TWI356975B - Lithographic apparatus and device manufacturing me - Google Patents
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Description
1356975 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種微影裝置及一種用於製造器件之方 法。 【先前技術】 微影裝置為將所要圖案施加至一基板上(通常施加至該 基板之一目標部分上)的機器。微影裝置可用於(例如)製造 積體電路(1C)。在彼情況下,圖案化器件(其或者被稱為光 罩(mask)或主光罩(reticle))可用於產生待形成於Ic之個別 層上之電路圖案。可將此圖案轉印至一基板(例如,矽晶 圓)上之一目標部分(例如,包含晶粒之一部分、一個晶粒 或若午晶粒)上。圖案之轉印通常係經由成像至提供於基 板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上。一般而言,單一基板 將含有經連續地圖案化之相鄰目標部分之網路。已知之微 影裝置包括:所謂之步進器,其中藉由一次性將整個圖案 曝光至目標部分上來照射每一目標部分;及所謂之掃描 器其中藉由在一給定方向(··掃描"方向)上經由輻射光束 而掃描圖案'同時平行於或反平行於此方向而同步地掃描 基板來照射每一目標部分。亦有可能藉由將圖案壓印至基 板上而將圖案自圖案化器件轉印至基板。 已提儀了將微影投影裝置中之基板浸潰於一具有相對較 同之折射率之液體(例如,水)中,以便填充投影系統之最 終兀件與基板之間的空間。因為在液體中曝光輻射將具有 較短波長,所以此情形之要點係賦能較小特徵之成像。 118817.doc 1356975 (亦可認為液體之效應係增加系統之有效να且亦增加焦點 深度。)已提議了其他浸液,包括懸浮有固體粒子(例如, 石英)之水。 然而,將基板或基板與基板台浸入液浴中(例如,參見 美國專利US 4,509,852 ’其全文以引用的方式併入本文中) 意謂在掃描曝光期間存在必須被加速的大量液體。此需要 額外或更強大的馬達,且液體中之擾流可導致不良且不可 預知之效應。 所提議之解決方案中的一者係藉由使用一液體限制系統 而使一液體供應系統僅在基板之一局部區域上及在投影系 統之最終元件與基板之間提供液體(該基板通常具有一比 才又’IV系統之最終元件大的表面區域)。一種已被提議配置 此情形之方式揭示於PCT專利公開案w〇 99/495〇4中,其 全文以引用的方式併入本文中。如圖2及3所說明,液體藉 由至少一入口 IΝ而供應至基板上(較佳沿基板相對於最終 兀件之移動方向),且在投影系統下方已通過之後藉由至 少一出口OUT而移除。亦即,當在_χ方向上於元件下方掃 描基板時,在該元件之+χ侧處供應液體且在_又側處吸收 該液體。圖2示意性地展示了該配置,其中經由入口爪而 供應液體且經由連接至一低壓源之出口 〇υτ而在元件之另 一侧上吸收該液體。在圖2之說明中,液體係沿基板相對 於最終元件之移動方向而供應,但並不需要為此情況。定 位於最終元件周圍之入口及出口的各種定向及數目皆可 行,圖3中說明一實例,其中在最終元件周圍以規則圖案 118817.doc 丄乃6975 提供以下四組··每一側上具有一入口與一出口。 圖4中展示具有一局部液體供應系統之另一浸潰式微影 解決方案。液體藉由在投影系統PL之任一侧上的兩個溝槽 入口 IN而供應,且藉由在入口 IN外部徑向地配置之複數個 離散出口out而移除。入口IN&OUT可在具有一孔之板中 配置,該孔處於該板之中心且投影光束被投影通過該孔。 液體藉由在投影系統PL之一侧上的一溝槽入口爪而供應, 且藉由在投影系統PL之另一側上的複數個離散出口 〇υτ而 移除,從而導致液體薄膜在投影系統PL與基板w之間流 動。使用人π IN與出口 OUT之哪-組合之選擇可視基板w 之移動方向而定(入口 IN與出口 〇υτ之另一組合係不活動 的)。 在全文各以引用的方式倂入本文中之歐洲專利申請公開 案第ΕΡ 142〇30〇號及美國專利申請公開案第us 2〇〇4_ 0136494號中,揭示了兩級或雙級浸潰式微影裝置之觀 办此裝置具備用於支撐一基板之兩個台板。平整性量測 係使用在無浸液之第一位置處之台板來進行,且曝光係使 用在存在/文液之第一位置處之台板來進行。或者,裝置僅 具有一台板。 處理微影裝置中之浸液會引起液體處理之一或多個問 題。通常在諸如基板及/或感應器之物件與圍繞該物件(例 如,基板)之邊緣之基板台之間存在間隙。全文以引用的 方式倂入本文中之美國專利申請公開案us 2〇〇5 〇264778 揭不了使用材料來填充彼間隙或提供液體源或低壓源以故 118817.doc 咖975 意使用液體來_充間隙’以便避免間隙在液體供應系統下 方通過時之氣泡包含物及/或移除確實進入間隙之任何液 【發明内容】 需要(例如)提供液體自物件之邊緣與定位有該物件之基 板台之間的間隙之移除。物件可為基板、感應器、封閉 板,等等。 根據本發明之一態樣,提供一種微影裝置,其包含:一 基板台,其經建構以固持一基板;一液體供應系統,其經 組態以向基板台上之物件與投影系統之間的空間提供液 體’及一在基板台中之排液管,其經組態以含有在使用中 在物件之邊緣與基板台之間'漏之液體,其中,在使用 中’排液管中之氣體壓力維持為大體上等於基板上方之周 圍氣體壓力。 根據本發明之一態樣,提供一種微影裝置,其包含:一 基板Π»,其經建構以固持一基板;一液體供應系統,其經 組態以向基板台上之物件與投影系統之間的空間提供液 體;及一在基板台巾之腔室,其與在使帛巾包圍物件之外 4邊緣的間隙進行流體連通,使得腔室對圍繞物件之外部 邊緣的位置處之基板台之外部表面開放,其中,在使用 液體與界疋pB’隙並越過間隙而相互面向之表面具有大 於45。之接觸角。 根據本發明之_態樣,提供一種微影裝置,其包含:一 基板。’其經建構以@持—基板;__液體供應系統,其經 118817.doc ”且態以向基板台上之物件與投影系統之間的空間提供液 p,及一在基、板台中之腔室,其與在使用中包圍物件之外 邊緣的間隙進行流體連通,使得腔室對圍繞物件之外部 邊緣的位置處之基板台之外部表面開放,其中,在使用 中界定間隙之表面與間隙開放處之腔室之表面之間的角 度為至少9〇。。 ’ 根據本發明之一態樣,提供一種微影裝置,其包含:一 基板0,其經建構以固持一基板該基板台包含一通向腔 室之通路,該通路將腔室連接至基板台之外部表面且在使 用中包圍基板台上之物件的外部邊緣;及一可撓性瓣片, 其越過通路可延伸且經大體上偏置以阻斷氣體在通路與腔 至之間的流動,且藉由來自上方之流體靜壓力及/或流體 動壓力可變形以不阻斷間隙以允許液體自通路進入腔室 中。 根據本發明之一態樣,提供一種微影裝置,其包含:一 液體供應系統,其經組態以向投影系統與基板之、間的空間 k供液體;一第一基板台,其經組態以固持一基板,該第 一基板台具有一具有一面之邊緣,該面具有一垂直組袢; 及一第二基板台,其經組態以固持一基板,該第二基板台 具有一具有一面之邊緣’該面具有一垂直組件,其中,在 使用中’液體與該等面中之至少一者之至少一部分具有大 於45。之接觸角。 根據本發明之一態樣’提供一種器件製造方法,其包 含·經由液體而將圖案化輕射光束投影於基板上;及在維 118817.doc •10· 1356975 持於周圍壓力之排液管中收集在物件之邊緣與經組態以固 持基板之基板台之間漁漏之液體。 根據本發明之一態樣,提供一種器件製造方法,其包 含:經由液體而將圖案化輻射光束投影於基板上;及經由 物件與經組態以固持基板之基板台之間的間隙而在腔室中 收集液體,液.體與界定間隙且越過間隙而相互面向之表面 具有大於45。之接觸角。 根據本發明之一態樣,提供一種器件製造方法,其包含 經由液體而將圖案化輻射光束投影於基板上,其中在經組 態以固持基板之基板台上的物件之間洩漏、沿通路行進且 移動可撓性瓣片之液體越過通路之出口而延伸以使液體暴 露至低Μ,使得液體自可撓性瓣片被移除以允許可撓性辦 片再阻斷通路。 