TWI362910B - - Google Patents

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1362910 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關多層配線基板及多層配線基板之製造方法 【先前技術】 在專利文獻1中’所記載之多層配線基板，是將絕緣層與導 體層交替層疊而成的’所述絕緣層具有向形成於規定區域的導通 孔内填充的導電性組合物，並且，該絕緣層是由液晶聚合物形成 的，所述導體層是由形成圖案的導電材料形成的，就該多層配線 基板而言，對在絕緣層和導體層的層疊方向上形成於同轴^的導 電性組合物的數量加以限制，對於超過該限制的導電性組合物， 使之形成在與形成於同軸上的導電性組合物不重合的位置上。 根據專利文獻1記載的多層配線基板，在將絕緣層與導體戶 進行層疊時，形成於同軸上的導電性組合物超過規定的限二 情形中，進一步形成導電性組合物時，在與已經形成於同的 導電性組合物不重合的位置上形成導電性組合物。因而， 層疊的絕緣層錢導騎上施加壓力時，也可雜配 電性组合物施加過大的壓力’因此，可以確保層間連】 1外’在專利域2中，域了這樣的多層配線板，盆且 ，緣3、酉己線板和層間連接部’所述的酉己線板被設在:邑缘體 ，上並且在由液晶聚合物形成的層間絕緣體層的兩面 有配線圖案，所述的層間連接部在絕緣體層的厚 時將配線板的配線圖案之間進行連接。 叼上貝通同 根據專利文獻2記载的多層配線板，不用 聚合物，使絕緣體層與配線板接合並K 含有阻燃劑的黏接劑的存麵產生的環境問題，而7简決由於 專利文獻1 :曰本特開2003_347738號公報 5 1362910 專利文獻2 :日本特開2000-208946號公報 【發明内容】 八別就專利文獻1記载的多層配線基板而言，多個絕緣層 « « ^ 液Bat合物形成，將一個絕緣層與其他的絕緣層進行 ίΪ接的賊理步驟中需要花費大量時間。另外，就專利文 ΐ索多層配線板而言’由於是以在配線板上預先形成配線 、，使配線板與絕緣體層一體化，因此，對預先形成配 線圖案的區域的貼合強度有時候就會不充分。

而，本發明的目的是提供一種可在短時間内形成、同時耐 ‘，，、性良好、吸水率低的多層配線基板及多層配線基板的製造方法。 —為了實現上述目的，本發明提供一種多層配線基板，其具備 芯絕緣層、第1絕緣層和第2絕緣層，所述芯絕緣層具有帶有導 ，性的第1配線，所述第1絕緣層的軟化溫度比芯絕緣層的軟化 溫度低，所述第2絕緣層具有與第1配線電連接的導電性的第2 ，線、並具有比第1絕緣層的軟化溫度高的軟化溫度、同時隔著 第1絕緣層層疊於芯絕緣層。 另外，就上述多層配線基板而言，第1絕緣層可以以液晶聚 合物為主來形成。另外，芯絕緣層以及第2絕緣層可以以聚醯亞 胺樹脂或雙馬來醯亞胺三嗪樹脂為主來形成。並且，第1配線與 第2配線經由導電性的孔實現電連接，所述導電性的孔是將第1 絕緣層和第2絕緣層的各層在厚度方向上貫通來形成的。此外， 第2絕緣層還可以在第1絕緣層的相對一側上，具有以液晶聚合 物為主而形成的最外絕緣層。 另外，為了實現上述目的’本發明提供一種多層配線基板的 製造方法，其具備：形成層疊板的層疊板形成步驟，該層疊板是 將第1絕緣層、軟化溫度比第1絕緣層的軟化溫度高的第2絕緣 層、具有導電性的導電層按照相關順序進行配置而得到；形成芯 絕緣層的芯絕緣層形成步驟’該芯絕緣層在由軟化溫度比第1絕 6 1362910 緣層的軟化溫度高的絕緣材料形成的層的表面上 ^使在層疊板形成步鄉中職的層疊板的第2 ^緣層一側，血 撕麵，施加熱和心 使摩宜扳H緣·合來軸複合额_接步驟 f截中形成的複合基板的導電層至第丨絕緣層進行貫通，形成使 心絕緣層上的配線露出的貫通孔的貫通孔形成步驟；向在貫通孔 形㈣貫通孔填充導電㈣，觀_導電層電連接 形第r層可以以聚酿亞胺樹脂或雙= 根據^發明，可以提供一種可在短時間内形成、 好、吸水率低的多層酉己線基板及多層配線基板的製造方法:、，、r 【實施方式】 圖。