CN101046640B

CN101046640B - 光刻装置及器件制造方法

Info

Publication number: CN101046640B
Application number: CN2007100918615A
Authority: CN
Inventors: N·R·科珀; S·N·L·唐德斯; J·J·奥坦斯; J·C·范德霍文; E·C·卡迪克; S·舒勒波
Original assignee: ASML Netherlands BV
Current assignee: ASML Netherlands BV
Priority date: 2006-03-28
Filing date: 2007-03-28
Publication date: 2012-03-28
Anticipated expiration: 2027-03-28
Also published as: JP2010212728A; JP5551515B2; KR20070097362A; TW201220003A; JP5303607B2; US11537038B2; US20070229786A1; JP2007266603A; KR100881963B1; TW200741372A; US10866501B2; US20110242512A1; CN101046640A; US20110273678A1; JP2011205128A; KR20110084853A; TWI559094B; TWI356975B; CN102566319A; US20210173294A1

Abstract

记载了光刻投影装置中的排放装置的各个实施例，这些实施例例如具有一特征，当在排放装置中不存在液体时该特征可减小流入排放装置的气体。在一个示例中，提供一被动型液体去除装置，使得该排放装置中的气体压力等于环境气体压力，在另一个实施例中，提供一挡板以在不需要去除液体时封闭该腔室。

Description

光刻装置及器件制造方法

技术领域

本发明涉及一种光刻装置及器件制造方法。

背景技术

光刻装置是将所需的图案施加到基底上(通常是施加到基底的靶部上)的设备。光刻装置可以用于例如集成电路(IC)的制造。在这种情况下，构图部件，或者可称为掩模(mask)或中间掩模(reticle)，可用于产生形成在IC的单层上的电路图案。该图案可以被转移到基底(例如硅晶片)的靶部(例如包括一部分、一个或者多个管芯(die))上。这种图案的转移通常是通过成像到基底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上来进行的。一般而言，单个基底包含由被相继构图的相邻靶部构成的网状件。已知的光刻装置包括所谓的步进器和扫描器，在步进器中，对每一靶部的辐照是通过一次性将整个图案曝光到该靶部上来进行的；在扫描器中，对每一靶部的辐照是通过沿给定方向(“扫描”方向)扫描所述图案穿过一辐射束，并同时沿与该方向平行或者反平行的方向同步扫描该基底。还可以通过将图案压印到基底上而把图案从构图部件转移到基底上。

已经提出，将光刻投影装置中的基底浸入具有较高折射率的液体(例如水)中，以便填充投影***的最末元件与基底之间的空间。由于曝光辐射在该液体中具有更短的波长，因此这能够成像较小的特征部。(还认为该液体的作用可以增加该***的有效NA以及增加聚焦深度。)也提出了其它浸液，包括其中悬浮有固体颗粒(如石英)的水。

但是，将基底或基底和基底台浸没在液体浴槽(例如参见美国专利US4509852，在此将该文献全文引入作为参考)中意味着在扫描曝光过程中必须使大量的液体加速。这需要附加的或功率更大的马达，并且液体中的湍流可能导致不期望和不可预料的影响。

所提出的一种解决方案是，液体供给***利用液体限制***仅在基底的局部区域上以及投影***的最末元件和基底(通常该基底具有比投影***的最末元件更大的表面面积)之间提供液体。在PCT专利申请WO99/49504中公开了一种已经提出的用于该方案的方式，在此将该文献全文引入作为参考。如图2和3所示，通过至少一个入口IN将液体提供到基底上，优选地沿基底相对于该最末元件的移动方向提供，并且在液体已经流过该投影***下方之后，通过至少一个出口OUT将该液体去除。也就是说，当沿-X方向在该元件下方扫描基底时，在该元件的+X侧提供液体，并在-X侧吸走液体。图2示意性地示出了该布置，其中，通过入口IN提供液体，并通过与负压源相连接的出口OUT在该元件的另一侧吸取液体。在图2的图示中，是沿基底相对于最末元件的移动方向来提供液体，但是也可以不必这样。围绕该最末元件定位的入口和出口的各种方位和数量都是可能的，图3示出了一个示例，其中，在该最末元件周围以规则的图案在两侧上设置了四组入口和出口

图4示出了另一种使用局部液体供给***的浸液光刻方案。液体可以通过投影***PL两侧上的两个槽形入口IN提供，并由布置在入口IN径向外侧的多个分立的出口OUT去除该液体。这些入口IN和出口OUT布置在中心处具有小孔的平板中，投影束可穿过该小孔进行投影。液体可以通过在投影***PL一侧上的一个槽形入口IN提供，并通过投影***PL另一侧上的多个分立的出口OUT去除，从而在投影***PL和基底W之间形成液体薄膜的流动。所选用的入口IN和出口OUT的组合取决于基底W的移动方向(入口IN和出口OUT的其它组合是无效的)。

在欧洲专利申请公开文本no.EP1420300和美国专利申请公开文本no.US2004-0136494中，公开了一种双平台式浸液光刻装置的思想，在此将这两篇文献的全文引入作为参考。这种装置具有两个用于支撑基底的工作台。用第一位置处的工作台在没有浸液的的情况下进行水准测量(1eveling measurement)，用第二位置处的工作台在存在浸液的情况下进行曝光。或者可替换地，该装置仅具有一个工作台。

在光刻装置中运用浸液会给它带来一个或多个液体处理的问题。通常在对象(如基底和/或传感器)与围绕该对象(如基底)边缘的基底台之间存在间隙。美国专利申请公开文本US2005-0264778(在此将其全文引入作为参考)公开了使用材料填充该间隙，或提供液体源或负压源以有意地使用液体填充该间隙，从而当该间隙在液体供给***下方通过时避免产生气泡和/或去除进入该间隙的任何液体。

发明内容

例如，期望的是去除一对象的边缘与基底台(其上定位有该对象)之间的间隙中的液体。该对象是基底、传感器、封闭板等等。

根据本发明的一个方面，提供一种光刻装置，包括：基底台，用于保持基底；液体供给***，用于向该基底台上的对象与投影***之间的空间提供液体；和，位于基底台中的排放装置，用于容纳在使用时在该对象的边缘与该基底台之间泄漏的液体，其中，在使用时，该排放装置中的气体压力维持成与基底台上方的环境气体压力基本相同。

根据本发明的一个方面，提供一种光刻装置，包括：基底台，用于保持基底；液体供给***，用于向该基底台上的对象与投影***之间的空间提供液体；和，位于基底台中的腔室，该腔室与一在使用时包围该对象外边缘的间隙成流体连通，使得该腔室在该对象外边缘周围的一位置处对该基底台的外表面是开放的，其中，在使用中，该液体与限定了该间隙且在该间隙上彼此面对的表面之间的接触角大于45°。

根据本发明的一个方面，提供一种光刻装置，包括：基底台，用于保持基底；液体供给***，用于向该基底台上的对象与投影***之间的空间提供液体；和，位于基底台中的腔室，该腔室与一间隙成流体连通，在使用中，该间隙包围该对象的外边缘，使得该腔室在该对象外边缘周围的一位置处对该基底台的外表面是开放的，其中，在使用中，限定了该间隙的表面与该间隙所通向的腔室的表面之间的角度是至少90°。