根據本發明之一態樣’提供一種器件製造方法,其包 含:使用投影系統經由液體而將圖案化輻射光束投影於由 第一基板台所支撐之基板上;將第二基板台定位成緊接於 第一基板台;及在投影系統下方一起移動兩個基板台使 得第一基板台在投影系統下方移動,其中在移動期間經定 位成緊接於彼此之第一基板台與第二基板台之邊緣各包含 一具有一垂直組件之面,其中液體與該等面中之至少一者 的至少一部分具有大於45。之接觸角。 根據本發明之一態樣,提供一種微影裝置,其包含:一 基板台,其經建構以固持一基板;一液體供應系統,其經 組態以在基板、基板台及/或基板台上之物件之在基板、 n88l-7.doc -11· 1356975 基板台及/或物件與投影系統之間的局部區域上提供液 體,基板台_之至少一排液管,其經組態以含有在使用中 在基板及/或物件之邊緣與基板台之間洩漏之液體;一負 壓源,其連接至該至少一排液管以用於液體自該至少一排 液管之移除;及一控制器,其用於在該局部區域係在該基 板及/或物件之邊緣上方時大體上將該負壓源連接至該至 少一排液管。 根據本發明之一態樣’提供一種器件製造方法,其包 含:經由液體而將圖案化輻射光束投影於基板上;及經由 物件與經組態以固持基板之基板台之間的間隙而在腔室中 收集液體’其中該液體在計劃中限於局部區域,且當該局 部區域係在該物件之邊緣上方時向該腔室施加負壓以移除 液體’且當該局部區域係不在該物件之該邊緣上方時不向 該腔室施加負壓。 【實施方式】 圖1示意性地描繪根據本發明之一實施例的微影裝置。 該裝置包含: 一照明系統(照明器)IL,其經組態以調節一輕射光束 B(例如,UV輻射或DUV輻射); 一支撐結構(例如,光罩台)MT,其經建構以支撐一圖案 化器件(例如,光罩)MA且連接至一第一***pM,該第 一***PM經組態以根據某些參數來準確地定位該圖案 化器件; 一基板台(例如’晶圓台)WT,其經建構以固持—基板 118817.doc • 12- 1356975 (例如,塗覆有抗蝕劑之晶圓)貿且連接至一第二*** PW,該第二***PW經組態以根據某些參數來準確地定 位該基板;及 一投影系統(例如,一折射投影透鏡系統)PS,其經組態 以將一由圖案化器件MA賦予輻射光束B之圖案投影至基板 W之一目標部分c(例如,包括一或多個晶粒)上。 該照明系統可包括用於導向、成形或控制輻射之各種類 型的光學組件,諸如折射、反射、磁性、電磁、靜電或其 他類型之光學組件’或其任何組合。 該支撐結構以視圖案化器件之定向、微影裝置之設計及 諸如圖案化器件是否被固持於真空環境中之其他條件而定 的方式來固持圖案化器件。支撐結構可使用機械、真空、 靜電或其他夾持技術來固持圖案化器件。支撐結構可為 (例如)框架或台板,其可根據需要而固定或可移動。支撐 結構可確保圖案化器件處於(例如)相對於投影系統之所要 位置處。本文中術語”主光罩”或,,光罩"之任何使用可被認 為與更為一般之術語"圖案化器件"同義。 本文中所使用之術語"圖案化器件"應被廣泛地理解為係 指可用於在輻射光束之橫截面中向其賦予一圖案(諸如)以 在基板之目標部分中產生圖案的任何器件。應注意,賦予 輻射光束之圖案可能不完全地對應於基板之目標部分中的 所要圖案,例如,若圖案包括相移特徵或所謂之輔助特 徵。通常,賦予輻射光束之圖案將對應於在目標部分中所 產生之器件中的一特定功能層,諸如一積體電路。 H88I7.doc -13· 1356975 圖案化器件可為透射型或反射型。圖案化器件之實例包 括光罩、可程式化鏡面陣列及可程式化LCD面板。光罩在 微影_已為吾人所熟知’且包括諸如二進位型、交變相移 型及衰減相移型之光罩類型’以及各種混合光罩類型。可 程式化鏡面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣配置,其中每 一鏡面可個別地傾斜,以便在不同方向上反射一入射輻射 光束。該等傾斜鏡面在由鏡面矩陣所反射之輻射光束中賦 予一圖案。 本文中所使用之術語"投影系統"應被廣泛地理解為涵蓋 任何類型之投影系統,包括適合於所使用之曝光輻射或適 合於諸如浸液之使用或真空之使用之其他因素的折射、反 射、反射折射、磁性、電磁及靜電光學系統,或其任何組 合。本文中術語”投影透鏡"之任何使用可被認為與更為一 般之術語"投影系統”同義。 如此處所描繪,該裝置為透射類型(例如,使用透射光 罩)。或者,該裝置可為反射類型(例如,使用如上文所提 及之類型的可程式化鏡面陣列,或使用反射光罩)。 微影裝置可為具有兩個(雙級)或兩個以上基板台(及/或 兩個或兩個以上支撐結構)之類型。在此等"多級"機器中, 可並行地使用額外台板,或可在一或多個台板上進行預備 步驟’同時將一或多個其他台板用於曝光。 參看圖,,,、月器IL自輕射光源s〇接收轄射光束。光源 及微影裝置可為單獨實體,例如,當光源為準分子雷射器 時。在此等情況下,不認為光源形成微影裝置之一部分, 118817.doc 於包含(例如)適合之導向鏡及/或光束放大器之光束 遞系統BD而將㈣光束自光源SQ傳遞至照明器IL。在 “他清況下’光源可為微影裝置之整體部分,例如,杂光 源為录燈時。光源S0及照明祖連同光束傳遞系統⑽田(若 需要)一起可被稱為輻射系統。 照明Is IL可包含_用:敕λ* ^ S用於調整輻射光束之角強度分佈的調 整器AD。通常,至少可調整照明器之曈孔平面中強度分 佈的外部及/或内部徑向範圍(通f分別被稱為σ_外部及σ_ 内部)。3外’照明器IL可包含諸如積光器…及聚光器co 之各種其他組件。照明器可用以調節輻射光束1使輻射 光束在其橫截面中具有所要之均一性及強度分佈。 輻射光束B入射至固持於支撐結構(例如,光罩台)Μτ上 之圖案化器件(例如,光罩)MA上,且藉由該圖案化器件而 圖案化。在已&穿圖案化器件MA後,輻射光束B穿過投影 系統PS,該投影系統PS將光束聚焦至基板w之目標部分匸 上。借助於第二***PW及位置感應器IF(例如,干涉量 測器件、線性編碼器或電容式感應器),可準確地移動基 板台WT,(例如)以便將不同的目標部分c定位於輻射光束 B之路徑中。類似地,例如,在自一光罩庫之機械擷取之 後或在掃描期間,第一***PM及另一位置感應器(其在 圖1中未被明確地描繪)可用以相對於輻射光束8之路徑而 準確地定位圖案化器件μα。一般而言,可借助於形成第 一***ΡΜ之一部分的長衝程模組(粗定位)及短衝程模組 (精定位)來實現支撐結構ΜΤ之移動。類似地,可使用形成 118817.doc -15· 1356975 第二***pw之一部分的長衝程模組及短衝程模組來實 現基板台WT之移動。在步進器(與掃描器相反)之情況下, 可將支撐結構MT僅連接至短衝程致動器,或可將其固 定。圖案化器件MA及基板w可使用圖案化器件對準標記 Ml、M2及基板對準標記?1、p2而得以對準。雖然如所說 明之基板對準標記佔據專用目標部分,但是其可位於目標 部分之間的空間(此等被稱為切割道對準標記)中。類似 地,在圖案化器件MA上提供一個以上晶粒之情況下,圖 案化器件對準標記可位於該等晶粒之間。 所描繪之裝置可用於以下模式中之至少一者中: 1·在步進模式中,使支撐結構Μτ&基板台|丁保持基本 上固定,同時將賦予輻射光束之整個圖案一次性投影至一 目標部分C上(亦即,單一靜態曝光)。接著在X及/或γ方向 上移位基板台WT,使得可曝光一不同的自標部分c。在步 進模式中,爆光場之最大尺寸限制單一靜態曝光中所成像 之目標部分C的尺寸。 2..在掃描模式中,對支標結構MT及基板台WT同步地掃 榣,同時將賦予輻射光束之圖案投影至一目標部分C上(亦 p單一動態曝光)。基板台WT相對於支撐結構MT之速度 及方向可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特 徵來判定。在掃描模式中’曝光場之最大尺寸限制單一動 態曝光中目標部分之寬度(在非掃描方向上),而掃描運動 之長度判定目標部分之高度(在掃描方向上)。 