圖1表示本發明的實施方式有關的多層配線基板的縱向斷面 多層配線基板的構成 本^施方式有關的多層配線基板10具備：在表面具 ϋ 配線的配線圖案155&的魏缘層1GG;在配線圖案= 130a0在線目$ 155b和第2絕緣層論上形成的最外絕緣層、 侧的S罝ΐίϊϋ00進一步在形成配線圖案155a的面的相對 上/、有作為導電性的第2配線的配線圖案I55d。並且，夕 二ΪΪί板1〇進—步具備：在芯絕緣層100具有配線圖案155^ 、的相對一侧的面以及配線圖案155d上形成的第1絕^層 7 1362910 ll〇b ;在第1絕緣層ii〇b與芯絕緣層loo接觸的面的相對一側的 面上形成的弟2緣層120b，在苐2絕緣層120b上形成的配線圖 案155e ;在配線圖案155e以及第2絕緣層120b上形成的最外絕 緣層130b。 ° 此外，多層配線基板10具備：在最外絕緣層13如上形成的 配線圖案155c以及在最外絕緣層130b上形成的配線圖案155f ; 覆蓋配線圖案155c以及配線圖案i55f的周圍、並在最外絕緣層 130a以及最外絕緣層130b上形成的阻焊劑層（s〇lderresist) 17〇a 以及阻焊劑層170b ;在配線圖案i55c以及配線圖案i55f上沒有

被阻焊劑層170a以及阻焊劑層170b覆蓋的區域上，形成的金層 160a以及金層160b。 曰 另外，芯絕緣層100的配線圖案155a與在第2絕緣層12〇a 上形成的配線圖案155b’通過將第丨絕緣層u〇a以及第2絕緣層 120a貫通來形成的作為導電性的孔的孔圖案15%進行電連接。另 外’在第2、絕緣層版上形成的配線圖案155b以及孔圖案· 與在最外絕緣層13Ga_L形朗g说圖案155e，通騎最外絕緣層 130a貝通而形成的孔圖案進行電連接。 同樣]配線圖案155d與配線圖案155e，通過將第丨絕緣層 以及第2絕緣層12Gb貫通來形成的孔圖案15Qd進行電連接。 ^ =線^案155e以及孔圖· _與在最外絕緣層13〇b上形 通獨外絕緣層議貫箱成的孔圖案 _芯絕緣層卿，從俯視圖來看基本呈矩形， 二齋π >又二#μιη至10〇Mm的範圍内形成。芯絕緣層ι〇0由顯 固性樹脂材料來形成。芯絕緣層100例如，可以 t度的玻璃化轉變溫度為3〇〇。〇以上的聚醒亞胺樹脂 嗪樹脂等耐熱特性高的樹脂形成。 篆翁心二二酿亞胺二嗓樹月旨，例如，可以使用βτ樹脂（三 X _子"有Ρ艮公司製造）。將町樹脂用於怎絕緣層刚的 8 1362910 情形中，為了提高尺寸穩定性，可以使8丁樹脂含 二10°給予_:中 ㈣纖、娜以及機械 在芯絕緣層100的-個面以及另—個面上分別形成的配 案155a以及配線圖案155d，是由導電性金屬枯粗ν / 配線圖案155a以及配線_ 155d分勤銅、金屬^ ’ 成，如，配線圖案155a以及配線圖案155(1分別是銅領屬配‘ 以及配線圖s 155d也可以由形成為規定形態的導電性 糊劑來形成。 电丨王 ^外，配線圖案155a以及配線圖案155d，通過將怒絕緣芦 1〇〇貝通而形成的孔圖案l50a進行電連接。這裏，孔圖案^曰 ⑽規定的位置上通過雷射加工或者鑽孔加工而 权置的導通孔（viahole) ’實施鍍銅等加工來形成。 上絕緣層ll〇a錢第i絕緣層11〇b，分別從俯視圖來看基 本呈=’同時在厚度為25μηι至1〇_的範圍内形成。在本實 施方式中，第1絕緣層110a以及第i絕緣層，可以分別由作 為軟化溫度的液晶化轉變溫度大約為26(rc的執 形成:巧聚合_如，可以個㈣麵料樹.U 这裏，使第1絕緣層ll〇a以及第1絕緣層u〇b的軟化溫度 f於怒絕緣層100的軟化溫度，來選擇形成第1絕緣層ll〇a以及 第1絕緣層110b的材料。料，最好形成第】絕緣層11〇a以及 第1絕緣層110b的材料的吸水率，比形成芯絕緣層刚的材料的 吸水率低。 