根据本发明的一个方面，提供一种光刻装置，包括：基底台，用于保持基底，该基底台包括通向腔室的通道，该通道将该腔室连接至该基底台的外表面，在使用中，该通道包围该基底台上的对象的外缘；和，柔性挡板，该柔性挡板可延伸横跨该通道，并且基本上被偏置成去阻挡该通道与该腔室之间的气体流动，并且，该柔性挡板可通过来自上方的流体静压力和/或流体动压力而变形以开通该间隙，从而允许形成从该通道进入该腔室的液体通路。

根据本发明的一个方面，提供一种光刻装置，包括：液体供给***，用于向投影***与基底之间的空间提供液体；用于保持基底的第一基底台，该第一基底台的边缘具有表面，该表面具有竖向部分；和，用于保持基底的第二基底台，该第二基底台的边缘具有表面，该表面具有竖向部分，其中，在使用中，该液体与上述表面中至少一个表面的至少一部分之间的接触角大于45°。

根据本发明的一个方面，提供一种器件制造方法，包括：将图案化辐射束透过液体投影到基底上，并将在一对象的边缘与用于保持基底的基底台之间泄漏的液体收集在一排放装置中，该排放装置保持在环境压力下。

根据本发明的一个方面，提供一种器件制造方法，包括：将图案化辐射束透过液体投影到基底上，并经由对象与用于保持基底的基底台之间的间隙将液体收集在腔室中，该液体与限定了该间隙且在该间隙上彼此面对的表面之间的接触角大于45°。

根据本发明的一个方面，提供一种器件制造方法，包括：将图案化辐射束透过液体投影到基底上，其中，在对象与用于保持基底的基底台之间泄漏的液体沿一通道流动，并使得横跨该通道的出口而延伸的柔性挡板移动，以将该液体暴露于负压下，从而使得该液体被从柔性挡板上去除，以允许该柔性挡板重新阻塞该通道。

根据本发明的一个方面，提供一种器件制造方法，包括：将图案化辐射束透过液体投影到由第一基底台支撑的基底上，将第二基底台定位成与第一基底台相邻并使两个基底台一起在该投影***下方移动，使得该第二基底台在投影***下方移动，其中，第一基底台和第二基底台的在该移动过程中定位成彼此相邻的边缘中的每个边缘都包括具有竖向部分的表面，其中，该液体与该这些表面中的至少一个表面的至少一部分之间的接触角大于45°。

根据本发明的一个方面，提供一种光刻装置，包括：基底台，用于保持基底；液体供给***，用于向该基底的、该基底台的和/或该基底台上的对象的局部区域上提供液体，并且所述液***于该基底、基底台和/或对象与投影***之间；位于该基底台中的至少一个排放装置，用于容纳在使用时在该基底和/或对象的边缘与该基底台之间泄漏的液体；负压源，所述负压源连接至所述至少一个排放装置，用于从所述至少一个排放装置去除液体；和控制器，用于基本上当所述局部区域位于所述基底和/或对象的边缘上方时，将所述负压源连接至所述至少一个排放装置。

根据本发明的一个方面，提供一种器件制造方法，包括：将图案化辐射束透过液体投影到基底上，并经由对象与用于保持基底的基底台之间的间隙将液体收集到腔室中，其中，该液体在平面上被限制于局部区域，当所述局部区域位于所述对象的边缘的上方时，向所述腔室施加负压以去除液体，并且，当所述局部区域没有位于所述对象的所述边缘的上方时，不向所述腔室施加该负压。

附图说明

现在参考所附示意图通过示例对本发明各实施例加以说明，附图中相同的参考符号表示相同的部件，其中：

图1示出了按照本发明一个实施例的光刻装置；

图2和3示出了一种在光刻投影装置中使用的液体供给***；

图4示出了另一种在光刻投影装置中使用的液体供给***；

图5示出了一种局部区域液体供给***；

图6以截面的形式示出了按照本发明的一个实施例位于基底台中的排放装置；

图7以截面的形式示出了按照本发明的一个实施例位于基底台中的排放装置；

图8a至8f以截面的形式示出了按照本发明的一个实施例位于基底台中的排放装置的变化；

图9a和9b以截面的形式示出了按照本发明的一个实施例的排放装置；

图10以截面的形式示出了按照本发明另一个实施例的排放装置。

具体实施方式

图1示意性地示出了根据本发明一个实施例的光刻装置。该装置包括：

照明***(照明器)IL，其构造成调节辐射束B(例如UV辐射或DUV辐射)；

支撑结构(例如掩模台)MT，其构造成支撑构图部件(例如掩模)MA并与第一定位装置PM连接，该第一定位装置PM构造成依照某些参数精确定位该构图部件；

基底台(例如晶片台)WT，其构造成保持基底(例如涂敷抗蚀剂的晶片)W并与第二定位装置PW连接，该第二定位装置PW构造成依照某些参数精确定位该基底；

投影***(例如折射投影透镜***)PS，其构造成将由构图部件MA赋予辐射束B的图案投影到基底W的靶部C(例如包括一个或多个管芯)上。

该照明***可以包括各种类型的光学部件来引导、成形或者控制辐射，这些光学部件诸如是：折射光学部件、反射光学部件、磁性光学部件、电磁光学部件、静电光学部件或其它类型的光学部件，或者它们的任意组合。

该支撑结构保持该构图部件，其对该构图部件的保持方式取决于该构图部件的方位、光刻装置的设计以及其它条件，例如该构图部件是否保持在真空环境中。该支撑结构可以使用机械、真空、静电或其它夹持技术来保持该构图部件。该支撑结构可以是框架或者工作台，例如所述掩模支撑结构可根据需要而是固定的或者是活动的。该支撑结构可以确保构图部件例如相对于该投影***位于所需位置。在这里，术语“中间掩模”或者“掩模”的任何使用均可认为与更上位的术语“构图部件”同义。

这里所使用的术语“构图部件”应广义地解释为能够向辐射束的截面中赋以图案从而在基底的靶部中形成图案的任何装置。应该注意，赋予给该辐射束的图案可以并不与基底靶部中的所需图案精确一致，例如如果该图案包括相移特征或所谓的辅助特征。一般地，赋予给该辐射束的图案对应于在靶部中形成的器件(如集成电路)内的特定功能层。

该构图部件可以是透射型的或者反射型的。构图部件的示例包括掩模、可编程反射镜阵列、以及可编程LCD面板。掩模在光刻中是公知的，其类型诸如是二元型、交替相移(alternating phase-shift)型、衰减相移型，以及各种混合掩模类型。可编程反射镜阵列的一个示例采用小型反射镜的矩阵排列，每个反射镜能够独立地倾斜，从而沿不同的方向对入射辐射束进行反射。这些倾斜的反射镜可以在被反射镜矩阵反射的辐射束中赋以图案。

