形成，該生長基板上生長著半導體層序列。
然而，該載體亦可與生長基板不同。在該生長基板上生長了該半導體本體之半導體層之後，該生長基板可被薄化或以區域方式被去除或完全被去除。可適當地在該生長基板被去除之前設置該載體，以便在該生長基板去除時或去除之後使半導體材料在機械上獲得穩定。
該組件因此不需半導體本體之半導體層用的生長基板。
然而，另一方式是亦可不需一種使半導體本體穩定用的載體。該組件特別是可由半導體本體之磊晶生長的半導體層、各接觸區和其它可施加在半導體本體上且較佳是無承載能力的層所構成。各接觸區及/或其它施加在半導體本體上之層可藉由沈積而施加在半導體本體上。在沈積時，層厚度隨著沈積時間而增加。
該組件因此可以無載體之組件來構成。為了使半導體本體獲致機械上的穩定性，分開而設置的特別是無承載能力的載體可以省略。例如，就一無載體之組件而言可將該生長基板去除。
由於不需載體，則該組件的高度可以很小。相對於具有 載體的組件而言，在操控(例如，安裝)此種組件時需要更細心，以使該組件不會受損。
該組件較佳是以晶片形式的組件來形成。此外，該組件可以一種晶片大小來形成。在活性區之俯視圖上，該組件之橫向尺寸相較於以晶片大小來形成的組件之活性區之橫向尺寸而言可有利地變小。
由活性區且特別是由半導體本體所覆蓋的面積相對於該組件所延伸的整個面積之比可大於0.2，較佳是大於0.3，特別佳時是大於0.5，最佳時是大於0.7。
此處以及以下所描述的組件可另外以複合物來製成。於此，各製造步驟未必對各別的組件分別進行而是同時在多個組件上進行。此外，在此處所述的組件中可省略另一用來保護該組件的外殼，該外殼中安裝著該組件且該外殼未以複合物的形式來與該組件一起製成。
該組件特別是可由該複合物中劃分(例如，切鋸)出來。該組件然後可具有已劃分的側面，這些側面在劃分時形成。
依據一實施形式，一種光電裝置包括一終端載體和一光電組件(特別是上述的組件和以下將詳述的組件)。該終端載體較佳是具有至少二個電性上互相隔開的電性終端導體。該組件可適當地配置(特別是固定)在終端導體上。於此，該組件之安裝側較佳是與該終端載體相面對。該組件之接觸區較佳是導電性地與該電性終端導體相連接，此時每一接觸區設有一各別分開的終端導體。各接觸區之電性連接面是與各電性終端導體相面對。一種電性連接可藉由一種材 料導向的連接(例如，焊接)來達成，此種連接可形成在各別的接觸區之連接面和其所屬的終端導體之間。
在該光電組件之半導體本體和該終端載體之間配置一電性絕緣的填料。此填料較佳是配置在各連接面之間的區域中。此填料可與該終端載體和該光電組件相鄰接。此填料可設置在一區域中，此區域中各連接面未在半導體本體上方延伸。此填料在機械上可以是該光電組件之半導體材料。此填料可與該組件之二個接觸區相鄰接。例如，一種成型材料(其可以是環氧樹脂)適合用作填料。此成型材料較佳是須硬化。該組件在操作時受到機械上的損傷的危險性因此可下降。特別有利的是該填料在一種組件中未具備一種生長基板且特別是未具備載體。此組件以表面安裝技術而固定在該終端載體上。該終端載體較佳是與一中間載體(submount)不同。該終端載體例如可藉由電路板(印刷電路板或金屬核心板)或含有陶瓷之終端載體(其設有該終端導體用之導電材料)來形成。
本發明之其它優點、特徵和適用性描述在以下與圖式有關的實施例中。
相同-或作用相同的元件在各圖式中設有相同的參考符號。
第1圖中第1A圖是光電組件之第一實施例之俯視圖，第1B圖和第1C圖都是切面圖，第1D圖為已簡化的切面圖，第1E圖是部份切面圖。第1B圖對應於第1A中沿著直線 A-A所形成的切面，第1C圖對應於第1A圖中沿著直線B-B所形成的切面。
光電組件1具有一半導體本體2。半導體本體2配置在一載體3上，該組件1具有載體3。半導體本體2包括一種半導體層序列，其具有一適合用來產生輻射的活性區4。
半導體層序列特別是可包含多個半導體層，各層之間配置著活性區。此外，半導體層序列優先地形成該半導體本體。載體3可有利地使半導體本體2在機械上獲得穩定。
半導體本體2較佳是以電致發光二極體-半導體本體來形成。半導體本體較佳是包括二個區域5，6，其具有不同的導電型(n-導電型或p-導電型)。在這些區域5，6之間可適當地配置或形成該活性區4。區域5及/或6可具有多個半導體層。
該活性區4較佳是包括一種異質結構，特別是一種雙異質結構或一種量子結構，特別是單一-或多重式量子井結構，量子線結構或量子點結構。這些結構之特徵是在該活性區中產生輻射時有特別高的內部量子效率。
半導體層序列較佳是以磊晶方式生長在一生長基板上。整個半導體本體較佳是以磊晶方式生長而成。
載體3可在製造該組件1時由該生長基板來形成或亦可與該生長基板不同。在第二種情況下，該載體3或形成該載體3之材料較佳是在該生長基板由該已長成的半導體材料以區域方式去除或完全去除之前施加在該已長成的半導體材料上。已長成的半導體材料之機械穩定性亦可在該生 長基板已去除時藉由該載體3來達成。若該載體3不同於該生長基板，則該載體作為硬載體而與已長成的半導體材料相連接或可首先在半導體本體上施加一種成型材料，其隨後被硬化以形成一載體。例如，BCB適合用作上述的成型材料。一種玻璃適合用作硬化的載體。
載體3較佳是可使該活性區4中所產生的輻射透過，以便使該半導體本體中所發出的輻射進入至該載體中且隨後經由該載體而由該組件1發出。
在一較佳的佈置中，半導體層序列，特別是半導體本體之區域5和6及/或該活性區4，含有III-V-半導體材料。藉由III-V-化合物半導體材料，特別是氮化物-化合物半導體材料，磷化物-化合物半導體材料，或砷化物-化合物半導體材料，則在輻射產生時可簡易地在將電功率轉換成輻射功率時達成高的內部量子效率。該活性區且特別是半導體本體較佳是以上述之材料系統為主。
“以磷化物-化合物半導體材料為主”在此處之意義是指，該活性區、特別是半導體本體，較佳是含有Aln Gam In1-n-m P或由其所構成，其中0≦n≦1,0≦m≦1且n+m≦1，較佳是n≠0,n≠1,m≠0及/或m≠1。因此，此材料未必含有上述形式之以數學所表示之準確的組成。反之，其可具有一種或多種摻雜物質以及其它成份，這些成份基本上不會改變此材料之物理特性。然而，為了簡單之故，上述形式只含有晶格(Al,Ga,In,P)之主要成份，這些主要成份之一部份亦可由小量的其它物質來取代。
“以氮化物-化合物半導體材料為主”在此處之意義是指，該活性區、特別是半導體本體，較佳是含有Aln Gam In1-n-m N或由其所構成，其中0≦n≦1,0≦m≦1且n+m≦1，較佳是n≠0,n≠1,m≠0及/或m≠1。因此，此材料未必含有上述形式之以數學所表示之準確的組成。反之，其可具有一種或多種摻雜物質以及其它成份，這些成份基本上不會改變此材料之物理特性。然而，為了簡單之故，上述形式只含有晶格(Al,Ga,In,N)之主要成份，這些主要成份之一部份亦可由小量的其它物質來取代。
“以砷化物-化合物半導體材料為主”在此處之意義是指，該活性區、特別是半導體本體，較佳是含有Aln Gam In1-n-m As或由其所構成，其中0≦n≦1,0≦m≦1且n+m≦1，較佳是n≠0,n≠1,m≠0及/或m≠1。因此，此材料未必含有上述形式之以數學所表示之準確的組成。反之，其可具有一種或多種摻雜物質以及其它成份，這些成份基本上不會改變此材料之物理特性。然而，為了簡單之故，上述形式只含有晶格(Al,Ga,In,As)之主要成份，這些主要成份之一部份亦可由小量的其它物質來取代。