第2絕緣層120a以及第2絕緣層12〇b，分別從俯視圖來看基 本呈矩形，同時在厚度為25μιη至ΙΟΟμιη的範圍内形成。在本實 施方式中，第2絕緣層120a以及第2絕緣層12〇b分別由與芯絕 緣層1〇〇同樣的材料形成。因而，第2絕緣層l2〇a以及第2絕緣 層12〇b，具有比第1絕緣層ll〇a以及第1絕緣層ii〇b的軟化溫 9 1362910 度高的軟化溫度。 另外’最外絕緣層130a以及最外絕緣層130b，分別從俯視圖 來看基本呈矩形’同時在厚度為25μιη至ΙΟΟμιη的範圍内形成。 在本實施方式中，最外絕緣層130a以及最外絕緣層i30b分別由 與第1絕緣層110a以及第1絕緣層110b同樣的材料形成。 阻焊劑層170a以及阻焊劑層170b，分別沿著在最外絕緣層 130a以及最外絕緣層130b上形成的配線圖案155c以及配線圖案 155f的外緣來形成。阻焊劑層n〇a以及阻焊劑層n〇b，分別確保 在最外絕緣層130a以及最外絕緣層130b上形成的多個配線圖案' 155c以及多個配線圖案155f之間的電絕緣性。 金層160a以及金層160b ’分別設置在多個配線圖案i55e以 及多個配線圖案155f上未形成阻焊劑層170a以及阻焊劑層i7〇b - 的區域中。金層16〇3以及金層160b可以分別由例如鍍金來形成。 金層160a以及金層160b也可以分別由具有導電性的其他材料， v 例如銅、鋁或導電性糊劑來形成。 . 這裏，導電性糊劑可以將金、銀、銅或焊錫等導電性材料、 或者含有金、銀、銅或焊錫等的合金材料，與由樹脂形成的黏合 劑進行混合來形成。黏合劑例如，可以使用聚碳酸酯樹脂或聚^ 樹脂等熱塑性樹脂。另外’黏合劑也可以使用環氧樹脂或聚醯亞 • 胺等熱固性樹脂。 對於在第2絕緣層120a以及第2絕緣層120b的表面上形成 的配線圖案155b與配線圖案I55e、以及在最外絕緣層i3〇a以及 最外絕緣層130b的表面上形成的配線圖案155C與配線圖案 155f，由與配線圖案155a與配線圖案155d同樣的材料來形成。 另外，配線圖案155a與配線圖案155b，通過將第丨絕緣層 ll〇a以及第2絕緣層120a貫通而形成的孔圖案（viapattem) 15a〇b 進行電連接。同樣地，配線圖案155d與配線圖案155e，通過將第 1絕緣層110b以及第2絕緣層120b貫通而形成的孔圖案15〇d進 行電連接。 ' 1362910 此外，配線圖案155b以及孔圖案150b，通過將最外絕緣層 130a貫通而形成的孔圖案150c，與在最外絕緣層13〇a的表面上形 成的配線圖案155c進行電連接。同樣地’配線圖案155e以及孔 圖案150d，通過將最外絕緣層i30b貫通而形成的孔圖案I50e， 與在最外絕緣層130b表面上形成的配線圖案155f進行電連接。孔 圖案150b、150c、150d以及l5〇e可以分別採用與孔圖案i5〇a同 樣的材料，通過與形成孔圖案150a的步驟同樣的步驟來形成。 多層配線基板的製造方法

圖2A至圖2D表示本發明的實施方式有關的多層配線基板的 製造步驟。 即，圖2A的（a)是實施方式有關的層疊板的縱向斷面圖， 圖2A的（b)是實施方式有關的二層配線基板的縱向斷面圖，圖 2A的（c)是表示實施方式有關的層疊板與二層配線基板的配置 的圖。 ^首先，如圖2A的（a)所示，形成層疊板la。具體來講，使 第2絕緣層貼合於第i絕緣層u〇a的表面。此夕卜，通過在 第2絕緣層120a的表面上貼附金屬層伽，形成層疊板u(層疊 板形成步驟）。這裏’金屬層152a例如是銅羯。在本實施方式中， 也形成，層疊板la具有相同構成的層疊板比。 巧著’如圖2A的⑻所示，在芯絕緣層1〇〇的一個面上貼 附銅紐’通過侧等形成配線圖案155d。並且，在芯絕緣層ι〇〇 1過雷射加工形成多個盲導孔。接著，在形成的 ft ^ 猶鋼來填充銅。