这里使用的术语“投影***”应广义地解释为包含各种类型的投影***，包括折射光学***，反射光学***、反射折射光学***、磁性光学***、电磁光学***和静电光学***，或其任何组合，以适合于所用的曝光辐射，或者适合于其它方面，如浸液的使用或真空的使用。在这里，术语“投影透镜”的任何使用均可以认为与更上位的术语“投影***”同义。

如这里所指出的，该装置是透射型(例如采用透射掩模)。或者可替换地，该装置也可以是反射型(例如采用上面提到的可编程反射镜阵列，或采用反射掩模)。

该光刻装置可以具有两个(双平台)或者更多个基底台(和/或两个或更多个支撑结构)。在这种“多平台式”装置中，可以并行使用这些附加的台，或者可以在一个或多个台上进行准备步骤，而一个或者多个其它台或支撑件用于曝光。

参考图1，照明器IL接收来自辐射源SO的辐射束。辐射源和光刻装置可以是分立的机构，例如当该辐射源是准分子激光器时。在这些情况下，不把辐射源看成是构成了该光刻装置的一部分，辐射束借助于束输送***BD从辐射源SO传输到照明器IL，所述束输送***BD包括例如合适的定向反射镜和/或扩束器。在其它情况下，该辐射源可以是光刻装置的组成部分，例如当该辐射源是汞灯时。该辐射源SO和照明器IL(如果需要可以连同该束输送***BD一起)可以被称作辐射***。

照明器IL可以包括调节装置AD，用于调节辐射束的角强度分布。一般地，至少可以调节照明器光瞳平面内强度分布的外径向范围和/或内径向范围(通常分别称为σ-外和σ-内)。此外，照明器IL可以包括各种其它部件，如积分器IN和聚光器CO。该照明器可以用于调节辐射束，从而使该辐射束在其横截面上具有所需的均匀度和强度分布。

该辐射束B入射到保持在该支撑结构(如掩模台)MT上的构图部件(如掩模)MA上，并由构图部件进行构图。穿过该构图部件MA后，辐射束B通过该投影***PS，该投影***将该辐射束聚焦在基底W的靶部C上。在第二定位装置PW和位置传感器IF(例如干涉测量器件、线性编码器或电容传感器)的辅助下，可以精确地移动该基底台WT，从而例如将不同的靶部C定位在辐射束B的路径中。类似地，例如在从掩模库中机械取出构图部件MA后或在扫描期间，可以使用第一定位装置PM和另一位置传感器(图1中未明确示出)来相对于辐射束B的路径精确定位该构图部件MA。一般地，借助于长行程模块(粗略定位)和短行程模块(精细定位)，可以实现该支撑结构MT的移动，所述长行程模块和短行程模块构成第一定位装置PM的一部分。类似地，利用长行程模块和短行程模块也可以实现基底台WT的移动，其中该长行程模块和该短行程模块构成第二定位装置PW的一部分。在步进器的情况下(这与使用扫描装置的情况相反)，该支撑结构MT可以只与短行程致动装置连接或者可以被固定。可以使用构图部件对准标记M1、M2和基底对准标记P1、P2来将该构图部件MA与该基底W对准。尽管如所示出的基底对准标记占据了指定的靶部，但是它们也可以设置在各个靶部之间的空间中(这些空间被称为划片线(scribe-lane)对准标记)。类似地，在有超过一个的管芯设在构图部件MA上的情况下，可以将该构图部件对准标记设在这些管芯之间。

所示的装置可以按照下面模式中的至少一种使用：

1.在步进模式中，支撑结构MT和基底台WT保持基本不动，而赋予辐射束的整个图案被一次投影到靶部C上(即单次静态曝光)。然后沿X和/或Y方向移动该基底台WT，使得可以曝光不同的靶部C。在步进模式中，曝光场的最大尺寸限制了在单次静态曝光中成像的靶部C的尺寸。

2.在扫描模式中，支撑结构MT和基底台WT被同步扫描，同时，赋予辐射束的图案被投影到靶部C上(即单次动态曝光)。基底台WT相对于支撑结构MT的速度和方向可以由投影***PS的放大(缩小)和图像反转特性来确定。在扫描模式中，曝光场的最大尺寸限制了在单次动态曝光中靶部的宽度(沿非扫描方向)，而扫描运动的长度确定了靶部的高度(沿扫描方向)。

3.在另一模式中，支撑结构MT保持基本不动，并且保持一可编程构图部件，而基底台WT被移动或扫描，同时，赋予辐射束的图案被投影到靶部C上。在该模式中，一般采用脉冲辐射源，并且，在每次移动基底台WT之后，或者在扫描期间相继的辐射脉冲之间，根据需要更新该可编程构图部件。这种工作模式可以容易地应用于采用可编程构图部件的无掩模光刻中，所述可编程构图部件例如是上面提到的可编程反射镜阵列类型。

还可以采用上述使用模式的组合和/或变化，或者也可以采用完全不同的使用模式。

尽管本发明可以和任何类型的液体供给***一起使用，但是该设计最好是与诸如图5所示的局部区域液体供给***一起使用。在这种类型的液体供给***中，液体在任一时刻都仅被提供到基底的整个顶表面的小区域上。对局部区域液体供给***的操作作简要说明。

参考图5，该局部区域液体供给***包括具有液体限制结构的液体供给***，该液体限制结构沿投影***的最末元件与基底台之间的空间的至少一部分边界延伸。该液体限制结构相对于投影***在XY平面中是静止的，但是它可以在Z方向(沿光轴的方向)上有一些相对移动。在一个实施例中，在该液体限制结构与基底的表面之间形成密封，该密封可以是非接触式密封，如气体密封。

该液体限制结构12至少部分地将液体容纳在该投影***PL的最末元件与基底W之间的该空间11中。可以围绕着该投影***的成像场来形成对该基底的非接触式密封16，使得该液体被限制在基底表面与投影***的最末元件之间的空间内。该空间至少部分由该液体限制结构12形成，该液体限制结构12定位在投影***PL的最末元件下方并围绕该最末元件。液体通过液体入口13进入到处于投影***下方且处于液体限制结构12内的该空间内，然后可以通过液体出口13去除。该液体限制结构12可延伸到略微高于该投影透镜PL的最末元件，而液面上升到投影透镜PL的最末元件之上，从而提供液体缓冲区。液体限制结构12具有一内周边，在一个实施例中，该内周边在上端部处与该投影***或其最末元件的形状接近一致，并且例如可以为圆形。而在底部，该内周边与该成像场的形状的接近一致，例如为矩形，但是也可以不是这种形状。

由气体密封16将该液体包含在该空间11中，在使用过程中，该气体密封形成在该液体限制结构12的底部与该基底W的表面之间。该气体密封由气体(例如空气、合成空气)形成，但是，在一个实施例中，该气体可以由N₂或其它惰性气体形成，这些气体在压力下通过入口15提供至该液体限制结构12与该基底之间的间隙，然后通过出口14抽出。作用在气体入口15上的过压力、作用在第一出口14上的真空水平和该间隙的几何形状布置成使得存在有向内的高速气流来限制该液体。这些入口/出口可以是围绕该空间11的环形凹槽，该气体流动16有效地将液体包含在该空间11中。美国专利申请公开文本no.US2004-0207824中公开了这种***，在此将其全文引入作为参考。