例如，可使用藍寶石-，SiC-或GaN-生長基板作為氮化物-化合物半導體用的生長基板，或使用GaAs-生長基板作為磷化物-和砷化物-化合物半導體用的生長基板。
氮化物-和磷化物-化合物半導體材料特別適合用來產生可見的輻射。砷化物-化合物半導體材料特別適合用來產生紅外線光譜區的輻射。氮化物-化合物半導體材料特別適合 用來產生由紫外線經由藍色至綠色光譜區之輻射，且磷化物-化合物半導體材料適合用來產生由橘色至紅色光譜區的輻射。
光電組件1且特別是此組件1的活性區4較佳是用來產生可見的輻射。此外，此組件較佳是以LED-組件來形成以發出非相參的輻射。
光電組件1具有二個電性接觸區，一第一接觸區7和一第二接觸區8。接觸區7和8在活性區4之不同的側面上導電性地與半導體本體2相連接。例如，第一接觸區7導電性地與半導體本體之區域5相連接且第二接觸區8導電性地與區域6相連接。經由各接觸區7和8，則該組件操作時電荷載體可注入至活性區4中。電荷載體在活性區中重組而產生輻射。
該二個接觸區7，8以區域方式在半導體本體之共同的主面9上延伸。該主面9特別是配置在二個接觸區和該活性區之間。各接觸區7和8在本實施例中配置在半導體本體2之遠離該載體3之此側上。
第一接觸區7經由半導體本體之主面9而與活性區4導電性地相連接著，且第二接觸區8是與該活性區4之遠離該主面9之此側上的半導體本體導電性地相連接著。
第一接觸區7較佳是包含一接觸層71。此接觸層71特別是直接經由半導體本體2之主面9而與半導體本體2-且因此亦與活性區4導電性地相連接。
該接觸層71可有利地覆蓋半導體本體2之主面9之大部 份，以便使電荷載體經由該接觸層71而大面積地且均勻地注入至半導體本體2中。該接觸層適當地以大面積的方式在該半導體本體之配置在該活性區4和該接觸層之間的主面9上方延伸。例如，該接觸層在該半導體本體之與接觸層71相面對的主面9之80%或更多、較佳是90%或更多、特別佳時是95%或更多面積的上方延伸。該接觸層71較佳是覆蓋該主面9至上述的百分比。
該接觸層可具有50奈米或更小的厚度，較佳是30奈米或更小的厚度，特別佳時是20奈米或更小的厚度，例如，10奈米或更小的厚度。
在半導體本體(特別是主面9)上配置一反射層72。第一接觸區7較佳是包括該反射層72。該反射層72可適當地配置在該接觸層71之遠離該半導體本體2之此側上。該反射層72較佳是大面積地(特別是對應於該接觸層71)而在半導體本體2之主面9上延伸。
該反射層對該活性區中所產生的輻射可適當地具有一種80%或更大的反射率，較佳是具有90%或更大的反射率，特別佳時具有95%或更大的反射率。
該反射層72可具有80奈米或更大的厚度，較佳是100奈米或更大的厚度，特別佳時是200奈米或更大的厚度。
此外，第二接觸區8具有一電流擴散區81。藉由電流擴散區81，則電荷載體可大面積地分佈在該活性區4之延伸方向上。該電流擴散區81較佳是具有一個或多個接觸凸起84，其在半導體本體上延伸。各別的接觸凸起較佳是以軌道 形式而在半導體本體2之主面9上延伸。活性區8之電流擴散區81較佳是配置在該接觸層71-或該反射層72之遠離該活性區4之此側上。
各接觸區7，8分別具有一連接面70或80。各連接面分別與半導體本體2相遠離。第1A圖顯示各連接面70，80之俯視圖。接觸區7及/或8較佳是分別具有一連接面。
第一接觸區7之一部份區域，特別是該接觸層71或該反射層72，配置在第二接觸區(特別是第二接觸區之連接面80)及/或第二接觸區之電流擴散區81、以及半導體本體2之主面9之間。
為了防止短路，該二個接觸區可適當地經由一配置在該二個接觸區之間的隔離層10而在電性上互相隔開。該隔離層10可適當地在各接觸區之間的區域中延伸，各接觸區中在半導體本體2和第二接觸區8之間配置著第一接觸區7。
此外，第二接觸區8之一部份區域配置在第一接觸區7和半導體本體2之間，特別是配置在第一接觸區7和半導體本體之主面9之間。該電流擴散區81例如可在第一接觸區7(特別是第一接觸區7之連接面70)和半導體本體2之間延伸。第二接觸區8之一部份區域(例如，該電流擴散區81)可由第一接觸區7所圍繞。例如，第二接觸區之電流擴散區81之一部份區域可配置在第一接觸區之連接面70和該接觸層71及/或該反射層72之間。
在第二接觸區8之區域(其配置在第一接觸區7和半導體本體2之間)之間適當地配置另一隔離層13，其將該二個接 觸區在電性上互相隔開。該隔離層13可適當地在各接觸區之間的區域(其中在半導體本體2和第一接觸區7之間配置著第二接觸區8)中延伸。該隔離層13可適當地配置在該隔層10之遠離該活性區之此側上。
第二接觸區8然後在二側上(即，在面向該主面9之此側和遠離該半導體本體2之此側上)以一隔離層(層10或13)來覆蓋。特別是第二接觸區8在此區域中埋置於隔離材料中。隔離層10或13可以區域方式互相鄰接(請比較第1C圖)。以軌道形式而延伸的各接觸凸起84由於二側之隔離作用而幾乎可任意地分佈在半導體本體上。
各接觸區較佳是由主面9至該活性區3之遠離該主面之此側而在電性上互相隔離。
該隔離層10及/或13可配置在第一接觸區7之連接面70和半導體本體2之間，特別是可配置在第一接觸區之連接面70和該接觸層71(或反射層72)之間。該隔離層10可有利地配置在該連接面80和半導體本體之間的一部份區域中，特別是配置在該連接面80和該接觸層71(或反射層72)之間。
各別的接觸凸起84較佳是偏離第二接觸區8之連接面80而延伸。各別的接觸凸起84較佳是偏離該連接面80而在表面9上延伸。
該接觸層71及/或該反射層72由一接觸區之連接面延伸至另一接觸區之連接面下方為止。
第二接觸區8由第一接觸區3或該反射層72之遠離該活 性區4之此側開始而延伸至該活性區4之遠離該主面9之此側為止且在此側上是與半導體本體導電性地相連接著。
因此，電流可擴散至第二接觸區中且可藉由第一接觸區7而在活性區4之同一側上形成一種至半導體本體之接觸區。特別是電流可擴散至反射層之遠離該半導體本體之此側上，以便在第二接觸區8之區域中可預防輻射的吸收現象，第二接觸區8就像電流擴散區81一樣可在第一接觸區7之遠離該活性區4之此側上延伸。
第二接觸區8在該活性區之另一側上穿越時，該另一側即活性區之遠離該主面9、電流擴散區81、連接面70或80、該接觸層71或該反射層72之此側，該活性區特別是會中斷多次。該活性區可適當地空出。各別的穿通部較佳是在橫向中在周圍側面以半導體本體為邊界。例如，可在半導體本體中設置多個凹口11以作為穿通部，其由該主面9開始而在半導體本體中延伸且經由該活性區。
第二接觸區8在穿通部之區域中是與活性區形成電性絕緣，以防止短路。該穿通部且特別是該凹口較佳是以一種絕緣材料來作為襯底。此隔離層10可沿著該穿通部且特別是沿著該凹口11而延伸。
此外，該穿通部且特別是該凹口11可適當地以第二接觸區用的接觸材料來填入。