接著，在视緣層100形成 的面的相對一側上貼附銅箱後，通過細等形成配 線圖案^55a，仗而形成二層配線基板2 (芯絕緣層形成步驟）。 -層配線基板2也可以通過如下方法形 勵侧。虹，她;銅=上 Π 利用穿孔或雷射來形成多個導通孔（via hde)。接者’也可以在形成的多個導通孔_用鍍銅來填充銅， 11 1362910 形成二層配線基板2。 、並且，如圖2A的（c)所示，將層疊板la的第i絕緣層u〇a 以位於一層配線基板2的一側的方式來配置，同時，將層疊板ib 的第1絕緣層110b以位於二層配線基板2的另一側的方配置。 圖2B的（d)是作為實施方式有關的層疊結構的縱向斷面圖， 圖2B的（e)是形成實施方式有關的盲導孔之後的層疊結構的縱 向斷面圖，圖2B的⑺是形成實施方式有關的孔圖案之後 疊結構的縱向斷面圖。 如圖2B的（d)所示，以在層疊板以與層疊板化之間夾住 φ 二層配線基板2的狀態，在真空氛圍下、26(TC、IMPa的壓力下， 以-分鐘實行層壓加工或麵貼合。職，形成作為在層疊板la 與層疊板lb之間配置二層配線基板2的複合基板的層疊結構（黏 接步驟）。 在本實施方式中，第1絕緣層ll〇a以及第1絕緣層11〇b是 . 液晶聚合物，該液晶聚合物具有比形成芯絕緣層100的材料低作 為軟化溫度的液晶化轉變溫度。並且，第1絕緣層ll〇a以及第i 絕緣層110b’分別具有作為黏接層的作用，用於將第2絕绫屛12〇 以及第2絕緣層職固定於芯絕緣層100。H緣層_ 這裏，層疊板la的第1絕緣層u〇a以及層疊板lb的第1絕 • 緣層110b，密合於二層配線基板2的芯絕緣層1〇〇的表面以及配 線圖案155a和配線圖案I55d上。因此，在層壓加工或熱壓貼合 時，第1絕緣層110a與芯絕緣層1〇〇的表面以及配線圖案i55a 的表面牢固地密合。 即，設想一下假如在第1絕緣層ll〇a的表面預先形成配線圖 案。在這種情形中，在層壓加工或熱壓貼合時，即使是達到軟化 溫度的情形，由於預先形成配線圖案的區域的第丨絕緣層11〇&被 配線圖案覆蓋表面，因此，對於芯絕緣層100與層疊板1&之間的 貼合強度的提高並沒有影響。 另一方面，在本實施方式中，在層壓加工或熱壓貼合時達到 12 1362910 第1絕緣層110a的軟化溫度的情形中，與芯絕緣層loo接觸的第 1絕緣層110a的表面的區域，與芯絕緣層1〇〇實現一體化，同時， 與配線圖案155a接觸的第1絕緣層ll〇a的表面的區域，與配線 圖案155a的表面密合。所以，本實施方式有關的第i絕緣層11〇a ，整個表面’有助於芯絕緣層100與層疊板1&的貼合強度的提 高。對於層疊板lb ’也與層疊板la同樣，第1絕緣層11〇b的整 個表面，有助於芯絕緣層1〇〇與層疊板lb的貼合強度的提高。 接著’如圖2B (e)所示，對金屬層152a和金屬層152b實施 蝕刻處理，使得金屬層152a以及金屬層152b規定的區域作為配 線圖案155b以及配線圖案i55e而被保留下來。進一步，採用雷 射，將配線圖案155b、第2絕緣層120a以及第1絕緣層110a貫 通形成作為使配線圖案155a露出的貫通孔的多個盲導孔Hi(貫 通孔形成步驟）。同樣地，將配線圖案155e、第2絕緣層腿以 ，第1絕緣層ii〇b貫通，形成作為使配線圖案155d露出 孔的多個盲導孔151。

斷面圖。 的（g)所示的層疊結射形成盲導孔之後的縱向 如圖2C的（g)所示， ，將貼附金屬恳1 λα jil u ^ _