3·在另一模式中,使支撐結構MT保持基本上固定,從而 H88l7.doc -16· 1356975 、 A化圖案化器件’且將基板台㈣動或掃 描,同時將賦予輻射光束之圖案投影至—目標部分 在此模式中,通常使用-脈動輕射光源,且在基板台资 之每-移動之後或在一掃描期間的連續輻射脈衝之間,根 據需要來更新可程式化圖案化器件。此操作模式可容易應 用於利用可程式化圖案化器件(諸如上文所提及之類型的 可程式化鏡面陣列)的無光罩微影。 亦可使用上文所描述之使用模式之組合及/或變化,或 亦可使用完全不同的使用模式。 雖然本發明可與任何類型之液體供應系統一起使用,但 設計經最佳化以供諸如圖5中所說明之系統的局部區域液 體供應系統使用。在此類型之液體供應系統中,在任一時 間僅向基板之全部頂部表面的一較小區域提供液體。簡要 地描述局部區域液體供應系統之操作係說明性的。 參看圖5,局部區域液體供應系統包含一具有一液體限 制結構之液體供應系統,該液體限制結構沿投影系統之最 終元件與基板台之間的空間之邊界的至少一部分延伸。液 體限制結構在XY平面''中相對於投影系統大體上固定,但 在Z方向上(在光軸之方向上)可能存在某一相對移動。在 一實施例中’密封形成於液體限制結構與基板之表面之 間’且可能為諸如氣體密封之無接觸密封。 液體限制结構12至少部分地含有在投影系統PL之最終元 件與基板W之間的空間11中之液體。對基板之無接觸密封 16可圍繞投影系統之像場而形成,使得液體被限制於基板 118817.doc •17- 1356975 表面與投影系統之最終元件之間的空間内。該空間至少部 分地藉由定位於投影系統PL之最終元件下方且包圍投影系 統PL之最終元件的液體限制結構12而形成。液體藉由液體 入口 13而進入在投影系統下方且在液體限制結構12内之空 間中,且可藉由液體出口 13而移除。液體限制結構12可略 微延伸至投影系統之最終元件上方,且液面上升至最終元 件上方,使得提供液體之緩衝。液體限制結構12具有一内 部周邊,該内部周邊在一實施例中在上部末端處與投影系 統或其最終元件之形狀緊密地一致且可(例如)為圓形。在 底部處,内部周邊與像場之形狀緊密地一致,例如矩形, 但並不需要為此情況。 液體藉由氣體密封16而包含於空間丨丨中,氣體密封16在 使用期間形成於液體限制結構12之底部與基板臂之表面之 間。氣體密封係藉由在壓力下經由入口 15而提供至液體限 制結構12與基板之間的間隙且經由出口 14而提取之氣體 (例如,空氣或合成空氣,但在一實施例中,為N2或另一 惰性氣體)來形成。配置氣體入口 15上之過壓、出口 14上 之真空能級及間隙之幾何形狀,使得存在一限制液體之向 内的高速氣體流。彼等入口 /出口可為包圍空間u之環形 溝槽,且氣體流16有效地含有空間丨丨中之液體。在全文以 引用的方式倂入本文中之美國專利申請公開案第us 2〇〇4_ 0207824號中揭示了此系統。 其他解決方案是可能的,且本發明之一或多個實施例同 樣可適用於彼等。舉例而言,替代氣體密封16,有可能具 118817.doc -18- 1356975 有僅提取液體之單相提取器。徑向外部之此單相提取器可 為一或多個特徵以產生有助於使液體包含於空間中之氣體 流。一個此類型之特徵可能為所謂的氣體刀(gas knife), 其中一薄氣體射流被向下導向於基板w上。在基板於投影 系統與液體供應系統下方之掃描運動期間,可能產生導致 液體上之壓力朝向基板下降之流體靜力及流體動力。 就局部區域液體供應系統而言’在投影系統PL與液體供 應系統下方移動基板W ’且當基板w之邊緣將被成像時, 或當基板台上之感應器將被成像或基板台將被移動以使得 虛设基板或所謂的封閉板可定位於液體供應系統下方以使 能夠發生基板調換時,基板w之邊緣將通過空間11下方, 且液體可 >贫漏至基板w與基板台WT之間的間隙中。可在 流體靜壓力或流體動壓力下或在氣體刀或其他氣體流產生 器件之力下強制此液體。 雖然下文將關於提供圍繞基板|之邊緣的排液管而描述 '本發明之一或多個實施例,但一或多個實施例同樣可適用 於置放於基板台上之一或多個其他物件,包括(但不限於) 一在(例如)基板調換期間藉由附著至液體供應系統之底部 而用以維持液體供應系統中之液體的封閉板及/或一或多 個感應器。因此,下文對基板w之任何參考應被認為與諸 如感應器或封閉板之任何其他物件同義。 圖6說明本發明之一實施你J。圖6為穿過基板台wT及基 板W之橫截面。圍繞基板冒之外部邊緣而提供排液管, 其中存在基板w與基板台WT之間的間隙15。在—實施例 118817.doc •19- 1356975 中,排液管10圍繞基板W之周邊而延伸。在一實施例中 排液管10可僅圍繞基板W之周邊之一部分而延伸。 基板W在基板W之成像期間固持於基板台WTi。基板w 定位於為具有複數個突出物22之夾盤的小突起台 table)20上。在基板W與突出物22之間的基板台WT之表面 之間的間隙中所產生之負壓將基板w夾持於突出物22上。 為了解決基板W之準確尺寸之容許度與基板貿可能不極 佳地在中心定位於小突起台20上之事實,基板台赁丁經建 構及配置成使得間隙/溝槽/通路丨5提供於基板界與基板台 WT之頂部部分之間以解決容許度。 基板台WT之頂部部分經建構及配置成使得當基板评置 放於基板台WT上時,基板台WT之頂部表面將大體上與基 板W之頂部表面平行且共平面。此係確保當基板w之邊緣 被成像時,或當基板台WT在投影系統下方通過以引起基 板W在投影系統下方持續第一時間或在成像之後使基板w 自投影系統下方移出、且液體供應系統必須自基板台WT 之頂部表面至基板W之頂部表面通過或液體供應系統必須 自基板W之頂部表面至基板台WT之頂部表面通過時,液 體至間隙15 _之洩漏將被減小或最小化。然而,某些液體 將不可避免地進入間隙15。 在一實施例中’間隙15具備一低壓源,以便移除進入間 隙15之液體。然而,當基板w之邊緣未被成像且因此並未 覆蓋於液體中時,低壓源可越過基板w之邊緣而產生氣體 流。此氣體流可導致基板W之局部冷卻,其為有害的。 118817.doc -20- 1356975 在實鉍例中,可能不提供液體移除器件以自間隙丨5移 除液體(例如,間隙可使用柔勒材料來阻斷)。雖然此克服 了土板w之局。卩冷卻的問題,但遺撼的是,此可能導致液 體供應系統中之液體中的氣泡包含物(當氣體在液體供應 . 系…统T方通過時),藉此可能引入成像錯誤。此外或其 他,由於存在基板損壞及/或粒子產本之危險,希望避免 (固態)役封部件與基板w之間的接觸。 一或多個實施例係針對緩解此等問題或其他問題中之一 或多個。一或多個實施例具有減小經由間隙15而自液體供 應系統所知耗之液體量的優點。
現將參看圖6來詳細地描述排液管1〇之構造。在圖6中, 間隙或通路或溝槽15具有兩個相異的垂直元件。間隙之頂 部元件界定於基板界與基板台贾丁之頂部部分之間。間隙 15之為下部元件的最狹窄部分界定於基板台WT之兩個突 出物40、60之間。徑向向内突出物4〇自小突起台2〇或在小 φ 突起台20下方徑向向外延伸,使得其邊緣大體上與基板W 之邊緣垂直地對準。然而,突出物40之邊緣可在基板w之 徑向内部或徑向外部。外部突出物60比基板台WT之頂部 部分更向内而徑向向内突出,但再次未必為此情況且其可 更少地突出。實際上,外部突出物60可被略去且基板台 WT之頂部部分可向下延伸以形成突出物。因此,間隙15 之每一侧藉由基板台WT之一突出物來界定。 間隙或通珞或溝槽15使腔室70與基板台WT上方之氣氛 進行流體連通。在一實施例中,可經由突出物40、60之間 118817.doc -21 - 1356975 的間隙1 5而自基板台WT之外部至腔室70中直接繪製— 線。在一實施例中’彼線為垂直線及/或在腔室7〇之底部 壁72上截取腔室70之邊界。若間隙15及腔室7〇之尺寸經正 確地選擇’則此配置具有意謂可在液體供應系統中使用以 便有助於在空間内含有液體之氣體刀不受間隙15之存在的 影響之優點’因為氣體刀並未"感覺到"腔室7〇之底部。為 了使此效應(或更精確地,缺乏效應)存在,腔室7〇之底部 72自基板台WT之頂部表面應為至少1 mm、至少2 mm、至 少3 mm、至少4 mm或至少5 mm。 在圖6之排液管中,腔室70中之氣體壓力維持於與基板 - » 台WT之外部的氣體之壓力(亦即,周圍氣體壓力)相同之壓 力。