一個或多個穿通部或凹口較佳是由該連接面70、連接面80、該接觸區71、該反射層72及/或該電流擴散區81來覆蓋(請比較第1A圖中的俯視圖)。
一個或多個接觸凸起84可經由多個穿通部或凹口而延伸。該接觸區之經由穿通部而延伸之區域可由該電流擴散區(特別是一接觸凸起)而形成分支。
電流擴散區81(特別是一個或多個接觸凸起84)較佳是以大空間的方式而在主面9上延伸。電流擴散區81(特別是一個或多個接觸凸起)可在半導體本體之縱向尺寸(例如，長度)及/或橫向尺寸(例如，寬度)之50%或更多、較佳是60%或更多、特別佳時是70%或更多，最佳時是80%或更多(例如，90%或更多)的上方延伸。
經由多個相分開的接觸位置12，則第二接觸區8可與活性區之遠離該主面9之此側上的半導體本體導電性地相連接。例如，第二接觸區與半導體本體在電性上相隔開用的隔離層10在接觸位置之區域中適當地空出以形成接觸區。各接觸位置12較佳是直接形成在凹口11之底部上。
該隔離層10且情況需要時另一隔離層13可有利地由主面9開始而沿著側面15延伸，該側面15在橫向中作為該活性區4之邊界且特別是作為半導體本體2之邊界。各別的隔離層可作為半導體本體之側面用的保護層。
各隔離層10或13例如可含有：一種氮化矽，其例如可為SiN；氧化矽(例如，SiO2 )或氧化氮化矽(例如，SiON)。
該接觸層71及/或該反射層72較佳是空出以使第二接觸區8穿過。除了第二接觸區8之接觸區所穿過的空出區以外，各接觸層71及/或反射層72較佳是以連續的方式來形成。接觸層及/或反射層除了第二接觸區8穿過時所空出的 區域以外都覆蓋著半導體本體2之整個主面9。
雖然在活性區之同一側面上且特別是在半導體本體之同一面上配置著連接面70和80，但上述之接觸結構可容易地使電荷載體在二側以大面積方式均勻地注入至活性區4中。該組件在產生輻射時的效率因此可提高。電荷載體可由活性區的一與該接觸層相面對的此側經由該接觸層而大面積地到達半導體本體中且導引至該活性區中。注入至半導體本體中的電荷載體可由活性區的另一側經由第二接觸區(特別是多個接觸位置)而到達活性區中。
經由該反射層72，則配置在該反射層之遠離該活性區4之此側上的結構中的吸收現象可予以預防。該結構例如可以是電路板之導電軌，其上安裝著該組件。
此外，藉由該反射層72，則活性區4中所產生的輻射可轉向至該組件之一發射面19上。此發射面可有利地藉由該組件之一種與主面9不同的表面來形成。例如，該載體3之遠離半導體本體2之表面可形成該發射面19。
電流擴散至一接觸區中且形成一至半導體本體的接觸區，由於這可藉由該活性區之一側上的另一接觸區來達成，則該組件之其它側面可有利地不需具備吸收性的元件，使該組件之發射效率廣泛地提高。
此外，該二個接觸區之連接面70，80配置在半導體本體之同一側面上且特別是配置在活性區4之同一側面上(該組件1之終端側上)。該組件之終端側較佳是形成在半導體本體2之遠離該載體3之此側上。第1A圖顯示該組件之終端 側之俯視圖。
各連接面70，80在橫向中相鄰地配置在主面9上。各接觸區7和8特別是可施加在半導體本體2之表面上。
各連接面70，80較佳是用來使光電組件導電性地與外部之終端載體之終端導體(例如，一電路板之導電軌)相連接。
在將該組件安裝在終端載體上時各接觸區之連接面70，80可特別有利地與該終端載體相面對著。該組件之終端側因此在該組件安裝在終端載體上(圖中未顯示)時可同時形成該組件之安裝側。該組件因此可以覆晶形式的組件來形成。
此外，各連接面70，80較佳是位於一共同的平面中。因此，可容易地使各連接面與外部的終端導體相連接。各組件之連接面因此可容易地在導電性的連接層上例如藉由導電性的黏合材料或焊劑以覆晶形式來與外部的終端導體導電性地相連接。
另一方式是，可形成一連接面或二個連接面以用於導線連接。在此種情況下，適當的方式是使該組件在終端載體上之安裝側成為遠離連接面之此側。
該反射層72較佳是含有一種金屬，例如，鋁，銀或金或一種合金，可有利地含有一種合金，其具有上述材料之至少一種，例如，AuSn或AuGe，或該反射層72由該合金所構成。金屬或以金屬為主之合金之特徵是高的反射性。金適用於反射層，特別是適用於以磷化物-化合物半導體為主之活性區，鋁或銀特別適用於以氮化物-化合物半導體為主 之活性區。
各接觸區7，8例如可在沈積各接觸區的材料時形成在半導體本體2之主面9上。
半導體本體上可沈積多個層，例如，可沈積各別的接觸區用的層、隔離層及/或反射層，此沈積例如可藉由電鍍方法，PVD-或CVD-方法(大致上是濺鍍，蒸鍍或反應式濺鍍)來達成。
各接觸區較佳是以金屬為主而形成。各接觸區特別是可含有一以金屬為主的合金，例如，AuSn或AuZn，或一種金屬，例如，金，鋁，銀，鉑或鈦，且特別是可由一種或多種以金屬為主之合金及/或由一種或多種金屬所構成。
第一接觸區7在該連接面70此側較佳是具有一終端層73，特別是一焊接層，例如，一種錫-焊接層或金-錫-焊接層或一種結合層(例如，金-層)。第二接觸區8在終端側較佳是具有一終端層83，其較佳是一焊接層，例如，錫-焊接層或金-錫-焊接層或一種結合層(例如，金-層)。各終端層73和83之遠離半導體本體2之表面較佳是形成各別的接觸區之連接面。設置-且特別是形成一結合層以適當地用來與一結合線導電性地相連接。
第一接觸區7之連接面70較佳是經由第一接觸區之另一層74而與該接觸層71導電性地相連接。第二接觸區8之連接面80較佳是經由第二接觸區之另一層85而與該電流擴散區導電性地相連接。
電荷載體經由該接觸層71而大面積地注入至半導體本體 中。含有金屬的接觸層71對該活性區中即將產生的輻射可顯示一種較大的反射性。然而，設置一相分開的反射層是有利的，此乃因各別的層可就各別的功能達成最佳化。該接觸層71可最佳化以便形成一種至半導體本體之電性接觸，另可形成該反射層以便對該活性區中即將產生的輻射顯示一種較大的反射性。因此，不須注意於該反射層相對於半導體材料之電性上的接觸性。
該接觸層可以半透明的方式來形成。若一吸收性的材料相對於形成一種至半導體本體之電性接觸區而言特別有利，則由於適當的吸收損耗而使該接觸層以半透明的方式來構成時特別適當。
在氮化物-化合物半導體材料中，例如，鉑特別適合用於一種與p-導電之半導體材料相接觸的接觸層71中，且鋁相對於該反射層72可具有較高的反射性。
p-導電之氮化物-材料，特別是p-GaN，通常在橫向中顯示一較小的導電性。於此，有利的方式是使電荷載體大面積地注入至半導體本體中以取代電流在半導體本體2中擴散時電荷載體大面積地注入至活性區中。
局部的接觸位置12可適當地分佈在半導體本體之範圍中。各接觸位置例如以柵格點的形式均勻地分佈在一網目中。因此，經由各接觸位置，則橫向中分佈在半導體本體上的電荷載體可局部性地到達半導體本體中。半導體本體之可經由第二接觸區8而接觸的半導體材料在橫向(即，平行於活性區的方向)中所具有的導電性較可以第一接觸區7 來接觸的材料的導電性還高。經由第二接觸區8雖然只能以位置方式來與半導體本體2相接觸，但藉由內部電流擴散至半導體本體中則可在橫向中達成均勻的電流分佈。於是，雖然為局部性的電荷載體注入，但仍可使電荷載體大面積地且均勻地注入至活性區中。