13 1362910 並且’在最外絕緣層130b與最外絕緣層130a之間，以夾住 經卞上述（f)的步驟得到的層疊結構的狀態，在真空氛圍下、 260C '/MPa的壓力下，實施！分鐘的層壓加工或熱壓貼合。這 樣，在最外絕緣層13〇b與最外絕緣層13〇a之間，配置由上述⑴ 步驟得到的層疊結構來形成之結構。 接著’如圖2C的（h)所示，對金屬層152c和金屬層i52d 實施蝕刻處理，使得金屬層152c和金屬層152(1規定的區域作為 配線圖案155c以及配線圖案155f而被保留下來。進一步，採用雷 射，將配線圖案155c以及最外絕緣層130a貫通，形成使配線圖胃 φ 案155b露出的多個盲導孔hi。同樣地，將配線圖案i55f以及最 外絕緣層130b貫通’形成使配線圖案155e露出的多個盲導孔15工。 圖2D的（i)是在圖2C的（h)形成的盲導孔上形成孔圖案 之後的縱向斷面圖’圖2D的（j)是實施方式有關的多層配線基 板的縱向斷面圖。 如圖2D的（i)所示’形成具有孔圖案i5〇c和孔圖案i5〇e • 的層疊結構，所述孔圖案150c和孔圖案150e是對在上述/圖2C的 (h)中形成的多個盲導孔151的各孔實施鍍銅來形成的。這樣， 配線圖案155b與配線圖案155c通過孔圖案15〇c進行電連接。同 樣地，配線圖案155e與配線圖案155f通過孔圖案150e進行電連 • 接。 接著，如圖2D的（j)所示，在含有最外絕緣層13〇a與配線 圖案155c的外緣的規定區域、以及含有最外絕緣層與配線 圖案155f的外緣的規定區域上，分別形成阻焊劑層以及p且焊 劑層170b。並且，在配線圖案155c和孔圖案15〇c上的未形成阻 知劑層170a的區域上’形成金層160a。同樣地，在配線圖案B5f 和孔圖案150e上未形成阻焊劑層170b的區域上，形成金層/'16〇b。 金層160a以及金層160b分別通過例如鍍金來形成。這樣θ，形成 本實施方式有關的多層配線基板10。 ’ y 圖3表示相對於本實施方式的比較例。即，圖3 (a)是比較 1362910 例有關的多層配線基板的縱向斷面圖，圖3 (b)是其他比較例有 關的多層配線基板的縱向斷面圖。 圖3 (a)和（b)中標記與圖1至圖2的上述說明的符號相同 的符號的構件，因發揮與圖1至圖2的說明的多層配線基板10的 各構件大致相同的作用和功能，因此，省略詳細說明。

圖3 (a)是多層配線基板13的縱向斷面圖，其中本實施方式 有關的多層配線基板10的第1絕緣層ll〇a以及第1絕緣層ii〇b， 分別被黏接層140a以及黏接層140b所替換，同時也不具有最外 絕緣層130以及最外絕緣層130b。比較例有關的多層配線基板13 的外層絕緣層131a以及外層絕緣層131b，分別由與本實施方式有 關的第2絕緣層120a以及第2絕緣層120b同樣的材料形成。 圖3 (a)的比較例所有關的多層配線基板13中，芯絕緣層 100與外層絕緣層131a以及外層絕緣層i3lb，分別通過黏接層 140a以及黏接層140b貼附於芯絕緣層100上。在本比較例中，黏 接層140a以及黏接層140b例如，由作為熱固性黏接劑的環氧樹 脂或丙烯酸樹脂等，或者作為熱塑性黏接劑的聚醯亞胺樹脂等所 形成。 利用黏接層140a以及黏接層14〇b，將外層絕緣層uia以及 外層絕緣層131b貼附於芯絕緣層1〇〇的情形中，將外層絕緣層 131a、黏接層i4〇a、芯絕緣層1〇〇、黏接層14〇b以及外層絕緣層 131b，。以相關順序進行層疊的狀態，必需經過進行大約丨小時、 在180C下、施加2MPa的壓力的熱處理步驟。由於黏接層14〇a 以及黏接層140b ；%魏樹脂或㈣峨脂等，目此，作為孰固化 時間的熱處理步驟所需的時間就長。 ” 方面，在本實施方式有關的多層配線基板1〇中，相當於 ϋ的比較例的黏接層14如卩及黏接層140b冑分的第1絕 第1絕緣層11%是由熱塑性職晶聚合物形成的。 ΐ搞二式有關的芯絕緣層100是由聚醯亞胺樹脂或雙馬 來’_亞私二嗪娜來形成的。作為液晶聚合物的軟化溫度的液晶 15 1362910 =轉邊溫度大26GH酿亞胺細旨或雙馬來酿亞胺三嗪樹脂 作為軟化溫度的玻璃化轉變溫度是300。(：以上。 匕即，本實施方式有關的液晶聚合物的軟化溫度與聚醯亞胺樹 脂或雙馬來醯亞胺三雜脂的軟化溫度的差大約在贼以上之大 的差距，因此，芯絕緣層1〇〇與第2絕緣層12〇a以及第2絕緣層 l〒0b ’在芯絕緣層100未軟化的溫度内，就可以藉由第^絕緣層 ll〇a以及第1絕緣層11此進行貼合。 f且，在本實施方式中，液晶聚合物與需要大約1小時以上 化，間的熱固性的環氧樹脂或丙稀酸樹脂相比，在高溫下軟