其它方案也是可能的，本发明的一个或多个实施例同样可以应用于这些方案。例如，代替该气体密封16，可以具有仅抽出液体的单相抽取器(sing1e phase extractor)。这种单相抽取器的径向外侧具有一个或多个功能部件，用于产生气流以便帮助将液体包含在该空间中。一种这样类型的功能部件是所谓的气刀，在该气刀中，薄的气体射流被向下引导到基底W上。当基底在投影***和液体供给***下方进行扫描动作时，可以产生流体静力和流体动力，这导致压力朝着该基底向下作用在该液体上。

利用局部区域液体供给***，基底W在投影***PL和该液体供给***下方移动，并且，当基底W的边缘要被成像时，或者当基底台上的传感器要被成像或基底台要被移动成使得基底模型(dummy substrate)或所谓的封闭板定位在该液体供给***下方从而能够进行基底交换时，该基底W的边缘将在该空间11下方通过，并且液体会泄漏到基底W与基底台WT之间的间隙中。该液体可以在流体静压力或流体动压力的作用下或者在气刀或其它气流产生装置的力的作用下被迫进入该间隙。

尽管下面针对围绕基底W的边缘提供排放装置方面描述了本发明的一个或多个实施例，但是一个或多个实施例同样可应用于布置在基底台上的一个或多个其它对象，包括但不限于用于将液体保持在液体供给***中的封闭板，该封闭板例如在基底交换过程中附着于该液体供给***的底部和/或附着于一个或多个传感器。这样，应该认为，下文任何涉及基底W的地方都与任何其它对象(如传感器或封闭板)同义。

图6示出了本发明的一个实施例。图6是穿过基底台WT和基底W的剖面图。围绕基底W的外缘提供排放装置10，其中基底W和基底台WT之间存在间隙15。在一个实施例中，该排放装置10围绕基底W的周边延伸。在一个实施例中，排放装置10仅围绕基底W的部分周边延伸。

在基底W的成像过程中，基底W保持在基底台WT上。该基底W定位在突起台20上，该突起台是具有多个突出部的卡盘。在基底W和基底台WT的表面之间以及这些突出部22之间的该间隙中所产生的负压将基底W夹紧在这些突出部22上。

考虑到基底W的精确尺寸的公差以及基底W可能并不正好定位在突起台20的中央，基底台WT构造和布置成在基底W与基底台WT的顶部之间布置有间隙/凹槽/通道15，从而虑及这些公差。

基底台WT的该顶部构造和布置成使得，当基底W布置在基底台WT上时，基底台的顶表面与基底W的顶表面基本上平行且共面。这是为了确保：当基底W的边缘被成像时，或者当基底台WT通过该投影***下方而使基底W第一次位于投影***下方或者使基底W在成像之后从投影***下方移出，并且液体供给***必须从基底台WT的顶表面移动到基底W的顶表面或相反过程时，使泄漏到间隙15中的液体减少或最小化。然而，一些液体将不可避免地进入该间隙15。

在一个实施例中，该间隙15具有负压源，以便去除进入间隙15中的液体。然而，当基底W的边缘没有被成像并因此没有被覆盖在液体中时，该负压源可造成气体在基底W的边缘上流动。该气体流动可导致基底W的局部冷却，这是不利的。

在一个实施例中，没有提供任何液体去除装置来从该间隙15去除液体(例如，可用柔韧材料阻塞该间隙)。尽管这可以克服基底W的局部冷却问题，但是遗憾的是这会导致在液体供给***的液体内包含气泡(当该间隙在该液体供给***下方通过时)，由此可能引起成像误差。此外或者可替换地，由于存在损坏基底和/或产生微粒的危险，因此希望可以避免(固体)密封元件与基底W之间的接触。

一个或多个实施例用于减轻这些问题或其它问题中的一个或多个。一个或多个实施例具有的优点是减小了液体供给***通过间隙15所损失的液体量。

下面将参考图6详细地描述排放装置10的结构。在图6中，该间隙或通道或凹槽15具有两个不同的竖向部分。该间隙的顶部部分限定在基底W和基底台WT的顶部之间。该间隙15的最窄部分是下部部分，其限定在基底台WT的两个突出部40、60之间。该径向内侧的突出部40从突起台20沿径向向外延伸或者在该突起台20下方沿径向向外延伸，使得其边缘与基底W的边缘基本上沿竖向对齐。然而，该突出部40的边缘也可以在该基底W的径向内侧或径向外侧。该外侧突出部60沿径向向内伸出得比基底台WT的顶部更靠内侧，但是也可以不是这种情况，该外侧突出部也可以伸出得更少一些。当然，可以省略该外侧突出部60，而是基底台WT的顶部可向下延伸以形成该突出部。因而，该间隙15的每一侧都由基底台WT的一个突出部来限定。

该间隙或通道或凹槽15使腔室70与基底台WT上方的大气流体连通。在一个实施例中，可以笔直地画一条线从基底台WT的外部开始穿过突出部40、60之间的间隙15到达腔室70内。在一个实施例中，该条线是一条竖直线和/或与腔室70的边界在腔室70的底壁72上相交叉。如果正确地选择该间隙15和腔室70的尺寸，那么该布置具有的优点是，可以在该液体供给***中使用气刀，以便帮助将液体包含在该空间内，因为该气刀不会“感觉”到该腔室70的底部，因此该气刀不受间隙15的存在的影响。为了获得这种效果(或者更准确地说是失效)，该腔室70的底部72应该与基底台WT的顶表面相距至少1mm，至少2mm，至少3mm，至少4mm或至少5mm。

在图6的排放装置中，腔室70中的气体压力保持与基底台WT外部的气体压力相同(即环境气体压力P_amb)。这意味着在正常的操作中，当该间隙15没有被液体供给***覆盖时，基本上没有气流通过该间隙15；并且，该液体供给***的一个或多个气流装置可将气体吹过该间隙15。即使该液体供给***覆盖了部分间隙15(该间隙15围绕基底W的周边，该液体供给***向远小于基底W的顶表面区域的空间提供液体)，也将在腔室70中保持环境压力，这是因为该腔室70是环形的(或其它形状)，并且在围绕基底W的周边的另一位置处通过间隙15而向基底台WT上方的大气开放。

为了从腔室70去除液体，采用不会在腔室70中产生负压的液体去除装置。在一个实施例中，该液体去除装置基本上不会在腔室70中产生气流。例如，该液体去除装置可以是被动型液体去除装置，其例如是利用毛细通道80中的毛细作用来去除液体。如果浸液和毛细通道80的内表面之间的接触角小于90°，或小于80°、70°、60°、50°、40°、30°或20°，将大大地增强对腔室70的底部72上的液体的去除。可以使用一个或多个其它液体去除装置，其例如是仅在检测到在腔室70中通道80的口部处存在液体时才向通道80施加负压的装置，或者是微筛型(microsieve)单相抽取器(例如参见欧洲专利申请公开文本EP1628163)。在图10的实施例中给出了一个单相抽取器的使用示例。

