TWI363236B - Method of fabricating alignment layer for liquid crystal display device - Google Patents

Description

1363*236 九、發明說明： 【先前技術】 示圖ί統=曰裝八置， f' " ,„ ; B 8^二子具有其薄而長形狀所帶來的配向的方向特 ί在向方向相通過施加電場。因= 配向改㈣刀、隹电场的時候，光的偏振特性根據液晶分子的 頦右：:支術中的—LCD裝置的立體示意圖，以及圖2為 現有技射的-LCD較的勤示4圖。 巧 ^，1和圖2 ’ — LCD裝置包括：—陣列基板則、一彩色 ίί) ί〒和設置在對列基板以及彩色遽光基板之間的一液晶 車列基板則内，一閑線12、一資料線24、一薄膜電晶 ^ —像雜IXEL)電極28在—第—基板1G上形成。 線12和貧料線24彼此交叉定義出像素區域p，所述TFT τ 12和貧料線24的交叉部分處形成。位於每一個像素區域ρ 述像素_ 28連接至TFT Τ並通過TFT Τ接收電壓。所述 砂包括一閘電極14、一閘絕緣層16、包含有一活性層和 ，接觸層l8b的—半導體層18、—源電極2()和—汲電極22。 閘電極14連接至閘線12，而位於閘絕緣層16上的所述半導 導^ 18與閘電極14對應。所述源電極20和汲電極22設置在半 /層18上並彼此分離。所述源電極2〇連接至資料線24。曝露 ^電極22的一部分的一鈍化層26形成在TFTT上面，並且所 沒素電極28形成在鈍化層26上，從而所述像素電極28連接至 /電極22的一部分。另外，聚醯亞胺的一第一配向層42形成在 1363236 具有像，電極28的第一基板10的整個表面上。 及一gSf t基板Β2内，-黑色矩陣32、-彩色濾光層34以 相對。所;在ΓΛ二ί板30上，該基板與第一基板 ^ ^ &鱗2職在第二絲30上並料—格子形狀。 的色矩陣32與第—基板10的非顯示區域對應。第-Α板10 t12' _24 和 tft τ。所述彩 4 光層 域色據光片34a、34M°地與每個像素區 陣32 ^色^; 來，一平面化層形成在黑色矩 和彩色、共雜36形絲黑色矩陣幻 電面。所述公魏極36利用像素電極28產生- 定位成用於決定液晶層的液晶分子的—原始定位。 特性,在接;一非接觸式，用於賦與配向層的定位 凹槽’ _層具蚊雜性，並錢晶分子且有-預定 ϊί應接觸私位處理中，在配向層上執行一光 以具ί-預定取向:9具有異方性。所述液晶分子由於異方性所 ：；：： :像ί==擦後具有不同的原始定位的區域而需要在 在非接觸定位:理中所廣泛地使用。 醯亞胺樹脂形成。例如，所包2學功能組的-聚 cydabutanedianhydrU所从學功能蛇純丁騎（C舰、