化，將此液晶聚合物用於第i絕緣詹110a以及第i絕緣層110b， 第1絕緣層11Ga以及第1 層11Gb纟有將魏緣層 Γ 以及第2、絕緣層i2〇b進行黏接的功能，因 wit，的熔融溫度^，可以在比圖3 (a)的比較例高 ΐϊϊ S (例如’1分鐘），將芯絕緣層100與第2 絕緣層120a以及苐2絕緣層120b進行貼合。 «ΐΪίΐΪΪΐί熱固性和熱塑性。例如，如絲熱固性聚 蜗η曰h 本實施方式中說明㈣1絕緣層110a以及第1 二二f熱固化步驟嫩處理的醯亞胺化，而由 並;適；用作二接材^刀另產5氣泡之問題，因此聚醯亞胺樹脂 接材枓’另一方面，如果將排除了這些問題的埶 1 ^n〇a^ 及第1、.、邑緣層110b ’則雖然熱處理時間 八 2 的時間，但是熱處理溫度戦场35(rd^/^樣^ 3 外，將黏接材料用作熱固性樹脂的情形中 用環f 緣層施以及第i絕緣層110b，_貫方^中 im;，反触 來=用間内形成多層配線基板的層疊結構 來5冓使用上祕4合物的黏接是有效的。另外，由於不超! 1362910 由聚醯亞胺樹脂構成的絕緣層的玻璃化轉變溫度，使得埶 的 影響小，從這點考慮，也較佳液晶聚合物。 ’' 另外’形成本實施方式有關的多層配線基板10的第丨絕緣層 110a以及第1絕緣層ll〇b的液晶聚合物的線熱膨脹係數，比用於 圖3 (a)的比較例的熱固性黏接層的線膨脹係數小。因此，本實 施方式有關的多層配線基板1〇與圖3 (a)的比較例有關的多層配 線基板13相比，在熱處理步驟時的熱膨脹收縮變小。

此外，就圖3 (a)的比較例有關的多層配線基板13而言，與 外部連接的外層絕緣層131a以及外層絕緣層131b分別由聚醯亞 胺樹脂形成。由於聚醯亞胺樹脂的吸水率高，因此，聚醯亞胺樹 月曰吸濕的水分在熱處理步驟時會蒸發，從而產生阻焊劑層厂㈨和 阻焊劑層170b的起泡、以及阻焊劑層隐和阻焊 7〇 離現象。 、另一方面，就本實施方式有關的多層配線基板1〇而言，與外 ^連接的最外絕緣層隱以及最外絕緣層腿分別由液晶聚合 物形成。由於液晶聚合物的吸水率比聚醯亞胺低，因此，可以 =處理步辦的練亞職脂吸㈣水分的蒸發。因而，就本 只施方式有關的多層配線基板1〇 *言，可以抑制阻焊劑層隱 ^焊劑層im的域、以及崎舰馳滩㈣層17〇b的 剝離規.意。 另外，圖3 (b)是多層配線基板14的縱向斷面圖，其中本實 有關的多層配線基板ig的第1絕緣層_以及第、1絕緣 二 ，分別被替換成外層絕緣層132a以及外層絕緣層132b， 二多iiiii卜，層服以及最外絕緣層—本比較例有關 基板14的外層絕緣層⑽以及外層絕緣層⑽，分 方式有關的第1絕緣層_以及第1絕緣層_ 冋樣的材料來形成。 外展的比較例有關的多層配線基板㈣芯絕緣層⑼、 卜邑緣層132a以及外層絕緣層132b分別由相同的材料形成， 17 1362910 例如’由液晶聚合物形成。因而，芯絕緣層10卜外層絕緣層i32a 以及外層絕緣層132b各自的軟化溫度相同，所以，芯絕緣層 的軟化溫度、與外層絕緣層132a以及外層絕緣層132b的軟化溫 度不會產生差別。因而’在將外層絕緣層132a以及外層絕緣層132b 貼附於芯絕緣層101的情形中，熱處理步驟需要大約i個小時左 右。 另一方面，在製造本實施方式有關的多層配線基板1〇的情形 中，芯絕緣層100由聚醯亞胺樹脂或雙馬來醯亞胺三嗪樹脂形成， 第1絕緣層110a以及第1絕緣層ii〇b由液晶聚合物形成，用來 將芯絕緣層1〇〇與第2絕緣層120a以及第2絕緣層12〇b進行貼 攀附。 這裏’本實施方式有關的液晶聚合物的軟化溫度與聚醯亞胺 樹脂或雙馬來醯亞胺三嗓樹脂的軟化溫度的差’在大約4〇。