各接觸位置12在半導體本體上的分佈較佳是可針對各別的接觸位置中已接觸的半導體材料之橫向中的導電性來調整，以便藉由電流擴散至半導體本體中而使電荷載體經由各接觸位置12而注入至半導體本體中且在進入至活性區4中之前可在橫向中均勻地分佈著。
另一方式是，須選取各接觸位置與活性區的距離，以便藉由電流擴散至半導體本體中而使電荷載體經由各接觸位置12而注入至半導體本體中且在進入至活性區中之前可在橫向中均勻地分佈著。至活性區的距離越大，則在橫向中有一預設的導電性時電流擴散性通常越佳。
在氮化物-化合物半導體材料中，n-導電的材料(例如，n-GaN)在橫向中所具有的導電性通常較p-導電的材料(例如，p-GaN)所具有導電性大很多。半導體本體之以較小面積而被接觸的區域6較佳是具有n-導電性，但半導體本體之以較大面積而被接觸的區域5具有p-導電性。
第二接觸區8至半導體本體2之接觸面，即，半導體本體和該接觸區之間的機械式接觸面之面積，可為半導體本體之第一接觸區7之接觸面之50%或更小，較佳是40%或更小，特別佳時是30%或更小。
若不用如上所述的反射層作為一接觸區的一部份，則亦可使用一種介電質反射層。在此種情況下，此介電質反射層在第一接觸區穿過時可適當地中斷(未顯示)。以此種方式，則可在第一接觸區之連接面和該接觸層之間形成一種導電的連接。
在一較佳的佈置中，半導體本體2中在主面9上且特別是在活性區4之此側(其上配置著該反射層71及/或該接觸層72)上以單石方式積體化為一佈拉格(Bragg)鏡面。此佈拉格鏡面較佳是包括一種由高-和低折射率之半導體層所形成的交替式配置。各個半導體層可藉由半導體本體之區域5中的層來形成。轉向至發射面19之方向中的輻射功率因此可簡易地提高。
為了製成該接觸結構，首先較佳是在半導體本體2之材料上整面地沈積該接觸層71且情況需要時亦沈積該反射層72。然後，該接觸層和半導體本體以區域方式例如藉由蝕刻且在使用一已適當地結構化的光罩下被去除以形成多個凹口且設置該隔離層10。此隔離層10較佳是以整面方式沈積而成且然後空出以作為接觸位置，這例如藉由在使用一已適當地結構化的光罩下以蝕刻方式來達成。
於是，施加第二接觸區8。各接觸凸起84於是能以第二隔離層13來覆蓋。該隔離層13然後以區域方式而被去除且可施加各接觸區7，8之剩餘的部份。
第一接觸區7之多層結構中的一層具有該接觸層且可能亦具有該反射層，另一層則具有第一接觸區之仍保留的部 份。此種多層結構在與該二個接觸區互相在電性上絕緣的情況下相組合時可容易地形成該光電組件1用的一接觸結構。各接觸凸起特別是幾乎可任意地形成且分佈在半導體本體上而延伸著。
由於第二接觸區的二側互相隔開，即，藉由各隔離層10和13一方面與該主面9相隔開且另一方面與第二接觸區8相隔開，則可更簡易地在半導體本體上形成各接觸凸起之一種任意的外形。此外，上述的接觸結構可簡易地以複合物形式來製成，即，同時可對多個半導體本體來製成該接觸結構。此種複合物製程因此在成本上特別有利。
適合以複合物製程來製成多個光電組件的方法已描述在WO 2005/081319中，其已揭示的整個內容在此藉由參考而收納於本專利申請案中。
較佳是以複合物的形式施加另一元件於該發射面19上(未顯示)。例如，具有一轉換材料之電致發光轉換層可施加在該發射面上。此層可吸收該活性區中所產生的輻射且將此輻射轉換成波長較長的輻射。此二種輻射可混合，以便在該組件之遠離電致發光轉換層之此側上發出一種混合彩色之輻射(例如，白光)。適當的轉換材料例如已描述在文件WO 98/12757中，其已揭示的整個內容在此藉由參考而收納於本專利申請案中。另一方式是，可在該發射面上配置一光學元件，例如，一輻射成形用的折射元件(特別是透鏡)或一繞射元件，且特別是施加在該組件上。此外，由該發射面此側可配置一光子晶體結構。
若該發射面未具備上述的接觸元件，則可容易地將上述元件施加在該發射面19上或在該發射面中形成一發射結構。
此外，各接觸區之連接面很靠近該活性區而配置著，使例如相對於該組件之熱阻在將熱由該活性區中排出時可有利地變小，該組件中在一連接面和該活性區之間配置著該載體3。
傳統之光電-構件包括一產生輻射用的半導體晶片，其安裝在一種保護該晶片用的外殼中或安裝在一導線架上，其中該組件之晶片在安裝之後可對每一構件各別地不以複合物來包封。相對於傳統之光電-構件而言，此處描述的組件可完全以複合物來製成。在各組件由該複合物中切離之後為了保護該組件，不需對該組件作事後的包封。
一種保護用的包封可有利地設置在該複合物中。該組件1較佳是具有一種包封40，其以虛線顯示在第1圖中。半導體本體2可適當地埋置在該包封40中。該包封40是該已切離的組件的一部份。該包封40可具有一個或多個已切離的外面41。該包封可設置在該複合物中，該組件由該複合物中切離。
該包封40可保護該活性區40使不致受外界(例如，濕氣)所損傷。就此包封而言，可在半導體本體上施加(特別是形成)一種成型材料(例如，BCB)。此成型材料可適當地在施加之後硬化。已硬化的包封在機械上很穩定且可保護該活性區。該包封40可圍繞在半導體本體2之周圍。半導體本體 較佳是在與該載體一起作用時受到該包封之保護。該包封40較佳是沿著半導體本體2之未與該載體3相面對的全部之側面而延伸。各連接面70，80較佳是裸露在該包封40之遠離該半導體本體2之此側上。
該包封較佳是可透過該活性區中所產生的輻射。
氮化物-化合物半導體特別是對外部的影響具有抵抗性，因此在以氮化物為主的組件中省略該包封時危險性較低。
反之，磷化物-和砷化物-化合物半導體特別是在含有鋁時例如對濕氣具有敏感性。這些組件(其半導體本體含有磷化物和砷化物)上設置一種包封時特別有利。
主面9或表面24之俯視圖中由半導體本體2所覆蓋的面積相對於整個面積之比可大於0.2，較佳是大於0.3，特別佳時是大於0.5，最佳時是大於0.7，該組件在主面9或表面24的俯視圖中經由整個面積而延伸。傳統之微小-造型具有一種小於0.1之相對應的比例。
半導體本體之表面，較佳是半導體本體之遠離主面9之此表面24，可具有一種包括凸起和凹口之表面結構21。藉由此一表面結構21，則輻射可由半導體本體2發出，且輻射特別是可容易地由半導體本體2轉入至載體3中。
此種結構例如可藉由半導體本體之表面的粗糙化，例如，蝕刻，來達成，或特別是載體由生長基板來形成時，則此粗糙化可藉由適當地使用一種不平坦的生長基板來達成。在不平坦的生長基板上可適當地將一種偏移導入至磊 晶的基板側之半導體層中，此時由於偏移而形成不平坦的表面。此種表面結構21顯示在第1D圖之已簡化很多的切面圖中。
藉由上述的表面結構21，則表面24上的反射(例如，全反射)會受到干擾。該輻射因此可容易地由半導體本體2發出。例如，在氮化物-化合物半導體-本體中若使用一種較佳是由生長基板製成的藍寶石-載體，則此載體具有一種較氮化物-化合物半導體材料還小的折射率，因此在半導體本體中會發生持續性的全反射的危險性。此種全反射會受到表面結構21所干擾。
半導體本體2可傾斜地形成在經由該活性區4的穿通部的區域中。第二接觸區8在半導體本體2之凹口11中延伸，凹口11較佳是傾斜地形成著。此種傾斜式的形成圖顯示在第1E圖之部份切面圖中。第1E圖顯示例如第1C圖之一部份的示意圖。