1363236 圖3為現有技術中用於形成一配向層的一聚醯亞胺樹脂的結 構示意圖。通常，聚醯亞胺為具有一醯亞胺環以及一芬芳酐和二 胺合成的一聚合材料。特別地，光致醯亞胺反應具有一光學功能 組，例如一環丁烧酐（CBDA)環，圖3中所示。當照射紫外（UV) 線的時候，環丁貌軒（CBDA)環打開，從而具有光學功能組的光 致反應醯亞胺分解為馬來醯亞胺（MI)和一光氧化反應物。 圖4為一聚醯亞胺樹脂的結構示意圖，該結構在uv射線照 射之前和之後具有一環丁烷酐（CBDA)環和一氧化雙苯胺（ODA) 組。 參考圖4 ’當在具有一環丁烷酐（CBDA)環和一氧化雙苯胺 • C〇DA)組的聚醯亞胺上照射UV射線的時候，所述CBDA環開 啟’從而產生馬來醯亞胺（MI)和光氧化反應物。在圖4中，1376 cm-1、1240 cm·1及1501 cm·1代表紅外吸收帶。可以使用一傅立 葉變換紅外（FT-IR)光譜測量紅外吸收帶。通過uv射線照射獲 得的馬來醯亞胺（MI)具有1397cm·1的一紅外吸收帶。 另外，當聚醯亞胺進行光解作用的時候，不僅僅在主要反應 中產生馬來酿亞胺（MI)而且在副反應中產生出不需要的產生物Q β亥田1j反應降低了聚醯亞胺的分子重量，從而聚醯亞胺的配向層的 抗熱特性降低。因此，具有傳統光導向配向層的]；^!)裝置，存在 • 殘留圖像的一些問題。 【發明内容】 《所欲解決之技術問題》 因此，本發明提供的用於製造液晶顯示裝置之配向層之方法 可以完全地避免由於現有技術中的局限和不足所導致的一個 個問題。 對於本發明額外的優點，目的和特點將在隨後的描述中闡 明，以及部分内容將從描述中顯而易見，或者可以通過實施本發 明瞭解到。本發明的目的和其他優點將通過特別在描述中指出的 允3236 Γ 、 結構和在此的申請專利範圍以及所附附圖說明實現和獲得。 ' 《解決問題之技術手段》 為了實現與本發明目的相關的這些或其他優勢，如具體和廣 • 泛所述地’用於製造液晶顯示裝置之配向層之方法包括：在一基板 上通過塗敷一配向材料形成一配向層；對配向材料層照射一w - 射線並進行預烘焙；以及後烘焙配向材料層。 i,可以瞭解到前面對於本發明的大概描述和下面對於本發明的 詳細描述具有實例性和解釋性，並且將要對本發明的實施例提供 作為申請專利範圍的進一步解釋。 ® 【實施方式】 明以下配合圖式及元件符號對本發明的實施方式做更詳細的說 用於^造一配向層的方法中的一配向材料包括：圖3中所示 的具有一環丁烷酐（CBDA)環的一聚醯亞胺樹脂。用於獲得具有 改進特性的一配向層的方法在圖5A至圖5C中解釋說明。八 圖5A至圖5C顯示了本發明中具有一配向層的一彩色濾光美 板的製造過程。 “ 、首先，在圖5A中，一黑色矩陣102形成在具有複數個像素區 •域P的基板100上。所述黑色矩陣102具有與每一個像素區域P 對應的一格子形狀。儘管沒有在圖中顯示出來，一 LCD裝置具有 相對基板。在该相對基板上，形成一閘線、一資料線和一薄膜 電晶體，以及與以上對應的黑色矩陣1〇2。其次，紅（R)、綠 和藍（B)色濾光圖案l〇4a、104b和l〇4c形成在具有黑色矩陣1〇2 的基板100上。母個紅（R)、綠（G)和藍（B)色濾光圖案、 104b和104c對應每一個像素區域Ρβ詳細地，在具有黑色矩陣 的基板100的整個表面上塗敷一顏色樹脂並且圖案化顏色樹脂 從、而形成紅（R)、綠⑹和藍（B)色濾光圖案刚a、i〇4b 和104c。例如’所述紅（R)色濾光圖案i〇4a設定在以第一 1363236 線處，所述綠（G)色滤光圖案104b設定在一第二傻+綠卢、 及所述藍（B)色就_敝設定在—第三像素線處^稱g 為一條紋式。考慮到顏色純度和電子特性，紅（R)、綠和 藍（B)色遽光圖案i〇4a、104b和104c具有不同的厚度。

因此，如圖5B所示，一平面化層1〇6形成在紅（R)、綠（G 和藍（B)色濾光圖案104a、104b和l〇4c上，從而形成一平頂表 面。所述平面化層1〇6可以由一絕緣聚合體樹脂形成。其次，一 公共電極108形成在平面化層1〇6上。所述公共電極1〇8包括一 透明傳導材料，例如氧化銦錫（ITO)和氧化銦辞（IZ〇)。若彩色 濾、光基板用在具有平面内切換（IPS)模式的LCD裝置上丨 需要公共電極。 、 如圖5C所示，一配向材料層（圖中未示）形成在公共電極 108上、，並因此在配向材料層（圖中未示）上進行一定向處理，從 而形成一配向層110。通過定向處理，所述配向層11〇具有配向層 110的特性。所述配向材料包括具有環丁烷酐（CBDA)的聚醯亞 胺。 虽形成配向層110的時候，需要最小化光解作用過程中的氧 化以及加快反應速度，從而馬來醯亞胺（MI)的壽命最小化，並 且防止了馬來醯亞胺（MI)的副反應。 ，了實現上述内容’在定向處理中，紫外（uv)線照射在配 向材料層（圖中未示）。同時，所述配向材料層（圖中未示）加埶c 向處理的—第—條件是同時進行料線照射和加熱配向 材料層^圖中未示）。所述加熱處理可簡作處理。所述 預供培处理，行的溫度是在大約攝氏25度至大約攝&230度的箱 ，7 2這，處理’―光學反應和—熱橫向•合反應同時產生0 / ，处;^環丁烧酐（CBDA)組的光解作用的時候，馬來醯亞 ί里產生並通過—網狀結構啟動，而且馬來酿亞胺⑽: ίϋϊΐΐ於第—條件得到防止。結果，可以解決現有技術中， 由於馬來ik亞胺（ΜΙ)的副反應引起的問題。 1363236 }