以另一种方式，本发明的一个实施例的一部分可以看作是没有利用主动抽吸来从间隙15(和腔室70)去除液体，特别是当不存在液体时。当然，在一个实施例中，毛细通道80可以用与一负压源连接的普通通道来替代。控制器控制该负压源是否与腔室70连接。当在任一时刻仅向基底的局部区域(在平面上)提供液体的该液体供给***12位于间隙15上方而使得该液体供给***中的液体11排放到该间隙中时，该负压源通过通道80与腔室70连接。当液体供给***没有位于间隙上方时(即远离间隙时)，该负压源不与腔室70连接。这样，在大多数时间中，腔室70处于环境压力下，但是当液体进入腔室或者出现在腔室中时，可以通过通道80施加负压源以去除进入腔室的液体。这样，该腔室仅在下述时间处于负压下，即，当该基底的边缘被扫描从而该液体供给***的蓄液池位于基底边缘的上方时，或者当该液体供给***首次移动到基底上时而进行的扫描操作的开始和结尾处。当然，应该理解，该负压源与腔室70连接的时间安排可以与上文所述不同。例如，在蓄液池11在该边缘上方通过之后，该负压源可以保持连接一段预定的时间，或者只有当检测到已经从排放装置去除了所有液体时才断开该负压源。对负压源的连接/断开可以根据基底和液体供给***的相对位置来控制。

在使用中，可以使该间隙15足够小，使得在该间隙15经过该液体供给***的阻挡元件的边缘时，该浸液的表面张力能够使该浸液桥接在该基底W与基底台WT之间的间隙上。然而，在使用时的流体静压和/或流体动压和/或由于扫描移动引起的压力可能使得：该液体的表面张力不足以防止液体进入间隙15并穿过突出部40、60之间而进入腔室70。然而，由于是以被动方式从腔室70中去除液体的，而没有在腔室70中形成负压，因此，就能够将液体从该间隙单相抽取到腔室70中，从而不会将气泡引入该空间内的液体中。换句话说，液体将简单地流到间隙15中，并在滴落入腔室70之前填充该间隙，该间隙15中的任何气体将被迫进入该腔室70或者沿间隙15向侧向排出。

由于没有向该腔室70施加负压，因此与向腔室70施加了负压的情况相比，可以极大地减小通过凹槽或通道或间隙15的液体损失率。

为了减小通过间隙15的液体流动，可以特别地对限定该间隙并彼此面对的表面(标记为42、62)的表面性质进行配置。例如，如果浸液(如超纯水(UPW))在光刻装置的工作状态下与这些表面42、62之间的接触角大于45°(即这些表面在工作状态下是略微疏水的)，该光刻装置例如具有强UV辐射和UPW流，那么在这两个表面之间延伸的任何液体弯月面的强度通常将足够高，足以克服该弯月面上该液体的流体静力和流体动力。在一个实施例中，该浸液与限定该间隙且在该间隙上彼此面对的表面之间的接触角大于70°、80°或90°。在一个实施例中，该表面42、62限定了该间隙15的最窄部分。

该弯月面的强度也可以通过改变该表面42、62的几何形状来增大。如果这些表面的形状被改变成可增强毛细作用，那么就不再需要确保浸液和这些表面之间的接触角大于45°。如图6中的虚线所表示的，如果该间隙15的下边缘作为锐边(例如该间隙的壁与该腔室的壁以大于90°、大于100°或大于110°的角度会合)布置，那么就可以形成一种毛细作用锁(capillary lock)。图8中示出了减小液体损失的一些其它方案。

在某些情况中可能泄漏一些液体，例如当该间隙15在阻挡元件的边缘下方通过时，液体将留在间隙15中。然后该间隙15在气刀下方通过，该气刀可以是该液体供给***的一部分，用于吹动该间隙中液体的顶部并使其进入腔室70。实际上这个过程是有益的，因为它意味着该间隙完全被清空，使得该间隙15在沿该间隙的该点处再一次在该浸液空间11下方通过时，该液体可填充该间隙15，同时减小了该间隙中的气体作为气泡进入该空间内的浸液的危险(这是因为任何气体都会逸出并且不会被该间隙中的液滴限制)。在浸液中所引起的流体静压和扫描压力可以确保通过间隙15的液体的合适流动方向，从而避免气泡形成并上升到该空间中。此外，可以由该气刀从该间隙中清除液体，而使液体不会流回到基底和基底台上。通过这种方式可以避免飞溅和相关的缺陷。

如图6所示，用于限定该间隙15的突出部40、60用彼此面对的凸面42、62表示。因而，该突出部40、60在中部处或中点处在这两个突出部之间限定了该间隙15的最窄部分。其它形状也是可能的，包括但不限于在图8中示出的形状。

本发明的一个或多个实施例也可以应用到下述方式中，在该方式中，可以在基底交换过程中桥接两个基底台WT之间的间隙，而不使用封闭板。在该方法中，两个基底台移动成紧靠在一起，然后一起在投影***下方移动，使得该液体供给***从一个基底台“移动”到另一个基底台。在这种情况下，在图6中示出的基底W的边缘被第一基底台WT1的边缘替代，使得该第一基底台WT1在图6的左手侧提供突出部40，而第二基底台WT2在图6的右手侧提供突出部60。在一个实施例中，可以将某种类型的排放装置可以安装至至基底台WT1、WT2中的一个或两个上，但是，因为该排放装置(它替代了腔室70)处于大气压力下，因此不会产生问题。

在一个实施例中，该腔室70的尺寸是，其至少是该间隙15的两倍宽，以便确保进入间隙15中的任何液体在没有首次***的情况下不会超过基底W行进得太远。对于从间隙15的宽度向腔室70的宽度的过渡来说，将该过渡布置得较大且突然可以确保桥接在突出部40、60之间的液体弯月面理想地在该点处被破坏，使得该液体流入腔室70中并滴到底表面72上，可利用液体去除装置80在该底表面72上将该液体去除。在一个实施例中，该腔室或凹槽比该间隙15宽至少1mm。

如图6所示，该间隙15定位在腔室70中央的上方。也可以不是这样，且该间隙15可以定位在沿着腔室70的宽度从图6的最左侧到最右侧(最内侧和最外侧)的任何地方。

图7示出了本发明的一个实施例，除了下面所描述的之外，其与上面参考图6描述的实施例相同。在该实施例中，间隙15的最窄处由基底W的边缘与基底台WT的顶部之间的距离限定。这样，就没有了第一实施例中的突出部40、60，而是分别由基底W的边缘和基底台WT的顶部来替代(即，它们分别形成突出部40、60)。用于基底台WT的材料通常是亲水的或亲液体的，它意味着浸液与基底台WT的表面之间的接触角小于90°。在一个实施例中，基底W的边缘可以制成为是疏水的或疏液体的(即，浸液与该表面之间的接触角大于90°)，对于限定了间隙15的另一侧的基底台WT表面来说可以同样地进行处理。这与上面所描述的类似。