藉由該輻射在第二接觸區8之配置在穿通部中的接觸材料上的反射，則半導體本體中的輻射通道會受到干擾。由半導體本體所發出的輻射功率於是可提高。第二接觸區8具有與該活性區相面對的傾斜面。
凹口較佳是由該組件1的主面9開始而在活性區4之遠離該主面9的此側的方向中逐漸變細。此種造型例如可藉由一適當傾斜的光罩來進行的乾蝕刻所形成的凹口來達成。
凹口11之壁面110或穿通部之壁面110可傾斜於活性區 4及/或傾斜於主面9而延伸。傾斜的角度γ可介於35度(含)和55度(含)之間(例如，45度)，此種角度對該半導體本體中的輻射通道之干擾而言特別有利。壁面110和活性區4或壁面的延伸以及主面9可包含此角度γ。在穿通部之區域中且特別是在凹口11之區域中可設有一種介電質反射層。
介電質反射層可藉由該隔離層10來形成。
介電質反射層可配置在第二接觸區和半導體本體之間的穿通部-或凹口之區域中。
可適當地選取第二接觸區8之配置在穿通部之區域中的材料，使第二接觸區在穿通部之區域中具有一高的反射率。第二接觸區在該區域中因此具有一導電的反射層90。第二接觸區在穿通部之區域中(特別是在遠離該接觸位置12之區域中且該反射層72或該接觸層71經由此區域而傾斜)較佳是以具有反射性的方式而形成，例如，以一種具有高反射率的材料來形成。例如，金屬(例如，銀或鋁)或合金適合用來形成該導電之反射層90，該合金可適當地含有多種金屬。
第二接觸區8較佳是具有一接觸層87。此接觸層87可藉由第二接觸區以便在形成至半導體材料的電性接觸區時被最佳化。例如，該接觸層87可含有一種金屬(例如，鉑)或金屬合金。該接觸層87所具有的厚度可以是50奈米或更小，較佳是30奈米或更小，特別佳時是20奈米或更小，例如，10奈米或更小。
該接觸層87特別是可在第二接觸區8至半導體材料之接觸位置12中鄰接於該半導體材料。例如，該接觸層87可配置在該隔離層10之一空出區中。在該接觸層87之遠離該半導體材料之此側上可配置第二接觸區8之導電之反射層90。
第二接觸區8之接觸層87當然亦可設置在如上所述以及如下所述的組件中。同樣情況亦適用於該導電之反射層90。
雖然第1E圖中只顯示一具有傾斜而延伸的壁面之穿通部或凹口，但當然亦可在第1圖中設有其它穿通部且以下所述的實施例亦可像第1E圖一樣來設置。
特別是可製成該組件1，以便在該組件1操作時在該發射面19上及/或在該組件關閉的狀態下在亮度中未能辨認出不規則性。在該組件操作時，可避免輻射功率較小的區域，功率較小的輻射由於中斷的活性區而發生於上述區域中。該發射面19可在操作時及/或關閉的狀態下具有一相同形式的外表影像。例如，該反射層72及/或該凹口11-或該穿通部之傾斜的壁面對上述”相同形式的外表影像”有貢獻。
該組件之發射面19較佳是具有凸起和凹口。藉由此種發射結構，則經由該發射面而發出的輻射功率由於在該發射面上受干擾的(全)反射而可提高。此種發射結構以虛線顯示在第1B和1C圖中。該發射結構可藉由蝕刻或機械式操控(例如，研磨)來形成。
第2A圖是光電組件之另一實施例之俯視圖，第2B圖是切面圖。第2B圖之切面圖是沿著第2A圖之直線A-A而得到者。第2圖之實施例基本上對應於第1圖之實施例。
與第1圖不同之處在於，半導體本體之電性接觸用的第二接觸區8是在活性區4之遠離該主面9之此側上延伸，特別是半導體本體2之區域6之接觸區是在橫向中與半導體本體2相鄰的側面22之附近延伸。
因此，第1圖之實施例之凹口和接觸凸起以及第二隔離層13都可省略。該接觸層71且較佳是該反射層72可以連續的層來構成。這些層中用來將第二接觸區導引至半導體本體之一區域用的空出區可省略，該區域配置在活性區4之遠離該接觸層71、該反射層72、該連接面70及/或該連接面80之此側上。該活性區之穿通部亦可省略。該活性區之用來產生輻射之此面因此可擴大。
第二接觸區由該接觸層71之遠離該活性區4之此側開始在橫向中靠近該半導體本體而在活性區之遠離該接觸層之此側上延伸且在此側上導電性地與半導體本體相連接。
第二接觸區8之接觸區86靠近該半導體本體2之以活性區4作為邊界的側面22而延伸，直至該活性區4之遠離該主面9之此側為止。此接觸區在電性上是與該活性區相絕緣。此接觸區86較佳是沈積在該隔離層10上且此接觸區86在該活性區4之遠離該主面9之此側上的一接觸區23中導電性地與半導體本體相連接，特別是與該區域6相連接。該接觸區86較佳是以框架形式圍繞該半導體本體。於是，可容易地將電荷載體均勻地注入至該活性區4中以大面積地產生輻射。該接觸區23之面積較佳是小於半導體本體之與該接觸層相接觸的面積(請比較上述第1圖之實施形式)。
此外，半導體本體2之側面22以傾斜方式而形成。藉由第二接觸區8之接觸區86之與該半導體本體相面對且傾斜而延伸的側面或表面上的輻射，則半導體本體中的輻射通道可受到干擾且因此可使半導體本體中繼續形成全反射的危險性下降。於是，由半導體本體中發出的輻射功率可提高。
載體3之側面17較佳是以傾斜的形式來形成。載體中的全反射因此可受到干擾。
當然，在第1圖之組件中或以下所述的組件中亦可對應於第2圖之圖式而設置半導體本體2-及或載體3之傾斜的側面。
第2圖之組件1亦可設有一種包封40，如第1B和1C圖所示。此外，半導體本體2之面對該載體3之此側可具有一種如第1D圖所示的結構。
第3圖顯示光電組件1之另一實施例之切面圖。該組件1基本上對應於第1圖所示的組件。與第1圖不同之處在於，使半導體本體2在機械上獲致穩定用的載體此處已省略。
藉由半導體本體2之遠離該主面9之表面24，則可形成該發射面19。此表面24可具有一種表面結構(請比較第1D圖中的表面結構21，第3圖中未顯示)。
表面24可設有一種保護層28。例如，上述用於該隔離層或該包封之材料亦適用於該保護層28。
該組件1(例如，電致發光二極體)因此未設有一種分開設置的使半導體本體(其較佳是以磊晶方式生長而成)穩定用 的元件。該載體3(特別是該生長基板)可省略。
無載體的組件可由半導體本體、接觸區以及施加(特別是沈積)在半導體本體上的多個層所構成。這些層較佳是分別以不能自我承載的方式而形成。這些層可分別藉由一種PVD-或CVD-方法沈積而成。
無載體的組件之特徵是特別小的構造高度。
載體3，例如，半導體本體之生長基板，在製造此種無載體的組件1時可設置成臨時的中間載體。然而，載體3在製程期間亦可去除。該載體3較佳是全部去除。
其它如上所述以及如下所述之組件亦可以無載體的組件來構成。
第4圖是光電組件之另一實施例之切面圖第4圖所示的光電組件1基本上對應於第1圖所示的組件。第4圖之切面圖對應於第1C中的切面圖，其中另一對應於第1A圖中的直線A-A所採取的該組件的切面是依據第1B圖中所示的切面圖來形成。該電流擴散區81特別是可具有一個或多個接觸凸起84。
與第1圖所示的組件不同之處是，二個接觸區之連接面70，80配置在活性區4之不同的側面上。第一接觸區7之連接面70配置在該主面9之遠離該活性區4之此側上。第二接觸區8之連接面80配置在該表面24之遠離該活性區之此側上，特別是配置在該載體3之遠離該半導體本體2之此側上。
第二接觸區8之電流擴散區81和連接面80配置在該活 性區4之不同的側面上且特別是配置在半導體本體2之不同的側面上。
第一接觸區之連接面70以大面積方式在半導體本體2之主面9上適當地延伸著。