〇以 上’是很大的差，因此’在芯絕緣層100未軟化的溫度下、在比 形成圖3 (b)所示的比較例有關的多層配線基板14時短的時間 内’可以藉由第1絕緣層ll〇a以及第1絕緣層，將芯絕緣層 100與第2絕緣層120a以及第2絕緣層120b進行貼合。 曰 通過在形成構成本實施方式有關的多層配線基板1〇的芯絕緣 層100、第1絕緣層ll〇a、第2絕緣層120a、最外絕緣層130a、 Φ 第1絕緣層110b、第2絕緣層120b以及最外絕緣層130b的材料 中，使用電特性優異的材料，也可以形成高頻率特性優異的多層 配線基板10。 實施方式的效果 、根據本實施方式，可以利用由吸濕特性優異的液晶聚合物形 成的第1絕緣層110a以及第1絕緣層110b，將芯絕緣層丨⑻與第 2絕緣層120a以及第2絕緣層120b進行貼合。這樣，通過有^利 用形成忍絕緣層100的聚酿亞胺樹脂的耐熱性、電特性以及機械 特性，同時有效利用液晶聚合物的低吸水率，可以提供整體的吸 水率低的多層配線基板10。 '、 18 1362910 中，由於不式’可以提供一種多層配線基板10，其 配線膨麟數的熱固性黏接層，因此，多層 根據本實施方式有麟鱗脹錄雜^的 j配巧板10，例如，採用無錯焊錫將LSI等電子部件實裝於

二的 =，與採用熱固性黏接層的多層配線基板相 降低實裝電子部件時（例如，回糾）產生敎 另外，根據本實施方式有關的多層配線基板10的的製造;4， 巧緣層100的軟化溫度與芯絕緣層100和第2絕緣層進行黏接 的第1絕緣層的軟化溫度相比，存在較大溫度差，因此，可以通 過短時間的層麗加工或熱遷加工來形成多層配線基板10。 變形例 圖4 (a)是實施方式的變形例有關的多層配線基板的縱向斷 面圖，圖4 (b)表示實施方式的其他變形例有關的多層配線基板 的縱向斷面圖》 圖4 (a)所示的多層配線基板u，除了從本發明的實施方式 有關的多層配線基板10除去最外絕緣層13〇a以及最外絕緣層 130b之外’具有與多層配線基板10相同的構成。即，多層配^線基 板11的形成方式為：將第2絕緣層12〇a以及第2絕緣層n〇b作 為與外部接觸的部分來配置。 圖4 (b)所示的多層配線基板12具有的結構為：在本發明的 實施方式有關的多層配線基板10的最外絕緣層13〇a與第2絕緣 層120a之間，形成第1絕緣層ll〇c與第2絕緣層120c，同時， 在最外絕緣層130b與第2絕緣層120b之間，進一步形成第1絕 緣層110d與第2絕緣層120d。通過這種構成，可以提供一種在内 部具有更多配線圖案155c以及配線圖案155f的多層配線基板12。 在多層配線基板10的最外絕緣層130a與第2絕緣層120a之 間，形成由第1絕緣層110c與第2絕緣層120c構成的多個層疊 19 1362910 對(stacked-pmr)’同時’在最外絕 不限定本案有關明但3記並 ===r全部組合，並不“為=發 【圖式簡單說明】

圖1是實施方式有關的多層配線基板的縱向斷面圖. (施式有關的層疊板的縱向斷面圖，圖2A的 :矣二2 if層配線基板的縱向斷面圖，圖2A的⑷ 疋表不貝施方式有關的層疊板與二層配線基板的圖； 2 施^式有關的複合基板的層疊結構的縱向 是軸實施方式有關的盲導孔之後的層疊 了構的縱向，_ ’圖2B的⑴是形成實施方式的孔圖案 (viapattem)之後的層疊結構的縱向斷面圖； =2C的（g)是將實施方式有_最外絕緣相及金屬層貼合於 ，2B的所示的層疊結構之後的縱向斷面圖，圖2C的（h) 疋在（g)所不的層疊結構上形成盲導孔之後的縱向斷面圖； 圖2〇的⑴是在圖2C的⑻的形成的盲導孔（blindviahole) 上形成孔圖案之後的縱向斷面圖，圖21)的（j)是實施方式有關 的多層配線基板的縱向斷面圖； 圖3的（a)是比較例有關的多層配線基板的縱向斷面圖’圖3的 〇>)是其他的比較例有關的多層配線基板的縱向斷面圖；以及 圖4的（a)是實施方式的變形例有關的多層配線基板的縱向斷面 圖’圖4的（b)是實施方式的其他的變形例有關的多層配線基板 的縱向斷面圖。 