图8示出了一个实施例，除了下面所描述的之外，该实施例与上面参考图7描述的实施例相同。该实施例是为了较小的液体消耗而被最优化。因为图7中的该间隙不能再更小了(由于基底的尺寸公差)，因此选择不同的突出部形状以便使该间隙15的宽度最小，同时还使合适的基底公差适用于基底尺寸的变化。

在图8a的实施例中，两个突出部中的至少一个的凸面被凹面代替。该凹面最接近于该间隙中最接近腔室70的另一侧。通过这种方式，由于基底W本身的边缘的曲率，该基底W能够更接近该突出部，由此使该间隙变窄。由此，需要更短的弯月面来桥接该基底W和基底台WT之间的间隙。较短的弯月面比较长的弯月面强度更大。

在图8b的实施例中，腔室70的截面形成为四边形。在该间隙15两个上的腔室表面相对于水平面以基本上45°的角度向下倾斜。这有助于进入间隙15的任何液体沿腔室70的侧面流动而移离该间隙。这些侧面的精确角度不是重要的，与水平面成15°和90°之间的任何角度都是特别合适的。当然，该腔室的侧面可以由竖向表面形成，使得该腔室70的截面是正方形，其顶表面和底表面是水平的，侧面是竖向的。这是因为和平台的加速度相比，重力对实际的流体运动来说仅是次等重要的。此外，壁67的表面可以制成为是疏液体的，使得浸液与腔室70的壁67之间的接触角大于90°或100°。毛细作用力主要负责驱动该流体优先进入带有抽取孔的底部拐角。因此，该拐角(水需要在此处被驱动)可制成为具有亲液体的表面，而其它区域可以是疏液体的。在具有正方形截面的腔室的情况中，且顶壁和底壁是水平时，该顶壁和径向向外的侧壁可以做成是疏液体的。该间隙15的宽度为大约0.6mm，这允许基底W与基底台的顶表面之间的间隙在大约0.15和0.55mm之间变化，从而可以适应基底W的直径公差。

腔室70的底部72位于该间隙15下方大约5mm处。腔室70的下壁朝着该间隙15下方的位置向内倾斜，使得它们从最大间隔(该最大间隔位于间隙15与底部72之间的大致中途处)开始会合。在腔室70的底部72中，提供多个分立的小孔和/或狭缝。这些小孔优选围绕该排放装置的整个周边彼此等间距地定位。合适的数量是大约100，每个小孔的直径是大约0.3mm。这些小孔通向第二腔室800，该第二腔室的内表面也是疏液体的，并且具有与壁67类似的接触角。优选地，这些小孔位于腔室70的(径向最内侧的)拐角中，但这也可以不是从制造的观点来看的实际位置。优选地，第二腔室800是疏液体的，这将导致更快地去除该液体。

将负压施加到第二腔室800。这将导致气流通过这些小孔81并通过该间隙15。然而，使所需的气体/液体抽取流保持较低。对间隙15的气流的阻力可以忽略，即使在其被来自液体供给***(该液体供给***定位在间隙15上方或者在间隙上方移动)的液体局部地阻塞。因此，实际上第一腔室70通过间隙15直接与周围环境连接。这样，即使在通过小孔81抽出混合的气体/液体流时，在腔室70中也将没有负压。

这样，将存在通过间隙15的较低气体流动和通过小孔81的较高气体流动。该通过小孔81的较高气体流动不会导致明显的冷却。这样，当液体供给***布置在间隙15上方时，由于腔室70处于环境压力下，因此不会有大量水或液体被吸入腔室70。该疏液体的表面有助于实现进入腔室70的较低的水流。由于被小孔81抽出的液体量因此较小，以及由于该液体是通过毛细作用朝着这些抽取点主动输送的，因此该抽取流可以很小。

图8c-8f示出了可以采取的其它措施，以便在不需要阻断该液体限制结构12的气刀的气体路径的情况下使间隙变窄，也就是该排放装置的“无底(bottomless)”特性，该特性意味着该气刀不会“感觉到”该腔室70的底部。在这些实施例中，至少一个分割件(divider)定位在腔室70中并处于该间隙15下面，以便将通向该腔室的间隙开口分成两个或更多个间隙。

在图8c中示出的实施例中，杆件200定位在间隙15下方，在一个实施例中该杆件200是沿该间隙15的整个长度，使得该杆件200是环形的(或其它周边形状)。该杆件200将间隙15分成两部分，使得将存在两个较短的弯月面，一个位于杆件200与基底W之间或位于该杆件200与直接处于基底W下方的基底台WT之间，而另一个位于杆件200与杆件200的右手侧上的基底台WT之间，如图8c所示，然而，因为来自气刀的气体很容易通过杆件200的任何一侧进入腔室70，因此不会妨碍该排放装置的无底特性。

图8d的实施例与图8c的实施例类似，除了杆件200被一系列叶片210代替。这些叶片或翼片210布置成使得它们在彼此之间形成从间隙15通向腔室70的多个间隙或通道。这样，这些翼片210在截面上可以看作是长型结构，在一个实施例中，这些长型结构的长度沿着整个间隙15的底部延伸，以便形成若干环形(或其它周边形状)。示出了四个翼片210。然而，本领域技术人员将理解，可以提供任何数量的翼片。该翼片将该间隙15的宽度分成若干较小的间隙，液体弯月面需要去桥接这些较小间隙。

图8e的实施例示出了另一种思想，其中，网状件220布置在间隙15下方，使得它桥接在间隙15左手侧上的基底台WT与间隙15右手侧上的基底台WT之间的间隙上。再一次，在一个实施例中，该网状件围绕整个间隙15延伸。该网格或丝网或网状件220可给该液体提供很多间隙(弯月面必须桥接在这些间隙上)，由此提供多个供液体通过的狭窄间隙。然而，即使这样一种网格或丝网或网状件也不会向通过其的气体流动产生太多阻力。

图8f示出了另一个实施例，其中该间隙被分成两部分。在这种情况下，将单个板230放置在该间隙的中央，由此将间隙分成两部分，并减小液体必须桥接的宽度。在图8f的实施例中，仅提供了一块板，该平板具有给定的厚度(与在图8d中示出的具有多个翼片的实施例相比)。在图8f的实施例中，该板230示出为是竖向的。然而，该板230可以不必是竖向的，它可以像图8d的实施例中的翼片210一样倾斜。

在上面描述的实施例中，所描述的各个表面是疏液体的，其它表面是亲液体的。实际上，这两种表面可以都是疏液体的，或者都是亲液体的；这些表面具有与液体的不同接触角的特性是所要达到的效果。也就是说，该液体将以最小的接触角(并且在最狭窄的位置)聚集在表面上，即以最低的表面能且以最小的自由液体表面放置。这样，上述的亲液体区域也可以是疏液体的，只要它们与液体之间的接触角和已经描述过的疏液体区域的接触角不同。反过来也是可以的(即所描述的疏液体区域实际上可以是亲液体的，只要它们与液体之间的接触角和已经描述过的亲液体区域的接触角不同)。