此意謂:當間隙1 5未藉由液體供應系統來覆蓋且液體 供應系統之一或多個氣體流鮮器件經由間隙1 5而吹送氣體 時’在正常操作中大體上不存在通過間隙15之氣體流。即 使液體供應系統覆蓋間隙1 5之一部分(包圍基板w之周邊之 間隙15及向遠小於基板W之頂部表面區域之空間提供液體 之液體供應系統)’在腔室70中將仍維持周圍壓力,因為 腔室70為環形(或其他形狀),且經由圍繞基板|之周邊的 另一位置處之間隙1 5而將對在基板台WT上方之氣氛開 放。 為了自腔室70移除液體,使用在腔室7〇中並不產生負壓 之液體移除器件。在一實施例中,液體移除器件在腔室7〇 中大體上並不產生氣體流。舉例而言,液體移除器件可為 使用(例如)用於液體移除之毛細管通路8〇中之毛細管作用 118817.doc -22- 1356975 的被動式液體移除器件。右浸液與毛細管通路8〇之内部表 面具有小於90。或小於80。、70。、60。、50。、40。、30。或 20°之接觸角’則擱置於腔室70之底部72上之液體的移除 應被大大地增強。一或多個其他液體移除器件可能為可用 的’例如’當偵測到在腔室70中之通路80之口部處存在液 體時僅向通路80施加負壓之液體移除器件,或微篩單相提 取器(例如,參見歐洲專利申請公開案ΕΡ 1,628,163)。圖10 之實施例中給出了單相提取器之使用的實例。 以另一方式,本發明之實施例之一部分可能被視為不使 用主動抽吸以自間隙15(及腔室70)移除液體,尤其當不存 在液體時。實際上,在一實施例中,可使用連接至負壓源 之普通通路來替代毛細管通路80。控制器控制負壓源是否 連接至腔室70。當在任一時間僅向基板之局部區域(在計 劃中)供應液體之液體供應系統12定位於間隙1 5上方以使 得液體供應系統中之液體11排入間隙中時,負壓源經由通 道80而連接至腔室70。當液體供應系統未定位於間隙上方 (亦即’其遠離間隙)時負壓源不連接至腔室7〇。因此, 在腔室70處於周圍壓力之大多數時間期間,但當液體落入 腔室或存在於腔室中時’負壓源經由通道80而施加以移除 進入腔室之液體。因此’當基板之邊緣被掃描時,腔室僅 處於負壓’ 當液體供應系統首先移動於基板上時,液體 供應系統之貯器因此係在基板之邊緣上方或處於掃描操作 之開始及結束。當然,應瞭解,當負壓源連接至腔室7〇時 之時序可與上文所述之時序不同。舉例而言,在貯器^已 H8817.doc -23- 1356975 在邊緣上方通過之後,可使負壓源保持連接持續預定時間 長度’或當感應到所有液體已自排液管被移除時,可僅使 負壓源保持斷開。對負壓源之連接/斷開可根據基板及液 體供應系統之相對位置而加以控制。 在使用中,有可能使間隙15足夠小,使得浸液之表面張 力意謂:當間隙1 5橫穿液體供應系統之阻障部件之邊緣 時’浸液將橋接基板W與基板台WT之間的間隙。然而, 使用中的流體靜壓力及/或流體動壓力及/或歸因於掃描移 動之壓力可意謂液體之表面張力不足以防止液體進入間隙 15並在突出物40、60之間進入腔室7〇中。然而,因為液體 以被動方式自腔室70移除而不在腔室7〇中產生負壓,故液 體自間隙至腔室70中之單相提取係可能的,使得氣泡不可 能被引入至空間中之液體中。換言之,液體在滴入腔室7〇 中之刚將僅僅流入間隙15中並填充該間隙,且間隙丨5中之 任何氣體將被強制進入腔室7〇中或沿間隙15被側向地擠 出。 因為無負壓施加至腔室70,故優於當負壓施加至腔室7〇 時之情況,通過溝槽或通路或間隙15之液體損耗率應被極 大地減小。 為了減小通過間隙15之液體流,界定該間隙並相互面向 之面(其被標記為42、62)的表面特性可經特定地組態。舉 例而言,若浸液(例如,超純水(upw))在(例如)&uv輻射 及upw流之微影裝置中的,操作條件下與彼等面42、以之表 面具有大約45°的接觸角(亦即’彼等面在操作條件下具有 118817.doc •24- 1356975 適度疏水性)’則在彼等兩個表面之間延伸之任何液體彎 液面的強度通常將足夠高以克服弯液面上方之液體的流體 靜力及流體動力。在一實施例中,浸液與界定間隙且越過 間隙而相互面向之表面具有大於7〇。、8〇。或9〇。的接觸 . 角。在一實施例中,面42、62界定間隙15之最狹窄部分。 f液面之強度亦可藉由改變面42、62之幾何形狀來增 加。若彼等面之形狀經改變以增強毛細管作用,則確保浸 液與彼等面之表面具有大於45。之接觸角的需要可被減 小。如圖6中以虛線所說明,若間隙15之下部邊緣被提供 為尖銳邊緣(例如,間隙之壁以大於9〇。、大於1〇〇。或大於 110。之角度與腔室之壁相交),則可能形成毛細管鎖 (capillary lock)。圖8中說明用以減小液體損耗之某些其他 解決方案。 二液體可在某些情況下滲漏,例如,當間隙15在阻障 件之邊緣下方通過時,將在間隙15中留下液體。接著, φ 1隙5可在可為液體供應系統之一部分之氣體刀下方通 過,其在間隙中液體之頂部吹送且導致液體落入腔室70 I。實際上,此製程可能為有益的,因為其意謂:間隙被 完全清;繁’使得沿間隙之彼點處的間隙15下次在浸液之空 ^下方通過時,液體可在隨著氣泡進入空間中之浸液中 找到’、道路的間隙中之氣體之危險性減小的情況下填充 ^隙15(,為任何氣體可逃逸且不由間隙中之小液滴限 .〇在次液中所誘發之流體靜壓力及掃描壓力可確保通 、1隙15之㈣之正確流動方向’從而避免氣泡形成並上 U8817.doc -25、 1356975 1中又,可措由氣體刀而自間隙清除液體而不回 肌於基板及基板台上^以此方式可避免㈣及相關聯之缺 陷。 如圖6中所說明’其說明界定間隙15之突出物40、60, 該等突出物40、60具有相互面向之凸起面〇、62。因此, 突出物40、60界定彼等兩個突出物之間的中間部分或點處 之間隙15之最狹窄部分。其他形狀亦是可能的,包括(但 不限於)圖8中所說明之形狀。 本發明之一或多個實施例亦可適用於可在基板調換期間 橋接兩個基板台WT之間的間隙而不使用封閉板之方式。 在此方法中,將兩個基板台一起移動成靠近且接著一起在 投影系統下方移動,使得液體供應系統自一基板台"移動" 至另一基板台。在此情況下’圖6中所說明之基板w之邊 緣藉由第一基板台WT1之邊緣來替代,使得此第一基板台 WT 1提供圖6之左側的突出物40,且第二基板台WT2提供 圖6之右側的突出物60。在一實施例中,某一類別之排液 管將附著至基板台WT1、WT2中之一者或另一者或兩者, 但因為排液管(其正替代腔室70)處於大氣壓力,所以此·並 不存在問題。 在一實施例中,腔室70之尺寸係其應為間隙15之寬度之 至少兩倍的尺寸,以便確保確實進入間隙15之任何液體在 不首先散開之情況下並不越過基板W行進得過遠》將間隙 15之寬度至腔室70之寬度的過渡配置為較大且突然會確保 在突出物40、60之間橋接之液體彎液面需要在彼點處中 118817.doc -26 - 1356975 斷’使得液體將流入腔室70中並滴於底部表面72上,在底 部表面72處’液體可藉由液體移除器件8〇而移除。在一實 施例中’腔室或溝槽比間隙丨5寬至少1 mm » 如圖6中所說明,間隙15定位於腔室70之中心上方。未 必為此情況,且如圖6中所說明,間隙15可定位於沿腔室 70之寬度之自最左侧至最右侧的任何地方(最内側及最外 側)。 圖7說明本發明之一實施例,除了以下所描述之内容以 外’該實施例與上文關於圖6所描述之實施例相同。在此 實施例中’間隙15之最窄點藉由基板w之邊緣與基板WT 之頂部部分之間的距離來界定。因此,第一實施例之突出 物40、60不存在且分別藉由基板w之邊緣及基板台WT之 頂部部分來替代(亦即,此等分別形成突出物4〇、6〇)。用 於基板台WT之材料通常具有親水性或親液性,其意謂浸 液與基板台WT之表面具有小於90。之接觸角。在一實施例 中’可使基板W之邊緣具有疏水性或疏液性(亦即,浸液與 表面具有大於90。之接觸角)’且可使界定間隙15之另一側 之基板台WT的邊緣具有疏水性或疏液性。此類似於上文 所述之内容。 圖8說明一實施例,除了以下所描述之内容以外,該實 施例與上文關於圖7所描述之實施例相同。