TWI380326B - - Google Patents

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TWI380326B
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Description

、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關於一種薄膜，特別是指—種可應用於觸 控面板上，並且具有均勻色度之透明導電薄膜。 【先前技術】 現行使用於觸控面板的氧化钢錫（ITO)透明導電膜，因 為其鍍膜製程溫度低，而且材料本身在低波長波段的透過 率較低而使膜層偏黃，造成面板之視感不佳。此外，ITO膜 披覆形成之後，為了作電路或電容配置，必須透過蝕刻製 耘將。p分區塊蝕刻移除，因此面板上對應於該膜被蝕 刻的部位，以及對應於沒有被蝕刻的部位，將因為ΙΤΌ材 料之有無，造成明顯的顏色差異，使面板表面顏色不均勻 ，並且造成表面蝕刻圖案容易被觀察到，進而影響面板之 視感。 而人眼可見的顏色可以利用國際照明委員會（
International Commission on Illumination,簡稱 CIE)制定 的CIE L*a*b*色度空間來描述，所述b*值可以為負值也可 以為正值，當b*為正值時，代表黃色，而且b*值越大代表 顏色越黃’—般而言，™膜之b*值約為2〜4而偏黃。 雖然改變ITO之膜厚可以改善膜層偏黃現象，但是為 了在觸控面板上作較佳的觸控應用，加膜之阻抗值必須 控制在《範圍，其膜厚就不能太厚而亦必須控制在一定 ^度’所以無法藉由調整ITO膜本身之膜厚來改良薄膜偏 黃現象。目前作法通常是改變位於ITO膜下方的抗反射膜 層之特性’以改變整體薄膜之顏色均勻性，例如日本專利 JP2003-171147、JP2007-299534 及台灣專利 TW200730933 號專利案，皆是利用多層不同折射率之抗反射膜層搭配， 以調變薄膜整體色度與透光度’其它改良技術例如： JP2004-184579號專利案是利用五層光學膜之搭配來調變色 度，JP2007-276332號專利案是利用高分子材料作為中間層 ，JP2008-49518是利用ZnO與低折射率層之配合。 然而’上述專利案僅是設法將薄膜之整體色度值降 低，但是並未考量ITO膜钱刻後造成的姓刻區塊及非银刻 區塊的色於不均勻性’因此當ITO膜银刻之後，仍然會產 生多數個色衫不均勻之區塊’並使飯刻圖案被清楚觀察到 〇 【發明内容】 因此，本發明之目的，即在提供一種減輕薄膜偏黃現 象、色衫均勻、表面蝕刻圖案不易被觀察到的具有均勻色 度之薄膜。 於是，本發明具有均勻色度之薄膜，包含：一基材， 該基材包括反向間隔之一第一面與一第二面所述具有均 勻色度之薄膜更包含一層位於該等第一面及第二面的其 中一表面的表面處理層，以及由鄰近而遠離該基材而披覆 的一第一折射層、一第二折射層，以及一透明導電層，該 第一折射層之光學厚度為dl，且llnmgdlgl6nm，該第二 折射層之折射率小於該第一折射層之折射率而且該第二 折射層之光子厚度為d2，且60 nmg d2g 90 nm。

Claims (1)

1380326 申請案號第98127709 號替換頁（101. 10. 18)
七、申請專利範圍： 一種具有均勻色度之薄膜，包含： 一基材，包括反向間隔之一第一面與一第二面； 一表面處理層’位於該等第一面及第二面的其中一 表面；及 由鄰近而遠離該基材而彼覆的一第一折射層、一第 二折射層，以及一透明導電層，該第一折射層之光學厚 度為dl ’且11奈米$dl$16奈米，該第二折射層之折 射率小於該第一折射層之折射率，而且該第二折射層之 光學厚度為d2，且60奈米$ d2 $ 90奈米；該透明導電 層具有數個非蝕刻區塊，以及數個彼此間隔並與非蝕刻 區塊相鄰的钱刻區塊； 該具有均勻色度之薄膜之對應所述蝕刻區塊之部位 的色度為b’ ’該具有均勻色度之薄膜之對應所述非蝕 刻區塊之部位的色度為b2*，且AbL | b2*- b!* | <〇.35 2. 依據申π專利範圍第1項所述之具有均勻色度之薄膜， 其中，該透明導電層之材料為氧化銦錫。 3. 依據申明專利範圍第1項所述之具有均勻色度之薄膜， 其中’ 12奈米$ dig 15奈米。 4. 依據申請專利範圍第1項所述之具有均勻色度之薄膜， 其中’ 60奈米各d2g 8〇奈米。 5. 依據申请專利範圍第1項所述之具有均勻色度之薄臈， 其中，該表面處理層鄰近該基材之第二面，該等第_、 15 98127709 ^^^1(101.10.18) 二折射層及透明導電層是鄰近該基材之第一面。 6. 依據申請專利範圍第1項所述之具有均勻色度之薄膜， 其中’該表面處理層鄰近該基材之第一面，並且位於該 基材及該第一折射層之間。 7. —種具有均勻色度之薄膜，包含： 一基材’以及由鄰近而遠離該基材而披覆的一第一 折射層、一第二折射層，以及一透明導電層，該第一折 射層之光學厚度為dl’且20奈米$dl$29奈米，該第 二折射層之折射率小於該第一折射層之折射率，而且該 第二折射層之光學厚度為d2，且60奈米90奈米 ;該透明導電層具有數個非钱刻區塊，以及數個彼此間 隔並與非蝕刻區塊相鄰的蝕刻區塊； 該具有均勻色度之薄膜之對應所述钱刻區塊之部位 的色度為b/，該具有均勻色度之薄膜之對應所述非姓 刻區塊之部位的色度為b2*，且| b2*- b, | <〇 ο 8. 依據申請專利範圍第7項所述之具有均勻色度之薄膜， 其中’該透明導電層之材料為氧化銦錫。 9. 依據申請專利範圍第7項所述之具有均勻色度之薄膜， 其中，22奈米SdlS28奈米。 10. 依據申請專利範圍第7項所述之具有均勻色度之薄膜， 其中，60奈米80奈米。 16
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