例如一个表面具有30°的接触角，另一表面具有80°的接触角。在这种情况下，顶壁具有80°的接触角，底壁具有30°的接触角。

图9a-图9b示出了一个实施例，除了下面所描述的之外，该实施例和上面参考图6描述的实施例相同。在该实施例中，提供一挡板100来密封该间隙15通向腔室70的入口。在图9a中，该间隙15示出为从基底W的边缘通向腔室70的曲折路径。然而，在本实施例中也可以使用如图6、7或8所示的间隙15。

该挡板100是一个柔性挡板，它可沿着间隙15的整个周边延伸。该挡板100在其最内侧边缘或最外侧的边缘处连接至该基底台。在该实施例中，提供一主动型液体去除装置，使得腔室70保持在负压下，其中该压力低于环境压力。为了在液体供给装置尚未定位在沿间隙15的那一点处时避免在基底W边缘的表面上产生气体流动，使挡板被偏置成使其覆盖该间隙15通向腔室70的入口。当液体进入间隙15并被迫沿着间隙15流到挡板100上时，挡板的材料性质和挡板100的尺寸选择成使得该液体的重量和/或作用在挡板顶部上的流体动压将在未连接至基底台的挡板边缘处向下压该挡板(如图9b所示)，从而使得液体能够流入腔室70中，然后利用主动型液体去除装置吸出液体。很明显，当去除所有液体时，该挡板100将移回到阻塞该通向腔室70的间隙15的位置，这是因为该挡板沿该方向被偏置。

当该挡板被移开而不能密封该间隙时，如图9b所示，该液体的重量和/或动压力将迫使该挡板100打开，这样液体就暴露在腔室70中的负压下，并被吸入腔室70中，然后通过主动型液体去除装置180从腔室70中去除。

这样，在该实施例中，可以防止基底边缘上方的气体流动。

图10示出了另一个实施例，除了液体去除装置的形式是单相抽取器801并提供了排放装置加热器300之外，该实施例和上面参考图8b描述的实施例相同。该排放装置加热器300能够用来补偿可能出现的通过间隙15的任何空气流动，和/或补偿由于蒸发而引起的热损失。该单相抽取器801定位在腔室70的底部。该单相抽取器包括多个通孔805。这些通孔是以丝网的形式提供的。这些通孔具有一定的尺寸，使得液体弯月面能够在桥接各通孔805上的间隙。该多个通孔805定位在该排放装置的腔室70与另一施加有负压的腔室810之间。该第二腔室810填充有液体并在使用中一直充满液体。

这些小孔的直径范围是5至50μm，优选地，这些小孔的表面是略微亲液体的，即，与浸液之间的接触角小于90°。EP1028163公开了这种类型的液体抽取器，我们参考该文献来说明该单相抽取器810的特征。

尽管在本申请中可以具体参考该光刻装置在IC制造中的使用，但是应该理解这里描述的光刻装置可能具有其它应用，例如，用于制造集成光学***、用于磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、液晶显示器(LCD)、薄膜磁头等等。本领域技术人员应该理解，在这种可替换的用途范围中，这里任何术语“晶片”或者“管芯(die)”的使用应认为分别可以与更上位的术语“基底”或“靶部”同义。在曝光之前或之后，可以在例如匀胶显影机(track，通常将抗蚀剂层施加于基底上并将已曝光的抗蚀剂显影的一种工具)、计量工具和/或检验工具中对这里提到的基底进行处理。在可应用的地方，这里的公开可应用于这种和其它基底处理工具。另外，例如为了形成多层IC，可以对基底进行多次处理，因此这里所用的术语基底也可以指已经包含多个已处理的层的基底。

尽管在上文已经具体参考了本发明的实施例在光学光刻环境中的应用，但是应该理解本发明可以用于其它应用，例如压印光刻法，在本申请允许的地方，本发明不限于光学光刻法。在压印光刻法中，构图部件中的构形限定了在基底上形成的图案。该构图部件的构形可以被压入到施加于基底上的抗蚀剂层中，并在基底上通过施加电磁辐射、热、压力或上述方式的组合来使抗蚀剂固化。在抗蚀剂固化之后，可以将构图部件从抗蚀剂中移出而留下图案。

这里使用的术语“辐射”和“束”包含所有类型的电磁辐射，包括紫外(UV)辐射(例如具有大约365，248，193，157或者126nm的波长)和极紫外(EUV)辐射(例如具有5-20nm范围内的波长)，以及粒子束，例如离子束或电子束。

在本申请允许的地方，术语“透镜”可以表示各种类型的光学部件中的任意一种或组合，包括折射光学部件、反射光学部件、磁性光学部件、电磁光学部件和静电光学部件。

尽管上面已经描述了本发明的具体实施例，但是应该理解，可以以不同于所描述的其它方式来实施本发明。例如，本发明可以采取计算机程序的形式，该计算机程序包含描述了上面所公开方法的一个或多个序列的机器可读指令，或者包含其中存储有这种计算机程序的数据存储介质(例如半导体存储器、磁盘或光盘)。

本发明的一个或多个实施例可以应用于任何浸液光刻装置，特别地但不唯一的，可以应用于上面提到的那些类型的光刻装置，而不论该浸液是以浴槽的形式提供或仅仅提供到该基底的局部表面区域上。如这里所设计的液体供给***应该广义地进行解释。在某些实施例中，它可以是将液体提供到投影***和基底和/或基底台之间的空间的一种机构或结构组合。它可以包括将液体提供到该空间的一个或多个结构、一个或多个液体入口、一个或多个气体入口、一个或多个其它出口和/或一个或多个液体出口的组合。在一个实施例中，该空间的表面可以是基底和/或基底台的一部分，或者该空间的表面可以完全覆盖基底和/或基底台的表面，或者该空间可以包围该基底和/或基底台。可选择地，该液体供给***还可包括一个或多个元件来控制该液体的位置、数量、质量、形状、流速或任何其它特征。

根据所所用曝光辐射的期望属性和波长，在该装置中使用的浸液具有不同的组分。对于193nm的曝光波长，可以使用超纯水和水基组分，因此，该浸液有时称为水和与水相关的术语，如可以使用亲水的、疏水的、潮湿的，等等。