此實施例經最 佳化用於低液體消耗。因為圖7中之間隙不能再被減小(因 為基板尺寸容許度),故選擇不同的突出物形狀(圖8a),以 便最小化間隙丨5之寬度,同時對於基板尺寸之變化仍賦能 118817.doc •27- 1356975 合適的基板台容許度。 在圖8a之實施例中,兩個突出物中之至少一者的凸起表 面藉由凹人表面來替代。凹人表面最接近於間隙之最接近 於腔室70之另—側。以此方式,因為基板w自身之邊緣的 曲率,所以基板W可更接近於突出物,藉此使間隙變窄。 藉此需要較短彎液面以橋接基板貿與基板台臂下之間的間 隙。較短彎液面強於長彎液面。 在圖8b之實施例中,將腔室7〇之橫截面形成為四邊形形 狀。間隙15之任一側上之腔室的表面以與水平平面成大體 上45。之角度而向下傾斜。此有助於進入間隙^之任何液 體藉由沿腔室70之壁的側流動而離開間隙。側之精確角度 並不重要,且自水平在15。與90。之間的任一角度係尤其合 適的。實際上,腔室之侧可藉由垂直表面而形成,使得腔 至70之杈截面為正方形的橫截面,其中頂部及底部表面為 水平的且侧為.垂直的。此係因為,與階段加速(stage acceleration)相比,重力對於實際流體運動為唯一次要重 要的。另外,可能使壁67之表面具有疏液性,使得浸液與 腔室70之壁67具有大於90。或100。之接觸角。毛細管力主 要負責使用提取孔而將流體優先驅動至底部角落。因此’ 需要驅動水處之角落可藉由具有親液性之表面來製造,而 其他區域可具有疏液性。在具有水平頂部壁及底部壁之正 方形橫截面腔室的情況下,可使頂部壁及徑向外部側壁具 有疏液性。使間隙15為約〇·6 mm寬,且此允許基板界與基 板台之頂部表面之間的間隙在約〇,15與〇 55 mm之間變 118817.doc -28- 1356975 化,使得可適應基板w之直徑之容許度。 腔至70之底部72在間隙15下方為大約5 mm。腔室70之 下壁朝向間隙15下方之位置向内傾斜’使得其大約在間隙 15與底部72之間的中途自最大分離會聚。在腔室7〇之底部 72中’提供複數個離散孔及/或狹缝。此等孔較佳圍繞排 液管之整個圓周而相互等距地定位。合適的數字為大約 1〇〇 ’每一者具有約〇 3 mm之直徑。此等孔通向第二腔室 800 ’第二腔室8〇〇之内部表面亦具有疏液性且具有類似於 壁67之接觸角。較佳地,此等孔處於腔室7〇之(徑向最内 部)角落,但自製造觀點而言,此可能不為實際位置。較 佳地’第一腔室800哥有疏液性,其可導致液體之更快移 除。 向第二腔室800施加負壓。此將導致氣體流過孔8丨及流 過間隙15。然而’所需要之氣體/液體提取流保持為低。 .間隙15之對氣體流之阻力係可忽略的,即使當間隙15藉由 來自定位於間隙15上方或在間隙15上方移動之液體供應系 統之液體而被局部地阻塞時。因此,第一腔室70在實際級 別上係經由間隙15而直接連接至外界環境《因此,在腔室 70中將不存在負壓,即使當經由孔8丨而提取混合氣體/液 體流時。 因此,將存在通過間隙1 5之較低氣體流及通過孔8 1之較 高氣體流》通過孔8 1之較高氣體流將不導致實質冷卻。因 此’當液體供應系統置放於間隙1 5上方時,因為腔室70將 處於周圍壓力,故將無實質量的水或液體被排入腔室70 118817.doc -29· 1356975 中。疏液性表面有助於達成低水流流入腔室7〇中。因為待 由孔81所提取之液體量因此較低,且亦因為液體藉由毛細 管作用而朝向提取點主動地輸送,故提取流可為較小的。 圖8c至圖8f說明可用以使間隙變窄而無需不必要地妨礙 液體限制結構12之氣體刀之氣體的路徑之其他措施,亦 即,排液管之”無底部"特徵,其意謂氣體刀並未"感覺到" 腔室70之底部。在此等實施例中,至少一分割器定位於間 .隙15下方之腔室70中,以將間隙至腔室中之開口分為兩個 或兩個以上間隙。 在圖8c中所說明之實施例中’桿體2〇〇定位於間隙丨$下 方,在一實施例中沿間隙15之整體長度,使得桿體2〇〇為 環狀(或其他周邊形狀)。如圖8c中所說明,桿體2〇〇將間隙 1 5分為兩部分,使得將存在兩個較短的彎液面,一者在桿 體與基板W或直接在基板w下方之基板台WT之間,且一者 在桿體200與在桿體200之右側的基板台WT之間。然而, 並不妨礙排液管之無底部特徵,因為來自氣體刀之氣體將 易於通過桿體200之任一側而進入腔室7〇中。 除了已藉由一系列葉片210來替代桿體200以外,圖“之 實施例類似於圖8c之實施例。此等葉片或翼片21〇經配置 成使得其在彼此之間形成自間隙15至腔室7〇中之複數個間 隙或通路。因此,翼片210岢被視為在橫截面中具有狹長 結構’其具有在一實施例中沿間隙15之底部一直延伸以形 成若干環狀(或其他周邊形狀)之長度。四個翼片21〇被說 明。然而,熟習此項技術者應瞭解,可提供任何數目。翼 118817.doc -30- 1356975 片將間隙1 5之寬度***為若干較小間隙,液體彎液面需要 越過該等間隙來橋接。 圖8e中之實施例說明另一觀念,其中,網狀物220置放 於間隙15下方,使得網狀物22〇橋接間隙15之左側之基板 台WT與間隙1 5之右側之基板台WT之間的間隙。此外,在 一實施例中’網狀物220完全圍繞間隙15而延伸。栅格或 遽網或網狀物220使用許多間隙呈現液體,彎液面必須越 過該等間隙而橋接,藉此提供用於使液體通過之許多狹窄 間隙。然而,甚至此柵格或濾網或網狀物對通過其之氣體 流亦將不呈現較大阻力。 圖8f展示間隙被分為兩個間隙之另一實施例。在此情況 藉此將間隙***為兩 下,單一板230置放於間隙之中心 個間隙並減小液體必須橋接而越過之寬度。·在圖8 f之實施 例中,僅提供被給定一厚度之,單一板(與圖8d中所說明之 具有複數個翼片之實施例對比)。在圖8f之實施例中,板 • 230被展示為係垂直的。然而,板23〇未必需要為垂直的, 且其可以與圖8(1之實施例中之某些翼片2ι〇相同的方式而 成一角度。 t
,且將 之表面之特性盔诖a β + a* u >
’具有 良面的地方。因此,上文 最低表面能及具有最小自由液體表 不上,兩個表面可具有疏 ;與液體具有不同接觸角 具有最 118817.doc -31 - 1356975 所述之具有親液性之區域亦可具有疏液性,只要該等區域 為與液體具有不同於已被描述為具有疏液性之區域的接觸 角之接觸角之表面。相反情況亦如此(亦即,被描述為具 有疏液性之區域實際上可具有親液性,只要該等區域具有 大於已被描述為具有親液性之區域的接觸角之接觸角)。 舉例而言’ 一表面可具有30。之接觸角,且另一表面可 具有80°之接觸角。在彼情況下’上壁將具有80。之接觸 角’且下壁將具有3〇〇之接觸角。 圖9a至圖9b說明一實施例,除了以下所描述之内容以 外’該實施例與上文關於圖6所描述之實施例相同。在此 實施例中,瓣片100經提供以密封間隙15至腔室7〇之入 口。在圖9a_,間隙15被說明為自基板W之邊緣至腔室7〇 中之曲折路徑。然而,在本實施例中亦可使用圖ό、圖7、 圖8中所說明之間隙丨5。 為可撓性辦片之辦片100沿間隙15之整體周邊延伸。瓣 片100在其最内部邊緣或最外部邊緣處附著至基板台,在 此實施例中,提供一主動式液體移除器件,使得腔室70保 持於壓力低於周圍壓々之負I。為了避免越過基板W之邊 、,表面的氣體流,當液體供應器件未定位於沿間隙15之 /處夺瓣片經偏置以使得其覆蓋間隙15至腔室70中之 上時、田欣體進入間隙15且沿間隙15而被強制於瓣片1〇〇 、選擇瓣片之材料特性及瓣片⑽之欠寸,使得瓣片 7貝邵上之液艘认去胃 、 量及/或流體動壓力將強制瓣片在瓣片 禾附著至其a , σ (如圖9b中所說明)之邊緣處向下,使得液