第二接觸區8之電流擴散區81中的電流擴散以及此一接觸區在該連接面80上的外部電性連接可在該活性區(特別是半導體本體)之不同的側面上達成。
連續的絕緣材料以適當的方式在第二接觸區8和第一接觸區之連接面70之間延伸著。除了該隔離層10或13之外，亦可設有另一隔離層25。然而，此一隔離層25情況需要時亦可藉由該層13來形成(未顯示)。各隔離層13和25以單件方式來形成。
與第1圖之實施例不同之處在於，半導體本體2具有一種完全穿過該半導體本體之空出區26。此空出區因此經由整個半導體本體而延伸且較佳是繼續經由整個載體3而延伸。此空出區26除了各凹口11之外亦可依據第1B圖來設置。相較於空出區而言，各凹口較佳是只一部份經由該半導體本體。
第二接觸區8由半導體本體之主面9開始經由整個半導體本體2而延伸且在該空出區26之區域中是與活性區4(特別是半導體本體)在電性上相絕緣以及較佳是與該載體3在電性上相絕緣。於此，該空出區26是以隔離材料(大致上是該隔離層10)來作為襯底。該空出區26在橫向中較佳是由半導體本體2或載體3來圍繞著。經由該接觸區8之由該空 出區26而延伸出的部份，則該連接面80(特別是終端層83)可與電流擴散區81導電性地相連接著。
由主面9此側所設置而成的連接面70較佳是藉由一導電性的連接層以導電性地連接至一終端載體之一終端導體。藉由該連接面70製作成較第1圖之實施例中還大的面積，則可以平面方式且位置穩定地連接至該終端載體。
該連接面80較佳是用來與一結合線相連接。電流可擴散至該反射層之遠離該活性區之此側上的區域81中。
就第二接觸區經由該連接面80所達成之外部的電性連接而言，所需的面積較電流經由半導體本體之主延伸方向而擴散時的面積還小。該連接面80然後較佳是在半導體本體2之較小的面上延伸以作為電流擴散區81。
該連接面80之面積較佳是小於該接觸層71-或該反射層72之面向該主面9之此側之面積。由該組件之發射面19此側因此可設置一吸收用元件(例如，終端層83)。然而，在此層中被吸收的輻射成份由於該連接面之較小的面積而可保持較小。
此外，在活性區之二個不同的側面上設置不同接觸區的連接面70，80所具有的優點在於，一接觸區可藉由一連接層且另一接觸區可藉由導線連接而被連接。這在電性上連接多個組件時是有利的。
就接觸區8延伸至該連接面80而言，可設有該空出區26以取代第1圖之一凹口11。其它的凹口可對應於第1B圖來形成而配置著。
第5圖顯示光電組件1之另一實施例之切面圖。
第5圖之組件基本上對應於第4圖之組件。此二種組件之相同點在於，該二個接觸區7，8之連接面70，80配置在該活性區4之不同的側面上。與第4圖不同之處在於，一接觸區(特別是該接觸區7)由該主面9開始而靠近-且沿著半導體本體2之側面15而延伸直至由活性區4來觀看時位於該半導體本體2之與該主面9相面對的表面24上為止。第一接觸區7之此層74可沿著該半導體本體2而延伸且特別是可沿著該載體之一側面17而延伸。
該接觸區7在該側面15之區域中是與該活性區4形成電性絕緣且特別是與半導體本體2適當地形成電性絕緣。此層74以區域方式埋置於該隔離材料中，例如，埋置於該層10和26中(或埋置於層13中，在該層13和26以單件形式而形成時)。
相對於第4圖而言，第5圖之組件1可將半導體本體2之空出區省略，特別是可省略該載體3之空出區。此外，與第5圖不同之處在於，第二接觸區之連接面80配置在該主面9之遠離該活性區4之此側上且較佳是以大面積方式在該主面9上方延伸。反之，第一接觸區之連接面70配置在該表面24(特別是該載體3)之遠離該活性區4之此側上。
在該連接面70和該活性區4之間適當地配置電性絕緣材料，以防止各接觸區7和8之間的短路。於此，可設置另一隔離層27，其在該表面24上方延伸且配置在該連接面70和該活性區4之間。該絕緣材料較佳是連續地在該表面 24(特別是載體3)和第一接觸區7之間延伸。同樣，用於各層10和13之材料適合用於各隔離層25和27中。
若載體3以電性絕緣方式來形成，例如，以藍寶石來形成，則該隔離層27可省略。第6圖顯示光電組件之另一實施例之切面圖。
第6圖之組件1基本上對應於第1圖所示的組件。特別是該二個接觸區7，8之連接面70，80配置在該活性區之相同的側面上。
與第1圖之組件不同之處在於，一接觸區(較佳是二個接觸區)具有二個配置在該活性區之不同側上的連接面。第二接觸區8具有二個配置在該活性區之不同側上的連接面80和89。第一接觸區7具有二個配置在該活性區4之不同側上的連接面70和79。
各接觸區7，8由主面9開始而導引至表面24上方，這可藉由例如第4圖所示的空出區26來達成或沿著一在橫向中作為該半導體本體之邊界的側面15而延伸且特別是沿著一在橫向中作為該載體3之邊界的側面而延伸(如第5圖所示)來達成。第二接觸區8因此可沿著側面15以經由該空出區26和第一接觸區7而受到導引。
上述方式是在半導體本體之不同側面上設置一接觸區用的二個連接面，此方式可使該組件1之外部電性連接所需的接觸自由度提高。因此，該組件可藉由二個配置在活性區之同一側上的連接面80，70或89，79或藉由連接層或藉由結合線而被連接，且可藉由一結合線或一連接層來接觸 另一連接面80或70。藉由導電性之連接層來達成的接觸較佳是在將該組件安裝在一終端載體上時用的此側上進行。
各連接面可藉由另一終端層88或78來形成。
第7圖顯示光電組件之另一實施例之切面圖。
第7圖之組件基本上對應於第1圖之組件(請比較第1C圖中相對應的切面圖)。與第1圖不同之處在於，光電組件1具有一附著層75。較佳是形成此附著層75，以便使第一接觸區之材料相對於半導體本體之黏性提高。此附著層可具有導電性且特別是屬於第一接觸區7之一部份。此附著層可含有金或合金或由其所構成。此附著層例如可含有鈦或由鈦構成。此附著層75一方面是與半導體本體2相鄰接且另一方面是與接觸層71相鄰接。鈦-附著層75特別適合用來使一種鉑-接觸層71相對於半導體材料之黏合性獲得改良。此附著層適當地具有一種10奈米或更小的厚度，較佳是5奈米或更小，特別佳時是3奈米或更小，例如，2奈米或更小。此附著層特別是可半透明者。此外，此附著層情況需要時亦能以非連續的層(例如，島形的層)來形成。
該接觸材料由半導體本體脫層(delamination)之危險性可藉由附著層的設置而下降。附著層75較佳是整面配置在該接觸層71和半導體本體2之間。
此外，該組件具有一介電質反射層30。此介電質反射層30配置在反射層72和半導體本體2之間。此介電質反射層30可配置在反射層72和該接觸層71之間。此介電質反射層30可空出(即，中斷)一次或多次以便在該接觸層和反射 層之間形成電性接觸。於此，可設置適當的通孔(Vias)，其較佳是在橫向中特別是在周圍以介電質反射層30為邊界且可經由該反射層而延伸。第一接觸區7及/或第二接觸區8可由介電質反射層30之遠離該活性區之此側而延伸至介電質反射層30之與該活性區相面對的此側。此附著層75可配置在該反射層30和半導體本體2之間。
另一方式是，該附著層75及/或該接觸層71可配置在該介電質反射層之適當的空出區中(未顯示)。介電質反射層30情況需要時可配置在該接觸層和該附著層之間(未顯示)。