上面的描述是为了说明性的而非限制性的。因此，对本领域技术人员来说显而易见的是，在不脱离下面描述的权利要求的范围的条件下，可以对所描述的发明进行各种修改。

Claims

1.一种光刻装置，包括：

基底台，用于保持基底；

液体供给***，用于向该基底台上的对象与投影***之间的空间提供液体；

位于基底台中的排放装置，用于容纳在使用时在该对象的边缘与该基底台之间泄漏的液体；和

被动型液体去除装置，用于从该排放装置去除液体，

其中，在使用时，该排放装置中的气体压力维持成与基底台上方的环境气体压力基本相同。

2.如权利要求1所述的装置，其特征在于，在使用时，该排放装置构造和布置成从不充满液体。

3.如权利要求1所述的装置，其特征在于，该被动型液体去除装置包括毛细通道。

4.如权利要求1所述的装置，其特征在于，该液体去除装置包括位于所述排放装置的底表面中的多个分立且间隔开的通孔，这些通孔通向一腔室。

5.如权利要求4所述的装置，其特征在于，所述排放装置包括下侧壁，所述下侧壁朝着所述多个分立且间隔开的通孔倾斜。

6.如权利要求4所述的装置，其特征在于，所述排放装置包括上侧壁，所述上侧壁从在该对象的边缘与该基底台之间的间隙向外倾斜以连接下侧壁。

7.如权利要求6所述的装置，其特征在于，所述液体与所述上侧壁的接触角大于90°。

8.如权利要求1所述的装置，其特征在于，还包括与所述排放装置相邻的加热器。

9.如权利要求1所述的装置，其特征在于，该排放装置包括一腔室，该腔室经由一间隙而对该基底台的顶表面是开放的，该间隙在使用过程中围绕该对象的周边延伸。

10.如权利要求9所述的装置，其特征在于，还包括定位在该排放装置中且位于该间隙下方的分割件，以将该间隙通入到该排放装置内的开口分成至少两部分。

11.如权利要求10所述的装置，其特征在于，该分割件包括网状件。

12.如权利要求10所述的装置，其特征在于，该分割件包括多个基本上向下延伸的翼片。

13.如权利要求9所述的装置，其特征在于，一条直的竖向路径从该基底台的外部穿过该间隙进入到该排放装置内。

14.如权利要求13所述的装置，其特征在于，该排放装置和该间隙具有一高度，并且该排放装置和该间隙的高度使得该排放装置的底部与该基底台的顶表面相距至少1mm。

15.如权利要求14所述的装置，其特征在于，该排放装置比该间隙至少宽1mm。

16.如权利要求1所述的装置，其特征在于，在使用过程中，液体通过在该对象的边缘与该基底台之间的间隙进入该排放装置，该间隙的彼此相面对的表面与该液体之间的接触角大于90°，和/或，所述排放装置的最接近所述间隙的上表面与该液体之间的接触角大于90°。

17.如权利要求16所述的装置，其特征在于，所述彼此相面对的表面限定了该间隙的最窄部分。

18.如权利要求16所述的装置，其特征在于，所述彼此相面对的表面是凸出的，使得该间隙在中部狭窄。

19.如权利要求16所述的装置，其特征在于，所述彼此相面对的表面之一是该对象的表面。

20.如权利要求19所述的装置，其特征在于，另一表面是凹入的，并且，该间隙在通向该排放装置的入口处最窄。

21.如权利要求1所述的装置，其特征在于，在使用过程中，基本上没有气流通过在该对象的边缘与该基底台之间的间隙进入该排放装置。

22.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述液体与该排放装置的表面之间的接触角随位置而改变。

23.一种光刻装置，包括：

基底台，用于保持基底；

位于基底台中的腔室，该腔室与一在使用时包围该对象外边缘的间隙成流体连通，使得该腔室在该对象外边缘周围的一位置处对该基底台的外表面是开放的；和

被动型液体去除装置，用于从该腔室去除液体，

其中，在使用中，该液体与限定了该间隙且在该间隙上彼此面对的表面之间的接触角大于45°。

24.如权利要求23所述的装置，其特征在于，在使用过程中，该液体与所述限定了该间隙且在该间隙上彼此面对的表面之间的接触角大于90°。

25.如权利要求24所述的装置，其特征在于，所述表面是凸出的，使得该间隙在中部变窄。

26.如权利要求23所述的装置，其特征在于，该腔室的宽度比该间隙宽至少1mm。

27.如权利要求23所述的装置，其特征在于，该腔室的高度是该间隙的高度的至少两倍。

28.一种光刻装置，包括：

基底台，用于保持基底；

位于基底台中的腔室，该腔室与一间隙成流体连通，在使用中，该间隙包围该对象的外边缘，使得该腔室在该对象外边缘周围的一位置处对该基底台的外表面是开放的；和

被动型液体去除装置，用于从该腔室去除液体，

其中，在使用中，限定了该间隙的表面与该间隙所通向的腔室的表面之间的角度是至少90°。

29.如权利要求28所述的装置，其特征在于，该角度是至少100°。

30.一种光刻装置，包括：

基底台，用于保持基底，该基底台包括通向腔室的通道，该通道将该腔室连接至该基底台的外表面，在使用中，该通道包围该基底台上的对象的外缘；

被动型液体去除装置，用于从该腔室去除液体；和

柔性挡板，该柔性挡板可延伸横跨该通道，并且基本上被偏置成去阻挡该通道与该腔室之间的气体流动，并且，该柔性挡板可通过来自上方的流体静压力和/或流体动压力而变形以开通间隙，从而允许形成从该通道进入该腔室的液体通路。

31.如权利要求30所述的装置，其特征在于，该柔性挡板延伸横跨该基底台的两个部分。

32.如权利要求30所述的装置，其特征在于，该柔性挡板包括一圈材料，该材料的柔性足以使得沿其长度的局部区域可变形，以允许形成从该通道进入该腔室的局部液体通路。

33.一种光刻装置，包括：

液体供给***，用于向投影***与基底之间的空间提供液体；

用于保持基底的第一基底台，该第一基底台的边缘具有表面，该表面具有竖向部分；

用于保持基底的第二基底台，该第二基底台的边缘具有表面，该表面具有竖向部分；

腔室，该腔室与位于所述第一基底台和所述第二基底台之间的间隙成流体连通，使得该腔室对所述第一基底台和所述第二基底台的外表面是开放的；和

被动型液体去除装置，用于从该腔室去除液体，

其中，在使用中，该液体与上述表面中至少一个表面的至少一部分之间的接触角大于45°。

34.如权利要求33所述的装置，其特征在于，每一表面是一突出部的一部分，并形成各自基底台的最外侧边界。

35.一种器件制造方法，包括：将图案化辐射束透过液体投影到基底上，并将在一对象的边缘与用于保持基底的基底台之间泄漏的液体收集在一排放装置中，该排放装置保持在环境压力下，其中，设置被动型液体去除装置，用于从该排放装置去除液体。

36.一种器件制造方法，包括：将图案化辐射束透过液体投影到基底上，并经由对象与用于保持基底的基底台之间的间隙将液体收集在腔室中，该液体与限定了该间隙且在该间隙上彼此面对的表面之间的接触角大于45°，其中，设置被动型液体去除装置，用于从该腔室去除液体。

37.一种器件制造方法，包括：将图案化辐射束透过液体投影到由第一基底台支撑的基底上，将第二基底台定位成与第一基底台相邻并使两个基底台一起在该投影***下方移动，使得该第二基底台在投影***下方移动，其中，第一基底台和第二基底台的在该移动过程中定位成彼此相邻的边缘中的每个边缘都包括具有竖向部分的表面，其中，该液体与该这些表面中的至少一个表面的至少一部分之间的接触角大于45°，且其中设置有腔室，该腔室与位于所述第一基底台和所述第二基底台之间的间隙成流体连通，使得该腔室对所述第一基底台和所述第二基底台的外表面是开放的；以及设置被动型液体去除装置，用于从该腔室去除液体。