I 118817.doc -32· 丄356975 體可流入腔室70中,其中藉由主動式液體移除器件而吸盡 液體。明顯地’一旦所有液體被移除,則瓣片1〇〇將移回 至瓣片歸因於在彼方向上被偏置而阻斷至腔室70中之通路 1 5處之位置。 一旦辦片已移開而不如圖9b中所說明來密封間隙,則重 量及/或流體動壓力強制瓣片100打開之液體將被暴露至腔 至70中之負壓’且將被抽吸至腔室7〇中且藉由主動式液體 移除器件180而自腔室70移除。 因此,在此實施例中,可防止在基板之邊緣上方之氣體 流。 圖10說明另一實施例,除了液體移降器件係以單相提取 器801之形式且提供排液管加熱器3〇〇以外,該實施例與上 文關於圖8b所描述之實施例相同。排液管加熱器3〇〇可用 以補償通過間隙15之可出現之任何空氣流及/或可補償歸 因於蒸發之熱損耗。單相提取器8〇1定位於腔室7〇之底 部。單相提取器包含複數個通孔805。此等通孔可以濾網 之形式來提供。該等通孔具有一尺寸,使得液體彎液面可 橋接越過個別通孔805之間隙。複數個,通孔8〇5定位於排液 管之腔室70與施加有負壓之另一腔室81〇之間。第二腔室 810由液體填充且在使用中保持充滿液體。 小孔具有在5至50 μηι範圍内之直徑,且較佳地,孔之表 面具有稍微親液性,亦即,與浸液具有小於90。之接觸 角。此類型之液體提取器揭示於Ερ 1,〇2 g,163中,且吾人 參考彼文獻以說明單相提取器81〇之特徵。 118817.doc •33· 1356975 單相提取器經由動性安裝台825而連接至基板台雷,以 減小振動自單相提取器80丨至基板台WT2傳輸。 雖然在本文中可特定參考微影裝置在1C之製造中之使 用’但是應料,本文所描述之微影裝置可具有其他應 用諸如製造整合式光學系統、磁域記㈣之導引及#測 圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭,等 等。熟習此項技術者應瞭解,在此等替代應用之情形中, 本文t術曰曰圓或”晶粒"之任何使用可被認為分別與更 為一般之術語|,基板”或"目標部分"同義。在(例如)一執道 (通常將一抗蝕劑層塗覆至基板並顯影經曝光之抗蝕劑的 工具)、度量工具及/或檢驗工具中,可在曝光之前或之後 處理本文所參考之基板。在適用之處,可將本文之揭示内 容應用於此等及其他基板處理工具。另外,可將基板處理 (例如)一次以上,以便查生多層…,使得本文中所使用之 術語"基板"亦可指代已經含有多個經處理層之基板。 雖然上文已特定參考光學微.影之情形中本發明之實施例 的使用’但是應瞭解,本發明可用於其他應用,例如,壓 印微影’且在情形允許之情況下,其不限於光學微影。在 壓印微影中’圖案化器件中之構形界定經產生於基板上之 圖案可將圖案化器件之構形屡於經供應至基板之抗钱劑 層中’隨之’藉由施加電磁輕射、熱、壓力或其組合來使 抗餘劑固化。將圖案化器件自抗餘劑中移出,從而在抗姓 劑經固化之後在其中留下一圖案。 本文中所使用之術語"輻射”及"光束"包含所有類型之電 118817.doc •34- 1356975 磁輻射,包括紫外線(UV)輻射(例如,具有為或為約365、 248、193、157或120 nm之波長)及遠紫外線(EUV)輻射(例 如,具有5至20 nm範圍内之波長),以及諸如離子束或電 子束之粒子束。 在情形允許之情況下,術語"透鏡"可指代各種類型之光 學組件中之任一者或組合,包括折射、反射、磁性、電磁 及靜電光學組件。 雖然上文已描述本發明之特定實施例,但是應瞭解,本 發明可以不同於所述之方式加以實施。舉例而言,本發明 可採取一電腦程式之形式,其含有描述如上文所揭示之方 法的一或多個機器可讀指令序列,或本發明可採取一資料 儲存媒體(例如,半導體記憶體、磁碟或光碟)之形式,其 中儲存有此電腦程式。 可將本發明之一或多個實施例應用於任何浸潰式微影裝 置’特別(但不獨佔式地)係上文所提及之彼等類型,且不 管浸液是否以液浴之形式來提供還是僅提供於基板之局部 表面區域上。應廣泛地解釋如本文中所考慮之液體供應系 統。在某些實施例中,其可為向投影系統與基板及/或基 板台之間的空間提供液體之機構或結構之組合。其可包含 向空間提供液體之一或多個結構、一或多個液體入口、一 或多個氣體入口、一或多個氣體出口及/或一或多個液體 出口之組合。在一實施例中,空間之一表面可為基板及/ 或基板台之一部分’或空間之一表面可完全覆蓋基板及/ 或基板台之一表面’或空間可封閉基板及/或基板台。液 118817.doc -35- 1356975 體供應系統視需要可推一 之位置、數/ 或多個元件以控制液體 ° 、形狀、流動速率或任何其他特徵。 用:?所使用之曝光輕射之所要特性及波長,裝置中所使 用^液可具有不同組份。對於193⑽之曝光波長,可使 :超純水或基於水之組份,且為此原因,浸液有時被稱為 7 ’且可使用諸如親水性、疏水性、濕度等之水相 語。
上文之描述意欲為說明性的,而非限制性的。因此,對 於熟習此項技術者而言將顯而易見的是,在不脫離下文所 陳述之_請專利範圍之範嘴的情況下,可對所描述之本發 明進行修改。 【圖式簡單說明】 圖1描繪根據本發明之一實施例的微影裝置; 圖2及圖3描繪在微影投影裝置中使用之液體供應系統; 圖4描繪在微影投影裝置中使用之另一液體供應系統; 圖5描繪局部區域液體供應系統; 圖6以橫截面說明根據本發明之一實施例之基板台中的 排液管; 圖7以橫截面說明根據本發明之一實施例之基板台中的 排液管; 圖8a至圖8f以橫截面說明根據本發明之一實施例之基板 台中的排液管之變化; 圖9a及圖9b以橫截面說明根據本發明之一實施例的排液 管; I18817.doc -36- 1356975 圖l 〇以橫截面說明根據本發明之另一實施例的排液管。 【主要元件符號說明】
10 排液管 11 空間 12 液體限制結構 13 液體入口 14 出口 15 氣體入口 16 氣體密封 20 小突起台 22 突出物 40 突出物 42 面 60 突出物 62 面 67 壁 70 腔室 72 底部 80 毛細管通路 81 扎 100 瓣片 180 液體移除器件 200 桿體 210 葉片/翼片 118817.doc -37. 1356975 220 230 300 800 801 805 810 825
BD C CO IF IL IN IN
MA MT Ml M2 OUT PL PM PS 網狀物 板 排液管加熱器 第二腔室 單相提取器 通孔 另一腔室 韌性安裝台 輻射光束 光束傳遞系統 目標部分 聚光器 位置感應器 照明器 積光器 入口 圖案化器件/光罩 支撐結構/光罩台 圖案化器件對準標記 圖案化器件對準標記 出口 投影系統 第一*** 投影系統 118817.doc -38 - 1356975
PW PI P2 SO w WT 第二*** 基板對準標記 基板對準標記 輻射光源 基板 基板台
118817.doc 39
Claims (1)
- K年η月日修正本 第096108985號專利申請案 中文申請專利範圍替換本(100年U月) 十、申請專利範圍·· !·—種微影裝置,其包含: 基板台,其經建構以固持基板; 液體供應系統,其係構成為向該基板台上之物件與投 影系統之間的空間提供液體;及 在該基板台中之排液管,其係構成為容納使用時該物 件之邊緣與該基板台之間洩漏之液體, 其中,在使用時,該排液管中之氣體壓力經維持為實 •質上等於該基板台上方之氣體周圍壓力; 在該排液管中進-步包含液體移除器件,該液體移除 器件係構成為自該排液管移除液體; 該液體移除器件包含單相提取器;該單相提取器在該 排液管與一腔室之間包含至少一個通孔及/或狹縫,該腔 室在使用時實質上充滿液體且連接至負壓; 該至少-個通孔藉由覆蓋該排液管之出口之網狀物而 形成。 2·如凊求項1之裝置,其中該液體移除器件於該排液管之 底部表面包含通向腔室的複數個個別以間隔通 孔。 3. = 3月求項2之裝置,#中該排液管包含下部側壁,該下 部側壁朝向該複數個個別以間隔隔開之通孔向内側傾 斜。 4. 如凊求項2之裝置,其中該排液管包含上部側壁,咳上 部側壁離開該間隙向外傾斜以與下部側壁接合。 imn-iooim.doc 丄356975 5_如請求項4之裝置,其中該液體與該上部側壁具有大於 90°之接觸角。 6·如清求項1之裝置,其於該排液管之旁邊進一步包含加 熱器。 •如清求項1之裝置,為將進入該排液管之間隙之開口部 刀割為至少兩個,其進一步包含在該間隙下方配置於該 排液管内之分割器。 8.如凊求項7之裝置,其中該分割器包含網狀物。 «月求項7之裝置,其中該分割器包含複數個實質上向 下延伸之翼片。 1〇. 一種微影裝置,其包含: 基板台’其經建構以固持基板; 液體供應系統,其係構成為對該基板、該基板台及/或 物件與投料'統之間之該基板、該基板台及/或該基板台 上之5亥物件的局部區域提供液體; 負壓源,其連接至該 排液管移除液體,·及 於自該至少一 控制器’其用於在該局部區 物件之邊緣上㈣㈣胃上在絲板及/或該 1 1 〆、坚'原連接至該至少一排液管。 11.如Μ求項1〇之裝置,其中僅杏 Α板及/ i? 4私 田。亥局部區域實質上遠離該 基板及/或该物件之該邊 ^该控制器自該至少一排液 118817-1001115.doc 1356975 管斷開該負壓源。 !2· —種器件製造方法,其包含: 經由液體而將圖$仆A α茶化輪射光束投影於基板上之步 驟;及 丄由物件與構成為固持該基板之基板台之間的間隙而 在腔室中收集液體之步驟,其中 該液體被限制於局部區域,且當該局部區域係在該物 件之邊緣上方時向該腔室施加用於移除液體之負壓,當 5亥局部區域不在該物件之該邊緣上方時不向該腔室施加 負壓。 118817.1001115.doc