Mum ΐ處J條件是在氮而不是在氧的情瓦'下將 ^減/到最小。圖6顯不了配向層内的絲的吸收。所述元件 付號120a說明在氮的情況下，導向的配向層内的絲 组Π件符號120b說明在氧的情況下，導向的配向層 及收曲線。如圖6所示，所述第二吸收曲線 童的卜主^^於，吸收曲線施。定向處理中的氧化其活性在 ，的巧下大於氮的情況。所述氧化對定向特性產生不利影響。 因此’㈣處理最好在氮的航而不是氧的情況下進行。0 J气處第，，以錄的uv射線的能量密度在大約 至大約3 的範_。這個條件可以通過圖7中顯 日胺(二）的生產率關於相對吸收度和時間的曲線說 及溫不’备一才ft的溫度為攝氏170度、攝氏200度以 胺（Ίντη 之一，UV能量密度大約為1勤2的時候，馬來醒亞 和消失具有平衡狀態。意味著，當W能量密度 二有大約ll/em的翁，馬來醯亞胺⑽）的生產料有大 ί:Ϊ其他能量密度2 ’生產率增大，從而配向層的特性可以降 的範圍在大約_ J/cm2至大約道爪2的範圍内，里在紙、有 餘ΐϊ處理的一第四條件是在w射線照射和加熱之後進行一 ϋίΐ。¥在第—條件下的加熱處理稱作—第—烘培處理， 以iit 稱作—第二供赠理。所述第二触處理之所 之前和之彳i，胁UV練，延雜（贿 8所示，在後供賠（PB)處理之後的配向層所具有 ^遲，尚於後供培之前的配向層所具有的延遲值。所述配向層 二ΪΪ馬的延遲值，配向層具有越高的異方性。因此，當進行後 火、:^處理的時候，配向層具有改良的特性。 - 卜’―溫度特性以後烘烙處理為基礎。可以根據圖9中顯 不、後烘焙（ρΒ)處理之前和之後，基於υν密度，一配向層 1363236 示’當照射w射線的時候^ tu 的玻璃轉移溫度 培（PB)處理之後的配向層罝有“:二鄉啊候’在後供 處理之前的配向層具有的破移溫度高於後谢吾㈣） ⑽通過後供焙㈣酿亞胺 度可以在大_ 25度至大約4 烘域理的溫 Λ —t上述ΐ烘ΐ處理之前，經過—清潔處理，配向層的特性更 =二。这疋因為通過清潔處理可以去除副反 在 先括異兩醇。所述配向層通過清^ 价步在去軒（DI)水中清洗。當清_之後， 具有配向層的- LCD褒置產生出黑色圖像，其在第一，第二 和^二條件下進彳了光導向，表格丨所稀具有的亮度^黑色圖像 的党度在配向詹内的點1至6上測量。在不同的uv能量密度條 件下，通過一光導向處理得到的四個採樣，並且第五個採樣是通 過摩擦織物摩擦的一傳統聚酿亞胺配向層，稱作“R^gpj，，。 表格1 ----UV能量密度[J/cm2] 0.8 1.0 1.2 1.5 R/BPI 亮度 [cd /cm2] 點1 1.122 1.264 1.005 1.134 1.784 點2 1.117 0.976 1.560 1.122 1.654 點3 1.204 1.574 1.016 0.986 1.584 點4 1.186 1.314 1.230 1.064 1.673 點5 1.106 1.122 1.000 1.171 1.594 點6 1.125 1.218 1.064 1.027 1.740 偏差 0.041 0.201 0.220 0.070 0.101 平均值 1.143 1.244 1.146 1.084 1.674 在表格1中’本發明中的具有光導向配向層的LCD裝置的一 1363.236 : y ^