由於介電質反射層，則可藉由反射層72和反射層30使輻射更佳地反射回到半導體本體中，該反射層72和反射層30形成一種總鏡面，其可包含一種導電的材料和介電質。
介電質反射層所具有的厚度較佳是λ/(4n)，其中λ是活性區中所產生的輻射在真空中的波長且n是介電質反射層之材料的折射率。該反射層的厚度可以是50奈米或更大，較佳是70奈米或更大，特別佳時是100奈米或更大，例如，150奈米或更大。介電質反射層之厚度較佳是小於或等於500奈米，特別佳時是小於或等於400奈米。配置在穿通部中或凹口11中的隔離層(例如，隔離層10)若形成(另一)介電質反射層(請比較對第1E圖的描述)，則其可具有一種適當的厚度。
在以上述厚度來形成該反射層時，在介電質反射層上的輻射發生反射時可防止一種優先方向的形成或使其形成的可能性下降。由該反射層和反射層所組成的鏡面之反射率 可特別有利地與輻射之入射角無關。該反射層較佳是含有一種氮化矽，氧化矽或氧化氮化矽或由其所構成。由於藍色光譜區中較小的吸收性，則氧化矽特別適合紫外線-或藍色光譜區中的輻射。
介電質反射層之折射率較佳是小於半導體材料之折射率，該半導體材料由介電質反射層此側來圍繞著該半導體本體。由於折射率之跳躍現象，則輻射可擴增而反射回到半導體本體中。因此，GaN之折射率例如是大約2.3，SiO2 之折射率大約是1.5。
一種所謂低k材料，即，低折射率的材料，較佳是一種折射率小於SiO2 之材料，此種材料亦適用於介電質反射層中。
此外，第7圖之光電組件1具有一光學元件31。此光學元件較佳是設置在發射側且特別是可施加在發射面19上。此光學元件31可以電致發光轉換元件來構成。電致發光轉換元件例如可藉由適當的電致發光轉換材料來吸收該活性區4中所產生的輻射且再發出一波長較長的輻射。此光電組件然後可產生混合彩色的光，特別是白光。此混合彩色是由活性區中所產生的輻射和由電致發光轉換元件再發出的輻射的混合所形成。另一方式是，該光學元件可包含一輻射成形用的光學元件，其可以是折射元件或繞射元件(例如，透鏡)。情況需要時，該光學元件亦可由光子晶體結構來形成。
附著層87、介電質反射層30、導電之反射層90、及/或 光學元件31亦可設置在如上所述及如下所述之組件中。此外，各別的穿通部或各別的凹口11可以作為隔離層10用的介電質反射層來作為襯底。
該組件1且特別是第一接觸區7可具有一可透過輻射的導電層。此層所具有的折射率小於由此層方向以半導體本體2作為邊界的材料之折射率。於是，可更佳地使輻射反射回到半導體本體中。除了該附著層75及/或該接觸層71之外，亦可設有該可透過輻射的導電層，或該可透過輻射的導電層可取代該附著層及/或該接觸層。該可透過輻射的導電層例如可藉由以參考符號75來表示的層來形成，此時該接觸層71可省略。除了該附著層75及該接觸層71之外，該可透過輻射的導電層未顯示在第7圖中。該可透過輻射的導電層配置在反射層72和半導體本體2之間。此外，該可透過輻射的導電層較佳是配置在該介電質反射層30和半導體本體2之間。該可透過輻射的導電層之折射率較佳是介於介電質反射層之折射率和由該可透過輻射的導電層此側來以半導體本體為邊界的半導體材料的折射率之間。
該可透過輻射的導電層可含有一種氧化物，特別是金屬氧化物，例如，氧化錫，氧化鋅或氧化銦錫，或由其所構成。一種含有TCO(Transparent Conducting Oxide)且可透過輻射的導電層之特徵是在橫向中具有高的導電性且同時對該活性區中所產生的輻射具有高的透過率。此外，上述材料之折射率小於由該層此側來以半導體本體為邊界的材料的折射率，使該可透過輻射的導電層由於折射率跳躍現象 而可作為可透過輻射的導電反射層。經由此層而入射的輻射可在該介電質反射層及/或該反射層上反射且由該處又到達半導體本體中。
當該介電質反射層中斷以形成至該半導體本體之接觸區且該可透過輻射的導電層配置在該介電質反射層和半導體本體之間時，該可透過輻射的導電層特別有利。一種電流擴散可在介電質反射層和半導體本體之間進行。當由該可透過輻射的導電層此側來以半導體本體為邊界的材料(例如，p-GaN)中橫向中的導電率較小時特別適當。
該可透過輻射的導電層之厚度較佳是200奈米或更小，特別佳時是100奈米或更小。
第8圖是光電組件之另一實施例之切面圖。
第8圖之組件1基本上對應於先前各圖所示的組件，特別是與第5圖所示的組件相對應。
與先前各圖不同之處在於，該組件1之外部的連接面70和80配置在半導體本體之遠離該反射層72或遠離該接觸層71之此側上。各連接面特別是在該組件之發射面上延伸。各連接面70，80可分別藉由終端層73或83來形成，其例如是一種結合(Bond)層，例如，金-結合層。較佳是分別設有各終端層73，83以與一結合線相連接。各連接面70，80配置在活性區之遠離該主面9之此側上。電流擴散以及至半導體本體的接觸區之形成是在半導體本體之遠離連接面之此側上進行。各連接面因此以小面積來形成時是有利的。
第8圖之組件基本上對應於第5圖所示的組件，第8圖 中該連接面80另外在該半導體本體之同一側(例如，連接面70)上受到導引。第二接觸區8可在同一側(例如，連接面70)上在第二接觸區之一層82上或多個層上受到導引，第二接觸區由主面9開始而在側面外部沿著半導體本體以靠近該側面6以及較佳是亦靠近該載體之側面17且在該表面24或該發射面19上延伸。例如，一適當的金屬層或合金層適用於此處。
此外，該組件1配置在導熱體32(例如，鍺體)上且較佳是固定著。該反射層72或接觸層71面向該導熱體32。半導體本體經由導熱的連接層33(例如，焊接層，其可以是錫-或金-錫-焊接層)而可導熱地與該熱導體32相連接。該連接層33可配置在該反射層72和該導熱體之間及/或該接觸層71和該導熱體之間。各接觸區7，8之一(例如，第二接觸區8)較佳是具有一在該組件外側上裸露的熱終端區34。該連接層33沿著該熱終端區34而延伸。除了電性連接面70，80之外，特別是可設置該熱終端區34。一連接面，特別是二個連接面，較佳是配置在半導體本體之遠離該熱終端區34之此側上。該組件操作時所產生的熱損耗可經由該連接層33而排出至該導熱體且經由此導熱體32而可靠地排出至環境中。該組件(特別是高功率的組件)失效之危險性因此可下降。
該熱終端區32較佳是配置在半導體本體之遠離該載體3之此側上。因此，可使熱不會經由可能是不良之導熱性載體而輸送。
導熱體32另外亦可用作載體，情況需要時因此可省略該載體3。該組件特別是可以無(生長)基板之組件來形成。
第9圖是光電裝置之一實施例之切面圖。
光電裝置200具有一光電組件1。此光電組件1可依據上述組件之一來形成，特別是可形成一種組件，其連接面用作導電性的連接及/或用作表面安裝。為了清楚之故，只以示意圖顯示該光電組件1。
此外，該光電裝置200具有一終端載體50。此終端載體具有二個電性互相絕緣的終端導體51，52。此終端載體50可藉由電路板(例如，印刷電路板)或金屬核心板來形成或藉由以陶瓷為主的終端載體來形成。以陶瓷為主的終端載體設有該終端載體用的導電材料。終端載體51，52例如可含有金屬或合金。
光電組件1是以連接面70，80來與接觸區7或8或該終端載體50相面對。每一連接面70，80都設有一相隔開的終端導體51或52。各連接面70，80可導電性地與各別的終端導體51或52相連接(例如，焊接)。