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JP5029611B2 (ja) * | 2006-09-08 | 2012-09-19 | 株式会社ニコン | クリーニング用部材、クリーニング方法、露光装置、並びにデバイス製造方法 |
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NL1035942A1 (nl) * | 2007-09-27 | 2009-03-30 | Asml Netherlands Bv | Lithographic Apparatus and Method of Cleaning a Lithographic Apparatus. |
US20090218743A1 (en) * | 2008-02-29 | 2009-09-03 | Nikon Corporation | Substrate holding apparatus, exposure apparatus, exposing method, device fabricating method, plate member, and wall |
EP2128703A1 (en) | 2008-05-28 | 2009-12-02 | ASML Netherlands BV | Lithographic Apparatus and a Method of Operating the Apparatus |
EP2131242A1 (en) * | 2008-06-02 | 2009-12-09 | ASML Netherlands B.V. | Substrate table, lithographic apparatus and device manufacturing method |
NL1036924A1 (nl) * | 2008-06-02 | 2009-12-03 | Asml Netherlands Bv | Substrate table, lithographic apparatus and device manufacturing method. |
NL2004305A (en) | 2009-03-13 | 2010-09-14 | Asml Netherlands Bv | Substrate table, immersion lithographic apparatus and device manufacturing method. |
NL2004807A (en) * | 2009-06-30 | 2011-01-04 | Asml Netherlands Bv | Substrate table for a lithographic apparatus, litographic apparatus, method of using a substrate table and device manufacturing method. |
NL2005874A (en) * | 2010-01-22 | 2011-07-25 | Asml Netherlands Bv | A lithographic apparatus and a device manufacturing method. |
NL2007802A (en) | 2010-12-21 | 2012-06-25 | Asml Netherlands Bv | A substrate table, a lithographic apparatus and a device manufacturing method. |
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JP5973064B2 (ja) | 2012-05-29 | 2016-08-23 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 支持装置、リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
JP5932498B2 (ja) * | 2012-06-05 | 2016-06-08 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法およびマスク |
WO2016000883A1 (en) | 2014-07-04 | 2016-01-07 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and a method of manufacturing a device using a lithographic apparatus |
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US10317804B2 (en) | 2015-12-08 | 2019-06-11 | Asml Netherlands B.V. | Substrate table, lithographic apparatus and method of operating a lithographic apparatus |
WO2017102162A1 (en) | 2015-12-15 | 2017-06-22 | Asml Netherlands B.V. | A substrate holder, a lithographic apparatus and method of manufacturing devices |
EP3455677A1 (en) | 2016-05-12 | 2019-03-20 | ASML Netherlands B.V. | Extraction body for lithographic apparatus |
US11131931B2 (en) | 2018-06-29 | 2021-09-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Fluidic leakage handling for semiconductor apparatus |
EP3923075A1 (en) * | 2020-06-08 | 2021-12-15 | ASML Netherlands B.V. | Apparatus for use in a metrology process or lithographic process |