具有大約U至大約12的亮度，而具有傳統配向層的 LCD裝置的一黑色圖像具有的亮度大約為16。因為與傳統lCD 裝，内的黑^圖像相比，本發明中的LCD裝置中的黑色圖像具有 較低亮度，則本發明巾的對比率制提高。傳統LCD裝置 ^，.、色圖像的相對高的亮度是由於經過摩擦處理中的摩擦布的 。在本發财，因為配向層經過縣向，不存在例如擦拭的 柯題0 亞胺地，包括含有—環丁騎（cbda)環的一聚酿 料層塗敷在基板上。在氮的情況下，能量密度 ίϋϊ m至大約⑽^的1^射線照射在配向層上，以 4· 軸層上進行麵贿理。預娜處理的溫度的範圍在 進…!If ^大約攝氏230度之間。其次，具有配向材料層的 3 最Ϊ ’溫度範圍為大約攝氏25度至大約攝氏230 度間’進订後供培處理。因此，製造出配向層。在這 培處理的溫度根據彩色遽光基板内的平面化層 確定。當平面化層具有優秀的溫度特性的時候， 預烘焙處理和後烘焙處理的溫度可以增加。 讀ίί發明中’配向層通過uv射線進行光導向。同時，進行 另ί，因為光導向處理在氮的情況下進行，則可以 最小化田彳反應。因此，配向層的特性得到改良。 另外’因為UV射線的密度範_大約〇〇5 J/cm2至3 J/cm内，馬來醯亞胺（MI)的產量可以最大化。 w再者’由於後烘贿理，增大了延遲值。另外，因為在預炉 ίίΐ之後以及後縣處理之前，進行—清潔處理，則副ίΐί 物去除，從而配向層的特性得到進一步地改良。 - 上所述者僅為用以解釋本發明之較佳實 對本發明作任何形式上之限制，是以，凡=同;; ΕίΙ本發明之任何修飾或變更，皆仍應包括在本發明意圖保 12 丄北3236

【圖式簡單說明】 圖式為說明書之一部份係作為配合說明書、發明實施例以供進一 步解釋本發明之原理以了解本發明。 圖1為習知LCD裝置的一示意立體圖； 圖2為習知LCD裝置的剖面示意圖； 圖f為現有相關技術中用於形成一配向層的一聚醯亞胺樹脂的結 構示意圖； ^ 4為在進行UV射線照射之前和之後，具有一環丁烷酐（CBDA) %和一氧化雙苯胺（〇DA)組的聚醯亞胺樹脂的結構示意圖； 鲁圖5A至圖5C為本發明中具有一配向層的一彩色濾光基板的製造 過程示意圖； 圖6為在一配向層内的羰基組的吸收曲線圖； 圖7為馬來醯亞胺（M!)的生產率關於相對吸收度與時間的曲線 圖； 圖8為在後烘焙（PB)之前和之後，基於uv密度的延遲差值的 曲線圖； 圖9為在後烘焙（pB)之前和之後，基於uv密度的配向層的邛 值分佈曲線圖。 # 【主要元件符號說明】 10 第一基板 12 閘線 14 閘電極 16 閘絕緣層 18 半導體層 18a 活性層 18b 歐姆接觸層 20 源電極 13

>及電極 資料線 像素電極 純化層 第二基板 黑色矩陣 彩色濾光層 紅（R)色濾光片 綠（G)色滤光片 藍（B)色濾光片 公共電極 液晶層 第一配向層 第二配向層 基板 黑色矩陣 紅（R)色濾光圖案 綠（G)色濾光圖案 藍（B)色濾光圖案 平面化層 公共電極 配向層 第一吸收曲線 第二吸收曲線 14

Claims (1)

1363236 r ·, 十、申請專利範圍： 1. 一種用於製造一液晶顯示裝置之配向層之方法，包括： 在一基板上通過塗敷一配向材料形成一配向層； 在配向層上照射一UV射線並同時進行預烘焙； 在預烘焙的步驟之後，清洗該配向材料層；以及 在清洗的步驟之後，後烘焙配向材料層， 其中，配向材料包括具有環丁烷酐（CBDA)的聚醯亞胺，其 中，所述聚酿亞胺如下所示：

其中，R包括二(元)胺和具有氧化雙苯胺（〇DA)的物中 的一個， 其中，所，UV射線具有的能量密度的範圍是大約〇瓜 大約 1.5J/cn^， 氏=度==晴，紙嫩25度至大約攝 2. 如申請專利範圍第1項所述之方法巾半 有異丙 醇以及有機溶 3. 如申請專利範圍第1項所述 照射uv射線來進行職培法以及向層^之 驟係在氮的條件下進行。 以及後步驟之至少一步 15