此外，該光電裝置200具有一種填料60。此填料60適當地形成且特別是配置在終端載體50和光電組件1之間。該組件和該終端載體之間的中間區可藉由該填料60來填入。該填料60在機械上可支撐著該光電組件。該填料可由一種較佳是已硬化的成型材料來形成。該填料可包含一種塑料，例如，樹脂，其可以是環氧樹脂，或由塑料所構成。該填料可鄰接於該組件之一種未具備連接面70，80之面， 此面未由連接面所覆蓋且較佳是與該組件相面對。該填料較佳是在該組件安裝於終端載體上之前施加於該組件上或終端載體50上。在該組件固定於終端載體上之後，該填料可硬化或及時硬化。半導體本體較佳是未埋置於該填料中。
該填料可鄰接於該終端載體50、該組件1及/或各接觸區7和8。該填料60較佳是配置在各連接面之間之區域中及/或配置於接觸區7和8之間的區域中。當該組件以無(生長)基板且特別是無載體的方式(即，未具備額外之機械穩定用的元件)來形成時特別適當。
操作時由於與熱有關的應力所造成的損傷之危險性可藉由該填料60所達成之半導體本體2之機械上的支撐而下降。
光電組件1可不需額外的中間載體(submount)且特別是以表面安裝技術而直接安裝在終端載體上。
一種包封40或表面結構21可設置在上述之全部的組件中，即，不只可設在第1圖至第7圖所示的組件中。
本發明當然不限於依據各實施例中所作的描述。反之，本發明包含每一新的特徵和各特徵的每一種組合，特別是包含各申請專利範圍-或不同實施例之各別特徵之每一種組合，當相關的特徵或相關的組合本身未明顯地顯示在各申請專利範圍中或各實施例中時亦屬本發明。
γ‧‧‧角度
1‧‧‧光電組件
2‧‧‧半導體本體
3‧‧‧載體
4‧‧‧活性區
5‧‧‧區域
6‧‧‧區域
7‧‧‧第一接觸區
8‧‧‧第二接觸區
9‧‧‧主面
10‧‧‧隔離層
11‧‧‧凹口
12‧‧‧接觸位置
13‧‧‧隔離層
15‧‧‧側面
17‧‧‧側面
19‧‧‧發射面
21‧‧‧表面結構
22‧‧‧側面
23‧‧‧接觸區
24‧‧‧表面
25‧‧‧隔離層
26‧‧‧空出區
27‧‧‧隔離層
28‧‧‧保護層
30‧‧‧介電質反射層
31‧‧‧光學元件
32‧‧‧熱導體
33‧‧‧連接層
34‧‧‧熱終端區
40‧‧‧包封
41‧‧‧外面
50‧‧‧終端載體
51‧‧‧終端載體
52‧‧‧終端載體
60‧‧‧填料
70‧‧‧連接面
71‧‧‧接觸層
72‧‧‧反射層
73‧‧‧終端層
74‧‧‧第一接觸區之另一層
75‧‧‧附著層
78‧‧‧終端層
79‧‧‧連接面
80‧‧‧連接面
81‧‧‧電流擴散區
82‧‧‧第二接觸區之一層
83‧‧‧終端層
84‧‧‧接觸凸起
85‧‧‧第二接觸區之另一層
86‧‧‧接觸區
87‧‧‧接觸層
88‧‧‧終端層
89‧‧‧連接面
90‧‧‧反射層
110‧‧‧壁面
200‧‧‧光電裝置
第1圖 其中第1A圖是光電組件之第一實施例之俯視圖，第1B圖和第1C圖都是切面圖，第1D圖為已簡化的切面圖，第1E圖是部份切面圖。
第2圖 其中第2A圖是光電組件之另一實施例之俯視圖，第2B圖是切面圖。
第3圖 是光電組件之另一實施例之切面圖。
第4圖 是光電組件之另一實施例之切面圖。
第5圖 是光電組件之另一實施例之切面圖。
第6圖 是光電組件之另一實施例之切面圖。
第7圖 是光電組件之另一實施例之切面圖。
第8圖 是光電組件之另一實施例之切面圖。
第9圖 是光電裝置之一實施例之切面圖。
1‧‧‧光電組件
2‧‧‧半導體本體
3‧‧‧載體
4‧‧‧活性區
5‧‧‧區域
6‧‧‧區域
7‧‧‧第一接觸區
8‧‧‧第二接觸區
9‧‧‧主面
10‧‧‧隔離層
11‧‧‧凹口
12‧‧‧接觸位置
13‧‧‧隔離層
15‧‧‧側面
19‧‧‧發射面
24‧‧‧表面
40‧‧‧包封
41‧‧‧外面
70‧‧‧連接面
71‧‧‧接觸層
72‧‧‧反射層
73‧‧‧終端層
74‧‧‧第一接觸區之另一層
80‧‧‧連接面
81‧‧‧電流擴散區
83‧‧‧終端層
84‧‧‧接觸凸起
85‧‧‧第二接觸區之另一層

Claims (15)

  1. 一種光電組件(1)，包括：- 半導體本體(2)，其具有帶有適合用來產生輻射的活性區(4)的半導體層序列，- 配置在半導體本體上的反射層(72)，以及- 二個電性接觸區(7，8)，此二個接觸區之第一接觸區(7)在該活性區之與該反射層相面對的側面上導電性地與半導體本體相連接，該二個接觸區之第二接觸區(8)在該活性區之與該反射層相遠離的側面上導電性地與半導體本體相連接，且該反射層配置在半導體本體和第二接觸區之部份區域之間。
  2. 如申請專利範圍第1項之光電組件，其中該反射層(72)被空出用於形成第一接觸區(7)至半導體本體(2)之接觸區，且該反射層(72)被空出用於形成第二接觸區(8)至半導體本體之接觸區。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之光電組件，其中該反射層(72)以電性絕緣方式而形成。
  4. 如申請專利範圍第1或2項之光電組件，其中接觸區(7，8)之一具有該反射層(72)。
  5. 如申請專利範圍第1或2項之光電組件，其中第二接觸區(8)在橫向形成半導體本體(2)的邊界的側面(15)旁由活性區(4)之一側面延伸直到活性區的另一側面，且在該另 一側面上導電性地與半導體本體相連接。
  6. 如申請專利範圍第1或2項之光電組件，其中該活性區(4)具有多個穿通部(11，26)且第二接觸區(8)經由穿通部而延伸，其中第二接觸區在穿通部之區域中在電性上是與該活性區相絕緣。
  7. 如申請專利範圍第6項之光電組件，其中相應的穿通部(11，26)之壁(110)傾斜於活性區(4)走向。
  8. 如申請專利範圍第6項之光電組件，其中第二接觸區(8)在穿通部之區域中具有導電性的反射層(90)。
  9. 如申請專利範圍第8項之光電組件，其中第二接觸區(8)具有接觸層(87)且該接觸層配置在該導電性的反射層(90)和半導體本體(2)之間。
  10. 如申請專利範圍第4項之光電組件，其中該導電性的反射層(72)和半導體本體之間配置介電質反射層(30)。
  11. 如申請專利範圍第1或2項之光電組件，其中在該反射層(72)和半導體本體(2)之間配置用於第一接觸區(7)之附著層(75)。
  12. 如申請專利範圍第1或2項之光電組件，其中接觸區(7，8)之一的遠離該活性區(4)之連接面(70，80)配置在該活性區(4)之遠離該反射層(72)之側上。
  13. 如申請專利範圍第12項之光電組件，其中該二個接觸區(7，8)具有遠離該活性區(4)之連接面(70，80)且該二個連接面配置在該活性區之同一側上。
  14. 如申請專利範圍第1或2項之光電組件，其中接觸區(7， 8)分別具有遠離該活性區(4)之連接面(70，80)且該二個連接面(70，80)配置在該活性區之不同側上
  15. 如申請專利範圍第1或2項之光電組件，其中該半導體本體(2)以磊晶方式生長且該組件(1)未具備該半導體本體之半導體層用的生長基板。
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