Family Cites Families (32)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4509852A (en) | 1980-10-06 | 1985-04-09 | Werner Tabarelli | Apparatus for the photolithographic manufacture of integrated circuit elements |
AU2747999A (en) | 1998-03-26 | 1999-10-18 | Nikon Corporation | Projection exposure method and system |
US7116401B2 (en) * | 1999-03-08 | 2006-10-03 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic projection apparatus using catoptrics in an optical sensor system, optical arrangement, method of measuring, and device manufacturing method |
US6766817B2 (en) | 2001-07-25 | 2004-07-27 | Tubarc Technologies, Llc | Fluid conduction utilizing a reversible unsaturated siphon with tubarc porosity action |
EP1420300B1 (en) | 2002-11-12 | 2015-07-29 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
SG121822A1 (en) | 2002-11-12 | 2006-05-26 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1429188B1 (en) | 2002-11-12 | 2013-06-19 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic projection apparatus |
TWI232357B (en) | 2002-11-12 | 2005-05-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
SG121819A1 (en) * | 2002-11-12 | 2006-05-26 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
KR20120127755A (ko) | 2002-12-10 | 2012-11-23 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광장치 및 디바이스 제조방법 |
JP4529433B2 (ja) * | 2002-12-10 | 2010-08-25 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法、デバイス製造方法 |
WO2004090633A2 (en) * | 2003-04-10 | 2004-10-21 | Nikon Corporation | An electro-osmotic element for an immersion lithography apparatus |
WO2004090577A2 (en) * | 2003-04-11 | 2004-10-21 | Nikon Corporation | Maintaining immersion fluid under a lithographic projection lens |
US7213963B2 (en) | 2003-06-09 | 2007-05-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
KR101520591B1 (ko) * | 2003-06-13 | 2015-05-14 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 방법, 기판 스테이지, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법 |
TWI263859B (en) | 2003-08-29 | 2006-10-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7528929B2 (en) * | 2003-11-14 | 2009-05-05 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP4513534B2 (ja) * | 2003-12-03 | 2010-07-28 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法、デバイス製造方法 |
KR101394764B1 (ko) | 2003-12-03 | 2014-05-27 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법, 그리고 광학 부품 |
KR101547037B1 (ko) | 2003-12-15 | 2015-08-24 | 가부시키가이샤 니콘 | 스테이지 장치, 노광 장치, 및 노광 방법 |
DE602004027162D1 (de) | 2004-01-05 | 2010-06-24 | Nippon Kogaku Kk | Belichtungsvorrichtung, belichtungsverfahren und bauelementeherstellungsverfahren |
US7898642B2 (en) * | 2004-04-14 | 2011-03-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7616383B2 (en) * | 2004-05-18 | 2009-11-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP4449591B2 (ja) * | 2004-06-17 | 2010-04-14 | 株式会社デンソー | 車両用発電システム |
US7701550B2 (en) | 2004-08-19 | 2010-04-20 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1806772B1 (en) * | 2004-10-15 | 2014-08-06 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device manufacturing method |
CN100533662C (zh) * | 2004-11-01 | 2009-08-26 | 株式会社尼康 | 曝光装置及器件制造方法 |
TWI424260B (zh) | 2005-03-18 | 2014-01-21 | 尼康股份有限公司 | A board member, a substrate holding device, an exposure apparatus and an exposure method, and a device manufacturing method |
US7839483B2 (en) * | 2005-12-28 | 2010-11-23 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and a control system |
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