20 1362910 【主要元件符號說明】 la、lb層疊板 2二層配線基板 10、11、12、13、14多層配線基板 100、101芯絕緣層 110a、110b、110c、110d 第 1 絕緣層 HOa、HOb、120c、120d 第 2 絕緣層 130a、130b最外絕緣層 131a、131b外層絕緣層 132a、132b外層絕緣層 140a、140b黏接層 150a、150b、150c、150d 孔圖案 150e、150f、150g 孔圖案 151盲導孔 152a、152b、152c、152d 金屬層 155a、155b、155c、155d 配線圖案 155e、155f、155g、155h 配線圖案 160a、160b 金層 170a、170b阻烊劑層 21

Claims (1)

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十、申請專利範圍： 1. 一種多層配線基板，其特徵在於具備： 的層’由—胁咖材料所形成，且具有帶有導電性 -第1絕緣層，以熱塑性的—液晶聚合物所形成，^ ，、絕，層的軟化溫度低的軟化溫度，又該第i絕緣g該第/ 1配線及該芯絕緣層的表面層疊；以及 /、 n絕緣層’由-熱固性樹脂材料所形成，在該第2絕緣層 的表，上具有與該第1配線電連接的導電性的一第2配線、 且该第2絕緣層具有比該第i絕緣層的軟化溫度高的軟化溫 度、又與該第1絕緣層之表面接觸而層疊， 其中該第1絕緣層的吸水率健魏緣層及該第2絕緣層的 水率低。 2.如申請專利範圍第丨項所述的多層配線基板，其中，所述芯絕 緣層以及所述第2絕緣層是以聚醯亞胺樹脂或雙馬來醯亞胺三 唤樹脂為主而形成的。 3.如申請專利範圍第1項所述的多層配線基板，其中，所述第1 配線與所述第2配線經由導電性的孔被電連接，所述導電性的 孔是將所述第1絕緣層以及所述第2絕緣層的各層在厚度方向 上貫通而形成的。 4. 如申請專利範圍第1項所述的多層配線基板，其中，所述第2 絕緣層在所述第1絕緣層的相對一側上’具有以液晶聚合物為 主而形成的最外絕緣層。 5. 如申請專利範圍第1項所述的多層配線基板，進一步包含一最 外絕緣層’該最外絕緣層與該第1絕緣層相同的材料所形成， 22 1362910 一·— 且該最外絕緣層接觸該第2配線及該第--1 6. 如申請專利範圍第1項所述的多層配線基板，其中該第1絕緣 層的熱膨脹係數小於該第2絕緣層的熱膨脹係數。 7. —種多層配線基板的製造方法，其特徵在於具備： 形成層疊板的層疊板形成步驟，該層疊板是將一第1絕緣層、 軟化溫度比該第1絕緣層的軟化溫度高，且與該第丨絕^層 之表面接觸的一第2絕緣層以及具有導電性的一導電層依^ 進行配置而得到，其中該第i絕緣層是由熱塑性的一液晶聚 合物所形成，且該第1絕緣層與一第1配線及一芯絕緣層之 ，，接觸，而該第2絕緣層由一熱固性樹脂材料所形成7且 該第2絕緣層之表面具有與該第丨配線電連接且具導電性的 一第2配線； 形成芯絕緣層的芯絕緣層形成步驟，該芯絕緣層在由軟化溫度 比，，1絕緣層的軟化溫度高的一熱固性樹脂材料所形成? 且5亥芯絕緣層的表面上具有導電性的該第1配線； 黏接步驟，使在該層疊板形成步驟中形成的該層疊板的該第i 絕緣層一側，與在該芯絕緣層形成步驟中形成的該芯絕緣層 進行接觸，施加熱和壓力使該層疊板與該芯絕緣層貼合來形 成一複合基板； 貫2孔形成f驟’將在該黏接步驟中形成的該複合基板的該導 電層至該第1絕緣層進行貫通，形成使該芯絕緣層上的該第1 配線露出的貫通孔；以及 連接步驟’向在該貫通孔形成步驟中形成的該貫通孔填充導電 材料，將該第1配線與該導電層電連接。 ' 8. =申請範圍第7項所述的多層配線絲的製造方法，其 中，所述芯絕緣層和所述第2絕緣層是以聚醯亞胺樹脂或雙馬 23 HO 來醯亞胺三 嗪樹脂為主而形成的

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